KR102564223B1 - Light emitting device and lighting device - Google Patents

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Abstract

실시 예는 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 조명장치에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광소자는 캐비티를 갖는 패키지 몸체와, 패키지 몸체의 캐비티 내에 배치된 발광 칩, 및 패키지 몸체 상에 배치된 투명 윈도우를 포함하고, 투명 윈도우는 패키지 몸체와 접하는 금속층을 포함하여 발광 칩의 자외선 파장에 의한 구성들의 변색 및 변질을 방지할 수 있다. 실시 예는 발광소자의 변색 및 변질을 방지하여 결함을 개선하고, 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 발광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.The embodiment relates to a light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, and a lighting device.
A light emitting device according to an embodiment includes a package body having a cavity, a light emitting chip disposed in the cavity of the package body, and a transparent window disposed on the package body, and the transparent window includes a metal layer in contact with the package body to make the light emitting chip. It is possible to prevent discoloration and deterioration of components caused by UV wavelengths of . The embodiment can prevent discoloration and deterioration of the light emitting device to improve defects, improve reliability, and improve luminous efficiency and luminous flux.

Description

발광소자 및 조명장치{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING DEVICE}Light emitting device and lighting device {LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING DEVICE}

실시 예는 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 조명장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, and a lighting device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 발광 다이오드는 저 전압으로 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다.A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when a current is applied thereto. A light emitting diode can emit light with high efficiency at a low voltage and thus has an excellent energy saving effect.

질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 자외선(UV) 발광소자, 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.Nitride semiconductors are of great interest in the development of optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, ultraviolet (UV) light emitting devices, blue light emitting devices, green light emitting devices, red (RED) light emitting devices, and the like using nitride semiconductors are commercialized and widely used.

일반적으로 질소(N)와 같은 Ⅴ족 소스와, 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 또는 인듐(In)과 같은 Ⅲ족 소스를 포함하는 질화물 반도체 소재는 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 갖고 있어, 질화물계 반도체 소자 예컨대, 자외선 영역의 질화물계 반도체 발광소자 및 태양전지용 물질로 많이 사용되고 있다.In general, a nitride semiconductor material including a group V source such as nitrogen (N) and a group III source such as gallium (Ga), aluminum (Al), or indium (In) has excellent thermal stability and direct transition energy. Since it has a band structure, it is widely used as a material for a nitride-based semiconductor device, for example, a nitride-based semiconductor light emitting device in the ultraviolet region and a solar cell.

질화물계 물질은 0.7eV에서 6.2eV의 폭넓은 에너지 밴드갭을 가지고 있어 태양광스펙트럼 영역과 일치하는 특성으로 인하여 태양전지소자용 물질로 많이 사용되고 있다. 특히, 자외선 발광소자는 경화기 장치, 의료분석기 및 치료기기 및 살균, 정수, 정화시스템 등 다양한 산업분야에서 활용되고 있으며, 향후 반도체 조명 광원으로써 일반조명에 사용 가능한 물질로서 주목을 받고 있다.Nitride-based materials have a wide energy band gap of 0.7 eV to 6.2 eV, and are widely used as materials for solar cell devices due to their characteristics matching the solar spectrum region. In particular, UV light emitting devices are used in various industrial fields such as curing devices, medical analyzers and treatment devices, and sterilization, water purification, and purification systems, and are attracting attention as materials that can be used for general lighting as semiconductor light sources in the future.

한편, 일반적인 자외선 발광소자는 주변의 구성들을 변색 또는 변질시키는 문제가 있었다. 예컨대 일반적인 자외선 발광소자는 투명 윈도우를 결합하기 위해 일반적으로 사용되는 실리콘 레진과 같은 본딩층의 변색 및 변질을 야기하여 광 출력 저하 및 신뢰성이 저하된다.On the other hand, general ultraviolet light emitting devices have a problem of discoloration or deterioration of surrounding components. For example, a general ultraviolet light emitting device causes discoloration and deterioration of a bonding layer such as silicon resin commonly used for bonding a transparent window, thereby reducing light output and reliability.

실시 예는 결함을 개선할 수 있는 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 조명장치를 제공할 수 있다.Embodiments may provide a light emitting device capable of improving defects, a manufacturing method of the light emitting device, and a lighting device.

실시 예는 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 조명장치를 제공할 수 있다.Embodiments may provide a light emitting device capable of improving luminous efficiency, a manufacturing method of the light emitting device, and a lighting device.

실시 예는 광속을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 조명장치를 제공할 수 있다.Embodiments may provide a light emitting device capable of improving luminous flux, a manufacturing method of the light emitting device, and a lighting device.

실시 예는 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 조명장치를 제공할 수 있다.Embodiments may provide a light emitting device capable of improving reliability, a manufacturing method of the light emitting device, and a lighting device.

실시 예는 결합력을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 조명장치를 제공할 수 있다.Embodiments may provide a light emitting device capable of improving bonding strength, a method of manufacturing the light emitting device, and a lighting device.

실시 예에 따른 발광소자는 캐비티를 갖는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체의 캐비티 내에 배치된 발광 칩; 및 상기 패키지 몸체 상에 배치된 투명 윈도우를 포함하고, 상기 투명 윈도우는 상기 패키지 몸체와 접하는 금속층을 포함하여 발광 칩의 자외선 파장에 의한 구성들의 변색 및 변질을 방지할 수 있다. 실시 예는 발광소자의 변색 및 변질을 방지하여 결함을 개선하고, 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 발광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.A light emitting device according to an embodiment includes a package body having a cavity; a light emitting chip disposed in the cavity of the package body; and a transparent window disposed on the package body, wherein the transparent window includes a metal layer in contact with the package body to prevent discoloration and deterioration of components of the light emitting chip due to UV wavelengths. The embodiment can prevent discoloration and deterioration of the light emitting device to improve defects, improve reliability, and improve luminous efficiency and luminous flux.

실시 예의 조명장치는 상기 발광소자를 포함하여 결함을 개선하고, 신뢰성, 발광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.The lighting device according to the embodiment includes the light emitting device to improve defects, improve reliability, luminous efficiency, and luminous flux.

실시 예의 발광소자는 투명 윈도우와 패키지 몸체 사이에 금속층이 배치되어 발광 칩의 자외선 파장에 의한 변색 및 변질을 방지할 수 있다. In the light emitting device of the embodiment, a metal layer is disposed between the transparent window and the package body to prevent discoloration and deterioration of the light emitting chip by ultraviolet wavelengths.

실시 예는 발광소자의 변색 및 변질을 방지하여 결함을 개선할 수 있다.The embodiment can improve defects by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device.

실시 예는 발광소자의 변색 및 변질을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve reliability by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device.

실시 예는 발광소자의 변색 및 변질을 방지하여 발광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve luminous efficiency and luminous flux by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device.

다른 실시 예는 캐비티와 연결되는 단차구조를 포함하는 패키지 몸체와, 상기 투명 윈도우 가장자리 하부 및 외측면에 배치되어 상기 단차구조와 접하는 금속층에 의해 투명 윈도우의 얼라인 신뢰도를 향상시킬 수 있다.In another embodiment, reliability of alignment of the transparent window may be improved by a package body including a stepped structure connected to the cavity, and a metal layer disposed on the lower edge and outer surface of the transparent window and in contact with the stepped structure.

다른 실시 예는 상기 단차구조 및 단차구조와 접하는 금속층에 의해 투명 윈도우와 패키지 몸체의 접촉 면적을 넓어져 결합력을 향상시킬 수 있다.In another embodiment, the contact area between the transparent window and the package body is widened by the stepped structure and the metal layer in contact with the stepped structure, thereby improving bonding strength.

또 다른 실시 예는 캐비티로부터 이격된 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.Another embodiment may improve external moisture penetration by a stepped structure spaced apart from the cavity.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자의 가장자리를 도시한 단면도이다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 4는 또 다른 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 5 내지 도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 9 내지 도 12는 다른 실시 예에 따른 발광소자의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 13은 실시 예에 따른 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 14는 다른 실시 예에 따른 발광 칩을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an edge of the light emitting device of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.
5 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.
9 to 12 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment.
13 is a cross-sectional view of a light emitting chip according to an embodiment.
14 is a cross-sectional view of a light emitting chip according to another embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is "on/over" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as being formed in, "on/over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for the top/top or bottom of each layer will be described based on the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자의 가장자리를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing an edge of the light emitting device of FIG. 1 .

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자(100)는 패키지 몸체(110), 발광 칩(150), 투명 윈도우(170)를 포함할 수 있다. 실시 예의 발광소자(100)는 자외선 파장의 광을 발광하는 발광 칩(150)으로부터 변형 및 변질되어 발생하는 결함 및 신뢰성 저하를 개선할 수 있다. 이를 위해 실시 예의 발광소자(100)는 투명 윈도우(170)와 상기 패키지 몸체(110)의 결합을 위해 금속층(190)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the light emitting device 100 according to the embodiment may include a package body 110 , a light emitting chip 150 , and a transparent window 170 . The light emitting device 100 of the embodiment can improve defects and reliability deterioration caused by deformation and deterioration from the light emitting chip 150 emitting light of ultraviolet wavelengths. To this end, the light emitting device 100 of the embodiment may include a metal layer 190 for coupling between the transparent window 170 and the package body 110 .

상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(101), 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)을 포함할 수 있다.The package body 110 may include a cavity 101 and first and second lead electrodes 120 and 130 .

상기 패키지 몸체(110)는 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 패키지 몸체(110)는 세라믹 재질을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 패키지 몸체(110)는 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic) 또는 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(110)는 SiO2, Si3N4, Al2O3, 또는 AlN일 수 있으며, 열 전도도가 140 W/mK 이상인 금속 질화물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The package body 110 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the package body 110 may include a ceramic material. For example, the package body 110 may include low temperature co-fired ceramic (LTCC) or high temperature co-fired ceramic (HTCC). In addition, the package body 110 may be SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , or AlN, and may include a metal nitride having a thermal conductivity of 140 W/mK or more, but is not limited thereto.

상기 캐비티(101)는 상기 패키지 몸체(110)의 상부가 개방된 홈 구조를 가질 수 있다. 상기 캐비티(101)의 탑뷰는 형상이 원형, 타원형, 또는 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 다각형 형상의 캐비티(101)는 모서리 부분이 모따기 처리된 형상 예컨대, 곡면 형상일 수 있다.The cavity 101 may have a groove structure in which an upper portion of the package body 110 is open. The shape of the top view of the cavity 101 may include a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape. The polygonal shape of the cavity 101 may have a chamfered corner, for example, a curved shape.

상기 캐비티(101)는 하부로 갈수록 낮은 너비를 가질 수 있다. 예컨대 상기 캐비티(101)는 상부의 너비가 하부의 너비보다 넓을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 캐비티(101)는 전체가 동일한 너비일 수 있다. The cavity 101 may have a lower width as it goes downward. For example, the width of the upper part of the cavity 101 may be wider than the width of the lower part, but is not limited thereto. For example, the entire cavity 101 may have the same width.

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 캐비티(101)의 측벽 상에 반사층 또는 방열층이 배치될 수 있다. 여기서, 상기 반사층 또는 방열층은 반사 금속이거나, 열 전도성이 높은 금속일 수 있다. 상기 반사층 또는 방열층은 상기 캐비티(101) 내에서의 광 추출 효율을 개선시키고 방열 특성을 개선시켜 줄 수 있다.Although not shown in the drawing, a reflective layer or a heat dissipation layer may be disposed on the sidewall of the cavity 101 . Here, the reflective layer or the heat dissipation layer may be a reflective metal or a metal having high thermal conductivity. The reflective layer or heat dissipation layer may improve light extraction efficiency and heat dissipation characteristics within the cavity 101 .

상기 캐비티(101)의 영역은 빈 공간일 수 있거나, 비 금속 또는 금속 재질의 화학원소로 채워질 수 있다.The region of the cavity 101 may be an empty space or may be filled with non-metallic or metallic chemical elements.

상기 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)은 상기 패키지 몸체(110)와 결합될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)은 상기 캐비티(101)에 바닥 및 패키지 몸체(110)의 하부에 노출될 수 있다.The first and second lead electrodes 120 and 130 may be coupled to the package body 110 . The first and second lead electrodes 120 and 130 may be exposed to a bottom of the cavity 101 and a lower portion of the package body 110 .

상기 제1 리드 전극(120)는 상기 캐비티(101)의 바닥에 노출된 제1 상부리드(121)와, 상기 패키지 몸체(110) 하부에 노출된 제1 하부리드(123)와, 상기 제1 상부리드(121)와 제1 하부리드(123) 사이를 연결하는 제1 연결리드(125)를 포함할 수 있다.The first lead electrode 120 includes a first upper lead 121 exposed on the bottom of the cavity 101, a first lower lead 123 exposed on the lower portion of the package body 110, and the first A first connection lead 125 connecting between the upper lead 121 and the first lower lead 123 may be included.

상기 제1 상부리드(121)는 상기 발광 칩(150)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 상부리드(121)는 상기 발광 칩(150) 아래에 배치될 수 있고, 상기 발광 칩(150)의 제1 와이어(153)와 연결될 수 있다. 상기 제1 상부리드(121)는 상기 제1 연결리드(125)를 통해서 상기 제1 하부리드(123)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 연결리드(125)는 비아 구조일 수 있다. 예컨대 제1 연결리드(125)는 상기 패키지 몸체(110)의 수직으로 관통된 영역에 배치될 수 있다. The first upper lead 121 may be electrically connected to the light emitting chip 150 . The first upper lead 121 may be disposed under the light emitting chip 150 and may be connected to the first wire 153 of the light emitting chip 150 . The first upper lead 121 may be electrically connected to the first lower lead 123 through the first connection lead 125 . The first connection lead 125 may have a via structure. For example, the first connection lead 125 may be disposed in a vertically penetrated area of the package body 110 .

상기 제2 리드 전극(130)는 상기 캐비티(101)의 바닥에 노출된 제2 상부리드(131)와, 상기 패키지 몸체(110) 하부에 노출된 제2 하부리드(133)와, 상기 제2 상부리드(131)와 제2 하부리드(133) 사이를 연결하는 제2 연결리드(135)를 포함할 수 있다.The second lead electrode 130 includes a second upper lead 131 exposed on the bottom of the cavity 101, a second lower lead 133 exposed on the lower portion of the package body 110, and the second lead electrode 130. A second connection lead 135 connecting between the upper lead 131 and the second lower lead 133 may be included.

상기 제2 상부리드(131)는 상기 발광 칩(150)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 상부리드(131)는 상기 발광 칩(150)으로부터 이격될 수 있고, 상기 발광 칩(150)의 제2 와이어(155)와 연결될 수 있다. 상기 제2 상부리드(131)는 상기 제2 연결리드(135)를 통해서 상기 제2 하부리드(133)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 연결리드(135)는 비아 구조일 수 있다. 예컨대 제2 연결리드(135)는 상기 패키지 몸체(110)의 수직으로 관통된 영역에 배치될 수 있다.The second upper lead 131 may be electrically connected to the light emitting chip 150 . The second upper lead 131 may be spaced apart from the light emitting chip 150 and may be connected to the second wire 155 of the light emitting chip 150 . The second upper lead 131 may be electrically connected to the second lower lead 133 through the second connection lead 135 . The second connection lead 135 may have a via structure. For example, the second connection lead 135 may be disposed in a vertically penetrated area of the package body 110 .

상기 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)은 금속 예컨대, 백금(Pt), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 탄탈늄(Ta), 알루미늄(Al)을 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 리드 전극(120, 130) 각각의 구성들은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 철(Fe), 주석(Sn), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 복수의 층으로 형성될 수 있다.The first and second lead electrodes 120 and 130 are made of metal, for example, platinum (Pt), titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), tantalum (Ta), aluminum ( Al) may optionally be included. Each of the first and second lead electrodes 120 and 130 may be formed in a single layer or multiple layers. The first and second lead electrodes 120 and 130 may be made of titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), It may include at least one of tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), iron (Fe), tin (Sn), zinc (Zn), and aluminum (Al), and may be formed of a plurality of layers. there is.

상기 발광 칩(150)은 캐비티(101) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(150)은 상기 제1 및 제2 리드 전극(120, 130) 중 적어도 하나의 위에 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(150)이 제1 리드 전극(120) 위에 배치된 경우, 본딩 부재(151)는 제1 리드 전극(120)과 발광 칩(150) 사이를 본딩시킬 수 있다. 상기 본딩 부재(151)는 발광 칩(150) 및 제1 리드 전극(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(150)은 제1 및 제2 와이어(153, 155)를 통해서 상기 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)과 전기적으로 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting chip 150 may be disposed within the cavity 101 . The light emitting chip 150 may be disposed on at least one of the first and second lead electrodes 120 and 130 . When the light emitting chip 150 is disposed on the first lead electrode 120 , the bonding member 151 may bond the first lead electrode 120 and the light emitting chip 150 together. The bonding member 151 may be disposed between the light emitting chip 150 and the first lead electrode 120 . The light emitting chip 150 may be electrically connected to the first and second lead electrodes 120 and 130 through first and second wires 153 and 155, but is not limited thereto.

예컨대 상기 발광 칩(150)은 캐비티(101) 내에서 플립 칩 본딩될 수 있으며, 이에 대해 한정되는 것은 아니다. 상기 발광 칩(150)은 제1 및 제2 리드 전극(120, 130) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광 칩(150)은 상기 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)으로부터 이격되어 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 또한, 다른 예로서, 상기 발광 칩(150)은 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)으로부터 전기적으로 분리된 금속 재질의 방열 플레이트 상에 배치될 수도 있다.For example, the light emitting chip 150 may be flip-chip bonded within the cavity 101, but is not limited thereto. The light emitting chip 150 may be disposed on the first and second lead electrodes 120 and 130 . In addition, the light emitting chip 150 may be spaced apart from the first and second lead electrodes 120 and 130 and disposed on the package body 110 . Also, as another example, the light emitting chip 150 may be disposed on a heat dissipation plate made of metal electrically separated from the first and second lead electrodes 120 and 130 .

상기 발광 칩(150)은 자외선 발광 다이오드일 수 있다. 상기 발광 칩(150)은 200nm 내지 405nm대의 파장을 가지는 자외선 발광 다이오드일 수 있다. 예컨대 발광 칩(150)은 200nm 내지 289 파장을 방출하거나, 290nm 내지 319nm 파장을 방출하거나, 320nm 내지 405nm 파장을 방출할 수 있다. 상기 캐비티(101) 내에는 제너 다이오드와 같은 보호 소자가 더 배치될 수 있으나, 이에 대해 한정되는 것은 아니다.The light emitting chip 150 may be an ultraviolet light emitting diode. The light emitting chip 150 may be an ultraviolet light emitting diode having a wavelength of 200 nm to 405 nm. For example, the light emitting chip 150 may emit a wavelength of 200 nm to 289 nm, a wavelength of 290 nm to 319 nm, or a wavelength of 320 nm to 405 nm. A protection element such as a Zener diode may be further disposed in the cavity 101, but is not limited thereto.

상기 투명 윈도우(170)는 상기 패키지 몸체(110) 상에 배치된다. 상기 투명 윈도우(170)는 상기 캐비티(101)를 덮을 수 있다. 상기 투명 윈도우(170)은 상기 패키지 몸체(110)와 결합될 수 있다. 상기 투명 윈도우(170)의 상면은 평탄한 면이거나 오목한 면이거나 볼록한 면일 수 있다. 상기 투명 윈도우(170)의 하면은 평탄한 면이거나, 오목한 면이거나 볼록한 면일 수 있다. The transparent window 170 is disposed on the package body 110 . The transparent window 170 may cover the cavity 101 . The transparent window 170 may be coupled to the package body 110 . The upper surface of the transparent window 170 may be a flat surface, a concave surface, or a convex surface. The lower surface of the transparent window 170 may be a flat surface, a concave surface, or a convex surface.

상기 투명 윈도우(170)는 유리계열 재질을 포함할 수 있다. 상기 투명 윈도우(170)는 예컨대, LiF, MgF2, CaF2, BaF2, Al2O3, SiO2 또는 광학유리(N-BK7)의 투명한 물질로 형성될 수 있으며, SiO2의 경우, 쿼즈 결정 또는 UV Fused Silica일 수 있다. 또한, 상기 투명 윈도우(170)는 저철분 글라스(low iron glass)일 수 있다. The transparent window 170 may include a glass-based material. The transparent window 170 may be formed of, for example, a transparent material such as LiF, MgF 2 , CaF 2 , BaF 2 , Al 2 O 3 , SiO 2 or optical glass (N-BK7), and in the case of SiO 2 , quartz It can be crystal or UV Fused Silica. Also, the transparent window 170 may be low iron glass.

실시 예의 발광소자(100)는 상기 투명 윈도우(170) 아래에 투명층(180)을 포함할 수 있다. 상기 투명층(180)은 상기 금속층(190)과 투명 윈도우(170)의 접착력을 향상시키고, 광속을 향상시킬 수 있다. 상기 투명층(180)은 투명한 산화 계열 물질 또는 투명한 질화 계열 물질을 포함할 수 있다. 상기 투명층(180)은 상기 투명 윈도우(170) 상에 증착될 수 있다. 상기 투명층(180)은 상기 투명 윈도우(170) 하부의 가장자리에 형성될 수 있다. 상기 투명층(180)은 금속물질의 금속층(190)과 투명 윈도우(170) 사이의 물질특성을 보완하는 버퍼기능을 포함할 수 있다. 즉 상기 투명층(180)은 상기 투명 윈도우(170) 상에 금속층(190)의 형성 신뢰도를 향상시킬 수 있다.The light emitting device 100 of the embodiment may include a transparent layer 180 under the transparent window 170 . The transparent layer 180 may improve adhesion between the metal layer 190 and the transparent window 170 and improve light flux. The transparent layer 180 may include a transparent oxide-based material or a transparent nitride-based material. The transparent layer 180 may be deposited on the transparent window 170 . The transparent layer 180 may be formed at an edge of a lower portion of the transparent window 170 . The transparent layer 180 may include a buffer function for supplementing material characteristics between the metal layer 190 of a metal material and the transparent window 170 . That is, the transparent layer 180 may improve the formation reliability of the metal layer 190 on the transparent window 170 .

예컨대, 상기 투명층(180)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, SiO2으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 투명층(180)은 Si3N4의 투명한 질화 계열 물질일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the transparent layer 180 is ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrOx, RuOx , SiO 2 may be used, but is not limited thereto. The transparent layer 180 may be a transparent nitride-based material of Si 3 N 4 , but is not limited thereto.

상기 금속층(190)은 상기 투명 윈도우(170) 아래에 배치될 수 있다. 상기 금속층(190)은 상기 투명층(180) 아래에 배치될 수 있다. 상기 금속층(190)은 상기 투명층(180)과 직접 접할 수 있다. 상기 금속층(190)은 상기 투명 윈도우(170) 상에 증착될 수 있다. 상기 금속층(190)은 상기 투명층(180) 상에 증착될 수 있다. 상기 금속층(190)은 상기 투명 윈도우(170) 위에 증착된 상기 투명층(180) 위에 증착될 수 있다. 상기 금속층(190)은 상기 투명 윈도우(170)와 상기 패키지 몸체(110)를 결합시킬 수 있다. 예컨대 상기 금속층(190)은 상기 투명 윈도우(170)에 증착된 후, 유테틱(Eutectic) 본딩으로 상기 패키지 몸체(110)와 결합될 수 있다.The metal layer 190 may be disposed below the transparent window 170 . The metal layer 190 may be disposed below the transparent layer 180 . The metal layer 190 may directly contact the transparent layer 180 . The metal layer 190 may be deposited on the transparent window 170 . The metal layer 190 may be deposited on the transparent layer 180 . The metal layer 190 may be deposited on the transparent layer 180 deposited on the transparent window 170 . The metal layer 190 may couple the transparent window 170 and the package body 110 . For example, after the metal layer 190 is deposited on the transparent window 170 , it may be coupled to the package body 110 through eutectic bonding.

상기 금속층(190)은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), TiW, 백금(Pt), 니켈(Ni), Ni/Ti, 구리(Cu), 금(Au), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 철(Fe), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 복수의 층으로 형성될 수 있다.The metal layer 190 may include titanium (Ti), chromium (Cr), tantalum (Ta), TiW, platinum (Pt), nickel (Ni), Ni/Ti, copper (Cu), gold (Au), tin ( It may include at least one of Sn), silver (Ag), phosphorus (P), iron (Fe), zinc (Zn), and aluminum (Al), and may be formed of a plurality of layers.

상기 금속층(190)은 접착층(195), 배리어층(193) 및 본딩층(191)을 포함할 수 있다. 상기 접착층(195)은 상기 투명층(180)과 접촉될 수 있고, 접착성이 좋은 물질을 포함할 수 있다. 상기 접착층(195)은 상기 투명층(180)과 접착을 위해 상기 금속층(190)의 상부에 배치될 수 있다. 예컨대 상기 접착층(195)은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 금속층(190)의 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The metal layer 190 may include an adhesive layer 195 , a barrier layer 193 , and a bonding layer 191 . The adhesive layer 195 may be in contact with the transparent layer 180 and may include a material having good adhesion. The adhesive layer 195 may be disposed on the metal layer 190 for bonding with the transparent layer 180 . For example, the adhesive layer 195 may include at least one of titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta), but is not limited thereto, and may include at least one of the materials of the metal layer 190. .

상기 배리어층(193)은 상기 접착층(195) 및 본딩층(191) 사이에 배치될 수 있다. 예컨대 상기 배리어층(193)은 백금(Pt), 니켈(Ni), Ni/Ti, 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 금속층(190)의 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The barrier layer 193 may be disposed between the adhesive layer 195 and the bonding layer 191 . For example, the barrier layer 193 may include at least one of platinum (Pt), nickel (Ni), Ni/Ti, and copper (Cu), but is not limited thereto, and at least one of the materials of the metal layer 190 may be used. can include

상기 본딩층(191)은 상기 배리어층(193) 아래에 배치될 수 있다. 상기 본딩층(191)은 상기 패키지 몸체(110)와 직접 접하고, 상기 패키지 몸체(110)와 결합될 수 있다. 예컨대 상기 본딩층(191)은 본딩이 좋은 금(Au)을 포함하는 Au-Sn, Au-In을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 금속층(190)의 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The bonding layer 191 may be disposed below the barrier layer 193 . The bonding layer 191 may directly contact the package body 110 and be coupled with the package body 110 . For example, the bonding layer 191 may include Au-Sn and Au-In including gold (Au) with good bonding, but is not limited thereto, and may include at least one of the materials of the metal layer 190. .

실시 예의 발광소자(100)는 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(110) 사이에 상기 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(110)를 결합시키는 금속층(190)이 배치되어 발광 칩(150)의 자외선 파장에 의한 변색 및 변질을 방지할 수 있다. In the light emitting device 100 of the embodiment, a metal layer 190 is disposed between the transparent window 170 and the package body 110 to couple the transparent window 170 and the package body 110 to the ultraviolet rays of the light emitting chip 150. Discoloration and deterioration due to wavelength can be prevented.

실시 예는 발광소자(100)의 변색 및 변질을 방지하여 결함을 개선할 수 있다.The embodiment can improve defects by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 100 .

실시 예는 발광소자(100)의 변색 및 변질을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve reliability by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 100 .

실시 예는 발광소자(100)의 변색 및 변질을 방지하여 발광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.In the embodiment, discoloration and deterioration of the light emitting device 100 may be prevented to improve luminous efficiency and luminous flux.

도 3은 다른 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.

도 3에 도시된 바와 같이, 다른 실시 예에 따른 발광소자(200)는 단차구조(215)를 갖는 패키지 몸체(210), 투명 윈도우(170), 투명층(280), 금속층(290), 발광소자(150), 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3 , the light emitting device 200 according to another embodiment includes a package body 210 having a stepped structure 215, a transparent window 170, a transparent layer 280, a metal layer 290, and a light emitting device. 150, and first and second lead electrodes 120 and 130.

상기 발광소자(150), 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)은 도 1 및 도 2의 실시 예에 따른 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The light emitting device 150 and the first and second lead electrodes 120 and 130 may adopt the technical characteristics of the light emitting device 100 according to the embodiments of FIGS. 1 and 2 .

상기 패키지 몸체(210)는 캐비티(101), 단차구조(215) 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)을 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(210)의 재질 및 캐비티(101)의 탑뷰 형상은 도 1 및 도 2의 실시 예에 따른 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The package body 210 may include a cavity 101 , a stepped structure 215 , and first and second lead electrodes 120 and 130 . The material of the package body 210 and the top view shape of the cavity 101 may adopt the technical characteristics of the light emitting device 100 according to the embodiment of FIGS. 1 and 2 .

상기 단차구조(215)는 상기 캐비티(101)의 가장자리에 배치될 수 있다. 상기 단차구조(215)는 상기 캐비티(101)의 상부와 연결될 수 있다. 상기 단차구조(215)는 상기 패키지 몸체(210)의 상부면 보다 낮은 바닥부(215a) 및 측부(215b)를 포함할 수 있다. 상기 단차구조(215)의 측부(215b) 및 바닥부(215a)는 패키지 몸체(210)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 단차구조(215)의 측부(215b)는 상기 바닥부(215a)로부터 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 단차구조(215)는 상기 투명 윈도우(170)의 가장자리를 지지할 수 있다. 즉, 상기 단차구조(215)는 상기 투명 윈도우(170)의 얼라인 및 결합력을 향상시킬 수 있다. 상기 단차구조(215)의 상기 측부(215b)의 높이는 상기 투명 윈도우(170)의 두께보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The stepped structure 215 may be disposed at an edge of the cavity 101 . The stepped structure 215 may be connected to an upper portion of the cavity 101 . The stepped structure 215 may include a bottom portion 215a and a side portion 215b that are lower than the upper surface of the package body 210 . The side portion 215b and the bottom portion 215a of the stepped structure 215 may be disposed inside the package body 210 . The side portion 215b of the stepped structure 215 may be disposed vertically or inclined from the bottom portion 215a. The stepped structure 215 may support an edge of the transparent window 170 . That is, the stepped structure 215 can improve alignment and bonding strength of the transparent window 170 . The height of the side portion 215b of the stepped structure 215 may be greater than the thickness of the transparent window 170, but is not limited thereto.

상기 투명 윈도우(170)는 상기 단차구조(215) 상에 배치될 수 있다. 상기 투명 윈도우(170)의 상부면은 상기 패키지 몸체(210)의 상부면과 나란하게 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 투명 윈도우(170)의 상부면은 상기 패키지 몸체(210)의 상부면보다 위 또는 아래에 배치될 수 있다.The transparent window 170 may be disposed on the stepped structure 215 . An upper surface of the transparent window 170 may be disposed parallel to an upper surface of the package body 210, but is not limited thereto. For example, the upper surface of the transparent window 170 may be disposed above or below the upper surface of the package body 210 .

상기 투명층(280)은 상기 투명 윈도우(170)의 가장자리 하부 및 외측면에 배치될 수 있다. 상기 투명층(280)은 상기 단차구조(215)와 대면될 수 있다. 상기 투명층(280)은 상기 금속층(290)과 투명 윈도우(170)의 접착력을 향상시키고, 광속을 향상시킬 수 있다. 상기 투명층(280)은 투명한 산화 계열 물질 또는 투명한 질화 계열 물질을 포함할 수 있다. 상기 투명층(280)은 상기 투명 윈도우(170) 상에 증착될 수 있다. 상기 투명층(280)은 금속물질의 금속층(290)과 투명 윈도우(170) 사이의 물질특성을 보완하는 버퍼기능을 포함할 수 있다. 즉 상기 투명층(280)은 상기 투명 윈도우(170) 상에 금속층(290)의 형성 신뢰도를 향상시킬 수 있다. The transparent layer 280 may be disposed on a lower edge and an outer surface of the transparent window 170 . The transparent layer 280 may face the stepped structure 215 . The transparent layer 280 may improve adhesion between the metal layer 290 and the transparent window 170 and improve light flux. The transparent layer 280 may include a transparent oxide-based material or a transparent nitride-based material. The transparent layer 280 may be deposited on the transparent window 170 . The transparent layer 280 may include a buffer function for supplementing material characteristics between the metal layer 290 of a metal material and the transparent window 170 . That is, the transparent layer 280 may improve the formation reliability of the metal layer 290 on the transparent window 170 .

예컨대 상기 투명층(280)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, SiO2으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 투명층(280)은 Si3N4의 투명한 질화 계열 물질일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the transparent layer 280 may include ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, One selected from the group consisting of SiO 2 may be used, but is not limited thereto. The transparent layer 280 may be a transparent nitride-based material of Si 3 N 4 , but is not limited thereto.

상기 금속층(290)은 상기 투명 윈도우(170) 가장자리 하부 및 외측면에 배치될 수 있다. 상기 금속층(290)은 상기 투명층(280) 가장자리 하부 및 외측면에 배치될 수 있다. 상기 금속층(290)은 상기 단차구조(215)와 대면될 수 있다. 상기 금속층(290)은 상기 투명층(280)과 단차구조(215) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 상기 금속층(290)은 상기 투명층(280) 및 단차구조(215) 직접 접할 수 있다. 상기 금속층(290)은 상기 투명 윈도우(170) 상에 증착될 수 있다. 상기 금속층(290)은 상기 투명층(280) 상에 증착될 수 있다. 상기 금속층(290)은 상기 투명 윈도우(170) 위에 증착된 상기 투명층(280) 위에 증착될 수 있다. 상기 금속층(290)은 상기 투명 윈도우(170)와 상기 패키지 몸체(210)를 결합시킬 수 있다. 예컨대 상기 금속층(290)은 상기 투명 윈도우(170)에 증착된 후, 유테틱(Eutectic) 본딩으로 상기 패키지 몸체(210)와 결합될 수 있다.The metal layer 290 may be disposed on a lower edge and an outer surface of the transparent window 170 . The metal layer 290 may be disposed on a lower edge and an outer surface of the transparent layer 280 . The metal layer 290 may face the stepped structure 215 . The metal layer 290 may be disposed between the transparent layer 280 and the stepped structure 215 . That is, the metal layer 290 may directly contact the transparent layer 280 and the stepped structure 215 . The metal layer 290 may be deposited on the transparent window 170 . The metal layer 290 may be deposited on the transparent layer 280 . The metal layer 290 may be deposited on the transparent layer 280 deposited on the transparent window 170 . The metal layer 290 may couple the transparent window 170 and the package body 210 . For example, after the metal layer 290 is deposited on the transparent window 170, it may be coupled to the package body 210 through eutectic bonding.

상기 금속층(290)은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), TiW, 백금(Pt), 니켈(Ni), Ni/Ti, 구리(Cu), 금(Au), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 철(Fe), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 복수의 층으로 형성될 수 있다.The metal layer 290 may include titanium (Ti), chromium (Cr), tantalum (Ta), TiW, platinum (Pt), nickel (Ni), Ni/Ti, copper (Cu), gold (Au), tin ( It may include at least one of Sn), silver (Ag), phosphorus (P), iron (Fe), zinc (Zn), and aluminum (Al), and may be formed of a plurality of layers.

상기 금속층(290)은 접착층, 배리어층 및 본딩층을 포함할 수 있다. 상기 금속층(290)의 접착층, 배리어층 및 본딩층은 도 1 및 도 2의 실시 예에 따른 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The metal layer 290 may include an adhesive layer, a barrier layer, and a bonding layer. The adhesive layer, the barrier layer, and the bonding layer of the metal layer 290 may employ technical characteristics of the light emitting device 100 according to the exemplary embodiment of FIGS. 1 and 2 .

다른 실시 예의 발광소자(200)는 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(210) 사이에 상기 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(210)를 결합시키는 금속층(290)이 배치되어 발광 칩(150)의 자외선 파장에 의한 변색 및 변질을 방지할 수 있다. In the light emitting device 200 of another embodiment, a metal layer 290 is disposed between the transparent window 170 and the package body 210 to couple the transparent window 170 and the package body 210 to the light emitting chip 150. It can prevent discoloration and deterioration caused by ultraviolet rays.

다른 실시 예는 발광소자(200)의 변색 및 변질을 방지하여 결함을 개선할 수 있다.Another embodiment can improve defects by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 200 .

다른 실시 예는 발광소자(200)의 변색 및 변질을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Another embodiment can improve reliability by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 200 .

다른 실시 예는 발광소자(200)의 변색 및 변질을 방지하여 발광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.Another embodiment can improve the luminous efficiency and luminous flux by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 200 .

다른 실시 예는 캐비티(101)와 연결되는 단차구조(215)를 포함하는 패키지 몸체(210)와, 상기 투명 윈도우(170) 가장자리 하부 및 외측면에 배치되어 상기 단차구조(215)와 접하는 금속층(290)에 의해 투명 윈도우(170)의 얼라인 신뢰도를 향상시킬 수 있다.Another embodiment is a package body 210 including a stepped structure 215 connected to the cavity 101, and a metal layer disposed on the lower edge and outer surface of the transparent window 170 and in contact with the stepped structure 215 ( 290, alignment reliability of the transparent window 170 can be improved.

다른 실시 예는 상기 단차구조(215) 및 단차구조(215)와 접하는 금속층(290)에 의해 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(210)의 접촉 면적을 넓어져 결합력을 향상시킬 수 있다.In another embodiment, the contact area between the transparent window 170 and the package body 210 is widened by the stepped structure 215 and the metal layer 290 in contact with the stepped structure 215 to improve bonding strength.

도 4는 또 다른 실시 예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment.

도 4에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에 따른 발광소자(300)는 단차구조(315)를 갖는 패키지 몸체(310), 투명 윈도우(170), 투명층(380), 금속층(390), 발광소자(150), 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4 , the light emitting device 300 according to another embodiment includes a package body 310 having a stepped structure 315, a transparent window 170, a transparent layer 380, a metal layer 390, and a light emitting device. It may include the device 150 and first and second lead electrodes 120 and 130 .

상기 투명 윈도우(170), 발광소자(150), 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)은 도 1 및 도 2의 실시 예에 따른 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The transparent window 170, the light emitting device 150, and the first and second lead electrodes 120 and 130 may adopt the technical characteristics of the light emitting device 100 according to the exemplary embodiments of FIGS. 1 and 2 .

상기 패키지 몸체(310)는 캐비티(101), 단차구조(315) 제1 및 제2 리드 전극(120, 130)을 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(310)의 재질 및 캐비티(101)의 탑뷰 형상은 도 1 및 도 2의 실시 예에 따른 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The package body 310 may include a cavity 101 , a stepped structure 315 , and first and second lead electrodes 120 and 130 . The material of the package body 310 and the top view shape of the cavity 101 may adopt the technical characteristics of the light emitting device 100 according to the exemplary embodiment of FIGS. 1 and 2 .

상기 단차구조(315)는 상기 패키지 몸체(310)의 가장자리 상부에 배치될 수 있다. 상기 단차구조(315)는 상기 캐비티(101)로부터 일정간격 이격될 수 있다. 상기 단차구조(315)는 상기 캐비티(101)의 내측벽(314)으로부터 일정간격 이격될 수 있다. 상기 단차구조(315)는 상기 패키지 몸체(310)의 상부면 보다 낮은 바닥부(315a) 및 측부(315b)를 포함할 수 있다. 상기 단차구조(315)의 측부(315b)는 상기 바닥부(315a)로부터 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 단차구조(315)는 상기 투명 윈도우(170)의 가장자리 하부를 지지할 수 있다. 즉, 상기 단차구조(315)는 상기 투명 윈도우(170)의 습기 침투를 개선하고, 결합력을 향상시킬 수 있다.The stepped structure 315 may be disposed above the edge of the package body 310 . The stepped structure 315 may be spaced apart from the cavity 101 by a predetermined interval. The stepped structure 315 may be spaced apart from the inner wall 314 of the cavity 101 by a predetermined distance. The stepped structure 315 may include a bottom portion 315a and a side portion 315b that are lower than the upper surface of the package body 310 . The side portion 315b of the stepped structure 315 may be vertically or inclinedly disposed from the bottom portion 315a. The stepped structure 315 may support a lower edge of the transparent window 170 . That is, the stepped structure 315 may improve moisture permeation of the transparent window 170 and improve bonding strength.

상기 투명 윈도우(170)는 상기 단차구조(315) 상에 배치될 수 있다. 상기 투명 윈도우(170)의 상부면은 상기 패키지 몸체(310)의 상부면과 나란하게 배치될 수 있다.The transparent window 170 may be disposed on the stepped structure 315 . An upper surface of the transparent window 170 may be disposed parallel to an upper surface of the package body 310 .

상기 투명층(380)은 상기 투명 윈도우(170)의 가장자리 하부에 배치될 수 있다. 상기 투명층(380)은 상기 단차구조(315)의 바닥부(315a)와 대면될 수 있다. 상기 투명층(380)은 상기 금속층(390)과 투명 윈도우(170)의 접착력을 향상시키고, 광속을 향상시킬 수 있다. 상기 투명층(380)은 투명한 산화 계열 물질 또는 투명한 질화 계열 물질을 포함할 수 있다. 상기 투명층(380)은 상기 투명 윈도우(170) 상에 증착될 수 있다. 상기 투명층(380)은 금속물질의 금속층(390)과 투명 윈도우(170) 사이의 물질특성을 보완하는 버퍼기능을 포함할 수 있다. 즉 상기 투명층(380)은 상기 투명 윈도우(170) 상에 금속층(390)의 형성 신뢰도를 향상시킬 수 있다. The transparent layer 380 may be disposed below the edge of the transparent window 170 . The transparent layer 380 may face the bottom portion 315a of the stepped structure 315 . The transparent layer 380 may improve adhesion between the metal layer 390 and the transparent window 170 and improve light flux. The transparent layer 380 may include a transparent oxide-based material or a transparent nitride-based material. The transparent layer 380 may be deposited on the transparent window 170 . The transparent layer 380 may include a buffer function for supplementing material characteristics between the metal layer 390 of a metal material and the transparent window 170 . That is, the transparent layer 380 may improve the formation reliability of the metal layer 390 on the transparent window 170 .

예컨대 상기 투명층(380)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, SiO2으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 투명층(380)은 Si3N4의 투명한 질화 계열 물질일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the transparent layer 380 may include ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, One selected from the group consisting of SiO 2 may be used, but is not limited thereto. The transparent layer 380 may be a transparent nitride-based material of Si 3 N 4 , but is not limited thereto.

상기 금속층(390)은 상기 투명 윈도우(170) 가장자리 하부에 배치될 수 있다. 상기 금속층(390)은 상기 투명층(380) 가장자리 하부 및 내측면에 배치될 수 있다. 상기 금속층(390)은 상기 단차구조(315)와 대면될 수 있다. 상기 금속층(390)의 일부는 상기 투명 윈도우(170)의 하부와 직접 접할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아ˆ•. 상기 상기 금속층(390)은 상기 투명층(380)과 단차구조(315) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 상기 금속층(390)은 상기 투명층(380) 및 단차구조(315) 직접 접할 수 있다. 상기 금속층(390)은 상기 투명 윈도우(170) 상에 증착될 수 있다. 상기 금속층(390)은 상기 투명층(380) 상에 증착될 수 있다. 상기 금속층(390)은 상기 투명 윈도우(170) 위에 증착된 상기 투명층(380) 위에 증착될 수 있다. 상기 금속층(390)은 상기 투명 윈도우(170)와 상기 패키지 몸체(310)를 결합시킬 수 있다. 예컨대 상기 금속층(390)은 상기 투명 윈도우(170)에 증착된 후, 유테틱(Eutectic) 본딩으로 상기 패키지 몸체(310)와 결합될 수 있다.The metal layer 390 may be disposed below the edge of the transparent window 170 . The metal layer 390 may be disposed on a lower edge and an inner surface of the transparent layer 380 . The metal layer 390 may face the stepped structure 315 . A portion of the metal layer 390 may directly contact the lower portion of the transparent window 170, but is not limited thereto. The metal layer 390 may be disposed between the transparent layer 380 and the stepped structure 315 . That is, the metal layer 390 may directly contact the transparent layer 380 and the stepped structure 315 . The metal layer 390 may be deposited on the transparent window 170 . The metal layer 390 may be deposited on the transparent layer 380 . The metal layer 390 may be deposited on the transparent layer 380 deposited on the transparent window 170 . The metal layer 390 may couple the transparent window 170 and the package body 310 . For example, after the metal layer 390 is deposited on the transparent window 170, it may be coupled to the package body 310 through eutectic bonding.

상기 금속층(390)은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), TiW, 백금(Pt), 니켈(Ni), Ni/Ti, 구리(Cu), 금(Au), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 철(Fe), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 복수의 층으로 형성될 수 있다.The metal layer 390 may include titanium (Ti), chromium (Cr), tantalum (Ta), TiW, platinum (Pt), nickel (Ni), Ni/Ti, copper (Cu), gold (Au), tin ( It may include at least one of Sn), silver (Ag), phosphorus (P), iron (Fe), zinc (Zn), and aluminum (Al), and may be formed of a plurality of layers.

상기 금속층(390)은 접착층, 배리어층 및 본딩층을 포함할 수 있다. 상기 금속층(390)의 접착층, 배리어층 및 본딩층은 도 1 및 도 2의 실시 예에 따른 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The metal layer 390 may include an adhesive layer, a barrier layer, and a bonding layer. The adhesive layer, the barrier layer, and the bonding layer of the metal layer 390 may employ technical characteristics of the light emitting device 100 according to the exemplary embodiment of FIGS. 1 and 2 .

또 다른 실시 예의 발광소자(300)는 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(310) 사이에 상기 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(310)를 결합시키는 금속층(390)이 배치되어 발광 칩(150)의 자외선 파장에 의한 변색 및 변질을 방지할 수 있다. In the light emitting device 300 of another embodiment, a metal layer 390 coupling the transparent window 170 and the package body 310 is disposed between the transparent window 170 and the package body 310 to form a light emitting chip 150 It is possible to prevent discoloration and deterioration caused by ultraviolet rays of the wavelength.

또 다른 실시 예는 발광소자(300)의 변색 및 변질을 방지하여 결함을 개선할 수 있다.Another embodiment can improve defects by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 300 .

또 다른 실시 예는 발광소자(300)의 변색 및 변질을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Another embodiment can improve reliability by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 300 .

또 다른 실시 예는 발광소자(300)의 변색 및 변질을 방지하여 발광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.Another embodiment can prevent discoloration and deterioration of the light emitting device 300 to improve luminous efficiency and luminous flux.

또 다른 실시 예는 단차구조(315)를 포함하는 패키지 몸체(310)와, 상기 투명 윈도우(170) 가장자리 하부에 배치되어 상기 단차구조(315)와 접하는 금속층(390)에 의해 투명 윈도우(170)의 얼라인 신뢰도를 향상시킬 수 있다.In another embodiment, the transparent window 170 is formed by the package body 310 including the stepped structure 315 and the metal layer 390 disposed under the edge of the transparent window 170 and in contact with the stepped structure 315. The alignment reliability of can be improved.

또 다른 실시 예는 상기 단차구조(315) 및 단차구조(315)와 접하는 금속층(390)에 의해 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(310)의 접촉 면적을 넓어져 결합력을 향상시킬 수 있다.In another embodiment, the contact area between the transparent window 170 and the package body 310 is increased by the stepped structure 315 and the metal layer 390 in contact with the stepped structure 315, thereby improving bonding strength.

또 다른 실시 예는 캐비티(101)로부터 이격된 단차구조(315)에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.In another embodiment, moisture permeation from the outside may be improved by the stepped structure 315 spaced apart from the cavity 101 .

도 5 내지 도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 제조방법을 도시한 단면도이다.5 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.

도 5를 참조하면, 실시 예의 발광소자의 제조방법은 먼저, 투명 윈도우(170)상에 포토레지스트(171)가 형성되고, 상기 투명 윈도우(170)의 가장자리가 노출된다.Referring to FIG. 5 , in the manufacturing method of the light emitting device according to the embodiment, first, a photoresist 171 is formed on a transparent window 170, and an edge of the transparent window 170 is exposed.

상기 투명 윈도우(170)는 유리계열 재질을 포함할 수 있다. 상기 투명 윈도우(170)는 예컨대, LiF, MgF2, CaF2, BaF2, Al2O3, SiO2 또는 광학유리(N-BK7)의 투명한 물질로 형성될 수 있으며, SiO2의 경우, 쿼즈 결정 또는 UV Fused Silica일 수 있다. 또한, 상기 투명 윈도우(170)는 저철분 글라스(low iron glass)일 수 있다. The transparent window 170 may include a glass-based material. The transparent window 170 may be formed of, for example, a transparent material such as LiF, MgF 2 , CaF 2 , BaF 2 , Al 2 O 3 , SiO 2 or optical glass (N-BK7), and in the case of SiO 2 , quartz It can be crystal or UV Fused Silica. Also, the transparent window 170 may be low iron glass.

도 6을 참조하면, 포토레지스트(171)로부터 노출된 투명 윈도우(170) 상에 제1 투명층(180a)이 형성되고, 상기 포토레지스트(171) 상에 제2 투명층(180b)이 형성된다. 상기 제1 및 제2 투명층(180a, 180b)이 형성된 후에 상기 제1 투명층(180a) 상에 제1 금속층(190a)이 형성되고, 상기 제2 투명층(180b) 상에 제2 금속층(190b)이 형성된다.Referring to FIG. 6 , a first transparent layer 180a is formed on the transparent window 170 exposed from the photoresist 171 and a second transparent layer 180b is formed on the photoresist 171 . After the first and second transparent layers 180a and 180b are formed, a first metal layer 190a is formed on the first transparent layer 180a, and a second metal layer 190b is formed on the second transparent layer 180b. is formed

도 7을 참조하면, 상기 포토레지스트(171)는 투명 윈도우(170)으로부더 제거될 수 있다. 예컨대 상기 포토레지스트(171)는 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 또는 화학적 방법(습식 에칭 등)으로 제거할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 상기 포토레지스트(171) 상에 형성된 제2 투명층(180b) 및 제2 금속층(190b)은 포토레지스트(171) 제거 시에 상기 투명 윈도우(170)로부터 제거될 수 있다.Referring to FIG. 7 , the photoresist 171 may be further removed through the transparent window 170 . For example, the photoresist 171 may be removed by Laser Lift Off (LLO) or a chemical method (wet etching, etc.), but is not limited thereto. Here, the second transparent layer 180b and the second metal layer 190b formed on the photoresist 171 may be removed from the transparent window 170 when the photoresist 171 is removed.

상기 투명층(180)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, SiO2으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 투명층(180)은 Si3N4의 투명한 질화 계열 물질일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The transparent layer 180 is ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, SiO One selected from the group consisting of 2 may be used, but is not limited thereto. The transparent layer 180 may be a transparent nitride-based material of Si 3 N 4 , but is not limited thereto.

상기 금속층(190)은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), TiW, 백금(Pt), 니켈(Ni), Ni/Ti, 구리(Cu), 금(Au), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 철(Fe), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 금속층(190)은 투명층(180)과 접하는 접착층, 접착층 상에 배리어층 및 배리어층 상에 본딩층을 포함할 수 있다. 상기 금속층(190)의 접착층, 배리어층 및 본딩층은 도 1 및 도 2의 실시 예에 따른 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The metal layer 190 may include titanium (Ti), chromium (Cr), tantalum (Ta), TiW, platinum (Pt), nickel (Ni), Ni/Ti, copper (Cu), gold (Au), tin ( It may include at least one of Sn), silver (Ag), phosphorus (P), iron (Fe), zinc (Zn), and aluminum (Al), and may be formed of a plurality of layers. For example, the metal layer 190 may include an adhesive layer in contact with the transparent layer 180, a barrier layer on the adhesive layer, and a bonding layer on the barrier layer. The adhesive layer, the barrier layer, and the bonding layer of the metal layer 190 may employ technical characteristics of the light emitting device 100 according to the exemplary embodiment of FIGS. 1 and 2 .

도 8을 참조하면, 투명층(180) 및 금속층(190)이 형성된 투명 윈도우(170)는 발광 칩(150)이 실장된 패키지 몸체(110)와 결합될 수 있다. 여기서, 상기 발광 칩(150) 및 패키지 몸체(170)는 도 1 및 도 2의 실시 예에 따른 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 상기 투명 윈도우(170) 및 패키지 몸체(110)는 유테틱(Eutectic) 본딩으로 결합될 수 있다. 예컨대 상기 투명 윈도우(170)는 상기 금속층(190)의 하부(190L) 및 패키지 몸체(110)의 상부(110U)가 유테틱 본딩될 수 있다. 여기서, 상기 금속층(190)의 하부(190L)는 본딩층일 수 있다.Referring to FIG. 8 , the transparent window 170 on which the transparent layer 180 and the metal layer 190 are formed may be combined with the package body 110 on which the light emitting chip 150 is mounted. Here, the light emitting chip 150 and the package body 170 may adopt the technical characteristics of the light emitting device 100 according to the embodiments of FIGS. 1 and 2 . The transparent window 170 and the package body 110 may be coupled by eutectic bonding. For example, in the transparent window 170 , the lower portion 190L of the metal layer 190 and the upper portion 110U of the package body 110 may be eutectic bonded. Here, the lower portion 190L of the metal layer 190 may be a bonding layer.

실시 예의 발광소자(100)는 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(110) 사이에 상기 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(110)를 결합시키는 금속층(190)이 배치되어 발광 칩(150)의 자외선 파장에 의한 변색 및 변질을 방지할 수 있다. In the light emitting device 100 of the embodiment, a metal layer 190 is disposed between the transparent window 170 and the package body 110 to couple the transparent window 170 and the package body 110 to the ultraviolet rays of the light emitting chip 150. Discoloration and deterioration due to wavelength can be prevented.

실시 예는 발광소자(100)의 변색 및 변질을 방지하여 결함을 개선할 수 있다.The embodiment can improve defects by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 100 .

실시 예는 발광소자(100)의 변색 및 변질을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve reliability by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 100 .

실시 예는 발광소자(100)의 변색 및 변질을 방지하여 발광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.In the embodiment, discoloration and deterioration of the light emitting device 100 may be prevented to improve luminous efficiency and luminous flux.

도 9 내지 도 12는 다른 실시 예에 따른 발광소자의 제조방법을 도시한 단면도이다.9 to 12 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment.

도 9를 참조하면, 다른 실시 예의 발광소자의 제조방법은 먼저, 투명 윈도우(170)상에 투명층(180a) 및 금속층(190a)이 형성된다. 상기 투명층(180a)은 상기 투명 윈도우(170) 상에 형성될 수 있고, 상기 금속층(190a)은 상기 투명층(180a) 상에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9 , in a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment, first, a transparent layer 180a and a metal layer 190a are formed on a transparent window 170 . The transparent layer 180a may be formed on the transparent window 170, and the metal layer 190a may be formed on the transparent layer 180a.

상기 투명 윈도우(170)는 유리계열 재질을 포함할 수 있다. 상기 투명 윈도우(170)는 예컨대, LiF, MgF2, CaF2, BaF2, Al2O3, SiO2 또는 광학유리(N-BK7)의 투명한 물질로 형성될 수 있으며, SiO2의 경우, 쿼즈 결정 또는 UV Fused Silica일 수 있다. 또한, 상기 투명 윈도우(170)는 저철분 글라스(low iron glass)일 수 있다. The transparent window 170 may include a glass-based material. The transparent window 170 may be formed of, for example, a transparent material such as LiF, MgF 2 , CaF 2 , BaF 2 , Al 2 O 3 , SiO 2 or optical glass (N-BK7), and in the case of SiO 2 , quartz It can be crystal or UV Fused Silica. Also, the transparent window 170 may be low iron glass.

도 10을 참조하면, 금속층(190a) 상에 포토 공정을 통해 패터닝된 포토레지스트 (171)가 형성된다. 상기 포토레지스트(171)는 상기 금속층(190a)의 가장자리 상부를 덮고, 상기 금속층(190a)의 가장자리 상부를 제외한 영역을 노출시킨다.Referring to FIG. 10 , a photoresist 171 patterned through a photo process is formed on the metal layer 190a. The photoresist 171 covers an upper portion of the edge of the metal layer 190a and exposes an area except for an upper portion of the edge of the metal layer 190a.

도 11을 참조하면, 습식 또는 건식 에칭 공정으로 상기 포토레지스트(171)로부터 노출된 상기 금속층 및 상기 금속층 아래의 투명층이 에칭되어 투명 윈도우(170)의 일부가 노출된다.Referring to FIG. 11 , the metal layer exposed from the photoresist 171 and the transparent layer under the metal layer are etched through a wet or dry etching process, thereby exposing a portion of the transparent window 170 .

상기 포토레지스트(171)가 식각되면, 상기 투명 윈도우(170)의 가장자리에 배치된 투명층(180) 및 금속층(190)이 형성될 수 있다.When the photoresist 171 is etched, a transparent layer 180 and a metal layer 190 disposed on the edge of the transparent window 170 may be formed.

여기서, 상기 투명층(180)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, SiO2으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 투명층(180)은 Si3N4의 투명한 질화 계열 물질일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Here, the transparent layer 180 is ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrOx, RuOx , SiO 2 may be used, but is not limited thereto. The transparent layer 180 may be a transparent nitride-based material of Si 3 N 4 , but is not limited thereto.

상기 금속층(190)은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), TiW, 백금(Pt), 니켈(Ni), Ni/Ti, 구리(Cu), 금(Au), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 철(Fe), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 금속층(190)은 투명층(180)과 접하는 접착층, 접착층 상에 배리어층 및 배리어층 상에 본딩층을 포함할 수 있다. 상기 금속층(190)의 접착층, 배리어층 및 본딩층은 도 1 및 도 2의 실시 예에 따른 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The metal layer 190 may include titanium (Ti), chromium (Cr), tantalum (Ta), TiW, platinum (Pt), nickel (Ni), Ni/Ti, copper (Cu), gold (Au), tin ( It may include at least one of Sn), silver (Ag), phosphorus (P), iron (Fe), zinc (Zn), and aluminum (Al), and may be formed of a plurality of layers. For example, the metal layer 190 may include an adhesive layer in contact with the transparent layer 180, a barrier layer on the adhesive layer, and a bonding layer on the barrier layer. The adhesive layer, the barrier layer, and the bonding layer of the metal layer 190 may employ technical characteristics of the light emitting device 100 according to the exemplary embodiment of FIGS. 1 and 2 .

도 12를 참조하면, 투명층(180) 및 금속층(190)이 형성된 투명 윈도우(170)는 발광 칩(150)이 실장된 패키지 몸체(110)와 결합될 수 있다. 여기서, 상기 발광 칩(150) 및 패키지 몸체(170)는 도 1 및 도 2의 실시 예에 따른 발광소자(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 상기 투명 윈도우(170) 및 패키지 몸체(110)는 유테틱(Eutectic) 본딩으로 결합될 수 있다. 예컨대 상기 투명 윈도우(170)는 상기 금속층(190)의 하부(190L) 및 패키지 몸체(110)의 상부(110U)가 유테틱 본딩될 수 있다. 여기서, 상기 금속층(190)의 하부(190L)는 본딩층일 수 있다.Referring to FIG. 12 , the transparent window 170 on which the transparent layer 180 and the metal layer 190 are formed may be combined with the package body 110 on which the light emitting chip 150 is mounted. Here, the light emitting chip 150 and the package body 170 may adopt the technical characteristics of the light emitting device 100 according to the embodiments of FIGS. 1 and 2 . The transparent window 170 and the package body 110 may be coupled by eutectic bonding. For example, in the transparent window 170 , the lower portion 190L of the metal layer 190 and the upper portion 110U of the package body 110 may be eutectic bonded. Here, the lower portion 190L of the metal layer 190 may be a bonding layer.

실시 예의 발광소자(100)는 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(110) 사이에 상기 투명 윈도우(170)와 패키지 몸체(110)를 결합시키는 금속층(190)이 배치되어 발광 칩(150)의 자외선 파장에 의한 변색 및 변질을 방지할 수 있다. In the light emitting device 100 of the embodiment, a metal layer 190 is disposed between the transparent window 170 and the package body 110 to couple the transparent window 170 and the package body 110 to the ultraviolet rays of the light emitting chip 150. Discoloration and deterioration due to wavelength can be prevented.

실시 예는 발광소자(100)의 변색 및 변질을 방지하여 결함을 개선할 수 있다.The embodiment can improve defects by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 100 .

실시 예는 발광소자(100)의 변색 및 변질을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The embodiment can improve reliability by preventing discoloration and deterioration of the light emitting device 100 .

실시 예는 발광소자(100)의 변색 및 변질을 방지하여 발광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.In the embodiment, discoloration and deterioration of the light emitting device 100 may be prevented to improve luminous efficiency and luminous flux.

도 13은 실시 예에 따른 발광 칩을 도시한 단면도이다.13 is a cross-sectional view of a light emitting chip according to an embodiment.

도 13을 참조하면, 발광 칩(150a)은 제1 도전형 반도체층(41)과, 상기 제1 도전형 반도체층(41) 상에 배치된 활성층(51)과, 상기 활성층(51) 상에 배치된 전자 차단 구조층(60), 상기 전자 차단 구조층(60) 상에 배치된 제2 도전형 반도체층(73)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13 , the light emitting chip 150a includes a first conductivity type semiconductor layer 41, an active layer 51 disposed on the first conductivity type semiconductor layer 41, and an active layer 51 formed on the first conductivity type semiconductor layer 41. It may include an electron blocking structure layer 60 disposed thereon and a second conductivity type semiconductor layer 73 disposed on the electron blocking structure layer 60 .

상기 발광 칩(150a)은 제1 도전형 반도체층(41) 아래에 저 전도층(33), 버퍼층(31) 및 기판(21) 중 하나 이상 또는 모두를 포함할 수 있다.The light emitting chip 150a may include at least one or all of the low conductive layer 33 , the buffer layer 31 , and the substrate 21 under the first conductivity type semiconductor layer 41 .

상기 발광 칩(150a)은 상기 제1 도전형 반도체층(41)과 활성층(51) 사이에 제1 클래드층(43) 및 상기 활성층(51)과 제2 도전형 반도체층(73) 사이에 제2 클래드층(71) 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. The light emitting chip 150a is provided between the first cladding layer 43 between the first conductivity type semiconductor layer 41 and the active layer 51 and between the active layer 51 and the second conductivity type semiconductor layer 73. At least one or both of the two cladding layers 71 may be included.

상기 발광 칩(150a)은 200nm 내지 405nm대의 파장을 가지는 자외선 발광 다이오드일 수 있다. 즉, 발광 칩(131)은 200nm 내지 289 파장을 방출하거나, 290nm 내지 319nm 파장을 방출하거나, 320nm 내지 405nm 파장을 방출할 수 있다.The light emitting chip 150a may be an ultraviolet light emitting diode having a wavelength of 200 nm to 405 nm. That is, the light emitting chip 131 may emit a wavelength of 200 nm to 289 nm, a wavelength of 290 nm to 319 nm, or a wavelength of 320 nm to 405 nm.

상기 기판(21)은 예를 들어, 투광성, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(21)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The substrate 21 may be, for example, a light-transmissive or conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 21 may include at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga 2 O 3 .

상기 기판(21)과 상기 제1 도전형 반도체층(41) 사이에는 버퍼층(31)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(31)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(31)은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자(super lattice) 구조로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(31)은 상기 기판(21)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있다.A buffer layer 31 may be formed between the substrate 21 and the first conductivity type semiconductor layer 41 . The buffer layer 31 may be formed of at least one layer using Group II to Group VI compound semiconductors. The buffer layer 31 may be formed in a super lattice structure by alternately disposing different semiconductor layers. The buffer layer 31 may be formed to alleviate a difference in lattice constant between the substrate 21 and the nitride-based semiconductor layer.

상기 저 전도층(33)은 언도프드 반도체층으로서, 제1 도전형 반도체층(41) 보다 낮은 전기 전도성을 가질 수 있다. 상기 저 전도층(33)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체 예컨대, III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 이러한 언도프드 반도체층은 의도적으로 도전형 도펀트를 도핑하지 않더라도 제1 도전형 특성을 가지게 된다. 상기 언도프드 반도체층은 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The low conductivity layer 33 is an undoped semiconductor layer and may have lower electrical conductivity than the first conductivity type semiconductor layer 41 . The low-conductivity layer 33 may be implemented with a group II to group VI compound semiconductor, for example, a group III-V compound semiconductor, and such an undoped semiconductor layer has first conductivity type characteristics even if it is not intentionally doped with a conductivity type dopant. will have The undoped semiconductor layer may not be formed, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(41)은 제1 도전형의 도펀트가 도핑된 III족-V족 및 II족-VI족의 화합물 반도체 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(41)은 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(41)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층이 될 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 41 may be implemented with at least one of group III-V and group II-VI compound semiconductors doped with a dopant of the first conductivity type. The first conductive semiconductor layer 41 is, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) can be formed The first conductivity type semiconductor layer 41 may include, for example, at least one of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, Si, Ge, The n-type semiconductor layer may be doped with an n-type dopant such as Sn, Se, or Te.

상기 제1 클래드층(43)은 AlGaN계 반도체를 포함할 수 있다. 상기 제1 클래드층(43)은 제1도전형의 도펀트 예컨대, n형 도펀트를 갖는 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제1 클래드층(43)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층이 될 수 있다. The first cladding layer 43 may include an AlGaN-based semiconductor. The first cladding layer 43 may be an n-type semiconductor layer having a dopant of a first conductivity type, for example, an n-type dopant. The first cladding layer 43 may include at least one of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP, and may include Si, Ge, Sn, Se, and Te. It may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as

상기 활성층(51)은 단일 우물, 단일 양자우물, 다중 우물, 다중 양자우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The active layer 51 may be formed of at least one of a single well, a single quantum well, a multi well, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum wire structure, or a quantum dot structure. can

상기 활성층(51)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(51)은 예로서 II족-VI족 및 III족-V족 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다.The active layer 51 may be implemented as a compound semiconductor. For example, the active layer 51 may be implemented with at least one of group II-VI and group III-V compound semiconductors.

상기 활성층(51)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(51)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함한다. 상기 활성층(51)은 우물층과 장벽층이 교대로 배치된다. 상기 우물층과 상기 장벽층의 페어는 2~30주기로 형성될 수 있다. When the active layer 51 is implemented as a multi-well structure, the active layer 51 includes a plurality of well layers and a plurality of barrier layers. In the active layer 51, well layers and barrier layers are alternately disposed. A pair of the well layer and the barrier layer may be formed in 2 to 30 cycles.

상기 우물층은 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 상기 장벽층은 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. The well layer may be formed of, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). The barrier layer may be formed of, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1).

실시 예에 따른 활성층(51)의 우물층은 AlGaN으로 구현될 수 있으며, 상기 장벽층은 AlGaN으로 구현될 수 있다. 상기 활성층(51)은 자외선 파장을 발광할 수 있다. The well layer of the active layer 51 according to the embodiment may be implemented with AlGaN, and the barrier layer may be implemented with AlGaN. The active layer 51 may emit ultraviolet light.

상기 제2 클래드층(71)은 상기 전자 차단 구조층(60) 위에 배치된다. 상기 제2 클래드층(71)은 상기 전자 차단 구조층(60)과 상기 제2 도전형 반도체층(73) 사이에 배치된다. 상기 제2 클래드층(71)은 AlGaN계 반도체를 포함할 수 있다. 상기 제2 클래드층(71)은 제2 도전형의 도펀트 예컨대, p형 도펀트를 갖는 p형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 클래드층(71)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, 또는 AlGaInP 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba와 같은 p형 도펀트를 포함할 수 있다. The second cladding layer 71 is disposed on the electron blocking structure layer 60 . The second cladding layer 71 is disposed between the electron blocking structure layer 60 and the second conductivity type semiconductor layer 73 . The second cladding layer 71 may include an AlGaN-based semiconductor. The second cladding layer 71 may be a p-type semiconductor layer having a dopant of a second conductivity type, for example, a p-type dopant. The second cladding layer 71 may include at least one of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, or AlGaInP, Mg, Zn, Ca, Sr, A p-type dopant such as Ba may be included.

상기 제2 도전형 반도체층(73)은 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(73)은 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, 또는 AlGaInP 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층이 될 수 있다. The second conductive semiconductor layer 73 is, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). can be formed The second conductive semiconductor layer 73 may include, for example, at least one of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, or AlGaInP, and a p-type dopant. may be a doped p-type semiconductor layer.

발광 구조물은 제1 도전형 반도체층(41)부터 제2 도전형 반도체층(73)까지를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층(41) 및 제1 클래드층(43)이 p형 반도체층, 상기 제2 클래드층(71) 및 제2 도전형 반도체층(73)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 이러한 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. The light emitting structure may include from the first conductivity type semiconductor layer 41 to the second conductivity type semiconductor layer 73 . As another example, in the light emitting structure, the first conductivity-type semiconductor layer 41 and the first cladding layer 43 are p-type semiconductor layers, and the second cladding layer 71 and the second conductivity-type semiconductor layer 73 are n-type semiconductor layers. It can be implemented as a type semiconductor layer. Such a light emitting structure may be implemented with any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

상기 제1 도전형 반도체층(41)에 제1 전극(91)이 전기적으로 연결되며, 상기 제2 도전형 반도체층(73)에 제2 전극(95)이 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(91) 및 제2 전극(95)은 오믹 접촉, 접착층, 본딩층의 특성을 갖는 금속으로 비 투광성으로 이루어질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 전극(93) 및 제2 전극(95)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.A first electrode 91 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 41 , and a second electrode 95 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 73 . The first electrode 91 and the second electrode 95 may be formed of non-light-transmitting metal having characteristics of an ohmic contact, an adhesive layer, and a bonding layer, but are not limited thereto. The first electrode 93 and the second electrode 95 may include Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag, and Au, and a selection thereof. can be selected from among the alloys.

상기 제2 전극(95)과 상기 제2 도전형 반도체층(73) 사이에는 투명전극층(93)이 배치될 수 있으며, 상기 투명전극층(93)은 70% 이상의 광을 투과하는 투광성 물질이거나 70% 이상의 광을 반사하는 반사성 특성을 갖는 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속 또는 금속 산화물로 형성될 수 있다. 상기 투명전극층(93)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir 중 선택적으로 형성될 수 있다. A transparent electrode layer 93 may be disposed between the second electrode 95 and the second conductivity-type semiconductor layer 73, and the transparent electrode layer 93 is a light-transmitting material that transmits 70% or more of light or 70% or more of light. It may be formed of a material having a reflective property that reflects the above light, and may be formed of, for example, a metal or a metal oxide. The transparent electrode layer 93 includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin (IGTO). oxide), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, and Ir. .

상기 투명전극층(93) 상에 절연층(81)이 배치될 수 있다. 상기 절연층(81)은 상기 투명전극층(93)의 상면 및 반도체층의 측면에 배치될 수 있으며, 제1, 2 전극(91,95)과 선택적으로 접촉될 수 있다. 상기 절연층(81)은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물 중 적어도 하나로 형성된 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(81)은 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(81)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An insulating layer 81 may be disposed on the transparent electrode layer 93 . The insulating layer 81 may be disposed on an upper surface of the transparent electrode layer 93 and a side surface of the semiconductor layer, and may selectively contact the first and second electrodes 91 and 95 . The insulating layer 81 includes an insulating material or an insulating resin formed of at least one of oxide, nitride, fluoride, and sulfide having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr. The insulating layer 81 may be selectively formed from, for example, SiO2, Si3N4, Al2O3, and TiO2. The insulating layer 81 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

도 14는 다른 실시 예에 따른 발광 칩을 도시한 단면도이다.14 is a cross-sectional view of a light emitting chip according to another embodiment.

도 14에 도시된 바와 같이, 다른 실시 예의 발광 칩(150b)은 수직타입으로 도 13의 발광 칩(150a)의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 다른 실시 예의 발광 칩(150b)은 도 13의 발광 칩(150a)과 동일한 구성의 설명대해 생략한다.As shown in FIG. 14 , the light emitting chip 150b of another embodiment is a vertical type and may adopt technical features of the light emitting chip 150a of FIG. 13 . A description of the same configuration as the light emitting chip 150a of FIG. 13 of the light emitting chip 150b of another embodiment is omitted.

제2 도전형 반도체층(73) 아래에 복수의 전도층(96,97,98,99)을 갖는 제2 전극을 포함한다. A second electrode having a plurality of conductive layers 96, 97, 98, and 99 under the second conductive semiconductor layer 73 is included.

상기 제2 전극은 상기 제2 도전형 반도체층(73) 아래에 배치되며, 접촉층(96), 반사층(97), 본딩층(98) 및 지지 부재(99)를 포함한다. 상기 접촉층(96)은 반도체층 예컨대 제2 도전형 반도체층(73)과 접촉된다. 상기 접촉층(96)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 저 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다. 상기 접촉층(96) 아래에 반사층(97)이 배치되며, 상기 반사층(97)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(97)은 상기 제2도전형 반도체층(73) 아래에 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second electrode is disposed below the second conductivity type semiconductor layer 73 and includes a contact layer 96 , a reflective layer 97 , a bonding layer 98 and a support member 99 . The contact layer 96 is in contact with a semiconductor layer, for example, the second conductivity type semiconductor layer 73 . The contact layer 96 may be made of a low conductivity material such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO, or a metal such as Ni or Ag. A reflective layer 97 is disposed under the contact layer 96, and the reflective layer 97 is composed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and combinations thereof. It can be formed into a structure comprising at least one layer made of a material selected from the group. The reflective layer 97 may contact under the second conductive type semiconductor layer 73, but is not limited thereto.

상기 반사층(97) 아래에는 본딩층(98)이 배치되며, 상기 본딩층(98)은 배리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. A bonding layer 98 is disposed under the reflective layer 97, and the bonding layer 98 may be used as a barrier metal or a bonding metal, the material being, for example, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, It may include at least one of Ga, In, Bi, Cu, Ag, and Ta and optional alloys.

상기 제2 도전형 반도체층(73)과 제2전극 사이에 채널층(83) 및 전류 블록킹층(85)이 배치된다. A channel layer 83 and a current blocking layer 85 are disposed between the second conductivity type semiconductor layer 73 and the second electrode.

상기 채널층(83)은 상기 제2 도전형 반도체층(73)의 하면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(83)은 투명한 전도성 물질 또는 절연성 물질을 포함하며, 예컨대 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(163)의 내측부는 상기 제2 도전형 반도체층(73) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조물의 측면보다 더 외측에 배치된다.The channel layer 83 is formed along the edge of the lower surface of the second conductive semiconductor layer 73 and may be formed in a ring shape, loop shape, or frame shape. The channel layer 83 includes a transparent conductive material or an insulating material, for example, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , It may include at least one of Al 2 O 3 and TiO 2 . An inner portion of the channel layer 163 is disposed under the second conductivity-type semiconductor layer 73, and an outer portion is disposed further outside the side surface of the light emitting structure.

상기 전류 블록킹층(85)은 제2 도전형 반도체층(73)과 접촉층(96) 또는 반사층(97) 사이에 배치될 수 있다. 상기 전류 블록킹층(85)은 절연물질을 포함하며, 예컨대 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전류 블록킹층(85)은 쇼트키 접촉을 위한 금속으로도 형성될 수 있다. The current blocking layer 85 may be disposed between the second conductivity type semiconductor layer 73 and the contact layer 96 or the reflective layer 97 . The current blocking layer 85 includes an insulating material, and may include, for example, at least one of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 . As another example, the current blocking layer 85 may be formed of a metal for Schottky contact.

상기 전류 블록킹층(161)은 상기 제2전극(170)으로부터 공급되는 전류를 차단하여, 다른 경로로 확산시켜 줄 수 있다. 상기 전류 블록킹층(85)은 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 제1 전극(91)과 수직 방향으로 적어도 일부 또는 전 영역이 오버랩될 수 있다. The current blocking layer 161 can block the current supplied from the second electrode 170 and spread it to another path. One or a plurality of current blocking layers 85 may be disposed, and at least a portion or an entire area may overlap with the first electrode 91 in a vertical direction.

상기 본딩층(98) 아래에는 지지 부재(99)가 형성되며, 상기 지지 부재(99)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(99)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다.A support member 99 is formed under the bonding layer 98, and the support member 99 may be formed of a conductive member, the material being copper (Cu-copper), gold (Au-gold), nickel (Ni-nickel), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafer (eg Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, etc.). As another example, the support member 99 may be implemented as a conductive sheet.

실시 예에 따른 발광소자는 의료기기, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device according to the embodiment may be applied to a medical device, a lighting unit, an indicating device, a lamp, a street light, a lighting device for a vehicle, a display device for a vehicle, a smart watch, etc., but is not limited thereto.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above has been described centering on the embodiments, this is only an example and is not intended to limit the embodiments, and those skilled in the art to which the embodiments belong may be variously illustrated in the above to the extent that they do not deviate from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

110, 210, 310: 패키지 몸체
150, 150a, 150b: 발광 칩
120: 제1 리드 전극
130: 제2 리드 전극
170: 투명 윈도우
180, 280, 380: 투명층
190, 290, 390: 금속층
191: 본딩층
193: 배리어층
195: 접착층110, 210, 310: package body
150, 150a, 150b: light emitting chip
120: first lead electrode
130: second lead electrode
170: transparent window
180, 280, 380: transparent layer
190, 290, 390: metal layer
191: bonding layer
193: barrier layer
195: adhesive layer

Claims (14)

캐비티를 갖는 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체의 캐비티 내에 배치된 발광 칩;
상기 패키지 몸체 상에 배치된 투명 윈도우;
상기 투명 윈도우 및 상기 패키지 몸체 사이에 배치되는 금속층; 및
상기 투명 윈도우와 상기 금속층 사이에 투명층을 포함하며,
상기 금속층은 상기 패키지 몸체와 접하는 본딩층; 상기 본딩층 상에 배리어층; 및 상기 배리어층 상에 접착층을 포함하고,
상기 금속층은 상기 투명 윈도우의 가장자리 하부 및 외측면 상에 배치된 상기 투명층의 가장자리 하부 및 외측면 상에 배치되는 발광소자.
a package body having a cavity;
a light emitting chip disposed in the cavity of the package body;
a transparent window disposed on the package body;
a metal layer disposed between the transparent window and the package body; and
A transparent layer is included between the transparent window and the metal layer;
The metal layer may include a bonding layer in contact with the package body; a barrier layer on the bonding layer; And an adhesive layer on the barrier layer,
The metal layer is disposed on the lower edge and the outer surface of the transparent layer disposed on the lower edge and the outer surface of the transparent window.
 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 접착층은 상기 금속층의 최상부에 배치되고, 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta) 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자.
According to claim 1,
The adhesive layer is disposed on top of the metal layer, and includes at least one of titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta).
 제1 항에 있어서,
상기 배리어층은 상기 접착층 및 상기 본딩층 사이에 배치되고, 백금(Pt), 니켈(Ni), Ni/Ti, 구리(Cu) 중 적어도 하나 포함하는 발광소자.
According to claim 1,
The barrier layer is disposed between the adhesive layer and the bonding layer, and includes at least one of platinum (Pt), nickel (Ni), Ni/Ti, and copper (Cu).
 제1 항에 있어서,
상기 본딩층은 금(Au)을 포함하는 Au-Sn, Au-In 중 하나 포함하는 발광소자.
According to claim 1,
The bonding layer is a light emitting device including one of Au-Sn and Au-In containing gold (Au).
 제1 항에 있어서,
상기 투명층은 산화 계열 또는 질화 계열 물질을 포함하는 발광소자.
According to claim 1,
The transparent layer is a light emitting device comprising an oxide-based or nitride-based material.
 제6 항에 있어서,
상기 투명층은 상기 투명 윈도우의 가장자리 하부 및 외측면 상에 배치된 발광소자.
According to claim 6,
The transparent layer is a light emitting element disposed on the lower edge and the outer surface of the transparent window.
 제6 항에 있어서,
상기 패키지 몸체는 상기 캐비티와 연결되고, 상기 금속층과 접하는 단차구조를 포함하는 발광소자.
According to claim 6,
The package body is connected to the cavity and includes a stepped structure in contact with the metal layer.
 제8 항에 있어서,
상기 단차구조는 상기 캐비티로부터 연장된 바닥부 및 상기 바닥부로부터 수직 또는 경사진 측부를 포함하고,
상기 금속층은 상기 바닥부 및 측부와 직접 접하는 발광소자.
According to claim 8,
The stepped structure includes a bottom portion extending from the cavity and a side portion perpendicular or inclined from the bottom portion,
The metal layer is a light emitting element in direct contact with the bottom and side portions.
 캐비티를 갖는 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체의 캐비티 내에 배치된 발광 칩;
상기 패키지 몸체 상에 배치된 투명 윈도우;
상기 투명 윈도우 및 상기 패키지 몸체 사이에 배치되는 금속층; 및
상기 투명 윈도우와 상기 금속층 사이에 투명층을 포함하며,
상기 금속층은 상기 패키지 몸체와 접하는 본딩층; 상기 본딩층 상에 배리어층; 및 상기 배리어층 상에 접착층을 포함하며,
상기 투명층은 상기 투명 윈도우의 가장자리 하부에 배치되고,
상기 금속층은 상기 투명 윈도우의 가장자리 하부에 배치된 투명층의 가장자리 하부 및 내측면 상에 배치되고,
상기 패키지 몸체는 상기 캐비티로부터 이격되고, 상기 금속층과 접하는 단차구조를 포함하는 발광소자.
a package body having a cavity;
a light emitting chip disposed in the cavity of the package body;
a transparent window disposed on the package body;
a metal layer disposed between the transparent window and the package body; and
A transparent layer is included between the transparent window and the metal layer;
The metal layer may include a bonding layer in contact with the package body; a barrier layer on the bonding layer; And an adhesive layer on the barrier layer,
The transparent layer is disposed below the edge of the transparent window,
The metal layer is disposed on the lower edge and inner surface of the transparent layer disposed below the edge of the transparent window,
The package body is spaced apart from the cavity and includes a stepped structure in contact with the metal layer.
 제10 항에 있어서,
상기 단차구조는 상기 캐비티로부터 외측으로 이격되고, 상기 패키지 몸체의 상부면보다 낮은 바닥부 및 상기 바닥부로부터 수직 또는 경사진 측부를 포함하고,
상기 금속층은 상기 바닥부 및 측부와 직접 접하는 발광소자.
According to claim 10,
The stepped structure is spaced outward from the cavity and includes a bottom portion lower than the top surface of the package body and a vertical or inclined side portion from the bottom portion,
The metal layer is a light emitting element in direct contact with the bottom and side portions.
 제10 항에 있어서,
상기 금속층의 일부는 상기 투명 윈도우와 직접 접하는 발광소자.
According to claim 10,
A portion of the metal layer directly contacts the transparent window.
 제1 항에 있어서,
상기 투명층은 상기 접착층과 직접 접하는 발광소자.
According to claim 1,
The transparent layer is a light emitting device in direct contact with the adhesive layer.
 제1항, 제3항 내지 제13 항 중 어느 하나의 발광소자를 포함하는 조명장치.

A lighting device comprising the light emitting device of any one of claims 1, 3 to 13.
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