KR102559273B1 - Apparatus and method of controlling temperature for semiconductor device tester - Google Patents

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Abstract

반도체 소자의 전기적 특성을 검사하기 위한 반도체 소자 테스트 장치에 냉각 유체를 공급하여 상기 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치가 개시된다. 온도 조절 장치는 냉각 유체를 저장하는 제1 및 제2 냉매 탱크들, 제1 및 제2 냉매 탱크들을 서로 연결하며 제1 냉매 탱크와 제2 냉매 탱크 간에 냉각 유체를 순환 및 차단하는 개폐 유닛, 제1 냉매 탱크 안의 냉각 유체를 냉각시키기 위한 냉각 유닛, 및 제1 냉매 탱크에 연결되며 제1 냉매 탱크에 저장된 냉각 유체를 반도체 소자 테스트 장치에 제공하는 냉매 공급관을 구비한다. 제2 냉매 탱크 안의 냉각 유체는 개폐 유닛을 통해 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 간에 이루어지는 냉각 유체의 순환에 의해 냉각될 수 있다. 이에 따라, 온도 조절 장치는 반도체 소자 테스트 장치를 냉각시키는데 실질적으로 사용되는 냉각 유체의 용량을 반도체 소자 테스트 장치를 냉각시키는 각 단계에 따라 효율적으로 가변할 수 있으므로, 반도체 소자 테스트 장치의 검사 온도 변환에 소요되는 시간을 종래 대비 획기적으로 단축할 수 있다.A device for controlling the temperature of a semiconductor device test device by supplying cooling fluid to a semiconductor device test device for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device is disclosed. The temperature controller includes first and second refrigerant tanks that store cooling fluid, an opening/closing unit that connects the first and second refrigerant tanks and circulates and blocks the cooling fluid between the first and second refrigerant tanks, a cooling unit that cools the cooling fluid in the first refrigerant tank, and a refrigerant supply pipe that is connected to the first refrigerant tank and supplies the cooling fluid stored in the first refrigerant tank to the semiconductor device test device. The cooling fluid in the second refrigerant tank may be cooled by circulation of the cooling fluid between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank through the opening and closing unit. Accordingly, since the temperature controller can efficiently vary the capacity of the cooling fluid substantially used for cooling the semiconductor device test device according to each step of cooling the semiconductor device test device, the time required to convert the test temperature of the semiconductor device test device can be drastically reduced compared to the prior art.

Description

반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치 및 그 방법{Apparatus and method of controlling temperature for semiconductor device tester}Device and method for controlling the temperature of a semiconductor device test device {Apparatus and method of controlling temperature for semiconductor device tester}

본 발명의 실시예들은 반도체 소자를 검사하기 위한 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하기 위한 장치 및 그 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 소자 테스트 장치에 냉각 유체를 제공하여 상기 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 반도체 소자 검사에 적합한 온도로 냉각시키기 위한 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치 및 그 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an apparatus and method for controlling the temperature of a semiconductor device testing apparatus for testing a semiconductor device. More specifically, it relates to a device and method for controlling the temperature of a semiconductor device test device to cool the temperature of the semiconductor device test device to a temperature suitable for semiconductor device testing by providing a cooling fluid to the semiconductor device test device.

일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며, 이렇게 형성된 반도체 소자들은 다이싱 공정과 본딩 공정 및 패키징 공정을 통하여 완제품으로 제조될 수 있다.In general, semiconductor devices may be formed on a silicon wafer used as a semiconductor substrate by repeatedly performing a series of manufacturing processes, and the semiconductor devices thus formed may be manufactured as finished products through a dicing process, a bonding process, and a packaging process.

이러한 반도체 소자들은 전기적 특성 검사를 통하여 양품 또는 불량품으로 판정될 수 있다. 전기적 특성 검사에는 반도체 소자들을 이송하기 위한 복수의 이송 모듈들과, 반도체 소자들을 검사하기 위한 테스트 모듈, 및 반도체 소자들과 테스트 모듈을 서로 연결하기 위한 인터페이스 모듈을 포함하는 반도체 소자 테스트 장치가 사용될 수 있다.These semiconductor devices may be judged to be good or defective through electrical property tests. A semiconductor device test apparatus including a plurality of transfer modules for transferring semiconductor devices, a test module for inspecting the semiconductor devices, and an interface module for connecting the semiconductor devices and the test module to each other may be used for the electrical characteristic test.

인터페이스 모듈은 테스트 모듈과 상기 반도체 소자들이 수납된 인서트 사이에 배치되는 인터페이스 보드와 인터페이스 보드 상에 탑재되는 소켓 가이드들을 포함할 수 있다.The interface module may include an interface board disposed between the test module and the insert accommodating the semiconductor devices, and socket guides mounted on the interface board.

또한, 반도체 소자 테스트 장치는 반도체 소자들의 솔더볼들의 위치를 가이드하기 위한 서포트 필름, 및 반도체 소자들과 테스트 소켓들을 서로 접속시키기 위한 매치 플레이트를 구비할 수 있다.In addition, the semiconductor device testing apparatus may include a support film for guiding positions of solder balls of semiconductor devices and a match plate for connecting the semiconductor devices and test sockets to each other.

서포트 필름은 인서트와 소켓 가이드 사이에 배치되어 반도체 소자를 지지하며, 솔더볼들이 삽입되는 가이드홀들을 구비할 수 있다.The support film may be disposed between the insert and the socket guide to support the semiconductor device, and may include guide holes into which solder balls are inserted.

매치 플레이트는 반도체 소자들을 테스트 소켓들 측으로 가압하여 반도체 소자들의 솔더볼들과 테스트 소켓들의 콘택 단자들을 접속시키는 복수의 푸셔들을 구비할 수 있다.The match plate may include a plurality of pushers that press the semiconductor devices toward the test sockets to connect solder balls of the semiconductor devices and contact terminals of the test sockets.

반도체 소자들에 대한 테스트 공정은 고온 공정과 저온 공정으로 구분될 수 있으며, 일 예로서, 상기 고온 공정은 약 85℃ 내지 130℃ 정도의 검사 온도에서 수행되고, 상기 저온 공정은 약 - 55℃ 내지 - 5℃ 정도의 검사 온도에서 수행될 수 있다. 상기와 같은 고온 공정과 저온 공정을 위해 매치 플레이트에는 푸셔들을 통해 반도체 소자들의 온도를 조절하기 위한 열전 소자들이 장착될 수 있다.The test process for semiconductor devices can be divided into a high-temperature process and a low-temperature process. As an example, the high-temperature process is performed at a test temperature of about 85 ° C to 130 ° C, and the low-temperature process is about -55 ° C to - It can be performed at a test temperature of 5 ° C. For the high-temperature process and the low-temperature process as described above, thermoelectric elements for controlling temperatures of the semiconductor elements may be mounted on the match plate through the pushers.

이와 같이, 반도체 소자들에 대한 테스트 공정은 고온 공정과 저온 공정을 모두 포함하기 때문에, 고온 공정 후 저온 공정을 위해 반도체 소자 테스트 장치를 냉각시키기 위한 별도의 온도 조절 장치가 필요하다.As such, since a test process for semiconductor devices includes both a high-temperature process and a low-temperature process, a separate temperature control device is required to cool the semiconductor device test apparatus for the low-temperature process after the high-temperature process.

온도 조절 장치는 냉각 유체를 반도체 소자 테스트 장치에 제공하여 반도체 소자 테스트 장치를 기 설정된 검사 온도로 냉각시킨다. 온도 조절 장치는 냉각 유체를 저장하는 냉매 탱크와 냉매 탱크에 저장된 냉각 유체를 반도체 소자 테스트 장치에 제공하는 냉매 공급관 그리고 반도체 소자 테스트 장치로부터 냉각 유체를 회수하는 냉매 회수관을 구비할 수 있다.The temperature controller provides a cooling fluid to the semiconductor device test device to cool the semiconductor device test device to a predetermined test temperature. The temperature controller may include a refrigerant tank for storing the cooling fluid, a refrigerant supply pipe for supplying the cooling fluid stored in the refrigerant tank to the semiconductor device test device, and a refrigerant recovery pipe for recovering the cooling fluid from the semiconductor device test device.

반도체 소자 테스트 장치에서 고온 테스트 공정이 완료되면, 온도 조절 장치는 약 85℃ 내지 130℃ 정도로 가열된 푸셔들에 냉각 유체를 제공하여 푸셔들을 저온 테스트 공정을 위한 검사 온도로 냉각시킨다. 이때, 고온에서 저온으로 전환하는데 소요되는 시간이 길어질수록 반도체 소자 테스트 장치의 대기 시간이 길어지므로, 온도 전환 시간을 단축하기 위해 종래의 온도 조절 장치는 냉매 탱크의 용량을 키우는 방안을 채용하였다.When the high-temperature test process is completed in the semiconductor device test apparatus, the temperature controller provides a cooling fluid to the pushers heated to about 85° C. to 130° C. to cool the pushers to a test temperature for the low-temperature test process. At this time, since the waiting time of the semiconductor device test apparatus increases as the time required to switch from high temperature to low temperature increases, the conventional temperature control device adopts a method of increasing the capacity of the refrigerant tank in order to shorten the temperature conversion time.

이렇게 냉매 탱크의 용량을 키울 경우 냉각 유체와 반도체 소자 테스트 장치 간의 열평형이 이루어지는데 소요되는 시간은 단축될 수 있으나, 열평형이 이루어진 이후에 반도체 소자 테스트 장치를 저온 테스트 공정에 적합한 극저온으로 더욱 냉각시키기 위해서는 반도체 소자 테스트 장치의 열을 흡수한 냉각 유체를 극저온으로 냉각시켜야 한다. 이때, 냉매 탱크의 용량이 클수록 냉각 유체를 극저온으로 냉각시키는데 소요되는 시간이 길어지므로, 냉매 탱크의 용량을 키우더라도 반도체 소자 테스트 장치의 온도 전환 시간을 단축하는 효과는 크지 않다.In this way, when the capacity of the refrigerant tank is increased, the time required for thermal equilibration between the cooling fluid and the semiconductor device test device may be shortened. However, after thermal equilibrium is achieved, the semiconductor device test device is further cooled to a cryogenic temperature suitable for a low-temperature test process. At this time, the larger the capacity of the refrigerant tank, the longer the time required to cool the cooling fluid to a cryogenic temperature, so the effect of shortening the temperature conversion time of the semiconductor device test apparatus is not significant even if the capacity of the refrigerant tank is increased.

(0001) 한국등록특허 제10-0785741호 (2007.12.07.)(0001) Korea Patent No. 10-0785741 (2007.12.07.)

본 발명의 실시예들은 반도체 소자 테스트 장치의 검사 온도를 고온에서 저온으로 신속하게 냉각시킬 수 있는 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치 및 그 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a device and method for controlling the temperature of a semiconductor device test device capable of rapidly cooling the test temperature of the semiconductor device test device from high temperature to low temperature.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 소자의 전기적 특성을 검사하기 위한 반도체 소자 테스트 장치에 냉각 유체를 공급하여 상기 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치는, 상기 냉각 유체를 저장하는 제1 냉매 탱크, 상기 냉각 유체를 저장하는 제2 냉매 탱크, 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들을 서로 연결하며 상기 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 간에 상기 냉각 유체를 순환 및 차단시키기 위한 개폐 유닛, 상기 제1 냉매 탱크 안의 냉각 유체를 냉각시키기 위한 냉각 유닛, 및 상기 제1 냉매 탱크에 연결되며 상기 제1 냉매 탱크에 저장된 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치에 제공하는 냉매 공급관을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제2 냉매 탱크 안의 냉각 유체는 상기 개폐 유닛을 통해 상기 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 간에 이루어지는 상기 냉각 유체의 순환에 의해 냉각될 수 있다.An apparatus for controlling the temperature of a semiconductor device test apparatus by supplying cooling fluid to a semiconductor device test apparatus for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device according to an aspect of the present invention for achieving the above object includes a first refrigerant tank storing the cooling fluid, a second refrigerant tank storing the cooling fluid, an opening and closing unit for connecting the first and second refrigerant tanks to each other and circulating and blocking the cooling fluid between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank, cooling the cooling fluid in the first refrigerant tank and a refrigerant supply pipe connected to the first refrigerant tank and supplying the cooling fluid stored in the first refrigerant tank to the semiconductor device test apparatus. Here, the cooling fluid in the second refrigerant tank may be cooled by circulation of the cooling fluid between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank through the opening and closing unit.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 냉매 탱크는 상기 제2 냉매 탱크의 용량보다 작거나 같은 용량을 가질 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first refrigerant tank may have a capacity equal to or smaller than that of the second refrigerant tank.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 개폐 유닛은, 상기 냉각 유체를 상기 제1 냉매 탱크로부터 상기 제2 냉매 탱크로 공급하는 제1 냉매 순환관, 상기 냉각 유체를 상기 제2 냉매 탱크로부터 상기 제2 냉매 탱크로 공급하는 제2 냉매 순환관, 상기 제1 냉매 순환관에 설치된 제1 밸브, 및 상기 제2 냉매 순환관에 설치된 제2 밸프를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the opening and closing unit may include a first refrigerant circulation pipe for supplying the cooling fluid from the first refrigerant tank to the second refrigerant tank, a second refrigerant circulation pipe for supplying the cooling fluid from the second refrigerant tank to the second refrigerant tank, a first valve installed in the first refrigerant circulation pipe, and a second valve installed in the second refrigerant circulation pipe.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 반도체 소자 테스트 장치는 상기 반도체 소자를 검사하기 위한 검사 신호를 제공하는 테스트 모듈에 상기 반도체 소자를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓과 상기 반도체 소자를 가압하여 상기 테스트 소켓에 접속시키기 위한 푸셔를 구비하며, 상기 냉매 공급관은 상기 푸셔에 상기 냉각 유체를 공급할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the semiconductor device testing apparatus includes a test socket for electrically connecting the semiconductor device to a test module that provides a test signal for testing the semiconductor device, and a pusher for connecting the semiconductor device to the test socket by pressurizing the semiconductor device, and the refrigerant supply pipe may supply the cooling fluid to the pusher.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 방법은, 먼저, 제1 냉매 탱크와 제2 냉매 탱크 간에 냉각 유체를 순환시키면서 상기 제1 냉매 탱크의 냉각 유체를 반도체 소자 테스트 장치로 공급하여 상기 반도체 소자 테스트 장치를 냉각시킨다. 상기 반도체 소자 테스트 장치와 상기 냉각 유체 간에 열 평형이 이루어지면 상기 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 간의 상기 냉각 유체의 순환을 차단한다. 이어, 상기 제1 냉매 탱크 안의 냉각 유체를 계속해서 냉각시키면서 상기 제1 냉매 탱크 안의 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치에 공급하여 상기 반도체 소자 테스트 장치를 기 설정된 검사 온도로 냉각시킨다.In addition, in a method for controlling the temperature of a semiconductor device test apparatus according to another aspect of the present invention for achieving the above object, first, the semiconductor device test apparatus is cooled by supplying the cooling fluid in the first refrigerant tank to the semiconductor device test apparatus while circulating the cooling fluid between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank. When thermal equilibrium is achieved between the semiconductor device test apparatus and the cooling fluid, circulation of the cooling fluid between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank is blocked. Then, while the cooling fluid in the first refrigerant tank is continuously cooled, the cooling fluid in the first refrigerant tank is supplied to the semiconductor device test device to cool the semiconductor device test device to a predetermined test temperature.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들 간에 냉각 유체를 순환시키면서 상기 반도체 소자 테스트 장치를 냉각시키는 단계에서, 상기 제1 냉매 탱크 안의 냉각 유체는 냉각 유닛에 의해 냉각되며 상기 제2 냉매 탱크 안의 냉각 유체는 상기 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 간의 냉각 유체 순환을 통해 냉각된다.According to embodiments of the present invention, in the step of cooling the semiconductor device test apparatus while circulating a cooling fluid between the first and second refrigerant tanks, the cooling fluid in the first refrigerant tank is cooled by a cooling unit, and the cooling fluid in the second refrigerant tank is cooled through circulation of the cooling fluid between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 반도체 소자 테스트 장치는 상기 반도체 소자를 검사하기 위한 검사 신호를 제공하는 테스트 모듈에 상기 반도체 소자를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓과 상기 반도체 소자를 가압하여 상기 테스트 소켓에 접속시키기 위한 푸셔를 구비하고, 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들 간에 냉각 유체를 순환시키면서 상기 반도체 소자 테스트 장치를 냉각시키는 단계와 상기 반도체 소자 테스트 장치를 기 설정된 공정 온도로 냉각시키는 단계에서, 상기 냉각 유체는 상기 제1 냉매 탱크로부터 상기 푸셔에 제공되어 상기 푸셔를 냉각시킨다.According to embodiments of the present invention, the semiconductor device testing apparatus includes a test socket for electrically connecting the semiconductor element to a test module providing a test signal for inspecting the semiconductor element, and a pusher for pressurizing the semiconductor element and connecting the semiconductor element to the test socket. Cool down the sher.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치는 냉각 유체를 저장하는 제1 및 제2 냉매 탱크들과, 제1 및 제2 냉매 탱크들 간에 냉각 유체를 순환 및 차단하기 위한 개폐 유닛과, 제1 냉매 탱크의 냉각 유체를 냉각시키는 냉각 유닛을 구비함으로써, 반도체 소자 테스트 장치를 냉각시키는데 실질적으로 사용되는 냉각 유체의 용량을 공정 효율에 따라 반도체 소자 테스트 장치를 냉각시키는 단계별로 가변할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자 테스트 장치의 검사 온도 변환에 소요되는 시간을 종래 대비 획기적으로 단축할 수 있고, 반도체 소자 테스트 장치의 검사 공정 시간을 단축시키며, 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, an apparatus for controlling the temperature of a semiconductor device test apparatus includes first and second refrigerant tanks for storing cooling fluid, an opening/closing unit for circulating and blocking the cooling fluid between the first and second refrigerant tanks, and a cooling unit for cooling the cooling fluid in the first refrigerant tank, so that the capacity of the cooling fluid substantially used to cool the semiconductor device test apparatus may be varied in stages of cooling the semiconductor device test apparatus according to process efficiency. Accordingly, the time required to convert the inspection temperature of the semiconductor device test apparatus can be drastically reduced compared to the prior art, the inspection process time of the semiconductor device test apparatus can be shortened, and process efficiency and productivity can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 온도 조절 장치가 적용될 수 있는 반도체 소자 테스트 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 3은 도 1에 도시된 온도 조절 장치에 의해 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 흐름도이다.1 is a schematic configuration diagram for explaining a device for controlling the temperature of a semiconductor device test apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining a semiconductor device testing device to which the temperature control device shown in FIG. 1 can be applied.
FIG. 3 is a schematic flowchart for explaining a method of controlling the temperature of a semiconductor device test apparatus by the temperature control device shown in FIG. 1 .

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention does not have to be configured as limited to the embodiments described below and may be embodied in various other forms. The following examples are not provided to fully complete the present invention, but rather to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In embodiments of the present invention, when one element is described as being disposed on or connected to another element, the element may be directly disposed on or connected to the other element, or other elements may be interposed therebetween. Alternatively, when an element is described as being directly disposed on or connected to another element, there cannot be another element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and/or parts, but the items are not limited by these terms.

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.Technical terms used in the embodiments of the present invention are only used for the purpose of describing specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. In addition, unless otherwise limited, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as can be understood by those skilled in the art having ordinary knowledge in the technical field of the present invention. The above terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have a meaning consistent with their meaning in the context of the relevant art and description of the present invention, and not ideally or excessively superficial intuition unless expressly defined.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of idealized embodiments of the present invention. Accordingly, variations from the shapes of the illustrations, eg, variations in manufacturing methods and/or tolerances, are fully foreseeable. Thus, the embodiments of the present invention are not to be described as being limited to the specific shapes of the regions illustrated as diagrams, but to include variations in shapes, and the elements described in the drawings are purely schematic and their shapes are not intended to illustrate the exact shape of the elements, nor are they intended to limit the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram for explaining a device for controlling the temperature of a semiconductor device test apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 조절 장치(100)는 반도체 소자들에 대해 전기적인 특성을 검사하기 위한 반도체 소자 테스트 장치(200)의 온도를 기 설정된 검사 온도로 냉각시키는데 이용될 수 있다. 특히, 상기 온도 조절 장치(100)는 상기 반도체 소자들의 전기적 특성 검사를 위한 테스트 공정이 고온 공정에서 저온 공정으로 전환될 경우 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 신속하게 냉각시켜 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 온도 변환에 소요되는 시간을 획기적으로 단축시킬 수 있다. 참고로, 도 1에서 도면 부호 CF는 냉각 유체의 흐름을 나타낸다.Referring to FIG. 1 , the temperature control device 100 according to an embodiment of the present invention may be used to cool the temperature of the semiconductor device testing device 200 for inspecting electrical characteristics of semiconductor devices to a predetermined test temperature. In particular, the temperature control device 100 rapidly cools the semiconductor device test device 200 when a test process for inspecting the electrical characteristics of the semiconductor devices is switched from a high temperature process to a low temperature process. The time required for temperature conversion of the semiconductor device test device 200 can be drastically reduced. For reference, reference numeral CF in FIG. 1 denotes a flow of cooling fluid.

상기 온도 조절 장치(100)는 각각 냉각 유체를 저장하는 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120), 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120) 간에 상기 냉각 유체를 순환 및 차단시키기 위한 개폐 유닛(130), 상기 제1 냉매 탱크(110) 안의 냉각 유체를 냉각시키기 위한 냉각 유닛(140), 및 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 냉각 유체를 공급하기 위한 냉매 공급관(152)을 포함할 수 있다.The temperature control device 100 includes first and second refrigerant tanks 110 and 120 respectively storing cooling fluid, an opening/closing unit 130 for circulating and blocking the cooling fluid between the first and second refrigerant tanks 110 and 120, a cooling unit 140 for cooling the cooling fluid in the first refrigerant tank 110, and a refrigerant supply for supplying the cooling fluid to the semiconductor device test device 200. tube 152 may be included.

상기 제1 냉매 탱크(110)는 상기 냉각 유체를 저장하며, 상기 냉매 공급관(152)에 연결되어 상기 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 제공한다.The first refrigerant tank 110 stores the cooling fluid and is connected to the refrigerant supply pipe 152 to provide the cooling fluid to the semiconductor device test apparatus 200 .

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 냉매 탱크(110)는 상기 제2 냉매 탱크(120)의 용량보다 작거나 같은 용량을 가질 수 있으며, 상기 제2 냉매 탱크(120)는 상기 제1 냉매 탱크(110)의 1배 내지 9배의 용량을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first refrigerant tank 110 may have a capacity smaller than or equal to that of the second refrigerant tank 120, and the second refrigerant tank 120 may have a capacity 1 to 9 times that of the first refrigerant tank 110.

상기 제1 냉매 탱크(110)는 상기 개폐 유닛(130)에 의해 상기 제2 냉매 탱크(120)와 연결될 수 있다. 상기 개폐 유닛(130)은 상기 제1 냉매 탱크(110)와 상기 제2 냉매 탱크(120)를 서로 연결하며, 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120) 간에 상기 냉각 유체를 순환 및 차단할 수 있다.The first refrigerant tank 110 may be connected to the second refrigerant tank 120 by the opening/closing unit 130 . The opening/closing unit 130 connects the first refrigerant tank 110 and the second refrigerant tank 120 to each other, and circulates and blocks the cooling fluid between the first and second refrigerant tanks 110 and 120.

구체적으로, 상기 개폐 유닛(130)은 상기 제1 냉매 탱크(110)와 상기 제2 냉매 탱크(120)를 서로 연결하는 제1 및 제2 냉매 순환관들(132, 134)과, 상기 제1 및 제2 순환관들(132, 134)에 설치된 제1 및 제2 밸브들(136, 138)을 구비할 수 있다.Specifically, the opening/closing unit 130 may include first and second refrigerant circulation pipes 132 and 134 connecting the first refrigerant tank 110 and the second refrigerant tank 120 to each other, and first and second valves 136 and 138 installed in the first and second circulation pipes 132 and 134.

상기 제1 냉매 순환관(132)은 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된 냉각 유체를 상기 제2 냉매 탱크(110)로 공급하며, 상기 제2 냉매 순환관(134)은 상기 제2 냉매 탱크(120)에 저장된 냉각 유체를 상기 제1 냉매 탱크(110)로 공급한다. 그 결과, 상기 제1 냉매 탱크(110)와 상기 제2 냉매 탱크(120) 간에 상기 냉각 유체가 서로 순환된다.The first refrigerant circulation pipe 132 supplies the cooling fluid stored in the first refrigerant tank 110 to the second refrigerant tank 110, and the second refrigerant circulation pipe 134 supplies the cooling fluid stored in the second refrigerant tank 120 to the first refrigerant tank 110. As a result, the cooling fluid is circulated between the first refrigerant tank 110 and the second refrigerant tank 120 .

상기 제1 밸브(136)는 상기 제1 냉매 순환관(132)에 설치되며, 상기 제1 밸브(136)의 개폐 동작에 따라 상기 냉각 유체가 상기 제1 냉매 순환관(132)을 통해 상기 제1 냉매 탱크(110)로부터 상기 제2 냉매 탱크(120)로 이동 또는 차단될 수 있다.The first valve 136 is installed in the first refrigerant circulation pipe 132, and according to the opening and closing operation of the first valve 136, the cooling fluid may be moved or blocked from the first refrigerant tank 110 to the second refrigerant tank 120 through the first refrigerant circulation pipe 132.

상기 제2 밸브(138)는 상기 제2 냉매 순환관(134)에 설치되며, 상기 제2 밸브(138)의 개폐 동작에 따라 상기 냉각 유체가 상기 제2 냉매 순환관(134)을 통해 상기 제2 냉매 탱크(120)로부터 상기 제1 냉매 탱크(110)로 이동 또는 차단될 수 있다.The second valve 138 is installed in the second refrigerant circulation pipe 134, and according to the opening and closing operation of the second valve 138, the cooling fluid may be moved or blocked from the second refrigerant tank 120 to the first refrigerant tank 110 through the second refrigerant circulation pipe 134.

한편, 상기 제1 냉매 탱크(110) 안의 냉각 유체는 상기 냉각 유닛(140)에 의해 냉각된다. 여기서, 상기 냉각 유닛(140)과 상기 제1 냉매 탱크(110)는 제1 및 제2 냉각기 연결관들(162, 164)에 의해 서로 연결될 수 있다. 상기 제1 냉각기 연결관(162)은 상기 제1 냉매 탱크(110)로부터 배출된 냉각 유체를 상기 냉각 유닛(140)에 공급하며, 상기 제2 냉각기 연결관(164)은 상기 냉각 유닛(140)에서 냉각된 냉각 유체를 상기 제1 냉매 탱크(110)로 공급한다. 이에 따라, 상기 냉각 유닛(140)에 의해 냉각된 냉각 유체가 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된다.Meanwhile, the cooling fluid in the first refrigerant tank 110 is cooled by the cooling unit 140 . Here, the cooling unit 140 and the first refrigerant tank 110 may be connected to each other by first and second cooler connection pipes 162 and 164 . The first cooler connection pipe 162 supplies the cooling fluid discharged from the first refrigerant tank 110 to the cooling unit 140, and the second cooler connection pipe 164 supplies the cooling fluid cooled in the cooling unit 140 to the first refrigerant tank 110. Accordingly, the cooling fluid cooled by the cooling unit 140 is stored in the first refrigerant tank 110 .

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 냉각 유닛(140)은 도 1에 도시된 것처럼 상기 제1 냉매 탱크(110)에만 직접적으로 연결될 뿐 상기 제2 냉매 탱크(120)와는 직접적으로 연결되지 않는다. 즉, 상기 냉각 유닛(140)은 상기 제1 냉매 탱크(110)로부터 상기 냉각 유체를 공급받으며 상기 냉각 유체를 냉각시켜 다시 제1 냉매 탱크(110)에 제공하는 반면, 상기 제2 냉매 탱크(120)로부터는 상기 냉각 유체를 직접적으로 공급받지 않으며 상기 냉각 유닛(140)에서 냉각된 냉각 유체를 상기 제2 냉매 탱크(120)에 직접적으로 제공하지 않는다. 상기 제2 냉매 탱크(120)에 저장되는 냉각 유체는 상기 냉각 유닛(140)에 의해 간접적으로 냉각되며, 상기 제1 냉매 탱크(110)와 상기 제2 냉매 탱크(120) 간에 이루어지는 상기 냉각 유체의 순환을 통해 냉각된다. 구체적으로, 상기 제2 냉매 탱크(120)에 저장된 냉각 유체는 상기 제2 냉매 순환관(134)을 통해 상기 제1 냉매 탱크(110)로 이동한 후 상기 냉각 유닛(130)에 제공되며, 상기 냉각 유닛(130)에서 냉각된 냉각 유체는 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된 후 상기 제1 냉매 순환관(132)을 통해 상기 제2 냉매 탱크(120)에 제공된다. 이와 같이, 상기 냉각 유닛(130)은 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120)에 저장된 냉각 유체를 직접 또는 간접적으로 냉각할 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 밸브(136, 138)는 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120) 간의 냉각 유체 순환을 위해 열린 상태로 구동된다.In one embodiment of the present invention, the cooling unit 140 is directly connected only to the first refrigerant tank 110 as shown in FIG. 1 and is not directly connected to the second refrigerant tank 120. That is, the cooling unit 140 receives the cooling fluid from the first refrigerant tank 110, cools the cooling fluid, and supplies it to the first refrigerant tank 110, while the second refrigerant tank 120 does not directly supply the cooling fluid and does not directly provide the cooling fluid cooled in the cooling unit 140 to the second refrigerant tank 120. The cooling fluid stored in the second refrigerant tank 120 is indirectly cooled by the cooling unit 140, and is cooled through circulation of the cooling fluid between the first refrigerant tank 110 and the second refrigerant tank 120. Specifically, the cooling fluid stored in the second refrigerant tank 120 moves to the first refrigerant tank 110 through the second refrigerant circulation pipe 134 and is provided to the cooling unit 130, and the cooling fluid cooled in the cooling unit 130 is stored in the first refrigerant tank 110 and then supplied to the second refrigerant tank 120 through the first refrigerant circulation pipe 132. As such, the cooling unit 130 may directly or indirectly cool the cooling fluid stored in the first and second refrigerant tanks 110 and 120 . At this time, the first and second valves 136 and 138 are driven in an open state to circulate the cooling fluid between the first and second refrigerant tanks 110 and 120 .

한편, 상기 제1 냉매 탱크(110)는 상기 냉매 공급관(152)에 연결되어 저장된 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 제공한다. 상기 냉매 공급관(152)은 상기 제1 냉매 탱크(110) 및 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 연결되며, 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 제공하여 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 기 설정된 검사 온도로 냉각시킨다. 상기 냉매 공급관(152)에는 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 공급되는 상기 냉각 유체의 속도를 제어하기 위한 펌프(170)가 설치될 수 있다.Meanwhile, the first refrigerant tank 110 is connected to the refrigerant supply pipe 152 to provide the stored cooling fluid to the semiconductor device test apparatus 200 . The refrigerant supply pipe 152 is connected to the first refrigerant tank 110 and the semiconductor device test apparatus 200, and the cooling fluid stored in the first refrigerant tank 110 is supplied to the semiconductor device test apparatus 200 to cool the semiconductor device test apparatus 200 to a predetermined test temperature. A pump 170 for controlling a speed of the cooling fluid supplied to the semiconductor device test apparatus 200 may be installed in the refrigerant supply pipe 152 .

또한, 상기 제1 냉매 탱크(110)는 냉매 배출관(154)에 연결될 수 있으며, 상기 냉매 배출관(154)은 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 연결되어 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)로부터 배출된 냉각 유체를 상기 제1 냉매 탱크(110)에 제공한다. 이때, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)로부터 배출된 냉각 유체는 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시키는데 사용된 냉각 유체로서 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 열을 흡수한 냉각 유체이다.In addition, the first refrigerant tank 110 may be connected to a refrigerant discharge pipe 154, and the refrigerant discharge pipe 154 is connected to the semiconductor device test apparatus 200 to provide the cooling fluid discharged from the semiconductor device test apparatus 200 to the first refrigerant tank 110. In this case, the cooling fluid discharged from the semiconductor device testing device 200 is a cooling fluid used to cool the semiconductor device testing device 200 and absorbs heat from the semiconductor device testing device 200 .

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 조절 장치(100)는 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 냉각 유체를 제공하는 메인 냉매 탱크인 상기 제1 냉매 탱크(110) 외에 서브 냉매 탱크인 상기 제2 냉매 탱크(120)를 별도 구비하고 상기 제1 냉매 탱크(110)와 상기 제2 냉매 탱크(120) 간에 냉각 유체를 순환 및 차단하는 상기 개폐 유닛(130)과 상기 제1 냉매 탱크(110)에 연결된 상기 냉각 유닛(140)을 구비함으로써, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시키는데 사용되는 냉각 유체의 용량을 가변적으로 설정할 수 있다. 이에 따라, 상기 온도 조절 장치(100)는 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시키는 공정을 진행하는 도중에 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시키는데 사용되는 냉각 유체의 용량을 필요에 따라 용이하게 변경할 수 있으므로, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시키는데 소요되는 시간을 감소시키고, 공정 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, the temperature control device 100 according to an embodiment of the present invention includes the second refrigerant tank 120 as a sub refrigerant tank in addition to the first refrigerant tank 110 as a main refrigerant tank providing cooling fluid to the semiconductor device test device 200, and the opening/closing unit 130 and the first refrigerant tank for circulating and blocking the cooling fluid between the first refrigerant tank 110 and the second refrigerant tank ( 110), the capacity of the cooling fluid used to cool the semiconductor device test apparatus 200 may be variably set. Accordingly, the temperature control device 100 can easily change the capacity of the cooling fluid used to cool the semiconductor device test device 200 as needed during the process of cooling the semiconductor device test device 200. Therefore, the time required to cool the semiconductor device test device 200 can be reduced and process efficiency can be improved.

한편, 상기 온도 조절 장치(100)로부터 제공되는 냉각 유체는 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 부재들 중에서 상기 반도체 소자들과 직접적으로 접촉되는 부재에 제공될 수 있다.Meanwhile, the cooling fluid provided from the temperature control device 100 may be provided to a member of the semiconductor device test device 200 that directly contacts the semiconductor devices.

이하, 도면을 참조하여 상기 반도체 소자들을 검사하는 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the configuration of the semiconductor device testing apparatus 200 for inspecting the semiconductor devices will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 도 1에 도시된 온도 조절 장치가 적용될 수 있는 반도체 소자 테스트 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining a semiconductor device testing device to which the temperature control device shown in FIG. 1 can be applied.

도 2를 참조하면, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)는 반도체 소자들(10)의 전기적인 특성을 검사하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)는 반도체 소자(10)에 전기적인 검사 신호를 제공하고 상기 검사 신호에 대응하여 상기 반도체 소자(10)로부터 출력된 신호를 분석함으로써 상기 반도체 소자(10)의 전기적인 성능을 검사한다.Referring to FIG. 2 , the semiconductor device testing apparatus 200 may be used to test electrical characteristics of semiconductor devices 10 . For example, the semiconductor device testing apparatus 200 provides an electrical test signal to the semiconductor device 10 and analyzes a signal output from the semiconductor device 10 in response to the test signal to test the electrical performance of the semiconductor device 10.

구체적으로, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)는 상기 반도체 소자(10)가 수용되는 인서트(210), 상기 인서트(210)의 아래에 배치되는 소켓 가이드(220), 상기 인서트(210)에 수납된 반도체 소자(10)와 전기적으로 연결되는 테스트 소켓(230), 및 상기 반도체 소자(10)를 상기 테스트 소켓(230) 측으로 가압하는 매치 플레이트(240)를 포함할 수 있다.Specifically, the semiconductor device testing apparatus 200 may include an insert 210 in which the semiconductor device 10 is accommodated, a socket guide 220 disposed below the insert 210, a test socket 230 electrically connected to the semiconductor device 10 accommodated in the insert 210, and a match plate 240 that presses the semiconductor device 10 toward the test socket 230.

도면에는 도시하지 않았으나, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)는 복수의 인서트(210)가 설치된 테스트 트레이(미도시)와 반도체 소자들에 대한 전기적 특성 검사를 수행하기 위한 공간을 제공하는 테스트 챔버(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)는 반도체 소자들을 커스터머 트레이(미도시)로부터 상기 테스트 트레이로 이송하고 상기 반도체 소자들이 수납된 상기 테스트 트레이를 상기 테스트 챔버 내부로 이송하는 복수의 이송 모듈(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 이송 모듈들은 상기 테스트 챔버에서 검사 공정이 완료된 후 상기 테스트 트레이를 상기 테스트 챔버로부터 반출하며, 상기 테스트 트레이에 수납된 반도체 소자들을 빈 커스터머 트레이로 이송한다. 또한, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)는 상기 반도체 소자(10)의 온도를 미리 조절하기 위한 예열 챔버(미도시)와 상기 반도체 소자(10)의 온도를 상온으로 회복시키기 위한 제열 챔버(미도시)를 포함할 수 있다.Although not shown in the drawing, the semiconductor device testing apparatus 200 may include a test tray (not shown) on which a plurality of inserts 210 are installed and a test chamber (not shown) providing a space for performing an electrical characteristic test on semiconductor devices. In addition, the semiconductor device testing apparatus 200 may include a plurality of transfer modules (not shown) that transfer semiconductor devices from a customer tray (not shown) to the test tray and transfer the test tray containing the semiconductor devices into the test chamber. The transfer modules carry out the test tray from the test chamber after the inspection process is completed in the test chamber, and transfer the semiconductor devices stored in the test tray to an empty customer tray. In addition, the semiconductor device test apparatus 200 may include a preheating chamber (not shown) for previously adjusting the temperature of the semiconductor device 10 and a heat removal chamber (not shown) for restoring the temperature of the semiconductor device 10 to room temperature.

상기 인서트(210)는 상기 테스트 트레이에 복수로 설치될 수 있으며, 각각의 인서트(210)에는 상기 커스터머 트레이로부터 이송된 상기 반도체 소자(10)가 수납될 수 있다.A plurality of inserts 210 may be installed in the test tray, and the semiconductor device 10 transferred from the customer tray may be accommodated in each insert 210 .

도면에는 상세히 도시하지 않았으나, 상기 인서트(210)는 상기 반도체 소자(10)가 수납되는 포켓(미도시)을 구비하며, 상기 포켓을 형성하는 바닥면에는 상기 반도체 소자(10)와 상기 테스트 소켓(230)이 접속되도록 개구부가 형성된다. 또한, 상기 인서트(210)의 포켓 안에는 상기 반도체 소자(10)를 고정시키기 위한 래치(미도시)가 구비될 수 있다. 상기 래치는 상기 반도체 소자(10) 상면의 가장자리 부분을 가압하여 상기 반도체 소자(10)의 위치를 고정시킨다.Although not shown in detail in the drawings, the insert 210 has a pocket (not shown) in which the semiconductor device 10 is accommodated, and an opening is formed on a bottom surface forming the pocket so that the semiconductor device 10 and the test socket 230 are connected. In addition, a latch (not shown) for fixing the semiconductor device 10 may be provided in the pocket of the insert 210 . The latch fixes the position of the semiconductor device 10 by pressing an edge portion of the upper surface of the semiconductor device 10 .

상기 인서트(210)의 개구부의 하측에는 상기 반도체 소자(10)를 지지하기 위한 서포트 필름(250)이 구비될 수 있다. 도면에는 상세히 도시하지 않았으나, 상기 서포트 필름(250)에는 상기 반도체 소자들(10)의 외부 접속 단자들인 복수의 솔더볼(미도시)이 하측 방향으로 돌출되도록 끼워져 상기 반도체 소자들(10)의 위치를 안내하기 위한 복수의 가이드홀(미도시)이 구비될 수 있다.A support film 250 for supporting the semiconductor device 10 may be provided below the opening of the insert 210 . Although not shown in detail in the drawings, a plurality of solder balls (not shown), which are external connection terminals of the semiconductor elements 10, are inserted into the support film 250 so as to protrude downward to guide the position of the semiconductor elements 10. A plurality of guide holes (not shown) may be provided.

한편, 상기 인서트(210)의 아래에는 상기 소켓 가이드(220)가 배치될 수 있으며, 상기 소켓 가이드(220)는 상기 인서트(210)의 하면에 결합될 수 있다.Meanwhile, the socket guide 220 may be disposed below the insert 210 , and the socket guide 220 may be coupled to a lower surface of the insert 210 .

상기 소켓 가이드(220)에는 상기 테스트 소켓(230)이 탑재될 수 있다. 상기 테스트 소켓(230)은 소켓 가이드(220)의 하면에 결합되며 상기 반도체 소자(10)와 마주하여 배치될 수 있다. 도면에는 상세하게 도시하지 않았으나, 상기 테스트 소켓(230)은 상기 반도체 소자(10)와 전기적으로 연결되기 위한 복수의 콘택 단자를 구비하며, 상기 소켓 가이드(220)는 상기 콘택 단자들을 노출시키기 위한 개구부를 갖는다. 상기 콘택 단자들은 상기 소켓 가이드(220)의 개구부를 통해 상기 반도체 소자(10)의 복수의 솔더 볼에 접속될 수 있다.The test socket 230 may be mounted on the socket guide 220 . The test socket 230 is coupled to a lower surface of the socket guide 220 and may be disposed facing the semiconductor device 10 . Although not shown in detail in the drawings, the test socket 230 includes a plurality of contact terminals electrically connected to the semiconductor device 10, and the socket guide 220 has an opening for exposing the contact terminals. The contact terminals may be connected to a plurality of solder balls of the semiconductor device 10 through the opening of the socket guide 220 .

또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 소켓 가이드(220)의 하측에는 상기 검사 신호를 제공하고 상기 검사 신호에 대응하여 상기 반도체 소자(10)로부터 출력된 출력 신호에 기초하여 상기 반도체 소자(10)의 전기적인 성능을 검사하는 테스트 모듈이 구비될 수 있다.In addition, although not shown in the drawing, a test module for providing the test signal and inspecting the electrical performance of the semiconductor device 10 based on an output signal output from the semiconductor device 10 in response to the test signal may be provided below the socket guide 220.

한편, 상기 인서트(210)의 상측에는 상기 매치 플레이트(240)가 구비될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 매치 플레이트(240)는 상기 인서트(210) 및 상기 소켓 가이드(220)와 결합하기 위한 복수의 결합 돌기(242)를 구비할 수 있다. 상기 인서트(210)는 상기 결합 돌기들(242)에 대응하여 복수의 제1 결합홀(212)을 가지며, 상기 소켓 가이드(220)는 상기 결합 돌기들(242)에 대응하여 복수의 제2 결합홀(222)을 가질 수 있다. 조립 시, 상기 매치 플레이트(240)의 결합 돌기들(242)은 상기 인서트(210)의 제1 결합홀들(212)을 관통하여 상기 소켓 가이드(220)의 제2 결합홀들(222)에 삽입되며, 그 결과, 상기 매치 플레이트(240)가 상기 인서트(210) 그리고 상기 소켓 가이드(220)와 결합된다.Meanwhile, the match plate 240 may be provided on the upper side of the insert 210 . As shown in FIG. 1 , the match plate 240 may include a plurality of coupling protrusions 242 coupled to the insert 210 and the socket guide 220 . The insert 210 may have a plurality of first coupling holes 212 corresponding to the coupling protrusions 242, and the socket guide 220 may have a plurality of second coupling holes 222 corresponding to the coupling protrusions 242. During assembly, the coupling protrusions 242 of the match plate 240 pass through the first coupling holes 212 of the insert 210 and are inserted into the second coupling holes 222 of the socket guide 220, and as a result, the match plate 240 is coupled to the insert 210 and the socket guide 220.

상기 매치 플레이트(240)는 상기 테스트 소켓(230)과 상기 반도체 소자(10)가 서로 접하도록 상기 반도체 소자(10)를 가압하는 푸셔(244)를 구비할 수 있다. 상기 푸셔(244)는 상기 인서트(210)의 포켓 안에 수납된 상기 반도체 소자(10)를 상기 테스트 소켓(230) 측으로 가압하여 상기 반도체 소자(10)의 솔더볼들과 상기 테스트 소켓(230)의 콘택 단자들이 서로 접속되게 한다.The match plate 240 may include a pusher 244 that presses the semiconductor device 10 so that the test socket 230 and the semiconductor device 10 come into contact with each other. The pusher 244 presses the semiconductor device 10 stored in the pocket of the insert 210 toward the test socket 230 so that the solder balls of the semiconductor device 10 and the contact terminals of the test socket 230 are connected to each other.

특히, 상기 푸셔(244)는 상기 냉매 공급관(152)으로부터 상기 냉각 유체를 공급받아 상기 검사 온도로 냉각될 수 있으며, 그 결과, 상기 반도체 소자(10)가 냉각된다. 상기 푸셔(244) 안에서 열을 흡수한 냉각 유체는 상기 냉매 배출관(154)으로 배출되며, 상기 냉매 배출관(154)을 통해 상기 제1 냉매 탱크(110)에 공급된다. 도면에는 상세하게 도시하지 않았으나, 상기 푸셔(244)에는 온도 조절을 위한 열전 소자들이 장착될 수 있다.In particular, the pusher 244 may be cooled to the test temperature by receiving the cooling fluid from the refrigerant supply pipe 152, and as a result, the semiconductor device 10 is cooled. The cooling fluid that absorbs heat in the pusher 244 is discharged to the refrigerant discharge pipe 154 and supplied to the first refrigerant tank 110 through the refrigerant discharge pipe 154 . Although not shown in detail in the drawings, thermoelectric elements for temperature control may be mounted on the pusher 244 .

도 2에 도시된 바에 의하면, 상기 인서트(210)와 상기 매치 플레이트(240)가 수평 방향으로 배치되나, 상기 인서트(210)와 상기 매치 플레이트(240)의 배치 방향은 다양하게 변경 가능하다.As shown in FIG. 2 , the insert 210 and the match plate 240 are arranged in a horizontal direction, but the arrangement direction of the insert 210 and the match plate 240 can be changed in various ways.

이하, 도면을 참조하여 상기 온도 조절 장치(100)가 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 온도를 조절하는 과정에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a process of controlling the temperature of the semiconductor device test apparatus 200 by the temperature controller 100 will be described in detail with reference to the drawings.

도 3은 도 1에 도시된 온도 조절 장치에 의해 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 흐름도이다.FIG. 3 is a schematic flowchart for explaining a method of controlling the temperature of a semiconductor device test apparatus by the temperature control device shown in FIG. 1 .

도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 온도를 조절하는 방법은, 먼저, 상기 개폐 유닛(130)을 통해 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120) 간에 상기 냉각 유체를 순환시키면서 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된 상기 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 제공하여 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시킨다(단계 S110). 즉, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에서 상기 반도체 소자들에 대해 약 85℃ 내지 약 130℃ 정도의 고온에서 이루어지는 고온 테스트 공정이 완료되면, 상기 온도 조절 장치(100)는 상기 반도체 소자들에 대해 상기 약 - 55℃ 내지 약 - 5℃ 정도의 저온에서 이루어지는 저온 테스트 공정을 위하여 상기 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 제공한다.1 and 3, in the method of controlling the temperature of the semiconductor device test apparatus 200, first, while the cooling fluid is circulated between the first and second refrigerant tanks 110 and 120 through the opening and closing unit 130, the cooling fluid stored in the first refrigerant tank 110 is provided to the semiconductor device test apparatus 200 to cool the semiconductor device test apparatus 200 (step S110). That is, when a high-temperature test process performed on the semiconductor devices at a high temperature of about 85 ° C to about 130 ° C is completed in the semiconductor device test apparatus 200, the temperature control device 100 provides the cooling fluid to the semiconductor device test device 200 for a low-temperature test process performed on the semiconductor devices at a low temperature of about -55 ° C to about - 5 ° C.

구체적으로, 상기 온도 조절 장치(100)는 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된 냉각 유체를 상기 냉매 공급관(152)을 통해 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 제공하여 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시킨다. 여기서, 상기 냉매 공급관(152) 안의 상기 냉각 유체는 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 푸셔(244; 도 2 참조)에 제공되어 상기 반도체 소자(10; 도 2 참조)를 냉각시킬 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2 밸브들(136, 138)은 열린 상태를 유지하며, 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된 냉각 유체와 상기 제2 냉매 탱크(120)에 저장된 냉각 유체는 상기 제1 및 제2 냉매 순환관들(132, 134)을 통해 서로 순환된다. 또한, 상기 단계 S110을 진행하는 동안 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장되는 냉각 유체는 상기 냉각 유닛(140)에 의해 냉각되며, 상기 제2 냉매 탱크(120)에 저장되는 냉각 유체는 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120) 간의 냉각 유체 순환을 통해 냉각된다. 이와 같이, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시키는 초기 단계(S110)에서는 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120) 간에 냉각 유체를 순환시킴으로써, 상기 냉각 유닛(140)이 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120)에 저장되는 냉각 유체를 모두 냉각시킨다.Specifically, the temperature controller 100 provides the cooling fluid stored in the first refrigerant tank 110 to the semiconductor device test device 200 through the refrigerant supply pipe 152 to cool the semiconductor device test device 200. Here, the cooling fluid in the refrigerant supply pipe 152 may be provided to the pusher 244 (see FIG. 2 ) of the semiconductor device test apparatus 200 to cool the semiconductor device 10 (see FIG. 2 ). At this time, the first and second valves 136 and 138 remain open, and the cooling fluid stored in the first refrigerant tank 110 and the cooling fluid stored in the second refrigerant tank 120 are mutually circulated through the first and second refrigerant circulation pipes 132 and 134. In addition, during the step S110, the cooling fluid stored in the first refrigerant tank 110 is cooled by the cooling unit 140, and the cooling fluid stored in the second refrigerant tank 120 is cooled through circulation of the cooling fluid between the first and second refrigerant tanks 110 and 120. In this way, in the initial step of cooling the semiconductor device test apparatus 200 (S110), the cooling fluid is circulated between the first and second refrigerant tanks 110 and 120, so that the cooling unit 140 cools both the cooling fluid stored in the first and second refrigerant tanks 110 and 120.

이어, 상기 냉각 유체에 의해 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 온도가 감소되어 상기 냉각 유체와 상기 반도체 소자 테스트 장치(200) 간에 열평형이 이루어지면, 상기 제1 및 제2 밸브들(136, 138)을 닫아 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120) 간의 냉각 유체 순환을 차단한다(단계 S120). 그 결과, 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된 냉각 유체만 상기 냉각 유닛(140)에 의해 냉각되며, 상기 제2 냉매 탱크(120)에 저장된 냉각 유체는 더이상 냉각되지 않는다. 즉, 상기 온도 조절 장치(100)로부터 제공된 상기 냉각 유체에 의해 상기 푸셔(244; 도 2 참조)가 냉각되어 상기 냉각 유체와 상기 푸셔(244) 간에 열평형이 이루어지더라도, 상기 푸셔(244)의 온도가 상기 저온 테스트 공정을 위한 검사 온도보다 높다. 따라서, 상기 열평형 이후 상기 푸셔(244)의 온도를 더욱 낮추기 위해서는 상기 냉각 유체를 냉각시켜 상기 냉각 유체의 온도를 더욱 낮춰야 한다. 상기 제1 및 제2 냉매 탱크(110, 120)에 저장된 냉각 유체를 모두 냉각시키기 위해서는 많은 시간이 소요되므로, 상기 온도 조절 장치(100)는 상기 냉각 유체를 냉각시키는데 소요되는 시간을 최소화하기 위해 상기 제1 및 제2 밸브들(136, 138)을 닫아 상기 제2 냉매 탱크(120)를 차폐시킨다. 그 결과, 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된 냉각 유체만 상기 냉각 유닛(140)에 의해 냉각되므로, 상기 온도 조절 장치(100)는 상기 냉각 유체를 신속하게 냉각시켜 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 제공할 수 있다.Subsequently, when the temperature of the semiconductor device test apparatus 200 is reduced by the cooling fluid and thermal equilibrium is achieved between the cooling fluid and the semiconductor device test apparatus 200, the first and second valves 136 and 138 are closed to block circulation of the cooling fluid between the first and second refrigerant tanks 110 and 120 (step S120). As a result, only the cooling fluid stored in the first refrigerant tank 110 is cooled by the cooling unit 140, and the cooling fluid stored in the second refrigerant tank 120 is no longer cooled. That is, even if the pusher 244 (see FIG. 2 ) is cooled by the cooling fluid provided from the temperature controller 100 and thermal equilibrium is achieved between the cooling fluid and the pusher 244, the temperature of the pusher 244 is higher than the inspection temperature for the low temperature test process. Therefore, in order to further lower the temperature of the pusher 244 after the thermal equilibrium, the cooling fluid should be cooled to further lower the temperature of the cooling fluid. Since it takes a lot of time to cool all of the cooling fluid stored in the first and second refrigerant tanks 110 and 120, the temperature controller 100 closes the first and second valves 136 and 138 to close the second refrigerant tank 120 to minimize the time required to cool the cooling fluid. As a result, since only the cooling fluid stored in the first refrigerant tank 110 is cooled by the cooling unit 140, the temperature control device 100 rapidly cools the cooling fluid and provides it to the semiconductor device test apparatus 200.

이어, 상기 냉각 유닛(140)에 의해 냉각된 상기 제1 냉매 탱크(110) 안의 냉각 유체를 상기 푸셔(244)에 제공하여 상기 푸셔(244)의 온도를 기 설정된 상기 저온 테스트 공정에 적합한 검사 온도로 냉각시킨다(단계 S130). 이때, 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된 냉각 유체는 상기 냉각 유닛(140)에 의해 계속해서 냉각된다.Subsequently, the cooling fluid in the first refrigerant tank 110 cooled by the cooling unit 140 is provided to the pusher 244 so that the temperature of the pusher 244 is cooled to a test temperature suitable for the preset low temperature test process (step S130). At this time, the cooling fluid stored in the first refrigerant tank 110 is continuously cooled by the cooling unit 140 .

상술한 바와 같이, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 온도 조절 방법은 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시키기 위한 초기 단계(S110)에서는 상기 냉각 유체와 상기 반도체 소자 테스트 장치(200) 간에 열평형이 이루어질 때까지 상기 제1 및 제2 냉매 탱크들(110, 120)에 저장된 냉각 유체를 모두 이용하여 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 신속하게 냉각시킴으로써, 상기 열평형이 이루어지는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다. 상기 열평형이 이루어진 이후에는 상기 제1 냉매 탱크(110)에 저장된 냉각 유체만을 이용하여 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시키므로, 상기 냉각 유체를 극저온으로 냉각시켜 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)에 제공하는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.As described above, in the method of controlling the temperature of the semiconductor device test device 200, in the initial step of cooling the semiconductor device test device 200 (S110), the semiconductor device test device 200 is rapidly cooled using both the cooling fluid stored in the first and second refrigerant tanks 110 and 120 until thermal equilibrium is achieved between the cooling fluid and the semiconductor device test device 200, thereby reducing the time required for the thermal equilibrium to be achieved. can After the thermal equilibrium is achieved, since the semiconductor device test apparatus 200 is cooled using only the cooling fluid stored in the first refrigerant tank 110, the cooling fluid is cooled to a cryogenic temperature. The time required to provide the semiconductor device test apparatus 200 can be shortened.

이렇게 상기 온도 조절 장치(100)는 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시키는 각 단계(S110, S120, S130)의 공정 효율에 따라 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)를 냉각시키는데 실질적으로 사용할 냉각 유체의 용량을 가변시킴으로써, 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 검사 온도 변환에 소요되는 시간을 종래 대비 획기적으로 단축할 수 있다. 이에 따라, 상기 온도 조절 장치(100)는 상기 반도체 소자 테스트 장치(200)의 검사 공정 시간을 단축시키며, 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있다.In this way, the temperature control device 100 cools the semiconductor device test device 200 according to the process efficiency of each step (S110, S120, S130) of cooling the semiconductor device test device 200. By varying the capacity of the cooling fluid to be substantially used, the time required to convert the test temperature of the semiconductor device test device 200 can be drastically reduced compared to the prior art. Accordingly, the temperature control device 100 can shorten the inspection process time of the semiconductor device test device 200 and improve process efficiency and productivity.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. It will be understood that it can be changed.

100 : 온도 조절 장치 110 : 제1 냉매 탱크
120 : 제2 냉매 탱크 130 : 개폐 유닛
132, 134 : 냉매 순환관 136, 138 : 밸브
140 : 냉각 유닛 152 : 냉매 공급관
154 : 냉매 배출관 162, 164 : 냉각기 연결관100: thermostat 110: first refrigerant tank
120: second refrigerant tank 130: open/close unit
132, 134: refrigerant circulation pipe 136, 138: valve
140: cooling unit 152: refrigerant supply pipe
154: refrigerant discharge pipe 162, 164: cooler connection pipe

Claims (8)

반도체 소자의 전기적 특성을 검사하기 위한 반도체 소자 테스트 장치에 냉각 유체를 공급하여 상기 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치에 있어서,
상기 냉각 유체를 저장하는 제1 냉매 탱크;
상기 냉각 유체를 저장하는 제2 냉매 탱크;
상기 제1 및 제2 냉매 탱크들을 서로 연결하며, 상기 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 간에 상기 냉각 유체를 순환 및 차단시키기 위한 개폐 유닛;
상기 제1 냉매 탱크 안의 냉각 유체를 냉각시키기 위한 냉각 유닛; 및
상기 제1 냉매 탱크에 연결되며, 상기 제1 냉매 탱크에 저장된 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치에 제공하는 냉매 공급관을 포함하며,
상기 개폐 유닛을 통해 상기 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 간에 상기 냉각 유체를 순환시키면서 상기 냉각 유닛을 이용하여 상기 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 내부의 상기 냉각 유체를 전체적으로 냉각시키고 아울러 상기 전체적으로 냉각된 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치에 공급하여 상기 반도체 소자 테스트 장치를 1차 냉각시키고, 상기 개폐 유닛을 차단한 후 상기 냉각 유닛을 이용하여 상기 제1 냉매 탱크 내부의 상기 냉각 유체만 선택적으로 냉각시키면서 상기 선택적으로 냉각된 상기 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치에 공급하여 상기 반도체 소자 테스트 장치를 2차 냉각시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치.An apparatus for controlling the temperature of a semiconductor device test device by supplying a cooling fluid to a semiconductor device test device for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device, comprising:
a first refrigerant tank storing the cooling fluid;
a second refrigerant tank storing the cooling fluid;
an opening/closing unit connecting the first and second refrigerant tanks to each other and circulating and shutting off the cooling fluid between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank;
a cooling unit for cooling the cooling fluid in the first refrigerant tank; and
A refrigerant supply pipe connected to the first refrigerant tank and providing a cooling fluid stored in the first refrigerant tank to the semiconductor device test apparatus;
While the cooling fluid is circulated between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank through the opening and closing unit, the cooling fluid inside the first refrigerant tank and the second refrigerant tank is cooled as a whole using the cooling unit, and the cooling fluid cooled as a whole is supplied to the semiconductor device test device to perform primary cooling of the semiconductor device test device, and after the opening and closing unit is shut off, only the cooling fluid inside the first refrigerant tank is selectively cooled using the cooling unit. A device for controlling the temperature of a semiconductor device test device, characterized in that supplied to the semiconductor device test device to secondarily cool the semiconductor device test device. 제1항에 있어서, 상기 제1 냉매 탱크는 상기 제2 냉매 탱크의 용량보다 작거나 같은 용량을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치.The apparatus of claim 1 , wherein the first refrigerant tank has a capacity equal to or less than that of the second refrigerant tank. 제2항에 있어서, 상기 개폐 유닛은,
상기 냉각 유체를 상기 제1 냉매 탱크로부터 상기 제2 냉매 탱크로 공급하는 제1 냉매 순환관;
상기 냉각 유체를 상기 제2 냉매 탱크로부터 상기 제1 냉매 탱크로 공급하는 제2 냉매 순환관;
상기 제1 냉매 순환관에 설치된 제1 밸브; 및
상기 제2 냉매 순환관에 설치된 제2 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치.The method of claim 2, wherein the opening and closing unit,
a first refrigerant circulation pipe supplying the cooling fluid from the first refrigerant tank to the second refrigerant tank;
a second refrigerant circulation pipe supplying the cooling fluid from the second refrigerant tank to the first refrigerant tank;
a first valve installed in the first refrigerant circulation pipe; and
The device for controlling the temperature of the semiconductor device test apparatus, characterized in that it comprises a second valve installed in the second refrigerant circulation pipe. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자 테스트 장치는 상기 반도체 소자를 검사하기 위한 검사 신호를 제공하는 테스트 모듈에 상기 반도체 소자를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓과 상기 반도체 소자를 가압하여 상기 테스트 소켓에 접속시키기 위한 푸셔를 구비하며,
상기 냉매 공급관은 상기 푸셔에 상기 냉각 유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 장치.The method of claim 1 , wherein the semiconductor device testing device comprises a test socket for electrically connecting the semiconductor device to a test module providing a test signal for testing the semiconductor device, and a pusher for pressurizing the semiconductor device and connecting the semiconductor device to the test socket,
The refrigerant supply pipe supplies the cooling fluid to the pusher. 삭제delete 반도체 소자의 전기적 특성을 검사하기 위한 반도체 소자 테스트 장치에 냉각 유체를 공급하여 상기 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 방법에 있어서,
제1 냉매 탱크와 제2 냉매 탱크 간에 냉각 유체를 순환시키면서 상기 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 내부의 상기 냉각 유체를 전체적으로 냉각시키고 아울러 상기 제1 냉매 탱크로부터 상기 전체적으로 냉각된 상기 냉각 유체를 반도체 소자 테스트 장치로 공급하여 상기 반도체 소자 테스트 장치를 1차 냉각시키는 단계;
상기 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 간의 상기 냉각 유체의 순환을 차단하는 단계; 및
상기 제1 냉매 탱크 안의 냉각 유체만 선택적으로 냉각시키면서 상기 제1 냉매 탱크로부터 상기 선택적으로 냉각된 상기 냉각 유체를 상기 반도체 소자 테스트 장치에 공급하여 상기 반도체 소자 테스트 장치를 기 설정된 검사 온도로 2차 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 방법.A method for controlling the temperature of a semiconductor device test device by supplying cooling fluid to a semiconductor device test device for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device, the method comprising:
While circulating the cooling fluid between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank, the cooling fluid inside the first refrigerant tank and the second refrigerant tank is cooled as a whole, and the entire cooling fluid from the first refrigerant tank is supplied to a semiconductor device test device to perform primary cooling of the semiconductor device test device;
blocking circulation of the cooling fluid between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank; and
and supplying the selectively cooled cooling fluid from the first refrigerant tank to the semiconductor device test device while selectively cooling only the cooling fluid in the first refrigerant tank to secondarily cool the semiconductor device test device to a predetermined test temperature. 제6항에 있어서, 상기 1차 냉각시키는 단계에서, 상기 제1 냉매 탱크 안의 냉각 유체는 냉각 유닛에 의해 냉각되며 상기 제2 냉매 탱크 안의 냉각 유체는 상기 제1 냉매 탱크와 상기 제2 냉매 탱크 간의 냉각 유체 순환을 통해 냉각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 방법.7. The method of claim 6 , wherein in the primary cooling step, the cooling fluid in the first refrigerant tank is cooled by a cooling unit, and the cooling fluid in the second refrigerant tank is cooled by circulation of the cooling fluid between the first refrigerant tank and the second refrigerant tank. 제6항에 있어서, 상기 반도체 소자 테스트 장치는 상기 반도체 소자를 검사하기 위한 검사 신호를 제공하는 테스트 모듈에 상기 반도체 소자를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓과 상기 반도체 소자를 가압하여 상기 테스트 소켓에 접속시키기 위한 푸셔를 구비하고,
상기 1차 냉각시키는 단계와 상기 2차 냉각시키는 단계에서 상기 냉각 유체는 상기 제1 냉매 탱크로부터 상기 푸셔에 제공되어 상기 푸셔를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 장치의 온도를 조절하는 방법.7. The method of claim 6 , wherein the semiconductor device testing device comprises a test socket for electrically connecting the semiconductor device to a test module providing a test signal for testing the semiconductor device, and a pusher for pressurizing the semiconductor device and connecting the semiconductor device to the test socket,
In the primary cooling step and the secondary cooling step, the cooling fluid is provided to the pusher from the first refrigerant tank to cool the pusher.
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