KR102557328B1 - Semiconductor light emitting device - Google Patents
Semiconductor light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- KR102557328B1 KR102557328B1 KR1020210143348A KR20210143348A KR102557328B1 KR 102557328 B1 KR102557328 B1 KR 102557328B1 KR 1020210143348 A KR1020210143348 A KR 1020210143348A KR 20210143348 A KR20210143348 A KR 20210143348A KR 102557328 B1 KR102557328 B1 KR 102557328B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- connection electrode
- opening
- semiconductor layer
- insulating layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Abstract
본 발명은 반도체층, 반도체층을 덮는 오믹전극, 및 오믹전극을 덮는 연결전극을 포함하며, 오믹전극은 반도체층을 노출하는 제1 개구를 포함하며, 연결전극은 제1 개구를 통하여 반도체층과 전기적으로 연결되는 반도체 발광소자를 제공한다.The present invention includes a semiconductor layer, an ohmic electrode covering the semiconductor layer, and a connection electrode covering the ohmic electrode, wherein the ohmic electrode includes a first opening exposing the semiconductor layer, and the connection electrode connects to the semiconductor layer through the first opening. A semiconductor light emitting device that is electrically connected is provided.
Description
본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 오믹적극이 반도체층을 노출하는 개구를 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device including an opening through which an ohmic electrode exposes a semiconductor layer.
여기서는, 본 발명에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다.Here, background art related to the present invention is provided, and they do not necessarily mean prior art.
또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다.In addition, direction indications such as up/down, up/down, etc. in this specification are based on drawings.
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.
반도체 발광소자는 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에 복수의 반도체층으로 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있다. 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.The semiconductor light emitting device includes a growth substrate 10 (eg: a sapphire substrate), a buffer layer 20 composed of a plurality of semiconductor layers on the growth substrate 10, and a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (eg: an n-type GaN layer). , an active layer (40; eg: INGaN/(In)GaN MQWs) generating light through recombination of electrons and holes, a second semiconductor layer (50; eg: p-type GaN layer) having a second conductivity different from the first conductivity ) are sequentially deposited. The buffer layer 20 may be omitted. A translucent conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed thereon, and an electrode 80 serving as a bonding pad is formed on the etched and exposed first semiconductor layer 30: Example : Cr/Ni/Au laminated metal pad) is formed. A semiconductor light emitting device of the form shown in FIG. 1 is particularly referred to as a lateral chip. Here, when the side of the growth substrate 10 is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface.
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 다른 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of a semiconductor light emitting device proposed in US Patent Registration No. 7,262,436. For convenience of description, the drawing symbols have been changed.
반도체 발광소자는 성장기판(10), 성장기판(10) 위에 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다. 반도체 발광소자에는 래터럴 칩 또는 플립 칩 이외에 수직 칩 등이 있다.The semiconductor light emitting device includes a growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity on the growth substrate 10, an active layer 40 generating light through recombination of electrons and holes, Second semiconductor layers 50 having second conductivity are sequentially deposited, and three-layered electrode films 90 , 91 , and 92 for reflecting light toward the growth substrate 10 are formed thereon. The first electrode film 90 may be an Ag reflective film, the second electrode film 91 may be a Ni diffusion barrier film, and the third electrode film 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 functioning as a bonding pad is formed on the etched and exposed first semiconductor layer 30 . Here, when the side of the electrode film 92 is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. The semiconductor light emitting device chip of the form shown in FIG. 2 is particularly referred to as a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrode 80 formed on the first semiconductor layer 30 is at a lower height than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, but may be formed at the same height. it may be possible to Here, the criterion for the height may be the height from the growth substrate 10 . Semiconductor light emitting devices include vertical chips in addition to lateral chips or flip chips.
도 3은 한국 공개특허공보 제2015-0055390호에 기재된 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 일부 변경하였다.3 is a view showing another example of a semiconductor light emitting device described in Korean Patent Publication No. 2015-0055390. For convenience of description, some drawing symbols have been changed.
반도체 발광소자는 플립 칩으로, 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에 복수의 반도체층으로 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 반도체층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 반도체층)이 순차로 증착되어 있다. 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 또한 반도체 발광소자의 동작 전압을 낮추기 위한 전극 구조로 제1 반도체층(n형 반도체층)에 형성되는 제1 오믹전극(51) 및 제2 반도체층(p형 반도체층)에 형성되는 제2 오믹전극(52)을 포함하고 있다.The semiconductor light emitting device is a flip chip, a growth substrate 10 (eg: sapphire substrate), a buffer layer 20 as a plurality of semiconductor layers on the growth substrate 10, and a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (eg: n type semiconductor layer), an active layer (40; eg INGaN/(In)GaN MQWs) generating light through recombination of electrons and holes, a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from the first conductivity (eg: INGaN/(In)GaN MQWs) p-type semiconductor layers) are sequentially deposited. The buffer layer 20 may be omitted. A translucent conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed thereon, and an electrode 80 serving as a bonding pad is formed on the etched and exposed first semiconductor layer 30: Example : Cr/Ni/Au laminated metal pad) is formed. In addition, as an electrode structure for lowering the operating voltage of the semiconductor light emitting device, the first ohmic electrode 51 formed on the first semiconductor layer (n-type semiconductor layer) and the second ohmic electrode 51 formed on the second semiconductor layer (p-type semiconductor layer) Electrodes 52 are included.
최근에는 자외선을 발광하는 반도체 발광소자에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있으며 여러가지 장점을 이유로 오믹전극으로 Ni 또는 Au 등의 재료가 사용되는데, 이러한 오믹전극과 반도체층 사이에 접합이 불안정하여 이로 인한 박리현상(delamination)을 초래하는 문제점이 있다.Recently, semiconductor light emitting devices emitting ultraviolet rays have been actively developed, and materials such as Ni or Au are used as ohmic electrodes for various reasons. There is a problem that causes delamination.
또한 반도체층을 덮는 산화물 재질의 절연층은 외부 스트레스에 의해 크랙 발생에 취약하여 오믹전극 또는 반도체층의 메사 구조 등의 표면 거칠기에 의한 미세한 크랙이 발생하는 경우 이러한 크랙이 절연층을 통하여 반도체 발광소자 칩의 상단부로 진행하는 문제점이 있다.In addition, the insulating layer made of oxide material covering the semiconductor layer is vulnerable to cracks caused by external stress, so when fine cracks occur due to surface roughness of the ohmic electrode or the mesa structure of the semiconductor layer, these cracks pass through the insulating layer to the semiconductor light emitting device. There is a problem with going to the upper end of the chip.
한편 외부의 스트레스가 본딩패드를 통하여 절연층으로 전달되어 절연층에 크랙이 발생하는 문제점이 있다.Meanwhile, there is a problem in that external stress is transferred to the insulating layer through the bonding pad and cracks occur in the insulating layer.
본 발명은 하나의 양상에서 오믹전극과 반도체층 사이의 박리현상(delamination)을 방지하는 반도체 발광소자를 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.In one aspect, an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device that prevents delamination between an ohmic electrode and a semiconductor layer.
본 발명은 또 다른 양상에서 절연층을 통하여 반도체 발광소자 칩의 상단부로 크랙이 진행하는 것을 방지하는 반도체 발광소자를 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device that prevents cracks from progressing to an upper end of a semiconductor light emitting device chip through an insulating layer.
본 발명은 또 다른 양상에서 본딩패드를 통하여 크랙이 절연층으로 전달되는 것을 방지하는 반도체 발광소자를 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device that prevents cracks from being transferred to an insulating layer through a bonding pad.
여기서는, 본 발명의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 발명의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다.A general summary of the present invention is provided herein, which should not be construed as limiting the scope of the present invention.
본 발명의 하나의 양상에 따르면, 반도체 발광소자에 있어서, 반도체층; 반도체층을 덮는 오믹전극; 및 오믹전극을 덮는 연결전극;을 포함하며, 오믹전극은 반도체층을 노출하는 제1 개구를 포함하며, 연결전극은 제1 개구를 통하여 반도체층과 전기적으로 연결되는, 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present invention, in a semiconductor light emitting device, a semiconductor layer; an ohmic electrode covering the semiconductor layer; and a connection electrode covering the ohmic electrode, wherein the ohmic electrode includes a first opening exposing the semiconductor layer, and the connection electrode is electrically connected to the semiconductor layer through the first opening.
본 발명의 하나의 양상에 따르는 반도체 발광소자는 오믹전극과 반도체층 사이의 박리현상(delamination)이 방지될 수 있다.In the semiconductor light emitting device according to one aspect of the present invention, delamination between an ohmic electrode and a semiconductor layer can be prevented.
본 발명의 또 다른 양상에 따르는 반도체 발광소자는 절연층을 통하여 반도체 발광소자 칩의 상단부로 크랙이 진행하는 것을 방지할 수 있다.In the semiconductor light emitting device according to another aspect of the present invention, it is possible to prevent cracks from progressing to the upper end of the semiconductor light emitting device chip through the insulating layer.
본 발명의 또 다른 양상에 따르는 반도체 발광소자는 본딩패드를 통하여 크랙이 절연층으로 전달되는 것을 방지할 수 있다.In the semiconductor light emitting device according to another aspect of the present invention, it is possible to prevent cracks from being transferred to the insulating layer through the bonding pad.
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 3은 한국 공개특허공보 제2015-0055390호에 기재된 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 하나의 양상에 따른 반도체 발광소자의 하나의 구체예를 개략적으로 나태는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 양상에 따른 반도체 발광소자의 하나의 구체예를 개략적으로 나태는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 양상에 따른 반도체 발광소자의 하나의 구체예를 개략적으로 나태는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.
2 is a view showing another example of a semiconductor light emitting device proposed in US Patent Registration No. 7,262,436.
3 is a view showing another example of a semiconductor light emitting device described in Korean Patent Publication No. 2015-0055390.
4 is a diagram schematically showing one specific example of a semiconductor light emitting device according to one aspect of the present invention.
5 is a schematic diagram of one specific example of a semiconductor light emitting device according to another aspect of the present invention.
6 is a schematic diagram of one specific example of a semiconductor light emitting device according to another aspect of the present invention.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참고하여 자세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명의 하나의 양상에 따른 반도체 발광소자의 하나의 구체예를 개략적으로 나태는 도면이다.4 is a diagram schematically showing one specific example of a semiconductor light emitting device according to one aspect of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명의 하나의 양상의 하나의 구체예에 따르는 반도체 발광소자(100)는 반도체층(130, 140, 150), 오믹전극(131, 151), 및 연결전극(132, 152)을 포함하며, 오믹전극(131, 151)은 반도체층(130, 150)을 노출하는 제1 개구(133, 153)를 포함하며, 연결전극(132, 152)은 제1 개구(133, 153)를 통하여 반도체층(130, 150)과 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 4 , the semiconductor light emitting device 100 according to one embodiment of one aspect of the present invention includes semiconductor layers 130, 140, and 150, ohmic electrodes 131 and 151, and a connection electrode 132, 152), wherein the ohmic electrodes 131 and 151 include first openings 133 and 153 exposing the semiconductor layers 130 and 150, and the connection electrodes 132 and 152 include first openings 133 and 152; 153) may be electrically connected to the semiconductor layers 130 and 150.
반도체층(130, 140, 150)은 성장기판(110) 위에 순차적으로 증착된다. 성장기판(110)은 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 성장기판(110)은 최종적으로 제거될 수 있다.The semiconductor layers 130 , 140 , and 150 are sequentially deposited on the growth substrate 110 . The growth substrate 110 is mainly made of sapphire, SiC, Si, GaN, etc., and the growth substrate 110 can be finally removed.
한편 성장기판(110) 위에 버퍼층(120)이 성장되고, 그 위에 반도체층(130, 140, 150)이 증착될 수 있으며, 버퍼층(120)은 생략될 수 있으며 도시하지는 않았지만 필요에 따라 추가의 층들이 형성될 수 있다.Meanwhile, a buffer layer 120 may be grown on the growth substrate 110, and semiconductor layers 130, 140, and 150 may be deposited thereon. can be formed.
반도체층(130, 140, 150)은 성장기판(110)에서 성장하는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(130; 예 : n형 반도체층), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(150; 예 : p형 반도체층), 및 제1 반도체층(130)과 제2 반도체층(150) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(140; 예: INGaN/(In)GaN MQWs)을 포함한다. 반도체층(130, 140, 150)은 알루미늄갈륨 질화물(AlGaN) 물질을 기반으로 하여 반도체 발광소자(100)가 자외선을 방출할 수 있도록 구성될 수 있다. 특히 300nm 이하의 단파장을 갖는 자외선을 방출할 수 있다.The semiconductor layers 130, 140, and 150 include a first semiconductor layer 130 having a first conductivity growing on the growth substrate 110 (eg, an n-type semiconductor layer), and a second conductivity having a second conductivity different from the first conductivity. A semiconductor layer 150 (eg: a p-type semiconductor layer), and an active layer 140 interposed between the first semiconductor layer 130 and the second semiconductor layer 150 and generating light through recombination of electrons and holes (eg: INGaN/(In)GaN MQWs). The semiconductor layers 130 , 140 , and 150 may be made of an aluminum gallium nitride (AlGaN) material so that the semiconductor light emitting device 100 can emit ultraviolet rays. In particular, it can emit ultraviolet rays having a short wavelength of 300 nm or less.
오믹전극(131, 151)은 제1 오믹전극(131) 및 제2 오믹전극(151)을 포함할 수 있다. 제1 오믹전극(131)은 제1 반도체층(130) 위에 형성되어 제1 반도체층(130)을 덮도록 구성될 수 있고, 제2 오믹전극(151)은 제2 반도체층(150) 위에 형성되어 제2 반도체층(150)을 덮도록 구성될 수 있다.The ohmic electrodes 131 and 151 may include a first ohmic electrode 131 and a second ohmic electrode 151 . The first ohmic electrode 131 may be formed on the first semiconductor layer 130 to cover the first semiconductor layer 130, and the second ohmic electrode 151 is formed on the second semiconductor layer 150. and may be configured to cover the second semiconductor layer 150 .
제1 오믹전극(131)은 Cr, Ti, Al, Ag, Ni, Pt, W, Au, Rh, Mo 등의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 오믹전극(131)은 순차로 적층된 오믹 접촉층(예: Cr, Ti, Ni 등)/반사 금속층(예: Al, Ag, Rh 등)/제1 장벽층(예: Ni, Cr, Ti, W, Pt, TiW 등)/산화반지층(예: Au, Pt 등)/제2 장벽층(예: Cr, Ti, Ni, Pt, Al 등)을 포함할 수 있다. 오믹 접촉층은 일함수가 작은 금속으로 이루어져 제1 반도체층(130)과 오믹 접촉을 이룬다. 반사 금속층은 빛을 반사하여 흡수손실을 줄인다. 제1 장벽층은 반사 금속층과 산화 방지층 간에 확산을 방지한다. 산화 방지층은 제1 장벽층 등의 산화를 방지할 수 있다. 오믹 접촉층은 5Å ~ 500Å의 두께를 가질 수 있고, 반사 금속층은 500Å ~ 10000Å 정도의 두께를 가질 수 있고, 제1 장벽층은 100Å ~ 5000Å 정도의 두께를 가질 수 있고, 산화방지층은 100Å ~ 5000Å 정도의 두께를 가질 수 있고, 제2 장벽층은 10Å ~ 1000Å 정도의 두께를 가질 수 있다. 이와 같은 다층 구조의 제1 오믹전극(131)은 필요에 따라 일부의 층이 생략되거나 새로운 층이 추가될 수도 있다.The first ohmic electrode 131 may be made of a combination of Cr, Ti, Al, Ag, Ni, Pt, W, Au, Rh, Mo, or the like. For example, the first ohmic electrode 131 is sequentially stacked with an ohmic contact layer (eg, Cr, Ti, Ni, etc.) / a reflective metal layer (eg, Al, Ag, Rh, etc.) / a first barrier layer (eg, Ni, Cr, Ti, W, Pt, TiW, etc.) / anti-oxidation layer (eg, Au, Pt, etc.) / second barrier layer (eg, Cr, Ti, Ni, Pt, Al, etc.) may be included. The ohmic contact layer is made of a metal having a low work function and forms an ohmic contact with the first semiconductor layer 130 . The reflective metal layer reflects light to reduce absorption loss. The first barrier layer prevents diffusion between the reflective metal layer and the anti-oxidation layer. The anti-oxidation layer can prevent oxidation of the first barrier layer and the like. The ohmic contact layer may have a thickness of 5 Å to 500 Å, the reflective metal layer may have a thickness of 500 Å to 10000 Å, the first barrier layer may have a thickness of 100 Å to 5000 Å, and the anti-oxidation layer may have a thickness of 100 Å to 5000 Å. It may have a thickness of about, and the second barrier layer may have a thickness of about 10 Å to about 1000 Å. In the first ohmic electrode 131 having such a multilayer structure, some layers may be omitted or new layers may be added as needed.
제2 오믹전극(151)은 Cr, Ti, Al, Ag, Ni, Pt, W, Au, Rh, Mo 등의 조합으로 다층으로 이루어질 수 있다. 제2 오믹전극(151)이 제1 오믹전극(131)과 동일한 구조를 가질 필요는 없지만 비슷한 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 오믹전극(151)은 순차로 적층된 접촉층/반사 금속층/제1 장벽층/산화반지층/제2 장벽층을 포함할 수 있다. 다만 반도체 발광소자가 플립 칩인 경우 광추출 효율 향상을 위해 제2 오믹전극(151)은 반사층을 포함하는 것이 바람직하다. The second ohmic electrode 151 may be multi-layered with a combination of Cr, Ti, Al, Ag, Ni, Pt, W, Au, Rh, Mo, or the like. The second ohmic electrode 151 does not have to have the same structure as the first ohmic electrode 131, but may have a similar multilayer structure. For example, the second ohmic electrode 151 may include a contact layer, a reflective metal layer, a first barrier layer, an oxide layer, and a second barrier layer sequentially stacked. However, when the semiconductor light emitting device is a flip chip, the second ohmic electrode 151 preferably includes a reflective layer to improve light extraction efficiency.
또한 도시하지는 않았지만 제2 오믹전극(151)과 제2 반도체층(150) 사이에는 투광성 도전막이 형성될 수 있다. 특히, 제2 반도체층(150)이 p형 알루미늄갈륨질화물(AlGaN)로 이루어지는 경우 전류 확산 능력이 떨어지므로, 투광성 도전막이 형성되는 것이 바람직하다. 투광성 도전막이 너무 얇게 형성되는 경우 전류 확산에 불리하여 구동 전압이 높아지고, 너무 두껍게 형성되는 경우 빛 흡수로 인해 광추출 효율이 감소될 수 있다. 예를 들어, 투광성 도전막은 ITO, ZnO 또는 Ni 및 Au를 사용하여 투광성 도전막으로 형성되거나, 이와 달리 Ag를 사용하여 반사형 도전막으로도 형성될 수 있다. 다만 파장대가 짧아지는 경우 투광성 도전막에 의한 자외선 흡수 문제가 커지기 때문에 투광성 도전막을 형성하는 것보다는 반사층을 포함한 제2 오믹전극(151)이 제2 반도체층(150)을 대부분 덮어 형성하는 것이 좋다. 바람직하게는 제2 오믹전극(151)이 제2 반도체층(150)의 상면을 90% 이상 덮고 있는 것이 좋다.Also, although not shown, a light-transmitting conductive film may be formed between the second ohmic electrode 151 and the second semiconductor layer 150 . In particular, when the second semiconductor layer 150 is made of p-type aluminum gallium nitride (AlGaN), current spreading ability is deteriorated, so it is preferable to form a light-transmitting conductive film. When the light-transmissive conductive layer is formed too thin, the driving voltage is increased due to disadvantageous current diffusion, and when the light-transmitting conductive layer is formed too thick, light extraction efficiency may be reduced due to light absorption. For example, the light-transmitting conductive film may be formed as a light-transmissive conductive film using ITO, ZnO, or Ni and Au, or may be formed as a reflective conductive film using Ag. However, since the UV absorption problem by the light-transmitting conductive film increases when the wavelength band is shortened, it is preferable to form the second ohmic electrode 151 including the reflective layer covering most of the second semiconductor layer 150 rather than forming the light-transmitting conductive film. Preferably, the second ohmic electrode 151 covers 90% or more of the upper surface of the second semiconductor layer 150 .
오믹전극(131, 151)은 반도체층(130, 150)을 노출하는 제1 개구(133, 153)를 포함할 수 있다. 구체적으로 제1 오믹전극(131)은 제1 반도체층(130)을 노출하는 제1-1 개구(133)를 포함할 수 있고, 제2 오믹전극(151)은 제2 반도체층(150)을 노출하는 제2-1 개구(153)를 포함할 수 있다. 즉 제1 개구(133, 153)는 제1 반도체층(130)을 노출하는 제1-1 개구(133), 및 제2 반도체층(150)을 노출하는 제2-1 개구(153)를 포함할 수 있다.The ohmic electrodes 131 and 151 may include first openings 133 and 153 exposing the semiconductor layers 130 and 150 . Specifically, the first ohmic electrode 131 may include the 1-1 opening 133 exposing the first semiconductor layer 130, and the second ohmic electrode 151 may expose the second semiconductor layer 150. A second-first opening 153 exposing may be included. That is, the first openings 133 and 153 include the 1-1 opening 133 exposing the first semiconductor layer 130 and the 2-1 opening 153 exposing the second semiconductor layer 150. can do.
연결전극(132, 152)은 제1 연결전극(132) 및 제2 연결전극(152)를 포함할 수 있다. 제1 연결전극(132)은 제1 오믹전극(131) 위에 형성되어 제1 오믹전극(131)을 덮도록 구성될 수 있고, 제2 연결전극(152)은 제2 오믹전극(151) 위에 형성되어 제2 오믹전극(151)을 덮도록 구성될 수 있다. The connection electrodes 132 and 152 may include a first connection electrode 132 and a second connection electrode 152 . The first connection electrode 132 may be formed on the first ohmic electrode 131 to cover the first ohmic electrode 131, and the second connection electrode 152 is formed on the second ohmic electrode 151. and may be configured to cover the second ohmic electrode 151.
연결전극(132, 152)은 안정적 전기적 접촉을 위해 Cr, Ti, Ni 또는 이들의 합금을 사용하여 형성될 수 있으며, Al 또는 Ag와 같은 반사 금속층을 포함할 수도 있다. The connection electrodes 132 and 152 may be formed using Cr, Ti, Ni, or an alloy thereof for stable electrical contact, and may include a reflective metal layer such as Al or Ag.
연결전극(132, 152)은 제1 개구(133, 153)를 통하여 반도체층(130, 150)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 연결전극(132)은 제1-1 개구(133)를 통하여 제1 반도체층(130)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 연결전극(152)은 제2-1 개구(153)를 통하여 제2 반도체층(150)과 전기적으로 연결될 수 있다. The connection electrodes 132 and 152 may be electrically connected to the semiconductor layers 130 and 150 through the first openings 133 and 153 . Specifically, the first connection electrode 132 may be electrically connected to the first semiconductor layer 130 through the 1-1 opening 133, and the second connection electrode 152 may be connected to the 2-1 opening 153. ) through which it can be electrically connected to the second semiconductor layer 150 .
전술한 바와 같이 오믹전극으로 Ni, Au, Rh 등의 물질이 사용될 수 있는데, 이들 물질과 예컨대 AlGaN의 반도체층 간에는 금속의 접합이 불안정하여 이로 인한 박리현상(delamination)이 발생할 수 있다. 이러한 오믹전극과 반도체층 간의 박리현상을 방지하기 위하여 본 발명에서는 오믹전극에 반도체층을 노출하는 개구를 형성하고, 오믹전극을 덮는 연결전극을 오믹전극에 형성된 개구를 통하여 반도체층에 연결함으로써, 반도체층 상에 오믹전극을 유지하면서 동시에 반도체층과 접합성이 우수한 연결전극을 반도체층과 연결시켜 오믹전극과 반도체층 간의 박리현상을 방지하여 전기적 특성과 신뢰성을 확복할 수 있다.As described above, materials such as Ni, Au, and Rh may be used as the ohmic electrode, and metal junctions between these materials and a semiconductor layer of, for example, AlGaN are unstable, and thus delamination may occur. In order to prevent such a peeling phenomenon between the ohmic electrode and the semiconductor layer, in the present invention, an opening exposing the semiconductor layer is formed in the ohmic electrode, and a connection electrode covering the ohmic electrode is connected to the semiconductor layer through the opening formed in the ohmic electrode, thereby forming a semiconductor semiconductor layer. While maintaining the ohmic electrode on the layer, a connection electrode having excellent bonding with the semiconductor layer is connected to the semiconductor layer to prevent separation between the ohmic electrode and the semiconductor layer, thereby ensuring electrical characteristics and reliability.
본 발명의 하나의 양상의 또 다른 구체예에 따르면, 연결전극(132, 152)은 연결전극(132, 152)의 상부표면에 형성된 제1 요철(凹凸)구조(134, 154)를 포함할 수 있다. 제1 요철(凹凸)구조(134, 154)는 제1 요부(凹部)(134a, 154a) 및 제1 철부(凸部)(134b, 154b)를 포함할 수 있다. 구체적으로 제1 요철구조(134, 154)는 제1 연결전극(132)의 상부표면에 형성된 제1-1 요철구조(134), 및 제2 연결전극(152)의 상부표면에 형성된 제2-1 요철구조(154)를 포함할 수 있다.According to another embodiment of one aspect of the present invention, the connection electrodes 132 and 152 may include first concavo-convex structures 134 and 154 formed on the upper surfaces of the connection electrodes 132 and 152. there is. The first uneven structures 134 and 154 may include first concave portions 134a and 154a and first convex portions 134b and 154b. Specifically, the first concavo-convex structures 134 and 154 are the 1-1 concavo-convex structure 134 formed on the upper surface of the first connection electrode 132, and the second-concave-convex structure formed on the upper surface of the second connection electrode 152. One uneven structure 154 may be included.
연결전극(132, 152)의 상부표면에 형성된 요철구조로 인하여 패드전극의 수직 하부로 가해지는 인장응력(Tensile Stress) 및/또는 압축응력(Compressive Stress)을 기존의 수평방향에서 수직방향 및 수평방향으로 분산시켜 층간 박리현상을 방지할 수 있다.Due to the concavo-convex structure formed on the upper surface of the connection electrodes 132 and 152, the tensile stress and/or compressive stress applied to the vertical lower part of the pad electrode are reduced from the conventional horizontal direction to the vertical and horizontal directions It can be dispersed to prevent delamination between layers.
본 발명의 하나의 양상의 또 다른 구체예에 따르면, 제1 요철구조(134, 154)는 연결전극(132, 152)의 상부표면 중 제1 개구(133, 153)의 수직 상부에 대응하는 연결전극(132, 152)의 영역에 형성된 제1 요부(凹部)(134a, 154a)를 포함할 수 있다. 구체적으로 제1-1 요철구조(134)는 제1 연결전극(132)의 상부표면 중 제1-1 개구(133)의 수직 상부에 대응하는 제1 연결전극(132)의 영역에 형성된 제1-1 요부(凹部)(134a)를 포함하고, 제2-1 요철구조(154)는 제2 연결전극(152)의 상부표면 중 제2-1 개구(153)의 수직 상부에 대응하는 제2 연결전극(152)의 영역에 형성된 제2-1 요부(凹部)(154a)를 포함할 수 있다.According to another specific example of one aspect of the present invention, the first concavo-convex structures 134 and 154 are connected corresponding to vertical upper portions of the first openings 133 and 153 among the upper surfaces of the connection electrodes 132 and 152. It may include first concave portions 134a and 154a formed in regions of the electrodes 132 and 152 . Specifically, the 1-1 concavo-convex structure 134 is formed in the region of the first connection electrode 132 corresponding to the vertical upper part of the 1-1 opening 133 among the upper surfaces of the first connection electrode 132. -1 includes a concave portion 134a, and the 2-1 concavo-convex structure 154 corresponds to the vertical upper portion of the 2-1 opening 153 among the upper surfaces of the second connection electrode 152. A 2-1 concave portion 154a formed in the region of the connection electrode 152 may be included.
본 발명의 하나의 양상의 또 다른 구체예에 따르면, 반도체 발광소자(100)는 연결전극(132, 152)을 덮는 절연층(170) 및 절연층(170)을 덮는 패드전극(181, 182)을 더욱 포함하며, 절연층(170)은 연결전극(132, 152)을 노출하는 제2 개구(183, 193)를 포함하며, 패드전극(181, 182)은 제2 개구(183, 193)를 통하여 연결전극(132, 152)과 전기적으로 연결될 수 있다.According to another specific example of one aspect of the present invention, the semiconductor light emitting device 100 includes an insulating layer 170 covering the connection electrodes 132 and 152 and pad electrodes 181 and 182 covering the insulating layer 170. Further, the insulating layer 170 includes second openings 183 and 193 exposing the connecting electrodes 132 and 152, and the pad electrodes 181 and 182 open the second openings 183 and 193. It may be electrically connected to the connection electrodes 132 and 152 through the.
절연층(170)의 대표적인 물질은 SiO2이며, 이에 제한되지 않고 SiN, TiO2, Al2O3, Su-8 등이 사용될 수 있다. 절연층(170)은 연결전극(132, 152)을 덮으며, 이에 추가하여 제1 연결전극(132) 주변의 제1 반도체층(130) 및 제2 연결전극(152) 주변의 제2 반도체층(150)을 덮도록 형성될 수도 있으며, 식각에 의해 형성된 복수의 반도체층(130, 140, 150)의 메사 구조의 측벽을 덮도록 구성될 수도 있다.A representative material of the insulating layer 170 is SiO 2 , but is not limited thereto, and SiN, TiO 2 , Al 2 O 3 , Su-8, and the like may be used. The insulating layer 170 covers the connection electrodes 132 and 152, and in addition to this, the first semiconductor layer 130 around the first connection electrode 132 and the second semiconductor layer around the second connection electrode 152. It may be formed to cover 150, or it may be configured to cover sidewalls of the mesa structure of the plurality of semiconductor layers 130, 140, and 150 formed by etching.
절연층(170)은 연결전극(132, 152)의 상부표면의 제1 요부(凹部)(134a, 154a)를 덮도록 구성될 수 있다.The insulating layer 170 may be configured to cover the first concave portions 134a and 154a of the upper surfaces of the connection electrodes 132 and 152 .
절연층(170)은 또한 연결전극(132, 152)을 노출하는 제2 개구(183, 193)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 절연층(170)은 제1 연결전극(132)을 노출하는 제1-2 개구(183)를 포함하고, 제2 연결전극(152)을 노출하는 제2-2 개구(193)를 포함할 수 있다. 즉 제2 개구(183, 193)는 제1 연결전극(132)을 노출하는 제1-2 개구(183), 및 제2 연결전극(152)을 노출하는 제2-2 개구(193)를 포함할 수 있다.The insulating layer 170 may also include second openings 183 and 193 exposing the connection electrodes 132 and 152 . Specifically, the insulating layer 170 includes the first-second opening 183 exposing the first connection electrode 132 and the second-second opening 193 exposing the second connection electrode 152. can include That is, the second openings 183 and 193 include the 1-2 opening 183 exposing the first connection electrode 132 and the 2-2 opening 193 exposing the second connection electrode 152. can do.
본 발명의 하나의 양상의 또 다른 구체예에 따르면, 제2 개구(183, 193)는 제1 요철구조(134, 154)의 제1 철부(凸部)(134b, 154b)에 형성되도록 구성될 수 있다. 이와 같은 구성에 의해 전류 확산이 더욱 효율적으로 일어날 수 있다.According to another embodiment of one aspect of the present invention, the second openings 183 and 193 are configured to be formed on the first convex portions 134b and 154b of the first uneven structures 134 and 154. can With this configuration, current spreading can occur more efficiently.
본 발명의 하나의 양상의 또 다른 구체예에 따르면, 절연층(170)은 제1 요부(凹部)(134a, 154a)를 덮도록 구성될 수 있다. 절연층(170)이 연결전극(132, 152)의 제1 요부(凹部)(134a, 154a)를 덮는 구성으로 인하여 패드전극의 수직 하부로 가해지는 인장응력(Tensile Stress) 및/또는 압축응력(Compressive Stress)을 기존의 수평방향에서 수직방향 및 수평방향으로 분산시켜 층간 박리현상을 방지할 수 있다.According to another specific example of one aspect of the present invention, the insulating layer 170 may be configured to cover the first concave portions 134a and 154a. Tensile stress and/or compressive stress ( It is possible to prevent delamination between layers by dispersing compressive stress) from the existing horizontal direction to the vertical and horizontal directions.
한편 반도체 발광소자(100)는 절연층(170)을 덮는 패드전극(181, 182)을 포함할 수 있다. 패드전극(181, 182)은 제1 연결전극(132)과 전기적으로 연결되는 제1 패드전극(181), 및 제2 연결전극(152)과 전기적으로 연결되는 제2 패드전극(182)을 포함할 수 있다. 구체적으로 절연층(170) 위에 제1 패드전극(181) 및 제2 패드전극(182)이 증착될 수 있다.Meanwhile, the semiconductor light emitting device 100 may include pad electrodes 181 and 182 covering the insulating layer 170 . The pad electrodes 181 and 182 include a first pad electrode 181 electrically connected to the first connection electrode 132 and a second pad electrode 182 electrically connected to the second connection electrode 152. can do. Specifically, the first pad electrode 181 and the second pad electrode 182 may be deposited on the insulating layer 170 .
패드전극(181, 182)은 제2 개구(183, 193)를 통하여 연결전극(132, 152)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 제1 패드전극(181)은 제1-2 개구(183)를 통하여 제1 연결전극(132)과 전기적으로 연결되며, 제2 패드전극(182)은 제2-2 개구(193)를 통하여 제2 연결전극(152)과 전기적으로 연결될 수 있다.The pad electrodes 181 and 182 may be electrically connected to the connection electrodes 132 and 152 through the second openings 183 and 193 . Specifically, the first pad electrode 181 is electrically connected to the first connection electrode 132 through the 1-2 opening 183, and the second pad electrode 182 is connected through the 2-2 opening 193. Through this, it may be electrically connected to the second connection electrode 152 .
제1 패드전극(181) 및 제2 패드전극(182)은 스터드 범프, 도전성 페이스트, 유테틱 본딩 등의 방법으로 외부(패키지, COB, 서브마운트 등)에 마련된 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 유테틱 본딩의 경우에, 제1 패드전극(181) 및 제2 패드전극(182)의 높이 차가 크게 나지 않는 것이 중요하다. 본 발명에 따르는 반도체 발광소자에 의하면 제1 패드전극(181) 및 제2 패드전극(182)이 절연층(170) 위에 동일한 공정에 의해 형성될 수 있으므로 양 전극의 높이 차가 거의 없다. 따라서 유테틱 본딩의 경우에 이점을 가진다. 반도체 발광소자가 유테틱 본딩을 통해 외부와 전기적으로 연결되는 경우에, 제1 패드전극(181) 및 제2 패드전극(182)의 최상부는 Au/Sn 합금, Au/Sn/Cu 합금과 같은 유테틱 본딩 물질로 형성될 수 있다.The first pad electrode 181 and the second pad electrode 182 may be electrically connected to electrodes provided externally (package, COB, submount, etc.) by means of stud bumps, conductive paste, eutectic bonding, or the like. In the case of eutectic bonding, it is important that the height difference between the first pad electrode 181 and the second pad electrode 182 is not large. According to the semiconductor light emitting device according to the present invention, since the first pad electrode 181 and the second pad electrode 182 can be formed on the insulating layer 170 by the same process, there is almost no height difference between the two electrodes. Therefore, it has advantages in the case of eutectic bonding. When the semiconductor light emitting device is electrically connected to the outside through eutectic bonding, the uppermost portions of the first pad electrode 181 and the second pad electrode 182 are made of a eutectic material such as an Au/Sn alloy or an Au/Sn/Cu alloy. It may be formed of a tick bonding material.
본 발명의 하나의 양상의 또 다른 구체예에 따르면, 패드전극(181, 182)은 패드전극(181, 182)의 상부표면에 형성된 제2 요철구조(184, 194)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 패드전극(181)은 제1 패드전극(181)의 상부표면에 형성된 제1-2 요철구조(184)를 포함할 수 있고, 제2 패드전극(182)은 제2 패드전극(182)의 상부표면에 형성된 제2-2 요철구조(194)를 포함할 수 있다. 즉 제2 요철구조(184, 194)는 제1 패드전극(181)의 상부표면에 형성된 제1-2 요철구조(184), 및 제2 패드전극(182)의 상부표면에 형성된 제2-2 요철구조(194)를 포함할 수 있다.According to another specific example of one aspect of the present invention, the pad electrodes 181 and 182 may include second uneven structures 184 and 194 formed on upper surfaces of the pad electrodes 181 and 182 . Specifically, the first pad electrode 181 may include 1-2 concavo-convex structures 184 formed on the upper surface of the first pad electrode 181, and the second pad electrode 182 may include a second pad electrode. It may include a 2-2 concavo-convex structure 194 formed on the upper surface of (182). That is, the second uneven structures 184 and 194 are the first-second uneven structure 184 formed on the upper surface of the first pad electrode 181 and the second-second uneven structure formed on the upper surface of the second pad electrode 182. An uneven structure 194 may be included.
제2 요철(凹凸)구조(184, 194)는 제2 요부(凹部)(184a, 194a) 및 제2 철부(凸部)(184b, 194b)를 포함할 수 있다. The second uneven structures 184 and 194 may include second concave portions 184a and 194a and second convex portions 184b and 194b.
본 발명의 하나의 양상의 또 다른 구체예에 따르면, 제2 요철구조(184, 194)는 패드전극(181, 182)의 상부표면 중 제1 개구(133, 153)의 수직 상부에 대응하는 패드전극(181, 182)의 영역에 형성된 제2 요부(凹部)(184a, 194a)를 포함할 수 있다. 이러한 구성으로 인하여 패드전극(181, 182)의 수직 하부로 가해지는 인장응력(Tensile Stress) 및/또는 압축응력(Compressive Stress)을 기존의 수평방향에서 수직방향 및 수평방향으로 분산시켜 층간 박리현상을 방지할 수 있다.According to another specific example of one aspect of the present invention, the second concavo-convex structures 184 and 194 are pads corresponding to vertical upper portions of the first openings 133 and 153 among the upper surfaces of the pad electrodes 181 and 182. Second concave portions 184a and 194a formed in regions of the electrodes 181 and 182 may be included. Due to this configuration, the tensile stress and / or compressive stress applied to the vertical lower part of the pad electrodes 181 and 182 are distributed from the conventional horizontal direction to the vertical and horizontal directions to prevent interlayer peeling. It can be prevented.
도 5는 본 발명의 또 다른 양상에 따른 반도체 발광소자의 하나의 구체예를 개략적으로 나태는 도면이다.5 is a schematic diagram of one specific example of a semiconductor light emitting device according to another aspect of the present invention.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 양상의 하나의 구체예에 따르면, 반도체 발광소자(101)에서 절연층(170)은 절연층(170)의 내부에 수평으로 형성된 금속층(195)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5 , according to one embodiment of another aspect of the present invention, in the semiconductor light emitting device 101, the insulating layer 170 includes a metal layer 195 formed horizontally inside the insulating layer 170. can do.
도 5를 참조하여 여기서 설명하는 구성을 제외하고는 도 4를 참조하여 앞서 설명한 구성과 동일하다.Except for the configuration described here with reference to FIG. 5 , the configuration described above with reference to FIG. 4 is the same.
금속층(195)은 제2 개구(183, 193)와 이격되고 절연층(170)의 가장자리부(171)와 이격되어 절연층(170)의 내부에서 수평면 전면에 형성될 수 있다.The metal layer 195 may be spaced apart from the second openings 183 and 193 and spaced apart from the edge portion 171 of the insulating layer 170 and formed on the entire horizontal surface inside the insulating layer 170 .
금속층(195)의 두께는 1kÅ ~ 1.5㎛일 수 있다. The metal layer 195 may have a thickness of 1 kÅ to 1.5 μm.
산화물로 형성되는 절연층은 금속층에 비해 스트레스에 의한 크랙 발생에 취약하다. 따라서 오믹전극, 메사구조 등의 표면 거칠기에 의해 미세 크랙이 발행하는 경우 크랙이 절연층을 통하여 상단부로 진행하게 된다. 그러므로 절연층(170)의 내부에서 수평면 전면에 금속층(195)을 형성함으로써 이러한 크랙의 진행을 방지할 수 있다.An insulating layer formed of an oxide is vulnerable to crack generation due to stress compared to a metal layer. Therefore, when micro cracks are generated due to surface roughness of an ohmic electrode, a mesa structure, etc., the cracks progress to the upper end through the insulating layer. Therefore, by forming the metal layer 195 on the entire horizontal surface inside the insulating layer 170, it is possible to prevent such a crack from progressing.
도 6은 본 발명의 또 다른 양상에 따른 반도체 발광소자의 하나의 구체예를 개략적으로 나태는 도면이다.6 is a schematic diagram of one specific example of a semiconductor light emitting device according to another aspect of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 양상의 하나의 구체예에 따르면, 반도체 발광소자(102)는 연결전극(132, 152)을 덮는 절연층(170), 및 연결전극(132, 152)의 상부에 형성되어 연결전극(132, 152)과 전기적으로 연결되는 패드전극(281, 282)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , according to one embodiment of another aspect of the present invention, the semiconductor light emitting device 102 includes an insulating layer 170 covering the connection electrodes 132 and 152, and the connection electrodes 132 and 152. It may include pad electrodes 281 and 282 formed on the upper portion of and electrically connected to the connection electrodes 132 and 152 .
도 6을 참조하여 여기서 설명하는 구성을 제외하고는 도 4를 참조하여 앞서 설명한 구성과 동일하다.Except for the configuration described here with reference to FIG. 6 , the configuration described above with reference to FIG. 4 is the same.
절연층(170)은 연결전극(132, 152)을 노출하는 제2 개구(183, 193)를 포함할 수 있다.The insulating layer 170 may include second openings 183 and 193 exposing the connection electrodes 132 and 152 .
연결전극(132, 152)과 패드전극(281, 282)은 제2 개구(183, 193) 내에 형성된 수직연결부(196, 197)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.The connection electrodes 132 and 152 and the pad electrodes 281 and 282 may be electrically connected by vertical connection parts 196 and 197 formed in the second openings 183 and 193 .
한편 패드전극(281, 282)의 상단높이는 절연층(170)의 상단 높이보다 높게 구성될 수 있다. 따라서 패드전극(281, 282)를 외부 기판에 솔더에 의해 접합하기에 적합할 수 있다. 여기서 패드전극(281, 282)은 절연층(170)과 이격되어 형성될 수 있다. 즉 패드전극(281, 282)은 절연층(170)의 상단을 덮지 않도록 구성되며 패드전극(281, 282)의 측변 또한 절연층(170)과 이격되어 구성된다.Meanwhile, the height of the top of the pad electrodes 281 and 282 may be higher than that of the top of the insulating layer 170 . Therefore, it may be suitable for bonding the pad electrodes 281 and 282 to an external substrate by soldering. Here, the pad electrodes 281 and 282 may be formed to be spaced apart from the insulating layer 170 . That is, the pad electrodes 281 and 282 are configured not to cover the top of the insulating layer 170 and the side edges of the pad electrodes 281 and 282 are also configured to be spaced apart from the insulating layer 170 .
한편 수직연결부(196, 197)의 측벽과 제2 개구(183, 193)를 형성하는 절연층(170)의 측벽이 이격되도록 형성될 수 있다.Meanwhile, sidewalls of the vertical connectors 196 and 197 and sidewalls of the insulating layer 170 forming the second openings 183 and 193 may be spaced apart from each other.
이러한 구성으로 인하여 각각의 패드전극(281, 282)은 절연층(170)과 접촉하지 않으며, 패드전극(281, 282) 및 패드전극(281, 282)으로부터 하방으로 연장되는 수직연결부(196, 197는 제2 개구(183, 193)를 형성하기 위하여 식각된 절연층(170)의 홀(hole) 내부에만 형성된다.Due to this configuration, each of the pad electrodes 281 and 282 does not contact the insulating layer 170, and the vertical connection portions 196 and 197 extending downward from the pad electrodes 281 and 282 and the pad electrodes 281 and 282 is formed only inside the hole of the insulating layer 170 etched to form the second openings 183 and 193 .
따라서 패드전극(281, 282)은 전위차가 동일한 반도체층(130, 150)과 수직선상에 위치하게 된다. 이로 인해 패드전극(281, 282)과 절연층(170) 간의 스트레스가 감소하여 절연층(170)의 크랙을 개선할 수 있다.Accordingly, the pad electrodes 281 and 282 are located on a vertical line with the semiconductor layers 130 and 150 having the same potential difference. As a result, stress between the pad electrodes 281 and 282 and the insulating layer 170 is reduced, thereby reducing cracks in the insulating layer 170 .
또한 패드전극(281, 282)이 절연층(170)과 이격되어 형성되므로 패드전극(281, 282)의 외부에 노출되는 면적이 증가하여 열방출이 용이하므로 열적인 특성에 취약한 UVC 칩에 유리할 수 있다.In addition, since the pad electrodes 281 and 282 are formed to be spaced apart from the insulating layer 170, the area exposed to the outside of the pad electrodes 281 and 282 increases to facilitate heat dissipation, which is advantageous for UVC chips that are vulnerable to thermal characteristics. there is.
또한 수직으로 이루어진 금속접합이기 때문에, 제1 반도체층(130) 상부에 제1 패드전극(281)이 위치하고, 제2 반도체층(150) 상부에 제2 패드전극(282)이 위치하므로, 절연층(170)의 크랙에 의해 발생할 수 있는 누설전류를 방지할 수 있다.In addition, since it is a vertical metal junction, since the first pad electrode 281 is positioned on the first semiconductor layer 130 and the second pad electrode 282 is positioned on the second semiconductor layer 150, the insulating layer Leakage current that may occur due to cracks in (170) can be prevented.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 양상의 하나의 구체예에 따르면, 절연층(170)은 절연층(170)의 내부에 수평으로 형성된 금속층(195)을 포함하며, 금속층(195)은 제2 개구(183, 193)와 이격되고 절연층(170)의 가장자리부(171)와 이격되어 절연층(170)의 내부에서 수평면 전면에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, according to one embodiment of another aspect of the present invention, the insulating layer 170 includes a metal layer 195 formed horizontally inside the insulating layer 170, the metal layer 195 It may be spaced apart from the second openings 183 and 193 and spaced apart from the edge 171 of the insulating layer 170 and formed on the entire horizontal surface inside the insulating layer 170 .
한편 본 발명에 따르는 반도체 발광소자에 있어서, 오믹전극(131, 151)은 Mo 또는 Rh로 구성될 수 있다.Meanwhile, in the semiconductor light emitting device according to the present invention, the ohmic electrodes 131 and 151 may be composed of Mo or Rh.
종래의 Au로 구성된 오믹전극의 경우 오믹 형성을 위해 산화를 동반한 열처리가 반드시 필요했다. 이러한 경우 열처리 후 산화된 Au 오믹전극의 경우 외관이 거칠어지는 변형의 문제가 있다. In the case of a conventional ohmic electrode made of Au, heat treatment accompanied by oxidation was necessarily required to form an ohmic. In this case, in the case of the Au ohmic electrode oxidized after heat treatment, there is a problem of deformation in which the appearance becomes rough.
본 발명은 오믹전극을 Mo 또는 Rh로 구성하여 오믹 형성을 위한 열처리가 필요하지 않는 오믹전극을 형성할 수 있다. According to the present invention, the ohmic electrode is composed of Mo or Rh, so that it is possible to form an ohmic electrode that does not require heat treatment for forming an ohmic.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 반도체층; 반도체층을 덮는 오믹전극; 및 오믹전극을 덮는 연결전극;을 포함하며, 오믹전극은 반도체층을 노출하는 제1 개구를 포함하며, 연결전극은 제1 개구를 통하여 반도체층과 전기적으로 연결되는, 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a semiconductor layer; an ohmic electrode covering the semiconductor layer; and a connection electrode covering the ohmic electrode, wherein the ohmic electrode includes a first opening exposing the semiconductor layer, and the connection electrode is electrically connected to the semiconductor layer through the first opening.
(2) 연결전극은 연결전극의 상부표면에 형성된 제1 요철(凹凸)구조를 포함하는, 반도체발광소자.(2) A semiconductor light emitting device in which the connection electrode includes a first concavo-convex structure formed on an upper surface of the connection electrode.
(3) 제1 요철구조는 연결전극의 상부표면 중 제1 개구의 수직 상부에 대응하는 연결전극의 영역에 형성된 제1 요부(凹部)를 포함하는, 반도체 발광소자.(3) The first concavo-convex structure includes a first concave portion formed in a region of the connection electrode corresponding to a vertical upper portion of the first opening among upper surfaces of the connection electrode.
(4) 연결전극을 덮는 절연층; 및 절연층을 덮는 패드전극;을 더욱 포함하며, 절연층은 연결전극을 노출하는 제2 개구를 포함하며, 패드전극은 제2 개구를 통하여 연결전극과 전기적으로 연결되는, 반도체 발광소자.(4) an insulating layer covering the connection electrode; and a pad electrode covering the insulating layer, wherein the insulating layer includes a second opening exposing the connecting electrode, and the pad electrode is electrically connected to the connecting electrode through the second opening.
(5) 제2 개구는 제1 요철구조의 제1 철부(凸部)에 형성되는, 반도체 발광소자.(5) The semiconductor light emitting element, wherein the second opening is formed in the first convex portion of the first concavo-convex structure.
(6) 절연층은 제1 요부(凹部)를 덮도록 구성되는, 반도체 발광소자.(6) A semiconductor light emitting element in which the insulating layer is configured to cover the first concave portion.
(7) 패드전극은 패드전극의 상부표면에 형성된 제2 요철구조를 포함하는, 반도체 발광소자.(7) A semiconductor light emitting device in which the pad electrode includes a second concavo-convex structure formed on an upper surface of the pad electrode.
(8) 제2 요철구조는 패드전극의 상부표면 중 제1 개구의 수직 상부에 대응하는 패드전극의 영역에 형성된 제2 요부(凹部)를 포함하는, 반도체 발광소자.(8) The second concave-convex structure includes a second concave portion formed in a region of the pad electrode corresponding to the vertical upper portion of the first opening among the upper surfaces of the pad electrode.
(9) 반도체층은 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층으로 구성되며, 오믹전극은 제1 반도체층을 덮는 제1 오믹전극, 및 제2 반도체층을 덮는 제2 오믹전극을 포함하며, 연결전극은 제1 오믹전극을 덮는 제1 연결전극, 및 제2 오믹전극을 덮는 제2 연결전극을 포함하며,제1 개구는 제1 반도체층을 노출하는 제1-1 개구, 및 제2 반도체층을 노출하는 제2-1 개구를 포함하며, 제1 연결전극은 제1-1 개구를 통하여 제1 반도체층과 전기적으로 연결되고, 제2 연결전극은 제2-1 개구를 통하여 제2 반도체층과 전기적으로 연결되며, 패드전극은 제1 연결전극과 전기적으로 연결되는 제1 패드전극, 및 제2 연결전극과 전기적으로 연결되는 제2 패드전극을 포함하며, 제2 개구는 제1 연결전극을 노출하는 제1-2 개구, 및 제2 연결전극을 노출하는 제2-2 개구를 포함하며, 제1 요철구조는 제1 연결전극의 상부표면에 형성된 제1-1 요철구조, 및 제2 연결전극의 상부표면에 형성된 제2-1 요철구조를 포함하며, 제2 요철구조는 제1 패드전극의 상부표면에 형성된 제1-2 요철구조, 및 제2 패드전극의 상부표면에 형성된 제2-2 요철구조를 포함하며, 제1 패드전극은 제1-2 개구를 통하여 제1 연결전극과 전기적으로 연결되고, 제2 패드전극은 제2-2 개구를 통하여 제2 연결전극과 전기적으로 연결되는, 반도체 발광소자.(9) The semiconductor layer includes a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and recombination of electrons and holes interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The ohmic electrode includes a first ohmic electrode covering the first semiconductor layer and a second ohmic electrode covering the second semiconductor layer, and the connection electrode is It includes a first connection electrode covering the first ohmic electrode and a second connection electrode covering the second ohmic electrode, wherein the first opening is a 1-1 opening exposing the first semiconductor layer and exposing the second semiconductor layer. The first connection electrode is electrically connected to the first semiconductor layer through the 1-1 opening, and the second connection electrode is electrically connected to the second semiconductor layer through the 2-1 opening. The pad electrode includes a first pad electrode electrically connected to the first connection electrode and a second pad electrode electrically connected to the second connection electrode, and the second opening exposes the first connection electrode. It includes a 1-2 opening and a 2-2 opening exposing the second connection electrode, and the first concavo-convex structure includes the 1-1 concavo-convex structure formed on the upper surface of the first connection electrode and the second connection electrode. It includes a 2-1 concavo-convex structure formed on the upper surface, and the second concavo-convex structure includes a 1-2 concavo-convex structure formed on the upper surface of the first pad electrode and a 2-2 concavo-convex structure formed on the upper surface of the second pad electrode. structure, wherein the first pad electrode is electrically connected to the first connection electrode through the 1-2 opening, and the second pad electrode is electrically connected to the second connection electrode through the 2-2 opening. light emitting device.
(10) 절연층은 절연층의 내부에 수평으로 형성된 금속층을 포함하며, 금속층은 제2 개구와 이격되고 절연층의 가장자리부와 이격되어 절연층의 수평면 전면에 형성되는, 반도체 발광소자.(10) The insulating layer includes a metal layer formed horizontally inside the insulating layer, and the metal layer is spaced apart from the second opening and spaced apart from the edge of the insulating layer and formed on the entire horizontal surface of the insulating layer.
(11) 연결전극을 덮는 절연층; 및 연결전극의 상부에 형성되어 연결전극과 전기적으로 연결되는 패드전극;을 더욱 포함하며, 절연층은 연결전극을 노출하는 제2 개구를 포함하며, 연결전극과 패드전극은 제2 개구 내에 형성된 수직연결부에 의하여 전기적으로 연결되며, 패드전극의 상단높이는 절연층의 상단 높이보다 높게 구성되며, 패드전극은 절연층과 이격되어 형성되며, 수직연결부의 측벽과 제2 개구를 형성하는 절연층의 측벽이 이격되어 형성되는, 반도체 발광소자.(11) an insulating layer covering the connection electrode; and a pad electrode formed on top of the connecting electrode and electrically connected to the connecting electrode, wherein the insulating layer includes a second opening exposing the connecting electrode, and the connecting electrode and the pad electrode are vertically formed in the second opening. It is electrically connected by the connecting portion, the height of the top of the pad electrode is higher than the height of the top of the insulating layer, the pad electrode is formed spaced apart from the insulating layer, and the sidewall of the vertical connection portion and the sidewall of the insulating layer forming the second opening are Formed spaced apart, semiconductor light emitting element.
(12) 절연층은 절연층의 내부에 수평으로 형성된 금속층을 포함하며, 금속층은 제2 개구와 이격되고 절연층의 가장자리부와 이격되어 절연층의 수평면 전면에 형성되는, 반도체 발광소자.(12) The insulating layer includes a metal layer formed horizontally inside the insulating layer, the metal layer being spaced apart from the second opening and spaced apart from the edge of the insulating layer, and formed on the entire horizontal surface of the insulating layer.
(13) 오믹전극은 Mo 또는 Rh로 구성되는, 반도체 발광소자.(13) A semiconductor light emitting device in which the ohmic electrode is composed of Mo or Rh.
100, 101, 102 : 반도체 발광소자
130 : 제1 반도체층
140 : 제2 반도체층
150 : 제3 반도체층
131, 151: 오믹전극
132, 152: 연결전극
181, 182, 281, 282 : 패드전극100, 101, 102: semiconductor light emitting element
130: first semiconductor layer
140: second semiconductor layer
150: third semiconductor layer
131, 151: ohmic electrode
132, 152: connection electrode
181, 182, 281, 282: pad electrode
Claims (13)
반도체층;
반도체층을 덮는 오믹전극; 및
오믹전극을 덮는 연결전극;
을 포함하며,
오믹전극은 반도체층을 노출하는 제1 개구를 포함하며,
연결전극은 제1 개구를 통하여 반도체층과 전기적으로 연결되며,
연결전극은 연결전극의 상부표면에 형성된 제1 요철(凹凸)구조를 포함하며,
제1 요철구조는 연결전극의 상부표면 중 제1 개구의 수직 상부에 대응하는 연결전극의 영역에 형성된 제1 요부(凹部)를 포함하며,
연결전극을 덮는 절연층; 및
절연층을 덮는 패드전극;
을 더욱 포함하며,
절연층은 연결전극을 노출하는 제2 개구를 포함하며,
패드전극은 제2 개구를 통하여 연결전극과 전기적으로 연결되며,
제2 개구는 제1 요철구조의 제1 철부(凸部)에 형성되는, 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
semiconductor layer;
an ohmic electrode covering the semiconductor layer; and
a connection electrode covering the ohmic electrode;
Including,
The ohmic electrode includes a first opening exposing the semiconductor layer,
The connection electrode is electrically connected to the semiconductor layer through the first opening,
The connection electrode includes a first concavo-convex structure formed on an upper surface of the connection electrode,
The first concavo-convex structure includes a first concave portion formed in a region of the connection electrode corresponding to a vertical upper portion of the first opening among upper surfaces of the connection electrode,
an insulating layer covering the connection electrode; and
a pad electrode covering the insulating layer;
Including more,
The insulating layer includes a second opening exposing the connection electrode,
The pad electrode is electrically connected to the connection electrode through the second opening,
The second opening is formed in the first convex portion of the first concavo-convex structure.
절연층은 제1 요부(凹部)를 덮도록 구성되는, 반도체 발광소자.The method of claim 5,
The semiconductor light emitting device, wherein the insulating layer is configured to cover the first concave portion.
반도체층;
반도체층을 덮는 오믹전극; 및
오믹전극을 덮는 연결전극;
을 포함하며,
오믹전극은 반도체층을 노출하는 제1 개구를 포함하며,
연결전극은 제1 개구를 통하여 반도체층과 전기적으로 연결되며,
연결전극은 연결전극의 상부표면에 형성된 제1 요철(凹凸)구조를 포함하며,
제1 요철구조는 연결전극의 상부표면 중 제1 개구의 수직 상부에 대응하는 연결전극의 영역에 형성된 제1 요부(凹部)를 포함하며,
연결전극을 덮는 절연층; 및
절연층을 덮는 패드전극;
을 더욱 포함하며,
절연층은 연결전극을 노출하는 제2 개구를 포함하며,
패드전극은 제2 개구를 통하여 연결전극과 전기적으로 연결되며,
패드전극은 패드전극의 상부표면에 형성된 제2 요철구조를 포함하는, 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
semiconductor layer;
an ohmic electrode covering the semiconductor layer; and
a connection electrode covering the ohmic electrode;
Including,
The ohmic electrode includes a first opening exposing the semiconductor layer,
The connection electrode is electrically connected to the semiconductor layer through the first opening,
The connection electrode includes a first concavo-convex structure formed on an upper surface of the connection electrode,
The first concavo-convex structure includes a first concave portion formed in a region of the connection electrode corresponding to a vertical upper portion of the first opening among upper surfaces of the connection electrode,
an insulating layer covering the connection electrode; and
a pad electrode covering the insulating layer;
Including more,
The insulating layer includes a second opening exposing the connection electrode,
The pad electrode is electrically connected to the connection electrode through the second opening,
The pad electrode includes a second concavo-convex structure formed on an upper surface of the pad electrode, a semiconductor light emitting device.
제2 요철구조는 패드전극의 상부표면 중 제1 개구의 수직 상부에 대응하는 패드전극의 영역에 형성된 제2 요부(凹部)를 포함하는, 반도체 발광소자.The method of claim 7,
The second concave-convex structure includes a second concave portion formed in a region of the pad electrode corresponding to a vertical upper portion of the first opening among upper surfaces of the pad electrode.
반도체층은 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층으로 구성되며,
오믹전극은 제1 반도체층을 덮는 제1 오믹전극, 및 제2 반도체층을 덮는 제2 오믹전극을 포함하며,
연결전극은 제1 오믹전극을 덮는 제1 연결전극, 및 제2 오믹전극을 덮는 제2 연결전극을 포함하며,
제1 개구는 제1 반도체층을 노출하는 제1-1 개구, 및 제2 반도체층을 노출하는 제2-1 개구를 포함하며,
제1 연결전극은 제1-1 개구를 통하여 제1 반도체층과 전기적으로 연결되고, 제2 연결전극은 제2-1 개구를 통하여 제2 반도체층과 전기적으로 연결되며,
패드전극은 제1 연결전극과 전기적으로 연결되는 제1 패드전극, 및 제2 연결전극과 전기적으로 연결되는 제2 패드전극을 포함하며,
제2 개구는 제1 연결전극을 노출하는 제1-2 개구, 및 제2 연결전극을 노출하는 제2-2 개구를 포함하며,
제1 요철구조는 제1 연결전극의 상부표면에 형성된 제1-1 요철구조, 및 제2 연결전극의 상부표면에 형성된 제2-1 요철구조를 포함하며,
제2 요철구조는 제1 패드전극의 상부표면에 형성된 제1-2 요철구조, 및 제2 패드전극의 상부표면에 형성된 제2-2 요철구조를 포함하며,
제1 패드전극은 제1-2 개구를 통하여 제1 연결전극과 전기적으로 연결되고, 제2 패드전극은 제2-2 개구를 통하여 제2 연결전극과 전기적으로 연결되는, 반도체 발광소자.The method of claim 7,
The semiconductor layer is interposed between a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and light is emitted through recombination of electrons and holes. It is composed of a plurality of semiconductor layers including an active layer that generates,
The ohmic electrode includes a first ohmic electrode covering the first semiconductor layer and a second ohmic electrode covering the second semiconductor layer,
The connection electrode includes a first connection electrode covering the first ohmic electrode and a second connection electrode covering the second ohmic electrode,
The first opening includes a 1-1 opening exposing the first semiconductor layer and a 2-1 opening exposing the second semiconductor layer,
The first connection electrode is electrically connected to the first semiconductor layer through the 1-1 opening, the second connection electrode is electrically connected to the second semiconductor layer through the 2-1 opening,
The pad electrode includes a first pad electrode electrically connected to the first connection electrode and a second pad electrode electrically connected to the second connection electrode,
The second opening includes a 1-2 opening exposing the first connection electrode and a 2-2 opening exposing the second connection electrode,
The first concavo-convex structure includes a 1-1 concavo-convex structure formed on the upper surface of the first connection electrode and a 2-1 concavo-convex structure formed on the upper surface of the second connection electrode,
The second concavo-convex structure includes a 1-2 concavo-convex structure formed on the upper surface of the first pad electrode and a 2-2 concavo-convex structure formed on the upper surface of the second pad electrode,
The first pad electrode is electrically connected to the first connection electrode through the 1-2 opening, and the second pad electrode is electrically connected to the second connection electrode through the 2-2 opening.
반도체층;
반도체층을 덮는 오믹전극; 및
오믹전극을 덮는 연결전극;
을 포함하며,
오믹전극은 반도체층을 노출하는 제1 개구를 포함하며,
연결전극은 제1 개구를 통하여 반도체층과 전기적으로 연결되며,
연결전극은 연결전극의 상부표면에 형성된 제1 요철(凹凸)구조를 포함하며,
제1 요철구조는 연결전극의 상부표면 중 제1 개구의 수직 상부에 대응하는 연결전극의 영역에 형성된 제1 요부(凹部)를 포함하며,
연결전극을 덮는 절연층; 및
절연층을 덮는 패드전극;
을 더욱 포함하며,
절연층은 연결전극을 노출하는 제2 개구를 포함하며,
패드전극은 제2 개구를 통하여 연결전극과 전기적으로 연결되며,
절연층은 절연층의 내부에 수평으로 형성된 금속층을 포함하며,
금속층은 제2 개구와 이격되고 절연층의 가장자리부와 이격되어 절연층의 수평면 전면에 형성되는, 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
semiconductor layer;
an ohmic electrode covering the semiconductor layer; and
a connection electrode covering the ohmic electrode;
Including,
The ohmic electrode includes a first opening exposing the semiconductor layer,
The connection electrode is electrically connected to the semiconductor layer through the first opening,
The connection electrode includes a first concavo-convex structure formed on an upper surface of the connection electrode,
The first concavo-convex structure includes a first concave portion formed in a region of the connection electrode corresponding to a vertical upper portion of the first opening among upper surfaces of the connection electrode,
an insulating layer covering the connection electrode; and
a pad electrode covering the insulating layer;
Including more,
The insulating layer includes a second opening exposing the connection electrode,
The pad electrode is electrically connected to the connection electrode through the second opening,
The insulating layer includes a metal layer formed horizontally inside the insulating layer,
The semiconductor light emitting device, wherein the metal layer is formed on the entire horizontal surface of the insulating layer while being spaced apart from the second opening and spaced apart from an edge of the insulating layer.
반도체층;
반도체층을 덮는 오믹전극; 및
오믹전극을 덮는 연결전극;
을 포함하며,
오믹전극은 반도체층을 노출하는 제1 개구를 포함하며,
연결전극은 제1 개구를 통하여 반도체층과 전기적으로 연결되며,
연결전극은 연결전극의 상부표면에 형성된 제1 요철(凹凸)구조를 포함하며,
제1 요철구조는 연결전극의 상부표면 중 제1 개구의 수직 상부에 대응하는 연결전극의 영역에 형성된 제1 요부(凹部)를 포함하며,
연결전극을 덮는 절연층; 및
연결전극의 상부에 형성되어 연결전극과 전기적으로 연결되는 패드전극;
을 더욱 포함하며,
절연층은 연결전극을 노출하는 제2 개구를 포함하며,
연결전극과 패드전극은 제2 개구 내에 형성된 수직연결부에 의하여 전기적으로 연결되며,
패드전극의 상단높이는 절연층의 상단 높이보다 높게 구성되며,
패드전극은 절연층과 이격되어 형성되며,
수직연결부의 측벽과 제2 개구를 형성하는 절연층의 측벽이 이격되어 형성되는, 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
semiconductor layer;
an ohmic electrode covering the semiconductor layer; and
a connection electrode covering the ohmic electrode;
Including,
The ohmic electrode includes a first opening exposing the semiconductor layer,
The connection electrode is electrically connected to the semiconductor layer through the first opening,
The connection electrode includes a first concavo-convex structure formed on an upper surface of the connection electrode,
The first concavo-convex structure includes a first concave portion formed in a region of the connection electrode corresponding to a vertical upper portion of the first opening among upper surfaces of the connection electrode,
an insulating layer covering the connection electrode; and
a pad electrode formed on top of the connection electrode and electrically connected to the connection electrode;
Including more,
The insulating layer includes a second opening exposing the connection electrode,
The connection electrode and the pad electrode are electrically connected by a vertical connection portion formed in the second opening,
The height of the top of the pad electrode is higher than the height of the top of the insulating layer,
The pad electrode is formed spaced apart from the insulating layer,
A semiconductor light emitting device formed by separating sidewalls of the vertical connection portion and sidewalls of the insulating layer forming the second opening.
절연층은 절연층의 내부에 수평으로 형성된 금속층을 포함하며,
금속층은 제2 개구와 이격되고 절연층의 가장자리부와 이격되어 절연층의 수평면 전면에 형성되는, 반도체 발광소자.The method of claim 11,
The insulating layer includes a metal layer formed horizontally inside the insulating layer,
The semiconductor light emitting device, wherein the metal layer is formed on the entire horizontal surface of the insulating layer while being spaced apart from the second opening and spaced apart from an edge of the insulating layer.
오믹전극은 Mo 또는 Rh로 구성되는, 반도체 발광소자.In any one of claims 5, 7, 10, and 11,
The ohmic electrode is composed of Mo or Rh, a semiconductor light emitting device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210143348A KR102557328B1 (en) | 2021-10-26 | 2021-10-26 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210143348A KR102557328B1 (en) | 2021-10-26 | 2021-10-26 | Semiconductor light emitting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230059305A KR20230059305A (en) | 2023-05-03 |
| KR102557328B1 true KR102557328B1 (en) | 2023-07-19 |
Family
ID=86380926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210143348A KR102557328B1 (en) | 2021-10-26 | 2021-10-26 | Semiconductor light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102557328B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080054290A1 (en) * | 2006-09-05 | 2008-03-06 | Epistar Corporation | Light emitting device and the manufacture method thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150055390A (en) | 2013-11-13 | 2015-05-21 | 주식회사 세미콘라이트 | Semiconductor light emitting device |
| KR101561203B1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-20 | 주식회사 세미콘라이트 | Semiconductor light emitting device |
| KR101638120B1 (en) * | 2014-03-31 | 2016-07-11 | 주식회사 세미콘라이트 | Semiconductor light emitting device |
| KR102496616B1 (en) * | 2016-04-29 | 2023-02-06 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light emitting device and display device having thereof |
-
2021
- 2021-10-26 KR KR1020210143348A patent/KR102557328B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080054290A1 (en) * | 2006-09-05 | 2008-03-06 | Epistar Corporation | Light emitting device and the manufacture method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230059305A (en) | 2023-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101874587B1 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
| JP4804485B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method | |
| TWI422077B (en) | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same | |
| TW201442305A (en) | Light emitting device and method of fabricating the same | |
| CN103855149A (en) | Inverted high-voltage light-emitting diode and manufacturing method thereof | |
| KR102588170B1 (en) | Semiconductor light emitting device having a reflector layer of multilayer structure | |
| TW201801341A (en) | Light-emitting device | |
| WO2009097786A1 (en) | A vertical structure semiconductor chip | |
| TW201637240A (en) | Semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same | |
| TW201419584A (en) | Light emitting device | |
| US20230026786A1 (en) | Light emitting device | |
| KR20050014343A (en) | Semiconductor Light Emitting Device | |
| JP2015177087A (en) | Semiconductor light emitting device and manufacturing method for the same | |
| WO2002071450A2 (en) | Led lead for improved light extraction | |
| JP2005302803A (en) | Nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method | |
| KR102557328B1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP4622426B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| KR20220086167A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| KR102557323B1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP2009238931A (en) | Semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor, and luminaire using the element | |
| KR101534846B1 (en) | fabrication of vertical structured light emitting diodes using group 3 nitride-based semiconductors and its related methods | |
| TWI728270B (en) | Semiconductor devices and manufacturing methods thereof | |
| TWI672826B (en) | Light-emitting device | |
| KR20240012759A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP5592248B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |