KR102554630B1 - 온도 제어 방법 - Google Patents

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Abstract

배치대에 배치되는 기판의 면내의 온도 분포의 제어성을 높이는 것이 가능한 온도 제어 방법을 제공하는 것이다. 일실시 형태의 온도 제어 방법은, 배치대에 배치되는 피처리체의 온도 제어 방법으로서, 상기 배치대에 마련된 복수의 가스 홀 중 적어도 어느 하나의 가스 홀로부터 상기 피처리체와 상기 배치대의 사이에 전열 가스를 공급하고, 상기 가스 홀과는 상이한 가스 홀로부터 상기 전열 가스를 배기하는 공정과, 상기 전열 가스를 공급하는 상기 가스 홀 및 상기 전열 가스를 배기하는 상기 가스 홀의 압력을 검출하는 공정과, 상기 압력을 조정하는 공정을 가진다.

Description

온도 제어 방법 {TEMPERATURE CONTROL METHOD}
본 발명은 온도 제어 방법에 관한 것이다.
에칭 장치 등의 플라즈마 처리 장치에 있어서, 에칭 레이트 등, 양호한 플라즈마 특성을 얻기 위해 기판의 온도 제어는 중요하다. 따라서, 기판을 배치하는 배치대의 내부에 복수의 존으로 분할된 히터를 내장하고, 존마다 히터를 제어하여 배치대의 면내의 온도 분포를 제어하는 것이 행해지고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
또한, 배치대의 상면의 중심부 및 주연부의 각각에 전열 가스 확산 영역을 마련하고, 각각의 전열 가스 확산 영역에 공급하는 전열 가스의 공급 압력을 개별적으로 조정함으로써, 배치대의 면내에 있어서의 배치대로부터 기판으로의 열 전달량을 제어하는 것이 행해지고 있다.
일본특허공개공보 2017-005128호
그러나, 배치대의 상면의 중심부 및 주연부의 각각에 전열 가스 확산 영역을 마련하는 방법에서는, 중심부에 마련된 전열 가스 확산 영역과 주연부에 마련된 전열 가스 확산 영역과의 경계 부근에 있어서 온도 불균일이 발생하기 쉽다.
따라서, 본 발명의 일 양태에서는, 배치대에 배치되는 기판의 면내의 온도 분포의 제어성을 높이는 것이 가능한 온도 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일태양에 따른 온도 제어 방법은, 배치대에 배치되는 피처리체의 온도 제어 방법으로서, 상기 배치대에 마련된 복수의 가스 홀 중 적어도 어느 하나의 가스 홀로부터 상기 피처리체와 상기 배치대의 사이에 전열 가스를 공급하고, 상기 가스 홀과는 상이한 가스 홀로부터 상기 전열 가스를 배기하는 공정과, 상기 전열 가스를 공급하는 상기 가스 홀 및 상기 전열 가스를 배기하는 상기 가스 홀의 압력을 검출하는 공정과, 상기 압력을 조정하는 공정을 가진다.
개시된 온도 제어 방법에 의하면, 배치대에 배치되는 기판의 면내의 온도 분포의 제어성을 높일 수 있다.
도 1은 제 1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 제 1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 전열 가스 공급 기구를 나타내는 도이다.
도 3은 도 2의 전열 가스 공급 기구의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 4는 도 2의 전열 가스 공급 기구의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 5는 전열 가스 확산 영역에 전열 가스를 공급하는 가스 홀의 배치예를 나타내는 도이다.
도 6은 전열 가스 확산 영역에 전열 가스를 공급하는 가스 홀의 배치예를 나타내는 도이다.
도 7은 제 2 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 전열 가스 공급 기구를 나타내는 도이다.
도 8은 도 7의 전열 가스 공급 기구의 동작을 설명하기 위한 도이다.
도 9는 도 7의 전열 가스 공급 기구의 동작을 설명하기 위한 도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략한다.
〔제 1 실시 형태〕
제 1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 제 1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성도이다.
도 1에 나타나는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치는, 하부 2주파의 용량 결합형의 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. 플라즈마 처리 장치는, 예를 들면 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 원통형의 처리 용기(10)를 가지고 있다. 처리 용기(10)는 접지되어 있다.
처리 용기(10)의 내부에는, 배치대(12)가 마련되어 있다. 배치대(12)는 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(이하 '웨이퍼(W)'라고 함)를 배치한다. 배치대(12)는, 예를 들면 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 탄화 규소(SiC) 등의 재질에 의해 형성되어 있다. 배치대(12)는, 절연성 재료에 의해 형성된 통 형상 유지부(14)를 개재하여 지지부(16)에 지지되어 있다. 이에 따라, 배치대(12)는 처리 용기(10)의 바닥부에 마련된다.
처리 용기(10)의 바닥부에는 배기관(26)이 마련되어 있다. 배기관(26)은 배기 장치(28)에 접속되어 있다. 배기 장치(28)는, 터보 분자 펌프, 드라이 펌프 등의 진공 펌프로 구성되어 있다. 배기 장치(28)는 처리 용기(10) 내의 처리 공간을 정해진 진공도까지 감압함과 함께, 처리 용기(10) 내의 가스를 배기로(20) 및 배기구(24)에 유도하여 배기한다. 배기로(20)에는 가스의 흐름을 제어하기 위한 환 형상의 배플판(22)이 장착되어 있다.
처리 용기(10)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입반출구를 개폐하는 반송용의 게이트 밸브(30)가 장착되어 있다.
배치대(12)에는 플라즈마를 여기하기 위한 제 1 고주파 전원(31)이 정합기(33)를 개재하여 접속되어 있다. 제 1 고주파 전원(31)은 처리 용기(10) 내에서 플라즈마를 생성하기 위해 적합한 주파수, 예를 들면 60 MHz의 고주파 전력(플라즈마 여기용의 고주파 전력)을 배치대(12)에 인가한다. 또한, 배치대(12)에는 웨이퍼(W)에 플라즈마 중의 이온을 인입하기 위한 제 2 고주파 전원(32)이 정합기(34)를 개재하여 접속되어 있다. 제 2 고주파 전원(32)은 배치대(12) 상의 웨이퍼(W)에 플라즈마 중의 이온을 인입하는데 적합한 낮은 주파수, 예를 들면 0.8 MHz의 고주파 전력(이온 인입용의 고주파 전력)을 배치대(12)에 인가한다. 이와 같이 하여 배치대(12)는 웨이퍼(W)를 배치함과 함께, 하부 전극으로서의 기능을 가진다.
배치대(12)의 상면에는 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 유지하기 위한 정전 척(40)이 마련되어 있다. 정전 척(40)은 도전막에 의해 형성되는 전극(40a)을 한 쌍의 절연층(40b)(또는 절연 시트)의 사이에 개재한 것이다. 전극(40a)에는, 스위치(43)를 개재하여 직류 전압원(42)이 전기적으로 접속되어 있다. 정전 척(40)은, 직류 전압원(42)으로부터의 전압에 의해, 쿨롱력으로 웨이퍼(W)를 정전 척(40) 상에 흡착하여 유지한다.
정전 척(40)의 주연부에는 배치대(12)의 주위를 둘러싸도록 포커스 링(18)이 배치되어 있다. 포커스 링(18)은, 예를 들면 실리콘, 석영 등에 의해 형성되어 있다. 포커스 링(18)은 에칭의 면내 균일성을 높이도록 기능한다.
처리 용기(10)의 천장부에는 샤워 헤드(38)가 접지 전위의 상부 전극으로서 마련되어 있다. 이에 따라, 제 1 고주파 전원(31)으로부터 출력되는 고주파 전력이 배치대(12)와 샤워 헤드(38)의 사이에 용량적으로 인가된다.
샤워 헤드(38)는, 다수의 가스 통기홀(56a)을 가지는 전극판(56)과, 전극판(56)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(58)를 가진다. 가스 공급원(62)은, 가스 공급 배관(64)을 통하여 가스 도입구(60a)로부터 샤워 헤드(38) 내로 가스를 공급한다. 가스는 가스 확산실(57)에서 확산되어, 다수의 가스 통기홀 (56a)로부터 처리 용기(10) 내로 도입된다.
처리 용기(10)의 주위에는 환 형상 또는 동심원 형상으로 연장되는 자석(66)이 배치되고, 자력에 의해 처리 용기(10) 내의 플라즈마 생성 공간에 생성되는 플라즈마를 제어한다.
배치대(12)의 내부에는 냉매관(70)이 마련되어 있다. 칠러 유닛(71)으로부터 공급된 냉매는 냉매관(70) 및 냉매 순환관(73)을 순환하여, 배치대(12)를 냉각한다. 또한, 정전 척(40)에는 4분할된 히터(75)가 부착되어 있다. 히터(75)에는, 교류 전원(44)으로부터 원하는 교류 전압이 인가된다. 이에 따라, 히터(75)는 정전 척(40)을 가열한다. 이러한 구성에 의하면, 칠러 유닛(71)에 의한 냉각과 히터(75)에 의한 가열에 의해 웨이퍼(W)를 원하는 온도로 조정할 수 있다. 또한, 이들의 온도 제어는, 제어 장치(100)로부터의 지령에 기초하여 행해진다.
정해진 온도로 조정된 배치대(12)의 열은, 정전 척(40)을 통하여, 정전 척(40)의 상면에 흡착된 웨이퍼(W)로 전달된다. 이 때, 처리 용기(10) 내가 감압되어도 열을 효율적으로 웨이퍼(W)에 전달시키기 위해, 전열 가스 공급 기구(90)에 의해, 정전 척(40)의 상면에 흡착된 웨이퍼(W)의 이면을 향해, 헬륨(He) 등의 전열 가스가 공급된다. 전열 가스 공급 기구(90)의 상세에 대해서는 후술한다.
제어 장치(100)는 플라즈마 처리 장치의 각 부를 제어한다. 구체적으로는, 예를 들면 배기 장치(28), 제 1 고주파 전원(31), 제 2 고주파 전원(32), 정합기(33, 34), 직류 전압원(42), 스위치(43), 교류 전원(44), 가스 공급원(62), 칠러 유닛(71) 및 전열 가스 공급 기구(90)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는 호스트 컴퓨터(도시하지 않음)와도 접속되어 있다.
제어 장치(100)는 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory)을 가진다. CPU는, 예를 들면 기억부에 저장된 각종의 레시피에 따라 플라즈마 처리를 실행한다. 레시피가 저장되는 기억부는, 예를 들면 반도체 메모리, 자기 디스크, 광학 디스크 등을 이용하여 RAM, ROM으로서 실현될 수 있다. 레시피는, 기억 매체에 저장하여 제공되고, 드라이버를 통하여 기억부에 판독되는 것이어도 되고, 또한, 네트워크로부터 다운로드되어 기억부에 저장되는 것이어도 된다. 또한, 제어 장치(100)의 기능은, 소프트웨어를 이용하여 동작함으로써 실현되어도 되고, 하드웨어를 이용하여 동작함으로써 실현되어도 된다.
이러한 구성의 플라즈마 처리 장치에 있어서, 에칭을 행하기 위해서는, 먼저 게이트 밸브(30)를 개구하여 반송 암에 유지된 웨이퍼(W)를 처리 용기(10) 내에 반입한다. 웨이퍼(W)는 승강 핀(도시 생략)에 의해 유지되고, 승강 핀이 강하함으로써 정전 척(40) 상에 배치된다. 웨이퍼(W)를 반입 후, 게이트 밸브(30)가 폐쇄되고, 가스 공급원(62)으로부터 에칭 가스를 정해진 유량 및 유량비로 처리 용기(10) 내에 도입하고, 배기 장치(28)에 의해 처리 용기(10) 내의 압력을 설정값으로 감압한다. 또한, 제 1 고주파 전원(31) 및 제 2 고주파 전원(32)으로부터 정해진 출력의 고주파 전력을 배치대(12)에 공급한다. 또한, 직류 전압원(42)으로부터 전압을 정전 척(40)의 전극(40a)에 인가하여, 웨이퍼(W)를 정전 척(40) 상에 유지한다. 또한, 전열 가스 공급 기구(90)에 의해, 정전 척(40)의 상면에 흡착된 웨이퍼(W)의 이면을 향해 전열 가스를 공급한다. 샤워 헤드(38)로부터 샤워 형상으로 도입된 에칭 가스는, 제 1 고주파 전원(31)으로부터의 고주파 전력에 의해 플라즈마화된다. 이에 따라, 상부 전극(샤워 헤드(38))과 하부 전극(배치대(12))과의 사이의 플라즈마 생성 공간에서 플라즈마가 생성되며, 플라즈마 중의 라디칼 또는 이온에 의해 웨이퍼(W)의 주면이 에칭된다. 또한, 제 2 고주파 전원(32)으로부터의 고주파 전력에 의해 웨이퍼(W)를 향해 이온을 인입할 수 있다.
플라즈마 에칭 종료 후, 웨이퍼(W)가 승강 핀에 의해 들어 올려져 유지되고, 게이트 밸브(30)를 개구하여 반송 암이 처리 용기(10) 내에 반입된 후에, 승강 핀이 내려가 웨이퍼(W)가 반송 암에 유지된다. 이어서, 반송 암이 처리 용기(10)의 밖으로 나와, 다음의 웨이퍼(W)가 반송 암에 의해 처리 용기(10) 내로 반입된다. 이 처리를 반복함으로써 연속해서 웨이퍼(W)가 처리된다.
전열 가스 공급 기구(90)의 구성예에 대하여 설명한다. 도 2는 제 1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 전열 가스 공급 기구(90)를 나타내는 도이다.
도 2에 나타나는 바와 같이, 전열 가스 공급 기구(90)는 전열 가스 공급원(92)과, 전열 가스 공급 라인(94)과, 전열 가스 배기 라인(96)을 가진다.
전열 가스 공급원(92)은, He 등의 전열 가스를 전열 가스 공급 라인(94)를 통하여 전열 가스 확산 영역(A)에 공급한다. 전열 가스 확산 영역(A)은, 예를 들면 정전 척(40)의 상면에 형성된 원 형상의 오목부이다. 전열 가스 확산 영역(A)에는, 전열 가스 공급 라인(94)으로부터의 전열 가스가 토출되는 가스 홀(h)이 복수 형성되어 있다. 가스 홀(h1)은 전열 가스 확산 영역(A)의 주연부에 형성된 가스 홀이며, 가스 홀(h2)은 전열 가스 확산 영역(A)의 중심부에 형성된 가스 홀이다. 정전 척(40)의 상면에 웨이퍼(W)가 흡착되면, 웨이퍼(W)의 이면과의 사이에 있어서, 전열 가스 확산 영역(A)에 의해 전열 가스의 공급 공간이 형성된다.
전열 가스 공급 라인(94)은, 전열 가스 공급원(92)으로부터 공급되는 전열 가스를 전열 가스 확산 영역(A)에 공급하기 위한 가스 라인이다. 전열 가스 공급 라인(94)의 일단은 전열 가스 공급원(92)에 접속되어 있으며, 타단은 복수의 가스 공급 라인(예를 들면, 제 1 가스 공급 라인(94a) 및 제 2 가스 공급 라인(94b))으로 분기되어 있다.
제 1 가스 공급 라인(94a)은, 전열 가스 공급원(92)으로부터 공급되는 전열 가스를 가스 홀(h1)을 통하여 전열 가스 확산 영역(A)의 주연부에 공급한다. 제 1 가스 공급 라인(94a)에는 상류측으로부터 제어 밸브(V1) 및 압력계(P1)가 개재되어 있다. 제어 밸브(V1)의 개방도는 압력계(P1)에 의해 검출되는 압력이 원하는 압력이 되도록 제어된다. 또한, 압력계(P1)는 제어 밸브(V1)와 일체로 마련되어 있어도 된다.
제 2 가스 공급 라인(94b)은, 전열 가스 공급원(92)으로부터 공급되는 전열 가스를 가스 홀(h2)을 통하여 전열 가스 확산 영역(A)의 중심부에 공급한다. 제 2 가스 공급 라인(94b)에는 상류측으로부터 제어 밸브(V2) 및 압력계(P2)가 개재되어 있다. 제어 밸브(V2)의 개방도는 압력계(P2)에 의해 검출되는 압력이 원하는 압력이 되도록 제어된다. 또한, 압력계(P2)는 제어 밸브(V2)와 일체로 마련되어 있어도 된다.
전열 가스 배기 라인(96)은 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 전열 가스를 배기하기 위한 가스 라인이다. 전열 가스 배기 라인(96)의 일단은 배기 장치(28)에 접속되어 있으며, 타단이 복수의 가스 배기 라인(예를 들면, 제 1 가스 배기 라인(96a) 및 제 2 가스 배기 라인(96b))으로 분기되어 있다. 또한, 전열 가스 배기 라인(96)은 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 전열 가스를 배기 가능하면 되고, 예를 들면 전열 가스 배기 라인(96)의 일단은 배기 장치(28)와는 다른 배기 장치에 접속되어 있어도 된다.
제 1 가스 배기 라인(96a)은, 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 전열 가스를 가스 홀(h1)을 통하여 배기한다. 제 1 가스 배기 라인(96a)은 제 1 가스 공급 라인(94a)의 제어 밸브(V1)와 가스 홀(h1)의 사이에 접속되어 있다. 제 1 가스 배기 라인(96a)에는 상류측으로부터 압력계(P3) 및 제어 밸브(V3)가 개재되어 있다. 제어 밸브(V3)의 개방도는 압력계(P3)에 의해 검출되는 압력이 원하는 압력이 되도록 제어된다. 또한, 압력계(P3)는 제어 밸브(V3)와 일체로 마련되어 있어도 된다.
제 2 가스 배기 라인(96b)은, 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 전열 가스를 가스 홀(h2)을 통하여 배기한다. 제 2 가스 배기 라인(96b)은 제 2 가스 공급 라인(94b)의 제어 밸브(V2)와 가스 홀(h2)의 사이에 접속되어 있다. 제 2 가스 배기 라인(96b)에는 상류측으로부터 압력계(P4) 및 제어 밸브(V4)가 개재되어 있다. 제어 밸브(V4)의 개방도는 압력계(P4)에 의해 검출되는 압력이 원하는 압력이 되도록 제어된다. 또한, 압력계(P4)는 제어 밸브(V4)와 일체로 마련되어 있어도 된다.
이어서, 전열 가스 공급 기구(90)의 동작예에 대하여 설명한다.
도 3은 도 2의 전열 가스 공급 기구(90)의 동작을 설명하기 위한 도이며, 전열 가스 확산 영역(A)의 주연부(Edge)의 압력을 중심부(Center)의 압력보다 높게 하는 경우의 전열 가스 공급 기구(90)의 동작을 설명하기 위한 도이다. 도 3의 (a)는 전열 가스의 흐름을 나타내고, 도 3의 (b)는 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서의 직경 방향의 압력 분포를 나타낸다. 또한, 도 3의 (a)에서는, 제어 밸브가 개방되어 있는 상태를 흑색, 제어 밸브가 폐쇄되어 있는 상태를 백색으로 나타내고, 전열 가스가 흐르는 방향을 화살표로 나타낸다.
전열 가스 확산 영역(A)의 주연부의 압력을 중심부의 압력보다 높게 하는 경우, 도 3의 (a)에 나타나는 바와 같이, 제어 밸브(V1, V4)를 개방하고, 제어 밸브(V2, V3)를 폐쇄한다. 이에 따라, 전열 가스 공급원(92)으로부터 공급되는 전열 가스는, 제 1 가스 공급 라인(94a) 및 가스 홀(h1)을 통하여 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된다. 또한, 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 전열 가스는, 가스 홀(h2) 및 제 2 가스 배기 라인(96b)을 통하여 배기 장치(28)에 의해 배기된다. 이 때, 전열 가스가 정전 척(40)의 상면과 웨이퍼(W)의 이면과의 사이의 좁은 공간을 통과함으로써 발생하는 압력 손실에 의해, 도 3의 (b)에 나타나는 바와 같이, 전열 가스 확산 영역(A)의 주연부의 압력이 중심부의 압력보다 높아진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서의 정전 척(40)과 웨이퍼(W)의 사이의 열 전달을, 웨이퍼(W)의 중심부에 있어서의 정전 척(40)과 웨이퍼(W)의 사이의 열 전달보다 촉진시킬 수 있다. 또한, 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서 주연부로부터 중심부를 향하는 수평 방향의 전열 가스의 흐름을 형성할 수 있으므로, 흐름 저항에 의해 매끄러운 압력 구배가 실현된다. 또한, 제어 밸브(V1, V4)의 개방도를 조정하고, 전열 가스 확산 영역(A)을 흐르는 전열 가스의 유량을 제어함으로써, 압력 구배를 자재(自在)로 제어할 수 있다.
도 4는 도 2의 전열 가스 공급 기구(90)의 동작을 설명하기 위한 도이며, 전열 가스 확산 영역(A)의 중심부(Center)의 압력을 주연부(Edge)의 압력보다 높게 하는 경우의 전열 가스 공급 기구(90)의 동작을 설명하기 위한 도이다. 도 4의 (a)는 전열 가스의 흐름을 나타내고, 도 4의 (b)는 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서의 직경 방향의 압력 분포를 나타낸다. 또한, 도 4의 (a)에서는 제어 밸브가 개방되어 있는 상태를 흑색, 제어 밸브가 폐쇄되어 있는 상태를 백색으로 나타내고, 전열 가스가 흐르는 방향을 화살표로 나타낸다.
전열 가스 확산 영역(A)의 중심부의 압력을 주연부의 압력보다 높게 하는 경우, 도 4의 (a)에 나타나는 바와 같이, 제어 밸브(V2, V3)를 개방하고, 제어 밸브(V1, V4)를 폐쇄한다. 이에 따라, 전열 가스 공급원(92)으로부터 공급되는 전열 가스는, 제 2 가스 공급 라인(94b) 및 가스 홀(h2)을 통하여 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된다. 또한, 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 전열 가스는, 가스 홀(h1) 및 제 1 가스 배기 라인(96a)을 통하여 배기 장치(28)에 의해 배기된다. 이 때, 전열 가스가 정전 척(40)의 상면과 웨이퍼(W)의 이면과의 사이의 좁은 공간을 통과함으로써 발생하는 압력 손실에 의해, 도 4의 (b)에 나타나는 바와 같이, 전열 가스 확산 영역(A)의 중심부의 압력이 주연부의 압력보다 높아진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 중심부에 있어서의 정전 척(40)과 웨이퍼(W)의 사이의 열 전달을, 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서의 정전 척(40)과 웨이퍼(W)의 사이의 열 전달보다 촉진시킬 수 있다. 또한, 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서 중심부로부터 주연부를 향하는 수평 방향의 전열 가스의 흐름을 형성할 수 있으므로, 흐름 저항에 의해 매끄러운 압력 구배를 실현할 수 있다. 또한, 제어 밸브(V2, V3)의 개방도를 조정하고, 전열 가스 확산 영역(A)을 흐르는 전열 가스의 유량을 제어함으로써, 압력 구배를 자재로 제어할 수 있다.
이어서, 전열 가스 공급 기구(90)를 이용하여 배치대(12)에 배치되는 웨이퍼(W)의 온도를 제어하는 방법의 일례에 대하여 설명한다.
먼저, 제어 밸브(V1, V4)를 개방하고, 제어 밸브(V2, V3)를 폐쇄함으로써, 배치대(12)에 마련된 가스 홀(h1)로부터 웨이퍼(W)와 배치대(12)의 사이(전열 가스 확산 영역(A))에 전열 가스를 공급하고, 가스 홀(h2)로부터 전열 가스를 배기한다.
계속해서, 압력계(P1)에 의해 전열 가스를 공급하는 측의 가스 홀(h1)의 압력을 검출하고, 압력계(P4)에 의해 전열 가스를 배기하는 측의 가스 홀(h2)의 압력을 검출한다. 또한, 압력계(P1)에 의해 검출되는 압력과 압력계(P4)에 의해 검출되는 압력에 기초하여, 전열 가스를 공급하는 측의 가스 홀(h1)과 전열 가스를 배기하는 측의 가스 홀(h2)의 압력차를 산출해도 된다.
계속해서, 검출한 압력이 미리 레시피 등에서 정해진 압력이 되도록, 제어 밸브(V1, V4)의 개방도를 조정한다. 또한, 압력차를 산출한 경우에는, 산출한 압력차가 미리 레시피 등으로 정해진 압력차가 되도록, 제어 밸브(V1, V4)의 개방도를 조정해도 된다.
이들의 공정에 의해, 전열 가스 확산 영역(A)의 면내에 있어서의 압력 분포를 원하는 압력 분포로 조정하고, 웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 정전 척(40)과 웨이퍼(W)의 사이의 열 전달량을 제어할 수 있다. 이에 따라, 배치대(12)에 배치되는 웨이퍼(W)의 면내의 온도 분포의 제어성을 높일 수 있다. 또한, 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서 수평 방향의 전열 가스의 흐름을 형성할 수 있으므로, 흐름 저항에 의해 매끄러운 압력 구배를 실현할 수 있다.
또한, 도 2 내지 도 4에서는, 설명의 편의상, 전열 가스 확산 영역(A)에 형성된 2 개의 가스 홀(h1, h2)에 대한 전열 가스의 공급 및 배기를 전환하여 전열 가스의 흐름을 제어하는 경우에 대하여 설명했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 전열 가스 확산 영역(A)에는, 예를 들면 도 5 및 도 6에 나타나는 바와 같이, 평면에서 볼 때에 있어서 동심원 형상, 부채 형상, 또는 이들의 조합의 형상으로 다수의 가스 홀(h)이 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 다수의 가스 홀(h) 중 적어도 어느 하나의 가스 홀(h)로부터 전열 가스 확산 영역(A)에 전열 가스를 공급하고, 별도의 가스 홀(h)로부터 전열 가스를 배기하면 된다. 또한, 도 5 및 도 6은, 전열 가스 확산 영역에 전열 가스를 공급하는 가스 홀의 배치예를 나타내는 도이다.
이상에서 설명한 바와 같이 제 1 실시 형태에서는, 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서 수평 방향의 전열 가스의 흐름을 형성하고, 전열 가스의 흐름의 상류측 및 하류측의 압력을 조정함으로써, 웨이퍼(W) 면내에서의 정전 척(40)으로부터 웨이퍼(W)로의 열 전달량을 제어한다. 이에 따라, 배치대(12)에 배치되는 웨이퍼(W)의 면내의 온도 분포의 제어성을 높일 수 있다.
〔제 2 실시 형태〕
제 2 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치에 대하여 설명한다. 제 2 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치는, 제 1 가스 배기 라인(96a) 및 제 2 가스 배기 라인(96b)에, 각각 오리피스(97a) 및 오리피스(97b)가 개재되어 있는 점에서, 제 1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치와 상이하다. 또한, 그 밖의 구성에 대해서는, 제 1 실시 형태와 동일한 구성으로 할 수 있으므로, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다. 도 7은 제 2 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 전열 가스 공급 기구(90A)를 나타내는 도이다.
도 7에 나타나는 바와 같이, 전열 가스 공급 기구(90A)는 전열 가스 공급원(92)과, 전열 가스 공급 라인(94)과, 전열 가스 배기 라인(96)을 가진다.
전열 가스 공급원(92)은, He 등의 전열 가스를 전열 가스 공급 라인(94)을 통하여 전열 가스 확산 영역(A)으로 공급한다. 전열 가스 확산 영역(A)은, 예를 들면 정전 척(40)의 상면에 형성된 원 형상의 오목부이다. 전열 가스 확산 영역(A)에는, 전열 가스 공급 라인(94)으로부터의 전열 가스가 토출되는 가스 홀(h)이 복수 형성되어 있다. 가스 홀(h1)은 전열 가스 확산 영역(A)의 주연부에 형성된 가스 홀이며, 가스 홀(h2)은 전열 가스 확산 영역(A)의 중심부에 형성된 가스 홀이다. 정전 척(40)의 상면에 웨이퍼(W)가 흡착되면, 웨이퍼(W)의 이면과의 사이에 있어서, 전열 가스 확산 영역(A)에 의해 전열 가스의 공급 공간이 형성된다.
전열 가스 공급 라인(94)은, 전열 가스 공급원(92)으로부터 공급되는 전열 가스를 전열 가스 확산 영역(A)에 공급하기 위한 가스 라인이다. 전열 가스 공급 라인(94)의 일단은 전열 가스 공급원(92)에 접속되어 있으며, 타단은 복수의 가스 공급 라인(예를 들면, 제 1 가스 공급 라인(94a) 및 제 2 가스 공급 라인(94b))으로 분기되어 있다.
제 1 가스 공급 라인(94a)은, 전열 가스 공급원(92)으로부터 공급되는 전열 가스를 가스 홀(h1)을 통하여 전열 가스 확산 영역(A)의 주연부에 공급한다. 제 1 가스 공급 라인(94a)에는 상류측으로부터 제어 밸브(V1) 및 압력계(P1)가 개재되어 있다. 제어 밸브(V1)의 개방도는 압력계(P1)에 의해 검출되는 압력이 원하는 압력이 되도록 제어된다. 또한, 압력계(P1)는 제어 밸브(V1)와 일체로 마련되어 있어도 된다.
제 2 가스 공급 라인(94b)은, 전열 가스 공급원(92)으로부터 공급되는 전열 가스를 가스 홀(h2)을 통하여 전열 가스 확산 영역(A)의 중심부에 공급한다. 제 2 가스 공급 라인(94b)에는 상류측으로부터 제어 밸브(V2) 및 압력계(P2)가 개재되어 있다. 제어 밸브(V2)의 개방도는 압력계(P2)에 의해 검출되는 압력이 원하는 압력이 되도록 제어된다. 또한, 압력계(P2)는 제어 밸브(V2)와 일체로 마련되어 있어도 된다.
전열 가스 배기 라인(96)은 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 전열 가스를 배기하기 위한 가스 라인이다. 전열 가스 배기 라인(96)의 일단은 배기 장치(28)에 접속되어 있으며, 타단이 복수의 가스 배기 라인(예를 들면, 제 1 가스 배기 라인(96a) 및 제 2 가스 배기 라인(96b))으로 분기되어 있다. 또한, 전열 가스 배기 라인(96)은 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 전열 가스를 배기 가능하면 되고, 예를 들면 전열 가스 배기 라인(96)의 일단은 배기 장치(28)와는 다른 배기 장치에 접속되어 있어도 된다.
제 1 가스 배기 라인(96a)은, 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 전열 가스를 가스 홀(h1)을 통하여 배기한다. 제 1 가스 배기 라인(96a)은 제 1 가스 공급 라인(94a)의 제어 밸브(V1)와 가스 홀(h1)의 사이에 접속되어 있다. 제 1 가스 배기 라인(96a)에는 그 전후(상류측과 하류측)에 압력차를 발생시키는 오리피스(97a) 등의 스로틀 기구가 개재되어 있다.
제 2 가스 배기 라인(96b)은, 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 전열 가스를 가스 홀(h2)을 통하여 배기한다. 제 2 가스 배기 라인(96b)은 제 2 가스 공급 라인(94b)의 제어 밸브(V2)와 가스 홀(h2)의 사이에 접속되어 있다. 제 2 가스 배기 라인(96b)에는 그 전후(상류측과 하류측)에 압력차를 발생시키는 오리피스(97b) 등의 스로틀 기구가 개재되어 있다.
이어서, 전열 가스 공급 기구(90A)의 동작예에 대하여 설명한다.
도 8은 도 7의 전열 가스 공급 기구(90A)의 동작을 설명하기 위한 도이며, 전열 가스 확산 영역(A)의 주연부(Edge)의 압력을 중심부(Center)의 압력보다 높게 하는 경우의 전열 가스 공급 기구(90A)의 동작을 설명하기 위한 도이다. 도 8의 (a)는 전열 가스의 흐름을 나타내고, 도 8의 (b)는 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서의 직경 방향의 압력 분포를 나타낸다. 또한, 도 8의 (a)에서는 제어 밸브가 개방되어 있는 상태를 흑색, 제어 밸브가 폐쇄되어 있는 상태를 백색으로 나타내고, 전열 가스가 흐르는 방향을 화살표로 나타낸다.
전열 가스 확산 영역(A)의 주연부의 압력을 중심부의 압력보다 높게 하는 경우, 제어 밸브(V1)를 흐르는 전열 가스의 유량이 제어 밸브(V2)를 흐르는 전열 가스의 유량보다 커지도록, 예를 들면 제어 밸브(V1)의 개방도를 제어 밸브(V2)의 개방도보다 크게 한다. 예를 들면, 도 8의 (a)에 나타나는 바와 같이, 제 1 가스 공급 라인(94a)에 4 sccm의 전열 가스가 공급되고 제 2 가스 공급 라인(94b)에 1 sccm의 전열 가스가 공급되도록, 제어 밸브(V1, V2)의 개방도를 제어한다. 이에 따라, 제 1 가스 공급 라인(94a)에 공급된 4 sccm의 전열 가스 중, 1 sccm의 전열 가스가 전열 가스 확산 영역(A)에 공급되고, 3sccm의 전열 가스가 제 1 가스 배기 라인(96a)을 통하여 배기 장치(28)에 의해 배기된다. 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 1 sccm의 전열 가스는 가스 홀(h2)을 통하여 제 2 가스 배기 라인(96b)으로 흘러, 제 2 가스 공급 라인(94b)에 공급된 1 sccm의 전열 가스와 함께, 배기 장치(28)에 의해 배기된다. 이 때, 전열 가스가 정전 척(40)의 상면과 웨이퍼(W)의 이면과의 사이의 좁은 공간을 통과함으로써 발생하는 압력 손실에 의해, 도 8의 (b)에 나타나는 바와 같이, 전열 가스 확산 영역(A)의 주연부의 압력이 중심부의 압력보다 높아진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서의 정전 척(40)과 웨이퍼(W)의 사이의 열 전달을, 웨이퍼(W)의 중심부에 있어서의 정전 척(40)과 웨이퍼(W)의 사이의 열 전달보다 촉진시킬 수 있다. 또한, 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서 주연부로부터 중심부를 향하는 수평 방향의 전열 가스의 흐름을 형성할 수 있으므로, 흐름 저항에 의해 매끄러운 압력 구배를 실현할 수 있다. 또한, 제어 밸브(V1, V2)의 개방도를 조정하여, 전열 가스 확산 영역(A)을 흐르는 전열 가스의 유량을 제어함으로써, 압력 구배를 자재로 제어할 수 있다.
도 9는 도 7의 전열 가스 공급 기구(90A)의 동작을 설명하기 위한 도이며, 전열 가스 확산 영역(A)의 중심부(Center)의 압력을 주연부(Edge)의 압력보다 높게 하는 경우의 전열 가스 공급 기구(90A)의 동작을 설명하기 위한 도이다. 도 9의 (a)는 전열 가스의 흐름을 나타내고, 도 9의 (b)는 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서의 직경 방향의 압력 분포를 나타낸다. 또한, 도 9의 (a)에서는 제어 밸브가 개방되어 있는 상태를 흑색, 제어 밸브가 폐쇄되어 있는 상태를 백색으로 나타내고, 전열 가스가 흐르는 방향을 화살표로 나타낸다.
전열 가스 확산 영역(A)의 중심부의 압력을 주연부의 압력보다 높게 하는 경우, 제어 밸브(V2)를 흐르는 전열 가스의 유량이 제어 밸브(V1)를 흐르는 전열 가스의 유량보다 커지도록, 예를 들면 제어 밸브(V2)의 개방도를 제어 밸브(V1)의 개방도보다 크게 한다. 예를 들면, 도 9의 (a)에 나타나는 바와 같이, 제 1 가스 공급 라인(94a)에 1 sccm의 전열 가스가 공급되고 제 2 가스 공급 라인(94b)에 4 sccm의 전열 가스가 공급되도록, 제어 밸브(V1, V2)의 개방도를 제어한다. 이에 따라, 제 2 가스 공급 라인(94b)에 공급된 4 sccm의 전열 가스 중, 1 sccm의 전열 가스가 전열 가스 확산 영역(A)에 공급되고, 3 sccm의 전열 가스가 제 2 가스 배기 라인(96b)을 통하여 배기 장치(28)에 의해 배기된다. 전열 가스 확산 영역(A)에 공급된 1 sccm의 전열 가스는 가스 홀(h1)을 통하여 제 1 가스 배기 라인(96a)으로 흐르고, 제 1 가스 공급 라인(94a)에 공급된 1 sccm의 전열 가스와 함께, 배기 장치(28)에 의해 배기된다. 이 때, 전열 가스가 정전 척(40)의 상면과 웨이퍼(W)의 이면과의 사이의 좁은 공간을 통과함으로써 발생하는 압력 손실에 의해, 도 9의 (b)에 나타나는 바와 같이, 전열 가스 확산 영역(A)의 중심부의 압력이 주연부의 압력보다 높아진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 중심부에 있어서의 정전 척(40)과 웨이퍼(W)의 사이의 열 전달을, 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서의 정전 척(40)과 웨이퍼(W)의 사이의 열 전달보다 촉진시킬 수 있다. 또한, 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서 중심부로부터 주연부를 향하는 수평 방향의 전열 가스의 흐름을 형성할 수 있으므로, 흐름 저항에 의해 매끄러운 압력 구배를 실현할 수 있다. 또한, 제어 밸브(V1, V2)의 개방도를 조정하여, 전열 가스 확산 영역(A)을 흐르는 전열 가스의 유량을 제어함으로써, 압력 구배를 자재로 제어할 수 있다.
이어서, 전열 가스 공급 기구(90A)를 이용하여 배치대(12)에 배치되는 웨이퍼(W)의 온도를 제어하는 방법의 일례에 대하여 설명한다.
먼저, 제어 밸브(V1)의 개방도가 제어 밸브(V2)의 개방도보다 커지도록 조정 함으로써, 배치대(12)에 마련된 가스 홀(h1)로부터 웨이퍼(W)와 배치대(12)의 사이(전열 가스 확산 영역(A))에 전열 가스를 공급하고, 가스 홀(h2)로부터 전열 가스를 배기한다.
계속해서, 압력계(P1)에 의해 전열 가스를 공급하는 측의 가스 홀(h1)의 압력을 검출하고, 압력계(P2)에 의해 전열 가스를 배기하는 측의 가스 홀(h2)의 압력을 검출한다. 또한, 압력계(P1)에 의해 검출되는 압력과 압력계(P2)에 의해 검출되는 압력에 기초하여, 전열 가스를 공급하는 측의 가스 홀(h1)과 전열 가스를 배기하는 측의 가스 홀(h2)과의 압력차를 산출해도 된다.
계속해서, 검출한 압력이 미리 레시피 등에서 정해진 압력이 되도록, 제어 밸브(V1, V2)의 개방도를 조정한다. 또한, 압력차를 산출한 경우에는, 산출한 압력차가 미리 레시피 등에서 정해진 압력차가 되도록, 제어 밸브(V1, V2)의 개방도를 조정해도 된다.
이들 공정에 의해, 전열 가스 확산 영역(A)의 면내에 있어서의 압력 분포를 원하는 압력 분포로 조정하고, 웨이퍼(W)의 면내에 있어서의 정전 척(40)과 웨이퍼(W)와의 사이의 열 전달량을 제어할 수 있다. 이에 따라, 배치대(12)에 배치되는 웨이퍼(W)의 면내의 온도 분포의 제어성을 높일 수 있다. 또한, 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서 수평 방향의 전열 가스의 흐름을 형성할 수 있으므로, 흐름 저항에 의해 매끄러운 압력 구배를 실현할 수 있다.
또한, 도 7 내지 도 9에는, 설명의 편의상, 전열 가스 확산 영역(A)에 형성된 2 개의 가스 홀(h1, h2)에 대한 전열 가스의 공급 및 배기를 전환하여 전열 가스의 흐름을 제어하는 경우에 대하여 설명했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 전열 가스 확산 영역(A)에는, 예를 들면 도 5 및 도 6에 나타나는 바와 같이, 평면에서 볼 때에 있어서 동심원 형상, 부채 형상, 또는 이들 조합의 형상으로 다수의 가스 홀(h)이 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 다수의 가스 홀(h) 중 적어도 어느 하나의 가스 홀(h)로부터 전열 가스 확산 영역(A)으로 전열 가스를 공급하고, 별도의 가스 홀(h)로부터 전열 가스를 배기하면 된다. 또한, 도 5 및 도 6은, 전열 가스 확산 영역에 전열 가스를 공급하는 가스 홀의 배치예를 나타내는 도이다.
이상에서 설명한 바와 같이 제 2 실시 형태에서는, 전열 가스 확산 영역(A)에 있어서 수평 방향의 전열 가스의 흐름을 형성하고, 전열 가스의 흐름의 상류측 및 하류측의 압력을 조정함으로써, 웨이퍼(W) 면내에서의 정전 척(40)으로부터 웨이퍼(W)로의 열 전달량을 제어한다. 이에 따라, 배치대(12)에 배치되는 웨이퍼(W)의 면내의 온도 분포의 제어성을 높일 수 있다.
특히, 제 2 실시 형태에서는, 제 1 가스 공급 라인(94a) 및 제 2 가스 공급 라인(94b)에 개재된 제어 밸브(V1, V2)를 제어하는 것만으로 웨이퍼(W) 면내에서의 정전 척(40)으로부터 웨이퍼(W)로의 열 전달량을 제어할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W) 면내에서의 정전 척(40)으로부터 웨이퍼(W)로의 열 전달량의 제어가 제 1 실시 형태보다 용이하다.
또한, 상기의 각 실시 형태에 있어서, 제어 밸브(V1, V2)는 제 1 제어 밸브의 일례이며, 제어 밸브(V3, V4)는 제 2 제어 밸브의 일례이다.
이상, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 설명했지만, 상기 내용은, 발명의 내용을 한정하는 것은 아니고, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 개량이 가능하다.
예를 들면, 본 발명에 따른 온도 제어 방법은, 용량 결합형 플라즈마(CCP : Capacitively Coupled Plasma) 장치뿐만 아니라, 그 밖의 플라즈마 처리 장치에 적용 가능하다. 그 밖의 플라즈마 처리 장치로서는, 유도 결합형 플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma), 래디얼 라인 슬롯 안테나를 이용한 플라즈마 처리 장치, 헬리콘파
여기형 플라즈마(HWP : Helicon Wave Plasma) 장치, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마(ECR : Electron Cyclotron Resonance Plasma) 장치 등이어도 된다.
10 : 처리 용기
12 : 배치대
28 : 배기 장치
40 : 정전 척
90 : 전열 가스 공급 기구
92 : 전열 가스 공급원
94 : 전열 가스 공급 라인
96 : 전열 가스 배기 라인
97a, 97b : 오리피스
h, h1, h2 : 가스 홀
A : 전열 가스 확산 영역
P1∼ : 압력계
V1∼ : 제어 밸브
W : 웨이퍼

Claims (8)

  1. 배치대에 배치되는 피처리체의 온도 제어 방법으로서,
    상기 배치대에 마련된 복수의 가스 홀 중 제 1 가스 홀로부터 상기 피처리체와 상기 배치대의 사이에 전열 가스를 공급하고, 상기 제 1 가스 홀과는 상이한 제 2 가스 홀로부터 상기 전열 가스를 배기하는 공정과,
    상기 전열 가스를 공급하는 상기 가스 홀 및 상기 전열 가스를 배기하는 상기 가스 홀의 압력을 검출하는 공정과,
    상기 압력을 조정하는 공정을 가지며,
    제 1 가스 유로가 상기 제 1 가스 홀에 접속되고, 상기 제 1 가스 유로로부터 제 1 가스 분기로가 분기하고, 제 2 가스 유로가 상기 제 2 가스 홀에 접속되고, 상기 제 2 가스 유로로부터 제 2 가스 분기로가 분기하고, 단일 가스 공급로가 상기 제 1 가스 유로 및 상기 제 2 가스 유로에 접속되고, 단일 가스 배기로가 상기 제 1 가스 분기로 및 상기 제 2 가스 분기로에 접속되며, 상기 압력을 조정하는 공정에 있어서, 상기 제 1 가스 유로를 흐르는 가스와 상기 제 2 가스 유로를 흐르는 가스의 유량 비율 및 상기 제 1 가스 분기로를 흐르는 가스와 상기 제 2 가스 분기로를 흐르는 가스의 유량 비율을 제어하는 온도 제어 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 홀은, 평면에서 볼 때에 있어서, 동심원 형상, 부채 형상, 또는 이들 조합의 형상으로 배치되어 있는 온도 제어 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 홀의 각각은 전열 가스 공급원 및 배기 장치와 접속되어 있으며,
    상기 전열 가스 공급원과 상기 가스 홀의 사이에는, 상기 가스 홀에 공급되는 상기 전열 가스의 유량을 제어하는 제 1 제어 밸브가 개재되어 있고,
    상기 배기 장치와 상기 가스 홀의 사이에는, 상기 가스 홀로부터 배기되는 상기 전열 가스의 유량을 제어하는 제 2 제어 밸브가 개재되어 있는 온도 제어 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 압력을 조정하는 공정은 상기 제 1 제어 밸브 및 상기 제 2 제어 밸브를 제어 함으로써 실행되는 온도 제어 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 홀의 각각은 전열 가스 공급원 및 배기 장치와 접속되어 있으며,
    상기 전열 가스 공급원과 상기 가스 홀과의 사이에는, 상기 가스 홀에 공급되는 상기 전열 가스의 유량을 제어하는 제 1 제어 밸브가 개재되어 있고,
    상기 배기 장치와 상기 가스 홀의 사이에는, 스로틀 기구가 개재되어 있는 온도 제어 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 압력을 조정하는 공정은 상기 제 1 제어 밸브를 제어함으로써 실행되는 온도 제어 방법.
  7. 배치대에 배치되는 피처리체의 온도 제어 방법으로서,
    상기 피처리체와 상기 배치대의 사이에 수평 방향의 전열 가스의 흐름을 형성하는 공정과,
    상기 전열 가스의 흐름의 상류측 및 하류측의 압력을 검출하는 공정과,
    상기 압력을 조정하는 공정을 가지며,
    제 1 가스 유로가 상기 배치대에 마련된 복수의 가스 홀 중 제 1 가스 홀에 접속되고, 상기 제 1 가스 유로로부터 제 1 가스 분기로가 분기하고, 제 2 가스 유로가 상기 배치대에 마련된 복수의 가스 홀 중 제 2 가스 홀에 접속되고, 상기 제 2 가스 유로로부터 제 2 가스 분기로가 분기하고, 단일 가스 공급로가 상기 제 1 가스 유로 및 상기 제 2 가스 유로에 접속되고, 단일 가스 배기로가 상기 제 1 가스 분기로 및 상기 제 2 가스 분기로에 접속되며, 상기 압력을 조정하는 공정에 있어서, 상기 제 1 가스 유로를 흐르는 가스와 상기 제 2 가스 유로를 흐르는 가스의 유량 비율 및 상기 제 1 가스 분기로를 흐르는 가스와 상기 제 2 가스 분기로를 흐르는 가스의 유량 비율을 제어하는 온도 제어 방법.
  8. 처리 용기와,
    상기 처리 용기의 내부에 마련된 배치대와,
    상기 배치대의 표면에 마련된 제 1 가스 홀과,
    상기 제 1 가스 홀에 접속된 제 1 가스 유로와,
    상기 제 1 가스 유로로부터 분기하는 제 1 가스 분기로와,
    상기 배치대의 표면에 마련되고, 상기 제 1 가스 홀과 상이한 제 2 가스 홀과,
    상기 제 2 가스 홀에 접속된 제 2 가스 유로와,
    상기 제 2 가스 유로로부터 분기하는 제 2 가스 분기로와,
    상기 제 1 가스 유로에 접속되고 상기 제 2 가스 유로에 접속되는 단일 가스 공급로와,
    상기 제 1 가스 분기로에 접속되고 상기 제 2 가스 분기로에 접속되는 단일 가스 배기로와,
    제어부
    를 가지고,
    상기 제어부는 상기 제 1 가스 유로를 흐르는 가스와 상기 제 2 가스 유로를 흐르는 가스의 유량 비율 및 상기 제 1 가스 분기로를 흐르는 가스와 상기 제 2 가스 분기로를 흐르는 가스의 유량 비율을 제어하는, 기판 처리 시스템.
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