KR102553636B1 - 레이저 방출 시스템 - Google Patents

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KR102553636B1
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Abstract

본 발명은 광통신 기술 분야에 관한 것이고, 구체적으로 레이저 방출 시스템에 관한 것이며, 상기 레이저 방출 시스템은 버스트 신호 컨트롤러, 전환 스위치, 전원, 레이저 장치 및 바이패스 회로를 포함하며, 상기 버스트 신호 컨트롤러는 상기 전환 스위치에 연결되어 상기 전환 스위치에 버스트 제어 신호를 송신하도록 구성되며, 상기 전환 스위치는 상기 버스트 제어 신호에 따라 상기 전원을 상기 레이저 장치 또는 상기 바이패스 회로에 연결하도록 구성된다. 본 발명에 따른 레이저 방출 시스템을 사용하여 레이저 장치 광신호의 구축 시간을 단축시킬 수 있다.

Description

레이저 방출 시스템
본 발명은 광통신 기술 분야에 관한 것이고, 구체적으로 레이저 방출 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 2018년 10월 26일자로 중국지적재산국에 출원한 출원번호가 201811259597.6이고 명칭이 "레이저 방출 시스템"인 중국 특허출원을 우선권으로 주장하고, 그 출원의 모든 내용을 참조로 본 발명에 원용 결합한다.
정보 전송 대역폭에 대한 수요가 급증함에 따라, 더욱 큰 용량에 대한 수요에 대응할 수 있도록, TWDM-PON(시분할 및 파장 분할 다중화 수동 광 네트워크, Time and Wavelength Division Multiplexed Passive Optical Network) 및 NGPON2(차세대 수동 광 네트워크, Next Generation Passive Optical Network stage 2)가 제안되었다. PON 시스템의 각 광 회선 단말은 복수의 ONU(광 네트워크 유닛, Optical Network Unit)에 연결된다.
광원 소자로서 레이저 장치는 ONU의 중요한 구성 부분이다. 레이저 장치에서 발생하는 노이즈로 인한 성능 저하를 억제하기 위해, 전류 또는 전압이 흐르는 경로에 바이패스 캐퍼시터를 추가하는 것이 공지되어 있다. 또한, 레이저 장치 자체에도 기생 용량이 존재할 수 있다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 이러한 커패시턴스의 존재로 인해 광신호의 구축 시간이 너무 길어, 수요를 충족시킬 수 없다.
따라서, 광신호의 구축 시간을 단축시킬 수 있는 방법이 필요하다.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 광신호의 구축 시간을 단축할 수 있는 레이저 방사시스템을 제공하는 데에 있다.
상술한 기술 문제를 해결하기 위해서, 본 발명에서 제공하는 기술 방안은 버스트 신호 컨트롤러, 전환 스위치, 전원, 레이저 장치 및 바이패스 회로를 포함하며, 여기에서 상기 버스트 신호 컨트롤러는 상기 전환 스위치에 연결되어 상기 전환 스위치에 버스트 제어 신호를 송신하도록 구성되며, 상기 전환 스위치는 상기 버스트 제어 신호에 따라 상기 전원을 상기 레이저 장치 또는 상기 바이패스 회로에 연결하도록 구성되는 레이저 방출 시스템을 제공한다.
선택적으로, 상기 버스트 제어 신호는 펄스 전기 신호이고, 여기에서 상기 펄스 전기 신호는 하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호를 포함한다.
선택적으로, 상기 레이저 장치는 EML 레이저 장치이다.
선택적으로, 상기 레이저 장치는 DFB 레이저 장치이다.
선택적으로, 상기 레이저 방출 시스템은 EML 드라이버를 포함하고, 상기 전원은 상기 EML 드라이버에서 출력하는 바이어스 전류이다.
선택적으로, 상기 전원은 전압원 및 제1 PMOS(P채널 금속 산화물 반도체, P-channel Metal Oxide Semiconductor)트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 전압원에 연결되고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트는 게이트 전위 제어 전압에 연결되고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 전환 스위치에 연결된다.
선택적으로, 상기 바이패스 회로는 일단이 상기 전환 스위치에 연결되고 타단이 접지되는 리지스터(resistor)만 포함한다.
선택적으로, 상기 바이패스 회로는 리지스터 및 캐퍼시터를 포함하며, 여기에서 상기 리지스터의 일단은 상기 전환 스위치에 연결되고, 상기 리지스터가 상기 캐퍼시터에 병렬 연결된 후 상기 리지스터의 타단은 접지된다.
선택적으로, 상기 바이패스 회로는 NPN 트라이오드 및 리지스터를 포함하며, 여기에서 상기 NPN 트라이오드의 컬렉터는 상기 전환 스위치에 연결되고, 상기 NPN 트라이오드의 이미터는 접지되고, 상기 NPN 트라이오드의 베이스는 상기 리지스터를 통해 베이스 전위 제어 전압에 연결된다.
선택적으로, 상기 베이스 전위 제어 전압은 DAC에서 제공된다.
선택적으로, 상기 바이패스 회로는 NMOS(N채널 금속 산화물 반도체, N-channel metal oxide semiconductor)트랜지스터를 포함하고, NMOS 트랜지스터의 소스는 상기 전환 스위치에 연결되고, 드레인은 접지되고, 게이트는 게이트 전위 제어 전압에 연결된다.
선택적으로, 상기 게이트 전위 제어 전압은 DAC에서 제공된다.
선택적으로, 상기 전환 스위치는 제2 PMOS 트랜지스터, 제3 PMOS 트랜지스터 및 인버터를 포함하며, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 인버터를 통해 상기 버스트 신호 컨트롤러에 연결되고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 전원에 연결되고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 바이패스 회로에 연결되며, 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 버스트 신호 컨트롤러에 연결되고, 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 전원에 연결되고, 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 레이저 장치에 연결된다.
선택적으로, 상기 전환 스위치는 입력단이 상기 전원에 연결되고, 제1 고정단이 상기 바이패스 회로에 연결되며, 제2 고정단이 상기 레이저 장치에 연결되는 단극 쌍투형 스위치이다.
본 발명의 실시예들에 의한 레이저 방출 시스템은 광신호의 구축 시간을 단축할 수 있음에 따라서, 바이패스 캐퍼시터의 추가 및 레이저 장치 자체의 기생 용량 존재로 인하여 광신호의 구축 시간이 너무 길다는 종래기술의 문제를 완화시킬 수 있는 효과를 제공한다.
도 1은 종래 기술의 레이저 장치 광신호 구축 시간의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 구조 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 전환 스위치가 버스트 제어 신호에 따라 레이저 장치 또는 바이패스 회로를 켜는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 구조 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 구조 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 구조 개략도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 구조 개략도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 구조 개략도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 구조 개략도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따른 구조 개략도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시형태에 따른 구조 개략도이다.
이하, 본 발명의 실시예의 첨부 도면에 결부하여, 본 발명의 실시예에 따른 기술 방안을 더욱 명백하고 완전하게 설명하도록 하고, 설명하는 실시예는 본 발명의 일부 실시예에 불과하고, 전체 실시예가 아닌 것은 명백하며, 본 발명의 실시예에 기초하여, 본 기술 분야의 통상의 기술자가 창조적인 노동을 들이지 않는 전제하에 얻는 모든 다른 실시예는 모두 본 발명의 청구 범위 내에 속하는 것은 자명한 것이다.
본 발명의 명세서, 특허청구 범위 및 상술한 첨부 도면에 기재된 용어 “제1”, “제2”, “제3”, “제4” 등(존재할 경우)은 유사한 대상을 구별하기 위한 것이고, 특정된 순서 또는 선후 순서를 설명하기 위한 것이 아니다. 이렇게 사용되는 데이터는 적합한 상황에 따라 호환되어 여기서 설명하는 실시예가 여기에서 보여주거나 설명되는 이외의 순서에 따라 실시할 수 있음을 이해해야 한다. 또한, 용어 “포함” 및 “구비” 및 이들의 임의의 변형은 비배타적인 포함을 의도한 것이고, 예를 들어, 일련의 단계 또는 유닛을 포함하는 과정, 방법, 시스템, 제품 또는 설비는 명백하게 열거하는 그러한 단계 또는 유닛으로 제한되지 않으며, 명백하게 열거하지 않거나 이러한 과정, 방법, 제품 또는 설비의 고유한 다른 단계 또는 유닛을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명은 레이저 방출 시스템을 제공하고, 해당 레이저 방출 시스템은 버스트 신호 컨트롤러, 전환 스위치, 전원, 레이저 장치 및 바이패스 회로를 포함한다. 상기 버스트 신호 컨트롤러는 상기 전환 스위치에 연결되어 상기 전환 스위치에 버스트 제어 신호를 송신하도록 구성되며, 상기 전환 스위치는 상기 버스트 제어 신호에 따라 상기 전원을 상기 레이저 장치 또는 상기 바이패스 회로에 연결하도록 구성된다. 일 실시예에 있어서, 상기 버스트 제어 신호는 펄스 전기 신호이고, 상기 펄스 전기 신호는 하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호를 포함한다. 일례에서, 제1 신호는 하이 레벨 신호이고, 제2 신호는 로우 레벨 신호이며, 도 3을 참조하면, 상기 전환 스위치는, 수신된 버스트 제어 신호가 제1 신호일 경우 상기 전원을 상기 레이저 장치에 연결하여 상기 레이저 장치가 발광하고, 수신된 버스트 제어 신호가 제2 신호일 경우 상기 전원을 상기 바이패스 회로에 연결하여 상기 바이패스 회로를 턴온한다. 상기 실시예는 구체적인 구현 방법을 제공하였으나, 유의하여야 할 점은, 상기 버스트 제어 신호는 펄스 전기 신호에 한정되지 않으며, 그리고 상기 제1 신호 및 제2 신호는 하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호에 한정되지 않는다.
상기 실시예에 있어서, 상기 전환 스위치는 상기 버스트 제어 신호의 제어 하에서 상기 전원을 상기 바이패스 회로 또는 상기 레이저 장치에 연결하여, 레이저 장치 발광이 필요할 경우, 상기 전원을 상기 레이저 장치에 연결하고, 상기 레이저 장치 발광이 필요하지 않을 경우, 상기 전원을 상기 레이저 장치에서 분리시켜서, 레이저 장치에 대한 버스트 구동을 실현하여 ONU에 대한 시분할 다중화 네트워크의 수요를 만족시킨다.
상기 실시예에 있어서, 레이저 장치가 발광하지 않을 경우, 전원에서 공급되는 전류는 완전히 흐르지 않는 것이 아니고, 바이패스 회로에서 계속 흐름으로써, 전류의 연속성을 유지하고, 이로써 전원이 레이저 장치에 전환될 경우, 전류 통로를 빠르게 구축할 수 있어 구축 시간을 단축시킨다.
또한, 상기 실시예에 있어서, 전환 스위치는 버스트 제어 신호의 제어 하에서 레이저 장치 및 바이패스 회로 사이에서 전환되며, 버스트 제어 신호 변경 시, 전환 스위치는 빠르게 전환되고, 레이저 장치의 작동 상태는 즉시 변경된다. 따라서 본 발명의 레이저 장치는 버스트 제어 신호에 대해 빠르게 응답할 수 있다.
또한, 상기 실시예에 있어서, 상기 레이저 장치는 발광할 필요가 없는 경우 전원에서 분리되어 레이저 장치가 완전히 발광하지 않기에, 간섭 광신호가 발생하지 않는다.
또한, 상기 실시예의 구조는 간단하고, 실현이 용이하다.
선택적인 실시예에 있어서, 상기 레이저 장치는 EML(전계 흡수 변조기, Electro Absorption Modulator) 레이저 장치이다. 그러나 유의해야 할 점은 비록 상기 실시예에 있어서 상기 레이저 장치는 선택적으로 EML레이저 장치이지만, 본 발명은 EML 레이저 장치에 한정되지 않으며, DFB(분포 귀환형, Distributed Feedback Laser) 레이저 장치 등일 수도 있다.
상기 EML 레이저 장치가 연속 모드에서 작동하도록 구동하기 위한 드라이버는 EML레이저 장치의 연속 드라이버로 한다. EML레이저 장치가 버스트 모드에서 작동하도록 구동하기 위한 드라이버는 EML레이저 장치의 버스트 드라이버로 한다. 현재, EML레이저 장치가 연속 모드에서 작동하는 관련 기술은 비교적 성장되었다. 이미 EML레이저 장치의 연속 드라이버가 많이 출시되어 있다. 그러나, EML레이저 장치의 버스트 드라이버는 아직 드물다. 본 발명의 실시형태에서 제공하는 레이저 방출 시스템은 한편으로 EML레이저 장치의 버스트 작동을 실현할 수 있고, 다른 한편, 본 발명의 실시형태는 이미 성장된 EML레이저 장치의 연속 드라이버의 기초 상에 약간의 변경을 진행하기만 하면 EML레이저 장치의 버스트 모드에 대한 지원을 실현할 수 있고 실현이 용이하다.
예를 들어, 일 실시예에 있어서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 레이저 장치는 EML 레이저 장치이고, 상기 전원은 EML레이저 장치의 연속 드라이버의 소스 출력 전류 모드(source mode) 하의 Ibias(바이어스 전류) 핀을 직접 사용한다. 종래 기술에 EML 레이저 장치의 연속 드라이버가 이미 존재하기 때문에, 상기 실시예는 EML드라이버의 Ibias를 전원으로 직접 사용하기만 하면 되고, 별도로 전원을 설치할 필요가 없어, 실현이 용이하다.
다른 실시예에 있어서, 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 전원은 전압원 및 제1 PMOS 트랜지스터로 구성된다. 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 전압원에 연결되고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트는 게이트 전위 제어 전압에 연결되고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 전환 스위치에 연결된다. 일 실시예에서, 전압원은 DCDC 컨버터를 포함하고, 출력 전압은 1.8V이며, 레이저 장치 작동 시 점유하는 전압은 1.5V이고, 나머지 전압인 0.3V는 PMOS 트랜지스터의 Rds 리지스터에 인가되며, PMOS 트랜지스터의 게이트를 제어하는 것을 통해 Rds의 크기를 제어할 수 있음으로써, 레이저 장치에 제공하는 전류 크기를 제어할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 바이패스 회로는 일단이 상기 전환 스위치에 연결되고 타단이 접지되는 리지스터만 포함한다. 하나의 실시형태에 있어서, 도 7에 나타낸 바와 같이, 상기 바이패스 회로는 리지스터 및 캐퍼시터를 포함하며, 상기 리지스터의 일단은 상기 전환 스위치에 연결되고, 상기 리지스터가 상기 캐퍼시터에 병렬 연결된 후 상기 리지스터의 타단은 접지된다. 일 실시예에 있어서, 도 8에 나타낸 바와 같이, 상기 바이패스 회로는 NPN 트라이오드 및 리지스터를 포함하며, 상기 NPN 트라이오드의 컬렉터는 상기 전환 스위치에 연결되고, 상기 NPN 트라이오드의 이미터는 접지되고, 상기 NPN 트라이오드의 베이스는 리지스터를 통해 베이스 전위 제어 전압에 연결되며, 상기 베이스 전위 제어 전압은 DAC(디지털-아날로그 컨버터, Digital to analog converter)에서 제공될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도 9에 나타낸 바와 같이, 상기 바이패스 회로는 소스가 상기 전환 스위치에 연결되고, 드레인이 접지되고, 게이트가 게이트 전위 제어 전압에 연결되는 NMOS 트랜지스터를 포함하며, 상기 게이트 전위 제어 전압은 DAC에서 제공될 수 있다. 유의해야 할 점은, 본 발명의 바이패스 회로는 상술된 실시형태에 한정되지 않으며, 전류의 연속성을 유지할 수 있기만 하면 가능하다.
일 실시예에 있어서, 도 10에 나타낸 바와 같이, 상기 전환 스위치는 제2 PMOS 트랜지스터, 제3 PMOS 트랜지스터 및 인버터를 포함하며, 여기에서 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 인버터를 통해 상기 버스트 신호 컨트롤러에 연결되고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 전원에 연결되고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 바이패스 회로에 연결되며, 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 버스트 신호 컨트롤러에 연결되고, 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 전원에 연결되고, 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 레이저 장치에 연결된다. 일 실시예에 있어서, 도 11에 나타낸 바와 같이, 상기 전환 스위치는 입력단이 상기 전원에 연결되고, 제1 고정단이 상기 바이패스 회로에 연결되고, 제2 고정단이 상기 레이저 장치에 연결되는 단극 쌍투형 스위치이다. 상기 단극 쌍투형 스위치의 실시형태에 있어서, PMOS 트랜지스터를 사용하여 전환 스위치를 실현하는 상술한 실시형태에 비해, 단극 쌍투형 스위치는 회로 기판의 면적을 줄이고, 비용을 저감하는 유익한 효과를 가지고, PMOS 트랜지스터 스위치가 고속 연속 스위칭 시 형성하는 EMI(전자파 장애, Electro Magnetic Interference)를 피할 수 있기에, 다른 소자에 대한 간섭을 피할 수 있다. 유의해야 할 점은, 본 발명의 전환 스위치는 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 상기 버스트 제어 신호에 따라 상기 전원을 상기 레이저 장치 또는 상기 바이패스 회로에 연결할 수 있기만 하면 사용이 가능하다.
본 발명에서 제공하는 레이저 방출 시스템은 종래 기술에 비해, 레이저 장치 광신호의 구축 시간을 단축할 수 있다.
유의해야 할 점은, 본 명세서에서의 여러 실시예는 점진적으로 설명되었고, 각각의 실시예의 중점적인 설명은 다른 실시예와의 차이점이고, 각각의 실시예 사이의 같거나 유사한 부분은 서로 참조할 수 있다.
이상은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과하고, 상술한 바람직한 실시형태는 본 발명에 대한 한정으로 간주할 수 없고, 본 발명의 보호 범위는 특허청구범위에 준한다. 본 기술분야의 통상의 기술자에게 있어서, 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않는 전제하에서 여러 개선 및 변경을 실시할 수 있고, 이러한 개선 및 변경은 본 발명의 청구범위 내에 속하는 것으로 간주된다.

Claims (14)

  1. 버스트 신호 컨트롤러, 전환 스위치, 전원, 레이저 장치 및 바이패스 회로를 포함하고,
    상기 버스트 신호 컨트롤러는 상기 전환 스위치에 연결되어 상기 전환 스위치에 펄스 전기 신호인 버스트 제어 신호를 송신하도록 구성되고,
    상기 전환 스위치는 상기 버스트 제어 신호에 따라 상기 전원을 상기 레이저 장치 또는 상기 바이패스 회로에 연결하도록 구성되고,
    상기 전원이 상기 레이저에 연결되는 경우, 상기 레이저는 발광하며,
    상기 전원이 상기 바이패스 회로에 연결되는 경우, 상기 레이저는 발광하지 않고 상기 전원과 연결 시의 상기 바이패스 회로의 전류의 연속성을 유지하는 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 펄스 전기 신호는 하이 레벨 신호 및 로우 레벨 신호를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 레이저 장치는 EML(전계 흡수 변조기, Electro Absorption Modulator) 레이저 장치인 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 레이저 장치는 DFB(분포 귀환형, Distributed Feedback Laser) 레이저 장치인 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  5. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 레이저 방출 시스템은 EML 드라이버를 포함하고, 상기 전원은 상기 EML 드라이버에서 출력하는 바이어스 전류인 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  6. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 전원은 전압원 및 제1 PMOS 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제1 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 전압원에 연결되고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트는 게이트 전위 제어 전압에 연결되고, 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 전환 스위치에 연결되는 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  7. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 바이패스 회로는 일단이 상기 전환 스위치에 연결되고 타단이 접지되는 리지스터만 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  8. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 바이패스 회로는 리지스터 및 캐퍼시터를 포함하며,
    상기 리지스터의 일단은 상기 전환 스위치에 연결되고, 상기 리지스터가 상기 캐퍼시터에 병렬 연결된 후 상기 리지스터의 타단은 접지되는 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  9. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 바이패스 회로는 NPN 트라이오드 및 리지스터를 포함하며,
    상기 NPN 트라이오드의 컬렉터는 상기 전환 스위치에 연결되고, 상기 NPN 트라이오드의 이미터는 접지되고, 상기 NPN 트라이오드의 베이스는 리지스터를 통해 베이스 전위 제어 전압에 연결되는 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 베이스 전위 제어 전압은 DAC(디지털-아날로그 컨버터, Digital to analog converter)에서 제공되는 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  11. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 바이패스 회로는 소스가 상기 전환 스위치에 연결되고, 드레인이 접지되고, 게이트가 게이트 전위 제어 전압에 연결되는 NMOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 게이트 전위 제어 전압은 DAC에서 제공되는 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  13. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 전환 스위치는 제2 PMOS 트랜지스터, 제3 PMOS 트랜지스터 및 인버터를 포함하고,
    상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 인버터를 통해 상기 버스트 신호 컨트롤러에 연결되고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 전원에 연결되고, 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 바이패스 회로에 연결되며,
    상기 제3 PMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 버스트 신호 컨트롤러에 연결되고, 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 전원에 연결되고, 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 소스는 상기 레이저 장치에 연결되는 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
  14. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 전환 스위치는 입력단이 상기 전원에 연결되고, 제1 고정단이 상기 바이패스 회로에 연결되고, 제2 고정단이 상기 레이저 장치에 연결되는 단극 쌍투형 스위치인 것을 특징으로 하는 레이저 방출 시스템.
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