KR102547401B1 - 발광 소자 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 신호 라인의 수를 줄일 수 있는 발광 소자 표시 장치에 관한 것으로, 복수의 화소들을 포함하며; 복수의 화소들 중 적어도 하나의 화소는, 제 1 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 노드와 제 3 노드 사이에 접속된 구동 스위칭 소자; 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 제 1 스위칭 소자; 발광 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 구동 전원 라인과 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스위칭 소자; 제 1 노드와 제 4 노드 사이에 접속된 커패시터; 제 3 노드와 제 2 구동 전원 라인 사이에 접속된 발광 소자; 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 데이터 라인과 제 4 노드 사이에 접속된 제 3 스위칭 소자; 초기화 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 4 노드와 제 3 노드 사이에 접속된 제 4 스위칭 소자; 및 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 초기화 라인과 제 3 노드에 접속된 제 5 스위칭 소자를 포함하며; 초기화 라인의 초기화 신호는 발광 라인의 발광 신호보다 더 앞선 위상 및 더 높은 크기의 비액티브 전압을 갖는다.

Description

발광 소자 표시 장치{EMITTING LIGHT DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 신호 라인의 수를 줄일 수 있는 발광 소자 표시 장치에 대한 것이다.
발광 소자 표시 장치의 각 화소는 발광 소자 및 이를 구동하기 위한 화소 회로를 포함한다.
화소 회로는 구동 스위칭 소자 및 이에 접속된 복수의 스위칭 소자들을 포함한다. 복수의 구동 스위칭 소자들은 복수의 신호 라인들에 연결된다.
따라서, 많은 수의 화소들을 포함하는 고해상도의 발광 표시 장치는 더 많은 수의 신호 라인들을 필요로 한다.
신호 라인들의 수가 많은 경우 각 신호 라인들 간의 간격이 적절하게 유지되지 못해 신호 간섭 문제가 발생될 수 있다.
본 발명은 신호 라인의 수를 줄일 수 있는 발광 소자 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광 소자 표시 장치는, 복수의 화소들을 포함하며; 복수의 화소들 중 적어도 하나의 화소는, 제 1 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 노드와 제 3 노드 사이에 접속된 구동 스위칭 소자; 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속된 제 1 스위칭 소자; 발광 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 구동 전원 라인과 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스위칭 소자; 제 1 노드와 제 4 노드 사이에 접속된 커패시터; 제 3 노드와 제 2 구동 전원 라인 사이에 접속된 발광 소자; 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 데이터 라인과 제 4 노드 사이에 접속된 제 3 스위칭 소자; 초기화 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 4 노드와 제 3 노드 사이에 접속된 제 4 스위칭 소자; 및 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 초기화 라인과 제 3 노드에 접속된 제 5 스위칭 소자를 포함하며; 초기화 라인의 초기화 신호는 발광 라인의 발광 신호보다 더 앞선 위상 및 더 높은 크기의 비액티브 전압을 갖는다.
초기화 신호는 발광 신호와 동일한 크기의 펄스폭 및 동일한 크기의 액티브 전압을 갖는다.
스캔 신호의 포지티브 에지는 초기화 신호의 네거티브 에지와 발광 제어 신호의 네거티브 에지 사이에 위치한다.
발광 신호 및 초기화 신호 중 적어도 하나는 다른 스캔 라인에 연결된 다른 화소에 인가되는 다른 발광 신호 또는 다른 초기화 신호와 동일한 위상을 갖는다.
스캔 신호는 다른 스캔 라인의 다른 스캔 신호보다 더 지연된 위상을 가지며, 초기화 신호는 다른 발광 신호와 동일한 위상을 갖는다.
스캔 신호는 다른 스캔 라인의 다른 스캔 신호보다 더 앞선 위상을 가지며, 발광 신호는 다른 초기화 신호와 동일한 위상을 갖는다.
복수의 화소들은 스캔 라인 및 다른 데이터 라인에 연결된 다른 화소를 포함하며, 다른 화소는 화소의 제 2 노드에 연결된다.
다른 화소는, 다른 제 1 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 노드와 다른 제 3 노드 사이에 접속된 다른 구동 스위칭 소자; 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 다른 제 1 노드와 다른 제 2 노드 사이에 접속된 다른 제 1 스위칭 소자; 다른 제 1 노드와 다른 제 4 노드 사이에 접속된 다른 커패시터; 다른 제 3 노드와 제 2 구동 전원 라인 사이에 접속된 다른 발광 소자; 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 다른 데이터 라인과 다른 제 4 노드 사이에 접속된 다른 제 3 스위칭 소자; 다른 초기화 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 다른 제 4 노드와 다른 제 3 노드 사이에 접속된 다른 제 4 스위칭 소자; 및 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 다른 초기화 라인과 다른 제 3 노드에 접속된 다른 제 5 스위칭 소자를 포함한다.
제 1 기간 동안, 스캔 신호 및 발광 신호는 각각 액티브 전압으로 유지되고, 초기화 신호는 비액티브 전압으로 유지되고, 데이터 전압이 데이터 라인에 인가되며; 제 2 기간 동안, 스캔 신호는 액티브 전압으로 유지되고, 발광 신호 및 초기화 신호는 각각 비액티브 전압으로 유지되고, 데이터 전압이 데이터 라인에 인가되며; 제 3 기간 동안, 스캔 신호, 발광 신호 및 초기화 신호는 각각 비액티브 전압으로 유지되며; 제 4 기간 동안, 스캔 신호 및 발광 신호는 각각 비액티브 전압으로 유지되고, 초기화 신호는 액티브 전압으로 유지되며; 제 5 기간 동안, 스캔 신호는 비액티브 전압으로 유지되고, 발광 신호 및 초기화 신호는 액티브 전압으로 유지된다.
발광 소자 표시 장치는 발광 신호 및 초기화 신호를 생성하는 드라이버를 더 포함한다.
드라이버는 복수의 스테이지들을 포함하며, 하나의 스테이지는 발광 신호 및 다른 화소의 다른 초기화 신호를 생성한다.
하나의 스테이지는, 전단 스테이지로부터의 발광 신호가 인가되는 입력 단자; 제 1 및 제 2 클럭 신호들 중 어느 하나가 입력되는 제 1 클럭 단자; 제 1 및 제 2 클럭 신호들 중 다른 하나가 입력되는 제 2 클럭 단자; 스캔 신호, 발광 신호 및 초기화 신호의 각 액티브 전압에 해당하는 게이트 고전압이 입력되는 고전압 단자; 초기화 신호의 비액티브 전압에 해당하는 제 1 게이트 저전압이 입력되는 제 1 저전압 단자; 스캔 신호 및 발광 신호의 각 액티브 전압에 해당하는 제 2 게이트 고전압이 입력되는 제 2 저전압 단자; 발광 신호가 출력되는 제 1 출력 단자; 및 다른 초기화 신호가 출력되는 제 2 출력 단자를 포함한다.
하나의 스테이지는, 전단 스테이지로부터의 발광 신호, 제 1 클럭 신호, 제 2 클럭 신호, 게이트 고전압, 제 1 게이트 저전압 및 제 2 게이트 저전압을 근거로 제 1 제어 노드, 제 2 제어 노드, 제 3 제어 노드 및 제 4 제어 노드의 전압을 제어하는 노드 제어부; 및 제 1 제어 노드의 전압, 제 2 제어 노드의 전압, 게이트 고전압, 제 1 게이트 저전압을 근거로 발광 신호의 출력을 제어하는 제 1 출력 제어부; 및 제 1 제어 노드의 전압, 제 2 제어 노드의 전압, 게이트 고전압, 제 2 게이트 저전압을 근거로 다른 초기화 신호의 출력을 제어하는 제 2 출력 제어부를 더 포함한다.
노드 제어부는, 제 1 클럭 단자에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 입력 단자와 제 1 제어 노드 사이에 접속된 제 1 제어 스위칭 소자; 제 1 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 클럭 단자와 제 3 제어 노드 사이에 접속된 제 2 제어 스위칭 소자; 제 1 클럭 단자에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 고전압 단자와 제 3 제어 노드 사이에 접속된 제 3 제어 스위칭 소자; 제 2 클럭 단자에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 제어 노드와 제 5 노드 사이에 접속된 제 4 제어 스위칭 소자; 제 3 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 5 노드와 제 1 저전압 단자에 사이에 접속된 제 5 제어 스위칭 소자; 제 3 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 클럭 단자와 제 4 제어 노드 사이에 접속된 제 6 제어 스위칭 소자; 제 2 클럭 단자에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 4 제어 노드와 제 2 제어 노드 사이에 접속된 제 7 제어 스위칭 소자; 제 1 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 제어 노드와 제 1 저전압 노드 사이에 접속된 제 8 제어 스위칭 소자; 제 2 클럭 단자와 제 1 제어 노드 사이에 접속된 제 1 커패시터; 제 3 제어 노드와 제 4 제어 노드 사이에 접속된 제 2 커패시터; 및 제 2 제어 노드와 제 1 저전압 단자 사이에 접속된 제 3 커패시터를 포함한다.
제 1 출력 제어부는, 제 1 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 고전압 단자와 제 1 출력 단자 사이에 접속된 제 1 출력 스위칭 소자; 및 제 2 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 출력 단자와 제 1 저전압 단자 사이에 접속된 제 2 출력 스위칭 소자를 포함한다.
제 2 출력 제어부는, 제 1 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 고전압 단자와 제 2 출력 단자 사이에 접속된 제 3 출력 스위칭 소자; 및 제 2 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 출력 단자와 제 2 저전압 단자 사이에 접속된 제 4 출력 스위칭 소자를 포함한다.
본 발명에 따른 발광 소자 표시 장치는 다음과 같은 효과를 제공한다.
본 발명의 발광 소자 표시 장치에 적용된 초기화 신호는 직류가 아닌 펄스 형태를 갖는다. 또한, 초기화 신호는 발광 신호보다 더 앞선 위상 및 더 높은 크기의 비액티브 전압을 갖는다. 따라서, 하나의 초기화 라인으로부터의 초기화 신호는 초기화 전압 및 스위칭 제어 신호의 역할을 함께 수행할 수 있다. 따라서, 신호 라인의 수가 줄어들 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 발광 다이오드 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 제 n-1 스캔 라인에 접속된 제 n-1 화소, 제 n 스캔 라인에 접속된 제 n 화소 및 제 n+1 스캔 라인에 접속된 제 n+1 화소에 각각 공급되는 신호들을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1의 어느 하나의 화소에 구비된 회로 구성을 나타낸 도면이다.
도 4는 제 n 화소에 공급되는 제 n 스캔 신호, 제 n 발광 신호, 제 n 초기화 신호 및 제 n 데이터 신호에 대한 타이밍도이다.
도 5a 내지 도 5e는 도 4에서의 각 기간에 따른 화소의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 1의 인접한 2개의 화소들 각각에 구비된 회로 구성을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 1의 복합 드라이버에 구비된 하나의 스테이지를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 7의 스테이지와 관련된 각종 신호들의 타이밍도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 그에 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 8을 참조로 본 발명에 따른 발광 소자 표시 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 발광 다이오드 표시 장치를 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 표시 장치(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 표시부(111), 시스템(121), 스캔 드라이버(151), 복합 드라이버(152), 데이터 드라이버(153), 타이밍 컨트롤러(122) 및 전원 공급부(123)를 포함한다.
표시부(111)는 복수의 화소(PX)들과, 이들 화소(PX)들이 화상을 표시하는데 필요한 각종 신호들을 전송하기 위한 복수의 스캔 라인들(SL1 내지 SLi), 복수의 발광 라인들(EL1 내지 ELi), 복수의 초기화 라인들(IL1 내지 ILi), 복수의 데이터 라인들(DL1 내지 DLj) 및 전원 공급 라인(VL)을 포함한다. 전원 공급 라인(VL)은 서로 전기적으로 분리된 제 1 구동 전원 라인(VDL) 및 제 2 구동 전원 라인(VSL)을 포함한다. 여기서, i는 2보다 큰 자연수이며, j는 3보다 큰 자연수이다.
이 화소(PX)들은 매트릭스 형태로 표시부(111)에 배열된다. 이 화소(PX)들은 적색을 표시하는 적색 화소, 녹색을 표시하는 녹색 화소 및 청색을 표시하는 청색 화소를 포함한다.
시스템(121)은 그래픽 컨트롤러의 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 송신기를 통하여 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 클럭 신호 및 영상 데이터들을 인터페이스(interface) 회로를 통해 출력한다. 이 시스템(121)으로부터 출력된 수직 동기 신호, 수평 동기 신호 및 클럭 신호는 타이밍 컨트롤러(122)에 공급된다. 또한, 이 시스템(121)으로부터 순차적으로 출력된 영상 데이터들은 타이밍 컨트롤러(122)에 공급된다.
타이밍 컨트롤러(122)는 자신에게 입력되는 수평 동기 신호, 수직 동기 신호, 및 클럭 신호를 이용하여 데이터 제어 신호, 스캔 제어 신호 및 복합 제어 신호를 발생시켜 데이터 드라이버(153), 스캔 드라이버(151) 및 복합 드라이버(152)로 공급한다.
데이터 제어 신호는 도트 클럭(dot clock), 소스 쉬프트 클럭(source shift clock), 소스 인에이블 신호(source enable signal) 및 극성 반전 신호(polarity inversion signal)를 포함한다.
스캔 제어 신호는 게이트 스타트 펄스(gate start pulse), 게이트 쉬프트 클럭(gate shift clock) 및 게이트 출력 인에이블(gate output enable)을 포함한다.
복합 제어 신호는 복합 스타트 펄스, 복합 쉬프트 클럭 및 복합 출력 인에이블을 포함한다. 복합 스타트 펄스는 전술된 게이트 스타트 펄스에 대응되는 기능을 수행하는 신호이며, 복합 쉬프트 클럭은 전술된 게이트 쉬프트 클럭에 대응되는 기능을 수행하는 신호이며, 복합 출력 인에이블은 전술된 게이트 출력 인에이블에 대응되는 기능을 수행하는 신호이다.
데이터 드라이버(153)는 타이밍 컨트롤러(122)로부터의 데이터 제어 신호에 따라 영상 데이터들을 샘플링한 후에, 매 수평 기간(Horizontal Time : 1H, 2H, ...)마다 한 수평 라인의 샘플링 영상 데이터들을 래치하고 래치된 영상 데이터들을 데이터 라인들(DL1 내지 DLj)에 공급한다. 즉, 데이터 드라이버(153)는 타이밍 컨트롤러(122)로부터의 영상 데이터를 전원 공급부(123)로부터 입력되는 감마 전압을 이용하여 아날로그 신호로 변환하고, 그 변환된 아날로그 신호들을 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)에 공급한다.
스캔 드라이버(151)는 타이밍 컨트롤러(122)로부터의 게이트 스타트 펄스에 응답하여 스캔 신호들을 순차적으로 발생하는 쉬프트 레지스터와, 이 스캔 신호들을 화소(PXL)의 구동에 알맞은 전압 레벨로 쉬프트시키기 위한 레벨 쉬프터를 포함할 수 있다. 스캔 드라이버(151)는 타이밍 컨트롤러(122)로부터의 스캔 제어 신호에 응답하여 스캔 라인들(SL1 내지 SLi)로 순차적으로 스캔 신호를 공급한다.
스캔 드라이버(151)로부터 출력된 i개의 스캔 신호들은 i개의 스캔 라인들(SL1 내지 SLi)에 차례로 공급된다. 예를 들어, 제 1 스캔 신호는 제 1 스캔 라인(SL1)으로 공급되며, 제 2 스캔 신호는 제 2 스캔 라인(SL2)으로 공급되며, ... 제 i 스캔 신호는 제 i 스캔 라인(SLi)으로 공급된다.
복합 드라이버(152)는 타이밍 컨트롤러(122)로부터의 복합 스타트 펄스에 응답하여 발광 신호들 및 초기화 신호들을 순차적으로 발생하는 쉬프트 레지스터와, 이 발광 신호들 및 초기화 신호들을 화소(PXL)의 구동에 알맞은 전압레벨로 쉬프트시키기 위한 레벨 쉬프터를 포함한다. 복합 드라이버(152)는 타이밍 컨트롤러(122)로부터의 복합 제어 신호에 응답하여 발광 라인들로 순차적으로 발광 신호들을 공급한다. 또한, 복합 드라이버(152)는 그 복합 제어 신호에 응답하여 초기화 라인들(IL1 내지 ILi)로 순차적으로 초기화 신호들을 공급한다.
복합 드라이버(152)로부터 출력된 i개의 발광 신호들은 i개의 발광 라인들(EL1 내지 ELi)에 차례로 공급된다. 예를 들어, 제 1 발광 신호는 제 1 발광 라인(EL1)으로 공급되며, 제 2 발광 신호는 제 2 발광 라인(EL2)으로 공급되며, ... 제 i 발광 신호는 제 i 발광 라인(ELi)으로 공급된다.
복합 드라이버(152)로부터 출력된 i개의 초기화 신호들은 i개의 초기화 라인들(IL1 내지 ILi)에 차례로 공급된다. 예를 들어, 제 1 초기화 신호는 제 1 초기화 라인(IL1)으로 공급되며, 제 2 초기화 신호는 제 2 초기화 라인(IL2)으로 공급되며, ... 제 i 초기화 신호는 제 i 초기화 라인(ILi)으로 공급된다.
전원 공급부(123)는 감마 전압, 제 1 구동 전압(ELVDD), 제 2 구동 전압(ELVSS)을 생성한다. 전원 공급부(123)는 제 1 구동 전압(ELVDD)을 제 1 구동 전원 라인(VDL)으로 공급하며, 제 2 구동 전압(ELVSSS)을 제 2 구동 전원 라인(VSL)으로 공급한다.
제 1 구동 전압(ELVDD) 및 제 2 구동 전압(ELVSS)은 각각 직류 전압이다. 제 1 구동 전압(ELVDD)은 제 2 구동 전압(ELVSS)보다 더 크다. 예를 들어, 제 1 구동 전압(ELVDD)은 12[V]의 크기를 가지며, 제 2 구동 전압(ELVSS)은 5[V]의 크기를 가질 수 있다.
도 2는 제 n-1 스캔 라인에 접속된 제 n-1 화소(PX_n-1), 제 n 스캔 라인에 접속된 제 n 화소(PX_n) 및 제 n+1 스캔 라인에 접속된 제 n+1 화소(PX_n+1)에 각각 공급되는 신호들을 나타낸 도면이다. 여기서, n은 자연수이다.
도 2에 도시된 제 n-1 스캔 신호(SC_n-1), 제 n 스캔 신호(SC_n) 및 제 n+1 스캔 신호(SC_n+1)는 전술된 i개의 스캔 신호들 중 어느 3개의 스캔 신호들을 나타낸 것으로, 이들 3개의 스캔 신호들은 인접한 3개의 스캔 라인들에 각각 인가된다.
도 2에 도시된 제 n-1 발광 신호(EM_n-1), 제 n 발광 신호(EM_n) 및 제 n+1 발광 신호(EM_n+1)는 전술된 i개의 발광 신호들 중 어느 3개의 발광 신호들을 나타낸 것으로, 이들 3개의 발광 신호들은 인접한 3개의 발광 라인들에 각각 인가된다.
도 2에 도시된 제 n-1 초기화 신호(Vint_n-1), 제 n 초기화 신호(Vint_n) 및 제 n+1 초기화 신호(Vint_n+1)는 전술된 i개의 초기화 신호들 중 어느 3개의 발광 신호들을 나타낸 것으로, 이들 3개의 초기화 신호들은 인접한 3개의 초기화 라인들에 각각 인가된다.
각 스캔 신호, 각 발광 신호 및 각 초기화 신호는 액티브 전압 및 비액티브 전압을 갖는 펄스 형태의 신호이다. 여기서, 액티브 전압은 후술할 스위칭 소자를 턴-온시킬 수 있는 크기를 가지며, 전술된 비액티브 전압은 그 스위칭 소자를 턴-오프시킬 수 있는 크기를 갖는다.
도 2에서, 각 스캔 신호, 각 발광 신호 및 각 초기화 신호의 하이 전압은 액티브 전압에 해당한다. 그리고, 각 스캔 신호, 각 발광 신호 및 각 초기화 신호의 로우 전압은 비액티브 전압에 해당한다. 다른 실시예로서, 도시되지 않았지만, 전술된 각 신호의 하이 전압이 비액티브 전압이고, 각 신호의 로우 전압이 액티브 전압일 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 n-1 스캔 라인에 접속된 제 n-1 화소(PX_n-1)는 제 n-1 초기화 신호(Vint_n-1), 제 n-1 발광 신호(EM_n-1) 및 제 n-1 스캔 신호(SC_n-1)를 공급받는다. 그리고, 제 n 스캔 라인에 접속된 제 n 화소(PX_n)는 제 n 초기화 신호(Vint_n), 제 n 발광 신호(EM_n) 및 제 n 스캔 신호(SC_n)를 공급받는다. 그리고, 제 n+1 스캔 라인에 접속된 제 n+1 화소(PX_n+1)는 제 n+1 초기화 신호(Vint_n+1), 제 n+1 발광 신호(EM_n+1) 및 제 n+1 스캔 신호(SC_n+1)를 공급받는다.
하나의 화소에 공급되는 초기화 신호는 그에 공급되는 발광 신호보다 더 앞선 위상을 갖는다. 그리고, 그 하나의 화소에 공급되는 초기화 신호는 그에 공급되는 발광 신호와 동일한 크기의 액티브 전압을 갖는다. 그리고, 그 하나의 화소에 공급되는 초기화 신호는 그에 공급되는 발광 신호보다 더 큰 비액티브 전압을 갖는다. 그리고, 그 하나의 화소에 공급되는 초기화 신호와 발광 신호는 동일한 펄스폭을 갖는다.
예를 들어, 제 n 화소(PX_n)에 공급되는 제 n 초기화 신호(Vint_n)는 제 n 발광 신호(EM_n)보다 더 앞선 위상을 가지며, 그 제 n 초기화 신호(Vint_n)의 액티브 전압은 제 n 발광 신호(EM_n)의 액티브 전압과 동일하며, 그 제 n 초기화 신호(Vint_n)의 비액티브 전압은 제 n 발광 신호(EM_n)의 비액티브 전압보다 더 크며, 제 n 초기화 신호(Vint_n)의 펄스폭은 제 n 발광 신호(EM_n)의 펄스폭과 동일하다.
스캔 신호는 발광 신호와 동일한 크기의 액티브 전압 및 동일한 크기의 비액티브 전압을 갖는다. 예를 들어, 제 n 스캔 신호(SC_n)의 액티브 전압은 제 n 발광 신호(EM_n)의 액티브 전압과 동일하며, 제 n 스캔 신호(SC_n)의 비액티브 전압은 제 n 발광 신호(EM_n)의 비액티브 전압과 동일하다.
하나의 구체적인 예로서, 제 n 스캔 신호(SC_n)는 16[V]의 액티브 전압 및 0[V]의 비액티브 전압을 가질 수 있으며, 제 n 발광 신호(EM_n)는 16[V]의 액티브 전압 및 0[V]의 비액티브 전압을 가질 수 있으며, 제 n 초기화 신호(Vint_n)는 16[V]의 액티브 전압 및 4.5[V]의 비액티브 전압을 가질 수 있다.
하나의 화소에 공급되는 스캔 신호의 포지티브 에지(positive edge)는 그에 공급되는 초기화 신호의 네거티브 에지(negative edge)와 발광 신호의 네거티브 에지 사이에 위치한다. 예를 들어, 제 n 스캔 신호(SC_n)의 포지티브 에지는 제 n 초기화 신호(Vint_n)의 네거티브 에지와 제 n 발광 신호(EM_n)의 네거티브 에지 사이에 위치한다. 여기서, 어떤 신호의 포지티브 에지는 그 신호가 비액티브 전압에서 액티브 전압으로 천이될 때의 포인트를 의미하며, 그 어떤 신호의 네거티브 에지는 그 신호가 액티브 전압에서 비액티브 전압으로 천이될 때의 포인트를 의미한다.
인접한 2개의 스캔 라인들에 각각 접속된 2개의 화소들 중 더 먼저 구동되는 화소에 공급되는 발광 신호는 더 나중에 구동되는 화소에 공급되는 초기화 신호와 동일한 위상 및 동일한 펄스폭을 갖는다. 예를 들어, 제 n-1 화소(PX_n-1)로 공급되는 제 n-1 발광 신호(EM_n-1)는 제 n 화소(PX_n)로 공급되는 제 n 초기화 신호(Vint_n)와 동일한 위상 및 동일한 펄스폭을 갖는다.
도 3은 도 1의 어느 하나의 화소에 구비된 회로 구성을 나타낸 도면이다.
하나의 화소(이하, 제 n 화소)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 구동 스위칭 소자(Tr_D), 제 1 스위칭 소자(Tr_1), 제 2 스위칭 소자(Tr_2), 제 3 스위칭 소자(Tr_3), 제 4 스위칭 소자(Tr_4), 제 5 스위칭 소자(Tr_5) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.
구동 스위칭 소자(Tr_D)는 제 1 노드(N1)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3) 사이에 접속된다.
제 1 스위칭 소자(Tr_1)는 제 n 스캔 라인(SLn)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 접속된다.
제 2 스위칭 소자(Tr_2)는 제 n 발광 라인(ELn)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 구동 전원 라인(VDL)과 제 2 노드(N2) 사이에 접속된다.
제 3 스위칭 소자(Tr_3)는 제 n 스캔 라인(SLn)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 데이터 라인(DL)과 제 4 노드(N4) 사이에 접속된다.
제 4 스위칭 소자(Tr_4)는 제 n 초기화 라인(ILn)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 4 노드(N4)와 제 3 노드(N3) 사이에 접속된다.
제 5 스위칭 소자(Tr_5)는 제 n 스캔 라인(SLn)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 n 초기화 라인(ILn)과 제 3 노드(N3)에 접속된다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1)와 제 4 노드(N4) 사이에 접속된다.
발광 소자(LED)는 제 3 노드(N3)와 제 2 구동 전원 라인(VSL) 사이에 접속된다. 발광 소자는 유기 발광 다이오드(Organic Emitting Light Diode)일 수 있다.
한편, 제 3 노드(N3)와 제 2 구동 전원 라인 사이(VSL)에 접속된 커패시터(Cin)는 발광 소자(LED)의 내부 커패시터이다.
도시되지 않았지만, 각 화소는 도 3에 도시된 바와 같은 구동 스위칭 소자(Tr_D), 제 1 내지 제 5 스위칭 소자들(Tr_1 내지 Tr_5), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광 소자(LED)를 포함한다.
제 n 초기화 신호(Vin_n)는 제 4 스위칭 소자(Tr_4) 및 제 5 스위칭 소자(Tr_5)에 함께 공급된다. 즉, 제 n 초기화 신호(Vin_n)는 하나의 제 n 초기화 라인(ILn)을 통해 제 4 스위칭 소자(Tr_4)의 게이트 전극 및 제 5 스위칭 소자(Tr_5)의 소스 전극(또는 드레인 전극)으로 공급된다.
이하, 도 4, 그리고 도 5a 내지 도 5e를 참조하여 제 n 화소의 동작을 설명하면 다음과 같다.
도 4는 제 n 화소(PX_n)에 공급되는 제 n 스캔 신호(SC_n), 제 n 발광 신호(EM_n), 제 n 초기화 신호(Vint_n) 및 제 n 데이터 신호(Vdata_n)에 대한 타이밍도이고, 도 5a 내지 도 5e는 도 4에서의 각 기간에 따른 화소의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5e에서, 제 1 내지 제 5 스위칭 소자들(Tr_1 내지 Tr_5) 중 원형의 점선으로 둘러싸인 스위칭 소자는 턴-온된 스위칭 소자이며, 점선으로 도시된 스위칭 소자는 턴-오프된 스위칭 소자이다.
제 n 화소(PXn)는 제 1 기간(①), 제 2 기간(②), 제 3 기간(③), 제 4 기간(④) 및 제 5 기간(⑤)에 다음과 같이 동작한다.
1) 제 1 기간(①)
먼저, 도 4 및 도 5a를 참조하여, 제 1 기간(①)에서의 제 n 화소(PXn)의 동작을 설명하면 다음과 같다.
제 1 기간(①) 동안에, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 n 스캔 신호(SC_n) 및 제 n 발광 신호(EM_n)는 각각 액티브 전압(하이 전압)으로 유지되는 반면, 제 n 초기화 신호(Vint_n)는 비액티브 전압(로우 전압)으로 유지된다. 또한, 이 제 1 기간(①)에, 제 n 데이터 전압(Vdata_n)이 데이터 라인(DL)에 인가된다. 도시되지 않았지만, 제 n 데이터 전압(Vdata_n)은 제 1 기간(①) 전에 그 데이터 라인(DL)에 인가될 수 있다.
그러면, 도 5a에 도시된 바와 같이, 액티브 전압을 갖는 제 n 스캔 신호(SC_n)에 의해 제 1 스위칭 소자(Tr_1), 제 3 스위칭 소자(Tr_3) 및 제 5 스위칭 소자(Tr_5)는 턴-온된다. 또한, 액티브 전압을 갖는 제 n 발광 신호(EM_n)에 의해 제 2 스위칭 소자(Tr_2)는 턴-온된다. 반면, 비액티브 전압을 갖는 제 n 초기화 신호(Vint_n)에 의해 제 4 스위칭 소자(Tr_4)는 턴-오프된다.
턴-온된 제 3 스위칭 소자(Tr_3)를 통해 제 n 데이터 전압(Vdata_n)이 제 4 노드(N4)에 인가된다.
턴-온된 제 2 스위칭 소자(Tr_2)를 통해 제 1 구동 전압(ELVDD)이 제 2 노드(N2)에 인가된다. 또한, 턴-온된 제 1 및 제 2 스위칭 소자들(Tr_1, Tr_2)을 통해 제 1 구동 전압(ELVDD)이 제 1 노드(N1)에 인가된다. 또한, 턴-온된 제 5 스위칭 소자(Tr_5)를 통해 제 n 초기화 신호(Vint_n)가 제 3 노드(N3)에 인가된다.
제 1, 제 2 및 제 5 스위칭 소자들(Tr_1, Tr_2, Tr_5)이 턴-온됨에 따라, 제 1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2)가 각각 제 1 구동 전압(ELVDD)으로 초기화되고, 제 3 노드(N3)가 제 n 초기화 신호(Vint_n)로 초기화된다. 다시 말하여, 제 1 구동 전압(ELVDD) 및 제 n 초기화 신호(Vint_n)에 의해, 구동 스위칭 소자(Tr_D)가 초기화된다. 구체적으로, 구동 스위칭 소자(Tr_D)의 게이트 전극 및 드레인 전극은 각각 제 1 구동 전압(ELVDD)으로 초기화되고, 그 구동 스위칭 소자(Tr_1)의 소스 전극은 제 n 초기화 신호(Vint_n)로 초기화된다.
제 1 노드(N1)에 인가된 제 1 구동 전압(ELVDD)과 제 3 노드(N3)에 인가된 비액티브 전압(제 n 초기화 신호(Vint_n)의 비액티브 전압)간의 차전압은 구동 스위칭 소자(Tr_D)의 문턱 전압(Vth)보다 더 크다. 따라서, 이 구동 스위칭 소자(Tr_D)는 턴-온된다. 그러면, 이 턴-온된 구동 스위칭 소자(Tr_D)를 통해 제 3 노드(N3)쪽으로 전류가 흐르게 된다. 이 전류에 의해 제 3 노드(N3)의 전압 크기가 상승할 수 있다.
이때, 제 3 노드(N3)의 전압이 상승하여 이 제 3 노드(N3)의 전압과 제 2 구동 전압(ELVSS)간의 차전압이 발광 소자(LED)의 문턱 전압을 초과하게 되면 이 제 1 기간(①)에 발광 소자(LED)가 발광할 수 있다. 그러나, 이 제 1 기간(①)은 상당히 짧기 때문에 이 기간(①) 동안 발광 소자(LED)는 순간적으로 발광하므로 이 기간(①) 동안 발광 소자(LED)가 발광하여도 크게 문제되지 않는다.
게다가, 제 3 노드(N3)에 인가된 제 n 초기화 신호(Vint_n)의 비액티브 전압이 제 2 구동 전압(ELVSS)보다 더 작기 때문에 발광 소자(LED)의 애노드 전극과 캐소드 전극 간에 역전압이 발생되는 바, 이로 인해 전술된 전류는 발광 소자(LED)가 아닌 제 n 초기화 라인(ILn)으로 싱크(sink)된다. 따라서, 제 1 기간(①) 동안 발광 소자(LED)는 실질적으로 비발광 상태로 유지된다.
2) 제 2 기간(②)
이어서, 도 4 및 도 5b를 참조하여, 제 2 기간(②)에서의 제 n 화소(PX_n)의 동작을 설명하면 다음과 같다.
제 2 기간(②) 동안에, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 n 스캔 신호(SC_n)는 액티브 전압(하이 전압)으로 유지되는 반면, 제 n 발광 신호(EM_n) 및 제 n 초기화 신호(Vint_n)는 각각 비액티브 전압(로우 전압)으로 유지된다. 또한, 이 제 2 기간(②) 동안에, 제 n 데이터 전압(Vdata_n)이 데이터 라인(DL)에 인가된다.
그러면, 도 5b에 도시된 바와 같이, 액티브 전압을 갖는 제 n 스캔 신호(SC_n)에 의해 제 1 스위칭 소자(Tr_1), 제 3 스위칭 소자(Tr_3) 및 제 5 스위칭 소자(Tr_5)는 턴-온된다. 반면, 비액티브 전압을 갖는 제 n 발광 신호(EM_n)에 의해 제 2 스위칭 소자(Tr_2)는 턴-오프되고, 비액티브 전압을 갖는 제 n 초기화 신호(Vint_n)에 의해 제 4 스위칭 소자(Tr_4)는 턴-오프된다.
제 2 스위칭 소자(Tr_2)가 턴-오프됨에 따라 제 1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2)가 플로팅(floating) 상태로 되며, 이때 플로팅 상태의 제 1 및 제 2 노드(이하, 플로팅 노드)의 전압이 턴-온된 구동 스위칭 소자(Tr_D)에 의해서 감소하기 시작한다. 이를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
즉, 구동 스위칭 소자(Tr_D)의 게이트 전극에 인가된 전압(제 1 노드(N1)의 전압; Vinit_n+Vth)과 구동 스위칭 소자(Tr_D)의 소스 전극에 인가된 전압(제 3 노드(N3)의 전압; Vint_n) 간의 차전압이 이 구동 스위칭 소자(Tr_D)의 문턱 전압(Vth)보다 크므로, 이 구동 스위칭 소자(Tr_D)는 턴-온된다. 이 턴-온된 구동 스위칭 소자(Tr_D)를 통해 플로팅 노드(N1, N2)의 전하가 제 3 노드(N3)로 이동함에 따라, 플로팅 노드(N1, N2)의 전압은 점차적으로 하강한다. 이 플로팅 노드(N1, N2)의 전압이 하강하여 이 구동 스위칭 소자(Tr_D)의 게이트 전극과 소스 전극간의 전압(이하, 게이트-소스 전압)이 구동 스위칭 소자(Tr_D)의 문턱 전압(Vth)에 도달하면, 이 구동 스위칭 소자(Tr_D)는 턴-오프된다. 이때, 플로팅 노드(N1, N2)의 전압(Vinit_n+Vth)은 스토리지 커패시터(Cst)에 의해 유지된다.
제 2 기간(②) 동안 발광 소자(LED)는 비발광 상태로 유지된다.
3) 제 3 기간
다음으로, 도 4 및 도 5c를 참조하여, 제 3 기간(③)에서의 제 n 화소(PX_n)의 동작을 설명하면 다음과 같다.
제 3 기간(③) 동안에, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 n 스캔 신호(SC_n), 제 n 발광 신호(EM_n) 및 제 n 초기화 신호(Vint_n)는 각각 비액티브 전압(로우 전압)으로 유지된다. 한편, 도시되지 않았지만, 제 3 기간(③)의 일부 동안 제 n 데이터 신호(Vdata_n)가 데이터 라인(DL)에 더 인가될 수 있다.
그러면, 도 5c에 도시된 바와 같이, 비액티브 전압을 갖는 제 n 스캔 신호(SC_n), 비액티브 전압을 갖는 제 n 발광 신호(EM_n) 및 비액티브 전압을 갖는 초기화 신호(Vint_N)에 의해 제 1 내지 제 5 스위칭 소자들(Tr_1 내지 Tr_5)이 턴-오프된다.
제 3 스위칭 소자(Tr_3) 및 제 5 스위칭 소자(Tr_5)가 각각 턴-오프됨에 따라 제 4 노드(N4) 및 제 3 노드(N3)가 각각 플로팅 상태로 된다.
제 3 기간(③)에서의 제 1 내지 제 4 노드들(N1 내지 N4)의 각 전압은 전술된 제 2 기간(②)에서의 제 1 내지 제 4 노드들(N1 내지 N4)의 각 전압과 동일하다.
제 3 기간(③) 동안 구동 스위칭 소자(Tr_D)는 턴-오프 상태이고, 발광 소자(LED)는 비발광 상태로 유지된다.
4) 제 4 기간(④)
다음으로, 도 4 및 도 5d를 참조하여, 제 4 기간(④)에서의 제 n 화소(PX_n)의 동작을 설명하면 다음과 같다.
제 4 기간(④) 동안에, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 n 스캔 신호(SC_n) 및 제 n 발광 신호는 각각 비액티브 전압(로우 전압)으로 유지된다. 반면, 제 n 초기화 신호는 액티브 전압(하이 전압)으로 유지된다.
그러면, 도 5d에 도시된 바와 같이, 비액티브 전압을 갖는 제 n 스캔 신호(SC_n) 및 비액티브 전압을 갖는 제 n 발광 신호(EM_n)에 의해 제 1, 제 2, 제 3 및 제 5 스위칭 소자들(Tr_1, Tr2, Tr_3, Tr_5)이 턴-오프된다. 반면, 액티브 전압을 갖는 제 n 초기화 신호(Vint_n)에 의해 제 4 스위칭 소자(Tr_4)는 턴-온된다.
턴-온된 제 4 스위칭 소자(Tr_4)를 통해 제 4 노드(N4)와 제 3 노드(N3)가 서로 연결되며, 이에 따라 제 4 노드(N4)의 제 n 데이터 전압(Vdata_n)이 제 3 노드(N3)로 인가된다. 스토리지 커패시터(Cst)의 용량이 충분히 크다면 제 3 노드(N3)의 전압은 제 4 노드(N4)의 전압과 동일하게 유지된다. 이에 따라 구동 스위칭 소자(Tr_D)가 턴-온된다. 즉, 구동 스위칭 소자(Tr_D)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압(구동 스위칭 소자(Tr_D)의 게이트-소스 전압)에 의해 턴-온된다. 한편, 이 제 4 기간(④) 동안, 턴-온된 구동 스위칭 소자(Tr_D)를 통한 전류 경로(current path) 형성되지 않으므로, 발광 다이오드(LED)는 비발광 상태로 유지된다.
5) 제 5 기간(⑤)
다음으로, 도 4 및 도 5e를 참조하여, 제 5 기간(⑤)에서의 제 n 화소(PX_n)의 동작을 설명하면 다음과 같다.
제 5 기간(⑤) 동안에, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 n 스캔 신호(SC_n)는 비액티브 전압(로우 전압)으로 유지된다. 반면, 제 n 발광 신호(EM_n) 및 제 n 초기화 신호(Vint_n)는 액티브 전압(하이 전압)으로 유지된다.
그러면, 도 5e에 도시된 바와 같이, 비액티브 전압을 갖는 제 n 스캔 신호(SC_n)에 의해 제 1, 제 3 및 제 5 스위칭 소자들(Tr_1, Tr_3, Tr_5)이 턴-오프된다. 반면, 액티브 전압을 갖는 제 n 발광 신호(EM_n)에 의해 제 2 스위칭 소자(Tr_2)가 턴-온되고, 액티브 전압을 갖는 제 n 초기화 신호(Vint_n)에 의해 제 4 스위칭 소자(Tr_4)가 턴-온된다.
턴-온된 제 2 스위칭 소자(Tr_2)를 통해 제 1 구동 전압(ELVDD)이 제 2 노드(N2)로 공급된다. 이에 따라 제 2 노드(N2)의 전압이 제 1 구동 전압(ELVDD)으로 상승한다. 또한, 제 2 스위칭 소자(Tr_2)가 턴-온됨에 따라, 제 1 구동 전원 라인(VDL), 구동 스위칭 소자(Tr_D), 발광 소자(LED) 및 제 2 구동 전원 라인(VSL) 간 전류 경로가 형성된다. 이에 따라, 제 1 구동 전원 라인(VDL), 구동 스위칭 소자(Tr_D), 발광 소자(LED) 및 제 2 구동 전원 라인(VSL)을 통해 흐르는 구동 전류가 발생된다. 이 구동 전류에 의해 발광 소자(LED)가 점등된다. 점등된 발광 소자(LED)의 휘도는 이 구동 전류의 크기에 따라 결정되는 바, 이 구동 전류의 크기는 전술된 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 게이트-소스 전압(구동 스위칭 소자(Tr_D)의 게이트-소스 전압)의 크기에 따라 결정된다.
도 6은 도 1의 인접한 2개의 화소들 각각에 구비된 회로 구성을 나타낸 도면이다.
도 6에는 2개의 화소들(PX_m, PX_m+1; 이하, 제 m 화소 및 제 m+1 화소)이 도시되어 있다. 제 m 화소(PX_m)와 제 m+1 화소(PX_m+1)는 동일한 수평 라인에 위치하며 서로 인접하게 위치한다. 여기서, m은 자연수이다.
제 m 화소(PX_m) 및 제 m+1 화소(PX_m+1)는 제 n 스캔 라인(SLn) 및 제 n 초기화 라인(ILn)에 공통으로 접속된다. 제 m 화소(PX_m)는 제 m 데이터 라인(DLm)에 연결되고, 제 m+1 화소(PX_m)는 제 m+1 데이터 라인(DLm+1)에 연결된다.
제 m 화소(PX_m)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 구동 스위칭 소자(Tr_D), 제 1 스위칭 소자(Tr_1), 제 2 스위칭 소자(Tr_2), 제 3 스위칭 소자(Tr_3), 제 4 스위칭 소자(Tr_4), 제 5 스위칭 소자(Tr_5) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.
제 m+1 화소(PX_m+1)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 구동 스위칭 소자(Tr_D), 제 1 스위칭 소자(Tr_1), 제 3 스위칭 소자(Tr_3), 제 4 스위칭 소자(Tr_4), 제 5 스위칭 소자(Tr_5) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.
제 m+1 화소(PX_m+1)의 제 2 노드(N2)는 제 m 화소(PX_m)의 제 2 노드(N2)에 연결된다. 이에 따라, 제 m 화소(PX_m)와 제 m+1 화소(PX_m+1)는 제 2 스위칭 소자(Tr_2)를 공유한다. 따라서, 제 m+1 화소(PX_m+1)는 제 n 발광 신호(EM_n) 및 제 2 스위칭 소자(Tr_2)에 의해 제어될 수 있다.
제 m 화소(PX_m) 및 제 m+1 화소(PX_m)의 동작은 전술된 제 n 화소(PX_n)의 동작과 동일하다. 즉, 제 m 화소(PX_m) 및 제 m+1 화소(PX_m+1)는 전술된 도 5a 내지 도 5e에 도시된 바와 같이 동작한다.
이와 같이 동일한 수평 라인에 위치한 복수의 화소들(즉, 동일한 스캔 라인에 접속된 화소들) 중 제 2k-1 데이터 라인에 연결된 화소(이하, 제 2k-1 화소)와 제 2k 데이터 라인에 연결된 화소(제 2k 화소)는 제 2 스위칭 소자(Tr_2)를 공유한다. 다시 말하여, 제 2k-1 화소 및 제 2k 화소 중 어느 하나는 다른 하나에 비하여 제 2 스위칭 소자(Tr_2)를 더 포함할 수 있는 바, 그 다른 하나의 화소는 그 어느 하나의 화소에 구비된 제 2 스위칭 소자(Tr_2)에 연결된다. 이와 같은 경우 제 2 스위칭 소자(Tr_2)의 수 및 이에 연결된 발광 라인의 수가 더 줄어들 수 있다. 여기서, k는 자연수이다.
도 7은 도 1의 복합 드라이버(152)에 구비된 하나의 스테이지를 나타낸 도면이고, 도 8은 도 7의 스테이지와 관련된 각종 신호들의 타이밍도이다.
먼저, 도시되지 않았지만, 복합 드라이버(152)는 서로 연결된 복수의 스테이지들을 포함한다. 각 스테이지는 발광 신호 및 초기화 신호를 출력한다. 하나의 스테이지는 발광 신호 및 초기화 신호를 출력한다. 이때, 하나의 스테이지로부터 출력되는 발광 신호와 초기화 신호는 서로 다른 수평 라인의 화소들로 인가된다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 n 스테이지(ST_n)로부터는 제 n 발광 신호(EM_n) 및 제 n+1 초기화 신호(Vint_n)가 동시에 출력되는 바, 제 n 발광 신호(EM_n)는 제 n 화소(PX_n)에 공급되며, 제 n+1 초기화 신호(Vint_n+1)는 제 n+1 화소(PX_n+1)에 인가된다.
각 스테이지는 전단 스테이지로부터의 발광 신호를 공급받는다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 n 스테이지(ST_n)는 제 n-1 스테이지로부터의 제 n-1 발광 신호(EM_n-1)를 공급받는다.
각 스테이지는 제 1 클럭 신호(CLK1), 제 2 클럭 신호(CLK2), 게이트 고전압(VGH), 제 1 게이트 저전압(VGL1) 및 제 2 게이트 저전압(VGL2)을 공급받는다.
제 2 클럭 신호(CLK2)는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 대하여 180도 반전된 위상을 갖는다.
제 1 게이트 저전압(VGL1), 제 2 게이트 저전압(VGL2) 및 게이트 고전압(VGH)은 직류 전압이다. 제 2 게이트 저전압(VGL2)은 제 1 게이트 저전압(VGL1)보다 크고 게이트 고전압(VGH)보다 작다(VGL1<VGL2<VGH).
제 1 게이트 저전압(VGL1)은 전술된 초기화 신호의 비액티브 전압에 해당한다. 제 2 게이트 저전압(VGL2)은 전술된 발광 신호 및 스캔 신호의 각 비액티브 전압에 해당한다. 게이트 고전압(VGH)은 전술된 스캔 신호, 발광 신호 및 초기화 신호의 각 액티브 전압에 해당한다. 예를 들어, 제 1 게이트 저전압(VGL1)은 0[V]이고, 제 2 게이트 저전압(VGL2)은 4.5[V]이며, 게이트 고전압(VGH)은 16[V]일 수 있다.
각 스테이지는 전단 스테이지로부터의 발광 신호가 인가되는 입력 단자, 제 1 및 제 2 클럭 신호들 중 어느 하나가 입력되는 제 1 클럭 단자, 제 1 및 제 2 클럭 신호들 중 다른 하나가 입력되는 제 2 클럭 단자, 게이트 고전압이 입력되는 고전압 단자, 제 1 게이트 저전압이 입력되는 제 1 저전압 단자, 제 2 게이트 고전압이 입력되는 제 2 저전압 단자, 발광 신호가 출력되는 제 1 출력 단자 및 초기화 신호가 출력되는 제 2 출력 단자를 포함한다. 각 스테이지로부터 출력된 발광 신호는 다음단 스테이지의 입력 단자로 인가된다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제 n 스테이지(ST_n)는 입력 단자(800), 제 1 클럭 단자(801), 제 2 클럭 단자(802), 고전압 단자(888), 제 1 저전압 단자(851), 제 2 저전압 단자(852), 제 1 출력 단자(891) 및 제 2 출력 단자(892)를 포함한다.
서로 인접한 스테이지의 제 1 클럭 단자(801)들과 제 2 클럭 단자(802)들에는 서로 다른 클럭 신호가 입력된다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 n 스테이지(ST_n)의 제 1 클럭 단자(801)에 제 1 클럭 신호(CLK1)가 입력되고 이의 제 2 클럭 단자(802)에 제 2 클럭 신호(CLK2)가 입력된다면, 제 n-1 스테이지 및 제 n+1 스테이지의 각 제 1 클럭 단자에는 각각 제 2 클럭 신호(CLK2)가 입력되고, 제 n-1 스테이지 및 제 n+1 스테이지의 각 제 2 클럭 단자에는 각각 제 1 클럭 신호(CLK1)가 입력된다.
각 스테이지는 동일한 회로 구성을 갖는 바, 여기서 제 n 스테이지(ST_n)의 회로 구성을 대표적으로 설명하면 다음과 같다.
제 n 스테이지(ST_n)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 노드 제어부(700), 제 1 출력 제어부(701) 및 제 2 출력 제어부(702)를 포함한다.
노드 제어부(700)는 전단 스테이지(예를 들어, 제 n-1 스테이지)로부터의 발광 신호, 제 1 클럭 신호(CLK1), 제 2 클럭 신호(CLK2), 게이트 고전압(VGH), 제 1 게이트 저전압(VGL1) 및 제 2 게이트 저전압(VGL2)을 근거로 제 1 노드(N11), 제 2 노드(N22), 제 3 노드(N33) 및 제 4 노드(N44)의 전압을 제어한다.
제 1 출력 제어부(701)는 제 1 노드(N11)의 전압, 제 2 노드(N22)의 전압, 게이트 고전압(VGH), 제 1 게이트 저전압(VGL1)을 근거로 제 n 발광 신호(EM_n)의 출력을 제어한다.
제 2 출력 제어부(702)는 제 1 노드(N11)의 전압, 제 2 노드(N22)의 전압, 게이트 고전압(VGH), 제 2 게이트 저전압(VGL2)을 근거로 제 n+1 초기화 신호(Vint_n+1)의 출력을 제어한다.
노드 제어부(700)는 제 1 내지 제 8 제어 스위칭 소자들(Tr_1 내지 Tr_8), 제 1 내지 제 3 커패시터들(C1 내지 C3)을 포함한다.
제 1 제어 스위칭 소자(Tr_1)는 제 1 클럭 단자(801)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 입력 단자(800)와 제 1 노드(N11) 사이에 접속된다.
제 2 제어 스위칭 소자(Tr_2)는 제 1 노드(N11)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 클럭 단자(801)와 제 3 노드(N33) 사이에 접속된다. 제 2 제어 스위칭 소자(Tr_2)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 노드(N11)와 제 3 노드(N33) 사이에 직렬로 접속된 적어도 2개의 스위칭 소자들(TRa, TRb)을 포함할 수 있다. 각 스위칭 소자(TRa, TRb)의 각 게이트 전극은 제 1 노드(N11)에 연결된다.
제 3 제어 스위칭 소자(Tr_3)는 제 1 클럭 단자(801)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 고전압 단자(888)와 제 3 노드(N33) 사이에 접속된다.
제 4 제어 스위칭 소자(Tr_4)는 제 2 클럭 단자(802)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 노드(N11)와 제 5 노드(N55) 사이에 접속된다.
제 5 제어 스위칭 소자(Tr_5)는 제 3 노드(N33)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 5 노드(N55)와 제 1 저전압 단자(851)에 사이에 접속된다.
제 6 제어 스위칭 소자(Tr_6)는 제 3 노드(N33)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 클럭 단자(802)와 제 4 노드(N44) 사이에 접속된다.
제 7 제어 스위칭 소자(Tr_7)는 제 2 클럭 단자(802)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 4 노드(N44)와 제 2 노드(N22) 사이에 접속된다.
제 8 제어 스위칭 소자(Tr_8)는 제 1 노드(N11)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 노드(N22)와 제 1 저전압 노드(851) 사이에 접속된다.
제 1 커패시터(C1)는 제 2 클럭 단자(802)와 제 1 노드(N11) 사이에 접속된다.
제 2 커패시터(C2)는 제 3 노드(N33)와 제 4 노드(N44) 사이에 접속된다.
제 3 커패시터(C3)는 제 2 노드(N22)와 제 1 저전압 단자(851) 사이에 접속된다.
제 1 출력 제어부(701)는 제 1 출력 스위칭 소자(TR11) 및 제 2 출력 스위칭 소자(TR22)를 포함한다.
제 1 출력 스위칭 소자(TR11)는 제 1 노드(N11)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 고전압 단자(888)와 제 1 출력 단자(891) 사이에 접속된다.
제 2 출력 스위칭 소자(TR22)는 제 2 노드(N22)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 출력 단자(891)와 제 1 저전압 단자(851) 사이에 접속된다.
제 2 출력 제어부(702)는 제 3 출력 스위칭 소자(TR33) 및 제 4 출력 스위칭 소자(TR44)를 포함한다.
제 3 출력 스위칭 소자(TR33)는 제 1 노드(N11)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 고전압 단자(888)와 제 2 출력 단자(892) 사이에 접속된다.
제 4 출력 스위칭 소자(TR44)는 제 2 노드(N22)에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 출력 단자(892)와 제 2 저전압 단자(852) 사이에 접속된다.
이와 같이 구성된 스테이의 동작을 설명하면 다음과 같다. 예를 들어, 제 n 스테이지(ST_n)가 첫 번째 단에 위치한 제 1 스테이지일 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 이 제 n 스테이지(ST_n)는 외부로부터의 트리거 신호(TRG)를 전단 발광 신호로서 공급받는다. 이때, 제 n 스테이지(ST_n)는 제 1 클럭 신호(CLK1)의 포지티브 에지에 맞춰 액티브 전압으로 천이하고 제 2 클럭 신호(CLK2)의 포지티브 에지에 맞춰 비액티브 전압으로 천이하는 제 n 발광 신호(EM_n) 및 제 n+1 초기화 신호(Vint_n+1)를 출력한다.
한편, 제 n+1 스테이지가 두 번째 단에 위치한 제 2 스테이지일 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 이 제 n+1 스테이지는 전술된 제 n 발광 신호를 공급받는다. 이 제 n+1 스테이지는 제 2 클럭 신호(CLK2)의 포지티브 에지에 맞춰 액티브 전압으로 천이하고 제 1 클럭 신호(CLK1)의 포지티브 에지에 맞춰 비액티브 전압으로 천이하는 제 n+1 발광 신호(EM_n+1) 및 제 n+2 초기화 신호(Vint_n+2)를 출력한다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
PX_n: 제 n 화소 EM_n: 제 n 발광 신호
SC_n: 제 n 스캔 신호 Vint_n: 제 n 초기화 신호
N1 내지 N4: 제 1 내지 제 4 노드 Tr_D: 구동 스위칭 소자
Cst: 스토리지 커패시터 Cin: 커패시터
LED: 발광 소자 Vdata_n: 제 n 데이터 전압
ELn: 제 n 발광 라인 SLn: 제 n 스캔 라인
DL: 데이터 라인 ILn: 제 n 초기화 라인
ELVDD: 제 1 구동 전압 ELVSS: 제 2 구동 전압
VDL: 제 1 구동 전원 라인 VSL: 제 2 구동 전원 라인
Tr_1 내지 Tr_5: 제 1 내지 제 5 스위칭 소자

Claims (16)

  1. 복수의 화소들을 포함하며;
    상기 복수의 화소들 중 적어도 하나의 화소는,
    제 1 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 2 노드와 제 3 노드 사이에 접속된 구동 스위칭 소자;
    스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 1 스위칭 소자;
    발광 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 제 1 구동 전원 라인과 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스위칭 소자;
    상기 제 1 노드와 제 4 노드 사이에 접속된 커패시터;
    상기 제 3 노드와 제 2 구동 전원 라인 사이에 접속된 발광 소자;
    상기 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 데이터 라인과 제 4 노드 사이에 접속된 제 3 스위칭 소자;
    초기화 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 4 노드와 상기 제 3 노드 사이에 접속된 제 4 스위칭 소자; 및
    상기 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 초기화 라인과 상기 제 3 노드에 접속된 제 5 스위칭 소자를 포함하며;
    상기 초기화 라인의 초기화 신호는 상기 발광 라인의 발광 신호보다 더 앞선 위상 및 더 높은 크기의 비액티브 전압을 갖는 발광 소자 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 초기화 신호는 상기 발광 신호와 동일한 크기의 펄스폭 및 동일한 크기의 액티브 전압을 갖는 발광 소자 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 스캔 라인의 스캔 신호의 포지티브 에지는 상기 초기화 신호의 네거티브 에지와 상기 발광 신호의 네거티브 에지 사이에 위치하는 발광 소자 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 신호 및 초기화 신호 중 적어도 하나는 다른 스캔 라인에 연결된 다른 화소에 인가되는 다른 발광 신호 또는 다른 초기화 신호와 동일한 위상을 갖는 발광 소자 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 스캔 라인의 스캔 신호는 상기 다른 스캔 라인의 다른 스캔 신호보다 더 지연된 위상을 가지며, 상기 초기화 신호는 상기 다른 발광 신호와 동일한 위상을 갖는 발광 소자 표시 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 스캔 라인의 스캔 신호는 상기 다른 스캔 라인의 다른 스캔 신호보다 더 앞선 위상을 가지며, 상기 발광 신호는 상기 다른 초기화 신호와 동일한 위상을 갖는 발광 소자 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 화소들은 상기 스캔 라인 및 다른 데이터 라인에 연결된 다른 화소를 포함하며, 상기 다른 화소는 상기 화소의 제 2 노드에 연결된 발광 소자 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 다른 화소는,
    다른 제 1 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 2 노드와 다른 제 3 노드 사이에 접속된 다른 구동 스위칭 소자;
    상기 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 다른 제 1 노드와 상기 다른 제 2 노드 사이에 접속된 다른 제 1 스위칭 소자;
    상기 다른 제 1 노드와 다른 제 4 노드 사이에 접속된 다른 커패시터;
    상기 다른 제 3 노드와 상기 제 2 구동 전원 라인 사이에 접속된 다른 발광 소자;
    상기 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 다른 데이터 라인과 다른 제 4 노드 사이에 접속된 다른 제 3 스위칭 소자;
    다른 초기화 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 다른 제 4 노드와 상기 다른 제 3 노드 사이에 접속된 다른 제 4 스위칭 소자; 및
    상기 스캔 라인에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 다른 초기화 라인과 상기 다른 제 3 노드에 접속된 다른 제 5 스위칭 소자를 포함하는 발광 소자 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    제 1 기간 동안, 상기 스캔 라인의 스캔 신호 및 상기 발광 신호는 각각 액티브 전압으로 유지되고, 상기 초기화 신호는 비액티브 전압으로 유지되고, 데이터 전압이 상기 데이터 라인에 인가되며;
    제 2 기간 동안, 상기 스캔 신호는 액티브 전압으로 유지되고, 상기 발광 신호 및 상기 초기화 신호는 각각 비액티브 전압으로 유지되고, 상기 데이터 전압이 상기 데이터 라인에 인가되며;
    제 3 기간 동안, 상기 스캔 신호, 상기 발광 신호 및 상기 초기화 신호는 각각 비액티브 전압으로 유지되며;
    제 4 기간 동안, 상기 스캔 신호 및 상기 발광 신호는 각각 비액티브 전압으로 유지되고, 상기 초기화 신호는 액티브 전압으로 유지되며;
    제 5 기간 동안, 상기 스캔 신호는 비액티브 전압으로 유지되고, 상기 발광 신호 및 상기 초기화 신호는 액티브 전압으로 유지되는 발광 소자 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 신호 및 상기 초기화 신호를 생성하는 드라이버를 더 포함하는 발광 소자 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 드라이버는 복수의 스테이지들을 포함하며, 하나의 스테이지는 상기 발광 신호 및 다른 화소의 다른 초기화 신호를 생성하는 발광 소자 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 하나의 스테이지는,
    전단 스테이지로부터의 발광 신호가 인가되는 입력 단자;
    제 1 및 제 2 클럭 신호들 중 어느 하나가 입력되는 제 1 클럭 단자;
    상기 제 1 및 제 2 클럭 신호들 중 다른 하나가 입력되는 제 2 클럭 단자;
    상기 스캔 라인의 스캔 신호, 상기 발광 신호 및 상기 초기화 신호의 각 액티브 전압에 해당하는 게이트 고전압이 입력되는 고전압 단자;
    상기 초기화 신호의 비액티브 전압에 해당하는 제 1 게이트 저전압이 입력되는 제 1 저전압 단자;
    상기 스캔 신호 및 상기 발광 신호의 각 액티브 전압에 해당하는 제 2 게이트 고전압이 입력되는 제 2 저전압 단자;
    상기 발광 신호가 출력되는 제 1 출력 단자; 및
    상기 다른 초기화 신호가 출력되는 제 2 출력 단자를 포함하는 발광 소자 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 하나의 스테이지는,
    상기 전단 스테이지로부터의 발광 신호, 상기 제 1 클럭 신호, 제 2 클럭 신호, 상기 게이트 고전압, 상기 제 1 게이트 저전압 및 상기 제 2 게이트 저전압을 근거로 제 1 제어 노드, 제 2 제어 노드, 제 3 제어 노드 및 제 4 제어 노드의 전압을 제어하는 노드 제어부; 및
    제 1 제어 노드의 전압, 제 2 제어 노드의 전압, 상기 게이트 고전압, 상기 제 1 게이트 저전압을 근거로 상기 발광 신호의 출력을 제어하는 제 1 출력 제어부; 및
    상기 제 1 제어 노드의 전압, 제 2 제어 노드의 전압, 상기 게이트 고전압, 상기 제 2 게이트 저전압을 근거로 상기 다른 초기화 신호의 출력을 제어하는 제 2 출력 제어부를 더 포함하는 발광 소자 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 노드 제어부는,
    상기 제 1 클럭 단자에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 입력 단자와 상기 제 1 제어 노드 사이에 접속된 제 1 제어 스위칭 소자;
    상기 제 1 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 1 클럭 단자와 상기 제 3 제어 노드 사이에 접속된 제 2 제어 스위칭 소자;
    상기 제 1 클럭 단자에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 고전압 단자와 상기 제 3 제어 노드 사이에 접속된 제 3 제어 스위칭 소자;
    상기 제 2 클럭 단자에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 1 제어 노드와 제 5 노드 사이에 접속된 제 4 제어 스위칭 소자;
    상기 제 3 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 5 노드와 상기 제 1 저전압 단자에 사이에 접속된 제 5 제어 스위칭 소자;
    상기 제 3 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 2 클럭 단자와 상기 제 4 제어 노드 사이에 접속된 제 6 제어 스위칭 소자;
    상기 제 2 클럭 단자에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 4 제어 노드와 상기 제 2 제어 노드 사이에 접속된 제 7 제어 스위칭 소자;
    상기 제 1 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 2 제어 노드와 상기 제 1 저전압 노드 사이에 접속된 제 8 제어 스위칭 소자;
    상기 제 2 클럭 단자와 상기 제 1 제어 노드 사이에 접속된 제 1 커패시터;
    상기 제 3 제어 노드와 제 4 제어 노드 사이에 접속된 제 2 커패시터; 및
    상기 제 2 제어 노드와 상기 제 1 저전압 단자 사이에 접속된 제 3 커패시터를 포함하는 발광 소자 표시 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 출력 제어부는,
    상기 제 1 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 고전압 단자와 상기 제 1 출력 단자 사이에 접속된 제 1 출력 스위칭 소자; 및
    상기 제 2 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 1 출력 단자와 상기 제 1 저전압 단자 사이에 접속된 제 2 출력 스위칭 소자를 포함하는 발광 소자 표시 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 출력 제어부는,
    상기 제 1 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 고전압 단자와 상기 제 2 출력 단자 사이에 접속된 제 3 출력 스위칭 소자; 및
    상기 제 2 제어 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 상기 제 2 출력 단자와 상기 제 2 저전압 단자 사이에 접속된 제 4 출력 스위칭 소자를 포함하는 발광 소자 표시 장치.


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