KR102537215B1 - 다양한 반도체 소자에 적응적으로 가속인자의 적용이 가능한 반도체 소자 평가 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 평가 방법 - Google Patents

다양한 반도체 소자에 적응적으로 가속인자의 적용이 가능한 반도체 소자 평가 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 평가 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 소자의 평가 시스템이 제공된다. 상기 반도체 소자의 평가 시스템은, 하우징, 상기 하우징 내에 배치되고, 피시험 반도체 소자가 장착되는 테스트 보드(test board), 상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드의 하부에 배치되어 상기 테스트 보드를 지지하고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자의 하부면으로 열을 전달하는 제1 히팅 모듈, 상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드의 상부에 배치되고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 열을 전달하는 제2 히팅 모듈, 및 상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자로 테스트 신호를 인가하는 테스트 신호 공급 회로부를 포함할 수 있다.

Description

다양한 반도체 소자에 적응적으로 가속인자의 적용이 가능한 반도체 소자 평가 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 평가 방법{A semiconductor device evaluation system capable of adaptively apply acceleration factors to various semiconductor devices, and a semiconductor device evaluation method using the same}
본 출원은 반도체 소자의 평가 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 평가 방법에 관련된 것으로, 보다 상세하게는, 다양한 반도체 소자에 적응적으로 가속인자의 적용이 가능한 반도체 소자 평가 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 평가 방법에 관련된 것이다.
반도체는 컴퓨터나 휴대폰, TV뿐만 아니라, 가정용 전자제품에도 다수 사용되고 있으며, 현재 우리 생활의 구석구석 침투되어 있다. TV나 휴대전화는 반도체를 통해 영상이나 음성통신이 가능하고, 전기밥솥, 전자레인지, 에어컨, 냉장고, 세탁기 등 가전제품에 들어있는 반도체는 간단한 조작만으로도 최적으로 작동할 수 있도록 제어한다.
이러한 반도체는 자동차에도 적게는 수백 개부터 많게는 수천 개씩 들어가는데, 특히, 자율주행차, 무인항공기 등의 분야에 들어가는 반도체는 작동에 대한 신뢰성이 생명 및 안전과 직결되어, 반도체의 신뢰성 평가는 매우 중요한 공정 중 하나로 인식되고 있다.
반도체의 신뢰성 평가는 고압, 고온, 고습 등의 최악의 환경 조건에서도 에러없이 잘 동작하는지, 환경 변화에 따른 수명은 얼마나 되는지 등에 대한 시험을 수행하여 특정 환경에 노출된 반도체의 에러 예측 및 이에 따른 신뢰도를 평가하는 것이다.
예를 들어, 대한민국 특허등록공보 10-1045009에는, 반도체 램과 수직한 방향으로 놓여져서, 열전반도체의 일면에 접합되어 챔버 내부의 공기를 냉각 및 가열하게 되는 열교환부와, 열전반도체의 다른 일면에 접합되어 열전반도체의 발열량을 배출하는 방열부로 구성되어 반도체 램의 온도를 제어하게 되는 열전장치부가 설치되고, 열전장치부의 외곽에 설치되어 외부 환경과 열전장치부를 분리시켜주는 단열 챔버와, 단열챔버 내부에서 열전장치부의 방열부를 분리시켜주기 위하여 방열부를 둘러싸고 설치된 내부 격벽 구조물로 이루어진 밀폐형 순환구조를 갖는 반도체 램의 온도 평가 장치가 개시되어 있다.
다른 예를 들어, 대한민국 특허등록공보 10-1421051에는 일측에 복수개의 가이드홀과 전도성와이어 지지홀이 형성되는 가이드 플레이트, 상기 가이드홀에 삽입설치되고, 하단이 검사대상반도체에 전기적으로 접촉되는 복수개의 검사핀, 상기 전도성와이어 지지홀에 삽입설치되고, 상기 복수개의 검사핀 중 전원용 검사핀 또는 신호용 검사핀 주변에 배치되는 하나 이상의 전도성와이어, 상기 복수개의 검사핀 중 접지용 검사핀과 상기 전도성와이어를 전기적으로 연결하는 도전성 연결수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 검사장치가 개시되어 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 다양한 반도체 소자에 적응적으로 가속인자의 적용이 가능한 반도체 소자 평가 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 평가 방법을 제공하는 데 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 피시험 반도체 소자의 스펙에 따라 적응적으로 변화 가능한 반도체 소자 평가 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 평가 방법을 제공하는 데 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 검사의 편의성이 향상된 반도체 소자의 평가 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 평가 방법을 제공하는 데 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 검사 비용을 절감할 수 있는 반도체 소자의 평가 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 평가 방법을 제공하는 데 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 검사 시간을 단축할 수 있는 반도체 소자의 평가 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 평가 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 출원은 반도체 소자의 평가 시스템을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 반도체 소자의 평가 시스템은, 하우징, 상기 하우징 내에 배치되고, 피시험 반도체 소자가 장착되는 테스트 보드(test board), 상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드의 하부에 배치되어 상기 테스트 보드를 지지하고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자의 하부면으로 열을 전달하는 제1 히팅 모듈, 상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드의 상부에 배치되고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 열을 전달하는 제2 히팅 모듈, 및 상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자로 테스트 신호를 인가하는 테스트 신호 공급 회로부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 히팅 모듈은, 내부에 홀을 갖는 제1 히팅 블록, 및 상기 제1 히팅 블록의 내부의 홀에 삽입되고, 외부 전원을 이용하여 열을 생성하는 제1 히팅 구조체를 포함하고, 상기 제1 히팅 구조체에서 생성된 열이 상기 제1 히팅 블록으로 전달되고, 상기 테스트 보드는 상기 제1 히팅 블록의 상부면에 고정 결합되어, 상기 제1 히팅 구조체에서 생성된 열이 상기 테스트 보드를 경유하여 상기 피시험 반도체 소자의 하부면으로 전달되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 히팅 모듈은, 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 갖고, 상기 제2 면에 형성된 홈을 갖는 제2 히팅 블록, 상기 제2 히팅 블록의 상기 제2 면의 홈에 수용되고, 외부 전원을 이용하여 열을 생성하는 제2 히팅 구조체, 및 상기 제2 히팅 블록의 상기 제1 면에 연결되고, 상기 제1 면으로부터 돌출된 제2 히팅 로드를 포함하고, 상기 제2 히팅 구조체에서 생성된 열이 상기 제2 히팅 블록을 경유하여 상기 제2 히팅 로드로 전달되고, 상기 제2 히팅 로드는 상기 피시험 반도체 소자의 상부면과 접촉하여, 상기 제2 히팅 구조체에서 생성된 열이 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 전달되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 히팅 블록의 상기 제2 면에 형성된 홈은, 상기 제2 면의 중앙 영역에 형성된 리세스 영역, 및 상기 리세스 영역에서 가장자리로 서로 이격되어 나란히 연장하는 한 쌍의 그루브 영역을 포함하고, 상기 리세스 영역 내에 상기 제2 히팅 구조체의 발열부가 배치되고, 한 쌍의 상기 그루브 영역 내에, 외부 전원과 연결되어 상기 발열부로 전력을 공급하는 한 쌍의 전력 공급 라인이 각각 배치되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제2 히팅 로드는, 상기 제2 히팅 블록의 상기 제1 면에서 이동 가능하도록 결합되고, 상기 제2 히팅 모듈은, 상기 제2 히팅 블록의 상기 제2 면의 가장자리 상에 배치된 단열 블록을 더 포함하고, 상기 제2 히팅 모듈은 상기 단열 블록을 사이에 두고, 상기 하우징을 덮는 캡핑부의 내면과 결합되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 반도체 소자의 평가 시스템은, 상기 단열 블록과 상기 캡핑부 내면 사이에 제공되는 단열 패드를 더 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 출원은 반도체 소자의 평가 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 반도체 소자의 평가 방법은, 테스트 보드에 피시험 반도체 소자를 장착하는 단계, 제1 히팅 모듈을 이용하여 상기 피시험 반도체 소자의 하부면으로 열을 전달하거나, 및/또는 제2 히팅 모듈을 이용하여 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 열을 전달하는 단계, 및 상기 제1 히팅 모듈 및/또는 상기 제2 히팅 모듈에서 열이 전달된 이후, 상기 피시험 반도체 소자로 테스트 신호를 전달하고, 상기 테스트 신호에 따른 상기 피시험 반도체 소자의 출력 신호를 측정하여, 상기 피시험 반도체 소자를 평가하는 단계를 포함할 수 있다.
본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템은, 반도체 소자의 평가 시스템은, 하우징, 상기 하우징 내에 배치되고, 피시험 반도체 소자가 장착되는 테스트 보드(test board), 상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드의 하부에 배치되어 상기 테스트 보드를 지지하고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자의 하부면으로 열을 전달하는 제1 히팅 모듈, 상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드의 상부에 배치되고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 열을 전달하는 제2 히팅 모듈, 및 상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자로 테스트 신호를 인가하는 테스트 신호 공급 회로부를 포함할 수 있다.
상기 피시험 반도체 소자의 패키징 크기 및 방식에 따라서 상기 제1 히팅 모듈 및 상기 제2 히팅 모듈이 가변적으로 적용될 수 있다. 이에 따라, 상기 피시험 반도체 소자에 따라 별도의 반도체 소자의 평가 시스템을 두지 않고, 일괄적으로 평가가 수행될 수 있고, 이로 인해, 검사의 편의성이 향상되고, 검사 비용이 절감되고, 검사 시간이 단축될 수 있다.
도 1은 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템을 설명하기 위한 분리 사시도이다.
도 2는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제1 히팅 모듈의 제1 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제1 히팅 모듈의 제2 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제1 히팅 모듈의 제3 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제2 히팅 모듈을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제2 히팅 모듈을 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 7 내지 도 9는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제2 히팅 모듈의 이동 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 10 내지 도 12는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 설치된 온도 센서를 설명하기 위한 도면들이다.
도 13은 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 14는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에서 온도 계산 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
또한, 본 출원의 명세서에 기재된 반도체 소자의 검사 시스템을 제조 및 판매를 실시하는 주체와 본 출원 명세서에 기재된 반도체 소자 검사 방법을 수행하는 주체가 다를 수 있음은 자명하다.
또한, 시계열적으로 기재된 방법 청구항에서, 각 단계가 수행되는 순서는 단순히 기재된 순서에 한정되지 않고, 내포된 기술적 의미에 따라서 순서가 한정되는 것으로 해석되며, 내포된 기술적 의미에 따라서 순서가 한정되지 않는 단계들은 각 단계들의 수행 순서에 제한이 없는 것으로 해석된다.
도 1은 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템을 설명하기 위한 분리 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템은, 하우징(110), 제1 히팅 모듈(130), 및 제2 히팅 모듈(160)을 포함할 수 있다.
상기 제1 히팅 모듈(130) 및 상기 제2 히팅 모듈(160)은 상기 하우징(110) 내에 제공되며, 상기 제1 히팅 모듈(130) 및 상기 제2 히팅 모듈(160)은 상기 하우징(110) 내에 제공되는 피시험 반도체 소자(122)로 열을 공급하여, 상기 하우징(110)의 내부에 상온보다 높은 고온 환경이 구현될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 히팅 모듈(130) 및 상기 제2 히팅 모듈(160)은 동시에 상기 피시험 반도체 소자(122)로 열을 전달하거나, 또는 상기 제1 히팅 모듈(130) 및 상기 제2 히팅 모듈(160) 중에서 어느 하나가 상기 피시험 반도체 소자(122)로 열을 공급할 수 있다.
상기 하우징(110)의 내부는, 격벽에 의해 복수의 공간으로 구획될 수 있다. 구체적으로, 제1 공간에는 상기 피시험 반도체 소자(122)로 테스트 신호를 공급하는 테스트 신호 공급 회로부(140)가 배치될 수 있고, 상기 제1 공간과 격벽에 의해 분리된 제2 공간에는 상기 제1 히팅 모듈(130), 상기 제2 히팅 모듈(160) 및 상기 피시험 반도체 소자(122)가 배치될 수 있다.
다시 말하면, 상기 하우징(110) 내부는, 상기 테스트 신호 공급 회로부(140)가 배치되는 상기 제1 공간과 상기 제1 히팅 모듈(130) 및 상기 제2 히팅 모듈(160)에 의해 고온 환경이 구축되는 제2 공간이 격벽에 의해 구획되는 별도의 공간에 배치될 수 있고, 이로 인해, 상기 제1 히팅 모듈(130) 및 상기 제2 히팅 모듈(160)에서 발생하는 열이 상기 테스트 신호 공급 회로부(140)로 전달되는 것이 최소화될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 히팅 모듈(130) 및 상기 제2 히팅 모듈(160)에서 발생하는 열에 의해, 상기 테스트 신호 공급 회로부(140)가 열화되는 것이 방지되어, 고수명 및 고신뢰성의 반도체 소자의 평가 시스템이 제공될 수 있다.
한편, 상기 하우징(110)은 캡핑부(170)로 덮여질 수 있고, 상기 캠핑부(170)는 볼트/나사 등의 결합부품을 이용하여 상기 하우징(110)의 측벽 상단에 고정될 수 있다.
상기 캡핑부(170)는 상술된 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간을 구획하는 격벽을 기준으로 접힐 수 있도록 힌지부를 구비할 수 있다. 이에 따라, 상기 캠핑부(170)가 상기 하우징(110)의 측벽에 결합부부품에 의해 고정된 상태에서, 상기 제1 공간 및 상기 제2 공간 중에서 어느 하나가 선택적으로 오픈(open)될 수 있다. 즉, 평가자는 상기 제1 공간만을 선택적으로 오픈하여 상기 제1 공간에 배치된 상기 테스트 신호 공급 회로부(140)를 점검할 수 있고, 이 경우, 상기 제2 공간이 격벽에 의해 상기 제1 공간으로부터 구획 및 분리되어, 상기 제1 히팅 모듈(130) 및 상기 제2 히팅 모듈(160)에 의해 생성된 열이 상기 제1 공간으로 전달되지 않아, 평가자는 안전하게 상기 제1 공간 내의 상기 테스트 신호 공급 회로부(140)를 점검할 수 있다.
상기 하우징(110)의 측벽에 제1 커넥트 블록(152) 및 제2 커넥트 블록(154)이 장착될 수 있다. 상기 제1 커넥트 블록(152) 및 상기 제2 커넥트 블록(154)은 서로 대향하는 상기 하우징(110)의 측벽에 장착될 수 있다. 상기 제1 커넥트 블록(152) 및 상기 제2 커넥트 블록(154)이 장착될 수 있도록, 상기 하우징(110)의 측벽에 개구부가 마련될 수 있다. 상기 제1 커넥트 블록(152) 및 상기 제2 커넥트 블록(154)는 볼트/너트 등 결합 부품을 이용하여 장착될 수 있다.
상기 제1 커넥트 블록(152) 및 상기 제2 커넥트 블록(154)은 상기 피시험 반도체 소자(122)와 연결되어, 외부 기기에서 상기 피시험 반도체 소자(122)로 다양한 신호(예를 들어, 고주파 신호)가 입력될 수 있고, 입력되는 신호에 대한 상기 피시험 반도체 소자(122)의 출력 신호가 외부 기기로 전달될 수 있다.
상기 제1 커넥트 블록(152)은 상기 하우징(110)의 측벽의 개구부에 장착되는 제1 바디부 및 상기 제1 바디부에 결합된 제1 커넥트를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 커넥트 블록(154)은 상기 하우징(11)의 측벽의 개구부에 장착되는 제2 바디부 및 상기 제2 바디부에 결합된 제2 커넥트를 포함할 수 있다. 상기 제1 커넥트가 상기 제1 바디부에 결합되는 위치가 서로 상이한 복수의 상기 제1 커넥트 블록(152)이 준비될 수 있고, 동일하게 상기 제2 커넥트가 상기 제2 바디부에 결합되는 위치가 서로 상이한 복수의 상기 제2 커넥트 블록(153)이 준비될 수 있다. 이 경우, 평가자는 상기 피시험 반도체 소자(122)의 종류에 따라, 복수의 상기 제1 커넥트 블록(152) 및 복수의 상기 제2 커넥트 블록(154) 중에서 적합한 것을 선택하여, 상기 하우징(110)의 측벽의 개구부에 장착할 수 있다.
만약, 상술된 바와 달리, 상기 제1 커넥트 및 상기 제2 커넥트가 상기 하우징(110)의 측벽에 고정 결합되어 있는 경우, 상기 피시험 반도체 소자(122)의 패키징 크기 또는 상기 피시험 반도체 소자(122)의 패키징 방식 등에 따라서, 상기 하우징(110)의 측벽에 고정 결합된 상기 제1 커넥트 및 상기 제2 커넥트를 이용하여 상기 피시험 반도체 소자(122)로 신호를 입력 및 출력하기 용이하지 않다. 또한, 이 경우, 상기 피시험 반도체 소자(122)의 패키징 크기 또는 상기 피시험 반도체 소자(122)의 패키징 방식에 따라 개별적으로 상기 하우징(110)을 제작해야 하는 불편함이 있고, 이로 인해 평가 비용 및 평가 시간이 증가하여, 평가의 효율성이 저하되는 문제가 있다.
하지만, 상술된 바와 같이, 본 출원의 실시 예에 따르면, 다양한 종류 및 스펙의 상기 제1 커넥트 블록(152) 및 상기 제2 커넥트 블록(154)이 준비될 수 있고, 상기 하우징(110)의 측벽의 개구부에, 다양한 종류의 상기 제1 커넥트 블록(152) 및 상기 제2 커넥트 블록(154) 중에서, 상기 피시험 반도체 소자(122)에 적합한 것이 선택되고, 상기 하우징(110)의 측벽의 개구부에 장착될 수 있다. 이에 따라, 상기 피시험 반도체 소자(122)로 상기 제1 커넥트 및 상기 제2 커넥트를 이용하여 용이하게 신호를 입력 및 출력할 수 있고, 상기 피시험 반도체 소자(122)의 평가 시간, 평가 효율성, 및 평가 편의성이 향상될 수 있다.
이하, 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제1 히팅 모듈이 설명된다.
도 2는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제1 히팅 모듈의 제1 실시 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제1 히팅 모듈의 제2 실시 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제1 히팅 모듈의 제3 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 상기 제1 히팅 모듈(130)은 제1 히팅 블록(132), 및 제1 히팅 구조체(134)를 포함할 수 있다.
상기 제1 히팅 블록(132)은 내부에 일 방향으로 연장하는 홀(hole)을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 히팅 블록(132)의 상부면 상에 상기 피시험 반도체 소자(122)가 장착된 상기 테스트 보드(120)가 결합 부품(120a)을 이용하여 고정 결합될 수 있다.
상기 제1 히팅 구조체(134)는 외부 전원으로부터 전력을 공급받아 열을 생성할 수 있다. 상기 제1 히팅 구조체(134)는 일 방향으로 연장하는 로드(rod) 형태일 수 있고, 로드 형태의 상기 제1 히팅 구조체(134)가 상기 제1 히팅 블록(132)의 내부의 홀 내에 삽입될 수 있다.
외부 전원으로부터 전력을 공급받은 상기 제1 히팅 구조체(134)에서 열이 생성될 수 있고, 상기 제1 히팅 구조체(134)에서 생성된 열이 상기 제1 히팅 블록(132)으로 전달될 수 있다.
상기 피시험 반도체 소자(122)가 장착된 상기 테스트 보드(120)는, 상술된 바와 같이 상기 제1 히팅 블록(132)의 상부면에 고정 결합될 수 있고, 결과적으로, 상기 제1 히팅 구조체(134)에서 생성된 열이 상기 제1 히팅 블록(132) 및 상기 테스트 보드(120)를 경유하여, 상기 피시험 반도체 소자(122)의 하부면으로 전달될 수 있다.
상기 제1 히팅 모듈(130)에서 상기 피시험 반도체 소자(122)의 하부면으로 열이 공급되는 동안, 또는 공급된 이후, 상기 피시험 반도체 소자(122)에 대한 검사가 수행될 수 있고, 이로 인해, 반도체 소자의 열화 가속 인자가 적용된 상태에서 상기 피시험 반도체 소자(122)에 대한 검사가 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 3 및 도 4에 도시된 것과 같이, 상기 피시험 반도체 소자(122)의 패키징 크기에 따라서, 상기 테스트 보드(120)가 다양한 사이즈로 구비될 수 있고, 이에 따라, 다양한 크기의 상기 피시험 반도체 소자(122)에 대해서 용이하게 열을 전달할 수 있다.
이하, 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제2 히팅 모듈이 설명된다.
도 5는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제2 히팅 모듈을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제2 히팅 모듈을 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 7 내지 도 9는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 포함된 제2 히팅 모듈의 이동 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제2 히팅 모듈(160)은 제2 히팅 블록(162), 제2 히팅 구조체(164), 단열 블록(166), 및 히팅 로드(168)를 포함할 수 있다.
상기 제2 히팅 블록(162)은 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 가질 수 있다. 상기 제2 히팅 블록(162)의 상기 제2 면에 홈이 형성될 수 있다.
상기 제2 히팅 블록(162)의 상기 제2 면에 형성된 홈은, 리세스 영역 및 한 쌍의 그루브 영역을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 리세스 영역은 상기 제2 히팅 블록(162)의 중앙 영역에 형성될 수 있다. 한 쌍의 상기 그루브 영역은, 상기 리세스 영역과 연통하고, 상기 리세스 영역에서 상기 제2 히팅 블록(162)의 상기 제2 면의 가장자리로 서로 이격되어 나란히 연장할 수 있다.
상기 제2 히팅 구조체(164)는 발열부, 및 상기 발열부와 연결된 한 쌍의 전력 공급 라인을 포함할 수 있다. 상기 제2 히팅 구조체(164)는 한 쌍의 상기 전력 공급 라인을 통해 외부 전원으로부터 전력을 공급받을 수 있고, 상기 전력 공급 라인을 통해 전달받은 전력을 이용하여, 상기 발열부가 발열할 수 있다.
상기 제2 히팅 구조체(164)의 상기 발열부는 상기 리세스 영역에 배치될 수 있고, 상기 제2 히팅 구조체(166)의 한 쌍의 상기 전력 공급 라인은 한 쌍의 상기 그루브 영역 내에 배치될 수 있다.
상기 제2 히팅 로드(168)는 상기 제2 히팅 블록(162)의 상기 제1 면에 연결될 수 있다. 상기 히팅 로드(168)는 상기 제2 히팅 블록(162)의 상기 제1 면으로부터 돌출된 로드 형태일 수 있다.
상기 제2 히팅 로드(168)는 상기 피시험 반도체 소자(122)의 상부면과 접촉하여, 상기 제2 히팅 구조체(164)에서 생성된 열이 상기 피시험 반도체 소자(122)의 상부면으로 전달될 수 있다. 다시 말하면, 외부 전원으로부터 전력을 전달받아 상기 제2 히팅 구조체(164)의 상기 발열부에서 열이 생성될 수 있고, 상기 제2 히팅 구조체(164)에서 생성된 열이 상기 제2 히팅 블록(162)을 경유하여 상기 제2 히팅 로드(168)로 전달되고, 이로 인해, 상기 제2 히팅 로드(168)에 의해 상기 피시험 반도체 소자(122)의 상부면으로 열이 전달될 수 있다.
상기 제2 히팅 모듈(160)에서 상기 피시험 반도체 소자(122)의 상부면으로 열이 공급되는 동안, 또는 공급된 이후, 상기 피시험 반도체 소자(122)에 대한 검사가 수행될 수 있고, 이로 인해, 반도체 소자의 열화 가속 인자가 적용된 상태에서, 상기 피시험 반도체 소자(122)에 대한 검사가 수행될 수 있다.
상기 제2 히팅 로드(168)는 상기 제2 히팅 블록(162)의 상기 제1 면에서 이동 가능하도록 결합될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 히팅 블록(162)의 상기 제1 면에 일 방향으로 연장하는 개구부가 제공되고, 상기 제2 히팅 로드(168)가 개구부에 삽입되고, 개구부를 따라 일 방향으로 이동할 수 있다. 또는, 다른 실시 예에 따르면, 상기 제2 히팅 블록(162)의 상기 제1 면에 레일(rail)이 구비되고 레일에 제2 히팅 로드(168)가 결합되고, 상기 제2 히팅 로드(168)가 레일을 따라 이동할 수 있다. 상술된 실시 예외 다른 방법으로, 상기 제2 히팅 로드(168)가 상기 제2 히팅 블록(162)의 상기 제1 면에서 이동 가능하도록 결합될 수 있음 당업자에게 자명하다.
이에 따라, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이 상기 피시험 반도체 소자(122)의 위치에 따라서, 상기 제2 히팅 로드(168)가 이동할 수 있고, 상기 제2 히팅 모듈(160)에서 발생한 열이 상기 피시험 반도체 소자(122)의 상부면으로 용이하게 그리고 효율적으로 전달될 수 있다.
또한, 상기 제2 히팅 로드(168)는 상기 제2 히팅 블록(162)에 분리 및 결합(즉, 교환) 가능할 수 있고, 상기 제2 히팅 로드(168)는 다양한 길이를 사이즈를 갖도록 복수개 구비될 수 있다. 이 경우, 평가자는 상기 피시험 반도체 소자(122)의 상부면의 높이에 따라서, 이에 적합한 길이를 갖는 상기 제2 히팅 로드(168)를 선택하여, 상기 제2 히팅 블록(162)에 장착할 수 있다.
상기 단열 블록(166)은 상기 제2 히팅 블록(162)의 상기 제2 면의 가장자리 상에 배치되고, 상기 제2 히팅 모듈(160)은 상기 단열 블록(166)을 사이에 두고 상기 하우징(110)을 덮는 상기 캡핑부(170)의 내면과 결합될 수 있다. 세라믹 등으로 제조된 상기 단열 블록(166)에 의해 상기 제2 히팅 모듈(160)에서 생성된 열이 상기 캡핑부(170)로 전달되는 것이 최소화될 수 있다. 이로 인해, 평가자의 안전이 확보될 수 있다.
또한, 일 실시 예에 따르면, 상기 단열 블록(166)과 상기 캡핑부(170)의 내면 사이에 추가적으로 단열 패드가 더 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 피시험 반도체 소자(122)가 상대적으로 아래쪽에 위치한 경우에도, 추가적으로 제공된 상기 단열 패드의 두께만큼, 상기 제2 히팅 로드(168)의 단부가 더 아래로 이동할 수 있고, 이로 인해, 장비의 추가적인 교체 없이, 상대적으로 아래쪽에 위치한 상기 피시험 반도체 소자(122)의 상부면과 상기 제2 히팅 로드(168)의 단부가 용이하게 접촉할 수 있다.
만약, 상술된 바와 달리, 상기 제2 히팅 로드(168)가 고정 결합되어 이동할 수 없거나, 상기 제2 히팅 로드(168)가 교체될 수 없거나, 추가적으로 상기 단열 패드가 제공되지 못하는 상태에서, 상기 피시험 반도체 소자(122)의 패키징의 크기 및 상기 피시험 반도체 소자(122)의 패키징 방식에 따라서, 상기 피시험 반도체 소자(122)의 배치가 변경되는 경우, 상기 제2 히팅 로드(168)를 상기 피시험 반도체 소자(122)의 상부면에 접촉시키기 용이하지 않다. 즉, 이 경우, 상기 피시험 반도체 소자(122)의 패키징 크기 또는 상기 피시험 반도체 소자(122)의 패키징 방식에 따라 개별적으로 상기 제2 히팅 모듈(160)을 제가해야 하는 불편함이 있고, 이로 인해 평가 비용 및 평가 시간이 증가하여, 평가의 효율성이 저하되는 문제가 있다.
하지만, 상술된 바와 같이, 본 출원의 실시 예에 따르면, 상기 제2 히팅 로드(168)가 이동할 수 있고, 상기 제2 히팅 로드(168)가 교체될 수 있고, 추가적으로 상기 단열 패드가 제공될 수 있다. 이에 따라, 하나의 상기 제2 히팅 모듈(160)을 이용하여, 다양한 상기 피시험 반도체 소자(122)의 상부면에 열을 용이하게 공급할 수 있고, 결과적으로, 상기 피시험 반도체 소자(122)의 평가 시간, 평가 효율성, 및 평가 편의성이 향상될 수 있다.
도 10 내지 도 12는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 설치된 온도 센서를 설명하기 위한 도면들이다. 구체적으로, 도 10 내지 도 12는 도 1에 도시된 반도체 소자의 평가 시스템에서, 온도 센서가 설치되는 부분을 확대한 것이다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 제1 내지 제6 온도 센서(181, 182, 183, 184, 185, 186)가 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에 설치될 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 온도 센서(181)는, 상기 테스트 신호 공급 회로부(140)가 배치되는 상기 제1 공간과, 상기 제1 히팅 모듈(130) 상에 배치된 상기 피시험 반도체 소자(122)가 배치되는 상기 제2 공간을 구획하는 격벽에 설치될 수 있다. 상기 제1 온도 센서(181)는 격벽의 상기 제2 공간과 마주하는 면에 설치되어, 상기 제1 히팅 모듈(130) 및/또는 상기 제2 히팅 모듈(160)에서 발생된 열에 따른 격벽의 온도를 측정할 수 있다.
상기 제2 온도 센서(182) 및 상기 제3 온도 센서(183)는 상기 제2 히팅 모듈(160)에 설치될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 온도 센서(182)는 상기 제2 히팅 모듈(160)의 상기 제2 히팅 구조체(164)에 설치되어 상기 제2 히팅 구조체(164)은 온도를 측정할 수 있고, 상기 제3 온도 센서(183)는 상기 제2 히팅 모듈(160)의 상기 제2 히팅 로드(168)에 설치되어 상기 제2 히팅 로드(168)의 온도를 측정할 수 있다.
상기 제4 온도 센서(184), 상기 제5 온도 센서(185), 및 상기 제6 온도 센서(186)는 상기 제1 히팅 모듈(130)에 설치될 수 있다. 구체적으로, 상기 제4 온도 센서(184)는 상기 피시험 반도체 소자(122)에 인접한 상기 테스트 보드(120) 상에 배치되어, 상기 피시험 반도체 소자(122)로 전달되는 온도를 측정할 수 있고, 상기 제5 온도 센서(185) 및 상기 제6 온도 센서(186)는 상기 제1 히팅 모듈(130)의 상기 제1 히팅 블록(132)의 측면부에 설치되어, 상기 제1 히팅 모듈(130)의 상기 제1 히팅 구조체(134)에서 생성된 열에 의해 상기 제2 히팅 블록(132)이 전달받은 온도를 측정할 수 있다.
이하, 상술된 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 장치에서, 온도 계산 방법, 이에 따른 온도 조절 방법이 도 13 및 도 14를 참조하여 설명된다.
상술된 실시 예에서, 제1 히팅 모듈(130)의 제5 및 제6 온도 센서(185, 186)가 도 13 및 도 14를 참조하여 설명될 제1 온도 센서(32)에 대응할 수 있고, 상기 제1 히팅 모듈(130)의 제4 온도 센서(184)가 도13 및 도 14를 참조하여 설명될 제2 온도 센서(34)에 대응할 수 있다. 또한, 상술된 실시 예에서 제2 히팅 모듈(160)의 제3 온도 센서(183)가 도 13 및 도 14를 참조하여 설명될 제1 온도 센서(32)에 대응할 수 있고, 상기 제2 히팅 모듈(160)의 제2 온도 센서(182)가 도 13 및 도 14를 참조하여 설명될 제2 온도 센서(34)에 대응할 수 있다.
도 13은 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 13을 참조하면, 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템은, 히팅 모듈(10), 피시험 반도체 소자(20), 제1 온도 센서(32), 제2 온도 센서(34), 및 제어부(40)를 포함할 수 있다.
상기 히팅 모듈(10)은 하우징 내에 배치되고, 상기 하우징 내에 배치된 상기 피시험 반도체 소자(20)로 열을 공급할 수 있다. 구체적으로, 상기 히팅 모듈(10)은 외부 전원으로부터 전달받은 전력 값(Vco)를 이용하여 열을 생성하고, 상기 히팅 모듈(10)에서 생성된 열이 상기 피시험 반도체 소자(20)로 전달될 수 있다.
상기 히팅 모듈(10)은, 내부의 홀을 갖는 히팅 블록, 및 상기 히팅 블록의 내부의 홀에 삽입되고, 외부 전원으로부터 전달받은 전력을 이용하여 열을 생성하는 히팅 구조체를 포함할 수 있다. 상기 히팅 모듈(10)의 상세한 구성은 후술된다.
상기 온도 센서(32, 34)는 상기 하우징 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 온도 센서(32)는 상기 히팅 모듈(10)의 상기 히팅 구조체에 인접한 상기 히팅 블록의 온도에 대응하는 제1 결과 값(Vb)을 출력할 수 있다. 상기 제2 온도 센서(34)는 상기 피시험 반도체 소자(20)에 인접하게 배치되어, 상기 피시험 반도체 소자(20)로 공급되는 온도에 대응하는 제2 결과 값(Vt)을 출력할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 제1 온도 센서(32) 및 상기 제2 온도 센서(34)로부터 상기 제1 결과 값(Vb) 및 상기 제2 결과 값(Vt)를 전달받고, 상기 히팅 모듈(10)로 공급되는 전력 값(Vco)를 전달받고, 상기 피시험 반도체 소자(20)에 적용되는 온도를 산출하여, 상기 히팅 모듈(10)로 공급되는 전력 값(Vco)를 제어할 수 있다.
이하, 도 14를 참조하여, 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템의 온도 계산 방법 및 이에 따른 온도 제어 방법이 구체적으로 설명된다.
도 14는 본 출원의 실시 예에 따른 반도체 소자의 평가 시스템에서 온도 계산 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 상기 히팅 모듈(10)로 공급되는 전력 값인 상기 Vco에 따른 상기 피시험 반도체 소자(20)로 공급되는 온도 값인 Tt을 측정하여, 상기 Vco 및 상기 Tt 사이의 함수 f1이 도출될 수 있다(S110). 상기 피시험 반도체 소자(20)로 공급되는 온도 값에 해당되는 상기 Tt은 상기 피시험 반도체 소자(20)에 인접한 상기 테스트 보드의 상부면의 일 영역의 온도에 대응하는 것일 수 있다.
예를 들어, 상기 f1, 상기 Vco, 및 상기 Tt는 아래의 <수학식 1>과 같이 표현될 수 있다.
<수학식 1>
f1(Vco) = Tt
상기 <수학식 1>에 따른 상기 f1은 상기 히팅 모듈(10)로 다양한 전력 값들을 공급하고, 이에 따라 상기 피시험 반도체 소자(20)로 공급되는 온도 값들을 측정하여 데이터 세트를 구축하고, 이를 이용하여 추정하는 방법으로 도출될 수 있다.
상기 히팅 모듈(10)에 설치된 상기 제1 온도 센서(32)의 출력 값인 상기 Vb에 따른 상기 히팅 모듈(10)의 온도 값인 상기 Tb를 측정하여, 상기 Vb 및 상기 Tb 사이의 함수 f2가 도출될 수 있다(S120). 상기 히팅 모듈(10)의 온도 값에 해당되는 상기 Tb는 상기 히팅 블록의 온도에 대응하는 값일 수 있다.
예를 들어, 상기 f2, 상기 Tb, 및 상기 Vb는 아래의 <수학식 2>와 같이 표현될 수 있다.
<수학식 2>
f2(Vb) = Tb
상기 <수학식 2>에 따른 상기 f2은 상기 히팅 모듈(10)로 다양한 전력 값들을 공급하고, 이에 따른 상기 제1 온도 센서(32)의 출력 값들 및 상기 히팅 모듈(10)의 온도 값들을 측정하여 데이터 세트를 구축하고, 이를 이용하여 추정하는 방법으로 도출될 수 있다.
상기 히팅 모듈(10)의 온도 값인 상기 Tb 및 상기 피시험 반도체 소자(20)로 공급되는 온도 값인 상기 Tt을 이용하여, 상기 Tb 및 상기 Tt 사이의 함수 f3가 도출될 수 있다(S130).
예를 들어, 상기 f3, 상기 Tb, 및 상기 Tt는 아래의 <수학식 3>과 같이 표현될 수 있다.
<수학식 3>
f3(Tb) = Tt
상기 <수학식 3>에 따른 상기 f3은 상기 히팅 모듈(10)로 다양한 전력 값들을 공급하고, 이에 따른 상기 히팅 모듈(10)의 온도 값들 및 상기 피시험 반도체 소자(20)로 공급되는 온도 값들을 측정하여 데이터 세트를 구축하고, 이를 이용하여 추정하는 방법으로 도출될 수 있다.
상기 f1, 상기 f2, 및 상기 f3를 이용하여, 상기 히팅 모듈(10)로 공급되는 전력 값인 상기 Vco에 따른 상기 히팅 모듈(10)에 설치된 상기 제1 온도 센서(32)의 출력 값인 상기 Vb 사이의 함수 f4가 산출될 수 있다(S140).
예를 들어, 상기 f4, 상기 Vb, 및 상기 Vco는 아래의 <수학식 4>의 과정을 통해 산출될 수 있다.
<수학식 4>
Vb = f2-1(Tb)
Tb = f3-1(Tt)
Vb = f2-1(f3-1(Tt))
Vb = f2-1(f3-1(f1(Vco)))
Vb = f4(Vco) (f4 = f2-1f3-1f1)
상술된 방법으로, 상기 히팅 모듈(10)로 공급되는 전력 값인 상기 Vco에 따른 상기 히팅 모듈(10)에 설치된 온도 센서의 출력 값인 상기 Vb 사이의 함수인 상기 f4가 산출된 경우, 상기 히팅 모듈(10)에 설치된 상기 제1 온도 센서(32)의 출력 값인 상기 Vb가 시간 경과 또는 외부 환경 변화로 변경되는 경우, 상기 f4를 이용하여, 상기 Vco를 조정하여, 상기 히팅 모듈(10)에 설치된 상기 제1 온도 센서(32)의 출력 값인 상기 Vb가 조정될 수 있다.
이에 따라, 상기 피시험 반도체 소자(20)의 평가 시, 안정적인 가속 환경, 즉 일정한 고온 환경이 제공될 수 있고, 결과적으로, 상기 피시험 반도체 소자(20)의 평가의 신뢰성이 향상될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
110: 하우징
122: 피시험 반도체 소자
130: 제1 히팅 모듈
140: 테스트 신호 공급 회로부
152: 제1 케넥트 블록
154: 제2 커넥트 블록
160: 제2 히팅 모듈
170: 캡핑부

Claims (7)

  1. 하우징;
    상기 하우징 내에 배치되고, 피시험 반도체 소자가 장착되는 테스트 보드(test board);
    상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드의 하부에 배치되어 상기 테스트 보드를 지지하고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자의 하부면으로 열을 전달하는 제1 히팅 모듈;
    상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드의 상부에 배치되고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 열을 전달하는 제2 히팅 모듈; 및
    상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체소자로 테스트 신호를 인가하는 테스트 신호 공급 회로부를 포함하되,
    상기 제2 히팅 모듈은, 제1 면 및 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 갖고, 상기 제1 면에서 이동하도록 연결되어 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 열을 전달하는 제2 히팅 로드를 포함하는 반도체 소자의 평가 시스템.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 히팅 모듈은,
    내부에 홀을 갖는 제1 히팅 블록; 및
    상기 제1 히팅 블록의 내부의 홀에 삽입되고, 외부 전원을 이용하여 열을 생성하는 제1 히팅 구조체를 포함하고,
    상기 제1 히팅 구조체에서 생성된 열이 상기 제1 히팅 블록으로 전달되고,
    상기 테스트 보드는 상기 제1 히팅 블록의 상부면에 고정 결합되어, 상기 제1 히팅 구조체에서 생성된 열이 상기 테스트 보드를 경유하여 상기 피시험 반도체 소자의 하부면으로 전달되는 것을 포함하는 반도체 소자의 평가 시스템.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 히팅 모듈은,
    상기 제2 면에 형성된 홈을 갖는 제2 히팅 블록;
    상기 제2 히팅 블록의 상기 제2 면의 홈에 수용되고, 외부 전원을 이용하여 열을 생성하는 제2 히팅 구조체; 및
    상기 제2 히팅 블록의 상기 제1 면에 연결되고, 상기 제1 면으로부터 돌출된 상기 제2 히팅 로드를 포함하고,
    상기 제2 히팅 구조체에서 생성된 열이 상기 제2 히팅 블록을 경유하여 상기 제2 히팅 로드로 전달되고,
    상기 제2 히팅 로드는 상기 피시험 반도체 소자의 상부면과 접촉하여, 상기 제2 히팅 구조체에서 생성된 열이 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 전달되는 것을 포함하는 반도체 소자의 평가 시스템.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 히팅 블록의 상기 제2 면에 형성된 홈은,
    상기 제2 면의 중앙 영역에 형성된 리세스 영역; 및
    상기 리세스 영역에서 가장자리로 서로 이격되어 나란히 연장하는 한 쌍의 그루브 영역을 포함하고,
    상기 리세스 영역 내에 상기 제2 히팅 구조체의 발열부가 배치되고,
    한 쌍의 상기 그루브 영역 내에, 외부 전원과 연결되어 상기 발열부로 전력을 공급하는 한 쌍의 전력 공급 라인이 각각 배치되는 것을 포함하는 반도체 소자의 평가 시스템.
  5. 하우징;
    상기 하우징 내에 배치되고, 피시험 반도체 소자가 장착되는 테스트 보드(test board);
    상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드의 상부에 배치되고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 열을 전달하는 제2 히팅 모듈; 및
    상기 하우징 내에 배치되고, 상기 테스트 보드에 장착된 상기 피시험 반도체 소자로 테스트 신호를 인가하는 테스트 신호 공급 회로부를 포함하되,
    상기 제2 히팅 모듈은, 제1 면과 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 갖고, 상기 제1 면에서 이동하도록 연결되어 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 열을 전달하는 제2 히팅 로드를 포함하는 반도체 소자의 평가 시스템.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 히팅 모듈은, 상기 제2 면에 홈을 갖는 제2 히팅 블록을 포함하고,
    상기 제2 히팅 블록의 상기 제2 면의 가장자리 상에 배치된 단열 블록을 더 포함하고,
    상기 제2 히팅 모듈은 상기 단열 블록을 사이에 두고, 상기 하우징을 덮는 캡핑부의 내면과 결합되는 것을 포함하고,
    상기 단열 블록과 상기 캡핑부 내면 사이에 제공되는 단열 패드를 더 포함하는 반도체 소자의 평가 시스템.
  7. 테스트 보드에 피시험 반도체 소자를 장착하는 단계;
    제1 히팅 모듈을 이용하여 상기 피시험 반도체 소자의 하부면으로 열을 전달 하거나 또는 제2 히팅 모듈을 이용하여 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 열을 전달하는 단계; 및
    상기 제1 히팅 모듈 또는 상기 제2 히팅 모듈에서 열이 전달된 이후, 상기 피시험 반도체 소자로 테스트 신호를 전달하고, 상기 테스트 신호에 따른 상기 피시험 반도체 소자의 출력 신호를 측정하여, 상기 피시험 반도체 소자를 평가하는 단계를 포함하되,
    상기 제2 히팅 모듈은 제1 면 및 상기 제1 면과 대향하는 제2 면을 갖고, 상기 제1 면에서 이동하도록 연결된 제2 히팅 로드에 의해, 상기 피시험 반도체 소자의 상부면으로 열을 전달하는 것을 포함하는 반도체 소자의 평가 시스템.
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