KR102528182B1 - 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 실리콘 점착 필름 - Google Patents

자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 실리콘 점착 필름 Download PDF

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Abstract

(A)(a)R1 3SiO1 /2단위(R1은 1가 탄화수소기)와 (b)SiO4 /2단위를 포함하고, (b)단위에 대한 (a)단위의 몰비가 0.6:1~1.2:1인 오르가노폴리실록산레진, (B)Si 결합기로서 하기 식(1) 및/또는 (2)의 기를 1~4개 가지고, 주쇄가 디오르가노실록산 단위의 반복으로 이루어지는 직쇄상 또는 분기쇄상의, 점도 50mPa·s 초과 500,000mPa·s 이하의 오르가노폴리실록산, (R2는 H 또는 Me, a는 1~3. 파선은 결합손이며 Si에 결합하고 있다.) (C)Si 결합기로서 하기 식(3)의 기를 분자쇄 말단 또는 분자쇄 측쇄에 1개 가지는, 점도 1~50mPa·s의 오르가노(폴리)실록산으로 이루어지는 반응성 희석제(a는 상동. 파선은 결합손.)를 포함하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 자외선 조사에 의해 신속하게 경화하고, 시트상 기재에 대하여 양호한 밀착성을 가진다.
Figure 112020005246698-pct00033

Figure 112020005246698-pct00034

Description

자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 실리콘 점착 필름
본 발명은 화상 표시 장치에 적합하게 사용할 수 있는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 실리콘 점착 필름에 관한 것이다.
최근, 스마트폰이나 태블릿 단말 등의 모바일 전자 기기로 상징되는 바와 같이, 표시 장치와 입력 수단을 겸비한 터치패널이 급속하게 보급되고 있다. 터치패널을 구성하는 광학 부품으로서, 액정 표시 패널이나 편광판, 위상차판을 가지는 복합 편광판을 들 수 있고, 이들 광학 부재는 투명한 광학용 점착제를 통하여 서로 접착되어 있다.
상기 광학용의 투명 점착제는 OCA(Optical Clear Adhesive;기재 리스 점착 테이프)와 OCR(Optical Clear Resin;액상 반응성 수지)로 크게 구별되며, 각각 주로 가열 경화형, 자외선 경화형이 있다. 그 중에서도 자외선 경화형은 용제나 물 등의 용매를 포함하지 않기 때문에, 점착제층을 형성할 때, 이들 용매를 제거하는 공정을 요하지 않는다는 이점이 있고, 또 가열을 필요로 하지 않기 때문에, 최근에는 광학 관련 제품의 제조에 널리 이용되고 있다.
이들 자외선 경화형의 OCA, OCR 재료로는 아크릴계 점착제가 다수 제안되어 있다(특허문헌 1:일본 특개 2006-104296호 공보, 특허문헌 2:일본 특개 2009-242786호 공보).
그러나 이들 아크릴계 점착제는 경화시의 수축이 크고, 그 내부응력에 의해, 예를 들면 액정 표시 패널에 변형이 생겨 표시 불량을 발생시키거나 하는 일이 있어, 패널의 고휘도, 고정밀 또한 대형화가 진행되고 있는 최근에 있어서는 큰 과제가 되고 있다.
또 아크릴계 점착제는 실리콘계 점착제에 비해, 고온하에 있어서의 투명성의 저하나 황변이 크고, 또 온도 변화에 따른 탄성률의 변동이 크기 때문에, 액정 표시 패널이나 편광판 등으로부터 박리되기 쉽다는 과제도 안고 있다.
실리콘계 점착제는 특히 무용제 타입에서는 특허문헌 3(일본 특허 제5825738호 공보)이나 특허문헌 4(일본 특허 제2631098호 공보)에 있는 바와 같은 가열 경화형이 다수 제안되어 있지만, 자외선 경화형은 적다. 특허문헌 5(일본 특허 제5989417호 공보)에서는 특정의 (메타)아크릴옥시기를 가지는 직쇄상 및 분기상 오르가노폴리실록산을 조합한 자외선 경화형 실리콘 수지 조성물이 제안되어 있는데, 폴리카보네이트(PC)나 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 디스플레이에 사용되는 플라스틱 필름에 대한 점착성이 평가되어 있지 않다.
일본 특개 2006-104296호 공보 일본 특개 2009-242786호 공보 일본 특허 제5825738호 공보 일본 특허 제2631098호 공보 일본 특허 제5989417호 공보
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 자외선 조사에 의해 신속하게 경화하고, 또한 플라스틱 필름 등의 시트상 기재에 대하여 양호한 밀착성을 가지는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물, 및 실리콘 점착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토를 행한 결과, R1 3SiO1/2단위(R1은 탄소수 1~10의 비치환 혹은 치환의 1가 탄화수소기)와 SiO4 /2단위를 필수 단위로 하는 오르가노폴리실록산레진과, 특정의 (메타)아크릴옥시기를 1분자 중에 평균 1~4개 가지는 특정 점도의 오르가노폴리실록산, 또한 반응성 희석제로서, 하기 일반식(3)으로 표시되는 아크릴옥시알킬기를 1분자 중에 1개 가지는 저분자량(저점도)의 오르가노폴리실록산을 특정의 배합 비율로 병용하여 사용함으로써, 자외선 조사에 의해 신속하게 경화하고, 또한 플라스틱 필름 등의 시트상 기재에 대하여 양호한 밀착성을 가지는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물이 얻어지는 것을 알아내어, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 이하의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 실리콘 점착 필름을 제공하는 것이다.
〔1〕
(A)(a)R1 3SiO1 /2단위(식 중, R1은 탄소수 1~10의 비치환 혹은 치환의 1가 탄화수소기이다)와 (b)SiO4 /2단위를 필수 단위로 하고, (b)단위에 대한 (a)단위의 몰비가 0.6:1~1.2:1의 범위에 있는 오르가노폴리실록산레진:30~70질량부,
(B)분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서, 하기 일반식(1) 및/또는 하기 일반식(2)
Figure 112020005246698-pct00001
(식 중, R2는 수소 원자 또는 메틸기이며, a는 1~3의 정수이다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
Figure 112020005246698-pct00002
(식 중, R2, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
으로 표시되는 기를 1분자 중에 평균 1~4개 가지고, 주쇄가 디오르가노실록산 단위의 반복으로 이루어지는 직쇄상 또는 분기쇄상의, 25℃에서의 점도가 50mPa·s 초과 500,000mPa·s 이하인 오르가노폴리실록산:1~40질량부,
(C)분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서, 하기 일반식(3)
Figure 112020005246698-pct00003
(식 중, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손을 나타낸다.)
으로 표시되는 기를 1분자 중에 1개, 분자쇄 말단 또는 분자쇄 측쇄에 함유하는, 25℃에서의 점도가 1~50mPa·s인 오르가노(폴리)실록산으로 이루어지는 반응성 희석제:1~40질량부
(단, (A)~(C)성분의 합계는 100질량부이다.)
를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
〔2〕
(B)성분이 분자쇄 양 말단에 하기 일반식(4) 및/또는 (5)
Figure 112020005246698-pct00004
(식 중, R2는 수소 원자 또는 메틸기이며, R3은 독립적으로 탄소수 1~10의 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기이며, X는 탄소수 2~6의 알킬렌기이다. a는 1~3의 정수이며, b는 1 또는 2이다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
으로 표시되는 기를 가지는 것인 〔1〕에 기재된 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
〔3〕
(B)성분의 주쇄가 하기 일반식(6)
Figure 112020005246698-pct00005
(식 중, Me는 메틸기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타내고, c1, c2는 각각 c1≥0, c2≥1, c1+c2=c를 만족하는 정수이며, c는 오르가노폴리실록산의 25℃에 있어서의 점도를 50mPa·s 초과 500,000mPa·s 이하로 하는 수이다. 파선은 결합손을 나타낸다.)
으로 표시되는 디페닐실록산 단위를 포함하는 디오르가노실록산 단위의 반복으로 이루어지는 것인 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
〔4〕
(C)성분이 하기 일반식(7) 또는 (8)
Figure 112020005246698-pct00006
Figure 112020005246698-pct00007
(식 중, R6~R10은 비치환 또는 치환의 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이다. a는 1~3의 정수이다. d~f는 이 오르가노(폴리)실록산의 25℃에 있어서의 점도를 1~50mPa·s로 하는 수이며, d는 0~3의 정수, e, f는 0 또는 1이다.)
으로 표시되는 오르가노(폴리)실록산으로 이루어지는 것인 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 하나에 기재된 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
〔5〕
또한 (D)광개시제를 (A)~(C)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.01~15질량부 함유하여 이루어지는 것인 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 기재된 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
〔6〕
경화 후의 저장 탄성률이 1.0MPa 이하인 실리콘 점착제를 부여하는 것인 〔1〕 내지 〔5〕 중 어느 하나에 기재된 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
〔7〕
기재와, 이 기재의 적어도 한 쪽의 표면 상에 형성된 실리콘 점착제로 이루어지는 점착층을 구비한 실리콘 점착 필름으로서, 이 점착층이 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 하나에 기재된 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 자외선 조사 경화물인 실리콘 점착 필름.
〔8〕
기재가 플라스틱 필름인 〔7〕에 기재된 실리콘 점착 필름.
본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 적은 자외선 조사량에 있어서도 경화성이 양호하며, 또한 폴리에스테르 필름 등의 플라스틱 필름에 대하여 양호한 밀착성을 가진다. 또 본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 자외선 조사시에 내산소저해성이 우수할 뿐만아니라, 무용제형이면서 저점도의 조성물이기 때문에, 종래의 실리콘계 점착제 조성물보다 현격히 작업성이 우수하다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은
(A)(a)R1 3SiO1 /2단위(식 중, R1은 탄소수 1~10의 비치환 혹은 치환의 1가 탄화수소기이다)와 (b)SiO4 /2단위를 필수 단위로 하고, (b)단위에 대한 (a)단위의 몰비가 0.6:1~1.2:1의 범위에 있는 오르가노폴리실록산레진,
(B)분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서, 하기 일반식(1) 및/또는 하기 일반식(2)
Figure 112020005246698-pct00008
(식 중, R2는 수소 원자 또는 메틸기이며, a는 1~3의 정수이다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
Figure 112020005246698-pct00009
(식 중, R2, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
으로 표시되는 기를 1분자 중에 평균 1~4개 가지고, 주쇄가 디오르가노실록산 단위의 반복으로 이루어지는 직쇄상 또는 분기쇄상의, 25℃에서의 점도가 50mPa·s 초과 500,000mPa·s 이하인 오르가노폴리실록산,
(C)분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서, 하기 일반식(3)
Figure 112020005246698-pct00010
(식 중, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손을 나타낸다.)
으로 표시되는 기를 1분자 중에 1개, 분자쇄 말단 또는 분자쇄 측쇄에 함유하는, 25℃에서의 점도가 1~50mPa·s인 오르가노(폴리)실록산으로 이루어지는 반응성 희석제,
바람직하게는 또한
(D)광개시제
를 함유하여 이루어지는 것이다.
[(A)성분]
본 발명에 사용되는 (A)성분은 시트상 기재로의 밀착력을 부여하는 성분이며, (a)R1 3SiO1 /2단위(식 중, R1은 탄소수 1~10의 비치환 혹은 치환의 1가 탄화수소기이다)와 (b)SiO4 /2단위를 필수 단위로 하고, (b)단위에 대한 (a)단위의 몰비((a):(b))가 0.6:1~1.2:1의 범위에 있는 삼차원 망상 구조의 오르가노폴리실록산레진(실리콘 레진)이다.
R1에 있어서의 탄소수 1~10의 1가 탄화수소기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등의 바람직하게는 탄소수 2~6의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기 등의 바람직하게는 탄소수 2~6의 알케닐기, 페닐기, 톨릴기 등의 바람직하게는 탄소수 6~10의 아릴기, 벤질기 등의 바람직하게는 탄소수 7~10의 아르알킬기나, 이들 기의 탄소 원자에 결합한 수소 원자의 일부 혹은 전부를 할로겐 원자로 치환한 클로로메틸기, 브로모에틸기, 트리플루오로프로필기, 및 시아노기로 치환한 예를 들면 시아노에틸기 등의 할로겐 치환 1가 탄화수소기 및 시아노 치환 1가 탄화수소기 등을 들 수 있다.
(A)성분은 (a)R1 3SiO1 /2단위(M단위)와 (b)SiO4 /2단위(Q단위)의 몰비(즉, (b)단위에 대한 (a)단위의 몰비)가 0.6~1.2이며, 바람직하게는 0.7~1.2이다. 상기 몰비가 0.6 미만이 되면 경화물(실리콘 레진)로서 점착력이나 택성(tackness)이 저하되는 일이 있고, 1.2를 넘는 경우에는 점착력이나 유지력이 저하되는 일이 있다.
또한 상기 오르가노폴리실록산레진의 효과를 해치지 않는 범위에서, R1SiO3 /2단위(T단위) 및/또는 R1 2SiO2 /2단위(D단위)를 합계로 분자 중의 전체 실록산 단위의 합계(즉, M단위, D단위, T단위 및 Q단위의 합계)에 대하여 0~30몰%, 특히 0~20몰%의 비율에 있어서 함유해도 된다.
또 상기 오르가노폴리실록산레진의 히드록시실릴기(실란올기)의 함유량은 0.01~0.1몰/100g인 것이 바람직하다.
이러한 오르가노폴리실록산레진은 가수분해성의 트리오르가노실란(예를 들면, 트리오르가노알콕시실란, 트리오르가노클로로실란 등), 및 R1기를 포함하지 않는 가수분해성 실란 또는 실록산(예를 들면, 테트라알콕시실란, 테트라클로로실란, 에틸실리케이트, 메틸실리케이트 등), 및 적절히 필요에 따라 가수분해성의 디오르가노실란 및/또는 모노오르가노실란(예를 들면, 디오르가노디알콕시실란, 디오르가노디클로로실란, 오르가노트리알콕시실란, 오르가노트리클로로실란 등)을 공가수분해, 축합시킴으로써 얻어지는, 당업계에 있어서는 공지의 재료이다.
또한 (A)성분은 후술하는 (B)성분 및 (C)성분(또한 경우에 따라 (D)성분)과 균일하게 혼합하여 본 발명의 조성물을 조제할 때는 톨루엔, 크실렌, 헵탄 등의 용제에 희석된 상태로 사용할 수 있는데, 조성물을 조제한 후, 최종적으로는 조성물로부터 이 용제를 스트립 등의 수단에 의해 제거하여, 무용제계의 조성물로서 사용되는 것이다.
여기서, (A)성분의 25℃에 있어서의 60질량% 톨루엔 용해 점도는 1~50mPa·s인 것이 바람직하고, 3~30mPa·s인 것이 바람직하다. 또한 본 발명에 있어서, 점도는 회전 점도계(예를 들면, BL형, BH형, BS형, 콘 플레이트형, 레오미터 등)에 의해 측정할 수 있다(이하, 동일하다).
(A)성분의 배합량(고형분 환산의 배합량)은 후술하는 (B), (C)성분을 포함한 (A)~(C)성분의 합계 질량에 대하여 30~70질량%(즉, (A)~(C)성분의 합계 100질량부에 대하여 30~70질량부)이며, 바람직하게는 40~70질량%(동일하게, 40~70질량부)이며, 보다 바람직하게는 50~65질량%(동일하게, 50~65질량부)이다. (A)성분의 배합량이 지나치게 많으면, 오르가노폴리실록산레진의 응집에 의해 점착력이나 택성이 저하되는 경우가 있고, 지나치게 적으면 충분한 점착력이나 택성을 발현할 수 없는 경우가 있다.
[(B)성분]
본 발명에 사용되는 (B)성분은 본 조성물을 가교(경화)하여 형성되는 실록산 매트릭스의 주골격을 구성하는 베이스 폴리머이며, 자외선 조사에 의해 가교하는 자외선 경화성의 성분이며, 분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서(바람직하게는 분자쇄 말단의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서, 보다 바람직하게는 분자쇄 말단의 규소 원자에만 결합하는 1가의 치환기로서), 하기 일반식(1) 및/또는 하기 일반식(2)
Figure 112020005246698-pct00011
(식 중, R2는 수소 원자 또는 메틸기이며, a는 1~3의 정수이다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
Figure 112020005246698-pct00012
(식 중, R2, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
으로 표시되는 기를 1분자 중에(바람직하게는 분자쇄 양 말단에, 보다 바람직하게는 분자쇄 양 말단에만), 평균 1~4개, 바람직하게는 2~4개, 보다 바람직하게는 4개 가지고, 주쇄가 실질적으로 디오르가노실록산 단위의 반복으로 이루어지는 직쇄상 또는 분기쇄상의, 25℃에서의 점도가 50mPa·s 초과 500,000mPa·s 이하, 바람직하게는 100~300,000mPa·s, 보다 바람직하게는 300~100,000mPa·s인 오르가노폴리실록산이다.
상기 식(1) 또는 (2)에 있어서, a는 1, 2 또는 3이며, 바람직하게는 2 또는 3이다.
(B)성분의 오르가노폴리실록산 분자 중에 있어서의 상기 일반식(1) 또는 (2)으로 표시되는 기의 결합 위치는 분자쇄 말단이어도 되고, 분자쇄 비말단(즉, 분자쇄 도중 또는 분자쇄 측쇄)이어도 되며, 또는 이들의 양쪽이어도 되는데, 바람직하게는 상기 일반식(1) 또는 (2)으로 표시되는 기를 분자쇄 양 말단에, 보다 바람직하게는 분자쇄 양 말단에만 가지는 것이 바람직하다.
특히, 하기 일반식(4) 및/또는 (5)으로 표시되는 기를 분자쇄 양 말단에 가지는 것이 바람직하다.
Figure 112020005246698-pct00013
(식 중, R2, a는 상기와 동일하다. R3은 독립적으로 탄소수 1~10의 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기이며, X는 탄소수 2~6의 알킬렌기이며, b는 1 또는 2이다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
상기 식(4) 및 (5)에 있어서, R3은 독립적으로 비치환 또는 치환의, 바람직하게는 알케닐기 등의 지방족 불포화기를 제외하는, 탄소수 1~10, 보다 바람직하게는 1~8의 1가 탄화수소기이다. 여기서, 비치환의 1가 탄화수소기로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 데실기 등의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기 등의 알케닐기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아르알킬기를 들 수 있고, 치환의 1가 탄화수소기로서는 예를 들면 상기 서술한 비치환의 1가 탄화수소기의 탄소 원자에 결합한 수소 원자의 일부 혹은 전부를 할로겐 원자로 치환한 예를 들면 클로로메틸기, 브로모에틸기, 트리플루오로프로필기, 및 시아노기로 치환한 예를 들면 시아노에틸기 등의 할로겐 치환 1가 탄화수소기 및 시아노 치환 1가 탄화수소기 등을 들 수 있다. R3로서는 이들 중에서도 알킬기, 아릴기, 할로겐화알킬기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 메틸기, 페닐기, 트리플로로프로필기이다.
X는 탄소수 2~6의 알킬렌기이며, 구체적으로는 에틸렌기, 프로필렌기(트리메틸렌기, 메틸에틸렌기), 부틸렌기(테트라메틸렌기, 메틸프로필렌기), 헥사메틸렌기 등을 들 수 있다.
(B)성분의 오르가노폴리실록산 분자 중에 있어서, 상기 일반식(1), (2)(또는 일반식(4), (5))으로 표시되는 기 이외의 규소 원자에 결합한 유기기(이하, 「규소 원자 결합 유기기」라고 한다)는 예를 들면 상기한 R3과 마찬가지의, 비치환 또는 치환의, 바람직하게는 알케닐기 등의 지방족 불포화기를 제외하는, 탄소수가 통상적으로 1~12, 바람직하게는 1~10의 1가 탄화수소기 등을 들 수 있다. 이 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 데실기 등의 알킬기; 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기 등의 알케닐기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기 등의 아르알킬기; 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자로 치환된, 클로로메틸기, 브로모에틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플로로프로필기 등의 할로겐화알킬기나, 시아노기로 치환된 시아노에틸기 등을 들 수 있다. 합성의 간편함으로부터, 바람직하게는 알킬기, 아릴기, 할로겐화알킬기이며, 보다 바람직하게는 메틸기, 페닐기, 트리플로로프로필기이다.
또 (B)성분의 분자 구조는 기본적으로 주쇄가 디오르가노실록산 단위의 반복으로 이루어지는 직쇄상 또는 분기쇄상(주쇄의 일부에 분기를 가지는 직쇄상을 포함한다)이며, 바람직하게는 분자쇄 양 말단이 상기 일반식(1) 또는 (2)으로 표시되는 기로 봉쇄된 직쇄상의 디오르가노폴리실록산이다. (B)성분은 이들 분자 구조를 가지는 단일의 중합체, 이들 분자 구조로 이루어지는 공중합체, 또는 이들 중합체의 2종 이상의 혼합물이어도 된다.
(B)성분의 25℃에 있어서의 점도는 조성물의 작업성이나 경화물의 역학 특성이 보다 우수한 것이 되므로, 50mPa·s 초과 500,000mPa·s 이하이며, 바람직하게는 100~300,000mPa·s이며, 특히 바람직하게는 300~100,000mPa·s이다.
상기 점도 범위는 통상적으로 직쇄상 오르가노폴리실록산의 경우, 수 평균 중합도로 약50~2,000, 바람직하게는 약100~1,100정도에 상당하는 것이다. 본 발명에 있어서, 중합도(또는 분자량)는 예를 들면 톨루엔 등을 전개 용매로 하여, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 분석에 있어서의 폴리스티렌 환산의 수 평균 중합도(또는 수 평균 분자량)로서 구할 수 있다(이하, 동일하다).
이와 같은 (B)성분으로서, 구체적으로는 하기 일반식(9)으로 표시되는 것이 예시된다.
Figure 112020005246698-pct00014
(식 중, R3, X, a는 상기와 동일하다. R4, R5는 각각 독립적으로 비치환 또는 치환의, 바람직하게는 지방족 불포화기를 제외하는 탄소수 1~12, 바람직하게는 1~10의 1가 탄화수소기이며, c는 오르가노폴리실록산의 점도를 상기 값으로 하는 수이며, 바람직하게는 11~2,000의 정수, 보다 바람직하게는 20~1,000의 정수, 더욱 바람직하게는 30~800의 정수이다.)
상기 식(9)에 있어서, R4, R5로서는 상기 규소 원자 결합 유기기로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있고, 이들 중에서도 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 할로겐화알킬기인 것이 바람직하고, 메틸기, 페닐기, 트리플로로프로필기인 것이 보다 바람직하다.
또 상기 식(9)에 있어서, -(SiR4R5-O)c-로서는 특히 하기 식(6)으로 표시되는 디페닐실록산 단위를 가지는 것인 것이 바람직하다.
Figure 112020005246698-pct00015
(식 중, Me는 메틸기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타내고, c1, c2는 각각 c1≥0, c2≥1, c1+c2=c를 만족하는 정수이며, 바람직하게는 c2/c는 0.02~1.0, 특히 0.05~0.3이다. 파선은 결합손을 나타낸다.)
보다 구체적으로는 하기 식으로 표시되는 것이 예시된다.
Figure 112020005246698-pct00016
(식 중, Me는 메틸기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다. 또 c1', c2'는 각각 상기 c1, c2와 동일하며, 식 중의 디메틸실록산 단위, 디페닐실록산 단위의 각각의 반복수는 오르가노폴리실록산의 점도(25℃)를 100~500,000mPa·s, 특히 300~100,000mPa·s로 하는 범위에서 임의로 선택할 수 있는 0 또는 정의 정수이다. 또한 주쇄를 구성하는 반복 단위의 배열은 랜덤이다.)
(B)성분의 배합량은 후술하는 (C)성분을 포함한 (A)~(C)성분의 합계 질량에 대하여 1~40질량%(즉, (A)~(C)성분의 합계 100질량부에 대하여 1~40질량부)이며, 바람직하게는 5~30질량%(동일하게, 5~30질량부)이며, 보다 바람직하게는 10~30질량%(동일하게, 10~30질량부)이다. (B)성분의 배합량이 40질량% 이하이면, 본 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 유연성 등, 목적으로 하는 물성을 부여·조정하기 쉽고, 배합량이 지나치게 적으면, 경화물에 충분한 탄성을 부여할 수 없고, 그 결과, 목적으로 하는 점착력이나 택성을 부여할 수 없는 경우가 있다.
[(C)성분]
본 발명에 사용되는 (C)성분은 조성물 중에 있어서 반응성 희석제로서 작용하는 성분이며, 분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서(바람직하게는 분자쇄 편말단의 규소 원자에만 결합하는 1가의 치환기로서), 하기 일반식(3)으로 표시되는 기(아크릴옥시알킬기)를 1분자 중에 1개, 분자쇄 말단 또는 분자쇄 측쇄에(바람직하게는 분자쇄 편말단에만) 가지는, 상기 (B)성분과의 대비에 있어서 비교적 저분자량(저중합도, 저점도)의 25℃에서의 점도가 1~50mPa·s인 오르가노(폴리)실록산이다. 본 성분을 특정의 배합 비율로 조성물 중에 함유시킴으로써, 본 성분이 래디컬 중합을 이용한 경화 반응을 증감시킬 수 있는 경화성 증감제로서 기능하기 때문에, 본 조성물을 자외선 조사에 의해 경화시킬 때의 내산소저해성을 향상시킬 수 있다. 또 조성물의 저점도화를 가능하게 하고, 또한 경화 후의 저장 탄성률을 비교적 낮은 값으로 컨트롤하는 것이 가능하게 된다.
Figure 112020005246698-pct00017
(식 중, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손이다.)
(C)성분의 분자 구조는 기본적으로 주쇄가 디오르가노실록산 단위의 반복으로 이루어지는 직쇄상이며, 분자쇄 말단 또는 측쇄가 상기 일반식(3)으로 표시되는기로 봉쇄된(바람직하게는 분자쇄 편말단이 상기 일반식(3)으로 표시되는 기로 봉쇄되고 타방의 분자쇄 말단이 트리오르가노실릴기로 봉쇄된) 직쇄상의 디오르가노(폴리)실록산인 것이 바람직하다. (C)성분은 이들 분자 구조를 가지는 단일의 중합체, 또는 이들 중합체의 2종 이상의 혼합물이어도 된다.
또한 상기 일반식(3)으로 표시되는 기는 주쇄를 구성하는 디오르가노실록산 단위 중의 말단 또는 비말단의 규소 원자에 직접 결합하고 있는 것(즉, CH2=CH-C(=O)-O-(CH2)a-Si-)이거나, 또는 에테르 결합 산소 원자를 통하여 상기 규소 원자에 결합하고 있는 것(CH2=CH-C(=O)-O-(CH2)a-O-Si-)의 어느 하나의 형태로 분자 중에 함유되어 있는 것이 통상적이지만, 특히, 상기 일반식(3)으로 표시되는 기는 직접 규소 원자에 결합한 것인 것이 바람직하다. 또 (C)성분의 디오르가노(폴리)실록산은 분자 중에 알콕시기 등의 가수분해성 관능성 기를 함유하지 않는 것인 것이 바람직하다.
(C)성분의 25℃에 있어서의 점도는 저점도(저분자량)가 될수록 경화성 증감제로서의 기능이 높아지므로, 1~50mPa·s, 바람직하게는 1~25mPa·s, 보다 바람직하게는 2~10mPa·s이다. (C)성분의 오르가노(폴리)실록산의 수 평균 중합도(또는 1분자 중의 규소 원자수)로서는 바람직하게는 2~10정도, 특히 2~6정도의 저중합도인 것이 바람직하다.
(C)성분의 오르가노(폴리)실록산 분자 중에 있어서, 상기 일반식(3)으로 표시되는 기 이외의 규소 원자 결합 유기기는 예를 들면 비치환 또는 치환의, 바람직하게는 알케닐기 등의 지방족 불포화기를 제외하는, 탄소수가 통상적으로 1~12, 바람직하게는 1~10의 1가 탄화수소기 등을 들 수 있다. 이 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기로서는 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 데실기 등의 알킬기; 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기 등의 알케닐기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기 등의 아르알킬기; 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자로 치환된, 클로로메틸기, 브로모에틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플로로프로필기 등의 할로겐화알킬기나, 시아노기로 치환된 시아노에틸기 등을 들 수 있다. 합성의 간편함으로부터, 바람직하게는 알킬기, 아릴기, 할로겐화알킬기이며, 보다 바람직하게는 메틸기, 페닐기, 트리플로로프로필기이며, 특히 (B)성분과 상용성이 높은 것을 사용하는 것이 바람직하다.
이와 같은 (C)성분으로서, 구체적으로는 하기 일반식(7), (8)으로 표시되는 것이 예시된다.
Figure 112020005246698-pct00018
Figure 112020005246698-pct00019
(식 중, R6~R10은 비치환 또는 치환의, 바람직하게는 지방족 불포화기를 제외하는, 탄소수 1~12, 바람직하게는 1~10의 1가 탄화수소기이다. a는 상기와 동일하다. d~f는 이 오르가노(폴리)실록산을 상기 점도로 하는 수이며, d는 0~3의 정수, e, f는 0 또는 1이다.)
상기 식(7), (8)에 있어서, R6~R10으로서는 상기 서술한 규소 원자 결합 유기기로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있고, 이들 중에서도 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 할로겐화알킬기가 바람직하고, 메틸기, 페닐기, 트리플로로프로필기인 것이 보다 바람직하다.
(C)성분으로서는 상기 식(7), (8)에 있어서 d, e, f가 각각 0인 경우에 상당하는 것이 바람직하고, 특히, 상기 식(7)에 있어서 d=0인 경우에 상당하는 (아크릴옥시알킬)-펜타오르가노디실록산인 것이 바람직하다.
(C)성분의 배합량은 상기 (A)~(C)성분의 합계 질량에 대하여 1~40질량%(즉, (A)~(C)성분의 합계 100질량부에 대하여 1~40질량부)이며, 바람직하게는 5~30질량%(동일하게, 5~30질량부)이며, 보다 바람직하게는 10~25질량%(동일하게, 10~25질량부)이다. (C)성분의 첨가량이 지나치게 적으면, 증감제로서의 기능이 저하될 뿐만아니라, 조성물의 점도가 현저하게 증가하고, 작업성이 저하되어버린다. 또 (C)성분의 첨가량이 지나치게 많으면 경화물에 충분한 탄성을 부여할 수 없거나, 그 결과, 목적으로 하는 점착력이나 택성을 부여할 수 없는 경우가 있다.
또 (C)성분의 배합량은 상기 (A)성분과 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 1~70질량부, 특히 20~50질량부정도로 하는 것이 바람직하다.
[(D)성분]
본 발명의 조성물의 (D)성분인 광개시제는 필요에 따라 배합할 수 있는 임의성분이며, 종래, 자외선 경화성 오르가노폴리실록산 조성물에 사용되어 온 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는 예를 들면 아세토페논, 프로피오페논, 벤조페논, 플루오렌, 벤즈알데히드, 안트라퀴논, 트리페닐아민, 카르바졸, 3-메틸아세토페논, 4-메틸아세토페논, 3-펜틸아세토페논, 4-메톡시아세토페논, 3-브로모아세토페논, 4-알릴아세토페논, p-디아세틸벤젠, 3-메톡시벤조페논, 4-메틸벤조페논, 4-클로로벤조페논, 4,4'-디메톡시벤조페논, 2,2'-디에톡시아세토페논, 4-클로로-4'-벤질벤조페논, 3-클로로크산톤, 3,9-디클로로크산톤, 3-클로로-8-노닐크산톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 비스(4-디메틸아미노페닐)케톤, 벤질메톡시케탈, 2-클로로티옥산톤, 디에틸아세토페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-메틸-1-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 시클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다.
(D)성분을 배합하는 경우, 그 배합량은 조성물의 합계 질량(특히, (A)~(D)성분의 합계 질량)에 대하여 약0.01~10질량%, 바람직하게는 0.05~8질량%, 보다 바람직하게는 0.1~5질량%정도이다. (D)성분의 배합량이 지나치게 적으면 그 첨가 효과가 얻어지지 않는 경우가 있고, 한편, 배합량이 지나치게 많으면, 얻어지는 경화물은 (D)성분의 분해 잔사의 영향이 커지고, 경화물의 물리 특성이 나빠지는 경우가 있다. 따라서, (D)성분의 배합량은 (A)~(C)성분의 합계 질량 100질량부에 대하여 0.01~15질량부, 바람직하게는 0.05~10질량부, 보다 바람직하게는 0.05~8질량부, 더욱 바람직하게는 0.1~6질량부정도로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물에는 상기 서술한 (A)~(D)성분 이외에도 필요에 따라 그 밖의 임의의 성분을 본 발명의 효과에 지장을 주지 않는 범위에서 첨가할 수 있다. 이와 같은 성분으로서는 예를 들면 자외선 경화 반응을 저해하지 않는 흄드실리카 등의 실리카계의 충전제, 실리콘 고무 파우더, 탄산칼슘 등의 증량제, 접착성 내지는 점착성의 향상에 기여하는 알콕시오르가노실란 등의 접착성 부여제, 내열첨가제, 난연부여제 등을 들 수 있다.
본 발명의 조성물은 (A)~(D)성분, 및 그 밖의 임의적인 성분을 소정량, 균일혼합함으로써 얻을 수 있다.
본 발명의 조성물을 경화시키는 경우는 자외선 조사에 따르는데, 자외선으로서는 250~450nm, 특히 250~380nm의 파장의 것이 유효하며, 또 조사량은 1,000~10,000mJ/cm2, 특히 2,000~5,000mJ/cm2인 것이 바람직하다. 또한 경화 온도는 실온이면 되고, 통상적으로 25℃±10℃이다.
본 발명의 조성물을 자외선 조사에 의해 경화하여 얻어지는 경화물(즉, 표면점착성의 실리콘 경화물, 실리콘 점착제)은 종래의 점착제 조성물과 비교하여 부드럽고 고무 경도가 낮은 점을 특징으로서 들 수 있다. 즉, 본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 경화물을 레오미터 등의 점탄성 측정기를 사용하여 측정했을 때의 25℃에 있어서의 저장 탄성률이 1.0MPa 이하, 특히 0.5MPa 이하가 되는 것이 바람직하다. 또한 25℃에 있어서의 저장 탄성률의 하한에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 0.01MPa 이상, 특히 0.02MPa 이상이 되는 것이 바람직하다.
또 본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 각종 기재에 도공하여 자외선 경화시킴으로써, 점착성 물품을 얻는 것이 가능하다.
기재로서는 플라스틱 필름, 유리가 선택된다. 플라스틱 필름으로서는 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리비닐알코올 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리스티렌 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 필름, 트리아세틸셀룰로오스 필름 등을 들 수 있다. 유리에 대해서도 두께나 종류 등에 대해서 특별히 제한은 없고, 화학 강화 처리 등을 한 것이어도 된다. 기재에 대해서, 여기에 나타낸 것에만 제한되는 것은 아니다.
기재와 점착제층의 밀착성을 향상시키기 위해서, 기재에 미리 프라이머 처리, 플라즈마 처리 등을 시행한 것을 사용해도 된다.
도공 방법은 공지의 도공 방법을 사용하여 도공하면 되고, 예를 들면 콤마 코터, 립 코터, 롤 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 블레이드 코터, 로드 코터, 키스 코터, 그라비어 코터, 스크린 도공, 침지 도공, 캐스트 도공 등을 들 수 있다.
본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 무용제형이기 때문에, 경화물의 제작 방법으로서는 포팅도 가능하다. 이 때, 용기에 흘려넣을 때 기포가 말려들어가는 일이 있지만, 감압에 의해 탈포할 수 있다. 경화 후, 용기로부터 경화물을 꺼내고 싶은 경우에는 조성물을 흘려넣기 전에 용기에 이형 처리를 시행할 필요가 있다. 이형제로서는 불소계, 실리콘계 등의 것이 사용 가능하다.
또한 본 발명에 있어서의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 통상적으로 그대로 사용할 수 있지만, 핸들링성이 나쁘거나 하여 사용 조건의 개선이 필요한 경우에는 본 발명의 특성을 해치지 않는 범위에 있어서 유기 용제를 첨가하여 사용하는 것도 허용된다.
(실시예)
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다. 또한 하기의 예에 있어서 부는 질량부를 나타내고, Me는 메틸기를 나타내며, Ph는 페닐기를 나타내고, tert-Bu는 tert-부틸기를 나타낸다. 점도는 25℃에서의 회전 점도계에 의한 측정값을 나타낸 것이다.
(A)성분
(A-1)Me3SiO1 /2단위 및 SiO2단위를 함유하고, (Me3SiO1 /2단위)/(SiO2단위)의 몰비가 1.15인 삼차원 망상 구조의 오르가노폴리실록산레진의 60질량% 톨루엔 용액(점도:10mPa·s)
(B)성분
(B-1)하기 식(10)으로 표시되는 아크릴옥시에틸옥시기를 1분자 중에 4개 분자쇄 양 말단에(즉, 각각의 분자쇄 말단에 2개씩) 가지고, 주쇄가 디페닐실록산 단위와 디메틸실록산 단위의 반복으로 이루어지는 점도가 3,000mPa·s인 직쇄상 디페닐실록산·디메틸실록산 공중합체(단, 주쇄 중의 디페닐실록산 단위와 디메틸실록산 단위의 배열은 랜덤이다)
Figure 112020005246698-pct00020
(B-2)하기 식(11)으로 표시되는 아크릴옥시메틸기를 1분자 중에 2개 분자쇄 양 말단에(즉, 각각의 분자쇄 말단에 1개씩) 가지고, 주쇄가 디메틸실록산 단위의 반복으로 이루어지는 점도가 100mPa·s인 직쇄상 디메틸폴리실록산
Figure 112020005246698-pct00021
(B-3)하기 식(12)으로 표시되는 아크릴옥시에틸옥시-디메틸실릴에틸기와 tert-부틸기를 1분자 중에 각각 1개 분자쇄 양 말단에 가지고, 주쇄가 디메틸실록산 단위의 반복으로 이루어지는 점도가 80mPa·s인 직쇄상 디메틸폴리실록산
Figure 112020005246698-pct00022
(C)성분
(C-1)하기 식(13)으로 표시되는 (아크릴옥시프로필)-펜타메틸디실록산(점도:2mPa·s)
Figure 112020005246698-pct00023
(C-2)하기 식(14)으로 표시되는 3-(아크릴옥시프로필)-1,1,1,3,5,5,5-헵타메틸트리실록산(점도:6mPa·s)
Figure 112020005246698-pct00024
(C-3)3-아크릴옥시프로필-메틸디메톡시실란(신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제 KBM-5102)
(C-4)3-아크릴옥시프로필-트리메톡시실란(신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제 KBM-5103)
(D)성분
(D-1)BASF 재팬 가부시키가이샤제 다로큐어 1173
[실시예 1~3, 비교예 1~3]
상기 (A)~(D)성분을 표 1과 같이 배합 혼합하고, 감압하에서 100℃에서 톨루엔을 증류제거시켜, 실리콘 점착제 조성물 S1~S6을 조제했다. 조제한 실리콘 점착제 조성물 S1~S6을 아이그래픽 가부시키가이샤제 아이UV전자제어장치(형식 UBX0601-01)를 사용하여, 실온(25℃)의 공기중 분위기하에 있어서, 파장 365nm의 자외광으로의 조사량이 2,000mJ/cm2가 되도록 자외선을 조사하고 경화시켰다.
단, 표 1에 있어서 (A)성분의 배합량은 용제를 제외한 고형분만의 질량부를 나타낸다.
이상과 같이 하여 얻어진 실리콘 점착제 조성물 및 그 경화물을 이하의 항목에 의해 평가했다.
〔저장 탄성률의 측정〕
얻어진 실리콘 점착제 조성물의 경화물의 저장 탄성률을 점탄성 측정기(TA인스트루먼트사제 ARES-G2)에 의해 측정 주파수 1.0Hz, 진동각 γ=4.0%, 측정 온도 25±0.5℃에서 측정했다. 결과를 표 1에 나타냈다.
〔점착 특성의 측정〕
폴리에틸렌테레프탈라토(PET) 수지 필름으로 이루어지는 지지체(시트상 기재) 상에, 상기 실리콘 점착제 조성물 S1~S6을 경화 후의 두께가 400μm 전후의 두께가 되도록 도공한 후, 파장 365nm의 자외광으로의 조사량이 2,000mJ/cm2가 되도록 자외선을 조사하고 경화시켜, 점착 시트를 제작했다. 얻어진 점착 시트를 25mm 폭의 폴리에틸렌테레프탈라토(PET) 수지 필름에 첩부하고, 2kg의 압착 롤러로 1왕복 후, 23℃ 분위기하에 24시간 방치하고, 그 후 0.3m/min.의 인장 속도로 180° 필력(점착력)을 측정했다. 또 시험체의 파단 상태에 대해서도 평가했다(CF;응집 파괴, AF;계면 박리). 이들의 결과를 표 1에 나타냈다.
Figure 112020005246698-pct00025
표 1의 결과로부터, 실시예 1~3은 비교적 낮은 저장 탄성률이면서, PET에 대한 점착력이 높고, 점착성이 양호했다. 비교예 1, 2는 경화 후의 저장 탄성률이 높고, PET에 대하여 점착력은 가지지만, 파단 모드는 계면 박리가 되었다. 비교예 3에 있어서는 PET에 대하여 점착력이 낮을 뿐만아니라, 파단 모드는 계면 박리가 되었다.

Claims (8)

  1. (A)(a)R1 3SiO1/2단위(식 중, R1은 탄소수 1~10의 비치환 혹은 치환의 1가 탄화수소기이다)와 (b)SiO4/2단위를 필수 단위로 하고, (b)단위에 대한 (a)단위의 몰비가 0.6:1~1.2:1의 범위에 있는 오르가노폴리실록산레진:30~70질량부,
    (B)분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서, 하기 일반식(1) 및/또는 하기 일반식(2)
    Figure 112022135612961-pct00036

    (식(1) 중, R2는 수소 원자 또는 메틸기이며, a는 1~3의 정수이다. 파선은 결 합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
    Figure 112022135612961-pct00037

    (식(2) 중, R2, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
    으로 표시되는 기를 1분자 중에 평균 1~4개 가지고, 주쇄가 디오르가노실록 산 단위의 반복으로 이루어지며, 분자쇄 양 말단에 하기 일반식(4) 및/또는 (5)
    Figure 112022135612961-pct00038

    (식(4), (5) 중, R2, a는 상기와 동일하며, R3은 독립적으로 탄소수 1~10의 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기이며, X는 탄소수 2~6의 알킬렌기이다. b는 1 또는 2이다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
    으로 표시되는 기를 가지는 것인 직쇄상 또는 분기쇄상의, 25℃에서의 점도가 50mPa·s 초과 500,000mPa·s 이하인 오르가노폴리실록산:1~40질량부,
    (C)분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서, 하기 일반식(3)
    Figure 112022135612961-pct00039

    (식(3) 중, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손을 나타낸다.)
    으로 표시되는 기를 1분자 중에 1개, 분자쇄 말단 또는 분자쇄 측쇄에 함유하는, 25℃에서의 점도가 1~50mPa·s인 오르가노(폴리)실록산으로 이루어지는 반응성 희석제:1~40질량부
    (단, (A)~(C)성분의 합계는 100질량부이다.)
    를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
  2. (A)(a)R1 3SiO1/2단위(식 중, R1은 탄소수 1~10의 비치환 혹은 치환의 1가 탄화수소기이다)와 (b)SiO4/2단위를 필수 단위로 하고, (b)단위에 대한 (a)단위의 몰비가 0.6:1~1.2:1의 범위에 있는 오르가노폴리실록산레진:30~70질량부,
    (B)분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서, 하기 일반식(1) 및/또는 하기 일반식(2)
    Figure 112022135612961-pct00040

    (식(1) 중, R2는 수소 원자 또는 메틸기이며, a는 1~3의 정수이다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
    Figure 112022135612961-pct00041

    (식(2) 중, R2, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원 자에 결합하고 있다.)
    으로 표시되는 기를 1분자 중에 평균 1~4개 가지고, 주쇄가 하기 일반식(6)
    Figure 112022135612961-pct00042

    (식(6) 중, Me는 메틸기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타내고, c1, c2는 각각 c1≥0, c2≥1, c1+c2=c를 만족하는 정수이며, c는 오르가노폴리실록산의 25℃에 있어서의 점도를 50mPa·s 초과 500,000mPa·s 이하로 하는 수이다. 파선은 결합손을 나타낸다.)
    으로 표시되는 디페닐실록산 단위를 포함하는 디오르가노실록산 단위의 반복 으로 이루어지는 직쇄상 또는 분기쇄상의, 25℃에서의 점도가 50mPa·s 초과 500,000mPa·s 이하인 오르가노폴리실록산:1~40질량부,
    (C)분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서, 하기 일반식(3)
    Figure 112022135612961-pct00043

    (식(3) 중, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손을 나타 낸다.)
    으로 표시되는 기를 1분자 중에 1개, 분자쇄 말단 또는 분자쇄 측쇄에 함유 하는, 25℃에서의 점도가 1~50mPa·s인 오르가노(폴리)실록산으로 이루어지는 반응 성 희석제:1~40질량부
    (단, (A)~(C)성분의 합계는 100질량부이다.)
    를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
  3. (A)(a)R1 3SiO1/2단위(식 중, R1은 탄소수 1~10의 비치환 혹은 치환의 1가 탄화수소기이다)와 (b)SiO4/2단위를 필수 단위로 하고, (b)단위에 대한 (a)단위의 몰비가 0.6:1~1.2:1의 범위에 있는 오르가노폴리실록산레진:30~70질량부,
    (B)분자 중의 규소 원자에 결합하는 1가의 치환기로서, 하기 일반식(1) 및/또는 하기 일반식(2)
    Figure 112022135612961-pct00044

    (식(1) 중, R2는 수소 원자 또는 메틸기이며, a는 1~3의 정수이다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원자에 결합하고 있다.)
    Figure 112022135612961-pct00045

    (식(2) 중, R2, a는 상기와 동일하다. 파선은 결합손을 나타내고, 규소 원 자에 결합하고 있다.)
    으로 표시되는 기를 1분자 중에 평균 1~4개 가지고, 주쇄가 디오르가노실록 산 단위의 반복으로 이루어지는 직쇄상 또는 분기쇄상의, 25℃에서의 점도가 50mPa·s 초과 500,000mPa·s 이하인 오르가노폴리실록산:1~40질량부,
    (C)하기 일반식(7) 또는 (8)
    Figure 112022135612961-pct00046

    Figure 112022135612961-pct00047

    (식(7), (8) 중, R6~R10은 비치환 또는 치환의 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기이다. a는 1~3의 정수이다. d~f는 이 오르가노(폴리)실록산의 25℃에 있어서의 점도를 1~50mPa·s로 하는 수이며, d는 0~3의 정수, e, f는 0 또는 1이다.)
    으로 표시되는 오르가노(폴리)실록산으로 이루어지는 반응성 희석제:1~40질량부
    (단, (A)~(C)성분의 합계는 100질량부이다.)
    를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 또한 (D)광개시제를 (A)~(C)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.01~15질량부 함유하여 이루어지는 것인 것을 특징으로 하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 경화 후의 저장 탄성률이 1.0MPa 이하인 실리콘 점착제를 부여하는 것인 것을 특징으로 하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
  6. 기재와, 이 기재의 적어도 한 쪽의 표면 상에 형성된 실리콘 점착제로 이루어지는 점착층을 구비한 실리콘 점착 필름으로서, 이 점착층이 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 자외선 조사 경화물인 실리콘 점착 필름.
  7. 제 6 항에 있어서, 기재가 플라스틱 필름인 것을 특징으로 하는 실리콘 점착 필름.
  8. 삭제
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