KR102523790B1 - Composition for 3W class thermally conductive pad of equipment of semi-conductor procedure - Google Patents

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Abstract

본 발명은 3W급 반도체 장비용 방열패드 조성물에 관한 것으로, 상기 조성물은 액상실리콘 겔로 이루어진 실리콘 수지; 상기 실리콘 수지 내에 분산되어 열전도성을 높이는 세라믹 방열 필러; 및 상기 실리콘 수지내 방열필러의 분산을 도와주는 실란커플링제;를 포함하며 상기 실리콘 수지 150 내지 200 중량부에 대하여 상기 세라믹 방열필러는 800 내지 850 중량부, 상기 실란커플링제는 5 내지 20 중량부인 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a heat dissipation pad composition for 3W class semiconductor equipment, the composition comprising a silicone resin made of liquid silicone gel; a ceramic heat dissipating filler dispersed in the silicone resin to increase thermal conductivity; and a silane coupling agent for helping dispersion of the heat radiation filler in the silicone resin; wherein the ceramic heat radiation filler is 800 to 850 parts by weight and the silane coupling agent is 5 to 20 parts by weight based on 150 to 200 parts by weight of the silicone resin. characterized by

Description

3W급 반도체 장비용 방열패드 조성물 {Composition for 3W class thermally conductive pad of equipment of semi-conductor procedure}Thermal pad composition for 3W class semiconductor equipment {Composition for 3W class thermally conductive pad of equipment of semi-conductor procedure}

본 발명은 3W급 반도체 장비용 방열패드 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실란 커플링제를 추가하여 방열필러와 실리콘의 사용성을 높여 물성을 향상시킨 3W급 반도체 장비용 방열패드 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a heat-dissipating pad composition for 3W-class semiconductor equipment, and more particularly, to a heat-dissipating pad composition for 3W-class semiconductor equipment in which a silane coupling agent is added to increase the usability of a heat-dissipating filler and silicon to improve physical properties.

통상적으로, 방열패드는 전자기기의 열원과 heat sink 사이에 위치해 열원으로부터 발생하는 열을 heat sink 로 전달해주는 TIM(Thermal Interface Materials) 역할을 하는 구조물을 가리킨다.In general, a heat dissipation pad refers to a structure that serves as a thermal interface material (TIM) that is located between a heat source and a heat sink of an electronic device and transfers heat generated from the heat source to the heat sink.

현재, 시장을 형성하고 있는 방열패드의 주재료는 대부분 (수산화)알루미나(Al2O3)가 사용되며, 실리콘계 수지에 첨가하여 패드형태로 제작해 방열패드 또는 실리콘패드라는 명칭으로 판매되고 있다.Currently, the main material of the heat dissipation pad forming the market is mostly (hydroxide) alumina (Al 2 O 3 ), which is added to a silicone-based resin to form a pad and is sold under the name of a heat dissipation pad or silicon pad.

상기 실리콘계 수지를 소재로 하는 방열패드는 열전도율이 높은 재료를 다량으로 충진할 수 있어 방열성능은 뛰어나지만, 방열패드 자체 경도가 높고, 딱딱하여, 공정 중에 상기 방열패드가 끊어지거나 크랙이 발생하는 문제가 발생하는 경우가 있다. 이러한 경우, 방열패드와 장비 사이가 완전히 밀착되지 못하고, 공기층이 형성되어 열전도율이 떨어져서, 방열효율이 저하되는 문제가 발생한다.The heat dissipation pad made of the silicon-based resin can be filled with a material having high thermal conductivity in a large amount, so the heat dissipation performance is excellent, but the heat dissipation pad itself is high in hardness and hard, so that the heat dissipation pad breaks or cracks during the process. may occur. In this case, the heat dissipation pad and the equipment are not completely adhered to each other, and an air layer is formed to decrease thermal conductivity, resulting in a decrease in heat dissipation efficiency.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 방열효율이 우수한 반도체 장비용 방열패드 소재에 대한 연구개발이 필요한 실정이다.In order to solve this problem, research and development on heat dissipation pad materials for semiconductor equipment having excellent heat dissipation efficiency is required.

한국공개특허 제10-2011-0013907호Korean Patent Publication No. 10-2011-0013907

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 3W/m.K급 수준의 우수한 물성의 반도체 장비용 방열패드 조성물을 제공하는 것이다.Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a heat dissipation pad composition for semiconductor equipment with excellent physical properties at the 3W / m.K level.

상기 목적을 달성하기 위하여,In order to achieve the above purpose,

본 발명은, 3W급 반도체 장비용 방열패드 조성물로서, The present invention is a heat dissipation pad composition for 3W class semiconductor equipment,

액상실리콘 겔로 이루어진 실리콘 수지;a silicone resin made of liquid silicone gel;

상기 실리콘 수지 내에 분산되어 열전도성을 높이는 세라믹 방열 필러; 및a ceramic heat dissipating filler dispersed in the silicone resin to increase thermal conductivity; and

상기 실리콘 수지내 방열필러의 분산을 도와주는 실란커플링제;를 포함하며A silane coupling agent to help disperse the heat dissipating filler in the silicone resin; and

상기 실리콘 수지 150 내지 200 중량부에 대하여 상기 세라믹 방열필러는 800 내지 850 중량부, 상기 실란커플링제는 5 내지 20 중량부인 것을 특징으로 하는 3W급 반도체 장비용 방열패드 조성물을 제공한다.The ceramic heat dissipating filler is 800 to 850 parts by weight and the silane coupling agent is 5 to 20 parts by weight based on 150 to 200 parts by weight of the silicone resin.

본 발명의 일구현예로, 상기 방열패드는, 열전도율이 2.8 W/mK 이상인 것을 특징으로 한다.In one embodiment of the present invention, the heat dissipation pad is characterized in that the thermal conductivity is 2.8 W / mK or more.

본 발명의 다른 구현예로, 상기 방열패드는, 연신율이 125 % 내지 250 % 범위인 것을 특징으로 한다.In another embodiment of the present invention, the heat dissipation pad is characterized in that the elongation is in the range of 125% to 250%.

본 발명의 또다른 구현예로, 상기 세라믹 방열필러의 평균 입경은 0.5 내지 100 ㎛ 범위이며, 방열 필러는, 산화아연(ZnO), 탄화 규소(SiC), 마그네시아(MgO), 질화 붕소(BN), 수산화알루미늄(Al2(OH)3), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화 규소(Si3N4), 베릴리아(BeO) 및 지르코니아(ZrO2) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 한다.In another embodiment of the present invention, the average particle diameter of the ceramic radiating filler is in the range of 0.5 to 100 μm, and the radiating filler is zinc oxide (ZnO), silicon carbide (SiC), magnesia (MgO), boron nitride (BN) , from the group consisting of aluminum hydroxide (Al 2 (OH) 3 ), alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si 3 N 4 ), beryllia (BeO) and zirconia (ZrO 2 ). It is characterized in that one or more selected.

본 발명에 따른 방열패드 조성물은 실란커플링제를 사용하여 방열필러와 실리콘의 상용성을 높였다. 이로써 본 발명에 따른 방열패드 조성물은 우수한 전자차폐율과 높은 열전도율을 가지면서 우수한 연신율을 갖는다. 이로써 방열패드가 끊어지거나 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 반도체 장비의 PM(preventive maintenance)를 증가시킬 수 있는 이점이 있다.The heat dissipation pad composition according to the present invention uses a silane coupling agent to increase compatibility between the heat dissipation filler and silicone. Thus, the heat dissipation pad composition according to the present invention has excellent elongation while having excellent electromagnetic shielding and high thermal conductivity. As a result, it is possible to prevent the heat dissipation pad from breaking or cracking, and thus, there is an advantage in that preventive maintenance (PM) of the semiconductor equipment can be increased.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 장비용 방열패드의 단면을 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a cross section of a heat dissipation pad for semiconductor equipment according to the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다.Since the present invention can make various changes and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description.

그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.Terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 발명에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present invention, the term "comprises" or "has" is intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

본 발명은 반도체 장비용 방열패드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 방열효율을 증가시켜, 반도체 장비의 PM(preventive maintenance)를 증가시킬 수 있는 3W급 반도체 장비용 방열패드에 관한 것이다.The present invention relates to a heat dissipation pad for semiconductor equipment, and more particularly, to a heat dissipation pad for 3W class semiconductor equipment capable of increasing preventive maintenance (PM) of semiconductor equipment by increasing heat dissipation efficiency.

반도체, 전기/전자, 자동차 분야 등의 집적화, 경량화, 소형화, 다기능화가 추구되고 있으며, 특히 반도체의 고집적화가 될수록 더욱 많은 열이 발생한다. 이에 열에 의한 반도체 성능 저하 및 수율 개선을 위한 연구가 필요한 실정이나, 국내 방열소재 업체의 대부분은 일반 산업 군에 치중되어 있어, 본 발명은 Etch 장비 내 방열시트가 완전히 밀착되어 피착제와 공기층이 형성되지 않도록 고온에서 의 안정적인 점착성과 방열특성을 만족하고, 고연신율, 저경도를 구현하여 방열시트의 크랙(Crack)을 방지할 수 있으며, Etch 공정 중 Arcing 발생 감소 및 소재 열화로 인한 수명 단축을 방지하기 위해 신뢰성을 높일 수 있는 방열 소재를 개발하기 위해 연구한 결과 본 발명을 완성하였다.Integration, weight reduction, miniaturization, and multifunctionalization are being pursued in semiconductor, electric/electronic, and automobile fields, and in particular, as semiconductors become highly integrated, more heat is generated. Accordingly, research is needed to improve yield and deterioration of semiconductor performance due to heat, but most of the domestic heat dissipation material companies are focused on the general industry. It satisfies stable adhesiveness and heat dissipation characteristics at high temperatures to prevent cracking of the heat dissipation sheet by implementing high elongation and low hardness, reducing arcing during the etching process and preventing shortening of life due to material deterioration. As a result of research to develop a heat dissipation material that can increase reliability in order to do so, the present invention was completed.

통상적으로, 방열패드의 주재료는 대부분 (수산화)알루미나(Al2O3)가 사용되며, 실리콘계 수지에 첨가하여 패드형태로 제작해 방열패드 또는 실리콘패드라는 명칭으로 판매되고 있다.Typically, most of the main material of the heat dissipation pad is (hydroxide) alumina (Al 2 O 3 ) is used, and it is added to a silicone-based resin to produce a pad shape and sold under the name of a heat dissipation pad or silicon pad.

그러나, 이러한 실리콘계 수지를 소재로 하는 방열패드는 열전도율이 높은 재료를 다량으로 충진할 수 있어 방열성능은 뛰어나지만, 방열패드 자체 경도가 높고, 딱딱하여, 공정 중에 상기 방열패드가 끊어지거나 크랙이 발생하는 문제가 발생하는 경우가 있다. 이러한 경우, 방열패드와 장비 사이가 완전히 밀착되지 못하고, 공기층이 형성되어 열전도율이 떨어지는 문제가 있다.However, a heat dissipation pad made of such a silicone-based resin can be filled with a material having high thermal conductivity in a large amount and has excellent heat dissipation performance, but the heat dissipation pad itself is high in hardness and hard, so that the heat dissipation pad breaks or cracks during the process. There are times when problems arise. In this case, there is a problem in that the heat dissipation pad and the equipment are not completely adhered to each other, and an air layer is formed, resulting in poor thermal conductivity.

이에, 본 발명은 실란커플링제를 사용하여 방열필러와 실리콘의 상용성을 높여, 우수한 전자파차폐율과 높은 열전도율을 가지면서 우수한 연신율을 갖는 반도체 장비용 방열패드를 제공하고자 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a heat dissipation pad for semiconductor equipment having excellent electromagnetic wave shielding and high thermal conductivity and excellent elongation by increasing compatibility between a heat dissipating filler and silicon using a silane coupling agent.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 장비용 방열패드의 단면을 나타내는 모식도이다. 1 is a schematic diagram showing a cross section of a heat dissipation pad for semiconductor equipment according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 장비용 방열패드(100)는 액상실리콘겔로 이루어진 실리콘 수지(110) 및 실리콘 수지(110) 내에 분산되어 열전도성을 높이는 방열 필러(120)를 포함한다. 상기 수지내 방열필러의 분산을 도와주는 실란커플링제을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.Referring to FIG. 1 , a heat dissipation pad 100 for semiconductor equipment according to the present invention includes a silicone resin 110 made of liquid silicone gel and a heat dissipation filler 120 dispersed in the silicone resin 110 to increase thermal conductivity. . It is characterized in that it further comprises a silane coupling agent to help the dispersion of the heat radiation filler in the resin.

본 발명에서, "방열패드" 라 함은 전자기기의 열원과 heat sink 사이에 위치해 열원으로부터 발생하는 열을 heat sink 로 전달해주는 TIM(Thermal Interface Materials) 역할을 하는 구조물을 의미하는 것으로, 보다 상세하게는 반도체 장비용 실리콘 방열패드를 의미할 수 있다.In the present invention, the term "thermal pad" refers to a structure that serves as a TIM (Thermal Interface Materials) that is located between a heat source and a heat sink of an electronic device and transfers heat generated from the heat source to the heat sink. may mean a silicon heat dissipation pad for semiconductor equipment.

실리콘은 유기기를 함유한 규소(organosilicone)와 산소 등이 화학결합으로 서로 연결된 모양으로 된 폴리머를 의미하고, (반도체인 silicone(규소)와는 다른 물질이다.) 실리콘은 유기성과 무기성을 겸비한 독특한 화학제로서 여러 형태로 응용되며, 대부분 산업분야에서 필수적인 고기능 재료로서 위치를 점하고 있다.Silicon refers to a polymer in which organosilicone containing organic groups and oxygen are connected to each other through chemical bonds (it is a different material from silicone, which is a semiconductor). Silicone is a unique chemical combination of organic and inorganic properties. It is applied in various forms as a zero, and occupies a position as an essential high-performance material in most industrial fields.

한편, 본 발명에서 액상실리콘 겔(silicone gel)은 실록산 결합으로 개개의 분자가 독립해서 존재하므로 분자사슬은 상호간 자유로이 움직일 수 있어서 액체와 같이 유동성이 우수한 특성이 있고, 실리콘고무는 고 중합체로서 분자사슬이 상호 이동을 할 수 없으므로 유동성은 낮으나, 분자간의 상호 인력이 작아 탄성과 복원력이 우수한 특성이 있다. On the other hand, in the present invention, the liquid silicone gel has excellent fluidity like a liquid because individual molecules exist independently with siloxane bonds, so molecular chains can move freely with each other, and silicone rubber is a high polymer that has molecular chains Since this mutual movement is not possible, the fluidity is low, but the mutual attraction between molecules is small, so it has excellent elasticity and restoring force.

특히, 종래의 실리콘 방열패드(100)는 방열필러(120)를 혼합 시, 방열필러가 균일하게 분산되지 않아 열전도율이 저하되는 원인이 되었다. 이에 본 발명은 실리콘 커플링제를 포함하여, 열전도율을 3W급으로 증가시킬 수 있고 이에 따라 반도체 장비의 PM(Preventive Maintenance) 간 작업성을 향상시킬 수 있다.In particular, when mixing the heat-dissipating filler 120 in the conventional silicone heat-dissipating pad 100, the heat-dissipating filler is not uniformly dispersed, causing a decrease in thermal conductivity. Therefore, the present invention includes a silicon coupling agent, so that the thermal conductivity can be increased to 3W level, and accordingly, workability during preventive maintenance (PM) of semiconductor equipment can be improved.

액상실리콘겔은 이온 함유량이 낮아서 부식이 시작되는 수분의 유도 경로 형성을 방지함으로써 고온 다습한 환경에서도 견딜 수 있도록 하며, 내열/내한성이 우수하여 약 -85℃ ~ 200℃ 의 넓은 온도 범위에서 부드럽고 유연한 특성을 유지할 수 있다. 또한, 실리콘겔은 접착력, 광투명성, 열 및 충격 흡수성이 우수하고 전기전도도의 변화를 초래하지 않는다. 나아가, 실리콘 겔은 기본적으로 실리콘 고무와 동일한 폴리실록산 구조를 갖지만, 가교 반응 후의 가교 밀도가 실리콘 고무보다 작아, 통상의 고무 경도계로 측정할 수 없을 정도의 부드러운 겔상으로 경화시키는 것을 의미한다. 상기 실리콘 겔은 주쇄를 구성하는 폴리실록산의 종류에 따라 분류되는 디메틸실리콘 겔, 메틸페닐실리콘 겔 등의 여러가지 실리콘 겔을 사용할 수 있다. 다만, 본 발명에서 사용되는 실리콘 고무와 상용성, 친화성이 우수한 실리콘 겔을 사용할 수 있으며, 실리콘 고무와 동일한 계통의 실리콘 겔을 선택하여 이용하는 것이 바람직하다.Liquid silicone gel has a low ion content, which prevents the formation of an induction path for moisture where corrosion begins, so that it can withstand high temperature and high humidity environments. characteristics can be maintained. In addition, silicone gel has excellent adhesion, light transparency, heat and shock absorption, and does not cause a change in electrical conductivity. Further, silicone gel basically has the same polysiloxane structure as silicone rubber, but the crosslinking density after the crosslinking reaction is smaller than that of silicone rubber, meaning that it is cured into a soft gel that cannot be measured with a normal rubber hardness tester. As the silicone gel, various silicone gels such as dimethyl silicone gel and methylphenyl silicone gel classified according to the type of polysiloxane constituting the main chain may be used. However, a silicone gel having excellent compatibility and affinity with the silicone rubber used in the present invention may be used, and it is preferable to select and use a silicone gel of the same type as the silicone rubber.

이러한 방열패드(100)는 연신율이 125 % 이상일 수 있다. 여기서, "연신율(elongation)"은 재료 인장 시험 시 재료가 늘어나는 비율을 의미하며, JIS K 6251-1 조건에 따라 만능 시험기(Zwick-Roell Universal Testing Machine, Z100)을 사용하여 계산할 수 있으며, 하기 계산식에 따라 연신율을 계산할 수 있다. The heat dissipation pad 100 may have an elongation of 125% or more. Here, "elongation" means the rate at which a material elongates during a material tensile test, and can be calculated using a universal testing machine (Zwick-Roell Universal Testing Machine, Z100) according to JIS K 6251-1 conditions, and can be calculated using the following formula Elongation can be calculated according to

[계산식][formula]

연신율(%) = (파단시 길이-초기 길이)/초기 길이 × 100Elongation (%) = (length at break - initial length) / initial length × 100

구체적으로, 방열패드(100)의 연신율은 125 % 이상일 수 있으며, 125 내지 250 % 범위일 수 있다. 한편, 방열패드(100)의 연신율이 125% 미만인 경우, 방열패드(100)와 반도체 장비 사이가 완전히 밀착되지 못하고, 공정 중에 방열패드(100)가 끊어지거나 크랙이 발생하는 문제가 발생할 수 있어, 공기층이 형성되어 열전도율이 떨어지는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 방열패드(100)의 연신율이 250%을 초과하는 경우, 방열패드(100)가 끊어지거나 크랙은 발생하지 않으나, 원래의 형상으로 복원되지 않는 문제가 발생할 수 있다.Specifically, the elongation of the heat dissipation pad 100 may be 125% or more, and may be in the range of 125 to 250%. On the other hand, when the elongation of the heat dissipation pad 100 is less than 125%, the heat dissipation pad 100 and the semiconductor equipment cannot be completely adhered to, and the heat dissipation pad 100 breaks or cracks may occur during the process. An air layer may be formed, causing a problem in that the thermal conductivity is lowered. In addition, when the elongation of the heat dissipation pad 100 exceeds 250%, the heat dissipation pad 100 does not break or crack, but may not be restored to its original shape.

보다 상세하게 본 발명의 방열패드의 성능은 하기 표 1과 같을 수 있다.In more detail, the performance of the heat dissipation pad of the present invention may be shown in Table 1 below.

ParameterParameter PerformancePerformance 열전도도(W/mK)Thermal conductivity (W/mK) 2.8 이상2.8+ 경도(Shore 00)Hardness (Shore 00) 55 이상over 55 점착력(gf/cm3)Adhesion (gf/cm3) 360 이상over 360 연신율(%)Elongation (%) 125 이상over 125 Oil bleeding(wt%)Oil bleeding (wt%) 1.8 이하1.8 or lower 열전도도 변화율(%)Thermal conductivity change rate (%) 25% 이하25% or less 경도 변화율(%)Hardness change rate (%) 22% 이하22% or less

아울러, 방열 필러(120)는 상기 실리콘 수지(110) 내에 분산되어 있는 것으로, 방열패드(100)는 방열 필러(120)를 포함하여, 방열 대상체에 의해 발생된 열이 방열 패드를 통하여 다른 층으로 쉽게 전달될 수 있다.In addition, the heat dissipation filler 120 is dispersed in the silicone resin 110, the heat dissipation pad 100 includes the heat dissipation filler 120, and the heat generated by the object to be dissipated is transferred to another layer through the heat dissipation pad. can be easily conveyed.

본 발명의 방열 필러(120)의 평균 입경은 0.5 내지 100 ㎛ 범위이며, 상기 방열 필러는 산화아연(ZnO), 탄화 규소(SiC), 마그네시아(MgO), 질화 붕소(BN), 수산화알루미늄(Al2(OH)3), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화 규소(Si3N4), 베릴리아(BeO) 및 지르코니아(ZrO2) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있으며, 일 예로, 상기 방열 필러(120)는 알루미나일 수 있다.The average particle diameter of the heat-dissipating filler 120 of the present invention is in the range of 0.5 to 100 μm, and the heat-dissipating filler is zinc oxide (ZnO), silicon carbide (SiC), magnesia (MgO), boron nitride (BN), aluminum hydroxide (Al 2 (OH) 3 ), alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si 3 N 4 ), beryllia (BeO) and zirconia (ZrO 2 ) may be at least one selected from the group consisting of And, for example, the heat radiation filler 120 may be alumina.

한편, 본 발명에 따른 방열패드는 평균 두께 0.01 내지 100 mm 범위일 수 있다. 상기 방열패드의 두께가 너무 얇을 경우에는 충분한 방열 특성을 가지기 어려울 수 있고, 반대로 너무 두꺼운 경우에는 내전압 특성을 가지기 어려울 수 있어, 상술한 범위가 바람직하다.Meanwhile, the heat dissipation pad according to the present invention may have an average thickness of 0.01 to 100 mm. If the thickness of the heat dissipation pad is too thin, it may be difficult to have sufficient heat dissipation characteristics, and conversely, if it is too thick, it may be difficult to have withstand voltage characteristics, and the above range is preferable.

이러한 반도체 장비용 방열패드는 열전도율이 3W급으로, 열전도도가 우수하면서도 점착력이 우수하고, 방열패드가 끊어지거나 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 반도체 장비의 PM(preventive maintenance)를 증가시킬 수 있는 이점이 있다.This heat dissipation pad for semiconductor equipment has a thermal conductivity of 3W, has excellent thermal conductivity and excellent adhesion, and can prevent the heat dissipation pad from breaking or cracking, thereby increasing PM (preventive maintenance) of semiconductor equipment. There are advantages to doing so.

특히, 본 발명은 세라믹 방열 필러와 액상 실리콘 겔로 이루어진 실리콘 수지간의 상용성을 향상시키고자 소정 범위로 실란 커플링제를 사용한 것으로, 상기 실리콘 수지 150 내지 200 중량부에 대하여 상기 세라믹 방열필러는 800 내지 850 중량부, 상기 실란커플링제는 5 내지 20 중량부로 포함된다. 상기 범위 내에서 본 발명의 방열패드는 우수한 물성 및 신뢰성을 가질 수 있다.In particular, the present invention uses a silane coupling agent in a predetermined range in order to improve compatibility between a ceramic heat-dissipating filler and a silicone resin made of liquid silicone gel, and the ceramic heat-dissipating filler is 800 to 850 based on 150 to 200 parts by weight of the silicone resin. Part by weight, the silane coupling agent is included in 5 to 20 parts by weight. Within the above range, the heat dissipation pad of the present invention may have excellent physical properties and reliability.

이하, 본 발명을 실시예 및 실험예에 의해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples and experimental examples.

단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 한정되는 것은 아니다.However, the following Examples and Experimental Examples are merely illustrative of the present invention, and the contents of the present invention are not limited to the following Examples and Experimental Examples.

<실시예><Example>

<방열패드의 제조><Manufacture of heat dissipation pad>

실리콘 수지, 방열 필러, 및 실란커플링제를 아래의 표 2에 나타낸 조성으로 혼합하고(모든 함량은 중량부임), 150℃ 및 100kgf/cm2 의 가열 가압 공정을 거쳐 평균두께가 0.5mm 인 반도체 장비용 방열 패드를 제조하였다.A silicone resin, a heat dissipating filler, and a silane coupling agent were mixed in the composition shown in Table 2 below (all contents are parts by weight), and a semiconductor having an average thickness of 0.5 mm was subjected to a heating and pressing process at 150 ° C and 100 kg f / cm 2 . A heat dissipation pad for the equipment was prepared.

성분ingredient 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 실리콘 수지silicone resin 150150 200200 200200 150150 200200 200200 방열필러Thermal filler 800800 850850 850850 800800 825825 850850 실란커플링제Silane Coupling Agent 55 1010 2020 -- 33 2525

<실험예><Experimental example>

실험예 1. 열전도도 측정Experimental Example 1. Thermal conductivity measurement

실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 3의 방열패드를 대상으로 열전도도를 측정하였다. Thermal conductivity was measured for the heat dissipation pads of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3.

구체적으로, ASTM D 5470 에 따라 열특성시험장치(TIM1400, Analysis Tech 사)를 이용하여 방열시트의 수직 방향에 대한 열전도도를 측정하였다.Specifically, the thermal conductivity of the heat dissipation sheet in the vertical direction was measured using a thermal property tester (TIM1400, Analysis Tech) according to ASTM D 5470.

실험예 2. 경도 측정Experimental Example 2. Hardness measurement

실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 3의 방열패드를 대상으로 경도를 측정하였다. 구체적으로, 6.4mm(1/4in) 두께의 시편을 듀로미터 경도계를 사용하여 ASTM D 2240 에 따라 방열패드의 경도를 측정하였다.Hardness was measured for the heat dissipation pads of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3. Specifically, the hardness of the heat dissipation pad was measured according to ASTM D 2240 using a durometer for a specimen having a thickness of 6.4 mm (1/4 in).

실험예 3. 점착력 측정Experimental Example 3. Adhesion measurement

실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 3의 방열패드를 대상으로 경도를 측정하였다. 구체적으로, 만능시험기(Zwick-Roell Universal Testing Machine, Z100)를 사용하여 ASTM D 3330 에 따라 방열패드의 경도를 측정하였다.Hardness was measured for the heat dissipation pads of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3. Specifically, the hardness of the heat dissipation pad was measured according to ASTM D 3330 using a universal testing machine (Zwick-Roell Universal Testing Machine, Z100).

실험예 4. 연신율 측정Experimental Example 4. Measurement of elongation

본 발명에 따른 방열패드의 물성을 확인하기 위하여, 실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 3의 방열패드를 대상으로 연신율을 측정하였다. In order to confirm the physical properties of the heat dissipation pad according to the present invention, the elongation was measured for the heat dissipation pads of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3.

구체적으로, 상기 방열패드를 50 mm × 50 mm 로 절단하여 JIS K 6251-1 조건에 따라 만능 시험기(Zwick-Roell Universal Testing Machine, Z100)을 사용하여 측정하였고, 하기 계산식에 따라 연신율을 계산하였다. Specifically, the heat dissipation pad was cut into 50 mm × 50 mm and measured using a universal testing machine (Zwick-Roell Universal Testing Machine, Z100) according to JIS K 6251-1 conditions, and the elongation was calculated according to the following formula.

[계산식][formula]

연신율(%) = (파단시 길이-초기 길이)/초기 길이 × 100Elongation (%) = (length at break - initial length) / initial length × 100

실험예 5. 신뢰성 평가Experimental Example 5. Reliability evaluation

본 발명에 따른 방열패드의 신뢰성을 확인하기 위하여, 실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 3의 방열패드를 대상으로, 방열패드의 투입 전/후 중량을 측정하여 오일블리딩율을 측정하고, 열전도도를 측정하여 열전도도 변화율을 측정하였으며, 경도를 측정하여 경도 변화율을 측정하였다. In order to confirm the reliability of the heat dissipation pad according to the present invention, for the heat dissipation pads of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, the oil bleeding rate was measured by measuring the weight before and after insertion of the heat dissipation pad, and the thermal conductivity The thermal conductivity change rate was measured by measuring the degree, and the hardness change rate was measured by measuring the hardness.

상기 신뢰성 평가는 100mm*100mm 크기의 시료를 보관온도 100℃에서 적용압력 10kgf, 보관시간 48시간의 조건으로 수행되었다.The reliability evaluation was performed under the conditions of a storage temperature of 100 ° C, an applied pressure of 10 kgf, and a storage time of 48 hours for a sample having a size of 100 mm * 100 mm.

실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 3의 방열패드의 열전도도, 경도, 점착력 및 연신율 측정 결과를 아래의 표 3에 나타내었고, 신뢰성 평가 결과를 표 4에 나타내었다.The thermal conductivity, hardness, adhesion and elongation measurement results of the heat dissipation pads of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 are shown in Table 3 below, and reliability evaluation results are shown in Table 4.

열전도도
(W/mK)
thermal conductivity
(W/mK)
경도
(Shore 00)
Hardness
(Shore 00)
점착력
(gf/cm3)
adhesiveness
(gf/cm 3 )
연신율
(%)
elongation rate
(%)
실시예 1Example 1 2.872.87 5656 380380 200200 실시예 2Example 2 2.952.95 5959 389389 250250 실시예 3Example 3 2.982.98 6161 397397 270270 비교예 1Comparative Example 1 2.182.18 5353 361361 160160 비교예 2Comparative Example 2 2.242.24 5454 363363 180180 비교예 3Comparative Example 3 2.872.87 5555 362362 240240

오일 블리딩(wt%)Oil bleed (wt%) 열 전도도 변화율(%)Thermal conductivity change rate (%) 경도 변화율(%)Hardness change rate (%) 실시예 1Example 1 1.391.39 17.2117.21 19.2319.23 실시예 2Example 2 1.131.13 14.3214.32 17.3217.32 실시예 3Example 3 1.121.12 14.3114.31 16.0116.01 비교예 1Comparative Example 1 2.132.13 27.3227.32 23.19%23.19% 비교예 2Comparative Example 2 1.781.78 29.6129.61 20.13%20.13% 비교예 3Comparative Example 3 1.821.82 28.1928.19 24.13%24.13%

표 3에서 확인할 수 있듯이, 실시예 1 내지 3에서 제조한 방열패드는, 열 전도도가 모두 2.8 W/mK 이상으로 3W급 방열패드로 제조되었음을 알 수 있다. 또한 연신율 및 경도가 모두 우수하며, 접착력이 360gf/cm3 이상으로 공극없이 부착가능할 것임을 알 수 있다. As can be seen in Table 3, it can be seen that the heat dissipation pads prepared in Examples 1 to 3 were all manufactured as 3W class heat dissipation pads with thermal conductivity of 2.8 W/mK or higher. In addition, it can be seen that the elongation rate and hardness are both excellent, and the adhesive strength is 360 gf/cm3 or more and can be attached without voids.

반면, 실란커플링제를 5 중량부 미만으로 사용하는 비교예 1 및 2의 경우 열전도도가 2.8 W/mK 미만이고, 경도, 점착력 및 연신율이 모두 저하되었으며, 비교예 3의 경우 열전도도는 2.87 이상으로 나타났으나 점착력 및 연신율이 저하되는 결과를 보였다.On the other hand, in the case of Comparative Examples 1 and 2 using less than 5 parts by weight of the silane coupling agent, the thermal conductivity was less than 2.8 W/mK, and the hardness, adhesive strength, and elongation were all decreased, and in the case of Comparative Example 3, the thermal conductivity was 2.87 or more. However, the adhesive force and elongation rate were lowered.

또한, 표 4에서 확인할 수 있듯이, 신뢰도면에서도 실시예 1 내지 3이 비교예 1 내지 3보다 우수한 결과를 보여, 보다 긴 수명을 가질 수 있을 것으로 예상되었다.In addition, as can be seen in Table 4, in terms of reliability, Examples 1 to 3 showed better results than Comparative Examples 1 to 3, and it was expected that they would have a longer lifespan.

즉, 본 발명에 따른 방열패드는 실란 커플링제를 소정범위 포함하고 있어, 3W급 열전도도에 더하여 우수한 경도, 점착력 및 연신율을 갖고, 높은 신뢰성을 갖는 것을 알 수 있다.That is, it can be seen that the heat dissipation pad according to the present invention contains a silane coupling agent in a predetermined range, has excellent hardness, adhesive strength and elongation in addition to 3W class thermal conductivity, and has high reliability.

Claims (4)

3W급 반도체 장비용 방열패드 조성물로서,
실록산 결합을 갖는 액상실리콘 겔로 이루어진 실리콘 수지;
상기 실리콘 수지 내에 분산되어 열전도성을 높이는 세라믹 방열 필러; 및
상기 실리콘 수지내 방열필러의 분산을 도와주는 실란커플링제;를 포함하며
상기 실리콘 수지 150 내지 200 중량부에 대하여 상기 세라믹 방열필러는 800 내지 850 중량부, 상기 실란커플링제는 10 내지 20 중량부이고,
상기 방열패드는, 연신율이 125 % 내지 250 % 범위이고, 100mm*100mm 크기의 시료를 보관온도 100℃에서 적용압력 10kgf/㎠, 보관시간 48시간의 조건으로 수행한 경우, 상기 방열패드 조성물로 이루어진 방열패드의 중량변화율은 1.13 wt%이하인 것을 특징으로 하는 3W급 반도체 장비용 방열패드 조성물.
As a heat dissipation pad composition for 3W class semiconductor equipment,
a silicone resin made of a liquid silicone gel having a siloxane bond;
a ceramic heat dissipating filler dispersed in the silicone resin to increase thermal conductivity; and
A silane coupling agent to help disperse the heat dissipating filler in the silicone resin; and
The ceramic heat radiation filler is 800 to 850 parts by weight and the silane coupling agent is 10 to 20 parts by weight, based on 150 to 200 parts by weight of the silicone resin,
The heat dissipation pad is made of the heat dissipation pad composition when the elongation is in the range of 125% to 250%, and a sample having a size of 100 mm * 100 mm is carried out under the conditions of an applied pressure of 10 kgf / cm 2 and a storage time of 48 hours at a storage temperature of 100 ° C. The heat radiation pad composition for 3W class semiconductor equipment, characterized in that the weight change rate of the heat radiation pad is 1.13 wt% or less.
제1항에 있어서,
상기 방열패드는, 열전도율이 2.8 W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 3W급 반도체 장비용 방열패드 조성물.
According to claim 1,
The heat dissipation pad is a heat dissipation pad composition for 3W class semiconductor equipment, characterized in that the thermal conductivity is 2.8 W / mK or more.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 세라믹 방열필러의 평균 입경은 0.5 내지 100 ㎛ 범위이며, 방열 필러는, 산화아연(ZnO), 탄화 규소(SiC), 마그네시아(MgO), 질화 붕소(BN), 수산화알루미늄(Al2(OH)3), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 질화 규소(Si3N4), 베릴리아(BeO) 및 지르코니아(ZrO2) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 3W급 반도체 장비용 방열패드 조성물.
According to claim 1,
The average particle diameter of the ceramic heat-radiating filler is in the range of 0.5 to 100 μm, and the heat-radiating filler is zinc oxide (ZnO), silicon carbide (SiC), magnesia (MgO), boron nitride (BN), aluminum hydroxide (Al 2 (OH) 3 ), alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si 3 N 4 ), beryllia (BeO), and zirconia (ZrO 2 ). Thermal pad composition.
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