KR102520104B1 - 축합다환 헤테로방향족 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자 - Google Patents

축합다환 헤테로방향족 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자 Download PDF

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Abstract

하기 화학식 1, 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물을 제공한다. 또한 상기 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함하는 유기 박막과 전자소자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112023024303944-pat00020

[화학식 2A]
Figure 112023024303944-pat00021

[화학식 2B]
Figure 112023024303944-pat00022

상기 화학식 1, 화학식 2A 또는 화학식 2B에서, 각각 치환기의 정의는 상세한 설명에 기재된 바와 동일하다.

Description

축합다환 헤테로방향족 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자{Fused Polycyclic Heteroaromatic Compound, Organic Thin Film Including Compound and Electronic Device Including Organic Thin Film}
본 기재는 축합다환 헤테로방향족 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.
액정 디스플레이 소자나 유기 전계 발광 디스플레이 소자 등과 같은 평판 디스플레이 소자에는 이러한 소자들을 구동시키기 위한 다양한 박막 트랜지스터(TFT) 등이 구비된다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스와 드레인 전극, 그리고 게이트 전극의 구동에 따라 활성화되는 반도체층을 구비하며, 상기 반도체층은 게이트 전압에 의하여 소스와 드레인 전극 사이의 전류가 제어되는 유기 반도체 물질을 포함한다.
최근 박막 트랜지스터의 채널에 사용되는 유기 반도체 물질로서 펜타센과 같은 저분자 유기재료 또는 폴리티오펜과 같은 고분자 유기재료에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다.
그러나, 고분자 유기재료는 전하 이동도가 낮고 차단누설전류가 높다. 반면 펜타센 등의 저분자 유기재료는 3.2 내지 5.0 cm2/Vs 이상의 높은 전하 이동도를 갖는 것으로 보고되고 있으나, 박막 형성 시 고가의 진공 증착 장비를 필요로 하여 공정성 및 대면적화 면에서 적합하지 않다.
이에 보다 뛰어난 전기적 특성 및 우수한 공정성을 동시에 만족하는 새로운 유기 반도체 물질에 대한 개발 요구가 여전히 계속되고 있다.
일 구현예는 방향족 고리가 서로 융합되어 있는 콤팩트(compact)한 평면 구조를 가지며, 최외각 방향족 고리 또는 중심부에 위치하는 방향족 고리내에 질소를 포함함으로써 높은 전하 이동도를 나타낼 뿐만 아니라 소자 적용시 증착 또는 상온(약 20 내지 약 25 ℃) 용액 공정이 모두 가능하여 공정성이 우수한 저분자의 축합다환 헤테로방향족 화합물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함하는 유기 박막을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 박막을 캐리어 수송층으로 포함하는 전자 소자를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112023024303944-pat00001
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 S, Se 및 Te에서 선택되고,
Y1 내지 Y8는 질소(N) 및 C-Ra에서 선택되고, 여기에서 Ra는 각각 독립적으로 수소 및 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C10의 알킬기에서 선택되고, 단 Y1 내지 Y4중 적어도 하나 그리고 Y5 내지 Y8중 적어도 하나는 질소이고,
R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.
상기 화학식 1에서, Y1 내지 Y4중 적어도 하나는 질소(제1 질소)이고 Y5 내지 Y8중 적어도 하나는 질소(제2 질소)이며, 상기 제1 질소와 제2 질소는 서로 마주보는 위치에 존재한다.
상기 화학식 1에서, Y1 내지 Y4중 2개가 질소이고 Y5 내지 Y8중 2개가 질소일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 하기 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물을 제공한다.
[화학식 2A]
Figure 112023024303944-pat00002
[화학식 2B]
Figure 112023024303944-pat00003
상기 화학식 2A 및 화학식 2B에서,
X3 및 X4는 각각 독립적으로 S, Se 및 Te에서 선택되고,
R1a 및 R1b는 각각 독립적으로 수소 및 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C10의 알킬기에서 선택되고,
R12 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.
상기 축합다환 헤테로방향족 화합물은 약 300 내지 약 3000의 평균 분자량을 가질 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 1-1로 표현되는 화합물 (1) 내지 (8)를 들 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure 112023024303944-pat00004
상기 화학식 1-1에서,
각각의 방향족 고리의 수소는 치환기로 치환(replace)될 수 있으며, 예를 들어 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있다.
상기 화학식 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 2-1로 표현되는 화합물 (9) 내지 (12)를 들 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure 112023024303944-pat00005
상기 화학식 2-1에서,
각각의 방향족 고리의 수소는 치환기로 치환(replace)될 수 있으며, 예를 들어 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있다.
다른 구현예는 상기 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함하는 유기 박막 및 전자소자를 제공한다.
상기 축합다환 헤테로방향족 화합물은 방향족 고리가 서로 융합되어 있는 콤팩트한 평면 구조를 가지며 최외각 방향족 고리 또는 중심부에 위치하는 방향족 고리내에 질소를 포함함으로써 높은 전하 이동도를 나타낼 뿐만 아니라 소자 적용시 증착 또는 상온(약 20 내지 25 ℃) 용액 공정이 모두 가능하여 공정성이 우수하다.
도 1은 일 구현예에 따른 트랜지스터의 개략적인 단면도이다.
도 2는 다른 일 구현예에 따른 트랜지스터의 개략적인 단면도이다.
도 3은 실시예 1에 따라 합성된 화합물 (1)의 MALDI-MS 분석 결과를 보인 도면이다.
도 4는 실시예 1에 따라 합성된 화합물 (1)의 열중량 분석 결과(TGA)를 보인 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
본 명세서에서 "이들의 조합"이란 치환기들의 상호 치환, 구성물의 혼합물, 적층물 등을 의미한다.
본 명세서에서, "헤테로" 란, 고리(ring) 내에 N, O, S, Se, Si 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 4개 포함한 것을 의미한다. 고리의 전체 멤버는 3 내지 10일 수 있다. 다중 고리가 존재한다면 각각의 고리는 방향족 고리, 포화 또는 부분 포화 고리 또는 다중 고리(융합링, 펜던트링, 스피로사이클릭 링 또는 이들의 조합)일 수 있다. 헤테로사이클로알킬기는 헤테로원자를 포함하는 적어도 하나의 비방향족 고리(non-aromatic ring)일 수 있고, 헤테로아릴기는 헤테로 원자를 포함하는 적어도 하나의 방향족 고리일 수 있다. 적어도 하나의 고리가 헤테로원자를 포함하는 방향족 고리라면 비방향족 및/또는 카르보사이클릭(carbocyclic) 고리가 헤테로아릴기에 존재할 수 있다.
이하에서 별도의 정의가 없는 한, "알킬기"는 직쇄 또는 분지쇄, 포화, 1가 탄화수소기(예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등)를 의미한다.
"아릴기"는 아렌(arene)의 하나 이상의 링에 존재하는 수소 원자의 제거에 의해 형성되는 1가의 작용기를 의미하며, 예를 들어 페닐 또는 나프틸을 들 수 있다. 상기 아렌은 방향족 고리를 가지는 탄화수소기로, 단일환 및 복수환 탄화수소기를 포함하며, 복수환 탄화수소기의 부가적인 고리는 방향족 고리 또는 비방향족 고리일 수 있다.
"아릴알킬기"는 상기 정의된 바와 같은 아릴기에서 수소원자 중 일부가 저급알킬렌, 예를 들어 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌 등으로 치환된 것을 의미한다. 예를 들어 벤질기, 페닐에틸기 등이 있다.
"사이클로알킬기"는 모든 멤버가 탄소인 하나 이상의 포화 링을 가지는 1가의 작용기(예를 들어 "사이클로펜틸기 및 사이클로헥실기")를 의미한다.
"헤테로아릴알킬기"는 상기 정의된 바와 같은 알킬기의 수소원자 중 적어도 하나가 헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다.
"알킬헤테로아릴기"는 상기 정의된 바와 같은 헤테로아릴기의 수소원자 중 적어도 하나가 알킬기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "방향족 고리"란 고리 형태인 작용기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 작용기를 의미한다. 예를 들어, 방향족 고리는 C6 내지 C20의 아릴기일 수 있다.
본 명세서에서 "치환"이란 작용기나 화합물 중의 수소가 결합가수(valence)를 초과하지 않는 범위 내에서 할로겐(-F, -Cl, -Br 또는 -I)기, C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 예를 들어 C1 내지 C10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, C6 내지 C30의 아릴기, 예를 들어 C6 내지 C12의 아릴기, C2 내지 C30의 헤테로아릴기, 예를 들어 C2 내지 C12의 헤테로아릴기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C1 내지 C20의 플루오로알킬기, C1 내지 C20의 퍼플루오로알킬기(CnF2n+1), C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시기, C3 내지 C30의 사이클로알콕시기, C2 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시알킬기, C4 내지 C30의 사이클로알콕시알킬기, 시아노기, 아미노기(-NRR', 여기에서 R과 R'은 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임), 아미디노기(-C(=NH)NH2), 니트로기(-NO2), 아마이드기(-C(=O)N(H)R, 여기에서 R은 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임), 알데히드기(-C(=O)H), 히드록시기(-OH), 술포닐기(-S(=O)2R, 여기에서 R은 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기임) 및 카바메이트기(-NHC(=O)OR, 여기에서 R은 C1 내지 C10의 알킬기임)에서 선택되는 작용기로 치환되는 것을 의미한다.
일 구현예에 따르면, 5-원 또는 6-원 방향족 고리가 서로 융합되어 있는 콤팩트한 평면 구조를 가지는 하기 화학식 1로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112023024303944-pat00006
상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 각각 독립적으로 S, Se 및 Te에서 선택되고,
Y1 내지 Y8는 질소(N) 및 C-Ra에서 선택되고, 여기에서 Ra는 각각 독립적으로 수소 및 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C10의 알킬기에서 선택되고, 단 Y1 내지 Y4중 적어도 하나 그리고 Y5 내지 Y8중 적어도 하나는 질소이고,
R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.
상기 화학식 1에서, Y1 내지 Y4중 적어도 하나는 질소(제1 질소)이고 Y5 내지 Y8중 적어도 하나는 질소(제2 질소)이며, 상기 제1 질소와 제2 질소는 서로 마주보는 위치에 존재한다.
상기 화학식 1에서, Y1 내지 Y4중 2개가 질소이고 Y5 내지 Y8중 2개가 질소일 수 있다. 예를 들어 최외각에 존재하는 방향족 링이 피리미딘 링 또는 피라진 링일 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물은 6개의 방향족 고리 및 헤테로 방향족 고리가 융합되어 있고 최외각 방향족 고리가 질소를 함유하는 구조를 가진다. 상기 질소를 함유하는 방향족 고리는 분자간 수소결합으로 분자간 배열성을 증가시켜 분자간 팩킹(packing) 및 스태킹(stacking)에도 유리하여 높은 전하 이동도를 나타낼 수 있다. 상기와 같이 분자간 배열성이 증가하면 증착 공정에 의하여 박막을 형성할 경우 화합물의 일정한 분자간 배열을 유도하여 박막 균일도를 향상시킬 수 있다.
또한 합성 자체도 용이하여 반도체 물질이나 전자 수송 물질 등으로 유용하게 사용할 수 있다. 6개의 방향족 고리 및 헤테로 방향족 고리가 융합된 콤팩트한 평면형의 분자구조를 가짐으로써, 상기 축합다환 헤테로방향족 화합물은 실제 소자에 적용하였을 때 산화전위가 균일하고 안정적이다.
상기 화학식 1로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물은 중심부의 방향족 고리에 존재하는 헤테로 원자는 S, Se 및 Te에서 선택되고 최외각 방향족 고리는 적어도 하나의 N을 포함하도록 하여 축합다환 헤테로방향족 화합물의 수소결합이 가능하여 분자간 인력을 향상시킬 수 있으며, 이로써 전하 수송에 보다 유리한 패킹 구조를 제공할 수 있다. 또한 축합다환 헤테로방향족 화합물의 열적 안정성이 우수하여 소자의 내열성을 향상시킬 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 1-1로 표현되는 화합물 (1) 내지 (8)를 들 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure 112023024303944-pat00007
상기 화학식 1-1에서,
각각의 방향족 고리의 수소는 치환기로 치환(replace)될 수 있으며, 예를 들어 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 하기 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물을 제공한다.
[화학식 2A]
Figure 112023024303944-pat00008
[화학식 2B]
Figure 112023024303944-pat00009
상기 화학식 2A 및 화학식 2B에서,
X3 및 X4는 각각 독립적으로 S, Se 및 Te에서 선택되고,
R1a 및 R1b는 각각 독립적으로 수소 및 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C10의 알킬기에서 선택되고,
R12 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.
상기 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물은 6개의 방향족 고리 및 헤테로 방향족 고리가 융합되어 있고 중심부에 위치하는 방향족 고리가 질소를 함유하는 구조를 가진다. 상기 질소를 함유하는 방향족 고리는 분자간 수소결합으로 분자간 배열성을 증가시켜 분자간 팩킹(packing) 및 스태킹(stacking)에도 유리하여 높은 전하 이동도를 나타낼 수 있다. 상기와 같이 분자간 배열성이 증가하면 증착 공정에 의하여 박막을 형성할 경우 화합물의 일정한 분자간 배열을 유도하여 박막 균일도를 향상시킬 수 있다.
또한 합성 자체도 용이하여 반도체 물질이나 전자 수송 물질 등으로 유용하게 사용할 수 있다. 6개의 방향족 고리 및 헤테로 방향족 고리가 융합된 콤팩트한 평면형의 분자구조를 가짐으로써, 상기 축합다환 헤테로방향족 화합물은 실제 소자에 적용하였을 때 산화전위가 균일하고 안정적이다.
상기 2A 또는 화학식 2B 로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물은 중심부의 방향족 고리가 N을 포함하고 최외각 방향족 고리는 S, Se 및 Te에서 선택되는 헤테로 원자를 포함하도록 하여 축합다환 헤테로방향족 화합물의 수소결합이 가능하여 분자간 인력을 향상시킬 수 있으며, 이로써 전하 수송에 보다 유리한 패킹(packing) 구조를 제공할 수 있다. 또한 축합다환 헤테로방향족 화합물의 열적 안정성이 우수하여 소자의 내열성을 향상시킬 수 있다.
상기 화학식 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 2-1로 표현되는 화합물 (9) 내지 (12)를 들 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure 112023024303944-pat00010
상기 화학식 2-1에서,
각각의 방향족 고리의 수소는 치환기로 치환(replace)될 수 있으며, 예를 들어 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있다.
상기 축합다환 헤테로방향족 화합물로 예시된 화합물 (1)과 화합물 (2) HOMO 에너지, 재편성 에너지(reorganization energy) 및 예상 이동도를 계산하여 하기 표 1에 기재한다. HOMO 에너지와 재편성 에너지는 Gaussian 09 프로그램을 사용하여 DFT B3LYP/6-31G(d,p) level에서 계산하고 transfer integral은 ADF (the Amsterdam Density Functional)프로그램을 사용하여 PW91-TZP에서 계산을 하여 Marcus theory에 따라 예상 이동도를 계산한다. 비교를 위하여 하기 ref-1 및 ref-2의 화합물의 재편성 에너지를 함께 표 1에 기재한다.
Figure 112023024303944-pat00011
Figure 112023024303944-pat00012

ref-1 ref-2
화합물 EHOMO
(eV)		 재편성 에너지
(meV)		 예상 이동도(rel.)
(cm2/Vs)
화합물 ref-1 -5.57 146 0.9
화합물 ref-2 -5.59 218 0.14
화합물 (1) -5.77 149 1.5
화합물 (2) -5.90 153 1.6
표 1에서 보는 바와 같이 화합물 (1) 및 화합물 (2)가 ref-1 및 ref-2에 비하여 재편성 에너지가 작으므로 분자 간에 전하가 효과적으로 전달될 수 있을 것으로 예상된다. 또한 화합물 (1) 및 화합물 (2)의 예상 이동도가 화합물 ref-1 및 ref-2에 비하여 큰 것으로 나타났다.
일 구현예에 따른 축합다환 헤테로방향족 화합물은 약 300 내지 약 3000, 예를 들어 300 내지 1000의 평균 분자량을 가진다. 상기 범위의 평균 분자량을 가지는 경우 취급이 용이하다.
상기 축합다환 헤테로방향족 화합물은 통상의 방법, 예컨대 방향족 또는 헤테로 방향족 화합물의 대표적인 중합방법인 화학적 또는 전기 화학적 산화합성법, 니켈이나 팔라듐과 같은 유기 전이금속 화합물을 이용하는 축합중합법이 모두 사용될 수 있다.
다른 구현예는 상기 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함하는 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
상기 구현예에 따른 유기 박막은 상술한 바와 같은 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함함으로써 전자 소자의 유기 반도체층, 채널층과 같은 캐리어 수송층으로 사용가능하며, 이를 포함하는 전자 소자는 우수한 공정성 및 작업성과 함께 높은 전하 이동도의 우수한 전기적 특성을 나타낼 수 있다.
이 때, 상기 유기 박막은 상기 축합다환 헤테로방향족 화합물 1종 이상을 유기 용매에 용해시켜 기판 상에 통상의 방법으로 증착하거나 또는 통상의 상온 용액 공정에 의해 코팅함으로써 형성할 수 있으며, 필요에 따라 상기 증착 또는 코팅 후 열처리하는 과정을 수행함으로써 박막의 치밀성 및 균일성을 보다 높일 수 있다.
구체적으로 상기 유기 용매로는 통상의 유기용매를 1종 이상 사용할 수 있는데, 예를 들면 헥산, 헵탄 등의 지방족 탄화수소 용매; 톨루엔, 피리딘, 퀴놀린, 아니솔, 메시틸렌(mesitylene), 자일렌 등의 방향족계 탄화수소 용매; 메틸 이소부틸 케톤, 1-메틸-2-피롤리디논, 시클로헥산온, 아세톤 등의 케톤계 용매; 테트라하이드로퓨란, 이소프로필 에테르 등의 에테르계 용매; 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 등의 아세테이트계 용매; 이소프로필 알코올, 부틸 알코올 등의 알코올계 용매; 디메틸아세티아미드, 디메틸포름아마이드 등의 아미드계 용매; 실리콘(silicone)계 용매; 및 상기 용매들의 혼합물에서 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 유기 용매 중에 용해되는 축합다환 헤테로방향족 화합물의 함량은 당업자가 적절히 선택하여 결정할 수 있으나, 바람직하게는 용해성 및 코팅성 면에서 전체 용액 중 약 0.01 내지 50 중량%의 범위일 수 있다.
또한 상기 유기 박막의 형성방법으로는 열증착, 진공증착, 레이저 증착, 스크린 인쇄, 프린팅, 임프린팅(imprinting), 스핀 캐스팅, 딥핑, 잉크젯팅, 롤코팅, 플로우 코팅(flow coating), 드롭캐스팅, 스프레이 코팅, 롤 프린팅 등을 이용할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 열처리 과정은 80 내지 250℃에서 1분 내지 2시간 동안 수행될 수 있으나, 역시 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
상기 유기 박막의 두께는 당업자가 사용된 화합물의 종류 및 용매의 종류 등을 고려하여 용도 및 경우에 따라 적절히 조절할 수 있으나, 바람직하게는 약 200 Å 내지 약 10,000Å 범위일 수 있다.
이러한 유기 박막을 캐리어 수송층으로 포함하는 전자 소자의 비제한적인 예로는 트랜지스터, 유기 발광 소자(OLED), 광기전 소자(photovoltaic device), 태양전지, 레이저 소자, 메모리 소자 또는 센서 등을 들 수 있으며, 상기 유기 박막은 당업계에서 알려진 통상적인 공정에 의하여 상기의 각 소자에 적용될 수 있다.
예를 들어 상기 트랜지스터는 기판상에 위치하는 게이트 전극; 서로 대향 위치하여 채널 영역을 정의하는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 게이트 전극을 전기적으로 절연시키는 절연층; 및 상기 채널 영역에 형성된 상기 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함하는 활성층을 포함한다.
상기 활성층은 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함하는 조성물을 스크린 인쇄법, 프린팅법, 스핀코팅법, 딥핑법(dipping), 잉크젯법 등의 용액 공정을 통하여 형성될 수 있다. 이와 같이 용액 공정으로 활성층을 형성하는 경우 공정 비용을 절감할 수 있으며 대면적 소자 제조시 유용하다.
도 1과 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 트랜지스터의 개략 단면도이다. 상기 본 발명의 일 구현예에 따른 트랜지스터는 박막트랜지스터 일 수 있다. 박막트랜지스터일 경우 박막의 두께는 수 ㎚ 내지 수 ㎛일 수 있다.
도 1을 참조하면, 트랜지스터(10)는 기판(12) 위에 게이트 전극(14)이 형성되고, 상기 게이트 전극(14)을 덮는 절연층(16)이 형성되어 있다. 상기 절연층(16)에 채널 영역을 정의하는 소스 전극(17a) 및 드레인 전극(17b)이 형성되어 있고, 채널 영역에 활성층(18)이 형성되며, 이 활성층(18)은 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함한다.
도 2를 참조하면 트랜지스터(20)는 기판(22) 위에 채널 영역을 정의하는 소스 전극(27a) 및 드레인 전극(27b)이 형성되어 있고, 채널 영역에 활성층(28)이 형성되며, 이 활성층(28)은 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함한다. 상기 소스 전극(27a), 드레인 전극(27b) 및 활성층(28)을 덮으면서 절연층(26)이 형성되고 이 위에 게이트 전극(24)가 형성되어 있다.
상기 기판(12, 22)은 무기물, 유기물 또는 무기물과 유기물의 복합체를 포함하는 것일 수 있다. 상기 유기물로는 예컨대 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리카보네이트, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리노르보넨(polynorbornene), 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES) 등의 플라스틱을 들 수 있으며, 상기 무기물로는 예컨대 유리 또는 금속을 들 수 있다.
또한 상기 게이트 전극(14, 24), 소스 전극(17a, 27a) 및 드레인 전극(17b, 27b)으로서는 통상적으로 사용되는 금속이 사용될 수 있으며, 구체적으로는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 인듐 틴 산화물(ITO) 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 절연층(16, 26)으로는 통상적으로 사용되는 유전율이 큰 절연체를 사용할 수 있으며, 구체적으로는 BaO.33SrO.66TiO3(BST, Barium Strontium Titanate), Al2O3, Ta2O5, La2O5, Y2O3, TiO2 등과 강유전성의 절연체 계열과 PbZrO.33TiO.66O3(PZT), Bi4Ti3O12, BaMgF4, SrBi2(TaNb)2O9, Ba(ZrTi)O3(BZT), BaTiO3, SrTiO3, SiO2, SiNx, AlON 등의 무기절연체와 폴리이미드(polyimide), BCB(benzocyclobutane), 파릴렌(parylene), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리비닐알코올(polyvinylalcohol), 폴리비닐페놀(polyvinylphenol) 등의 유기 절연체를 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
실시예 1: 화합물 (1)의 합성
[반응식 1]
Figure 112023024303944-pat00013
(1) 티에노[3,2,b]티오펜-2,5-디일비스((2-브로모피리딘-3-닐)메탄올(화합물 1a)의 합성
티에노티오펜 다이카바알데히드 (5g, 25.48 mmol)을 250 mL 드라이 디에틸에테르와 드라이 테트라하이드로퓨란에 녹인 후 -78 ℃ 로 냉각한다. 리튬 디이소프로필아민 42.12 mL(2.0M 헥산 용액)을 천천히 적가한 후, 2,3-디브로모피리딘(13.3g, 56.16 mmol)을 첨가한다. 온도를 서서히 올려 상온(24 ℃)에서 12시간 교반한다. 여기에 암모늄 클로라이드 포화 용액 100 mL를 가한 다음, 클로로포름으로 추출한 후 물로 여러 번 씻어준다. 마그네슘 설페이트로 건조한 다음 필터하고, 클로로포름 용매를 제거하여 화합물 1a을 얻는다. (수율 75%)
(2) 2,5-비스(2-브로모피리딘-3-닐)메틸)티에노[3,2,b]티오펜(화합물 1b)의 합성
상기 화합물 1a(9.8g, 19.13 mmol)을 디클로로메탄 300 mL에 녹인 다음 ZnI2 (19.54g, 61.22 mmole)과 NaCNBH3 (16.83g, 267.8 mmole)을 서서히 첨가한다. 상기 혼합물을 상온(24 ℃)에서 24시간 동안 교반한 후, 셀리트 패드(Celite pad)를 통과시킨다. 여액을 암모늄 클로라이드 포화용액과 물로 각각 씻어준 다음, MgSO4로 건조 및 감압 농축하여 노란색 오일을 얻는다. 이 물질을 실리카 크로마토그래피로 정제하여 원하는 화합물 1b를 얻는다. (수율 80%)
(3) 3,3`-(티에노[3,2,b]티오펜-2,5-디닐비스(메틸렌))디피콜린알데히드(3,3`-(thieno[3,2,b]thiophen-2,5-diylbis(methylene))dipicolinealdehyde, 화합물 1c)의 합성
t-부틸리튬(30.11 mmol)이 녹아있는 -78 ℃로 냉각된 디에틸 에테르(200 mL) 용액에 화합물 1b (5.7g, 11.13 mmol)을 녹인 테트라하이드로퓨란 용액(100 mL)을 서서히 적가한다. -78 ℃에서 약 30분간 교반한 후, 디메틸포름알데히드(2.44 g)를 가하고 다시 약 2시간 동안 교반한다. 물을 부어 반응을 종결한 다음 에틸아세테이트 200 mL를 가하고 물과 브린(brine)으로 세척한 후, 유기층을 MgSO4로 건조 및 감압 농축하여 무색 오일을 얻는다. 이 물질을 실리카 크로마토그래피로 정제하여 원하는 화합물 1c을 얻는다(수율 50%).
(4) 화합물 (1)의 합성
화합물 1c (2.1g)을 30 mL 벤젠에 녹이고 앰버리스트 15(Amberlyst 15, 0.5g)을 가한 다음, 상기 혼합물을 교반 환류시키면서 딘-스타크 트랩(Dean-Stark trap)을 이용하여 물을 제거한다. 24시간 정도 경과 후 노란색의 고체가 침전되었다. 온도를 상온(24 ℃)으로 낮추고 앰버리스트 15(Amberlyst 15)를 침전시키고 부유물을 걷어내서 여과함으로써 원하는 화합물 (1)을 노란색의 고체로 수득하였다(수율 60%).
상기 화합물 (1)의 MALDI-MS 분석 결과를 도 3에 도시한다.
Maldi-MS m/z = 342.76 (M+1).
실시예 2: 화합물 (2)의 합성
[반응식 2]
Figure 112023024303944-pat00014

(1) 티에노[3,2,b]티오펜-2,5-디일비스((3-브로모피리딘-3-닐)메탄올(화합물 2a)의 합성
티에노티오펜 다이카바알데히드 (5g, 25.48 mmol)을 250 mL 드라이 디에틸에테르와 드라이 테트라하이드로퓨란(THF)에 녹인 후 -78℃ 로 냉각한다. 디이소프로필아민 42.12 mL(2.0M 헥산 용액)을 천천히 적가한 후, 2,3-디브로모피리딘(13.3g, 56.16 mmol)을 첨가한다. 온도를 서서히 올려 상온(24 ℃)에서 12시간 교반한다. 여기에 암모늄 클로라이드 포화용액 100 mL를 가한 다음, 클로로포름으로 추출한 후 물로 여러 번 씻어준다. 마그네슘 설페이트로 건조한 다음 필터하고, 클로로포름 용매를 제거하여 화합물 2a을 얻는다. (수율 75%)
(2) 2,5-비스(3-브로모피리딘-3-닐)메틸)티에노[3,2,b]티오펜(화합물 2b)의 합성
상기 화합물 2a(9.8g, 19.13 mmol)을 디클로로메탄 300 mL에 녹인 다음 ZnI2 (19.54g, 61.22 mmole)과 NaCNBH3 (16.83g, 267.8 mmole)을 서서히 첨가한다. 상기 혼합물을 상온(24 ℃)에서 24시간 동안 교반한 후, 셀리트 패드(Celite pad)를 통과시킨다. 여액을 암모늄 클로라이드 포화용액과 물로 각각 씻어준 다음, MgSO4로 건조 및 감압 농축하여 노란색 오일을 얻는다. 이 물질을 실리카 크로마토그래피로 정제하여 원하는 화합물 2b를 얻는다. (수율 80%)
(3) 4,4'-(티에노[3,2-b]티오펜-2,5-디일비스(메틸렌))다이니코틴알데히드(4,4'-(thieno[3,2-b]thiophene-2,5-diylbis(methylene))dinicotinaldehyde, 화합물 2c)의 합성
t-부틸리튬(30.11 mmol)이 녹아있는 -78 ℃로 냉각된 디에틸 에테르(200 mL) 용액에 화합물 2b (5.7g, 11.13 mmol)을 녹인 테트라하이드로퓨란 용액(100 mL)을 서서히 적가한다. -78 ℃에서 약 30분간 교반한 후, 디메틸포름알데히드(2.44 g)를 가하고 다시 약 2시간 동안 교반한다. 물을 부어 반응을 종결한 다음 에틸아세테이트 200 mL를 가하고 물과 브린(brine)으로 세척한 후, 유기층을 MgSO4로 건조 및 감압 농축하여 무색 오일을 얻는다. 이 물질을 실리카 크로마토그래피로 정제하여 원하는 화합물 2c을 얻는다(수율 50%).
(4) 화합물 (2)의 합성
화합물 2c (2.1g)을 30 mL 벤젠에 녹이고 앰버리스트 15(Amberlyst 15, 0.5g)을 가한 다음, 상기 혼합물을 교반 환류시키면서 딘-스타크 트랩(Dean-Stark trap)을 이용하여 물을 제거한다. 24시간 정도 경과 후 노란색의 고체가 침전되었다. 온도를 상온(24 ℃)으로 낮추고 앰버리스트 15(Amberlyst 15)를 침전시키고 부유물을 걷어내서 여과함으로써 원하는 화합물 (2)를 노란색의 고체로 수득하였다(수율 60%).
상기 화합물 (1)의 열중량 분석 결과(TGA)를 도 4에 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이 화합물 (1)의 5 중량% 감소시의 온도가 383.02 ℃인 것으로 나타났다. 이로부터 화합물 (1)의 열적 안정성이 우수함을 알 수 있다.
실시예 3: 유기 박막 트랜지스터(OTFT)의 제작
먼저 세정된 유리기판에 게이트 전극으로 사용되는 크롬을 스퍼터링법으로 1000 Å 증착한 후 절연층으로 사용되는 SiO2를 화학 기상 증착(CVD)법으로 3000 Å 증착하였다. 그 위에 사용되는 Au를 스퍼터링법으로 700Å 증착하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하였다. 유리기판은 유기반도체 재료를 도포하기 전 이소프로필 알코올을 이용하여 10분간 세척하여 건조한 후 사용하였다. 또한 절연층으로 사용되는 SiO2의 표면을 개질하기 전 UV/O3을 30분 동안 처리하였다.
이후 소자를 n-헥산에 10 mM 농도로 희석시킨 옥틸트리클로로실란 용액에 30분간 담구었다가 헥산 및 알코올로 세척 후 건조시킨 다음 상기 실시예 1에서 합성한 화합물 (1)을 고진공(5 X 10-6 torr)에서 0.2 Å/sec 속도로 1000 Å두께로 열증착하여 활성층(18)을 형성함으로써 도 1에 도시된 구조의 OTFT 소자(10)를 제작하였다.
실시예 4: 유기 박막 트랜지스터(OTFT)의 제작
실시예 3에서 화합물 (1) 대신 화합물 (2)를 사용한 것을 제외하고 실시예 3과 동일한 방법으로 OTFT 소자(10)를 제작하였다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
10, 20: 트랜지스터 12, 22: 기판
16, 26: 절연층 18, 28: 활성층
14, 24: 게이트 전극 17a, 27a: 소스 전극
17b, 27b: 드레인 전극

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물:
    Figure 112023024303944-pat00015

    상기 화학식 1에서,
    X1 및 X2는 각각 독립적으로 S, Se 및 Te에서 선택되고,
    Y1 내지 Y8는 질소(N) 및 C-Ra에서 선택되고, 여기에서 Ra는 각각 독립적으로 수소 및 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C10의 알킬기에서 선택되고, 단 Y1 내지 Y4중 적어도 하나 그리고 Y5 내지 Y8중 적어도 하나는 질소(N)이고,
    R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1에서, Y1 내지 Y4중 적어도 하나는 질소(제1 질소)이고 Y5 내지 Y8중 적어도 하나는 질소(제2 질소)이며, 상기 제1 질소와 제2 질소는 서로 마주보는 위치에 존재하는, 축합다환 헤테로방향족 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1에서, Y1 내지 Y4중 2개가 질소이고 Y5 내지 Y8중 2개가 질소인 축합다환 헤테로방향족 화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 축합다환 헤테로방향족 화합물 300 내지 3000의 평균 분자량을 가지는 축합다환 헤테로방향족 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물은 하기 화학식 1-1로 표현되는 화합물 (1) 내지 (8)중 어느 하나인 축합다환 헤테로방향족 화합물.
    [화학식 1-1]
    Figure 112023024303944-pat00016

    상기 화학식 1-1에서,
    각각의 방향족 고리의 수소는 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택되는 치환기로 선택적으로(optionally) 치환될 수 있다.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1항 내지 제5항중 어느 하나의 항에 따른 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함하는 유기 박막.
  10. 제1항 내지 제5항중 어느 하나의 항에 따른 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함하는 전자 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 전자 소자가 트랜지스터, 유기 발광 소자(OLED), 광기전 소자(photovoltaic device), 태양전지, 레이저 소자, 메모리 소자 및 센서에서 선택되는, 전자 소자.
  12. 하기 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물을 포함하는 전자 소자:
    [화학식 2A]
    Figure 112023024303944-pat00027

    [화학식 2B]
    Figure 112023024303944-pat00028

    상기 화학식 2A 및 화학식 2B에서,
    X3 및 X4는 각각 독립적으로 S, Se 및 Te에서 선택되고,
    R1a 및 R1b는 각각 독립적으로 수소 및 직쇄 또는 분지쇄 C1 내지 C10의 알킬기에서 선택되고,
    R12 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택되고,
    상기 전자 소자는 트랜지스터, 광기전 소자, 태양전지, 레이저 소자, 메모리 소자 및 센서에서 선택된다.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 축합다환 헤테로방향족 화합물은 300 내지 3000의 평균 분자량을 가지는 것인 전자 소자.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 화학식 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 축합다환 헤테로방향족 화합물은 하기 화학식 2-1로 표현되는 화합물 (9) 내지 (12)중 어느 하나인 전자 소자:
    [화학식 2-1]
    Figure 112023024303944-pat00029

    상기 화학식 2-1에서,
    각각의 방향족 고리의 수소는 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알킬헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기에서 선택되는 치환기로 선택적으로 치환될 수 있다.


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