KR102516448B1 - 다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비 - Google Patents

다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비 Download PDF

Info

Publication number
KR102516448B1
KR102516448B1 KR1020210096691A KR20210096691A KR102516448B1 KR 102516448 B1 KR102516448 B1 KR 102516448B1 KR 1020210096691 A KR1020210096691 A KR 1020210096691A KR 20210096691 A KR20210096691 A KR 20210096691A KR 102516448 B1 KR102516448 B1 KR 102516448B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die
hood
reinforcing member
ejector body
ejector
Prior art date
Application number
KR1020210096691A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20230016096A (ko
Inventor
이희철
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020210096691A priority Critical patent/KR102516448B1/ko
Priority to CN202210537817.7A priority patent/CN115692302A/zh
Priority to TW111119726A priority patent/TWI844024B/zh
Priority to US17/870,109 priority patent/US20230022883A1/en
Publication of KR20230016096A publication Critical patent/KR20230016096A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102516448B1 publication Critical patent/KR102516448B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H01L2221/6839—Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 광 투과성 소재를 사용하면서도 가압에 의한 손상을 방지할 수 있는 다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비를 제공한다. 본 발명에 따른 다이 이젝팅 장치는 원통의 형상을 갖는 이젝터 바디와, 상기 이젝터 바디의 내부에 구비되어 상승 또는 하강하도록 구성된 이젝터 핀들과, 상기 이젝터 바디의 상부에 결합되며 상기 이젝터 핀들이 통과할 수 있는 관통홀들이 형성된 광 투과성 소재로 구성되는 후드와, 상기 후드의 상부에 장착되며, 상기 관통홀들에 대응하는 메쉬 형태의 보강 부재를 포함한다.

Description

다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비{DIE EJECTING APPARATUS AND DIS BONDING EQUIPMENT INCLUDING THE SAME}
본 발명은 다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비에 관한 것으로, 보다 구체적으로 이젝팅 핀을 사용하여 다이를 박리하는 다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 웨이퍼 상에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정으로서, 예를 들어 노광, 증착, 식각, 이온 주입, 세정 등을 포함한다. 반도체 제조 공정을 통해 칩 단위로 구성된 다이에 대하여, 패키징을 위한 기판(예: PCB(Printed Circuit Board))으로 각 다이를 본딩하기 위한 공정이 수행될 수 있다.
각 다이들은 다이싱 테이프에 부착된 상태에서 이젝팅 핀에 의해 밀어 올려지고 상부에 위치한 다이 이송 유닛에 의해 이송된다. 한편, 다이를 개별적으로 분리하는 과정에서 각 다이의 위치를 정확히 인식할 필요가 있으며, 카메라와 같은 비전 유닛을 사용하여 다이의 위치를 인식하기 위한 보조 수단으로서 추가적인 광원을 배치하는 방안이 논의되고 있다.
따라서, 본 발명의 실시예는 광 투과성 소재를 사용하면서도 가압에 의한 손상을 방지할 수 있는 다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비를 제공한다.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 다이 이젝팅 장치는 원통의 형상을 갖는 이젝터 바디와, 상기 이젝터 바디의 내부에 구비되어 상승 또는 하강하도록 구성된 이젝터 핀들과, 상기 이젝터 바디의 상부에 결합되며 상기 이젝터 핀들이 통과할 수 있는 관통홀들이 형성된 광 투과성 소재로 구성되는 후드와, 상기 후드의 상부에 장착되며, 상기 관통홀들에 대응하는 메쉬 형태의 보강 부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 다이 이젝팅 장치는 상기 이젝터 바디의 내부 공간에 위치하여 상기 후드를 향하여 광을 조사하는 발광 유닛을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 발광 유닛에 의해 조사된 광에 의해 다이의 윤곽선이 검출되도록 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 보강 부재는 강철(Steel) 소재로 구성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 보강 부재는 상기 후드에서 상기 이젝터 바디의 내측으로 인입된 함몰부에 삽입될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 보강 부재는 접착 물질에 의해 상기 후드의 함몰부에 접착될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 후드의 함몰부 주변에 비전 검사를 위한 기준 위치를 표시하는 피두셜 마크(Fiducial mark)가 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치는, 원통의 형상을 갖는 이젝터 바디와, 상기 이젝터 바디의 내부에 구비되어 상승 또는 하강하도록 구성된 이젝터 핀들과, 상기 이젝터 바디의 상부에 결합되며 상기 이젝터 핀들이 통과할 수 있는 관통홀들이 형성된 광 투과성 소재로 구성되는 후드와, 상기 후드의 상부에 장착되며, 상기 관통홀들에 대응하는 메쉬 형태의 보강 부재와, 상기 후드의 상부에 위치하여 다이의 위치를 검출하는 비전 유닛과, 상기 비전 유닛으로부터 제공된 상기 다이의 위치로 이동하여 상기 다이를 픽업하는 다이 이송 유닛을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 다이 본딩 설비는, 개별화된 다이를 포함하는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지와, 상기 웨이퍼 스테이지로부터 상기 다이를 선택적으로 분리시키는 다이 이젝팅 유닛과, 상기 웨이퍼 스테이지로부터 상기 다이를 이송하는 다이 이송 유닛과, 상기 다이 이송 유닛에 의해 이송된 상기 다이가 안착되어 상기 다이에 대한 검사가 수행되는 다이 스테이지와, 상기 다이 스테이지로부터 상기 다이를 픽업하고 기판 상에 상기 다이를 본딩하는 본딩 유닛과, 상기 기판을 지지하고 본딩이 완료된 기판을 매거진으로 전달하는 본딩 스테이지를 포함한다. 상기 다이 이젝팅 유닛은, 원통의 형상을 갖는 이젝터 바디와, 상기 이젝터 바디의 내부에 구비되어 상승 또는 하강하도록 구성된 이젝터 핀들과, 상기 이젝터 바디의 상부에 결합되며 상기 이젝터 핀들이 통과할 수 있는 관통홀들이 형성된 광 투과성 소재로 구성되는 후드와, 상기 후드의 상부에 장착되며, 상기 관통홀들에 대응하는 메쉬 형태의 보강 부재와, 상기 이젝터 바디의 내부 공간에 위치하여 상기 후드를 향하여 광을 조사하는 발광 유닛을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 광 투과성 소재로 구성되는 후드의 상부에 메쉬 형태의 보강 부재를 사용함으로써 후드의 강성을 강화하고 후드에 가해지는 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 다이 본딩 설비의 개략적인 구조를 도시한다.
도 2는 본 발명이 적용될 수 있는 다이 본딩 설비에서 다이 이송 장치의 개략적인 구조를 도시한다.
도 3 및 도 4는 광원이 내부에 구비된 이젝팅 유닛을 사용하여 다이의 위치를 검출하는 과정을 도시한다.
도 5는 이젝팅 유닛에 구비된 이젝팅 핀 배치 구조의 예를 도시한다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치의 예를 도시한다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치에서 보강 부재를 도시한다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치에서 후드를 도시한다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 보강 부재가 부착된 후드를 도시한다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 실시예에 따른 후드에서 보강 부재의 탈부착을 위한 구조를 도시한다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(또는 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결(또는 결합)"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결(또는 결합)"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 다이 본딩 설비(100)의 개략적인 구조를 도시하고, 도 2는 본 발명이 적용될 수 있는 다이 본딩 설비(100)에서 다이 이송 장치의 개략적인 구조를 도시한다. 본딩 설비(100)는 반도체 패키지의 제조를 위한 다이 본딩 공정에서 기판(30)(예: PCB, 리드 프레임) 상에 다이(20)를 본딩하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비(100)는 개별화된 다이(20)를 포함하는 웨이퍼(10)를 지지하며 다이(20)를 선택적으로 분리시키는 웨이퍼 스테이지(110)와, 웨이퍼 스테이지(110)로부터 다이(20)를 선택적으로 분리시키는 다이 이젝팅 유닛(116)과, 웨이퍼 스테이지(110)로부터 다이(20)를 이송하는 다이 이송 유닛(120)과, 다이 이송 유닛(120)에 의해 이송된 다이(20)가 안착되어 다이(20)에 대한 검사가 수행되는 다이 스테이지(124)와, 다이 스테이지(124)로부터 다이(20)를 픽업하고 기판(30) 상에 다이(20)를 본딩하는 본딩 유닛(130)과, 기판(30)을 지지하고 본딩이 완료된 기판(30)을 매거진(42)으로 전달하는 본딩 스테이지(200)를 포함한다.
본딩 설비(100)는 다이싱 공정에 의해 개별화된 다이(20)를 포함하는 웨이퍼(10)로부터 다이(20)를 픽업하여 기판(30) 상에 다이(20)를 본딩할 수 있다. 웨이퍼(10)는 다이싱 테이프(12) 상에 부착된 상태로 제공될 수 있으며, 다이싱 테이프(12)는 대략 원형 링 형태의 마운트 프레임(14)에 장착될 수 있다. 로드 포트(102)에서 복수의 웨이퍼(10)가 수납된 카세트(50)가 투입된다. 웨이퍼 이송 유닛(104)이 카세트(50)로부터 웨이퍼(10)를 인출하여 웨이퍼 스테이지(110) 상에 로드하며, 웨이퍼 이송 유닛(104)은 카세트(50)와 웨이퍼 스테이지(110) 사이에 설치된 가이드 레일(106)을 따라 이동할 수 있다.
웨이퍼 스테이지(110) 상에는 원형 링 형태의 확장 링(112)이 배치될 수 있으며, 확장 링(112)은 다이싱 테이프(12)의 가장자리 부위를 지지할 수 있다. 또한, 웨이퍼 스테이지(110) 상에는 마운트 프레임(14)을 파지하기 위한 클램프들(114)과, 다이싱 테이프(12)가 확장 링(112)에 의해 지지된 상태에서 클램프들(114)을 하강시킴으로서 다이싱 테이프(12)를 확장시키는 클램프 구동부(미도시)가 배치될 수 있다.
도시되지는 않았으나, 웨이퍼 스테이지(110)는 스테이지 구동부(미도시)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있으며, 스테이지 구동부는 웨이퍼(10)의 로드 및 언로드를 위해 가이드 레일(106)의 단부에 인접하는 웨이퍼 로드/언로드 영역(도 1에서 점선으로 표시된 영역)으로 웨이퍼 스테이지(110)를 이동시킬 수 있다. 또한, 스테이지 구동부는 다이(20)를 선택적으로 픽업하기 위하여 웨이퍼 스테이지(110)를 이동시킬 수 있다. 즉, 스테이지 구동부는 다이(20)들 중에서 픽업하고자 하는 다이(20)가 다이 이젝팅 유닛(116)의 상부에 위치하도록 웨이퍼 스테이지(110)의 위치를 조절할 수 있다.
다이 이젝팅 유닛(116)에 의해 분리된 다이(20)는 웨이퍼 스테이지(110)의 상부에 배치되는 다이 이송 유닛(120)에 의해 픽업될 수 있다. 다이 이송 유닛(120)은 다이(20)를 픽업한 후 웨이퍼 스테이지(110)의 일측에 배치되는 다이 스테이지(124) 상으로 다이(20)를 이송할 수 있으며, 본딩 유닛(130)은 다이 스테이지(124) 상의 다이(20)를 픽업하여 기판(30) 상에 본딩할 수 있다. 다이 이송 유닛(120)은 비전 유닛(121)에 의해 측정된 다이(20)의 위치로 이동하며, 다이 이송 유닛(120)의 동작은 제어 유닛(122)에 의해 제어될 수 있다.
기판(30)은 제1 매거진(40)으로부터 인출되어 본딩 스테이지(200) 상으로 이송될 수 있으며, 본딩 공정이 완료된 후 제2 매거진(42)으로 이송되어 수납될 수 있다. 본딩 설비(100)는 본딩 스테이지(200) 상으로 기판(30)을 이송하기 위한 기판 이송 유닛(140)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 이송 유닛(140)은 제1 매거진(40)과 본딩 스테이지(200), 그리고 제2 매거진(42) 사이에서 기판(30)을 안내하기 위한 가이드 레일들(142)과, 기판(30)의 일측 단부를 파지하기 위한 그리퍼(144)와, 그리퍼(144)를 수평 방향(X축 방향)으로 이동시키기 위한 그리퍼 구동부(146)를 포함할 수 있다. 그리퍼 구동부(146)는 그리퍼(144)에 의해 기판(30)의 일측 단부가 파지된 후 그리퍼(144)를 이동시켜 기판(30)을 상기 본딩 스테이지(200) 상에 로드할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 기판 이송 유닛(140)은 본딩 공정이 완료된 후 기판(30)을 제2 매거진(42)으로 이동시키기 위한 제2 그리퍼(미도시)를 더 포함할 수 있다.
본딩 설비(100)는, 다이 스테이지(124) 상의 다이(20)를 픽업하고 기판(30) 상에 본딩하기 위해 본딩 유닛(130)을 수직 방향으로 이동시키는 제1 헤드 구동부(132)와, 다이 스테이지(124)와 본딩 스테이지(200) 사이에서 본딩 유닛(130)을 수평 방향에 대하여 수직하는 제2 수평 방향(예: Y축 방향)으로 이동시키는 제2 헤드 구동부(134)를 포함할 수 있다. 상세히 도시되지는 않았으나, 본딩 유닛(130)은 다이(20)를 진공압을 이용하여 픽업하기 위한 본딩 툴과 다이(20)를 가열하기 위한 히터를 포함할 수 있다. 즉, 본딩 유닛(130)은 다이 스테이지(124) 상의 다이(20)를 픽업하여 기판(30) 상에 본딩할 수 있다. 또한, 본딩 유닛(130)은 웨이퍼(10)로부터 다이(20)를 픽업하여 기판(30) 상에 곧바로 본딩할 수도 있다.
한편, 본딩 스테이지(200)의 상부에는 기판(30)의 위치 조절, 즉 정렬을 위해 기판(30) 상의 피두셜 마크 및 다이(20)가 본딩될 영역을 촬상하기 위한 카메라가 배치될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 본딩 설비(100)는 웨이퍼(10) 상의 다이(20)의 검출, 다이 스테이지(124) 상의 다이(20)의 검출, 본딩 유닛(130)에 의해 픽업된 다이(20)의 검출 등을 위해 다수의 카메라를 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4는 광원이 내부에 구비된 이젝팅 유닛을 사용하여 다이의 위치를 검출하는 과정을 도시한다. 도 3을 참조하면, 다이싱 테이프(12) 상에 다수개의 다이(20)가 배치되며, 다이(20)의 하부에 다이 이젝팅 유닛(116)이 위치한다. 다이 이젝팅 유닛(116)의 내부에 배치된 광원에 의하여 다이(20)를 향하여 광이 조사되며, 다이(20)가 위치하는 영역은 광이 차단되고, 다이(20) 사이의 빈 공간에는 광이 통과하게 된다. 그리하여, 상부에 위치한 비전 유닛(121)은 도 4와 같은 이미지를 획득하며, 다이(20) 외곽에 비춰진 광을 통해 다이(20)가 위치하는 영역을 식별할 수 있다.
다이 이송 유닛(120)은 비전 유닛(121)에 의해 검출된 다이(20)의 위치에 맞게 이동한 후 다이(20)를 픽업한다. 한편, 다이(20)는 다이싱 테이프(12)에 부착되어 있고, 특히나 매우 얇은 다이(20)는 다이싱 테이프(12)로부터 박리되기 쉽지 않다. 그리하여, 이젝팅 유닛(116)은 이젝팅 핀을 구비하며, 이젝팅 핀은 상승하여 다이(20)를 밀어올림으로써 다이(20)를 다이싱 테이프(12)로부터 박리한다. 이젝팅 핀은 도 5와 같이 일정한 간격을 두고 배치될 수 있고, 사용자의 의도에 따라 전체 또는 일부의 핀이 상승할 수 있다.
한편, 도 3과 같이 광 투과성의 소재(예: Polycarbonate, Methyl Methacrylate, Polymethylmethacrylate)를 이젝팅 유닛(116)에 적용할 경우 몇 가지 문제점이 있다. 예를 들어, 이젝팅 핀의 승하강시 이젝팅 핀에 의한 긁힘이 발생할 수 있으며, 다이 이송 유닛(120)의 승하강시 가압에 의해 긁힘, 뜯김이 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명은 광 투과성 소재를 사용하는 경우 긁힘이나 뜯김이 발생하는 것을 방지할 수 있는 방법을 제공한다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치의 예를 도시한다. 도 6은 다이 이젝팅 장치의 외관을 도시하는 사시도, 도 7 및 도 8은 다이 이젝팅 장치의 측부 단면을 도시한다.
본 발명의 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치는, 원통의 형상을 갖는 이젝터 바디(610)와, 이젝터 바디(610)의 내부에 구비되어 상승 또는 하강하도록 구성된 이젝터 핀(620)과, 이젝터 바디(610)의 상부에 결합되며 이젝터 핀(620)이 통과할 수 있는 관통홀(632)들이 형성된 광 투과성 소재로 구성되는 후드(630)와, 후드(630)의 상부에 장착되며 관통홀(632)들에 대응하는 메쉬 형태의 보강 부재(640)를 포함한다.
본 발명에 따르면, 광 투과성 소재로 구성되는 후드(630)의 상부에 장착되는 메쉬 형태의 보강 부재(640)를 적용함으로써 후드(630)의 강성 취약을 개선할 수 있으며, 이젝터 핀(620)에 의한 긁힘을 방지할 수 있다.
이젝터 핀(620)은 하나 또는 그 이상의 핀들로 구성될 수 있으며, 이젝터 핀(620)은 하부에 핀 홀더에 장착된 후 승강 구동부에 의해 상승 또는 하강할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 다이 이젝팅 장치는 이젝터 바디(610)의 내부 공간에 위치하여 상기 후드(630)를 향하여 광을 조사하는 발광 유닛(625)을 더 포함할 수 있다. 발광 유닛(625)은 LED(Light Emitting Diode)와 같은 발광 소자로 구성될 수 있으며, 이젝터 바디(610)의 내부 측벽에 위치할 수 있다. 본 발명에 따르면, 발광 유닛(625)에 의해 조사된 광에 의해 다이(20)의 윤곽선이 검출되도록 할 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치에서 보강 부재를 도시한다. 보강 부재(640)는 후드(630)에 탈착 가능하되 이젝터 핀(620)들이 통과할 수 있도록 메쉬 형태로 제공될 수 있다. 보강 부재(640)는 강철(Steel) 소재로 구성될 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 다이 이젝팅 장치에서 후드를 도시한다.
후드(630)는 이젝터 핀(620)이 통과할 수 있는 관통홀들로 구성된 투명 소재의 막으로서, 후드(630)는 Polycarbonate, Methyl Methacrylate, Polymethylmethacrylate와 같은 소재로 구성될 수 있다. 후드(630)에는 이젝터 핀(620)이 통과할 수 있는 관통홀들(632)이 형성된다. 또한, 후드(630)에는 이젝터 바디(610)의 내측으로 인입된 함몰부(634)가 형성되어 있고, 함몰부(634) 주변에 비전 검사를 위한 기준 위치를 표시하는 피두셜 마크(Fiducial mark)가 형성될 수 있다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 보강 부재(640)가 부착된 후드(630)를 도시한다. 도 11은 보강 부재(640)가 부착된 후드(630)의 외부를 나타내는 사시도이고, 도 12는 보강 부재(640)가 부착된 후드(630)의 측면 단면도이다.
보강 부재(640)는 후드(630)에서 이젝터 바디(610)의 내측으로 인입된 함몰부(634)에 삽입될 수 있다. 함몰부(634)가 함몰된 높이는 보강 부재(640)의 두께와 동일하게 설정될 수 있다. 보강 부재(640)는 접착 물질에 의해 후드(630)의 함몰부(634)에 접착될 수 있다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 실시예에 따른 후드(630)에서 보강 부재(640)의 탈부착을 위한 구조를 도시한다. 도 13a에 도시된 것과 같이, 후드(630)의 함몰부(634)의 각 모서리에는 보강 부재(640)가 삽입될 수 있는 돌출부(635)가 형성될 수 있다. 도 13b에 도시된 것과 같이 보강 부재(640)의 모서리 홀은 후드(630)의 함몰부(634)의 모서리에 위치한 돌출부(635)에 삽입될 수 있다. 도 13a 및 도 13b와 같이 후드(630)의 돌출부(635)에 보강 부재(640)가 삽입되도록 함으로써 간편하게 보강 부재(640)를 부착 또는 탈착할 수 있다.
한편, 다이 이젝팅 장치는 후드(630)의 상부에 위치하여 다이(20)의 위치를 검출하는 비전 유닛(121)과 비전 유닛(121)으로부터 제공된 다이(20)의 위치로 이동하여 다이(20)를 픽업하는 다이 이송 유닛(120)을 포함할 수 있다.
앞서 설명한 다이 이젝팅 장치는 다이 본딩 설비(100)에서 다이 이젝팅 유닛(116)의 일부로서 구현될 수 있다. 본 발명에 따르면, 개별화된 다이(20)를 포함하는 웨이퍼(10)를 지지하는 웨이퍼 스테이지(110)와, 웨이퍼 스테이지(110)로부터 다이(20)를 선택적으로 분리시키는 다이 이젝팅 유닛(116)과, 웨이퍼 스테이지(110)로부터 다이(20)를 이송하는 다이 이송 유닛(120)과, 다이 이송 유닛(120)에 의해 이송된 다이(20)가 안착되어 다이(20)에 대한 검사가 수행되는 다이 스테이지(124)와, 다이 스테이지(124)로부터 다이(20)를 픽업하고 기판(30) 상에 다이(20)를 본딩하는 본딩 유닛(130)과, 기판(30)을 지지하고 본딩이 완료된 기판(30)을 매거진(42)으로 전달하는 본딩 스테이지(200)를 포함한다. 다이 이젝팅 유닛(116)은 원통의 형상을 갖는 이젝터 바디(610)와, 이젝터 바디(610)의 내부에 구비되어 상승 또는 하강하도록 구성된 이젝터 핀들(620)과, 이젝터 바디(610)의 상부에 결합되며 이젝터 핀들(620)이 통과할 수 있는 관통홀들(632)이 형성된 광 투과성 소재로 구성되는 후드(630)와, 후드(630)의 상부에 장착되며 관통홀들(632)에 대응하는 메쉬 형태의 보강 부재(640)와, 이젝터 바디(610)의 내부 공간에 위치하여 후드(630)를 향하여 광을 조사하는 발광 유닛(625)을 포함한다.
본 실시예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 본딩 설비
110: 웨이퍼 스테이지
116: 이젝팅 유닛
120: 다이 이송 유닛
121: 비전 유닛
124: 다이 스테이지
130: 본딩 유닛
140: 기판 이송 유닛
20: 다이
30: 기판
610: 이젝터 바디
620: 이젝터 핀
625: 발광 유닛
630: 후드
632: 관통홀
634: 함몰부
635: 돌출부
640: 보강 부재

Claims (20)

  1. 원통의 형상을 갖는 이젝터 바디;
    상기 이젝터 바디의 내부에 구비되어 상승 또는 하강하도록 구성된 이젝터 핀들;
    상기 이젝터 바디의 상부에 결합되며 상기 이젝터 핀들이 통과할 수 있는 관통홀들이 형성된 광 투과성 소재로 구성되는 후드; 및
    상기 후드의 상부에 장착되며, 상기 관통홀들에 대응하는 메쉬 형태의 보강 부재를 포함하는 다이 이젝팅 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이젝터 바디의 내부 공간에 위치하여 상기 후드를 향하여 광을 조사하는 발광 유닛을 더 포함하는 다이 이젝팅 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 발광 유닛에 의해 조사된 광에 의해 다이의 윤곽선이 검출되도록 하는 다이 이젝팅 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 보강 부재는 강철(Steel) 소재로 구성되는 다이 이젝팅 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 보강 부재는 상기 후드에서 상기 이젝터 바디의 내측으로 인입된 함몰부에 삽입되는 다이 이젝팅 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 보강 부재는 접착 물질에 의해 상기 후드의 함몰부에 접착되는 다이 이젝팅 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 후드의 함몰부 주변에 비전 검사를 위한 기준 위치를 표시하는 피두셜 마크(Fiducial mark)가 형성되는 다이 이젝팅 장치.
  8. 원통의 형상을 갖는 이젝터 바디;
    상기 이젝터 바디의 내부에 구비되어 상승 또는 하강하도록 구성된 이젝터 핀들;
    상기 이젝터 바디의 상부에 결합되며 상기 이젝터 핀들이 통과할 수 있는 관통홀들이 형성된 광 투과성 소재로 구성되는 후드;
    상기 후드의 상부에 장착되며, 상기 관통홀들에 대응하는 메쉬 형태의 보강 부재;
    상기 후드의 상부에 위치하여 다이의 위치를 검출하는 비전 유닛; 및
    상기 비전 유닛으로부터 제공된 상기 다이의 위치로 이동하여 상기 다이를 픽업하는 다이 이송 유닛을 포함하는 다이 이젝팅 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 이젝터 바디의 내부 공간에 위치하여 상기 후드를 향하여 광을 조사하는 발광 유닛을 더 포함하는 다이 이젝팅 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 비전 유닛은
    상기 발광 유닛에 의해 조사된 광에 의해 다이의 윤곽선이 검출되도록 하는 다이 이젝팅 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 보강 부재는 강철(Steel) 소재로 구성되는 다이 이젝팅 장치.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 보강 부재는 상기 후드에서 상기 이젝터 바디의 내측으로 인입된 함몰부에 삽입되는 다이 이젝팅 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 보강 부재는 접착 물질에 의해 상기 후드의 함몰부에 접착되는 다이 이젝팅 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 후드의 함몰부 주변에 비전 검사를 위한 기준 위치를 표시하는 피두셜 마크(Fiducial mark)가 형성되는 다이 이젝팅 장치.
  15. 개별화된 다이를 포함하는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지;
    상기 웨이퍼 스테이지로부터 상기 다이를 선택적으로 분리시키는 다이 이젝팅 유닛;
    상기 웨이퍼 스테이지로부터 상기 다이를 이송하는 다이 이송 유닛;
    상기 다이 이송 유닛에 의해 이송된 상기 다이가 안착되어 상기 다이에 대한 검사가 수행되는 다이 스테이지;
    상기 다이 스테이지로부터 상기 다이를 픽업하고 기판 상에 상기 다이를 본딩하는 본딩 유닛; 및
    상기 기판을 지지하고 본딩이 완료된 기판을 매거진으로 전달하는 본딩 스테이지를 포함하고,
    상기 다이 이젝팅 유닛은,
    원통의 형상을 갖는 이젝터 바디;
    상기 이젝터 바디의 내부에 구비되어 상승 또는 하강하도록 구성된 이젝터 핀들;
    상기 이젝터 바디의 상부에 결합되며 상기 이젝터 핀들이 통과할 수 있는 관통홀들이 형성된 광 투과성 소재로 구성되는 후드;
    상기 후드의 상부에 장착되며, 상기 관통홀들에 대응하는 메쉬 형태의 보강 부재; 및
    상기 이젝터 바디의 내부 공간에 위치하여 상기 후드를 향하여 광을 조사하는 발광 유닛을 포함하는 다이 본딩 설비.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 발광 유닛에 의해 조사된 광에 의해 다이의 윤곽선이 검출되도록 하는 다이 본딩 설비.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 보강 부재는 강철(Steel) 소재로 구성되는 다이 본딩 설비.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 보강 부재는 상기 후드에서 상기 이젝터 바디의 내측으로 인입된 함몰부에 삽입되는 다이 본딩 설비.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 보강 부재는 접착 물질에 의해 상기 후드의 함몰부에 접착되는 다이 본딩 설비.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 후드의 함몰부 주변에 비전 검사를 위한 기준 위치를 표시하는 피두셜 마크(Fiducial mark)가 형성되는 다이 본딩 설비.
KR1020210096691A 2021-07-22 2021-07-22 다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비 KR102516448B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210096691A KR102516448B1 (ko) 2021-07-22 2021-07-22 다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비
CN202210537817.7A CN115692302A (zh) 2021-07-22 2022-05-17 裸片顶出装置以及具备其的裸片绑定设备
TW111119726A TWI844024B (zh) 2021-07-22 2022-05-26 裸片頂出裝置以及具備其的裸片綁定設備
US17/870,109 US20230022883A1 (en) 2021-07-22 2022-07-21 Die ejecting apparatus and die bonding equipment including same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210096691A KR102516448B1 (ko) 2021-07-22 2021-07-22 다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230016096A KR20230016096A (ko) 2023-02-01
KR102516448B1 true KR102516448B1 (ko) 2023-03-31

Family

ID=84976433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210096691A KR102516448B1 (ko) 2021-07-22 2021-07-22 다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230022883A1 (ko)
KR (1) KR102516448B1 (ko)
CN (1) CN115692302A (ko)
TW (1) TWI844024B (ko)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02251163A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Nec Corp 半導体素子の分離装置
US5098501A (en) * 1989-12-08 1992-03-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Pickup method and the pickup apparatus for chip-type part
JPH11260892A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Rohm Co Ltd 半導体チップのピックアップ装置
JP2002141392A (ja) * 2000-11-06 2002-05-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体チップのピックアップ方法及び装置、並びに該装置を有するダイボンド装置
JP4624813B2 (ja) * 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
KR100990418B1 (ko) * 2005-08-31 2010-10-29 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 반도체 칩의 픽업 장치 및 픽업 방법
KR102141201B1 (ko) * 2019-01-10 2020-08-04 세메스 주식회사 다이 이젝팅 장치
TWI839419B (zh) * 2019-11-27 2024-04-21 日商邦德科技股份有限公司 元件安裝系統、元件供應裝置以及元件安裝方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230016096A (ko) 2023-02-01
TWI844024B (zh) 2024-06-01
TW202305987A (zh) 2023-02-01
US20230022883A1 (en) 2023-01-26
CN115692302A (zh) 2023-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101729335B1 (ko) 보호 테이프 박리 방법 및 그 장치
JP2004088109A (ja) ウェーハテーブル、およびこれを用いた半導体パッケージ製造装置
KR20190107571A (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101897825B1 (ko) 다이 본딩 장치
JP7333807B2 (ja) ボンディング設備におけるダイ移送のための装置及び方法
JP4735829B2 (ja) チップ突き上げ装置
KR102649912B1 (ko) 본딩 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR102062121B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102516448B1 (ko) 다이 이젝팅 장치 및 이를 포함하는 다이 본딩 설비
KR102000079B1 (ko) 다이 본딩 장치
KR102122042B1 (ko) 칩 본더 및 이를 갖는 기판 처리 장치
EP0298496A2 (en) Adhesive tape for bonding chips thereon
KR20190043731A (ko) 다이 본딩 장치
KR101640525B1 (ko) 픽 앤 플레이스먼트 장치
JP5847410B2 (ja) ダイボンダ及び半導体製造方法
US20230028219A1 (en) Die bonding method and die bonding apparatus
JP5826701B2 (ja) チップ位置決め装置、チップ位置決め方法、およびダイボンダ
CN111739818B (zh) 半导体制造装置以及半导体器件的制造方法
JP7486264B2 (ja) ピックアップ方法、及び、ピックアップ装置
KR102284150B1 (ko) 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치
JP4241001B2 (ja) 部品取出し方法、部品取出し装置およびこの装置を備える組み立て装置
KR20220097092A (ko) 다이 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
JPH06283592A (ja) 半導体チップの吸着確認装置
KR20240048052A (ko) 다이 본딩 장치
JP2023002052A (ja) ピックアップ方法、及び、ピックアップ装置

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant