KR102513675B1 - 실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재 - Google Patents

실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재 Download PDF

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Abstract

실리콘계 수지, 가교제 및 경화 촉매를 포함하는 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물로 형성되고, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 25℃에서 유리판에 대한 박리력이 3gf/inch 이하이고, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 25℃에서 모듈러스가 0.5MPa 내지 7MPa인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재가 제공된다.

Description

실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재{SILICONE BASED ADHESIVE PROTECTIVE FILM AND OPTICAL MEMBER COMPRISING THE SAME}
본 발명은 실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 낮은 박리력, 낮은 박리력 변화율 및 우수한 웨팅성을 제공하는 실리콘계 점착성 보호 필름 및 이를 포함하는 광학 부재에 관한 것이다.
광학표시장치의 사용, 보관 및 제조 환경이 가혹해지고 있다. 또한 웨어러블 장치, 폴더블 장치 등 새로운 광학표시장치에 대한 관심이 높아지고 있다. 이에 따라 광학표시장치의 패널을 보호하는 점착성 보호 필름에 대해서도 여러 물성이 요구되고 있다. 특히, 광학표시장치의 패널이 박막화 및 유연화되면서, 점착성 보호 필름의 제거 시 패널의 손상이 적으며 가혹 조건에서도 물성의 변화가 적은 점착성 보호 필름의 개발이 요구되고 있다.
이에 따라 아크릴레이트계 또는 우레탄 아크릴레이트계 점착성 보호 필름이 개발되고 있다. 그러나, 아크릴레이트계 또는 우레탄 아크릴레이트계 점착성 보호 필름은 점착성 보호 필름을 피착체에 부착하고 장기간 방치하였을 때 피착체에 대한 박리력이 지나치게 상승함으로 인하여 피착체로부터 박리시 피착체의 손상 및/또는 변형이 많이 될 수 있고, 점착성 보호 필름을 피착체로부터 용이하게 제거하기 어려워 공정성이 떨어질 수 있다는 한계가 있다.
본 발명의 배경기술은 한국공개특허 제2012-0050136호 등에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 낮은 박리력, 낮은 박리력 변화율 및 우수한 웨팅성을 제공하는 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 용출율이 낮은 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 관점은 실리콘계 점착성 보호 필름이다.
1.실리콘계 점착성 보호 필름은 실리콘계 수지, 가교제 및 경화 촉매를 포함하는 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물로 형성되고, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 25℃에서 유리판에 대한 박리력이 3gf/inch 이하이고, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 25℃에서 모듈러스가 0.5MPa 내지 7MPa이다.
2.1에서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 2의 박리력 변화율이 40% 이하일 수 있다:
[식 2]
박리력 변화율 = ｜PS[7일] - PS[0일]｜/PS[0일] x 100
(상기 식 2에서,
PS[0일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 유리판에 대한 최초 박리력(단위:gf/inch)
PS[7일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름과 상기 유리판의 적층체를 50℃ 상대습도 45%에서 7일 동안 방치한 후 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 상기 유리판에 대한 박리력(단위:gf/inch)).
3.2에서, 상기 식 2에서 PS[7일]은 3.5gf/inch 이하일 수 있다.
4.1-3에서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 5에 따른 용출율이 3.5% 이하일 수 있다:
[식 5]
용출율 = ｜WB - WA｜/ WA x 100
(상기 식 5에서,
WA는 실리콘계 점착성 보호 필름의 최초 질량(단위: g)
WB는 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 바이알에 넣고 메틸이소부틸케톤을 넣고 25℃에서 2시간 동안 교반하여 겔화된 실리콘계 점착성 보호 필름을 제조하고 상기 바이알에 든 내용물을 멤브레인 필터로 여과하고 상기 멤브레인 필터 상의 고형물을 130℃에서 30분 동안 건조시켜 얻은 용출된 실리콘계 점착성 보호 필름의 질량(단위: g)).
5.1-4에서, 상기 실리콘계 수지는 제1실리콘계 수지와 제2실리콘계 수지의 혼합물을 포함하고, 상기 혼합물 100중량부 중 상기 제1실리콘계 수지: 상기 제2실리콘계 수지는 30중량부: 70중량부 내지 70중량부: 30중량부로 포함될 수 있다.
6.5에서, 상기 제1실리콘계 수지는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다:
<화학식 1>
(R3SiO1/2)4-p(R2SiO)m(RR1SiO)n(R1R2SiO1/2)p
(상기 화학식 1에서,
R은 수산기, 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
R1은 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
p의 평균값은 1 내지 4의 수,
m의 평균값은 100 내지 10,000의 수,
n의 평균값은 0 또는 평균적으로 m보다 큰 수,
m+n의 평균값은 100 내지 10,000).
7.6에서, 상기 제1실리콘계 수지는 ((Me)3SiO1/2)4-p((Me)2SiO)m(Vi(Me)2SiO1/2)p(이때, Me는 메틸기, Vi는 비닐기, m, p는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다)일 수 있다.
8.5에서, 상기 제2실리콘계 수지는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다:
<화학식 2>
(R3SiO1/2)4-p(R2SiO)m(RR1SiO)n(R1R2SiO1/2)p
(상기 화학식 2에서,
R은 수산기, 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
R1은 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
p의 평균값은 0 내지 4의 수,
m의 평균값은 1,000 내지 10,000의 수, n의 평균값은 10 내지 500의 수).
9.8에서, 상기 제2실리콘계 수지는 ((Me)3SiO1/2)4((Me)2SiO)m(HeMeSiO)n, (Vi(Me)2SiO1/2)4((Me)2SiO)m(HeMeSiO)n 중 1종 이상(이때, Me는 메틸기, He는 헥세닐기, m, n은 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다)일 수 있다.
10.1-9에서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물은 앵커제를 더 포함할 수 있다.
11.1-10에서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물은 R3R4 2SiO1/2 단위(이때, R3은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 수산기이고, R4는 탄소수 1 내지 10의 알킬기) 및 SiO4/2 단위를 구성되는 실리콘계 수지를 포함하지 않을 수 있다.
12.11에서, 상기 R3R4 2SiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위를 구성되는 실리콘계 수지는 Me3SiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위를 갖는 MQ 실리콘계 수지를 포함할 수 있다.
13.1-12에서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물은 (메트)아크릴계 점착 수지, 실리콘 (메트)아크릴레이트계 점착 수지 중 1종 이상을 포함하지 않을 수 있다.
14.1-13에서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 UV 흡수제를 포함할 수 있다.
본 발명의 광학 부재는 광학 필름 및 상기 광학 필름의 일면에 형성된 본 발명의 실리콘계 점착성 보호 필름을 포함한다.
본 발명은 낮은 박리력, 낮은 박리력 변화율 및 우수한 웨팅성을 제공할 수 있는 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하였다.
본 발명은 용출율이 낮은 실리콘계 점착성 보호 필름을 제공하였다.
도 1은 본 발명의 실험예에서 실리콘계 점착성 보호 필름의 모듈러스 측정을 위한 시편의 평면도이다.
본 발명을 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서 "모듈러스"는 영스 모듈러스(Young's modulus)을 의미한다. 상기 모듈러스는 하기 상술되는 실험예에서 기술된 방법에 의해 측정될 수 있다. 특별히 언급되지 않는다면, 모듈러스는 25℃에서 측정된 값일 수 있다.
본 명세서에서 "박리력"은 실리콘계 점착성 보호 필름을 유리판으로부터 박리 온도 25℃, 박리 속도 2400mm/min, 박리 각도 180°에서 박리시켰을 때의 박리력을 의미한다. 상기 박리력은 하기 상술되는 실험예에서 기술된 방법에 의해 측정될 수 있다.
본 명세서에서 "Me"는 메틸기, "Vi"는 비닐기, "Pr"는 프로필기, "He"는 헥세닐기이다. 상기"헥세닐기"는 1-헥세닐기, 2-헥세닐기, 3-헥세닐기, 4-헥세닐기 또는 5-헥세닐기가 될 수 있다.
본 명세서에서 수치 범위 기재 시 "X 내지 Y"는 X 이상 Y 이하(X≤ 그리고 ≤Y)를 의미한다.
본 발명의 발명자는 실리콘계 수지, 가교제 및 경화 촉매를 포함하는 조성물로 형성된 실리콘계 점착성 보호 필름으로서, 박리력이 3gf/inch 이하이고, 모듈러스가 0.5MPa 내지 7MPa가 되도록 함으로써 본 발명을 완성하였다. 상기 박리력 범위에서 실리콘계 점착성 보호 필름을 피착체에 점착한 후 박리시켰을 때 피착체의 변형 및/또는 손상이 없을 수 있다. 본 명세서에서 "피착체"는 플라스틱 필름, 플라스틱 필름을 포함하는 패널(예: 유기발광소자 표시장치의 패널), 유리판 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 상기 모듈러스 범위에서 피착체에 대한 웨팅성이 우수하여 피착체에 실리콘계 점착성 보호 필름을 점착시켰을 때 기포 등이 발생하지 않으므로 실리콘계 점착성 보호 필름과 피착체의 절단시 공정성이 우수할 수 있다. 또한, 상기 모듈러스 범위에서 하기 상술되는 박리력 변화율이 낮으므로 피착체에 실리콘계 점착성 보호 필름을 점착한 후 보관시 박리력 상승의 문제점이 없으므로 보관 후 실리콘계 점착성 보호 필름의 박리시 피착체의 변형 및/또는 손상이 없어 보관 안정성이 우수할 수 있다.
바람직하게는, 박리력은 하기 상술된 초기 박리력으로서, 0gf/inch 초과 3gf/inch 이하, 더 바람직하게는 1gf/inch 내지 3gf/inch가 될 수 있다.
바람직하게는, 모듈러스는 0.5MPa 내지 5MPa, 더 바람직하게는 0.8MPa 내지 4MPa가 될 수 있다.
이하, 본 발명 일 실시예의 실리콘계 점착성 보호 필름을 설명한다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 1의 박리력 변화율이 30% 이하, 예를 들면 0% 내지 30%, 3% 내지 20%, 10% 내지 20%이고, 하기 식 2의 박리력 변화율이 40% 이하, 예를 들면 0% 내지 40%, 8% 내지 30%, 8% 내지 28%, 8% 내지 25%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘계 점착성 보호 필름을 이형 필름에 적층시키거나 실리콘계 점착성 보호 필름을 피착체에 적층시킨 상태로 장기간 동안 보관하더라도 이형 필름 또는 피착체로부터 실리콘계 점착성 보호 필름의 박리시 손쉽게 박리될 수 있어 이형 필름 또는 피착체의 변형 또는 손상이 낮아질 수 있다:
[식 1]
박리력 변화율 = ｜PS[3일] - PS[0일]｜/PS[0일] x 100
(상기 식 1에서,
PS[0일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 유리판에 대한 최초 박리력(단위:gf/inch),
PS[3일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름과 상기 유리판의 적층체를 50℃ 상대습도 45%에서 3일 동안 방치한 후 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 상기 유리판에 대한 박리력(단위:gf/inch)),
[식 2]
박리력 변화율 = ｜PS[7일] - PS[0일]｜/PS[0일] x 100
(상기 식 2에서,
PS[0일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 유리판에 대한 최초 박리력(단위:gf/inch)
PS[7일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름과 상기 유리판의 적층체를 50℃ 상대습도 45%에서 7일 동안 방치한 후 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 상기 유리판에 대한 박리력(단위:gf/inch)).
일 구체예에서, 상기 식 1에서 PS[3일]은 5gf/inch 이하, 바람직하게는 0gf/inch 초과 5gf/inch 이하, 더 바람직하게는 1gf/inch 내지 4gf/inch가 될 수 있다.
일 구체예에서, 상기 식 2에서 PS[7일]은 3.5gf/inch 이하, 바람직하게는 0gf/inch 초과 3.5gf/inch 이하, 더 바람직하게는 1gf/inch 내지 3.5gf/inch가 될 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 3의 모듈러스 변화율이 20% 이하, 예를 들면 0% 내지 20%, 5% 내지 15%, 하기 식 4의 모듈러스 변화율이 30% 이하, 예를 들면 0% 내지 30%, 5% 내지 25%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘계 점착성 보호 필름을 장기간 동안 보관한 후 피착체에 점착시에도 웨팅성이 우수하여서 신뢰성이 우수할 수 있다:
[식 3]
모듈러스 변화율 = ｜M[3일] - M[0일]｜/M[0일] x 100
(상기 식 3에서,
M[0일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 최초 모듈러스(단위: MPa)
M[3일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 50℃ 상대습도 45%에서 3일 동안 방치한 후 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 모듈러스(단위: MPa)),
[식 4]
모듈러스 변화율 = ｜M[7일] - M[0일]｜/M[0일] x 100
(상기 식 4에서,
M[0일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 최초 모듈러스(단위: MPa)
M[7일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 50℃ 상대습도 45%에서 7일 동안 방치한 후 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 모듈러스(단위: MPa)).
일 구체예에서, 상기 식 3에서 M[3일]은 0.5MPa 내지 5MPa, 바람직하게는 0.8MPa 내지 4MPa가 될 수 있다. 일 구체예에서, 상기 식 4에서 M[7일]은 0.8MPa 내지 6MPa, 바람직하게는 1MPa 내지 5MPa가 될 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 5에 따른 용출율이 3.5% 이하, 예를 들면 0% 내지 3.5%, 1% 내지 3.5%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘계 점착성 보호 필름이 용제 등에 접촉되더라도 실리콘계 점착성 보호 필름의 물성을 그대로 유지할 수 있어서 신뢰성이 우수할 수 있다.
[식 5]
용출율 = ｜WB - WA｜/ WA x 100
(상기 식 5에서,
WA는 실리콘계 점착성 보호 필름의 최초 질량(단위: g)
WB는 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 바이알에 넣고 메틸이소부틸케톤을 넣고 25℃에서 2시간 동안 교반하여 겔화된 실리콘계 점착성 보호 필름을 제조하고 상기 바이알에 든 내용물을 멤브레인 필터로 여과하고 상기 멤브레인 필터 상의 고형물을 130℃에서 30분 동안 건조시켜 얻은 용출된 실리콘계 점착성 보호 필름의 질량(단위: g)).
실리콘계 점착성 보호 필름은 헤이즈가 5% 이하, 예를 들면 0% 이상 1% 이하가 될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘계 점착성 보호 필름을 광학표시장치 용도에 사용할 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 두께가 100㎛ 이하, 예를 들면 75㎛ 이하, 0㎛ 초과 75㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 피착체에 점착시 피착체를 보호하고 피착체로부터 용이하게 박리시킬 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름은 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물로 형성될 수 있다. 이하, 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물에 대해 설명한다.
실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물은 실리콘계 수지, 가교제 및 경화 촉매를 포함할 수 있다.
상기 조성물은 상기 실리콘계 수지로서 제1실리콘계 수지와 제2실리콘계 수지의 혼합물을 포함한다. 제1실리콘계 수지와 제2실리콘계 수지는 실리콘계 수지를 구성하는 실록산 단위가 서로 다르다.
제1실리콘계 수지와 제2실리콘계 수지는 상기 혼합물 100중량부 중 제1실리콘계 수지: 제2실리콘계 수지가 30중량부: 70중량부 내지 70중량부: 30중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 웨팅성 개선 효과 및 박리력 경시 변화율이 낮아지는 효과가 있을 수 있다.
제1실리콘계 수지는 말단에 1개 이상의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산 수지를 포함할 수 있다. 제1실리콘계 수지는 선형 또는 분지형의 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1실리콘계 수지는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다:
<화학식 1>
(R3SiO1/2)4-p(R2SiO)m(RR1SiO)n(R1R2SiO1/2)p
(상기 화학식 1에서,
R은 수산기, 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
R1은 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
p의 평균값은 1 내지 4의 수,
m의 평균값은 100 내지 10,000의 수,
n의 평균값은 0 또는 평균적으로 m보다 큰 수,
m+n의 평균값은 100 내지 10,000)
예를 들면, m의 평균값은 200 내지 3,000의 수일 수 있다.
예를 들면, (R3SiO1/2) 단위는 (Me)3SiO1/2 단위 또는 (Me)2PrSiO1/2 단위가 될 수 있다.
예를 들면, (R2SiO) 단위는 (Me)2SiO 단위 또는 MePrSiO 단위가 될 수 있다.
예를 들면, (RR1SiO) 단위는 ViMeSiO 단위가 될 수 있다.
예를 들면, (R1R2SiO1/2) 단위는 Vi(Me)2SiO1/2 단위가 될 수 있다.
바람직하게는, 제1실리콘계 수지는 하기 화학식 1-1로 표시될 수 있다:
<화학식 1-1>
(R3SiO1/2)4-p(R2SiO)m(R1R2SiO1/2)p
(상기 화학식 1-1에서, R, R1, m, p는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다).
구체예에서, 제1실리콘계 수지는 ((Me)3SiO1/2)4-p((Me)2SiO)m(Vi(Me)2SiO1/2)p(m, p는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다)가 될 수 있다.
제1실리콘계 수지는 중량평균분자량이 5만 이상, 구체적으로 5만 내지 20만이 될 수 있다. 상기 범위에서, 박리력 경시 변화율이 낮아지는 효과가 있을 수 있다.
제2실리콘계 수지는 측쇄에 1개 이상의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산 수지를 포함할 수 있다. 제2실리콘계 수지는 선형 또는 분지형의 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 제2실리콘계 수지는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다:
<화학식 2>
(R3SiO1/2)4-p(R2SiO)m(RR1SiO)n(R1R2SiO1/2)p
(상기 화학식 2에서,
R은 수산기, 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
R1은 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
p의 평균값은 0 내지 4의 수,
m의 평균값은 1,000 내지 10,000의 수,
n의 평균값은 10 내지 500의 수)
예를 들면, (R3SiO1/2) 단위는 (Me)3SiO1/2 단위 또는 (Me)2PrSiO1/2 단위가 될 수 있다.
예를 들면, (R2SiO) 단위는 (Me)2SiO 단위 또는 MePrSiO 단위가 될 수 있다.
예를 들면, (RR1SiO) 단위는 ViMeSiO 단위 또는 HeMeSiO 단위가 될 수 있다.
예를 들면, (R1R2SiO1/2) 단위는 Vi(Me)2SiO1/2 단위가 될 수 있다.
예를 들면, p는 1 내지 4의 정수일 수 있다.
일 실시예에서, 제2실리콘계 수지는 말단에 1개 이상의 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산 수지를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 제2실리콘계 수지는 하기 화학식 2-1로 표시될 수 있다:
<화학식 2-1>
(R3SiO1/2)4-p(R2SiO)m(RR1SiO)n(R1R2SiO1/2)p
(상기 화학식 2-1에서, R, R1, m, n는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같고, p는 0 내지 4의 정수이다).
구체예에서, 제2실리콘계 수지는 ((Me)3SiO1/2)4((Me)2SiO)m(HeMeSiO)n, (Vi(Me)2SiO1/2)4((Me)2SiO)m(HeMeSiO)n (이상, m, n는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다) 중 1종 이상이 될 수 있다.
제2실리콘계 수지는 중량평균분자량이 10만 이상, 바람직하게는 10만 내지 100만이 될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘계 점착성 필름의 웨팅성이 높아지고 박리력 경시 변화율이 낮아지는 효과가 있을 수 있다.
가교제는 분자 내에 실리콘 결합된 수소 (Si-H)를 2개 이상 갖는 오르가노수소실록산 수지를 포함할 수 있다. 가교제는 제1실리콘계 수지와 제2실리콘계 수지 각각의 알케닐기와 하이드로실릴화 반응함으로써, 제1실리콘계 수지와 제2실리콘계 수지를 경화시킨다. 수소 원자 이외에 실리콘에 결합된 유기기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜텔기, 헥실기 등의 알킬기, 페닐기, 톨릴기, 자일리기 등의 아릴기, 벤질기, 페네틸기와 같은 아릴알킬기 등이 될 수 있다.
일 구체예에서, 가교제는 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
<화학식 3>
R1R2SiO(R2SiO)m(HRSiO)nSiR1R2
(상기 화학식 3에서,
R은 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기,
R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기,
m의 평균값은 0 내지 500의 수, n의 평균값은 1 내지 500의 수)
구체적으로, 가교제는 분자 중 양쪽 말단이 트리메틸실록시기로 캡핑된 메틸히드로젠폴리실록산, 분자 중 양쪽 말단이 트리메틸실록시기로 캡핑된 메틸히드로젠실록산과 디메틸실록산의 공중합체 등을 들 수 있다.
가교제는 제1실리콘계 수지와 제2실리콘계 수지의 총합 100중량부에 대해 1중량부 내지 5중량부, 바람직하게는 1중량부 내지 3중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 박리력 경시 변환율이 낮아지는 효과가 있을 수 있다.
경화 촉매는 제1실리콘계 수지, 제2실리콘계 수지 및 가교제 간의 반응을 촉매한다. 경화 촉매는 백금계, 루테늄계, 또는 오스뮴계 촉매를 포함할 수 있으며, 구체적인 종류는 당업자에게 알려진 통상의 백금 촉매를 포함할 수 있다. 예를 들면, 경화 촉매는 염화 백금산, 염화 백금산의 알코올 용액, 염화 백금산과 올레핀의 착체(complex), 염화 백금산과 알케닐 실록산의 착체 등을 포함할 수 있다.
경화 촉매는 제1실리콘계 수지와 제2실리콘계 수지의 총합 100중량부에 대해 0.1중량부 내지 3중량부, 바람직하게는 0.5중량부 내지 2중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 박리력 경시 변화율이 낮아지는 효과가 있을 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물은 앵커제를 더 포함할 수 있다.
앵커제는 실리콘계 점착성 보호 필름의 박리력을 더 높일 수 있다. 앵커제는 실록산계 화합물로서 당업자에게 알려진 통상의 화합물을 포함할 수 있다. 앵커제는 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
앵커제는 제1실리콘계 수지와 제2실리콘계 수지의 총합 100중량부에 대해 1중량부 미만, 구체적으로 0.05중량부 이상 1중량부 미만, 바람직하게는 0.1중량부 내지 0.5중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 실리콘계 점착성 보호 필름의 기재 필름에 대한 밀착성이 높아지는 효과가 있을 수 있다.
실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물은 유기 용제를 더 포함으로써, 상기 조성물의 도포성을 높여 박막의 도포막을 얻도록 할 수 있다. 유기 용제는 특별히 제한되지 않으며, 톨루엔, 자일렌, 헥센, 헵탄, 메틸에틸케톤 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물은 히드로실릴화 반응 억제제를 더 포함할 수 있다. 히드로실릴화 반응 억제제는 제1실리콘계 수지와 가교제 간의 반응 및/또는 제2실리콘계 수지와 가교제 간의 반응을 억제함으로써 목적으로 하는 점도의 조성물을 얻을 수 있도록 하고 보관 안정성을 높일 수 있다. 히드로실릴화 반응 억제제는 당업자에게 알려진 통상의 종류를 포함할 수 있다. 예를 들면 히드로실릴화 반응 억제제는 3-메틸-1-부틴-1-올, 3,5-디메틸-1-부틴-1-올 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
일 구체예에서, 상기 조성물은 R3R4 2SiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위를 구성되는 실리콘계 수지를 포함하지 않을 수 있다. 이때 R3은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 수산기이고, R4는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다. 상기 R3R4 2SiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위를 구성되는 실리콘계 수지가 상기 조성물에 포함될 경우 실리콘계 점착성 보호 필름의 박리력을 지나치게 높일 수 있으며, 초기 박리력 상승 및 경화율이 낮아지는 문제점이 있을 수 있다. 예를 들면, R3R4 2SiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위를 구성되는 실리콘계 수지는 Me3SiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위를 갖는 MQ 실리콘계 수지를 포함할 수 있다.
일 구체예에서, 상기 조성물은 (메트)아크릴계 점착 수지, 실리콘 (메트)아크릴레이트계 점착 수지 중 1종 이상을 포함하지 않을 수 있다.
이하, 본 발명 다른 실시예의 실리콘계 점착성 보호 필름을 설명한다.
본 실시예의 실리콘계 점착성 보호 필름은 상술한 본 발명 일 실시예의 실리콘계 점착성 보호 필름에서 UV 흡수제를 더 포함하는 점을 제외하고는 실질적으로 동일하다. 이에 UV 흡수제에 대해서만 설명한다.
UV 흡수제는 실리콘계 점착성 보호 필름이 피착체 특히 상기 유기발광소자 표시장치의 패널에 점착된 후 박리되기 전에 외부 UV 광으로부터 유기발광소자 패널의 손상을 차단함으로써 피착체의 수명과 신뢰성을 높일 수 있다. 유기발광소자는 외부 UV 광에 의해 손상됨으로써 제 기능을 제대로 구현할 수 없게 될 수 있다.
일 구체예에서, UV 흡수제는 최대흡수파장이 370nm 내지 410nm인 UV 흡수제를 사용할 수 있다. 상기 범위에서, 유기발광소자의 손상을 차단할 수 있다. 구체적으로 UV 흡수제는 최대흡수파장이 380nm 내지 400nm가 될 수 있다. 상기 "최대흡수파장"은 상기 UV 흡수제를 1mg/ml의 농도로 톨루엔에 용해시킨 용액에 대하여 광 조사시 최대 흡수 피크를 나타내는 파장을 의미한다.
UV 흡수제를 포함하는 실리콘계 점착성 보호 필름은 파장 400nm 이하, 구체적으로 파장 380nm 내지 400nm, 더 구체적으로 파장 400nm에서 광 투과율이 80% 미만, 예를 들면 0% 이상 80% 미만이 될 수 있다. 상기 범위에서, 발광소자의 손상을 억제하는 효과가 있을 수 있다.
UV 흡수제는 상술 최대흡수파장을 갖는다면 그 종류에 특별한 제한을 두지 않는다. 예를 들면, UV 흡수제는 실리콘을 함유하는 실리콘계, 실리콘을 함유하지 않는 비실리콘계 중 1종 이상(예: 인돌계)을 사용할 수 있다.
UV 흡수제는 제1실리콘계 수지와 제2실리콘계 수지의 총합 100중량부에 대해 0.1중량부 내지 5중량부, 바람직하게는 0.1중량부 내지 3중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 상술 파장 범위에서의 광 투과율을 확보하고 잔량의 UV 흡수제가 남아 점착성 보호 필름의 광학 투명성이 저하되는 것을 막을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재는 광학 필름, 및 상기 광학 필름의 적어도 일면에 형성된 점착성 보호 필름을 포함하고, 점착성 보호 필름은 본 발명의 실시예들에 따른 실리콘계 점착성 보호 필름을 포함할 수 있다.
광학 필름은 디스플레이 패널로서 폴리이미드 필름을 포함할 수 있다. 일 구체예에서, 광학 필름은 발광소자층 및 발광소자층의 적어도 일면에 형성된 폴리이미드 필름으로 구성될 수 있다. 광학 필름과 실리콘계 점착성 보호 필름 사이에는 유기 절연막 또는 무기 절연막이 더 형성될 수도 있다. 광학 부재는 실리콘계 점착성 보호 필름의 다른 일면에 이형 필름(라이너)을 더 포함할 수 있다. 이형 필름은 점착성 보호 필름이 외부의 이물질 등에 의해 오염되는 것을 막을 수 있다. 이형 필름은 상술한 광학 필름과 동종 또는 이종의 물질로 형성된 광학 필름을 사용할 수 있다. 예를 들면, 이형 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리(메트)아크릴레이트 수지, 시클릭올레핀폴리머 수지, 아크릴 수지 중 하나 이상의 수지로 형성된 필름일 수 있다. 이형 필름은 두께가 10㎛ 내지 100㎛, 바람직하게는 10㎛ 내지 50㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 점착성 보호 필름을 지지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되지는 않는다.
실시예 1
(1)제1실리콘계 수지(I) 제조
분자 사슬 양 말단에 디메틸비닐실록산이 캡핑되어 있는, 디메틸비닐실록산 -디메틸실록산 - 디메틸비닐실록산 수지를 제1실리콘계 수지로 사용하였다. 제1실리콘계 수지는 디메틸실록산 단위 900개를 포함하고, 중량평균분자량이 65,000이다.
제1실리콘계 수지는 질소 충전된 반응기에 [Vi(Me)2SiO1/2]SiO4/2 21.6g과 옥타메틸시클로테트라실록산 592.6g을 투입하고 150℃까지 가열하였다. 그런 다음 선형 폴리아미노포스파제니움 히드록시드형 촉매 [Py3-N-(P=NPy2)1.8-PPy3]+OH-(이때 Py는 피롤리딘)를 촉매 함량 50ppm으로 첨가하고 1분 동안 교반하고 중화시켰다. 그런 다음 실온까지 냉각시키고 휘발성 성분을 제거하여 상기 제1실리콘계 수지(I)를 제조하였다.
(2)제2실리콘계 수지(I) 제조
분자 사슬 양 말단에 디메틸비닐실록산이 캡핑되어 있는, 디메틸비닐실록산 -디메틸실록산 메틸헥세닐실록산 - 디메틸비닐실록산 수지를 제2실리콘계 수지로 사용하였다. 제2실리콘계 수지는 디메틸실록산 단위 6,000개와 메틸헥세닐실록산 단위 36개로 구성되며, 중량평균분자량이 670,000이다.
제2실리콘계 수지는 5-헥세닐메틸디클로로실란 100g, 톨루엔 75g의 혼합물에 물 225g을 첨가하고 1.5 시간 동안 교반하였다. 물로부터 톨루엔 층을 분리하고 톨루엔 층을 10%의 탄산수소나트륨 수용액으로 수세하고, 다시 물 75ml로 수세하였다. 얻은 잔여물에서 물을 제거하여 5-헥세닐메틸디클로로실란의 가수분해물을 제조하였다. 얻은 5-헥세닐메틸디클로로실란의 가수분해물 10.39g, 시클로폴리디메틸실록산 276.9g, 디메틸비닐실록산 16.89g, 칼륨 실라노레이트 촉매 1.79g을 혼합하고 150℃에서 4시간 가열하였다. 얻은 생성물로부터 상기 제2실리콘계 수지를 얻었다.
(3)실리콘계 점착성 보호 필름의 제조
제조한 제1실리콘계 수지(I) 50중량부, 제조한 제2실리콘계 수지(II) 50중량부, 톨루엔 20중량부를 혼합하였다. 얻은 혼합물에 가교제 1.5중량부, 경화 촉매 1중량부, 앵커제 0.1중량부, 톨루엔 10중량부를 더 혼합하여 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물을 제조하였다.
제조한 조성물을 이형 필름(폴리에틸렌테레프탈레이트 필름)에 소정의 두께로 도포하고 130℃에서 5분간 동안 경화시켜, 실리콘계 점착성 보호 필름과 이형 필름의 적층체를 제조하였다.
상기 가교제로 양쪽 말단이 트리메틸실록시기로 캡핑된 디메틸실록산-메틸히드로젠실록산 수지를 사용하였다. 상기 경화 촉매로 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 백금 복합체를 사용하였다. 상기 앵커제로 글리시독시프로필트리메톡시실란을 사용하였다.
실시예 2 내지 실시예 4
실시예 1에서, 앵커제의 함량을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘계 점착성 보호 필름을 제조하였다.
실시예 5 내지 실시예 6
실시예 1에서, 제1실리콘계 수지(I), 제2실리콘계 수지(I)의 함량을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘계 점착성 보호 필름을 제조하였다.
실시예 7
실시예 1에서, 제1실리콘계 수지(I)를 7646 실리콘계 수지(II)(Mw: 124,000, Dow사)로 변경하고 제1실리콘계 수지(II), 제2실리콘계 수지(I)의 함량을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘계 점착성 보호 필름을 제조하였다.
실시예 8
실시예 1에서, 제2실리콘계 수지(I)를 7664 실리콘계 수지(II)(Mw: 554,000, Dow사)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘계 점착성 보호 필름을 제조하였다.
실시예 9 내지 실시예 11
실시예 1에서, 하기 표 2에서와 같이, 제1실리콘계 수지, 제2실리콘계 수지의 종류 및 함량을 조절하고, UV 흡수제(BONASORB UA-3912, Orient Chemical社, 인돌계 UV 흡수제, 최대흡수파장: 391nm)를 추가로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 실시하여 실리콘계 점착성 보호 필름을 제조하였다.
비교예 1 내지 비교예 2
실시예 1에서, 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물 중 각 성분의 함량을 하기 표 2와 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘계 점착성 보호 필름을 제조하였다.
비교예 3
실시예 1에서, 하기 표 2와 같이 MQ 수지 5중량부를 추가로 포함시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘계 점착성 보호 필름을 제조하였다. MQ 수지는 Me3SiO1/2 단위(Me는 메틸기)와 SiO4/2 단위를 포함하는 실리콘계 수지이다.
실시예와 비교예에서 제조한 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물/실리콘계 점착성 보호 필름에 대하여 하기 물성을 평가하고 그 결과를 하기 표 1, 표 2에 나타내었다.
(1)초기 박리력(단위: gf/inch): 실시예와 비교예의 점착성 보호 필름용 조성물을 degassing하고, 얻은 조성물을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에 두께 25㎛로 도포하고, 130℃에서 5분 동안 경화시켜, PET 필름 상에 두께 25㎛의 실리콘계 점착성 보호 필름이 적층된 적층체를 제조하였다.
상기 적층체를 길이 x 폭(20cm x 2.5cm)으로 절단하여 시편을 얻었다. 유리판에 상기 적층체를 합지하고 2kg 롤러로 가압하였다. 그런 다음, Texture analyzer(TA)를 사용해서 유리판으로부터 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 박리 속도 2400mm/min, 박리 각도 180°, 박리 온도 25℃에서 박리 시 박리력을 측정하였다. 3개의 상기 시편을 제조하고 박리력을 측정한 다음 평균값으로 구하였다. 이를 초기 박리력(PS[0일])이라고 하였다.
(2)모듈러스(단위: MPa): 불소 처리된 필름(동원 인텍, FL-75BML)의 일면에 실시예와 비교예의 점착제 조성물을 소정의 두께로 코팅하고 상기 코팅층에 PET 필름을 합지한 후 130℃에서 5분 동안 경화시켜, 불소 처리된 필름과 PET 필름 사이에 두께 75㎛의 실리콘계 점착성 보호 필름이 적층된 적층체를 제조하였다. 상기 적층체를 도 1의 도그 본(dog bone) 형상으로 절단하고 상기 불소 처리된 필름과 PET 필름을 제거하여 모듈러스 측정을 위한 시편을 제조하였다.
도 1을 참조하면, 시편은 도그 본(dog bone)의 형상을 가지며, 도그 본의 전체 길이는 40mm, 도그 본의 전체 폭은 15mm이고, 두께는 75㎛이다. 제조한 모듈러스 측정용 시편에 대하여 모듈러스 측정 장치(Instron社)를 사용해서 측정하였다. 구체적으로, 도 1의 도그 본 중 좌측 말단을 상기 모듈러스 측정 장치의 제1지그에 연결하고 우측 말단을 상기 모듈러스 측정 장치의 제2지그에 연결하였다. 이때, 좌측 말단 중 제1지그에 연결되는 부분과 우측 말단 중 제2지그에 연결되는 부분은 동일 면적으로 하였다. 그런 다음, 제1지그는 고정시킨 상태에서 제2지그를 load cell: 1kN, 인장 속도: 50mm/min, 25℃에서 인장시켜 도 1의 도그 본 중 폭 15mm 두께 5mm으로 표시된 부분이 끊어질 때의 값을 모듈러스로 구하였다.
(3)3일 경과 후 박리력(단위: gf/inch) 및 식 1의 박리력 변화율(단위: %): (1)과 동일한 방법으로 실리콘계 점착성 보호 필름인 적층체를 제조한 후, 박리력을 측정하기 위해서 유리판에 합지하여 시편을 제조하였다. (1)과 동일한 방법으로 초기 박리력(PS[0일])을 측정하였다. 상기 적층체를 50℃ 상대습도 45%에서 3일 동안 방치한 후 (1)과 동일한 방법으로 3일 경과 후 박리력(PS[3일])을 측정하였다. 상기 식 1에 따라 박리력 변화율을 계산하였다.
(4)7일 경과 후 박리력(단위: gf/inch) 및 식 2의 박리력 변화율(단위: %): (1)과 동일한 방법으로 실리콘계 점착성 보호 필름인 적층체를 제조한 후, 박리력을 측정하기 위해서 유리판에 합지하여 시편을 제조하였다. (1)과 동일한 방법으로 초기 박리력(PS[0일])을 측정하였다. 상기 적층체를 50℃ 상대습도 45%에서 7일 동안 방치한 후 (1)과 동일한 방법으로 7일 경과 후 박리력(PS[7일])을 측정하였다. 상기 식 2에 따라 박리력 변화율을 계산하였다.
(5)실리콘계 점착성 보호 필름의 용출율(단위: %): (1)과 동일한 방법으로 실리콘계 점착성 보호 필름과 PET 필름의 적층체를 제조하였다. 이중 실리콘계 점착성 보호 필름 1g을 40ml 바이알에 넣고 메틸이소부틸케톤 15g을 투입하여 실리콘계 점착성 보호 필름이 메틸이소부틸케톤에 완전히 잠기도록 한 다음 25℃에서 교반기로 2시간 교반하였다. 그런 다음 상기 바이알 내에 들어 있는 겔화된 용액을 멤브레인 필터(필터의 구멍 크기:0.45㎛)를 통해서 감압여과하고 멤브레인 필터 상의 고형물을 메틸이소부틸케톤 100ml로 3회 세척하여 멤브레인 필터 상의 고형물을 채취하였다. 얻은 채취물을 130℃에서 30분 동안 건조시켜 용출된 실리콘계 점착성 보호 필름의 용출량을 측정하였다. 상기 식 5에 따라 점착성 보호 필름의 용출율을 계산하였다.
(6)파장 400nm에서의 광 투과율(단위:%): 실리콘계 점착 필름에 대하여 파장 400nm에서 JASCO사 UV/vis spectrophotometer V650을 사용하여 광 투과율을 측정하였다.
실시예
1 2 3 4 5 6 7 8
제1실리콘계 수지(I) 50 50 50 50 30 70 0 50
제1실리콘계 수지(II) 0 0 0 0 0 0 30 0
제2실리콘계 수지(I) 50 50 50 50 70 30 70 0
제2실리콘계 수지(II) 0 0 0 0 0 0 0 50
가교제 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5
경화 촉매 1 1 1 1 1 1 1 1
앵커제 0.1 0.2 0.5 0 0.1 0.1 0.1 0.1
초기 박리력 2.60 2.58 2.70 2.59 1.8 2.8 2.9 2.7
모듈러스 2.8 2.78 2.90 2.78 3.5 1.5 2.5 2.7
3일 경과 후 박리력 2.96 2.98 3.12 2.70 2.1 3.1 3.2 2.85
식 1 13.85 15.50 15.56 4.25 16.67 10.71 10.34 5.56
7일 경과 후 박리력 3.1 3.05 3.15 2.81 2.3 3.3 3.5 3.0
식 2 19.23 18.22 16.67 8.49 27.78 17.86 20.69 11.11
용출율 2.8 2.9 3.1 3.2 2.4 3.5 2.4 3.3
실시예 비교예
9 10 11 1 2 3
제1실리콘계 수지(I) 50 50 50 0 0 50
제1실리콘계 수지(II) 0 0 0 100 0 0
제2실리콘계 수지(I) 50 50 50 0 100 50
제2실리콘계 수지(II) 0 0 0 0 0 0
가교제 1.5 1.5 1.5 1.5 0.5 1.5
경화 촉매 1 1 1 1 1 1
앵커제 0.1 0.2 0.5 1 0.1 0.1
MQ 수지 0 0 0 0 0 5
UV 흡수제 0.5 1 1.5 0 0 0
초기 박리력 2.60 2.58 2.70 5.02 1.8 4.2
모듈러스 2.77 2.68 2.84 1.7 9 3.2
3일 경과 후 박리력 2.96 2.98 3.12 7.2 1.9 5
식 1 13.85 15.50 15.56 43.43 5.56 19.05
7일 경과 후 박리력 3.1 3.05 3.15 10.5 2.0 7.2
식 2 19.23 18.22 16.67 109.16 11.11 71.43
용출율 2.8 2.9 3.1 4.5 2.5 3.7
파장 400nm에서 광 투과율 76 52 25 88 89 88
상기 표 1, 표 2에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 실리콘계 점착성 보호 필름은 낮은 박리력, 낮은 박리력 변화율을 제공하였으며, 용출율이 낮았다. 또한, 본 발명의 실리콘계 점착성 보호 필름은 본 발명의 모듈러스 범위를 만족함으로써 웨팅성이 우수하였다. 반면에, 상기 표 2에서 나타난 바와 같이, 비교예의 실리콘계 점착성 보호 필름은 본 발명의 효과를 모두 얻을 수 없었다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (15)

  1. 실리콘계 수지, 가교제 및 경화 촉매를 포함하는 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물로 형성되고,
    상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 25℃에서 유리판에 대한 박리력이 3gf/inch 이하이고, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 25℃에서 모듈러스가 0.5MPa 내지 7MPa이고,
    상기 실리콘계 수지는 말단에 1개 이상의 알케닐기를 갖는 제1실리콘계 수지 및 측쇄에 1개 이상의 알케닐기를 갖는 제2실리콘계 수지의 혼합물을 포함하고,
    상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 2의 박리력 변화율이 40% 이하인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름:
    [식 2]
    박리력 변화율 = ｜PS[7일] - PS[0일]｜/PS[0일] x 100
    (상기 식 2에서,
    PS[0일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 유리판에 대한 최초 박리력(단위:gf/inch)
    PS[7일]은 상기 실리콘계 점착성 보호 필름과 상기 유리판의 적층체를 50℃ 상대습도 45%에서 7일 동안 방치한 후 상기 실리콘계 점착성 보호 필름의 상기 유리판에 대한 박리력(단위:gf/inch)).
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 식 2에서 PS[7일]은 3.5gf/inch 이하인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 하기 식 5에 따른 용출율이 3.5% 이하인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름:
    [식 5]
    용출율 = ｜WB - WA｜/ WA x 100
    (상기 식 5에서,
    WA는 실리콘계 점착성 보호 필름의 최초 질량(단위: g)
    WB는 상기 실리콘계 점착성 보호 필름을 바이알에 넣고 메틸이소부틸케톤을 넣고 25℃에서 2시간 동안 교반하여 겔화된 실리콘계 점착성 보호 필름을 제조하고 상기 바이알에 든 내용물을 멤브레인 필터로 여과하고 상기 멤브레인 필터 상의 고형물을 130℃에서 30분 동안 건조시켜 얻은 용출된 실리콘계 점착성 보호 필름의 질량(단위: g)).
  5. 제1항에 있어서, 상기 혼합물 100중량부 중 상기 제1실리콘계 수지: 상기 제2실리콘계 수지는 30중량부: 70중량부 내지 70중량부: 30중량부로 포함되는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1실리콘계 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름:
    <화학식 1>
    (R3SiO1/2)4-p(R2SiO)m(RR1SiO)n(R1R2SiO1/2)p
    (상기 화학식 1에서,
    R은 수산기, 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
    R1은 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
    p의 평균값은 1 내지 4의 수,
    m의 평균값은 100 내지 10,000의 수,
    n의 평균값은 0 또는 평균적으로 m보다 큰 수,
    m+n의 평균값은 100 내지 10,000).
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1실리콘계 수지는 ((Me)3SiO1/2)4-p((Me)2SiO)m(Vi(Me)2SiO1/2)p(이때, Me는 메틸기, Vi는 비닐기, m, p는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다)것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2실리콘계 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름:
    <화학식 2>
    (R3SiO1/2)4-p(R2SiO)m(RR1SiO)n(R1R2SiO1/2)p
    (상기 화학식 2에서,
    R은 수산기, 탄소수 1 내지 탄소수 10의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
    R1은 탄소수 2 내지 탄소수 10의 알케닐기,
    p의 평균값은 0 내지 4의 수,
    m의 평균값은 1,000 내지 10,000의 수, n의 평균값은 10 내지 500의 수).
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2실리콘계 수지는 ((Me)3SiO1/2)4((Me)2SiO)m(HeMeSiO)n, (Vi(Me)2SiO1/2)4((Me)2SiO)m(HeMeSiO)n 중 1종 이상(이때, Me는 메틸기, He는 헥세닐기, m, n은 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다)인 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  10. 제1항에 있어서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물은 앵커제를 더 포함하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  11. 제1항에 있어서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물은 R3R4 2SiO1/2 단위(이때, R3은 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 수산기이고, R4는 탄소수 1 내지 10의 알킬기) 및 SiO4/2 단위를 구성되는 실리콘계 수지를 포함하지 않는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  12. 제11항에 있어서, 상기 R3R4 2SiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위를 구성되는 실리콘계 수지는 Me3SiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위를 갖는 MQ 실리콘계 수지를 포함하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  13. 제1항에 있어서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름용 조성물은 (메트)아크릴계 점착 수지, 실리콘 (메트)아크릴레이트계 점착 수지 중 1종 이상을 포함하지 않는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  14. 제1항에 있어서, 상기 실리콘계 점착성 보호 필름은 UV 흡수제를 더 포함하는 것인, 실리콘계 점착성 보호 필름.
  15. 광학 필름; 및 상기 광학 필름의 일면에 형성된 제1항, 제3항 내지 제14항 중 어느 한 항의 실리콘계 점착성 보호 필름을 포함하는 것인, 광학 부재.
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