KR102511966B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

반도체소자 패키지는 몸체 위에 배치된 발광소자와 몸체와 발광소자 사이에 배치된 적어도 하나 이상의 수지를 포함한다.
몸체는 몸체의 상면에서 몸체를 관통하는 제1 및 제2 개구부와, 몸체의 상면에서 몸체의 하면으로 오목한 적어도 하나 이상의 리세스를 포함할 수 있다.
발광소자는 제1 개구부 위에 배치되는 제1 본딩부와, 제2 개구부 위에 배치되는 제2 본딩부를 포함할 수 있다.
적어도 하나 이상의 리세스는 제1 및 제2 개구부 사이 및 제1 및 제2 개구부의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 적어도 하나 이상의 수지는 적어도 하나 이상의 리세스에 배치될 수 있다. 적어도 하나 이상의 수지는 반사물질을 포함할 수 있다.The semiconductor device package includes a light emitting device disposed on a body and at least one resin disposed between the body and the light emitting device.
The body may include first and second openings penetrating the body from an upper surface of the body, and at least one recess that is concave from the upper surface of the body to a lower surface of the body.
The light emitting device may include a first bonding part disposed over the first opening and a second bonding part disposed over the second opening.
At least one recess may be disposed between the first and second openings and along a circumference of the first and second openings. At least one or more resins may be disposed in one or more recesses. At least one resin may include a reflective material.

Figure 112017110392806-pat00001
Figure 112017110392806-pat00001

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시예는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법 및 광원 장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package, a method for manufacturing a light emitting device package, and a light source device.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy, and can be used in various ways such as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.

특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials are developed in thin film growth technology and device materials to produce red, green, It has the advantage of being able to implement light in various wavelength bands such as blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material can implement a white light source with high efficiency by using a fluorescent material or combining colors. These light emitting devices have advantages of low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when light receiving devices such as photodetectors or solar cells are manufactured using Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor materials, photocurrent is generated by absorbing light in various wavelength ranges through the development of device materials. By doing so, it is possible to use light in a wide range of wavelengths from gamma rays to radio wavelengths. In addition, such a light-receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy control of element materials, so that it can be easily used in power control or ultra-high frequency circuits or communication modules.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can replace a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, and can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb. Applications are expanding to white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, applications of semiconductor devices can be expanded to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device (Light Emitting Device) may be provided as, for example, a p-n junction diode having a characteristic of converting electrical energy into light energy using a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table, and a compound semiconductor Various wavelengths can be implemented by adjusting the composition ratio.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are of great interest in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, blue light emitting devices, green light emitting devices, ultraviolet (UV) light emitting devices, red light emitting devices, and the like using nitride semiconductors are commercialized and widely used.

예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, it is a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. can

자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet light can be divided into three types in order of wavelength: UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm), and UV-C (200nm ~ 280nm). UV-A (315nm ~ 400nm) area is applied to various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, counterfeit money discrimination, photocatalytic sterilization, special lighting (aquarium/agricultural use, etc.), and UV-B (280nm ~ 315nm) ) area is used for medical purposes, and the UV-C (200nm~280nm) area is applied to air purification, water purification, and sterilization products.

한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. Meanwhile, as semiconductor devices capable of providing high output are requested, research on semiconductor devices capable of increasing output by applying high power is being conducted.

또한, 발광소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 발광소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in the light emitting device package, research is being conducted on a method capable of improving the light extraction efficiency of the semiconductor device and improving the luminous intensity at the package end. In addition, in the light emitting device package, research on a method for improving the bonding strength between the package electrode and the semiconductor device is being conducted.

또한, 발광소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in the light emitting device package, research is being conducted on a method of reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield through process efficiency improvement and structural change.

실시예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a light emitting device package capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics, a method for manufacturing a light emitting device package, and a light source device.

실시예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device capable of reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving process efficiency and presenting a new package structure.

실시예는 발광소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 발광소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.Embodiments can provide a light emitting device package and a method for manufacturing a light emitting device package capable of preventing re-melting from occurring in a bonding area of a light emitting device package in the process of re-bonding the light emitting device package to a substrate or the like. there is.

실시예의 일 측면에 따른 발광소자 패키지는, 제1 개구부, 제2 개구부 및 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 제1 및 제2 개구부 내에 각각 배치되는 도전층; 상기 캐비티 내에 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자와 상기 몸체 사이에 배치되는 제1 수지; 및 상기 발광 소자 상에 배치되는 파장 변환층;을 포함한다. 상기 몸체는 상기 발광소자가 배치되는 제1 영역, 상기 캐비티의 상면과 동일한 평면을 이루는 제2 영역, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 배치되는 경사진 측부, 상기 제1 영역 내에 배치되는 제1 리세스, 및 상기 제1 영역과 상기 측부 사이에 배치되는 제2 리세스를 포함할 수 있다. 상기 제2 영역의 상면은, 상기 몸체의 하면을 기준으로, 상기 발광소자의 상면보다 낮을 수 있다. 상기 도전층의 상면은 상기 발광소자와 접촉할 수 있다.A light emitting device package according to an aspect of the embodiment includes a body including a first opening, a second opening, and a cavity; conductive layers respectively disposed in the first and second openings; a light emitting element disposed within the cavity; a first resin disposed between the light emitting element and the body; and a wavelength conversion layer disposed on the light emitting element. The body includes a first area in which the light emitting element is disposed, a second area formed on the same plane as the top surface of the cavity, an inclined side part disposed between the first area and the second area, and disposed in the first area. A first recess and a second recess disposed between the first region and the side portion may be included. An upper surface of the second region may be lower than an upper surface of the light emitting device based on a lower surface of the body. An upper surface of the conductive layer may contact the light emitting device.

실시예의 다른 측면에 따른 발광 소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광소자; 및 상기 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치된 제1 수지;를 포함한다. 상기 몸체는 서로 이격되며 상기 몸체를 관통하는 제1 및 제2 개구부와, 상기 몸체의 상면에서 상기 몸체의 하면으로 오목한 제1 및 제2 리세스를 포함할 수 있다. 상기 발광소자는 상기 제1 개구부 위에 배치되는 제1 본딩부와, 상기 제2 개구부 위에 배치되는 제2 본딩부를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스는 상기 제1 및 제2 개구부 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 리세스는 상기 제1 및 제2 개구부의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 상기 제1 수지는 상기 제1 리세스 내에 배치될 수 있다. A light emitting device package according to another aspect of the embodiment includes a body; a light emitting device disposed on the body; and a first resin disposed between the body and the light emitting element. The body may include first and second openings spaced apart from each other and penetrating the body, and first and second recesses concave from an upper surface of the body to a lower surface of the body. The light emitting device may include a first bonding part disposed over the first opening and a second bonding part disposed over the second opening. The first recess may be disposed between the first and second openings. The second recess may be disposed along circumferences of the first and second openings. The first resin may be disposed in the first recess.

실시예의 또 다른 측면에 따른 발광 소자 패키지는, 경사면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광소자; 및 상기 캐비티의 경사면 상에 배치되는 제4 수지를 포함한다. 상기 몸체는 상기 몸체의 상면에서 상기 몸체를 관통하는 제1 및 제2 개구부를 포함할 수 있다. 상기 발광소자는 상기 제1 개구부 위에 배치되는 제1 본딩부와, 상기 제2 개구부 위에 배치되는 제2 본딩부를 포함할 수 있다. 상기 제4 수지는 상기 발광소자의 상면 및 측면과 상기 캐비티의 내측면에 배치될 수 있다. 상기 제4 수지는 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다.A light emitting device package according to another aspect of the embodiment includes a body including a cavity having an inclined surface; a light emitting device disposed on the body; and a fourth resin disposed on the inclined surface of the cavity. The body may include first and second openings penetrating the body at an upper surface of the body. The light emitting device may include a first bonding part disposed over the first opening and a second bonding part disposed over the second opening. The fourth resin may be disposed on upper and side surfaces of the light emitting device and an inner surface of the cavity. The fourth resin may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone.

실시예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment, there is an advantage in that light extraction efficiency and electrical characteristics and reliability can be improved.

실시예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, there is an advantage of reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving process efficiency and presenting a new package structure.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 발광소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.The light emitting device package according to the embodiment has an advantage of improving reliability of the light emitting device package by providing a body having high reflectivity, thereby preventing the reflector from being discolored.

실시예에 따른 발광소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되거나 열 처리 되는 과정에서 발광소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the light emitting device package and semiconductor device manufacturing method according to the embodiment, re-melting in the bonding area of the light emitting device package can be prevented from occurring in the process of re-bonding the light emitting device package to a substrate or the like or undergoing heat treatment. There are advantages to being able to

실시예의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 실시예의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다.A further scope of applicability of the embodiments will become apparent from the detailed description that follows. However, since various changes and modifications within the spirit and scope of the embodiments can be clearly understood by those skilled in the art, it should be understood that the detailed description and specific embodiments, such as preferred embodiments, are given by way of example only.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 몸체의 리세스 및 개구부 그리고 반도체소자의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도4는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하는 또 다른 분해 사시도이다.
도 5 내지 도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 9는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 10은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 11은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 12는 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 몸체의 리세스 및 개구부 그리고 반도체소자의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 13은 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 14는 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 15는 제7 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 16은 제8 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 17은 제9 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 18는 제1 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 평면도이다.
도 19은 도 18에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.
도 20은 제2 실시예에 따른 발광소자를 보여준다.
도 21은 도 20의 발광소자의 수지에 불량이 발생되는 모습을 보여준다.
도 22는 제3 실시예에 따른 발광소자를 보여준다.
도 23은 제4 실시예에 따른 발광소자를 보여준다.
도 24은 제5 실시예에 따른 발광소자를 설명하는 평면도이다.
도 25는 도 24에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.
도 26은 제10 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 27은 제11 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여 준다.
도 28은 제12 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여 준다.
도 29는 제13 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여 준다.
도 30은 제14 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여 준다.
도 31은 제15 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 32는 제16 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여 준다.
도 33은 제17 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여 준다.
도 34는 제18 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 35는 제19 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여 준다.
도 36은 제20 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여 준다.
도 37은 제21 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.
도 38은 제22 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여 준다.
도 39는 제23 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여 준다.
도 40은 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 개구부의 형상을 보여 준다.1 shows a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is an exploded perspective view illustrating the light emitting device package according to the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram explaining arrangement relationships between recesses and openings of a body of a light emitting device package and semiconductor devices according to the first embodiment.
4 is another exploded perspective view illustrating the light emitting device package according to the first embodiment.
5 to 8 are diagrams for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.
9 shows a light emitting device package according to a second embodiment.
10 shows a light emitting device package according to a third embodiment.
11 shows a light emitting device package according to a fourth embodiment.
FIG. 12 is a view for explaining arrangement relationships between recesses and openings of a body of a light emitting device package and semiconductor devices according to a fourth embodiment.
13 shows a light emitting device package according to a fifth embodiment.
14 shows a light emitting device package according to a sixth embodiment.
15 shows a light emitting device package according to a seventh embodiment.
16 shows a light emitting device package according to an eighth embodiment.
17 shows a light emitting device package according to a ninth embodiment.
18 is a plan view showing a light emitting device according to the first embodiment.
FIG. 19 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 18 taken along line FF.
20 shows a light emitting device according to a second embodiment.
FIG. 21 shows a state in which a defect occurs in the resin of the light emitting device of FIG. 20 .
22 shows a light emitting device according to a third embodiment.
23 shows a light emitting device according to a fourth embodiment.
24 is a plan view illustrating a light emitting device according to a fifth embodiment.
FIG. 25 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 24 taken along line AA.
26 shows a light emitting device package according to a tenth embodiment.
27 shows a light emitting device package according to an eleventh embodiment.
28 shows a light emitting device package according to a twelfth embodiment.
29 shows a light emitting device package according to a thirteenth embodiment.
30 shows a light emitting device package according to a fourteenth embodiment.
31 shows a light emitting device package according to a fifteenth embodiment.
32 shows a light emitting device package according to a sixteenth embodiment.
33 shows a light emitting device package according to a seventeenth embodiment.
34 shows a light emitting device package according to an eighteenth embodiment.
35 shows a light emitting device package according to a nineteenth embodiment.
36 shows a light emitting device package according to a twentieth embodiment.
37 shows a light emitting device package according to a twenty-first embodiment.
38 shows a light emitting device package according to a 22nd embodiment.
39 shows a light emitting device package according to a twenty-third embodiment.
40 shows a shape of an opening applied to a light emitting device package according to an embodiment.

이하 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is "on/over" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as being formed in, "on/over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criterion for the top/top or bottom of each layer is described based on the drawings, but the embodiment is not limited thereto.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package and a light emitting device package manufacturing method according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device will be described.

도 1 내지 도 4를 참조하여, 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여주고, 도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이고, 도 3은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 몸체의 리세스 및 개구부 그리고 반도체소자의 배치 관계를 설명하는 도면이며, 도4는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명하는 또 다른 분해 사시도이다.Referring to FIGS. 1 to 4 , the light emitting device package according to the first embodiment will be described. 1 shows a light emitting device package according to the first embodiment, FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating the light emitting device package according to the first embodiment, and FIG. 3 is a body of the light emitting device package according to the first embodiment. This is a view explaining the arrangement relationship between the recess and the opening and the semiconductor device, and FIG. 4 is another exploded perspective view illustrating the light emitting device package according to the first embodiment.

제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 4 , the light emitting device package 100 according to the first embodiment may include a body 110 and a light emitting device 120 .

몸체(110)는 제1 몸체(113)와 제2 몸체(117)를 포함할 수 있다. 제2 몸체(117)는 제1 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 제2 몸체(117)는 제1 몸체(113)의 상부 면 둘레에 배치될 수 있다. 제2 몸체(117)는 제1 몸체(113)의 상부 면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다.The body 110 may include a first body 113 and a second body 117 . The second body 117 may be disposed on the first body 113 . The second body 117 may be disposed around the upper surface of the first body 113 . The second body 117 may provide a cavity C on the upper surface of the first body 113 .

일 예로서, 제1 몸체(113)와 제2 몸체(117)은 서로 일체형으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 제1 몸체(113)와 제2 몸체(117)은 서로 별개로 형성된 후 결합될 수 있다. 이러한 결합을 위해, 제1 몸체(113)와 제2 몸체(117) 중 하나에는 걸림홈이 구비되고 다른 하나에는 걸림턱이 구비될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.As an example, the first body 113 and the second body 117 may be integrally formed with each other. As another example, the first body 113 and the second body 117 may be formed separately from each other and then combined. For this coupling, one of the first body 113 and the second body 117 may be provided with a locking groove and the other may be provided with a locking jaw, but this is not limited thereto.

다른 표현으로서, 제1 몸체(113)는 하부 몸체, 제2 몸체(117)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다. 또한, 실시예에 의하면, 몸체(110)는 캐비티(C)를 제공하는 제2 몸체(117)를 포함하지 않고, 평탄한 상부면을 제공하는 제1 몸체(113)만을 포함할 수도 있다.As another expression, the first body 113 may be referred to as a lower body, and the second body 117 may be referred to as an upper body. Also, according to the embodiment, the body 110 may include only the first body 113 providing a flat upper surface without including the second body 117 providing the cavity C.

제2 몸체(117)는 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 제2 몸체(117)는 제1 몸체(113)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.The second body 117 may reflect light emitted from the light emitting device 120 upward. The second body 117 may be inclined with respect to the upper surface of the first body 113 .

몸체(110)는 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 캐비티(C)는 바닥면과, 바닥면에서 몸체(110)의 상면으로 경사진 측면을 포함할 수 있다.Body 110 may include a cavity (C). The cavity C may include a bottom surface and a side surface inclined from the bottom surface to the top surface of the body 110 .

실시예에 의하면, 몸체(110)는 캐비티(C)를 갖는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the body 110 may be provided with a structure having a cavity (C), or may be provided with a structure with a flat top surface without a cavity (C).

예로서, 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 몸체(110)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러를 포함할 수 있다.For example, the body 110 may include polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide9T (PA9T), silicone, epoxy molding compound (EMC), silicone It may be formed of at least one selected from a group including a molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like. In addition, the body 110 may include a high refractive index filler such as TiO2 and SiO2.

실시예에 의하면, 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. According to the embodiment, the light emitting device 120 may include a first bonding portion 121 , a second bonding portion 122 , a light emitting structure 123 , and a substrate 124 .

발광소자(120)는, 기판(124) 아래에 배치된 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 제1 본딩부(121)는 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 본딩부(122)는 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 120 may include a light emitting structure 123 disposed under the substrate 124 . The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. The first bonding portion 121 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer. Also, the second bonding portion 122 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer.

발광소자(120)는 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 구체적으로, 발광소자(120)는 제1 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 발광소자(120)는 제2 몸체(117)에 의해 제공되는 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다. 따라서, 발광소자(120)는 제2 몸체(117)에 의해 둘러싸일 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed on the body 110 . Specifically, the light emitting device 120 may be disposed on the first body 113 . The light emitting device 120 may be disposed within the cavity C provided by the second body 117 . Accordingly, the light emitting device 120 may be surrounded by the second body 117 .

제1 본딩부(121)는 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 제2 본딩부(122)는 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding unit 121 may be disposed on a lower surface of the light emitting device 120 . The second bonding unit 122 may be disposed on a lower surface of the light emitting device 120 . The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120 .

제1 본딩부(121)는 발광 구조물(123)과 제1 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 제2 본딩부(122)는 발광 구조물(123)과 제1 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다.The first bonding unit 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first body 113 . The second bonding unit 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first body 113 .

제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 are Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au , Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Au / ITO using one or more materials or alloys selected from the group consisting of a single layer or It can be formed in multiple layers.

한편, 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100 according to the first embodiment may include a first opening TH1 and a second opening TH2 as shown in FIGS. 1 to 4 .

몸체(110)는 캐비티(C)의 바닥면에서 몸체(110), 구체적으로 제1 몸체(113)의 하면을 관통하는 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 몸체(110)는 캐비티(C)의 바닥면에서 몸체(110), 구체적으로 제1 몸체(113)의 하면을 관통하는 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.The body 110 may include a first opening TH1 penetrating the lower surface of the body 110, specifically, the first body 113 at the bottom surface of the cavity C. The body 110 may include a second opening TH2 penetrating the lower surface of the body 110, specifically, the lower surface of the first body 113 at the bottom surface of the cavity C.

제1 개구부(TH1)는 제1 몸체(113)에 제공될 수 있다. 제1 개구부(TH1)는 제1 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 제1 개구부(TH1)는 제1 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 제1 방향은 제1 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 방향일 수 있다. The first opening TH1 may be provided in the first body 113 . The first opening TH1 may be provided through the first body 113 . The first opening TH1 may be provided to pass through the upper and lower surfaces of the first body 113 in the first direction. The first direction may be a direction from the upper surface of the first body 113 to the lower surface.

제1 개구부(TH1)는 발광소자(120)의 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 제1 개구부(TH1)는 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 제1 개구부(TH1)는 제1 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 . The first opening TH1 may overlap the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 . The first opening TH1 may overlap the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first body 113 .

제2 개구부(TH2)는 제1 몸체(113)에 제공될 수 있다. 제2 개구부(TH2)는 제1 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 제2 개구부(TH2)는 제1 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. The second opening TH2 may be provided in the first body 113 . The second opening TH2 may be provided through the first body 113 . The second opening TH2 may be provided to pass through the upper and lower surfaces of the first body 113 in the first direction.

제2 개구부(TH2)는 발광소자(120)의 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 제2 개구부(TH2)는 발광소자(120)의 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 제2 개구부(TH2)는 제1 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 발광소자(120)의 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 . The second opening TH2 may overlap the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 . The second opening TH2 may overlap the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first body 113 .

제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)는 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other under the lower surface of the light emitting device 120 .

실시예에 의하면, 제1 본딩부(121)의 면적은 제1 개구부(TH1)의 면적과 동일하거나 이보다 클 수 있다. 제2 본딩부(122)의 면적은 제2 개구부(TH2)의 면적 동일하거나 이보다 클 수 있다. According to an embodiment, the area of the first bonding portion 121 may be equal to or greater than the area of the first opening TH1. An area of the second bonding portion 122 may be equal to or larger than that of the second opening TH2 .

실시예에 의하면, 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. According to the embodiment, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width of the first bonding portion 121 . Also, the width of the upper region of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the second bonding portion 122 .

또한, 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.Also, the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be smaller than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1. Also, the width of the upper region of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower region of the second opening TH2.

제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. The first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which a width gradually decreases from a lower area to an upper area. The second opening TH2 may be provided in an inclined shape in which a width gradually decreases from a lower area to an upper area.

다만 이에 한정하지 않고, 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다. 제1 몸체(113)의 하면 영역에서 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 제1 몸체(113)의 하면 영역에서 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and the inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different inclinations, and the inclined surfaces may be arranged with curvatures. A width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface area of the first body 113 may be several hundred micrometers. A width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface area of the first body 113 may be 100 micrometers to 150 micrometers.

이와 달리, 제1 및/또는 제2 개구부(TH1, TH2)는 제1 방향에 평행한 면을 가질 수 있다.Alternatively, the first and/or second openings TH1 and TH2 may have a surface parallel to the first direction.

제1 개구부(TH1)의 깊이(T1)는 제1 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 제1 개구부(TH1)의 깊이(T1)는 제1 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. The depth T1 of the first opening TH1 may correspond to the thickness of the first body 113 . The depth T1 of the first opening TH1 may be provided with a thickness capable of maintaining stable strength of the first body 113 .

예로서, 제1 개구부(TH1)의 깊이(T1)는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 제1 개구부(TH1)의 깊이(T1)는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 제1 개구부(TH1)의 깊이(T1)는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the depth T1 of the first opening TH1 may be several hundred micrometers. The depth T1 of the first opening TH1 may be 180 micrometers to 220 micrometers. For example, the depth T1 of the first opening TH1 may be 200 micrometers.

제1 몸체(113)의 하면 영역에서 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2) 사이의 간격은, 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 본딩부 간의 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.The distance between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface area of the first body 113 is such that the light emitting device package 100 according to the first embodiment is later mounted on a circuit board or a sub-mount. In this case, it may be selected to be provided at a certain distance or more in order to prevent a short between bonding parts from occurring.

제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(321)은 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the light emitting device package 100 according to the first embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322 . The first conductive layer 321 may be spaced apart from the second conductive layer 322 .

제1 도전층(321)은 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 제1 도전층(321)은 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 따라서, 제1 도전층(321)의 폭은 제1 개구부(TH1)의 상측으로부터 하측을 향해 커질 수 있다. 제1 개구부(TH1)의 상측에서의 제1 도전층(321)의 폭은 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1. The first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121 . Accordingly, the width of the first conductive layer 321 may increase from the upper side to the lower side of the first opening TH1. A width of the first conductive layer 321 above the first opening TH1 may be smaller than that of the first bonding portion 121 .

제1 본딩부(121)는 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 제1 본딩부(121)의 폭은 제1 개구부(TH1)의 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The first bonding portion 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening TH1 is formed. The width of the first bonding portion 121 may be greater than that of the first opening TH1 in the second direction.

제1 도전층(321)은 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 제1 도전층(321)은 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 도전층(321)은 제1 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121 . The first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121 . The first conductive layer 321 may be surrounded by the first body 113 .

제2 도전층(322)은 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 제2 도전층(322)은 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 따라서, 제2 도전층(322)의 폭은 제2 개구부(TH2)의 상측으로부터 하측을 향해 커질 수 있다. 제2 개구부(TH2)의 상측에서의 제2 도전층(322)의 폭은 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다. The second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. The second conductive layer 322 may be disposed below the second bonding portion 122 . Accordingly, the width of the second conductive layer 322 may increase from the upper side of the second opening TH2 toward the lower side. A width of the second conductive layer 322 on the upper side of the second opening TH2 may be smaller than that of the second bonding portion 122 .

제2 본딩부(122)는 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 제2 본딩부(122)의 폭은 제2 개구부(TH2)의 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.The second bonding portion 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening TH2 is formed. The width of the second bonding portion 122 may be greater than that of the second opening TH2 in the second direction.

제2 도전층(322)은 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 제2 도전층(322)은 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 도전층(322)은 제1 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.The second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122 . The second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122 . The second conductive layer 322 may be disposed surrounded by the first body 113 .

제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.The first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include one material selected from a group including Ag, Au, Pt, Sn, Cu, or the like, or an alloy thereof. However, it is not limited thereto, and materials capable of securing a conductive function may be used as the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 .

예로서, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste. The conductive paste may include solder paste, silver paste, and the like, and may be composed of multiple layers composed of different materials or multiple layers or single layers composed of alloys. For example, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a Sn-Ag-Cu (SAC) material.

실시예에 의하면, 제1 도전층(321)이 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 도전층(322)이 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)에 외부 전원이 공급될 수 있고, 이에 따라 발광소자(120)가 구동될 수 있다.According to the embodiment, the first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122 . For example, external power may be supplied to the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 , and thus the light emitting device 120 may be driven.

제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 리세스(R10, R11, R12)를 포함할 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)는 제1 몸체(113)의 상면, 즉 캐비티(C)의 바닥면에서 몸체(110)의 하면을 향해 오목하게 제공될 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)는 홈이나 그루브(groove)로 지칭될 수도 있다. As shown in FIGS. 1 to 4 , the light emitting device package 100 according to the first embodiment may include recesses R10 , R11 , and R12 . The recesses R10 , R11 , and R12 may be provided concavely from the top surface of the first body 113 , that is, the bottom surface of the cavity C toward the bottom surface of the body 110 . The recesses R10, R11 and R12 may also be referred to as grooves or grooves.

예로서, 리세스(R10, R11, R12)의 깊이(d1)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)의 깊이(d1)는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. As an example, the depth d1 of the recesses R10, R11 and R12 may be provided in several tens of micrometers. The depth d1 of the recesses R10, R11 and R12 may be provided in the range of 40 micrometers to 60 micrometers.

또한, 리세스(R10, R11, R12)의 폭(W4)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)의 폭(W4)은 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122) 간의 간격에 비해 좁게 제공될 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)의 폭(W4)은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 리세스(R10, R11, R12)의 폭(W4)은 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.Further, the width W4 of the recesses R10, R11, and R12 may be provided in hundreds of micrometers. The width W4 of the recesses R10 , R11 , and R12 may be narrower than the distance between the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . The width W4 of the recesses R10, R11, and R12 may be 140 micrometers to 160 micrometers. As an example, the width W4 of the recesses R10, R11, and R12 may be provided as 150 micrometers.

제1 리세스(R10)의 깊이는 제2 또는 제3 리세스(R11, R12)의 깊이와 상이할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The depth of the first recess R10 may be different from that of the second or third recesses R11 and R12, but is not limited thereto.

예컨대, 제1 리세스(R10)의 깊이(d1)는 제1 몸체(113)의 두께(T1)의 10% 내지 50%일 수 있다. 제1 리세스(R10)의 깊이(d1)는 제1 몸체(113)의 두께(T1)의 10% 이상인 경우, 나중에 제1 리세스(R10)에 제공되는 제1 수지(130)의 반사도를 증가시켜 발광소자(120)로부터 하부 방향으로 진행된 광이 제1 수지(130)를 경유하여 제1 몸체(113)로 입사되지 않도록 하여 광의 반사율이 향상될 수 있다. 제1 리세스(R10)의 깊이(d1)는 제1 몸체(113)의 두께(T1)의 50%이하인 경우, 제1 몸체(113)의 두께(T11-d1)의 두꺼움이 확보되어 안정적인 강도가 유지될 수 있다.For example, the depth d1 of the first recess R10 may be 10% to 50% of the thickness T1 of the first body 113 . When the depth d1 of the first recess R10 is 10% or more of the thickness T1 of the first body 113, the reflectivity of the first resin 130 provided in the first recess R10 later The reflectance of light may be improved by increasing the light emitting element 120 so that the light proceeding downward is not incident to the first body 113 via the first resin 130. When the depth d1 of the first recess R10 is 50% or less of the thickness T1 of the first body 113, the thickness of the first body 113 (T11-d1) is secured and stable strength is obtained. can be maintained.

제1 리세스(R10)는 제1 몸체(113)의 상부면에 제공될 수 있다. 제1 리세스(R10)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 제1 리세스(R10)의 일측은 제1 개구부(TH1)와 이격될 수 있다. 제1 리세스(R10)의 타측은 제2 개구부(TH2)와 이격될 수 있다. 제1 리세스(R10)의 일측은 제1 본딩부(121)와 이격될 수 있다. 제1 리세스(R10)의 타측은 제2 본딩부(122)와 이격될 수 있다. 제1 리세스(R10)는 제1 몸체(113)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 오목하게 제공될 수 있다.The first recess R10 may be provided on an upper surface of the first body 113 . The first recess R10 may be provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. One side of the first recess R10 may be spaced apart from the first opening TH1. The other side of the first recess R10 may be spaced apart from the second opening TH2. One side of the first recess R10 may be spaced apart from the first bonding portion 121 . The other side of the first recess R10 may be spaced apart from the second bonding portion 122 . The first recess R10 may be provided concavely in a first direction from the upper surface of the first body 113 to the lower surface.

제1 리세스(R10)는 발광소자(120) 아래에 제공될 수 있으며 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122) 사이의 제1 몸체(113) 상에 제공될 수 있다. 제1 리세스(R10)는 발광소자(120)에 아래에 발광소자(120)의 단축 방향으로 연장되어 제공될 수 있다.The first recess R10 may be provided below the light emitting device 120 and may be provided on the first body 113 between the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . The first recess R10 may be provided under the light emitting device 120 to extend in a direction of a short axis of the light emitting device 120 .

제2 리세스((R11)와 제3 리세스(R12)는 발광소자(120)의 둘레에 제공될 수 있다. 예컨대, 제2 리세스(R11)은 제1 개구부(TH1)와 인접한 제2 몸체(117)와 제1 개구부(TH1) 사이의 제1 몸체(113) 상에 제공될 수 있다. 예컨대, 제3 리세스(R12)는 제2 개구부(TH2)와 인접한 제2 몸체(117)과 제2 개구부(TH2) 사이의 제1 몸체(113) 상에 제공될 수 있다.The second recess (R11) and the third recess (R12) may be provided around the light emitting device 120. For example, the second recess (R11) may be a second recess (R11) adjacent to the first opening (TH1). It may be provided on the first body 113 between the body 117 and the first opening TH1. For example, the third recess R12 may be provided on the second body 117 adjacent to the second opening TH2. It may be provided on the first body 113 between the and the second opening TH2.

제2 리세스(R11)과 제3 리세스(R12)의 일부는 발광소자(120)과 중첩되도록 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Part of the second recess R11 and the third recess R12 may be disposed to overlap the light emitting device 120, but is not limited thereto.

일 예로서, 제2 리세스(R11)과 제3 리세스(R12)는 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 즉, 도 2에 도시한 바와 같이, 제2 리세스(R11)와 제3 리세스(R12)가 서로 이어져 폐루프 형상을 가질 수 있다. 이러한 경우, 제1 리세스(R10)은 제2 리세스(R11)와 제3 리세스(R12)에 의해 둘러싸일 수 있다. 즉, 제1 리세스(R10)은 제2 리세스(R11)와 제3 리세스(R12)에 의해 형성된 폐루프의 내측에 제공될 수 있다. 따라서, 제1 리세스(R10)은 제2 리세스(R11)과 제3 리세스(R12)로부터 이격되어 제공될 수 있다. 제1 개구부(TH1)과 제2 개구부(TH2) 또한 제2 리세스(R11)와 제3 리세스(R12)에 의해 형성된 폐루프의 내측에 제공될 수 있다.As an example, the second recess R11 and the third recess R12 may be provided under the light emitting device 120 in a closed loop shape. That is, as shown in FIG. 2 , the second recess R11 and the third recess R12 may be connected to each other to have a closed loop shape. In this case, the first recess R10 may be surrounded by the second recess R11 and the third recess R12. That is, the first recess R10 may be provided inside the closed loop formed by the second recess R11 and the third recess R12. Accordingly, the first recess R10 may be provided to be spaced apart from the second recess R11 and the third recess R12. The first opening TH1 and the second opening TH2 may also be provided inside the closed loop formed by the second recess R11 and the third recess R12.

다른 예로서, 제2 리세스(R11)과 제3 리세스(R12)는 제1 리세스(R10)와 서로 이어져 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 즉, 제2 리세스(R11)과 제1 리세스(R10)에 의해 제1 폐루프 형상이 형성되고, 제3 리세스(R12)와 제1 리세스(R10)에 의해 제2 폐루프 형상이 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제1 개구부(TH1)은 제2 리세스(R11)과 제1 리세스(R10)에 의해 둘러싸이고, 제2 개구부(TH2)는 제3 리세스(R12)와 제1 리세스(R10)에 의해 둘러싸일 수 있다. 다시 말하면, 제1 개구부(TH1)는 제1 폐루프 내측에 제공되고 제2 개구부(TH2)는 제2 폐루프 내측에 제공될 수 있다. 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 수지(130, 131, 132)를 포함할 수 있다. As another example, the second recess R11 and the third recess R12 may be connected to the first recess R10 and provided in a closed loop shape. That is, the first closed loop shape is formed by the second recess R11 and the first recess R10, and the second closed loop shape is formed by the third recess R12 and the first recess R10. can be formed. In this case, the first opening TH1 is surrounded by the second recess R11 and the first recess R10, and the second opening TH2 is formed by the third recess R12 and the first recess ( R10) may be surrounded by In other words, the first opening TH1 may be provided inside the first closed loop and the second opening TH2 may be provided inside the second closed loop. As shown in FIG. 1 , the light emitting device package 100 according to the first embodiment may include resins 130 , 131 , and 132 .

수지(130, 131, 132)는 리세스(R10, R11, R12)에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 수지(130)은 제1 리세스(R10)에 제공될 수 있다. 예컨대, 제2 수지(131)은 제2 리세스(R11)에 제공될 수 있다. 예컨대, 제3 수지(132)는 제3 리세스(R12)에 제공될 수 있다. 예컨대, 제1 수지(130)는 제1 리세스(R10)에 제공되고 또한 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122) 사이의 제1 몸체(113) 상에 제공될 수 있다. 예컨대, 제2 수지(131)는 제2 리세스(R11)에 제공되고 또한 제1 본딩부(121)와 발광소자(120)의 일측 끝단 사이의 제1 몸체(113) 상에 제공될 수 있다. 예컨대, 제3 수지(132)는 제3 리세스(R12)에 제공되고 또한 제2 본딩부(122)와 발광소자(120)의 타측 끝단 사이의 제1 몸체(113) 상에 제공될 수 있다. The resins 130, 131, and 132 may be disposed in the recesses R10, R11, and R12. For example, the first resin 130 may be provided in the first recess R10. For example, the second resin 131 may be provided in the second recess R11. For example, the third resin 132 may be provided in the third recess R12. For example, the first resin 130 may be provided in the first recess R10 and also provided on the first body 113 between the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . For example, the second resin 131 may be provided in the second recess R11 and may be provided on the first body 113 between the first bonding portion 121 and one end of the light emitting element 120. . For example, the third resin 132 may be provided in the third recess R12 and also provided on the first body 113 between the second bonding portion 122 and the other end of the light emitting element 120. .

일 예로, 제1 수지(130)은 제2 수지(131) 또는 제3 수지(132)의 물질과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 리세스(R10)이 제2 또는 제3 리세스(R11, R12)와 서로 격리되어 제공되는 경우, 제1 수지(130)은 제1 리세스(R10)에 제공되고, 제2 수지(131)는 제2 리세스(R11)에 제공되며, 제3 수지(132)는 제3 리세스(R12)에 제공될 수 있다. 제2 수지(131)와 제3 수지(132)는 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다. For example, the first resin 130 may include a material different from that of the second resin 131 or the third resin 132 . As shown in FIG. 2 , when the first recess R10 is provided to be separated from the second or third recesses R11 and R12, the first resin 130 is provided in the first recess R10 , the second resin 131 may be provided in the second recess R11 , and the third resin 132 may be provided in the third recess R12 . The second resin 131 and the third resin 132 may include the same material as each other.

다른 예로, 제1 수지(130)은 제2 수지(131) 또는 제3 수지(132)의 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제3 리세스(R10, R11, R12)가 서로 이어져 폐루프 형상이 제공되는 경우, 제1 내지 제3 리세스(R10, R11, R12)에 동일한 물질을 포함하는 수지가 제공될 수 있다. 따라서, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132) 또한 폐루프 형상을 가질 수 있다. As another example, the first resin 130 may include the same material as that of the second resin 131 or the third resin 132 . As shown in FIG. 4, when the first to third recesses R10, R11, and R12 are connected to each other to provide a closed loop shape, the first to third recesses R10, R11, and R12 are made of the same material. A resin containing may be provided. Accordingly, the first to third resins 130, 131, and 132 may also have a closed loop shape.

제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 절연층, 반사층, 절연 반사층 및/또는 접착층으로 지칭될 수도 있다. The first to third resins 130, 131, and 132 may be referred to as an insulating layer, a reflective layer, an insulating reflective layer, and/or an adhesive layer.

예로서, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. For example, the first to third resins 130, 131, and 132 may include an insulating material. Specifically, the first to third resins 130, 131, and 132 are an epoxy-based material, a silicone-based material, or a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. At least one of them may be included. In addition, the first to third resins 130 , 131 , and 132 may reflect light emitted from the light emitting device 120 .

예로서, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 반사 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 고반사 기능을 갖는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광소자(120)에서 하부 방향으로 진행된 광을 상부 방향으로 반사시켜 광 효율이 향상될 수 있다. 반사율을 강화하기 위해, 화이트 실리콘에 예컨대, TiO2, SiO2 등과 같은 산란입자가 추가될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예로서, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 고반사 기능을 갖는 화이트 실리콘과 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 파장변환 물질로는 형광체(phosphor)나 양자점(quantum dot)이 사용될 수 있다. 어떤 형광체나 양자점을 사용하느냐에 따라 예컨대 청색파장의 광, 녹색파장의 광 또는 적색파장의 광으로 변환될 수 있다. 화이트 실리콘과 파장변환 물질이 포함된 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)에 의해 발광소자(120)에서 하부 방향으로 진행된 광이 상부 방향으로 반사될 뿐만 아니라 하부 방향으로 진행된 광의 일부가 다른 파장의 광으로 변환될 수 있다. 따라서, 광 효율이 향상되고 높은 색재현율이 구현될 수 있다. 예로서, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 고반사 기능을 갖는 화이트 실리콘과 K2SiF6:Mn4+(이하, KSF)을 포함할 수 있다. KSF는 적색 형광체일 수 있다. For example, the first to third resins 130, 131, and 132 may include a reflective material. Specifically, the first to third resins 130, 131, and 132 may include white silicone having a high reflection function. Accordingly, light that has progressed in a downward direction from the light emitting device 120 is reflected in an upward direction, thereby improving light efficiency. In order to enhance the reflectance, scattering particles such as TiO2 and SiO2 may be added to the white silicon, but this is not limited thereto. For example, the first to third resins 130, 131, and 132 may include white silicon having a high reflection function and a wavelength conversion material. A phosphor or quantum dot may be used as the wavelength conversion material. Depending on which phosphor or quantum dot is used, it can be converted into, for example, blue-wavelength light, green-wavelength light, or red-wavelength light. The light traveling downward from the light emitting device 120 is reflected upward by the first to third resins 130, 131, and 132 including white silicon and a wavelength conversion material, and a part of the light traveling downward is reflected. It can be converted to other wavelengths of light. Therefore, light efficiency can be improved and a high color gamut can be implemented. For example, the first to third resins 130, 131, and 132 may include white silicon having a high reflection function and K2SiF6:Mn4+ (hereinafter referred to as KSF). KSF may be a red phosphor.

제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 발광소자(120)와 제1 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 제2 및 제3 수지(131, 132)는 예로서 제1 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 제2 및 제3 수지(131, 132)는 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The first to third resins 130 , 131 , and 132 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the first body 113 . For example, the second and third resins 131 and 132 may be disposed in direct contact with the upper surface of the first body 113 . In addition, the second and third resins 131 and 132 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120 .

한편, 리세스(R10, R11, R12)의 깊이(d1)는 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)의 깊이(d1)는 40 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 제공될 수 있다. Meanwhile, the depth d1 of the recesses R10, R11, and R12 may be provided in several tens of micrometers. The depth d1 of the recesses R10, R11 and R12 may be provided in the range of 40 micrometers to 60 micrometers.

또한, 리세스(R10, R11, R12)의 폭(W3)은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)의 폭(W3)은 140 마이크로 미터 내지 160 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 리세스(R10, R11, R12)의 폭(W3)은 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.Further, the width W3 of the recesses R10, R11, and R12 may be provided in hundreds of micrometers. The width W3 of the recesses R10, R11, and R12 may be 140 micrometers to 160 micrometers. As an example, the width W3 of the recesses R10, R11, and R12 may be provided as 150 micrometers.

실시예에 의하면, 제1 개구부(TH1)의 깊이(T1)는 리세스(R10, R11, R12)의 깊이(d1)에 대해 2 배 내지 10 배로 제공될 수 있다. 예로서, 제1 개구부(TH1)의 깊이(T1)가 200 마이크로 미터로 제공되는 경우, 리세스(R10, R11, R12)의 깊이(d1)는 20 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터로 제공될 수 있다.According to the exemplary embodiment, the depth T1 of the first opening TH1 may be 2 to 10 times the depth d1 of the recesses R10, R11 and R12. For example, when the depth T1 of the first opening TH1 is 200 micrometers, the depth d1 of the recesses R10, R11 and R12 may be 20 micrometers to 100 micrometers. .

리세스(R10, R11, R12)에 제공된 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)에 의하여 발광소자(120)의 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 외부로부터 밀봉될 수 있게 된다. 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 리세스(R10, R11, R12)의 형상을 따라 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 제1 내지 제3 리세스(R10, R11, R12)에 대응되는 형상으로 제공될 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)는 사각 형상의 폐루프로 제공될 수도 있으며, 원형 또는 타원 형상의 폐루프로 제공될 수도 있다.The first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 may be sealed from the outside by the first to third resins 130, 131, and 132 provided in the recesses R10, R11, and R12. there will be The first to third resins 130 , 131 , and 132 may be provided under the light emitting device 120 in a closed loop shape. That is, the first to third resins 130 , 131 , and 132 may be provided in a closed loop shape along the shape of the recesses R10 , R11 , and R12 as shown in FIGS. 2 to 4 . That is, the first to third resins 130 , 131 , and 132 may be provided in shapes corresponding to the first to third recesses R10 , R11 , and R12 . The recesses R10, R11, and R12 may be provided in a closed loop shape of a square shape, or may be provided in a closed loop shape of a circle or an ellipse.

또한, 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 몰딩부(140)를 포함할 수 있다. 몰딩부(140)는 수지로 지칭될 수도 있다. In addition, the light emitting device package 100 according to the first embodiment may include a molding part 140 as shown in FIG. 1 . The molding part 140 may also be referred to as resin.

몰딩부(140)는 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 몰딩부(140)는 제1 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 몰딩부(140)는 제2 몸체(117)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.The molding part 140 may be provided on the light emitting device 120 . The molding part 140 may be disposed on the first body 113 . The molding part 140 may be disposed in the cavity C provided by the second body 117 .

몰딩부(140)는 실리콘이나 에폭시와 같은 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 몰딩부(140)는 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 몰딩부(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다. 형광체로는 MGF가 사용될 수 있다. 예컨대, MGF는 MgF2:Mn2+, (Zn, Mg)F2:Mn2+, (K,Mg)F2:Mn2+일 수 있다. The molding part 140 may include an insulating material such as silicon or epoxy. In addition, the molding unit 140 may include a wavelength conversion means for receiving light emitted from the light emitting device 120 and providing wavelength-converted light. For example, the molding part 140 may include a phosphor or a quantum dot. MGF may be used as the phosphor. For example, MGF may be MgF2:Mn2+, (Zn, Mg)F2:Mn2+, or (K,Mg)F2:Mn2+.

또한, 실시예에 의하면, 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.Also, according to the embodiment, the light emitting structure 123 may be provided as a compound semiconductor. The light emitting structure 123 may be provided as, for example, a Group 2-6 or Group 3-5 compound semiconductor. For example, the light emitting structure 123 may be provided by including at least two or more elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As), and nitrogen (N). can

발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer.

제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤≤x≤≤1, 0≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity type semiconductor layers may be implemented with at least one of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductors. The first and second conductivity-type semiconductor layers are formed of, for example, a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤≤x≤≤1, 0≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1) It can be. For example, the first and second conductivity type semiconductor layers may include at least one selected from a group including GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. The first conductivity-type semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. The second conductivity-type semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.

활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1-x-yN (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be implemented as a compound semiconductor. For example, the active layer may be implemented with at least one of group 3-5 or group 2-6 compound semiconductors. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of well layers and a plurality of barrier layers alternately disposed, and InxAlyGa1-x-yN (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤ ≤1, 0≤≤x+y≤≤1) may be arranged as a semiconductor material having a composition formula. For example, the active layer may include at least one selected from the group consisting of InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, and InP/GaAs. may contain one.

실시예에 의하면, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 발광소자(120)를 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 몰딩부(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다. According to the embodiment, the first to third resins 130 , 131 , and 132 may stably fix the light emitting device 120 to the body 110 . When viewed from the top of the light emitting device 120, the first to third resins 130, 131, and 132 are configured such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from the outer region where the molding part 140 is provided. can be placed.

제2 및 제3 수지(131, 132)는 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 또한, 제2 및 제3 수지(131, 132)는 발광소자(120)의 하면의 일부 영역에 접촉되도록 배치될 수 있다. 따라서, 제2 및 제3 수지(131, 132)에 의해 발광소자(120)과 제1 및 제2 본딩부(121, 122)가 안정적으로 고정될 수 있다. The second and third resins 131 and 132 may contact side surfaces of the first and second bonding parts 121 and 122 and may be disposed around the first and second bonding parts 121 and 122 . In addition, the second and third resins 131 and 132 may be disposed to contact a partial area of the lower surface of the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitting device 120 and the first and second bonding parts 121 and 122 may be stably fixed by the second and third resins 131 and 132 .

제2 및 제3 수지(131, 132)에 의하여, 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제2 및 제3 리세스(R11, R12)의 폐루프를 벗어나 발광소자(120)의 외측 방향으로 흐르는 것이 방지될 수 있다.The first and second conductive layers 321 and 322 provided in the first and second openings TH1 and TH2 by the second and third resins 131 and 132 form the second and third recesses R11, R12) may be prevented from flowing outward of the light emitting device 120 out of the closed loop.

발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 발광소자(120)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 발광소자(120)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 발광소자(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 또한, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 발광소자(120)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다.When viewed from the upper direction of the light emitting element 120, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved outward of the light emitting element 120, the first and second conductive layers 321 and 322 It may also diffuse along the side of the light emitting element 120 . In this way, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer of the light emitting device 120 are electrically connected. may be short-circuited. In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting element 120, light extraction efficiency of the light emitting element 120 may decrease.

그러나, 실시예에 의하면, 제2 및 제3 수지(131, 132)에 의하여 제2 및 제3 리세스(R11, R12)가 제공된 영역을 기준으로, 내부와 외부가 격리될 수 있으므로, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제2 및 제3 리세스(R11, R12)가 제공된 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.However, according to the embodiment, since the inside and outside can be isolated based on the region where the second and third recesses R11 and R12 are provided by the second and third resins 131 and 132, the first In addition, the second conductive layers 321 and 322 may be prevented from moving outward beyond the region where the second and third recesses R11 and R12 are provided.

따라서, 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다. Therefore, according to the light emitting device package 100 according to the first embodiment, the movement of the first and second conductive layers 321 and 322 to the side of the light emitting device 120 can be prevented, and the light emitting device 120 ) is prevented from being electrically shorted and light extraction efficiency can be improved.

또한, 실시예에 의하면, 제1 리세스(R10)에 제공된 제1 수지(130)가 발광소자(120)의 하부면, 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 및 제1 몸체(113)에 의해 둘러싸일 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제1 수지(130)에 의하여 밀봉될 수 있다.In addition, according to the embodiment, the first resin 130 provided in the first recess R10 is the lower surface of the light emitting device 120, the first and second bonding parts 121 and 122, and the first body 113 ) can be surrounded by Accordingly, the first and second openings TH1 and TH2 may be sealed by the first resin 130 .

이와 같이, 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 제1 수지(130)에 의하여 밀봉될 수 있으므로, 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제1 몸체(113)의 상부면 위로 이동되는 것이 방지될 수 있다.As such, since the first and second openings TH1 and TH2 can be sealed by the first resin 130, the first and second conductive layers 321 provided in the first and second openings TH1 and TH2 , 322) can be prevented from moving onto the upper surface of the first body 113.

한편, 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)의 양이 충분하게 제공되지 못하는 경우, 발광소자(120) 아래에 위치된 영역(A1)에 배치된 제1 수지(130)에 의하여 채워지지 않고 일부 영역이 제2 및 제3 리세스(R11, R12)로 이동될 수 있다. 이러한 경우, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제1 수지(130)가 빠져나간 제1 리세스(R10)의 빈 공간으로 확산되어 이동되어 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락될 수도 있다.Meanwhile, when the amount of the first to third resins 130, 131, and 132 is not sufficiently provided, the area A1 located under the light emitting element 120 is filled by the first resin 130 disposed in the area A1. Some regions may be moved to the second and third recesses R11 and R12 without being lost. In this case, the first and second conductive layers 321 and 322 are diffused and moved into the empty space of the first recess R10 through which the first resin 130 escaped, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 321 are diffused. The conductive layer 322 may be electrically shorted.

그러나, 실시예에 따른 제1 몸체(113)의 물성과 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 물성을 선택함에 있어, 서로 접착성이 좋지 않은 물성을 선택함으로써, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제1 몸체(113)의 상부면에서 확산되는 거리를 제한할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제1 몸체(113)의 상부면에서 이동되는 거리가 제어될 수 있으므로, 제1 영역(A1)에서 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 전기적으로 단락되는 것이 방지될 수 있다.However, in selecting the physical properties of the first body 113 and the first and second conductive layers 321 and 322 according to the embodiment, by selecting physical properties having poor adhesion to each other, the first and second conductive layers 321 and 322 are selected. The diffusion distance of the conductive layers 321 and 322 from the upper surface of the first body 113 may be limited. Accordingly, since the moving distance of the first and second conductive layers 321 and 322 on the upper surface of the first body 113 can be controlled, the first conductive layer 321 and the first conductive layer 321 in the first area A1 Electrical shorting of the second conductive layer 322 may be prevented.

도 5 내지 도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하는 도면이다.5 to 8 are diagrams for explaining a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.

도 5 내지 도 8을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment with reference to FIGS. 5 to 8 , descriptions of items overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 4 may be omitted.

먼저, 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 몸체(110)가 제공될 수 있다.First, according to the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment, as shown in FIG. 5 , the body 110 may be provided.

몸체(110)는 제1 몸체(113)와 제2 몸체(117)를 포함할 수 있다. 몸체(110)는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 또한, 몸체(110)는 리세스(R10, R11, R12)를 포함할 수 있다.The body 110 may include a first body 113 and a second body 117 . The body 110 may include a first opening TH1 and a second opening TH2. In addition, the body 110 may include recesses R10, R11, and R12.

제1 개구부(TH1)는 제1 몸체(113)에 제공될 수 있다. 제1 개구부(TH1)는 제1 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 제1 개구부(TH1)는 제1 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The first opening TH1 may be provided in the first body 113 . The first opening TH1 may be provided through the first body 113 . The first opening TH1 may be provided to pass through the upper and lower surfaces of the first body 113 in a first direction.

제1 개구부(TH1)에 제1 도전층(321)이 제공되고, 제2 개구부(TH2)에 제2 도전층(322)가 제공될 수 있다. A first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1 , and a second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2 .

제2 개구부(TH2)는 제1 몸체(113)에 제공될 수 있다. 제2 개구부(TH2)는 제1 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 제2 개구부(TH2)는 제1 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be provided in the first body 113 . The second opening TH2 may be provided through the first body 113 . The second opening TH2 may be provided to pass through the upper and lower surfaces of the first body 113 in the first direction.

제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. The first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other.

리세스(R10, R11, R12)는 제1 몸체(113)에 제공될 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)는 제1 몸체(113)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)는 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 예로서, 리세스(R10, R11, R12)는 발광소자(120) 아래에 폐루프 형상으로 제공될 수 있다. The recesses R10 , R11 , and R12 may be provided in the first body 113 . The recesses R10 , R11 , and R12 may be provided concavely from the upper surface of the first body 113 to the lower surface thereof. The recesses R10 , R11 , and R12 may be disposed below the light emitting device 120 . For example, the recesses R10 , R11 , and R12 may be provided below the light emitting device 120 in a closed loop shape.

다음으로, 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 리세스(R10, R11, R12)에 수지물질(130a)가 제공될 수 있다.Next, according to the manufacturing method of the light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIG. 6 , the resin material 130a may be provided in the recesses R10 , R11 , and R12 .

수지물질(130a)은 리세스(R10, R11, R12)에 도팅(dotting) 방식 등을 통하여 제공될 수 있다. 예로서, 수지물질(130a)은 리세스(R10, R11, R12)에 일정량 제공될 수 있으며, 리세스(R10, R11, R12)를 넘치도록 제공될 수 있다. 그리고, 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 몸체(113) 위에 발광소자(120)가 제공될 수 있다. The resin material 130a may be provided to the recesses R10, R11, and R12 through a dotting method or the like. For example, a predetermined amount of the resin material 130a may be provided to the recesses R10, R11, and R12, and may be provided to overflow the recesses R10, R11, and R12. In addition, according to the manufacturing method of the light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIG. 7 , the light emitting device 120 may be provided on the first body 113 .

실시예에 의하면, 발광소자(120)가 제1 몸체(113) 위에 배치되는 과정에서 리세스(R10, R11, R12)는 일종의 정렬키(align key) 역할을 하도록 활용될 수도 있다.According to the embodiment, in the process of disposing the light emitting device 120 on the first body 113, the recesses R10, R11, and R12 may be utilized to serve as a kind of align key.

발광소자(120)가 제1 몸체(113) 및/또는 수지물질(130a)에 접촉되도록 가압된 후 수지물질(130a)이 경화됨으로써, 수지물질(130a)이 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)로 변경될 수 있다. After the light emitting element 120 is pressed to come into contact with the first body 113 and/or the resin material 130a, the resin material 130a is cured, so that the resin material 130a is formed by the first to third resins 130, 131, 132).

이러한 경우, 발광소자(120)는 수지(130, 131, 132)에 의하여 제1 몸체(113)에 고정될 수 있다. 리세스(R10, R11, R12)에 제공된 수지(130, 131, 132)의 일부는 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122) 방향으로 이동되어 경화될 수 있다. 이에 따라, 발광소자(120)의 하면과 제1 몸체(113)의 상면 사이의 넓은 영역에 수지(130, 131, 132)가 제공될 수 있으며, 발광소자(120)와 제1 몸체(113) 간의 고정력이 향상될 수 있게 된다.In this case, the light emitting device 120 may be fixed to the first body 113 by resins 130, 131, and 132. A portion of the resins 130 , 131 , and 132 provided in the recesses R10 , R11 , and R12 may be moved in the direction of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 and cured. Accordingly, the resins 130, 131, and 132 may be provided in a wide area between the lower surface of the light emitting element 120 and the upper surface of the first body 113, and the light emitting element 120 and the first body 113 The fixation force of the liver can be improved.

제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)는 반사물질로 형성됨으로써, 발광소자(120)로부터 하부 방향으로 진행된 광을 상부 방향으로 반사시켜 광 효율이 향상될 수 있다. 실시예에 의하면, 제1 개구부(TH1)는 발광소자(120)의 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 제1 개구부(TH1)는 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 제1 개구부(TH1)는 제1 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.Since the first to third resins 130 , 131 , and 132 are formed of a reflective material, light traveling downward from the light emitting device 120 is reflected upward to improve light efficiency. According to the embodiment, the first opening TH1 may be disposed under the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 . The first opening TH1 may overlap the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 . The first opening TH1 may overlap the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first body 113 .

제2 개구부(TH2)는 발광소자(120)의 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 제2 개구부(TH2)는 발광소자(120)의 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 제2 개구부(TH2)는 제1 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 발광소자(120)의 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.The second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 . The second opening TH2 may overlap the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 . The second opening TH2 may overlap the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction from the upper surface to the lower surface of the first body 113 .

수지(130, 131, 132)는 발광소자(120)를 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 수지(130, 131, 132)는 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 수지(130, 131, 132)는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 몰딩부(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다.The resins 130 , 131 , and 132 may stably fix the light emitting device 120 to the body 110 . In addition, the resins 130 , 131 , and 132 may contact side surfaces of the first and second bonding parts 121 and 122 and may be disposed around the first and second bonding parts 121 and 122 . When viewed from the top of the light emitting device 120, the resins 130, 131, and 132 may be disposed such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from an outer region where the molding part 140 is provided.

다음으로, 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 8에 도시된 바와 같이, 발광소자(120) 위에 몰딩부(140)가 제공될 수 있다. 몰딩부(140)는 몸체(110)의 캐비디(C)에 제공될 수 있다. Next, according to the manufacturing method of the light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIG. 8 , a molding unit 140 may be provided on the light emitting device 120 . The molding part 140 may be provided in the cavity C of the body 110 .

이상에서는 도 5에서 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 각각에 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제공되는 것이 도시되고 있지만, 이에 한정하지 않는다. 즉, 제1 및 제2 도전층(321, 322)는 도 8에서 몰딩부(140)이 형성되기 전이나 후에 형성될 수도 있다. In the above, although it has been illustrated in FIG. 5 that the first and second conductive layers 321 and 322 are provided in the first and second openings TH1 and TH2, respectively, it is not limited thereto. That is, the first and second conductive layers 321 and 322 may be formed before or after the molding part 140 is formed in FIG. 8 .

제1 및 제2 도전층(321, 322)는 코팅 방식에 의해 직접 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 형성될 수도 있고, 미리 제1 및 제2 도전층(321, 322)가 별도로 제작된 후, 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 삽입 고정될 수도 있다. 이때, 접착력을 갖는 금속층을 이용하여 제1 및 제2 도전층(321, 322)가 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내의 제1 몸체(113)에 고정될 수 있다. The first and second conductive layers 321 and 322 may be directly formed in the first and second openings TH1 and TH2 by a coating method, or the first and second conductive layers 321 and 322 may be separately formed in advance. After fabrication, it may be inserted and fixed into the first and second openings TH1 and TH2. In this case, the first and second conductive layers 321 and 322 may be fixed to the first body 113 in the first and second openings TH1 and TH2 by using a metal layer having adhesive strength.

도 9는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다. 9 shows a light emitting device package according to a second embodiment.

제2 실시예는 금속층(431, 432)를 제외하고는 제1 실시예와 동일하다. 따라서, 제2 실시예에서 제1 실시예와 동일한 기능, 구조 또는 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. 제2 실시예에서 누락된 설명은 제1 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.The second embodiment is the same as the first embodiment except for the metal layers 431 and 432 . Therefore, in the second embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same function, structure, or shape as those in the first embodiment, and detailed descriptions thereof will be omitted. Descriptions omitted in the second embodiment can be easily understood from the first embodiment.

도 9에 도시한 바와 같이, 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지(100A)는 금속층(431, 432)을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 9 , the light emitting device package 100A according to the second embodiment may include metal layers 431 and 432 .

금속층(431, 432)은 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 제1 금속층(431)은 제1 개구부(TH1)의 내면에 제공되고, 제2 금속층(432)은 제2 개구부(TH2)의 내면에 제공될 수 있다. 즉, 제1 금속층(431)은 제1 개구부(TH1)의 내면의 둘레를 따라 제공되고, 제2 금속층(432)은 제2 개구부(TH2)의 내면의 둘레를 따라 제공될 수 있다. The metal layers 431 and 432 may be provided in the first opening TH1 and the second opening TH2. The first metal layer 431 may be provided on an inner surface of the first opening TH1, and the second metal layer 432 may be provided on an inner surface of the second opening TH2. That is, the first metal layer 431 may be provided along the circumference of the inner surface of the first opening TH1, and the second metal layer 432 may be provided along the circumference of the inner surface of the second opening TH2.

제1 도전층(321)은 제1 개구부(TH1)에 제공되고, 제2 도전층(322)은 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 이러한 경우, 제1 금속층(431)은 제1 몸체(113)와 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 제2 금속층(432)는 제1 몸체(113)와 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1 and the second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. In this case, the first metal layer 431 may be disposed between the first body 113 and the first conductive layer 321 . The second metal layer 432 may be disposed between the first body 113 and the second conductive layer 322 .

제1 금속층(431)의 일부는 제1 몸체(113)의 하면에 제공되고, 제2 금속층(432)의 일부는 제1 몸체(113)의 하면에 제공될 수 있다. 제1 몸체(113)의 하면에 배치된 제1 금속층(431)의 일부와 제2 금속층(432)의 일부는 서로 이격되어 배치될 수 있다. A part of the first metal layer 431 may be provided on the lower surface of the first body 113 and a part of the second metal layer 432 may be provided on the lower surface of the first body 113 . A part of the first metal layer 431 and a part of the second metal layer 432 disposed on the lower surface of the first body 113 may be spaced apart from each other.

금속층(430)은 몸체(110)와 접착력이 좋은 물성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 또한, 금속층(430)은 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력이 좋은 물성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The metal layer 430 may be formed of a material having good adhesion to the body 110 . In addition, the metal layer 430 may be formed of a material having good adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322 .

이에 따라, 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에서 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제1 및 제2 금속층(431, 432)에 의해 제1 몸체(113)에 안정적으로 고정될 수 있다. Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 are stably attached to the first body 113 by the first and second metal layers 431 and 432 within the first and second openings TH1 and TH2. can be fixed as

한편, 이상에서 설명된 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A)의 경우, 각 본딩부(121, 122) 아래에 하나의 개구부가 제공된 경우를 기준으로 설명되었다. Meanwhile, in the case of the light emitting device packages 100 and 100A according to the embodiment described above, description has been made based on a case in which one opening is provided under each bonding portion 121 and 122 .

그러나, 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A)에 의하면, 각 본딩부(121, 122) 아래에 복수의 개구부가 제공될 수도 있다. 또한, 복수의 개구부는 서로 다른 폭 또는 직경을 가질 수있다.However, according to the light emitting device packages 100 and 100A according to other embodiments, a plurality of openings may be provided under the respective bonding portions 121 and 122 . Also, the plurality of openings may have different widths or diameters.

또한, 실시예에 따른 개구부의 형상은 다양한 형상으로 제공될 수도 있다.In addition, the shape of the opening according to the embodiment may be provided in various shapes.

예를 들어, 실시예에 따른 개구부는 상부 영역으로부터 하부 영역까지 동일한 폭으로 제공될 수도 있다.For example, the opening according to the embodiment may be provided with the same width from the upper region to the lower region.

또한, 실시예에 따른 개구부는 다단 구조의 형상으로 제공될 수도 있다. 예로서, 개구부는 2단 구조의 서로 다른 경사각을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다. 또한, 개구부는 3단 이상의 서로 다른 경사각을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다.Also, the opening according to the embodiment may be provided in a multi-stage structure. For example, the opening may be provided in a two-stage structure having different inclination angles. In addition, the opening may be provided in a shape having three or more stages and different inclination angles.

또한, 개구부는 상부 영역에서 하부 영역으로 가면서 폭이 변하는 형상으로 제공될 수도 있다. 예로서, 개구부는 상부 영역에서 하부 영역으로 가면서 곡률을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다.In addition, the opening may be provided in a shape in which the width changes from the upper region to the lower region. For example, the opening may be provided in a shape having a curvature going from an upper region to a lower region.

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A)에 의하면, 몸체(110)는 상면이 평탄한 제1 몸체(113)만을 포함하고, 제1 몸체(113) 위에 배치된 제2 몸체(117)를 포함하지 않도록 제공될 수도 있다.In addition, according to the light emitting device packages 100 and 100A according to the embodiment, the body 110 includes only the first body 113 having a flat upper surface, and the second body 117 disposed on the first body 113 It may be provided so as not to include.

도 10은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다. 10 shows a light emitting device package according to a third embodiment.

제3 실시예는 제1 및 제2 실시예(도 1 내지 도 9)의 발광소자 패키지(100, 100A)가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다. 예로서, 제3 실시예에 따라 회로 기판(310)에 실장되는 발광소자 패키지(100B)는 조명 장치에 사용될 수 있다.The third embodiment shows an example in which the light emitting device packages 100 and 100A of the first and second embodiments ( FIGS. 1 to 9 ) are mounted on a circuit board 310 and supplied. For example, the light emitting device package 100B mounted on the circuit board 310 according to the third embodiment may be used in a lighting device.

제3 실시예에서 제1 실시예 및/또는 제2 실시예와 동일한 기능, 구조 또는 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. 제3 실시예에서 누락된 설명은 제1 및 제2 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.In the third embodiment, the same reference numerals are given to components having the same functions, structures, or shapes as those of the first and/or second embodiments, and detailed descriptions thereof will be omitted. The description omitted in the third embodiment can be easily understood from the first and second embodiments.

도 10을 참조하여 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(100B)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing the light emitting device package 100B according to the third embodiment with reference to FIG. 10 , descriptions of items overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 9 may be omitted.

제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(100B)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 10 , the light emitting device package 100B according to the third embodiment may include a circuit board 310 , a body 110 , and a light emitting device 120 .

회로기판(310)은 제1 패드(311), 제2 패드(312), 지지기판(313)을 포함할 수 있다. 지지기판(313)에 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The circuit board 310 may include a first pad 311 , a second pad 312 , and a support substrate 313 . A power supply circuit for controlling driving of the light emitting device 120 may be provided on the support substrate 313 .

몸체(110)는 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 제1 패드(311)와 제1 본딩부(121)가 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 패드(312)와 제2 본딩부(122)가 전기적으로 연결될 수 있다.The body 110 may be disposed on the circuit board 310 . The first pad 311 and the first bonding portion 121 may be electrically connected. The second pad 312 and the second bonding portion 122 may be electrically connected.

제1 패드(311)와 제2 패드(312)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 패드(311)와 제2 패드(312)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 제1 패드(311)와 제2 패드(312)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.The first pad 311 and the second pad 312 may include a conductive material. For example, the first pad 311 and the second pad 312 may include at least one selected from a group including Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, and Al. It may contain one material or an alloy thereof. The first pad 311 and the second pad 312 may be provided in a single layer or multiple layers.

제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(100B)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 본딩층(421)과 제2 본딩층(422)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 10 , the light emitting device package 100B according to the third embodiment may include a first bonding layer 421 and a second bonding layer 422 .

제1 본딩층(421)은 몸체(110)가 회로기판(310)에 실장되는 공정에서 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 본딩층(422)은 몸체(110)가 회로기판(310)에 실장되는 공정에서 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first bonding layer 421 may be electrically connected to the first bonding unit 121 in a process of mounting the body 110 on the circuit board 310 . The second bonding layer 422 may be electrically connected to the second bonding unit 122 in a process of mounting the body 110 on the circuit board 310 .

제1 본딩층(421)과 제2 본딩층(422)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 선택적 합금으로 형성될 수 있다.The first bonding layer 421 and the second bonding layer 422 are titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt) ), at least one material selected from the group including tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P), or a selective alloy.

실시예에 의하면, 제1 본딩층(421)에 의하여 회로기판(310)의 제1 패드(311)와 제1 도전층(321)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 본딩층(422)에 의하여 회로기판(310)의 제2 패드(312)와 제2 도전층(322)가 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the first pad 311 of the circuit board 310 and the first conductive layer 321 may be electrically connected by the first bonding layer 421 . Also, the second pad 312 of the circuit board 310 and the second conductive layer 322 may be electrically connected by the second bonding layer 422 .

한편, 실시예에 의하면, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)은 유테틱(eutectic) 본딩에 의하여 회로기판(310)에 실장될 수도 있다. 또한, 실시예에 의하면, 제1 및 제2 본딩층(421, 422)이 제공되지 않고, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제1 및 제2 패드(311, 312)에 각각 전기적으로 연결될 수도 있다.Meanwhile, according to the embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be mounted on the circuit board 310 by eutectic bonding. In addition, according to the embodiment, the first and second bonding layers 421 and 422 are not provided, and the first and second conductive layers 321 and 322 are provided on the first and second pads 311 and 312, respectively. They may be electrically connected.

제1 내지 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A, 100B)는, 도 10을 참조하여 설명된 바와 같이, 몸체(110)가 형성됨에 있어, 종래 리드 프레임이 적용되지 않는다. In the light emitting device packages 100, 100A, and 100B according to the first to third embodiments, as described with reference to FIG. 10, the body 110 is formed, and a conventional lead frame is not applied.

종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지의 경우, 리드 프레임을 형성하는 공정이 추가로 필요하지만, 제1 내지 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A, 100B)에 의하면 리드 프레임을 형성하는 공정을 필요로 하지 않는다. 이에 따라, 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 공정 시간이 단축될 뿐만 아니라 재료도 절감될 수 있는 장점이 있다.In the case of a light emitting device package to which a conventional lead frame is applied, a process of forming a lead frame is additionally required, but according to the light emitting device packages 100, 100A, and 100B according to the first to third embodiments, forming a lead frame no process required Accordingly, according to the manufacturing method of the light emitting device package according to the embodiment, there is an advantage in that not only the process time is shortened, but also materials can be saved.

또한, 종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지의 경우, 리드 프레임의 열화 방지를 위해 은 등의 도금 공정이 추가되어야 하지만, 제1 내지 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A, 100B)에 의하면 리드 프레임이 필요하지 않으므로, 은 도금 등의 추가 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 제1 내지 제3 실시예들(100, 100A, 100B)은 은 도금 등의 물질이 변색되는 문제점을 해결할 수 있고, 공정을 생략할 수 있다는 장점으로 제조 원가를 절감할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 제조 원가를 절감하고 제조 수율 및 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, in the case of a light emitting device package to which a conventional lead frame is applied, a plating process of silver or the like must be added to prevent deterioration of the lead frame, but the light emitting device packages 100, 100A, and 100B according to the first to third embodiments According to, since a lead frame is not required, an additional process such as silver plating can be omitted. Therefore, the first to third embodiments (100, 100A, 100B) can solve the problem of discoloration of materials such as silver plating, and can reduce manufacturing cost with the advantage of being able to omit the process. Therefore, according to the manufacturing method of the light emitting device package according to the embodiment, there is an advantage of reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield and product reliability.

도 11은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여주고, 도 12는 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 몸체의 리세스 및 개구부 그리고 반도체소자의 배치 관계를 설명하는 도면이다.FIG. 11 shows a light emitting device package according to a fourth embodiment, and FIG. 12 is a diagram explaining arrangement relationships between recesses and openings of a body and semiconductor devices of the light emitting device package according to a fourth embodiment.

제4 실시예는 제1 수지(220)을 제외하고는 제1 내지 제3 실시예와 동일하다. 따라서, 제4 실시예에서 제1 내지 제3 실시예와 동일한 기능, 구조 또는 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. 제4 실시예에서 누락된 설명은 제1 내지 제3 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.The fourth embodiment is the same as the first to third embodiments except for the first resin 220. Therefore, in the fourth embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same function, structure, or shape as those of the first to third embodiments, and detailed descriptions thereof will be omitted. The description omitted in the fourth embodiment can be easily understood from the first to third embodiments.

도 11 및 도 12를 참조하면, 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지(100C)는 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 11 and 12 , a light emitting device package 100C according to the fourth embodiment may include a body 110 and a light emitting device 120 .

발광소자(120)가 몸체(110) 상에 제공될 수 있다. 구체적으로, 발광소자(120)가 몸체(110)의 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)에 제공된 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)에 전기적으로 연결될 수 있다. A light emitting device 120 may be provided on the body 110 . Specifically, the light emitting element 120 may be electrically connected to the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 provided in the first opening TH1 and the second opening TH2 of the body 110. .

몸체(110)은 제1 몸체(113)과 제2 몸체(117)을 포함할 수 있다.The body 110 may include a first body 113 and a second body 117 .

제1 몸체(113)에 제1 개구부(TH1), 제2 개구부(TH2) 및 리세스(R10)가 제공될 수 있다. 리세스(R10)는 제1 개구부(TH1)과 제2 개구부(TH2) 사이에 배치될 수 있다. A first opening TH1 , a second opening TH2 , and a recess R10 may be provided in the first body 113 . The recess R10 may be disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2.

리세스(R10)에 제2 수지(130)이 제공될 수 있다. 제2 수지(130)는 발광소자(120)의 아래에서 제1 몸체(113)의 리세스(R10)에 배치될 수 있다. 제2 수지(130)는 제1 개구부(TH1) 또는 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다. A second resin 130 may be provided in the recess R10. The second resin 130 may be disposed in the recess R10 of the first body 113 below the light emitting device 120 . The second resin 130 may be spaced apart from the first opening TH1 or the second opening TH2.

제2 수지(130)는 절연층, 반사층, 절연 반사층 및/또는 접착층으로 지칭될 수도 있다. The second resin 130 may also be referred to as an insulating layer, a reflective layer, an insulating reflective layer, and/or an adhesive layer.

예로서, 제2 수지(130)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제2 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제2 수지(130)는 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. For example, the second resin 130 may include an insulating material. Specifically, the second resin 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the second resin 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120 .

예로서, 제2 수지(130)는 반사 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제2 수지(130)는 고반사 기능을 갖는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광소자(120)에서 하부 방향으로 진행된 광을 상부 방향으로 반사시켜 광 효율이 향상될 수 있다. 반사율을 강화하기 위해, 화이트 실리콘에 예컨대, TiO2, SiO2 등과 같은 산란입자가 추가될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예로서, 제2 수지(130)는 고반사 기능을 갖는 화이트 실리콘과 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 파장변환 물질로는 형광체(phosphor)나 양자점(quantum dot)이 사용될 수 있다. 어떤 형광체나 양자점을 사용하는냐에 따라 예컨대 청색파장의 광, 녹색파장의 광 또는 적색파장의 광으로 변환될 수 있다. 화이트 실리콘과 파장변환 물질이 포함된 제2 수지(130)에 의해 발광소자(120)에서 하부 방향으로 진행된 광이 상부 방향으로 반사될 뿐만 아니라 하부 방향으로 진행된 광의 일부가 다른 파장의 광으로 변환될 수 있다. 따라서, 광 효율이 향상되고 높은 색재현율이 구현될 수 있다. 예로서, 제2 수지(130)는 고반사 기능을 갖는 화이트 실리콘과 K2SiF6:Mn4+(이하, KSF)을 포함할 수 있다. KSF는 적색 형광체일 수 있다. For example, the second resin 130 may include a reflective material. Specifically, the second resin 130 may include white silicone having a high reflection function. Accordingly, light that has progressed in a downward direction from the light emitting device 120 is reflected in an upward direction, thereby improving light efficiency. In order to enhance the reflectance, scattering particles such as TiO2 and SiO2 may be added to the white silicon, but this is not limited thereto. For example, the second resin 130 may include white silicon having a high reflection function and a wavelength conversion material. A phosphor or quantum dot may be used as the wavelength conversion material. Depending on which phosphor or quantum dot is used, it can be converted into, for example, blue-wavelength light, green-wavelength light, or red-wavelength light. Light traveling downward from the light emitting element 120 is reflected upward by the second resin 130 containing white silicon and a wavelength conversion material, and part of the light traveling downward is converted into light of a different wavelength. can Therefore, light efficiency can be improved and a high color gamut can be implemented. For example, the second resin 130 may include white silicon having a high reflection function and K 2 SiF 6 :Mn 4+ (hereinafter referred to as KSF). KSF may be a red phosphor.

제2 수지(130)는 발광소자(120)와 제1 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. The second resin 130 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the first body 113 .

실시예에 의하면, 발광소자(120)로부터 하부 방향으로 진행된 광이 제2 수지(130)에 의해 상부 방향으로 반사됨으로써, 광 효율이 향상될 수 있다. According to the embodiment, the light traveling downward from the light emitting device 120 is reflected upward by the second resin 130, thereby improving light efficiency.

제4 실시예에 따른 발광소자 패키지(100C)는 도 11에 도시한 바와 같이, 제1 수지(220)를 포함할 수 있다. 제1 수지(220)는 투습방지층으로 지칭될 수 있다.As shown in FIG. 11 , the light emitting device package 100C according to the fourth embodiment may include the first resin 220 . The first resin 220 may be referred to as a moisture barrier layer.

제1 수지(220)는 내습성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 제1 수지(220)는 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다. 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘이 바인더에 혼합된 후, 스프레이(spray) 코팅 방식을 이용하여 몸체(110)의 캐비티(C) 내에 뿌려진 후 경화되어, 제1 수지(220)가 형성될 수 있다. 스프레이 코팅은 내습 특성을 갖기 위해 일정 두께가 되도록 다수 회 수행될 수 있다. The first resin 220 may include a material having excellent moisture resistance. The first resin 220 may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone. After methyl-based silicone or phenyl-based silicone is mixed with a binder, it is sprayed into the cavity C of the body 110 using a spray coating method and then cured to form the first resin 220 . Spray coating may be performed multiple times to achieve a certain thickness in order to have moisture resistance properties.

제1 수지(220)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 제1 수지(220)는 몸체(110)의 캐비티(C)의 경사진 내측면에 제공될 수 있다. 이에 따라, 외부의 습기가 몸체(110)을 투과하더라도 캐비티(C)의 경사진 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다. 외부의 습기가 몰딩부(140)를 투과하더라도 발광소자(120)의 상면 및 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다.The first resin 220 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 , for example. The first resin 220 may be provided on an inclined inner surface of the cavity C of the body 110 . Accordingly, even if external moisture penetrates the body 110, the light emitting device 120 can be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the inclined side of the cavity C. Even if external moisture penetrates the molding part 140 , the light emitting device 120 may be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the upper and side surfaces of the light emitting device 120 .

또한, 제1 수지(220)는 발광소자(120)뿐만 아니라 몸체(110)의 캐비티(C)의 경사진 내측면에 접촉되도록 형성됨으로써, 발광소자(120)가 보다 강하게 패키비 몸체(110)에 고정되도록 할 수 있다. In addition, the first resin 220 is formed to contact not only the light emitting element 120 but also the inclined inner surface of the cavity C of the body 110, so that the light emitting element 120 more strongly protects the package body 110. can be fixed to

제4 실시예에 따른 발광소자 패키지(100C)는 도 11에 도시한 바와 같이, 제3 수지(370)를 포함할 수 있다. 제3 수지(370)은 접착층으로 지칭될 수 있다. 제3 수지(370)은 투광성 접착 물질로 이루어질 수 있다. As shown in FIG. 11 , the light emitting device package 100C according to the fourth embodiment may include a third resin 370 . The third resin 370 may be referred to as an adhesive layer. The third resin 370 may be made of a light-transmitting adhesive material.

제3 수지(370)는 제1 몸체(113)의 제1 내지 제3 영역에 제공될 수 있다. 제1 몸체(113)의 제1 영역은 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122) 사이에 대응되는 영역일 수 있다. 제1 몸체(113)의 제2 영역은 제1 본딩부(121)과 발광소자(120)의 일측 끝단 사이에 대응되는 영역일 수 있다. 제1 몸체(113)의 제3 영역은 제2 본딩부(122)와 발광소자(120)의 타측 끝단 사이에 대응되는 영역일 수 있다. The third resin 370 may be provided to the first to third regions of the first body 113 . The first area of the first body 113 may be a corresponding area between the first bonding part 121 and the second bonding part 122 . The second area of the first body 113 may be a corresponding area between the first bonding part 121 and one end of the light emitting device 120 . The third area of the first body 113 may be a corresponding area between the second bonding part 122 and the other end of the light emitting element 120 .

제1 몸체(113)의 제1 영역에 제공되는 제3 수지(370)는 발광소자(120)의 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광구조물(123)의 하면과 제2 수지(130)의 상면에 의해 둘러싸일 수 있다. 즉, 제3 수지(370)에 의해 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광구조물(123)의 하면과 제2 수지(130)의 상면이 서로 간에 단단히 고정될 수 있다. The third resin 370 provided in the first region of the first body 113 is applied to the lower surface of the first bonding part 121, the second bonding part 122, and the light emitting structure 123 of the light emitting element 120. It may be surrounded by the upper surface of the second resin 130 . That is, the lower surfaces of the first bonding unit 121, the second bonding unit 122, and the light emitting structure 123 and the upper surface of the second resin 130 can be firmly fixed to each other by the third resin 370. .

제1 몸체(113)의 제2 영역에 제공되는 제3 수지(370)는 제1 본딩부(121), 발광구조물(123)의 하면과 제1 몸체(113)의 상면에 의해 둘러싸일 수 있다. 또한, 제1 몸체(113)의 제3 영역에 제공되는 제3 수지(370)는 제2 본딩부(122), 발광구조물(123)의 하면과 제1 몸체(113)의 상면에 의해 둘러싸일 수 있다. 다시 말해, 제3 수지(370)는 제1 본딩부(121)과 제2 본딩부(122)의 둘레를 따라 제1 본딩부(121), 발광구조물(123)의 하면과 제1 몸체(113)의 상면에 의해 둘러싸일 수 있다.The third resin 370 provided to the second region of the first body 113 may be surrounded by the first bonding portion 121, the lower surface of the light emitting structure 123 and the upper surface of the first body 113. . In addition, the third resin 370 provided in the third region of the first body 113 is surrounded by the second bonding part 122, the lower surface of the light emitting structure 123 and the upper surface of the first body 113. can In other words, the third resin 370 is applied along the circumferences of the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 to the lower surface of the first bonding unit 121 and the light emitting structure 123 and the first body 113. ) can be surrounded by the upper surface of

제1 몸체(113)의 제2 영역이나 제1 몸체(113)의 제2 영역에 제공되는 수지(370)는 선택 사항으로서, 필요에 따라 생략될 수도 있다. The resin 370 provided to the second area of the first body 113 or the second area of the first body 113 is optional and may be omitted if necessary.

도 11에 도시된 제3 수지(370)가 접착층으로서, 발광소자(120)가 제1 몸체(113)에 고정되도록 한다.The third resin 370 shown in FIG. 11 serves as an adhesive layer and allows the light emitting device 120 to be fixed to the first body 113 .

이와 달리, 제3 수지(370)가 생략될 수도 있다. 이러한 경우, 제2 수지(130)에 의해 발광소자(120)가 제1 몸체(113)에 고정될 수 있다. 제2 수지(130)는 반사층이면서 접착층으로 사용될 수 있다. Alternatively, the third resin 370 may be omitted. In this case, the light emitting device 120 may be fixed to the first body 113 by the second resin 130 . The second resin 130 may be used as a reflective layer and an adhesive layer.

도 13은 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다. 13 shows a light emitting device package according to a fifth embodiment.

제5 실시예는 금속층(431, 432)를 제외하고는 제4 실시예와 동일하다. 아울러, 금속층(431, 432)가 추가된 구조는 제2 실시예와 동일하다. 제5 실시예에서 제1 내지 제4 실시예와 동일한 기능, 구조 또는 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. 제5 실시예에서 누락된 설명은 제1 내지 제4 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.The fifth embodiment is the same as the fourth embodiment except for the metal layers 431 and 432 . In addition, the structure in which the metal layers 431 and 432 are added is the same as that of the second embodiment. In the fifth embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same function, structure, or shape as those of the first to fourth embodiments, and detailed descriptions thereof will be omitted. The description omitted in the fifth embodiment can be easily understood from the first to fourth embodiments.

도 13에 도시한 바와 같이, 제5 실시예에 따른 발광소자 패키지(100D)는 금속층(431, 432)을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 13 , the light emitting device package 100D according to the fifth embodiment may include metal layers 431 and 432 .

금속층(431, 432)은 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 제1 금속층(431)은 제1 개구부(TH1)의 내면에 제공되고, 제2 금속층(432)은 제2 개구부(TH2)의 내면에 제공될 수 있다. 즉, 제1 금속층(431)은 제1 개구부(TH1)의 내면의 둘레를 따라 제공되고, 제2 금속층(432)은 제2 개구부(TH2)의 내면의 둘레를 따라 제공될 수 있다. The metal layers 431 and 432 may be provided in the first opening TH1 and the second opening TH2. The first metal layer 431 may be provided on an inner surface of the first opening TH1, and the second metal layer 432 may be provided on an inner surface of the second opening TH2. That is, the first metal layer 431 may be provided along the circumference of the inner surface of the first opening TH1, and the second metal layer 432 may be provided along the circumference of the inner surface of the second opening TH2.

제1 도전층(321)은 제1 개구부(TH1)에 제공되고, 제2 도전층(322)은 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 이러한 경우, 제1 금속층(431)은 제1 몸체(113)와 제1 도전층(321) 사이에 배치될 수 있다. 제2 금속층(432)는 제1 몸체(113)와 제2 도전층(322) 사이에 배치될 수 있다. The first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1 and the second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2. In this case, the first metal layer 431 may be disposed between the first body 113 and the first conductive layer 321 . The second metal layer 432 may be disposed between the first body 113 and the second conductive layer 322 .

제1 금속층(431)의 일부는 제1 몸체(113)의 하면에 제공되고, 제2 금속층(432)의 일부는 제1 몸체(113)의 하면에 제공될 수 있다. 제1 몸체(113)의 하면에 배치된 제1 금속층(431)의 일부와 제2 금속층(432)의 일부는 서로 이격되어 배치될 수 있다. A part of the first metal layer 431 may be provided on the lower surface of the first body 113 and a part of the second metal layer 432 may be provided on the lower surface of the first body 113 . A part of the first metal layer 431 and a part of the second metal layer 432 disposed on the lower surface of the first body 113 may be spaced apart from each other.

금속층(430)은 몸체(110)와 접착력이 좋은 물성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 또한, 금속층(430)은 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력이 좋은 물성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The metal layer 430 may be formed of a material having good adhesion to the body 110 . In addition, the metal layer 430 may be formed of a material having good adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322 .

이에 따라, 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 내에서 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제1 및 제2 금속층(431, 432)에 의해 제1 몸체(113)에 안정적으로 고정될 수 있다. Accordingly, the first and second conductive layers 321 and 322 are stably attached to the first body 113 by the first and second metal layers 431 and 432 within the first and second openings TH1 and TH2. can be fixed as

제5 실시예에 따른 발광소자 패키지(100D)는 도 13에 도시한 바와 같이, 몸체(110)의 리세스(R10)에 제공된 제2 수지(130)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 13 , the light emitting device package 100D according to the fifth embodiment may include the second resin 130 provided in the recess R10 of the body 110 .

제5 실시예에 따른 발광소자 패키지(100D)는 도 13에 도시한 바와 같이, 몸체(110)의 캐비티(C) 내면, 즉 바닥면 및 측면에 제공된 제1 수지(220)를 포함할 수 있다. 제1 수지(220)는 발광소자(120)의 상면 및 측면에 제공될 수 있다. As shown in FIG. 13 , the light emitting device package 100D according to the fifth embodiment may include the first resin 220 provided on the inner surface of the cavity C of the body 110, that is, on the bottom and side surfaces. . The first resin 220 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 .

제5 실시예에 따른 발광소자 패키지(100D)는 도 13에 도시한 바와 같이, 발광소자(120)와 제1 몸체(113) 사이에 제공되는 제3 수지(370)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 13 , the light emitting device package 100D according to the fifth embodiment may include a third resin 370 provided between the light emitting device 120 and the first body 113 .

도 14는 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다. 14 shows a light emitting device package according to a sixth embodiment.

제6 실시예는 제4 및 제5 실시예(도 11 내지 도 13)의 발광소자 패키지(100C, 100D)가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다. 예로서, 제6 실시예에 따라 회로 기판(310)에 실장되는 발광소자 패키지(100E)는 조명 장치에 사용될 수 있다.The sixth embodiment shows an example in which the light emitting device packages 100C and 100D of the fourth and fifth embodiments ( FIGS. 11 to 13 ) are mounted on a circuit board 310 and supplied. For example, the light emitting device package 100E mounted on the circuit board 310 according to the sixth embodiment may be used in a lighting device.

제6 실시예에서 제4 및/또는 제5 실시예 와 동일한 기능, 구조 또는 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. 제6 실시예에서 누락된 설명은 제4 및 제5 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.In the sixth embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same function, structure, or shape as those in the fourth and/or fifth embodiment, and detailed descriptions thereof will be omitted. The description omitted in the sixth embodiment can be easily understood from the fourth and fifth embodiments.

도 14는 참조하여 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지(100E)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 13을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing the light emitting device package 100E according to the sixth embodiment with reference to FIG. 14 , descriptions of items overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 13 may be omitted.

제6 실시예에 따른 발광소자 패키지(100E)는, 도 14에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 14 , the light emitting device package 100E according to the sixth embodiment may include a circuit board 310 , a body 110 , and a light emitting device 120 .

회로기판(310)은 제1 패드(311), 제2 패드(312), 지지기판(313)을 포함할 수 있다. 지지기판(313)에 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The circuit board 310 may include a first pad 311 , a second pad 312 , and a support substrate 313 . A power supply circuit for controlling driving of the light emitting device 120 may be provided on the support substrate 313 .

몸체(110)는 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 제1 패드(311)와 제1 본딩부(121)가 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 패드(312)와 제2 본딩부(122)가 전기적으로 연결될 수 있다.The body 110 may be disposed on the circuit board 310 . The first pad 311 and the first bonding portion 121 may be electrically connected. The second pad 312 and the second bonding portion 122 may be electrically connected.

실시예에 의하면, 제1 본딩층(421)에 의하여 회로기판(310)의 제1 패드(311)와 제1 도전층(321)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 본딩층(422)에 의하여 회로기판(310)의 제2 패드(312)와 제2 도전층(322)가 전기적으로 연결될 수 있다.According to the embodiment, the first pad 311 of the circuit board 310 and the first conductive layer 321 may be electrically connected by the first bonding layer 421 . Also, the second pad 312 of the circuit board 310 and the second conductive layer 322 may be electrically connected by the second bonding layer 422 .

한편, 실시예에 의하면, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)은 유테틱(eutectic) 본딩에 의하여 회로기판(310)에 실장될 수도 있다. 또한, 실시예에 의하면, 제1 및 제2 본딩층(421, 422)이 제공되지 않고, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 제1 및 제2 패드(311, 312)에 각각 전기적으로 연결될 수도 있다.Meanwhile, according to the embodiment, the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be mounted on the circuit board 310 by eutectic bonding. In addition, according to the embodiment, the first and second bonding layers 421 and 422 are not provided, and the first and second conductive layers 321 and 322 are provided on the first and second pads 311 and 312, respectively. They may be electrically connected.

한편, 도 11 내지 도 14에서는 제2 수지(130)가 제공되는 것으로 설명되고 있지만, 제2 수지(130)가 생략된 발광소자 패키지도 가능하다. Meanwhile, although it is described that the second resin 130 is provided in FIGS. 11 to 14 , a light emitting device package in which the second resin 130 is omitted is also possible.

아울러, 도 11 내지 도 14에 도시된 제2 수지(130)에 도 1 내지 도 10에 도시된 수지(131, 132)와 수지(131, 132)가 제공되는 리세스(R11, R12)가 포함된 발광소자 패키지도 가능하다.In addition, the second resin 130 shown in FIGS. 11 to 14 includes recesses R11 and R12 in which the resins 131 and 132 and the resins 131 and 132 shown in FIGS. 1 to 10 are provided. A light emitting device package is also possible.

도 15는 제7 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.15 shows a light emitting device package according to a seventh embodiment.

제7 실시예는 제4 수지(230)을 제외하고는 제4 내지 제6 실시예(도 11 내지 도 14)와 동일하다. 제7 실시예에서 제4 내지 제6 실시예와 동일한 기능, 구조 또는 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. 제7 실시예에서 누락된 설명은 제4 내지 제6 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.The seventh embodiment is the same as the fourth to sixth embodiments (FIGS. 11 to 14) except for the fourth resin 230. In the seventh embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same function, structure, or shape as those of the fourth to sixth embodiments, and detailed descriptions thereof will be omitted. The description omitted in the seventh embodiment can be easily understood from the fourth to sixth embodiments.

도 15를 참조하여 제6 실시예에 따른 발광소자 패키지(100F)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 14를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing the light emitting device package 100F according to the sixth embodiment with reference to FIG. 15 , descriptions of items overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 14 may be omitted.

제7 실시예에 따른 발광소자 패키지(100F)는 제4 수지(230)을 포함할 수 있다. 제4 수지(230)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 또한, 제4 수지(230)는 몸체(110)의 캐비티(C)의 경사진 내측면에 제공될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The light emitting device package 100F according to the seventh embodiment may include the fourth resin 230 . For example, the fourth resin 230 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 . In addition, the fourth resin 230 may be provided on the inclined inner surface of the cavity C of the body 110, but is not limited thereto.

예컨대, 제4 수지(230)은 실리콘과 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 파장변환 물질로는 형광체(phosphor)나 양자점(quantum dot)이 사용될 수 있다. 어떤 형광체나 양자점을 사용하느냐에 따라 예컨대 청색파장의 광, 녹색파장의 광 또는 적색파장의 광으로 변환될 수 있다. 실리콘과 파장변환 물질이 포함된 제4 수지(230)에 의해 발광소자(120)에서 생성된 특정 파장의 광이 또 다른 파장의 광으로 변환될 수 있다. 따라서, 광 효율이 향상되고 높은 색재현율이 구현될 수 있다. 예로서, 제4 수지(230)은 실리콘과 K2SiF6:Mn4 +(이하, KSF)을 포함할 수 있다. KSF는 적색 형광체일 수 있다. For example, the fourth resin 230 may include silicon and a wavelength conversion material. A phosphor or quantum dot may be used as the wavelength conversion material. Depending on which phosphor or quantum dot is used, it can be converted into, for example, blue-wavelength light, green-wavelength light, or red-wavelength light. Light of a specific wavelength generated by the light emitting device 120 may be converted into light of another wavelength by the fourth resin 230 containing silicon and a wavelength conversion material. Therefore, light efficiency can be improved and a high color gamut can be implemented. For example, the fourth resin 230 may include silicon and K 2 SiF 6 :Mn 4+ (hereinafter referred to as KSF) . KSF may be a red phosphor.

제4 수지(230) 상에 제1 수지(220)가 제공될 수 있다. 제1 수지(220)은 투습방지층으로 지칭될 수 있다. The first resin 220 may be provided on the fourth resin 230 . The first resin 220 may be referred to as a moisture barrier layer.

제1 수지(220)는 내습성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 수지(220)은 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다. 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘이 바인더에 혼합된 후, 스프레이(spray) 코팅 방식을 이용하여 제4 수지(230) 상에 뿌려진 후 경화되어, 제1 수지(220)가 형성될 수 있다. 스프레이 코팅은 내습 특성을 갖기 위해 일정 두께가 되도록 다수 회 수행될 수 있다. 이에 따라, 외부의 습기가 몸체(110)을 투과하더라도 캐비티(C)의 경사진 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다. 외부의 습기가 몰딩부(140)를 투과하더라도 발광소자(120)의 상면 및 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다.The first resin 220 may include a material having excellent moisture resistance. For example, the first resin 220 may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone. After methyl-based silicone or phenyl-based silicone is mixed with a binder, it is sprayed on the fourth resin 230 using a spray coating method and then cured to form the first resin 220 . Spray coating may be performed multiple times to achieve a certain thickness in order to have moisture resistance properties. Accordingly, even if external moisture penetrates the body 110, the light emitting device 120 can be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the inclined side of the cavity C. Even if external moisture penetrates the molding part 140 , the light emitting device 120 may be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the upper and side surfaces of the light emitting device 120 .

제7 실시예에 따른 발광소자 패키지(100F)는 제2 수지(130)를 더 포함할 수 있다. 제2 수지(130)는 몸체(110)의 형성된 제1 리세스(R10)에 제공될 수 있다. The light emitting device package 100F according to the seventh embodiment may further include a second resin 130 . The second resin 130 may be provided in the first recess R10 formed in the body 110 .

제2 수지(130)의 상면에는 제4 리세스(R13)이 형성될 수 있다. 제4 리세스(R13)의 폭은 제1 리세스(R10)의 폭보다 좁을 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 제4 리세스(R13)의 깊이는 제1 리세스(R10)의 깊이보다 작을 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. A fourth recess R13 may be formed on an upper surface of the second resin 130 . A width of the fourth recess R13 may be narrower than that of the first recess R10, but is not limited thereto. The depth of the fourth recess R13 may be smaller than that of the first recess R10, but is not limited thereto.

제4 리세스(R13)에 제3 수지(370)이 제공될 수 있다. 제3 수지(370)의 상면은 발광소자(120)의 하면과 접할 수 있다. 따라서, 제2 수지(130)뿐만 아니라 제3 수지(370)에 의해 발광소자(120)가 보다 강하게 몸체(110)에 고정될 수 있다. A third resin 370 may be provided in the fourth recess R13. An upper surface of the third resin 370 may contact a lower surface of the light emitting device 120 . Accordingly, the light emitting device 120 can be more strongly fixed to the body 110 by the third resin 370 as well as the second resin 130 .

제7 실시예에 따른 발광소자 패키지(100F)는 몰딩부9140)을 더 포함할 수 있다. 몰딩부(140)는 실리콘과 MGF 형광체를 포함할 수 있다. MGF 형광체로는 MgF2:Mn2+, (Zn, Mg)F2:Mn2 +, (K,Mg)F2:Mn2 +가 사용될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The light emitting device package 100F according to the seventh embodiment may further include a molding unit 9140. The molding part 140 may include silicon and MGF phosphor. As the MGF phosphor, MgF 2 : Mn 2+ , (Zn, Mg)F 2 :Mn 2+ , or (K,Mg)F 2 :Mn 2+ may be used, but is not limited thereto.

제4 수지(230)의 형광체와 몰딩부(140)의 형광체는 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. The phosphor of the fourth resin 230 and the phosphor of the molding part 140 may be the same or different.

앞서 설명한 바와 같이, 제4 수지(230)와 몰딩부(140) 사이에 투습방지층인 제1 수지(220)가 배치될 수 있다. As described above, the first resin 220 as a moisture barrier layer may be disposed between the fourth resin 230 and the molding part 140 .

제4 수지(230)의 형광체인 KSF는 내습성에 취약하다. 실시예에 따르면, 4 수지(230) 상에 제1 수지(220)가 배치됨으로써, 제4 수지(230)의 KSF가 습기로부터 보호될 수 있다. 이에 따라, 제4 수지(230)의 형광체가 습기에 영향을 받지 않으므로, CRI가 개선될 수 있다. KSF, which is a phosphor of the fourth resin 230, is weak in moisture resistance. According to the embodiment, by disposing the first resin 220 on the fourth resin 230, the KSF of the fourth resin 230 can be protected from moisture. Accordingly, since the phosphor of the fourth resin 230 is not affected by moisture, CRI can be improved.

도 16은 제8 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.16 shows a light emitting device package according to an eighth embodiment.

제8 실시예는 몸체(100)의 상면이 발광소자(120)의 상면보다 낮게 배치되는 것을 제외하고는 제1 내지 제7 실시예(도 1 내지 도 15)와 동일하다. 제8 실시예에서 제1 내지 제7 실시예와 동일한 기능, 구조 또는 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. 제8 실시예에서 누락된 설명은 제1 내지 제7 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.The eighth embodiment is the same as the first to seventh embodiments (FIGS. 1 to 15) except that the upper surface of the body 100 is disposed lower than the upper surface of the light emitting device 120. In the eighth embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same function, structure, or shape as those of the first to seventh embodiments, and detailed descriptions thereof will be omitted. The description omitted in the eighth embodiment can be easily understood from the first to seventh embodiments.

도 16을 참조하여 제8 실시예에 따른 발광소자 패키지(100G)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 15를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing the light emitting device package 100G according to the eighth embodiment with reference to FIG. 16 , descriptions of items overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 15 may be omitted.

제8 실시예에 따른 발광소자 패키지(100G)에서, 몸체(110)는 발광소자(120)가 배치되는 제1 영역, 캐비티(C)의 상면과 동일한 평면을 이루는 제2 영역, 제1 영역과 제2 영역 사이에 배치되는 경사진 측부, 제1 영역 내에 배치되는 제1 리세스(R10), 및 제1 영역과 측부 사이에 배치되는 제2 및 제3 리세스(R11, R12)를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 제2 영역의 상면은 몸체(110)의 하면을 기준으로, 발광소자(120)의 상면보다 낮을 수 있다. In the light emitting device package 100G according to the eighth embodiment, the body 110 includes a first area in which the light emitting device 120 is disposed, a second area that forms the same plane as the upper surface of the cavity C, and the first area. It may include an inclined side disposed between the second region, a first recess R10 disposed within the first region, and second and third recesses R11 and R12 disposed between the first region and the side portion. can In this case, the upper surface of the second region may be lower than the upper surface of the light emitting device 120 based on the lower surface of the body 110 .

제8 실시예에 따른 발광소자 패키지(100G)는 몰딩부(140)가 제공될 수 있다. The light emitting device package 100G according to the eighth embodiment may be provided with a molding portion 140 .

몰딩부(140)는 실리콘과 MGF 형광체를 포함할 수 있다. MGF 형광체로는 MgF2:Mn2+, (Zn, Mg)F2:Mn2 +, (K,Mg)F2:Mn2 +가 사용될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The molding part 140 may include silicon and MGF phosphor. As the MGF phosphor, MgF 2 : Mn 2+ , (Zn, Mg)F 2 :Mn 2+ , or (K,Mg)F 2 :Mn 2+ may be used, but is not limited thereto.

몰딩부(140)는 발광소자(120)를 둘러쌀 수 있다. 몰딩부(140)에 의해 발광소자(120)가 보호될 수 있다. 몰딩부(140)에 의해 발광소자(120)의 특정 파장의 광이 또 다른 파장의 광으로 변환될 수 있다. 몰딩부(140)에 의해 발광소자(120)가 몸체(110)에 보다 강하게 고정될 수 있다. The molding part 140 may surround the light emitting device 120 . The light emitting device 120 may be protected by the molding part 140 . Light of a specific wavelength of the light emitting device 120 may be converted into light of another wavelength by the molding part 140 . The light emitting device 120 may be more strongly fixed to the body 110 by the molding part 140 .

도 17은 제9 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여준다.17 shows a light emitting device package according to a ninth embodiment.

제9 실시예는 캐비티(C)가 없는 몸체(100)를 제외하고는 제1 내지 제8 실시예(도 1 내지 도 16)와 동일하다. 제9 실시예에서 제1 내지 제8 실시예와 동일한 기능, 구조 또는 형상을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 상세한 설명을 생략하기로 한다. 제9 실시예에서 누락된 설명은 제1 내지 제8 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.The ninth embodiment is the same as the first to eighth embodiments (FIGS. 1 to 16) except for the body 100 without a cavity C. In the ninth embodiment, the same reference numerals are assigned to components having the same function, structure, or shape as those in the first to eighth embodiments, and detailed descriptions thereof will be omitted. The description omitted in the ninth embodiment can be easily understood from the first to eighth embodiments.

도 17을 참조하여 제9 실시예에 따른 발광소자 패키지(100H)를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 16을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.In describing the light emitting device package 100H according to the ninth embodiment with reference to FIG. 17 , descriptions of items overlapping those described with reference to FIGS. 1 to 16 may be omitted.

몸체(110)은 서로 평행한 하면과 상면을 가질 수 있다. 몸체(110)는 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)를 가질 수 있다. 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 각각에 제1 및 제2 도전층(321, 322)가 제공될 수 있다. The body 110 may have a lower surface and an upper surface that are parallel to each other. The body 110 may have first and second openings TH1 and TH2. First and second conductive layers 321 and 322 may be provided in the first and second openings TH1 and TH2, respectively.

아울러, 몸체(110의 상면은 제1 내지 제3 리세스(R10, R11, R12)를 가질 수 있다. 제1 내지 제3 리세스(R10, R11, R12) 각각에 제1 내지 제3 수지(130, 131, 132)가 제공될 수 있다. In addition, the upper surface of the body 110 may have first to third recesses R10, R11, and R12. First to third resins ( 130, 131, 132) may be provided.

발광소자(120)의 상면은 몸체(110)의 하면을 기준으로 몸체(110)의 상면보다 높을 수 있다. The upper surface of the light emitting device 120 may be higher than the upper surface of the body 110 based on the lower surface of the body 110 .

이하에서, 도 1 내지 도 14에 도시된 발광소자(120)를 상세히 설명한다.Hereinafter, the light emitting device 120 shown in FIGS. 1 to 14 will be described in detail.

도 18는 제1 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 평면도이고, 도 19은 도 18에 도시된 발광소자의 F-F 선에 따른 단면도이다.FIG. 18 is a plan view illustrating a light emitting device according to the first embodiment, and FIG. 19 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 18 taken along line F-F.

이해를 돕기 위해, 도 18를 도시함에 있어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다.For ease of understanding, only the relative arrangement relationship between the first electrode 127 and the second electrode 128 is conceptually illustrated in FIG. 18 . The first electrode 127 may include a first bonding portion 121 and a first branch electrode 125 . The second electrode 128 may include a second bonding portion 122 and a second branch electrode 126 .

실시예에 따른 발광소자(120)는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 기판(124) 위에 배치된 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 18 and 19 , the light emitting device 120 according to the embodiment may include a light emitting structure 123 disposed on a substrate 124 .

기판(124)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 기판(124)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The substrate 124 may be selected from a group including a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge. For example, the substrate 124 may be provided as a patterned sapphire substrate (PSS) having a concavo-convex pattern formed on an upper surface thereof.

발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층(123a), 활성층(123b), 제2 도전형 반도체층(123c)을 포함할 수 있다. 활성층(123b)은 제1 도전형 반도체층(123a)과 제2 도전형 반도체층(123c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 제1 도전형 반도체층(123a) 위에 활성층(123b)이 배치되고, 활성층(123b) 위에 제2 도전형 반도체층(123c)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer 123a, an active layer 123b, and a second conductivity type semiconductor layer 123c. The active layer 123b may be disposed between the first conductivity type semiconductor layer 123a and the second conductivity type semiconductor layer 123c. For example, an active layer 123b may be disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 123a, and a second conductivity-type semiconductor layer 123c may be disposed on the active layer 123b.

실시예에 의하면, 제1 도전형 반도체층(123a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 제2 도전형 반도체층(123c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시예에 의하면, 제1 도전형 반도체층(123a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 제2 도전형 반도체층(123c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to the embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 123a may be provided as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 123c may be provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 123a may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 123c may be provided as an n-type semiconductor layer.

실시예에 따른 발광소자(120)는, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 18 and 19 , the light emitting device 120 according to the embodiment may include a first electrode 127 and a second electrode 128 .

제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 제1 전극(127)은 제2 도전형 반도체층(123c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 가지전극(125)은 제1 본딩부(121)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 제1 가지전극(125)은 제1 본딩부(121)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The first electrode 127 may include a first bonding portion 121 and a first branch electrode 125 . The first electrode 127 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 123c. The first branch electrode 125 may be disposed to be branched from the first bonding portion 121 . The first branch electrode 125 may include a plurality of branch electrodes branched from the first bonding part 121 .

제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다. 제2 전극(128)은 제1 도전형 반도체층(123a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 가지전극(126)은 제2 본딩부(122)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 제2 가지전극(126)은 제2 본딩부(122)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The second electrode 128 may include a second bonding portion 122 and a second branch electrode 126 . The second electrode 128 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 123a. The second branch electrode 126 may be disposed to be branched from the second bonding portion 122 . The second branch electrode 126 may include a plurality of branch electrodes branched from the second bonding part 122 .

제1 가지전극(125)와 제2 가지전극(126)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 제1 가지전극(125)과 제2 가지전극(126)에 의하여 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 전원이 발광 구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first branch electrodes 125 and the second branch electrodes 126 may be alternately arranged in a finger shape. Power supplied through the first bonding unit 121 and the second bonding unit 122 may be diffused and provided throughout the light emitting structure 123 by the first branch electrode 125 and the second branch electrode 126 . there will be

제1 전극(127)과 제2 전극(128)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first electrode 127 and the second electrode 128 may have a single-layer or multi-layer structure. For example, the first electrode 127 and the second electrode 128 may be ohmic electrodes. For example, the first electrode 127 and the second electrode 128 may be ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr , Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf may be at least one or an alloy of two or more of these materials.

한편, 발광 구조물(123)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 보호층은 발광 구조물(123)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 보호층은 발광 구조물(123)의 측면에 제공될 수도 있다. 보호층은 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호층은 기판(124)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.Meanwhile, a protective layer may be further provided on the light emitting structure 123 . A protective layer may be provided on the upper surface of the light emitting structure 123 . In addition, the protective layer may be provided on the side of the light emitting structure 123 . The protective layer may be provided to expose the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 . In addition, the protective layer may be selectively provided on the circumference and lower surface of the substrate 124 .

예로서, 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.As an example, the protective layer may be provided with an insulating material. For example, the protective layer may be formed of at least one material selected from a group including SixOy, SiOxNy, SixNy, and AlxOy.

실시예에 따른 발광소자(120)는, 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자(120)의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자(120)의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device 120 according to the embodiment, light generated in the active layer 123b may be emitted in directions of six surfaces of the light emitting device 120 . Light generated from the active layer 123b may be emitted in six directions through the upper and lower surfaces of the light emitting device 120 and four side surfaces.

도 20은 제2 실시예에 따른 발광소자를 보여준다.20 shows a light emitting device according to a second embodiment.

제2 실시예(도 20)는 수지층(610)를 제외하고는 제1 실시예(도 18 및 도 19)와 동일하다. 제2 실시예(도 20)에서 제1 실시예(도 18 및 도 19)와 동일한 기능, 구조 또는 형상을 갖는 구성 요소에 대해 동일한 도면부호를 부여하고 상세한 설명은 생략한다. 제2 실시예에서 누락된 설명은 제1 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다.The second embodiment ( FIG. 20 ) is the same as the first embodiment ( FIGS. 18 and 19 ) except for the resin layer 610 . In the second embodiment (Fig. 20), the same reference numerals are given to components having the same function, structure, or shape as those in the first embodiment (Figs. 18 and 19), and detailed descriptions are omitted. Descriptions omitted in the second embodiment can be easily understood from the first embodiment.

도 20을 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광소자(120)는 수지층(610)를 포함할 수 있다. 수지층(610)는 발광소자(120)의 상면 및 측면에 제공될 수 있다. Referring to FIG. 20 , the light emitting device 120 according to the second embodiment may include a resin layer 610 . The resin layer 610 may be provided on top and side surfaces of the light emitting device 120 .

발광소자(120)의 상면에 대응하는 수지층(610)의 두께는 발광소자(120)의 측면에 대응하는 수지층(610)의 두께와 동일할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The thickness of the resin layer 610 corresponding to the top surface of the light emitting device 120 may be the same as the thickness of the resin layer 610 corresponding to the side surface of the light emitting device 120, but is not limited thereto.

수지층(610)는 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다. The resin layer 610 may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone.

실시예에 의하면, 수지층(610)는 발광소자(120)의 광이 균일하게 출사되도록 조절할 수 있다. According to the embodiment, the resin layer 610 can be adjusted so that the light of the light emitting element 120 is emitted uniformly.

실시예에 의하면, 수지층(610)는 습기가 투습되는 것을 방지하여 발광소자(120)를 습기로부터 보호할 수 있다. According to the embodiment, the resin layer 610 may protect the light emitting device 120 from moisture by preventing moisture permeation.

그러나, 수지층(610)는 도 21a 및 도 21b에 도시한 바와 같이, 공정 상 크랙(crack)이나 박리(delamination)와 같은 불량(2)이 야기될 수 있다. 이하에서 이러한 불량을 방지할 수 있는 발광소자를 설명하기로 한다.However, as shown in FIGS. 21A and 21B , the resin layer 610 may cause defects (2) such as cracks or delamination during the process. Hereinafter, a light emitting device capable of preventing such a defect will be described.

도 22는 제3 실시예에 따른 발광소자를 보여준다.22 shows a light emitting device according to a third embodiment.

도 22를 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광소자(120)는 제2 수지층(620)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 22 , the light emitting device 120 according to the third embodiment may include a second resin layer 620 .

제2 수지층(620)는 제1 수지층(610) 상에 제공될 수 있다. 일 예로, 제2 수지층(620)은 제1 수지층(610)의 상면 상에 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 즉, 제2 수지층(620)은 제1 수지층(610)의 상면뿐만 아니라 측면 상에도 배치될 수 있다. The second resin layer 620 may be provided on the first resin layer 610 . For example, the second resin layer 620 may be disposed on the upper surface of the first resin layer 610, but is not limited thereto. That is, the second resin layer 620 may be disposed not only on the top surface of the first resin layer 610 but also on the side surface.

제2 수지층(620)와 제1 수지층(610) 사이에 제3 수지층(640)이 제공될 수 있다. A third resin layer 640 may be provided between the second resin layer 620 and the first resin layer 610 .

제3 수지층(640)는 접착층으로 지칭될 수 있다. 제2 수지층(620)는 제3 수지층(640)에 의해 제1 수지층(610)에 부착될 수 있다. The third resin layer 640 may be referred to as an adhesive layer. The second resin layer 620 may be attached to the first resin layer 610 by the third resin layer 640 .

제1 수지층(610), 제2 수지층(620) 및 제3 수지층(640)는 실리콘을 포함할 수 있다. 실리콘은 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다. The first resin layer 610, the second resin layer 620, and the third resin layer 640 may include silicon. Silicone may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone.

재1 수지층(610)는 실리콘과 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 파장변환 물질로는 형광체나 양자점이 사용될 수 있다.The first resin layer 610 may include silicon and a wavelength conversion material. As the wavelength conversion material, phosphors or quantum dots may be used.

제2 수지층(620)는 실리콘과 산란입자를 포함할 수 있다. 산란입자로는 예컨대, TiO2, SiO2 등을 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The second resin layer 620 may include silicon and scattering particles. The scattering particles may include, for example, TiO2, SiO2, etc., but are not limited thereto.

제3 수지층(640)는 실리콘과 접착제를 포함할 수 있다. 제3 수지층(640)는 접착제 없이 열 공정과 경화 공정에 의해 접착제로서의 기능을 가질 수도 있다. The third resin layer 640 may include silicone and an adhesive. The third resin layer 640 may function as an adhesive through a thermal process and a curing process without an adhesive.

실시예에 의하면, 제1 수지층(610)와 제2 수지층(620) 각각의 물질과 굴절률(refractive index)를 조절하여 최적의 광 추출 효과를 얻을 수 있다. According to the embodiment, an optimal light extraction effect can be obtained by adjusting the material and refractive index of each of the first resin layer 610 and the second resin layer 620 .

제1 예로, 제1 수지층(610)는 페닐 계열 실리콘을 포함하고 적어도 1.5 이상의 굴절률을 가질 수 있다. 제2 수지층(620)는 메틸 계열 실리콘을 포함하고 1.4~1.5의 굴절률을 가질 수 있다. As a first example, the first resin layer 610 may include phenyl-based silicon and have a refractive index of at least 1.5 or higher. The second resin layer 620 may include methyl-based silicon and have a refractive index of 1.4 to 1.5.

제2 예로, 제1 수지층(610)는 메틸 계열 실리콘을 포함하고 1.4~1.5의 굴절률을 가질 수 있다. 제2 수지층(620)는 페닐 계열 실리콘을 포함하고 적어도 1.5 이상의 굴절률을 가질 수 있다.As a second example, the first resin layer 610 may include methyl-based silicon and have a refractive index of 1.4 to 1.5. The second resin layer 620 may include phenyl-based silicon and have a refractive index of at least 1.5 or higher.

제3 예로, 제1 수지층(610)와 제2 수지층(620)는 메틸 계열 실리콘을 포함하고 1.4~1.5의 굴절률을 가질 수 있다. As a third example, the first resin layer 610 and the second resin layer 620 may include methyl-based silicon and have a refractive index of 1.4 to 1.5.

제4 예로, 제1 수지층(610)와 제2 수지층(620)는 페닐 계열 실리콘을 포함하고 적어도 1.5 이상의 굴절률을 가질 수 있다.As a fourth example, the first resin layer 610 and the second resin layer 620 may include phenyl-based silicon and have a refractive index of at least 1.5 or higher.

도 23은 제4 실시예에 따른 발광소자를 보여준다.23 shows a light emitting device according to a fourth embodiment.

제4 실시예는 제2 수지층(620)에 패턴(630)이 형성되는 것을 제외하고는 제3 실시예(도 22)와 동일하다. 제4 실시예에서 제3 실시예와 동일한 기능, 구조 및/또는 형상을 갖는 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다. 제4 실시예에서 누락된 설명은 제3 실시예로부터 용이하게 이해될 수 있다. The fourth embodiment is the same as the third embodiment (FIG. 22) except that the pattern 630 is formed on the second resin layer 620. In the fourth embodiment, the same reference numerals are given to components having the same functions, structures and/or shapes as those in the third embodiment, and detailed descriptions are omitted. The description omitted in the fourth embodiment can be easily understood from the third embodiment.

도 23을 참조하면, 제4 실시예에 따른 발광소자(120)는 제2 수지층(620)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 23 , the light emitting device 120 according to the fourth embodiment may include a second resin layer 620 .

제2 수지층(620)의 적어도 일면에 다수의 패턴(630)이 제공될 수 있다. 예컨대, 다수의 패턴(630)은 제2 수지층(620)의 상면에 배치될 수 있다. 패턴(630)은 요철 패턴일 수 있다. A plurality of patterns 630 may be provided on at least one surface of the second resin layer 620 . For example, a plurality of patterns 630 may be disposed on an upper surface of the second resin layer 620 . The pattern 630 may be a concavo-convex pattern.

패턴(630)은 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 엠보싱(embossing) 형상을 가질 수 있다. 패턴(630)은 제2 수지층(620)의 상면에서 상부 방향으로 볼록한 라운드 형상을 가질 수 있다.When viewed from the top of the light emitting device 120, the pattern 630 may have an embossing shape. The pattern 630 may have a convex round shape in an upward direction from the upper surface of the second resin layer 620 .

패턴(630)의 상측 피크점의 높이는 서로 동일할 수 있지만, 이에 대해서 한정하지 않는다.The heights of the upper peak points of the pattern 630 may be the same, but are not limited thereto.

패턴(630)은 제2 수지층(620)의 상면에서 하부 방향으로 오목한 라운드 형상을 갖는 리세스를 포함할 수 있다. The pattern 630 may include a recess having a round shape concave from the upper surface of the second resin layer 620 to the lower direction.

도 24은 제5 실시예에 따른 발광소자를 설명하는 평면도이고, 도 25는 도 24에 도시된 발광소자의 A-A 선에 따른 단면도이다.24 is a plan view illustrating a light emitting device according to a fifth embodiment, and FIG. 25 is a cross-sectional view of the light emitting device shown in FIG. 24 taken along line A-A.

이해를 돕기 위해, 도 24을 도시함에 있어, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 아래에 배치되지만, 제1 본딩부(1171)에 전기적으로 연결된 제1 서브전극(1141)과 제2 본딩부(1172)에 전기적으로 연결된 제2 서브전극(1142)이 보일 수 있도록 도시되었다.24, the first sub-electrode 1141 disposed under the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 but electrically connected to the first bonding unit 1171 in FIG. And the second sub-electrode 1142 electrically connected to the second bonding portion 1172 is shown so that it can be seen.

제5 실시예에 따른 발광소자(120)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 기판(1105) 위에 배치된 발광 구조물(1110)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 24 and 25 , the light emitting device 120 according to the fifth embodiment may include a light emitting structure 1110 disposed on a substrate 1105 .

기판(1105)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 기판(1105)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The substrate 1105 may be selected from a group including a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge. As an example, the substrate 1105 may be provided as a patterned sapphire substrate (PSS) having a concavo-convex pattern formed on an upper surface thereof.

발광 구조물(1110)은 제1 도전형 반도체층(1111), 활성층(1112), 제2 도전형 반도체층(1113)을 포함할 수 있다. 활성층(1112)은 제1 도전형 반도체층(1111)과 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 활성층(1112)이 배치되고, 활성층(1112) 위에 제2 도전형 반도체층(1113)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 1110 may include a first conductivity type semiconductor layer 1111 , an active layer 1112 , and a second conductivity type semiconductor layer 1113 . The active layer 1112 may be disposed between the first conductivity type semiconductor layer 1111 and the second conductivity type semiconductor layer 1113 . For example, an active layer 1112 may be disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 1111 and a second conductivity-type semiconductor layer 1113 may be disposed on the active layer 1112 .

실시예에 의하면, 제1 도전형 반도체층(1111)은 n형 반도체층으로 제공되고, 제2 도전형 반도체층(1113)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시예에 의하면, 제1 도전형 반도체층(1111)이 p형 반도체층으로 제공되고, 제2 도전형 반도체층(1113)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to the embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 1111 may be provided as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 1113 may be provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 1111 may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 1113 may be provided as an n-type semiconductor layer.

이하에서는 설명의 편의를 위해 제1 도전형 반도체층(1111)이 n형 반도체층으로 제공되고 제2 도전형 반도체층(1113)이 p형 반도체층으로 제공된 경우를 기준으로 설명하기로 한다.Hereinafter, for convenience of description, a case in which the first conductivity type semiconductor layer 1111 is provided as an n-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 1113 is provided as a p-type semiconductor layer will be described.

제5 실시예에 따른 발광소자(120)는, 도 25에 도시된 바와 같이, 투광성 전극층(1130)을 포함할 수 있다. 투광성 전극층(1130)은 전류 확산을 향상시켜 광출력을 증가시킬 수 있다. As shown in FIG. 25 , the light emitting device 120 according to the fifth embodiment may include a light-transmitting electrode layer 1130 . The light-transmitting electrode layer 1130 may increase light output by improving current diffusion.

예로서, 투광성 전극층(1130)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 투광성 전극층(1130)은 투광성의 물질을 포함할 수 있다.For example, the light-transmitting electrode layer 1130 may include at least one selected from a group including a metal, a metal oxide, and a metal nitride. The light-transmitting electrode layer 1130 may include a light-transmitting material.

투광성 전극층(1130)은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, Pd를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light-transmitting electrode layer 1130 may be, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), IZO nitride (IZON), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium (IGZO) zinc oxide), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx /Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh, may include at least one selected from the group including Pd.

제5 실시예에 따른 발광소자(120)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 반사층(1160)을 포함할 수 있다. 반사층(1160)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)을 포함할 수 있다. 반사층(1160)은 투광성 전극층(1130) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 120 according to the fifth embodiment may include a reflective layer 1160 as shown in FIGS. 24 and 25 . The reflective layer 1160 may include a first reflective layer 1161 , a second reflective layer 1162 , and a third reflective layer 1163 . The reflective layer 1160 may be disposed on the light-transmitting electrode layer 1130 .

제2 반사층(1162)은 투광성 전극층(1130)을 노출시키는 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. 제2 반사층(1162)은 투광성 전극층(1130) 위에 배치된 복수의 제1 개구부(h1)를 포함할 수 있다. The second reflective layer 1162 may include a first opening h1 exposing the light-transmitting electrode layer 1130 . The second reflective layer 1162 may include a plurality of first openings h1 disposed on the light-transmitting electrode layer 1130 .

제1 반사층(1161)은 제1 도전형 반도체층(1111)의 상부 면을 노출시키는 복수의 제2 개구부(h2)를 포함할 수 있다.The first reflective layer 1161 may include a plurality of second openings h2 exposing an upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 1111 .

제3 반사층(1163)은 제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 제3 반사층(1163)은 제1 반사층(1161)과 연결될 수 있다. 또한, 제3 반사층(1163)은 제2 반사층(1162)과 연결될 수 있다. 제3 반사층(1163)은 제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162)에 물리적으로 직접 접촉되어 배치될 수 있다.The third reflective layer 1163 may be disposed between the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 . For example, the third reflective layer 1163 may be connected to the first reflective layer 1161 . Also, the third reflective layer 1163 may be connected to the second reflective layer 1162 . The third reflective layer 1163 may be disposed in direct physical contact with the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 .

실시예에 따른 반사층(1160)은 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 제2 도전형 반도체층(1113)에 접촉될 수 있다. 반사층(1160)은 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀을 통하여 제2 도전형 반도체층(1113)의 상부 면에 물리적으로 접촉될 수 있다.The reflective layer 1160 according to the embodiment may contact the second conductivity type semiconductor layer 1113 through a plurality of contact holes provided in the light-transmitting electrode layer 1130 . The reflective layer 1160 may physically contact the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer 1113 through a plurality of contact holes provided in the light-transmitting electrode layer 1130 .

반사층(1160)은 절연성 반사층으로 제공될 수 있다. 예로서, 반사층(1160)은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 반사층(1160)은 ODR(Omni Directional Reflector)층으로 제공될 수 있다. 또한, 반사층(1160)은 DBR층과 ODR층이 적층되어 제공될 수도 있다.The reflective layer 1160 may be provided as an insulating reflective layer. For example, the reflective layer 1160 may be provided as a Distributed Bragg Reflector (DBR) layer. In addition, the reflective layer 1160 may be provided as an Omni Directional Reflector (ODR) layer. In addition, the reflective layer 1160 may be provided by stacking a DBR layer and an ODR layer.

제5 실시예에 따른 발광소자(120)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 24 and 25 , the light emitting device 120 according to the fifth embodiment may include a first sub-electrode 1141 and a second sub-electrode 1142 .

제1 서브전극(1141)은 제2 개구부(h2) 내부에서 제1 도전형 반도체층(1111)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 서브전극(1141)은 제1 도전형 반도체층(1111) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 제5 실시예에 따른 발광소자(120)에 의하면, 제1 서브전극(1141)은 제2 도전형 반도체층(1113), 활성층(1112)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 일부 영역까지 배치되는 리세스 내에서 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 배치될 수 있다. The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 1111 within the second opening h2. The first sub-electrode 1141 may be disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 1111 . For example, according to the light emitting device 120 according to the fifth embodiment, the first sub-electrode 1141 penetrates the second conductivity type semiconductor layer 1113 and the active layer 1112 to form the first conductivity type semiconductor layer 1111. ) may be disposed on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 1111 in the recess disposed up to a partial region of the region.

제1 서브전극(1141)은 제1 반사층(1161)에 제공된 제2 개구부(h2)를 통하여 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 개구부(h2)와 리세스는 수직으로 중첩할 수 있고 예로서, 제1 서브전극(1141)은, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 복수의 리세스 영역에서 제1 도전형 반도체층(1111)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.The first sub-electrode 1141 may be electrically connected to the upper surface of the first conductive semiconductor layer 1111 through the second opening h2 provided in the first reflective layer 1161 . The second opening h2 and the recess may vertically overlap each other. For example, as shown in FIGS. 24 and 25 , the first sub-electrode 1141 is a first conductivity-type semiconductor in a plurality of recess regions. It may be in direct contact with the top surface of layer 1111 .

제2 서브전극(1142)은 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 서브전극(1142)은 제2 도전형 반도체층(1113) 위에 배치될 수 있다. 실시예에 의하면, 제2 서브전극(1142)과 제2 도전형 반도체층(1113) 사이에 투광성 전극층(1130)이 배치될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 1113 . The second sub-electrode 1142 may be disposed on the second conductive semiconductor layer 1113 . According to the embodiment, a light-transmitting electrode layer 1130 may be disposed between the second sub-electrode 1142 and the second conductivity-type semiconductor layer 1113 .

제2 서브전극(1142)은 제2 반사층(1162)에 제공된 제1 개구부(h1)를 통하여 제2 도전형 반도체층(1113)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 제2 서브전극(1142)은, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 투광성 전극층(1130)을 통하여 제2 도전형 반도체층(1113)에 전기적으로 연결될 수 있다.The second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 1113 through the first opening h1 provided in the second reflective layer 1162 . For example, as shown in FIGS. 24 and 25 , the second sub-electrode 1142 may be electrically connected to the second conductivity-type semiconductor layer 1113 through the translucent electrode layer 1130 in the plurality of P regions. .

제2 서브전극(1142)은, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 복수의 P 영역에서 제2 반사층(1162)에 제공된 복수의 제1 개구부(h1)를 통하여 투광성 전극층(1130)의 상면에 직접 접촉될 수 있다.As shown in FIGS. 24 and 25 , the second sub-electrode 1142 is formed on the upper surface of the light-transmissive electrode layer 1130 through the plurality of first openings h1 provided in the second reflective layer 1162 in the plurality of P regions. can be directly contacted.

실시예에 의하면, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)은 서로 극성을 가질 수 있고, 서로 이격되어 배치될 수 있다. According to an embodiment, as shown in FIGS. 24 and 25 , the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have polarities and may be spaced apart from each other.

제1 서브전극(1141)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 제2 서브전극(1142)은 예로서 복수의 라인 형상으로 제공될 수 있다. 제1 서브전극(1141)은 이웃된 복수의 제2 서브전극(1142) 사이에 배치될 수 있다. 제2 서브전극(1142)은 이웃된 복수의 제1 서브전극(1141) 사이에 배치될 수 있다.For example, the first sub-electrode 1141 may be provided in a plurality of line shapes. Also, the second sub-electrode 1142 may be provided in the shape of a plurality of lines, for example. The first sub-electrode 1141 may be disposed between a plurality of adjacent second sub-electrodes 1142 . The second sub-electrode 1142 may be disposed between a plurality of adjacent first sub-electrodes 1141 .

제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)이 서로 다른 극성으로 구성되는 경우, 서로 다른 개수의 전극으로 배치될 수 있다. 예를 들어 제1 서브전극(1141)이 n 전극으로, 제2 서브전극(1142)이 p 전극으로 구성되는 경우 제1 서브전극(1141)보다 제2 서브전극(1142)의 개수가 더 많을 수 있다. 제2 도전형 반도체층(1113)과 제1 도전형 반도체층(1111)의 전기 전도도 및/또는 저항이 서로 다른 경우, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에 의해 발광 구조물(1110)로 주입되는 전자와 정공의 균형을 맞출 수 있고 따라서 발광소자의 광학적 특성이 개선될 수 있다.When the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 have different polarities, they may have different numbers of electrodes. For example, when the first sub-electrode 1141 is composed of an n-electrode and the second sub-electrode 1142 is composed of a p-electrode, the number of second sub-electrodes 1142 may be greater than that of the first sub-electrode 1141. there is. When the electrical conductivity and/or resistance of the second conductivity-type semiconductor layer 1113 and the first conductivity-type semiconductor layer 1111 are different from each other, the light emitting structure is provided by the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142. Electrons and holes injected into 1110 can be balanced, and thus optical characteristics of the light emitting device can be improved.

한편, 실시예에 따른 발광소자(120)가 적용될 발광소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E)에서 요청되는 특성에 따라, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)의 극성이 서로 반대로 제공될 수도 있다. 또한, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)의 폭/길이/형상 및 개수 등은 발광소자 패키지에서 요청되는 특성에 따라 다양하게 변형되어 적용될 수 있다.Meanwhile, according to characteristics requested in the light emitting device packages 100, 100A, 100B, 100C, 100D, and 100E to which the light emitting device 120 according to the embodiment is applied, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 ) polarities may be provided opposite to each other. In addition, the width/length/shape and number of the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be variously modified and applied according to characteristics required in the light emitting device package.

제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may have a single-layer or multi-layer structure. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be ohmic electrodes. For example, the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142 may be ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni , Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf, or at least one or an alloy of two or more of these materials.

제5 실시예에 따른 발광소자(120)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 보호층(1150)을 포함할 수 있다.The light emitting device 120 according to the fifth embodiment may include a protective layer 1150 as shown in FIGS. 24 and 25 .

보호층(1150)은 제2 서브전극(1142)을 노출시키는 복수의 제3 개구부(h3)를 포함할 수 있다. 복수의 제3 개구부(h3)는 제2 서브전극(1142)에 제공된 복수의 PB 영역에 대응되어 배치될 수 있다. The protective layer 1150 may include a plurality of third openings h3 exposing the second sub-electrode 1142 . The plurality of third openings h3 may be disposed to correspond to the plurality of PB regions provided in the second sub-electrode 1142 .

또한, 보호층(1150)은 제1 서브전극(1141)을 노출시키는 복수의 제4 개구부(h4)를 포함할 수 있다. 복수의 제4 개구부(h4)는 제1 서브전극(1141)에 제공된 복수의 NB 영역에 대응되어 배치될 수 있다.In addition, the protective layer 1150 may include a plurality of fourth openings h4 exposing the first sub-electrode 1141 . The plurality of fourth openings h4 may be disposed to correspond to the plurality of NB regions provided in the first sub-electrode 1141 .

보호층(1150)은 반사층(1160) 위에 배치될 수 있다. 보호층(1150)은 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163) 위에 배치될 수 있다.A protective layer 1150 may be disposed on the reflective layer 1160 . The protective layer 1150 may be disposed on the first reflective layer 1161 , the second reflective layer 1162 , and the third reflective layer 1163 .

예로서, 보호층(1150)은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 보호층(1150)은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer 1150 may be provided with an insulating material. For example, the protective layer 1150 may be formed of at least one material selected from a group including SixOy, SiOxNy, SixNy, and AlxOy.

제5 실시예에 따른 발광소자(120)는, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 보호층(1150) 위에 배치된 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 24 and 25 , the light emitting device 120 according to the fifth embodiment may include a first bonding unit 1171 and a second bonding unit 1172 disposed on the protective layer 1150. can

제1 본딩부(1171)는 제1 반사층(1161) 위에 배치될 수 있다. 또한, 제2 본딩부(1172)는 제2 반사층(1162) 위에 배치될 수 있다. 제2 본딩부(1172)는 제1 본딩부(1171)와 이격되어 배치될 수 있다.The first bonding part 1171 may be disposed on the first reflective layer 1161 . In addition, the second bonding portion 1172 may be disposed on the second reflective layer 1162 . The second bonding unit 1172 may be spaced apart from the first bonding unit 1171 .

제1 본딩부(1171)는 복수의 NB 영역에서 보호층(1150)에 제공된 복수의 제4 개구부(h4)를 통하여 제1 서브전극(1141)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 복수의 NB 영역은 제2 개구부(h2)와 수직으로 어긋나도록 배치될 수 있다. 복수의 NB 영역과 제2 개구부(h2)가 서로 수직으로 어긋나는 경우, 제1 본딩부(1171)로 주입되는 전류가 제1 서브전극(1141)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 복수의 NB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. The first bonding portion 1171 may contact the upper surface of the first sub-electrode 1141 through the plurality of fourth openings h4 provided in the protective layer 1150 in the plurality of NB regions. The plurality of NB regions may be arranged to be vertically offset from the second opening h2. When the plurality of NB regions and the second opening h2 are vertically displaced from each other, the current injected into the first bonding part 1171 can be evenly spread in the horizontal direction of the first sub-electrode 1141, and thus the plurality of NBs Current can be evenly injected in the area.

또한, 제2 본딩부(1172)는 복수의 PB 영역에서 보호층(1150)에 제공된 복수의 제3 개구부(h3)를 통하여 제2 서브전극(1142)의 상부 면에 접촉될 수 있다. 복수의 PB 영역과 복수의 제1 개구부(h1)가 수직으로 중첩되지 않도록 하는 경우 제2 본딩부(1172)로 주입되는 전류가 제2 서브전극(1142)의 수평 방향으로 골고루 퍼질 수 있고, 따라서 복수의 PB 영역에서 전류가 골고루 주입될 수 있다. In addition, the second bonding portion 1172 may contact the upper surface of the second sub-electrode 1142 through the plurality of third openings h3 provided in the protective layer 1150 in the plurality of PB regions. When the plurality of PB regions and the plurality of first openings h1 are not vertically overlapped, the current injected into the second bonding part 1172 can be evenly spread in the horizontal direction of the second sub-electrode 1142, and thus Current may be evenly injected in the plurality of PB regions.

이와 같이 제5 실시예에 따른 발광소자(120)에 의하면, 제1 본딩부(1171)와 제1 서브전극(1141)은 복수의 제4 개구부(h4) 영역에서 접촉될 수 있다. 또한, 제2 본딩부(1172)와 제2 서브전극(1142)이 복수의 영역에서 접촉될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 의하면, 복수의 영역을 통해 전원이 공급될 수 있으므로, 접촉 면적 증가 및 접촉 영역의 분산에 따라 전류 분산 효과가 발생되고 동작전압이 감소될 수 있는 장점이 있다.As described above, according to the light emitting device 120 according to the fifth embodiment, the first bonding portion 1171 and the first sub-electrode 1141 may be in contact with each other in the area of the plurality of fourth openings h4. Also, the second bonding portion 1172 and the second sub-electrode 1142 may contact each other in a plurality of regions. Accordingly, according to the embodiment, since power can be supplied through a plurality of regions, there is an advantage in that a current spreading effect occurs and an operating voltage can be reduced according to the contact area increase and the contact area dispersion.

또한, 제5 실시예에 따른 발광소자(120)에 의하면, 도 25에 도시된 바와 같이, 제1 반사층(1161)이 제1 서브전극(1141) 아래에 배치되며, 제2 반사층(1162)이 제2 서브전극(1142) 아래에 배치된다. 이에 따라, 제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162)은 발광 구조물(1110)의 활성층(1112)에서 발광되는 빛을 반사시켜 제1 서브전극(1141)과 제2 서브전극(1142)에서 광 흡수가 발생되는 것을 최소화하여 광도(Po)를 향상시킬 수 있다.In addition, according to the light emitting device 120 according to the fifth embodiment, as shown in FIG. 25, the first reflective layer 1161 is disposed under the first sub-electrode 1141, and the second reflective layer 1162 is It is disposed below the second sub-electrode 1142 . Accordingly, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 reflect the light emitted from the active layer 1112 of the light emitting structure 1110 to the first sub-electrode 1141 and the second sub-electrode 1142. The luminous intensity Po may be improved by minimizing light absorption.

예를 들어, 제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162)은 절연성 재료로 이루어지되, 활성층(1112)에서 방출된 빛의 반사를 위하여 반사율이 높은 재료, 예를 들면 DBR 구조를 이룰 수 있다.For example, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 are made of an insulating material, but a material with high reflectivity, for example, a DBR structure, can be formed to reflect light emitted from the active layer 1112. .

제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162)은 굴절률이 다른 물질이 서로 반복하여 배치된 DBR 구조를 이룰 수 있다. 예를 들어, 제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162)은 TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2 중 적어도 하나 이상을 포함하는 단층 또는 적층 구조로 배치될 수 있다.The first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may form a DBR structure in which materials having different refractive indices are repeatedly disposed. For example, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be disposed in a single-layer or stacked structure including at least one of TiO2, SiO2, Ta2O5, and HfO2.

또한, 다른 실시예에 의하면, 이에 한정하지 않고, 제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162)은 활성층(1112)에서 발광하는 빛의 파장에 따라 활성층(1112)에서 발광하는 빛에 대한 반사도를 조절할 수 있도록 자유롭게 선택될 수 있다.In addition, according to another embodiment, without being limited thereto, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 reflect the light emitted from the active layer 1112 according to the wavelength of the light emitted from the active layer 1112. can be freely chosen to adjust the

또한, 다른 실시예에 의하면, 제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162)은 ODR층으로 제공될 수도 있다. 또 다른 실시예에 의하면, 제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162)은 DBR층과 ODR층이 적층된 일종의 하이브리드(hybrid) 형태로 제공될 수도 있다.Also, according to another embodiment, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be provided as ODR layers. According to another embodiment, the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 may be provided in a kind of hybrid form in which a DBR layer and an ODR layer are stacked.

실시예에 따른 발광소자가 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지로 구현되는 경우, 발광 구조물(1110)에서 제공되는 빛은 기판(1105)을 통하여 방출될 수 있다. 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162)에서 반사되어 기판(1105) 방향으로 방출될 수 있다. When the light emitting device according to the embodiment is mounted in a flip chip bonding method and implemented as a light emitting device package, light provided from the light emitting structure 1110 may be emitted through the substrate 1105 . Light emitted from the light emitting structure 1110 may be reflected by the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162 and emitted toward the substrate 1105 .

또한, 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은 발광 구조물(1110)의 측면 방향으로도 방출될 수 있다. 또한, 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)가 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. In addition, light emitted from the light emitting structure 1110 may also be emitted in a lateral direction of the light emitting structure 1110 . In addition, the light emitted from the light emitting structure 1110 is emitted from the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 among the surfaces on which the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 are disposed. It may be emitted to the outside through an unprovided area.

구체적으로, 발광 구조물(1110)에서 방출되는 빛은, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)가 배치된 면 중에서, 제1 반사층(1161), 제2 반사층(1162), 제3 반사층(1163)이 제공되지 않은 영역을 통하여 외부로 방출될 수 있다. Specifically, the light emitted from the light emitting structure 1110, among the surfaces on which the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 are disposed, the first reflective layer 1161, the second reflective layer 1162, the first 3 may be emitted to the outside through a region where the reflective layer 1163 is not provided.

이에 따라, 제5 실시예에 따른 발광소자(120)는 발광 구조물(1110)을 둘러싼 6면 방향으로 빛을 방출할 수 있게 되며, 광도를 현저하게 향상시킬 수 있다.Accordingly, the light emitting device 120 according to the fifth embodiment can emit light in six directions surrounding the light emitting structure 1110, and can significantly improve the luminous intensity.

한편, 제5 실시예에 따른 발광소자(120)에 의하면, 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)가 배치된 발광소자(120)의 상부 면 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공될 수 있다.Meanwhile, according to the light emitting device 120 according to the fifth embodiment, when viewed from the top of the light emitting device 120, the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 is It may be provided equal to or smaller than 60% of the total area of the upper surface of the light emitting device 120 where the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 are disposed.

예로서, 발광소자(120)의 상부 면 전체 면적은 발광 구조물(1110)의 제1 도전형 반도체층(1111)의 하부 면의 가로 길이 및 세로 길이에 의하여 정의되는 면적에 대응될 수 있다. 또한, 발광소자(120)의 상부 면 전체 면적은 기판(1105)의 상부 면 또는 하부 면의 면적에 대응될 수 있다.For example, the total area of the upper surface of the light emitting device 120 may correspond to an area defined by the horizontal and vertical lengths of the lower surface of the first conductivity type semiconductor layer 1111 of the light emitting structure 1110 . Also, the entire area of the upper surface of the light emitting device 120 may correspond to the area of the upper or lower surface of the substrate 1105 .

이와 같이, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 발광소자(120)의 전체 면적의 60%에 비해 같거나 작게 제공되도록 함으로써, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 빛의 양이 증가될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시예에 의하면, 발광소자(120)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다.In this way, the sum of the areas of the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 is provided equal to or smaller than 60% of the total area of the light emitting element 120, thereby providing the first bonding unit 1171 And the amount of light emitted to the surface on which the second bonding unit 1172 is disposed can be increased. Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted in the direction of the six surfaces of the light emitting element 120 increases, the light extraction efficiency can be improved and the light intensity Po can be increased.

또한, 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 제1 본딩부(1171)의 면적과 제2 본딩부(1172)의 면적의 합은 발광소자(120)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공될 수 있다.In addition, when viewed from the upper direction of the light emitting element 120, the sum of the area of the first bonding part 1171 and the area of the second bonding part 1172 is equal to 30% of the total area of the light emitting element 120. or can be provided large.

이와 같이, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 발광소자(120)의 전체 면적의 30%에 비해 같거나 크게 제공되도록 함으로써, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)를 통하여 안정적인 실장이 수행될 수 있고, 발광소자(120)의 전기적인 특성을 확보할 수 있게 된다.In this way, the sum of the areas of the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 is equal to or larger than 30% of the total area of the light emitting element 120, thereby providing the first bonding unit 1171 And through the second bonding unit 1172, stable mounting can be performed, and electrical characteristics of the light emitting element 120 can be secured.

실시예에 따른 발광소자(120)는, 광 추출 효율 및 본딩의 안정성 확보를 고려하여, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 발광소자(120)의 전체 면적의 30% 이상이고 60% 이하로 선택될 수 있다.In the light emitting device 120 according to the embodiment, the sum of the areas of the first bonding portion 1171 and the second bonding portion 1172 is the total area of the light emitting device 120 in consideration of light extraction efficiency and bonding stability. It can be chosen to be more than 30% of the area and less than 60%.

즉, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 발광소자(120)의 전체 면적의 30% 이상 내지 100% 이하인 경우, 발광소자(120)의 전기적 특성을 확보하고, 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하여 안정적인 실장이 수행될 수 있다.That is, when the sum of the areas of the first bonding part 1171 and the second bonding part 1172 is 30% or more to 100% or less of the total area of the light emitting element 120, the electrical characteristics of the light emitting element 120 are secured. And, by securing bonding force mounted on the light emitting device package, stable mounting can be performed.

또한, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 발광소자(120)의 전체 면적의 0% 초과 내지 60% 이하인 경우, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)가 배치된 면으로 방출되는 광량이 증가하여 발광소자(120)의 광추출 효율이 향상되고, 광도(Po)가 증가될 수 있다.In addition, when the sum of the areas of the first bonding part 1171 and the second bonding part 1172 is more than 0% and less than 60% of the total area of the light emitting device 120, the first bonding part 1171 and the second bonding part 1171 The amount of light emitted to the surface on which the bonding unit 1172 is disposed increases, thereby improving the light extraction efficiency of the light emitting device 120 and increasing the light intensity Po.

실시예에서는 발광소자(120)의 전기적 특성과 발광소자 패키지에 실장되는 본딩력을 확보하고, 광도를 증가시키기 위해, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)의 면적의 합이 발광소자(120)의 전체 면적의 30% 이상 내지 60% 이하로 선택하였다.In the embodiment, the sum of the areas of the first bonding part 1171 and the second bonding part 1172 is used to secure the electrical characteristics of the light emitting device 120 and the bonding force mounted on the light emitting device package, and to increase the luminous intensity. 30% or more to 60% or less of the total area of the light emitting element 120 was selected.

또한, 실시예에 따른 발광소자(120)에 의하면, 제3 반사층(1163)이 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 제3 반사층(1163)의 발광소자(120)의 장축 방향에 따른 길이는 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 사이의 간격에 대응되어 배치될 수 있다. 또한, 제3 반사층(1163)의 면적은 예로서 발광소자(120)의 상부 면 전체의 10% 이상이고 25% 이하로 제공될 수 있다.In addition, according to the light emitting device 120 according to the embodiment, the third reflective layer 1163 may be disposed between the first bonding part 1171 and the second bonding part 1172 . For example, the length of the third reflective layer 1163 along the long axis direction of the light emitting element 120 may be disposed to correspond to the distance between the first bonding part 1171 and the second bonding part 1172 . Also, the area of the third reflective layer 1163 may be 10% or more and 25% or less of the entire upper surface of the light emitting element 120, for example.

제3 반사층(1163)의 면적이 발광소자(120)의 상부 면 전체의 10% 이상일 때, 발광소자(120)의 하부에 배치되는 몸체(110)가 변색되거나 균열의 발생을 방지할 수 있고, 25% 이하일 경우 발광소자(120)의 6면으로 발광하도록 하는 광추출효율을 확보하기에 유리하다. When the area of the third reflective layer 1163 is 10% or more of the total upper surface of the light emitting element 120, discoloration of the body 110 disposed under the light emitting element 120 or occurrence of cracks can be prevented, If it is 25% or less, it is advantageous to ensure light extraction efficiency to emit light from six sides of the light emitting element 120.

또한, 다른 실시예에서는 이에 한정하지 않고 광추출효율을 더 크게 확보하기 위해 제3 반사층(1163)의 면적을 발광소자(120)의 상부 면 전체의 0% 초과 내지 10% 미만으로 배치할 수 있고, 몸체(110)에 변색 또는 균열의 발생을 방지하는 효과를 더 크게 확보하기 위해 제3 반사층(1163)의 면적을 발광소자(120)의 상부 면 전체의 25% 초과 내지 100% 미만으로 배치할 수 있다.In addition, in another embodiment, the area of the third reflective layer 1163 may be greater than 0% to less than 10% of the entire upper surface of the light emitting element 120 in order to secure higher light extraction efficiency without being limited thereto. , In order to secure a greater effect of preventing discoloration or cracking in the body 110, the area of the third reflective layer 1163 may be disposed to be greater than 25% to less than 100% of the entire upper surface of the light emitting element 120. can

또한, 발광소자(120)의 장축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 제1 본딩부(1171) 또는 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제2 영역으로 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. In addition, the light generated from the light emitting structure 1110 is transmitted through the second area provided between the first bonding unit 1171 or the second bonding unit 1172 adjacent to the side surface disposed in the long axis direction of the light emitting element 120. and can be released.

또한, 발광소자(120)의 단축 방향에 배치된 측면과 이웃하는 제1 본딩부(1171) 또는 제2 본딩부(1172) 사이에 제공된 제3 영역으로 발광구조물에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다. In addition, the light generated from the light emitting structure is transmitted to and emitted from the third region provided between the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 adjacent to the side surface disposed in the direction of the short axis of the light emitting element 120. can

실시예에 의하면, 제1 반사층(1161)의 크기는 제1 본딩부(1171)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 반사층(1161)의 면적은 제1 본딩부(1171)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 제1 반사층(1161)의 한 변의 길이는 제1 본딩부(1171)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.According to the embodiment, the size of the first reflective layer 1161 may be several micrometers larger than that of the first bonding portion 1171 . For example, the area of the first reflective layer 1161 may be provided with a size sufficient to completely cover the area of the first bonding portion 1171 . Considering the process error, the length of one side of the first reflective layer 1161 may be greater than the length of one side of the first bonding part 1171 by, for example, about 4 micrometers to about 10 micrometers.

또한, 제2 반사층(1162)의 크기는 제2 본딩부(1172)의 크기에 비하여 수 마이크로 미터 더 크게 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 반사층(1162)의 면적은 제2 본딩부(1172)의 면적을 완전히 덮을 수 있을 정도의 크기로 제공될 수 있다. 공정 오차를 고려할 때, 제2 반사층(1162)의 한 변의 길이는 제2 본딩부(1172)의 한 변의 길이에 비해 예로서 4 마이크로 미터 내지 10 마이크로 미터 정도 더 크게 제공될 수 있다.Also, the size of the second reflective layer 1162 may be several micrometers larger than that of the second bonding portion 1172 . For example, the area of the second reflective layer 1162 may be provided to a size sufficient to completely cover the area of the second bonding portion 1172 . Considering the process error, the length of one side of the second reflection layer 1162 may be greater than the length of one side of the second bonding portion 1172 by, for example, about 4 micrometers to about 10 micrometers.

실시예에 의하면, 제1 반사층(1161)과 제2 반사층(1162)에 의하여, 발광 구조물(1110)로부터 방출되는 빛이 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)에 입사되지 않고 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시예에 의하면, 발광 구조물(1110)에서 생성되어 방출되는 빛이 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)에 입사되어 손실되는 것을 최소화할 수 있다.According to the embodiment, the light emitted from the light emitting structure 1110 is not incident on the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 by the first reflective layer 1161 and the second reflective layer 1162. can be reflected. Accordingly, according to the embodiment, loss of light emitted from the light emitting structure 1110 incident to the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 can be minimized.

또한, 실시예에 따른 발광소자(120)에 의하면, 제3 반사층(1163)이 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 사이에 배치되므로, 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172) 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있게 된다. In addition, according to the light emitting device 120 according to the embodiment, since the third reflective layer 1163 is disposed between the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172, the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1171 The amount of light emitted between the two bonding parts 1172 can be adjusted.

앞에서 설명된 바와 같이, 실시예에 따른 발광소자(120)는 예를 들어 플립칩 본딩 방식으로 실장되어 발광소자 패키지 형태로 제공될 수 있다. 이때, 발광소자(120)가 실장되는 몸체가 수지 등으로 제공되는 경우, 발광소자(120)의 하부 영역에서, 발광소자(120)로부터 방출되는 단파장의 강한 빛에 의하여 몸체가 변색되거나 균열이 발생될 수 있다. As described above, the light emitting device 120 according to the embodiment may be mounted in a flip chip bonding method and provided in the form of a light emitting device package. At this time, when the body on which the light emitting element 120 is mounted is made of resin or the like, the body is discolored or cracked due to strong short-wavelength light emitted from the light emitting element 120 in the lower region of the light emitting element 120. It can be.

그러나, 실시예에 따른 발광소자(120)에 의하면 제1 본딩부(1171)와 제2 본딩부(1172)가 배치된 영역 사이로 방출되는 빛의 양을 조절할 수 있으므로, 발광소자(120)의 하부 영역에 배치된 몸체(110)가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있다. However, according to the light emitting device 120 according to the embodiment, since the amount of light emitted between the regions where the first bonding unit 1171 and the second bonding unit 1172 are disposed can be adjusted, the lower part of the light emitting unit 120 Discoloration or cracking of the body 110 disposed in the region may be prevented.

실시예에 의하면, 제1 본딩부(1171), 제2 본딩부(1172), 제3 반사층(1163)이 배치된 발광소자(120)의 상부 면의 20% 이상 면적에서 발광 구조물(1110)에서 생성된 빛이 투과되어 방출될 수 있다.According to the embodiment, in the light emitting structure 1110 in an area of 20% or more of the upper surface of the light emitting device 120 on which the first bonding portion 1171, the second bonding portion 1172, and the third reflective layer 1163 are disposed. The generated light may be transmitted and emitted.

이에 따라, 실시예에 의하면, 발광소자(120)의 6면 방향으로 방출되는 빛의 양이 많아지게 되므로 광 추출 효율이 향상되고 광도(Po)가 증가될 수 있게 된다. 또한, 발광소자(120)의 하부 면에 근접하게 배치된 몸체(110)가 변색되거나 균열되는 것을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, according to the embodiment, since the amount of light emitted in the direction of the six surfaces of the light emitting element 120 increases, the light extraction efficiency can be improved and the light intensity Po can be increased. In addition, discoloration or cracking of the body 110 disposed close to the lower surface of the light emitting element 120 can be prevented.

또한, 실시예예 따른 발광소자(120)에 의하면, 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통하여 제2 도전형 반도체층(1113)과 반사층(1160)이 접착될 수 있다. 반사층(1160)이 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있게 됨으로써, 반사층(1160)이 투광성 전극층(1130)에 접촉되는 것에 비하여 접착력이 향상될 수 있게 된다.In addition, according to the light emitting device 120 according to the embodiment, a plurality of contact holes C1 , C2 , and C3 may be provided in the light-transmitting electrode layer 1130 . The second conductive semiconductor layer 1113 and the reflective layer 1160 may be bonded through the plurality of contact holes C1 , C2 , and C3 provided in the light-transmitting electrode layer 1130 . Since the reflective layer 1160 can directly contact the second conductivity-type semiconductor layer 1113 , adhesive strength can be improved compared to when the reflective layer 1160 contacts the light-transmitting electrode layer 1130 .

반사층(1160)이 투광성 전극층(1130)에만 직접 접촉되는 경우, 반사층(1160)과 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. 예를 들어, 절연층과 금속층이 결합되는 경우, 물질 상호 간의 결합력 또는 접착력이 약화될 수도 있다. When the reflective layer 1160 directly contacts only the light-transmissive electrode layer 1130 , bonding strength or adhesive strength between the reflective layer 1160 and the light-transmitting electrode layer 1130 may be weakened. For example, when the insulating layer and the metal layer are bonded, bonding strength or adhesive strength between materials may be weakened.

예로서, 반사층(1160)과 투광성 전극층(1130) 간의 결합력 또는 접착력이 약한 경우, 두 층 간에 박리가 발생될 수 있다. 이와 같이 반사층(1160)과 투광성 전극층(1130) 사이에 박리가 발생되면 발광소자(120)의 특성이 열화될 수 있으며, 또한 발광소자(120)의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.For example, when the bonding force or adhesive force between the reflective layer 1160 and the light-transmissive electrode layer 1130 is weak, separation may occur between the two layers. When separation occurs between the reflective layer 1160 and the light-transmitting electrode layer 1130 as described above, the characteristics of the light emitting element 120 may be deteriorated, and reliability of the light emitting element 120 may not be secured.

그러나, 실시예에 의하면, 반사층(1160)이 제2 도전형 반도체층(1113)에 직접 접촉될 수 있으므로, 반사층(1160), 투광성 전극층(1130), 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력 및 접착력이 안정적으로 제공될 수 있게 된다.However, according to the embodiment, since the reflective layer 1160 may directly contact the second conductivity type semiconductor layer 1113, the bonding force between the reflective layer 1160, the translucent electrode layer 1130, and the second conductivity type semiconductor layer 1113 And adhesive force can be stably provided.

따라서, 실시예에 의하면, 반사층(1160)과 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로, 반사층(1160)이 투광성 전극층(1130)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 반사층(1160)과 제2 도전형 반도체층(1113) 간의 결합력이 안정적으로 제공될 수 있으므로 발광소자(120)의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.Therefore, according to the embodiment, since the bonding force between the reflective layer 1160 and the second conductivity-type semiconductor layer 1113 can be stably provided, it is possible to prevent the reflective layer 1160 from being separated from the light-transmissive electrode layer 1130. . In addition, since bonding force between the reflective layer 1160 and the second conductivity type semiconductor layer 1113 can be stably provided, reliability of the light emitting device 120 can be improved.

한편, 이상에서 설명된 바와 같이, 투광성 전극층(1130)에 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)이 제공될 수 있다. 활성층(1112)으로부터 발광된 빛은 투광성 전극층(1130)에 제공된 복수의 컨택홀(C1, C2, C3)을 통해 반사층(1160)에 입사되어 반사될 수 있게 된다. 이에 따라, 활성층(1112)에서 생성된 빛이 투광성 전극층(1130)에 입사되어 손실되는 것을 감소시킬 수 있게 되며 광 추출 효율이 향상될 수 있게 된다. 이에 따라, 실시예에 따른 발광소자(120)에 의하면 광도가 향상될 수 있게 된다.Meanwhile, as described above, a plurality of contact holes C1 , C2 , and C3 may be provided in the light-transmitting electrode layer 1130 . Light emitted from the active layer 1112 is incident on the reflective layer 1160 through the plurality of contact holes C1 , C2 , and C3 provided in the light-transmissive electrode layer 1130 and can be reflected. Accordingly, loss of light generated in the active layer 1112 incident to the translucent electrode layer 1130 can be reduced and light extraction efficiency can be improved. Accordingly, according to the light emitting device 120 according to the embodiment, the luminous intensity can be improved.

실시예에 의하면, 제1 본딩부(121, 1171) 및 제2 본딩부(122, 1172)의 면적의 합은 기판(124, 1105)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E)에 의하면, 발광소자로부터 방출되는 발광 면적을 확보하여 광추출 효율을 높이기 위해 제1 본딩부(121, 1171) 및 제2 본딩부(122, 1172)의 면적의 합은 기판(124, 1105)의 상면 면적을 기준으로 10% 이하로 설정될 수 있다.According to the embodiment, the sum of the areas of the first bonding parts 121 and 1171 and the second bonding parts 122 and 1172 may be 10% or less based on the area of the upper surface of the substrate 124 and 1105 . According to the light emitting device package (100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E) according to the embodiment, the first bonding portion (121, 1171) and the first bonding portion (121, 1171) to increase the light extraction efficiency by securing the light emitting area emitted from the light emitting device The sum of the areas of the two bonding parts 122 and 1172 may be set to 10% or less based on the area of the upper surface of the substrate 124 and 1105 .

또한, 실시예에 의하면, 제1 본딩부(121, 1171) 및 제2 본딩부(122, 1172)의 면적의 합은 기판(124, 1105)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E)에 의하면, 실장되는 발광소자에 안정적인 본딩력을 제공하기 위해 제1 본딩부(121, 1171) 및 제2 본딩부(122, 1172)의 면적의 합은 기판(124, 1105)의 상면 면적을 기준으로 0.7% 이상으로 설정될 수 있다.Also, according to the embodiment, the sum of the areas of the first bonding parts 121 and 1171 and the second bonding parts 122 and 1172 may be 0.7% or more based on the upper surface area of the substrates 124 and 1105. there is. According to the light emitting device packages 100, 100A, 100B, 100C, 100D, and 100E according to the embodiment, the first bonding parts 121 and 1171 and the second bonding part ( The sum of the areas 122 and 1172 may be set to 0.7% or more based on the area of the top surface of the substrates 124 and 1105 .

예로서, 제1 본딩부(121, 1171)의 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 제1 본딩부(121, 1171)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 제1 본딩부(121, 1171)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.For example, the width of the first bonding portion 121 or 1171 along the major axis of the light emitting device may be provided in several tens of micrometers. For example, the width of the first bonding portion 121 or 1171 may be 70 micrometers to 90 micrometers. Also, the area of the first bonding parts 121 and 1171 may be provided in thousands of square micrometers.

또한, 제2 본딩부(122, 1172)의 발광소자의 장축 방향에 따른 폭은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 제2 본딩부(122, 1172)의 폭은 예로서 70 마이크로 미터 내지 90 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 또한, 제2 본딩부(122, 1172)의 면적은 수천 제곱 마이크로 미터로 제공될 수 있다.In addition, the width of the light emitting device of the second bonding portion 122 or 1172 along the long axis direction may be provided in several tens of micrometers. The second bonding portion 122 or 1172 may have a width of 70 micrometers to 90 micrometers, for example. In addition, the area of the second bonding parts 122 and 1172 may be provided in thousands of square micrometers.

이와 같이, 제1 본딩부(121, 1171) 및 제2 본딩부(122, 1172)의 면적이 작게 제공됨에 따라, 발광소자(120)의 하면으로 투과되는 빛의 양이 증대될 수 있다. In this way, as the areas of the first bonding parts 121 and 1171 and the second bonding parts 122 and 1172 are provided small, the amount of light transmitted through the lower surface of the light emitting element 120 can be increased.

한편, 도 1 내지 도 25를 참조하여 설명된 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E)는 제1 본딩부(121, 1171) 및 제2 본딩부(122, 1172)가 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 직접 접촉되는 경우를 기반으로 설명되었다.Meanwhile, the light emitting device packages 100, 100A, 100B, 100C, 100D, and 100E according to the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 25 include first bonding parts 121 and 1171 and second bonding parts 122, 1172) has been described based on the case of direct contact with the first and second conductive layers 321 and 322.

그러나, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E)의 또 다른 예에 의하면, 제1 본딩부(121, 1171) 및 제2 본딩부(122, 1172)와 제1 및 제2 도전층(321, 322) 사이에 별도의 도전성 구성요소가 더 배치될 수도 있다.However, according to another example of the light emitting device package 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E according to the embodiment, the first bonding parts 121 and 1171 and the second bonding parts 122 and 1172 and A separate conductive component may be further disposed between the first and second conductive layers 321 and 322 .

한편, 도 1 내지 도 25를 참조하여 설명된 실시예에 따른 발광소자 패키지(100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E)는 광원 장치에 적용될 수 있다.Meanwhile, the light emitting device packages 100, 100A, 100B, 100C, 100D, and 100E according to the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 25 may be applied to a light source device.

또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. In addition, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like according to industrial fields.

광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.As an example of the light source device, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, and a light emitting module disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module forward. A light guide plate, an optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying image signals to the display panel, A color filter disposed on the front side may be included. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. In addition, the display device may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are respectively disposed without including a color filter.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of a light source device, a headlamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector for reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, and a light reflected by the reflector. It may include a lens that refracts light forward, and a shade that blocks or reflects a part of the light reflected by the reflector and directed to the lens to achieve a light distribution pattern desired by a designer.

광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 광원 모듈은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.A lighting device, which is another example of a light source device, may include a cover, a light source module, a radiator, a power supply unit, an inner case, and a socket. Also, the light source device according to the embodiment may further include at least one of a member and a holder. The light source module may include the light emitting device package according to the embodiment.

한편, 이상에서 설명된 실시예에 따른 발광소자 패키지는 다양한 변형 예를 포함할 수 있다. Meanwhile, the light emitting device package according to the embodiment described above may include various modified examples.

이하에서는 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지의 변형예를 설명하며, 각 변형예는 도 1 내지 도 17을 참조하여 설명된 발광소자 패키지의 실시예에 각각 적용될 수 있다. 또한, 이하에서 설명되는 각 변형예는 서로 충돌되지 않는 범위 내에서 복수의 변형예가 조합되어 적용될 수 있다.Hereinafter, modified examples of the light emitting device package according to embodiments will be described with reference to drawings, and each modified example may be applied to the exemplary embodiment of the light emitting device package described with reference to FIGS. 1 to 17 . In addition, each modification described below may be applied in combination with a plurality of modifications within a range that does not conflict with each other.

먼저, 도 26을 참조하여 제10 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 26을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.First, a light emitting device package according to a tenth embodiment will be described with reference to FIG. 26 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 26 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제10 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 26에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.The light emitting device package according to the tenth embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 . According to the embodiment, as shown in FIG. 26 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 제1 몸체(113)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 제1 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제1 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the first body 113 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the first body 113 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A first resin 130 may be provided between the upper surface of the first body 113 and the light emitting element 120 .

또한, 도 26에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120)와 상기 제1 몸체(113) 사이에 제2 수지(131)와 제3 수지(132)가 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(131)는 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있으며, 상기 제3 수지(132)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(131)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 몸체(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(132)는 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 몸체(117) 사이에 배치될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 26 , a second resin 131 and a third resin 132 may be disposed between the light emitting element 120 and the first body 113 . The second resin 131 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 , and the third resin 132 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 . The second resin 131 may be disposed between the first bonding part 121 and the second body 117 . The third resin 132 may be disposed between the second bonding part 122 and the second body 117 .

상기 제1 수지(130), 상기 제2 수지(131), 상기 제3 수지(132)에 의하여 상기 제1 몸체(113)와 상기 발광소자(120)가 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 또한, 상기 제1 수지(130), 상기 제2 수지(131), 상기 제3 수지(132)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레가 밀봉될 수 있게 된다.The first body 113 and the light emitting element 120 can be stably fixed by the first resin 130 , the second resin 131 , and the third resin 132 . In addition, the circumferences of the first and second bonding parts 121 and 122 can be sealed by the first resin 130 , the second resin 131 , and the third resin 132 .

실시예에 의하면, 상기 제1 수지(130), 제2 수지(131), 제3 수지(132)는 서로 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130), 제2 수지(131), 제3 수지(132) 중에서 적어도 하나는 다른 물질을 포함할 수도 있다.According to the embodiment, the first resin 130, the second resin 131, and the third resin 132 may include the same material. In addition, at least one of the first resin 130, the second resin 131, and the third resin 132 may include another material.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

다음으로, 도 27을 참조하여 제11 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 27을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to an eleventh embodiment will be described with reference to FIG. 27 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 27 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제11 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)의 상면이 평탄면으로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하지 않을 수 있다.In the light emitting device package according to the eleventh embodiment, the upper surface of the body 110 may be provided as a flat surface compared to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 . A light emitting device package according to an embodiment may not include a cavity.

또한, 제11 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 27에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the eleventh embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 . According to the embodiment, as shown in FIG. 27 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제1 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the body 110 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the body 110 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A first resin 130 may be provided between the upper surface of the body 110 and the light emitting device 120 .

또한, 도 27에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 둘레에 몰딩부(140)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면 일부 영역은 상기 몸체(110)의 상면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면과 상기 몸체(110)의 상면이 직접 접촉됨에 따라 상기 몰딩부(140)와 상기 몸체(110) 간이 접착력이 향상될 수 있다.Also, as shown in FIG. 27 , a molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . A partial area of the lower surface of the molding part 140 may directly contact the upper surface of the body 110 . As the lower surface of the molding part 140 and the upper surface of the body 110 come into direct contact, adhesion between the molding part 140 and the body 110 may be improved.

상기 몰딩부(140)의 측면과 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면과 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.A side surface of the molding part 140 and a side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. A side surface of the molding part 140 and a side surface of the body 110 may provide the same plane.

상기 발광소자(120)의 하면 아래에서, 상기 제1 본딩부(121)와 상기 몰딩부(140) 사이에 제2 수지(131)가 제공될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 하면 아래에서, 상기 제2 본딩부(122)와 상기 몰딩부(140) 사이에 제3 수지(132)가 제공될 수 있다.A second resin 131 may be provided below the lower surface of the light emitting device 120 between the first bonding portion 121 and the molding portion 140 . In addition, a third resin 132 may be provided between the second bonding part 122 and the molding part 140 below the lower surface of the light emitting element 120 .

상기 제1 수지(130), 상기 제2 수지(131), 상기 제3 수지(132), 상기 몰딩부(140)에 의하여 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(110)가 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 또한, 상기 제1 수지(130), 상기 제2 수지(131), 상기 제3 수지(132)에 의하여 상기 제1 및 제 본딩부(121, 122)의 둘레가 밀봉될 수 있게 된다.The light emitting element 120 and the body 110 can be stably fixed by the first resin 130, the second resin 131, the third resin 132, and the molding part 140. there will be In addition, the circumferences of the first and second bonding parts 121 and 122 can be sealed by the first resin 130 , the second resin 131 , and the third resin 132 .

실시예에 의하면, 상기 제1 수지(130), 제2 수지(131), 제3 수지(132)는 서로 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130), 제2 수지(131), 제3 수지(132) 중에서 적어도 하나는 다른 물질을 포함할 수도 있다.According to the embodiment, the first resin 130, the second resin 131, and the third resin 132 may include the same material. In addition, at least one of the first resin 130, the second resin 131, and the third resin 132 may include another material.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

다음으로, 도 28을 참조하여 제12 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 28을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a twelfth embodiment will be described with reference to FIG. 28 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 28 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제12 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)의 상면이 평탄면으로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하지 않을 수 있다.In the light emitting device package according to the twelfth embodiment, the upper surface of the body 110 may be provided as a flat surface compared to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 . A light emitting device package according to an embodiment may not include a cavity.

또한, 제12 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 28에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the twelfth embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 . According to the embodiment, as shown in FIG. 28 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제1 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the body 110 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the body 110 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A first resin 130 may be provided between the upper surface of the body 110 and the light emitting device 120 .

또한, 도 28에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 둘레에 몰딩부(140)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(110) 사이에 제2 수지(131)와 제3 수지(132)가 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(131)는 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있으며, 상기 제3 수지(132)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. Also, as shown in FIG. 28 , a molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . A second resin 131 and a third resin 132 may be disposed between the light emitting element 120 and the body 110 . The second resin 131 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 , and the third resin 132 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 .

상기 몰딩부(140)의 하면의 일부 영역은 상기 제2 수지(131)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면의 일부 영역은 상기 제3 수지(132)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.A partial area of the lower surface of the molding part 140 may be disposed in direct contact with the upper surface of the second resin 131 . A partial area of the lower surface of the molding part 140 may be disposed in direct contact with the upper surface of the third resin 132 .

상기 제1 수지(130), 상기 제2 수지(131), 상기 제3 수지(132)에 의하여 상기 몸체(110)와 상기 발광소자(120)가 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 또한, 상기 제1 수지(130), 상기 제2 수지(131), 상기 제3 수지(132)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레가 밀봉될 수 있게 된다.The body 110 and the light emitting element 120 can be stably fixed by the first resin 130 , the second resin 131 , and the third resin 132 . In addition, the circumferences of the first and second bonding parts 121 and 122 can be sealed by the first resin 130 , the second resin 131 , and the third resin 132 .

상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제2 수지(131)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제2 수지(131)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.The side surface of the molding part 140, the side surface of the second resin 131, and the side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. The side surface of the molding part 140 , the side surface of the second resin 131 , and the side surface of the body 110 may provide the same plane.

또한, 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제3 수지(132)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제3 수지(132)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.In addition, the side surface of the molding part 140, the side surface of the third resin 132, and the side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. The side surface of the molding part 140 , the side surface of the third resin 132 , and the side surface of the body 110 may provide the same plane.

실시예에 의하면, 상기 제1 수지(130), 제2 수지(131), 제3 수지(132)는 서로 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130), 제2 수지(131), 제3 수지(132) 중에서 적어도 하나는 다른 물질을 포함할 수도 있다.According to the embodiment, the first resin 130, the second resin 131, and the third resin 132 may include the same material. In addition, at least one of the first resin 130, the second resin 131, and the third resin 132 may include another material.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제2 및 제3 수지(131, 132)가 반사도가 높은 물질로 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛이 상부 방향으로 효율적으로 반사되어 추출될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면 광 추출 효율이 향상될 수 있으므로 광도(Po)가 증가될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the second and third resins 131 and 132 may be formed of a material having high reflectivity, and the light provided from the light emitting device 120 is efficiently directed upward. can be reflected and extracted. Accordingly, since the light extraction efficiency may be improved according to the light emitting device package according to the embodiment, the luminous intensity Po may be increased.

다음으로, 도 29를 참조하여 제13 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 29를 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a thirteenth embodiment will be described with reference to FIG. 29 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 29 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제13 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)의 상면이 평탄면으로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하지 않을 수 있다.In the light emitting device package according to the thirteenth embodiment, the upper surface of the body 110 may be provided as a flat surface compared to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 . A light emitting device package according to an embodiment may not include a cavity.

또한, 제13 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 29에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.Also, the light emitting device package according to the thirteenth embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 . According to the embodiment, as shown in FIG. 29 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제1 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the body 110 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the body 110 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A first resin 130 may be provided between the upper surface of the body 110 and the light emitting device 120 .

또한, 도 29에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 둘레에 클리어 몰딩부(510)가 제공될 수 있다. 상기 클리어 몰딩부(510)는 상기 발광소자(120) 둘레에 배치되어 밀봉 효과를 향상시키고 외부로부터 습기 또는 이물질이 상기 발광소자(120)가 배치된 영역으로 침투되는 것을 방지할 수 있다. Also, as shown in FIG. 29 , a clear molding part 510 may be provided around the light emitting device 120 . The clear molding part 510 may be disposed around the light emitting element 120 to improve a sealing effect and prevent moisture or foreign matter from penetrating into an area where the light emitting element 120 is disposed.

실시예에 의하면, 상기 클리어 몰딩부(510) 둘레에 몰딩부(140)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(110) 사이에 제2 수지(131)와 제3 수지(132)가 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(131)는 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있으며, 상기 제3 수지(132)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. According to the embodiment, the molding part 140 may be disposed around the clear molding part 510 . A second resin 131 and a third resin 132 may be disposed between the light emitting element 120 and the body 110 . The second resin 131 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 , and the third resin 132 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 .

상기 몰딩부(140)의 하면의 일부 영역은 상기 제2 수지(131)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면의 일부 영역은 상기 제3 수지(132)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.A partial area of the lower surface of the molding part 140 may be disposed in direct contact with the upper surface of the second resin 131 . A partial area of the lower surface of the molding part 140 may be disposed in direct contact with the upper surface of the third resin 132 .

상기 제1 수지(130), 상기 제2 수지(131), 상기 제3 수지(132)에 의하여 상기 몸체(110)와 상기 발광소자(120)가 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 또한, 상기 제1 수지(130), 상기 제2 수지(131), 상기 제3 수지(132)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레가 밀봉될 수 있게 된다.The body 110 and the light emitting element 120 can be stably fixed by the first resin 130 , the second resin 131 , and the third resin 132 . In addition, the circumferences of the first and second bonding parts 121 and 122 can be sealed by the first resin 130 , the second resin 131 , and the third resin 132 .

상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제2 수지(131)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제2 수지(131)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.The side surface of the molding part 140, the side surface of the second resin 131, and the side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. The side surface of the molding part 140 , the side surface of the second resin 131 , and the side surface of the body 110 may provide the same plane.

또한, 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제3 수지(132)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제3 수지(132)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.In addition, the side surface of the molding part 140, the side surface of the third resin 132, and the side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. The side surface of the molding part 140 , the side surface of the third resin 132 , and the side surface of the body 110 may provide the same plane.

실시예에 의하면, 상기 제1 수지(130), 제2 수지(131), 제3 수지(132)는 서로 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130), 제2 수지(131), 제3 수지(132) 중에서 적어도 하나는 다른 물질을 포함할 수도 있다.According to the embodiment, the first resin 130, the second resin 131, and the third resin 132 may include the same material. In addition, at least one of the first resin 130, the second resin 131, and the third resin 132 may include another material.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제2 및 제3 수지(131, 132)가 반사도가 높은 물질로 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛이 상부 방향으로 효율적으로 반사되어 추출될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면 광 추출 효율이 향상될 수 있으므로 광도(Po)가 증가될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the second and third resins 131 and 132 may be formed of a material having high reflectivity, and the light provided from the light emitting device 120 is efficiently directed upward. can be reflected and extracted. Accordingly, since the light extraction efficiency may be improved according to the light emitting device package according to the embodiment, the luminous intensity Po may be increased.

다음으로, 도 30을 참조하여 제14 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 30을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a 14th embodiment will be described with reference to FIG. 30 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 30 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제14 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)의 상면이 평탄면으로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하지 않을 수 있다.In the light emitting device package according to the fourteenth embodiment, the upper surface of the body 110 may be provided as a flat surface compared to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 . A light emitting device package according to an embodiment may not include a cavity.

또한, 제14 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 30에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the fourteenth embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 10 . According to the embodiment, as shown in FIG. 30 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제1 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the body 110 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the body 110 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A first resin 130 may be provided between the upper surface of the body 110 and the light emitting device 120 .

또한, 도 30에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 둘레에 형광체 박막(710)이 제공될 수 있다. 상기 형광체 박막(710)은 상기 발광소자(120) 둘레에 배치되어 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛의 광 변환 효율을 향상시킬 수 있다.Also, as shown in FIG. 30 , a phosphor thin film 710 may be provided around the light emitting device 120 . The phosphor thin film 710 may be disposed around the light emitting device 120 to improve light conversion efficiency of light provided from the light emitting device 120 .

실시예에 의하면, 상기 형광체 박막(710) 둘레에 몰딩부(140)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(110) 사이에 제2 수지(131)와 제3 수지(132)가 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(131)는 제1 본딩부(121)의 측면에 배치될 수 있으며, 상기 제3 수지(132)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 배치될 수 있다. According to the embodiment, a molding part 140 may be disposed around the phosphor thin film 710 . A second resin 131 and a third resin 132 may be disposed between the light emitting element 120 and the body 110 . The second resin 131 may be disposed on a side surface of the first bonding part 121 , and the third resin 132 may be disposed on a side surface of the second bonding part 122 .

상기 몰딩부(140)는 광 변환 물질을 포함하지 않는 클리어 몰딩부로 제공될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)는 광 변환 물질을 포함할 수도 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)는 상기 형광체 박막(710)에 포함된 광 변환 물질과 다른 파장 대역의 빛을 제공하는 광 변환 물질을 포함할 수 있다.The molding part 140 may be provided as a clear molding part that does not contain a light conversion material. Also, the molding part 140 may include a light conversion material. For example, the molding part 140 may include a light conversion material that provides light of a different wavelength band from the light conversion material included in the phosphor thin film 710 .

상기 몰딩부(140)의 하면의 일부 영역은 상기 제2 수지(131)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면의 일부 영역은 상기 제3 수지(132)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.A partial area of the lower surface of the molding part 140 may be disposed in direct contact with the upper surface of the second resin 131 . A partial area of the lower surface of the molding part 140 may be disposed in direct contact with the upper surface of the third resin 132 .

상기 제1 수지(130), 상기 제2 수지(131), 상기 제3 수지(132)에 의하여 상기 몸체(110)와 상기 발광소자(120)가 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 또한, 상기 제1 수지(130), 상기 제2 수지(131), 상기 제3 수지(132)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레가 밀봉될 수 있게 된다.The body 110 and the light emitting element 120 can be stably fixed by the first resin 130 , the second resin 131 , and the third resin 132 . In addition, the circumferences of the first and second bonding parts 121 and 122 can be sealed by the first resin 130 , the second resin 131 , and the third resin 132 .

상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제2 수지(131)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제2 수지(131)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.The side surface of the molding part 140, the side surface of the second resin 131, and the side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. The side surface of the molding part 140 , the side surface of the second resin 131 , and the side surface of the body 110 may provide the same plane.

또한, 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제3 수지(132)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제3 수지(132)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.In addition, the side surface of the molding part 140, the side surface of the third resin 132, and the side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. The side surface of the molding part 140 , the side surface of the third resin 132 , and the side surface of the body 110 may provide the same plane.

실시예에 의하면, 상기 제1 수지(130), 제2 수지(131), 제3 수지(132)는 서로 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130), 제2 수지(131), 제3 수지(132) 중에서 적어도 하나는 다른 물질을 포함할 수도 있다.According to the embodiment, the first resin 130, the second resin 131, and the third resin 132 may include the same material. In addition, at least one of the first resin 130, the second resin 131, and the third resin 132 may include another material.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제2 및 제3 수지(131, 132)가 반사도가 높은 물질로 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛이 상부 방향으로 효율적으로 반사되어 추출될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면 광 추출 효율이 향상될 수 있으므로 광도(Po)가 증가될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the second and third resins 131 and 132 may be formed of a material having high reflectivity, and the light provided from the light emitting device 120 is efficiently directed upward. can be reflected and extracted. Accordingly, since the light extraction efficiency may be improved according to the light emitting device package according to the embodiment, the luminous intensity Po may be increased.

다음으로, 도 31을 참조하여 제15 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 31을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a fifteenth embodiment will be described with reference to FIG. 31 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 31 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제15 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 11 내지 도 14를 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 31에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.The light emitting device package according to the fifteenth embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIGS. 11 to 14 . According to the embodiment, as shown in FIG. 31 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 제1 몸체(113)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 제1 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제2 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the first body 113 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the first body 113 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A second resin 130 may be provided between the upper surface of the first body 113 and the light emitting element 120 .

예로서, 제2 수지(130)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제2 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제2 수지(130)는 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. For example, the second resin 130 may include an insulating material. Specifically, the second resin 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the second resin 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 31에 도시된 바와 같이, 제1 수지(220)를 포함할 수 있다. 제1 수지(220)는 투습방지층으로 지칭될 수도 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the first resin 220 as shown in FIG. 31 . The first resin 220 may also be referred to as a moisture barrier layer.

제1 수지(220)는 내습성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 제1 수지(220)는 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다. 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘이 바인더에 혼합된 후, 스프레이(spray) 코팅 방식을 이용하여 몸체(110)의 캐비티(C) 내에 뿌려진 후 경화되어, 제1 수지(220)가 형성될 수 있다. 스프레이 코팅은 내습 특성을 갖기 위해 일정 두께가 되도록 다수 회 수행될 수 있다. The first resin 220 may include a material having excellent moisture resistance. The first resin 220 may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone. After methyl-based silicone or phenyl-based silicone is mixed with a binder, it is sprayed into the cavity C of the body 110 using a spray coating method and then cured to form the first resin 220 . Spray coating may be performed multiple times to achieve a certain thickness in order to have moisture resistance properties.

제1 수지(220)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 제1 수지(220)는 몸체(110)의 캐비티(C)의 경사진 내측면에 제공될 수 있다. 이에 따라, 외부의 습기가 몸체(110)을 투과하더라도 캐비티(C)의 경사진 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다. 외부의 습기가 몰딩부(140)를 투과하더라도 발광소자(120)의 상면 및 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다.The first resin 220 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 , for example. The first resin 220 may be provided on an inclined inner surface of the cavity C of the body 110 . Accordingly, even if external moisture penetrates the body 110, the light emitting device 120 can be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the inclined side of the cavity C. Even if external moisture penetrates the molding part 140 , the light emitting device 120 may be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the upper and side surfaces of the light emitting device 120 .

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

다음으로, 도 32를 참조하여 제16 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 32를 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a sixteenth embodiment will be described with reference to FIG. 32 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 32 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제16 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 11 내지 도 14를 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)의 상면이 평탄면으로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하지 않을 수 있다.In the light emitting device package according to the sixteenth embodiment, the upper surface of the body 110 may be provided as a flat surface compared to the embodiment described with reference to FIGS. 11 to 14 . A light emitting device package according to an embodiment may not include a cavity.

또한, 제16 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 11 내지 도 14를 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 32에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.Also, the light emitting device package according to the sixteenth embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIGS. 11 to 14 . According to the embodiment, as shown in FIG. 32 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제2 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the body 110 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the body 110 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A second resin 130 may be provided between the upper surface of the body 110 and the light emitting device 120 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 32에 도시된 바와 같이, 제1 수지(220)를 포함할 수 잇다. 제1 수지(220)는 투습방지층으로 지칭될 수도 있다. 제1 수지(220)는 내습성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 제1 수지(220)는 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the first resin 220 as shown in FIG. 32 . The first resin 220 may also be referred to as a moisture barrier layer. The first resin 220 may include a material having excellent moisture resistance. The first resin 220 may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone.

제1 수지(220)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 제1 수지(220)는 몸체(110)의 상면에도 직접 접촉되어 제공될 수 있다. 이에 따라, 외부의 습기가 몰딩부(140)를 투과하더라도 발광소자(120)의 상면 및 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다.The first resin 220 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 , for example. The first resin 220 may also be provided in direct contact with the upper surface of the body 110 . Accordingly, even if external moisture passes through the molding part 140 , the light emitting device 120 can be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 .

또한, 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제1 수지(220)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제1 수지(220)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.In addition, the side surface of the molding part 140, the side surface of the first resin 220, and the side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. The side surface of the molding part 140 , the side surface of the first resin 220 , and the side surface of the body 110 may provide the same plane.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 수지(220)가 반사도가 높은 물질로 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛이 상부 방향으로 효율적으로 반사되어 추출될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면 광 추출 효율이 향상될 수 있으므로 광도(Po)가 증가될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the first resin 220 may be formed of a material with high reflectivity, and the light provided from the light emitting device 120 is efficiently reflected upward and extracted. can Accordingly, since the light extraction efficiency may be improved according to the light emitting device package according to the embodiment, the luminous intensity Po may be increased.

다음으로, 도 33을 참조하여 제17 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 33을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a seventeenth embodiment will be described with reference to FIG. 33 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 33 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제17 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 11 내지 도 14를 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)의 상면이 평탄면으로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하지 않을 수 있다.In the light emitting device package according to the seventeenth embodiment, the upper surface of the body 110 may be provided as a flat surface compared to the embodiment described with reference to FIGS. 11 to 14 . A light emitting device package according to an embodiment may not include a cavity.

또한, 제17 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 11 내지 도 14를 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 33에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.Also, the light emitting device package according to the seventeenth embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIGS. 11 to 14 . According to the embodiment, as shown in FIG. 33 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제2 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the body 110 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the body 110 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A second resin 130 may be provided between the upper surface of the body 110 and the light emitting device 120 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 33에 도시된 바와 같이, 제1 수지(220)를 포함할 수 잇다. 제1 수지(220)는 투습방지층으로 지칭될 수도 있다. 제1 수지(220)는 내습성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 제1 수지(220)는 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include the first resin 220 as shown in FIG. 33 . The first resin 220 may also be referred to as a moisture barrier layer. The first resin 220 may include a material having excellent moisture resistance. The first resin 220 may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone.

제1 수지(220)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 제1 수지(220)는 몸체(110)의 상면에도 직접 접촉되어 제공될 수 있다. 이에 따라, 외부의 습기가 몰딩부(140)를 투과하더라도 발광소자(120)의 상면 및 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다.The first resin 220 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 , for example. The first resin 220 may also be provided in direct contact with the upper surface of the body 110 . Accordingly, even if external moisture passes through the molding part 140 , the light emitting device 120 can be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 .

또한, 도 33에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 둘레에 몰딩부(140)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 수지(220)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)의 하면의 일부 영역은 상기 몸체(110)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.Also, as shown in FIG. 33 , a molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . The molding part 140 may be provided on the top and side surfaces of the first resin 220 . In addition, a partial area of the lower surface of the molding part 140 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 110 .

상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.The side surface of the molding part 140 and the side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. The side surface of the molding part 140 and the side surface of the body 110 may provide the same plane.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

다음으로, 도 34를 참조하여 제18 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 34를 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to an eighteenth embodiment will be described with reference to FIG. 34 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 34 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제18 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15를 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 34에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.Compared to the embodiment described with reference to FIG. 15 , the light emitting device package according to the eighteenth embodiment may not include a recess provided in the body 110 . According to the embodiment, as shown in FIG. 34 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 제1 몸체(113)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 제1 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제2 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the first body 113 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the first body 113 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A second resin 130 may be provided between the upper surface of the first body 113 and the light emitting element 120 .

예로서, 제2 수지(130)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제2 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제2 수지(130)는 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다.For example, the second resin 130 may include an insulating material. Specifically, the second resin 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the second resin 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 34에 도시된 바와 같이, 제4 수지(230)를 포함할 수 있다. 제4 수지(230)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 또한, 제4 수지(230)는 몸체(110)의 캐비티(C)의 경사진 내측면에 제공될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a fourth resin 230 as shown in FIG. 34 . For example, the fourth resin 230 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 . In addition, the fourth resin 230 may be provided on the inclined inner surface of the cavity C of the body 110, but is not limited thereto.

예컨대, 제4 수지(230)는 실리콘과 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 파장변환 물질로는 형광체(phosphor)나 양자점(quantum dot)이 사용될 수 있다. 어떤 형광체나 양자점을 사용하느냐에 따라 예컨대 청색파장의 광, 녹색파장의 광 또는 적색파장의 광으로 변환될 수 있다. 실리콘과 파장변환 물질이 포함된 제4 수지(230)에 의해 발광소자(120)에서 생성된 특정 파장의 광이 또 다른 파장의 광으로 변환될 수 있다. 따라서, 광 효율이 향상되고 높은 색재현율이 구현될 수 있다. 예로서, 제4 수지(230)은 실리콘과 K2SiF6:Mn4+(이하, KSF)을 포함할 수 있다. KSF는 적색 형광체일 수 있다.For example, the fourth resin 230 may include silicon and a wavelength conversion material. A phosphor or quantum dot may be used as the wavelength conversion material. Depending on which phosphor or quantum dot is used, it can be converted into, for example, blue-wavelength light, green-wavelength light, or red-wavelength light. Light of a specific wavelength generated by the light emitting device 120 may be converted into light of another wavelength by the fourth resin 230 containing silicon and a wavelength conversion material. Therefore, light efficiency can be improved and a high color gamut can be implemented. For example, the fourth resin 230 may include silicon and K2SiF6:Mn4+ (hereinafter referred to as KSF). KSF may be a red phosphor.

제4 수지(230) 상에 제1 수지(220)가 제공될 수 있다. 제1 수지(220)는 투습방지층으로 지칭될 수 있다. 제1 수지(220)는 내습성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 제1 수지(220)는 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다. The first resin 220 may be provided on the fourth resin 230 . The first resin 220 may be referred to as a moisture barrier layer. The first resin 220 may include a material having excellent moisture resistance. The first resin 220 may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone.

제1 수지(220)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 제1 수지(220)는 몸체(110)의 캐비티(C)의 경사진 내측면에 제공될 수 있다. 이에 따라, 외부의 습기가 몸체(110)을 투과하더라도 캐비티(C)의 경사진 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다. 외부의 습기가 몰딩부(140)를 투과하더라도 발광소자(120)의 상면 및 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다.The first resin 220 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 , for example. The first resin 220 may be provided on an inclined inner surface of the cavity C of the body 110 . Accordingly, even if external moisture penetrates the body 110, the light emitting device 120 can be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the inclined side of the cavity C. Even if external moisture penetrates the molding part 140 , the light emitting device 120 may be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the upper and side surfaces of the light emitting device 120 .

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

다음으로, 도 35를 참조하여 제19 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 35를 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a nineteenth embodiment will be described with reference to FIG. 35 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 35 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제19 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15를 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)의 상면이 평탄면으로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하지 않을 수 있다.In the light emitting device package according to the nineteenth embodiment, the upper surface of the body 110 may be provided as a flat surface compared to the embodiment described with reference to FIG. 15 . A light emitting device package according to an embodiment may not include a cavity.

또한, 제19 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15를 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 35에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the nineteenth embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIG. 15 . According to the embodiment, as shown in FIG. 35 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제2 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the body 110 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the body 110 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A second resin 130 may be provided between the upper surface of the body 110 and the light emitting device 120 .

예로서, 제2 수지(130)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제2 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제2 수지(130)는 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다.For example, the second resin 130 may include an insulating material. Specifically, the second resin 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the second resin 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 35에 도시된 바와 같이, 제4 수지(230)를 포함할 수 있다. 제4 수지(230)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 또한, 제4 수지(230)는 몸체(110)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a fourth resin 230 as shown in FIG. 35 . For example, the fourth resin 230 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 . In addition, the fourth resin 230 may be placed in direct contact with the upper surface of the body 110 .

예컨대, 제4 수지(230)는 실리콘과 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 파장변환 물질로는 형광체(phosphor)나 양자점(quantum dot)이 사용될 수 있다. 어떤 형광체나 양자점을 사용하느냐에 따라 예컨대 청색파장의 광, 녹색파장의 광 또는 적색파장의 광으로 변환될 수 있다. 실리콘과 파장변환 물질이 포함된 제4 수지(230)에 의해 발광소자(120)에서 생성된 특정 파장의 광이 또 다른 파장의 광으로 변환될 수 있다. 따라서, 광 효율이 향상되고 높은 색재현율이 구현될 수 있다. 예로서, 제4 수지(230)은 실리콘과 K2SiF6:Mn4+(이하, KSF)을 포함할 수 있다. KSF는 적색 형광체일 수 있다.For example, the fourth resin 230 may include silicon and a wavelength conversion material. A phosphor or quantum dot may be used as the wavelength conversion material. Depending on which phosphor or quantum dot is used, it can be converted into, for example, blue-wavelength light, green-wavelength light, or red-wavelength light. Light of a specific wavelength generated by the light emitting device 120 may be converted into light of another wavelength by the fourth resin 230 containing silicon and a wavelength conversion material. Therefore, light efficiency can be improved and a high color gamut can be implemented. For example, the fourth resin 230 may include silicon and K2SiF6:Mn4+ (hereinafter referred to as KSF). KSF may be a red phosphor.

제4 수지(230) 상에 제1 수지(220)가 제공될 수 있다. 제1 수지(220)는 투습방지층으로 지칭될 수 있다. 제1 수지(220)는 내습성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 제1 수지(220)는 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다.The first resin 220 may be provided on the fourth resin 230 . The first resin 220 may be referred to as a moisture barrier layer. The first resin 220 may include a material having excellent moisture resistance. The first resin 220 may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone.

제1 수지(220)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 이에 따라, 외부의 습기가 몰딩부(140)를 투과하더라도 발광소자(120)의 상면 및 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다.The first resin 220 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 , for example. Accordingly, even if external moisture passes through the molding part 140 , the light emitting device 120 can be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 .

또한, 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제1 수지(220)의 측면, 상기 제4 수지(230)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 제1 수지(220)의 측면, 상기 제4 수지(230)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.In addition, the side surface of the molding part 140, the side surface of the first resin 220, the side surface of the fourth resin 230, and the side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. The side surface of the molding part 140 , the side surface of the first resin 220 , the side surface of the fourth resin 230 , and the side surface of the body 110 may provide the same plane.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 수지(220)가 반사도가 높은 물질로 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(120)로부터 제공되는 빛이 상부 방향으로 효율적으로 반사되어 추출될 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면 광 추출 효율이 향상될 수 있으므로 광도(Po)가 증가될 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the embodiment, the first resin 220 may be formed of a material with high reflectivity, and the light provided from the light emitting device 120 is efficiently reflected upward and extracted. can Accordingly, since the light extraction efficiency may be improved according to the light emitting device package according to the embodiment, the luminous intensity Po may be increased.

다음으로, 도 36을 참조하여 제20 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 36을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a twentieth embodiment will be described with reference to FIG. 36 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 36 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제20 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15를 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)의 상면이 평탄면으로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하지 않을 수 있다.In the light emitting device package according to the twentieth embodiment, the upper surface of the body 110 may be provided as a flat surface compared to the embodiment described with reference to FIG. 15 . A light emitting device package according to an embodiment may not include a cavity.

또한, 제20 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 15를 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 35에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.Also, the light emitting device package according to the twentieth embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIG. 15 . According to the embodiment, as shown in FIG. 35 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제2 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the body 110 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the body 110 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A second resin 130 may be provided between the upper surface of the body 110 and the light emitting device 120 .

예로서, 제2 수지(130)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제2 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제2 수지(130)는 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다.For example, the second resin 130 may include an insulating material. Specifically, the second resin 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, and a hybrid material including an epoxy-based material and a silicone-based material. there is. In addition, the second resin 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120 .

또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 36에 도시된 바와 같이, 제4 수지(230)를 포함할 수 있다. 제4 수지(230)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 또한, 제4 수지(230)는 몸체(110)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment may include a fourth resin 230 as shown in FIG. 36 . For example, the fourth resin 230 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 . In addition, the fourth resin 230 may be placed in direct contact with the upper surface of the body 110 .

예컨대, 제4 수지(230)는 실리콘과 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 파장변환 물질로는 형광체(phosphor)나 양자점(quantum dot)이 사용될 수 있다. 어떤 형광체나 양자점을 사용하느냐에 따라 예컨대 청색파장의 광, 녹색파장의 광 또는 적색파장의 광으로 변환될 수 있다. 실리콘과 파장변환 물질이 포함된 제4 수지(230)에 의해 발광소자(120)에서 생성된 특정 파장의 광이 또 다른 파장의 광으로 변환될 수 있다. 따라서, 광 효율이 향상되고 높은 색재현율이 구현될 수 있다. 예로서, 제4 수지(230)은 실리콘과 K2SiF6:Mn4+(이하, KSF)을 포함할 수 있다. KSF는 적색 형광체일 수 있다.For example, the fourth resin 230 may include silicon and a wavelength conversion material. A phosphor or quantum dot may be used as the wavelength conversion material. Depending on which phosphor or quantum dot is used, it can be converted into, for example, blue-wavelength light, green-wavelength light, or red-wavelength light. Light of a specific wavelength generated by the light emitting device 120 may be converted into light of another wavelength by the fourth resin 230 containing silicon and a wavelength conversion material. Therefore, light efficiency can be improved and a high color gamut can be implemented. For example, the fourth resin 230 may include silicon and K2SiF6:Mn4+ (hereinafter referred to as KSF). KSF may be a red phosphor.

제4 수지(230) 상에 제1 수지(220)가 제공될 수 있다. 제1 수지(220)는 투습방지층으로 지칭될 수 있다. 제1 수지(220)는 내습성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 제1 수지(220)는 메틸 계열 실리콘 또는 페닐 계열 실리콘을 포함할 수 있다.The first resin 220 may be provided on the fourth resin 230 . The first resin 220 may be referred to as a moisture barrier layer. The first resin 220 may include a material having excellent moisture resistance. The first resin 220 may include methyl-based silicone or phenyl-based silicone.

제1 수지(220)는 예컨대, 발광소자(120)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 이에 따라, 외부의 습기가 몰딩부(140)를 투과하더라도 발광소자(120)의 상면 및 측면에 제공된 제1 수지(220)에 의해 차단되어 발광소자(120)가 습기로부터 보호될 수 있다.The first resin 220 may be provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 , for example. Accordingly, even if external moisture passes through the molding part 140 , the light emitting device 120 can be protected from moisture by being blocked by the first resin 220 provided on the top and side surfaces of the light emitting device 120 .

또한, 도 36에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 둘레에 몰딩부(140)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)는 상기 제1 수지(220)의 상면과 측면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(140)의 하면의 일부 영역은 상기 몸체(110)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.Also, as shown in FIG. 36 , a molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . The molding part 140 may be provided on the top and side surfaces of the first resin 220 . In addition, a partial area of the lower surface of the molding part 140 may be disposed in direct contact with the upper surface of the body 110 .

상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면, 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.The side surface of the molding part 140 and the side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. The side surface of the molding part 140 and the side surface of the body 110 may provide the same plane.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

다음으로, 도 37을 참조하여 제21 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 37을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a twenty-first embodiment will be described with reference to FIG. 37 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 37 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제21 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 16을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 37에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.Compared to the embodiment described with reference to FIG. 16 , the light emitting device package according to the twenty-first embodiment may not include a recess provided in the body 110 . According to the embodiment, as shown in FIG. 37 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 제1 몸체(113)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 제1 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제1 몸체(113)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제1 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the first body 113 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the first body 113 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A first resin 130 may be provided between the upper surface of the first body 113 and the light emitting element 120 .

실시예에 의하면, 상기 몸체(110)의 상면이 상기 발광소자(120)의 상면에 비해 더 ˆž게 배치될 수 있다. 또한, 도 37에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 둘레에 몰딩부(140)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면 일부 영역은 상기 몸체(110)의 상면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면과 상기 몸체(110)의 상면이 직접 접촉됨에 따라 상기 몰딩부(140)와 상기 몸체(110) 간이 접착력이 향상될 수 있다.According to the embodiment, the upper surface of the body 110 may be more than the upper surface of the light emitting device 120 . Also, as shown in FIG. 37 , a molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . A partial area of the lower surface of the molding part 140 may directly contact the upper surface of the body 110 . As the lower surface of the molding part 140 and the upper surface of the body 110 come into direct contact, adhesion between the molding part 140 and the body 110 may be improved.

상기 몰딩부(140)의 측면과 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면과 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.A side surface of the molding part 140 and a side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. A side surface of the molding part 140 and a side surface of the body 110 may provide the same plane.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

다음으로, 도 38을 참조하여 제22 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 38을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a 22nd embodiment will be described with reference to FIG. 38 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 38 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제22 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 16을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)의 상면이 평탄면으로 제공될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하지 않을 수 있다.In the light emitting device package according to the twenty-second embodiment, the upper surface of the body 110 may be provided as a flat surface compared to the embodiment described with reference to FIG. 16 . A light emitting device package according to an embodiment may not include a cavity.

또한, 제22 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 16을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 38에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.Also, the light emitting device package according to the twenty-second embodiment may not include a recess provided in the body 110 compared to the embodiment described with reference to FIG. 16 . According to the embodiment, as shown in FIG. 38 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제1 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the body 110 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the body 110 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A first resin 130 may be provided between the upper surface of the body 110 and the light emitting device 120 .

또한, 도 38에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 둘레에 몰딩부(140)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면 일부 영역은 상기 몸체(110)의 상면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면과 상기 몸체(110)의 상면이 직접 접촉됨에 따라 상기 몰딩부(140)와 상기 몸체(110) 간이 접착력이 향상될 수 있다.Also, as shown in FIG. 38 , a molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . A partial area of the lower surface of the molding part 140 may directly contact the upper surface of the body 110 . As the lower surface of the molding part 140 and the upper surface of the body 110 come into direct contact, adhesion between the molding part 140 and the body 110 may be improved.

상기 몰딩부(140)의 측면과 상기 몸체(110)의 측면은 동일 수직면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 측면과 상기 몸체(110)의 측면은 동일 평면을 제공할 수 있다.A side surface of the molding part 140 and a side surface of the body 110 may be disposed on the same vertical plane. A side surface of the molding part 140 and a side surface of the body 110 may provide the same plane.

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

다음으로, 도 39를 참조하여 제23 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 도 39를 참조하여 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 이상에서 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.Next, a light emitting device package according to a twenty-third embodiment will be described with reference to FIG. 39 . In describing the light emitting device package according to the embodiment with reference to FIG. 39 , descriptions of items overlapping with those described above may be omitted.

제23 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 17을 참조하여 설명된 실시예에 비하여 몸체(110)에 제공된 리세스를 포함하지 않을 수 있다. 실시예에 의하면 도 39에 도시된 바와 같이 상기 몸체(110)의 상면에 리세스가 제공되지 않을 수 있다.Compared to the embodiment described with reference to FIG. 17 , the light emitting device package according to the twenty-third embodiment may not include a recess provided in the body 110 . According to the embodiment, as shown in FIG. 39 , a recess may not be provided on the upper surface of the body 110 .

상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(110)의 상면은 평탄면으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 제1 수지(130)가 제공될 수 있다.An upper surface of the body 110 disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided as a flat surface. An upper surface of the body 110 and a lower surface of the light emitting device 120 may be disposed parallel to each other. A first resin 130 may be provided between the upper surface of the body 110 and the light emitting device 120 .

실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기가 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기에 비해 더 크게 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 50% 내지 99%의 면적으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 크기는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 크기의 70% 내지 90%의 면적으로 제공될 수도 있다.According to the embodiment, the sizes of the first and second bonding parts 121 and 122 may be larger than the sizes of the first and second openings TH1 and TH2. For example, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 50% to 99% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 . Also, the size of the first and second openings TH1 and TH2 may be 70% to 90% of the size of the first and second bonding parts 121 and 122 .

또한, 도 39에 도시된 바와 같이, 상기 발광소자(120) 둘레에 몰딩부(140)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면 일부 영역은 상기 몸체(110)의 상면에 직접 접촉될 수 있다. 상기 몰딩부(140)의 하면과 상기 몸체(110)의 상면이 직접 접촉됨에 따라 상기 몰딩부(140)와 상기 몸체(110) 간이 접착력이 향상될 수 있다.Also, as shown in FIG. 39 , a molding part 140 may be disposed around the light emitting device 120 . A partial area of the lower surface of the molding part 140 may directly contact the upper surface of the body 110 . As the lower surface of the molding part 140 and the upper surface of the body 110 come into direct contact, adhesion between the molding part 140 and the body 110 may be improved.

또한, 상기 몰딩부(140)의 상면이 곡면으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(140)의 상면은 구면으로 제공될 수도 있으며, 또한 비구면으로 제공될 수도 있다. 상기 몰딩부(140)의 상면이 곡면으로 제공됨에 따라, 상기 발광소자(120)로부터 제공된 빛이 상기 몰딩부(140)를 투과하면서 추출되는 빛의 지향각이 조절될 수 있다.In addition, the upper surface of the molding part 140 may be provided as a curved surface. For example, the upper surface of the molding part 140 may be provided as a spherical surface or aspheric surface. As the upper surface of the molding part 140 is provided as a curved surface, the beam direction angle of the light provided from the light emitting device 120 is transmitted through the molding part 140 and is extracted.

상기 몰딩부(140)는 상기 몸체(110)의 상면 일부 영역 위에 배치될 수도 있고, 상기 몸체(110)의 상면 전체 영역 위에 배치될 수도 있다.The molding part 140 may be disposed on a part of the upper surface of the body 110 or may be disposed on the entire upper surface of the body 110 .

한편, 도 29를 참조하여 설명된 클리어 몰딩부(510), 도 30을 참조하여 설명된 형광체 박막(710), 도 31 내지 도 36을 참조하여 설명된 투습방지층인 제1 수지(220), 도 34 내지 도 36을 참조하여 설명된 제4 수지(230) 등은, 구체적으로 도시되어 설명되지는 아니 하였으나, 이상에서 설명된 실시예에 따른 반도체 소자 패키지에도 추가 적용될 수 있다.On the other hand, the clear molding part 510 described with reference to FIG. 29, the phosphor thin film 710 described with reference to FIG. 30, the first resin 220 as a moisture barrier layer described with reference to FIGS. 31 to 36, and FIG. The fourth resin 230 and the like described with reference to FIGS. 34 to 36 may be additionally applied to the semiconductor device package according to the embodiment described above, although not specifically shown and described.

또한, 이상에서 설명된 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 도 40에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)가 제공된 몸체(110)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)의 상면은 예로서 전체 면적에서 평탄하게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 몸체(110)의 상면에서 하면을 향하는 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. In addition, the light emitting device package according to the embodiment described above may include a body 110 provided with a first opening TH1 and a second opening TH2 as shown in FIG. 40 . For example, the upper surface of the body 110 may be provided flat over the entire area. The first and second openings TH1 and TH2 may pass through in a first direction from an upper surface to a lower surface of the body 110 .

상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 예로서 상기 몸체(110)의 상면에서 사각 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 몸체(110)의 하면에서 사각 형상으로 제공될 수 있다. For example, the first and second openings TH1 and TH2 may be provided in a quadrangular shape on the upper surface of the body 110 . In addition, the first and second openings TH1 and TH2 may be provided in a rectangular shape on the lower surface of the body 110 .

또한, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 몸체(110)의 상면 및 하면에서 원형 형상으로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제1 개구부(TH1)가 복수의 개구부로 제공되고, 상기 제2 개구부(TH2)가 복수의 개구부로 제공될 수도 있다.Also, according to another embodiment, the first and second openings TH1 and TH2 may be provided in a circular shape on the upper and lower surfaces of the body 110 . Also, the first opening TH1 may be provided as a plurality of openings, and the second opening TH2 may be provided as a plurality of openings.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, and effects illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above has been described centering on the embodiment, this is only an example and does not limit the embodiment, and those skilled in the art in the field to which the embodiment belongs may find various things not exemplified above to the extent that they do not deviate from the essential characteristics of the embodiment. It will be appreciated that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E: 발광소자 패키지
110: 몸체
113, 117: 몸체
120: 발광소자
121, 122: 본딩부
123: 발광구조물
124: 기판
130, 131, 132, 220, 230, 370: 수지
140: 몰딩부
310: 회로기판
311, 312: 패드
313: 지지기판
321, 322: 도전층
421, 422: 본딩층
431, 432: 금속층
610, 620, 640: 수지층
630: 패턴100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E: light emitting device package
110: body
113, 117: body
120: light emitting element
121, 122: bonding unit
123: light emitting structure
124 Substrate
130, 131, 132, 220, 230, 370: Resin
140: molding part
310: circuit board
311, 312: pad
313: support substrate
321, 322: conductive layer
421, 422: bonding layer
431, 432: metal layer
610, 620, 640: resin layer
630: pattern

Claims (24)

제1 개구부, 제2 개구부 및 캐비티를 포함하는 몸체;
상기 제1 및 제2 개구부 내에 각각 배치되는 도전층;
상기 캐비티 내에 배치되는 발광 소자;
상기 발광 소자와 상기 몸체 사이에 배치되는 제1 수지; 및
상기 발광 소자 상에 배치되는 파장 변환층;을 포함하고,
상기 도전층의 상면은 상기 발광 소자와 접촉하고,
상기 몸체는 상기 발광 소자가 배치되는 제1 영역, 상기 캐비티의 상면과 동일한 평면을 이루는 제2 영역, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 배치되는 경사진 측부, 상기 제1 영역 내에 배치되는 제1 리세스, 및 상기 제1 영역과 상기 측부 사이에 배치되는 제2 리세스를 포함하는 발광소자 패키지.A body including a first opening, a second opening and a cavity;
conductive layers respectively disposed in the first and second openings;
a light emitting element disposed within the cavity;
a first resin disposed between the light emitting element and the body; and
A wavelength conversion layer disposed on the light emitting element; includes,
The upper surface of the conductive layer is in contact with the light emitting element,
The body includes a first area in which the light emitting element is disposed, a second area having the same plane as the upper surface of the cavity, an inclined side part disposed between the first area and the second area, and a disposed in the first area. A light emitting device package comprising a first recess and a second recess disposed between the first region and the side portion. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 리세스와 상기 제2 리세스는 서로 이격되는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The light emitting device package of claim 1 , wherein the first recess and the second recess are spaced apart from each other. 제3항에 있어서,
상기 제2 리세스 내에 배치되는 제2 수지를 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 3,
A light emitting device package comprising a second resin disposed in the second recess. 제4항에 있어서,
상기 제1 수지 및 제2 수지 중 적어도 하나 이상의 수지는 반사성 물질, 산란 입자 및 형광체 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 4,
At least one of the first resin and the second resin includes at least one of a reflective material, a scattering particle, and a phosphor. 제5항에 있어서,
상기 형광체는 K2SiF6:Mn4+(KSF)로 구성되는 발광소자 패키지.According to claim 5,
The phosphor is a light emitting device package composed of K 2 SiF 6 :Mn 4+ (KSF). 제1 개구부, 제2 개구부 및 캐비티를 포함하는 몸체;
상기 제1 및 제2 개구부 내에 각각 배치되는 도전층;
상기 캐비티 내에 배치되는 발광 소자;
상기 발광 소자와 상기 몸체 사이에 배치되는 제1 수지;
상기 발광 소자 상에 배치되는 파장 변환층; 및
상기 제1 및 제2 개구부 각각의 둘레를 따라 폐루프 형상으로 배치되는 제2 수지를 포함하고,
상기 도전층의 상면은 상기 발광 소자와 접촉하는 발광소자 패키지.A body including a first opening, a second opening and a cavity;
conductive layers respectively disposed in the first and second openings;
a light emitting element disposed within the cavity;
a first resin disposed between the light emitting element and the body;
a wavelength conversion layer disposed on the light emitting element; and
A second resin disposed in a closed loop shape along the circumference of each of the first and second openings,
An upper surface of the conductive layer is in contact with the light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 제1 개구부의 내면에 배치되는 제1 금속층 및 상기 제2 개구부의 내면에 배치되는 제2 금속층을 더 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The light emitting device package further includes a first metal layer disposed on an inner surface of the first opening and a second metal layer disposed on an inner surface of the second opening. 제1항에 있어서,
상기 제1 수지는 제3 수지를 더 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
Wherein the first resin further comprises a third resin. 제9항에 있어서,
상기 제3 수지는 투광성 접착제로 구성되는 발광소자 패키지.According to claim 9,
The third resin is a light emitting device package composed of a light-transmitting adhesive. 제4항에 있어서,
상기 제1 수지는 상면에서 하면으로 오목한 제3 리세스를 더 포함하고,
상기 제3 리세스 내에 배치되는 제3 수지를 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 4,
The first resin further includes a third recess concave from the upper surface to the lower surface,
A light emitting device package comprising a third resin disposed in the third recess. 제11항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 수지는 서로 다른 물질로 구성되는 발광소자 패키지.According to claim 11,
The first to third resins are light emitting device packages composed of different materials. 제4항에 있어서,
상기 제1 및 제2 리세스는 서로 연결되고,
상기 제1 및 제2 수지는 서로 접촉하며,
상기 제1 및 제2 수지는 동일한 물질로 구성되는 발광소자 패키지.According to claim 4,
the first and second recesses are connected to each other;
The first and second resins are in contact with each other,
The first and second resins are composed of the same material as the light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 제1 리세스는 상기 제1 및 제2 개구부 사이에서 제1 방향으로 연장되고,
상기 제2 리세스는 상기 제1 방향과 평행한 측면 및 상기 제1 방향에 수직한 방향인 제2 방향과 평행한 측면을 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The first recess extends between the first and second openings in a first direction;
The second recess includes a side surface parallel to the first direction and a side surface parallel to a second direction perpendicular to the first direction. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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