KR102508538B1 - Light emitting device package and light unit - Google Patents

Light emitting device package and light unit Download PDF

Info

Publication number
KR102508538B1
KR102508538B1 KR1020180015943A KR20180015943A KR102508538B1 KR 102508538 B1 KR102508538 B1 KR 102508538B1 KR 1020180015943 A KR1020180015943 A KR 1020180015943A KR 20180015943 A KR20180015943 A KR 20180015943A KR 102508538 B1 KR102508538 B1 KR 102508538B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
disposed
frame
emitting device
frames
Prior art date
Application number
KR1020180015943A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190096246A (en
Inventor
김영신
공성민
홍순지
Original Assignee
쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 filed Critical 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
Priority to KR1020180015943A priority Critical patent/KR102508538B1/en
Publication of KR20190096246A publication Critical patent/KR20190096246A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102508538B1 publication Critical patent/KR102508538B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers

Abstract

발명의 실시 예에 개시된 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치되는 제1 프레임 및 제2 프레임; 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 및 상기 제1 프레임 및 제2 프레임 상에 배치되는 발광소자;를 포함하고, 상기 제1 프레임은 상기 제2 프레임에 인접한 제1 단부를 포함하고, 상기 제2 프레임은 상기 제1 프레임에 인접하게 배치되고, 상기 제1 단부와 마주보는 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부는 상기 제2 프레임을 향하여 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 제2 단부는 상기 제1 프레임을 향하여 돌출된 제2 돌출부를 포함하고, 상기 발광소자는 상기 제1 돌출부 상에 배치되는 제1 본딩부, 및 상기 제2 돌출부 상에 배치되는 제2 본딩부를 포함하며, 상기 제1프레임은 상기 발광소자의 폭보다 넓은 폭을 갖는 제1결합홀을 포함하며, 상기 제2프레임은 상기 발광소자의 폭보다 넓은 폭을 갖는 제2결합홀을 포함하며, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2결합홀에 배치된 결합부를 포함할 수 있다.A light emitting device package disclosed in an embodiment of the present invention includes a first frame and a second frame spaced apart from each other; a body disposed between the first frame and the second frame; and light emitting elements disposed on the first frame and the second frame, wherein the first frame includes a first end adjacent to the second frame, and the second frame is adjacent to the first frame. and a second end facing the first end, the first end including a first protrusion protruding toward the second frame, and the second end protruding toward the first frame. A second protrusion, wherein the light emitting element includes a first bonding part disposed on the first protrusion, and a second bonding part disposed on the second protrusion, wherein the first frame is a width of the light emitting element It includes a first coupling hole having a wider width, and the second frame includes a second coupling hole having a wider width than the width of the light emitting element, and the body is disposed in the first and second coupling holes. It may contain a coupling part.

Figure R1020180015943
Figure R1020180015943

Description

발광소자 패키지 및 광원 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT UNIT}Light emitting device package and light source device {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT UNIT}

실시 예는 발광소자 패키지, 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package, a semiconductor device package, a method for manufacturing a semiconductor device package, and a light source device.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many advantages, such as having a wide and easily adjustable band gap energy, and can be used in various ways such as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.

특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials are developed in thin film growth technology and device materials to produce red, green, It has the advantage of being able to implement light in various wavelength bands such as blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor material can implement a white light source with high efficiency by using a fluorescent material or combining colors. These light emitting devices have advantages of low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when light receiving devices such as photodetectors or solar cells are manufactured using Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor materials, photocurrent is generated by absorbing light in various wavelength ranges through the development of device materials. By doing so, it is possible to use light in a wide range of wavelengths from gamma rays to radio wavelengths. In addition, such a light-receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness, and easy control of element materials, so that it can be easily used in power control or ultra-high frequency circuits or communication modules.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can replace a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, and can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb. Applications are expanding to white light emitting diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, applications of semiconductor devices can be expanded to high-frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device (Light Emitting Device) may be provided as, for example, a p-n junction diode having a characteristic of converting electrical energy into light energy using a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table, and a compound semiconductor Various wavelengths can be implemented by adjusting the composition ratio.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are of great interest in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, blue light emitting devices, green light emitting devices, ultraviolet (UV) light emitting devices, red light emitting devices, and the like using nitride semiconductors are commercialized and widely used.

예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, as a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm, in the wavelength range, in the case of a short wavelength, it is used for sterilization and purification, and in the case of a long wavelength, an exposure machine or a curing machine, etc. can be used

자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet light can be divided into three types in order of wavelength: UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm), and UV-C (200nm ~ 280nm). UV-A (315nm ~ 400nm) area is applied to various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, counterfeit money discrimination, photocatalytic sterilization, special lighting (aquarium/agricultural use, etc.), and UV-B (280nm ~ 315nm) ) area is used for medical purposes, and the UV-C (200nm~280nm) area is applied to air purification, water purification, and sterilization products.

한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. Meanwhile, as semiconductor devices capable of providing high output are requested, research on semiconductor devices capable of increasing output by applying high power is being conducted.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in a semiconductor device package, research is being conducted on a method capable of improving light extraction efficiency of the semiconductor device and improving light intensity at the package end. In addition, in a semiconductor device package, research into a method for improving a bonding force between a package electrode and a semiconductor device is being conducted.

또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in semiconductor device packages, research is being conducted on ways to reduce manufacturing cost and improve manufacturing yield through process efficiency improvement and structural change.

발명의 실시 예는 프레임들 사이의 몸체에 제1방향으로 탄성을 줄 수 있는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지, 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.An embodiment of the present invention provides a light emitting device package capable of giving elasticity to a body between frames in a first direction, a light emitting device package, a semiconductor device package, and a manufacturing method thereof.

발명의 실시 예는 프레임들 사이의 몸체 상부에 리세스를 갖는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지, 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a light emitting device package having a recess on the upper part of the body between frames, a light emitting device package, a semiconductor device package, and a manufacturing method thereof.

발명의 실시 예는 프레임 내에 제2방향으로 긴 길이를 갖는 결합홀을 배치하여 몸체와 결합된 발광소자 패키지, 발광소자 패키지, 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.An embodiment of the present invention provides a light emitting device package, a light emitting device package, a semiconductor device package coupled to a body by arranging a coupling hole having a long length in the second direction in a frame, and a manufacturing method thereof.

발명의 실시 예는 각 프레임 내부에 제2방향으로 복수의 결합홀을 배치하여, 금속 팽창을 억제할 수 있도록 한 발광소자 패키지, 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.An embodiment of the present invention provides a light emitting device package, a semiconductor device package, and a method of manufacturing the same, in which metal expansion is suppressed by arranging a plurality of coupling holes in a second direction inside each frame.

발명의 실시 예는 발광소자의 주변에 발광소자의 유동을 방지하는 돌기를 갖는 발광소자 패키지, 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다. Embodiments of the present invention provide a light emitting device package having protrusions for preventing movement of the light emitting device around the light emitting device, a semiconductor device package, and a manufacturing method thereof.

실시 예는 발광소자의 하부에 몸체로부터 돌출된 복수의 돌기를 갖는 반도체 소자 패키지, 발광소자 패키지, 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments may provide a semiconductor device package having a plurality of protrusions protruding from a body under a light emitting device, a light emitting device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device.

실시 예는 몸체로부터 돌출된 돌기들의 적어도 일부가 발광소자의 하부에 배치된 반도체 소자 패키지, 발광소자 패키지, 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.Embodiments may provide a semiconductor device package, a light emitting device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device in which at least some of the protrusions protruding from the body are disposed below the light emitting device.

실시 예는 패키지의 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지, 발광소자 패키지, 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a semiconductor device package, a light emitting device package, a semiconductor device package manufacturing method, and a light source device capable of reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving package process efficiency and presenting a new package structure.

실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지, 발광소자 패키지, 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.The embodiment manufactures a semiconductor device package, a light emitting device package, and a semiconductor device package capable of preventing re-melting from occurring in a bonding area of a semiconductor device package in the process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like. method can be provided.

발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격되어 배치되는 제1 프레임 및 제2 프레임; 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 및 상기 제1 프레임 및 제2 프레임 상에 배치되는 발광소자;를 포함하고, 상기 제1 프레임은 상기 제2 프레임에 인접한 제1 단부를 포함하고, 상기 제2 프레임은 상기 제1 프레임에 인접하게 배치되고, 상기 제1 단부와 마주보는 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부는 상기 제2 프레임을 향하여 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 제2 단부는 상기 제1 프레임을 향하여 돌출된 제2 돌출부를 포함하고, 상기 발광소자는 상기 제1 돌출부 상에 배치되는 제1 본딩부, 및 상기 제2 돌출부 상에 배치되는 제2 본딩부를 포함하며, 상기 제1프레임은 상기 발광소자의 폭보다 넓은 폭을 갖는 제1결합홀을 포함하며, 상기 제2프레임은 상기 발광소자의 폭보다 넓은 폭을 갖는 제2결합홀을 포함하며, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2결합홀에 배치된 결합부를 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a first frame and a second frame spaced apart from each other; a body disposed between the first frame and the second frame; and light emitting elements disposed on the first frame and the second frame, wherein the first frame includes a first end adjacent to the second frame, and the second frame is adjacent to the first frame. and a second end facing the first end, the first end including a first protrusion protruding toward the second frame, and the second end protruding toward the first frame. A second protrusion, wherein the light emitting element includes a first bonding part disposed on the first protrusion, and a second bonding part disposed on the second protrusion, wherein the first frame is a width of the light emitting element It includes a first coupling hole having a wider width, and the second frame includes a second coupling hole having a wider width than the width of the light emitting element, and the body is disposed in the first and second coupling holes. It may contain a coupling part.

발명이 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2결합홀은 상기 제1 및 제2프레임이 배치되는 방향과 직교하는 방향으로 배치되고, 서로 평행하게 배치될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first and second coupling holes may be disposed in a direction orthogonal to a direction in which the first and second frames are disposed, and may be disposed parallel to each other.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2프레임 사이에 제1리세스를 포함하며, 상기 제1리세스는 상기 발광 소자와 수직 방향으로 중첩되며, 상기 제1 및 제2본딩부 사이의 영역 아래에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the invention, the body includes a first recess between the first and second frames, the first recess overlaps the light emitting element in a vertical direction, and the first and second bonding It can be placed under the area between the parts.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1프레임의 제1단부는 상기 제1돌출부의 양측으로 이격되며 상기 제2프레임 방향으로 돌출된 제3 및 제4돌출부를 포함하며, 상기 제2프레임의 제2단부는 상기 제2돌출부의 양측으로 이격되며 상기 제1프레임 방향으로 돌출된 제5 및 제6돌출부를 포함하며, 상기 몸체는 상기 제1 및 제3돌출부 사이에 배치된 제1반사부, 상기 제1 및 제4돌출부 사이에 배치된 제2반사부, 상기 제2 및 제5돌출부 사이에 배치된 제3반사부 및 상기 제2 및 제6돌출부 사이에 배치된 제4반사부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first end of the first frame includes third and fourth protrusions spaced apart from both sides of the first protrusion and protruding in the direction of the second frame, and the second protrusion of the second frame. The end portion includes fifth and sixth protrusions that are spaced apart from both sides of the second protrusion and protrude in the direction of the first frame, and the body includes a first reflector disposed between the first and third protrusions, and the first protrusion. It may include a second reflector disposed between the first and fourth protrusions, a third reflector disposed between the second and fifth protrusions, and a fourth reflector disposed between the second and sixth protrusions.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광 소자의 하부 둘레에 배치되며 상기 제1 및 제2본딩부의 둘레에 배치된 제2수지를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the invention, the second resin disposed around the lower periphery of the light emitting element and disposed around the first and second bonding parts may be included.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2프레임 각각은 외측에 배치된 복수의 홀을 포함하며, 상기 복수의 홀 각각은 상기 제1 및 제2결합홀 각각의 면적보다 작은 면적을 가지며, 상기 복수의 홀에는 상기 몸체의 일부가 결합될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, each of the first and second frames includes a plurality of holes disposed outside, and each of the plurality of holes has an area smaller than that of each of the first and second coupling holes, A part of the body may be coupled to the plurality of holes.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2결합홀은 상기 제1 및 제2돌출부의 두께보다 얇은 두께를 갖는 스텝 구조를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first and second coupling holes may include a step structure having a thickness smaller than that of the first and second protrusions.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 하면 둘레에 배치된 복수의 스페이서를 포함하며, 상기 복수의 스페이서는 상기 발광소자의 제1 및 제2본딩부를 상기 제1 및 제2프레임의 상면으로부터 이격시켜 주며, 상기 복수의 스페이서의 상면은 상기 제1,2본딩부의 하면보다 높게 돌출되며, 상기 복수의 스페이서는 상기 제1 및 제2돌출부의 양측에 배치되고 상기 몸체로부터 돌출될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a plurality of spacers disposed around the lower surface of the light emitting element are spaced apart from the upper surfaces of the first and second frames, and the first and second bonding parts of the light emitting element are spaced apart from each other. The plurality of spacers may protrude higher than the lower surfaces of the first and second bonding parts, and the plurality of spacers may be disposed on both sides of the first and second protrusions and protrude from the body.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2프레임 사이에 상기 발광소자의 폭보다 넓은 간격을 갖고, 상기 몸체로부터 돌출된 제1 및 제2지지부를 포함하며, 상기 제1리세스의 깊이는 상기 제1 및 제2프레임의 두께의 50% 내지 80%의 범위를 가질 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it has a gap wider than the width of the light emitting element between the first and second frames, and includes first and second support parts protruding from the body, and the depth of the first recess is It may have a range of 50% to 80% of the thickness of the first and second frames.

발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2본딩부와 상기 제1 및 제2프레임 사이에 배치된 도전부를 포함하며, 상기 제1 및 제2수지는 상기 제1,2본딩부 아래에 배치된 상기 도전부의 둘레에 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a conductive part disposed between the first and second bonding parts and the first and second frames, and the first and second resins are disposed below the first and second bonding parts. may be disposed around the conductive portion.

발명의 실시 예에 따른 광원 장치는, 회로 기판; 및 상기 회로 기판 상에 상기에 개시된 하나 또는 복수의 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.A light source device according to an embodiment of the present invention includes a circuit board; And it may include one or a plurality of light emitting device packages disclosed above on the circuit board.

발명의 실시 예에 의하면, 패키지의 센터 영역에서 온도 변화에 의한 불량을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent defects due to temperature changes in the center region of the package.

발명의 실시 예에 의하면, 패키지의 센터측 몸체에 완충 구조를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a buffer structure may be provided to the center side body of the package.

발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 팽창/수축에 따른 몸체 주변의 솔더 재질의 크랙 불량을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent crack defects in the solder material around the body due to expansion/contraction of the body.

발명의 실시 예에 의하면, 프레임들 사이의 몸체의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 리세스를 주어, 열 변형에 따른 완충 구조를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a buffer structure according to thermal deformation may be provided by giving a recess to at least one of the upper and lower parts of the body between the frames.

발명의 실시 예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment of the invention, there is an advantage of improving light extraction efficiency, electrical characteristics, and reliability.

발명의 실시 예에 의하면, 발광소자의 틸트를 방지할 수 있다.According to an embodiment of the invention, it is possible to prevent the tilt of the light emitting device.

발명의 실시 예에 의하면, 발광소자를 수지로 접착시켜 주어, 외부 열에 의해 발광소자가 리멜팅(re-melting)되는 문제를 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent the light emitting element from being re-melted by external heat by bonding the light emitting element with resin.

발명의 실시 예에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an advantage of reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving process efficiency and presenting a new package structure.

발명의 실시 예에 의하면, 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment of the present invention, by providing a body having high reflectivity, discoloration of the reflector can be prevented, thereby improving reliability of the semiconductor device package.

발명의 실시 예에 의하면, 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an advantage in preventing a re-melting phenomenon from occurring in a bonding area of a semiconductor device package in a process of re-bonding the device package to a substrate or the like.

도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도이다.
도 2는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 도 2의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 4는 도 2의 발광소자 패키지에서 제2수지가 배치된 예를 설명한 도면이다.
도 5는 도 2의 발광소자 패키지에서 제1수지가 배치된 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 2의 발광소자 패키지에서 제1 및 제2수지가 배치된 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 도 2의 발광소자 패키지의 A1-A1측 단면도이다.
도 8은 도 2에서 제2수지를 설명하기 위한 부분 확대도이다.
도 9는 도 2의 발광소자 패키지의 B1-B1측 단면도이다.
도 10는 도 2의 발광소자 패키지의 C1-C1측 단면도이다.
도 11은 도 2의 발광소자 패키지의 D1-D1측 단면도이다.
도 12는 도 2의 프레임의 저면도이다.
도 13은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 14는 도 13의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 15는 도 13의 발광소자 패키지에서 프레임의 저면도의 예이다.
도 16은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 조명장치의 예이다.
도 17은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 측 단면도이다.1 is an exploded perspective view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a bottom view of the light emitting device package of FIG. 2 .
FIG. 4 is a view explaining an example in which a second resin is disposed in the light emitting device package of FIG. 2 .
FIG. 5 is a view showing an example in which a first resin is disposed in the light emitting device package of FIG. 2 .
FIG. 6 is a view showing an example in which first and second resins are disposed in the light emitting device package of FIG. 2 .
7 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2 on the A1-A1 side.
FIG. 8 is a partially enlarged view for explaining the second resin in FIG. 2 .
FIG. 9 is a B1-B1 cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2 .
FIG. 10 is a C1-C1 cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2 .
11 is a D1-D1 side cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2 .
12 is a bottom view of the frame of FIG. 2;
13 is another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
14 is a bottom view of the light emitting device package of FIG. 13 .
FIG. 15 is an example of a bottom view of a frame in the light emitting device package of FIG. 13 .
16 is an example of a lighting device having a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
17 is a side cross-sectional view illustrating an example of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

발명의 실시 예는 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 발명의 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.An embodiment of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of an embodiment of the invention, each layer (film), region, pattern or structure is "on/over" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. )”, “on/over” and “under” mean “directly” or “indirectly” formed through another layer. All inclusive. In addition, the criterion for the top/top or bottom of each layer will be described based on the drawings, but the embodiment is not limited thereto.

발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. 발명에서 소자 패키지는 반도체 소자나 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다. A semiconductor device package according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present invention, the device package may include a semiconductor device or a light emitting device that emits light of ultraviolet, infrared, or visible light. Hereinafter, a description will be given based on the case where a light emitting element is applied as an example of a semiconductor device, and a package or light source device to which the light emitting element is applied may include a non-light emitting element such as a zener diode or a sensing element for monitoring wavelength or heat. can Hereinafter, a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device will be described, and a light emitting device package will be described in detail.

도 1은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도이고, 도 2는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이며, 도 3은 도 2의 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 4는 도 2의 발광소자 패키지에서 제2수지가 배치된 예를 설명한 도면이며, 도 5는 도 2의 발광소자 패키지에서 제1수지가 배치된 예를 나타낸 도면이고, 도 6은 도 2의 발광소자 패키지에서 제1 및 제2수지가 배치된 예를 나타낸 도면이며, 도 7은 도 2의 발광소자 패키지의 A1-A1측 단면도이고, 도 8은 도 2에서 제2수지를 설명하기 위한 부분 확대도이며, 도 9는 도 2의 발광소자 패키지의 B1-B1측 단면도이며, 도 10는 도 2의 발광소자 패키지의 C1-C1측 단면도이고, 도 11은 도 2의 발광소자 패키지의 D1-D1측 단면도이며, 도 12는 도 2의 프레임의 저면도이다.1 is an exploded perspective view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a bottom view of the light emitting device package of FIG. 2, and FIG. This is a view explaining an example in which the second resin is disposed in the light emitting device package of FIG. 2, FIG. 5 is a view showing an example in which the first resin is disposed in the light emitting device package of FIG. 2, and FIG. , FIG. 7 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2 on the A1-A1 side, and FIG. 8 is a partially enlarged view for explaining the second resin in FIG. 2 . 9 is a B1-B1 side cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2, FIG. 10 is a C1-C1 side cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2, and FIG. 11 is a D1-D1 side cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 12 is a bottom view of the frame of FIG. 2 .

도 1 내지 도 12를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는, 패키지 몸체(110), 및 발광소자(120)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 12 , the light emitting device package 100 may include a package body 110 and a light emitting device 120 .

도 1 내지 도 3과 같이, 발광소자 패키지(100)는 제1방향(X)의 길이가 제2방향(Y)의 길이보다 클 수 있다. 상기 제1방향의 길이는 패키지 몸체(110)의 제1방향의 길이보다 클 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)의 제1방향(X)의 길이는 제2방향(Y)의 길이보다 길거나 같을 수 있다. 여기서, 제1방향은 상기 발광소자(120)의 변들들 중 길이가 더 긴 변의 방향일 수 있다. 예컨대, 제1방향은 발광소자(120)의 장변 방향이며, 제2방향은 단변 방향일 수 있다. 상기 제1방향에는 발광소자(120)의 양 단변이 서로 반대측에 배치되며, 제2방향에는 발광소자(120)의 양 장변이 서로 반대측에 배치될 수 있다.1 to 3 , the length of the light emitting device package 100 in the first direction (X) may be greater than the length in the second direction (Y). The length in the first direction may be greater than the length of the package body 110 in the first direction. The length of the package body 110 in the first direction (X) may be longer than or equal to the length in the second direction (Y). Here, the first direction may be a direction of a longer side among the sides of the light emitting device 120 . For example, the first direction may be a long side direction of the light emitting device 120, and the second direction may be a short side direction. Both short sides of the light emitting device 120 may be disposed on opposite sides in the first direction, and both long sides of the light emitting device 120 may be disposed on opposite sides in the second direction.

상기 패키지 몸체(110)는 복수의 프레임을 포함할 수 있다. 상기 복수의 프레임은 적어도 2개의 프레임 또는 3개 이상의 프레임을 포함할 수 있다. 상기 복수의 프레임은 예컨대, 제1 프레임(111)과 제2 프레임(113)을 포함할 수 있다. 이하 설명의 편의를 위해, 2개의 프레임으로 설명하기로 한다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 제1방향(X)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.The package body 110 may include a plurality of frames. The plurality of frames may include at least two frames or three or more frames. The plurality of frames may include, for example, a first frame 111 and a second frame 113 . For convenience of explanation, it will be described with two frames. The first frame 111 and the second frame 113 may be spaced apart from each other in the first direction (X).

상기 패키지 몸체(110)는 몸체(115)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(115)는 복수의 프레임들 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(115)는 복수의 프레임과 결합될 수 있다. 상기 몸체(115)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(115)는 제1 및 제2 프레임(111,113) 사이에서 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(115)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The package body 110 may include a body 115. The body 115 may be disposed between a plurality of frames. The body 115 may be combined with a plurality of frames. The body 115 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 113 . The body 115 may function as an electrode separation line between the first and second frames 111 and 113. The body 115 may also be referred to as an insulating member.

상기 몸체(115)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 몸체(115)는 상기 제2 프레임(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 몸체(115)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113) 위에 배치된 경사면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(115)의 경사면에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113) 위에 캐비티(102)가 제공될 수 있다. 발명의 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(102)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(102) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다. 상기 몸체(115)는 캐비티(102)를 갖는 상부 몸체(110A)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(115)와 상기 상부 몸체(110A)는 동일한 재질로 형성되거나, 서로 다른 재질일 수 있다. 상기 상부 몸체(110A)는 상기 몸체(115)에 일체로 형성되거나, 별도로 형성될 수 있다.The body 115 may be disposed on the first frame 111 . The body 115 may be disposed on the second frame 113 . The body 115 may provide an inclined surface disposed on the first frame 111 and the second frame 113 . A cavity 102 may be provided on the first frame 111 and the second frame 113 by the inclined surface of the body 115 . According to an embodiment of the invention, the package body 110 may be provided in a structure with a cavity 102, or may be provided in a structure with a flat upper surface without the cavity 102. The body 115 may include an upper body 110A having a cavity 102 . The body 115 and the upper body 110A may be formed of the same material or may be made of different materials. The upper body 110A may be integrally formed with the body 115 or may be formed separately.

예로서, 상기 몸체(115)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(115)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(115)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 몸체(115)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있으며, 상기 열 가소성 수지는 가열하면 물러지고 냉각하면 다시 굳어지는 물질이므로, 상기 프레임(111,113) 및 이에 접촉되는 물질들이 열에 의해 팽창 또는 수축할 때 상기 몸체(115)가 완충 작용을 할 수 있다. 이때 상기 몸체(115)가 상기 완충 작용을 할 경우, 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu)계 페이스트와 같은 도전부가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 상기 패키지에서 열 팽창 및 수축에 따른 열팽창 계수(CTE: coefficient of Thermal expansion)은 제1방향이 제2방향보다 클 수 있다. 상기 몸체(115)는 PCT 또는 PPA 재질를 포함 수 있으며, 상기 PCT 또는 PPA 재질은 융점이 높고 열 가소성 수지이다. For example, the body 115 may be made of a resin material or an insulating resin material. The body 115 includes polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide9T (PA9T), silicone, epoxy, epoxy molding compound (EMC), silicone It may be formed of at least one selected from a group including a molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like. The body 115 may be formed of a resin material, and may include a filler made of a high refractive index material such as TiO 2 and SiO 2 therein. The body 115 may be formed of a thermoplastic resin, and since the thermoplastic resin is a material that softens when heated and hardens again when cooled, when the frames 111 and 113 and materials in contact therewith expand or contract due to heat The body 115 may act as a shock absorber. At this time, when the body 115 performs the buffering action, it is possible to prevent damage to conductive parts such as solder-based paste, Ag-based paste, and SAC (Sn-Ag-Cu)-based paste. In the package, a coefficient of thermal expansion (CTE) according to thermal expansion and contraction may be greater in the first direction than in the second direction. The body 115 may include a PCT or PPA material, and the PCT or PPA material has a high melting point and is a thermoplastic resin.

상기 상부 몸체(110A)는 상기 캐비티(102)의 둘레에 경사진 측면(132)을 제공할 수 있다. 상기 경사진 측면(132)은 제1방향과 제2방향이 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. 상기 경사진 측면(132)은 제2각도로 경사지며, 상기 캐비티(102)의 측면 하부(134)는 제1각도로 경사질 수 있다. 상기 제1각도는 제2각도보다 클 수 있다. 캐비티(102)의 상기 측면 하부(134)는 상기 상부 몸체(110A)를 사출 성형할 때, 버(Burr)와 같은 부분이 발생되지 않도록 45도 이상 예컨대, 45도 내지 70도의 범위로 형성될 수 있다. 캐비티(102)의 상기 측면 하부(134)의 높이(Z2, 도 8)는 100 마이크로 미터 이상 예컨대, 100 내지 200 마이크로 미터의 범위로 배치되어, 상기 제2각도를 갖고 상기 발광소자(120)의 측면과 대면할 수 있다. The upper body 110A may provide an inclined side surface 132 around the cavity 102 . The inclined side surface 132 may be inclined at different angles in the first direction and in the second direction. The inclined side surface 132 may be inclined at a second angle, and the lower side surface 134 of the cavity 102 may be inclined at a first angle. The first angle may be greater than the second angle. When injection molding the upper body 110A, the lower side 134 of the cavity 102 may be formed at an angle of 45 degrees or more, for example, in a range of 45 degrees to 70 degrees so that parts such as burrs do not occur. there is. The height (Z2, FIG. 8) of the lower side surface 134 of the cavity 102 is disposed in the range of 100 micrometers or more, for example, 100 to 200 micrometers, and has the second angle and the light emitting element 120 You can face the side.

상기 몸체(115)는 제1방향으로 서로 대면하거나 대향되게 배치된 제1 및 제2측면(S1,S2)과, 제2방향으로 서로 대면하거나 대향되게 배치된 제3 및 제4측면(S3,S4)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)는 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)은 수직한 면이거나, 경사진 면일 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)는 제1 및 제2측면(S1,S2)에 비해 장 측면일 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)은 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)의 양 단부에 직교하는 방향으로 배치될 수 있다. The body 115 includes first and second side surfaces S1 and S2 facing or facing each other in a first direction, and third and fourth side surfaces S3 facing or facing each other in a second direction. S4) may be included. The first and second side surfaces S1 and S2 may be vertical or inclined surfaces. The third and fourth side surfaces S3 and S4 may be vertical or inclined surfaces. The third and fourth side surfaces S3 and S4 may have longer sides than the first and second side surfaces S1 and S2. The first and second side surfaces S1 and S2 may be disposed in a direction orthogonal to both ends of the third and fourth side surfaces S3 and S4.

상기 몸체(115)는 상기 프레임들(111,113) 사이의 상부 및 하부 중 적어도 한 영역에 오목한 리세스(Recess)를 배치할 수 있다. 상기 리세스는 상기 몸체(115)가 상기 프레임(111,113) 및 그 주변 물질들이 어느 한 방향으로 열 팽창 또는 수축될 때 완충시켜 줄 수 있다. 상기 리세스는 상기 열 팽창 또는 수축이 큰 방향과 직교하는 방향으로 배치될 수 있다. 상기 리세스는 제2방향으로 긴 길이를 갖고 배치될 수 있다. The body 115 may have a concave recess disposed in at least one of upper and lower regions between the frames 111 and 113 . The recess may buffer the body 115 when the frames 111 and 113 and surrounding materials thermally expand or contract in one direction. The recess may be disposed in a direction orthogonal to a direction in which the thermal expansion or contraction is large. The recess may be disposed to have a long length in the second direction.

상기 몸체(115)의 리세스는 도 2, 도 7 및 도 8과 같이, 상부의 제1리세스(R1)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(115)의 제1리세스(R1)가 제2방향으로 긴 길이로 배치됨으로써, 제1방향에 따른 열 팽창 또는 수축을 완충시켜 줄 수 있다. 상기 몸체(115)의 제1리세스(R1)가 제1방향의 열 팽창 또는 수축을 완충시켜 줌으로써, 상기 프레임(111,113) 및 그 상부에 부착된 도전부(333, 도 7 참조)의 크랙 발생을 억제하거나 방지할 수 있다. As shown in FIGS. 2, 7 and 8, the recess of the body 115 may include an upper first recess R1. Since the first recess R1 of the body 115 is disposed with a long length in the second direction, thermal expansion or contraction in the first direction can be buffered. As the first recess R1 of the body 115 buffers thermal expansion or contraction in the first direction, cracks occur in the frames 111 and 113 and the conductive part 333 attached thereto (see FIG. 7). can be suppressed or prevented.

상기 몸체(115)는 제3,4측면(S4,S4)에 제1방향으로 긴 길이를 갖는 리브(107,108)을 포함할 수 있다. 상기 리브(107.108)는 상기 제3,4측면(S3,S4)의 하부에 상기 몸체(115)의 제2방향 길이와 같거나 상기 몸체(115)의 제2방향 길이의 1/2 이상의 길이를 갖고 배치될 수 있다. 상기 리브(107.108)는 몸체(115)의 센터측 강성 예컨대, 제1,2프레임(111,113) 사이의 영역에 대한 강성을 강화시켜 줄 수 있다. The body 115 may include ribs 107 and 108 having a long length in the first direction on the third and fourth side surfaces S4 and S4. The rib 107.108 has a length equal to or equal to the length of the body 115 in the second direction or more than 1/2 of the length of the body 115 in the second direction at the lower part of the third and fourth side surfaces S3 and S4. can be placed with The ribs 107 and 108 may reinforce the rigidity of the center side of the body 115, for example, the rigidity of the region between the first and second frames 111 and 113.

상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 도전성 프레임은 금속 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 두께(T2)는 방열 특성 및 전기 전도 특성을 고려하여 형성될 수 있으며, 100 마이크로 미터 이상 예컨대 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 형성될 수 있다. The first frame 111 and the second frame 113 may be provided as conductive frames. The conductive frame may be made of a metal such as copper (Cu), titanium (Ti), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver ( Ag), and may be formed as a single layer or multiple layers. The thickness T2 of the first and second frames 111 and 113 may be formed in consideration of heat dissipation characteristics and electrical conductivity characteristics, and may be formed in a range of 100 micrometers or more, for example, 100 to 300 micrometers.

상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 금속 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)의 제1연장부(17,18)는 패키지 몸체(110)의 제1측면(S1) 방향으로 연장되며 하나 또는 복수로 돌출될 수 있다. 상기 제2 프레임(113)의 제2연장부(37,38)는 패키지 몸체(110)의 제2측면(S2) 방향으로 연장되고 하나 또는 복수로 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2연장부(17,18,37,38)는 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 복수의 연장부인 경우 각 프레임(111,113)으로부터 분기된 형태로 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2연장부(17,18,37,38)는 돌출되지 않을 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)의 제1,2측면(S1,S2)은 제1방향으로 이격되며 서로 반대측 면일 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)의 제3,4측면(S3,S4)은 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 이격되며 서로 반대측 면일 수 있다. 상기 제1내지 제4측면(S1,S2,S3,S4)는 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다.The first frame 111 and the second frame 113 may be provided as metal frames. The first frame 111 and the second frame 113 may stably provide structural strength of the package body 110 and may be electrically connected to the light emitting device 120 . The first extension parts 17 and 18 of the first frame 111 extend in the direction of the first side surface S1 of the package body 110 and may protrude one or more. The second extension parts 37 and 38 of the second frame 113 extend in the direction of the second side surface S2 of the package body 110 and may protrude one or more. The first and second extensions 17, 18, 37, and 38 may be disposed in one or a plurality, and in the case of a plurality of extensions, they may protrude from the respective frames 111 and 113 in a branched form. The first and second extension parts 17, 18, 37, and 38 may not protrude. The first and second side surfaces S1 and S2 of the package body 110 are spaced apart in a first direction and may be opposite sides. The third and fourth side surfaces S3 and S4 of the package body 110 are spaced apart in a second direction orthogonal to the first direction and may be opposite sides to each other. The first to fourth side surfaces S1, S2, S3, and S4 may be vertically or inclinedly disposed.

도 12 및 도 3과 같이, 상기 제1 프레임(111)의 제1연장부(17,18) 사이의 오픈 영역에는 몸체(115)의 일부가 배치될 수 있다. 상기 제2 프레임(113)의 제1연장부(37,38) 사이의 오픈 영역에는 몸체(115)의 일부가 배치될 수 있다. 상기 오픈 영역에는 단차 구조가 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 12 and 3 , a part of the body 115 may be disposed in the open area between the first extension parts 17 and 18 of the first frame 111 . A part of the body 115 may be disposed in the open area between the first extension parts 37 and 38 of the second frame 113 . A stepped structure may be formed in the open area.

상기 제1,2 프레임(111,113)에는 다수의 홀(H1,H2)이 배치될 수 있으며, 상기 홀(H1,H2)을 통해 몸체(115)가 결합될 수 있다. 상기 제1,2 프레임(111,113)에는 몸체(115)와의 결합을 강화하기 위해, 도 3과 같은 스텝 구조(ST1,ST2)와 오목부(Ra,Rb,Rc,Rd)가 배치될 수 있다. 상기 오목부(Ra,Rb,Rc,Rd)와 상기 홀(H1,H2)은 상기 제1,2연장부(17,18,37,38) 중에서 상기 몸체(115)와 중첩되는 영역에 배치될 수 있어, 몸체와의 결합력을 강화시키고 습기 침투를 억제할 수 있다. 상기 몸체(115)의 바닥 일부에는 사출용 게이트에 의한 오목한 구조가 형성될 수 있다.A plurality of holes H1 and H2 may be disposed in the first and second frames 111 and 113, and the body 115 may be coupled through the holes H1 and H2. In order to strengthen the coupling with the body 115, the first and second frames 111 and 113 may have step structures ST1 and ST2 and concave portions Ra, Rb, Rc, and Rd as shown in FIG. 3 . The concave portions Ra, Rb, Rc, and Rd and the holes H1 and H2 may be disposed in regions overlapping the body 115 among the first and second extension portions 17, 18, 37, and 38. Therefore, it is possible to strengthen the bonding force with the body and suppress moisture permeation. A concave structure by an injection gate may be formed on a part of the bottom of the body 115 .

상기 각 프레임(111,113)의 상면 면적이 하면 면적보다 클 수 있다. 이는 각 프레임(111,113)의 외곽 둘레의 하부에 단차 구조(ST1,ST2)를 갖고 있어, 하면 면적이 상면 면적보다 작을 수 있다.The upper surface area of each of the frames 111 and 113 may be larger than the lower surface area. This has a stepped structure (ST1, ST2) at the lower part of the outer circumference of each frame (111, 113), so the lower surface area may be smaller than the upper surface area.

도 2, 도 3 및 도 12와 같이, 제1프레임(111)의 제1단부는 상기 제2프레임(113)에 인접하며, 제2 프레임(111) 방향 또는 제2측면(S2) 방향으로 돌출된 복수의 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 제1프레임(111)은 3개 이상의 돌출부를 포함할 수 있으며, 센터 측 제1돌출부(11), 상기 몸체(115)의 제3측면(S3)에 인접한 제2돌출부(12) 및 제4측면(S4)에 인접한 제3돌출부(13)를 포함할 수 있다. 상기 제1돌출부(11)는 상기 발광소자(120)와 수직 방향 또는 제3방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 여기서, 제3방향은 제1 및 제2방향과 직교하는 방향이거나, 상기 패키지 몸체의 두께 방향일 수 있다. 상기 제1돌출부(11)는 상기 제2돌출부(12)와 제3돌출부(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2돌출부(12)는 상기 제1돌출부(11)와 제3측면(S3) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3돌출부(13)는 상기 제1돌출부(11)와 제4측면(S4) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2돌출부(12)는 제3측면(S3)로부터 이격되게 배치될 수 있고, 상기 제3돌출부(13)는 제4측면(S4)로부터 이격되게 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3돌출부(11,12,13)는 몸체(115)의 바닥에 노출될 수 있다. 상기 제1 내지 제3돌출부(11,12,13)는 제2방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2돌출부(12)와 제3돌출부(13)의 외측부는 상기 상부 몸체(110A)와 수직 방향으로 중첩될 수 있어, 상부 몸체(110A)와 결합될 수 있다.2, 3 and 12, the first end of the first frame 111 is adjacent to the second frame 113 and protrudes in the direction of the second frame 111 or the second side surface S2. It may include a plurality of protrusions. The first frame 111 may include three or more protrusions, the first protrusion 11 on the center side, the second protrusion 12 adjacent to the third side surface S3 of the body 115, and the fourth protrusion 12 . A third protrusion 13 adjacent to the side surface S4 may be included. The first protrusion 11 may overlap the light emitting device 120 in a vertical direction or a third direction (Z). Here, the third direction may be a direction orthogonal to the first and second directions or a thickness direction of the package body. The first protrusion 11 may be disposed between the second protrusion 12 and the third protrusion 13 . The second protrusion 12 may be disposed between the first protrusion 11 and the third side surface S3. The third protrusion 13 may be disposed between the first protrusion 11 and the fourth side surface S4. The second protrusion 12 may be disposed to be spaced apart from the third side surface S3, and the third protrusion 13 may be disposed to be spaced apart from the fourth side surface S4. The first to third protrusions 11, 12, and 13 may be exposed on the bottom of the body 115. The first to third protrusions 11, 12, and 13 may overlap in the second direction. The outer portions of the second protrusion 12 and the third protrusion 13 may overlap with the upper body 110A in a vertical direction, so that they may be combined with the upper body 110A.

상기 제2프레임(113)의 제2단부는 상기 제1단부와 마주보며, 상기 제1프레임(111)에 인접할 수 있다. 상기 제2프레임(113)의 제2단부는 상기 제1프레임 방향 또는 제1측면(S1) 방향으로 돌출된 복수의 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 제2프레임(113)은 3개 이상의 돌출부를 포함할 수 있으며, 센터 측 제4돌출부(31), 상기 몸체(115)의 제3측면(S3)에 인접한 제5돌출부(32) 및 제4측면(S4)에 인접한 제6돌출부(33)를 포함할 수 있다. 상기 제4돌출부(31)는 상기 발광소자(120)와 수직 방향 또는 제3방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 여기서, 제3방향은 제1 및 제2방향과 직교하는 방향이거나, 상기 패키지 몸체의 두께 방향일 수 있다. 상기 제4돌출부(31)는 상기 제5돌출부(32)와 제6돌출부(33) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제5돌출부(32)는 상기 제4돌출부(31)와 제3측면(S3) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제6돌출부(33)는 상기 제4돌출부(31)와 제4측면(S4) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제5돌출부(32)는 제3측면(S3)로부터 이격되게 배치될 수 있고, 상기 제6돌출부(33)는 제4측면(S4)로부터 이격되게 배치될 수 있다. 상기 제4 내지 제6돌출부(31,32,33)는 몸체(15)의 바닥에 노출될 수 있다. 상기 제4 내지 제6돌출부(31,32,33)는 제2방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제5돌출부(32)와 제6돌출부(33)의 외측부는 상기 상부 몸체(110A)와 수직 방향으로 중첩될 수 있어, 상부 몸체(110A)와 결합될 수 있다.The second end of the second frame 113 faces the first end and may be adjacent to the first frame 111 . The second end of the second frame 113 may include a plurality of protrusions protruding in the direction of the first frame or in the direction of the first side surface S1. The second frame 113 may include three or more protrusions, including a center-side fourth protrusion 31, a fifth protrusion 32 adjacent to the third side surface S3 of the body 115, and a fourth protrusion 32. A sixth protrusion 33 adjacent to the side surface S4 may be included. The fourth protrusion 31 may overlap the light emitting device 120 in a vertical direction or a third direction (Z). Here, the third direction may be a direction orthogonal to the first and second directions or a thickness direction of the package body. The fourth protrusion 31 may be disposed between the fifth protrusion 32 and the sixth protrusion 33 . The fifth protrusion 32 may be disposed between the fourth protrusion 31 and the third side surface S3. The sixth protrusion 33 may be disposed between the fourth protrusion 31 and the fourth side surface S4. The fifth protrusion 32 may be spaced apart from the third side surface S3, and the sixth protrusion 33 may be spaced apart from the fourth side surface S4. The fourth to sixth protrusions 31 , 32 , and 33 may be exposed on the bottom of the body 15 . The fourth to sixth protrusions 31, 32, and 33 may overlap in the second direction. The outer portions of the fifth protrusion 32 and the sixth protrusion 33 may overlap with the upper body 110A in a vertical direction, so that they may be combined with the upper body 110A.

상기 제1돌출부(11)는 발광소자(120)의 개수와 동일할 수 있으며, 예컨대 발광소자의 개수가 1개인 경우, 상기 제1돌출부의 개수는 1개이며, 2개의 발광소자인 경우 상기 제1돌출부의 개수는 2개일 수 있다. 상기 제4돌출부(31)는 발광소자(120)의 개수와 동일할 수 있으며, 예컨대 발광소자의 개수가 1개인 경우, 상기 제4돌출부의 개수는 1개이며, 2개의 발광소자인 경우 상기 제4돌출부의 개수는 2개일 수 있다. The number of the first protrusions 11 may be the same as the number of light emitting elements 120. For example, when the number of light emitting elements is one, the number of the first protrusions is one. The number of protrusions may be two. The number of the fourth protrusions 31 may be the same as the number of light emitting elements 120. For example, when the number of light emitting elements is one, the number of the fourth protrusions is one. 4 The number of protrusions may be two.

상기 제1프레임(111)의 각 돌출부(11,12,13)는 제2프레임(113)의 각 돌출부(31,32,33)와 대향될 수 있다. 상기 제1돌출부(11)는 제4돌출부(31)와 대향되며, 제2돌출부(12)는 제5돌출부(32)와 대향되며, 제3돌출부(13)는 제6돌출부(33)와 대향될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 상기 제1돌출부(11)와 제4돌출부(14)와 제1방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 제2 및 제3돌출부(12,13)과 제5 및 제6돌출부(32,33)와 제1방향으로 중첩되지 않을 수 있다.Each protrusion 11 , 12 , and 13 of the first frame 111 may be opposed to each protrusion 31 , 32 , and 33 of the second frame 113 . The first protrusion 11 faces the fourth protrusion 31, the second protrusion 12 faces the fifth protrusion 32, and the third protrusion 13 faces the sixth protrusion 33. It can be. The first recess R1 may overlap the first protrusion 11 and the fourth protrusion 14 in a first direction. The first recess R1 may not overlap the second and third protrusions 12 and 13 and the fifth and sixth protrusions 32 and 33 in the first direction.

상기 발광소자(120)는 하부에 도 1, 도 7 및 도 8와 같이, 제1 및 제2본딩부(121,122)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 제1 및 제2프레임(111,113)과 같은 방향 즉, 제1방향으로 이격될 수 있다. First and second bonding parts 121 and 122 may be disposed below the light emitting device 120 as shown in FIGS. 1 , 7 and 8 . The first and second bonding parts 121 and 122 may be spaced apart in the same direction as the first and second frames 111 and 113, that is, in the first direction.

상기 제1돌출부(11)는 발광소자(120)의 제1본딩부(121)와 대면하거나 대향될 수 있으며, 상기 제4돌출부(31) 상에는 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 대면하거나 대향될 수 있다. 상기 제1돌출부(11)와 상기 제1본딩부(121)는 접합 부재로 본딩되는 데, 접합 부재인 도전부(333)에 의해 본딩될 수 있다. 상기 도전부(333)는 상기 제1프레임(111)과 제1본딩부(121) 사이와, 상기 제2프레임(113)과 제2본딩부(122) 사이에 접착될 수 있다. 상기 도전부(333)는 상기 제1돌출부(11)와 제1본딩부(121) 사이와, 상기 제4돌출부(31)와 제2본딩부(122) 사이에 접착될 수 있다. 상기 도전부(333)는 상기 제1프레임(111)과 제1본딩부(121)를 전기적으로 연결해 주며, 상기 제2프레임(113)과 제2본딩부(122) 사이를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 이러한 도전부(333)는 본딩 공정 시 액상으로 제공되므로, 발광소자(120)로부터 가해지는 압력에 의해 퍼질 수 있고, 이러한 도전부(333)의 퍼짐 현상으로 인해 상기 제1,2본딩부(121,122) 아래에 위치하는 도전부(333)의 두께가 얇아지거나 불균일할 수 있다. 실시 예는 상기 도전부(333)가 제2방향으로 퍼지는 문제를 줄여주기 위해, 상기 도전부(333)가 형성될 주변에 수지 재질을 더 배치하여, 도전부(333)의 퍼짐성을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 도전부(333)는 상기 제1프레임(111)과 제1본딩부(121) 사이와, 상기 제2프레임(113)과 제2본딩부(122) 사이의 영역에서 두꺼운 두께와 균일한 분포를 갖고 접착될 수 있다.The first protrusion 11 may face or face the first bonding part 121 of the light emitting element 120, and the second bonding part 122 of the light emitting element 120 may be formed on the fourth protrusion 31. can face or be opposed to. The first protruding portion 11 and the first bonding portion 121 are bonded by a bonding member, and may be bonded by a conductive portion 333 that is a bonding member. The conductive part 333 may be bonded between the first frame 111 and the first bonding part 121 and between the second frame 113 and the second bonding part 122 . The conductive part 333 may be bonded between the first protrusion 11 and the first bonding part 121 and between the fourth protrusion 31 and the second bonding part 122 . The conductive part 333 electrically connects the first frame 111 and the first bonding part 121 and electrically connects the second frame 113 and the second bonding part 122. can Since the conductive part 333 is provided in liquid form during the bonding process, it can spread by the pressure applied from the light emitting element 120, and due to the spreading phenomenon of the conductive part 333, the first and second bonding parts 121 and 122 ), the thickness of the conductive portion 333 positioned below may be thin or non-uniform. In the embodiment, in order to reduce the spread of the conductive part 333 in the second direction, a resin material is further disposed around the area where the conductive part 333 is to be formed, so that the spreadability of the conductive part 333 can be suppressed. there is. Therefore, the conductive part 333 has a thick thickness and uniform thickness in the area between the first frame 111 and the first bonding part 121 and between the second frame 113 and the second bonding part 122. It can be glued with one distribution.

도 2와 같이, 캐비티(102)의 바닥의 센터에는 상기 제1 및 제4돌출부(11,31)가 배치되며, 상기 제2돌출부(12)의 내측 영역과 상기 제3돌출부(13)의 내측 영역은 캐비티(102)의 바닥 양측에 노출될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 바닥 양측에는 상기 제5돌출부(32)의 내측 영역과 상기 제6돌출부(33)의 내측 영역은 노출될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 바닥에 노출된 면적을 보면, 제1 또는 제4돌출부(11,31)의 면적이 제2,3돌출부(12,13)의 면적 또는 제5,6돌출부(32,33)의 면적보다 더 넓을 수 있어, 방열 효율를 개선시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 캐비티(102)의 바닥 양측에는 상기 제5돌출부(32)의 내측 영역과 상기 제6돌출부(33)의 내측 영역은 노출되지 않을 수 있다.2, the first and fourth protrusions 11 and 31 are disposed at the center of the bottom of the cavity 102, and the inner region of the second protrusion 12 and the inner area of the third protrusion 13 Regions may be exposed on both sides of the bottom of the cavity 102 . An inner region of the fifth protrusion 32 and an inner region of the sixth protrusion 33 may be exposed on both sides of the bottom of the cavity 102 . Looking at the area exposed to the bottom of the cavity 102, the area of the first or fourth protrusions 11 and 31 is the area of the second and third protrusions 12 and 13 or the area of the fifth and sixth protrusions 32 and 33 ), it can improve heat dissipation efficiency. As another example, the inner region of the fifth protrusion 32 and the inner region of the sixth protrusion 33 may not be exposed on both sides of the bottom of the cavity 102 .

여기서, 상기 제1리세스(R1)의 제2방향의 길이는 상기 제1 및 제4돌출부(11,31)의 제2방향의 길이보다 길게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 제1,4돌출부(11,31)에 의한 열 팽창 또는 수축시 상기 몸체(115)의 제1리세스(R1) 가 더 넓은 영역에서 완충시켜 주어, 도전부(333)에 전달되는 충격을 완화시켜 줄 수 있다.Here, the length of the first recess R1 in the second direction may be longer than the lengths of the first and fourth protrusions 11 and 31 in the second direction. Accordingly, when thermal expansion or contraction is caused by the first and fourth protrusions 11 and 31, the first recess R1 of the body 115 provides a buffer in a wider area, and the energy transmitted to the conductive part 333 It can alleviate the shock.

상기 발광소자(120)의 제1,2본딩부(121,122)의 제2방향의 길이가 상기 제1,4돌출부(11,31)의 제2방향의 길이와 같거나 작을 수 있다. 이에 따라 상기 제1리세스(R1)의 제2방향의 길이는 상기 발광소자(120)의 제1,2본딩부(121,122)의 제2방향의 길이보다 길게 배치될 수 있어, 상기 제1,2본딩부(121,122)로부터 전달되는 열 충격을 완충시켜 줄 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 제2방향의 길이는 상기 발광소자(120)의 제2방향의 길이와 같거나 작을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 제2방향의 길이는 650 마이크로 미터 이상 예컨대, 650 내지 900 마이크로 미터의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 상기 제1,4돌출부(11,31)의 제2방향의 길이보다 작아지게 되어 열 변형에 대한 완충 작용이 미미할 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 몸체(115)의 센터 측 강성이 저하될 수 있고 광 손실이 증가될 수 있다. Lengths of the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 in the second direction may be equal to or smaller than the lengths of the first and fourth protrusions 11 and 31 in the second direction. Accordingly, the length of the first recess R1 in the second direction may be longer than the length of the first and second bonding parts 121 and 122 of the light emitting element 120 in the second direction, so that the first, Thermal shock transmitted from the two bonding parts 121 and 122 may be buffered. A length of the first recess R1 in the second direction may be equal to or smaller than a length of the light emitting device 120 in the second direction. The length of the first recess R1 in the second direction may be 650 micrometers or more, for example, in the range of 650 to 900 micrometers. Since the length is smaller than the length in two directions, the buffering effect against thermal deformation may be insignificant, and if the length is greater than the above range, the stiffness of the center side of the body 115 may decrease and light loss may increase.

상기 제1리세스(R1)의 제2방향의 길이는 상기 제1,4돌출부(11,31)의 제2방향의 길이보다는 크고, 또는 제1,2본딩부(121,122)의 제2방향의 길이보다는 크며, 상기 캐비티(102)의 바닥의 제2방향의 길이보다는 작을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 제2방향의 길이는 상기 발광소자(120)의 제2방향의 길이 또는 단변 길이와 같거나 상기 발광소자(120)의 제2방향의 길이의 50% 이상이고 100% 미만일 수 있다. 다른 예로서, 예컨대 상기 제1리세스(R1)의 제2방향의 길이는 상기 발광소자(120)의 제2방향의 길이를 기준으로 ±50 마이크로 미터의 범위로 배치될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 제2방향의 길이가 상기 제1 및 제4돌출부(11,31)의 제2방향의 길이보다 크게 배치되므로, 상기 몸체(115)에 전달되는 열 변형을 완화시켜 줄 수 있어, 솔더 크랙 및 몸체 크랙을 억제할 수 있다.The length of the first recess R1 in the second direction is greater than the length of the first and fourth protrusions 11 and 31 in the second direction, or the length of the first and second bonding parts 121 and 122 in the second direction. It may be larger than the length and may be smaller than the length of the bottom of the cavity 102 in the second direction. The length of the first recess R1 in the second direction is the same as the length of the light emitting element 120 in the second direction or the length of the short side, or 50% or more of the length of the light emitting element 120 in the second direction. may be less than 100%. As another example, the length of the first recess R1 in the second direction may be within a range of ±50 micrometers based on the length of the light emitting device 120 in the second direction. Since the length of the first recess R1 in the second direction is greater than the lengths of the first and fourth protrusions 11 and 31 in the second direction, thermal strain transmitted to the body 115 is relieved. Therefore, solder cracks and body cracks can be suppressed.

상기 제1리세스(R1)는 상부 폭 예컨대, 제1방향의 상부 폭이 하부 폭보다 넓을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 상부에서 하부로 갈수록 점차 좁은 폭을 가질 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 측 단면이 삼각형, 사각형과 같은 다각형 형상이거나, 반구형과 같은 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 상부 폭은 상기 제1리세스(R1)의 하부 폭보다 넓을 수 있으며, 100 마이크로 미터 이상 예컨대, 100 내지 150 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 상부 폭은 제1방향으로 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 사이의 간격보다 작을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 상부 폭은 상기 제1 및 제2돌출부(11,31)의 상면 간격보다 작을 수 있다. An upper width of the first recess R1 may be wider than a lower width of the upper portion in the first direction, for example. The first recess R1 may have a gradually narrower width from top to bottom. The first recess R1 may have a side cross section of a polygonal shape such as a triangle or a quadrangle or a hemispherical shape. An upper width of the first recess R1 may be wider than a lower width of the first recess R1, and may be in a range of 100 micrometers or more, for example, 100 to 150 micrometers. An upper width of the first recess R1 may be smaller than a distance between the first and second frames 111 and 113 in the first direction. An upper width of the first recess R1 may be smaller than a distance between upper surfaces of the first and second protrusions 11 and 31 .

도 7 및 도 8과 같이, 상기 제1리세스(R1)의 깊이(Zc)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 두께(T2)보다 작을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 깊이(Zc)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 사이에 배치된 상기 몸체(115)의 두께(예, T2)보다 작을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 깊이(Zc)는 제1 및 제2프레임(111,113)의 두께(T2)의 50% 이상 예컨대, 50% 내지 80%의 범위일 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 깊이(Zc)는 125 마이크로 미터 이상 예컨대, 125 내지 200 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 깊이(Zc)에 의해 상기 몸체(115)의 열 변형에 따른 솔더 크랙을 억제할 수 있고 상기 두 프레임(111,113) 사이의 몸체(115)의 하부 크랙을 방지할 수 있다. 이러한 제1리세스(R1)는 상기 깊이(Zc)의 범위보다 작은 경우 완충 역할이 미미할 수 있으며 상기 범위보다 큰 경우 센터 측 파단 강도가 저하될 수 있다. 7 and 8 , the depth Zc of the first recess R1 may be smaller than the thickness T2 of the first and second frames 111 and 113 . A depth Zc of the first recess R1 may be smaller than a thickness (eg, T2) of the body 115 disposed between the first and second frames 111 and 113. The depth Zc of the first recess R1 may be 50% or more of the thickness T2 of the first and second frames 111 and 113, for example, 50% to 80%. The depth Zc of the first recess R1 may be greater than or equal to 125 micrometers, for example, in the range of 125 to 200 micrometers. Solder cracks due to thermal deformation of the body 115 can be suppressed by the depth Zc of the first recess R1 and cracks in the lower portion of the body 115 between the two frames 111 and 113 can be prevented. can When the first recess R1 is smaller than the range of the depth Zc, a buffering role may be insignificant, and when the depth Zc is larger than the range, the center-side breaking strength may be reduced.

상기 몸체(115)에는 상기 리세스가 상부에만 배치된 경우, 또는 하부에만 배치될 수 있고, 또는 상부/하부 모두에 배치될 수 있다. 이러한 상기 몸체(115)의 상부 또는 하부에 하나의 리세스가 배치된 경우, 상기 리세스의 깊이는 상부 및 하부에 리세스가 모두 배치된 것보다 깊게 배치될 수 있다. In the body 115, when the recess is disposed only at the upper part, it may be disposed only at the lower part, or it may be disposed at both the upper part and the lower part. When one recess is disposed in the upper or lower portion of the body 115, the depth of the recess may be deeper than that in which both the upper and lower recesses are disposed.

상기 리세스를 갖는 몸체(115)는 도 8과 같이, 두 프레임(111,113) 사이에 배치된 연결부(Rr)의 최소 두께(a4)를 갖고 서로 연결되어, 두 프레임(111,113)을 지지할 수 있고 몸체의 센터측 강성 저하를 방지할 수 있다. 즉, 상기 몸체(115)의 연결부(Rr)는 상기 제1리세스(R1) 및 제2리세스(R2) 중 적어도 하나와 수직 방향으로 중첩될 수 있다.As shown in FIG. 8, the body 115 having the recess is connected to each other with a minimum thickness a4 of the connecting portion Rr disposed between the two frames 111 and 113 to support the two frames 111 and 113, It is possible to prevent a decrease in stiffness of the center side of the body. That is, the connection portion Rr of the body 115 may overlap at least one of the first recess R1 and the second recess R2 in a vertical direction.

여기서, 상기 제1리세스(R1)을 하나를 형성한 구조에서 상기 몸체(115)의 연결부(Rr)의 최소 두께(a4)는 45 마이크로 미터 이상 예컨대, 45 내지 55 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 몸체(115)의 연결부(Rr)의 최소 두께(a4)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 두께(T2)를 기준으로 0.25 이하 예컨대, 0.15 내지 0.25 범위일 수 있다. 상기 연결부(Rr)의 최소 두께(a4)는 55 마이크로 미터 이하 예컨대, 45 내지 55 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 몸체(115)의 연결부(Rr)가 최소 두께(a4)로 제공함으로써, 상기 제1 및 제2프레임(111,113)에 의한 열 변형이 발생할 경우, 상기 최소 두께(a4)로 상기 몸체(115)를 지지하고 완충시켜 줄 수 있다. 이 경우 상기 몸체(115)가 열 가소성 수지인 온도 변화에 따라 상기 몸체(114)가 부드러워지거나 굳어지게 되어 완충시켜 줄 수 있어, 상기 연결부(Rr)가 파손되는 문제를 방지할 수 있다. Here, in the structure in which one first recess R1 is formed, the minimum thickness a4 of the connection part Rr of the body 115 may be 45 micrometers or more, for example, in the range of 45 to 55 micrometers. . The minimum thickness a4 of the connection part Rr of the body 115 may be 0.25 or less, for example, 0.15 to 0.25 based on the thickness T2 of the first and second frames 111 and 113. The minimum thickness a4 of the connection part Rr may be less than 55 micrometers, for example, in the range of 45 to 55 micrometers. Since the connection part Rr of the body 115 is provided with a minimum thickness a4, when thermal deformation occurs by the first and second frames 111 and 113, the body 115 has a minimum thickness a4. can support and cushion it. In this case, since the body 115 is a thermoplastic resin, the body 114 may become soft or hardened according to a temperature change, thereby providing a buffer, preventing damage to the connection part Rr.

상기 몸체(115)에 리세스가 없는 경우, 프레임의 열 변형에 의해 솔더에 전달되는 충격으로 솔더 크랙이 발생될 수 있고, 이러한 열 변형이 반복될 경우 두 프레임 사이의 몸체가 파손되는 문제가 발생될 수 있다. 발명의 실시 예는 도전부(333)의 두께 확보와, 상기 몸체의 열 변형의 완화 구조를 이용하여 상기한 문제를 해결할 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2프레임(113) 사이에 배치되며 상기 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩된 영역에 위치한 상기 몸체(115)의 부피를 줄여주어, 상기 제1 및 제2프레임(111,113)에 의한 열 변형이 발생될 때 상기 몸체(115)가 완충시켜 줄 수 있다. If there is no recess in the body 115, solder cracks may occur due to impact transmitted to the solder by thermal deformation of the frame, and when such thermal deformation is repeated, the body between the two frames may be damaged. It can be. An embodiment of the present invention can solve the above problems by securing the thickness of the conductive portion 333 and using a structure for relieving thermal deformation of the body. An embodiment of the invention is disposed between the first frame 111 and the second frame 113 and reduces the volume of the body 115 located in an area overlapping in the vertical direction with the light emitting element 120, When thermal deformation is generated by the first and second frames 111 and 113, the body 115 may buffer the heat.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제3돌출부(13)의 일부는 상기 제1 및 제2돌출부(11,12)보다 제2프레임 방향으로 더 돌출될 수 있다. 상기 제5돌출부(34)의 일부는 상기 제4 및 제6돌출부(31,33)보다 제1프레임 방향으로 더 돌출될 수 있다. 상기 제3돌출부(13)의 일부와 제5돌출부(32)의 일부는 제2방향으로 중첩되게 배치될 수 있다. 상기 제3돌출부(13)와 상기 제5돌출부(32)는 상기 제1 및 제4돌출부(11,31)를 기준으로 서로 반대측 영역에서 제2방향으로 중첩되게 배치됨으로써, 상기 몸체(115)의 센터 측 강성을 강화시켜 줄 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3 , a portion of the third protrusion 13 may protrude further in the second frame direction than the first and second protrusions 11 and 12 . A portion of the fifth protrusion 34 may protrude further in the first frame direction than the fourth and sixth protrusions 31 and 33 . A part of the third protrusion 13 and a part of the fifth protrusion 32 may be overlapped in the second direction. The third protrusion 13 and the fifth protrusion 32 are overlapped in the second direction in regions opposite to each other with respect to the first and fourth protrusions 11 and 31, so that the body 115 The center side stiffness can be strengthened.

상기 몸체(115)는 상기 제1프레임(111)의 돌출부(11,12,13)과 제2프레임(113)의 돌출부(31,32,33) 사이에 배치된 반사부가 배치될 수 있다. 도 31 및 도 2와과 같이, 상기 몸체(115)는 제1돌출부(11)와 제2돌출부(12) 사이의 영역으로 연장된 제1반사부(51), 상기 제1 및 제3돌출부(11,13) 사이의 영역으로 연장된 제2반사부(52)를 포함한다. 상기 몸체(115)는 상기 제4 및 제5돌출부(31,32) 사이의 영역으로 연장된 제3반사부(53), 및 상기 제4 및 제6돌출부(31,33) 사이의 영역으로 연장된 제4반사부(54)를 포함한다. 상기 제1 내지 제4반사부(51,52,53,54)는 상기 제1 내지 제6돌출부(11,12,13,31,32,33)의 외곽에 배치된 스텝 구조와 결합될 수 있다. 상기 제1 내지 제4반사부(51,52,53,54)가 결합되는 상기 프레임(111,113)의 오목한 부분은 곡면이거나 라운드 형상을 갖고 있어, 반사부(51,52,53,54)와의 결합시 접촉 면적이 증가되어, 습기 침투를 억제할 수 있다.The body 115 may include a reflector disposed between the protrusions 11 , 12 , and 13 of the first frame 111 and the protrusions 31 , 32 , and 33 of the second frame 113 . As shown in FIGS. 31 and 2 , the body 115 includes a first reflector 51 extending to a region between the first protrusion 11 and the second protrusion 12, the first and third protrusions 11 , 13) and a second reflector 52 extending to the area between them. The body 115 extends to a region between the fourth and fifth protrusions 31 and 32, and a third reflector 53 extending to an area between the fourth and sixth protrusions 31 and 33. and a fourth reflector 54. The first to fourth reflectors 51, 52, 53, and 54 may be combined with a step structure disposed outside the first to sixth protrusions 11, 12, 13, 31, 32, and 33. . Concave portions of the frames 111 and 113 to which the first to fourth reflectors 51, 52, 53, and 54 are coupled have a curved surface or a round shape, and are coupled to the reflectors 51, 52, 53, and 54. When the contact area is increased, moisture permeation can be suppressed.

상기 제1 및 제3반사부(51,53)는 제1방향으로 배치되고 서로 반대측 방향으로 연장되며, 제2 및 제4반사부(52,54)는 제1방향으로 배치되고 서로 반대측 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제1 및 제2반사부(51,52) 사이에는 상기 제1돌출부(11)가 배치될 수 있으며, 상기 제3 및 제4반사부(53,54) 사이에는 상기 제4돌출부(12)가 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제4반사부(51,52,53,54)는 캐비티(102)의 측면 하부(132)와 이격될 수 있다. 상기 제1 내지 제4반사부(51,52,53,54)가 캐비티(102)의 바닥에 더 배치됨으로서, 광 반사율이 개선될 수 있다. The first and third reflectors 51 and 53 are disposed in a first direction and extend in directions opposite to each other, and the second and fourth reflectors 52 and 54 are disposed in a first direction and extend in directions opposite to each other. may be extended. The first protrusion 11 may be disposed between the first and second reflectors 51 and 52, and the fourth protrusion 12 may be disposed between the third and fourth reflectors 53 and 54. can be placed. The first to fourth reflectors 51 , 52 , 53 , and 54 may be spaced apart from the lower side 132 of the cavity 102 . As the first to fourth reflectors 51 , 52 , 53 , and 54 are further disposed at the bottom of the cavity 102 , light reflectance may be improved.

도 2, 도 4 및 도 5와 같이, 상기 제1 내지 제4반사부(51,52,53,54)가 캐비티(102)의 바닥에서 상기 발광소자(120)과 수직 방향 또는 제3방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 내지 제4반사부(51,52,53,54)는 상기 발광소자(120)로부터 측 방향으로 또는 하 방향으로 진행하는 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 제1 내지 제4반사부(51,52,53,54)는 상기 몸체(115)와 동일한 수지 재질로 형성되고 분산된 영역에 배치됨으로써, 상기 접합 부재인 도전부가 상기 반사부(51,52,53,54)로 이동되는 것을 방지할 수 있다. 상기 도전부는 도전성 페이스트 예컨대, 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트 또는 SAC(Sn-Ag-Cu) 계열을 포함할 수 있다. 상기 반사부(51,52,53,54)가 도전성 페이스트와 같은 재질이 넘어오는 것을 방지함으로써, 상기 발광소자와 프레임 간의 도전부(333)에 의한 접착력을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1 내지 제4반사부(51,52,53,54)는 본딩 공정시 도전부(333)가 유동하거나 퍼짐는 것을 억제하여 발광소자(120)의 하부에서 본딩부(121,122)와 접착되도록 댐(dam) 역할을 할 수 있다.2, 4, and 5, the first to fourth reflectors 51, 52, 53, and 54 extend from the bottom of the cavity 102 to the light emitting element 120 in a vertical direction or in a third direction. may overlap. The first to fourth reflectors 51 , 52 , 53 , and 54 may reflect light traveling from the light emitting device 120 in a lateral direction or a downward direction. The first to fourth reflectors 51, 52, 53, and 54 are formed of the same resin material as the body 115 and are disposed in a dispersed area, so that the conductive part, which is the bonding member, is formed of the same resin material as the body 115. ,53,54) can be prevented. The conductive part may include a conductive paste, for example, a solder-based paste, an Ag-based paste, or a SAC (Sn-Ag-Cu) series. Adhesion between the light emitting element and the frame by the conductive part 333 may be improved by preventing a material such as conductive paste from passing over the reflection parts 51 , 52 , 53 , and 54 . The first to fourth reflectors 51, 52, 53, and 54 suppress the flow or spread of the conductive part 333 during the bonding process so that the lower part of the light emitting element 120 adheres to the bonding parts 121 and 122. Dam (dam) can play a role.

상기 발광소자 패키지(100)는 스페이서(P1,P2,P3,P4)를 포함할 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 발광소자(120)를 상기 프레임(111,113)의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 발광소자(120)의 하면 에지에 배치되거나, 에지와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 몸체(115)를 구성하는 물질이거나, 상기 몸체(115)와 동일한 재질일 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 다른 예로서, 상기 프레임(111,113)을 구성하는 물질이거나 상기 프레임(111,113)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 3개 이상 또는 4개 이상일 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 발광소자(120)와 상기 프레임(111,113) 상면 간의 간격을 제공하여, 제조 공정 상에서 상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)와 상기 프레임(111,113) 상면 사이에 놓이는 액상의 도전부에 의해 상기 발광소자(120)가 틸트되는 문제를 방지할 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 제1,4돌출부(11,31)의 외측에 배치되어, 발광소자(120)로부터 가압되는 압력에 의해 상기 도전부(333)가 퍼지는 것을 줄여줄 수 있다. 이러한 스페이서(P1,P2,P3,P4)에 의해 상기 발광소자(120)와 상기 프레임(1111,113) 사이의 공간을 제공해 주어, 도전부(333)가 놓이는 공간이나 도전부(333)의 두께를 확보할 수 있다. 이에 따라 발광소자(120) 아래에 배치된 도전부(333)의 두께를 증가시켜 주어, 도전부(333)의 크랙을 방지할 수 있어, 전기적인 신뢰성 저하를 방지할 수 있다. 또한 상기 도전부(333)는 주변의 댐 역할을 하는 몸체(115)와, 반사부(51,52,53,54)들에 의해 확산 경로가 제한될 수 있어, 도전부(333)의 퍼짐으로 인한 문제를 줄여줄 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 발광소자(120)를 프레임의 상면으로부터 이격시켜 주어 언도필 공정을 용이하도록 공간을 제공할 수 있다. The light emitting device package 100 may include spacers P1 , P2 , P3 , and P4 . The spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may separate the light emitting device 120 from the upper surfaces of the frames 111 and 113 . The spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may be arranged on the edge of the lower surface of the light emitting device 120 or may overlap with the edge in a vertical direction. The spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may be made of a material constituting the body 115 or the same material as the body 115 . As another example, the spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may be formed of a material constituting the frames 111 and 113 or the same material as the frames 111 and 113 . The number of spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may be 3 or more or 4 or more. The spacers P1, P2, P3, and P4 provide a gap between the light emitting device 120 and the upper surfaces of the frames 111 and 113, so that the bonding parts 121 and 122 of the light emitting device 120 and the frame ( 111 and 113) it is possible to prevent a problem that the light emitting device 120 is tilted by the liquid conductive part placed between the upper surfaces. The spacers P1, P2, P3, and P4 are disposed outside the first and fourth protrusions 11 and 31 to reduce the spread of the conductive portion 333 by the pressure applied from the light emitting element 120. can give A space between the light emitting element 120 and the frames 1111 and 113 is provided by the spacers P1, P2, P3, and P4, and the space in which the conductive part 333 is placed or the thickness of the conductive part 333 is provided. can be obtained. Accordingly, by increasing the thickness of the conductive portion 333 disposed under the light emitting element 120, it is possible to prevent cracks in the conductive portion 333, thereby preventing a decrease in electrical reliability. In addition, the diffusion path of the conductive part 333 can be limited by the body 115 serving as a dam and the reflecting parts 51, 52, 53, and 54, so that the conductive part 333 spreads. can reduce the problems caused by The spacers P1 , P2 , P3 , and P4 separate the light emitting device 120 from the upper surface of the frame to provide a space to facilitate an undo filling process.

상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)는 제1프레임(111) 상에 배치된 제1 및 제2스페이서(P1,P2)와, 상기 제2프레임(113) 상에 배치된 제3 및 제4스페이서(P3,P4)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(P1,P2)는 상기 제1돌출부(11)의 제2방향 양측에 배치될 수 있다. 상기 제3 및 제4스페이서(P3,P4)는 상기 제4돌출부(31)의 제2방향 양측에 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 예컨대, 몸체(115)와 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1스페이서(P1)는 상기 제1반사부(51) 상에 배치되며, 상기 제1반사부(51) 상에서 제1측면 방향으로 연장되어 제1프레임(111)의 상면과 중첩될 수 있다. 상기 제2스페이서(P2)는 상기 제2반사부(52) 상에 배치되며, 상기 제2반사부(52) 상에서 제1측면 방향으로 연장되어 상기 제1프레임(111)의 상면과 중첩될 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(P1,P2)는 상기 제1 및 제2 반사부(51,52)와 중첩되는 영역이 상기 제1프레임(111)과 중첩되는 영역보다 클 수 있다. 이러한 제1 및 제2스페이서(P1,P2)가 상기 제1프레임(111)과 수직 방향 또는 제3방향으로 중첩되게 배치되므로, 상기 제1 및 제2스페이서(P1,P2)의 지지력을 강화시켜 줄 수 있다. The spacers P1, P2, P3, and P4 include first and second spacers P1 and P2 disposed on the first frame 111 and third and third spacers disposed on the second frame 113. 4 spacers P3 and P4 may be included. The first and second spacers P1 and P2 may be disposed on both sides of the first protrusion 11 in the second direction. The third and fourth spacers P3 and P4 may be disposed on both sides of the fourth protrusion 31 in the second direction. The first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may be formed of the same material as the body 115 , for example. The first spacer P1 is disposed on the first reflector 51, extends on the first reflector 51 in a first lateral direction, and may overlap the upper surface of the first frame 111. . The second spacer P2 may be disposed on the second reflector 52, extend in a first lateral direction on the second reflector 52, and overlap the upper surface of the first frame 111. there is. In the first and second spacers P1 and P2 , an area overlapping the first and second reflectors 51 and 52 may be larger than an area overlapping the first frame 111 . Since the first and second spacers P1 and P2 are overlapped with the first frame 111 in the vertical direction or in the third direction, the supporting force of the first and second spacers P1 and P2 is strengthened. can give

상기 제3스페이서(P3)는 상기 제3반사부(53) 상에 배치되며 상기 제3반사부(53) 상에서 제2측면 방향으로 연장되어 상기 제2프레임(113)의 상면과 중첩될 수 있다. 상기 제4스페이서(P4)는 상기 제4반사부(54) 상에 배치되며, 상기 제4반사부(54) 상에서 제2측면 방향으로 연장되어 상기 제2프레임(113)의 상면과 중첩될 수 있다. 상기 제3 및 제4스페이서(P3,P4)는 상기 제3 및 제4 반사부(53,54)와 중첩되는 영역이 상기 제2프레임(113)과 중첩되는 영역보다 클 수 있다. 이러한 제3 및 제4스페이서(P3,P4)가 상기 제2프레임(113)과 수직 방향 또는 제3방향으로 중첩되게 배치되므로, 상기 제3 및 제4스페이서(P3,P4)의 지지력을 강화시켜 줄 수 있다. The third spacer P3 is disposed on the third reflector 53 and extends in the second lateral direction on the third reflector 53 to overlap the top surface of the second frame 113. . The fourth spacer P4 is disposed on the fourth reflector 54, extends in the direction of the second side surface on the fourth reflector 54, and may overlap the upper surface of the second frame 113. there is. Areas of the third and fourth spacers P3 and P4 overlapping the third and fourth reflectors 53 and 54 may be larger than areas overlapping the second frame 113 . Since the third and fourth spacers P3 and P4 are overlapped with the second frame 113 in the vertical direction or in the third direction, the supporting force of the third and fourth spacers P3 and P4 is strengthened. can give

상기 제1 및 제2스페이서(P1,P2) 간의 간격은 상기 제1돌출부(11)의 제2방향의 길이와 같거나 작을 수 있어, 상기 제1돌출부(11)의 양측에서 상기 발광소자(120)를 지지할 수 있다. 상기 제3 및 제4스페이서(P3,P4) 간의 간격은 상기 제4돌출부(31)의 제2방향의 길이와 같거나 작을 수 있어, 상기 제4돌출부(31)의 양측에서 상기 발광소자(120)를 지지할 수 있다. 상기 제1 및 제3스페이서(P1,P3) 사이의 간격과 상기 제2 및 제4스페이서(P2,P4) 사이의 간격은 상기 발광소자(120)의 제1방향 길이보다 작을 수 있다. The distance between the first and second spacers P1 and P2 may be equal to or smaller than the length of the first protrusion 11 in the second direction, so that the light emitting element 120 ) can be supported. The distance between the third and fourth spacers P3 and P4 may be equal to or smaller than the length of the fourth protrusion 31 in the second direction, so that the light emitting element 120 ) can be supported. A distance between the first and third spacers P1 and P3 and between the second and fourth spacers P2 and P4 may be smaller than a length of the light emitting device 120 in the first direction.

상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4) 중에서 상기 몸체(115)에 중심에 인접한 일부 영역은 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4) 중에서 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩된 영역과 중첩되지 않는 영역은 서로 동일한 폭이거나 서로 다른 폭일 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 발광소자(120)의 각 모서리 하부에 배치될 수 있고 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 코너와 대응될 수 있다. A portion of the first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 adjacent to the center of the body 115 may overlap the light emitting device 120 in a vertical direction. Among the first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 , areas overlapping and non-overlapping with the light emitting device 120 in the vertical direction may have the same width or different widths. The first to fourth spacers P1, P2, P3, and P4 may be disposed below each corner of the light emitting device 120 and may correspond to the corners of the first and second bonding parts 121 and 122. .

상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 몸체(115)와 동일한 재질로 형성되어, 도전부(333)의 퍼짐성을 억제할 수 있고, 상기 발광소자(120)를 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터 소정 이격시켜 줄 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면보다 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 제1 및 제4돌출부(11,31)의 상면보다 더 높게 돌출될 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)의 두께(b3)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터의 수직한 거리로서, 30 마이크로 미터 이상 예컨대, 30 내지 65 마이크로 미터의 범위 또는 40 내지 50 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 제1내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)의 두께가 상기 범위보다 작은 경우 상기 도전부(333)의 두께 확보가 어려워 도전부(333)에 크랙이 발생되거나 전기 전도 특성 또는 열 전도 특성이 저하될 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 도전부(333)의 도포 량이 증가되어 다른 영역으로 침투하는 문제가 발생될 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 서로 동일한 두께일 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 탑뷰 형상이 원 형상, 다각형 형상, 타원 형상, 또는 모서리가 라운드된 다각형 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4) 중 적어도 하나 또는 둘 이상은 서로 동일한 형상이거나, 서로 다른 형상일 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 캐비티(102)의 측면(132)의 하부(134)로부터 이격될 수 있다.The first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 are formed of the same material as the body 115 to suppress the spreadability of the conductive part 333 and to suppress the light emitting element 120 . It may be spaced apart from the upper surfaces of the first and second frames 111 and 113 by a predetermined distance. The first to fourth spacers P1, P2, P3, and P4 may be disposed higher than upper surfaces of the first and second frames 111 and 113. The first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may protrude higher than upper surfaces of the first and fourth protrusions 11 and 31 . The thickness b3 of the first to fourth spacers P1, P2, P3, and P4 is a vertical distance from the upper surfaces of the first and second frames 111 and 113, and is 30 micrometers or more, for example, 30 to 65 micrometers. It may be in the range of micrometers or in the range of 40 to 50 micrometers. When the thickness of the first to fourth spacers P1, P2, P3, and P4 is smaller than the above range, it is difficult to secure the thickness of the conductive portion 333, causing cracks to occur in the conductive portion 333, or electrical conductivity or heat. Conductive characteristics may be degraded, and if the range is greater than the above range, the coating amount of the conductive portion 333 may be increased, causing penetration into other areas. The first to fourth spacers P1, P2, P3, and P4 may have the same thickness as each other. The first to fourth spacers P1, P2, P3, and P4 may have a circular shape, a polygonal shape, an elliptical shape, or a polygonal shape with rounded corners, but are not limited thereto. At least one or two or more of the first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may have the same shape or different shapes. The first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may be spaced apart from the lower portion 134 of the side surface 132 of the cavity 102 .

상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)의 폭은 제2방향으로 150 마이크로 미터 이상 예컨대 150 내지 300 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)의 제2방향의 폭이 상기 범위로 배치됨으로써, 발광소자(120)의 하부와 부분적으로 중첩되고 상기 발광소자(120)과 대향될 수 있다.Widths of the first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may be 150 micrometers or more, for example, 150 to 300 micrometers in the second direction. When the widths of the first to fourth spacers P1, P2, P3, and P4 in the second direction are disposed within the above range, they partially overlap the lower portion of the light emitting device 120 and face the light emitting device 120. can

상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)의 제1방향의 폭은 상기 제2방향의 폭과 같거나 더 클 수 있다. 이는 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)가 제1방향으로 프레임(111,113)과의 결합을 위해 상기 제2방향의 폭보다 더 클 수 있다. Widths of the first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 in the first direction may be greater than or equal to widths in the second direction. This may be greater than the width of the second direction in order for the first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 to be coupled to the frames 111 and 113 in the first direction.

상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 상기 캐비티(102)의 바닥으로부터 상기 캐비티(102)의 바닥보다 위로 돌출될 수 있다. 상기 제1 내지 제4스페이서(P1,P2,P3,P4)는 몸체(115)의 상면으로부터 돌출될 수 있다. 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)의 상면은 상기 제1,2본딩부(121,122)의 하면보다 더 높게 배치될 수 있다.The first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may protrude from the bottom of the cavity 102 above the bottom of the cavity 102 . The first to fourth spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may protrude from the upper surface of the body 115 . Upper surfaces of the spacers P1 , P2 , P3 , and P4 may be disposed higher than lower surfaces of the first and second bonding parts 121 and 122 .

다른 예로서, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다. 상기 프레임(111,113)이 절연성 재질인 경우, 수지 재질 또는 절연 재질일 수 있으며, 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다.As another example, the first frame 111 and the second frame 113 may be provided as insulating frames. The first frame 111 and the second frame 113 may stably provide structural strength of the package body 110 . When the frames 111 and 113 are made of an insulating material, they may be made of a resin material or an insulating material, for example, polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide9T (PA9T), It may be formed of at least one selected from a group including silicon, epoxy molding compound (EMC), silicon molding compound (SMC), ceramic, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like.

발명의 실시 예에 의하면, 도 7 및 도 8과 같이, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 기판(124)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 제1방향의 길이가 제2방향의 길이와 같거나 더 길 수 있다. According to an embodiment of the invention, as shown in FIGS. 7 and 8 , the light emitting device 120 may include a first bonding part 121 , a second bonding part 122 , and a light emitting structure 123 . The light emitting device 120 may include a substrate 124 . The length of the light emitting device 120 in the first direction may be equal to or longer than the length in the second direction.

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. The first bonding part 121 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer. Also, the second bonding part 122 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer.

상기 기판(124)는 투광 층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(124)는 예컨대, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다.The substrate 124 is a light-transmitting layer and may be formed of an insulating material or a semiconductor material. The substrate 124 may be selected from a group including, for example, a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge. For example, a concave-convex pattern may be formed on the surface of the substrate 124 .

발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.According to an embodiment of the invention, the light emitting structure 123 may be provided as a compound semiconductor. For example, the light emitting structure 123 may be provided as a Group 2-6 or Group 3-5 compound semiconductor. For example, the light emitting structure 123 includes at least two or more elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As), and nitrogen (N). It can be.

상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The light emitting structure 123 may include a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer. The first and second conductivity-type semiconductor layers may be implemented with at least one of group 3-5 or group 2-6 compound semiconductors. The first and second conductivity-type semiconductor layers are, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) can be formed as For example, the first and second conductivity type semiconductor layers may include at least one selected from a group including GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. . The first conductivity-type semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te. The second conductivity-type semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.

상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be implemented as a compound semiconductor. For example, the active layer may be implemented with at least one of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductors. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of well layers and a plurality of barrier layers alternately disposed, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1 , 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) may be arranged as a semiconductor material having a composition formula. For example, the active layer is selected from a group including InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, and InP/GaAs. may contain at least one.

상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(102) 내에 배치될 수 있다. 상기 캐비티(102)는 패키지 몸체(110)의 상부 몸체(110A)에 의해 형성될 수 있다. 상기 상부 몸체(110A)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 캐비티(102) 내에 배치될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 바닥에는 제1프레임(111), 제2프레임(113) 및 몸체(115)가 배치될 수 있다. The light emitting device 120 may be disposed on the package body 110 . The light emitting device 120 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 113 . The light emitting device 120 may be disposed on the body 115 . The light emitting device 120 may be disposed within the cavity 102 provided by the package body 110 . The cavity 102 may be formed by the upper body 110A of the package body 110 . The upper body 110A may be disposed around the light emitting device 120 . The light emitting device 120 may be disposed within the cavity 102 . A first frame 111 , a second frame 113 , and a body 115 may be disposed on the bottom of the cavity 102 .

도 2와 같이, 상기 캐비티(102)는 내측면 중에서 제3측면 또는 제4측면에 인접한 내측면에 서브 캐비티(133A)가 형성되며, 상기 서브 캐비티(133A)의 바닥에 제1 및 제2프레임(111,113)의 일부가 노출될 수 있다. 상기 서브 캐비티(113A)에는 제1프레임(111) 및 제2프레임(113)이 노출되며, 상기 노출된 어느 한 프레임 상에 보호 소자(125)가 배치되고 와이어(126)로 다른 프레임과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 서브 캐비티(133A)에는 반사 수지(135)가 배치되며, 상기 반사 수지(135)는 상기 보호 소자(125)와 와이어(126)를 밀봉하게 된다. 상기 반사 수지(135)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질로 형성되고, 내부에 고 굴절 필러를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 2, the cavity 102 has a sub-cavity 133A formed on the inner surface adjacent to the third or fourth side, and first and second frames are formed at the bottom of the sub-cavity 133A. Part of (111,113) may be exposed. A first frame 111 and a second frame 113 are exposed in the sub-cavity 113A, and a protection element 125 is disposed on one of the exposed frames and is electrically connected to the other frame through a wire 126. can be connected A reflective resin 135 is disposed in the sub-cavity 133A, and the reflective resin 135 seals the protection element 125 and the wire 126 . The reflective resin 135 is formed of a resin material such as silicon or epoxy, and may include a high refractive filler therein.

도 2, 도 3 및 및 도 12를 참조하면, 상기 각 프레임(111,113)의 홀(H1,H2) 및 결합홀(H5,H6,H7,H8)의 하부는 단차 구조(ST3,ST4)를 갖고 있어, 각 홀(H1,H2) 및 결합홀(H5,H6,H7,H8)의 상면 면적은 하면 면적보다 작을 수 있다. 상기 몸체(115)의 제1,2반사부(51,52)가 결합되는 제1프레임(111)의 오목부(H11,H12)는 제1연장부(17,18) 방향으로 오목하게 배치되며, 곡선 형상 예컨대, 반구형 형상 또는 반 타원 형상으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(115)의 제3,4반사부(51,52)가 결합되는 제2프레임(113)의 오목부(H13,H14)는 제2연장부(37,38) 방향으로 오목하게 배치되며, 곡선 형상 예컨대, 반구형 형상 또는 반 타원 형상으로 제공될 수 있다. 이러한 제1 및 제2프레임(111,113)의 오목부(H11,H12,H13,H14)가 곡선 형상을 갖고 있어, 상기 몸체(115)와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 이에 따라 상기 프레임(111,113)의 돌출부(11,12,13,31,32,33)와 반사부(51,52,53,54)의 접촉 면적이 증가되어, 습기 침투의 경로가 길어질 수 있다. 상기 단차 구조(ST1,ST2,ST3,ST4)의 깊이는 100 마이크로 미터 이상 예컨대, 100 내지 130 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 각 돌출부(11,12,13,31,32,33)의 단차 구조(ST1,ST2)의 깊이는 상기 각 결합 홀(H5,H6,H7,H8)의 단차 구조(ST3,ST4)의 깊이보다 크게 배치되어, 캐비티 바닥으로의 습기 침투를 억제할 수 있다. 상기 결합홀(H5,H6,H7,H8)들의 상면은 상기 캐비티 바닥에 노출되지 않을 수 있어, 상기 결합 홀(H5,H6,H7,H8)을 통해 습기 침투 경로를 차단할 수 있다.2, 3 and 12, the lower portions of the holes H1 and H2 and the coupling holes H5, H6, H7 and H8 of the frames 111 and 113 have stepped structures ST3 and ST4. Therefore, the upper surface area of each of the holes H1 and H2 and the coupling holes H5, H6, H7 and H8 may be smaller than the lower surface area. The concave portions H11 and H12 of the first frame 111 to which the first and second reflectors 51 and 52 of the body 115 are coupled are concavely disposed in the direction of the first extension portions 17 and 18, , may be provided in a curved shape, for example, a hemispherical shape or a semi-elliptical shape. The concave portions H13 and H14 of the second frame 113 to which the third and fourth reflectors 51 and 52 of the body 115 are coupled are concavely disposed in the direction of the second extension portions 37 and 38, , may be provided in a curved shape, for example, a hemispherical shape or a semi-elliptical shape. Since the concave portions H11, H12, H13, and H14 of the first and second frames 111 and 113 have a curved shape, a contact area with the body 115 can be increased. Accordingly, a contact area between the protruding parts 11, 12, 13, 31, 32, and 33 of the frames 111 and 113 and the reflecting parts 51, 52, 53, and 54 is increased, so that a moisture permeation path may be lengthened. The depth of the stepped structures ST1 , ST2 , ST3 , and ST4 may be greater than or equal to 100 micrometers, for example, in the range of 100 to 130 micrometers. The depth of the stepped structures ST1 and ST2 of each of the protrusions 11, 12, 13, 31, 32, and 33 is the depth of the stepped structures ST3 and ST4 of the coupling holes H5, H6, H7, and H8. By being arranged larger, it is possible to suppress moisture permeation into the cavity bottom. Upper surfaces of the coupling holes H5, H6, H7, and H8 may not be exposed to the bottom of the cavity, so that a moisture permeation path through the coupling holes H5, H6, H7, and H8 may be blocked.

발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 몸체(115)의 제2방향을 따라 배치된 복수의 지지부(116,117)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 지지부(116,117)는 제1,2지지부(116,117)를 포함하며, 상기 제1리세스(R1)의 제2방향 양측에 배치될 수 있다. 상기 복수의 지지부(116,117)는 상기 몸체(115) 상에 돌출된 구조로서, 상기 캐비티(102)의 측면 하부(134)에 연결될 수 있다. 이러한 복수의 지지부(116,117)의 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다.The light emitting device package according to the embodiment of the present invention may include a plurality of support parts 116 and 117 disposed along the second direction of the body 115 . The plurality of support parts 116 and 117 include first and second support parts 116 and 117 and may be disposed on both sides of the first recess R1 in the second direction. The plurality of support parts 116 and 117 are structures protruding from the body 115 and may be connected to the lower side 134 of the cavity 102 . Reference is made to the above-disclosed description of these plurality of supports 116,117.

한편, 발광소자 패키키에서 제1,2수지를 형성하는 과정은 다음과 같다. Meanwhile, the process of forming the first and second resins in the light emitting device package is as follows.

도 1, 도 4 내지 도 6을 참조하면, 발광소자(120)는 몸체(115)와, 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 상에 대응시킨 후, 상기 몸체(115) 상에 제1수지(160)를 디스펜싱하고, 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 제1,4돌출부(11,31) 상에 도전부(333)를 배치하게 된다. 이후, 상기 발광소자(120)를 제1 및 제2프레임(111,113) 상에 배치하고, 상기 발광소자(120)는 상기 제1수지(160)를 압착하게 되며, 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(115) 사이를 접착시켜 줄 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1리세스(R1)에 유입될 수 있고, 발광소자(120)의 제1,2본딩부(121,122)에 접착될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 접착제이거나 반사성 수지일 수 있으며, 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다.1, 4 to 6, after the light emitting element 120 corresponds to the body 115 and the first and second frames 111 and 113, a first resin is placed on the body 115. 160 is dispensed, and the conductive part 333 is disposed on the first and fourth protrusions 11 and 31 of the first and second frames 111 and 113. Thereafter, the light emitting device 120 is disposed on the first and second frames 111 and 113, and the light emitting device 120 presses the first resin 160, and the first resin 160 The light emitting element 120 and the body 115 may be bonded to each other. The first resin 160 may flow into the first recess R1 and may be adhered to the first and second bonding parts 121 and 122 of the light emitting device 120 . The first resin 160 may be an adhesive or a reflective resin, and the description disclosed above will be referred to.

상기 제1수지(160)는 상기 본딩부(121,122)가 없는 상기 몸체(115)의 반사부(51,52,5,54)를 따라 이동하여, 상기 발광소자(120)의 하면 에지에 접착될 수 있다. 상기 도전부(333)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)과 상기 제1,2본딩부(121,122) 사이에 배치될 수 있다. The first resin 160 moves along the reflection parts 51, 52, 5, and 54 of the body 115 without the bonding parts 121 and 122, and is adhered to the edge of the lower surface of the light emitting element 120. can The conductive part 333 may be disposed between the first and second frames 111 and 113 and the first and second bonding parts 121 and 122 .

여기서, 상기 발광소자(120)의 하면 코너는 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4) 상에 놓이게 되어, 상기 도전부(333)를 압착하는 공간 압력을 저하시킬 수 있고, 상기 본딩부(121,122)의 하면이 프레임(111,113)으로부터 이격된 높이로 위치하게 된다. 이에 따라 상기 도전부(333)는 일정 두께로 제공되어, 상기 제1 및 제2프레임(111,113)과 상기 제1,2본딩부(121,122) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 도전부(333)가 제공되면, 본딩 공정에 의해 상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 프레임(111,113)에 각각 본딩될 수 있다.Here, the bottom corner of the light emitting element 120 is placed on the spacers P1, P2, P3, and P4, so that the space pressure compressing the conductive part 333 can be reduced, and the bonding parts 121 and 122 ) is positioned at a height spaced apart from the lower surface of the frames 111 and 113. Accordingly, the conductive part 333 may be provided with a certain thickness and disposed between the first and second frames 111 and 113 and the first and second bonding parts 121 and 122 . When the conductive part 333 is provided, the bonding parts 121 and 122 of the light emitting device 120 may be bonded to the frames 111 and 113 through a bonding process.

여기서, 상기 몸체(115)와 반사부(51,52,53,54)의 수지 재질은 상기 도전부(333)의 댐 역할을 하여, 상기 몸체(115)와 반사부(51,52,53,54) 방향으로 유출되는 것을 억제할 수 있어, 상기 도전부(333)의 도포 양을 증가하지 않을 수 있다. Here, the resin material of the body 115 and the reflection parts 51, 52, 53, and 54 serves as a dam for the conductive part 333, so that the body 115 and the reflection parts 51, 52, 53, 54) direction, the amount of application of the conductive portion 333 may not be increased.

한편, 발명의 실시 예는, 도 2, 도 7, 도 9 및 도 11과 같이, 상기 프레임(111,113)에 노치(91,92,93,94,95,96)를 포함할 수 있다. 상기 노치(91,92,93,94,95,96)는 상기 제1프레임(111)의 상부에 복수개가 배치될 수 있다. 상기 노치(91,92,93,94,95,96)는 상기 제2프레임(113)의 상부에 복수개가 배치될 수 있다. 상기 노치(91,92,93,94,95,96)는 상기 제1프레임(111)의 상부에 제1방향 또는/및 제2방향으로 배치될 수 있다. 상기 노치(91,92,93,94,95,96)는 상기 제2프레임(113)의 상부에 제1방향 또는/및 제2방향으로 배치될 수 있다. 상기 노치(91,92,93,94,95,96)는 프레임(111,113)의 상면부터 하면 방향으로 오목한 홈일 수 있으며, 그 측 단면 형상은 삼각형 또는 사각형과 같은 다각형 형상이거나, 반구형 또는 반 타원 형상과 같은 곡선 형상일 수 있다.Meanwhile, in an embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 2, 7, 9, and 11, notches 91, 92, 93, 94, 95, and 96 may be included in the frames 111 and 113. A plurality of notches 91 , 92 , 93 , 94 , 95 , and 96 may be disposed above the first frame 111 . A plurality of the notches 91 , 92 , 93 , 94 , 95 , and 96 may be disposed on the upper portion of the second frame 113 . The notches 91 , 92 , 93 , 94 , 95 , and 96 may be disposed above the first frame 111 in a first direction or/and a second direction. The notches 91 , 92 , 93 , 94 , 95 , and 96 may be disposed above the second frame 113 in a first direction or/and a second direction. The notches 91 , 92 , 93 , 94 , 95 , and 96 may be concave grooves in the direction from the upper surface to the lower surface of the frames 111 and 113 , and the cross-sectional shape of the side thereof is a polygonal shape such as a triangle or a quadrangle, or a hemispherical or semi-elliptical shape. It may have a curved shape such as

상기 노치(91,92,93,94,95,96)의 깊이는 50 마이크로 미터 이하 예컨대, 10 내지 50 마이크로 미터의 범위 또는 25 내지 35 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 노치(91,92,93,94,95,96)의 깊이가 상기 범위보다 큰 경우 단차 구조를 갖는 프레임의 강성이 저하될 수 있고 상기 범위보다 작은 경우 습기 침투 억제 효과가 저하될 수 있다. 상기 노치(91,92,93,94,95,96)는 상기 상부 몸체와의 접촉 면적이 증가될 수 있어, 프레임(111,113)과 상부 몸체 사이를 통해 습기가 침투하는 것을 억제할 수 있다. The depths of the notches 91, 92, 93, 94, 95, and 96 may be less than or equal to 50 micrometers, for example, in the range of 10 to 50 micrometers or in the range of 25 to 35 micrometers. When the depths of the notches 91 , 92 , 93 , 94 , 95 , and 96 are larger than the above range, the rigidity of the frame having a stepped structure may be reduced, and when the depth is smaller than the above range, the effect of inhibiting moisture permeation may be reduced. The notches 91 , 92 , 93 , 94 , 95 , and 96 may have an increased contact area with the upper body, so that moisture may be prevented from penetrating between the frames 111 and 113 and the upper body.

상기 제1프레임(111)의 상부에 배치된 노치(91,92,93)는, 제2방향으로 상기 캐비티의 바닥의 제2방향 길이보다 길게 배치된 제1노치(91)와, 상기 제1방향으로 상기 캐비티의 양측에 배치된 제2 및 제3노치(92,93)를 포함할 수 있다. 상기 제1노치(91)는 상기 제1 및 제2결합홀(H5,H6)의 외측에 상기 제1 및 제2결합홀(H5,H6)의 제2방향의 길이 합보다 긴 길이로 배치될 수 있다. 상기 제2노치(92)는 상기 제1프레임(111)의 제2돌출부(12)에 제1방향으로 길게 배치될 수 있다. 상기 제2노치(92)의 양단부는 상기 제1결합홀(H5)과 상기 제2돌출부(12)의 스텝 구조와 수직 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다. 이러한 제2노치(92)가 상기 제1결합홀(H5) 및 상기 제2돌출부(12)의 스텝 구조 상에 배치되므로, 상기 제1결합홀(H5) 및 상기 제2돌출부(12)의 외부를 통해 유입되는 습기 침투를 억제할 수 있다. 상기 제3노치(93)는 상기 제1프레임(111)의 제3돌출부(13)에 제1방향으로 길게 배치될 수 있다. 상기 제3노치(93)의 양단부는 상기 제2결합홀(H6)과 상기 제3돌출부(13)의 스텝 구조와 수직 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다. 이러한 제3노치(93)가 상기 제2결합홀(H6) 및 상기 제3돌출부(13)의 스텝 구조 상에 배치되므로, 상기 제2결합홀(H6) 및 상기 제3돌출부(13)의 외부를 통해 유입되는 습기 침투를 억제할 수 있다. 상기 제2 및 제3노치(92,93)는 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제2 및 제3노치(92,93)는 상기 제1노치(91)와 직교하는 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제1, 제2 및 제3노치(91,92,93)는 상기 캐비티 바닥에 배치된 상기 제1프레임(111)을 기준으로 제1측면(S1), 제3 및 제4측면(S3,S4) 방향에 배치되어, 습기 침투를 억제할 수 있다.The notches 91, 92, and 93 disposed on the upper portion of the first frame 111 include the first notch 91 disposed longer than the length of the bottom of the cavity in the second direction in the second direction, and the first notch 91 disposed in the second direction. It may include second and third notches 92 and 93 disposed on both sides of the cavity in the direction. The first notch 91 may be disposed outside the first and second coupling holes H5 and H6 with a length longer than the sum of the lengths of the first and second coupling holes H5 and H6 in the second direction. can The second notch 92 may be disposed long in the first direction on the second protrusion 12 of the first frame 111 . Both ends of the second notch 92 may be disposed so as to overlap the step structures of the first coupling hole H5 and the second protrusion 12 in a vertical direction. Since the second notch 92 is disposed on the step structure of the first coupling hole H5 and the second protrusion 12, the outside of the first coupling hole H5 and the second protrusion 12 It is possible to suppress the infiltration of moisture through the. The third notch 93 may be disposed long in the first direction on the third protrusion 13 of the first frame 111 . Both ends of the third notch 93 may be disposed so as to overlap the step structure of the second coupling hole H6 and the third protrusion 13 in a vertical direction. Since the third notch 93 is disposed on the step structure of the second coupling hole H6 and the third protrusion 13, the outside of the second coupling hole H6 and the third protrusion 13 It is possible to suppress the infiltration of moisture through the. The second and third notches 92 and 93 may be disposed parallel to each other. The second and third notches 92 and 93 may be disposed in a direction orthogonal to the first notch 91 . The first, second, and third notches 91 , 92 , and 93 have a first side surface S1 , a third and fourth side surface S3 , based on the first frame 111 disposed on the bottom of the cavity. It is disposed in the direction of S4), so that moisture permeation can be suppressed.

상기 제2프레임(113)의 상부에 배치된 노치(94,95,96)는, 제2방향으로 상기 캐비티의 바닥의 제2방향 길이보다 길게 배치된 제4노치(94)와, 상기 제1방향으로 상기 캐비티의 양측에 배치된 제5 및 제6노치(95,96)를 포함할 수 있다. 상기 제4노치(94)는 상기 제3 및 제4결합홀(H7,H8)의 외측에 상기 제3 및 제4결합홀(H7,H8)의 제2방향의 길이 합보다 긴 길이로 배치될 수 있다. 상기 제5노치(95)는 상기 제2프레임(113)의 제5돌출부(32)에 제1방향으로 길게 배치될 수 있다. 상기 제5노치(95)의 양단부는 상기 제3결합홀(H7)과 상기 제5돌출부(32)의 스텝 구조와 수직 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다. 이러한 제5노치(95)가 상기 제3결합홀(H7) 및 상기 제5돌출부(32)의 스텝 구조 상에 배치되므로, 상기 제3결합홀(H7) 및 상기 제5돌출부(32)의 외부를 통해 유입되는 습기 침투를 억제할 수 있다. 상기 제6노치(96)는 상기 제2프레임(113)의 제6돌출부(33)에 제1방향으로 길게 배치될 수 있다. 상기 제6노치(96)의 양단부는 상기 제4결합홀(H8)과 상기 제6돌출부(33)의 스텝 구조와 수직 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다. 이러한 제6노치(96)가 상기 제4결합홀(H8) 및 상기 제6돌출부(33)의 스텝 구조 상에 배치되므로, 상기 제4결합홀(H8) 및 상기 제6돌출부(33)의 외부를 통해 유입되는 습기 침투를 억제할 수 있다. 상기 제5 및 제6노치(95,96)는 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 제6 및 제6노치(95,96)는 상기 제4노치(94)와 직교하는 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제4, 제5 및 제6노치(94,95,96)는 상기 캐비티(102) 바닥에 배치된 상기 제2프레임(113)을 기준으로 제2측면(S2), 제3 및 제4측면(S3,S4) 방향에 배치되어, 습기 침투를 억제할 수 있다.The notches 94, 95, and 96 disposed on the upper portion of the second frame 113 include a fourth notch 94 disposed longer than the length of the bottom of the cavity in the second direction in the second direction, and the first It may include fifth and sixth notches 95 and 96 disposed on both sides of the cavity in the direction. The fourth notch 94 may be disposed outside the third and fourth coupling holes H7 and H8 with a length longer than the sum of the lengths of the third and fourth coupling holes H7 and H8 in the second direction. can The fifth notch 95 may be disposed long in the first direction on the fifth protrusion 32 of the second frame 113 . Both ends of the fifth notch 95 may be disposed so as to overlap the step structure of the third coupling hole H7 and the fifth protrusion 32 in a vertical direction. Since the fifth notch 95 is disposed on the step structure of the third coupling hole H7 and the fifth protrusion 32, the outside of the third coupling hole H7 and the fifth protrusion 32 It is possible to suppress the infiltration of moisture through the. The sixth notch 96 may be disposed long in the first direction on the sixth protrusion 33 of the second frame 113 . Both ends of the sixth notch 96 may be disposed so as to overlap the step structure of the fourth coupling hole H8 and the sixth protrusion 33 in a vertical direction. Since the sixth notch 96 is disposed on the step structure of the fourth coupling hole H8 and the sixth protrusion 33, the outside of the fourth coupling hole H8 and the sixth protrusion 33 It is possible to suppress the infiltration of moisture through the. The fifth and sixth notches 95 and 96 may be disposed parallel to each other. The sixth and sixth notches 95 and 96 may be disposed in a direction orthogonal to the fourth notch 94 . The fourth, fifth and sixth notches 94, 95 and 96 are the second side surface S2, the third and the fourth side surface with respect to the second frame 113 disposed on the bottom of the cavity 102. Arranged in the (S3, S4) directions, it is possible to suppress moisture permeation.

한편, 실시 예에 따른 프레임(111,113)은 제1 및 제2 금속층을 포함하며, 상기 제1금속층은 베이스층으로서, Cu, Ni, Ti를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2금속층은 Au, Ni층, Ag 층 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2금속층이 Ni층을 포함하는 경우, Ni층은 열 팽창에 대한 변화가 작으므로, 패키지 몸체가 열 팽창에 의하여 그 크기 또는 배치 위치가 변화되는 경우에도, 상기 Ni층에 의하여 상부에 배치된 발광소자의 위치가 안정적으로 고정될 수 있게 된다. 상기 제2 금속층이 Ag층을 포함하는 경우, Ag층은 상부에 배치된 발광소자에서 발광되는 빛을 효율적으로 반사시키고 광도를 향상시킬 수 있다. 상기 제2금속층이 Au층을 포함하는 경우, 상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)와의 본딩력이 개선시키고 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. Meanwhile, the frames 111 and 113 according to the embodiment include first and second metal layers, and the first metal layer is a base layer and may include Cu, Ni, or Ti, and may be formed as a single layer or multiple layers. The second metal layer may include at least one of an Au layer, a Ni layer, and an Ag layer. When the second metal layer includes a Ni layer, since the Ni layer has little change in thermal expansion, even when the size or placement position of the package body changes due to thermal expansion, the Ni layer is placed on top of the package body. The position of the light emitting element can be stably fixed. When the second metal layer includes an Ag layer, the Ag layer can efficiently reflect light emitted from a light emitting device disposed thereon and improve luminous intensity. When the second metal layer includes an Au layer, bonding strength with the bonding parts 121 and 122 of the light emitting device 120 may be improved and reflection efficiency may be improved.

도 13은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예이며, 도 14는 도 13의 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 15는 도 13의 발광소자 패키지에서 프레임의 저면도의 예이다. 다른 예의 구성은 상기에 개시된 구성을 선택적으로 적용할 수 있다. 상기에 개시된 발광소자 패키지의 리세스, 제1,2수지, 발광소자, 몰딩부의 구성은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.13 is another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention, FIG. 14 is a bottom view of the light emitting device package of FIG. 13 , and FIG. 15 is an example of a bottom view of a frame in the light emitting device package of FIG. 13 . Other example configurations may selectively apply the configurations disclosed above. Configurations of the recess, the first and second resins, the light emitting device, and the molding part of the light emitting device package described above will be referred to the description of the embodiment disclosed above.

도 13 내지 도 15를 참조하면, 발광소자 패키지는 제 1 및 제2프레임(111,113)에 결합 홀(H21,H22)을 구비할 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22)의 일부는 캐비티(102)의 바닥에 노출되거나 노출되지 않을 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22)의 상면 면적 또는 하면 면적은 홀(H21,H22)의 상면 면적 또는 하면 면적보다 3배 이상 클 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22)은 각 프레임(111,113)의 외측에 배치된 홀(H1,H2)보다 캐비티(102) 또는 발광소자(120)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22)은 상기 홀(H1,H2)과 상기 돌출부(11,12,13,31,32,33) 사이에 배치되어, 각 프레임(111,113)의 열 변형을 완화시켜 줄 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22)은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22) 각각의 폭은 제2방향으로 상기 발광소자(120)의 폭보다 넓은 폭을 갖고 배치될 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22) 각각의 폭은 제2방향으로 상기 발광소자(120)의 각 본딩부(121,122)의 폭보다 넓은 폭을 갖고 배치될 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22)은 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면 및 하면을 관통되게 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 13 to 15 , the light emitting device package may include coupling holes H21 and H22 in the first and second frames 111 and 113 . A portion of the coupling holes H21 and H22 may or may not be exposed to the bottom of the cavity 102 . The upper or lower surface areas of the coupling holes H21 and H22 may be three times larger than the upper or lower surface areas of the holes H21 and H22. The coupling holes H21 and H22 may be disposed closer to the cavity 102 or the light emitting device 120 than the holes H1 and H2 disposed outside the respective frames 111 and 113 . The coupling holes H21 and H22 are disposed between the holes H1 and H2 and the protrusions 11, 12, 13, 31, 32, and 33 to relieve thermal deformation of the frames 111 and 113. there is. The coupling holes H21 and H22 may be disposed parallel to each other. Each of the coupling holes H21 and H22 may have a wider width than that of the light emitting device 120 in the second direction. A width of each of the coupling holes H21 and H22 may be wider than that of each bonding portion 121 and 122 of the light emitting device 120 in the second direction. The coupling holes H21 and H22 may be formed to pass through upper and lower surfaces of the first and second frames 111 and 113 .

상기 제1프레임(111)에 배치된 제1결합홀(H21)는 하부 둘레에 스텝 구조(ST3)를 갖고 몸체(115)와 결합될 수 있다. 상기 제2프레임(113)에 배치된 결합홀(H22)는 하부 둘레에 스텝 구조(ST4)를 갖고 몸체(115)와 결합될 수 있다. 상기 제1결합홀(H21)은 제2방향으로 배치되며 단차진 구조(ST3)을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제2결합홀(H22)는 제2방향으로 배치되며 단차진 구조(ST4)을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 단차진 구조(ST3,ST4)는 상기 제1 및 제4돌출부(11,31)에 대해 제1방향으로 중첩되게 배치되어, 상기 제1방향으로 가해지는 열 변형을 완충시켜 줄 수 있다. The first coupling hole H21 disposed in the first frame 111 may have a step structure ST3 around the lower portion and be coupled to the body 115 . The coupling hole H22 disposed in the second frame 113 may have a step structure ST4 around the lower portion and be coupled to the body 115. The first coupling holes H21 are disposed in the second direction and may be connected to each other through a stepped structure ST3. The second coupling holes H22 are disposed in the second direction and may be connected to each other through a stepped structure ST4. The stepped structures ST3 and ST4 may be disposed to overlap the first and fourth protruding portions 11 and 31 in a first direction, thereby buffering thermal strain applied in the first direction.

상기 제1 및 제2결합홀(H21,H22)에는 상기 몸체(115)의 결합부(55)가 배치될 수 있으며, 상기 몸체(115)의 결합부(55)는 상기 발광소자(120)의 단변 측 외측에 노출되어 입사되는 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 몸체(115)의 결합부(55)는 상기 상부 몸체(110A)와 중첩되는 영역에 배치되어, 몸체(115)와 프레임(111,113) 간의 결합력을 강화시켜 줄 수 있다. 상기 몸체(115)의 결합부(55)는 캐비티(102)의 에지 부분에서 프레임(111,113)의 열 변형 시의 프레임(111,113) 간의 결합을 강화시켜 줄 수 있다.Coupling parts 55 of the body 115 may be disposed in the first and second coupling holes H21 and H22, and the coupling parts 55 of the body 115 are of the light emitting element 120. It may be exposed to the outside of the short side and reflect incident light. The coupling part 55 of the body 115 is disposed in an area overlapping the upper body 110A, so that the coupling force between the body 115 and the frames 111 and 113 can be strengthened. The coupling portion 55 of the body 115 may reinforce coupling between the frames 111 and 113 when the frames 111 and 113 are thermally deformed at the edge portion of the cavity 102 .

발명의 실시 예는 프레임(111,113) 사이에 제1리세스(R1)를 배치하여, 프레임(111,113) 사이에서의 프레임 변형에 의해 몸체(115)에 전달되는 충격을 완화시켜 줄 수 있다. 발명의 실시 예는 프레임(111,113) 각각에서의 열 변형에 따른 충격을 완화하기 위한 구조를 제공할 수 있다. 상기 프레임(111,113) 각각은 제2방향으로 배치된 결합홀(H21,H22)을 가지며, 상기 결합홀(H21,H22)에 의해 제1방향으로 전달되는 충격을 완화시켜 줄 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22)에는 상기 몸체(115)의 결합부(55)가 결합되어, 제1방향으로 전달되는 충격을 완화시켜 줄 수 있다. 따라서, 상기 결합홀(H21,H22) 내부에 배치된 몸체(115)의 결합부(55)는 상기 발광소자 하부에서 제1방향으로 팽창되는 프레임(111,113)들 각각을 완화시켜 주어, 프레임(111,113)들의 제1방향으로의 열 변형에 따른 상기 발광소자의 하부에 위치한 도전부에 크랙이 발생되는 것을 억제할 수 있다. 이를 위해, 상기 결합홀(H21,H22)은 발광소자(120)에 인접한 영역에 소정 이상의 면적으로 제공될 경우, 상기 결합홀(H21,H22)에 배치된 몸체(115)의 결합부(55)에 의해 프레임(111,113)의 자체의 열 팽창을 완화시켜 줄 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, shock transmitted to the body 115 due to frame deformation between the frames 111 and 113 may be reduced by disposing the first recess R1 between the frames 111 and 113 . An embodiment of the invention may provide a structure for mitigating impact due to thermal deformation in each of the frames 111 and 113 . Each of the frames 111 and 113 has coupling holes H21 and H22 disposed in the second direction, and shock transmitted in the first direction can be alleviated by the coupling holes H21 and H22. The coupling part 55 of the body 115 is coupled to the coupling holes H21 and H22, so that shock transmitted in the first direction can be alleviated. Therefore, the coupling part 55 of the body 115 disposed inside the coupling holes H21 and H22 relieves each of the frames 111 and 113 expanding in the first direction from the lower part of the light emitting device, so that the frames 111 and 113 It is possible to suppress cracks from being generated in the conductive part located below the light emitting element due to thermal deformation of the ) in the first direction. To this end, when the coupling holes H21 and H22 are provided in an area adjacent to the light emitting element 120 in an area equal to or larger than a predetermined area, the coupling portion 55 of the body 115 disposed in the coupling holes H21 and H22 Accordingly, the thermal expansion of the frames 111 and 113 may be alleviated.

상기 제1프레임(111)에서 제1결합홀(H21)은 제1방향으로 긴 길이를 가지며, 제2방향의 상면 폭(j7)이 제1방향의 상면 폭(j3)보다 3배 이상 클 수 있다. 상기 제1결합홀(H21)은 단일개가 긴 길이를 배치되므로, 내부의 결합부(55)는 제2방향으로 긴 길이를 갖고 배치될 수 있다. 상기 제1결합홀(H21) 내의 결합부(55)는 발광소자(120)를 통해 제1프레임(111)으로 전달되는 열은 제1측면 방향으로 전도하는 역할을 하며, 제1결합홀(H21)을 지지하게 된다. 상기 각 결합홀(H21,H22)의 상면에서 프레임 외곽 사이의 간격(j8)은 0.3mm 이상 예컨대, 0.3mm 내지 0.42mm의 범위일 수 있어, 강성 저하를 방지할 수 있다. 여기서, 제2결합홀(H22)은 제1결합홀(H21)의 설명과 동일하므로 이를 참조하기로 한다.In the first frame 111, the first coupling hole H21 may have a long length in the first direction, and the upper surface width j7 in the second direction may be three times larger than the upper surface width j3 in the first direction. there is. Since the single first coupling hole H21 is disposed with a long length, the internal coupling portion 55 may be disposed with a long length in the second direction. The coupling part 55 in the first coupling hole H21 serves to conduct heat transferred to the first frame 111 through the light emitting element 120 in the first lateral direction, and the first coupling hole H21 ) will be supported. The distance j8 between the upper surfaces of the coupling holes H21 and H22 and the frame periphery may be greater than or equal to 0.3 mm, for example, in the range of 0.3 mm to 0.42 mm, thereby preventing a decrease in rigidity. Here, since the description of the second coupling hole H22 is the same as that of the first coupling hole H21, this will be referred to.

상기 제1,2결합홀(H21,H22)의 제2방향 폭(j7)은 상기 캐비티(102)의 바닥의 제2방향 폭보다 넓게 배치될 수 있다. 상기 제1,2결합홀(H21,H22)은 상면 및 하면의 제2방향 폭이 상기 캐비티(102)의 바닥의 제2방향 폭보다 넓게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 캐비티(102) 내에서 제1,2측면 방향으로 전달되는 열 충격을 완화시켜 줄 수 있다. 즉, 제1,2프레임(111,113)이 제1 및 제2측면 방향으로 팽창할 때, 상기 제1 및 제2결합홀(H21,H22) 내에 배치된 결합부(55)가 상기 프레임(111,113)들의 열 변형을 완화시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120) 하부에 배치된 도전부(333, 도 7)의 파손이나 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 또한 상기 제1,2결합홀(H21,H22)의 제2방향 폭(j7)은 상기 발광소자(120)의 제2방향의 폭보다 넓게 배치되어, 발광소자(120)의 하부에 배치된 도전부(333, 도 7)의 전 영역으로 전달되는 충격을 최소화시켜 줄 수 있다. 이러한 도전부의 크랙 저하를 방지할 수 있어, 발광소자의 전기적인 신뢰성 저하가 방지될 수 있고, 발광소자 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.Widths j7 of the first and second coupling holes H21 and H22 in the second direction may be wider than the width of the bottom of the cavity 102 in the second direction. Widths of upper and lower surfaces of the first and second coupling holes H21 and H22 in the second direction may be wider than widths of the bottom of the cavity 102 in the second direction. Accordingly, thermal shock transmitted in the first and second lateral directions within the cavity 102 may be alleviated. That is, when the first and second frames 111 and 113 expand in the first and second lateral directions, the coupling parts 55 disposed in the first and second coupling holes H21 and H22 extend to the frames 111 and 113. It can alleviate their thermal deformation. Accordingly, damage or cracking of the conductive portion 333 (FIG. 7) disposed below the light emitting element 120 can be prevented. In addition, the width j7 of the first and second coupling holes H21 and H22 in the second direction is wider than the width of the light emitting element 120 in the second direction, so that the conductive conductor disposed below the light emitting element 120. Impact transmitted to the entire area of the unit 333 (FIG. 7) can be minimized. Deterioration of cracks in the conductive part can be prevented, electrical reliability degradation of the light emitting device can be prevented, and reliability of the light emitting device package can be improved.

인접한 결합홀(H21,H22) 사이의 열 전도부는 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4)와의 간격(j1)이 0.28mm 이상 예컨대, 0.28 내지 0.38mm의 범위일 수 있다. 여기서, 상기 각 결합홀(H21,H22)의 상면과 상기 스페이서(P1,P2,P3,P4) 사이의 간격(j2)은 상기 간격 j1보다 작을 수 있어, 안정적으로 결합홀의 폭을 제공할 수 있다. The distance j1 between the adjacent coupling holes H21 and H22 and the spacers P1 , P2 , P3 , and P4 of the heat conducting portion may be 0.28 mm or more, for example, in the range of 0.28 to 0.38 mm. Here, the distance j2 between the upper surface of each of the coupling holes H21 and H22 and the spacers P1, P2, P3 and P4 may be smaller than the distance j1, so that the width of the coupling hole can be stably provided. .

각 프레임(111,113)에 배치된 결합 홀(H21,H22)의 중심(X0)을 기준으로, 제1방향으로 상기 각 프레임(111,113)의 내측 단부와의 간격(j0)은 외측 단부와의 간격(j5)과 같거나 더 좁을 수 있다. 상기 중심(X0)은 상기 제1프레임(111)의 결합 홀(H21)의 제1방향 중심일 수 있다. 상기 중심(X0)은 상기 제2프레임(113)의 결합 홀(H22)의 제1방향 중심일 수 있다. 상기 간격(j0)은 제1돌출부(11)의 상면 단부와 제1결합 홀(H21)의 중심(X0) 사이의 간격일 수 있다. 상기 간격(j0)은 제4돌출부(31)의 상면 단부와 제2결합 홀(H22)의 중심(X0) 사이의 간격일 수 있다. 상기 간격(j5)는 상기 제1결합 홀(H21)의 중심(X0)의 제1연장부(17,18)의 끝단과의 간격일 수 있다. 상기 간격(j5)은 상기 제2결합 홀(H22)의 중심(X0)의 제2연장부(37,38)의 끝단과의 간격일 수 있다. 이러한 간격 j0는 간격 j5와 같거나 더 좁게 배치되므로, 상기 결합 홀(H21,H222)에 결합된 결합부(55)는 제1,2프레임(111,113) 사이의 몸체(115)에 인접하게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 몸체(115)보다 열 팽창율이 높은 프레임(111,113)에 의해 제1방향으로 열 변형이 발생될 때, 상기 결합부(55)는 제1방향으로의 열 변형을 지지할 수 있다. 즉, 몸체(115)의 열 팽창율은 상기 프레임(111,113)의 열 팽창율보다 낮을 수 있다.Based on the center X0 of the coupling holes H21 and H22 disposed in each frame 111 and 113, the distance j0 from the inner end of each frame 111 and 113 in the first direction is the distance from the outer end ( It can be equal to or narrower than j5). The center X0 may be the center of the coupling hole H21 of the first frame 111 in the first direction. The center X0 may be the center of the coupling hole H22 of the second frame 113 in the first direction. The distance j0 may be the distance between the upper surface end of the first protrusion 11 and the center X0 of the first coupling hole H21. The distance j0 may be the distance between the upper surface end of the fourth protrusion 31 and the center X0 of the second coupling hole H22. The distance j5 may be a distance between the ends of the first extension parts 17 and 18 at the center X0 of the first coupling hole H21. The distance j5 may be a distance between the center X0 of the second coupling hole H22 and the ends of the second extension parts 37 and 38 . Since the distance j0 is equal to or narrower than the distance j5, the coupling part 55 coupled to the coupling holes H21 and H222 will be disposed adjacent to the body 115 between the first and second frames 111 and 113. can Accordingly, when thermal deformation is generated in the first direction by the frames 111 and 113 having a higher thermal expansion rate than the body 115, the coupling part 55 may support the thermal deformation in the first direction. That is, the thermal expansion rate of the body 115 may be lower than the thermal expansion rate of the frames 111 and 113 .

상기 결합 홀(H21,H22)의 중심(X0)은 제1방향의 상면 폭(j3)의 중심이며, 상기 각 프레임(111,113)의 내측 단부는 제1 및 제4돌출부(11,31)의 내측 단이며, 상기 외측 단부는 상기 연장부(17,18,37,38)의 외측 단일 수 있다. 여기서, j0:j5의 비율 관계는 1: x(1.5>x≥1)의 관계를 가질 수 있으며, 예컨대, j0는 1.4mm 이하이거나, 0.8mm 내지 1.4mm의 범위일 수 있다. 상기 j0는 상기 j5보다 0.6배 내지 1배 범위일 수 있다. 상기 간격 j0는 간격 j5와의 비율이 상기 범위보다 작은 경우, 상기 결합 홀(H5,H6,H7,H9)의 중심(X0)이 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 사이에 더 인접하게 배치되어, 상기 제1 및 제2프레임(111,113)에 의한 방열 기능이 저하될 수 있다. 상기 간격 j0는 상기 간격 j5와의 비율이 상기 범위보다 큰 경우, 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 사이를 기준으로 제1,2측면(S1,S2) 방향으로 더 이격되므로, 제1,2프레임(111,113)의 열 팽창이 커질 수 있고, 이로 인해 프레임(111,113)의 열 변형을 완충하거나 억제하는 기능이 저하될 수 있다. 상기 거리 jO가 상기 범위보다 작은 경우 방열 효율이 저하되거나 결합홀(H21,H22)과 반사부(51,52,53,54) 사이의 간격이 좁아져 강성 저하가 발생될 수 있으며, 상기 범위보다 큰 경우 프레임(111,113)의 열 팽창 시의 완화 효과가 미미할 수 있다. The center X0 of the coupling holes H21 and H22 is the center of the upper surface width j3 in the first direction, and the inner ends of the frames 111 and 113 are the inner sides of the first and fourth protrusions 11 and 31. It is a single end, and the outer end can be the outer single end of the extension (17,18,37,38). Here, the ratio relationship of j0:j5 may have a relationship of 1:x (1.5>x≥1), and for example, j0 may be 1.4 mm or less, or may be in the range of 0.8 mm to 1.4 mm. The j0 may be in a range of 0.6 times to 1 time greater than the j5. When the ratio of the distance j0 to the distance j5 is smaller than the range, the centers X0 of the coupling holes H5, H6, H7, and H9 are disposed more adjacent between the first and second frames 111 and 113, , the heat dissipation function by the first and second frames 111 and 113 may be deteriorated. When the ratio of the distance j0 to the distance j5 is greater than the range, since the distance between the first and second frames 111 and 113 is further spaced in the direction of the first and second side surfaces S1 and S2, the first and second Thermal expansion of the frames 111 and 113 may increase, and as a result, a function of buffering or suppressing thermal deformation of the frames 111 and 113 may deteriorate. When the distance jO is less than the above range, heat dissipation efficiency may decrease or the distance between the coupling holes H21 and H22 and the reflection parts 51, 52, 53, and 54 may narrow, resulting in a decrease in rigidity. In the case of a large size, the mitigation effect upon thermal expansion of the frames 111 and 113 may be insignificant.

상기 각 결합홀(H21,H22)의 제2방향의 면적을 보면, 제1방향의 폭(j3)은 0.25mm 이상 예컨대, 0.25mm 내지 0.3mm 범위일 수 있으며, 제2방향의 폭(j7)은 0.5mm 이상 예컨대, 0.5mm 내지 2mm의 범위일 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22)의 제1방향의 폭(j3)은 프레임(111,113)의 제1방향의 길이의 0.09 내지 0.1 배 이하일 수 있으며, 상기 결합홀(H21,H22)의 제2방향의 폭(j7)은 프레임(111,113)의 제2방향의 길이(j9)의 0.7배 이상 예컨대, 0.7 내지 0.85 배의 범위일 수 있다. 상기 프레임(111,113)의 제1방향의 길이는 각 프레임(111,113)의 연장부와 센터측 돌출부 사이의 직선 길이이며, 제2방향의 길이(j9)는 제2방향의 최대 길이일 수 있다. 상기 프레임(111,113)의 제1,2방향의 길이는 상면의 길이를 측정한 값일 수 있다. 상기 프레임(111,113)의 두께(T2)가 0.1mm 내지 0.3mm 범위인 경우, 상기 각 프레임(111,113)에 배치된 결합홀(H21,H22)들의 제2방향의 면적 합은 90% 이하 예컨대, 10% 내지 90%의 범위이거나, 40% 내지 65%의 범위일 수 있다. 이에 따라 각 프레임(111,113) 내에서 제2방향으로 상기의 면적을 갖게 배치되므로, 제1방향으로의 프레임(111,113)의 열 팽창을 완화시켜 줄 수 있고 방열 효율의 저하를 방지할 수 있다. Looking at the area of each of the coupling holes H21 and H22 in the second direction, the width j3 in the first direction may be 0.25 mm or more, for example, in the range of 0.25 mm to 0.3 mm, and the width j7 in the second direction may be greater than 0.5 mm, such as in the range of 0.5 mm to 2 mm. The width j3 of the coupling holes H21 and H22 in the first direction may be 0.09 to 0.1 times the length of the frames 111 and 113 in the first direction, and the width of the coupling holes H21 and H22 in the second direction The width j7 may be 0.7 times or more, for example, 0.7 to 0.85 times the length j9 of the frames 111 and 113 in the second direction. The length of the frames 111 and 113 in the first direction is the length of a straight line between the extension part and the center side protrusion of each frame 111 and 113, and the length j9 in the second direction may be the maximum length in the second direction. The lengths of the frames 111 and 113 in the first and second directions may be values obtained by measuring the lengths of the upper surfaces. When the thickness T2 of the frames 111 and 113 is in the range of 0.1 mm to 0.3 mm, the sum of the areas of the coupling holes H21 and H22 disposed in the frames 111 and 113 in the second direction is 90% or less, for example, 10 % to 90%, or may range from 40% to 65%. Accordingly, since the frames 111 and 113 are arranged to have the above area in the second direction, thermal expansion of the frames 111 and 113 in the first direction can be alleviated and heat dissipation efficiency can be prevented from deteriorating.

상기 각 결합홀(H21,H22)의 하면의 제2방향 폭은 상면 폭(j7)보다 넓을 수 있으며, 0.6mm 이상 예컨대, 0.6mm 내지 2.2mm의 범위일 수 있다. 이러한 각 결합홀(H21,H22)은 하부에 단차진 구조(ST3,ST4)를 갖고 있어, 제1,2방향으로의 상면 폭보다 하면 폭이 더 넓을 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22)의 하면의 최소 폭(j11)은 연장된 영역의 제1방향의 폭으로서, 0.2mm 이상이고 하면 폭(j4)의 50% 이하일 수 있다. The width of the lower surface of each of the coupling holes H21 and H22 in the second direction may be wider than the width j7 of the upper surface, and may be 0.6 mm or more, for example, 0.6 mm to 2.2 mm. Each of these coupling holes H21 and H22 has a stepped structure ST3 and ST4 at the bottom, so that the width of the lower surface may be wider than the width of the upper surface in the first and second directions. The minimum width j11 of the lower surfaces of the coupling holes H21 and H22 is the width of the extended region in the first direction, and may be 0.2 mm or more and 50% or less of the lower surface width j4.

제3단차 구조(ST3)은 상기 캐비티(102)의 바닥으로부터 이격되며, 제1결합홀(H21)의 하부 둘레에 배치될 수 있다. 즉, 상기 제3단차 구조(ST3)는 제1프레임(111)의 하면에서 제1결합홀(H21)의 하부 둘레에 제공되므로, 몸체와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 제4단차 구조(ST4)은 상기 캐비티(102)의 바닥으로부터 이격되며, 제2결합홀(H22)의 하부 둘레를 따라 연결될 수 있다. 즉, 상기 제4단차 구조(ST4)는 제2프레임(113)의 하면에서 제2결합홀(H22)의 하부 둘레에 제공되므로, 몸체와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 이에 따라 패키지 내에서 제1방향으로 발생되는 제1,2프레임(111,113)과 몸체(115) 사이의 열 변형을 완화하거나 완충시켜 줄 수 있다. The third stepped structure ST3 may be spaced apart from the bottom of the cavity 102 and disposed around the lower portion of the first coupling hole H21. That is, since the third stepped structure ST3 is provided around the lower circumference of the first coupling hole H21 on the lower surface of the first frame 111, the contact area with the body can be increased. The fourth stepped structure ST4 may be spaced apart from the bottom of the cavity 102 and connected along the lower circumference of the second coupling hole H22. That is, since the fourth stepped structure ST4 is provided around the lower circumference of the second coupling hole H22 on the lower surface of the second frame 113, the contact area with the body can be increased. Accordingly, thermal deformation between the first and second frames 111 and 113 and the body 115 generated in the first direction within the package can be alleviated or buffered.

상기 복수의 결합홀(H21,H22) 사이의 영역과 상기 각 결합홀의 외측 영역은 상기 프레임(111,113)의 제1,4 돌출부(11,13)의 두께보다 얇은 두께로 제공될 수 있다. A region between the plurality of coupling holes H21 and H22 and an outer region of each coupling hole may be provided with a thickness smaller than that of the first and fourth protrusions 11 and 13 of the frames 111 and 113 .

발명의 실시 예는 각 프레임(111,113)에서 상기 발광소자(120)가 배치된 영역과 상기 몸체(115)의 제1 및 제2측면(S1,S2) 사이의 영역(Aj)에 각 프레임(111,113)의 자체 열 변형을 흡수하거나 완화시켜 줄 수 있는 결합홀(H21,H22)을 상기의 구조로 제공할 수 있어, 각 프레임(111,113)의 열 변형을 최소화하여, 캐비티 바닥에서의 도전부의 크랙 발생을 억제할 수 있다. In the embodiment of the present invention, in each frame 111 and 113, each frame 111 and 113 is located in the area Aj between the area where the light emitting device 120 is disposed and the first and second side surfaces S1 and S2 of the body 115. ) can be provided with the above structure to provide coupling holes (H21, H22) capable of absorbing or alleviating the self-thermal deformation of each frame (111, 113), thereby minimizing the thermal deformation of each frame (111, 113), thereby generating cracks in the conductive part at the bottom of the cavity. can suppress

상기 각 프레임(111,113)의 상면 면적이 하면 면적보다 클 수 있다. 이는 각 프레임(111,113)의 하부에 결합홀(H21,H22) 사이에 배치된 단차 구조(ST3,ST4)를 갖고 있어, 하면 면적이 상면 면적보다 작을 수 있다.The upper surface area of each of the frames 111 and 113 may be larger than the lower surface area. It has a stepped structure (ST3, ST4) disposed between the coupling holes (H21, H22) in the lower portion of each frame (111, 113), the lower surface area can be smaller than the upper surface area.

상기 각 프레임(111,113)의 홀(H1,H2) 및 결합홀(H21,H22)의 하부는 단차 구조(ST3,ST4)를 갖고 있어, 각 홀(H1,H2) 및 결합홀(H21,H22)의 상면 면적은 하면 면적보다 작을 수 있다. 상기 몸체(115)의 제1,2반사부(51,52)가 결합되는 제1프레임(111)의 오목부(H11,H12)는 제1연장부(17,18) 방향으로 오목하게 배치되며, 곡선 형상 예컨대, 반구형 형상 또는 반 타원 형상으로 제공될 수 있다. 상기 몸체(115)의 제3,4반사부(51,52)가 결합되는 제2프레임(113)의 오목부(H13,H14)는 제2연장부(37,38) 방향으로 오목하게 배치되며, 곡선 형상 예컨대, 반구형 형상 또는 반 타원 형상으로 제공될 수 있다. 이러한 제1 및 제2프레임(111,113)의 오목부(H11,H12,H13,H14)가 곡선 형상을 갖고 있어, 상기 몸체(115)와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 이에 따라 상기 프레임(111,113)의 돌출부(11,12,13,31,32,33)와 반사부(51,52,53,54)의 접촉 면적이 증가되어, 습기 침투의 경로가 길어질 수 있다. 상기 단차 구조(ST1,ST2,ST3,ST4)의 깊이는 100 마이크로 미터 이상 예컨대, 100 내지 130 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 각 돌출부(11,12,13,31,32,33)의 단차 구조(ST1,ST2)의 깊이는 상기 각 결합 홀(H21,H22)의 단차 구조(ST3,ST4)의 깊이보다 크게 배치되어, 캐비티 바닥으로의 습기 침투를 억제할 수 있다. 상기 결합홀(H21,H22)들의 상면은 상기 캐비티 바닥에 노출되지 않을 수 있어, 상기 결합 홀(H21,H22)을 통해 습기 침투 경로를 차단할 수 있다.The lower portions of the holes H1 and H2 and the coupling holes H21 and H22 of the frames 111 and 113 have a stepped structure ST3 and ST4, so that the holes H1 and H2 and the coupling holes H21 and H22 The upper surface area of may be smaller than the lower surface area. The concave portions H11 and H12 of the first frame 111 to which the first and second reflectors 51 and 52 of the body 115 are coupled are concavely disposed in the direction of the first extension portions 17 and 18, , may be provided in a curved shape, for example, a hemispherical shape or a semi-elliptical shape. The concave portions H13 and H14 of the second frame 113 to which the third and fourth reflectors 51 and 52 of the body 115 are coupled are concavely disposed in the direction of the second extension portions 37 and 38, , may be provided in a curved shape, for example, a hemispherical shape or a semi-elliptical shape. Since the concave portions H11, H12, H13, and H14 of the first and second frames 111 and 113 have a curved shape, a contact area with the body 115 can be increased. Accordingly, a contact area between the protruding parts 11, 12, 13, 31, 32, and 33 of the frames 111 and 113 and the reflecting parts 51, 52, 53, and 54 is increased, so that a moisture permeation path may be lengthened. The depth of the stepped structures ST1 , ST2 , ST3 , and ST4 may be greater than or equal to 100 micrometers, for example, in the range of 100 to 130 micrometers. The depth of the stepped structures ST1 and ST2 of each of the protrusions 11, 12, 13, 31, 32, and 33 is greater than the depth of the stepped structures ST3 and ST4 of each coupling hole H21 and H22. , can suppress moisture penetration into the cavity bottom. Upper surfaces of the coupling holes H21 and H22 may not be exposed to the bottom of the cavity, so that a moisture permeation path through the coupling holes H21 and H22 may be blocked.

상기 발광소자 패키지는 프레임(111,113)과 몸체(115) 간의 열 팽창 계수의 차이가 작고, 상기 프레임(111,113)의 면적이 즐어들수록 열 변형을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 결합홀(H21,H22)를 이용하여 프레임(111,113)의 면적을 줄이고 그 내부에 결합된 결합부를 통해 제1방향으로의 프레임에 의한 열 변형을 억제할 수 있다. 이에 따라 프레임 상에 배치된 도전부의 크랙을 방지할 수 있다.The light emitting device package can prevent thermal deformation as the difference in thermal expansion coefficient between the frames 111 and 113 and the body 115 is small and the area of the frames 111 and 113 increases. Therefore, it is possible to reduce the area of the frames 111 and 113 by using the coupling holes H21 and H22 and to suppress thermal deformation by the frames in the first direction through the coupling portion coupled therein. Accordingly, cracking of the conductive portion disposed on the frame can be prevented.

도 16은 도 7의 발광소자 패키지가 회로 기판에 배치된 광원 장치 또는 광원 모듈의 예이다. 일 예로서, 실시 예의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예로 설명하기로 하며, 상기에 개시된 설명 및 도면을 참조하여 후술하기로 한다. 상기의 발광소자 패키지는 상기에 개시된 실시 예(들)을 선택적으로 적용할 수 있다.16 is an example of a light source device or light source module in which the light emitting device package of FIG. 7 is disposed on a circuit board. As an example, it will be described as an example of a light source device having a light emitting device package according to an embodiment, and will be described later with reference to the description and drawings disclosed above. The above-described embodiment(s) may be selectively applied to the light emitting device package.

도 7 및 도 16을 참조하면, 실시 예에 따른 광원 모듈은 회로기판(201) 상에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지(100)가 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 16 , in the light source module according to the embodiment, one or a plurality of light emitting device packages 100 may be disposed on a circuit board 201 .

상기 회로기판(201)은 패드(211,213)을 갖는 기판 부재를 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(201)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. 발광소자 패키지(100)의 각 프레임(111,113)은 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)들과 본딩층(231,233)로 연결될 수 있다. 이에 따라 발광소자 패키지(100)의 발광소자(120)는 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)들로부터 전원을 공급받을 수 있다. 상기 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)는 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. The circuit board 201 may include a substrate member having pads 211 and 213 . A power supply circuit for controlling driving of the light emitting device 120 may be provided on the circuit board 201 . Each of the frames 111 and 113 of the light emitting device package 100 may be connected to each of the pads 211 and 213 of the circuit board 201 through bonding layers 231 and 233 . Accordingly, the light emitting device 120 of the light emitting device package 100 may receive power from the respective pads 211 and 213 of the circuit board 201 . Each of the pads 211 and 213 of the circuit board 201 is, for example, at least one selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, and Al. of or alloys thereof.

상기 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)는 상기 프레임(111,113) 및 상기 각 제1 및 제3돌출부와 중첩되게 배치될 수 있다. 상기 각 패드(211,213)와 상기 프레임(111,113) 사이는 본딩층(231,233)이 제공될 수도 있다. 상기 본딩층(231,233)은 상기 프레임(111,113) 및/또는 제1 및 제3 돌출부의 도전부(333)에 연결될 수 있다.Each of the pads 211 and 213 of the circuit board 201 may be disposed to overlap the frames 111 and 113 and the first and third protrusions. Bonding layers 231 and 233 may be provided between the respective pads 211 and 213 and the frames 111 and 113 . The bonding layers 231 and 233 may be connected to the frames 111 and 113 and/or to the conductive parts 333 of the first and third protrusions.

실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 프레임(111,113)에 배치된 도전부(333)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 도전부(333)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110) 및 몸체(115)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110) 및 몸체(115)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting device package according to the embodiment, the bonding parts 121 and 122 of the light emitting device 120 may receive driving power through the conductive parts 333 disposed on the frames 111 and 113 . Also, the melting point of the conductive portion 333 may be selected to have a higher melting point than that of general bonding materials. The light emitting device device package according to the embodiment has an advantage in that electrical connection and physical bonding force are not deteriorated because a re-melting phenomenon does not occur even when bonded to a main substrate or the like through a reflow process. According to the light emitting device package according to the embodiment, the package body 110 and the body 115 do not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 and the body 115 from being damaged or discolored due to exposure to high temperatures.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있고 이에 따라 상기 발광소자의 위치가 변할 수 있어, 상기 발광소자 패키지의 광학적, 전기적 특성 및 신뢰성이 저하될 수 있다. 그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 제1 본딩부는 관통홀에 배치된 도전부를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.The light emitting device package 100 according to the embodiment may be supplied mounted on a submount or a circuit board. However, when a conventional light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding area between the frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and thus the stability of electrical connection and physical coupling may be weakened. Accordingly, the position of the light emitting device may be weakened. Since may change, optical and electrical characteristics and reliability of the light emitting device package may be deteriorated. However, according to the light emitting device package according to the embodiment, the first bonding part of the light emitting device according to the embodiment may receive driving power through the conductive part disposed in the through hole. Therefore, even when the light emitting device device package 100 according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process, since a re-melting phenomenon does not occur, electrical connection and physical bonding strength are not deteriorated. There are advantages to not

발명의 실시 예에 따른 몸체(115)에 제1리세스(R1)는 발광소자(120)의 제1,2본딩부(121,122) 간의 이격되는 방향과 직교되는 방향이거나, 제1,2본딩부(121,122) 사이의 영역이 놓이는 방향과 같은 방향으로 배치되어, 프레임(111,113)의 열 팽창 및 수축에 대해 완화시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 몸체(115)의 제1리세스(R1)에 의한 완화 작용으로 상기 도전부(333)의 크랙 발생이 억제될 수 있어, 제품에 대한 신뢰성이 개선될 수 있다.The first recess R1 of the body 115 according to an embodiment of the present invention is a direction orthogonal to the direction in which the first and second bonding parts 121 and 122 of the light emitting device 120 are spaced apart, or the first and second bonding parts. The regions between (121 and 122) are arranged in the same direction as the direction in which the frames (111 and 122) are placed, so that thermal expansion and contraction of the frames (111 and 113) can be alleviated. Accordingly, cracks in the conductive portion 333 can be suppressed by the relaxation action of the first recess R1 of the body 115, and thus reliability of the product can be improved.

상기 제1리세스(R1)의 깊이(Zc)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 두께(Z2)보다 작을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 깊이(Zc)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 사이에 배치된 상기 몸체(115)의 두께보다 작을 수 있다. 여기서, 상기 제1리세스(R1)의 깊이(Zc)는 제1 및 제2프레임(111,113)의 두께(T2)의 50% 이상 예컨대, 50% 내지 80%의 범위일 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 깊이(Zc)는 125 마이크로 미터 이상 예컨대, 125 내지 200 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 깊이(Zc)에 의해 상기 몸체(115)의 열 변형에 따른 솔더 크랙을 억제할 수 있고 상기 두 프레임(111,113) 사이의 몸체(115)의 하부 크랙을 방지할 수 있다. 이러한 도 14와 같은 제1리세스(R1)는 상기 깊이(Zc)의 범위보다 작은 경우 완충 역할이 미미할 수 있으며 상기 범위보다 큰 경우 센터 측 파단 강도가 저하될 수 있다. A depth Zc of the first recess R1 may be smaller than a thickness Z2 of the first and second frames 111 and 113 . A depth Zc of the first recess R1 may be smaller than a thickness of the body 115 disposed between the first and second frames 111 and 113 . Here, the depth Zc of the first recess R1 may be 50% or more of the thickness T2 of the first and second frames 111 and 113, for example, 50% to 80%. The depth Zc of the first recess R1 may be greater than or equal to 125 micrometers, for example, in the range of 125 to 200 micrometers. Solder cracks due to thermal deformation of the body 115 can be suppressed by the depth Zc of the first recess R1 and cracks in the lower portion of the body 115 between the two frames 111 and 113 can be prevented. can The first recess R1 as shown in FIG. 14 may have an insignificant role as a buffer when the depth Zc is smaller than the range, and the center-side breaking strength may decrease when the depth Zc is larger than the range.

여기서, 도 7과 같이, 상기 제1리세스(R1)을 갖는 몸체(115)의 연결부(Rr)의 최소 두께(a4)는 45 마이크로 미터 이상 예컨대, 45 내지 55 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 몸체(115)의 연결부(Rr)의 최소 두께(a4)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 두께(T2)를 기준으로 0.25 이하 예컨대, 0.15 내지 0.25 범위일 수 있다. 상기 연결부(Rr)의 최소 두께(a4)는 55 마이크로 미터 이하 예컨대, 45 내지 55 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 몸체(115)의 연결부(Rr)가 최소 두께(a4)로 제공함으로써, 상기 제1 및 제2프레임(111,113)에 의한 열 변형이 발생할 경우, 상기 최소 두께(a4)로 상기 몸체(115)를 지지하고 완충시켜 줄 수 있다. 이 경우 상기 몸체(115)가 열 가소성 수지인 온도 변화에 따라 상기 몸체(114)가 부드러워지거나 굳어지게 되어 완충시켜 줄 수 있어, 상기 연결부(Rr)가 파손되는 문제를 방지할 수 있다. Here, as shown in FIG. 7 , the minimum thickness a4 of the connection portion Rr of the body 115 having the first recess R1 may be greater than or equal to 45 micrometers, for example, in the range of 45 to 55 micrometers. The minimum thickness a4 of the connection part Rr of the body 115 may be 0.25 or less, for example, 0.15 to 0.25 based on the thickness T2 of the first and second frames 111 and 113. The minimum thickness a4 of the connection part Rr may be less than 55 micrometers, for example, in the range of 45 to 55 micrometers. Since the connection part Rr of the body 115 is provided with a minimum thickness a4, when thermal deformation occurs by the first and second frames 111 and 113, the body 115 has a minimum thickness a4. can support and cushion it. In this case, since the body 115 is a thermoplastic resin, the body 114 may become soft or hardened according to a temperature change, thereby providing a buffer, preventing damage to the connection part Rr.

상기 몸체(115)에 리세스가 없는 경우, 몸체의 열 변형에 의해 솔더에 전달되는 충격으로 솔더 크랙이 발생될 수 있고, 이러한 열 변형이 반복될 경우 두 프레임 사이의 몸체가 파손되는 문제가 발생될 수 있다. 발명의 실시 예는 도전부(333)의 두께 확보와, 상기 몸체의 열 변형의 완호를 통해 상기한 문제를 해결할 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2프레임(113) 사이에 배치되며 상기 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩된 영역에 위치한 상기 몸체(115)의 부피를 줄여주어, 상기 제1 및 제2프레임(111,113)에 의한 열 변형이 발생될 때 상기 몸체(115)가 완충시켜 줄 수 있다. If there is no recess in the body 115, solder cracks may occur due to impact transmitted to the solder by thermal deformation of the body, and when such thermal deformation is repeated, the body between the two frames may be damaged. It can be. An embodiment of the present invention can solve the above problems by securing the thickness of the conductive portion 333 and mitigating thermal deformation of the body. An embodiment of the invention is disposed between the first frame 111 and the second frame 113 and reduces the volume of the body 115 located in an area overlapping in the vertical direction with the light emitting element 120, When thermal deformation is generated by the first and second frames 111 and 113, the body 115 may buffer the heat.

발명의 실시 예는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2프레임(113) 사이에 배치되며 상기 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩된 영역에 위치한 상기 몸체(115)의 부피를 줄여주어, 상기 제1 및 제2프레임(111,113)에 의한 열 변형이 발생될 때 상기 몸체(115)가 완충시켜 줄 수 있다. An embodiment of the invention is disposed between the first frame 111 and the second frame 113 and reduces the volume of the body 115 located in an area overlapping in the vertical direction with the light emitting element 120, When thermal deformation is generated by the first and second frames 111 and 113, the body 115 may buffer the heat.

발명의 실시 예는 몸체의 리세스에 의해 발광소자 패키지 내에서 열 충격 특성을 개선시켜 줄 수 있다. 또한 열 충격 특성 개선으로 솔더와 같은 도전부의 크랙 발생을 억제할 수 있다. 몸체 또는 프레임 상에 배치된 스페이서에 의해 발광소자를 몸체와 프레임의 상면으로부터 이격시켜 주어, 솔더와 같은 도전부의 두께를 확보하거나 조절할 수 있어, 발광소자의 틸트를 방지하는 한편, 도전부의 크랙을 방지할 수 있고, 제1수지의 언더필 공정이 용이할 수 있다. An embodiment of the present invention may improve thermal shock characteristics in a light emitting device package by a recess of a body. In addition, cracking of conductive parts such as solder can be suppressed by improving thermal shock characteristics. The spacer disposed on the body or frame separates the light emitting element from the upper surface of the body and the frame, thereby securing or adjusting the thickness of the conductive part such as solder, preventing the light emitting element from tilting and cracking the conductive part. and an underfill process of the first resin may be facilitated.

발명의 실시 예는 발광소자 패키지의 제1 및 제2프레임의 외측에 반사부를 배치하여, 발광소자가 리멜팅될 때 자동으로 얼라인(Align)되도록 할 수 있어, 발광소자의 영역 이탈을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, reflectors are disposed outside the first and second frames of the light emitting device package so that the light emitting device can be automatically aligned when remelting, thereby minimizing the area deviation of the light emitting device. can

도 17은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 단면도이다.17 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 17을 참조하면, 발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 17, the light emitting device conceptually illustrates only the relative arrangement relationship between the first electrode 627 and the second electrode 628. The first electrode 627 may include a first bonding portion 621 and a first branch electrode 625 . The second electrode 628 may include a second bonding portion 622 and a second branch electrode 626 .

발광소자는 기판(624) 위에 배치된 발광 구조물(623)을 포함할 수 있다. 상기 기판(624)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(624)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The light emitting device may include a light emitting structure 623 disposed on a substrate 624 . The substrate 624 may be selected from a group including a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, and Ge. For example, the substrate 624 may be provided as a patterned sapphire substrate (PSS) having a concavo-convex pattern formed on an upper surface thereof.

상기 발광 구조물(623)은 제1 도전형 반도체층(623a), 활성층(623b), 제2 도전형 반도체층(623c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(623b)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)과 상기 제2 도전형 반도체층(623c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(623a) 위에 상기 활성층(623b)이 배치되고, 상기 활성층(623b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 623 may include a first conductivity type semiconductor layer 623a, an active layer 623b, and a second conductivity type semiconductor layer 623c. The active layer 623b may be disposed between the first conductivity type semiconductor layer 623a and the second conductivity type semiconductor layer 623c. For example, the active layer 623b may be disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 623a, and the second conductivity-type semiconductor layer 623c may be disposed on the active layer 623b.

실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. According to an embodiment, the first conductivity-type semiconductor layer 623a may be provided as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 623c may be provided as a p-type semiconductor layer. Of course, according to another embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 623a may be provided as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 623c may be provided as an n-type semiconductor layer.

발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 상기 제2 도전형 반도체층(623c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The light emitting device may include a first electrode 627 and a second electrode 628 . The first electrode 627 may include a first bonding portion 621 and a first branch electrode 625 . The first electrode 627 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 623c. The first branch electrode 625 may be disposed to be branched from the first bonding part 621 . The first branch electrode 625 may include a plurality of branch electrodes branched from the first bonding part 621 . The second electrode 628 may include a second bonding portion 622 and a second branch electrode 626 . The second electrode 628 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 623a. The second branch electrode 626 may be disposed to be branched from the second bonding part 622 . The second branch electrode 626 may include a plurality of branch electrodes branched from the second bonding part 622 .

상기 제1 가지전극(625)와 상기 제2 가지전극(626)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)과 상기 제2 가지전극(626)에 의하여 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(623) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The first branch electrodes 625 and the second branch electrodes 626 may be alternately arranged in a finger shape. Power supplied through the first bonding part 621 and the second bonding part 622 by the first branch electrode 625 and the second branch electrode 626 is transmitted to the light emitting structure 623 as a whole. It can be spread and provided.

상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The first electrode 627 and the second electrode 628 may be formed in a single-layer or multi-layer structure. For example, the first electrode 627 and the second electrode 628 may be ohmic electrodes. For example, the first electrode 627 and the second electrode 628 may be ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni , Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf, or at least one or an alloy of two or more of these materials.

한편, 상기 발광 구조물(623)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(624)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.Meanwhile, a protective layer may be further provided on the light emitting structure 623 . The protective layer may be provided on an upper surface of the light emitting structure 623 . Also, the protective layer may be provided on a side surface of the light emitting structure 623 . The protective layer may be provided to expose the first bonding portion 621 and the second bonding portion 622 . In addition, the protective layer may be selectively provided on the circumference and the lower surface of the substrate 624 .

예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer may be provided with an insulating material. For example, the protective layer is Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y It may be formed of at least one material selected from the group including.

실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, light generated in the active layer 623b may be emitted in directions of six surfaces of the light emitting device. Light generated in the active layer 623b may be emitted in six directions through the upper and lower surfaces of the light emitting device and four side surfaces.

상기 발광소자는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시 예에 개시된 발광소자의 예로서, 2개 또는 3개 이상의 발광 셀을 갖는 발광소자를 포함할 수 있다. 이에 따라 고전압의 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.The light emitting device has been described as a structure having one light emitting cell. When the light emitting cell includes the above light emitting structure, the driving voltage of the light emitting device may be the voltage applied to one light emitting cell. As an example of the light emitting device disclosed in the embodiment, a light emitting device having two or three or more light emitting cells may be included. Accordingly, a high voltage light emitting device package can be provided.

한편, 이상에서 설명된 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있고 이에 따라 상기 발광소자의 위치가 변할 수 있어, 상기 발광소자 패키지의 광학적, 전기적 특성 및 신뢰성이 저하될 수 있다. 그러나, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발명의 실시 예에 따른 발광소자의 본딩부들은 돌출부() 및 도전부를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 돌출부() 및 도전부의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 따라서, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.On the other hand, the light emitting device package 100 according to the embodiment of the invention described above may be supplied mounted on a submount or a circuit board. However, when a conventional light emitting device package is mounted on a submount or a circuit board, a high-temperature process such as reflow may be applied. At this time, in the reflow process, a re-melting phenomenon occurs in the bonding area between the frame provided in the light emitting device package and the light emitting device, and thus the stability of electrical connection and physical coupling may be weakened. Accordingly, the position of the light emitting device may be weakened. Since may change, optical and electrical characteristics and reliability of the light emitting device package may be deteriorated. However, according to the light emitting device package and the method for manufacturing the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the bonding parts of the light emitting device according to the embodiment of the present invention may receive driving power through the protruding portion ( ) and the conductive portion. And, the melting points of the protruding portion ( ) and the conductive portion may be selected to have a higher value than the melting point of a general bonding material. Therefore, even when the light emitting device device package according to the embodiment of the present invention is bonded to the main substrate through a reflow process, the re-melting phenomenon does not occur, so that the electrical connection and physical bonding force are not deteriorated. There are advantages.

또한, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 발명의 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 몸체(115)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. 예를 들어, 상기 몸체(115)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.In addition, according to the light emitting device package 100 and the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment of the present invention, the package body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent the package body 110 from being damaged or discolored due to exposure to high temperatures. Accordingly, the range of selection for the material constituting the body 115 can be widened. According to an embodiment of the present invention, the body 115 may be provided using a relatively inexpensive resin material as well as an expensive material such as ceramic. For example, the body 115 includes at least one material selected from the group consisting of PolyPhtal Amide (PPA) resin, PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate (PCT) resin, Epoxy Molding Compound (EMC) resin, and Silicone Molding Compound (SMC) resin. can do.

한편, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 하나 또는 복수개가 회로 기판에 배치되어 광원 장치에 적용될 수 있다. 또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. Meanwhile, one or a plurality of light emitting device packages according to an embodiment of the present invention may be disposed on a circuit board and applied to a light source device. In addition, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like according to industrial fields.

광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.As an example of the light source device, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module including a light emitting element that emits light, and a light emitting module disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module forward. A light guide plate, an optical sheet including prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying image signals to the display panel, A color filter disposed on the front side may be included. Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. In addition, the display device may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are respectively disposed without including a color filter.

광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of a light source device, a headlamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector for reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, and a light reflected by the reflector. It may include a lens that refracts light forward, and a shade that blocks or reflects a part of the light reflected by the reflector and directed to the lens to achieve a light distribution pattern desired by a designer.

광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 발명의 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.A lighting device, which is another example of a light source device, may include a cover, a light source module, a radiator, a power supply unit, an inner case, and a socket. In addition, the light source device according to an embodiment of the present invention may further include any one or more of a member and a holder. The light source module may include a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and variations should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above has been described centering on the embodiment, this is only an example and is not intended to limit the embodiment, and those skilled in the art to which the embodiment belongs may find various things not exemplified above to the extent that they do not deviate from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be interpreted as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

110: 패키지 몸체
111,113: 프레임
115: 몸체
120: 발광소자
121: 제1 본딩부
122: 제2 본딩부
123: 발광구조물
124: 기판
160: 제1수지
162: 제2수지
333: 도전부
R1: 리세스
H5,H6,H7,H8,H21,H22: 결합홀
P1,P2,P3,P4: 스페이서110: package body
111,113: frame
115: body
120: light emitting element
121: first bonding unit
122: second bonding unit
123: light emitting structure
124 Substrate
160: first resin
162: second resin
333: conductive part
R1: recess
H5, H6, H7, H8, H21, H22: Coupling hole
P1,P2,P3,P4: Spacer

Claims (12)

제1 방향을 따라 서로 이격되어 배치되는 제1 프레임 및 제2 프레임;
상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이에 배치된 몸체; 및
상기 제1 프레임 및 제2 프레임 상에 배치되는 발광소자;를 포함하고,
상기 제1 프레임은 상기 제2 프레임에 인접한 제1 단부를 포함하고,
상기 제2 프레임은 상기 제1 프레임에 인접하게 배치되고, 상기 제1 단부와 마주보는 제2 단부를 포함하고,
상기 제1 단부는 상기 제2 프레임을 향하여 돌출된 제1 돌출부를 포함하고,
상기 제2 단부는 상기 제1 프레임을 향하여 돌출된 제2 돌출부를 포함하고,
상기 발광소자는 상기 제1 돌출부 상에 배치되는 제1 본딩부, 및 상기 제2 돌출부 상에 배치되는 제2 본딩부를 포함하며,
상기 제1프레임은 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 상기 발광소자의 폭보다 넓은 폭을 갖는 제1결합홀을 포함하며,
상기 제2프레임은 상기 제2 방향으로 상기 발광소자의 폭보다 넓은 폭을 갖는 제2결합홀을 포함하며,
상기 몸체는 상기 제1 및 제2결합홀에 배치된 결합부를 포함하는 발광소자 패키지.a first frame and a second frame spaced apart from each other along a first direction;
a body disposed between the first frame and the second frame; and
Including; light emitting elements disposed on the first frame and the second frame,
the first frame includes a first end adjacent to the second frame;
The second frame is disposed adjacent to the first frame and includes a second end facing the first end,
The first end includes a first protrusion protruding toward the second frame,
The second end includes a second protrusion protruding toward the first frame,
The light emitting element includes a first bonding part disposed on the first protrusion, and a second bonding part disposed on the second protrusion,
The first frame includes a first coupling hole having a width wider than that of the light emitting element in a second direction perpendicular to the first direction,
The second frame includes a second coupling hole having a wider width than the width of the light emitting element in the second direction,
The body includes coupling parts disposed in the first and second coupling holes. 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2결합홀은 상기 제1 및 제2프레임이 배치되는 상기 제1 방향과 직교하는 방향으로 배치되고, 상기 제1 및 제2프레임의 상면 및 하면을 관통하며,
상기 제1 및 제2결합홀은 서로 평행하게 배치되는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The first and second coupling holes are disposed in a direction orthogonal to the first direction in which the first and second frames are disposed, and pass through upper and lower surfaces of the first and second frames,
The first and second coupling holes are disposed parallel to each other in the light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 몸체는 상기 제1 및 제2프레임 사이에 제1리세스를 포함하며,
상기 제1리세스는 상기 발광 소자와 수직 방향으로 중첩되며, 상기 제1 및 제2본딩부 사이의 영역 아래에 배치되는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The body includes a first recess between the first and second frames,
The first recess overlaps the light emitting element in a vertical direction, and is disposed under a region between the first and second bonding parts. 제3항에 있어서,
상기 제1프레임의 제1단부는 상기 제1돌출부의 양측으로 이격되며 상기 제2프레임 방향으로 돌출된 제3 및 제4돌출부를 포함하며,
상기 제2프레임의 제2단부는 상기 제2돌출부의 양측으로 이격되며 상기 제1프레임 방향으로 돌출된 제5 및 제6돌출부를 포함하며,
상기 몸체는 상기 제1 및 제3돌출부 사이에 배치된 제1반사부, 상기 제1 및 제4돌출부 사이에 배치된 제2반사부, 상기 제2 및 제5돌출부 사이에 배치된 제3반사부 및 상기 제2 및 제6돌출부 사이에 배치된 제4반사부를 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 3,
The first end of the first frame includes third and fourth protrusions spaced apart from both sides of the first protrusion and protruding in the direction of the second frame,
The second end of the second frame includes fifth and sixth protrusions spaced apart from both sides of the second protrusion and protruding in the direction of the first frame,
The body includes a first reflector disposed between the first and third protrusions, a second reflector disposed between the first and fourth protrusions, and a third reflector disposed between the second and fifth protrusions. and a fourth reflector disposed between the second and sixth protrusions. 제4항에 있어서,
상기 발광 소자의 하부 둘레에 배치되며 상기 제1 및 제2본딩부의 둘레에 배치된 수지를 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 4,
A light emitting device package comprising a resin disposed around a lower portion of the light emitting device and around the first and second bonding parts. 제5항에 있어서,
상기 제1 및 제2프레임 각각은 외측에 배치된 복수의 홀을 포함하며,
상기 복수의 홀 각각은 상기 제1 및 제2결합홀 각각의 면적보다 작은 면적을 가지며,
상기 복수의 홀에는 상기 몸체의 일부가 결합되는 발광소자 패키지.According to claim 5,
Each of the first and second frames includes a plurality of holes disposed outside,
Each of the plurality of holes has an area smaller than the area of each of the first and second coupling holes,
A light emitting device package in which a part of the body is coupled to the plurality of holes. 제6항에 있어서,
상기 제1 및 제2결합홀은 상기 제1 및 제2돌출부의 두께보다 얇은 두께를 갖는 스텝 구조를 포함하는 발광소자 패키지. According to claim 6,
The light emitting device package comprising a step structure in which the first and second coupling holes have a thickness smaller than the thickness of the first and second protrusions. 제5항에 있어서,
상기 발광소자의 하면 둘레에 배치된 복수의 스페이서를 포함하며,
상기 복수의 스페이서는 상기 발광소자의 제1 및 제2본딩부를 상기 제1 및 제2프레임의 상면으로부터 이격시켜 주며,
상기 복수의 스페이서의 상면은 상기 제1,2본딩부의 하면보다 높게 돌출되며,
상기 복수의 스페이서는 상기 제1 및 제2돌출부의 양측에 배치되고 상기 몸체로부터 돌출되는 발광소자 패키지.According to claim 5,
It includes a plurality of spacers disposed around the lower surface of the light emitting element,
The plurality of spacers space the first and second bonding parts of the light emitting device apart from the upper surfaces of the first and second frames,
Upper surfaces of the plurality of spacers protrude higher than lower surfaces of the first and second bonding parts,
The plurality of spacers are disposed on both sides of the first and second protrusions and protrude from the body. 제5항에 있어서,
상기 제1 및 제2프레임 사이에 상기 발광소자의 폭보다 넓은 간격을 갖고, 상기 몸체로부터 돌출된 제1 및 제2지지부를 포함하며,
상기 제1리세스의 깊이는 상기 제1 및 제2프레임의 두께의 50% 내지 80%의 범위를 갖는 발광소자 패키지.According to claim 5,
It has a gap wider than the width of the light emitting element between the first and second frames and includes first and second support parts protruding from the body,
The light emitting device package of claim 1 , wherein a depth of the first recess has a range of 50% to 80% of thicknesses of the first and second frames. 제5항에 있어서,
상기 제1 및 제2본딩부와 상기 제1 및 제2프레임 사이에 배치된 도전부를 포함하며,
상기 수지는 상기 제1,2본딩부 아래에 배치된 상기 도전부의 둘레에 배치되는 발광소자 패키지.According to claim 5,
It includes a conductive part disposed between the first and second bonding parts and the first and second frames,
The resin is disposed around the conductive portion disposed below the first and second bonding portions. 제1항 또는 제4항에 있어서,
상기 제1프레임은 상기 몸체의 제1측면 방향으로 돌출된 제1연장부를 포함하며,
상기 제2프레임은 상기 몸체의 제2측면 방향으로 돌출된 제2연장부를 포함하며,
상기 제1결합 홀의 중심과 상기 제1돌출부 사이의 간격은 상기 제1연장부와 상기 제1결합 홀의 중심 사이의 간격보다 0.6배 내지 1배의 범위이며,
상기 제2결합 홀의 중심과 상기 제2돌출부 사이의 간격은 상기 제2연장부와 상기 제2결합 홀의 중심 사이의 간격보다 0.6배 내지 1배의 범위인 발광소자 패키지.According to claim 1 or 4,
The first frame includes a first extension protruding in the direction of the first side surface of the body,
The second frame includes a second extension protruding in the direction of the second side surface of the body,
The distance between the center of the first coupling hole and the first protrusion is in the range of 0.6 to 1 times the distance between the first extension and the center of the first coupling hole,
The distance between the center of the second coupling hole and the second protrusion is in the range of 0.6 to 1 times the distance between the second extension and the center of the second coupling hole. 회로 기판; 및
상기 회로 기판 상에 하나 또는 복수의 발광 소자 패키지를 포함하며,
상기 발광소자 패키지는, 청구항 제5항의 발광소자 패키지인 광원 장치. circuit board; and
Including one or a plurality of light emitting device packages on the circuit board,
The light emitting device package is the light emitting device package of claim 5 .
KR1020180015943A 2018-02-08 2018-02-08 Light emitting device package and light unit KR102508538B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180015943A KR102508538B1 (en) 2018-02-08 2018-02-08 Light emitting device package and light unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180015943A KR102508538B1 (en) 2018-02-08 2018-02-08 Light emitting device package and light unit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190096246A KR20190096246A (en) 2019-08-19
KR102508538B1 true KR102508538B1 (en) 2023-03-09

Family

ID=67806925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180015943A KR102508538B1 (en) 2018-02-08 2018-02-08 Light emitting device package and light unit

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102508538B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012014382A1 (en) 2010-07-27 2012-02-02 パナソニック株式会社 Semiconductor device
JP2014158028A (en) 2013-02-18 2014-08-28 Lextar Electronics Corp Sub-mount of light emitting diode and light emitting device manufacturing method using the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102530759B1 (en) * 2016-06-14 2023-05-11 삼성전자주식회사 Light emitting device package and method of manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012014382A1 (en) 2010-07-27 2012-02-02 パナソニック株式会社 Semiconductor device
JP2014158028A (en) 2013-02-18 2014-08-28 Lextar Electronics Corp Sub-mount of light emitting diode and light emitting device manufacturing method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190096246A (en) 2019-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102385940B1 (en) Light emitting device package and light source unit
KR102437770B1 (en) Light emitting device package and light unit
KR102508745B1 (en) Light emitting device package
KR102473424B1 (en) Light emitting device package
KR102432216B1 (en) Light emitting device package
KR102432024B1 (en) Light emitting device package and light unit
KR102471686B1 (en) Light emitting device package and light source unit
KR102401825B1 (en) Light emitting device package and light source unit
KR102379733B1 (en) Light emitting device package
US20220302363A1 (en) Light emitting device package and light source device
KR102455087B1 (en) Light emitting device package and light unit
KR102508538B1 (en) Light emitting device package and light unit
KR102486038B1 (en) Light emitting device package
KR102463311B1 (en) Light emitting device and light emitting device package including the same
KR102369821B1 (en) Light emitting device package
KR102401964B1 (en) Light emitting device package and lighting module
US20190074410A1 (en) Light emitting device package
KR102523782B1 (en) Light emitting device package and light source unit
KR102535234B1 (en) Light emitting device package and light unit
KR102542297B1 (en) Light emitting device package
KR102359818B1 (en) Light emitting device package and manufacturing method of light emitting device package
KR102379835B1 (en) Light emitting device package
KR102564179B1 (en) Light emitting device package
KR102490162B1 (en) Light emitting device and light emitting device package including the same
KR102401824B1 (en) Light emitting device package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant