KR102496170B1 - Electroluminescence display - Google Patents
Electroluminescence display Download PDFInfo
- Publication number
- KR102496170B1 KR102496170B1 KR1020170128231A KR20170128231A KR102496170B1 KR 102496170 B1 KR102496170 B1 KR 102496170B1 KR 1020170128231 A KR1020170128231 A KR 1020170128231A KR 20170128231 A KR20170128231 A KR 20170128231A KR 102496170 B1 KR102496170 B1 KR 102496170B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- light
- pixel
- bank
- light emitting
- Prior art date
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
Abstract
본 발명에 따른 전계 발광 표시장치는 광을 방출하는 발광 소자를 갖는 픽셀들; 상기 픽셀들을 구획하는 뱅크; 및 상기 뱅크 내부에 수용되는 광추출 부재를 포함한다. 상기 뱅크의 굴절률과 상기 광추출 부재의 굴절률은 상이하다.An electroluminescent display device according to the present invention includes pixels having light emitting elements that emit light; a bank partitioning the pixels; and a light extracting member accommodated inside the bank. A refractive index of the bank is different from a refractive index of the light extraction member.
Description
본 발명은 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electroluminescent display device.
음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 표시장치(display device)들이 개발되고 있다. 이러한 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계 발광 표시장치(Electroluminescence Display) 등으로 구현될 수 있다. Various display devices capable of reducing the weight and volume, which are disadvantages of the cathode ray tube, are being developed. These display devices will be implemented as Liquid Crystal Displays (LCDs), Field Emission Displays (FEDs), Plasma Display Panels (PDPs), and Electroluminescence Displays. can
이들 표시장치 중에서 전계 발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기발광 표시장치와 유기발광 표시장치로 대별된다. 유기발광 표시장치는 유기 화합물을 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시장치로, LCD에서 사용되는 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 유기발광 표시장치는 저온 제작이 가능하고, 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가질 뿐 아니라 낮은 소비 전력, 넓은 시야각 및 높은 콘트라스트(Contrast) 등의 특성을 갖는다는 점에서 널리 사용되고 있다.Among these display devices, the electroluminescent display device is roughly divided into an inorganic light emitting display device and an organic light emitting display device according to the material of the light emitting layer. An organic light emitting display device is a self-emitting display device that excites organic compounds to emit light. It does not require a backlight used in an LCD, so it is lightweight and thin, and has the advantage of simplifying the process. In addition, the organic light emitting display device is widely used in that it can be manufactured at a low temperature, has a high response speed with a response speed of 1 ms or less, and has characteristics such as low power consumption, wide viewing angle, and high contrast. .
유기발광 표시장치는 전기 에너지를 빛 에너지로 전환하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)를 포함한다. 유기발광 다이오드는 애노드, 캐소드, 및 이들 사이에 배치되는 유기 화합물층을 포함한다. 유기발광 표시장치는, 애노드 및 캐소드로부터 각각 주입된 정공 및 전자가 발광층 내부에서 결합하여 여기자인 액시톤(exciton)을 형성하고, 형성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광하여 화상을 표시하게 된다.An organic light emitting display includes an organic light emitting diode that converts electrical energy into light energy. An organic light emitting diode includes an anode, a cathode, and an organic compound layer disposed therebetween. In an organic light emitting display device, holes and electrons respectively injected from an anode and a cathode are combined inside the light emitting layer to form excitons, which are excitons, from an excited state to a ground state. As it falls down, it emits light to display an image.
최근에는, 이러한 유기발광 다이오드의 광학 설계에 있어서, 발광 효율을 향상시키기 위한 노력이 진행되고 있다. 예를 들어, 종래에는, 유기 화합물층을 구성하는 유기물들 간의 굴절률을 적절히 매칭하거나, 유기막들 간의 막두께를 조정하는 등 광학 간섭 거리를 조정함으로써, 발광 효율을 높이는 방안들이 제안된 바 있다. 다만, 재료 자체의 한계에 의해, 상기와 같은 광 추출(Out-Coupling) 기술을 적용하여 발광 효율을 개선하는 데에는, 실질적으로 어려움이 있다.Recently, in the optical design of organic light emitting diodes, efforts have been made to improve light emitting efficiency. For example, in the prior art, measures to increase luminous efficiency have been proposed by adjusting an optical interference distance, such as appropriately matching refractive indices between organic materials constituting an organic compound layer or adjusting a film thickness between organic layers. However, due to limitations of the material itself, it is practically difficult to improve luminous efficiency by applying the above-described out-coupling technology.
본 발명의 목적은 극한 휘도를 구현할 수 있는 전계 발광 표시장치를 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide an electroluminescent display capable of realizing extreme luminance.
본 발명에 따른 전계 발광 표시장치는 광을 방출하는 발광 소자를 갖는 픽셀들; 상기 픽셀들을 구획하는 뱅크; 및 상기 뱅크 내부에 수용되는 광추출 부재를 포함한다. 상기 뱅크의 굴절률과 상기 광추출 부재의 굴절률은 상이하다.An electroluminescent display device according to the present invention includes pixels having light emitting elements that emit light; a bank partitioning the pixels; and a light extracting member accommodated inside the bank. A refractive index of the bank is different from a refractive index of the light extraction member.
본 발명에 따른 전계 발광 표시장치는, 광을 방출하는 발광 소자를 가지며, 상기 뱅크에 의해 구획되는 픽셀들을 포함하며, 상기 뱅크 내부에 위치하여 상기 발생 광 중 상기 뱅크 내부로 진행한 적어도 일부 광을 지향 방향으로 취출하는 광추출 부재를 포함한다. 상기 뱅크의 굴절률과 상기 광추출 부재의 굴절률은 상이하다.An electroluminescent display device according to the present invention has a light emitting element that emits light, includes pixels partitioned by the banks, and includes at least some of the generated light that is located inside the banks and proceeds to the inside of the banks. and a light extracting member that extracts light in a directing direction. A refractive index of the bank is different from a refractive index of the light extraction member.
본 발명은 뱅크 내부에 광 경로 변경이 가능한 광추출 부재를 형성함으로써, 뱅크 내부에 유입되어 소실될 수 있는 광을 지향 방향으로 용이하게 추출할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 발광 효율을 현저히 개선할 수 있어, 극한 휘도를 구현할 수 있는 이점을 갖는다. According to the present invention, by forming a light extracting member capable of changing a light path inside the bank, light that may be lost after being introduced into the bank can be easily extracted in a direct direction. Accordingly, the present invention has the advantage of being able to significantly improve the luminous efficiency and realize extreme luminance.
또한, 본 발명은, 뱅크 내부의 광추출 부재를 통해 광이 추출됨에 따라, 종래 대비 발광 영역이 넓어지는 이점을 갖는다. 즉, 본 발명의 바람직한 실시예에서는, 뱅크 형성 영역에서도 광추출 부재를 통해 발광에 기여하는 광이 취출될 수 있기 때문에, 뱅크 형성 영역의 적어도 일부가 종래와 달리 발광 영역이 될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 바람직한 실시예는 개구율 및 색 시야각이 현저히 향상되는 이점을 갖는다.In addition, according to the present invention, as light is extracted through the light extracting member inside the bank, it has an advantage that the light emitting area is widened compared to the prior art. That is, in a preferred embodiment of the present invention, since light contributing to light emission can be extracted through the light extraction member even in the bank formation area, at least a part of the bank formation area can become a light emitting area unlike the prior art. Accordingly, the preferred embodiment of the present invention has the advantage of remarkably improving the aperture ratio and color viewing angle.
도 1은 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 픽셀을 나타낸 단면도이다.
도 4는 관련 기술의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 Fresnel equation 기반, 입사각에 따른 반사율 시뮬레이션 결과를 나타낸 것이다.
도 7은 광추출 부재와 다른 구조물과의 관계를 설명하기 위한 도면들이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting display device.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a pixel shown in FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view showing a pixel of an organic light emitting display device according to the present invention.
4 is a diagram for explaining problems of the related art.
5 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention.
6 shows the result of simulation of the reflectance based on the Fresnel equation and the incident angle.
7 is a view for explaining the relationship between the light extracting member and other structures.
8 is a plan view schematically illustrating an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 여러 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 구성요소에 대하여는 서두에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like reference numbers throughout the specification indicate substantially the same elements. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In describing various embodiments, the same components are representatively described at the beginning and may be omitted in other embodiments.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers, such as first and second, may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another.
이하에서는, 설명의 편의를 위해, 전계 발광 표시장치가 유기 발광 물질을 포함하는 유기발광 표시장치로 구현되는 경우를 예로 들어 설명한다. 본 발명의 기술적 사상은 유기발광 표시장치에 국한되지 않고, 무기발광 물질을 포함한 무기발광 표시장치에 적용될 수 있다Hereinafter, for convenience of explanation, a case in which the electroluminescent display device is implemented as an organic light emitting display device including an organic light emitting material will be described as an example. The technical idea of the present invention is not limited to an organic light emitting display device and may be applied to an inorganic light emitting display device including an inorganic light emitting material.
도 1은 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다. 도 2는 도 1에 도시된 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다. 도 3은 본 발명에 따른 유기발광 표시장치의 픽셀을 나타낸 단면도이다. 도 4는 관련 기술의 문제점을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting display device. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a pixel shown in FIG. 1 . 3 is a cross-sectional view showing a pixel of an organic light emitting display device according to the present invention. 4 is a diagram for explaining problems of the related art.
도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광 표시장치는 디스플레이 구동 회로, 표시 패널(10)을 포함한다. Referring to FIG. 1 , an organic light emitting display device according to the present invention includes a display driving circuit and a
디스플레이 구동 회로는 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(14) 및 타이밍 콘트롤러(16)를 포함하여 입력 영상의 비디오 데이터전압을 표시 패널(10)의 픽셀들에 기입한다. 데이터 구동회로(12)는 타이밍 콘트롤러(16)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생한다. 데이터 구동회로(12)로부터 출력된 데이터전압은 데이터 배선들(D1~Dm)에 공급된다. 게이트 구동회로(14)는 데이터전압에 동기되는 게이트 신호를 게이트 배선들(G1~Gn)에 순차적으로 공급하여 데이터 전압이 기입되는 표시 패널(10)의 픽셀들을 선택한다.The display driving circuit includes a
타이밍 콘트롤러(16)는 호스트 시스템(19)으로부터 입력되는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력받아 데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(14)의 동작 타이밍을 동기시킨다. 데이터 구동회로(12)를 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호는 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 게이트 구동회로(14)를 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock, GSC), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다.The
호스트 시스템(19)은 텔레비젼 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(19)은 스케일러(scaler)를 내장한 SoC(System on chip)을 포함하여 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시 패널(10)에 표시하기에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템(19)은 디지털 비디오 데이터와 함께 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, MCLK)을 타이밍 콘트롤러(16)로 전송한다.The
표시 패널(10)은 픽셀 어레이를 포함한다. 픽셀 어레이는 데이터 배선들(D1~Dm, m은 양의 정수)과 게이트 배선들(G1~Gn, n은 양의 정수)에 의해 정의된 픽셀들을 포함한다. 픽셀들 각각은 자발광 소자인 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)를 포함한다.The
도 2를 더 참조하면, 표시 패널(10)에는 다수의 데이터 배선들(DL)과, 다수의 게이트 배선들(GL)이 교차되고, 이 교차영역마다 픽셀들이 배치된다. 픽셀 각각은 유기발광 다이오드(OLE), 유기발광 다이오드(OLE)에 흐르는 전류량을 제어하는 구동 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT라 함)(DT), 구동 TFT(DT)의 게이트-소스간 전압을 셋팅하기 위한 프로그래밍부(SC)를 포함한다.Further referring to FIG. 2 , in the
프로그래밍부(SC)는 적어도 하나 이상의 스위치 TFT와, 적어도 하나 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 스위치 TFT는 게이트 배선(GL)으로부터의 게이트 신호에 응답하여 턴 온 됨으로써, 데이터 배선(DL)으로부터의 데이터전압을 스토리지 커패시터의 일측 전극에 인가한다. 구동 TFT(DT)는 스토리지 커패시터에 충전된 전압의 크기에 따라 유기발광 다이오드(OLE)로 공급되는 전류량을 제어하여 유기발광 다이오드(OLE) 의 발광량을 조절한다. 유기발광 다이오드(OLE)의 발광량은 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 전류량에 비례한다. 이러한 픽셀은 고전위 전압원(EVDD)과 저전위 전압원(EVSS)에 연결되어, 도시하지 않은 전원 발생부로부터 각각 고전위 전원 전압과 저전위 전원 전압을 공급받는다. 픽셀을 구성하는 TFT들은 p 타입으로 구현되거나 또는, n 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 픽셀을 구성하는 TFT들의 반도체층은, 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 또는, 산화물을 포함할 수 있다. 유기발광 다이오드(OLE)는 애노드(ANO), 캐소드(CAT), 및 애노드(ANO)와 캐소드(CAT) 사이에 개재된 유기 화합물층을 포함한다. 애노드(ANO)는 구동 TFT(DT)와 접속된다. The programming unit SC may include at least one switch TFT and at least one storage capacitor. The switch TFT is turned on in response to a gate signal from the gate line GL, thereby applying a data voltage from the data line DL to one electrode of the storage capacitor. The driving TFT DT adjusts the amount of light emitted from the organic light emitting diode OLE by controlling the amount of current supplied to the organic light emitting diode OLE according to the level of the voltage charged in the storage capacitor. The amount of light emitted from the organic light emitting diode (OLE) is proportional to the amount of current supplied from the driving TFT (DT). These pixels are connected to a high-potential voltage source (EVDD) and a low-potential voltage source (EVSS), and receive a high-potential power supply voltage and a low-potential power supply voltage, respectively, from a power generator (not shown). The TFTs constituting the pixel may be implemented as p-type or as n-type. In addition, the semiconductor layer of the TFTs constituting the pixel may include amorphous silicon, polysilicon, or oxide. The organic light emitting diode (OLE) includes an anode (ANO), a cathode (CAT), and an organic compound layer interposed between the anode (ANO) and the cathode (CAT). The anode ANO is connected to the driving TFT DT.
하나의 픽셀은 기본적으로 스위칭 TFT, 구동 TFT(DT), 스토리지 커패시터 및 유기발광 다이오드를 포함하는 2T(Transistor)1C(capacitor) 구조로 구성될 수 있고, 보상회로가 추가되는 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C, 7T2C 등으로 다양하게 구성될 수도 있다.One pixel can basically be composed of a 2T (transistor) 1C (capacitor) structure including a switching TFT, a driving TFT (DT), a storage capacitor, and an organic light emitting diode, and when a compensation circuit is added, 3T1C, 4T2C, 5T2C , 6T2C, 7T2C, etc. may be variously configured.
도 3을 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 박막 트랜지스터(T) 및 유기발광 다이오드(OLE)가 구비된 기판(SUB)을 포함한다. 도시하지는 않았으나, 기판(SUB) 상에는, 박막 트랜지스터(T) 및 유기발광 다이오드(OLE)을 덮는 봉지(encapsulation)층이 더 구비될 수 있다. 봉지층은 외부로부터 유입될 수 있는 수분 및 산소로부터 내부 소자를 보호할 수 있다. Referring to FIG. 3 , an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention includes a substrate SUB having a thin film transistor T and an organic light emitting diode OLE. Although not shown, an encapsulation layer covering the thin film transistor T and the organic light emitting diode OLE may be further provided on the substrate SUB. The encapsulation layer may protect internal elements from moisture and oxygen that may be introduced from the outside.
기판(SUB)은 유리(glass) 또는 플라스틱(plastic) 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 PI(Polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate) 등의 플라스틱 재질로 형성되어, 유연한(flexible) 특성을 가질 수 있다. The substrate SUB may be made of glass or plastic material. For example, the substrate SUB may be formed of a plastic material such as polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), or polycarbonate (PC), and may have flexible characteristics.
기판(SUB) 상에는, 박막 트랜지스터(T) 및 박막 트랜지스터(T)와 연결된 유기발광 다이오드(OLE)가 형성된다. 기판(SUB)과 박막 트랜지스터(T) 사이에는, 광차단층(미도시) 및 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있다. 광차단층은 박막 트랜지스터(T)의 반도체층 특히, 채널(channel)에 중첩되도록 배치되어, 외부광으로부터 반도체 소자를 보호하는 기능을 할 수 있다. 버퍼층은 기판(SUB)으로부터 확산되는 이온이나 불순물을 차단하고, 외부의 수분 침투를 차단하는 기능을 할 수 있다. On the substrate SUB, a thin film transistor T and an organic light emitting diode OLE connected to the thin film transistor T are formed. A light blocking layer (not shown) and a buffer layer (not shown) may be formed between the substrate SUB and the thin film transistor T. The light blocking layer may be disposed to overlap the semiconductor layer of the thin film transistor T, particularly the channel, to protect the semiconductor device from external light. The buffer layer may block ions or impurities from diffusing from the substrate SUB and may block penetration of external moisture.
박막 트랜지스터(T)는, 반도체층(A), 게이트 전극(G), 소스/드레인 전극(S, D)을 포함한다. 반도체층(A) 위에는 게이트 절연막(GI) 및 게이트 전극(G)이 배치된다. 게이트 절연막(GI)은 게이트 전극(G)을 절연시키는 것으로, 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 게이트 절연막(GI)은 기판(SUB) 전체 표면을 덮도록 형성될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 게이트 절연막(GI)과 게이트 전극(G)은 동일 마스크를 이용하여 패턴될 수 있으며, 이 경우, 게이트 절연막(GI)과 게이트 전극(G)은 동일한 평면 형상을 가질 수 있다.The thin film transistor T includes a semiconductor layer A, a gate electrode G, and source/drain electrodes S and D. A gate insulating layer GI and a gate electrode G are disposed on the semiconductor layer A. The gate insulating layer GI insulates the gate electrode G, and may be formed of a silicon oxide layer (SiOx) or a silicon nitride layer (SiNx), but is not limited thereto. The gate insulating layer GI may be formed to cover the entire surface of the substrate SUB. Although not shown, the gate insulating film GI and the gate electrode G may be patterned using the same mask, and in this case, the gate insulating film GI and the gate electrode G may have the same planar shape.
게이트 전극(G)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고, 반도체층(A)과 중첩하도록 배치된다. 게이트 전극(G)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금의 단층이나 다층으로 이루어질 수 있다. The gate electrode G is disposed to overlap the semiconductor layer A with the gate insulating film GI interposed therebetween. The gate electrode (G) is made of copper (Cu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), or tantalum (Ta). and tungsten (W), or a single layer or multiple layers of alloys thereof.
게이트 전극(G) 위에는 층간 절연막(IN)이 배치된다. 층간 절연막(IN)은 게이트 전극(G)과 소스/드레인 전극(S, D)을 상호 절연시키는 것으로, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. An interlayer insulating layer IN is disposed on the gate electrode G. The interlayer insulating film (IN) insulates the gate electrode (G) and the source/drain electrodes (S, D) from each other, and may be made of a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof, but is limited thereto It is not.
층간 절연막(IN) 위에는 소스/드레인 전극(S, D)이 배치된다. 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 소정 간격 이격되어 배치된다. 소스 전극(S)은 층간 절연막(IN)을 관통하는 소스 콘택홀을 통해 반도체층(A)의 일측에 접촉한다. 드레인 전극(D)은 층간 절연막(IN)을 관통하는 드레인 콘택홀을 통해 반도체층(A)의 타측에 접촉한다.Source/drain electrodes S and D are disposed on the interlayer insulating film IN. The source electrode (S) and the drain electrode (D) are spaced apart from each other by a predetermined distance. The source electrode S contacts one side of the semiconductor layer A through a source contact hole penetrating the interlayer insulating film IN. The drain electrode D contacts the other side of the semiconductor layer A through the drain contact hole penetrating the interlayer insulating layer IN.
소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 단일층 또는 다층으로 이루어질 수 있으며, 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)이 다층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴, 몰리브덴/알루미늄, 티타늄/알루미늄, 또는 구리/몰리티타늄의 2중층이거나 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴, 티타늄/알루미늄/티타늄, 또는 몰리티타늄/구리/몰리티타늄의 3중층으로 이루어질 수 있다.The source electrode (S) and the drain electrode (D) may be formed of a single layer or multiple layers, and in the case of a single layer, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti, It may be made of any one selected from the group consisting of nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) or an alloy thereof. In addition, when the source electrode (S) and the drain electrode (D) are multi-layered, they are a double layer of molybdenum/aluminum-neodymium, molybdenum/aluminum, titanium/aluminum, or copper/motitanium, or molybdenum/aluminum-neodymium/molybdenum or molybdenum. /Aluminum/molybdenum, titanium/aluminum/titanium, or motitanium/copper/motitanium triple layers.
박막 트랜지스터(T) 상에는 절연층이 위치한다. 절연층은 패시베이션막(PAS) 및 평탄화막(OC) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 패시베이션막(PAS)은 박막 트랜지스터(T)를 보호하는 것으로 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다. 평탄화막(OC)은 하부의 단차를 평탄화하는 것으로, 포토아크릴(photo acryl), 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene resin), 아크릴레이트계 수지(acrylate) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. An insulating layer is positioned on the thin film transistor T. The insulating layer may include at least one of a passivation layer (PAS) and a planarization layer (OC). The passivation film PAS protects the thin film transistor T and may be formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or a multilayer thereof. The planarization film (OC) is to planarize the lower step, and may be made of an organic material such as photo acryl, polyimide, benzocyclobutene resin, or acrylate. there is.
절연층 상에 유기발광 다이오드(OLE)가 위치한다. 유기발광 다이오드(OLE)는, 서로 대향하는 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2), 및 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 개재되는 유기 화합물층(OL)을 포함한다. 제1 전극(E1)은 애노드일 수 있고, 제2 전극(E2)은 캐소드일 수 있다. An organic light emitting diode (OLE) is positioned on the insulating layer. The organic light emitting diode OLE includes a first electrode E1 and a second electrode E2 facing each other, and an organic compound layer OL interposed between the first electrode E1 and the second electrode E2. do. The first electrode E1 may be an anode, and the second electrode E2 may be a cathode.
보다 자세하게, 평탄화막(OC) 상에는 제1 전극(E1)이 위치한다. 제1 전극(E1)은 패시베이션막(PAS)과 평탄화막(OC)를 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)에 접속된다. 제1 전극(E1)은 반사층을 포함하여 반사 전극으로 기능할 수 있다. 반사층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 APC(은/팔라듐/구리 합금)으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(E1)은 반사층을 포함한 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 제1 전극(E1)은 ITO(Indium Tin Oxide)/APC/ITO로 이루어진 삼중층으로 형성될 수 있다. More specifically, the first electrode E1 is positioned on the planarization layer OC. The first electrode E1 is connected to the drain electrode D of the thin film transistor T through a contact hole penetrating the passivation film PAS and the planarization film OC. The first electrode E1 may function as a reflective electrode by including a reflective layer. The reflective layer may be made of aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), nickel (Ni), or alloys thereof, preferably made of APC (silver/palladium/copper alloy). The first electrode E1 may be formed of multiple layers including a reflective layer. For example, the first electrode E1 may be formed of a triple layer made of indium tin oxide (ITO)/APC/ITO.
제1 전극(E1)이 형성된 기판(SUB) 상에 이웃하는 픽셀을 구획하는 뱅크(BN)가 위치한다. 뱅크(BN)는 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 뱅크(BN)는 제1 전극(E1)의 적어도 일부를 노출하는 개구부를 포함한다. 뱅크(BN)는 제1 전극(E1)의 중심부를 노출하되 제1 전극(E1)의 측단을 덮도록 배치될 수 있다. A bank BN partitioning neighboring pixels is positioned on the substrate SUB on which the first electrode E1 is formed. The bank BN may be made of an organic material such as polyimide, benzocyclobutene series resin, or acrylate. The bank BN includes an opening exposing at least a portion of the first electrode E1. The bank BN may be disposed to cover a side end of the first electrode E1 while exposing a central portion of the first electrode E1.
제1 전극(E1) 상에 유기 화합물층(OL)이 위치한다. 유기 화합물층(OL)은 대응되는 서브 픽셀마다 분할되어 배치될 수 있고, 일체로 기판(SUB) 전면에 넓게 형성될 수도 있다. 유기 화합물층(OL)은 전자와 정공이 결합하여 발광하는 층으로, 발광층(Emission layer, EML)을 포함하고, 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. An organic compound layer OL is positioned on the first electrode E1. The organic compound layer OL may be divided and disposed for each corresponding sub-pixel, or may be integrally formed widely over the entire surface of the substrate SUB. The organic compound layer (OL) is a layer that emits light by combining electrons and holes, and includes an emission layer (EML), a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron Any one or more of an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL) may be further included.
유기 화합물층(OL) 상에는, 제2 전극(E2)이 위치한다. 제2 전극(E2)은 픽셀들을 덮도록 기판(SUB)의 전면에 넓게 형성될 수 있다. 제2 전극(E2)은, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전물질로 형성될 수 있고, 광이 투과될 수 있을 정도로 얇은 두께를 갖는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 제2 전극(E2)은, 투과 전극으로 기능할 수 있다. On the organic compound layer OL, the second electrode E2 is positioned. The second electrode E2 may be formed widely on the entire surface of the substrate SUB to cover the pixels. The second electrode E2 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), and may be formed of magnesium (Mg), calcium ( Ca), aluminum (Al), silver (Ag), or alloys thereof. The second electrode E2 may function as a transmission electrode.
유기 화합물층(OL)의 내부에서 생성된 광은, 다 방향으로 방사된다. 유기발광 다이오드(OLE)의 발광 효율을 높이기 위해서는, 방사하는 광의 진행 방향을 기 설정된 일 방향(이하, 지향 방향이라 함)으로 제어할 필요가 있다. 즉, 방사하는 광의 진행 방향을 제어하기 위해 유기 화합물층(OL)을 사이에 두고 투과 전극과 반사 전극을 대향 배치할 수 있다. 본 발명에서, 제1 전극(E1)은 반사 전극으로 기능하고, 제2 전극(E2)은 투과 전극으로 기능할 수 있다. 생성된 광 중 지향 방향으로 진행하는 일부 광은 투과 전극을 통과하여 표시장치의 외부로 방출된다. 다른 일부 광은 반사 전극을 통해 지향 방향으로 방향이 전환된 후 투과 전극을 통과하여 표시장치의 외부로 방출된다. 이와 같이, 반사 전극을 더 포함하는 경우, 최초 지향 방향으로 진행하지 않는 광들의 진행 방향을 지향 방향으로 전환할 수 있기 때문에, 광 효율이 개선될 수 있다. Light generated inside the organic compound layer OL is radiated in multiple directions. In order to increase the light emitting efficiency of the organic light emitting diode (OLE), it is necessary to control the traveling direction of emitted light in one predetermined direction (hereinafter referred to as a directing direction). That is, the transmissive electrode and the reflective electrode may be disposed to face each other with the organic compound layer OL interposed therebetween in order to control the traveling direction of emitted light. In the present invention, the first electrode E1 may function as a reflective electrode, and the second electrode E2 may function as a transmissive electrode. Among the generated lights, some of the light traveling in the directing direction passes through the transmission electrode and is emitted to the outside of the display device. Some of the other light is diverted into a directing direction through the reflective electrode and then passed through the transparent electrode and emitted to the outside of the display device. In this way, when the reflective electrode is further included, light efficiency can be improved because the traveling direction of the light that does not initially travel in the directing direction can be converted into the directing direction.
다만, 도 4를 더 참조하면, 최초 지향 방향으로 진행하지 않는 광 중 일부(IL)는, 유기발광 다이오드(OLE)를 구성하는 박막층의 굴절률 차이에 의해 박막층들의 계면 사이에서 전반사를 통해 진행(wave guide)할 수 있다. 박막층들의 계면 사이에서 전반사를 통해 진행하는 광(IL)들은, 지향 방향으로 출광되지 못하고 소자 내부에 갇혀 소실되거나, 뱅크 방향으로 전파되어 뱅크(BN) 내부에서 소실될 수 있다. 이와 같이, 지향 방향으로 진행하지 못하고, 소실되는 광은 발광에 기여하지 못하기 때문에, 발광 효율을 저감시키는 큰 요인이 된다. However, further referring to FIG. 4 , some of the light (IL) that does not travel in the initial directing direction travels through total reflection between the interfaces of the thin film layers due to the difference in refractive index of the thin film layers constituting the organic light emitting diode (OLE). guide) can be provided. Light IL traveling through total reflection between the interfaces of the thin film layers may not be emitted in a directing direction and may be trapped inside the device and lost, or may be propagated in a bank direction and lost inside the bank BN. In this way, since the light that cannot travel in the directing direction and is lost does not contribute to light emission, it becomes a major factor in reducing the light emission efficiency.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시예는, 광 추출 효율을 개선하여 극한 휘도를 달성할 수 있는 신규 구조를 제안한다. Therefore, a preferred embodiment of the present invention proposes a novel structure capable of achieving extreme luminance by improving light extraction efficiency.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 6은 Fresnel equation 기반, 입사각에 따른 반사율 시뮬레이션 결과를 나타낸 것이다.5 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention. 6 shows the result of simulation of the reflectance based on the Fresnel equation and the incident angle.
도 5를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 유기발광 표시장치는 박막 트랜지스터 기판(SUB)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판(SUB) 상에는 픽셀들 각각에 할당된 박막 트랜지스터(미도시) 및 박막 트랜지스터와 연결된 유기발광 다이오드(OLE)가 배치된다. 유기발광 다이오드(OLE)는 제1 전극(E1), 제2 전극(E2), 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 사이에 개재된 유기 화합물층(OL)을 포함한다. Referring to FIG. 5 , an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention includes a thin film transistor substrate (SUB). A thin film transistor (not shown) allocated to each pixel and an organic light emitting diode OLE connected to the thin film transistor are disposed on the thin film transistor substrate SUB. The organic light emitting diode OLE includes a first electrode E1, a second electrode E2, and an organic compound layer OL interposed between the first electrode E1 and the second electrode E2.
이웃하는 픽셀들은 뱅크(BN)(또는, 픽셀 정의막)에 의해 구획될 수 있고, 각 픽셀(PXL)들의 평면 형상은 뱅크(BN)에 의해 정의될 수 있다. 따라서, 미리 설정된 평면 형상을 갖는 픽셀(PXL)들을 형성하기 위해, 뱅크(BN)의 위치 및 형상은 적절히 선택될 수 있다.Neighboring pixels may be partitioned by a bank BN (or a pixel defining layer), and a planar shape of each pixel PXL may be defined by the bank BN. Therefore, in order to form the pixels PXL having a preset planar shape, the location and shape of the bank BN can be appropriately selected.
뱅크(BN) 내부에는, 광추출 부재(EXM)가 배치된다. 광추출 부재(EXM)는, 뱅크(BN) 내부로 입사되어 발광에 기여하지 못하는 광(IL) 중 적어도 일부(EXL)의 방향을 변환하여, 지향 방향으로 추출하는 기능을 한다. 즉, 본 발명의 바람직한 실시예는, 광추출 부재(EXM)를 이용하여, 유기발광 다이오드(OLE)로부터 제공된 광이 뱅크(BN) 내부에 갇히지 않고 취출되도록 유도할 수 있다. 광추출 부재(EXM)는 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광추출 부재(EXM)는 SiO2 , SiNx, Al2O3와 같은 무기 물질을 포함할 수 있고, PI, PA, epoxy 수지와 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.Inside the bank BN, a light extracting member EXM is disposed. The light extracting member EXM functions to convert the direction of at least a part EXL of the light IL that is incident into the bank BN and does not contribute to light emission, and extracts it in the directing direction. That is, in a preferred embodiment of the present invention, the light provided from the organic light emitting diode (OLE) may be extracted without being trapped inside the bank (BN) by using the light extracting member (EXM). The light extracting member EXM may include an inorganic material or an organic material. For example, the light extracting member EXM may include an inorganic material such as SiO 2 , SiNx, and Al 2
광추출 부재(EXM)는 뱅크(BN)와 상이한 굴절률을 갖는다. 즉, 광추출 부재(EXM)의 굴절률(n2)과 뱅크의 굴절률(n1)은 서로 상이한 굴절률로 선택될 수 있다. 광추출 부재(EXM)와 뱅크(BN)의 굴절률 차이에 의해, 유기발광 다이오드(OLE)로부터 제공된 광의 진행 방향은 두 매질의 계면에서 지향 방향으로 전환된다. 이와 같이, 광추출 부재(EXM)는, 광추출 부재(EXM)와 뱅크(BN)의 굴절률 차이를 이용하여 뱅크(BN) 내부에 유입된 광을 추출하기 위한 구성이기 때문에, 뱅크(BN) 내부에 수용될 필요가 있다. The light extraction member EXM has a refractive index different from that of the bank BN. That is, the refractive index n2 of the light extraction member EXM and the refractive index n1 of the bank may be selected as different refractive indices. Due to the difference in refractive index between the light extracting member EXM and the bank BN, the traveling direction of the light provided from the organic light emitting diode OLE is converted into a directing direction at the interface between the two media. In this way, since the light extracting member EXM is configured to extract the light introduced into the bank BN by using the difference in refractive index between the light extracting member EXM and the bank BN, the inside of the bank BN need to be accommodated in
광추출 부재(EXM)는, 광이 입사되는 계면이 곡선을 이루는 반원 또는 반타원의 단면 형상을 가질 수 있다. 일 예로, 광추출 부재(EXM)는 지향 방향으로 볼록한 볼록 렌즈 단면 형상을 가질 수 있다. 또는, 광추출 부재(EXM)는, 광이 입사되는 계면이 직선을 이루는 삼각형을 포함한 다각형의 단면 형상을 가질 수 있다.The light extracting member EXM may have a semicircular or semielliptical cross-sectional shape in which an interface through which light is incident is curved. For example, the light extracting member EXM may have a cross-sectional shape of a convex lens that is convex in a directing direction. Alternatively, the light extracting member EXM may have a polygonal cross-sectional shape including a triangle in which an interface through which light is incident forms a straight line.
광추출 부재(EXM)의 굴절률(n2)은 뱅크(BN)의 굴절률(n1) 보다 작은 굴절률을 갖도록 선택될 수 있다. 이 경우, 뱅크(BN) 내부로 유입된 광은 밀한 매질에서 소한 매질로 진행하기 때문에 전반사 되어 지향 방향으로 취출될 수 있다. 전반사를 유도할 수 있도록, 즉, 뱅크(BN) 내부로 유입되는 광의 입사각이 임계각 이상의 각도가 될 수 있도록, 광이 입사되는 광추출 부재(EXM)의 계면 형상은 적절히 선택될 수 있다. 뱅크(BN) 내부로 wave guide 되는 광은 가우시안 분포를 가질 수 있는데, 광추출 부재(EXM)의 계면 형상을 결정함에 있어서 상기 입사각을 산정하기 위한 광의 진행 방향은 이에 대응하여 결정될 수 있다. 전반사율을 높이기 위해, 광추출 부재(EXM)의 굴절률(n2)과 뱅크(BN)의 굴절률(n1)은 충분히 큰 차이를 갖도록 설정될 수 있다.The refractive index n2 of the light extraction member EXM may be selected to have a smaller refractive index than the refractive index n1 of the bank BN. In this case, since the light introduced into the bank BN travels from a dense medium to a sparse medium, it can be totally reflected and taken out in a directing direction. The shape of the interface of the light extraction member EXM, through which the light is incident, may be appropriately selected so that total reflection can be induced, that is, the angle of incidence of the light introduced into the bank BN can be greater than or equal to the critical angle. Light wave-guided into the bank BN may have a Gaussian distribution, and in determining the interface shape of the light extracting member EXM, the traveling direction of the light for calculating the incident angle may be determined correspondingly. In order to increase the total reflectance, the refractive index n2 of the light extraction member EXM and the refractive index n1 of the bank BN may be set to have a sufficiently large difference.
광추출 부재(EXM)의 굴절률(n2)은 뱅크(BN)의 굴절률(n1) 보다 큰 굴절률을 갖도록 선택될 수 있다. 이 경우, 광추출 부재(EXM)의 계면과 wave guide되는 광의 진행 방향에 의해 결정되는 입사각을 제어함으로써, 광추출 부재(EXM)의 계면에서의 반사율을 향상시킬 수 있고, 이에 따라 광추출 효율을 개선할 수 있다. The refractive index n2 of the light extraction member EXM may be selected to have a higher refractive index than the refractive index n1 of the bank BN. In this case, the reflectance at the interface of the light extraction member EXM may be improved by controlling the incident angle determined by the propagation direction of the wave-guided light and the interface of the light extraction member EXM, thereby improving the light extraction efficiency. can be improved
구체적으로, 도 6은, 광추출 부재(EXM)와 뱅크(BN)의 굴절률이 정해졌을 때, 입사각을 제어함으로써, 반사율을 향상시킬 수 있음을 나타내고 있다. 입사각은 광추출 부재(EXM)의 계면 형상을 달리 설정함으로써 제어될 수 있다. 일 예로, 도 6의 (a)를 참조하면, 광추출 부재(EXM)의 굴절률이 1.7이고, 뱅크(BN)의 굴절률이 2.5일 때, 입사각을 대략 50º이상으로 제어하는 경우, 반사율이 현저히 개선됨을 알 수 있다. 또한, 반사율을 높이기 위해, 광추출 부재(EXM)의 굴절률과 뱅크(BN)의 굴절률은 충분히 큰 차이를 갖도록 설정될 수 있다. 도 6의 (a)와 (b)를 비교하여 살펴보면, 굴절률 차가 큰 도 6의 (b) 실험예의 반사율이, 굴절률 차가 상대적으로 작은 도 6의 (a) 실험예의 반사율 보다, 실험된 입사각 전 범위에서 높은 것을 알 수 있다.Specifically, FIG. 6 shows that when the refractive indices of the light extracting member EXM and the bank BN are determined, the reflectance can be improved by controlling the incident angle. The incident angle may be controlled by differently setting the interface shape of the light extracting member EXM. For example, referring to (a) of FIG. 6, when the refractive index of the light extraction member EXM is 1.7 and the refractive index of the bank BN is 2.5, when the incident angle is controlled to be approximately 50º or more, the reflectance is significantly improved. can know In addition, in order to increase the reflectance, the refractive index of the light extracting member EXM and the refractive index of the bank BN may be set to have a sufficiently large difference. Comparing (a) and (b) of FIG. 6, the reflectance of the experimental example of FIG. 6 (b) with a large refractive index difference is higher than the reflectance of the experimental example of (a) of FIG. It can be seen that the high
도 7은 광추출 부재와 다른 구조물과의 관계를 설명하기 위한 도면들이다.7 is a view for explaining the relationship between the light extracting member and other structures.
도 7의 (a)를 더 참조하면, 광추출 부재(EXM)는 제1 전극(E1)의 측면에 배치되되, 제1 전극(E1), 유기 화합물층(OL), 및 제2 전극(E2)의 두께 합(t2)보다 두꺼운 두께(t1)로 형성될 수 있다. 즉, 광추출 부재(EXM)는, 유기발광 다이오드(OLE)를 구성하는 박막층들의 계면 사이에서 전반사를 통해 뱅크(BN)를 향하여 진행(wave guide)하는 광들을 추출하는 기능을 하기 때문에, 이러한 광들의 진행 경로에 배치될 필요가 있다. 따라서, 광추출 부재(EXM)는, 제2 전극(E2) 중 뱅크(BN)의 개구부(OP) 내에 위치한 부분의 상부 표면(UP) 보다 상측으로 더 돌출되도록 형성되는 것이 바람직하다. 달리 표현하면, 광추출 부재(EXM)와 제1 전극(E1)은 절연층(IL) 상에 배치될 수 있다. 이때, 광추출 부재(EXM)의 두께(t1)는, 뱅크(BN)의 개구부(OP) 내에서 절연층(IL)의 상부 표면과 제2 전극(E2)의 상부 표면(UP) 사이의 간격 보다 두껍게 설정되는 것이 바람직하다. Referring further to (a) of FIG. 7 , the light extracting member EXM is disposed on the side of the first electrode E1, and includes the first electrode E1, the organic compound layer OL, and the second electrode E2. It may be formed with a thickness t1 thicker than the sum of thicknesses t2. That is, since the light extracting member EXM functions to extract light that wave guides toward the bank BN through total reflection between the interfaces of the thin film layers constituting the organic light emitting diode OLE, such light They need to be placed on their path. Accordingly, the light extracting member EXM is preferably formed to protrude more upward than the upper surface UP of a portion of the second electrode E2 located in the opening OP of the bank BN. In other words, the light extracting member EXM and the first electrode E1 may be disposed on the insulating layer IL. At this time, the thickness t1 of the light extraction member EXM is the distance between the upper surface of the insulating layer IL and the upper surface UP of the second electrode E2 within the opening OP of the bank BN. It is preferable to set thicker.
도 7의 (b)를 더 참조하면, 광추출 부재(EXM)는 제1 전극(E1)의 일단을 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 광추출 부재(EXM)가 유기 화합물층(OL)과 충분히 인접하여 배치되기 때문에, 뱅크(BN) 내부로 제공된 광 중 대부분이 뱅크(BN) 내에서 소실되지 않고 광추출 부재(EXM)의 계면에 입사될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예는, 광추출 부재(EXM)의 계면에 입사되는 광량을 높임으로서, 광 추출 효율을 더 효과적으로 향상시킬 수 있는 이점을 갖는다. Further referring to (b) of FIG. 7 , the light extracting member EXM may be formed to cover one end of the first electrode E1. In this case, since the light extracting member EXM is sufficiently adjacent to the organic compound layer OL, most of the light provided into the bank BN is not lost within the bank BN and the light extracting member EXM may enter the interface. In a preferred embodiment of the present invention, by increasing the amount of light incident on the interface of the light extracting member EXM, the light extraction efficiency can be improved more effectively.
이와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예는 뱅크(BN) 내부에 광 경로 변경이 가능한 광추출 부재(EXM)를 형성함으로써, 뱅크(BN) 내부에 유입되어 소실될 수 있는 광을 지향 방향으로 용이하게 추출할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 발광 효율을 현저히 개선할 수 있어, 극한 휘도를 구현할 수 있는 이점을 갖는다.In this way, a preferred embodiment of the present invention forms the light extracting member EXM capable of changing the light path inside the bank BN, so that the light that may be introduced into the bank BN and lost can be easily directed in the directing direction. can be extracted. Accordingly, the present invention has the advantage of being able to significantly improve the luminous efficiency and realize extreme luminance.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예는 뱅크(BN) 내부의 광추출 부재(EXM)를 통해 광이 추출됨에 따라, 종래 대비 발광 영역이 넓어지는 이점을 갖는다. 즉, 본 발명의 바람직한 실시예에서는, 뱅크(BN) 형성 영역에서도 광추출 부재(EXM)를 통해 발광에 기여하는 광이 취출될 수 있기 때문에, 종래와 달리 뱅크(BN) 형성 영역의 적어도 일부가 발광 영역이 될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 바람직한 실시예는, 충분한 개구율을 확보할 수 있기 때문에, 높은 PPI(Pixel Per Inch)를 갖는 고 해상도 표시장치에도 용이하게 적용될 수 있는 이점을 갖는다. 나아가, 색 시야각이 현저히 향상된 유기발광 표시장치를 제공할 수 있는 이점을 갖는다. In addition, the preferred embodiment of the present invention has the advantage of widening the light emitting area compared to the prior art as light is extracted through the light extracting member EXM inside the bank BN. That is, in a preferred embodiment of the present invention, since light contributing to light emission can be extracted through the light extracting member EXM even in the bank BN formation area, unlike the prior art, at least a part of the bank BN formation area It can be a light emitting area. Accordingly, the preferred embodiment of the present invention has an advantage that it can be easily applied to a high-resolution display device having a high PPI (Pixel Per Inch) because it can secure a sufficient aperture ratio. Furthermore, it has the advantage of being able to provide an organic light emitting display device with a remarkably improved color viewing angle.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.8 is a plan view schematically illustrating an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 유기발광 표시장치는 픽셀(PXL)들을 포함한다. 픽셀(PXL)들은 장방형, 정방형의 평면 형상을 가질 수 있음은 물론, 원형, 타원형, 다각형 등 다양한 이형(free form)의 평면 형상을 가질 수 있다. 이웃하는 픽셀(PXL)들은 뱅크(BN) 에 의해 구획될 수 있고, 각 픽셀(PXL)들의 평면 형상은 뱅크(BN)에 의해 정의될 수 있다. 따라서, 미리 설정된 평면 형상을 갖는 픽셀(PXL)들을 형성하기 위해, 뱅크(BN)의 위치 및 형상은 적절히 선택될 수 있다. Referring to FIG. 8 , an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention includes pixels PXL. The pixels PXL may have a rectangular or square planar shape, as well as various free-form planar shapes such as a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape. Neighboring pixels PXL may be partitioned by a bank BN, and a planar shape of each pixel PXL may be defined by the bank BN. Therefore, in order to form the pixels PXL having a preset planar shape, the location and shape of the bank BN can be appropriately selected.
뱅크(BN)는 개구부(OP)들을 포함하며, 각 개구부(OP)들은 픽셀(PXL)마다 할당된 제1 전극(E1)의 적어도 일부를 각각 노출한다. 즉, 뱅크(BN)는 평면상에서 바라 볼 때, 일체로 형성되되, 복수의 개구부(OP)들을 가지며, 개구부(OP)들을 통해 제1 전극(E1)의 적어도 일부를 노출시킨다. The bank BN includes openings OP, and each opening OP exposes at least a portion of the first electrode E1 allocated to each pixel PXL. That is, when viewed from a plane, the bank BN is integrally formed, has a plurality of openings OP, and exposes at least a portion of the first electrode E1 through the openings OP.
광추출 부재(EXM)는 뱅크(BN) 내측에 배치되며, 이웃하는 개구부(OP)들 사이에 위치한다. 광추출 부재(EXM)는 뱅크 형상을 따라 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이웃하는 제1 픽셀 및 제2 픽셀 사이에 배치되는 광추출 부재(EXM)와, 이웃하는 제3 픽셀 및 제4 픽셀 사이에 배치되는 광추출 부재(EXM)는, 서로 연결될 수 있다. The light extracting member EXM is disposed inside the bank BN and positioned between adjacent openings OP. The light extraction member EXM may be integrally formed along the bank shape. For example, the light extracting member EXM disposed between the neighboring first and second pixels and the light extracting member EXM disposed between the neighboring third and fourth pixels may be connected to each other. .
또는, 광추출 부재(EXM)는 필요에 따라 특정 위치에 선택적으로 배치될 수 있다. 즉, 광추출 부재(EXM)들은 소정 간격 이격되어, 도트(dot) 형태로 이웃하는 개구부들 사이에 선택적으로 배치될 수 있다. 일 예로, 이웃하는 제1 픽셀 및 제2 픽셀 사이에 배치되는 광추출 부재(EXM)와, 이웃하는 제3 픽셀 및 제4 픽셀 사이에 배치되는 광추출 부재(EXM)는, 분리되어 소정 간격 이격될 수 있다. 다른 예로, 이웃하는 제1 픽셀 및 제2 픽셀 사이에 배치되는 광추출 부재(EXM)는 복수 개로 구분될 수 있다. Alternatively, the light extracting member EXM may be selectively disposed at a specific location as needed. That is, the light extracting members EXM may be spaced apart from each other by a predetermined interval and selectively disposed between adjacent openings in a dot shape. For example, the light extracting member EXM disposed between the neighboring first and second pixels and the light extracting member EXM disposed between the neighboring third and fourth pixels are separated and separated by a predetermined interval. It can be. As another example, the number of light extracting members EXM disposed between the neighboring first and second pixels may be divided into a plurality.
복수 개의 광추출 부재(EXM)들이 상호 소정 간격 이격되어 배치됨에 따라, 뱅크 내부로 진행한 광이 반사될 수 있는 계면의 표면적이 증가할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 바람직한 실시예는 광 취출 효율을 더욱 효과적으로 개선할 수 있는 이점을 갖는다. As the plurality of light extracting members EXM are spaced apart from each other by a predetermined distance, the surface area of the interface through which light traveling into the bank can be reflected may increase. Accordingly, the preferred embodiment of the present invention has the advantage of being able to more effectively improve the light extraction efficiency.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양하게 변경 및 수정할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Through the above description, those skilled in the art will be able to make various changes and modifications without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention is not limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
SUB : 기판 T : 박막 트랜지스터
OLE : 유기발광 다이오드 E1 : 제1 전극
OL : 유기 화합물층 E2 : 제2 전극
BN : 뱅크 EXM : 광추출 부재SUB: Substrate T: Thin Film Transistor
OLE: organic light emitting diode E1: first electrode
OL: organic compound layer E2: second electrode
BN: bank EXM: light extraction member
Claims (13)
상기 픽셀들을 구획하는 뱅크; 및
상기 뱅크 내부에 수용되는 광추출 부재를 포함하고,
상기 뱅크의 굴절률과 상기 광추출 부재의 굴절률은 상이하며,
상기 발광 소자로부터 발광된 광 중 일부 광은 상기 광추출 부재의 계면에 의해 반사되어 상기 뱅크를 투과하여 상기 제 1 방향으로 진행되는 전계 발광 표시장치.
pixels having a light emitting element emitting light toward a first direction;
a bank partitioning the pixels; and
A light extracting member accommodated inside the bank,
The refractive index of the bank and the refractive index of the light extraction member are different,
Some of the light emitted from the light emitting element is reflected by the interface of the light extracting member and passes through the bank to proceed in the first direction.
상기 발광 소자는,
제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 유기 화합물층을 포함하고,
상기 광추출 부재는,
상기 제1 전극의 측면에 위치하며,
상기 광추출 부재의 최대 두께는,
상기 제1 전극, 상기 유기 화합물층, 및 상기 제2 전극의 두께 합 보다 두꺼운, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The light emitting element,
A first electrode, a second electrode, and an organic compound layer interposed between the first electrode and the second electrode,
The light extraction member,
Located on the side of the first electrode,
The maximum thickness of the light extraction member,
and thicker than the sum of the thicknesses of the first electrode, the organic compound layer, and the second electrode.
상기 발광 소자는,
제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 유기 화합물층을 포함하고,
상기 뱅크는 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출하는 개구부를 포함하며,
상기 광추출 부재는,
상기 제2 전극 중 상기 개구부 내에 위치한 부분의 상부 표면 보다 상측으로 더 돌출되는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The light emitting element,
A first electrode, a second electrode, and an organic compound layer interposed between the first electrode and the second electrode,
The bank includes an opening exposing at least a portion of the first electrode;
The light extraction member,
wherein a portion of the second electrode protrudes more upward than an upper surface of a portion positioned within the opening.
상기 발광 소자는,
제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 유기 화합물층을 포함하고,
상기 광추출 부재는,
상기 제1 전극의 일단을 덮는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The light emitting element,
A first electrode, a second electrode, and an organic compound layer interposed between the first electrode and the second electrode,
The light extraction member,
An electroluminescent display device covering one end of the first electrode.
상기 픽셀은,
제1, 제2, 제3, 및 제4 픽셀을 포함하고,
이웃하는 상기 제1 픽셀과 상기 제2 픽셀 사이에 배치된 상기 광추출 부재와, 이웃하는 상기 제3 픽셀과 상기 제4 픽셀 사이에 배치된 상기 광추출 부재는, 서로 연결되는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The pixel is
Including first, second, third, and fourth pixels,
The light extracting member disposed between the neighboring first pixel and the second pixel and the light extracting member disposed between the neighboring third pixel and the fourth pixel are connected to each other. .
상기 픽셀은,
제1, 제2, 제3, 및 제4 픽셀을 포함하고,
이웃하는 상기 제1 픽셀과 상기 제2 픽셀 사이에 배치된 상기 광추출 부재와, 이웃하는 상기 제3 픽셀과 상기 제4 픽셀 사이에 배치된 상기 광추출 부재는, 서로 구분되어 기 설정된 간격만큼 이격된, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The pixel is
Including first, second, third, and fourth pixels,
The light extracting member disposed between the neighboring first pixel and the second pixel and the light extracting member disposed between the neighboring third pixel and the fourth pixel are separated from each other and spaced apart by a predetermined interval. , an electroluminescence display.
상기 픽셀은,
제1, 제2 픽셀을 포함하고,
이웃하는 상기 제1 픽셀과 상기 제2 픽셀 사이에 배치된 상기 광추출 부재는, 서로 구분되어, 기 설정된 간격만큼 이격된, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The pixel is
Including first and second pixels,
The light extraction member disposed between the neighboring first pixel and the second pixel is separated from each other and spaced apart by a predetermined interval.
상기 광추출 부재는,
상기 발광 소자로부터 방출된 광이 입사되는 계면을 가지며,
상기 계면은 곡선을 이루는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The light extraction member,
Has an interface through which light emitted from the light emitting device is incident;
The interface is curved, the electroluminescent display device.
상기 광추출 부재는,
상기 발광 소자로부터 방출된 광이 입사되는 계면을 가지며,
상기 계면은 직선을 이루는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The light extraction member,
Has an interface through which light emitted from the light emitting device is incident;
The interface is a straight line, the electroluminescent display device.
상기 발광 소자는, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 유기 화합물층을 포함하고,
상기 유기 화합물층으로부터 발광된 광은 상기 제 2 전극을 투과하여 상기 제 1 방향을 향해 방출하는 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The light emitting element includes a first electrode, a second electrode, and an organic compound layer interposed between the first electrode and the second electrode,
The light emitted from the organic compound layer passes through the second electrode and is emitted toward the first direction.
상기 광추출 부재는 상기 제 1 방향을 향해 볼록한 렌즈 단면 형상을 가지는 전계 발광 표시장치.
According to selected one of claims 8 and 9,
The light extraction member has a lens cross-sectional shape that is convex toward the first direction.
상기 광추출 부재는 상기 개구부에 위치하는 상기 제 1 전극, 상기 제 2 전극 그리고 상기 유기 화합물층의 두께의 합 보다 두꺼운 두께로 이루어지는 전계 발광 표시장치.
According to claim 3,
The light extracting member has a thickness greater than a sum of thicknesses of the first electrode, the second electrode, and the organic compound layer disposed in the opening.
상기 광추출 부재는 장방형, 정방형, 원형, 타원형, 다각형의 평면 형상으로 이루어지는 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The light extracting member is an electroluminescent display device having a planar shape of a rectangle, a square, a circle, an ellipse, or a polygon.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170128231A KR102496170B1 (en) | 2017-09-29 | 2017-09-29 | Electroluminescence display |
| PCT/KR2018/010353 WO2019066285A2 (en) | 2017-09-29 | 2018-09-05 | Electroluminescent display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170128231A KR102496170B1 (en) | 2017-09-29 | 2017-09-29 | Electroluminescence display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190038143A KR20190038143A (en) | 2019-04-08 |
| KR102496170B1 true KR102496170B1 (en) | 2023-02-03 |
Family
ID=65903201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170128231A KR102496170B1 (en) | 2017-09-29 | 2017-09-29 | Electroluminescence display |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102496170B1 (en) |
| WO (1) | WO2019066285A2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11307450B2 (en) * | 2020-08-26 | 2022-04-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel having micro LEDs, and method for controlling display panel having micros LEDs |
| WO2022153144A1 (en) * | 2021-01-14 | 2022-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element, display device, and electronic equipment |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102036328B1 (en) * | 2013-06-07 | 2019-10-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic luminescence emitting display device and method for manufacturing the same |
| KR102086557B1 (en) * | 2013-12-31 | 2020-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting display apparatus |
| KR20150145834A (en) * | 2014-06-19 | 2015-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same |
| CN104269427B (en) * | 2014-09-05 | 2017-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of organic LED display panel and preparation method thereof, display device |
| KR102260673B1 (en) * | 2014-10-14 | 2021-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
| KR102555403B1 (en) * | 2015-06-18 | 2023-07-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Diode Panel and Flexible Display Device Using the Same |
| KR20170062786A (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic clectroluminescent device |
-
2017
- 2017-09-29 KR KR1020170128231A patent/KR102496170B1/en active IP Right Grant
-
2018
- 2018-09-05 WO PCT/KR2018/010353 patent/WO2019066285A2/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019066285A3 (en) | 2019-05-31 |
| WO2019066285A2 (en) | 2019-04-04 |
| KR20190038143A (en) | 2019-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7271212B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| KR102449131B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US11063096B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| KR102483073B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102522110B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102412455B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US10903451B2 (en) | Organic light-emitting display device and manufacturing method thereof | |
| US10665820B2 (en) | Display device | |
| KR102393788B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US11899863B2 (en) | Organic light emitting diode display device including touch sensor and manufacturing method of same | |
| US20190198805A1 (en) | Display panel and method for fabricating the same | |
| KR102496170B1 (en) | Electroluminescence display | |
| KR20190049963A (en) | Display device and method for fabricating the same | |
| KR102449772B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US11031447B2 (en) | Flexible display | |
| KR101977233B1 (en) | Reflective electrode and method for manufacturing the reflective electrode and organic light emitting display device comprising the reflective electrode | |
| KR20190079249A (en) | Organic light emitting display device having a mirror | |
| KR102409120B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102247528B1 (en) | Display device and method for fabricating the same | |
| KR102390963B1 (en) | Display device and method for fabricating the same | |
| KR102471517B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102656127B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR20210039230A (en) | Organic light emitting display device | |
| KR20210026923A (en) | Organic Light Emitting Display Device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |