KR20210039230A - Organic light emitting display device - Google Patents
Organic light emitting display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210039230A KR20210039230A KR1020190121813A KR20190121813A KR20210039230A KR 20210039230 A KR20210039230 A KR 20210039230A KR 1020190121813 A KR1020190121813 A KR 1020190121813A KR 20190121813 A KR20190121813 A KR 20190121813A KR 20210039230 A KR20210039230 A KR 20210039230A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- organic light
- light emitting
- display device
- Prior art date
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 207
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 15
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 15
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 11
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 11
- 101100513400 Arabidopsis thaliana MIK1 gene Proteins 0.000 description 10
- 101150040546 PXL1 gene Proteins 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 2
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010052143 Ocular discomfort Diseases 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L51/5203—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H01L27/3244—
-
- H01L51/5271—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H01L2251/558—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Abstract
Description
본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device.
음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 표시장치(display device)들이 개발되고 있다. 이러한 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Display device; OLED) 등으로 구현될 수 있다. Various display devices capable of reducing the weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes, are being developed. Such display devices include a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode display; OLED), etc.
이들 평판 표시장치 중에서 유기발광 다이오드 표시장치는 유기 화합물을 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시장치로, LCD에서 사용되는 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 유기 전계발광 표시장치는 저온 제작이 가능하고, 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가질 뿐 아니라 낮은 소비 전력, 넓은 시야각 및 높은 콘트라스트(Contrast) 등의 특성을 갖는다는 점에서 널리 사용되고 있다.Among these flat panel displays, the organic light-emitting diode display is a self-luminous display device that excites an organic compound to emit light, and does not require a backlight used in an LCD, so it has the advantage of not only being light-weight and thin, but also simplifying the process. . In addition, organic electroluminescent displays are widely used in that they can be manufactured at low temperatures, have a response speed of less than 1 ms, and have high-speed response speeds, as well as low power consumption, wide viewing angles, and high contrast. have.
유기발광 다이오드 표시장치는 전기 에너지를 빛 에너지로 전환하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)를 포함한다. 유기발광 다이오드는 애노드, 캐소드, 및 이들 사이에 배치되는 유기 발광층을 포함한다. 유기발광 다이오드 표시장치는, 애노드 및 캐소드로부터 각각 주입된 정공 및 전자가 발광층 내부에서 결합하여 여기자인 액시톤(exciton)을 형성하고, 형성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광하여 화상을 표시하게 된다. The organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode that converts electrical energy into light energy. The organic light emitting diode includes an anode, a cathode, and an organic light emitting layer disposed therebetween. In an organic light emitting diode display, holes and electrons injected from an anode and a cathode, respectively, are combined in an emission layer to form an exciton, an exciton, and the formed exciton is in a ground state. ) To display an image by emitting light.
최근에는, 높은 PPI(Pixel Per Inch)를 갖는 고 해상도 표시장치를 제공하기 위한 노력이 진행되고 있다. 다만, 제한된 공간 내에 많은 픽셀을 배치하는 경우, 픽셀의 크기가 작아질 수 밖에 없고, 이 경우 원하는 개구율을 확보하기 어려울 수 있다. 따라서, 고 해상도의 표시장치를 구현하면서도, 요구되는 개구율을 확보하기 위한 방안이 요구된다.Recently, efforts have been made to provide a high-resolution display device having a high PPI (Pixel Per Inch). However, when many pixels are arranged in a limited space, the size of the pixels is inevitably reduced, and in this case, it may be difficult to secure a desired aperture ratio. Accordingly, there is a need for a method for securing a required aperture ratio while implementing a high-resolution display device.
본 발명의 목적은 뱅크가 삭제된 구조를 갖는 유기발광 표시장치를 제공하는 데 있다. 특히, 본 발명의 목적은, 뱅크 삭제 구조에서, 유기 발광층이 제1 전극의 단부에서 분리되는 문제를 방지할 수 있는 유기발광 표시장치를 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device having a structure in which banks are deleted. In particular, an object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of preventing a problem in which an organic light emitting layer is separated from an end of a first electrode in a bank deletion structure.
본 발명에 따른 유기발광 표시장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 트랜지스터; 상기 트랜지스터를 덮는 평탄화막; 및 상기 평탄화막 상에 배치되며 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되는 유기 발광층을 포함하는 유기발광 다이오드를 포함하고, 상기 제1 전극은, 투명 도전물질을 포함하는 투과층; 및 상기 투과층과 상기 평탄화막 사이에 개재되며 정 테이퍼 형상을 갖는 반사층을 포함하며, 상기 유기 발광층은 상기 제1 전극의 상부 표면 및 측부 표면에 직접 접촉하고, 상기 평탄화막에 직접 접촉한다. The organic light emitting display device according to the present invention includes a substrate; A transistor disposed on the substrate; A planarization layer covering the transistor; And a first electrode disposed on the planarization layer and electrically connected to the transistor, a second electrode facing the first electrode, and an organic emission layer interposed between the first electrode and the second electrode. Including a diode, the first electrode, a transmission layer including a transparent conductive material; And a reflective layer interposed between the transmission layer and the planarization layer and having a positive taper shape, wherein the organic emission layer directly contacts an upper surface and a side surface of the first electrode, and directly contacts the planarization layer.
상기 반사층은, 상기 평탄화막에 직접 접촉할 수 있다. The reflective layer may directly contact the planarization layer.
상기 투과층은, 상기 반사층의 상부 표면을 덮으며, 상기 반사층의 측부 표면을 노출할 수 있다. The transmission layer may cover an upper surface of the reflective layer and expose a side surface of the reflective layer.
상기 투과층은, 상기 반사층의 상부 표면 상에 위치하며, 상기 반사층 보다 좁은 면적을 가질 수 있다. The transmission layer is positioned on the upper surface of the reflective layer and may have a narrower area than the reflective layer.
상기 투과층의 단부는, 상기 반사층의 단부로부터 상기 반사층의 중심을 향하여 소정 간격 이격되어 위치하는, 유기발광 표시장치.An end portion of the transmission layer is positioned at a predetermined distance from the end portion of the reflective layer toward the center of the reflective layer.
상기 제1 전극의 단부는, 계단 형상의 단면 형상을 가질 수 있다. The end of the first electrode may have a stepped cross-sectional shape.
상기 투과층은 상기 반사층의 상부 표면 및 측부 표면을 덮도록 연장되고, 상기 투과층의 단부는 상기 평탄화막에 직접 접촉할 수 있다. The transmission layer may extend to cover an upper surface and a side surface of the reflective layer, and an end portion of the transmission layer may directly contact the planarization layer.
상기 반사층의 두께는, 상기 투과층의 두께 보다 두꺼울 수 있다. The thickness of the reflective layer may be thicker than the thickness of the transmission layer.
상기 반사층은 1000~2000Å의 두께를 갖고, 상기 투과층은 50~150Å의 두께를 가질 수 있다. The reflective layer may have a thickness of 1000 to 2000 Å, and the transmission layer may have a thickness of 50 to 150 Å.
상기 제1 전극은 반사 전극이고, 상기 제2 전극은 투과 전극일 수 있다.The first electrode may be a reflective electrode, and the second electrode may be a transmissive electrode.
본 발명에 따른 표시장치는, 종래 이웃하는 픽셀들을 구획하기 위해 형성하였던 뱅크(또는, 픽셀 정의막)를 삭제한 구조를 갖는다. 따라서, 뱅크를 형성하기 위한 공정 추가에 따른 공정 시간, 공정 비용을 저감할 수 있고, 공정 불량을 저감할 수 있어 공정 수율을 현저히 향상시킬 수 있는 이점을 갖는다.The display device according to the present invention has a structure in which a bank (or a pixel defining layer), which is conventionally formed to partition neighboring pixels, is deleted. Therefore, it is possible to reduce the process time and process cost according to the addition of a process for forming a bank, and it has the advantage of remarkably improving the process yield by reducing process defects.
본 발명에 따른 표시장치는, 뱅크 삭제 구조에서 특정 형상의 제1 전극을 형성함으로써, 유기 발광층이 제1 전극의 단부에서 분리되어 제1 전극 및 제2 전극 간 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 양질의 유기발광 표시장치를 제공할 수 있는 이점을 갖는다. In the display device according to the present invention, by forming the first electrode of a specific shape in the bank deletion structure, the organic emission layer is separated from the end of the first electrode, thereby preventing a short circuit between the first electrode and the second electrode. . Accordingly, it has an advantage of providing a high-quality organic light emitting display device.
도 1은 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 효과를 비교 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 전극의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1 전극의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 비교예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 것으로, 본 발명의 효과를 비교 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예와 종래 기술을 비교 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 변형예에 따른 유기 발광층의 형상을 설명하기 위한 도면이다.1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting diode display.
FIG. 2 is a schematic diagram of a pixel illustrated in FIG. 1.
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a comparison of the effects of the present invention.
5 is a view for explaining a shape of a first electrode according to an embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining a shape of a first electrode according to another embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining a shape of a first electrode according to another embodiment of the present invention.
8 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to a comparative example, and is a diagram for explaining and comparing the effects of the present invention.
9 is a view for explaining a comparison between the preferred embodiment of the present invention and the prior art.
10 is a view for explaining a shape of an organic light emitting layer according to a modified example of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 여러 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 구성요소에 대하여는 서두에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The same reference numbers throughout the specification mean substantially the same constituent elements. In the following description, when it is determined that a detailed description of a known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted. In describing various embodiments, the same components are representatively described at the beginning and may be omitted in other embodiments.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers such as first and second may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component.
도 1은 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다. 도 2는 도 1에 도시된 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting diode display. FIG. 2 is a schematic diagram of a pixel illustrated in FIG. 1.
도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치(10)는 디스플레이 구동 회로, 표시 패널(DIS)을 포함한다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting
디스플레이 구동 회로는 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(14) 및 타이밍 콘트롤러(16)를 포함하여 입력 영상의 비디오 데이터전압을 표시 패널(DIS)의 픽셀들에 기입한다. 데이터 구동회로(12)는 타이밍 콘트롤러(16)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생한다. 데이터 구동회로(12)로부터 출력된 데이터전압은 데이터 배선들(D1~Dm)에 공급된다. 게이트 구동회로(14)는 데이터전압에 동기되는 게이트 신호를 게이트 배선들(G1~Gn)에 순차적으로 공급하여 데이터 전압이 기입되는 표시 패널(DIS)의 픽셀들을 선택한다.The display driving circuit includes the
타이밍 콘트롤러(16)는 호스트 시스템(19)으로부터 입력되는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력받아 데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(14)의 동작 타이밍을 동기시킨다. 데이터 구동회로(12)를 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호는 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 게이트 구동회로(14)를 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock, GSC), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다.The
호스트 시스템(19)은 텔레비젼 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(19)은 스케일러(scaler)를 내장한 SoC(System on chip)을 포함하여 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시 패널(DIS)에 표시하기에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템(19)은 디지털 비디오 데이터와 함께 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, MCLK)을 타이밍 콘트롤러(16)로 전송한다.The
표시 패널(DIS)은 픽셀 어레이를 포함한다. 픽셀 어레이는 데이터 배선들(D1~Dm, m은 양의 정수)과 게이트 배선들(G1~Gn, n은 양의 정수)에 의해 정의된 픽셀들을 포함한다. 픽셀들 각각은 자발광 소자인 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, 이하 OLED라 함)를 포함한다.The display panel DIS includes a pixel array. The pixel array includes pixels defined by data lines (D1 to Dm, where m is a positive integer) and gate lines (G1 to Gn, where n is a positive integer). Each of the pixels includes an organic light emitting diode (Organic Light Emitting Diode, hereinafter referred to as OLED), which is a self-luminous device.
도 2를 더 참조하면, 표시 패널(DIS)에는 다수의 데이터 배선들(D)과, 다수의 게이트 배선들(G)이 교차되고, 이 교차영역마다 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된다. 픽셀 각각은 OLED, OLED에 흐르는 전류량을 제어하는 구동 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT라 함)(DT), 구동 TFT(DT)의 게이트-소스간 전압을 셋팅하기 위한 프로그래밍부(SC)를 포함한다.Referring further to FIG. 2, a plurality of data lines D and a plurality of gate lines G cross the display panel DIS, and pixels are arranged in a matrix form in each of the crossing areas. Each pixel includes a driving thin film transistor (DT) that controls the amount of current flowing through the OLED and the OLED, and a programming unit (SC) for setting the gate-source voltage of the driving TFT (DT). Includes.
프로그래밍부(SC)는 적어도 하나 이상의 스위치 TFT와, 적어도 하나 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 스위치 TFT는 게이트 배선(G)으로부터의 게이트 신호에 응답하여 턴 온 됨으로써, 데이터 배선(D)으로부터의 데이터전압을 스토리지 커패시터의 일측 전극에 인가한다. 구동 TFT(DT)는 스토리지 커패시터에 충전된 전압의 크기에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절한다. OLED의 발광량은 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 전류량에 비례한다. 이러한 픽셀은 고전위 전압원(Evdd)과 저전위 전압원(Evss)에 연결되어, 도시하지 않은 전원 발생부로부터 각각 고전위 전원 전압과 저전위 전원 전압을 공급받는다. 픽셀을 구성하는 TFT들은 p 타입으로 구현되거나 또는, n 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 픽셀을 구성하는 TFT들의 반도체층은, 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 또는, 산화물을 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체층이 산화물을 포함하는 경우를 예로 들어 설명한다. OLED는 애노드(ANO), 캐소드(CAT), 및 애노드(ANO)과 캐소드(CAT) 사이에 개재된 유기 화합물층을 포함한다. 애노드(ANO)은 구동 TFT(DT)와 접속된다.The programming unit SC may include at least one switch TFT and at least one storage capacitor. The switch TFT is turned on in response to a gate signal from the gate wiring G, thereby applying a data voltage from the data wiring D to one electrode of the storage capacitor. The driving TFT (DT) controls the amount of light emitted by the OLED by controlling the amount of current supplied to the OLED according to the magnitude of the voltage charged in the storage capacitor. The amount of light emitted by the OLED is proportional to the amount of current supplied from the driving TFT (DT). These pixels are connected to a high-potential voltage source Evdd and a low-potential voltage source Evss, and receive a high-potential power supply voltage and a low-potential power supply voltage, respectively, from a power generator (not shown). The TFTs constituting the pixel may be implemented as a p type or may be implemented as an n type. In addition, the semiconductor layer of the TFTs constituting the pixel may include amorphous silicon, polysilicon, or oxide. Hereinafter, a case where the semiconductor layer contains an oxide will be described as an example. The OLED includes an anode (ANO), a cathode (CAT), and an organic compound layer interposed between the anode (ANO) and the cathode (CAT). The anode ANO is connected to the driving TFT DT.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 4는 본 발명의 효과를 비교 설명하기 위한 도면이다. 3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 4 is a view for explaining a comparison of the effects of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치는, 상호 대향하는 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2)을 포함하는 표시 패널을 포함한다. 표시 패널은 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 사이에 개재된 필러층(FL)을 더 포함할 수 있다. 필러층(FL)은 다수의 필러(filler)들을 포함할 수 있다. 필러층(FL)은 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 사이의 셀 갭을 유지하기 위해 마련될 수 있다.Referring to FIG. 3, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel including a first substrate SUB1 and a second substrate SUB2 facing each other. The display panel may further include a filler layer FL interposed between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. The filler layer FL may include a plurality of fillers. The filler layer FL may be provided to maintain a cell gap between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2.
제1 기판(SUB1)은 박막 트랜지스터(T) 및 유기발광 다이오드(OLE)가 배치된 픽셀들을 갖는 박막 트랜지스터 어레이 기판일 수 있다. 제2 기판(SUB2)은 컬러 필터가 형성된 컬러 필터 기판일 수 있다. 제2 기판(SUB2)은 봉지(encapsulation) 기판으로써 기능할 수 있다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 실런트(SL)(sealant)를 통해 합착될 수 있다. 실런트(SL)는 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)의 가장자리에 배치되어, 소정의 합착 간격을 유지하는 역할을 할 수 있다. The first substrate SUB1 may be a thin film transistor array substrate having pixels on which the thin film transistor T and the organic light emitting diode OLE are disposed. The second substrate SUB2 may be a color filter substrate on which a color filter is formed. The second substrate SUB2 may function as an encapsulation substrate. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 may be bonded together through a sealant SL. The sealant SL may be disposed at the edges of the first and second substrates SUB1 and SUB2 to maintain a predetermined bonding interval.
제1 기판(SUB1)은 유리(glass) 또는 플라스틱(plastic) 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(SUB1)은 PI(Polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate) 등의 플라스틱 재질로 형성되어, 유연한(flexible) 특성을 가질 수 있다. The first substrate SUB1 may be made of glass or plastic. For example, the first substrate SUB1 may be formed of a plastic material such as polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polycarbonate (PC), and may have flexible characteristics.
제1 기판(SUB1) 상에는, 박막 트랜지스터(T) 및 박막 트랜지스터(T)와 연결된 유기발광 다이오드(OLE)가 형성된다. 제1 기판(SUB1)과 박막 트랜지스터(T) 사이에는, 광차단층(LS) 및 버퍼층(BUF)이 형성될 수 있다. 광차단층(LS)은 박막 트랜지스터(T)의 반도체층 특히, 채널(channel)에 중첩되도록 배치되어, 외부광으로부터 산화물 반도체 소자를 보호하는 역할을 한다. 버퍼층(BUF)은 제1 기판(SUB1)으로부터 확산되는 이온이나 불순물을 차단하고, 외부의 수분 침투를 차단하는 역할을 한다. On the first substrate SUB1, a thin film transistor T and an organic light emitting diode OLE connected to the thin film transistor T are formed. A light blocking layer LS and a buffer layer BUF may be formed between the first substrate SUB1 and the thin film transistor T. The light blocking layer LS is disposed to overlap the semiconductor layer of the thin film transistor T, particularly a channel, and serves to protect the oxide semiconductor device from external light. The buffer layer BUF blocks ions or impurities diffused from the first substrate SUB1 and serves to block external moisture penetration.
박막 트랜지스터(T)는, 반도체층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스/드레인 전극(SE, DE)을 포함한다. The thin film transistor T includes a semiconductor layer ACT, a gate electrode GE, and source/drain electrodes SE and DE.
반도체층(ACT) 위에는 게이트 절연막(GI) 및 게이트 전극(GE)이 배치된다. 게이트 절연막(GI)은 게이트 전극(GE)을 절연시키는 것으로, 실리콘 산화막(SiOx)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 게이트 전극(GE)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고, 반도체층(ACT)과 중첩하도록 배치된다. 게이트 전극(GE)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금의 단층이나 다층으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(GI)과 게이트 전극(GE)은 동일 마스크를 이용하여 패턴될 수 있으며, 이 경우, 게이트 절연막(GI)과 게이트 전극(GE)은 동일 면적을 가질 수 있다. 도시하지는 않았으나, 게이트 절연막(GI)은 제1 기판(SUB1) 전체 표면을 덮도록 형성될 수 있다. A gate insulating layer GI and a gate electrode GE are disposed on the semiconductor layer ACT. The gate insulating layer GI insulates the gate electrode GE, and may be formed of a silicon oxide layer SiOx, but is not limited thereto. The gate electrode GE is disposed to overlap the semiconductor layer ACT with the gate insulating layer GI interposed therebetween. The gate electrode GE is copper (Cu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), tantalum (Ta). And tungsten (W), or a single layer or multiple layers of an alloy thereof. The gate insulating layer GI and the gate electrode GE may be patterned using the same mask. In this case, the gate insulating layer GI and the gate electrode GE may have the same area. Although not shown, the gate insulating layer GI may be formed to cover the entire surface of the first substrate SUB1.
게이트 전극(GE) 위에는 층간 절연막(IN)이 배치된다. 층간 절연막(IN)은 게이트 전극(GE)과 소스/드레인 전극(SE, DE)을 상호 절연시키는 것으로, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. An interlayer insulating layer IN is disposed on the gate electrode GE. The interlayer insulating layer IN is to mutually insulate the gate electrode GE and the source/drain electrodes SE and DE, and may be formed of a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is limited thereto. It is not.
층간 절연막(IN) 위에는 소스/드레인 전극(SE, DE)이 배치된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 소정 간격 이격되어 배치된다. 소스 전극(SE)은 층간 절연막(IN)을 관통하는 소스 콘택홀을 통해 반도체층(ACT)의 일측에 접촉한다. 드레인 전극(DE)은 층간 절연막(IN)을 관통하는 드레인 콘택홀을 통해 반도체층(ACT)의 타측에 접촉한다.Source/drain electrodes SE and DE are disposed on the interlayer insulating layer IN. The source electrode SE and the drain electrode DE are disposed to be spaced apart from each other by a predetermined interval. The source electrode SE contacts one side of the semiconductor layer ACT through a source contact hole penetrating the interlayer insulating layer IN. The drain electrode DE contacts the other side of the semiconductor layer ACT through a drain contact hole penetrating the interlayer insulating layer IN.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 단일층 또는 다층으로 이루어질 수 있으며, 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 다층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴, 몰리브덴/알루미늄, 티타늄/알루미늄, 또는 구리/몰리티타늄의 2중층이거나 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴, 티타늄/알루미늄/티타늄, 또는 몰리티타늄/구리/몰리티타늄의 3중층으로 이루어질 수 있다.The source electrode SE and the drain electrode DE may be formed of a single layer or multiple layers. In the case of a single layer, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), It may be made of any one selected from the group consisting of nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu), or an alloy thereof. In addition, when the source electrode (SE) and the drain electrode (DE) are multi-layered, molybdenum/aluminum-neodymium, molybdenum/aluminum, titanium/aluminum, or a double layer of copper/molitanium or molybdenum/aluminum-neodymium/molybdenum, molybdenum /Aluminum/Molybdenum, Titanium/Aluminum/Titanium, or Molytitanium/Copper/Moleitanium may be formed of a triple layer.
박막 트랜지스터(T)의 구조는 도시된 구조에 한정되지 않으며, 바텀 게이트(bottom gate), 탑 게이트(top gate), 더블 게이트(double gate) 구조 등 다양한 방식의 구조로 구현될 수도 있다.The structure of the thin film transistor T is not limited to the illustrated structure, and may be implemented in various types of structures such as a bottom gate, a top gate, and a double gate structure.
스토리지 커패시터(Cst)는 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 커패시터 전극이 중첩된 3중 구조로 형성될 수 있고, 필요에 따라서 다양한 복수의 층으로 구현될 수 있다.As illustrated, the storage capacitor Cst may be formed in a triple structure in which first to third capacitor electrodes are overlapped, and may be implemented as a plurality of various layers as needed.
박막 트랜지스터(T) 상에 패시베이션막(PAS)이 위치한다. 패시베이션막(PAS)은 박막 트랜지스터(T)를 보호하는 것으로 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다. A passivation film PAS is positioned on the thin film transistor T. The passivation layer PAS protects the thin film transistor T and may be formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or multiple layers thereof.
패시베이션막(PAS) 상에 평탄화막(OC)이 위치한다. 평탄화막(OC)은 하부의 단차를 평탄화하는 것으로, 포토아크릴(photo acryl), 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene resin), 아크릴레이트계 수지(acrylate) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. A planarization layer OC is positioned on the passivation layer PAS. The planarization film (OC) is for flattening the steps at the bottom, and can be made of organic materials such as photo acryl, polyimide, benzocyclobutene resin, and acrylate. have.
평탄화막(OC) 상에 유기발광 다이오드(OLE)가 위치한다. 유기발광 다이오드(OLE)는 제1 전극(E1), 유기 발광층(OL) 및 제2 전극(E2)을 포함한다. 제1 전극(E1)은 애노드일 수 있고, 제2 전극(E2)는 캐소드일 수 있다. An organic light emitting diode OLE is positioned on the planarization layer OC. The organic light emitting diode OLE includes a first electrode E1, an organic emission layer OL, and a second electrode E2. The first electrode E1 may be an anode, and the second electrode E2 may be a cathode.
보다 자세하게, 평탄화막(OC) 상에 제1 전극(E1)가 위치한다. 제1 전극(E1)는 패시베이션막(PAS)과 평탄화막(OC)를 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(SE)에 접속된다. 제1 전극(E1)은 픽셀 당 하나씩 할당될 수 있다. In more detail, the first electrode E1 is positioned on the planarization layer OC. The first electrode E1 is connected to the source electrode SE of the thin film transistor T through a contact hole penetrating the passivation layer PAS and the planarization layer OC. One first electrode E1 may be allocated per pixel.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 상부 발광 방식(Top emission type)으로 구현 되기 때문에, 제1 전극(E1)는 반사층(RL)을 포함하여 반사 전극으로 기능할 수 있다. 즉, 상부 발광 방식 유기발광 표시장치의 경우, 발광 효율을 개선하기 위해, 유기발광 다이오드(OLE)에서 생성되어 다 방향으로 방사하는 광의 진행 방향을 기 설정된 일 방향(또는, 지향 방향)으로 제어할 필요가 있다. 상부 발광 방식 유기발광 표시장치에서 지향 방향은 제2 기판(SUB2)을 향하는 방향일 수 있다. 따라서, 제1 전극(E1)은 반사 전극으로서 기능할 필요가 있다.Since the organic light emitting display device according to the preferred embodiment of the present invention is implemented in a top emission type, the first electrode E1 may function as a reflective electrode including the reflective layer RL. That is, in the case of the top emission type organic light emitting display device, in order to improve the luminous efficiency, the propagation direction of light generated by the organic light emitting diode (OLE) and radiated in multiple directions is controlled in one preset direction (or direction). There is a need. In the top emission type organic light emitting display device, the directing direction may be a direction toward the second substrate SUB2. Therefore, the first electrode E1 needs to function as a reflective electrode.
제1 전극(E1)는 반사층(RL)을 포함한 다층으로 이루어질 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해, 제1 전극(E1)이 반사층(RL)을 포함한 이중층으로 형성된 경우를 예로 들어 설명한다. 예를 들어, 제1 전극(E1)은 반사층(RL) 및 투과층(TL)을 포함할 수 있다. 여기서, 반사층(RL)과 투과층(TL)은 모두 도전성을 갖는 도전 물질로 형성될 수 있다. The first electrode E1 may be formed of multiple layers including the reflective layer RL. Hereinafter, for convenience of description, a case in which the first electrode E1 is formed of a double layer including the reflective layer RL will be described as an example. For example, the first electrode E1 may include a reflective layer RL and a transmissive layer TL. Here, both the reflective layer RL and the transmissive layer TL may be formed of a conductive material having conductivity.
반사층(RL)은 반사율이 우수한 도전 물질(또는, 반사 도전 물질)을 포함할 수 있다. 반사층(RL)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 APC(은/팔라듐/구리 합금)으로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 반사층(RL)은 제1 전극(E1)을 구성하는 층들 중 가장 하부에 위치할 수 있다. 즉, 반사층(RL)은 평탄화막(OC) 상부 표면에 직접 접촉되는 층일 수 있다. The reflective layer RL may include a conductive material (or reflective conductive material) having excellent reflectivity. The reflective layer RL may be made of aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), nickel (Ni), or an alloy thereof, and preferably made of APC (silver/palladium/copper alloy). However, it is not limited thereto. The reflective layer RL may be positioned at the bottom of the layers constituting the first electrode E1. That is, the reflective layer RL may be a layer that directly contacts the upper surface of the planarization layer OC.
반사층(RL)은 기 설정된 제1 두께를 갖도록 마련된다. 바람직하게, 반사층(RL)의 두께는 1000~2000Å일 수 있다. 반사층(RL)의 단면 형상은 정 테이퍼 형상을 갖는다.The reflective layer RL is provided to have a predetermined first thickness. Preferably, the thickness of the reflective layer RL may be 1000 Å to 2000 Å. The cross-sectional shape of the reflective layer RL has a positive taper shape.
투과층(TL)은 반사층(RL) 상에 위치할 수 있다. 투과층(TL)은, ITO(Indium Tin Oxide) IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전물질로 형성될 수 있다. 투과층(TL)은 기 설정된 일함수를 맞추기 위해 마련되는 층으로, 실질적인 애노드 전극으로 기능할 수 있다. The transmission layer TL may be positioned on the reflective layer RL. The transmission layer TL may be formed of a transparent conductive material such as Indium Tin Oxide (ITO) Indium Zinc Oxide (IZO). The transmission layer TL is a layer provided to meet a preset work function, and may function as a practical anode electrode.
투과층(TL)은 기 설정된 제2 두께를 갖도록 마련된다. 제2 두께는 제1 두께보다 작게 설정된다. 바람직하게, 투과층(TL)의 두께는 50~150Å일 수 있다. 제1 전극(E1)이 제 기능을 수행할 수 있는 총 두께를 가정할 때, 제1 전극(E1)의 총 두께는 반사층(RL)의 제1 두께와 투과층(TL)제2 두께의 합일 수 있고, 여기서 제2 두께는 제1 두께보다 얇게 설정될 수 있다. The transmission layer TL is provided to have a preset second thickness. The second thickness is set smaller than the first thickness. Preferably, the thickness of the transmission layer TL may be 50 Å to 150 Å. Assuming the total thickness at which the first electrode E1 can perform its function, the total thickness of the first electrode E1 is the sum of the first thickness of the reflective layer RL and the second thickness of the transmission layer TL. In this case, the second thickness may be set to be thinner than the first thickness.
투과층(TL)의 단면 형상은 정 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 투과층은 상대적으로 매우 얇게 형성되기 때문에, 단부가 테이퍼 형상을 가지지 않을 수 있다. 투과층(TL)은 상대적으로 매우 얇게 형성되기 때문에, 단부가 적어도 역 테이퍼 형상을 가지지 않을 수 있다. The cross-sectional shape of the transmission layer TL may have a positive taper shape. Since the transmission layer is formed relatively very thin, the end may not have a tapered shape. Since the transmission layer TL is formed relatively very thin, the end portion may not have at least an inverted tapered shape.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표시장치는, 종래 이웃하는 픽셀들을 구획하기 위해 마련된 뱅크(또는, 픽셀 정의막)을 형성하지 않는다. 즉, 도 9를 참조하면, 종래에는 이웃하는 픽셀들(PXL1, PXL2) 사이에 픽셀들(PXL1, PXL2)을 구획하기 위한 뱅크(BN)가 마련되었다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예에서는, 이웃하는 픽셀들(PXL1, PXL2) 사이에 픽셀들(PXL1, PXL2)을 구획하기 위한 뱅크(BN)를 생략한다. 따라서, 뱅크를 형성하기 위한 공정 추가에 따른 공정 시간, 공정 비용을 저감할 수 있고, 공정 불량을 저감할 수 있어 공정 수율을 현저히 향상시킬 수 있는 이점을 갖는다.The display device according to the exemplary embodiment of the present invention does not form a bank (or a pixel defining layer) provided to partition neighboring pixels in the related art. That is, referring to FIG. 9, in the related art, a bank BN for partitioning the pixels PXL1 and PXL2 between neighboring pixels PXL1 and PXL2 is provided. However, in the preferred embodiment of the present invention, the bank BN for partitioning the pixels PXL1 and PXL2 between neighboring pixels PXL1 and PXL2 is omitted. Therefore, it is possible to reduce the process time and process cost according to the addition of a process for forming a bank, and it has the advantage of remarkably improving the process yield by reducing process defects.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예는, 뱅크가 생략된 구조를 갖기 때문에, 뱅크를 평탄화막(OC) 상의 특정 위치에 정렬(align)하기 위한 추가 공정이 요구되지 않는다. 높은 PPI(Pixel Per Inch)를 갖는 고 해상도 표시장치일수록 뱅크의 폭이 상대적으로 줄어들기 때문에 정확한 정렬이 용이하지 않음에 비추어 볼 때, 본 발명은 공정 수율을 현저히 개선할 수 있고, 뱅크 오정렬에 따른 화질 특성 저하를 방지할 수 있는 이점을 갖는다.Further, in the preferred embodiment of the present invention, since the bank has a structure in which the bank is omitted, an additional process for aligning the bank to a specific position on the planarization film OC is not required. In view of the fact that accurate alignment is not easy because the width of the bank is relatively reduced in a high-resolution display device having a high PPI (Pixel Per Inch), the present invention can significantly improve the process yield, It has an advantage of preventing deterioration of image quality characteristics.
또한, 일반적으로 뱅크는 제1 전극(E1)의 단부를 덮도록 형성된다. 따라서, 뱅크가 덮는 제1 전극(E1)의 일부는 비발광 영역으로 할당되기 때문에, 그 면적만큼 개구율이 줄어든다. 본 발명의 바람직한 실시예는, 뱅크가 생략된 구조를 갖기 때문에, 충분한 개구율을 확보할 수 있는 이점을 갖는다. Also, in general, the bank is formed to cover the end of the first electrode E1. Accordingly, since a part of the first electrode E1 covered by the bank is allocated as a non-emission area, the aperture ratio is reduced by the area. A preferred embodiment of the present invention has an advantage of ensuring a sufficient aperture ratio because the bank has a structure in which the bank is omitted.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표시장치는 투명 표시장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 픽셀은 발광 영역(EA) 및 투과 영역(TA)을 포함할 수 있다. 발광 영역(EA)은 입력 영상을 구현하기 위한 광이 방출되는 영역으로 정의될 수 있다. 투과 영역(TA)은 사용자가 표시장치의 배면에 위치하는 사물 등을 인식할 수 있도록 외광이 투과되는 영역으로 정의될 수 있다. 이와 같은 투과 영역(TA)에 뱅크가 배치되는 경우, 해당 부분을 투과하는 광이 노르스름(yellowish)한 색감을 띠게 되어 사용자에게 시각적으로 불편함을 줄 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예는 뱅크가 생략된 구조를 갖기 때문에, 양질의 투명 표시장치를 제공할 수 있는 이점을 갖는다. 나아가, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표시장치는, 투과 영역(TA)에서 평탄화막(OC)을 제거함으로써, 투과도를 더욱 개선할 수 있다. Also, the display device according to the preferred embodiment of the present invention may be implemented as a transparent display device. For example, the pixel may include a light emitting area EA and a transmissive area TA. The emission area EA may be defined as an area in which light for implementing an input image is emitted. The transmissive area TA may be defined as an area through which external light is transmitted so that a user can recognize an object or the like located on the rear surface of the display device. When the bank is disposed in the transmissive area TA, the light passing through the corresponding portion has a yellowish color, which may cause visual discomfort to the user. The preferred embodiment of the present invention has an advantage of providing a high-quality transparent display device because the bank is omitted. Further, in the display device according to an exemplary embodiment of the present invention, the transmittance may be further improved by removing the planarization layer OC from the transmission area TA.
제1 전극(E1) 상에 유기 발광층(OL)이 위치한다. 유기 발광층(OL)은 제1 기판(SUB1)의 전면에 넓게 형성될 수 있다. 유기 발광층(OL)은 전자와 정공이 결합하여 발광하는 층으로, 발광층(Emission layer, EML)을 포함하고, 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 유기 발광층(OL)은 백색광을 발생할 수 있고, 컬러 필터와의 조합 구조에 의해 특정 색을 구현할 수 있다. The organic emission layer OL is positioned on the first electrode E1. The organic emission layer OL may be widely formed on the entire surface of the first substrate SUB1. The organic emission layer (OL) is a layer that emits light by combining electrons and holes, and includes an emission layer (EML), a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and electrons. Any one or more of an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL) may be further included. The organic emission layer OL may generate white light, and may implement a specific color by a combination structure with a color filter.
유기 발광층(OL)은 제1 전극(E1)의 표면 형상을 따라 제1 전극(E1)을 완전히 덮도록 형성된다. 유기 발광층(OL)은 제1 전극(E1)의 측부 표면 및 상부 표면 모두에 직접 접촉된다. 유기 발광층(OL)은 제1 전극(E1)이 위치하지 않는 영역에서, 평탄화막(OC)과 직접 접촉된다. 후술하겠으나, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 뱅크가 삭제된 구조를 갖기 때문에, 유기 발광층(OL)과 제1 전극(E1)이 중첩하는 영역에서 유기 발광층(OL)과 제1 전극(E1) 사이에 개재되는 층은 없으며, 유기 발광층(OL)과 제1 전극(E1)이 중첩하지 않는 영역에서 유기 발광층(OL)과 평탄화막(OC) 사이에 개재되는 층은 없게 된다. The organic emission layer OL is formed to completely cover the first electrode E1 along the surface shape of the first electrode E1. The organic emission layer OL directly contacts both the side surface and the upper surface of the first electrode E1. The organic emission layer OL directly contacts the planarization layer OC in a region where the first electrode E1 is not located. Although described later, since the organic light emitting display device according to the preferred embodiment of the present invention has a structure in which banks are deleted, the organic light emitting layer OL and the first electrode E1 overlap each other in a region where the organic light emitting layer OL and the first electrode E1 overlap. There is no layer interposed between the electrodes E1, and there is no layer interposed between the organic emission layer OL and the planarization layer OC in a region where the organic emission layer OL and the first electrode E1 do not overlap.
유기 발광층(OL)은 제1 전극(E1)의 측부 표면 및 상부 표면을 덮도록 길게 연장되며, 분리되지 않고 연속성을 유지할 수 있다. 즉, 제1 전극(E1)의 반사층(RL)과 투과층(TL)은 적어도 역 테이퍼 형상을 갖지 않기 때문에, 유기 발광층(OL)은 제1 전극(E1)에 의해 분리됨이 없이 전 영역에서 연속성을 유지할 수 있다.The organic emission layer OL may be elongated to cover the side surface and the upper surface of the first electrode E1, and may maintain continuity without being separated. That is, since the reflective layer RL and the transmissive layer TL of the first electrode E1 do not have at least an inverse taper shape, the organic emission layer OL is not separated by the first electrode E1 and has continuity in all areas. Can be maintained.
도 4를 참조하면, 제1 전극(E1)의 단부가 역 테이퍼 형상을 갖는 경우, 유기 발광층(OL)은 제1 전극(E1)의 단부에 대응되는 영역에서 연속성을 갖지 못하고 분리될 수 있다. 이 경우, 유기 발광층(OL)이 분리된 영역에서, 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2)이 쇼트(short)되는 불량이 발생할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예는, 기 설정된 형상 및/또는 기 설정된 두께를 갖도록 제1 전극(E1)을 형성함으로써, 유기 발광층이 분리되지 않도록 할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 바람직한 실시예는, 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)이 쇼트됨에 따라 해당 픽셀이 암점화되는 불량을 방지할 수 있다. Referring to FIG. 4, when the end of the first electrode E1 has an inverse taper shape, the organic emission layer OL may not have continuity and may be separated in a region corresponding to the end of the first electrode E1. In this case, a defect may occur in which the first electrode E1 and the second electrode E2 are shorted in the area where the organic emission layer OL is separated. In a preferred embodiment of the present invention, by forming the first electrode E1 to have a preset shape and/or a preset thickness, the organic emission layer may not be separated. Accordingly, according to a preferred embodiment of the present invention, a defect in which a corresponding pixel is darkened due to the short circuit of the first electrode E1 and the second electrode E2 can be prevented.
유기 발광층(OL) 상에 제2 전극(E2)가 위치한다. 제2 전극(E2)는 제1 기판(SUB1)의 전면에 넓게 형성될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표시장치는 상부 발광 방식으로 구현되기 때문에, 제2 전극(E2)은 투과 전극으로서 기능할 수 있다. 제2 전극(E2)는, ITO(Indium Tin Oxide) IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전물질로 형성될 수 있고, 광이 투과될 수 있을 정도로 얇은 두께를 갖는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The second electrode E2 is positioned on the organic emission layer OL. The second electrode E2 may be widely formed on the entire surface of the first substrate SUB1. Since the display device according to the preferred embodiment of the present invention is implemented in a top emission type, the second electrode E2 may function as a transmissive electrode. The second electrode E2 may be formed of a transparent conductive material such as Indium Tin Oxide (ITO) Indium Zinc Oxide (IZO), and may be formed of magnesium (Mg) or calcium (Ca) having a thickness thin enough to transmit light. ), aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(E2) 상에는, 캡핑층 및 차단층이 순차적으로 배치될 수 있다. 캡핑층은 색 시야각을 보상하기 위한 층일 수 있다. 차단층은 유기발광 다이오드(OLE)로 수분 및 이물이 유입되는 것을 차단하기 위한 층일 수 있다. 차단층은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx)과 같은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 캡핑층과 차단층은 복수의 픽셀들을 덮도록 기판 전면에 넓게 형성될 수 있다. Although not shown, a capping layer and a blocking layer may be sequentially disposed on the second electrode E2. The capping layer may be a layer for compensating for a color viewing angle. The blocking layer may be a layer for blocking moisture and foreign matter from flowing into the organic light emitting diode OLE. The blocking layer may be made of an inorganic material such as a silicon oxide layer (SiOx) or a silicon nitride layer (SiNx). The capping layer and the blocking layer may be widely formed on the entire surface of the substrate to cover the plurality of pixels.
제2 기판(SUB2) 상에는, 블랙 매트릭스(BM) 및 컬러 필터(CF)가 형성된다. 제2 기판(SUB2) 상에서, 블랙 매트릭스(BM)와 컬러 필터(CF)의 적층 순서는 변경될 수 있다. 즉, 블랙 매트릭스(BM)이 형성된 후 컬러 필터(CF)가 형성될 수 있고, 컬러 필터(CF)가 형성된 후 블랙 매트릭스(BM)이 형성될 수도 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 이웃하는 픽셀들 사이에서 혼색 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 적어도 발광 영역을 노출하도록, 비 발광 영역에 배치될 수 있다. On the second substrate SUB2, a black matrix BM and a color filter CF are formed. On the second substrate SUB2, the stacking order of the black matrix BM and the color filter CF may be changed. That is, the color filter CF may be formed after the black matrix BM is formed, and the black matrix BM may be formed after the color filter CF is formed. The black matrix BM may prevent color mixture defects from occurring between neighboring pixels. The black matrix BM may be disposed in the non-emission area to expose at least the emission area.
컬러 필터(CF)는 적색(R), 청색(B) 및 녹색(G) 컬러 필터(CF)를 포함할 수 있다. 픽셀은 적색(R), 청색(B) 및 녹색(G)을 발광하는 픽셀들을 포함할 수 있고, 컬러 필터(CF)는 대응되는 픽셀들 각각에 할당될 수 있다. 적색(R), 청색(B) 및 녹색(G) 컬러 필터(CF)들은 블랙 매트릭스(BM)에 의해 구획될 수 있다. 필요에 따라서, 픽셀은 백색(W) 픽셀을 더 포함할 수 있다.The color filter CF may include red (R), blue (B), and green (G) color filters CF. The pixel may include pixels that emit red (R), blue (B), and green (G), and a color filter CF may be allocated to each of the corresponding pixels. The red (R), blue (B) and green (G) color filters CF may be partitioned by a black matrix BM. If necessary, the pixel may further include a white (W) pixel.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극의 형상을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a view for explaining a shape of a first electrode according to an embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 제1 전극(E1)은 평탄화막(OC) 상에 순차적으로 적층된 반사층(RL) 및 투과층(TL)을 포함할 수 있다. 투과층(TL)은 반사층(RL)의 상부 표면을 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 투과층(TL)은 반사층(RL)의 상부 표면과 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다. 투과층(TL)은 반사층(RL)의 측부 표면을 노출할 수 있다. Referring to FIG. 5, the first electrode E1 may include a reflective layer RL and a transmissive layer TL sequentially stacked on the planarization layer OC. The transmission layer TL may be formed to cover the upper surface of the reflective layer RL. That is, the transmission layer TL may have substantially the same area as the upper surface of the reflective layer RL. The transmission layer TL may expose a side surface of the reflective layer RL.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 전극의 형상을 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a shape of a first electrode according to another embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 제1 전극(E1)은 평탄화막(OC) 상에 순차적으로 적층된 반사층(RL) 및 투과층(TL)을 포함할 수 있다. 투과층(TL)은 반사층(RL)의 상부 표면의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 투과층(TL)은 반사층(RL)의 상부 표면 상에 위치하되, 반사층(RL)의 내측에 위치할 수 있다. 예를 들어, 투과층(TL)은 반사층(RL)의 상부 표면에 위치하되, 반사층(RL)의 면적보다 좁은 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 투과층(TL)의 단부는 반사층(RL)의 단부로부터 반사층(RL)의 중심부를 향하여 소정 간격(G) 이격되어 위치할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(E1)의 단부가 계단 형태로 형성될 수 있기 때문에, 제1 전극(E1)의 단부에서 급격한 단차가 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 바람직한 실시예는, 유기 발광층(OL)이 제1 전극(E1)의 단부 단차에 의해, 분리되는 불량을 방지할 수 있다. Referring to FIG. 6, the first electrode E1 may include a reflective layer RL and a transmissive layer TL sequentially stacked on the planarization layer OC. The transmission layer TL may be formed to cover a part of the upper surface of the reflective layer RL. That is, the transmission layer TL is located on the upper surface of the reflective layer RL, but may be located inside the reflective layer RL. For example, the transmission layer TL is located on the upper surface of the reflective layer RL, but may have an area smaller than the area of the reflective layer RL. For example, the end of the transmission layer TL may be positioned at a predetermined distance G from the end of the reflective layer RL toward the center of the reflective layer RL. In this case, since the end of the first electrode E1 may be formed in a step shape, a sharp step may not be formed at the end of the first electrode E1. Accordingly, according to a preferred embodiment of the present invention, it is possible to prevent a defect in which the organic emission layer OL is separated by an end step of the first electrode E1.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1 전극의 형상을 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining a shape of a first electrode according to another embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 제1 전극(E1)은 평탄화막(OC) 상에 순차적으로 적층된 반사층(RL) 및 투과층(TL)을 포함할 수 있다. 투과층(TL)은 반사층(RL)의 상부 표면 및 측부 표면을 덮도록 형성될 수 있다. 투과층(TL)은 반사층(RL)을 완전히 덮도록 길게 연장될 수 있고, 그 단부가 평탄화막(OC) 상에 직접 접촉될 수 있다. 전술한 바와 같이, 투과층(TL)은 실질적으로 애노드 전극으로서 기능하는 층이기 때문에, 투과층(TL)이 차지하는 면적이 발광 영역에 대응할 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예는 투과층(TL)을 상대적으로 길게 형성함으로써, 상대적으로 넓은 발광 영역을 확보할 수 있다.Referring to FIG. 7, the first electrode E1 may include a reflective layer RL and a transmissive layer TL sequentially stacked on the planarization layer OC. The transmission layer TL may be formed to cover the upper and side surfaces of the reflective layer RL. The transmission layer TL may extend long to completely cover the reflective layer RL, and an end thereof may directly contact the planarization layer OC. As described above, since the transmission layer TL is a layer that substantially functions as an anode electrode, the area occupied by the transmission layer TL may correspond to the light emitting area. Accordingly, in a preferred embodiment of the present invention, by forming the transmission layer TL relatively long, a relatively wide light emitting area can be secured.
<비교예><Comparative Example>
도 8은 비교예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 것으로, 본 발명의 효과를 비교 설명하기 위한 도면이다. 8 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to a comparative example, and is a diagram for comparing and explaining the effects of the present invention.
도 8을 참조하면, 비교예에 따른 유기발광 표시장치는 하부 발광 방식(Top emission type)으로 구현될 수 있다. Referring to FIG. 8, the organic light emitting display device according to the comparative example may be implemented in a top emission type.
구체적으로, 비교예에 따른 유기발광 표시장치는 박막 트랜지스터 기판(SUB)을 포함한다. 박막 트랜지스터 기판(SUB) 상에는, 픽셀들 각각에 할당된 박막 트랜지스터(T), 및 박막 트랜지스터(T)와 연결된 유기발광 다이오드(OLE)가 배치된다. Specifically, the organic light emitting display device according to the comparative example includes a thin film transistor substrate SUB. On the thin film transistor substrate SUB, a thin film transistor T allocated to each of the pixels and an organic light emitting diode OLE connected to the thin film transistor T are disposed.
하부 발광형 유기발광 표시장치의 경우, 발광 효율을 개선하기 위해, 유기발광 다이오드(OLE)에서 생성되어 다 방향으로 방사하는 광의 진행 방향을 기 설정된 일 방향(또는, 지향 방향)으로 제어할 필요가 있다. 하부 발광형 유기발광 표시장치에서 지향 방향은 박막 트랜지스터 기판(SUB)을 향하는 방향일 수 있다. 이를 위해, 제1 전극(E1)은 투과 전극으로 기능하고, 제2 전극(E2)은 반사 전극으로서 기능할 필요가 있다. 따라서, 제1 전극은 ITO와 같은 투명 도전물질로 형성되고, 제2 전극(E2)은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금과 같은 금속 물질로 형성될 수 있다. In the case of a bottom-emission type organic light-emitting display device, in order to improve the luminous efficiency, it is necessary to control the propagation direction of light generated by the organic light-emitting diode (OLE) and radiated in multiple directions in one preset direction (or direction). have. In the bottom emission type organic light emitting display device, the directional direction may be a direction toward the thin film transistor substrate SUB. To this end, the first electrode E1 needs to function as a transmissive electrode, and the second electrode E2 needs to function as a reflective electrode. Therefore, the first electrode is formed of a transparent conductive material such as ITO, and the second electrode E2 is a metal material such as magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof. It can be formed as
이와 같은 구조에서, 제1 전극은, 제1 전극을 구성하는 ITO와 평탄화막을 구성하는 유기 물질 간의 반응 매커니즘에 의해, 평탄화막 상에서 역 테이퍼(taper) 형상을 갖도록 형성된다. 예를 들어, 제1 전극을 형성하기 위한 ITO 패턴 시, ITO와 평탄화막을 구성하는 유기 물질 간 접착성(adhesion) 문제에 기인하여, 습식 식각(wet etch) 진행 시 유기 물질 상부(유기 물질과 ITO 간 계면)에서 먼저 식각 반응이 일어남에 따라, ITO가 역테이퍼 형상을 가질 수 있다. In such a structure, the first electrode is formed to have a reverse taper shape on the planarization film by a reaction mechanism between the ITO constituting the first electrode and the organic material constituting the planarization film. For example, in the case of ITO pattern for forming the first electrode, due to the problem of adhesion between the ITO and the organic material constituting the planarization layer, the top of the organic material (organic material and ITO Inter-interface), as the etching reaction occurs first, the ITO may have an inverted tapered shape.
전술한 바와 같이, 제1 전극(E1)의 단부가 역 테이퍼 형상을 갖는 경우, 유기 발광층(OL)은 제1 전극(E1)의 단부에 대응되는 영역에서 연속성을 갖지 못하고 분리될 수 있다. 이 경우, 유기 발광층(OL)이 분리된 영역에서, 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2)이 쇼트(short)되는 불량이 발생할 수 있다. As described above, when the end of the first electrode E1 has an inverse taper shape, the organic emission layer OL may not have continuity and may be separated in a region corresponding to the end of the first electrode E1. In this case, a defect may occur in which the first electrode E1 and the second electrode E2 are shorted in the area where the organic emission layer OL is separated.
제1 전극(E1)의 단부가 역테이퍼 형상을 갖지 않도록 하기 위해, 제1 전극(E1)을 구성하는 ITO를 얇게 형성하는 방법을 고려해 볼 수 있다. 다만, 제1 전극(E1)이 제 기능을 하기 위해서는 1000Å 이상의 두께를 확보할 필요가 있기 때문에, 단순히 제1 전극(E1)의 두께를 얇게 형성하여 상기 목적을 달성하기에는 어려움이 있다. In order to prevent the end of the first electrode E1 from having an inverted tapered shape, a method of thinly forming the ITO constituting the first electrode E1 may be considered. However, since it is necessary to secure a thickness of 1000 Å or more in order for the first electrode E1 to function properly, it is difficult to achieve the above object by simply forming a thin thickness of the first electrode E1.
상기 불량을 방지하기 위한 다른 방법으로, 도시된 바와 같이, 제1 전극(E1)의 단부를 덮는 테이퍼 형상의 뱅크(BN)를 추가 형성할 수 있다. 뱅크(BN)가 역 테이퍼 형상을 갖는 제1 전극(E1)의 단부를 덮고 있기 때문에, 이후 형성되는 유기 발광층(OL)이 제1 전극(E1)의 단부에 의해 분리되는 불량이 방지될 수 있다. 다만, 이 경우, 제1 전극(E1)의 단부가 뱅크(BN)에 의해 차폐되기 때문에, 그 차폐 면적(OV)만큼 개구율이 줄어든다. 따라서, 고 해상도 표시장치에서 요구되는 개구율을 확보하기 어려운 문제가 있다. As another method for preventing the defect, as shown, a tapered bank BN covering the end of the first electrode E1 may be additionally formed. Since the bank BN covers the end of the first electrode E1 having an inverse taper shape, a defect in which the organic light emitting layer OL formed later is separated by the end of the first electrode E1 can be prevented. . However, in this case, since the end of the first electrode E1 is shielded by the bank BN, the aperture ratio is reduced by the shielding area OV. Therefore, there is a problem in that it is difficult to secure an aperture ratio required in a high-resolution display device.
이에 비하여, 본 발명의 바람직한 실시예는, 제1 전극(E1)을 반사층(RL, 도 3) 및 투과층(TL, 도 3)을 포함하도록 구성하되, 금속 물질을 포함하는 반사층(RL, 도 3)을 평탄화막에 직접 접하는 층으로 설정할 수 있다. 이에 따라, 반사층(RL, 도 3)을 정 테이퍼를 갖도록 형성할 수 있기 때문에, 유기 발광층(OL)이 분리됨에 따라 발생하는 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2) 간의 쇼트 문제를 방지할 수 있다.In contrast, in a preferred embodiment of the present invention, the first electrode E1 is configured to include a reflective layer (RL, FIG. 3) and a transmission layer (TL, FIG. 3), but the reflective layer (RL, FIG. 3) can be set as a layer in direct contact with the planarization film. Accordingly, since the reflective layer RL (FIG. 3) can be formed to have a positive taper, a short-circuit problem between the first electrode E1 and the second electrode E2 caused by the separation of the organic emission layer OL is prevented. can do.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예는 뱅크(BN)를 추가 형성할 필요가 없기 때문에, 제한된 공간 내에서 충분한 개구율을 확보할 수 있다. 이에 따라, 고 해상도 표시장치에서도 요구되는 개구율을 충분히 확보할 수 있기 때문에, 양질의 고 해상도 표시장치를 구현할 수 있다.Further, in the preferred embodiment of the present invention, since there is no need to additionally form the banks BN, a sufficient aperture ratio can be secured within a limited space. Accordingly, since a required aperture ratio can be sufficiently secured even in a high-resolution display device, a high-quality high-resolution display device can be implemented.
<변형예><modification example>
도 10은 본 발명의 변형예에 따른 유기 발광층의 형상을 설명하기 위한 도면이다. 10 is a view for explaining a shape of an organic light emitting layer according to a modified example of the present invention.
도 10의 (a)를 참조하면, 상기 본 발명의 실시예에서 설명한 바와 같이, 유기 발광층(OL)은 이웃하는 픽셀들(PXL1, PXL2)에 배치된 제1 전극들(E1)을 덮도록 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(OL)은, 복수의 픽셀들(PXL1, PXL2)을 동시에 노출하는 하나의 개구부를 갖는 오픈 마스크(open mask)를 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광층(OL)은 복수의 제1 전극(E1)들을 덮는 하나의 층으로 구현될 수 있다. Referring to FIG. 10A, as described in the embodiment of the present invention, the organic emission layer OL is integrated so as to cover the first electrodes E1 disposed on the neighboring pixels PXL1 and PXL2. It can be formed as For example, the organic emission layer OL may be formed through an open mask having one opening for simultaneously exposing the plurality of pixels PXL1 and PXL2. Accordingly, the organic emission layer OL may be implemented as one layer covering the plurality of first electrodes E1.
또한, 도 10의 (b)를 참조하면, 본 발명의 변형예에 따른 유기 발광층(OL)은 픽셀 당 하나씩 할당될 수 있다. 즉, 유기 발광층(OL)은 픽셀(PXL1, PXL2) 마다 하나씩 배치될 수 있고, 이웃한 픽셀들(PXL1, PXL2)에 각각 배치된 유기 발광층(OL)들은 서로 분리되어 접촉되지 않을 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(OL)은, 각 픽셀들(PXL1, PXL2)을 각각 노출하는 복수 개의 개구부들을 갖는 FMM(fine metal mask) 마스크를 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광층(OL)들은 픽셀(PXL1, PXL2) 당 하나씩 할당될 수 있고, 서로 분리될 수 있다. 이 경우에도, 유기 발광층(OL)은 대응하는 픽셀에 형성된 제1 전극(E1)을 덮도록 형성될 수 있고, 전술한 바와 같이 제1 전극(E1)에 의해 분리되지 않을 수 있다. Further, referring to FIG. 10B, the organic emission layer OL according to the modified example of the present invention may be allocated one per pixel. That is, the organic emission layer OL may be disposed one by one for each pixel PXL1 and PXL2, and the organic emission layers OL disposed on the adjacent pixels PXL1 and PXL2 may be separated from each other and may not contact each other. For example, the organic emission layer OL may be formed through a fine metal mask (FMM) mask having a plurality of openings each exposing each of the pixels PXL1 and PXL2. Accordingly, the organic emission layers OL may be allocated one per pixel PXL1 and PXL2, and may be separated from each other. Even in this case, the organic emission layer OL may be formed to cover the first electrode E1 formed in the corresponding pixel, and may not be separated by the first electrode E1 as described above.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양하게 변경 및 수정할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Through the above description, those skilled in the art will be able to variously change and modify without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the content described in the detailed description of the specification, but should be determined by the claims.
SUB1 : 제1 기판
SUB2 : 제2 기판
T : 트랜지스터
OLE : 유기발광 다이오드
E1 : 제1 전극
TL : 투과층
RL : 반사층
OL : 유기 발광층
E2 : 제2 전극
CF : 컬러 필터SUB1: first substrate SUB2: second substrate
T: Transistor OLE: Organic light-emitting diode
E1: first electrode TL: transmission layer
RL: reflective layer OL: organic light-emitting layer
E2: second electrode CF: color filter
Claims (10)
상기 기판 상에 배치되는 트랜지스터;
상기 트랜지스터를 덮는 평탄화막; 및
상기 평탄화막 상에 배치되며 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되는 유기 발광층을 포함하는 유기발광 다이오드를 포함하고,
상기 제1 전극은,
투명 도전물질을 포함하는 투과층; 및
상기 투과층과 상기 평탄화막 사이에 개재되며, 정 테이퍼 형상을 갖는 반사층을 포함하며,
상기 유기 발광층은,
상기 제1 전극의 상부 표면 및 측부 표면에 직접 접촉하고, 상기 평탄화막에 직접 접촉하는, 유기발광 표시장치.
Board;
A transistor disposed on the substrate;
A planarization layer covering the transistor; And
An organic light emitting diode comprising a first electrode disposed on the planarization layer and electrically connected to the transistor, a second electrode facing the first electrode, and an organic light emitting layer interposed between the first electrode and the second electrode Including,
The first electrode,
A transmission layer including a transparent conductive material; And
It is interposed between the transmission layer and the planarization film, and includes a reflective layer having a positive taper shape,
The organic emission layer,
The organic light-emitting display device, wherein the first electrode directly contacts an upper surface and a side surface of the first electrode and directly contacts the planarization layer.
상기 반사층은,
상기 평탄화막에 직접 접촉하는, 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
The reflective layer,
The organic light emitting display device directly contacting the planarization layer.
상기 투과층은,
상기 반사층의 상부 표면을 덮으며, 상기 반사층의 측부 표면을 노출하는, 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
The transmission layer,
Covering an upper surface of the reflective layer and exposing a side surface of the reflective layer.
상기 투과층은,
상기 반사층의 상부 표면 상에 위치하며, 상기 반사층 보다 좁은 면적을 갖는, 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
The transmission layer,
The organic light emitting display device is positioned on the upper surface of the reflective layer and has a smaller area than the reflective layer.
상기 투과층의 단부는,
상기 반사층의 단부로부터 상기 반사층의 중심을 향하여 소정 간격 이격되어 위치하는, 유기발광 표시장치.
The method of claim 4,
The end of the transmission layer,
The organic light-emitting display device, wherein a predetermined distance is spaced apart from the end of the reflective layer toward the center of the reflective layer.
상기 제1 전극의 단부는,
계단 형상의 단면 형상을 갖는, 유기발광 표시장치.
The method of claim 4,
The end of the first electrode,
An organic light emitting display device having a stepped cross-sectional shape.
상기 투과층은,
상기 반사층의 상부 표면 및 측부 표면을 덮도록 연장되고,
상기 투과층의 단부는,
상기 평탄화막에 직접 접촉하는, 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
The transmission layer,
Extending to cover the upper and side surfaces of the reflective layer,
The end of the transmission layer,
The organic light emitting display device directly contacting the planarization layer.
상기 반사층의 두께는,
상기 투과층의 두께 보다 두꺼운, 유기발광 표시장치.
The method of claim 1,
The thickness of the reflective layer is,
An organic light emitting display device that is thicker than the thickness of the transmission layer.
상기 반사층은,
1000~2000Å의 두께를 갖고,
상기 투과층은,
50~150Å의 두께를 갖는, 유기발광 표시장치.
The method of claim 8,
The reflective layer,
It has a thickness of 1000 to 2000Å,
The transmission layer,
An organic light emitting display device having a thickness of 50 to 150Å.
상기 제1 전극은 반사 전극이고,
상기 제2 전극은 투과 전극인, 유기발광 표시장치.The method of claim 1,
The first electrode is a reflective electrode,
The second electrode is a transmissive electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190121813A KR20210039230A (en) | 2019-10-01 | 2019-10-01 | Organic light emitting display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190121813A KR20210039230A (en) | 2019-10-01 | 2019-10-01 | Organic light emitting display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210039230A true KR20210039230A (en) | 2021-04-09 |
Family
ID=75444298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190121813A KR20210039230A (en) | 2019-10-01 | 2019-10-01 | Organic light emitting display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20210039230A (en) |
-
2019
- 2019-10-01 KR KR1020190121813A patent/KR20210039230A/en active IP Right Grant
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102382487B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102349784B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US10692958B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102387344B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102498288B1 (en) | Organic light emitting display device and manufacturing method there of | |
| KR102423799B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US10971700B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR102392503B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102433353B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102568932B1 (en) | Electroluminescence display | |
| CN109037275B (en) | Organic light emitting diode display device | |
| KR20210039230A (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102656127B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR20210038182A (en) | Organic light emitting display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |