KR102489207B1 - 반도체공정시스템 및 반도체공정장치 내 공기막 형성장치 - Google Patents

반도체공정시스템 및 반도체공정장치 내 공기막 형성장치 Download PDF

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Abstract

일 실시예는, 공정대상물이 적재되는 풉(FOUP: Front Opening Unified Pod); 상기 풉을 지지하고, 상기 풉 내부공간으로 N2를 퍼지시키는 로드포트모듈; 개구부를 통해 상기 풉과 연통되고 상기 공정대상물이 내부공간으로 이송되면 상기 공정대상물에 대한 공정처리를 혹은 이송처리를 수행하는 공정장치; 및 상기 개구부 방향으로 초음파들을 출력하고 상기 초음파들의 간섭을 이용하여 상기 개구부 상에 공기막을 형성시키는 공기막 형성장치를 포함하는 반도체 공정시스템을 제공한다.

Description

반도체공정시스템 및 반도체공정장치 내 공기막 형성장치{SEMICONDUCTOR PROCESS SYSTEM AND AIR LAYER FORMING DEVICE IN SEMICONDUCTOR PROCESS DEVICE}
본 실시예는 반도체 공정 기술에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 처리는 청정도가 높은 클린룸 내에서 진행되지만, 이보다 더 높은 청정도를 제공하기 위해 풉(FOUP: Front Opening Unified Pod)이라는 장치에 반도체 웨이퍼들이 적재될 수 있다.
풉에 적재된 반도체 웨이퍼들은 이송장치에 의해 순차적으로 반도체공정장치로 전달된다. 예를 들어, 풉은 로드포트모듈이라는 장치의 스테이지 상에 위치하는데, 로딩(loading) 상태에서 풉의 일측이 로드포트모듈의 도어와 밀접하게 되고, 로드포트모듈의 도어가 개방되면서 풉 내에 적재된 반도체 웨이퍼들이 순차적으로 이송되게 된다.
한편, 풉 내의 청정도를 더 높이기 위해, 풉 내부를 N2(질소) 퍼지할 수 있는 로드포트모듈이 개발되고 있으며, 기존 로드포트모듈은 N2 퍼지가 가능한 버전으로 개조되고 있다.
N2 퍼지는 로드포트모듈의 도어가 개방된 상태에서 진행될 수 있는데, 이때, 반도체공정장치 내에서의 기류가 풉 내부로 들어와 난류를 형성하고 N2 퍼지의 효율을 저하시키는 문제가 발생할 수 있다.
이러한 배경에서, 본 실시예의 목적은, 일 측면에서, 반도체공정장치 내의 기류가 풉 내부에서의 N2 퍼지에 영향을 미치지 못하도록 하는 반도체 공정시스템 기술을 제공하는 것이다. 다른 측면에서, 본 실시예의 목적은, 풉과 반도체공정장치 사이에 공기막을 형성시켜 두 장치의 기류를 서로 분리시키는 기술을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 실시예는, 공정대상물이 적재되는 풉(FOUP: Front Opening Unified Pod); 상기 풉을 지지하고, 상기 풉 내부공간으로 N2를 퍼지시키는 로드포트모듈; 개구부를 통해 상기 풉과 연통되고 상기 공정대상물이 내부공간으로 이송되면 상기 공정대상물에 대한 공정처리를 혹은 이송처리를 수행하는 공정장치; 및 상기 개구부 방향으로 초음파들을 출력하고 상기 초음파들의 간섭을 이용하여 상기 개구부 상에 공기막을 형성시키는 공기막 형성장치를 포함하는 반도체 공정시스템을 제공한다.
상기 풉의 도어가 개방되어 상기 풉과 상기 공정장치가 연통될 때, 상기 공기막에 의해 상기 풉 내부와 상기 공정장치 내부의 기류가 서로 분리될 수 있다.
상기 초음파들은 상기 개구부 상에서 직진성을 가질 수 있다.
다른 실시예는, 풉(FOUP: Front Opening Unified Pod)과 연통되는 공정장치 개구부의 외곽에서 서로 이격되도록 배치되고, 각각이 상기 개구부 방향으로 초음파를 출력하는 복수의 초음파출력모듈들; 및 초음파들이 상기 개구부 위치에서 서로 간섭되면서 상기 개구부 상에 공기막을 형성하도록 상기 복수의 초음파출력모듈들을 제어하는 제어부를 포함하는 반도체공정장치 내 공기막 형성장치를 제공한다.
상기 제어부는, 상기 풉에 N2 퍼지가 진행되는 동안, 상기 개구부 상에 상기 공기막이 형성되어 상기 풉 내부와 상기 공정장치 내부의 기류가 서로 분리되도록 상기 복수의 초음파출력모듈들을 제어할 수 있다.
상기 복수의 초음파출력모듈들은, 상기 개구부의 일측 외곽에서 일방향의 이격거리가 서로 동일하게 배치될 수 있다.
상기 제어부는, 상기 초음파들의 간섭 위치를 제어하여 상기 공기막의 움직임을 제어할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 실시예에 의하면, 반도체공정장치 내의 기류가 풉 내부에서의 N2 퍼지에 영향을 미치지 못하도록 할 수 있다. 그리고, 본 실시예에 의하면, 풉과 반도체공정장치 사이에 공기막을 형성시켜 두 장치의 기류를 서로 분리시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 반도체공정시스템의 구성도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 반도체공정시스템의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 공기막 형성장치의 구성 및 초음파 파형을 나타내는 도면이다.
도 4는 일 실시예에 따른 공기막 형성장치가 공기막의 움직임을 제어하는 것을 나타내는 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 공기막 형성장치가 초음파의 주파수를 제어하는 것을 나타내는 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 초음파출력모듈부가 두 개로 나뉘어져 있는 예시를 나타내는 도면이다.
도 7은 일 실시예에 따른 반도체공정시스템에서의 신호/데이터 흐름을 나타내는 도면이다.
도 8은 일 실시예에 따른 초음파출력모듈의 배치 형태를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 반도체공정시스템의 구성도이다. 그리고, 도 2는 일 실시예에 따른 반도체공정시스템의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체공정시스템(100)은 풉(110), 반도체공정장치(120), 로드포트모듈(130) 및 공기막 형성장치(140) 등을 포함할 수 있다.
로드포트모듈(130)은 바닥면으로부터 수직방향으로 기립하면서 배치될 수 있다. 로드포트모듈(130) 내에는 도어(132) 및 스테이지(134)의 이동을 제어하는 제어장치가 내장될 수 있다.
로드포트모듈(130)의 바디 프레임에서 전면 방향으로 돌출되도록 스테이지(134)가 배치될 수 있다. 스테이지(134)는 주평면이 바닥면과 나란하게 형성될 수 있다. 스테이지(134)는 상측으로 위치하는 풉을 지지하고 고정시키며, 풉을 도어(132) 방향과 반대방향으로 이동시킬 수 있다.
스테이지(134)의 이동에 따라 그 상측에 위치하는 풉이 도어(132)에 접근할 수 있으며, 풉이 도어(132)에 접근하면 도어(132)가 개방되면서 풉에 적재된 반도체 웨이퍼 등의 공정대상물(10)이 반도체공정장치(120)로 이송될 수 있다.
스테이지(134)에는 복수의 구분핀이 상측면으로부터 돌출되도록 형성될 수 있다. 구분핀은 풉의 종류를 인식하는 기능을 수행할 수 있다. 로드포트모듈(130)은 복수의 구분핀 중 풉과 접촉하거나 풉에 의해 눌려지는 핀을 확인하고 그 핀들의 위치에 따라 풉의 종류를 인식할 수 있다.
스테이지(134)에는 풉을 클램프시킬 수 있는 클램프구조물이 형성되어 있을 수 있다. 고정핀은 풉을 바닥면과 나란한 평면, 다시 말해, 스테이지(134)의 상측면과 나란한 평면에서의 이동을 제한하는 구조물이라면, 클램프구조물은 풉의 상하 방향 이동을 제한하는 구조물일 수 있다. 클램프구조물은 로드포트모듈(130)의 종류에 따라 돌출되어 있을 수도 있고 함몰되어 있을 수도 있다.
스테이지(134)에는 N2 퍼지 연결구가 형성되어 있을 수 있다. N2 퍼지 연결구는 풉과 연결되면서 풉 내로 N2를 주입시킬 수 있다.
도어(132)는 도어 프레임에 의해 둘러싸여 있고, 상하 방향으로 이동하면서 개폐될 수 있다.
도어(132)에는 복수의 구조물들이 배치되어 있을 수 있다.
도어(132)에는 좌측과 우측으로 래치키가 배치되어 있을 수 있다. 래치키는 눌림에 의해 외부 장치와의 접촉을 인식할 수 있는데, 풉이 이동하면서 래치키를 누르게 되면, 로드포트모듈(130)은 풉이 이동하면서 도어(132)에 접촉하고 있다는 것을 인식할 수 있다. 래치키는 단방향으로 긴 막대형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 래치키는 상하방향으로 긴 막대형태를 가질 수도 있고, 좌우방향으로 긴 막대형태를 가질 수 있다.
도어(132)에는 석션핀이 배치되고 석션핀을 통해 진공 상태 형성을 위한 공기 흡입(석션)이 진행될 수 있다. 석션핀은 도어(132)에서 특정 위치에 고정되어 있을 수 있다.
도어(132)에는 감지센서 등이 내장되어 있는 센서부분이 있을 수 있다. 센서부분에 풉 등이 접근하면 로드포트모듈(130)은 감지센서를 통해를 이를 인식할 수 있다.
반도체공정장치(120)는 EFEM(Equiment Front End Module)일 수 있고, 트랜스퍼모듈일 수 있고, 반도체공정챔버일 수 있다. 경우에 따라서는 EFEM이 로드포트모듈이나 풉을 포함하는 장치로 정의할 수도 있으나 여기에서는 로드포트모듈과 풉을 제외한 나머지 부분의 장치로 이해될 수 있다.
EFEM이나 트팬스퍼모듈은 풉으로부터 공정대상물(10)을 전달받아 내부공간에 일시적으로 체류시킨 후 다시 반도체공정챔버로 공정대상물(10)을 이송시킬 수 있다.
EFEM이나 트팬스퍼모듈은 공정대상물(10)이 이동하는 내부공간의 청정도를 높게 유지하기 위해 팬필터유닛과 같은 기류 발생장치를 포함할 수 있다.
팬필터유닛은 팬과 필터, 그리고, 히터 등을 포함할 수 있는데, 팬필터유닛은 필터를 통해 유해물질이 걸러진 공기를 내부공간으로 공급할 수 있고, 또한, 히터를 통해 낮은 습도의 공기를 내부공간으로 공급할 수 있다.
팬필터유닛은 팬을 통해 기류를 발생시키기 때문에, 도어(132)의 개방에 따라 풉(110)과 반도체공정장치(120)가 연통되어 있는 상태에서는 기류가 풉(110)에 영향을 미칠 수 있다.
이러한 영향을 차단하기 위해, 반도체공정시스템(100)은 공기막 형성장치(140)를 포함할 수 있다.
풉(110)은 반도체공정장치(120)에 형성되는 개구부(142)를 통해 반도체공정장치(120)와 연통될 수 있다. 공기막 형성장치(140)는 이러한 개구부(142) 상에 공기막(142)을 형성시켜 풉(110) 내의 기류(113)와 반도체공정장치(120) 내의 기류(123)를 분리시킬 수 있다.
로드포트모듈(130)은 풉(110)을 지지하고 있으면서, 풉(110)의 내부공간(111)으로 N2를 퍼지시킬 수 있다. 그리고, 이러한 N2 퍼지에 의해 풉 내부공간(111)에 제1기류(113)가 형성될 수 있다. 제1기류(113)는 풉 내부공간(111)에서 이동하면서 개구부(143) 방향으로 흘러갈 수 있는데, 이때, 개구부(143) 상에 형성되는 공기막(142)에 의해 다시 풉 내부공간(111)으로 유도될 수 있다.
반도체공정장치(120)는 팬필터유닛과 같은 기류형성장치(122)를 포함할 수 있다. 기류형성장치(122)는 반도체공정장치(120)의 내부공간(121)에 제2기류(123)를 형성시킬 수 있다. 제2기류(123)는 주로 중력방향으로 형성될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
반도체공정장치(120)는 풉 내부공간(111)에 적재되는 공정대상물(10)을 반도체공정장치 내부공간(121)으로 이송시킬 수 있는데, 이러한 이송을 위해 로드포트모듈(130)은 도어(132)를 개방상태로 유지시킬 수 있다.
도어(132)가 개방된 상태에서 풉 내부공간(111)에 형성되는 제1기류(113)와 반도체공장치 내부공간(121)에 형성되는 제2기류(123)를 분리시키기 위해 공기막 형성장치(140)는 개구부(143) 상에 공기막(142)을 형성할 수 있다.
공기막 형성장치(140)는 반도체공정장치(120)의 내부공간(121)에 위치할 수 있다. 예를 들어, 공기막 형성장치(140)는 반도체공정장치(120)의 내측벽면에 결합될 수 있다.
공기막 형성장치(140)는 개구부(143)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 공기막 형성장치(140)는 개구부(143)에 대해서 중력방향으로 상측에 배치될 수 있다.
공기막 형성장치(140)는 개구부(143) 방향으로 초음파들을 출력하고 초음파들의 간섭을 이용하여 개구부(143) 상에 공기막(142)을 형성시킬 수 있다.
공기막 형성장치(140)는 복수의 초음파출력모듈들을 이용하여 복수의 초음파들을 개구부(143) 방향으로 출력할 수 있다. 이때, 복수의 초음파들이 서로 간섭을 일으키면서 보강과 상쇄의 마디를 형성할 수 있고 이에 따라 일종의 층류(laminar flow)가 생성되면서 공기막(142)이 형성될 수 있다.
복수의 초음파들은 개구부(143) 상에서 서로 간섭될 수 있는데, 이러한 간섭에 의해 개구부(143) 상에서 초음파들은 직진성을 가질 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 공기막 형성장치의 구성 및 초음파 파형을 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 공기막 형성장치(140)는 복수의 초음파출력모듈들(320a ~ 320f) 및 제어부(310)를 포함할 수 있다.
복수의 초음파출력모듈들(320a ~ 320f)은 개구부의 외곽에서 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이때, 복수의 초음파출력모듈들(320a ~ 320f)은 일정한 간격(d)으로 배치될 수 있다.
복수의 초음파출력모듈들(320a ~ 320f)은 개구부방향으로 초음파(352)를 출력할 수 있다.
각각의 초음파출력모듈들(320a ~ 320f)에서 출력된 초음파들(352)은 서로 간섭될 수 있는데, 예를 들어, 일정 위치에서 서로 보강간섭될 수 있고, 다른 일정 위치에서 서로 상쇄간섭될 수 있다.
초음파들(352)의 간섭에 의해 직진성을 갖는 직진파(354)가 형성될 수 있다. 직진파(354)는 정상파일 수 있는데, 이러한 직진파(354)가 형성되는 위치에서 공기들이 진동하면서 막을 형성할 수 있다.
복수의 초음파출력모듈들(320a ~ 320f)에서 출력되는 초음파(352)는 초음파는 20Khz 이상의 주파수를 가질 수 있다. 특히, 공기막 형성을 위해 40Khz 부근의 주파수를 가지는 초음파가 사용될 수 있고, 그 주파수는 제어부(310)의 제어신호(CTR)에 따라 결정될 수 있다.
제어부(310)는 제어신호(CTR)를 이용하여 각 초음파출력모듈들(320a ~ 320f)의 출력을 제어할 수 있다.
제어부(310)는 기준파형을 가지는 하나의 제어신호(CTR)를 각 초음파출력모듈들(320a ~ 320f)로 동시에 송신하여 각 초음파출력모듈들(320a ~ 320f)이 동일한 위상의 초음파(352)를 출력하게 할 수 있다.
이때, 신호라인에서의 지연을 보상하기 위해, 각 초음파출력모듈들(320a ~ 320f)에는 위상보상회로가 더 포함될 수 있다. 예를 들어, 신호라인의 길이의 측면에서, 제어부(310)와 최근접으로 위치하는 제3초음파출력모듈(320c) 및 제4초음파출력모듈(320d)과 동일한 위상을 가지도록 제1초음파출력모듈(320a), 제2초음파출력모듈(320b), 제5초음파출력모듈(320e) 및 제6초음파출력모듈(320f)의 위상이 조정될 수 있다.
제어부(310)는 서로 다른 위상으로 각 초음파출력모듈들(320a ~ 320f)을 제어하여 정상파의 위치를 이동시킬 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 공기막 형성장치가 공기막의 움직임을 제어하는 것을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 제어부(310)는 초음파출력모듈부(320)로 위상제어신호(CTRp)를 송신할 수 있다.
위상제어신호(CTRp)에 따라 초음파출력모듈부(320)에서 출력되는 초음파들(452a ~ 452f)은 서로 다른 위상을 가질 수 있다.
각 초음파들(452a ~ 452f)의 위상 차이에 따라 보강간섭과 상쇄간섭이 일어나는 간섭 위치가 달라질 수 있다. 그리고, 간섭 위치를 변경에 따라 초음파들(452a ~ 452f)에 의해 형성되는 정상파(454), 그리고, 정상파(454)에 의해 형성되는 공기막의 위치가 변경될 수 있다.
결과적으로, 제어부(310)는 위상제어신호(CTRp)를 통해 초음파들(452a ~ 452f)의 간섭 위치를 제어하고, 간섭 위치의 제어를 통해 정상파(454)의 위치를 제어하며, 이를 통해 공기막의 움직임을 제어할 수 있다.
여기서, 위상제어신호(CTRp)는 복수의 서브신호로 구성되고 각각의 서브신호가 각 초음파출력모듈로 송신되면서 각 초음파의 위상이 제어될 수 있다.
공기막 형성장치(140)는 이와 같이 출력되는 초음파들의 간섭 위치를 제어하여 공기막의 움직임을 제어할 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 공기막 형성장치가 초음파의 주파수를 제어하는 것을 나타내는 도면이다.
도 5의 (a)를 참조하면, 공기막 형성장치(140)에서 제어부(310)는 제1주파수제어신호(CTRf1)를 통해 초음파출력모듈부(320)가 생성하는 제1파(554a)의 주파수를 제1주파수로 제어할 수 있다.
그리고, 도 5의 (b)를 참조하면, 공기막 형성장치(140)에서 제어부(310)는 제2주파수제어신호(CTRf2)를 통해 초음파출력모듈부(320)가 생성하는 제2파(554b)의 주파수를 제2주파수로 제어할 수 있다.
제1파(554a)와 제2파(554b)는 초음파들의 간섭에 의해 정상파의 형태를 가질 수 있는데, 이때, 주파수에 따라 마디와 배의 간격이 달라질 수 있다. 예를 들어, 제1주파수가 제2주파수보다 낮을 때, 제1파(554a)의 마디와 배의 간격이 제2파(554b)의 마디와 배의 간격보다 넓을 수 있다.
마디와 배의 간격은 초음파에 의해 형성되는 공기막의 두께에 영향을 줄 수 있는데, 예를 들어, 제1파(554a)에 의해 형성되는 공기막의 두께가 제2파(554b)에 의해 형성되는 공기막의 두께보다 두꺼울 수 있다.
공기막 형성장치(140)는 이와 같이 초음파에 대한 주파수 제어를 통해 공기막의 두께를 조절할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 초음파출력모듈부가 두 개로 나뉘어져 있는 예시를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 공기막 형성장치에서 초음파출력모듈부(320)는 제1모듈부(321)와 제2모듈부(322)를 포함할 수 있다.
제1모듈부(321)와 제2모듈부(322)에는 각각 복수의 초음파출력모듈들이 포함될 수 있다. 그리고, 각 초음파출력모듈은 개구부(143) 방향으로 초음파를 출력할 수 있다.
제1모듈부(321)에 포함되는 초음파출력모듈들이 출력하는 초음파들은 간섭에 의해 제1파(654a)를 형성할 수 있고, 제2모듈부(322)에 포함되는 초음파출력모듈들이 출력하는 초음파들은 간섭에 의해 제2파(654b)를 형성할 수 있다.
제1모듈부(321)와 제2모듈부(322)는 개구부(143)를 중심으로 서로 반대 방향에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제1모듈부(321)는 중력방향에서 개구부(143)의 상측에 위치할 수 있고, 제2모듈부(322)는 개구부(143)의 하측에 위치할 수 있다.
제1파(654a)와 제2파(654b)는 개구부(143) 상에서 서로 간섭되면서 정상파(610)를 형성할 수 있다. 정상파(610)는 개구부(143) 상에 위치하면서 개구부(143) 상에 공기막을 형성시킬 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 반도체공정시스템에서의 신호/데이터 흐름을 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 반도체공정장치(120)는 로드포트모듈(130)와 제1정보(INFO1)를 송수신할 수 있다.
로드포트모듈(130)은 제1정보(INFO1)를 통해 도어의 개방 여부를 반도체공정장치(120)로 송신할 수 있다. 그리고, 반도체공정장치(120)는 도어가 개방되었다고 판단되면 공기막 형성장치를 이용하여 공기막을 형성시킬 수 있고, 도어가 폐쇄되었다고 판단되면 공기막 형성을 중단시킬 수 있다.
역으로, 반도체공정장치(120)는 공기막 형성 여부를 제1정보(INFO1)에 포함시켜 로드포트모듈(130)로 송신할 수 있다. 그리고, 로드포트모듈(130)은 공기막이 형성되었다고 판단되면 도어를 개방하거나 N2 퍼지를 수행하고, 공기막이 형성되지 않았다고 판단되면 도어를 폐쇄하거나 N2 퍼지를 수행하지 않을 수 있다.
반도체공정장치(120)는 공기막 형성장치(140)와 제2정보(INFO2)를 송수신할 수 있다.
반도체공정장치(120)는 공기막 형성과 제거에 대한 제어신호를 제2정보(INFO2)에 포함시켜 공기막 형성장치(140)로 송신할 수 있다. 혹은 공기막 형성장치(140)는 공기막 형성 여부에 대한 정보를 제2정보(INFO2)에 포함시켜 반도체공정장치(120)로 송신할 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른 초음파출력모듈의 배치 형태를 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 복수의 초음파출력모듈들(320a ~ 320c)은 일방향으로 이격거리가 서로 동일하게 배치될 수 있다.
복수의 초음파출력모듈들(320a ~ 320c)은 일 직선으로 배치될 수도 있고, 일 평면으로 배치될 수도 있다.
복수의 초음파출력모듈들(320a ~ 320c)이 일 평면으로 배치될 때, 각 초음파출력모듈들(320a ~ 320c)은 최근접 모듈과의 거리가 서로 같을 수 있다.
예를 들어, 제1초음파출력모듈(320a)의 최근접 거리에 있는 두 개의 초음파출력모듈(320b 및 320c)까지의 거리는 서로 동일할 수 있다.
복수의 초음파출력모듈들(320a ~ 320c)은 정삼각형의 형태로 배치될 수도 있고, 정사각형의 형태로 배치될 수도 있다.
이상에서 본 발명의 일 실시예에 대해 설명하였는데, 이러한 실시예에 의하면, 반도체공정장치 내의 기류가 풉 내부에서의 N2 퍼지에 영향을 미치지 못하도록 할 수 있고, 풉과 반도체공정장치 사이에 공기막을 형성시켜 두 장치의 기류를 서로 분리시킬 수 있다.
이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (7)

  1. 공정대상물이 적재되는 풉(FOUP: Front Opening Unified Pod);
    상기 풉을 지지하고, 상기 풉 내부공간으로 N2를 퍼지시키는 로드포트모듈;
    개구부를 통해 상기 풉과 연통되고 상기 공정대상물이 내부공간으로 이송되면 상기 공정대상물에 대한 공정처리를 혹은 이송처리를 수행하는 공정장치; 및
    상기 개구부 방향으로 초음파들을 출력하고 상기 초음파들의 간섭을 이용하여 상기 개구부 상에 공기막을 형성시키는 공기막 형성장치
    를 포함하는 반도체 공정시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 풉의 도어가 개방되어 상기 풉과 상기 공정장치가 연통될 때, 상기 공기막에 의해 상기 풉 내부와 상기 공정장치 내부의 기류가 서로 분리되는 반도체 공정시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 초음파들은 상기 개구부 상에서 직진성을 가지는 반도체 공정시스템.
  4. 풉(FOUP: Front Opening Unified Pod)과 연통되는 공정장치 개구부의 외곽에서 서로 이격되도록 배치되고, 각각이 상기 개구부 방향으로 초음파를 출력하는 복수의 초음파출력모듈들; 및
    초음파들이 상기 개구부 위치에서 서로 간섭되면서 상기 개구부 상에 공기막을 형성하도록 상기 복수의 초음파출력모듈들을 제어하는 제어부
    를 포함하는 반도체공정장치 내 공기막 형성장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 풉에 N2 퍼지가 진행되는 동안, 상기 개구부 상에 상기 공기막이 형성되어 상기 풉 내부와 상기 공정장치 내부의 기류가 서로 분리되도록 상기 복수의 초음파출력모듈들을 제어하는 반도체공정장치 내 공기막 형성장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 초음파출력모듈들은,
    상기 개구부의 일측 외곽에서 일방향의 이격거리가 서로 동일하게 배치되는 반도체공정장치 내 공기막 형성장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 초음파들의 간섭 위치를 제어하여 상기 공기막의 움직임을 제어하는 반도체공정장치 내 공기막 형성장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007129209A (ja) 2005-10-07 2007-05-24 Xtreme Technologies Gmbh プラズマに基づくｅｕｖ放射線源における望ましくないスペクトル成分を抑制する装置
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140009743A (ko) * 2012-07-12 2014-01-23 (주)세기시스템 부가기능을 갖는 에어커튼 및 그를 사용한 횡류형 에어커튼 시스템
KR102143208B1 (ko) * 2018-09-13 2020-08-12 주식회사 케이씨티 에어 커튼 유닛을 구비하는 lpm 및 lpp 시스템

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007129209A (ja) 2005-10-07 2007-05-24 Xtreme Technologies Gmbh プラズマに基づくｅｕｖ放射線源における望ましくないスペクトル成分を抑制する装置
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