KR102489080B1 - PVA roller for wafer cleaning in semiconductor CMP process - Google Patents

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윤정혜
김성택
이해승
김치형
윤정원
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Abstract

The present invention relates to a PVA roller for washing a wafer of a semiconductor CMP process used for a semiconductor CMP process for flattening a wafer surface. The PVA roller comprises: an embossing roller manufactured by a polyvinyl alcohol material; and a protrusion for washing protruding at a predetermined interval along the outside of the embossing roller to improve washing force.

Description

반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러{PVA roller for wafer cleaning in semiconductor CMP process}PVA roller for wafer cleaning in semiconductor CMP process

본 발명은 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 표면을 평탄화 하기 위한 반도체 CMP 공정에 사용될 수 있는 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러에 관한 것이다.The present invention relates to a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process, and more particularly, to a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process that can be used in a semiconductor CMP process for planarizing a wafer surface.

일반적으로 반도체 웨이퍼 및 LCD용 글라스는 미세화가 진행됨에 따라 미립자를 비롯한 금속 불순물, 유기 오염물, 자연 산화 막과 같은 불순물 제거가 중요한 공정으로 대두 되고 있다.In general, as miniaturization of semiconductor wafers and LCD glass proceeds, the removal of impurities such as metal impurities, organic contaminants, and natural oxide films, including fine particles, has emerged as an important process.

이러한 불순물은 반도체 소자의 성능과 수명을 좌우하는 중요한 요소이기 때문에 반도체 웨이퍼나 LCD글라스를 제조하기 위한 각 공정을 진행하기 전에 불순물 제거를 위한 세정 공정을 거쳐야한다.Since these impurities are an important factor that determines the performance and lifespan of a semiconductor device, a cleaning process for removing impurities must be performed before each process for manufacturing a semiconductor wafer or LCD glass.

즉 LCD 글라스를 가공하기 전에 표면을 깨끗하게 하기 위하여 세척공정을 거치게 되는바, 케미컬과 물을 이용하여 LCD글라스의 표면을 세척하고, 표면을 세척한 다음 브러시를 이용하여 LCD글라스의 표면에 묻어 있는 케미컬과 물을 제거하였다.That is, before processing the LCD glass, a cleaning process is performed to clean the surface. The surface of the LCD glass is washed using chemicals and water, and after washing the surface, the chemical adhered to the surface of the LCD glass is removed using a brush. and water were removed.

상기와 같은 LCD글라스의 표면에 있는 불순물을 제거하기 위하여 PVA 브러시 롤러를 사용하여 이물질을 제거하였다.In order to remove the impurities on the surface of the LCD glass as described above, foreign substances were removed using a PVA brush roller.

그러나 상기 PVA 브러시 롤러는 거의 전량이 수입에 의존하고 있기 때문에 외화의 낭비가 심하였고, 소모량이 많아 가격을 상승시키는 요인이 되었다.However, since almost all of the PVA brush rollers depend on imports, foreign currency was wasted a lot, and the amount of consumption was high, which increased the price.

또한, 상기 종래의 PVA 브러시 롤러는 금속(서스)으로 된 축에 PVA로 된 브러시 롤러를 접착제를 이용하여 고정 하였고, 이와 같이 고정된 PVA 브러시 롤러를 이용하여 LCD글라스의 표면을 세척하였다.In addition, the conventional PVA brush roller was fixed to a shaft made of metal (suspension) using an adhesive, and the surface of the LCD glass was cleaned using the PVA brush roller fixed in this way.

그러나 상기 종래에 사용되어온 세척수는 케미컬과 물의 혼합으로써 LCD글라스의 표면에 묻어 있는 각종 이물질을 제거하기 위하여는 케미컬이 혼합된 세척수를 90℃_로 가열하여 고온에서 세척하는 것이 제일 깨끗한 효과가 있다.However, the conventionally used washing water is a mixture of chemical and water, and in order to remove various foreign substances on the surface of the LCD glass, it is most clean to wash the chemical-mixed washing water at 90 ° C_ and wash at a high temperature.

상기와 같이 90℃_에서 LCD글라스를 넣었다가 PVA 브러시 롤러로 세척할 경우 금속의 축에 접착제로 고정되어 있는 PVA 브러시 롤러가 고온의 세척수 온도에 의하여 녹는 현상이 발생하였고, 이로 인하여 현재까지 70℃_에서 세척을 하였으나 세척 효율이 떨어지는 단점이 있다.As described above, when the LCD glass was put at 90℃_ and then washed with the PVA brush roller, the PVA brush roller fixed to the metal shaft with adhesive melted due to the high temperature of the washing water. Although washing was done in _, there is a disadvantage that the washing efficiency is low.

즉 상기와 같이 종래의 PVA 브러시 롤러는 70℃_ 이상 80- 90℃_에서 사용할 경우 PVA브러시 롤러를 축에 고정하고 있는 접착제가 녹으면서 세척수에 접착제가 혼합되어 세척수를 오염시키게 되는 단점이 있다.That is, as described above, when the conventional PVA brush roller is used at 70 ° C or more and 80-90 ° C_, the adhesive fixing the PVA brush roller to the shaft melts and the adhesive is mixed with the washing water, thereby contaminating the washing water.

또한, 고온에 의하여 접착제가 녹기 때문에 PVA브러시 롤러를 고정하고 있는 축이 공회전을 하게 됨으로써 LCD 글라스의 표면에 묻어 있는 이물질을 제거하지 못하였다.In addition, since the adhesive melts due to the high temperature, the shaft fixing the PVA brush roller runs idle, so foreign substances on the surface of the LCD glass cannot be removed.

한편, 전술한 배경 기술은 발명자가 본 발명의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 본 발명의 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.On the other hand, the above-mentioned background art is technical information that the inventor possessed for derivation of the present invention or acquired in the process of derivation of the present invention, and cannot necessarily be said to be known art disclosed to the general public prior to filing the present invention. .

한국등록특허 제10-1613491호Korean Patent Registration No. 10-1613491 한국공개실용신안 제20-2017-0002849호Korean Utility Model Publication No. 20-2017-0002849

본 발명의 일측면은 웨이퍼 표면을 평탄화 하기 위한 반도체 CMP 공정에 사용될 수 있는 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러를 제공한다.One aspect of the present invention provides a PVA roller for wafer cleaning in a semiconductor CMP process that can be used in a semiconductor CMP process for flattening a wafer surface.

본 발명의 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem of the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러는, 폴리비닐 알코올(Polyvinyl Alcohol) 재질로 제작되는 엠보싱 롤러; 및 세척력을 향상시킬 수 있도록 상기 엠보싱 롤러의 외측을 따라 일정한 간격으로 돌출 형성되는 세척용 돌기;를 포함한다.A PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a first embodiment of the present invention includes an embossing roller made of polyvinyl alcohol; and cleaning protrusions protruding at regular intervals along the outside of the embossing roller to improve cleaning power.

일 실시예에서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러는, 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 실리카(SiO2)를 포함하는 슬러리를 분사하는 슬러리 분사 노즐;을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the PVA roller for cleaning the wafer in the semiconductor CMP process according to the second embodiment of the present invention further includes a slurry spray nozzle for spraying a slurry containing silica (SiO 2 ) for polishing in the semiconductor CMP process can do.

일 실시예에서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러는, 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 세리아(CeO2)를 포함하는 슬러리를 분사하는 슬러리 분사 노즐;을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the PVA roller for cleaning wafers in the semiconductor CMP process according to the third embodiment of the present invention further includes a slurry spray nozzle for spraying a slurry containing ceria (CeO 2 ) for polishing in the semiconductor CMP process. can do.

일 실시예에서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러는, 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 알루미나(Al2O3)를 포함하는 슬러리를 분사하는 슬러리 분사 노즐;을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to the fourth embodiment of the present invention further includes a slurry spray nozzle for spraying a slurry containing alumina (Al 2 O 3 ) for polishing in a semiconductor CMP process. can do.

일 실시예에서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러는, 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 알루미나(Al2O3)를 포함하는 슬러리를 분사하는 제1 슬러리 분사 노즐; 상기 제1 슬러리 분사 노즐과 대향하면서 배치되어 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 알루미나(Al2O3)를 포함하는 슬러리를 분사하는 제2 슬러리 분사 노즐; 및 하측 전단과 하측 후단에 상기 제1 슬러리 분사 노즐과 상기 제2 슬러리 분사 노즐이 서로 평행하도록 각각 연결 설치되며, 슬러리의 분사 각도를 조절시킬 수 있도록 상기 제1 슬러리 분사 노즐과 상기 제2 슬러리 분사 노즐을 이동시켜 주는 노즐 이동부;를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a fifth embodiment of the present invention includes a first slurry spray nozzle for spraying a slurry containing alumina (Al 2 O 3 ) for polishing in a semiconductor CMP process; a second slurry spray nozzle disposed to face the first slurry spray nozzle and spray a slurry containing alumina (Al 2 O 3 ) for polishing of a semiconductor CMP process; And the first slurry spray nozzle and the second slurry spray nozzle are connected to each other so that they are parallel to each other at the lower front end and the lower rear end, so that the slurry spray angle can be adjusted. The first slurry spray nozzle and the second slurry spray A nozzle moving unit for moving the nozzle may be further included.

일 실시예에서, 상기 노즐 이동부는, 반도체 CMP 공정이 이루어지는 장소로부터 상측으로 이격 되어 설치되는 고정 패널; 상기 제1 슬러리 분사 노즐을 체결한 상태로 상기 고정 패널의 하측 전단에 설치되며, 상기 제1 슬러리 분사 노즐을 이동시켜 주는 제1 이동부; 및 상기 제1 이동부와 전후 방향의 대칭 구조로 형성되며, 상기 제2 슬러리 분사 노즐을 체결한 상태로 상기 고정 패널의 하측 후단에 설치되며, 상기 제2 슬러리 분사 노즐을 이동시켜 주는 제2 이동부;를 포함할 수 있다.In one embodiment, the nozzle moving unit, a fixed panel installed spaced upward from the place where the semiconductor CMP process is performed; a first moving unit installed at a lower front end of the fixed panel in a state in which the first slurry spray nozzle is fastened, and moving the first slurry spray nozzle; And a second movement formed in a symmetrical structure with the first moving unit in the forward and backward direction, installed at the lower rear end of the fixed panel in a state in which the second slurry spray nozzle is fastened, and moving the second slurry spray nozzle part; may include.

일 실시예에서, 상기 제1 이동부는, 상기 고정 패널의 내측을 따라 수평 방향으로 형장 형성되되, 아치 형태로 전방으로 둥글게 절곡 형성되는 곡선형 이동홈; 상기 곡선형 이동홈의 형상에 대응하여 둥글게 절곡 형성되어 상기 곡선형 이동홈에 안착되며, 중단 하측에 상기 제1 슬러리 분사 노즐을 체결하기 위한 체결 돌기가 하측 방향으로 돌출 형성되며, 상기 곡선형 이동홈을 따라 원호를 그리며 이동하면서 상기 제1 슬러리 분사 노즐을 이동시켜 주는 곡선형 프레임; 유체가 수용되는 밀폐된 내부 공간을 형성하면서 상기 곡선형 이동홈의 일측에 설치되며, 상기 곡선형 프레임의 일측이 내부 공간에 배치되는 제1 프레임 안착 탱크; 유체가 수용되는 밀폐된 내부 공간을 형성하면서 상기 곡선형 이동홈의 타측에 설치되며, 상기 곡선형 프레임의 타측이 내부 공간에 배치되는 제2 프레임 안착 탱크; 및 상기 제2 이동부와 대향하는 상기 곡선형 프레임의 후면에 밀착 설치되며, 상기 곡선형 이동홈을 따라 상기 곡선형 프레임을 이동시켜 주는 프레임 구동부;를 포함할 수 있다.In one embodiment, the first moving unit, doedoe formed in the horizontal direction along the inner side of the fixed panel, the curved moving groove is formed in an arc shape bent forward round; It is bent and formed in a round shape corresponding to the shape of the curved moving groove and seated in the curved moving groove, and a fastening protrusion for fastening the first slurry spray nozzle is protruded downward at the lower part of the middle, and the curved movement a curved frame for moving the first slurry spray nozzle while moving in an arc along the groove; A first frame mounting tank installed on one side of the curved moving groove while forming a sealed inner space in which fluid is accommodated, and having one side of the curved frame disposed in the inner space; a second frame mounting tank installed on the other side of the curved moving groove while forming an enclosed inner space in which fluid is accommodated, and the other side of the curved frame being disposed in the inner space; and a frame driving unit installed in close contact with the rear surface of the curved frame facing the second moving unit and moving the curved frame along the curved moving groove.

일 실시예에서, 상기 곡선형 프레임은, 상기 곡선형 이동홈의 형상에 대응하여 둥글게 절곡 형성되어 상기 곡선형 이동홈에 안착되는 프레임 바디; 상기 제1 프레임 안착 탱크의 단면에 대응하는 형상의 평판 형태로 형성으로 상기 프레임 바디의 일측이 절곡되어 형성되어 상기 제1 프레임 안착 탱크의 내부 공간에 안착되며, 상기 프레임 바디가 이동함에 따라 상기 제1 프레임 안착 탱크의 내부 공간을 따라 이동할 경우 상기 제1 프레임 안착 탱크의 내부 공간에 수용되는 유체가 통과할 수 있도록 제1 유체 이동홀이 좌우 방향으로 관통 형성되는 제1 절곡 플레이트; 및 상기 제2 프레임 안착 탱크의 단면에 대응하는 형상의 평판 형태로 형성으로 상기 프레임 바디의 타측이 절곡되어 형성되어 상기 제2 프레임 안착 탱크의 내부 공간에 안착되며, 상기 프레임 바디가 이동함에 따라 상기 제2 프레임 안착 탱크의 내부 공간을 따라 이동할 경우 상기 제2 프레임 안착 탱크의 내부 공간에 수용되는 유체가 통과할 수 있도록 제2 유체 이동홀이 좌우 방향으로 관통 형성되는 제2 절곡 플레이트;를 포함할 수 있다.In one embodiment, the curved frame may include a frame body that is bent in a round shape corresponding to the shape of the curved moving groove and seated in the curved moving groove; Formed in the form of a flat plate having a shape corresponding to the cross section of the first frame seating tank, one side of the frame body is bent and seated in the inner space of the first frame seating tank, and as the frame body moves, the first frame body is formed. A first bent plate through which a first fluid movement hole is formed in the left and right directions so that the fluid accommodated in the inner space of the first frame seat tank can pass when moving along the inner space of the first frame seat tank; And formed in the form of a flat plate having a shape corresponding to the cross section of the second frame seating tank, the other side of the frame body is bent and seated in the inner space of the second frame seating tank, and as the frame body moves, the A second bent plate through which a second fluid movement hole is formed in the left and right directions so that the fluid accommodated in the inner space of the second frame seat tank can pass when moving along the inner space of the second frame seat tank. can

일 실시예에서, 상기 곡선형 프레임은, 상기 제1 유체 이동홀에 설치되어 상기 제1 유체 이동홀의 직경을 가변시켜 주는 제1 유량 조절부; 및 상기 제2 유체 이동홀에 설치되어 상기 제 유체 이동홀의 직경을 가변시켜 주는 제2 유량 조절부;를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the curved frame may include a first flow control unit installed in the first fluid movement hole to change a diameter of the first fluid movement hole; and a second flow control unit installed in the second fluid movement hole to change a diameter of the second fluid movement hole.

일 실시예에서, 상기 제1 유량 조절부는, 상기 프레임 바디의 곡률에 대응하는 곡률로 상기 프레임 바디의 내측을 따라 연장 형성되는 곡선형 이너 하우징; 상기 제2 절곡 플레이트와 대향하는 상기 곡선형 이너 하우징의 타측에 설치되는 곡선형 실린더; 상기 프레임 바디의 곡률에 대응하는 곡률로 둥글게 절곡 형성되어 타측이 상기 곡선형 실린더에 연결 설치되어 상기 곡선형 실린더로 삽입되거나 상기 곡선형 실린더로부터 노출되는 곡선형 피스톤 로드; 상기 곡선형 이너 하우징의 단면에 대응하는 평판 형태로 형성되어 상기 곡선형 피스톤 로드의 일측에 설치되며, 상기 곡선형 피스톤 로드가 상기 곡선형 실린더로부터 노출됨에 따라 일측에 형성되는 상기 곡선형 이너 하우징의 내부 공간에 수용되는 유체를 가압시켜 주는 피스톤 헤드; 및 유체가 이동하기 위한 관통홀을 형성하는 도넛 형태로 형성되어 상기 제1 유체 이동홀의 내주면을 따라 설치되며, 상기 피스톤 헤드에 의해 가압되는 유체를 공급받아 팽창되어 유체가 이동하기 위한 관통홀의 직경을 축소시켜 주고, 공급되어 있던 유체가 배출됨에 따라 수축되어 유체가 이동하기 위한 관통홀의 직경을 확장시켜 주는 가변 튜브;를 포함할 수 있다.In one embodiment, the first flow control unit may include a curved inner housing extending along an inner side of the frame body with a curvature corresponding to the curvature of the frame body; a curved cylinder installed on the other side of the curved inner housing facing the second bent plate; a curved piston rod formed roundly with a curvature corresponding to the curvature of the frame body so that the other side is connected to the curved cylinder and inserted into or exposed from the curved cylinder; It is formed in a flat plate shape corresponding to the cross section of the curved inner housing and is installed on one side of the curved piston rod, and the curved inner housing formed on one side as the curved piston rod is exposed from the curved cylinder A piston head that pressurizes the fluid accommodated in the inner space; And it is formed in a donut shape forming a through hole for fluid movement, is installed along the inner circumferential surface of the first fluid movement hole, and is expanded by receiving the fluid pressurized by the piston head to determine the diameter of the through hole for fluid movement. It may include a variable tube that contracts as the supplied fluid is discharged and expands the diameter of the through hole through which the fluid moves.

일 실시예에서, 상기 프레임 구동부는, 상기 제2 이동부와 대향하는 상기 곡선형 프레임의 후면 일측에 밀착되는 제1 밀착 롤러; 상기 제2 이동부와 대향하는 상기 곡선형 프레임의 후면 타측에 밀착되는 제2 밀착 롤러; 상기 제1 밀착 롤러와 상기 제2 밀착 롤러 사이에 설치되어 상기 제2 이동부와 대향하는 상기 곡선형 프레임의 후면에 밀착되는 제3 밀착 롤러; 상기 제1 밀착 롤러, 상기 제2 밀착 롤러 및 상기 제3 밀착 롤러가 내향면을 따라 맞물려 연결 설치되며, 상기 제1 밀착 롤러, 상기 제2 밀착 롤러 및 상기 제3 밀착 롤러가 각각 전진함에 따라 전단 외향면이 상기 곡선형 프레임의 후면에 밀착된 뒤 상기 제1 밀착 롤러, 상기 제2 밀착 롤러 및 상기 제3 밀착 롤러가 동시에 동일한 방향으로 회전 구동함에 따라 함께 회전 구동하면서 상기 곡선형 프레임을 이동시켜 주는 구동 벨트; 상기 제1 밀착 롤러, 상기 제2 밀착 롤러 및 상기 제3 밀착 롤러에 각각 설치되어 상기 제1 밀착 롤러, 상기 제2 밀착 롤러 및 상기 제3 밀착 롤러를 지지하는 3 개의 지지대; 및 상기 3 개의 지지대의 각 후단이 연결 설치되며, 상기 3 개의 지지대의 각 후단을 내측으로 삽입시키거나 전진 노출시켜 주는 밀착 실린더;를 포함할 수 있다.In one embodiment, the frame drive unit, a first contact roller in close contact with one side of the rear surface of the curved frame facing the second moving unit; a second contact roller that is in close contact with the other side of the rear surface of the curved frame facing the second moving unit; a third contact roller installed between the first contact roller and the second contact roller and in close contact with the rear surface of the curved frame facing the second moving unit; The first contact roller, the second contact roller, and the third contact roller are engaged and connected along an inward surface, and the first contact roller, the second contact roller, and the third contact roller are sheared as they advance, respectively. After the outer surface is in close contact with the rear surface of the curved frame, the first contact roller, the second contact roller, and the third contact roller are simultaneously rotated and driven in the same direction to move the curved frame while rotating together. drive belt giving; three supporters installed on the first contact roller, the second contact roller, and the third contact roller to support the first contact roller, the second contact roller, and the third contact roller; and a close-contact cylinder to which each of the rear ends of the three supporters is connected, and which inserts or forward-exposes each rear end of the three supporters to the inside.

상술한 본 발명의 일측면에 따르면, 웨이퍼 표면을 평탄화 하기 위한 반도체 CMP 공정의 효율성을 향상시키는 효과를 제공할 수 있다.According to one aspect of the present invention described above, it is possible to provide an effect of improving the efficiency of a semiconductor CMP process for planarizing a wafer surface.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 이하에서 설명할 내용으로부터 통상의 기술자에게 자명한 범위 내에서 다양한 효과들이 포함될 수 있다.Effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and various effects may be included within a range apparent to those skilled in the art from the contents to be described below.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러의 개략적인 구성이 도시된 도면이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러의 개략적인 구성이 도시된 도면이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러의 개략적인 구성이 도시된 도면이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러의 개략적인 구성이 도시된 도면이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러의 개략적인 구성이 도시된 도면이다.
도 6 및 도 7은 도 5의 노즐 이동부를 보여주는 도면들이다.
도 8 및 도 9는 도 6의 제1 이동부를 보여주는 도면들이다.
도 10 및 도 11은 도 8의 곡선형 프레임을 보여주는 도면들이다.
도 12 내지 도 14는 도 11의 제1 유량 조절부를 보여주는 도면들이다.
도 15는 도 8의 프레임 구동부를 보여주는 도면이다.1 is a diagram showing a schematic configuration of a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a first embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing a schematic configuration of a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a second embodiment of the present invention.
3 is a diagram showing a schematic configuration of a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a third embodiment of the present invention.
4 is a diagram showing a schematic configuration of a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a fourth embodiment of the present invention.
5 is a diagram showing a schematic configuration of a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a fifth embodiment of the present invention.
6 and 7 are views showing the nozzle moving part of FIG. 5 .
8 and 9 are views showing the first moving unit of FIG. 6 .
10 and 11 are views showing the curved frame of FIG. 8 .
12 to 14 are views showing the first flow rate controller of FIG. 11 .
15 is a view showing the frame driving unit of FIG. 8 .

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The detailed description of the present invention which follows refers to the accompanying drawings which illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the present invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable one skilled in the art to practice the present invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different from each other but are not necessarily mutually exclusive. For example, specific shapes, structures, and characteristics described herein may be implemented in another embodiment without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. Additionally, it should be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the detailed description set forth below is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is limited only by the appended claims, along with all equivalents as claimed by those claims. Like reference numbers in the drawings indicate the same or similar function throughout the various aspects.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러의 개략적인 구성이 도시된 도면이다.1 is a diagram showing a schematic configuration of a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러(10)는, 엠보싱 롤러(100) 및 세척용 돌기(200)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , a PVA roller 10 for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a first embodiment of the present invention includes an embossing roller 100 and a protrusion 200 for cleaning.

엠보싱 롤러(100)는, 폴리비닐 알코올(Polyvinyl Alcohol) 재질로 제작된다.The embossing roller 100 is made of a polyvinyl alcohol material.

세척용 돌기(200)는, 세척력을 향상시킬 수 있도록 엠보싱 롤러(100)의 외측을 따라 일정한 간격으로 돌출 형성된다.The cleaning protrusions 200 protrude at regular intervals along the outside of the embossing roller 100 to improve cleaning power.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러(10)는, 반도체 웨이퍼(P) 표면을 평탄화 하기 위한 반도체 CMP 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.The PVA roller 10 for wafer cleaning in the semiconductor CMP process according to the first embodiment of the present invention having the configuration described above can improve the efficiency of the semiconductor CMP process for planarizing the surface of the semiconductor wafer P. .

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러의 개략적인 구성이 도시된 도면이다.2 is a diagram showing a schematic configuration of a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a second embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러(30)는, 엠보싱 롤러(100), 세척용 돌기(200) 및 슬러리 분사 노즐(300a)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the PVA roller 30 for wafer cleaning in the semiconductor CMP process according to the second embodiment of the present invention includes an embossing roller 100, a cleaning protrusion 200 and a slurry spray nozzle 300a do.

여기서, 엠보싱 롤러(100) 및 세척용 돌기(200)는, 도 1의 구성요소와 동일하므로 그 설명을 생략하기로 한다.Here, since the embossing roller 100 and the cleaning protrusion 200 are the same as the components of FIG. 1, their descriptions will be omitted.

슬러리 분사 노즐(300a)은, 도 1에서 상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제1 실시예에 따른 적어도 하나 이상의 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러(10-1, 10-2)에 의한 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 실리카(SiO2)를 포함하는 슬러리(L1)를 웨이퍼(P) 방향으로 분사한다.The slurry spray nozzle 300a is formed by at least one wafer cleaning PVA roller 10-1, 10-2 of the semiconductor CMP process according to the first embodiment of the present invention having the configuration described above in FIG. For polishing of the semiconductor CMP process, the slurry L1 containing silica (SiO2) is sprayed in the direction of the wafer P.

도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러의 개략적인 구성이 도시된 도면이다.3 is a diagram showing a schematic configuration of a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a third embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러(30)는, 엠보싱 롤러(100), 세척용 돌기(200) 및 슬러리 분사 노즐(300b)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the PVA roller 30 for wafer cleaning in the semiconductor CMP process according to the third embodiment of the present invention includes an embossing roller 100, a cleaning protrusion 200 and a slurry spray nozzle 300b do.

여기서, 엠보싱 롤러(100) 및 세척용 돌기(200)는, 도 1의 구성요소와 동일하므로 그 설명을 생략하기로 한다.Here, since the embossing roller 100 and the cleaning protrusion 200 are the same as the components of FIG. 1, their descriptions will be omitted.

슬러리 분사 노즐(300b)은, 도 1에서 상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제1 실시예에 따른 적어도 하나 이상의 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러(10-1, 10-2)에 의한 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 세리아(CeO2)를 포함하는 슬러리(L2)를 웨이퍼(P) 방향으로 분사한다.The slurry spray nozzle 300b is formed by at least one wafer cleaning PVA roller 10-1, 10-2 of the semiconductor CMP process according to the first embodiment of the present invention having the configuration described above in FIG. For polishing of the semiconductor CMP process, the slurry L2 containing ceria (CeO2) is sprayed in the direction of the wafer P.

도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러의 개략적인 구성이 도시된 도면이다.4 is a diagram showing a schematic configuration of a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a fourth embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러(40)는, 엠보싱 롤러(100) 세척용 돌기(200) 및 슬러리 분사 노즐(300c)를 포함한다.Referring to FIG. 4 , a PVA roller 40 for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a fourth embodiment of the present invention includes an embossing roller 100, a cleaning protrusion 200 and a slurry spray nozzle 300c. .

여기서, 엠보싱 롤러(100) 및 세척용 돌기(200)는, 도 1의 구성요소와 동일하므로 그 설명을 생략하기로 한다.Here, since the embossing roller 100 and the cleaning protrusion 200 are the same as the components of FIG. 1, their descriptions will be omitted.

슬러리 분사 노즐(300c)은, 도 1에서 상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제1 실시예에 따른 적어도 하나 이상의 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러(10-1, 10-2)에 의한 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 알루미나(Al2O3)를 포함하는 슬러리(L3)를 웨이퍼(P) 방향으로 분사한다.The slurry spray nozzle 300c is formed by at least one wafer cleaning PVA roller 10-1, 10-2 of the semiconductor CMP process according to the first embodiment of the present invention having the configuration described above in FIG. For polishing of the semiconductor CMP process, the slurry L3 containing alumina (Al2O3) is sprayed in the direction of the wafer P.

도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러의 개략적인 구성이 도시된 도면이다.5 is a diagram showing a schematic configuration of a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process according to a fifth embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러(50)는, 엠보싱 롤러(100), 세척용 돌기(200), 제1 슬러리 분사 노즐(300), 제2 슬러리 분사 노즐(400) 및 노즐 이동부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 5, the PVA roller 50 for wafer cleaning in the semiconductor CMP process according to the fifth embodiment of the present invention includes an embossing roller 100, a cleaning protrusion 200, and a first slurry spray nozzle 300 , a second slurry spray nozzle 400 and a nozzle moving unit 500.

여기서, 엠보싱 롤러(100) 및 세척용 돌기(200)는, 도 1의 구성요소와 동일하므로 그 설명을 생략하기로 한다.Here, since the embossing roller 100 and the cleaning protrusion 200 are the same as the components of FIG. 1, their descriptions will be omitted.

제1 슬러리 분사 노즐(300)은, 노즐 이동부(500)의 하단에서 제2 슬러리 분사 노즐(400)과 대향하면서 배치되어 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 알루미나(Al2O3)를 포함하는 슬러리(L)를 분사한다.The first slurry spray nozzle 300 is disposed facing the second slurry spray nozzle 400 at the lower end of the nozzle moving unit 500, and slurry L containing alumina (Al2O3) for polishing of the semiconductor CMP process spray the

제2 슬러리 분사 노즐(400)은, 노즐 이동부(500)의 하단에서 제1 슬러리 분사 노즐(300)과 대향하면서 배치되어 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 알루미나(Al2O3)를 포함하는 슬러리(L)를 분사한다.The second slurry spray nozzle 400 is disposed at the lower end of the nozzle moving unit 500 while facing the first slurry spray nozzle 300, and slurry L containing alumina (Al2O3) for polishing of the semiconductor CMP process spray the

노즐 이동부(500)는, 하측 전단과 하측 후단에 제1 슬러리 분사 노즐(300)과 제2 슬러리 분사 노즐(400)이 서로 평행하도록 각각 연결 설치되며, 슬러리(L)의 분사 각도를 조절시킬 수 있도록 제1 슬러리 분사 노즐(300)과 제2 슬러리 분사 노즐(400)을 이동시켜 준다.In the nozzle moving unit 500, the first slurry spray nozzle 300 and the second slurry spray nozzle 400 are connected to each other so that they are parallel to each other at the lower front end and the lower rear end, and the spray angle of the slurry L is adjusted. The first slurry spray nozzle 300 and the second slurry spray nozzle 400 are moved to

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러(50)는, 제1 슬러리 분사 노즐(300)과 제2 슬러리 분사 노즐(400)에 의한 슬러리의 분사 각도를 자유롭게 조절함으로써, 반도체 CMP 공정의 웨이퍼(P)의 세정이 보다 효과적으로 이루어지도록 할 수 있다.The PVA roller 50 for wafer cleaning in the semiconductor CMP process according to the fifth embodiment of the present invention having the configuration described above is a slurry by the first slurry spray nozzle 300 and the second slurry spray nozzle 400 By freely adjusting the spray angle of , the cleaning of the wafer P in the semiconductor CMP process can be performed more effectively.

도 6 및 도 7은 도 5의 노즐 이동부를 보여주는 도면들이다.6 and 7 are views showing the nozzle moving part of FIG. 5 .

도 6 및 도 7을 참조하면, 노즐 이동부(500)는, 고정 패널(510), 제1 이동부(520) 및 제2 이동부(530)를 포함한다.Referring to FIGS. 6 and 7 , the nozzle moving unit 500 includes a fixed panel 510 , a first moving unit 520 and a second moving unit 530 .

고정 패널(510)은, 반도체 CMP 공정이 이루어지는 장소로부터 상측으로 이격 되어 설치되며, 제1 이동부(520) 및 제2 이동부(530)가 설치된다.The fixed panel 510 is installed to be spaced upward from a place where a semiconductor CMP process is performed, and a first moving unit 520 and a second moving unit 530 are installed.

제1 이동부(520)는, 제1 슬러리 분사 노즐(300)을 체결한 상태로 고정 패널(510)의 하측 전단에 설치되며, 도 7에 도시된 바와 같이 반시계 방향 또는 시계 방향으로 제1 슬러리 분사 노즐(300)을 이동시켜 준다.The first moving unit 520 is installed at the lower front end of the fixed panel 510 in a state in which the first slurry spray nozzle 300 is fastened, and as shown in FIG. 7, the first movement counterclockwise or clockwise The slurry spray nozzle 300 is moved.

제2 이동부(530)는, 제1 이동부(520)와 전후 방향의 대칭 구조로 형성되며, 제2 슬러리 분사 노즐(400)을 체결한 상태로 고정 패널(510)의 하측 후단에 설치되며, 도 7에 도시된 바와 같이 반시계 방향 또는 시계 방향으로 제2 슬러리 분사 노즐(400)을 이동시켜 준다.The second moving unit 530 is formed in a symmetrical structure with the first moving unit 520 in the front-back direction, and is installed at the lower rear end of the fixed panel 510 in a state in which the second slurry spray nozzle 400 is fastened, As shown in FIG. 7, the second slurry spray nozzle 400 is moved counterclockwise or clockwise.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 노즐 이동부(500)는, 제1 슬러리 분사 노즐(300)과 제2 슬러리 분사 노즐(400)에 의한 슬러리의 분사 각도를 자유롭게 조절함으로써, 반도체 CMP 공정의 웨이퍼(P)의 세정이 보다 효과적으로 이루어지도록 할 수 있다.The nozzle moving unit 500 having the above-described configuration freely adjusts the spray angle of the slurry by the first slurry spray nozzle 300 and the second slurry spray nozzle 400, so that the wafer P of the semiconductor CMP process ) can be performed more effectively.

도 8 및 도 9는 도 6의 제1 이동부를 보여주는 도면들이다.8 and 9 are views showing the first moving unit of FIG. 6 .

도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 이동부(520)는, 곡선형 이동홈(521), 곡선형 프레임(522), 제1 프레임 안착 탱크(523), 제2 프레임 안착 탱크(524) 및 프레임 구동부(525)를 포함한다.8 and 9, the first moving unit 520 includes a curved moving groove 521, a curved frame 522, a first frame mounting tank 523, and a second frame mounting tank 524. and a frame driving unit 525 .

여기서, 제2 이동부(530)는, 후술하는 제1 이동부(520)와 대칭 구조로 동일한 구성에 해당하면, 제1 이동부(520)의 곡선형 이동홈(521), 곡선형 프레임(522), 제1 프레임 안착 탱크(523), 제2 프레임 안착 탱크(524) 및 프레임 구동부(525) 등의 구성들이 동일하게 적용될 수 있는 바, 설명의 중복을 피하기 위해 그 설명을 생략하기로 한다.Here, if the second moving unit 530 has the same symmetrical structure as the first moving unit 520 to be described later, the curved moving groove 521 of the first moving unit 520, the curved frame ( 522), the first frame seating tank 523, the second frame seating tank 524, and the frame driving unit 525 may be equally applicable, and thus, description thereof will be omitted to avoid duplication of description. .

곡선형 이동홈(521)은, 곡선형 프레임(522)이 안착되어 이동할 수 있도록 고정 패널(510)의 내측을 따라 수평 방향으로 형장 형성되되, 아치 형태로 전방으로 둥글게 절곡 형성된다.The curved moving groove 521 is formed in a horizontal direction along the inside of the fixed panel 510 so that the curved frame 522 can be seated and moved, and is formed by bending forward in an arch shape.

곡선형 프레임(522)은, 곡선형 이동홈(521)의 형상에 대응하여 둥글게 절곡 형성되어 곡선형 이동홈(521)에 안착되며, 중단 하측에 제1 슬러리 분사 노즐(300)을 체결하기 위한 체결 돌기(300a)가 하측 방향으로 돌출 형성되며, 곡선형 이동홈(521)을 따라 원호를 그리며 이동하면서 제1 슬러리 분사 노즐(300)을 이동시켜 준다.The curved frame 522 is bent and formed in a round shape corresponding to the shape of the curved moving groove 521 and is seated in the curved moving groove 521, and for fastening the first slurry spray nozzle 300 to the lower side of the middle The fastening protrusion 300a protrudes downward and moves the first slurry spray nozzle 300 while moving in an arc along the curved moving groove 521 .

제1 프레임 안착 탱크(523)는, 유체(예를 들어, 물 또는 오일 등)가 수용되는 밀폐된 내부 공간을 형성하면서 곡선형 이동홈(521)의 일측에 설치되며, 곡선형 프레임(522)의 일측이 내부 공간에 배치된다.The first frame seating tank 523 is installed on one side of the curved moving groove 521 while forming a sealed inner space in which fluid (eg, water or oil) is accommodated, and the curved frame 522 One side of is disposed in the inner space.

제2 프레임 안착 탱크(524)는, 유체가 수용되는 밀폐된 내부 공간을 형성하면서 곡선형 이동홈(521)의 타측에 설치되며, 곡선형 프레임(522)의 타측이 내부 공간에 배치된다.The second frame mounting tank 524 is installed on the other side of the curved moving groove 521 while forming a sealed inner space in which fluid is accommodated, and the other side of the curved frame 522 is disposed in the inner space.

프레임 구동부(525)는, 제2 이동부(530)와 대향하는 곡선형 프레임(522)의 후면에 밀착 설치되며, 곡선형 이동홈(521)을 따라 곡선형 프레임(522)을 이동시켜 준다.The frame driving unit 525 is installed in close contact with the rear surface of the curved frame 522 facing the second moving unit 530, and moves the curved frame 522 along the curved moving groove 521.

도 10 및 도 11은 도 8의 곡선형 프레임을 보여주는 도면들이다.10 and 11 are views showing the curved frame of FIG. 8 .

도 10 및 도 11을 참조하면, 곡선형 프레임(522)은, 프레임 바디(5221), 제1 절곡 플레이트(5222) 및 제2 절곡 플레이트(5223)를 포함한다.Referring to FIGS. 10 and 11 , the curved frame 522 includes a frame body 5221 , a first bending plate 5222 and a second bending plate 5223 .

프레임 바디(5221)는, 곡선형 이동홈(521)의 형상에 대응하여 둥글게 절곡 형성되어 곡선형 이동홈(521)에 안착되며, 후단에 밀착 안착되는 프레임 구동부(525)에 의해 곡선형 이동홈(521)을 따라 이동한다.The frame body 5221 is bent and formed in a round shape corresponding to the shape of the curved moving groove 521 and seated in the curved moving groove 521, and is seated in the curved moving groove 521 by the frame driving unit 525 closely seated at the rear end Move along (521).

제1 절곡 플레이트(5222)는, 제1 프레임 안착 탱크(523)의 단면에 대응하는 형상의 평판 형태로 형성으로 프레임 바디(5221)의 일측이 절곡되어 형성되어 제1 프레임 안착 탱크(523)의 내부 공간에 안착되며, 프레임 바디(5221)가 이동함에 따라 제1 프레임 안착 탱크(523)의 내부 공간을 따라 이동할 경우 제1 프레임 안착 탱크(523)의 내부 공간에 수용되는 유체가 통과할 수 있도록 제1 유체 이동홀(5222a)이 좌우 방향으로 관통 형성된다.The first bent plate 5222 is formed in the form of a flat plate having a shape corresponding to the cross section of the first frame seating tank 523, and one side of the frame body 5221 is bent to form the first frame seating tank 523. It is seated in the inner space, and when moving along the inner space of the first frame seat tank 523 as the frame body 5221 moves, the fluid accommodated in the inner space of the first frame seat tank 523 can pass through. The first fluid movement hole 5222a is formed through in the left and right directions.

제2 절곡 플레이트(5223)는, 제2 프레임 안착 탱크(524)의 단면에 대응하는 형상의 평판 형태로 형성으로 프레임 바디(5221)의 타측이 절곡되어 형성되어 제2 프레임 안착 탱크(524)의 내부 공간에 안착되며, 프레임 바디(5221)가 이동함에 따라 제2 프레임 안착 탱크(524)의 내부 공간을 따라 이동할 경우 제2 프레임 안착 탱크(524)의 내부 공간에 수용되는 유체가 통과할 수 있도록 제2 유체 이동홀(5223a)이 좌우 방향으로 관통 형성된다.The second bent plate 5223 is formed in the form of a flat plate having a shape corresponding to the cross section of the second frame seating tank 524 and the other side of the frame body 5221 is bent to form the second frame seating tank 524. It is seated in the inner space, and when the frame body 5221 moves along the inner space of the second frame seat tank 524, the fluid accommodated in the inner space of the second frame seat tank 524 can pass through. The second fluid movement hole 5223a is formed through in the left and right directions.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 곡선형 프레임(522)은, 제1 유량 조절부(600) 및 제2 유량 조절부(700)를 더 포함할 수 있다.The curved frame 522 having the configuration described above may further include a first flow control unit 600 and a second flow control unit 700 .

제1 유량 조절부(600)는, 제1 유체 이동홀(5222a)에 설치되어 제1 유체 이동홀(5222a)의 직경을 가변시켜 준다.The first flow rate controller 600 is installed in the first fluid movement hole 5222a to change the diameter of the first fluid movement hole 5222a.

제2 유량 조절부(700)는, 제2 유체 이동홀(5223a)에 설치되어 제 유체 이동홀의 직경을 가변시켜 준다.The second flow control unit 700 is installed in the second fluid movement hole 5223a to change the diameter of the first fluid movement hole.

도 12 내지 도 14는 도 11의 제1 유량 조절부를 보여주는 도면들이다.12 to 14 are views showing the first flow rate controller of FIG. 11 .

도 12 내지 도 14를 참조하면, 제1 유량 조절부(600)는, 곡선형 이너 하우징(610), 곡선형 실린더(620), 곡선형 피스톤 로드(630), 피스톤 헤드(640) 및 가변 튜브(650)를 포함한다.12 to 14, the first flow control unit 600 includes a curved inner housing 610, a curved cylinder 620, a curved piston rod 630, a piston head 640, and a variable tube. (650).

여기서, 제2 유량 조절부(700)는, 후술하는 제1 유량 조절부(600)와 동일한 구성으로서, 제1 유량 조절부(600)의 곡선형 이너 하우징(610), 곡선형 실린더(620), 곡선형 피스톤 로드(630), 피스톤 헤드(640) 및 가변 튜브(650) 등의 구성들이 동일하게 적용될 수 있는 바, 설명의 중복을 피하기 위해 그 설명을 생략하기로 한다.Here, the second flow rate controller 700 has the same configuration as the first flow rate controller 600 to be described later, and includes a curved inner housing 610 and a curved cylinder 620 of the first flow controller 600. , the curved piston rod 630, the piston head 640 and the variable tube 650 can be equally applied, the description thereof will be omitted to avoid duplication of description.

곡선형 이너 하우징(610)은, 프레임 바디(5221)의 곡률에 대응하는 곡률로 프레임 바디(5221)의 내측을 따라 연장 형성된다.The curved inner housing 610 extends along the inner side of the frame body 5221 with a curvature corresponding to that of the frame body 5221 .

곡선형 실린더(620)는, 제2 절곡 플레이트(5223)와 대향하는 곡선형 이너 하우징(610)의 타측에 설치된다.The curved cylinder 620 is installed on the other side of the curved inner housing 610 facing the second bent plate 5223 .

곡선형 피스톤 로드(630)는, 프레임 바디(5221)의 곡률에 대응하는 곡률로 둥글게 절곡 형성되어 타측이 곡선형 실린더(620)에 연결 설치되어 곡선형 실린더(620)로 삽입되거나 곡선형 실린더(620)로부터 노출된다.The curved piston rod 630 is formed roundly bent with a curvature corresponding to the curvature of the frame body 5221, and the other side is installed connected to the curved cylinder 620 and inserted into the curved cylinder 620 or curved cylinder ( 620) is exposed.

피스톤 헤드(640)는, 곡선형 이너 하우징(610)의 단면에 대응하는 평판 형태로 형성되어 곡선형 피스톤 로드(630)의 일측에 설치되며, 곡선형 피스톤 로드(630)가 곡선형 실린더(620)로부터 노출됨에 따라 일측에 형성되는 곡선형 이너 하우징(610)의 내부 공간에 수용되는 유체(예를 들어, 물 또는 오일 등)를 가압시켜 준다.The piston head 640 is formed in a flat plate shape corresponding to the cross section of the curved inner housing 610 and is installed on one side of the curved piston rod 630, and the curved piston rod 630 is the curved cylinder 620. ), it pressurizes the fluid (eg, water or oil) accommodated in the inner space of the curved inner housing 610 formed on one side.

가변 튜브(650)는, 유체가 이동하기 위한 관통홀을 형성하는 도넛 형태로 형성되어 제1 유체 이동홀(5222a)의 내주면을 따라 설치되며, 도 14에 도시된 바와 같이 피스톤 헤드(640)에 의해 가압되는 유체를 공급받아 팽창되어 유체가 이동하기 위한 관통홀의 직경을 축소시켜 주고, 도 13에 도시된 바와 같이 공급되어 있던 유체가 배출됨에 따라 수축되어 유체가 이동하기 위한 관통홀의 직경을 확장시켜 준다.The variable tube 650 is formed in a donut shape to form a through hole for fluid movement and is installed along the inner circumferential surface of the first fluid movement hole 5222a, and is attached to the piston head 640 as shown in FIG. It expands by receiving the fluid pressurized by it, thereby reducing the diameter of the through hole through which the fluid moves, and as shown in FIG. give.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 제1 유량 조절부(600)는, 제1 유체 이동홀(5222a)의 직경을 가변시켜 줌으로써, 프레임 바디(5221)의 이동 속도가 과도하게 증가하는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 프레임 바디(5221)의 이동에 따라 발생될 수 있는 진동 또는 충격 등을 완충시켜 줄 수 있다.The first flow rate controller 600 having the configuration described above can prevent the excessive increase in the movement speed of the frame body 5221 by varying the diameter of the first fluid movement hole 5222a. In addition, vibration or shock that may be generated according to the movement of the frame body 5221 can be buffered.

도 15는 도 8의 프레임 구동부를 보여주는 도면이다.15 is a view showing the frame driving unit of FIG. 8 .

도 15를 참조하면, 프레임 구동부(525)는, 제1 밀착 롤러(5251), 제2 밀착 롤러(5252), 제3 밀착 롤러(5253), 구동 벨트(5254), 3 개의 지지대(5255) 및 밀착 실린더(5256)를 포함한다.15, the frame driving unit 525 includes a first contact roller 5251, a second contact roller 5252, a third contact roller 5253, a driving belt 5254, three supports 5255, and Includes close cylinder 5256.

제1 밀착 롤러(5251)는, 제2 이동부(530)와 대향하는 곡선형 프레임(522)의 후면 일측에 밀착된다.The first contact roller 5251 is in close contact with one rear side of the curved frame 522 facing the second moving unit 530 .

제2 밀착 롤러(5252)는, 제2 이동부(530)와 대향하는 곡선형 프레임(522)의 후면 타측에 밀착된다.The second contact roller 5252 is in close contact with the other side of the rear surface of the curved frame 522 facing the second moving unit 530 .

제3 밀착 롤러(5253)는, 제1 밀착 롤러(5251)와 제2 밀착 롤러(5252) 사이에 설치되어 제2 이동부(530)와 대향하는 곡선형 프레임(522)의 후면에 밀착된다.The third contact roller 5253 is installed between the first contact roller 5251 and the second contact roller 5252 and adheres to the rear surface of the curved frame 522 facing the second moving unit 530 .

구동 벨트(5254)는, 제1 밀착 롤러(5251), 제2 밀착 롤러(5252) 및 제3 밀착 롤러(5253)가 내향면을 따라 맞물려 연결 설치되며, 제1 밀착 롤러(5251), 제2 밀착 롤러(5252) 및 제3 밀착 롤러(5253)가 각각 전진함에 따라 전단 외향면이 곡선형 프레임(522)의 후면에 밀착된 뒤 제1 밀착 롤러(5251), 제2 밀착 롤러(5252) 및 제3 밀착 롤러(5253)가 동시에 동일한 방향으로 회전 구동함에 따라 함께 회전 구동하면서 곡선형 프레임(522)을 이동시켜 준다.In the drive belt 5254, a first adhesion roller 5251, a second adhesion roller 5252, and a third adhesion roller 5253 are engaged and connected along an inward surface, and the first adhesion roller 5251 and the second adhesion roller 5251 As the contact roller 5252 and the third contact roller 5253 move forward, the front outer surface is in close contact with the rear surface of the curved frame 522, and then the first contact roller 5251, the second contact roller 5252 and As the third contact roller 5253 rotates and drives in the same direction at the same time, it moves the curved frame 522 while also rotating and driving.

3 개의 지지대(5255)는, 제1 밀착 롤러(5251), 제2 밀착 롤러(5252) 및 제3 밀착 롤러(5253)에 각각 설치되어 제1 밀착 롤러(5251), 제2 밀착 롤러(5252) 및 제3 밀착 롤러(5253)를 지지한다.The three supports 5255 are installed on the first contact roller 5251, the second contact roller 5252, and the third contact roller 5253, respectively, to form the first contact roller 5251 and the second contact roller 5252. and a third close contact roller 5253.

밀착 실린더(5256)는, 3 개의 지지대(5255)의 각 후단이 연결 설치되며, 3 개의 지지대(5255)의 각 후단을 내측으로 삽입시키거나 전진 노출시켜 줌으로써, 제1 밀착 롤러(5251), 제2 밀착 롤러(5252), 및 제3 밀착 롤러(5253)에 의해 지지되는 구동 벨트(5254)를 제2 이동부(530)와 대향하는 곡선형 프레임(522)의 후면에 밀착 또는 분리시켜 준다.In the close cylinder 5256, each rear end of the three supports 5255 is connected and installed, and each rear end of the three supports 5255 is inserted inward or forward exposed to form the first close roller 5251, the first The driving belt 5254 supported by the second contact roller 5252 and the third contact roller 5253 is brought into close contact with or separated from the rear surface of the curved frame 522 facing the second moving unit 530.

상술된 실시예들은 예시를 위한 것이며, 상술된 실시예들이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 상술된 실시예들이 갖는 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 상술된 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above-described embodiments are for illustrative purposes, and those skilled in the art to which the above-described embodiments belong can easily transform into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the above-described embodiments. You will understand. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 명세서를 통해 보호받고자 하는 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The scope to be protected through this specification is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and should be construed to include all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof. .

10, 20, 30, 40, 50: 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러
100: 엠보싱 롤러
200: 세척용 돌기
300: 제1 슬러리 분사 노즐
400: 제2 슬러리 분사 노즐
500: 노즐 이동부10, 20, 30, 40, 50: PVA roller for wafer cleaning in the semiconductor CMP process
100: embossing roller
200: protrusion for cleaning
300: first slurry injection nozzle
400: second slurry injection nozzle
500: nozzle moving unit

Claims (5)

폴리비닐 알코올(Polyvinyl Alcohol) 재질로 제작되는 엠보싱 롤러; 및
세척력을 향상시킬 수 있도록 상기 엠보싱 롤러의 외측을 따라 일정한 간격으로 돌출 형성되는 세척용 돌기;를 포함하며,
반도체 CMP 공정의 연마를 위해 알루미나(Al2O3)를 포함하는 슬러리를 분사하는 제1 슬러리 분사 노즐;
상기 제1 슬러리 분사 노즐과 대향하면서 배치되어 반도체 CMP 공정의 연마를 위해 알루미나(Al2O3)를 포함하는 슬러리를 분사하는 제2 슬러리 분사 노즐; 및
하측 전단과 하측 후단에 상기 제1 슬러리 분사 노즐과 상기 제2 슬러리 분사 노즐이 서로 평행하도록 각각 연결 설치되며, 슬러리의 분사 각도를 조절시킬 수 있도록 상기 제1 슬러리 분사 노즐과 상기 제2 슬러리 분사 노즐을 이동시켜 주는 노즐 이동부;를 더 포함하며,
상기 노즐 이동부는,
반도체 CMP 공정이 이루어지는 장소로부터 상측으로 이격 되어 설치되는 고정 패널;
상기 제1 슬러리 분사 노즐을 체결한 상태로 상기 고정 패널의 하측 전단에 설치되며, 상기 제1 슬러리 분사 노즐을 이동시켜 주는 제1 이동부; 및
상기 제1 이동부와 전후 방향의 대칭 구조로 형성되며, 상기 제2 슬러리 분사 노즐을 체결한 상태로 상기 고정 패널의 하측 후단에 설치되며, 상기 제2 슬러리 분사 노즐을 이동시켜 주는 제2 이동부;를 포함하며,
상기 제1 이동부는,
상기 고정 패널의 내측을 따라 수평 방향으로 형장 형성되되, 아치 형태로 전방으로 둥글게 절곡 형성되는 곡선형 이동홈;
상기 곡선형 이동홈의 형상에 대응하여 둥글게 절곡 형성되어 상기 곡선형 이동홈에 안착되며, 중단 하측에 상기 제1 슬러리 분사 노즐을 체결하기 위한 체결 돌기가 하측 방향으로 돌출 형성되며, 상기 곡선형 이동홈을 따라 원호를 그리며 이동하면서 상기 제1 슬러리 분사 노즐을 이동시켜 주는 곡선형 프레임;
유체가 수용되는 밀폐된 내부 공간을 형성하면서 상기 곡선형 이동홈의 일측에 설치되며, 상기 곡선형 프레임의 일측이 내부 공간에 배치되는 제1 프레임 안착 탱크;
유체가 수용되는 밀폐된 내부 공간을 형성하면서 상기 곡선형 이동홈의 타측에 설치되며, 상기 곡선형 프레임의 타측이 내부 공간에 배치되는 제2 프레임 안착 탱크; 및
상기 제2 이동부와 대향하는 상기 곡선형 프레임의 후면에 밀착 설치되며, 상기 곡선형 이동홈을 따라 상기 곡선형 프레임을 이동시켜 주는 프레임 구동부;를 포함하며,
상기 곡선형 프레임은,
상기 곡선형 이동홈의 형상에 대응하여 둥글게 절곡 형성되어 상기 곡선형 이동홈에 안착되는 프레임 바디;
상기 제1 프레임 안착 탱크의 단면에 대응하는 형상의 평판 형태로 형성으로 상기 프레임 바디의 일측이 절곡되어 형성되어 상기 제1 프레임 안착 탱크의 내부 공간에 안착되며, 상기 프레임 바디가 이동함에 따라 상기 제1 프레임 안착 탱크의 내부 공간을 따라 이동할 경우 상기 제1 프레임 안착 탱크의 내부 공간에 수용되는 유체가 통과할 수 있도록 제1 유체 이동홀이 좌우 방향으로 관통 형성되는 제1 절곡 플레이트; 및
상기 제2 프레임 안착 탱크의 단면에 대응하는 형상의 평판 형태로 형성으로 상기 프레임 바디의 타측이 절곡되어 형성되어 상기 제2 프레임 안착 탱크의 내부 공간에 안착되며, 상기 프레임 바디가 이동함에 따라 상기 제2 프레임 안착 탱크의 내부 공간을 따라 이동할 경우 상기 제2 프레임 안착 탱크의 내부 공간에 수용되는 유체가 통과할 수 있도록 제2 유체 이동홀이 좌우 방향으로 관통 형성되는 제2 절곡 플레이트;를 포함하는, 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러.
An embossing roller made of polyvinyl alcohol; and
Including; cleaning protrusions protruding at regular intervals along the outside of the embossing roller to improve cleaning power;
A first slurry spray nozzle spraying a slurry containing alumina (Al 2 O 3 ) for polishing of a semiconductor CMP process;
a second slurry spray nozzle disposed to face the first slurry spray nozzle and spray a slurry containing alumina (Al 2 O 3 ) for polishing of a semiconductor CMP process; and
The first slurry spray nozzle and the second slurry spray nozzle are connected to each other so that they are parallel to each other at the lower front end and the lower rear end, and the spray angle of the slurry is adjusted. The first slurry spray nozzle and the second slurry spray nozzle It further includes; a nozzle moving unit that moves the
The nozzle moving part,
A fixed panel installed spaced upward from a place where a semiconductor CMP process is performed;
a first moving unit installed at a lower front end of the fixed panel in a state in which the first slurry spray nozzle is fastened, and moving the first slurry spray nozzle; and
A second moving unit formed in a symmetrical structure with the first moving unit in the forward and backward direction, installed at the lower rear end of the fixed panel in a state in which the second slurry spray nozzle is fastened, and moving the second slurry spray nozzle including;
The first moving part,
a curved movable groove formed in a horizontal direction along the inner side of the fixed panel and curved forward in an arch shape;
It is bent and formed in a round shape corresponding to the shape of the curved moving groove and seated in the curved moving groove, and a fastening protrusion for fastening the first slurry spray nozzle is protruded downward at the lower part of the middle, and the curved movement a curved frame for moving the first slurry spray nozzle while moving in an arc along the groove;
A first frame mounting tank installed on one side of the curved moving groove while forming a sealed inner space in which fluid is accommodated, and having one side of the curved frame disposed in the inner space;
a second frame mounting tank installed on the other side of the curved moving groove while forming an enclosed inner space in which fluid is accommodated, and the other side of the curved frame being disposed in the inner space; and
A frame driving unit installed in close contact with the rear surface of the curved frame facing the second moving unit and moving the curved frame along the curved moving groove; includes,
The curved frame,
a frame body bent in a round shape corresponding to the shape of the curved moving groove and seated in the curved moving groove;
Formed in the form of a flat plate having a shape corresponding to the cross section of the first frame seating tank, one side of the frame body is bent and seated in the inner space of the first frame seating tank, and as the frame body moves, the first frame body is formed. A first bent plate through which a first fluid movement hole is formed in the left and right directions so that the fluid accommodated in the inner space of the first frame seat tank can pass when moving along the inner space of the first frame seat tank; and
It is formed in the form of a flat plate having a shape corresponding to the cross section of the second frame seating tank, and the other side of the frame body is bent to be seated in the inner space of the second frame seating tank. A second bent plate through which a second fluid movement hole is formed in the left and right directions so that the fluid accommodated in the inner space of the second frame seat tank can pass when moving along the inner space of the two frame seat tanks. PVA roller for wafer cleaning in the semiconductor CMP process.
 제1항에 있어서,
반도체 CMP 공정의 연마를 위해 실리카(SiO2)를 포함하는 슬러리를 분사하는 슬러리 분사 노즐;을 더 포함하는, 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러.
According to claim 1,
A slurry spray nozzle for spraying a slurry containing silica (SiO 2 ) for polishing of the semiconductor CMP process; further comprising a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process.
 제1항에 있어서,
반도체 CMP 공정의 연마를 위해 세리아(CeO2)를 포함하는 슬러리를 분사하는 슬러리 분사 노즐;을 더 포함하는, 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러.
According to claim 1,
Further comprising, a PVA roller for cleaning a wafer in a semiconductor CMP process.
 제1항에 있어서,
반도체 CMP 공정의 연마를 위해 알루미나(Al2O3)를 포함하는 슬러리를 분사하는 슬러리 분사 노즐;을 더 포함하는, 반도체 CMP 공정의 웨이퍼 세정용 PVA 롤러.
According to claim 1,
A slurry spray nozzle for spraying a slurry containing alumina (Al 2 O 3 ) for polishing of the semiconductor CMP process; further comprising a PVA roller for cleaning the wafer in the semiconductor CMP process.
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