KR102485391B1 - 항균성을 갖는 표면 영역을 포함하는 인조대리석의 제조 방법 - Google Patents

항균성을 갖는 표면 영역을 포함하는 인조대리석의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 아크릴계 수지 시럽에 항균제를 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하는 단계;및 상기 제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원료 조성물을 경화시키는 단계를 포함하는 인조대리석의 제조 방법에 대한 것이다.

Description

항균성을 갖는 표면 영역을 포함하는 인조대리석의 제조 방법 {A PREPARATION METHOD OF ARTIFICIAL MARBLE HAVING ANTIBACTERIAL SURFACE AREA}
본 발명은 항균성을 갖는 표면 영역을 포함하는 인조대리석의 제조 방법에 대한 것이다.
인조대리석은 천연대리석의 대체 용도로서 각광받는 소재로서 은은함과 부드러운 질감, 우수한 가공성, 우수한 내후성 및 우수한 내구성 등을 가지고 있어 다양한 용도로 사용될 수 있다. 인조대리석의 이와 같은 물성으로 인해 예를 들어, 싱크대, 세면대, 욕조, 매장의 접수대 등 각종 카운터의 상판, 문지방, 가구, 식탁, 내벽재 등 건축용 내외장재, 마감재, 각종 인테리어 조형물 등에 이용될 수 있다.
최근에는 항균성을 갖는 인조대리석이 개발되고 있다. 예컨대, 한국공개특허 10-2009-0130593호에는 패각칩의 항균성, 살균성 및 탈취성을 이용한 인조대리석이 개시되어 있다.
그러나 인조대리석이 항균성을 갖기 위하여는 인조대리석의 제조 시 항균제를 특정 함량 이상 이용하여야 하는데, 이 경우 항균제를 혼합하는 과정에서 분산 시간이 오래 걸리는 문제가 있다. 또한 항균제를 특정 함량 이상 첨가하여 제조된 인조대리석은 물성이 저하되는 문제가 있다.
이에 본 발명자들은 물성이 양호하면서도 항균성을 갖는 인조대리석에 대하여 연구하던 중 인조대리석의 표면 영역에 항균제가 포함되도록 하는 다영역 인조대리석을 제조하는 경우 인조대리석의 물성이 양호한 것을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 물성이 양호한 항균성 인조대리석을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
아크릴계 수지 시럽에 항균제를 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하는 단계;및
상기 제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원료 조성물을 경화시키는 단계를 포함하는
인조대리석의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 인조대리석은 항균성을 가지며 물성이 양호한 특성이 있다.
도 1은 본 발명의 인조대리석(1) 의 한 양태이다. 이때 인조대리석은 제1영역(10) 및 제2영역(20)이 순차적으로 적층되며, 서로 접촉하고 있다.
도 2는 본 발명의 인조대리석(1) 의 한 양태이다. 이때 인조대리석은 제1영역(10), 제2영역(20) 및 제3영역(30)이 순차적으로 적층된다. 이때 제1영역(10) 및 제3영역(30)은 조성이 동일할 수 있다.
본 발명은,
아크릴계 수지 시럽에 항균제를 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하는 단계;및
상기 제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원료 조성물을 경화시키는 단계를 포함하는
인조대리석의 제조 방법에 대한 것이다.
또한 본 발명은 본 발명의 제조 방법으로 제조한 인조대리석에 대한 것이다.
이하, 본 발명을 자세히 설명한다.
제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하는 단계
본 발명의 인조대리석의 제조 방법은 아크릴계 수지 시럽에 항균제를 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하는 단계를 포함한다.
상기 항균제는 무기 항균제일 수 있다. 상기 항균제는 은 또는 아연의 항균 활성을 이용한 무기 항균제일 수 있으며, 예컨대, 은계 항균제, 아연계 항균제, 산화아연 등일 수 있다. 또한 본 발명의 항균제는 나노 크기 및/또는 마이크론 크기의 산화아연일 수 있고, 금속 이온(예컨대, 은 이온, 아연 이온 등)이 담지된 항균성 제올라이트, 항균성 글래스, 항균성 지르코늄 등일 수 있다. 상기 산화아연은 D50 기준으로 0.01 μm 내지 1.7 μm의 직경을 갖는 산화아연일 수 있으며, 바람직하게는 0.05 μm 내지 1.5 μm 직경을 갖고 더욱 바람직하게는 0.1 μm 내지 1.0 μm 직경을 갖는 것이 바람직하다.
본 명세서에서 중앙값 직경(D50)은 입도 분포 곡선에서 중량 백분율이 50%가 되는 직경, 즉 입도 분포 곡선을 중량으로 동일한 두 개의 영역으로 분리하는 중앙값을 의미한다. 이때, 상기 입도는 Beckman coulter LS 13 320 Particle size analyzer 입도분석기를 사용하여 측정할 수 있다.
상기 항균제의 첨가는 상기 항균제를 아크릴계 수지 시럽에 첨가하여 수행될 수 있다. 이때 상기 항균제의 첨가는 항균제, 분산제 및 분산용매를 포함하는 항균 조성물을 아크릴계 수지 시럽에 첨가하여 수행될 수 있다. 이때 상기 항균 조성물은 항균제 100 중량부에 대하여 분산제 1 내지 5 중량부 및 분산용매 10 내지 50 중량부를 포함할 수 있다.
항균제를 분산제, 분산용매를 포함하는 항균 조성물의 형태로 아크릴계 수지 시럽에 첨가하여 인조대리석을 제조하는 경우, 항균제를 단독으로 직접 아크릴계 수지 시럽에 첨가하여 인조대리석을 제조하는 경우보다, 무기충전물(예컨대 수산화알루미늄)을 더 적게 사용할 수 있으며, 이에 따라 아크릴 수지 시럽의 함량이 상대적으로 적어지게 되어, 인조대리석의 굴곡탄성율, 굴곡강도 등과 같은 물성이 더욱 좋아질 수 있다. 또한 항균제를 항균제 단독으로 사용하지 않고, 분산제, 분산용매를 포함하는 항균 조성물의 형태로 사용함으로써 항균제의 분산성이 더욱 우수하게 된다.
항균 조성물을 이용 시, 항균제 100 중량부에 대하여 분산제는 1 내지 5 중량부 포함할 수 있다. 분산제가 상기 범위로 포함될 때 항균제의 분산성이 우수하다. 상기 분산제는 인조대리석 제조에 사용되는 임의의 분산제를 적절히 사용하면 되고 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 상기 분산제는 이온계, 또는 비이온계 분산제일 수 있으며, 또한 산성 그룹을 갖는 공중합체, 다가 알코올 산성 에스테르계 등일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 분산제는 폴리비닐알코올ㆍ아크릴산ㆍ메타크릴산메틸 공중합체, 아미노알킬메타크릴레이트 공중합체 등일 수 있다. 분산제를 사용함으로써 항균제가 적절히 분산되게 할 수 있다.
항균 조성물을 이용 시 항균제 100 중량부에 대하여 분산용매는 10 내지 50 중량부 포함할 수 있고, 바람직하게는 15 내지 45 중량부 포함하며, 더욱 바람직하게는 20 내지 40 중량부를 포함할 수 있다. 분산용매가 상기 범위로 포함될 때 항균제의 분산성이 우수하다. 상기 분산용매는 디옥틸 테레프탈레이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 디이소부티레이트 및 이소파라핀-H로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.
항균 조성물을 아크릴계 수지 시럽에 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조할 때, 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 항균제가 0.5 내지 6 중량%가 되도록 항균 조성물을 사용할 수 있고, 바람직하게는 0.7 내지 5 중량%가 되도록 사용할 수 있다.
본 발명의 한 예에서, 항균제로 산화아연을 사용하는 경우, 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 산화아연은 0.5 내지 6 중량%가 되도록 산화아연을 포함하는 항균 조성물을 사용할 수 있고, 바람직하게는 0.7 내지 5 중량%가 되도록 사용할 수 있다.
이때 산화아연은 중앙값 직경(D50)이 0.6 μm 초과 1.5 μm 이하의 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연일 수 있으며, 바람직하게는 중앙값 직경(D50)이 0.8 μm 초과 1.3 μm 이하의 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연일 수 있다. 이 경우 마이크론 크기의 산화아연은 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 산화아연이 2 중량% 이상 6 중량% 이하가 되도록 사용할 수 있고, 바람직하게는 3 중량% 이상 5 중량% 이하가 되도록 사용할 수 있다.
또한 산화아연은 중앙값 직경(D50)이 0.05 μm 초과 0.5 μm 이하의 직경을 갖는 나노 크기의 산화아연일 수 있으며, 바람직하게는 중앙값 직경(D50)이 0.07 μm 초과 0.12 μm 이하의 직경을 갖는 나노 크기의 산화아연일 수 있다. 이 경우 나노 크기의 산화아연은 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 산화아연이 0.5 중량% 이상 2 중량% 미만이 되도록 사용할 수 있고, 바람직하게는 0.7 중량% 이상 1.5 중량% 이하가 되도록 사용할 수 있다.
항균 조성물을 아크릴계 수지 시럽에 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조할 때, 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 분산제는 0.01 내지 0.3 중량%가 되도록 사용할 수 있고, 바람직하게는 0.03 내지 0.2 중량%가 되도록 사용할 수 있다.
항균 조성물을 아크릴계 수지 시럽에 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조할 때, 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 분산용매는 0.1 내지 1.5 중량%가 되도록 사용할 수 있고, 바람직하게는 0.2 내지 1.0 중량%가 되도록 사용할 수 있다.
아크릴계 수지 시럽에 항균제를 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하는 단계는 아크릴계 수지 시럽에 무기충전물, 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제, 및/또는 열 개시제와 항균제를 첨가하여 수행할 수 있다. 상기 무기충전물은 수산화알루미늄일 수 있다.
상기 아크릴계 수지 시럽은 아크릴계 수지 및 아크릴 단량체를 포함할 수 있다.
상기 아크릴계 수지는 폴리메틸메트아크릴레이트인 것이 바람직하며, 중량평균분자량이 약 20,000g/mol 내지 약 200,000g/mol 일 수 있다. 상기 아크릴계 수지의 중량평균분자량이 상기 범위 미만일 경우 상기 조성물의 점도가 낮아져 흐름성이 지나치게 커질 수 있고, 상기 범위 초과일 경우 상기 조성물의 점도가 높아져 기포의 제어가 어려워지거나 성형성이 떨어질 수 있다.
상기 아크릴계 단량체는 알킬기 함유 (메트)아크릴레이트계 모노머, 히드록시 함유 (메트)아크릴레이트계 모노머, 카르복실기 함유 (메트)아크릴레이트계 모노머, 질소 함유 (메트)아크릴레이트계 모노머 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다.
상기 아크릴계 수지 및 아크릴계 단량체를 혼합하여 아크릴계 수지 시럽을 제조한다. 상기 아크릴계 수지 시럽은 아크릴계 수지 100 중량부에 대하여 아크릴계 단량체 40 내지 1900 중량부를 포함할 수 있으며, 바람직하게는 100 내지 400 중량부 포함할 수 있고, 더욱 바람직하게는 200 내지 300 중량부 포함할 수 있다. 예컨대, 아크릴계 수지 시럽은 아크릴 수지 5 내지 70 중량% 및 아크릴계 단량체 30 내지 95 중량%를 포함할 수 있으며, 바람직하게는 아크릴계 수지 20 내지 50 중량% 및 아크릴계 단량체 50 내지 80 중량%를 포함할 수 있으며, 바람직하게는 아크릴계 수지 15 내지 25 중량% 및 아크릴계 단량체 75 내지 85 중량%일 수 있다.
또한 상기 아크릴계 수지 시럽은 폴리아크릴계 수지 뿐 아니라, 폴리에스테르계 수지, 폴리스타이렌계 수지, 아크릴계 단량체, 에스테르계 단량체, 스타이렌계 단량체 등을 추가로 포함할 수 있으며, 당업자는 본 발명의 인조대리석의 물성에 유의한 영향을 주지 않는 범위 내에서 그 양을 적절히 조절할 수 있을 것이다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조 시, 상기 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대하여 수산화알루미늄은 100 내지 250 중량부 포함될 수 있으며, 바람직하게는 110 내지 230 중량부 포함될 수 있고, 더욱 바람직하게는 120 내지 200 중량부 포함될 수 있다. 상기 수산화알루미늄은 중앙값 직경(D50)이 0.5 μm 이상 100 μm 이하인 수산화알루미늄을 사용할 수 있다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조 시, 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대하여, 개시제는 0.01 내지 1 중량부 사용될 수 있다. 상기 개시제는 인조대리석 제조에 사용되는 임의의 개시제를 적절히 사용하면 되고 특별히 제한되지 않는다. 상기 개시제는 중합 반응 개시제로, 본 발명에서는 열 개시제인 것이 바람직하다. 상기 열 개시제는 유기과산화물로서 벤조일 퍼옥사이드, 디쿠밀 퍼옥사이드와 같은 디아실 퍼옥사이드, 부틸하이드로 퍼옥사이드, 쿠밀하이드로 퍼옥사이드와 같은 하이드로 퍼옥사이드, t-부틸 퍼옥시 말레인산, t-부틸하이드로 퍼옥사이드, t-부틸 하이드로 퍼옥시부틸레이트, 아세틸 퍼옥사이드, 라우로일 퍼옥사이드, 아조비스이소부티로니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴, t-부틸 퍼옥시 네오데카노에이트, t-아밀 퍼옥시 2-에틸 헥사노에이트, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조 시, 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대하여 커플링제는 0.1 내지 5 중량부 포함될 수 있다. 상기 커플링제는 인조대리석 제조에 사용되는 임의의 커플링제를 적절히 사용하면 되고 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 상기 커플링제는 비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-(메타) 아크릴록시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메타) 아크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-(메타)아크릴록시프로필메틸디에톡시실란, 3-(메타)아크릴록시프로필 트리에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필 아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란의 염산염, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조 시, 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대하여 가교제는 1 내지 10 중량부 포함될 수 있다. 상기 가교제는 인조대리석 제조에 사용되는 임의의 가교제를 적절히 사용하면 되고 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 상기 가교제는 이관능성 (메트)아크릴레이트계 모노머, 이관능성 (메트)아크릴레이트계 올리고머 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다. 이관능성이란 경화 반응 시 결합을 형성할 수 있는 이중 결합을 포함하는 소정의 기, 예를 들어 아크릴레이트기가 2개 존재한다는 의미를 나타낼 수 있다. 상기 이관능성 (메트)아크릴레이트계 모노머는 예를 들어, 1,2-에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 1,12-도데탄디올 아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 200 디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 400 디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 600 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트(neopentylglycol adipate) 디(메트)아크릴레이트, 히드록시피발산(hydroxyl puivalic acid) 네오펜틸글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(dicyclopentanyl) 디(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐 디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 디(메트)아크릴레이트, 디(메트)아크릴록시 에틸 이소시아누레이트, 알릴(allyl)화 시클로헥실 디(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올(메트)아크릴레이트, 디메틸롤 디시클로펜탄 디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 헥사히드로프탈산 디(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸 디메탄올(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸프로판 디(메트)아크릴레이트, 아다만탄(adamantane) 디(메트)아크릴레이트,9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오린(fluorine), 에틸렌 글리콜 디메트아크릴레이트(EGDMA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조 시, 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대하여 자외선 흡수제는 0.1 내지 5 중량부 포함될 수 있다. 상기 자외선 흡수제는 외부로부터 입사된 광 중 적어도 일부 자외선 영역의 광을 선택적으로 흡수하고 열의 형태로 변화시켜 상기 자외선 영역의 광에 의한 바인더 수지 조성물의 열화를 방지함으로써, 상기 자외선 영역의 광을 차단하는 특성을 가지는 물질을 의미한다. 상기 자외선 흡수제를 상기 바인더 수지 조성물 내에 전술한 범위의 함량으로 포함하는 경우, 천연석에 가까운 자연스러운 미감을 갖고, 외장재에 적용하기 위한 우수한 내광성 및 내후성을 가질 수 있다. 또한, 상기 자외선 흡수제를 상기 바인더 수지 조성물 내에 전술한 범위 초과의 함량으로 포함하는 경우, 상기 자외선 흡수제의 고유 색상에 의해 색상을 변화시키고, 원재료비가 상승하는 문제가 발생될 수 있다. 상기 자외선 흡수제로는 분자량이 50 g/mol 내지 500 g/mol인 것을 사용할 수 있으며, 그 종류는 특별히 한정되지 않으나 예컨대, 시아노아크릴레이트계 자외선 흡수제, 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 말론산계 자외선 흡수제, 옥사닐라이드계 자외선 흡수제, 벤조페논계 자외선 흡수제 및 트리아진계 자외선 흡수제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조 시, 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대하여 안료는 0.1 내지 5 중량부 포함될 수 있다. 상기 안료는 인조대리석의 제조 시 일반적으로 사용되는 안료면 되고 특별히 제한되지 않는다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조 시 인조대리석 제조에 일반적으로 사용되는 소포제, 칩 등 다른 성분들이 추가로 사용될 수 있다.
제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원료 조성물을 경화시키는 단계
본 발명의 인조대리석의 제조 방법은 상기 제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원료 조성물을 경화시키는 단계를 포함한다.
제2 인조대리석 원료 조성물은 항균제를 포함하지 않는 것이 인조대리석의 물성을 고려할 때 바람직하다. 또한 상기 제2 인조대리석 원료 조성물은 항균제가 포함되지 않는 점을 제외하면 제1 인조대리석 원료 조성물과 그 조성, 예컨대 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대한 다른 성분들의 함량, 및 제조 방법이 동일할 수 있다.
즉, 무기충전물(예컨대 수산화알루미늄), 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제, 및/또는 열 개시제를 첨가하여 상기 제2 인조대리석 원료 조성물을 제조하여 이용할 수 있으며, 이때 제1 인조대리석 원료 조성물의 제조 시 사용한 성분들 및 방법들이 제2 인조대리석 원료 조성물의 제조 시에도 적용될 수 있다.
본 발명의 인조대리석은 캐스팅 공법을 이용하여 주형 라인에서 제조할 수 있다. 주형 라인은 일정한 라인 속도로 계속 진행하고, 그 위에 제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원조 조성물을 올리고, 주형 라인이 오븐을 통과하여 제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원조 조성물이 경화되면 라인의 끝부분에서 일정한 길이로 경화물을 재단하여 인조대리석 판재를 생산한다. 이때, 토출량 비율을 균일하게 하고 동시 주입을 통하여 균일한 두께의 영역들을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 동시 경화를 통하여 본 발명에서는 공정을 단순화시킬 수 있으며, 계면에서 영역간의 화학 결합이 형성되어 계면 접착성이 높다.
인조대리석의 제조 방법
본 발명의 인조대리석의 제조 방법은 아크릴계 수지 시럽에 항균제를 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하는 단계;및 상기 제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원료 조성물을 경화시키는 단계를 포함한다.
인조대리석
본 발명의 제조 방법으로 제조된 인조대리석(1)은 제1 인조대리석 원료 조성물이 경화된 제1영역(10) 및 제2 인조대리석 원료 조성물이 경화된 제2영역(20)을 포함한다.
상기 제1영역은 인조대리석의 표면에 위치하는 영역일 수 있으며, 인조대리석이 3 개 이상의 영역을 포함하는 경우, 인조대리석의 양쪽 표면에 위치하는 표면영역들일 수 있다. 이 경우, 제1영역은 인조대리석의 한쪽 표면에 위치하고 또한 반대편 표면에도 위치할 수 있고, 두 개의 제1영역 사이에는 제2영역과 같은 하나 이상의 다른 영역이 위치할 수 있다. 즉, 인조대리석이 제1영역을 두 개 포함할 수 있다.
상기 제1영역은 항균제를 포함하므로, 항균성을 갖게 된다. 제1영역은 인조대리석의 표면에 위치하는 영역일 수 있으므로, 외부 환경에 제1영역에 노출될 수 있으며, 이때 제1영역의 항균성에 의하여 인조대리석의 제2영역도 보호받게 된다.
제1영역의 두께는 인조대리석을 폴리싱한 후를 기준으로 1 mm 이상 5 mm 이하인 것이 바람직하다. 제1영역이 상기 범위의 두께를 가질 때 사용자가 스크래치 등의 복원과 접합을 위하여 추가 폴리싱(polishing)을 할 수 있다. 또한 인조대리석의 시공 시 접착 및 샌딩 작업을 통해 광택성 및 일체화를 확보하거나 보수를 위해 샌딩을 하는 경우에도, 제1영역이 상기 범위의 두께를 가짐으로써 항균성을 갖게 된다.
인조대리석 전체가 아닌 제1영역이 항균제를 포함함으로써, 인조대리석 전체에 항균제와 함께 분산제 및 분산용매를 과량 투여할 필요가 없고, 인조대리석 전체에 항균제를 포함 시, 이에 따른 점도 증가 등의 문제를 아크릴계 시럽 또는 단량체(모노머)의 과량 투여로 보완하게 되는데, 이렇게 아크릴계 시럽 또는 단량체를 과량 투여할 필요가 없다. 그러므로, 인조대리석 전체가 아닌 제1영역이 항균제를 포함함으로써, 이러한 분산제, 분산용매, 아크릴계 시럽 또는 단량체의 과량 투여로 인한 인조대리석의 물성 변화를 방지할 수 있게 된다. 즉, 인조대리석 전체가 아닌 제1영역만이 항균제를 포함함으로써, 제2영역에서 인조대리석의 물성을 보완할 수 있게 된다. 그러므로 인조대리석 설계, 즉 레시피 설계시 다양한 변화가 가능하다.
상기 제2영역은 제2 인조대리석 원료 조성물이 경화된 영역일 수 있다. 상기 제2영역은 인조대리석의 이면에 위치하는 영역일 수 있으며, 인조대리석이 3 개 이상의 영역을 포함할 경우 표면영역들 사이에 위치할 수 있다. 상기 제2영역은 항균제를 포함하지 않는 것이 바람직하다.
상기 제 2영역의 두께는 제1 영역의 두께의 2배 내지 7배일 수 있다. 제2영역의 두께는 3 mm 이상 31 mm 이하일 수 있다. 제2영역이 상기 범위의 두께를 가짐으로써, 제1영역에 항균제를 가진 인조대리석의 물성이 양호하게 된다.
본 발명의 인조대리석은 2 이상의 영역을 포함하며, 여러 양태를 가질 수 있다. 본 발명의 인조대리석은 3개 이상의 영역을 포함할 수 있다. 예컨대 본 발명의 인조대리석(1)은 제1영역(10) 및 제2영역(20)이 순차적으로 적층되며, 서로 접촉할 수 있다(도 1).
또한 본 발명의 인조대리석(1)은 제1영역(10), 제2영역(20) 및 제3영역(30)이 순차적으로 적층될 수 있고, 이때 제1영역(10) 및 제3영역(30)은 조성이 동일할 수 있다(도 2). 이때, 제1영역(10)및 제3영역(30)은 조성뿐 아니라 두께도 동일할 수 있다.
본 발명의 인조대리석은 1.2 내지 2.1의 비중을 갖는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1.5 내지 2.0의 비중을 갖고, 더욱 더 바람직하게는 1.7 내지 1.8의 비중을 갖는다. 이때 상기 제1영역의 비중 및 제2영역의 비중은 그 차이가 0.3 미만인 것이 바람직하다. 만약 제1영역 및 제 2영역의 비중의 차이가 0.3 이상인 경우 경화 시간에 따라 떠오름이 발생할 가능성이 있으며, 경화가 균일하게 일어나지 않을 가능성이 높다.
본 발명의 인조대리석은 ASTM D790에 따라 측정한 굴곡강도가 6.0 내지 9.0 kgf/mm2인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 6.0 내지 8.0 kgf/mm2이다. 굴곡강도가 6.0 kgf/mm2 미만인 경우 인조대리석 판재가 쉽게 부러지거나 충격에 쉽게 깨질 수 있고, 굴곡강도가 9.0 kgf/mm2을 초과하는 경우 인조대리석의 가공이 힘들게 된다. 또한 본 발명의 인조대리석은 ASTM D790에 따라 측정한 굴곡탄성율이 700 내지 2000 kgf/mm2 인 것이 바람직하고, 700 내지 1000 kgf/mm2인 것이 더욱 바람직하다. 굴곡탄성율이 이보다 낮은 경우 낮은 하중에서도 쉽게 변형이 갈 수 있고, 운반 및 설치 시 휨에 의한 변형이 쉽게 일어나 두께 변화, 표면의 패턴의 변화가 일어날 수 있다. 또한 굴곡 탄성율이 너무 높을 경우 변형이 쉽게 일어나지 않아 충격을 흡수하는 능력이 떨어질 수 있다. 그러므로 본 발명의 인조대리석은 굴곡강도가 6.0 내지 9.0 kgf/mm2, 굴곡탄성율이 700 내지 2000 kgf/mm2인 것이 바람직하다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
<재료 및 방법>
폴리메틸메트아크릴레이트 (분자량 70,000g/mol) 및 메틸메트아크릴레이트를 혼합하고 60 ℃에서 30분 동안 교반하여 아크릴계 수지 시럽 (25 ℃, 점도 1,000 cps)을 제조하였다. 이때 폴리메틸메트아크릴레이트 30 중량% 및 메틸메트아크릴레이트는 70 중량%를 사용하였다. 하기 실험들에서는 이렇게 제조한 아크릴계 수지 시럽을 사용하였다.
분산제는 산성그룹을 갖는 공중합체인 BYK111TM을 사용하였으며, 분산용매는 이소파라핀H를 사용하였다. 자외선 흡수제로는 TINUVIN 329를 사용하였고, 커플링제로는 3-(메타) 아크릴록시프로필트리메톡시실란을 사용하였다. 가교제로는 에틸렌 글리콜 디메트아크릴레이트(EGDMA)를 사용하였다. 열 개시제로는 벤조일 퍼옥사이드를 사용하였다. 산화아연은 중앙값 직경(D50)이 1 μm 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연 및 중앙값 직경(D50)이 0.1 μm 직경을 갖는 나노 크기의 산화아연을 사용하였다. 은 아연 항균제는 입도가 1 μm 인, 은 이온 및 아연 이온이 담지된 항균성 제올라이트인 은 아연 제올라이트를 사용하였다.
실시예들 및 비교예 2 및 4의 인조대리석에서, 제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원료조성물을 제조할 때, 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대한 수산화알루미늄, 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제, 및 열 개시제의 사용량은 동일하였다. 즉, 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대하여 수산화알루미늄 180 중량부, 커플링제 0.2 중량부, 가교제 2.0 중량부, 안료 0.1 중량부, 자외선 흡수제 0.3 중량부, 열 개시제 0.8 중량부를 사용하였다.
실시예들 및 비교예 2 및 4의 제2 인조대리석 원료조성물은 동일하다.
비교예 1, 3 및 5의 인조대리석에서 인조대리석 원료 조성물을 제조할 때, 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대한 수산화알루미늄, 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제 및 열 개시제의 사용량은 동일하였다. 즉, 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 대하여, 수산화알루미늄 180 중량부, 커플링제 0.2 중량부, 가교제 2.0 중량부, 안료 0.1 중량부, 자외선 흡수제 0.3 중량부, 열 개시제 0.8 중량부를 사용하였다.
<실시예 1>
항균 조성물의 제조
산화아연 100 중량부에 대하여 분산제 2.5 중량부를 첨가하고 분산용매를 20 중량부 혼합하여 항균 조성물을 제조하였다. 산화아연 항균제는 중앙값 직경(D50)이 1 μm 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연을 사용하였다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조
아크릴계 수지 시럽에 수산화알루미늄, 열 개시제, 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제, 항균 조성물을 첨가하고 믹서에서 상온에서 10분 동안 교반하여 제1 인조대리석 원료 조성물 (점도 5,000 cps, 25 ℃)을 제조하였다. 이때 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 산화아연 항균제의 함량이 3 중량%가 되도록 항균 조성물을 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하였다.
제2 인조대리석 원료 조성물의 제조
아크릴계 수지 시럽에 수산화알루미늄, 열 개시제, 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제를 첨가하고 믹서에서 30 ℃에서 5 분 동안 교반하여 제2 인조대리석 원료 조성물 (점도 5,000 cps, 25 ℃)을 제조하였다.
이후, 제1영역 위(on)에 제2영역이 위치하도록, 상기 제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원료 조성물을 주형 라인에 동시 주입하고 80 ℃에서 1 시간 동안 경화시켜 제1 인조대리석 원료 조성물이 경화된 영역(제1영역, 이하, 표면영역이라고도 함)의 두께가 4 mm, 제2 인조대리석 원료 조성물이 경화된 영역(제2영역, 이하, 이면영역이라고도 함)의 두께가 9 mm인 인조대리석을 제조하였다. 이때, 상기 표면 영역에는 항균제가 포함되게 된다.
<실시예 2>
항균 조성물의 제조
산화아연 100 중량부에 대하여 분산제 4.0 중량부를 첨가하고 분산용매를 40 중량부 혼합하여 항균 조성물을 제조하였다. 이때 산화아연 항균제는 중앙값 직경(D50)이 0.1 μm 직경을 갖는 나노 크기의 산화아연을 사용하였다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조
아크릴계 수지 시럽에 수산화알루미늄, 열 개시제, 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제, 항균제인 산화아연을 첨가하고 믹서에서 상온에서 10분 동안 교반하여 제1 인조대리석 원료 조성물 (점도 5,000 cps, 25 ℃)을 제조하였다. 이때 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 산화아연 항균제의 함량이 1 중량%가 되도록 항균 조성물을 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하였다.
상기 제1 인조대리석 원료 조성물을 제2 인조대리석 원료 조성물과 함께 이용하여 인조대리석을 제조하였다. 이때, 제2 인조대리석 원료 조성물의 제조 방법 및 제1 인조대리석 원료 조성물과 제2 인조대리석 원료 조성물을 이용한 인조대리석의 제조 방법은 실시예 1과 동일하다.
<실시예 3>
항균 조성물의 제조
항균제로 산화아연 대신 은 아연 제올라이트를 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 항균 조성물을 제조하였다.
상기 항균 조성물 및 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하고, 이를 이용하여 인조대리석을 제조하였다.
즉, 실시예 3에서는 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 은 아연 제올라이트 항균제의 함량이 3 중량%가 되도록 항균 조성물을 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하였으며, 그 외에는 실시예 1과 동일하다.
<비교예 1>
아크릴계 수지 시럽에 수산화알루미늄, 열 개시제, 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제를 첨가하고 믹서에서 30 ℃에서 5 분 동안 교반하여 인조대리석 원료 조성물 (점도 5,000 cps, 25 ℃)을 제조하고, 이를 80 ℃에서 1 시간 동안 경화시켜 두께가 13 mm인 인조대리석을 제조하였다.
<비교예 2>
항균제
항균제로는 산화아연을 사용하였으며, 항균 조성물이 아닌 단독 형태로 이용하였다. 산화아연 항균제는 중앙값 직경(D50)이 1 μm 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연을 사용하였다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조
아크릴계 수지 시럽에 수산화알루미늄, 열 개시제, 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제, 및 항균제인 산화아연을 첨가하고 믹서에서 상온에서 10분 동안 교반하여 제1 인조대리석 원료 조성물 (점도 5,000 cps, 25 ℃)을 제조하였다. 이때 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 산화아연 항균제의 함량이 3 중량%가 되도록 산화아연을 사용하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하였다.
상기 제1 인조대리석 원료 조성물을 제2 인조대리석 원료 조성물과 함께 이용하여 인조대리석을 제조하였다. 이때, 제2 인조대리석 원료 조성물의 제조 방법 및 제1 인조대리석 원료 조성물과 제2 인조대리석 원료 조성물을 이용한 인조대리석의 제조 방법은 실시예 1과 동일하다.
<비교예 3>
항균제
항균제로는 산화아연을 사용하였으며, 항균 조성물이 아닌 단독 형태로 이용하였다. 산화아연 항균제는 중앙값 직경(D50)이 1 μm 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연을 사용하였다.
아크릴계 수지 시럽에 수산화알루미늄, 분산제, 열 개시제, 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제 및 항균제인 산화아연을 첨가하고 믹서에서 30 ℃에서 5 분 동안 교반하여 인조대리석 원료 조성물 (점도 5,000 cps, 25 ℃)을 제조하고, 이를 80 ℃에서 1 시간 동안 경화시켜 두께가 13 mm인 인조대리석을 제조하였다.
이때 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 산화아연은 3.0 중량%가 되도록 산화아연을 사용하고 분산제는 0.07 중량%가 되도록 사용하여 인조대리석 원료 조성물을 제조하였다.
<비교예 4>
항균제
항균제로는 산화아연을 사용하였으며, 항균 조성물이 아닌 단독 형태로 이용하였다. 산화아연 항균제는 중앙값 직경(D50)이 0.1 μm 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연을 사용하였다.
제1 인조대리석 원료 조성물의 제조
항균제로 중앙값 직경(D50)이 1 μm 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연이 아닌, 중앙값 직경(D50)이 0.1 μm 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연을 사용한 것을 제외하고 비교예 2와 동일한 방법으로 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하였다.
상기 제1 인조대리석 원료 조성물을 제2 인조대리석 원료 조성물과 함께 이용하여 인조대리석을 제조하였다. 이때, 제2 인조대리석 원료 조성물의 제조 방법 및 제1 인조대리석 원료 조성물과 제2 인조대리석 원료 조성물을 이용한 인조대리석의 제조 방법은 실시예 1과 동일하다.
즉, 비교예 4는 중앙값 직경(D50)이 0.1 μm 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연을 사용한 것을 제외하고 비교예 2와 동일하다.
<비교예 5>
항균 조성물의 제조
산화아연 100 중량부에 대하여 분산제 2.5 중량부를 첨가하고 분산용매를 20 중량부 혼합하여 항균 조성물을 제조하였다. 산화아연 항균제는 중앙값 직경(D50)이 1 μm 직경을 갖는 마이크론 크기의 산화아연을 사용하였다.
아크릴계 수지 시럽에 수산화알루미늄, 열 개시제, 커플링제, 가교제, 안료, 자외선 흡수제 및 항균 조성물을 첨가하고 믹서에서 30 ℃에서 5 분 동안 교반하여 인조대리석 원료 조성물 (점도 5,000 cps, 25 ℃)을 제조하고, 이를 80 ℃에서 1 시간 동안 경화시켜 두께가 13 mm인 인조대리석을 제조하였다.
이때 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 산화아연은 3.0 중량%가 되도록 항균 조성물을 사용하여 인조대리석 원료 조성물을 제조하였다.
즉, 실시예 1 내지 3, 비교예 2 및 4의 인조대리석은 이층 구조로, 제1 인조대리석 원료 조성물이 경화된 제1영역(표면 영역)의 두께는 4 mm이고, 제2 인조대리석 원료 조성물이 경화된 제2영역(이면 영역)의 두께는 9 mm 였다.
비교예 1, 3 및 5의 인조대리석들은 단일 영역으로 된 경화물이며, 인조대리석의 두께는 13 mm 이다.
상기 실시예들 및 비교예들의 수산화알루미늄, 항균제, 분산제 및 분산용매의 함량, 및 항균제 투입 형태는 표 1과 같다. 이때, 실시예들의 경우 분산제 및 분산용매 함량은 제1인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 함량으로 환산하여 나타내었다.
　 제1인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 산화아연 함량(중량%)
(산화아연의 중앙값 직경)		 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 산화아연 함량(중량%)
(산화아연의 중앙값 직경)		 제1인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 은 아연 제올라이트 함량(중량%) 제1인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 분산제 함량(중량%) 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 분산제 함량(중량%) 제1인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 분산용매 함량(중량%) 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 분산용매 함량(중량%) 항균제 투입 형태
(인조대리석 내 항균제 포함 부분)
실시예 1 3
(1μm)		 0.075 0.6 항균조성물
(1영역)
실시예 2 1 (0.1μm) 0.040 0.4 항균조성물(1영역)
실시예 3 3 0.075 0.6 항균조성물(1영역)
비교예 1
비교예 2 3 (1μm) 항균제 단독
(1영역)
비교예 3 3 (1μm) 0.070 항균제 단독(전체)
비교예 4 3 (0.1μm) 항균제 단독(1영역
비교예 5 3 (1μm) 0.075 0.6 항균조성물(전체)
<실험예 1>
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5에 대하여 항균성을 평가하였다. 항균성 평가 방법은 JIS Z 2801 방법을 이용하였다.
그 결과, 실시예 1 내지 3, 비교예 2 내지 5는 모두 항균성이 있는 것으로 나타났다(표 2).
항균성
실시예 1 >99.9%
실시예 2 >99.9%
실시예 3 >99.9%
비교예 1 0
비교예 2 >99.9%
비교예 3 >99.9%
비교예 4 >99.9%
비교예 5 >99.9%
<실험예 2>
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5의 인조대리석들의 기계적 물성을 평가하였다. 이는 굴곡강도 및 굴곡탄성율을 평가하여 수행하였다.
굴곡강도는 ASTM D790에 따라 측정하였고, 굴곡탄성율은 ASTM D790에 따라 측정하였다.
그리고 비교예 1을 기준으로 하여 비교예 1보다 굴곡강도 또는 굴곡탄성율의 측정 결과가 낮은 것은 "불량"으로 판단하였으며, 비교예 1과 굴곡강도 또는 굴곡탄성율의 측정 결과가 동일하거나 비교예 1보다 높은 것은 "양호"로 판단하였다.
그 결과, 실시예 1 내지 3의 인조대리석들은 서로 차이가 있기는 하나 ASTM D790에 따라 측정한 굴곡강도가 6.0 내지 9.0 kgf/mm2 내에 포함되었으며 ASTM D790에 따라 측정한 굴곡탄성율이 700 내지 2000 kgf/mm2 범위 내인 것으로 나타났다. 또한 비교예 1을 기준으로 판단할 때, 실시예 1 내지 3은 모든 물성이 양호한 것으로 판단되었다(표 3).
굴곡강도 굴곡탄성율
실시예 1 양호 양호
실시예 2 양호 양호
실시예 3 양호 양호
비교예 1 기준 기준
비교예 2 양호 양호
비교예 3 양호 불량
비교예 4 양호 양호
비교예 5 양호 불량
<실험예 3>
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5에 대하여 인조대리석의 제조 시 분산성을 평가하였다. 이때, 인조대리석의 표면에서 항균제가 뭉침 정도로 분산성을 평가하였다. 구체적으로는 검정색 안료를 사용하여 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5의 인조대리석의 100mm x 100mm 시편을 제작하고 폴리싱 후 평가하였을 때 하얀 점이 1개(1EA) 이상 발견될 때 불량으로 판단하였다.
그 결과, 실시예 1 내지 3, 비교예 3 및 5는 분산성이 양호하였으나, 비교예 2 및 4는 분산성이 좋지 않았다.(표 4).
분산성
실시예 1 양호
실시예 2 양호
실시예 3 양호
비교예 1 -
비교예 2 불량
비교예 3 양호
비교예 4 불량
비교예 5 양호

Claims (8)

  1. 제1영역 및 제2영역을 포함하는 인조대리석의 제조 방법으로,
    아크릴계 수지 시럽에 항균제, 분산제 및 분산용매를 포함하는 항균 조성물을 첨가하여 제1 인조대리석 원료 조성물을 제조하는 단계;및
    상기 제1 인조대리석 원료 조성물 및 제2 인조대리석 원료 조성물을 경화시키는 단계를 포함하며
    상기 제1영역은 제1 인조대리석 원료 조성물이 경화된 영역이고 상기 제2영역은 제2 인조대리석 원료 조성물이 경화된 영역이며,
    상기 항균 조성물은 항균제 100 중량부에 대하여 분산제 1 내지 5 중량부 및 분산용매 10 내지 50 중량부를 포함하고,
    상기 분산제는 이온계 분산제, 비이온계 분산제, 산성 그룹을 갖는 공중합체, 다가 알코올 산성 에스테르계, 폴리비닐알코올ㆍ아크릴산ㆍ메타크릴산메틸 공중합체, 및 아미노알킬메타크릴레이트 공중합체로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상이고,
    상기 분산용매는 디옥틸 테레프탈레이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 디이소부티레이트 및 이소파라핀-H로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상이며,
    상기 인조대리석은 ASTM D790에 따라 측정한 굴곡탄성율이 700 내지 2000 kgf/mm2 인,
    인조대리석의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 항균제는 무기 항균제인 것을 특징으로 하는 인조대리석의 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 분산제는 산성그룹을 갖는 공중합체인, 인조대리석의 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 인조대리석은 ASTM D790에 따라 측정한 굴곡강도가 6.0 내지 9.0 kgf/mm2인, 인조대리석의 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제2영역의 두께는 제1 영역의 두께의 2배 내지 7배인 것을 특징으로 하는 인조대리석의 제조 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 항균제가 중앙값 직경(D50)이 0.6 μm 초과 1.5 μm 이하의 직경을 갖는 경우, 상기 항균제는 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 항균제가 2 중량% 이상 6 중량% 이하의 양이 되도록 첨가되는 것을 특징으로 하는 인조대리석의 제조 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 항균제가 중앙값 직경(D50)이 0.05 μm 초과 0.5 μm 이하의 직경을 갖는 경우, 상기 항균제는 제1 인조대리석 원료 조성물 100 중량% 중 항균제가 0.5 중량% 이상 2 중량% 미만의 양이 되도록 첨가되는 것을 특징으로 하는 인조대리석의 제조 방법.


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