KR102482878B1 - 집적회로 소자의 제조 방법 - Google Patents

집적회로 소자의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102482878B1
KR102482878B1 KR1020170124529A KR20170124529A KR102482878B1 KR 102482878 B1 KR102482878 B1 KR 102482878B1 KR 1020170124529 A KR1020170124529 A KR 1020170124529A KR 20170124529 A KR20170124529 A KR 20170124529A KR 102482878 B1 KR102482878 B1 KR 102482878B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dbarc
region
film
acid
photoresist
Prior art date
Application number
KR1020170124529A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190035388A (ko
Inventor
홍석구
문정호
김진주
전금혜
Original Assignee
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1020170124529A priority Critical patent/KR102482878B1/ko
Priority to US15/968,851 priority patent/US10732506B2/en
Priority to CN201811123457.6A priority patent/CN109559980B/zh
Publication of KR20190035388A publication Critical patent/KR20190035388A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102482878B1 publication Critical patent/KR102482878B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/46—Antireflective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

집적회로 소자를 제조하기 위하여, 기판 상에 화학증폭형 폴리머를 포함하는 DBARC 막을 형성한다. 상기 DBARC 막 상에 비화학증폭형 수지 및 PAG를 포함하는 포토레지스트막을 형성한다. 상기 포토레지스트막에서 선택되는 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 상기 PAG부터 산을 발생시킨다. 상기 노광된 제1 영역에 있는 상기 산을 상기 DBARC 막 중 상기 제1 영역에 대면하는 제1 DBARC 영역으로 확산시킨다. 상기 포토레지스트막 및 상기 DBARC 막을 현상하여 상기 제1 영역 및 상기 제1 DBARC 영역을 제거한다.

Description

집적회로 소자의 제조 방법 {method of manufacturing integrated circuit device}
본 발명의 기술적 사상은 집적회로 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 i-라인 (365 nm) 조사선을 이용하는 노광 공정을 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
집적회로 소자의 다운-스케일링(down-scaling) 및 고집적화가 급속도로 진행됨에 따라, 대면적의 포지티브 톤 패터닝 공정을 이용하여 패턴을 형성할 때 형성하고자 하는 패턴의 치수 정밀도를 향상시킬 수 있는 새로운 기술이 필요하다. 특히, 대면적의 포지티브 톤 패터닝 공정에서 노광 영역에 원하지 않는 포토레지스트 잔사가 남게 되는 잔사성 결함이 없도록 하기 위하여 노광 공정을 이용하는 패턴 형성을 위한 새로운 공정 개발이 필요하다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 대면적의 포지티브 톤 패터닝 공정에서 노광 영역에 원하지 않는 포토레지스트 잔사가 남게 되는 잔사성 결함 없이 형성하고자 하는 영역 또는 패턴의 치수 정밀도를 향상시킬 수 있는 집적회로 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따른 집적회로 소자의 제조 방법에서는 기판 상에 화학증폭형(chemically amplified) 폴리머를 포함하는 DBARC(developable bottom anti-reflective coating) 막을 형성한다. 상기 DBARC 막 상에 비화학증폭형(non-chemically amplified) 수지 및 PAG(photoacid generator)를 포함하는 포토레지스트막을 형성한다. 상기 포토레지스트막에서 선택되는 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 상기 PAG부터 산을 발생시킨다. 상기 노광된 제1 영역에 있는 상기 산을 상기 DBARC 막 중 상기 제1 영역에 대면하는 제1 DBARC 영역으로 확산시킨다. 상기 포토레지스트막 및 상기 DBARC 막을 현상하여 상기 제1 영역 및 상기 제1 DBARC 영역을 제거한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 양태에 따른 집적회로 소자의 제조 방법에서는 피가공막 상에 화학증폭형 폴리머 및 가교제를 포함하는 DBARC 막을 형성한다. 상기 DBARC 막 상에 비화학증폭형 수지, PAC, 및 PAG를 포함하는 포토레지스트막을 형성한다. 상기 포토레지스트막에서 선택되는 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 상기 PAG로부터 유도되는 제1 산과, 상기 PAC로부터 유도되는 제2 산을 발생시킨다. 상기 포토레지스트막 중 상기 노광된 제1 영역에 있는 상기 제1 산을 상기 DBARC 막의 제1 DBARC 영역으로 확산시킨다. 상기 포토레지스트막 및 상기 DBARC 막을 현상하여 상기 제1 영역 및 상기 제1 DBARC 영역을 제거하여 상기 피가공막을 노출시키는 개구를 형성한다. 상기 개구를 통해 상기 피가공막을 가공한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 또 다른 양태에 따른 집적회로 소자의 제조 방법에서는 기판 상에 화학증폭형 폴리머 및 가교제를 포함하는 DBARC 막을 형성한다. 상기 DBARC 막 상에 알칼리 가용성 노볼락형 수지와, 디아조디술폰 화합물 및 술포네이트 중 적어도 하나를 포함하는 PAG와, PAC를 포함하는 포토레지스트막을 형성한다. 상기 포토레지스트막에서 선택되는 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 상기 PAG로부터 술폰산을 발생시킨다. 상기 제1 영역에 있는 상기 술폰산을 상기 DBARC 막의 제1 DBARC 영역으로 확산시킨다. 상기 포토레지스트막 및 상기 DBARC 막을 현상하여 상기 제1 영역 및 상기 제1 DBARC 영역을 제거한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 집적회로 소자의 제조 방법에 의하면, 피가공막 상의 비교적 넓은 면적에 걸쳐서 비교적 큰 두께를 가지는 포토레지스트막에 대하여 노광 및 현상 공정을 수행하는 대면적 후막 패터닝 공정을 수행하는 데 있어서, 화학증폭형 폴리머를 포함하는 DBARC 막 위에 비화학증폭형 수지 및 PAG를 포함하는 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막의 노광시 상기 포토레지스트막의 노광 영역에 있는 PAG로부터 발생된 산을 상기 DBARC 막에 확산시켜 상기 DBARC 막에 포함된 화학증폭형 폴리머를 탈보호시킨다. 이에 따라, 상기 포토레지스트막 및 상기 DBARC 막을 동시에 현상할 수 있으며, 상기 현상 공정 중에 잔사성 결함을 야기하지 않고 상기 포토레지스트막 및 상기 DBARC 막의 불필요한 부분들이 깨끗하게 제거될 수 있다. 따라서, 상기 DBARC 막 및 포토레지스트막의 적층 구조로부터 버티컬(vertical) 측벽 프로파일을 가지는 마스크 패턴을 형성할 수 있으며, 상기 마스크 패턴을 이용하여 하부의 피가공막을 가공할 때, 상기 피가공막에 형성하고자 하는 가공 영역들 또는 패턴들의 임계 치수를 정밀하게 제어하여 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 집적회로 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 집적회로 소자의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 집적회로 소자를 포함하는 시스템이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 집적회로 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 플로차트이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 집적회로 소자의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.
도 1 및 도 2a를 참조하면, 공정 P10A에서, 피가공막(110) 상에 DBARC(developable bottom anti-reflective coating) 막(120)을 형성한다. DBARC 막(120)은 화학증폭형(chemically amplified) 폴리머 및 가교제를 포함한다.
일부 실시예들에서, 피가공막(110)은 반도체 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 피가공막(110)은 Si 또는 Ge과 같은 반도체, 또는 SiGe, SiC, GaAs, InAs, 또는 InP와 같은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 피가공막(110)은 절연막 또는 도전막일 수 있다. 예를 들면, 피가공막(110)은 금속, 합금, 금속 탄화물, 금속 질화물, 금속 산질화물, 금속 산탄화물, 반도체, 폴리실리콘, 산화물, 질화물, 산질화물, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
DBARC 막(120)은 집적회로 소자 제조를 위한 노광 공정시 사용되는 광원으로부터의 광이 난반사되는 것을 제어할 수 있다. 일부 실시예들에서, DBARC 막(120)은 그 하부의 피가공막(110)으로부터의 반사광을 흡수하는 역할을 할 수도 있다.
일부 실시예들에서, DBARC 막(120)을 형성하기 위하여 피가공막(110) 상에 DBARC 조성물을 스핀 코팅할 수 있다. DBARC 막(120)은 빛에 의해 산을 발생하는 PAG(photoacid generator)를 실질적으로 포함하지 않을 수 있다.
상기 DBARC 조성물은 상기 화학증폭형 폴리머와, 상기 가교제와, 용제를 포함할 수 있다.
상기 화학증폭형 폴리머는 산분해성 기 (acid-labile group)를 가지는 적어도 하나의 반복 단위를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 화학증폭형 폴리머 중 산분해성 기를 가지는 적어도 하나의 반복 단위는 아크릴레이트 유도체로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 화학증폭형 폴리머 중 산분해성 기를 가지는 적어도 하나의 반복 단위는 상기 화학증폭형 폴리머 총량을 기준으로 약 1 ∼ 40 몰%의 양으로 포함될 수 있다.
상기 산분해성 기는 제3 부톡시카르보닐(tert-butoxycarbonyl, t-BOC), 이소노르보닐, 2-메틸-2-아다만틸, 2-에틸-2-아다만틸, 3-테트라히드로푸라닐 (3-tetrahydrofuranyl), 3-옥소디클로헥실 (3-oxocyclohexyl), γ-부틸락톤-3-일 (γ-butyllactone-3-yl), 메발로닉락톤 (mavaloniclactone), γ-부티로락톤-2-일 (γ-butyrolactone-2-yl), 3-메틸-γ부티로락톤-3-일 (3-methyl-γ-butyrolactone-3-yl), 2-테트라히드로피라닐 (2-tetrahydropyranyl), 2-테트라히드로푸라닐 (2-tetrahydrofuranyl), 2,3-프로필렌카르보네이트-1-일 (2,3-propylenecarbonate-1-yl), 1-메톡시에틸 (1-methoxyethyl), 1-에톡시에틸 (1-ethoxyethyl), 1-(2-메톡시에톡시)에틸 (1-(2-methoxyethoxy)ethyl), 1-(2-아세톡시에톡시)에틸 (1-(2-acetoxyethoxy)ethyl), t-부톡시카르보닐메틸 (t-buthoxycarbonylmethyl), 메톡시메틸 (methoxymethyl), 에톡시메틸 (ethoxymethyl), 트리메톡시실릴 (trimethoxysilyl) 및 트리에톡시실릴 (triethoxysilyl)로 이루어지는 군에서 선택될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 DBARC 조성물에 포함되는 화학증폭형 폴리머는 히드록시 기(-OH)를 포함하는 아크릴레이트 유도체 치환기를 가지는 반복 단위를 더 포함할 수 있다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 DBARC 조성물에 포함되는 화학증폭형 폴리머는 방향족 기로 이루어지는 흡광성 작용기를 포함하는 반복 단위를 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 흡광성 작용기는 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 아크리디닐기, 퀴놀리닐기, 디아조퀴놀리닐기 등을 포함할 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다. 상기 화학증폭형 폴리머에 흡광성 작용기를 포함함으로써, 후속의 노광 공정에서 포토레지스트막을 통과한 빛을 흡수할 수 있다. 이에 따라, 피가공막(110)에 의해 빛이 포토레지스트막으로 반사되는 것을 억제할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 DBARC 조성물에 포함되는 화학증폭형 폴리머는 일반식 (I)로 표시되는 반복 단위를 포함할 수 있다.
일반식 (I)
Figure 112017094198441-pat00001
일반식 (I)에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C4의 알킬기이고,
-X- 및 -Y-는 각각 독립적으로 알킬렌, 아릴렌, 옥시알킬렌, 알킬렌옥시, 옥시아릴렌, 아릴렌옥시, 카르보닐, 옥시, 옥시카르보닐, 카르보닐옥시, 카르보닐 알킬렌, 카르보닐 아릴렌, 알킬렌 카르보닐, 아릴렌 카르보닐, 및 이들의 조합에서 선택되는 2가의 작용기이고,
R3는 말단에 히드록시 기를 포함하는 C1-C20의 작용기이고,
R4는 흡광성 작용기이고,
m + n = 1이고, 0.1 ≤ m / (m + n) ≤ 0.9이다.
예를 들면, 상기 DBARC 조성물에 포함되는 화학증폭형 폴리머는 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위를 포함할 수 있다.
화학식 (1)
Figure 112022046350051-pat00026
상기 DBARC 조성물에서 상기 화학증폭형 폴리머의 함량은 약 1 내지 약 25 중량%일 수 있다. 상기 화학증폭형 폴리머의 함량이 약 1 중량% 미만인 경우에는 상기 DBARC 조성물의 코팅이 원활하게 이루어지지 않아 DBARC 막(120)이 원하는 형상으로 형성되지 않을 수 있으며, DBARC 막(120)이 빛을 충분히 흡수하지 못할 수 있다. 또한, 상기 화학증폭형 폴리머의 함량이 약 25 중량%를 초과하는 경우에는 DBARC 조성물의 점도가 지나치게 커져서 DBARC 조성물의 균일한 코팅이 어려울 수 있다.
상기 DBARC 조성물에 포함되는 가교제는 상기 화학증폭형 폴리머의 백본(backbone)에 결합될 수 있다. 상기 가교제는 상기 화학증폭형 폴리머의 가교를 유도하여 경화시키는 역할을 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 가교제는 C4 ∼ C50의 탄화수소 화합물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 가교제는 멜라민류(melamines)를 포함하는 수지, 메틸올류(methylols), 글리콜우릴(glycoluril), 중합성 글리콜우릴류(polymeric glycolurils), 벤조구안아민(benzoguanamine), 우레아(urea), 히드록시 알킬 아미드를 함유하는 수지, 에폭시 및 에폭시 아민 수지, 블록트 이소시아네이트류(blocked isocyanates), 또는 디비닐 모노머(divinyl monomers)로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 일부 실시예들에서, 상기 가교제는 불소를 함유하거나 함유하지 않는 유기 알콜, 또는 에폭사이드 치환기 (epoxide substituents)로 이루어질 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 가교제로서 상용화된 가교제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 주식회사 삼화 케미칼 사에 의해 시판되는 MX-270, MW-30HM, 또는 MX-280을 사용할 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
(MX-270)
Figure 112017094198441-pat00003
(MW-30HM)
Figure 112017094198441-pat00004
(MX-280)
Figure 112017094198441-pat00005
상기 DBARC 조성물에서 상기 가교제의 함량은 약 0.1 ∼ 20 중량%일 수 있다. 상기 가교제의 함량이 약 0.1 중량% 미만인 경우에는 DBARC 막(120) 형성에 필요한 충분한 가교율을 얻을 수 없고, 약 20 중량%를 초과하는 경우에는 폴리머들의 가교가 과도하여 후속의 현상 공정시 DBARC 막(120)의 제거가 용이하지 않을 수 있다.
상기 DBARC 조성물에 포함되는 용제는 유기 용제로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 용제는 에테르, 알콜, 글리콜에테르, 방향족 탄화수소 화합물, 케톤, 및 에스테르 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 용제는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-하이드록시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루브산메틸(methylpyruvate), 피루브산에틸(ethyl pyruvate), 아세트산에틸, 아세트산부틸, 유산에틸(ethyllactate), 유산부틸(butyllactate) 등으로부터 선택될 수 있다. 이들 용제는 단독으로, 또는 적어도 2 종의 조합으로 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 DBARC 조성물 내에서의 고체 함량이 약 3 ∼ 20 중량%로 되도록 상기 DBARC 조성물 내에서의 상기 용제의 양을 조절할 수 있다.
상기 DBARC 조성물은 열에 의해 산을 발생하는 TAG (thermal-acid generator)를 더 포함할 수 있다. 상기 TAG는 지방족(aliphatic) 또는 지환식(alicyclic) 화합물로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 TAG는 카르보네이트 에스테르(carbonate ester), 술포네이트 에스테르 (sulfonate ester), 및 포스페이트 에스테르 (phosphate ester)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물로 구성될 수 있다. 보다 구체적인 예를 들면, 상기 TAG는 시클로헥실 노나플루오로부탄술포네이트 (cyclohexyl nonafluorobutanesulfonate), 노르보르닐 노나플루오로부탄술포네이트 (norbornyl nonafluorobutanesulfonate), 트리시클로데카닐 노나플루오로부탄술포네이트 (tricyclodecanyl nonafluorobutanesulfonate), 아다만틸 노나플루오로부탄술포네이트 (adamantyl nonafluorobutanesulfonate), 시클로헥실 노나플루오로부탄카르보네이트 (cyclohexyl nonafluorobutanecarbonate), 노르보르닐 노나플루오로부탄카르보네이트 (norbornyl nonafluorobutanecarbonate), 트리시클로데카닐 노나플루오로부탄카르보네이트 (tricyclodecanyl nonafluorobutanecarbonate), 아다만틸 노나플루오로부탄카르보네이트 (adamantyl nonafluorobutanecarbonate), 시클로헥실 노나플루오로부탄포스페이트 (cyclohexyl nonafluorobutanephosphonate), 노르보르닐 노나플루오로부탄포스페이트 (norbornyl nonafluorobutanephosphonate), 트리시클로데카닐 노나플루오로부탄포스페이트 (tricyclodecanyl nonafluorobutanephosphonate), 및 아다만틸 노나플루오로부탄포스페이트 (adamantyl nonafluorobutanephosphonate)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 화합물로 구성될 수 있다.
상기 DBARC 조성물은 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 상기 계면활성제는 비이온성, 양이온성, 음이온성 또는 양쪽성 계면활성제를 사용할 수 있다. 상기 계면활성제는 DBARC 막(120) 형성을 위하여 피가공막(110) 상에 상기 DBARC 조성물을 코팅할 때 고형분 함량의 증가에 따른 코팅 불량을 개선하고 코팅 균일성을 향상시키는 역할을 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 계면활성제로서 폴리옥시에틸렌 로릴에테르(polyoxyethylene lauryl ether), 폴리옥시에틸렌 스테아릴에테르(polyoxyethylene stearyl ether), 폴리옥시에틸렌 옥틸 페놀 에테르(polyoxyethylene octylphenol ether), 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노라우레이트(polyoxyethylene sorbitan monolaurate), 에어프로덕트 사(Air Products and Chemicals, Inc.)에서 시판하는 설피놀 계열, DIC 사(DIC Co., Ltd.)에서 시판하는 F-시리즈 (F-410, F-444, F-477, R-08, R-30 등) 등을 사용할 수 있다. 상기 DBARC 조성물에서 상기 계면활성제의 함량은 약 0.01 ∼ 1 중량%일 수 있다. 상기 계면활성제의 함량이 약 1 중량%를 초과하는 경우에는 DBARC 막(120)의 막질이 불량해질 수 있다.
상기 DBARC 조성물은 염기를 더 포함할 수 있다. 상기 염기는 방향족 아민, 지방족 아민, 또는 사이클릭 지방족 아민으로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 염기는 일차 아민, 이차 아민 및 삼차 아민 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 염기는 트리에탄올아민 (triethanol amine), 트리에틸 아민 (triethyl amine), 트리부틸아민 (tributyl amine), 트리프로필아민 (tripropyl amine), 헥사메틸 디실라잔(hexamethyl disilazan), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1의 공정 P10A에 따라 피가공막(110) 상에 DBARC 막(120)을 형성하기 위하여, 피가공막(110) 상에 DBARC 조성물을 코팅한 후 열처리하여 상기 DBARC 조성물 내에 포함된 폴리머들의 가교 반응을 유도할 수 있다. 상기 DBARC 조성물을 열처리하는 공정은 약 150 내지 약 400℃의 온도에서 약 10 ∼ 100 초 동안 수행될 수 있다. 상기 DBARC 조성물을 열처리하는 동안 상기 화학증폭형 폴리머가 가교제에 의해 경화될 수 있다. 일부 실시예들에서, DBARC 막(120)은 약 20 ∼ 100 nm의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1 및 도 2b를 참조하면, 도 1의 공정 P10B에서, 공정 P10A에서 형성한 DBARC 막(120) 상에 포토레지스트막(130)을 형성한다. 포토레지스트막(130)은 비화학증폭형(non-chemically amplified) 수지, PAC(photoactive compound), 및 PAG를 포함한다.
상기 비화학증폭형 수지는 산분해성 기를 포함하지 않는다. 따라서, 후속의 노광 공정중에 상기 PAG로부터 발생되는 산이 발생되어도 포토레지스트막(130)에 포함되어 있는 상기 비화학증폭형 수지로부터 산분해성기 가 탈보호되는 반응은 이루어지지 않을 수 있다.
상기 비화학증폭형 수지는 알칼리 가용성 노볼락형 수지일 수 있다. 포토레지스트막(130)을 형성하기 위하여 상기 알칼리 가용성 노볼락형 수지와, 상기 PAC와, 상기 PAG와, 용제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 DBARC 막(120) 상에 코팅할 수 있다.
상기 알칼리 가용성 노볼락형 수지는 적어도 하나의 페놀계 화합물과 적어도 하나의 알데히드 공급원을 산 촉매 하에서 부가 축합 반응시켜 얻어진 생성물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 페놀계 화합물은 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-부틸페놀, m-부틸페놀, p-부틸페놀, 2,3-자일레놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, 2,6-자일레놀, 3,4-자일레놀, 3,5-자일레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, p-페닐페놀, 레졸시놀, 하이드로퀴논, 하이드로퀴논모노메틸에테르, 피로갈롤, 플로로글리시놀, 하이드록시디페닐, 비스페놀 A, 갈산, 갈산에스테르, α-나프톨, β-나프톨 등으로부터 선택될 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다. 상기 알데히드 공급원은 포름알데히드, 푸르푸랄, 벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 아세트알데히드 등을 포함할 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다. 상기 부가 축합 반응시의 촉매는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 산 촉매로서 염산, 황산, 포름산, 아세트산, 옥살산, p-톨루엔술폰산 등을 사용할 수 있다, 상기 알칼리 가용성 노볼락형 수지의 질량 평균 분자량은 약 1000 ∼ 50,000 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
포토레지스트막(130)에 포함된 상기 PAC는 빛에 의해 pKa(산 해리 상수)가 약 1 ∼ 10인 약산을 발생할 수 있는 것으로서, 예를 들면 빛에 의해 카르복실산(carboxylic acid)로 변화될 수 있다. 상기 PAC는 노광 전에는 알칼리 현상액에 용해되지 않는 용해 억제제 기능을 할 수 있다. 상기 PAC는 노광에 의해 화학 반응을 거쳐 알칼리 현상액에 용해될 수 있는 화합물로 변할 수 있다.
상기 PAC는 나프토퀴논디아지드(naphthoquinonediazide) 화합물로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 PAC는 폴리히드록시 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐 클로라이드 및 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 클로라이드 중 적어도 하나를 트리에틸아민, 탄산나트륨 등과 같은 약알칼리의 존재 하에서 축합시킨 나프토퀴논디아지드 화합물로 이루어질 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물 내에서 상기 PAC는 상기 알칼리 가용성 노볼락형 수지의 총 중량을 기준으로 약 15 ∼ 20 중량%의 양으로 포함될 수 있다.
상기 폴리히드록시 화합물로서, 예를 들면 2,3,4-트리히드록시벤조페논(2,3,4-trihydroxybenzophenone), 2,4,6-트리히드록시벤조페논 등과 같은 폴리히드록시벤조페논; 2,3,4-트리히드록시아세토페논(2,3,4-trihydroxyacetophenone), 2,3,4-트리히드록시페닐 펜틸 케톤(2,3,4-trihydroxyphenyl pentyl ketone) 등과 같은 폴리히드록시페닐 알킬 케톤; 비스(2,4-디히드록시페닐)메탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄 등과 같은 비스((폴리)히드록시페닐)알칸; 프로필 3,4,5-트리히드록시벤조에이트(propyl 3,4,5-trihydroxybenzoate), 페닐 2,3,4-트리히드록시벤조에이트(phenyl 2,3,4-trihydroxybenzoate) 등과 같은 폴리히드록시벤조산 에스테르(polyhydroxybenzoic acid esters) 등을 사용할 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
상기 나프토퀴논디아지드 화합물은 1 종 또는 2 종 이상 혼합하여 사용될 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물 내에서 상기 PAC는 상기 비화학증폭형 수지의 총 중량을 기준으로 약 10 ∼ 50 중량%의 양으로 포함될 수 있다.
포토레지스트막(130)에 포함되는 PAG는 디아조디술폰(diazodisulfone) 화합물 및 오늄염(onium salt)으로부터 선택될 수 있다.
일부 실시예들에서, 포토레지스트막(130)에 포함되는 PAG는 일반식 (II)로 표시되는 디아조디술폰 화합물을 포함할 수 있다.
일반식 (II)
Figure 112017094198441-pat00006
일반식 (II)에서, R5 및 R6은 각각 C1-C16의 직쇄 또는 분기상의 알킬기, C6-C20의 단환(monocyclic) 또는 다환(polycyclic)의 시클로알킬기, 또는 C6-C20의 아릴기이다.
다른 일부 실시예들에서, 포토레지스트막(130)에 포함되는 PAG는 트리아릴술포늄염 (triarylsulfonium salts), 디아릴이오도늄염 (diaryliodonium salts), 술포네이트 (sulfonates) 또는 그 혼합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 PAG는 트리페닐술포늄 트리플레이트 (triphenylsulfonium triflate), 트리페닐술포늄 안티모네이트 (triphenylsulfonium antimonate), 디페닐이오도늄 트리플레이트 (diphenyliodonium triflate), 디페닐이오도늄 안티모네이트 (diphenyliodonium antimonate), 메톡시디페닐이오도늄 트리플레이트 (methoxydiphenyliodonium triflate), 디-t-부틸디페닐이오도늄 트리플레이트 (di-t-butyldiphenyliodonium triflate), 2,6-디니트로벤질 술포네이트 (2,6-dinitrobenzyl sulfonates), 피로갈롤 트리스(알킬술포네이트) (pyrogallol tris(alkylsulfonates)), N-히드록시숙신이미드 트리플레이트 (N-hydroxysuccinimide triflate), 노르보르넨-디카르복스이미드-트리플레이트 (norbornene-dicarboximide-triflate), 트리페닐술포늄 노나플레이트 (triphenylsulfonium nonaflate), 디페닐이오도늄 노나플레이트 (diphenyliodonium nonaflate), 메톡시디페닐이오도늄 노나플레이트 (methoxydiphenyliodonium nonaflate), 디-t-부틸디페닐이오도늄 노나플레이트 (di-t-butyldiphenyliodonium nonaflate), N-히드록시숙신이미드 노나플레이트 (N-hydroxysuccinimide nonaflate), 노르보르넨-디카르복스이미드-노나플레이트 (norbornene-dicarboximide-nonaflate), 트리페닐술포늄 퍼플루오로부탄술포네이트 (triphenylsulfonium perfluorobutanesulfonate), 트리페닐술포늄 퍼플루오로옥탄술포네이트 (PFOS) (triphenylsulfonium perfluorooctanesulfonate), 디페닐이오도늄 PFOS (diphenyliodonium PFOS), 메톡시디페닐이오도늄 PFOS (methoxydiphenyliodonium PFOS), 디-t-부틸디페닐이오도늄 트리플레이트 (di-t-butyldiphenyliodonium triflate), N-히드록시숙신이미드 PFOS (N-hydroxysuccinimide PFOS), 노르보르넨-디카르복스이미드 PFOS (norbornene-dicarboximide PFOS), 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
포토레지스트막(130)에 포함되는 PAG는 빛에 의해 pKa(산 해리 상수)가 약 -20 ∼ 1인 강산을 발생할 수 있다.
예를 들면, 상기 PAG로서 다음의 화학식 (2) 내지 화학식 (11) 중 적어도 하나의 화합물을 사용할 수 있다.
화학식 (2)
Figure 112017094198441-pat00007
화학식 (3)
Figure 112017094198441-pat00008
화학식 (4)
Figure 112017094198441-pat00009
화학식 (5)
Figure 112017094198441-pat00010
화학식 (6)
Figure 112017094198441-pat00011
화학식 (7)
Figure 112017094198441-pat00012
화학식 (8)
Figure 112017094198441-pat00013
화학식 (9)
Figure 112017094198441-pat00014
화학식 (10)
Figure 112017094198441-pat00015
화학식 (11)
Figure 112017094198441-pat00016
화학식 (2) 내지 화학식 (11)의 PAG들 중, 화학식 (2) 내지 화학식 (6)의 PAG들은 빛에 의해 pKa가 약 -3인 산을 발생할 수 있다. 화학식 (7) 내지 화학식 (11)의 PAG들은 빛에 의해 pKa가 약 -10인 산을 발생할 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물 내에서 상기 PAG는 1 종 또는 2 종 이상 혼합하여 포함될 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물 내에서 상기 PAG는 상기 비화학증폭형 수지의 총 중량을 기준으로 약 0.01 ∼ 10 중량%의 양으로 포함될 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물 내에 포함될 수 있는 용제는 도 1의 공정 P10A 및 도 2a를 참조하여 DBARC 조성물에 포함될 수 있는 용제에 대하여 설명한 바와 대체로 동일하다.
상기 포토레지스트 조성물은 접착력 증진제 및 계면활성제 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 접착력 증진제는 포토레지스트막(130)과 DBARC 막(120)과의 접착성을 향상시키기 위한 것으로서, 예를 들면 카르복실기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등과 같은 반응성 관능기를 가지는 실란 커플링제로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 접착력 증진제는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다. 상기 포토레지스트 조성물 내에서 상기 접착력 증진제는 상기 비화학증폭형 수지의 총 중량을 기준으로 약 0.001 ∼ 10 중량%의 양으로 포함될 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물 내에 포함될 수 있는 계면활성제는 도 1의 공정 P10A 및 도 2a를 참조하여 DBARC 조성물에 포함될 수 있는 계면활성제에 대하여 설명한 바와 대체로 동일하다. 상기 포토레지스트 조성물 내에서 상기 계면활성제는 상기 비화학증폭형 수지의 총 중량을 기준으로 약 0.001 ∼ 10 중량%의 양으로 포함될 수 있다.
도 1의 공정 P10B에 따라 피가공막(110) 상에 포토레지스트막(130)을 형성하기 위하여, DBARC 막(120) 상에 상기 포토레지스트 조성물을 코팅한 후 열처리할 수 있다. 상기 포토레지스트 조성물을 열처리하는 공정은 약 100 내지 약 150℃의 온도에서 약 10 ∼ 100 초 동안 수행될 수 있다. 포토레지스트막(130)의 두께는 DBARC 막(120)의 두께의 수 십 배 내지 수 백 배일 수 있다. 일부 실시예들에서, 포토레지스트막(130)은 약 1 ∼ 6 μm의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1 및 도 2c를 참조하면, 공정 P10C에서, 포토레지스트막(130)에서 선택되는 제1 영역(132)을 노광하여 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)에서 상기 PAG로부터 복수의 제1 산(A1)을 발생시킨다. 일부 실시예들에서, 상기 PAG로서 디아조디술폰 화합물 및/또는 술포늄염을 사용한 경우, 복수의 제1 산(A1)은 술폰산(sulfonic acid)을 포함할 수 있다.
제1 영역(132)을 노광하는 동안 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)에 있는 PAC로부터 제1 산(A1)보다 더 약산인 복수의 제2 산(A2)이 발생될 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 제1 산(A1) 각각의 pKa는 약 1 ∼ 10이고, 복수의 제2 산(A2)의 pKa는 약 -20 ∼ 1일 수 있다.
포토레지스트막(130) 중 비노광 영역인 제2 영역(134)에서는 PAG에 빛이 전달되지 않으므로 PAG로부터 산이 발생하지 않을 수 있다.
포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)을 노광하기 위하여, 복수의 차광 영역(light shielding area)(LS) 및 복수의 투광 영역 (light transmitting area)(LT)을 가지는 포토마스크(140)를 피가공막(110)상의 소정의 위치에 얼라인하고, 포토마스크(140)의 복수의 투광 영역(LT)을 통해 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)을 노광할 수 있다. 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)을 노광하기 위하여 i-라인 (365 nm) 광원을 이용할 수 있다.
포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)에서는 노광시 빛에 의해 상기 PAG로부터 복수의 제1 산(A1)이 발생될 수 있다. 포토레지스트막(130)에 포함된 비화학증폭형 수지는 산분해성 기를 포함하지 않으므로, 포토레지스트막(130)을 구성하는 비화학증폭형 수지에서 상기 PAG로부터 발생된 복수의 제1 산(A1)에 의한 산분해성 기의 탈보호 반응은 일어나지 않을 수 있다.
포토마스크(140)는 투명 기판(142)과, 투명 기판(142) 위에서 복수의 차광 영역(LS)에 형성된 복수의 차광 패턴(144)을 포함할 수 있다. 투명 기판(142)은 석영으로 이루어질 수 있다. 복수의 차광 패턴(144)은 크롬(Cr)으로 이루어질 수 있다. 복수의 차광 패턴(144)에 의해 복수의 투광 영역(LT)이 정의될 수 있다.
일부 실시예들에서, 복수의 제1 산(A1)은 화학식 (2) 내지 화학식 (11) 중 적어도 하나로 표시되는 PAG로부터 발생된 산일 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 제2 산(A2)은 나프토퀴논디아지드 화합물로부터 발생된 산일 수 있다.
일부 실시예들에서, 포토레지스트막(130) 중 노광된 제1 영역(132)의 상면의 면적은 비노광된 제2 영역(134)의 상면의 면적과 같거나 더 클 수 있다.
도 1 및 도 2d를 참조하면, 공정 P10D에서, 포토레지스트막(130) 중 노광된 제1 영역(132)에 있는 복수의 제1 산(A1)의 적어도 일부를 DBARC 막(120) 중 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)에 대면하는 제1 DBARC 영역(122)에 확산시킨다.
일부 실시예들에서, 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)으로부터 제1 DBARC 영역(122)으로 제1 산(A1)을 확산시키기 위하여 어닐링 공정을 이용할 수 있다. 예를 들면, 도 1의 공정 P10C에서 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)을 노광한 직후 얻어진 결과물을 약 50 ∼ 150 ℃의 온도로 어닐링하여, 제1 영역(132)에 있는 복수의 제1 산(A1)의 적어도 일부를 도 2에서 화살표로 표시한 방향을 따라 제1 DBARC 영역(122)으로 확산시킬 수 있다. 상기 어닐링은 약 10 ∼ 100 초 동안 수행될 수 있다. 일 예에서, 상기 어닐링 공정은 약 100 ℃의 온도로 약 60 초 동안 수행될 수 있다.
다른 일부 실시예들에서, 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)으로부터 제1 DBARC 영역(122)으로 제1 산(A1)을 확산시키기 위하여 별도의 어닐링 공정을 수행하지 않고, 도 1의 공정 P10C에서 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)을 노광하는 동안 포토레지스트막(130)에 가해지는 열을 이용하여 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)으로부터 제1 DBARC 영역(122)으로 제1 산(A1)을 확산시킬 수 있다.
포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)으로부터 제1 DBARC 영역(122)으로 제1 산(A1)이 확산된 결과로서, DBARC 막(120)의 제1 DBARC 영역(122)에서는 제1 산(A1)에 의해 제1 DBARC 영역(122)을 구성하는 화학증폭형 폴리머에서 산 분해성 기가 탈보호되고 가교된 폴리머들이 탈가교되어, 제1 DBARC 영역(122)은 알칼리 현상액에 쉽게 용해될 수 있는 상태로 변화될 수 있다.
반면, 포토레지스트막(130)의 비노광 영역인 제2 영역(134)에서는 PAG로부터 제1 산(A1)이 발생되지 않고, 이에 따라 DBARC 막(120) 중 포토레지스트막(130)의 제2 영역(134)에 대면하는 제2 DBARC 영역(124)에는 제1 산(A1)을 포함하지 않을 수 있다. 따라서, 제2 DBARC 영역(124)에서는 화학증폭형 폴리머에서 산 분해성 기가 탈보호되는 반응이 일어나지 않을 수 있다.
도 1 및 도 2e를 참조하면, 공정 P10E에서, 포토레지스트막(130) 및 DBARC 막(120)을 동시에 현상하여 포토레지스트막(130)의 제1 영역(132)과 DBARC 막(120)의 제1 DBARC 영역(122)을 제거한다. 그 결과, 포토레지스트막(130)의 비노광 영역인 제2 영역(134)과, 제2 영역(134)에 대면하는 제2 DBARC 영역(124)으로 이루어지는 마스크 패턴(MP)이 형성될 수 있다. 마스크 패턴(MP)은 피가공막(110)을 노출시키는 복수의 개구(OP)를 포함할 수 있다.
제1 영역(132) 및 제1 DBARC 영역(122)을 제거하기 위하여, 현상액 예를 들면 2.38중량% 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH) 용액을 사용하여 포토레지스트막(130) 및 DBARC 막(120)을 현상할 수 있다.
DBARC 막(120)의 제1 DBARC 영역(122)에서는 복수의 제1 산(A1)에 의해 제1 DBARC 영역(122)을 구성하는 화학증폭형 폴리머에서 산 분해성 기가 탈보호된 상태이므로, 포토레지스트막(130) 및 DBARC 막(120)을 상기 현상액으로 현상하는 동안 제1 DBARC 영역(122)의 일부가 피가공막(110) 상에 잔류하는 문제 없이 제1 영역(132) 및 제1 DBARC 영역(122)이 깨끗하게 제거될 수 있다. 따라서, 포토레지스트막(130) 및 DBARC 막(120)의 현상 후, 풋팅(footing) 현상 등과 같은 잔사성 결함이 발생되지 않고, 얻어진 마스크 패턴(MP)에서 버티컬(vertical) 측벽 프로파일을 얻을 수 있다. 이와 같이 포토레지스트막(130)의 비노광 영역인 제2 영역(134)과 그 하부의 제2 DBARC 영역(124)을 포함하는 마스크 패턴(MP)의 프로파일이 개선됨으로써, 마스크 패턴(MP)을 이용하여 피가공막(110)을 가공할 때 피가공막(110)에서 의도하는 가공 영역의 임계 치수를 정밀하게 제어할 수 있다.
포토레지스트막(130) 및 DBARC 막(120)의 현상 후, 세정액을 이용하여 현상액 잔류물, 포토레지스트 잔류물 등과 같은 오염물들을 제거하기 위한 세정 공정을 수행할 수 있다.
일부 실시예들에서, 마스크 패턴(MP)이 형성된 후, 피가공막(110) 중 복수의 개구(OP)를 통해 노출되는 영역의 상면의 면적은 피가공막(110) 전체 영역의 상면의 면적의 적어도 50 %일 수 있다. 즉, 피가공막(110)의 상면 중 마스크 패턴(MP)으로 덮이는 부분의 상면의 면적보다 복수의 개구(OP)를 통해 노출되는 영역들의 상면의 면적이 더 크거나 같을 수 있다.
그 후, 복수의 개구(OP)를 통해 노출되는 피가공막(110)을 가공할 수 있다. 예를 들면, 복수의 개구(OP)를 통해 피가공막(110)에 불순물 이온을 주입하는 공정, 복수의 개구(OP)를 통해 피가공막(110)을 식각하는 공정, 복수의 개구(OP)를 통해 피가공막(110) 상에 추가의 막을 형성하는 공정, 복수의 개구(OP)를 통해 피가공막(110)의 일부를 변형시키는 공정 등 다양한 공정들을 수행할 수 있다.
도 2f에는 복수의 개구(OP)를 통해 노출되는 피가공막(110)을 가공하는 예시적인 공정으로서 이온 주입 공정을 수행하는 경우를 예시하였다. 도 2f에 예시한 바와 같이, 복수의 개구(OP)를 통해 피가공막(110)에 불순물 이온(150)을 주입하여 피가공막(110)에 복수의 웰(112)을 형성할 수 있다. 복수의 웰(112)은 각각 불순물 이온(150)이 주입된 불순물 영역으로 이루어질 수 있다. 불순물 이온(150)은 n 형 도판트 또는 p 형 도판트일 수 있다. 피가공막(110)이 4 족 반도체 기판, 예를 들면 Si 기판인 경우, n 형 도판트는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등의 5 족 원소로 이루어지고, p 형 도판트는 붕소(B)와 같은 3 족 원소로 이루어질 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 상기 예시한 바에 한정되지 않으며, 피가공막(110)을 구성하는 재료에 따라 불순물 이온(150)은 다양하게 변형될 수 있다.
도 2g를 참조하면, 피가공막(110) 상에 남아 있는 마스크 패턴(MP)을 제거할 수 있다. 마스크 패턴(MP)을 제거하기 위하여 애싱(ashing) 및 스트립(strip) 공정을 이용할 수 있다.
도 1과 도 2a 내지 도 2g를 참조하여 설명한 본 발명의 기술적 사상에 의한 집적회로 소자의 제조 방법에 의하면, 피가공막(110) 상의 비교적 넓은 면적에 걸쳐서 비교적 큰 두께를 가지는 포토레지스트막(130)에 대하여 노광 및 현상 공정을 수행하는 대면적 후막 패터닝 공정을 수행하는 데 있어서, 포토레지스트막(130)을 형성하기 전에 미리 화학증폭형 폴리머를 포함하는 DBARC 막(120)을 형성하고, DBARC 막(120) 위에 비화학증폭형 수지 및 PAG를 포함하는 포토레지스트막(130)을 형성한 후, 포토레지스트막(130)의 노광시 포토레지스트막(130)의 노광 영역에 있는 PAG로부터 발생된 산을 DBARC 막(120)에 확산시켜 DBARC 막(120)에 포함된 화학증폭형 폴리머를 탈보호시킨다. 이에 따라, 포토레지스트막(130) 및 DBARC 막(120)을 동시에 현상할 수 있으며, 상기 현상 공정에 의해 포토레지스트막(130) 및 DBARC 막(120) 중 제거되어야 할 부분들이 피가공막 상에 잔류하여 잔사성 결함을 야기하는 등의 문제 없이 포토레지스트막(130) 및 DBARC 막(120)의 불필요한 부분들이 깨끗하게 제거될 수 있다. 따라서, DBARC 막(120) 및 포토레지스트막(130)의 적층 구조로부터 버티컬 측벽 프로파일을 가지는 마스크 패턴(MP)을 형성할 수 있으며, 상기 마스크 패턴(MP)을 이용하여 피가공막(110)에 대하여 후속 공정을 수행할 때, 피가공막(110)에 형성하고자 하는 가공 영역들 또는 패턴들의 임계 치수를 정밀하게 제어하여 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상에 의한 집적회로 소자를 포함하는 시스템(1000)이다.
시스템(1000)은 제어기(1010), 입/출력 장치(1020), 기억 장치(1030), 및 인터페이스(1040)를 포함한다. 시스템(1000)은 모바일 시스템 또는 정보를 전송하거나 전송받는 시스템일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 모바일 시스템은 PDA, 휴대용 컴퓨터 (portable computer), 웹 타블렛 (web tablet), 무선 폰 (wireless phone), 모바일 폰 (mobile phone), 디지털 뮤직 플레이어 (digital music player) 또는 메모리 카드 (memory card)이다. 제어기(1010)는 시스템(1000)에서의 실행 프로그램을 제어하기 위한 것으로, 마이크로프로세서 (microprocessor), 디지털 신호 처리기 (digital signal processor), 마이크로콘트롤러 (microcontroller), 또는 이와 유사한 장치로 이루어질 수 있다. 입/출력 장치(1020)는 시스템(1000)의 데이터를 입력 또는 출력하는데 이용될 수 있다. 시스템(1000)은 입/출력 장치(1020)를 이용하여 외부 장치, 예컨대 개인용 컴퓨터 또는 네트워크에 연결되고, 외부 장치와 서로 데이터를 교환할 수 있다. 입/출력 장치(1020)는, 예를 들면 키패드 (keypad), 키보드 (keyboard), 또는 표시장치 (display)일 수 있다.
기억 장치(1030)는 제어기(1010)의 동작을 위한 코드 및/또는 데이터를 저장하거나, 제어기(1010)에서 처리된 데이터를 저장할 수 있다. 기억 장치(1030)는 본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예들에 따른 집적회로 소자의 제조 방법에 의해 얻어진 적어도 하나의 집적회로 소자를 포함한다. 예를 들면, 기억 장치(1030)는 도 1 내지 도 2g를 참조하여 설명한 집적회로 소자의 제조 방법에 의해 얻어진 적어도 하나의 집적회로 소자를 포함한다.
인터페이스(1040)는 시스템(1000)과 외부의 다른 장치 사이의 데이터 전송 통로일 수 있다. 제어기(1010), 입/출력 장치(1020), 기억 장치(1030), 및 인터페이스(1040)는 버스(1050)를 통해 서로 통신할 수 있다. 시스템(1000)은 모바일 폰 (mobile phone), MP3 플레이어, 네비게이션 (navigation), 휴대용 멀티미디어 재생기 (portable multimedia player, PMP), 고상 디스크 (solid state disk; SSD), 또는 가전 제품 (household appliances)에 이용될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
110: 피가공막, 120: DBARC 막, 122: 제1 DBARC 영역, 124: 제2 DBARC 영역, 130: 포토레지스트막, 132: 제1 영역, 134: 제2 영역, MP: 마스크 패턴.

Claims (10)

  1. 기판 상에 화학증폭형(chemically amplified) 폴리머를 포함하는 DBARC(developable bottom anti-reflective coating) 막을 형성하는 단계와,
    상기 DBARC 막 상에 비화학증폭형(non-chemically amplified) 수지, PAC(photo active compound), 및 PAG(photoacid generator)를 포함하는 포토레지스트막을 형성하는 단계와,
    상기 포토레지스트막에서 선택되는 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 상기 PAG부터 제1 산을 발생시키고 상기 PAC로부터 제2 산을 발생시키는 단계와,
    상기 노광된 제1 영역에 있는 상기 산을 상기 DBARC 막 중 상기 제1 영역에 대면하는 제1 DBARC 영역으로 확산시키는 단계와,
    상기 포토레지스트막 및 상기 DBARC 막을 현상하여 상기 제1 영역 및 상기 제1 DBARC 영역을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 산의 pKa는 -20 ∼ 1이고, 상기 제2 산의 pKa는 1 ∼ 10인 집적회로 소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 DBARC 막을 형성하는 단계는 상기 화학증폭형 폴리머, 가교제, 및 용제를 포함하는 DBARC 조성물을 상기 기판 상에 코팅하는 단계와, 상기 코팅된 DBARC 조성물을 열처리하는 단계를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 DBARC 조성물은 TAG(thermal-acid generator), 계면활성제, 및 염기 중 적어도 하나를 더 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트막을 형성하는 단계는
    알칼리 가용성 노볼락형 수지와, 상기 PAC와, 상기 PAG를 포함하는 포토레지스트 조성물을 상기 기판 상에 코팅하는 단계와, 상기 코팅된 포토레지스트 조성물을 열처리하는 단계를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법.
  5. 피가공막 상에 화학증폭형 폴리머 및 가교제를 포함하는 DBARC 막을 형성하는 단계와,
    상기 DBARC 막 상에 비화학증폭형 수지, PAC, 및 PAG를 포함하는 포토레지스트막을 형성하는 단계와,
    상기 포토레지스트막에서 선택되는 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 상기 PAG로부터 유도되는 제1 산과, 상기 PAC로부터 유도되는 제2 산을 발생시키는 단계와,
    상기 포토레지스트막 중 상기 노광된 제1 영역에 있는 상기 제1 산을 상기 DBARC 막의 제1 DBARC 영역으로 확산시키는 단계와,
    상기 포토레지스트막 및 상기 DBARC 막을 현상하여 상기 제1 영역 및 상기 제1 DBARC 영역을 제거하여 상기 피가공막을 노출시키는 개구를 형성하는 단계와,
    상기 개구를 통해 상기 피가공막을 가공하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 영역을 노광하는 단계에서 상기 제1 산의 pKa는 -20 ∼ 1이고, 상기 제2 산의 pKa는 1 ∼ 10인 집적회로 소자의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 DBARC 막에 포함된 상기 화학증폭형 폴리머는 산분해성 기를 가지는 아크릴레이트 유도체로 이루어지는 반복 단위를 포함하고,
    상기 포토레지스트막에 포함된 상기 비화학증폭형 수지는 산분해성 기를 포함하지 않는 집적회로 소자의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 포토레지스트막을 형성하는 단계에서, 상기 비화학증폭형 수지는 알칼리 가용성 노볼락형 수지로 이루어지고, 상기 PAC는 나프토퀴논디아지드 화합물로 이루어지고, 상기 PAG는 디아조디술폰 화합물 또는 오늄염으로 이루어지는 집적회로 소자의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 기판 상에 화학증폭형 폴리머 및 가교제를 포함하는 DBARC 막을 형성하는 단계와,
    상기 DBARC 막 상에 알칼리 가용성 노볼락형 수지와, 디아조디술폰 화합물 및 술포네이트 중 적어도 하나를 포함하는 PAG와, PAC를 포함하는 포토레지스트막을 형성하는 단계와,
    상기 포토레지스트막에서 선택되는 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 상기 PAG로부터 술폰산을 발생시키고 상기 PAC로부터 산을 발생시키는 단계와,
    상기 제1 영역에 있는 상기 술폰산을 상기 DBARC 막의 제1 DBARC 영역으로 확산시키는 단계와,
    상기 포토레지스트막 및 상기 DBARC 막을 현상하여 상기 제1 영역 및 상기 제1 DBARC 영역을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 술폰산의 pKa는 -20 ∼ 1이고, 상기 PAG로부터 발생된 산의 pKa는 1 ∼ 10인 집적회로 소자의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 DBARC 막을 형성하는 단계는
    산분해성 기를 가지는 아크릴레이트 유도체로 이루어지는 반복 단위를 포함하는 폴리머와, 상기 가교제와, 용제를 포함하고, PAG는 포함하지 않는 DBARC 조성물을 상기 기판 상에 코팅하는 단계와,
    상기 코팅된 DBARC 조성물을 열처리하는 단계를 포함하는 집적회로 소자의 제조 방법.
KR1020170124529A 2017-09-26 2017-09-26 집적회로 소자의 제조 방법 KR102482878B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170124529A KR102482878B1 (ko) 2017-09-26 2017-09-26 집적회로 소자의 제조 방법
US15/968,851 US10732506B2 (en) 2017-09-26 2018-05-02 Method of fabricating integrated circuit devices
CN201811123457.6A CN109559980B (zh) 2017-09-26 2018-09-26 制造集成电路器件的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170124529A KR102482878B1 (ko) 2017-09-26 2017-09-26 집적회로 소자의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190035388A KR20190035388A (ko) 2019-04-03
KR102482878B1 true KR102482878B1 (ko) 2022-12-29

Family

ID=65809233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170124529A KR102482878B1 (ko) 2017-09-26 2017-09-26 집적회로 소자의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10732506B2 (ko)
KR (1) KR102482878B1 (ko)
CN (1) CN109559980B (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120177891A1 (en) * 2011-01-07 2012-07-12 Micron Technology, Inc. Methods of forming a patterned, silicon-enriched developable antireflective material and semiconductor device structures including the same
JP2014141455A (ja) 2012-11-30 2014-08-07 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 低温適用のためのイオン性熱酸発生剤
US20170153547A1 (en) * 2015-11-30 2017-06-01 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH063828A (ja) * 1992-06-17 1994-01-14 Fujitsu Ltd レジストパターンの形成方法
US5554481A (en) 1993-09-20 1996-09-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive working photoresist composition
JP3319092B2 (ja) 1993-11-08 2002-08-26 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
KR20070071630A (ko) 2005-12-30 2007-07-04 주식회사 하이닉스반도체 이머전 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법
KR100963036B1 (ko) 2007-10-17 2010-06-14 주식회사 엘지화학 회절 격자를 이용한 레이저 간섭 리소그래피 방법
US8088548B2 (en) 2007-10-23 2012-01-03 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions
KR20090078898A (ko) 2008-01-16 2009-07-21 동우 화인켐 주식회사 아이-선 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물 및 이를이용한 패턴 형성 방법
KR101482037B1 (ko) 2008-06-16 2015-01-13 주식회사 동진쎄미켐 알칼리 용액에 용해 가능한 유기 반사 방지막 형성용중합체 및 이를 포함하는 조성물
JPWO2010104074A1 (ja) 2009-03-10 2012-09-13 日産化学工業株式会社 側鎖にアセタール構造を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物及びレジストパターンの形成方法
KR101111647B1 (ko) 2009-08-27 2012-02-14 영창케미칼 주식회사 반도체 패턴 형성을 위한 ｉ-선용 네가티브형 포토레지스트 조성물
US8632948B2 (en) 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
JP5286236B2 (ja) 2009-11-30 2013-09-11 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いて形成した膜及びそれを用いたパターン形成方法
US8871423B2 (en) 2010-01-29 2014-10-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoresist composition for fabricating probe array, method of fabricating probe array using the photoresist composition, composition for photosensitive type developed bottom anti-reflective coating, fabricating method of patterns using the same and fabricating method of semiconductor device using the same
US8623589B2 (en) * 2011-06-06 2014-01-07 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions and processes thereof
US11262656B2 (en) * 2016-03-31 2022-03-01 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120177891A1 (en) * 2011-01-07 2012-07-12 Micron Technology, Inc. Methods of forming a patterned, silicon-enriched developable antireflective material and semiconductor device structures including the same
JP2014141455A (ja) 2012-11-30 2014-08-07 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 低温適用のためのイオン性熱酸発生剤
US20170153547A1 (en) * 2015-11-30 2017-06-01 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190035388A (ko) 2019-04-03
US10732506B2 (en) 2020-08-04
US20190096662A1 (en) 2019-03-28
CN109559980A (zh) 2019-04-02
CN109559980B (zh) 2024-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101813311B1 (ko) 하층막 재료 및 패턴 형성 방법
TWI451198B (zh) 正型光阻材料及圖案形成方法
TWI465850B (zh) 正型阻劑材料及使用其之圖型形成方法
KR102115442B1 (ko) 감광성의 현상제-가용성 하부 반사-방지 코팅 재료
TWI498360B (zh) 下層膜材料及圖案形成方法
EP3497519B1 (en) Enviromentally stable, thick film, chemically amplified resist
KR20130026988A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
US6852465B2 (en) Photoresist composition for imaging thick films
TW201317714A (zh) 用於負型光阻之可顯影之底部抗反射塗佈組成物
KR101348607B1 (ko) 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 패터닝 방법과 이를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법
WO2021105054A1 (en) Chemically amplified photoresist
JPH10120968A (ja) レジスト保護膜用樹脂組成物、レジスト保護膜及びこれを用いたパターン製造法
JPWO2018056279A1 (ja) 化合物、樹脂、組成物、並びにレジストパターン形成方法及びパターン形成方法
KR102482878B1 (ko) 집적회로 소자의 제조 방법
JP7090843B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法
TW200307013A (en) Novolak resin mixtures and photosensitive compositions comprising the same
JP7216897B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法
CN112650025A (zh) 一种正性光刻胶组合物及其制备方法
JP3259263B2 (ja) ネガ型感放射線性樹脂組成物
JP7145415B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法
JP2005010487A (ja) レジストパターン形成方法
JP3636503B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant