KR102479612B1 - Method of identifying optical axis of laser machining apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 종래에 비하여 보다 용이하게 광축의 확인이 가능한 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
레이저 가공 장치의 광축 확인 방법으로서, 척 테이블 검사용 웨이퍼의 이면측을 유지하여 표면에 적층된 금속막을 노출시키는 유지 단계와, 상기 유지 단계를 실시한 후, 레이저 빔의 집광점 위치를 제1 높이 위치에 위치시킨 상태에서, 상기 검사용 웨이퍼의 제1 좌표 위치에 상기 레이저 빔을 조사하여, 상기 검사용 웨이퍼의 표면에 적층된 상기 금속막에 제1 레이저 가공 자국을 형성하는 제1 레이저 가공 자국 형성 단계와, 상기 제1 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한 후, 상기 레이저 빔의 집광점 위치를 상기 제1 높이 위치로부터 상승 또는 하강시킨 제2 높이 위치에 위치시킨 상태에서, 상기 검사용 웨이퍼의 제2 좌표 위치에 상기 레이저 빔을 조사하여, 상기 검사용 웨이퍼의 표면에 적층된 상기 금속막에 제2 레이저 가공 자국을 형성하는 제2 레이저 가공 자국 형성 단계와, 상기 제1 좌표 위치에 대한 상기 제1 레이저 가공 자국의 위치와, 상기 제2 좌표 위치에 대한 상기 제2 레이저 가공 자국의 위치에 어긋남이 없는 경우에는 상기 광축에 기울기가 없다고 판정하고, 어긋남이 있는 경우에는 상기 광축에 기울기가 있다고 판정하는 판정 단계를 포함한다.An object of the present invention is to provide a method for confirming the optical axis of a laser processing apparatus, which is capable of confirming the optical axis more easily than in the prior art.
A method for confirming an optical axis of a laser processing apparatus, comprising: a holding step of exposing a metal film laminated on the surface by holding the back side of a chuck table inspection wafer; in the position, the first laser processing mark is formed to form a first laser processing mark on the metal film laminated on the surface of the inspection wafer by irradiating the laser beam to the first coordinate position of the inspection wafer. and, after the step of forming the first laser processing mark, the second height of the inspection wafer is placed in a state where the light converging point of the laser beam is located at a second height position raised or lowered from the first height position. A second laser processing mark forming step of irradiating the laser beam to a coordinate position to form a second laser processing mark on the metal film laminated on the surface of the inspection wafer; If there is no deviation between the position of the laser processing mark and the position of the second laser processing mark relative to the second coordinate position, it is determined that the optical axis has no inclination, and if there is a deviation, it is determined that the optical axis has an inclination It includes a judgment step.

Description

레이저 가공 장치의 광축 확인 방법{METHOD OF IDENTIFYING OPTICAL AXIS OF LASER MACHINING APPARATUS}Optical axis confirmation method of laser processing device {METHOD OF IDENTIFYING OPTICAL AXIS OF LASER MACHINING APPARATUS}

본 발명은, 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for confirming an optical axis of a laser processing apparatus.

최근에는, 레이저 가공 장치를 이용하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법이 개발되어, 실용화되고 있다. 레이저 가공 장치를 이용하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법으로서, 이하에 설명하는 제1 및 제2 가공 방법이 알려져 있다.Recently, a method of dividing a wafer into individual device chips using a laser processing apparatus has been developed and put into practical use. As a method of dividing a wafer into individual device chips using a laser processing apparatus, first and second processing methods described below are known.

제1 가공 방법은, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장(예컨대 355 ㎚)의 레이저 빔의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 영역에 조사하여 어블레이션 가공에 의해 레이저 가공홈을 형성하고, 그 후 외력을 부여하여 웨이퍼를 레이저 가공홈을 분할 기점으로 하여 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법이다(예컨대, 일본 특허 공개 평성 제10-305420호 공보 참조).In the first processing method, a laser processing groove is formed by ablation processing by irradiating a light-converging point of a laser beam having a wavelength (e.g., 355 nm) that has absorption with respect to the wafer to an area corresponding to a line to be divided, and then using an external force This is a method of dividing the wafer into individual device chips using the laser processing groove as the starting point of division by applying .

제2 가공 방법은, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장(예컨대 1064 ㎚)의 레이저 빔의 집광점을 분할 예정 라인에 대응하는 웨이퍼의 내부에 위치시켜, 레이저 빔을 분할 예정 라인을 따라 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하고, 분할 장치에 의해 웨이퍼에 외력을 부여하여 웨이퍼를 개질층을 분할 기점으로 하여 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 방법이다(예컨대, 일본 특허 제3408805호 공보 참조).In the second processing method, the convergence point of a laser beam having a wavelength (for example, 1064 nm) that is transparent to the wafer is located inside the wafer corresponding to the line to be divided, and the laser beam is radiated along the line to be divided to This is a method in which a modified layer is formed on the wafer, and an external force is applied to the wafer by a dividing device to divide the wafer into individual device chips using the modified layer as a starting point for division (see, for example, Japanese Patent No. 3408805).

어떤 가공 방법을 채용하는 경우에도, 레이저 가공 장치는, 탑재한 레이저 발진기로부터 발진된 레이저 빔을 미러나 렌즈 등의 많은 광학 부품을 통해 척 테이블에 유지된 피가공물에 수직으로 조사한다. 환언하면, 레이저 가공 장치의 광축은 척 테이블에 유지된 피가공물에 대하여 엄밀히 수직이 되도록 조정되어 있다.Regardless of which processing method is employed, the laser processing apparatus vertically irradiates a laser beam oscillated from a mounted laser oscillator to a workpiece held on a chuck table through many optical components such as mirrors and lenses. In other words, the optical axis of the laser processing device is adjusted to be strictly perpendicular to the workpiece held on the chuck table.

그러나, 레이저 가공 장치에 충격이 가해진 경우 등에는, 레이저 가공 장치의 광축이 기울 우려가 있다. 종래에는, 광축이 기울어져 있는지 여부를 확인하기 위해서는, 전용 카메라를 부착하고, 차광 파티션으로 레이저 가공 장치를 덮어 광축 확인 작업을 실시하고 있었다.However, when an impact is applied to the laser processing device, there is a possibility that the optical axis of the laser processing device is tilted. Conventionally, in order to confirm whether or not the optical axis is tilted, an optical axis confirmation operation has been performed by attaching a dedicated camera and covering the laser processing device with a light-shielding partition.

일본 특허 공개 평성 10-305420호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 10-305420 일본 특허 제3408805호 공보Japanese Patent No. 3408805 일본 특허 공개 제2013-132674호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-132674

전술한 바와 같이, 종래의 광축 확인 방법에서는, 전용 카메라나 차광 파티션을 사용하기 때문에, 기재의 준비나 설치에 시간이 걸리는 데다 설치 작업이 번거로우며, 광축 확인 작업이 매우 번잡하다고 하는 과제가 있었다.As described above, in the conventional optical axis confirmation method, since a dedicated camera or light blocking partition is used, preparation and installation of the base material take time, installation work is cumbersome, and optical axis confirmation work is very complicated.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 종래에 비하여 보다 용이하게 광축의 확인이 가능한 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of these points, and its object is to provide a method for confirming the optical axis of a laser processing apparatus that can confirm the optical axis more easily than before.

본 발명에 따르면, 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 수단을 구비한 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법으로서, 표면에 금속막이 적층된 검사용 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 단계와, 웨이퍼 준비 단계를 실시한 후, 상기 척 테이블로 상기 검사용 웨이퍼의 이면측을 유지하여 표면에 적층된 상기 금속막을 노출시키는 유지 단계와, 상기 유지 단계를 실시한 후, 상기 레이저 빔의 집광점 위치를 제1 높이 위치에 위치시킨 상태에서, 상기 검사용 웨이퍼의 제1 좌표 위치에 상기 레이저 빔을 조사하여, 상기 검사용 웨이퍼의 표면에 적층된 상기 금속막에 제1 레이저 가공 자국을 형성하는 제1 레이저 가공 자국 형성 단계와, 상기 제1 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한 후, 상기 레이저 빔의 집광점 위치를 상기 제1 높이 위치로부터 상승 또는 하강시킨 제2 높이 위치에 위치시킨 상태에서, 상기 검사용 웨이퍼의 제2 좌표 위치에 상기 레이저 빔을 조사하여, 상기 검사용 웨이퍼의 표면에 적층된 상기 금속막에 제2 레이저 가공 자국을 형성하는 제2 레이저 가공 자국 형성 단계와, 상기 제1 좌표 위치에 대한 상기 제1 레이저 가공 자국의 위치와, 상기 제2 좌표 위치에 대한 상기 제2 레이저 가공 자국의 위치에 어긋남이 없는 경우에는 상기 광축에 기울기가 없다고 판정하고, 어긋남이 있는 경우에는 상기 광축에 기울기가 있다고 판정하는 판정 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법이 제공된다.According to the present invention, an optical axis confirmation method of a laser processing apparatus having a chuck table holding a workpiece and a laser beam irradiation means for irradiating a laser beam to the workpiece held on the chuck table, wherein a metal film is laminated on the surface. A wafer preparation step of preparing a wafer for inspection, and a holding step of exposing the metal film laminated on the surface by holding the back side of the inspection wafer with the chuck table after the wafer preparation step is performed, and the holding step is performed. Then, in a state where the convergence point of the laser beam is located at a first height position, the laser beam is irradiated to the first coordinate position of the inspection wafer, so that the metal film laminated on the surface of the inspection wafer A first laser processing mark forming step of forming a first laser processing mark, and a second height obtained by raising or lowering the light converging point of the laser beam from the first height position after the first laser processing mark forming step is performed. Second laser processing mark for forming a second laser processing mark on the metal film laminated on the surface of the inspection wafer by irradiating the laser beam to the second coordinate position of the inspection wafer in a state of positioning in the inspection wafer. In the forming step, if there is no deviation between the position of the first laser processing mark relative to the first coordinate position and the position of the second laser processing mark relative to the second coordinate position, it is determined that the optical axis has no inclination; , a determination step of determining that the optical axis has an inclination when there is a deviation.

바람직하게는, 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법은, 적어도 상기 제1 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한 후, 촬상 수단으로 상기 검사용 웨이퍼의 표면에 적층된 상기 금속막의 상기 제1 좌표 위치를 촬상하여 제1 촬상 화상을 형성하는 제1 촬상 화상 형성 단계와, 적어도 상기 제2 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한 후, 상기 촬상 수단으로 상기 검사용 웨이퍼의 표면에 적층된 상기 금속막의 상기 제2 좌표 위치를 촬상하여 제2 촬상 화상을 형성하는 제2 촬상 화상 형성 단계를 더 구비하고, 상기 제1 촬상 화상 형성 단계와 상기 제2 촬상 화상 형성 단계를 실시한 후, 상기 제1 촬상 화상의 상기 제1 좌표 위치와 상기 제2 촬상 화상의 상기 제2 좌표 위치가 일치하도록 겹쳐져 상기 제1 레이저 가공 자국과 상기 제2 레이저 가공 자국의 위치에 어긋남이 있는지 여부에 따라 상기 광축에 기울기가 있는지 여부를 판정하는 상기 판정 단계를 실시한다.Preferably, the method for confirming the optical axis of the laser processing apparatus includes, after performing at least the first laser processing mark forming step, imaging the first coordinate position of the metal film laminated on the surface of the inspection wafer with an imaging means, 1 After performing the first captured image forming step of forming a captured image and at least the second laser processing mark forming step, the second coordinate position of the metal film laminated on the surface of the inspection wafer is imaged by the image capturing means and a second captured image forming step of forming a second captured image by performing the first captured image forming step and the second captured image forming step, wherein the first coordinate position of the first captured image and the second captured image forming step are performed. The determination step of judging whether or not there is an inclination in the optical axis according to whether or not there is a shift in the position of the first laser processing mark and the second laser processing mark by overlapping such that the second coordinate positions of the second captured image coincide. carry out

본 발명에 따르면, 척 테이블로 유지한 검사용 웨이퍼에 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼의 표면에 적층된 금속막에 레이저 가공 자국을 형성한다. 레이저 빔을 조사한 좌표 위치와 레이저 가공 자국의 위치를 기초로 광축의 기울기를 확인할 수 있기 때문에, 광축 확인용에 전용 카메라나 차광 파티션 등의 기재가 필요 없게 되어, 종래에 비하여 보다 용이하게 레이저 가공 장치의 광축 확인을 할 수 있다.According to the present invention, a laser beam is irradiated to a wafer for inspection held on a chuck table to form laser processing marks on a metal film laminated on the surface of the wafer. Since the inclination of the optical axis can be confirmed based on the coordinate position where the laser beam is irradiated and the position of the laser processing mark, there is no need for equipment such as a dedicated camera or light blocking partition for optical axis confirmation, and the laser processing device is easier than before. of the optical axis can be confirmed.

도 1은 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 레이저 빔 발생 유닛의 블록도이다.
도 3은 표면에 금속막이 적층된 검사용 웨이퍼의 사시도이다.
도 4는 유지 단계를 나타낸 일부 단면 측면도이다.
도 5는 레이저 가공 자국 형성 단계를 나타낸 일부 단면 측면도이다.
도 6은 레이저 빔 조사 좌표 위치와 레이저 가공 자국 형성 위치의 관계를 나타낸 모식적 설명도이다.
도 7은 복수의 촬상 화상의 중첩에 의해, 광축에 기울기가 있는지 여부를 판정하는 판정 단계를 나타낸 모식도이다.1 is a perspective view of a laser processing apparatus.
2 is a block diagram of a laser beam generating unit.
3 is a perspective view of a wafer for inspection having a metal film laminated on its surface.
4 is a partially cross-sectional side view showing a holding step.
5 is a partial cross-sectional side view showing a step of forming laser processing scars.
Fig. 6 is a schematic explanatory diagram showing the relationship between laser beam irradiation coordinate positions and laser processing mark formation positions.
Fig. 7 is a schematic diagram showing a determination step of determining whether an optical axis has an inclination by superimposing a plurality of captured images.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 레이저 가공 장치(2)의 개략 구성을 나타낸 사시도가 도시되어 있다. 레이저 가공 장치(2)는, 정지 베이스(4) 상에 탑재된 Y축 방향으로 신장되는 한 쌍의 가이드 레일(6)을 포함하고 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1 , a perspective view showing a schematic configuration of a laser processing apparatus 2 is shown. The laser processing device 2 includes a pair of guide rails 6 mounted on a stationary base 4 and extending in the Y-axis direction.

Y축 이동 블록(8)은, 볼나사(10) 및 펄스 모터(12)로 구성되는 Y축 이송 기구(Y축 이송 수단)(14)에 의해 인덱싱 이송 방향, 즉 Y축 방향으로 이동된다. Y축 이동 블록(8) 상에는, X축 방향으로 신장되는 한 쌍의 가이드 레일(16)이 고정되어 있다.The Y-axis moving block 8 is moved in the indexing feed direction, that is, the Y-axis direction, by a Y-axis feed mechanism (Y-axis feed means) 14 composed of a ball screw 10 and a pulse motor 12 . On the Y-axis moving block 8, a pair of guide rails 16 extending in the X-axis direction are fixed.

X축 이동 블록(18)은, 볼나사(20) 및 펄스 모터(22)로 구성되는 X축 이동 기구(X축 이송 수단)(28)에 의해, 가이드 레일(16)에 안내되어 가공 이송 방향, 즉 X축 방향으로 이동된다.The X-axis movement block 18 is guided to the guide rail 16 by an X-axis movement mechanism (X-axis transport means) 28 composed of a ball screw 20 and a pulse motor 22 in the direction of machining feed. , that is, it is moved in the X-axis direction.

X축 이동 블록(18) 상에는 원통형 지지 부재(30)를 통해 척 테이블(24)이 탑재되어 있다. 척 테이블(24)은 회전 가능하게 구성되어 있고, 척 테이블(24)에는, 복수의 클램프(26)가 배치되어 있다.On the X-axis movement block 18, a chuck table 24 is mounted via a cylindrical support member 30. The chuck table 24 is configured to be rotatable, and a plurality of clamps 26 are disposed on the chuck table 24 .

베이스(4)의 후방에는 칼럼(32)이 세워져 있다. 칼럼(32)에는, 레이저 빔 조사 유닛(34)의 케이싱(36)이 고정되어 있다. 케이싱(36) 내에는, 도 2에 도시된 레이저 빔 발생 유닛(35)이 수용되어 있다.At the rear of the base 4, a column 32 is erected. To the column 32, the casing 36 of the laser beam irradiation unit 34 is fixed. Within the casing 36, the laser beam generating unit 35 shown in FIG. 2 is accommodated.

레이저 빔 조사 유닛(34)은, 도 2에 도시된 레이저 빔 발생 유닛(35)과, 케이싱(36)의 선단에 부착된 집광기(38)로 구성된다. 집광기(38)는, 상하 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하게 케이싱(36)의 선단에 부착되어 있다.The laser beam irradiation unit 34 is composed of a laser beam generating unit 35 shown in FIG. 2 and a concentrator 38 attached to the front end of the casing 36 . The concentrator 38 is attached to the front end of the casing 36 so as to be movable in the vertical direction (Z-axis direction).

도 2에 도시된 바와 같이, 레이저 빔 발생 유닛(35)은, YAG 펄스 레이저 또는 YVO4 펄스 레이저를 발진하는 레이저 발진기(42)와, 반복 주파수 설정 수단(44)과, 펄스폭 조정 수단(46)과, 파워 조정 수단(48)을 포함하고 있다.As shown in FIG. 2, the laser beam generating unit 35 includes a laser oscillator 42 that oscillates a YAG pulse laser or a YVO4 pulse laser, a repetition frequency setting means 44, and a pulse width adjusting means 46 and power adjusting means 48.

레이저 빔 발생 유닛(35)의 파워 조정 수단(48)에 의해 소정 파워로 조정된 펄스 레이저 빔은, 케이싱(36)의 선단에 부착된 집광기(38)의 미러(50)에 의해 반사되고, 또한 집광용 대물렌즈(52)에 의해 집광되어 척 테이블(24)에 유지되어 있는 웨이퍼(11)에 조사된다.The pulsed laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 48 of the laser beam generating unit 35 is reflected by the mirror 50 of the concentrator 38 attached to the tip of the casing 36, and The light is collected by the light collecting objective lens 52 and irradiated onto the wafer 11 held on the chuck table 24 .

케이싱(36)의 선단부에는, 집광기(38)에 인접하여 레이저 가공해야 할 가공 영역을 검출하는 촬상 유닛(40)이 배치되어 있다. 촬상 유닛(40)은, 현미경 및 현미경으로 확대된 웨이퍼(11)의 가공 영역을 촬상하는 촬상 소자를 포함하고 있다.At the front end of the casing 36, an imaging unit 40 for detecting a processing area to be laser processed is disposed adjacent to the light collector 38. The imaging unit 40 includes a microscope and an imaging device that captures an image of a processing region of the wafer 11 magnified by the microscope.

도 3을 참조하면, 표면(11a)에 금속막(13)이 적층된 검사용 웨이퍼(11)의 사시도가 도시되어 있다. 바람직하게는, 금속막(13)으로는 주석(Sn)막이 채용된다. 금속막(13)은 주석막으로 한정되지 않고, Pt, Au, Ag, In, Pb, Cu 등의 금속막을 적절하게 선택할 수 있다. 금속막(13)의 두께는 50 ㎚∼500 ㎚의 범위가 바람직하다.Referring to FIG. 3 , a perspective view of a wafer 11 for inspection in which a metal film 13 is stacked on a surface 11a is shown. Preferably, a tin (Sn) film is employed as the metal film 13 . The metal film 13 is not limited to a tin film, and a metal film such as Pt, Au, Ag, In, Pb, or Cu can be appropriately selected. The thickness of the metal film 13 is preferably in the range of 50 nm to 500 nm.

본 발명의 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법에서는, 우선 웨이퍼 준비 단계로서 도 3에 도시된 바와 같은 검사용 웨이퍼(11)를 준비한다. 그 후, 도 4에 도시된 바와 같이, 레이저 가공 장치(2)의 척 테이블(24)로 검사용 웨이퍼(11)의 이면(11b) 측을 흡인 유지하고, 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 적층된 금속막(13)을 노출시키는 유지 단계를 실시한다.In the optical axis confirmation method of the laser processing apparatus of the present invention, first, as a wafer preparation step, an inspection wafer 11 as shown in FIG. 3 is prepared. After that, as shown in FIG. 4, the chuck table 24 of the laser processing apparatus 2 holds the back surface 11b of the inspection wafer 11 by suction, and the front surface 11a of the wafer 11 A holding step is performed to expose the metal film 13 stacked on the top.

유지 단계를 실시한 후, 검사용 웨이퍼(11)의 표면에 적층된 금속막(13)에 레이저 가공 자국을 형성하는 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한다. 이 레이저 가공 자국 형성 단계를, 도 5 및 도 6을 참조하여 상세히 설명한다.After the maintenance step is performed, a laser processing mark forming step of forming laser processing marks on the metal film 13 stacked on the surface of the inspection wafer 11 is performed. This laser processing scar forming step is explained in detail with reference to FIGS. 5 and 6 .

도 5에 도시된 바와 같이, 집광기(38)로부터 조사되는 레이저 빔의 집광점 위치 P1을 제1 높이 위치에 위치시킨 상태에서, 검사용 웨이퍼(11)의 제1 좌표 위치 C1(도 6 참조)에 레이저 빔을 조사하여, 검사용 웨이퍼(11)의 표면에 적층된 금속막(13)에 제1 레이저 가공 자국 Q1을 형성하는 제1 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한다. 도 6에서 O1은 제1 레이저 가공 자국 Q1의 중심 위치를 나타내고 있다.As shown in FIG. 5, the first coordinate position C1 of the inspection wafer 11 (see FIG. 6) in a state where the light converging point position P1 of the laser beam irradiated from the concentrator 38 is located at the first height position. A first laser processing mark forming step of forming a first laser processing mark Q1 in the metal film 13 stacked on the surface of the inspection wafer 11 by irradiating a laser beam thereto is performed. In FIG. 6, O1 represents the center position of the 1st laser processing mark Q1.

제1 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한 후, 레이저 빔의 집광점 위치 P2를 제1 높이 위치로부터 상승 또는 하강시킨 제2 높이 위치에 위치시킨 상태에서, 검사용 웨이퍼(11)의 제2 좌표 위치 C2에 레이저 빔을 조사하여, 검사용 웨이퍼(11)의 표면에 적층된 금속막(13)에 제2 레이저 가공 자국 Q2를 형성하는 제2 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한다.After the first laser processing mark forming step is performed, the second coordinate position C2 of the inspection wafer 11 is placed in a state where the light converging point position P2 of the laser beam is located at the second height position raised or lowered from the first height position. A second laser processing mark forming step of forming second laser processing scars Q2 in the metal film 13 stacked on the surface of the inspection wafer 11 by irradiating a laser beam thereon is performed.

마찬가지로, 레이저 빔의 집광점 위치 P3을 제1 및 제2 높이 위치와 상이한 제3 높이 위치에 위치시킨 상태에서, 검사용 웨이퍼(11)의 제3 좌표 위치 C3에 레이저 빔을 조사하여, 검사용 웨이퍼(11)의 표면에 적층된 금속막(13)에 제3 레이저 가공 자국 Q3을 형성하는 제3 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한다.Similarly, in a state where the light converging point position P3 of the laser beam is located at a third height position different from the first and second height positions, the laser beam is irradiated to the third coordinate position C3 of the wafer 11 for inspection, A third laser processing scar forming step of forming a third laser processing scar Q3 on the metal film 13 stacked on the surface of the wafer 11 is performed.

이와 같이 레이저 빔의 집광점 위치를 달리한 상태에서, 제4 좌표 위치, 제5 좌표 위치, ···제9 좌표 위치에 레이저 빔을 조사하여, 검사용 웨이퍼(11)의 표면에 적층된 금속막(13)에 제4 레이저 가공 자국 Q4, 제5 레이저 가공 자국 Q5,···제9 레이저 가공 자국 Q9를 형성하는 레이저 가공 자국 형성 단계를 차례차례로 실시한다.In this way, in the state where the light condensing point position of the laser beam is different, the laser beam is irradiated to the fourth coordinate position, the fifth coordinate position, and the ninth coordinate position, and the metal laminated on the surface of the wafer 11 for inspection. The laser processing scar formation step of forming the 4th laser processing scar Q4, the 5th laser processing scar Q5,...the ninth laser processing scar Q9 on the film|membrane 13 is performed in sequence.

도 5에서 P1∼P9는 집광점 위치를 나타내고 있고, 도 6에서 C1∼C9는 레이저 빔 조사 좌표 위치를 나타내고 있으며, Q1∼Q9는 레이저 가공 자국을 나타내고 있고, O1∼O9는 제1 레이저 가공 자국 Q1∼제9 레이저 가공 자국 Q9의 중심 위치를 각각 나타내고 있다.In FIG. 5, P1 to P9 indicate light converging point positions, in FIG. 6, C1 to C9 indicate laser beam irradiation coordinate positions, Q1 to Q9 indicate laser processing marks, and O1 to O9 indicate first laser processing marks. The center positions of Q1 to ninth laser processing scars Q9 are respectively shown.

본 발명의 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법에서는, 적어도 제1 레이저 가공 자국 형성 단계와 제2 레이저 가공 자국 형성 단계는 필수이다. 이 경우, 제2 레이저 가공 자국 형성 단계의 집광점 위치 P2는, 제1 레이저 가공 자국 형성 단계의 집광점 위치 P1과 높이 방향으로 크게 어긋나 있는 것이 바람직하다.In the optical axis confirmation method of the laser processing apparatus of the present invention, at least the first laser processing scar forming step and the second laser processing scar forming step are essential. In this case, it is preferable that the light converging point position P2 of the second laser processing scar formation step is greatly displaced from the light converging point position P1 of the first laser processing scar formation step in the height direction.

즉, 도 5에 도시된 실시형태의 경우에는, 제8 레이저 가공 자국 형성 단계 또는 제9 레이저 가공 자국 형성 단계를 제2 레이저 가공 자국 형성 단계로서 채용하는 것이 바람직하다.That is, in the case of the embodiment shown in Fig. 5, it is preferable to employ the eighth laser processing scar forming step or the ninth laser processing scar forming step as the second laser processing scar forming step.

도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 실시형태에서는, 제1 레이저 가공 자국 형성 단계 내지 제9 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한 후, 제1 좌표 위치 C1에 대한 제1 레이저 가공 자국 Q1의 중심 위치 O1과, 제2 좌표 위치 C2에 대한 제2 레이저 가공 자국 Q2의 중심 위치 O2와, ···제9 좌표 위치 C9에 대한 제9 레이저 가공 자국 Q9의 중심 위치 O9에 어긋남이 있는지 여부를 판정하는 판정 단계를 실시한다.In the embodiment described with reference to FIGS. 5 and 6 , after performing the first laser processing scar forming step to the ninth laser processing scar forming step, the center position O1 of the first laser processing scar Q1 with respect to the first coordinate position C1 and , Judgment step of determining whether or not there is a shift between the center position O2 of the second laser processing mark Q2 with respect to the second coordinate position C2 and the center position O9 of the ninth laser processing mark Q9 with respect to the ninth coordinate position C9. carry out

즉, 레이저 빔 조사 좌표 위치와 레이저 가공 자국의 중심 위치 사이의 거리가 같고 또한 양자를 연결한 선분의 경사각이 같은지 여부를 판정한다. 거리와 선분의 경사각이 같은 경우에는, 광축에 기울기가 없어, 집광기(38)로부터 조사되는 레이저 빔은 척 테이블(24)에 유지된 검사용 웨이퍼(11)의 표면에 적층된 금속막(13)에 수직으로 조사되고 있다고 판정한다.That is, it is determined whether the distance between the laser beam irradiation coordinate position and the center position of the laser processing scar is the same, and the inclination angle of the line segment connecting the two is the same. When the distance and the inclination angle of the line segment are the same, the optical axis has no inclination, and the laser beam emitted from the concentrator 38 moves through the metal film 13 laminated on the surface of the inspection wafer 11 held on the chuck table 24. It is determined that the irradiation is perpendicular to

한편, 레이저 빔 조사 좌표 위치와 레이저 가공 자국의 중심 위치 사이의 거리 또는 양자를 연결한 선분의 기울기 중 어느 한쪽이 같지 않은 경우에는, 광축에 기울기가 있다고 판정하고, 광축 조정 작업을 실시한다.On the other hand, if either of the distance between the laser beam irradiation coordinate position and the central position of the laser processing scar or the inclination of the line segment connecting the two is not the same, it is determined that the optical axis has an inclination, and an optical axis adjustment operation is performed.

레이저 가공 자국의 형성 위치를 기초로 1샷마다 레이저 빔의 조사 위치를 확인하여도 좋고, 수샷 레이저 빔을 조사한 후, 레이저 가공 자국 형성 위치를 기초로 통합하여 레이저 빔의 조사 위치를 확인하도록 하여도 좋다.The irradiation position of the laser beam may be checked for each shot based on the formation position of the laser processing mark, or after irradiating a several-shot laser beam, it is integrated based on the laser processing mark formation position to confirm the irradiation position of the laser beam. good night.

여기서 주의해야 할 것은, 레이저 빔 조사 좌표 위치와 레이저 가공 자국의 중심 위치는 도 6에 도시된 바와 같이 반드시 일치하지는 않아도 되며, 집광점 P의 깊이 위치를 바꾸어 레이저 가공한 레이저 가공 자국으로 레이저 빔 조사 좌표 위치와 레이저 가공 자국의 위치 관계가 어긋나 있지 않으면 광축은 기울어져 있지 않다고 판정한다.What should be noted here is that the laser beam irradiation coordinate position and the center position of the laser processing scar do not necessarily coincide as shown in FIG. If the positional relationship between the coordinate position and the laser processing mark does not shift, it is determined that the optical axis is not tilted.

단, 레이저 빔 조사 좌표 위치와 레이저 가공 자국의 중심 위치가 어긋나 있는 경우에는, 피가공물을 레이저 가공하기 전에, 별도 레이저 가공 위치의 보정을 실시하여, 레이저 빔 조사 좌표 위치와 레이저 가공 자국의 중심 위치가 일치하도록 조정할 필요가 있다.However, if the laser beam irradiation coordinate position and the center position of the laser processing scar are out of alignment, the laser processing location is separately corrected before laser processing the workpiece, and the laser beam irradiation coordinate position and the center position of the laser processing scar need to be adjusted to match.

레이저 빔 조사 좌표 위치와 레이저 가공 자국의 형성 위치에 어긋남이 있는지 여부를 눈으로 확인하여 판정하는 것은 곤란하기 때문에, 바람직하게는, 촬상 유닛(40)으로 레이저 빔 조사 좌표 위치를 촬상하여 촬상 화상을 형성하고, 복수의 촬상 화상으로부터 레이저 가공 자국의 형성 위치에 어긋남이 있는지 여부에 따라 광축에 기울기가 있는지 여부를 판정한다.Since it is difficult to visually check and determine whether there is a discrepancy between the laser beam irradiation coordinate position and the laser processing mark formation position, it is preferable to image the laser beam irradiation coordinate position with the imaging unit 40 to obtain a captured image. and whether or not there is an inclination in the optical axis is determined according to whether or not there is a shift in the formation position of the laser processing mark from a plurality of captured images.

즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 레이저 빔 조사 좌표 위치 C1을 제1 촬상 화상(56a)의 중심에 일치시켜 제1 레이저 가공 자국 Q1을 촬상한다. 계속해서, 제2 레이저 빔 조사 좌표 위치 C2를 제2 촬상 화상(56b)의 중심에 일치시켜 제2 레이저 가공 자국 Q2를 촬상한다. 계속해서, 제3 레이저 빔 조사 좌표 위치 C3을 제3 촬상 화상(56c)의 중심에 일치시켜 제3 레이저 가공 자국 Q3을 촬상한다.That is, as shown in FIG. 7, the 1st laser processing mark Q1 is imaged by aligning the 1st laser beam irradiation coordinate position C1 with the center of the 1st captured image 56a. Subsequently, the second laser processing mark Q2 is imaged by aligning the second laser beam irradiation coordinate position C2 with the center of the second captured image 56b. Then, the third laser beam irradiation coordinate position C3 is aligned with the center of the third captured image 56c, and the third laser processing scar Q3 is imaged.

제1 촬상 화상(56a), 제2 촬상 화상(56b) 및 제3 촬상 화상(56c)을 중첩시켜 제1 레이저 가공 자국 Q1, 제2 레이저 가공 자국 Q2 및 제3 레이저 가공 자국 Q3의 위치에 어긋남이 있는지 여부에 따라, 광축에 기울기가 있는지 여부를 판정한다. 도 7에 도시된 촬상 화상에 있어서는, 제1 내지 제3 레이저 가공 자국의 위치에 어긋남이 있기 때문에, 광축에 기울기가 있다고 판정한다.The 1st captured image 56a, the 2nd captured image 56b, and the 3rd captured image 56c were overlapped, and the position of the 1st laser processing mark Q1, the 2nd laser processing mark Q2, and the 3rd laser processing mark Q3 shifted Depending on whether there is a tilt, it is determined whether or not the optical axis has an inclination. In the captured image shown in Fig. 7, since there is a shift in the positions of the first to third laser processing scars, it is determined that the optical axis has an inclination.

이 레이저 가공 자국의 촬상은, 예컨대, 1샷 가공마다 촬상한다. 혹은, 복수 위치 레이저 가공한 후에, 각각의 레이저 빔 조사 좌표 위치를 촬상하도록 하여도 좋다.The imaging of this laser processing mark is taken, for example, every 1-shot processing. Alternatively, after carrying out multi-position laser processing, you may make it image each laser beam irradiation coordinate position.

도 7에 도시된 바와 같이, 촬상 화상의 중심에 레이저 빔 조사 좌표 위치가 오도록 촬상해 두면, 촬상 화상의 중첩이 용이하지만, 반드시 레이저 빔 조사 좌표 위치를 촬상 화상의 중심에 촬상하지는 않아도 된다.As shown in FIG. 7, if the captured image is captured so that the laser beam irradiation coordinate position is at the center of the captured image, overlapping of the captured images is easy.

판정 단계에서는, 촬상 화상을 하층이 들여다보이도록 투과 레이어로서 겹쳐져 레이저 가공 자국의 위치에 어긋남이 있는지를 확인하여도 좋고, 플립 북(flip book)과 같이 촬상 화상을 겹친 후, 프레임 이송함으로써 레이저 가공 자국의 위치에 어긋남이 있는지 여부를 확인하도록 하여도 좋다.In the judgment step, the captured image may be overlapped as a transparent layer so that the lower layer is visible, and whether there is a displacement of the laser processing mark may be checked. After overlapping the captured image like a flip book, laser processing by transferring the frame It may be made to check whether or not there is a shift in the position of the host.

11 : 검사용 웨이퍼
13 : 금속막
24 : 척 테이블
35 : 레이저 빔 발생 유닛
38 : 집광기
42 : 레이저 발진기
52 : 집광용 대물렌즈
P1∼P9 : 집광점
C1∼C9 : 레이저 빔 조사 좌표 위치
Q1∼Q9 : 레이저 가공 자국
O1∼O9 : 레이저 가공 자국의 중심 위치
56a∼56c : 촬상 화상11: inspection wafer
13: metal film
24: chuck table
35: laser beam generating unit
38: concentrator
42: laser oscillator
52: objective lens for light collection
P1∼P9: light condensing point
C1 to C9: laser beam irradiation coordinate position
Q1 to Q9: laser processing marks
O1 to O9: Center position of laser processing mark
56a to 56c: Captured image

Claims (2)

피가공물을 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 수단을 구비한 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법으로서,
표면에 금속막이 적층된 검사용 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 단계와,
웨이퍼 준비 단계를 실시한 후, 상기 척 테이블로 상기 검사용 웨이퍼의 이면측을 유지하여 표면에 적층된 상기 금속막을 노출시키는 유지 단계와,
상기 유지 단계를 실시한 후, 상기 레이저 빔의 집광점 위치를 제1 높이 위치에 위치시킨 상태에서, 상기 검사용 웨이퍼의 제1 좌표 위치에 상기 레이저 빔을 조사하여, 상기 검사용 웨이퍼의 표면에 적층된 상기 금속막에 제1 레이저 가공 자국을 형성하는 제1 레이저 가공 자국 형성 단계와,
상기 제1 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한 후, 상기 레이저 빔의 집광점 위치를 상기 제1 높이 위치로부터 상승 또는 하강시킨 제2 높이 위치에 위치시킨 상태에서, 상기 검사용 웨이퍼의 제2 좌표 위치에 상기 레이저 빔을 조사하여, 상기 검사용 웨이퍼의 표면에 적층된 상기 금속막에 제2 레이저 가공 자국을 형성하는 제2 레이저 가공 자국 형성 단계와,
상기 제1 좌표 위치에 대한 상기 제1 레이저 가공 자국의 위치와, 상기 제2 좌표 위치에 대한 상기 제2 레이저 가공 자국의 위치에 어긋남이 없는 경우에는 상기 광축에 기울기가 없다고 판정하고, 어긋남이 있는 경우에는 상기 광축에 기울기가 있다고 판정하는 판정 단계
를 포함한 것을 특징으로 하는, 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법.An optical axis confirmation method of a laser processing apparatus having a chuck table holding a workpiece and a laser beam irradiation means for irradiating a laser beam to the workpiece held on the chuck table, comprising:
A wafer preparation step of preparing a wafer for inspection on which a metal film is laminated;
After the wafer preparation step is performed, a holding step of holding the back side of the inspection wafer with the chuck table to expose the metal film laminated on the surface;
After the maintaining step is performed, the laser beam is irradiated to the first coordinate position of the inspection wafer in a state where the light condensing point of the laser beam is located at the first height position, and the laser beam is laminated on the surface of the inspection wafer. A first laser processing mark forming step of forming a first laser processing mark on the metal film;
After performing the first laser processing mark forming step, in a state in which the converging point of the laser beam is located at a second height position raised or lowered from the first height position, at the second coordinate position of the wafer for inspection. A second laser processing mark forming step of irradiating the laser beam to form a second laser processing mark on the metal film laminated on the surface of the inspection wafer;
If there is no displacement between the position of the first laser processing mark relative to the first coordinate position and the position of the second laser processing mark relative to the second coordinate position, it is determined that the optical axis has no inclination, and if there is a displacement In this case, a determination step of determining that the optical axis has an inclination
Characterized in that, including a method for confirming the optical axis of the laser processing device. 제1항에 있어서,
적어도 상기 제1 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한 후, 촬상 수단으로 상기 검사용 웨이퍼의 표면에 적층된 상기 금속막의 상기 제1 좌표 위치를 촬상하여 제1 촬상 화상을 형성하는 제1 촬상 화상 형성 단계와,
적어도 상기 제2 레이저 가공 자국 형성 단계를 실시한 후, 상기 촬상 수단으로 상기 검사용 웨이퍼의 표면에 적층된 상기 금속막의 상기 제2 좌표 위치를 촬상하여 제2 촬상 화상을 형성하는 제2 촬상 화상 형성 단계를 더 포함하고,
상기 제1 촬상 화상 형성 단계와 상기 제2 촬상 화상 형성 단계를 실시한 후, 상기 제1 촬상 화상의 상기 제1 좌표 위치와 상기 제2 촬상 화상의 상기 제2 좌표 위치가 일치하도록 겹쳐져, 상기 제1 레이저 가공 자국과 상기 제2 레이저 가공 자국의 위치에 어긋남이 있는지 여부에 따라 상기 광축에 기울기가 있는지 여부를 판정하는 상기 판정 단계를 실시하는, 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법.According to claim 1,
a first captured image forming step of forming a first captured image by capturing an image of the first coordinate position of the metal film laminated on the surface of the inspection wafer by means of an imaging means after at least the first laser processing mark forming step; and ,
a second captured image forming step of forming a second captured image by capturing an image of the second coordinate position of the metal film laminated on the surface of the inspection wafer with the imaging means after at least the second laser processing mark forming step is performed; Including more,
After the first captured image forming step and the second captured image forming step are performed, the first coordinate position of the first captured image and the second coordinate position of the second captured image are overlapped so that they coincide, and the first An optical axis confirmation method of a laser processing apparatus, which performs the judgment step of determining whether or not there is an inclination in the optical axis according to whether or not there is a displacement between the position of the laser processing mark and the second laser processing mark.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7417411B2 (en) * 2019-02-13 2024-01-18 株式会社ディスコ Confirmation method
JP7208703B2 (en) * 2019-05-13 2023-01-19 株式会社ディスコ Adjustment method
JP7292797B2 (en) * 2019-06-05 2023-06-19 株式会社ディスコ How to check the tilt
JP7242140B2 (en) * 2019-06-07 2023-03-20 株式会社ディスコ Aberration confirmation method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005152970A (en) 2003-11-27 2005-06-16 Disco Abrasive Syst Ltd Laser beam machining mechanism
JP2006218482A (en) 2005-02-08 2006-08-24 Laser Solutions Co Ltd Method for adjusting laser beam in laser beam machining device, laser beam machining device and program for adjusting laser beam
JP2012091218A (en) 2010-10-28 2012-05-17 Disco Corp Laser-machining apparatus
JP2013235877A (en) 2012-05-02 2013-11-21 Disco Abrasive Syst Ltd Optical device wafer processing method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (en) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd Method for fabricating matrix made up of oxide single crystal and method for manufacturing functional device
US5929983A (en) * 1997-10-29 1999-07-27 International Business Machines Corporation Optical apparatus for determining the height and tilt of a sample surface
JP3408805B2 (en) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 Cutting origin region forming method and workpiece cutting method
JP2007175744A (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Yamazaki Mazak Corp Apparatus for adjusting axis of optical path in laser machine
JP5980504B2 (en) 2011-12-27 2016-08-31 株式会社ディスコ Wafer processing method and laser processing apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005152970A (en) 2003-11-27 2005-06-16 Disco Abrasive Syst Ltd Laser beam machining mechanism
JP2006218482A (en) 2005-02-08 2006-08-24 Laser Solutions Co Ltd Method for adjusting laser beam in laser beam machining device, laser beam machining device and program for adjusting laser beam
JP2012091218A (en) 2010-10-28 2012-05-17 Disco Corp Laser-machining apparatus
JP2013235877A (en) 2012-05-02 2013-11-21 Disco Abrasive Syst Ltd Optical device wafer processing method

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