KR102467958B1 - 단파 적외선 스펙트럼 체계에 대한 게르마늄 기반 초점 평면 배열 - Google Patents

단파 적외선 스펙트럼 체계에 대한 게르마늄 기반 초점 평면 배열 Download PDF

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Abstract

광 검출 구조물은 넓은 입사광을 마주보는(incoming light-facing) 피라미드 하단 및 좁은 피라미드 상단을 구비한 피라미드 형상을 갖는 Si 베이스; 및 Si 피라미드 상단 상에 형성된 게르마늄(Ge) 광다이오드를 포함하고, Ge 광다이오드는 단파장 적외선 범위의 광을 검출하도록 작동될 수 있다. 상기 광 검출 구조물은 실리콘상의 Ge 광다이오드 초점 평면 배열 형태로 공간적으로 반복되어 제작될 수 있다.

Description

단파 적외선 스펙트럼 체계에 대한 게르마늄 기반 초점 평면 배열
여기에 개시된 실시예들은 일반적으로 단파 적외선(SWIR) 스펙트럼 체계의 초점 평면 배열(FPA)에 관한 것으로, 특히 게르마늄(Ge) 검출기 기반 FPA를 형성하는 방법에 관한 것이다.
SWIR(short wave infrared, 일반적으로 약 1000-2500 ㎚ 파장 사이로 규정되는)에서 동작하는 영상 시스템은 수많은 이유로 인해 주목받고 있다. 예를 들어, 가시 범위에 비해, SWIR 범위의 광은 안개 또는 먼지와 같은 극한의 기상 상태에 대해 덜 민감하다. 게다가, SWIR 파장 범위는 사람의 눈으로 볼 수 없다. 또한, 눈 안정성 규정(eye safety regulation)은 SWIR 영역의 고출력의 능동 조명 소스를 사용할 수 있게 한다. 열 화상과 달리 SWIR에 대한 이미지 대조 메커니즘이 가시 범위의 이미지 대조 메커니즘과 유사하다는 사실과 결합되어 기존의 이미지 확인 알고리즘의 사용을 허용하는, 이러한 장점은 SWIR 체계가 영상화 목적을 위한 가시 범위에 대한 매력적인 대안이 되게 한다.
SWIR 범위의 공지된 FPA는 일반적으로 InGaAs 재료 시스템을 사용하여 제조된다. InGaAs 기반 FPA 의 성능 지표(envelope)는 매력적이긴 하지만, 이러한 FPA는 비용이 높아서, 많은 소비자 시장 애플리케이션에서 사용되는 것을 방해한다.
낮은 비용으로 높은 성능을 제공하는, 실리콘 및 다른 그룹의 IV 재료 기반 FPA 및 SWIR 광 검출기, 그리고, 이러한 SWIR 광 검출기 및 FPA를 제조하는 방법이 필요하며, 이를 갖는 것이 바람직할 것이다.
본 발명의 목적은 실리콘 및 다른 그룹의 IV 재료 기반 FPA 및 SWIR 광 검출기를 낮은 비용으로 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
여기에 개시된 실시예들은 SWIR 체계의 광을 검출하기 위한 저비용, 고성능 광 검출 구조물, 및 이러한 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
예시적인 실시예에서, 넓은 입사광을 마주보는(incoming light-facing) 피라미드 하단 및 좁은 피라미드 상단을 구비한 피라미드 형상을 갖는 Si 베이스, 및 Si 피라미드 상단 상에 형성된 Ge 광다이오드를 포함하는 광 검출 구조물이 제공되며, Ge 광다이오드는 SWIR 범위안의 광을 검출하도록 작동될 수 있다.
예시적인 실시예에서, Ge 광다이오드는 p-n 접합을 포함한다.
예시적인 실시예에서, Ge 광다이오드는 p-i-n 접합을 포함한다.
예시적인 실시예에서, 전술된 또는 이하의 광 검출 구조물은 피라미드 하단 및 입사광 사이에 배치되는 마이크로렌즈를 추가로 포함한다.
예시적인 실시예에서, 전술된 또는 이하의 광 검출 구조물은 피라미드 하단 및 마이크로렌즈 사이에 위치하는 반사 방지(anti-reflection) 층을 추가로 포함한다.
예시적인 실시예에서, 피라미드 하단은 약 10 x 10평방 마이크로미터(㎛2)의 정사각형이다. 예시적인 실시예에서, 피라미드 하단은 약 20 x 20 ㎛2의 정사각형이다.
예시적인 실시예에서, 피라미드 상단은 약 1 x 1 ㎛2의 정사각형이다. 예시적인 실시예에서, 피라미드 상단은 약 1 x 1 ㎛2 내지 약 10 x 10 ㎛2의 정사각형이다.
예시적인 실시예에서, 전술된 또는 이하의 광 검출 구조물은 FPA를 형성하기 위해 각각의 Si 피라미드 상에 형성된 다수의 Ge 광다이오드를 제공하기 위해 공간적으로 반복된다.
본 발명에 따르면, 높은 성능을 갖는 실리콘 및 다른 그룹의 IV 재료 기반 FPA 및 SWIR 광 검출기를 낮은 비용으로 제조할 수 있다.
여기에 개시된 실시예의 비-제한적인 예는 이 단락 다음에 열거되는 첨부 도면을 참고로 설명된다. 한 도면 이상에서 나타나는 동일한 구조, 소자 또는 부분은 일반적으로 그들이 나타나는 모든 도면에서 동일한 숫자로 표시된다. 도면 및 설명은 여기에 개시된 실시예를 설명하고 명확하게 하기 위한 것이며 어떤 방식으로든 한정하는 것으로 간주되어서는 안 된다.
도1은 여기에 개시된 Ge-기반 감광 구조물의 일 실시예를 측면에서 개략적으로 도시한다.
도2는 여기에 개시된 Ge-기반 FPA의 제조 방법의 주된 단계를 개략적으로 도시한다.
이하의 상세한 설명에서, 수많은 구체적인 상세내용은 전체적인 이해를 제공하기 위해 제시된다. 그러나, 당업자라면 현재 개시된 주된 내용이 이러한 구체적인 상세내용이 없이도 실행될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 다른 경우에서, 현재 개시된 주된 내용을 모호하게 하지 않기 위해, 공지된 방법은 상세하게 설명하지 않는다.
명확성을 위해, 별도의 실시예로 설명되는, 현재 개시된 주된 내용의 특정 구성은 단일 실시예에서 조합으로 제공될 수도 있다. 역으로, 간결성을 위해, 현재 개시된 주된 내용의 다양한 구성은, 별도로 또는 임의의 적합한 하부-조합으로 제공될 수도 있다.
도1은 여기에 개시된 Ge-기반 감광 구조물(100)의 일 실시예를 측면에서 개략적으로 도시한다. 구조물(100)은 도핑된 Si 기판(웨이퍼)(104)상에서 성장한 Ge 흡수 매체의 한 층(102), Si 웨이퍼안에 통합되게 형성된 실리콘 피라미드(108)를 포함하는 집광(light collecting) 구조물(106), 인접하는 피라미드(108) 사이의 간극을 채우는 절연 산화물(112), 및 하나 이상의 Ge 광 검출기(다음에는 "Ge 광 다이오드" 또는 단순히 "Ge 다이오드"라고도 불리는)를 외부 세상에 전기적으로 연결하기 위한 전기 전도성 접점(114)을 포함한다. 도1은 Ge 층의 크리스털 성장을 지원하고 관통 전위(threading dislocation)를 트랩하기(trap) 위해 실리콘 기판안에 에칭된 성장 씨드(growth seed, 116)를 나타낸다. 트랩은 씨드 위쪽의 Ge 층 안으로의 전파(propagation)로부터 전위(dislocation)를 방지하여, Ge 층의 품질을 개선한다. 씨드는 성장 화합물에 노출되는 하단을 제외한 모든 면상의 얇은 산화물 층(118)에 의해 보호된다. 이는 Ge 크리스털 성장이 씨드의 하단으로부터 시작된다는 것을 확인하도록 이뤄진다.
더욱 상세하게는, 각각의 Si 피라미드(108)는 웨이퍼(104) 상에 큰 베이스 "B"를 갖도록 형성된다. 베이스는 10 x 10㎛2 또는 예를 들어 최대 20 x 20㎛2의 예시적인 크기를 갖는 정사각형 형상을 가질 수도 있다. 피라미드 상단의 정사각형 형상 및 크기는 예시적인 것으로, 다른 형상(예를 들어, 직사각형) 또는 크기도 가능하다. Ge 다이오드(120, 예를 들어, p-n 구조 또는 p-i-n 구조를 구비한)는 피라미드의 좁은 상단 상에 형성된다. 각각의 피라미드는 넓은 베이스(B)상에 충돌하는 광을 수집하고 더 작은 크기의 Ge 다이오드에 광을 가둔다. 예를 들어, Ge 다이오드는 약 1㎛ 내지 수 ㎛(예를 들어, 약 2, 3, 4 및 심지어 10)의 측면 크기를 갖는다. Ge 층의 두께(h)는 약 1㎛ 또는 그 이상이며 SWIR 광의 상당한 흡수(예를 들어 1500nm 파장에서 30%보다 많은)가 이뤄지도록 선택된다. Ge 다이오드의 크기는 Si 피라미드 베이스의 크기에 비해 작으며, 흡수 매체의 부피에 비례하는 암전류(dark current) 성분은 크게 줄어든다. 마이크로렌즈(110)의 어레이는 선택적으로 피라미드 아래에 배치되어 집광 효율성을 더 개선할 수 있다. 반사 방지층(AR, 122)은 FPA 상에 충돌하는 광의 반사를 줄이는데 선택적으로 도움을 줄 수 있다.
동작시, 광은, SWIR 파장 범위에서 투명한 각각의 Si 피라미드(108)을 통해 전파된다. 광이 Si 피라미드의 상단에 도착하면, Ge 다이오드(120)를 뚫고 들어간다. Ge 층에 의해 흡수되는 광은 전자-정공 쌍(electron-hole pair)을 생성하는데, 전자-정공 쌍은 역-바이어스 인가시 또는 공지된 방식의 바이어스 없이 다이오드 구조물에 의해 분리되어, 광 검파(photo detection)를 제공하는 유용한 광전류(photocurrent)를 야기한다.
상단상에 Ge 다이오드를 구비하고 산화물로 둘러싸인 하나의 Si 피라미드를 포함하는 구조물은 단일 "능동 픽셀"로서 간주될 수 있다. 이 구조물은 여러 번 공간적으로 반복되어, FPA의 감광성 웨이퍼를 결국 형성하는 능동 픽셀의 어레이를 제공할 수 있다.
도2는 여기에 개시된 Ge-기반 FPA를 제작하는 방법의 주요 단계를 개략적으로 도시한다. 단계 202에서, 결정학상의 평면 방향을 구비한 실리콘 웨이퍼(100)가 시작 재료로서 제공된다. 이 웨이퍼는 얇은 산화물(~10nm 산화물 두께)로 제공되어 이어지는 리소그래피(lithography) 공정으로부터 실리콘 표면을 보호한다. 단계 204에서, 리소그래피 및 에칭이 수행되어 실리콘의 정렬 마크를 정한다. 단계 206에서, 열적으로 성장한 산화물의 상단상에 제1의 얇은 실리콘 질화물 층(또는 에칭 공정을 위한 마스크로서 사용될 수 있는 임의의 다른 층)을 증착함으로써 피라미드 패턴 마스크가 정해진다. 단계 208에서, 피라미드 베이스의 크기는 실리콘 질화물 층의 포토리소그래피(photolithography) 및 에칭을 사용하여 정해진다(예를 들어, 약 10x10㎛2 로부터 최대 약 20x20㎛2 까지의 정사각형 형상으로). 실리콘 피라미드는 수산화칼륨(KOH) 용액을 이용한 이방성 에칭 또는 반응성 이온 에칭(reactive ion etching, RIE)에 의해 단계 210에서 생성될 수 있으며, 후자는 공지된 방식으로 RIE 파라미터를 조절함으로써 달성되어 원하는 프로파일을 제공하게 된다. 단계 212에서, 두꺼운 실리콘 산화물 층이 피라미드 사이의 빈 공간을 채우기 위해 증착된다(플라즈마 강화 화학 기상 증착(CVD)을 사용하여). 이 구조물은 예를 들어 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP)에 의해 평탄화되어 산화물이 실리콘 피라미드의 상단과 평면이다. 단계 214에서, 두 번째 단계의 산화물 증착에 이어지는 두 번째의 얇은 질화물 증착이 원하는 Ge 다이오드 두께(도1의 h)까지 수행된다. 단계 216에서, 산화물 증착 후에 세 번째 얇은 질화물 층이 증착되어 이어지는 CMP 공정에서 선택성을 제공한다. 이 세 번째 질화물 층은 일반적으로 두번째 질화물 층보다 두껍다. 단계 218에서, 성장 씨드 패턴이 정해진다. 먼저, 제3 질화물, 산화물 및 제2 질화물 층을 따라 실리콘안으로(예를 들어, 실리콘 안으로 약 1㎛) 리소그래피 및 에칭을 수행함으로써 씨드 구조물이 생성된다. 씨드의 일반적인 폭은 수백 나노미터 내지 약 1㎛ 범위일 수 있다. 단계 220에서, Ge 다이오드의 측면 크기는 제3 질화물 층 및 그 아래의 산화물을 제거하기 위해 리소그래피 및 에칭을 수행함으로써 정해진다.
다음으로, 씨드의 측벽은 RIE 다음의 씨드의 하단을 노출시키는 짧은 산화 단계를 수행함으로써 보호된다. 단계 222에서, 각각의 픽셀의 제2 질화물 층은 리소그래피 마스크를 사용할 필요없이 습식 화학 에칭의 RIE에 의해 제거된다. 결과적으로, 제3 질화물의 일부도 또한 제거된다. 그러나, 제3 질화물 층은 제2 질화물 층보다 두껍기 때문에, 제3 질화물 층 중 일부는 여전히 남아서, CMP 공정에 대한 정지 층(stop layer)으로서 나중에 사용된다.
단계 224에서, Ge 층은 예를 들어 공지된 CVD 공정을 사용하여 성장한다(예를 들어 "실리콘상의 게르마늄 에피택시(Germanium epitaxy on silicon)", Sci. Technol. Adv. Master. 15(2014) 024601 참조). 질화물 층은 제거되고, 수 마이이크로미터의 산화물이 패시베이션 및 금속화 준비를 위해 증착된다. 단계 228에서, Ge 다이오드는 표준 도핑 공정, 예를 들어, 이온 주입 또는 확산 및 도펀트(dopant) 활성화를 사용하여 pn 접합 또는 p-i-n 접합을 생성함으로써 정해지며, 예를 들어, p-i-n에 대해서는 "Waveguide-integrated vertical pin photodiodes of Ge fabricated on p+ and n+ Si-on-insulator layers" Japanese Journal of Applied Physics 56, 04CH05 (2017)를 참조하고, pn에 대해서는 "High-Performance Ge p-n Photodiode Achieved With Preannealing and Excimer Laser Annealing" IEEE Photonics Technology Letters　(Vol. 27,　Issue 14, pp. 1485-1488 (2015)를 참조하라.
예시적인 실시예에서, Ge 광 검출기의 중앙 영역의 도핑은 n 타입일 수 있으며, 주변의 높게 도핑된 영역은 p+도핑된다. 대안적으로, 도핑 극성은 역전될 수 있으며, 원시료 벌크(as-grown bulk) Ge는 p 타입이고, Ge 다이오드의 주변부는 n+ 도핑된다. 도핑 다음에 Ge 다이오드 어레이(즉, FPA)를 완성하기 위해 접촉 정의 및 금속화가 이어진다.
이 개시물은 특정 실시예 및 일반적으로 연관된 방법에 대해 설명하고 있지만, 실시예 및 방법의 변경 및 치환은 당업자에게 명백할 것이다. 이 개시물은 여기에 기재된 특정 실시예에 의해 제한되지 않으며, 첨부된 청구범위의 범주에 의해서만 제한된다는 것이 이해되어야 한다.
달리 언급하지 않는 한, 선택을 위한 선택권 리스트의 마지막 두 부재 사이의 표현 "및/또는"의 사용은 열거된 선택권 중 하나 이상을 선택하는 것이 적절하고 이뤄질 수 있다는 것을 나타낸다.
청구범위 또는 명세서가 "하나의(a)" 또는 "하나의(an)" 요소를 언급하며, 이러한 참조는 그 요소 중 오직 하나만 존재하는 것으로 해석되어서는 안 된다는 것을 이해해야 한다.
이 명세서에 언급되는 모든 참조문헌은, 각각의 개별적인 참조문헌이 참고로 여기에 통합되는 것으로 구체적으로 및 개별적으로 표시된 것과 동일한 정도로, 본 명세서안에 참고로 전체적으로 통합된다. 또한, 본 출원의 임의의 참조문헌의 인용 또는 식별은 이러한 참조문헌이 본 개시물에 대한 종래 기술로서 사용 가능하다고 인정하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
100 : 감광 구조물 102: Ge 층
104 : Si 기판 106 : 집광 구조물
108 : 실리콘 피라미드 110 : 마이크로렌즈 어레이
112 : 절연 산화물 114 : 전기 전도성 접점
116 : 성장 씨드 118 : 산화물 층
120 : Ge 다이오드 122 : 반사 방지 층

Claims (27)

  1. 공간적으로 반복되는 다수의 광 검출 구조물을 포함하는 초점 평면 배열에 있어서, 각각의 광 검출 구조물은
    a) 도핑된 실리콘 웨이퍼로 제조되는 실리콘(Si) 베이스; 및
    b) 실리콘 피라미드 상단 상에 도핑된 실리콘 웨이퍼상에 성장한 게르마늄(Ge) 광다이오드를 포함하고,
    실리콘(Si) 베이스는 도핑된 실리콘 웨이퍼로부터 넓은 입사광을 마주보는(incoming light-facing) 피라미드 하단 및 더 좁은 피라미드 상단을 구비한 피라미드 형상 안에 에칭되고, 더 좁은 피라미드 상단은 광을 마주보는 피라미드 하단에 걸쳐 두 개의 수직 방향으로 광을 마주보는 피라미드 하단보다 좁고,
    Ge 광다이오드는 단파장 적외선(Short-Wavelength Infrared, SWIR) 범위의 광을 검출하도록 작동될 수 있는
    초점 평면 배열.
  2. 제1항에 있어서,
    각각의 Ge 광다이오드는 p-n 접합 또는 p-i-n 접합 중 하나를 포함하는
    초점 평면 배열.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    각각의 광 검출 구조물에서, 피라미드 하단은 10 x 10㎛2의 정사각형이고, 피라미드 상단은 1 x 1㎛2의 정사각형인
    초점 평면 배열.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    각각의 광 검출 구조물에서, 피라미드 하단은 10 x 10㎛2의 정사각형이고 피라미드 상단은 피라미드 하단의 정사각형보다 작은 정사각형인
    초점 평면 배열.
  7. 제1항에 있어서,
    SWIR 범위는 1000nm 내지 2500nm의 파장 범위를 포함하는
    초점 평면 배열.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제1항에 있어서,
    각각의 광 검출 구조물에서, GE 광 다이오드는 Si 베이스의 높이보다 작은 높이를 갖는
    초점 평면 배열.
  14. a) 결정학상의 평면 방향을 구비한 균일한 실리콘 웨이퍼를 제공하는 단계;
    b) 균일한 실리콘 웨이퍼안에 다수의 피라미드를 에칭하는 단계;
    c) 각각의 피라미드상에 게르마늄(Ge) 층을 성장시키는 단계; 및
    d) 다수의 피라미드의 게르마늄(Ge) 층상에 게르마늄(Ge) 광다이오드를 생성하는 단계를 포함하고,
    게르마늄(Ge) 광다이오드를 생성하는 단계는
    p-n 접합 및 p-i-n 접합 중 적어도 하나를 형성하기 위해 각각의 게르마늄(Ge) 층을 도핑하는 단계를 포함하는
    게르마늄(Ge) 기반 초점 평면 배열 제조 방법.
  15. 삭제
  16. 제14항에 있어서,
    게르마늄(Ge) 층을 성장시키는 단계는 실리콘(Si) 베이스의 높이보다 작은 높이를 구비한 게르마늄(Ge) 층을 성장시키는 단계를 포함하는
    게르마늄(Ge) 기반 초점 평면 배열 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제1항에 있어서,
    각각의 광 검출 구조물에서, 넓은 입사광을 마주보는 피라미드 하단에 충돌하는 광은 균일한 단일 실리콘 층을 통과하고 피라미드에 의해 게르마늄(Ge) 광다이오드의 가장 작은 크기로 제한되어, 게르마늄(Ge) 광다이오드에 의해 수집된 신호의 암전류(dark current) 성분을 제한하는
    초점 평면 배열.
  22. 제1항에 있어서,
    각각의 광 검출 구조물에서, 넓은 입사광을 마주보는 피라미드 하단에 충돌하는 광은 SWIR 파장 범위에서 투명한 균일한 단일 층의 실리콘을 통과하는
    초점 평면 배열.
  23. 삭제
  24. 제1항에 있어서,
    각각의 광 검출 구조물은 게르마늄(Ge) 층의 크리스털 성장을 지원하기 위해 실리콘 안에 에칭된 성장 씨드를 포함하고, 상기 씨드는 하단을 제외한 모든 면상의 산화물 층에 의해 보호되는
    초점 평면 배열.
  25. 제14항에 있어서,
    게르마늄(Ge) 층을 성장시키는 단계는 각각의 피라미드에 대한 성장 씨드 패턴을 정의하고, 리소그래피를 사용하여 정의된 패턴에 따라 각각의 피라미드상의 씨드 구조물을 생성하는 단계에 의해 진행되고, 게르마늄(Ge) 층을 성장시키는 단계는 피라미드의 각각의 성장 씨드로부터 각각의 피라미드의 게르마늄(Ge) 층을 성장시키는 단계를 포함하는
    게르마늄(Ge) 기반 초점 평면 배열 제조 방법.
  26. 제14항에 있어서,
    다수의 피라미드를 에칭하는 단계는 수산화칼륨 용액으로 피라미드를 이방성 에칭하는 단계를 포함하는
    게르마늄(Ge) 기반 초점 평면 배열 제조 방법.
  27. 제14항에 있어서,
    균일한 실리콘 웨이퍼안에 다수의 피라미드를 에칭하는 단계는 피라미드의 하단 면상에 충돌하는 광에 대한 투명 실리콘의 각각의 게르마늄(Ge) 층으로의 경로를 생성하는
    게르마늄(Ge) 기반 초점 평면 배열 제조 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4243404A3 (en) * 2019-10-24 2023-11-29 Trieye Ltd. Photonics systems and methods
US10978600B1 (en) 2019-10-24 2021-04-13 Trieye Ltd. Systems and methods for active SWIR imaging using germanium receivers
KR102558515B1 (ko) * 2020-08-31 2023-07-21 트라이아이 엘티디. 단파 적외선 초점면 어레이, 그 활용 및 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090324164A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Reshotko Miriam R Waveguide photodetector device and manufacturing method thereof
US20170186808A1 (en) * 2015-12-29 2017-06-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of using a surfactant-containing shrinkage material to prevent photoresist pattern collapse caused by capillary forces
US20170294550A1 (en) * 2015-07-24 2017-10-12 Artilux Corporation Multi-wafer based light absorption apparatus and applications thereof

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3005302C2 (de) * 1980-02-13 1985-12-12 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Varaktor- oder Mischerdiode
JP3526308B2 (ja) * 1993-02-18 2004-05-10 株式会社日立製作所 受光素子
US5721429A (en) * 1996-07-23 1998-02-24 Hughes Electronics Self-focusing detector pixel structure having improved sensitivity
US6448558B1 (en) * 2001-01-31 2002-09-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Active infrared signature detection device
EP1995784A3 (en) * 2003-10-13 2010-02-17 Noble Peak Vision Corp. Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry
JP4866108B2 (ja) * 2006-03-08 2012-02-01 富士通株式会社 単一光子発生デバイス、単一光子検出デバイス及び光量子ゲート
WO2009084155A1 (ja) 2007-12-27 2009-07-09 Panasonic Corporation 接合材料、電子部品および接合構造体
US7902620B2 (en) 2008-08-14 2011-03-08 International Business Machines Corporation Suspended germanium photodetector for silicon waveguide
JP2010074016A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US8809672B2 (en) 2009-05-27 2014-08-19 The Regents Of The University Of California Nanoneedle plasmonic photodetectors and solar cells
US7928389B1 (en) * 2009-08-20 2011-04-19 Hrl Laboratories, Llc Wide bandwidth infrared detector and imager
US8320423B2 (en) * 2010-08-24 2012-11-27 Alvin Gabriel Stern Compact, all solid-state, avalanche photodiode emitter-detector pixel with electronically selectable, passive or active detection mode, for large-scale, high resolution, imaging focal plane arrays
US8354282B2 (en) * 2011-01-31 2013-01-15 Alvin Gabriel Stern Very high transmittance, back-illuminated, silicon-on-sapphire semiconductor wafer substrate for high quantum efficiency and high resolution, solid-state, imaging focal plane arrays
CA2941586C (en) 2014-03-10 2018-05-22 Coriant Advanced Technology, LLC Germanium metal-contact-free near-ir photodetector
CN105070779A (zh) * 2015-07-07 2015-11-18 中国科学院半导体研究所 具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法
CZ306085B6 (cs) * 2015-07-28 2016-07-27 Eltodo, A.S. Optický prvek
US11438528B2 (en) * 2017-05-14 2022-09-06 Trieye Ltd. System and method for short-wave-infra-red (SWIR) sensing and imaging

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090324164A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Reshotko Miriam R Waveguide photodetector device and manufacturing method thereof
US20170294550A1 (en) * 2015-07-24 2017-10-12 Artilux Corporation Multi-wafer based light absorption apparatus and applications thereof
US20170186808A1 (en) * 2015-12-29 2017-06-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of using a surfactant-containing shrinkage material to prevent photoresist pattern collapse caused by capillary forces

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Hui Cong 외 5명. High-speed waveguide-integrated Ge/Si avalanche photodetector. Chin. Phys. B. 2016. Vol.25,No.5,pp.058503-1~4.*
M. Edward Motamedi 외 12명. Micro-optic integration with focal plane arrays. Optical Engineering. May 1997. Vol.36,No.5,pp.1374-1381.*

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Publication number Publication date
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