KR102461790B1

KR102461790B1 - Wafer prcessing method and system

Info

Publication number: KR102461790B1
Application number: KR1020220012289A
Authority: KR
Inventors: 정일준; 김기호; 한정열; 이기헌
Original assignee: (주)미래컴퍼니
Priority date: 2020-10-13
Filing date: 2022-01-27
Publication date: 2022-11-03
Also published as: KR102616758B1; KR20220048922A; KR102608233B1; KR20220048975A; KR20220152963A; KR20220048929A; KR20220048924A; KR20220048923A; KR102616737B1; KR102358687B1

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 일측에 노치부가 형성된 웨이퍼를 준비하는 단계, 비젼 카메라에 의해 촬영한 상기 노치부의 영상정보를 분석하여 상기 웨이퍼를 정렬하는 단계 및 노치휠을 이용하여 상기 노치부의 일정 영역이 사전에 설정된 두께를 갖도록 상기 노치부를 가공하는 단계를 포함하는 웨이퍼 가공 방법을 제공한다.An embodiment of the present invention includes the steps of preparing a wafer having a notch on one side, aligning the wafer by analyzing image information of the notch taken by a vision camera, and a certain area of the notch using a notch wheel It provides a wafer processing method comprising the step of processing the notch to have the preset thickness.

Description

Wafer processing method and system {WAFER PRCESSING METHOD AND SYSTEM}

본 발명의 실시예는 웨이퍼 가공 방법 및 시스템에 관한 것이다. Embodiments of the present invention relate to methods and systems for processing wafers.

웨이퍼는 소자 형성이 완료되면 아랫면을 가공하여 두께를 줄이는 백 그라인딩(back grinding) 공정을 거친다. 백 그라인딩 공정을 거친 웨이퍼는 두께가 얇아지기 때문에 적층되는 웨이퍼 층수를 늘릴 수 있다. 이는 반도체의 성능향상과 연결된다. When device formation is completed, the wafer undergoes a back grinding process to reduce the thickness by machining the lower surface. Since the wafer that has undergone the back grinding process becomes thinner, the number of stacked wafer layers can be increased. This is related to the improvement of semiconductor performance.

그러나 종래의 경우, 백 그라인딩 공정시 웨이퍼의 두께가 지나치게 얇아져 웨이퍼 파손이 발생하는 문제가 있다. 특히, 이러한 백 그라인딩 공정 시 웨이퍼의 정렬을 위해 형성된 노치부에서 파손이 발생되는 문제가 있다. However, in the conventional case, there is a problem in that the thickness of the wafer becomes too thin during the back grinding process, resulting in damage to the wafer. In particular, there is a problem in that damage occurs in the notch formed for the alignment of the wafer during the back grinding process.

본 발명의 실시예는 웨이퍼의 노치를 가공하여 백 그라인딩 공정 중 웨이퍼가 파손되는 것을 방지하는 웨이퍼 가공 방법 및 시스템을 제공하고자 한다. An embodiment of the present invention is to provide a wafer processing method and system for preventing the wafer from being damaged during the back grinding process by processing the notch of the wafer.

본 발명의 일 실시예는, 일측에 노치부가 형성된 웨이퍼를 준비하는 단계, 상기 웨이퍼를 정렬하는 단계 및 노치휠을 이용하여 상기 노치부의 일정 영역이 사전에 설정된 두께를 갖도록 상기 노치부를 가공하는 단계를 포함하는 웨이퍼 가공 방법을 제공한다.An embodiment of the present invention includes the steps of preparing a wafer having a notch on one side, aligning the wafer, and processing the notch so that a predetermined area of the notch has a preset thickness using a notch wheel It provides a wafer processing method comprising.

본 발명의 일 실시예는, 일측에 노치부가 형성된 웨이퍼를 안착시키는 지지 테이블, 상기 지지 테이블 상에 안착된 상기 웨이퍼의 노치부를 촬영하는 비젼 카메라를 이용하여 상기 노치부의 영상 정보를 획득하고, 상기 획득된 노치부의 영상 정보를 분석하여 상기 웨이퍼를 정렬하는 정렬 장치 및 회전축을 중심으로 회전하는 스핀들 및 상기 스핀들의 일단에 배치되어 상기 노치부의 일정 영역이 사전에 설정된 두께를 갖도록 상기 노치부를 가공하는 노치휠을 포함하는 노치 가공 장치를 포함하는, 웨이퍼 가공 시스템을 제공한다.An embodiment of the present invention obtains image information of the notch by using a support table for seating a wafer having a notch on one side, and a vision camera for photographing the notch of the wafer seated on the support table, and the acquisition An alignment device for aligning the wafer by analyzing the image information of the notch part, a spindle rotating about a rotation axis, and a notch wheel disposed at one end of the spindle to process the notch part so that a predetermined area of the notch part has a preset thickness It provides a wafer processing system, including a notch processing apparatus comprising a.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 가공 방법 및 시스템은 백그라인딩 공정 전 웨이퍼의 노치부를 가공하여, 백 그라인딩 공정 중 발생하는 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다. The wafer processing method and system according to the embodiments of the present invention may prevent damage to the wafer occurring during the back grinding process by processing the notch portion of the wafer before the back grinding process.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 방법 및 시스템은 노치부 가공 중 노치휠의 중심이 웨이퍼의 외부에 배치되도록 함으로써, 안정적이고 정교한 노치부 가공을 수행할 수 있다. In addition, the wafer processing method and system according to an embodiment of the present invention allows the center of the notch wheel to be disposed on the outside of the wafer during processing of the notch, thereby stably and precisely processing the notch.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 방법 및 시스템은 웨이퍼의 노치부에 경사면을 형성하고, 이를 후 공정에서 얼라인 마크로 활용함으로써 인식 오류를 방지할 수 있다.In addition, the wafer processing method and system according to an embodiment of the present invention can prevent a recognition error by forming an inclined surface in the notch portion of the wafer and using it as an alignment mark in a subsequent process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 가공 시스템의 블록도이다.
도 3은 가공대상인 웨이퍼를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 정렬 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노치 가공 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 노치 가공 장치를 이용한 웨이퍼 가공 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 7a 내지 도 7c는 웨이퍼 가공 방법에 의해 가공된 부분을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 노치 가공 장치를 이용한 웨이퍼 가공 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 9a 내지 도 9c는 도 8의 웨이퍼 가공 방법에 의해 가공된 부분을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 에지 가공 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 자동 툴 교체 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view schematically showing a wafer processing system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram of the wafer processing system of FIG. 1 ;
3 is a diagram schematically illustrating a wafer to be processed.
4 is a view for explaining an alignment device.
5 is a view schematically showing a notch processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a conceptual diagram illustrating a wafer processing method using the notch processing apparatus of FIG. 5 .
7A to 7C are views for explaining a part processed by a wafer processing method.
8 is a conceptual diagram illustrating a wafer processing method using a notch processing apparatus according to another embodiment.
9A to 9C are views for explaining a part processed by the wafer processing method of FIG. 8 .
10 is a view for explaining an edge processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
11 is a view for explaining an automatic tool changing apparatus according to an embodiment of the present invention.
12 is a view for explaining an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 이하의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the following embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted.

본 실시예들은 다양한 변환을 가할 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 실시예들의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 내용들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 실시예들은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present embodiments can apply various transformations, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present embodiments, and a method of achieving them will become clear with reference to the details described later in conjunction with the drawings. However, the present embodiments are not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하의 실시예에서 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, terms such as first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from other components without limiting meaning.

이하의 실시예에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or components may be added is not excluded in advance.

이하의 실시예에서 유닛, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 유닛, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when it is said that a part, such as a unit, region, or component, is on or on another part, not only when it is directly on the other part, but also other units, regions, components, etc. are interposed therebetween. cases are included.

이하의 실시예에서 연결하다 또는 결합하다 등의 용어는 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 반드시 두 부재의 직접적 및/또는 고정적 연결 또는 결합을 의미하는 것은 아니며, 두 부재 사이에 다른 부재가 개재된 것을 배제하는 것이 아니다.In the following examples, terms such as connect or couple do not necessarily mean direct and/or fixed connection or coupling of two members, unless the context clearly indicates otherwise, and does not necessarily mean that another member is interposed between two members. It's not about exclusion.

명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.It means that a feature or element described in the specification is present, and does not preclude the possibility that one or more other features or elements may be added.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 이하의 실시예는 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the following embodiment is not necessarily limited to the illustrated bar.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 시스템(10)을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 웨이퍼 가공 시스템(10)의 블록도이다. 1 is a diagram schematically illustrating a wafer processing system 10 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram of the wafer processing system 10 of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 시스템(10)은 웨이퍼를 가공하는 시스템에 관한 것으로서, 구체적으로 웨이퍼의 두께를 줄이는 백그라인딩(back griding) 공정 전 노치부를 트리밍 또는 커팅함으로써 웨이퍼의 공정 수율을 향상시킬 수 있는 시스템에 관한 것이다. 1 and 2, a wafer processing system 10 according to an embodiment of the present invention relates to a system for processing a wafer, specifically, a notch portion before a back griding process to reduce the thickness of the wafer It relates to a system capable of improving the processing yield of wafers by trimming or cutting.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 시스템(10)은 이송 장치(110), 정렬 장치(120), 노치 가공 장치(130), 에지 가공 장치(140) 및 제어부(150)를 포함할 수 있다. 또한, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 자동 툴 교체 장치(160), 검사 장치(170) 및 세정 장치(180)를 더 포함할 수 있다. The wafer processing system 10 according to an embodiment of the present invention may include a transfer device 110 , an alignment device 120 , a notch processing device 130 , an edge processing device 140 , and a control unit 150 . . In addition, the wafer processing system 10 may further include an automatic tool changing device 160 , an inspection device 170 , and a cleaning device 180 .

이송 장치(110)는 외부에서 반입된 웨이퍼(W)를 노치 가공 장치(130) 또는 에지 가공 장치(140)로 이송하고, 가공이 완료되면 세정 공정을 거쳐 시스템(10)의 외부로 반출시키는 기능을 수행한다. The transfer device 110 transfers the wafer (W) carried in from the outside to the notch processing device 130 or the edge processing device 140, and when processing is completed, a cleaning process is performed to transport the wafer W to the outside of the system 10 carry out

이송 장치(110)는 이송 로봇(111), 프리 얼라이너(113), 피커(115) 및 지지 테이블(117)을 포함할 수 있다. The transfer device 110 may include a transfer robot 111 , a pre-aligner 113 , a picker 115 , and a support table 117 .

이송 로봇(111)은 외부(또는 인 로더 포트(in loader port))에서 반입된 웨이퍼를 지지하여 프리 얼라이너(113)로 전달하는 기능을 수행한다. 또한, 이송 로봇(111)은 가공이 완료된 웨이퍼가 세정된 후 외부(또는 아웃 로더 포트(out loader port))로 반출하는 기능을 수행할 수 있다. 이송 로봇(111)은 웨이퍼를 이송하기 위한 구조로 이루어질 수 있으며, 예를 들면, 복수개의 자유도를 갖는 로봇 암 구조를 포함할 수 있다. The transfer robot 111 supports the wafer loaded from the outside (or in loader port) and transfers it to the pre-aligner 113 . In addition, the transfer robot 111 may perform a function of transporting the processed wafer to the outside (or out loader port) after the wafer is cleaned. The transfer robot 111 may have a structure for transferring wafers, and may include, for example, a robot arm structure having a plurality of degrees of freedom.

이송 로봇(111)에 의해 전달된 웨이퍼는 프리 얼라이너(113)에 의해 1차적으로 정렬된 다음, 피커(115)를 통해 지지 테이블(117) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 프리 얼라이너(113)는 웨이퍼의 일측에 형성된 노치부의 위치를 확인하고, 노치부를 기준으로 웨이퍼를 정렬할 수 있다. 프리 얼라이너(113)는 이송 로봇(111)에 의해 전달된 웨이퍼의 위치를 1차적으로 정렬시키는 기능을 수행하며, 보다 정교한 정렬 기능은 정렬 장치(120)를 통해 이루어질 수 있다. The wafer transferred by the transfer robot 111 may be primarily aligned by the pre-aligner 113 and then placed on the support table 117 through the picker 115 . For example, the pre-aligner 113 may check the position of the notch formed on one side of the wafer and align the wafer based on the notch. The pre-aligner 113 performs a function of primarily aligning the position of the wafer transferred by the transfer robot 111 , and a more sophisticated alignment function may be performed through the alignment device 120 .

지지 테이블(117)은 가공 과정에서 웨이퍼를 지지하는 기능을 수행한다. 지지 테이블(117)은 웨이퍼를 안정적으로 지지하기 위해, 별도의 고정부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지 테이블(117)은 복수 개의 흡착공(미도시)을 이용해 웨이퍼를 흡착 지지할 수 있다. 또는, 지지 테이블(117)은 클램프(미도시)를 이용해 웨이퍼를 기구적으로 지지할 수 있다. The support table 117 functions to support the wafer during processing. The support table 117 may further include a separate fixing member (not shown) to stably support the wafer. For example, the support table 117 may adsorb and support the wafer using a plurality of suction holes (not shown). Alternatively, the support table 117 may mechanically support the wafer using a clamp (not shown).

지지 테이블(117)은 웨이퍼를 지지한 상태에서 3차원으로 이동 또는 회전할 수 있다. The support table 117 may move or rotate in three dimensions while supporting the wafer.

정렬 장치(120)는 비젼 카메라(123, 도 4 참조)를 이용하여 노치부의 영상 정보를 획득할 수 있다. 정렬 장치(120)는 조명 수단(121, 도 4 참조)을 더 포함할 수 있다. 즉, 정렬 장치(120)는 웨이퍼의 하부에 배치된 조명 수단(121, 도 4 참조)을 이용하여 웨이퍼를 향하여 광을 조사한 상태에서, 비젼 카메라(123, 도 4 참조)에 의해 노치부의 영상 정보를 획득할 수 있다. The alignment device 120 may acquire image information of the notch portion using the vision camera 123 (refer to FIG. 4 ). The alignment device 120 may further include a lighting means 121 (refer to FIG. 4 ). That is, in the state in which the alignment device 120 irradiates light toward the wafer using the lighting means 121 (refer to FIG. 4 ) disposed under the wafer, the image information of the notch part is performed by the vision camera 123 (refer to FIG. 4 ). can be obtained.

이러한 경우, 웨이퍼가 존재하는 부분은 빛을 가려 어둡게 표현되고, 노치부가 형성되어 웨이퍼가 존재하지 않는 부분은 빛이 투과되어 밝게 표현될 수 있다. 정렬 장치(120)에 의해 획득한 노치부의 영상 정보는 빛의 명암을 통해 구분되는 노치부의 에지 라인 정보를 포함할 수 있다. In this case, the portion in which the wafer is present may be darkly expressed by blocking light, and the portion in which the wafer is not present may be expressed brightly by transmitting light because the notch is formed. The image information of the notch part obtained by the alignment device 120 may include edge line information of the notch part that is distinguished through light intensity.

또한, 정렬 장치(120)는 비젼 카메라(123, 도 4 참조)를 이용해 지지 테이블(117) 상에 안착된 웨이퍼 상의 복수개의 포인트를 측정하고, 이를 통해 지지 테이블(117)의 회전축과 웨이퍼의 중심점의 편차를 미리 확인할 수 있다. 또는, 정렬 장치(120)는 비젼 카메라(123, 도 4 참조)를 이용해 노치 가공 장치(130) 또는 에지 가공 장치(140)의 위치를 미리 확인할 수 있다. In addition, the alignment device 120 measures a plurality of points on the wafer seated on the support table 117 using the vision camera 123 (refer to FIG. 4 ), and through this, the rotation axis of the support table 117 and the center point of the wafer deviations can be identified in advance. Alternatively, the alignment device 120 may check the position of the notch processing device 130 or the edge processing device 140 in advance using the vision camera 123 (refer to FIG. 4 ).

노치 가공 장치(130)는 웨이퍼 가공 시스템(10)의 일측에 배치되되, 상기 지지 테이블(117) 상에 안착된 웨이퍼를 향하여 이동가능하게 배치될 수 있다. 노치 가공 장치(130)는 웨이퍼에 형성된 노치부를 가공하여, 노치부의 두께를 줄이거나(트리밍), 노치부의 적어도 일부를 절개(커팅)할 수 있다. The notch processing apparatus 130 may be disposed on one side of the wafer processing system 10 , and may be movably disposed toward the wafer seated on the support table 117 . The notch processing apparatus 130 may process the notch formed in the wafer to reduce the thickness of the notch (trimming) or cut out (cut) at least a portion of the notch.

노치 가공 장치(130)는 노치휠(131, 도 5 참조), 제1 스핀들(133, 도 5 참조) 및 제1 지지 플레이트(135)를 포함할 수 있다. 노치 가공 장치(130)의 노치 가공 방법에 대해서는 후술하기로 한다. The notch processing apparatus 130 may include a notch wheel 131 (refer to FIG. 5 ), a first spindle 133 (refer to FIG. 5 ), and a first support plate 135 . The notch processing method of the notch processing apparatus 130 will be described later.

에지 가공 장치(140)는 웨이퍼 가공 시스템(10)의 일측에 배치되되, 지지 테이블(117) 상에 안착된 웨이퍼를 향하여 이동가능하게 배치될 수 있다. 에지 가공 장치(140)는 웨이퍼의 에지부를 가공하는 기능을 수행한다. 에지 가공 장치(140)는 하나로 이루어질 수도 있으나, 복수개로 이루어져 웨이퍼의 에지를 가공할 수 있다. 예를 들면, 에지 가공 장치(140)는 도 10에 도시된 바와 같이, 대향되게 배치되는 2개의 가공 장치로 이루어져 웨이퍼의 에지를 가공할 수 있다. The edge processing apparatus 140 may be disposed on one side of the wafer processing system 10 , and may be disposed to be movable toward the wafer seated on the support table 117 . The edge processing apparatus 140 performs a function of processing the edge portion of the wafer. The edge processing apparatus 140 may be formed of one, or a plurality of edge processing apparatuses 140 may be formed to process the edge of the wafer. For example, as shown in FIG. 10 , the edge processing apparatus 140 may include two processing apparatuses disposed opposite to each other to process the edge of the wafer.

에지 가공 장치(140)는 에지휠(141, 도 10참조), 제2 스핀들(143, 도 10 참조) 및 제2 지지 플레이트(145)를 포함할 수 있다. 에지 가공 장치(140)의 에지 가공 방법에 대해서는 후술하기로 한다. The edge processing apparatus 140 may include an edge wheel 141 (refer to FIG. 10 ), a second spindle 143 (refer to FIG. 10 ), and a second support plate 145 . An edge processing method of the edge processing apparatus 140 will be described later.

제어부(150)는 웨이퍼 가공 시스템(10)이 웨이퍼를 가공하도록 웨이퍼 가공 시스템(10)의 각 구성요소들을 제어할 수 있다. 제어부(150)는 각 구성요소들로부터 이동 정보 또는 영상 정보 등을 획득할 수 있고, 획득된 정보들을 이용하여 각 구성요소들을 제어할 수 있다. 제어부(150)는 공정을 수행하기 위한 프로세서를 포함할 수 있다. The controller 150 may control each component of the wafer processing system 10 so that the wafer processing system 10 processes a wafer. The controller 150 may obtain movement information or image information from each component, and may control each component using the obtained information. The controller 150 may include a processor for performing the process.

여기서, 프로세서는 기본적인 산술, 로직 및 입출력 연산을 수행함으로써, 컴퓨터 프로그램의 명령을 처리하도록 구성될 수 있다. 명령은 메모리 또는 수신부에 의해 프로세서로 제공될 수 있다. 예를 들어, 프로세서는 메모리와 같은 기록 장치에 저장된 프로그램 코드에 따라 수신되는 명령을 실행하도록 구성될 수 있다. 여기서, ‘프로세서(processor)’는, 예를 들어 프로그램 내에 포함된 코드 또는 명령으로 표현된 기능을 수행하기 위해 물리적으로 구조화된 회로를 갖는, 하드웨어에 내장된 데이터 처리 장치를 의미할 수 있다.Here, the processor may be configured to process instructions of a computer program by performing basic arithmetic, logic, and input/output operations. Instructions may be provided to the processor by a memory or a receiver. For example, the processor may be configured to execute instructions received according to program code stored in a recording device, such as a memory. Here, the 'processor' may refer to a data processing device embedded in hardware, for example, having a physically structured circuit to perform a function expressed as a code or an instruction included in a program.

이와 같이 하드웨어에 내장된 데이터 처리 장치의 일 예로써, 마이크로프로세서(Microprocessor), 중앙처리장치(Central Processing Unit: CPU), 프로세서 코어(Processor Core), 멀티프로세서(Multiprocessor), ASIC(Application-Specific Integrated Circuit), FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 처리 장치를 망라할 수 있으나, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.As an example of the data processing device embedded in the hardware as described above, a microprocessor, a central processing unit (CPU), a processor core, a multiprocessor, an ASIC (Application-Specific Integrated) Circuit) and a processing device such as an FPGA (Field Programmable Gate Array) may be included, but the scope of the present invention is not limited thereto.

자동 툴 교체 장치(160)는 노치 가공 장치(130)와 연동하여, 노치휠(131)의 상태에 따라 노치휠(131)을 자동으로 교체할 수 있다. 또한, 자동 툴 교체 장치(160)는 에지 가공 장치(140)의 에지휠(141)의 상태에 따라 에지휠(141)을 자동으로 교체하는 기능도 수행할 수 있다. The automatic tool changing device 160 may interwork with the notch processing device 130 to automatically replace the notch wheel 131 according to the state of the notch wheel 131 . In addition, the automatic tool changing device 160 may also perform a function of automatically replacing the edge wheel 141 according to the state of the edge wheel 141 of the edge processing device 140 .

검사 장치(170)는 노치 가공 장치(130)의 노치휠(131)의 상태 또는 에지 가공 장치(140)의 에지휠(141)의 상태를 확인하고, 이상 유무 또는 노후 정도를 분석하고 노치휠(131) 또는 에지휠(141)을 교체할 것인지 판단할 수 있다. The inspection device 170 checks the state of the notch wheel 131 of the notch processing device 130 or the state of the edge wheel 141 of the edge processing device 140, and analyzes the presence or absence of an abnormality or the degree of aging, and the notch wheel ( 131) or whether to replace the edge wheel 141 may be determined.

세정 장치(180)는 노치 가공 장치(130) 또는 에지 가공 장치(140)에 의해 가공이 완료된 웨이퍼를 세정하는 기능을 수행한다. 세정 장치(180)는 웨이퍼의 상면을 세정하는 제1 세정수단(183) 및 웨이퍼의 상기 상면에 대향되는 하면을 세정하는 제2 세정수단(181)을 포함할 수 있다. The cleaning apparatus 180 performs a function of cleaning a wafer that has been processed by the notch processing apparatus 130 or the edge processing apparatus 140 . The cleaning apparatus 180 may include a first cleaning means 183 for cleaning an upper surface of the wafer and a second cleaning means 181 for cleaning a lower surface opposite to the upper surface of the wafer.

여기서, 웨이퍼의 상면은 반도체 소자가 형성되는 일면일 수 있으며, 노치 가공 또는 에지 가공이 이루어지는 면일 수 있다. 웨이퍼의 하면은 일면에 대향되는 이면일 수 있으며, 이후 웨이퍼의 두께를 줄이기 위해 백그라인딩 공정이 수행되는 면일 수 있다. Here, the upper surface of the wafer may be a surface on which a semiconductor device is formed, and may be a surface on which a notch processing or an edge processing is performed. The lower surface of the wafer may be a rear surface opposite to the one surface, and may be a surface on which a backgrinding process is performed in order to reduce the thickness of the wafer thereafter.

세정 장치(180)에서 웨이퍼의 상면과 하면을 세정하는 순서에 제한은 없으나, 일 실시예로서, 노치 트리밍 공정 및 에지 공정이 수행된 상면을 먼저 세정한 후 웨이퍼를 뒤집고, 백그라인딩 공정이 수행되는 웨이퍼의 하면을 세정하는 순서로 세정될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 세정 장치(180)는 웨이퍼의 하면을 세정하는 제2 세정수단(181)만을 포함하고, 노치 트리밍 공정 및 에지 공정이 완료된 후 반전된 웨이퍼의 하면을 세정할 수 있다. 이때, 웨이퍼의 상면은 노치 트리밍 공정 또는 에지 공정 시 공급되는 연마수를 통해 세정될 수 있다. There is no limitation on the order in which the upper and lower surfaces of the wafer are cleaned in the cleaning apparatus 180, but as an embodiment, the upper surface on which the notch trimming process and the edge process are performed is first cleaned, then the wafer is turned over, and the backgrinding process is performed. It may be cleaned in the order of cleaning the lower surface of the wafer. However, the present invention is not limited thereto, and the cleaning apparatus 180 includes only the second cleaning means 181 for cleaning the lower surface of the wafer, and cleans the lower surface of the inverted wafer after the notch trimming process and the edge process are completed. can In this case, the upper surface of the wafer may be cleaned using polishing water supplied during the notch trimming process or the edge process.

세정이 완료된 웨이퍼는 전술한 이송 장치(110)에 의해 웨이퍼 가공 시스템(10)의 외부로 반출될 수 있다. The cleaned wafer may be transported to the outside of the wafer processing system 10 by the aforementioned transfer device 110 .

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 시스템(10)은 백 그라인딩 장치(미도시)를 더 포함할 수 있다. 웨이퍼 가공 시스템(10)은 노치 가공 장치(130) 또는 에지 가공 장치(140)에 의해 노치부(N) 또는 에지부(E)의 가공이 완료된 후, 백 그라인딩 장치(미도시)를 이용하여 웨이퍼(W)의 일면을 연마할 수 있다. Meanwhile, the wafer processing system 10 according to an embodiment of the present invention may further include a back grinding device (not shown). After the processing of the notch part N or the edge part E is completed by the notch processing apparatus 130 or the edge processing apparatus 140, the wafer processing system 10 uses a back grinding apparatus (not shown) to operate the wafer One side of (W) can be polished.

전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)는 노치부(N) 및 에지부(E)의 두께가 줄어든 상태이므로, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 백 그라인딩 과정에서 노치부(N)에 손상이 발생하지 않아 웨이퍼(W)의 수율을 향상시킬 수 있다. As described above, since the wafer W has a reduced thickness of the notch portion N and the edge portion E, the wafer processing system 10 does not damage the notch portion N during the back grinding process. The yield of the wafer W may be improved.

이하에서는 도면을 참조하여, 웨이퍼 가공 시스템(10)의 각 구성요소들을 보다 구체적으로 설명하면서 웨이퍼 가공 시스템(10)의 웨이퍼 가공 방법에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the drawings, each component of the wafer processing system 10 will be described in more detail and a wafer processing method of the wafer processing system 10 will be described.

도 3은 가공대상인 웨이퍼(W)를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 4는 정렬 장치(120)를 설명하기 위한 도면이다. 3 is a diagram schematically illustrating a wafer W to be processed, and FIG. 4 is a diagram for explaining the alignment device 120 .

도 3 및 도 4를 참조하면, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 일측에 노치부(N)가 형성된 웨이퍼(W)를 준비한다. Referring to FIGS. 3 and 4 , the wafer processing system 10 prepares a wafer W having a notch N formed on one side thereof.

여기서, 웨이퍼(W)는 일면에 소자가 형성된 상태일 수 있다. 웨이퍼(W)의 종류, 크기 및 형상은 특별히 한정하지 않는다. 예를 들어, 웨이퍼(W)는 실리콘, 게르마늄, 석영 또는 사파이어 등으로 이루어질 수 있다. 웨이퍼(W)는 반도체 소자가 형성된 기판이거나, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes; OLED), 발광 다이오드(Luminescent diode; LED) 등의 디스플레이가 형성된 기판일 수 있다. Here, the wafer W may be in a state in which an element is formed on one surface. The type, size, and shape of the wafer W are not particularly limited. For example, the wafer W may be made of silicon, germanium, quartz, or sapphire. The wafer W may be a substrate on which a semiconductor device is formed, or a substrate on which a display such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED), or a light emitting diode (LED) is formed. have.

웨이퍼(W)에는 웨이퍼(W)의 중심을 향하여 오목한 형태의 노치부(N)가 형성될 수 있다. 일반적으로 웨이퍼(W)는 웨이퍼 표면의 라인 등과 같은 패턴이나 얼라인 키(align key) 등을 이용하여 정렬되는데, 소자 공정 중 웨이퍼 표면을 보호하기 위해 수지층이 도포되어 이러한 패턴이나 얼라인 키를 인식하는 것이 어렵다는 문제점이 있다. 노치부(N)는 이러한 문제점을 해결하기 위해 웨이퍼(W)의 일측에 형성된 것으로, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 비젼 카메라에 의해 노치부(N)의 위치를 파악하고 웨이퍼(W)를 정렬하게 된다. A notch N having a concave shape toward the center of the wafer W may be formed in the wafer W. In general, the wafer W is aligned using a pattern such as a line on the wafer surface or an align key. There is a problem that it is difficult to recognize. The notch (N) is formed on one side of the wafer (W) to solve this problem, and the wafer processing system 10 identifies the position of the notch (N) by a vision camera and aligns the wafer (W). do.

웨이퍼 가공 시스템(10)은 외부에서 웨이퍼(W)가 반입되면 이송 장치(110)를 이용하여 가공 작업이 수행되는 지지 테이블(117)로 웨이퍼(W)를 안착시킬 수 있다. 웨이퍼(W)는 이송 장치(110)의 프리 얼라이너(113)에 의해 1차적으로 정렬된 상태에서 지지 테이블(117)로 이송될 수 있다. The wafer processing system 10 may seat the wafer W on the support table 117 on which the processing operation is performed using the transfer device 110 when the wafer W is brought in from the outside. The wafer W may be transferred to the support table 117 in a state in which it is primarily aligned by the pre-aligner 113 of the transfer device 110 .

지지 테이블(117)에 웨이퍼(W)가 안착되면, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 정렬 장치(120)를 이용하여 웨이퍼(W)의 위치를 인식하고, 가공 전 웨이퍼(W)를 정렬시킬 수 있다. 정렬 장치(120)는 조명 수단(121)과 비젼 카메라(123)를 포함할 수 있다. When the wafer W is seated on the support table 117 , the wafer processing system 10 may recognize the position of the wafer W using the alignment device 120 and align the wafer W before processing. . The alignment device 120 may include a lighting means 121 and a vision camera 123 .

조명 수단(121)과 비젼 카메라(123)는 웨이퍼(W)를 기준으로 서로 대향되게 배치될 수 있으며, 일 실시예로서, 조명 수단(121)은 웨이퍼(W)의 하부에 배치되어 웨이퍼(W)를 향하여 광을 조사하고, 비젼 카메라(123)는 웨이퍼(W)의 상부에 배치되어 광이 조사된 상태에서 웨이퍼(W)의 영상을 촬영하여 영상 정보(M1)를 획득할 수 있다. The lighting means 121 and the vision camera 123 may be disposed to face each other with respect to the wafer W, and as an embodiment, the lighting means 121 is disposed under the wafer W and the wafer W ) to irradiate light, and the vision camera 123 may be disposed on the wafer W and photograph an image of the wafer W in a state in which the light is irradiated to obtain image information M1 .

비젼 카메라(123)의 종류는 특별히 한정하지 않는다. 예를 들어, 비젼 카메라(123)는 통상의 광학 카메라, ToF(Time of Flight) 카메라 또는 라이더(lidar)일 수 있다. The type of the vision camera 123 is not particularly limited. For example, the vision camera 123 may be a conventional optical camera, a Time of Flight (ToF) camera, or a lidar.

웨이퍼 가공 시스템(10)의 제어부(150)는 상기 전달받은 영상 정보(M1)를 분석하고 웨이퍼(W)를 정렬시킬 수 있다. 제어부(150)는 지지 테이블(117)의 위치를 제어하여 웨이퍼(W)를 정렬할 수도 있고, 노치부(N)의 위치 정보를 이용하여 노치 가공 장치(130) 또는 에지 가공 장치(140)를 제어할 수도 있다. The controller 150 of the wafer processing system 10 may analyze the received image information M1 and align the wafers W. The controller 150 may control the position of the support table 117 to align the wafers W, and use the position information of the notch N to operate the notch processing apparatus 130 or the edge processing apparatus 140 . You can also control it.

구체적으로, 제어부(150)는 정렬 장치(120)를 통해 획득한 영상 정보(M1)를 이용하여 웨이퍼(W) 상의 복수 개의 포인트(예를 들어, 4점 이상)를 추출하고, 지지 테이블(117)의 회전축과 웨이퍼(W)의 중심점의 편차 또는 노치 가공 장치(130) 및 에지 가공 장치(140)와 웨이퍼(W)의 위치를 사전에 확인할 수 있다. Specifically, the controller 150 extracts a plurality of points (eg, 4 or more) on the wafer W using the image information M1 acquired through the alignment device 120 , and the support table 117 . ) of the rotation axis and the center point of the wafer W, or the positions of the notch processing apparatus 130 and the edge processing apparatus 140 and the wafer W can be checked in advance.

이후, 제어부(150)는 상기 확인된 구성들의 위치 정보에 기초하여, 노치 가공 장치(130)와 에지 가공 장치(140)를 설정된 이동 경로에 따라 이동하도록 제어할 수 있다. Thereafter, the controller 150 may control the notch processing apparatus 130 and the edge processing apparatus 140 to move according to a set movement path based on the position information of the identified components.

여기서, 제어부(150)는 노치 가공 장치(130)를 설정된 이동 경로에 따라 이동하도록 제어함에 있어, 설정된 이동 경로는 이전 웨이퍼(W) 가공 시 노치 가공 장치(130)가 이동했던 경로일 수 있다. 웨이퍼 가공 시스템(10)으로 하나의 제조 단위(LOT 단위)로 제공되는 웨이퍼들의 경우, 웨이퍼(W)의 노치부(N)는 유사한 형상으로 형성될 수 있다. Here, when the control unit 150 controls the notch processing apparatus 130 to move according to the set movement path, the set movement path may be a path that the notch processing apparatus 130 moved during processing of the previous wafer (W). In the case of wafers provided as one manufacturing unit (LOT unit) to the wafer processing system 10 , the notch N of the wafer W may be formed in a similar shape.

본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 가공 시스템(10)은 현재 가공되는 웨이퍼의 노치부를 가공함에 있어, 이전에 가공된 웨이퍼의 노치부를 가공할 때 사용되었던 설정된 이동 경로로 노치 가공 장치(130)를 이동하도록 제어함으로써, 노치부 가공 효율을 극대화시킬 수 있다. In the wafer processing system 10 according to an embodiment of the present invention, in processing the notch part of the currently processed wafer, the notch processing apparatus 130 is used for processing the notch part of the previously processed wafer by using the set movement path. By controlling the movement, it is possible to maximize the notch processing efficiency.

다만, 이 경우에 단순히 이전 웨이퍼를 가공할 때 설정된 이동 경로를 바로 적용하는 것은 아니며, 웨이퍼 가공 시스템(10)의 제어부(150)는 전달받은 영상 정보(M1)를 이용하여 웨이퍼(W)의 노치부(N)의 에지 라인이 이전 웨이퍼의 노치부의 에지 라인과 차이가 있는지 등을 확인하고, 차이가 발생하는 경우에는 현재 웨이퍼(W)의 설정된 이동 경로를 변경할 수 있다. However, in this case, the movement path set when processing the previous wafer is not directly applied, and the controller 150 of the wafer processing system 10 uses the received image information M1 to It is checked whether the edge line of the tooth portion N is different from the edge line of the notch portion of the previous wafer, and when the difference occurs, the set movement path of the current wafer W may be changed.

다시 말해, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 웨이퍼의 노치부의 영상 정보를 분석하고, 이전 웨이퍼와 현재 웨이퍼와의 차이가 없는 경우 이전 웨이퍼의 가공 경로를 따라 가공하고, 차이가 있는 경우 영상 정보를 이용하여 노치 가공 장치의 이동 경로를 재설정함으로써, 노치부 가공 공정을 정확하면서도 효율적으로 수행할 수 있다. In other words, the wafer processing system 10 analyzes the image information of the notch of the wafer, and if there is no difference between the previous wafer and the current wafer, processes it along the processing path of the previous wafer, and if there is a difference, using the image information By resetting the movement path of the notch processing device, the notch processing process can be performed accurately and efficiently.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노치 가공 장치(130)를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5의 노치 가공 장치(130)를 이용한 웨이퍼 가공 방법을 설명하기 위한 개념도이며, 도 7a 내지 도 7c는 웨이퍼 가공 방법에 의해 가공된 부분을 설명하기 위한 도면이다. 5 is a diagram schematically showing a notch processing apparatus 130 according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a conceptual diagram for explaining a wafer processing method using the notch processing apparatus 130 of FIG. 5, FIG. 7a 7C are diagrams for explaining a part processed by a wafer processing method.

도 5 내지 도 7 c를 참조하면, 지지 테이블(117) 상에 웨이퍼(W)가 정렬되면, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 노치 가공 장치(130)를 이용하여 웨이퍼(W)의 노치부(N)의 두께를 줄이는 트리밍 가공 또는 노치부(N)의 일부를 절단하는 커팅 가공을 수행할 수 있다. 5 to 7 c , when the wafer W is aligned on the support table 117 , the wafer processing system 10 uses the notch processing apparatus 130 to perform the notch portion N of the wafer W ), a trimming process to reduce the thickness or a cutting process for cutting a part of the notch portion (N) may be performed.

노치 가공 장치(130)는 도 7a에 도시된 바와 같이 사전에 설정된 지름(RA)을 갖는 노치휠(131) 및 노치휠(131)과 연결된 제1 스핀들(133)을 포함할 수 있다. The notch processing apparatus 130 may include a notch wheel 131 having a preset diameter RA and a first spindle 133 connected to the notch wheel 131 as shown in FIG. 7A .

노치휠(131)은 웨이퍼(W)를 직접 가공하는 부재로서, 제1 스핀들(133)의 일단에 연결될 수 있다. 노치휠(131)은 제1 스핀들(133)의 회전에 의해 회전하면서 웨이퍼(W)를 가공할 수 있다. 예를 들어, 노치휠(131)은 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 노치부(N)를 가공하여 그 두께를 줄이거나, 노치부(N)의 일부를 커팅할 수 있다. The notch wheel 131 is a member for directly processing the wafer W, and may be connected to one end of the first spindle 133 . The notch wheel 131 may process the wafer W while rotating by the rotation of the first spindle 133 . For example, the notch wheel 131 may reduce the thickness by processing the notch portion N formed on the wafer W, or may cut a portion of the notch portion N. Referring to FIG.

제1 스핀들(133)은 회전축(Ax1)을 중심으로 회전하며, 이를 위해 모터(미도시) 등을 구비할 수 있다. 일 실시예로, 제1 스핀들(133)은 제1 지지 플레이트(135) 상에 배치될 수 있다. 제1 지지 플레이트(135)는 갠트리(미도시) 등에 연결된 상태에서 웨이퍼(W)가 안착된 지지 테이블(117)을 향해 이동할 수 있다. The first spindle 133 rotates about the rotation shaft Ax1, and for this purpose, a motor (not shown) or the like may be provided. In an embodiment, the first spindle 133 may be disposed on the first support plate 135 . The first support plate 135 may move toward the support table 117 on which the wafer W is seated while being connected to a gantry (not shown) or the like.

또한, 제1 스핀들(133)은 제1 지지 플레이트(135)와 연결된 상태에서 회전 및 이동할 수 있다. 또는, 제1 지지 플레이트(135)에 의해 노치 가공 장치(130)가 고정된 상태인 경우, 지지 테이블(117)이 노치 가공 장치(130)로 이동 및 회전하여 노치 가공을 수행할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 노치 가공 장치(130)가 지지 테이블(117)로 이동하여 노치 가공을 수행하는 경우를 중심으로 설명하기로 한다. Also, the first spindle 133 may rotate and move while being connected to the first support plate 135 . Alternatively, when the notch processing apparatus 130 is fixed by the first support plate 135 , the support table 117 may move and rotate to the notch processing apparatus 130 to perform notch processing. Hereinafter, for convenience of description, a case in which the notch processing apparatus 130 moves to the support table 117 to perform the notch processing will be mainly described.

웨이퍼 가공 시스템(10)은 웨이퍼(W)가 정렬된 후, 노치휠(131)을 이용하여 노치부(N)의 일정 영역이 사전에 설정된 두께(d1, 도 7b 참조)를 갖도록 노치부(N)를 가공할 수 있다. 이때, 노치휠(131)의 직경(RA)은 가공되는 노치부(N)의 일정 영역의 폭(A)보다 클 수 있다. After the wafer W is aligned, the wafer processing system 10 uses the notch wheel 131 so that a predetermined area of the notch N has a preset thickness (d1, see FIG. 7b ). ) can be processed. In this case, the diameter RA of the notch wheel 131 may be greater than the width A of a predetermined area of the notch portion N to be machined.

다시 말해, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 노치휠(131)의 중심(O1)이 상기 노치부(N)에 비중첩되도록 노치휠(131)을 제어하면서 노치부(N)를 가공할 수 있다. 즉, 노치 가공이 수행되는 동안, 노치휠(131)의 중심(O1)은 웨이퍼(W)의 바깥에 위치할 수 있다. In other words, the wafer processing system 10 may process the notch portion N while controlling the notch wheel 131 so that the center O1 of the notch wheel 131 does not overlap the notch portion N. That is, while the notch processing is performed, the center O1 of the notch wheel 131 may be located outside the wafer W.

일 실시예로서, 노치힐(131)의 직경(RA)은 가공되는 노치부(N)의 일정 영역의 폭(A)의 2배보다 클 수 있다. 도 6을 참조하면, 노치휠(131)의 반경(RA/2)은 노치부(N)의 깊이(DA)와 동일할 수 있다. As an embodiment, the diameter RA of the notch heel 131 may be greater than twice the width A of a predetermined area of the notch portion N to be machined. Referring to FIG. 6 , the radius RA/2 of the notch wheel 131 may be the same as the depth DA of the notch portion N.

구제적으로, 도 7a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 제1 직경(RA)을 갖는 노치휠(131)의 일부가 웨이퍼(W)에 접촉한 상태에서 웨이퍼(W)를 가공할 수 있다. 이때, 노치휠(131)은 원통형상으로 이루어질 수 있으며, 노치휠(131)에 의해 가공된 웨이퍼(W)의 제1 가공면(Wa)과 제2 가공면(Wb)은 도 7b에 도시된 바와 같이 수직하게 형성될 수 있다. Specifically, as shown in FIG. 7A , the wafer processing system 10 processes the wafer W while a part of the notch wheel 131 having the first diameter RA is in contact with the wafer W. can do. At this time, the notch wheel 131 may have a cylindrical shape, and the first processing surface Wa and the second processing surface Wb of the wafer W processed by the notch wheel 131 are shown in FIG. 7B . It can be formed vertically as shown.

다만, 이러한 제1 가공면(Wa)과 제2 가공면(Wb)은 노치휠(131)의 형상에 대응될 수 있다. 예를 들면, 노치휠(131)의 에지 부분의 각도가 86° 내지 94° 범위의 값을 갖는 경우, 제1 가공면(Wa)과 제2 가공면(Wb) 사이각은 94° 내지 86° 범위의 값으로 결정될 수 있다. However, the first processing surface Wa and the second processing surface Wb may correspond to the shape of the notch wheel 131 . For example, when the angle of the edge portion of the notch wheel 131 has a value in the range of 86° to 94°, the angle between the first processing surface Wa and the second processing surface Wb is 94° to 86° It can be determined as a value in a range.

일 실시예로서, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 노치 가공 장치(10)를 이용하여 웨이퍼(W)를 가공함에 있어, 웨이퍼의 일면에 대하여 수직한 수직 방향(도 5에서 z방향)으로 노치 가공 장치(10)를 이동하도록 제어하여 노치부(N)를 가공할 수 있다. 이때, 노치휠(131)의 평면(x-y 평면) 상에서의 좌표는 고정된 상태에서 웨이퍼(W)의 노치부(N)를 향해 수직 방향(z방향)으로 이동함으로써, 노치부(N)를 가공할 수 있다. As an embodiment, the wafer processing system 10 is a notch processing apparatus in a vertical direction (z direction in FIG. 5 ) perpendicular to one surface of the wafer in processing the wafer W using the notch processing apparatus 10 . By controlling the movement (10), the notch portion (N) can be machined. At this time, by moving the coordinates on the plane (x-y plane) of the notch wheel 131 in the vertical direction (z direction) toward the notch part N of the wafer W in a fixed state, the notch part N is processed can do.

다른 실시예로서, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 노치 가공 장치(10)를 이용하여 웨이퍼(W)를 가공함에 있어, 웨이퍼의 일면에 대해 수평한 수평 방향(x-y방향)으로 노치 가공 장치(10)를 이동하도록 제어하여 노치부(N)를 가공할 수 있다. 이때, 노치휠(131)의 수직 방향(z방향)의 좌표는 고정된 상태에서 웨이퍼(W)의 노치부(N)를 향해 수평 방향(x-y방향)으로 이동함으로써, 노치부(N)를 가공할 수 있다. As another embodiment, the wafer processing system 10 is a notch processing apparatus 10 in a horizontal direction (x-y direction) horizontal to one surface of the wafer in processing the wafer (W) using the notch processing apparatus 10 . It is possible to process the notch portion (N) by controlling it to move. At this time, by moving the coordinates in the vertical direction (z direction) of the notch wheel 131 in the horizontal direction (x-y direction) toward the notch portion N of the wafer W in a fixed state, the notch portion N is processed. can do.

또 다른 실시예로서, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 노치 가공 장치(10)를 이용하여 웨이퍼의 일면에 대하여 수직한 수직 방향(z방향)으로 먼저, 깊이 가공을 수행한 후 수평 방향(x-y방향)으로 너비 또는 폭 가공을 수행할 수도 있다. As another embodiment, the wafer processing system 10 performs depth processing first in a vertical direction (z direction) perpendicular to one surface of the wafer using the notch processing apparatus 10, and then in the horizontal direction (x-y direction) Width or width machining can also be performed with

또 다른 실시예로서, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 노치 가공 장치(10)를 이용하여 수평 방향(x-y방향)과 수직 방향(z방향)으로 동시에 움직이도록 제어함으로써, 웨이퍼(W)의 노치부(N)를 가공할 수 있다. As another embodiment, the wafer processing system 10 controls to move simultaneously in the horizontal direction (x-y direction) and the vertical direction (z direction) using the notch processing apparatus 10, so that the notch portion ( N) can be processed.

노치 가공 장치(130)를 이용하여 웨이퍼(W)의 노치부(N)에 대한 가공이 완료되면, 도 7c와 같이 노치부(N)의 일정 영역의 두께가 달라져 음영이 발생할 수 있다. When the processing of the notch portion N of the wafer W is completed using the notch processing apparatus 130 , the thickness of a predetermined region of the notch portion N may be changed to cause a shadow as shown in FIG. 7C .

도 8은 다른 실시예에 따른 노치 가공 장치를 이용한 웨이퍼 가공 방법을 설명하기 위한 개념도이며, 도 9a 내지 도 9c는 도 8의 웨이퍼 가공 방법에 의해 가공된 부분을 설명하기 위한 도면이다. 8 is a conceptual diagram for explaining a wafer processing method using a notch processing apparatus according to another embodiment, and FIGS. 9A to 9C are diagrams for explaining a portion processed by the wafer processing method of FIG. 8 .

도 8 내지 도 9c를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 노치 가공 장치(130)의 노치휠(131')은 제1 가공부(1311)와 제2 가공부(1312)를 포함할 수 있다. 이를 통해, 다른 실시예에 따른 노치휠(131')에 의해 가공된 노치부(N)의 일정 영역은 제1 두께(d1)를 갖는 제1 영역(n1)과 상기 제1 두께(d1)와 상이한 제2 두께(d2)를 갖는 제2 영역(n2)을 포함할 수 있다. 8 to 9c , the notch wheel 131 ′ of the notch processing apparatus 130 according to another embodiment of the present invention may include a first processing part 1311 and a second processing part 1312 . have. Through this, a predetermined region of the notch portion N processed by the notch wheel 131 ′ according to another embodiment includes a first region n1 having a first thickness d1 and a first region n1 having a first thickness d1 and A second region n2 having a different second thickness d2 may be included.

다른 실시예에 따른 노치휠(131')에 의해 가공된 노치부(N)의 일정 영역은 평면 상에서 바라보았을 때 제1 폭(A1)을 갖는 제1 영역(n1)과 제2 폭(A2)을 갖는 제2 영역(n2)으로 이루어질 수 있다. A predetermined area of the notch portion N processed by the notch wheel 131 ′ according to another embodiment has a first area n1 having a first width A1 and a second width A2 when viewed in a plan view. It may be formed of a second region n2 having

도 8에서는 노치휠(131')의 직경(RA')이 도 6의 노치휠(131)의 직경(RA)보다 작은 경우를 예로 하여 도시하였으며, 이러한 경우에도 노치휠(131')의 직경(RA)은 노치부(N)의 일정 영역의 폭(A1+A2)보다 클 수 있다. 따라서, 노치부(N)를 가공하는 동안, 노치휠(131')의 중심(O1')은 웨이퍼(W)와 비중첩되어 웨이퍼(W)의 외부에 배치될 수 있다. In FIG. 8, the diameter RA' of the notch wheel 131' is shown as an example smaller than the diameter RA of the notch wheel 131 of FIG. 6, and even in this case, the diameter of the notch wheel 131' ( RA) may be greater than a width A1+A2 of a predetermined area of the notch N. Accordingly, while processing the notch portion N, the center O1' of the notch wheel 131' may be disposed outside the wafer W while not overlapping the wafer W.

도 7a의 노치휠(131)을 이용하여 노치부(N)를 가공하는 경우, 도 7c에 도시된 바와 같이 하나의 음영으로만 표현된다. 이와 달리, 제1 가공부(1311)와 제2 가공부(1312)를 포함하는 노치휠(131')을 이용하여 가공하는 경우, 도 9c에 도시된 바와 같이 두께 차이로 인해 2개의 음영으로 표현되므로 비젼 카메라에 의해 노치부(N)가 보다 명확하게 인식될 수 있다. When the notch portion N is machined using the notch wheel 131 of FIG. 7A , only one shade is displayed as shown in FIG. 7C . On the other hand, in the case of processing using the notch wheel 131 ′ including the first processing part 1311 and the second processing part 1312 , it is expressed in two shades due to the thickness difference as shown in FIG. 9C . Therefore, the notch portion (N) can be recognized more clearly by the vision camera.

일 실시예로서, 노치부(N)의 제2 영역(n2)은 경사면(Wc)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 노치부(N)의 제2 영역(n2)은 제2 두께(d2)로 일정하게 형성되는 것이 아니라, 제1 영역(n1)의 제1 두께(d1)에서 제2 두께(d2)로 점진적으로 변화하는 형상으로 이루어질 수 있다. As an embodiment, the second region n2 of the notch portion N may include the inclined surface Wc. In other words, the second region n2 of the notch portion N is not uniformly formed with the second thickness d2, but has a second thickness d2 from the first thickness d1 of the first region n1. It can be made into a shape that changes gradually.

구체적으로, 도 9a에 도시된 바와 같이, 제1 가공부(1311)는 도 7a의 노치휠(131)과 동일한 형상일 수 있으며, 제1 스핀들(133)의 회전축(Ax1)과 동축으로 배치되는 원통 형상을 가질 수 있다. Specifically, as shown in FIG. 9A , the first processing part 1311 may have the same shape as the notch wheel 131 of FIG. 7A , and is disposed coaxially with the rotation axis Ax1 of the first spindle 133 . It may have a cylindrical shape.

제1 가공부(1311)는 노치휠(131)의 외곽에 배치되는 부분이며, 제1 가공면(1311a)과 제2 가공면(1311b)을 포함할 수 있다. 제1 가공면(1311a)과 제2 가공면(1311b)은 도 7a의 노치휠과 같이 실질적으로 수직하게 형성될 수 있다.The first processing part 1311 is a portion disposed outside the notch wheel 131 and may include a first processing surface 1311a and a second processing surface 1311b. The first processing surface 1311a and the second processing surface 1311b may be formed to be substantially perpendicular to the notch wheel of FIG. 7A .

제1 가공면(1311a)은 노치부(N)의 상면(Wa)과 접촉하여, 제1 스핀들(133)의 회전에 따라 상면(Wa)을 가공할 수 있다. 일 실시예로 제1 가공면(1311a)은 제1 가공부(1311)의 바닥면으로 노치부(N)의 상면(Wa)과 평행하게 배치될 수 있다. The first processing surface 1311a may come in contact with the upper surface Wa of the notch portion N, and the upper surface Wa may be machined according to the rotation of the first spindle 133 . In an embodiment, the first processing surface 1311a is a bottom surface of the first processing part 1311 and may be disposed parallel to the upper surface Wa of the notch portion N.

제2 가공면(1311b)은 노치부(N)의 측면(Wb)과 접촉하여 제1 스핀들(133)의 회전에 따라 측면(Wb)을 가공할 수 있다. 일 실시예로 제2 가공면(1311b)은 제1 가공부(1311)의 측면으로서, 노치부(N)의 측면(Wb)과 평행하게 배치될 수 있다. The second processing surface 1311b may be in contact with the side surface Wb of the notch portion N to process the side surface Wb according to the rotation of the first spindle 133 . In an embodiment, the second processing surface 1311b is a side surface of the first processing part 1311 and may be disposed parallel to the side surface Wb of the notch portion N.

제2 가공부(1312)는 제1 가공부(1311)의 일측에 배치될 수 있다. 일 실시예로서, 제2 가공부(1312)는 제1 가공부(1311)의 반경 방향 내측에 위치하며, 제1 스핀들(133)의 회전축(Ax1)과 동축으로 배치될 수 있다. The second processing part 1312 may be disposed on one side of the first processing part 1311 . As an embodiment, the second processing part 1312 may be positioned inside the radial direction of the first processing part 1311 , and may be disposed coaxially with the rotation axis Ax1 of the first spindle 133 .

제2 가공부(1312)는 도면에 도시된 바와 같이, 테이퍼면(1312a)과 평탄면(1312b)을 가질 수 있다. 테이퍼면(1312a)은 노치부(N)의 경사면(Wc)을 가공하도록 배치될 수 있다. The second processing part 1312 may have a tapered surface 1312a and a flat surface 1312b as shown in the drawings. The tapered surface 1312a may be disposed to process the inclined surface Wc of the notch portion N.

일 실시예로서, 제2 가공부(1312)는 원뿔대(circular truncated cone)형상을 가질 수 있으며, 테이퍼면(1312a)은 제2 가공부(1312)의 측면에 해당할 수 있다. 또한, 테이퍼면(1312a)은 제1 가공부(1311)의 제1 가공면(1311a)과 제1 각도(θ)를 이루도록 배치될 수 있다. As an embodiment, the second processing part 1312 may have a circular truncated cone shape, and the tapered surface 1312a may correspond to a side surface of the second processing part 1312 . In addition, the tapered surface 1312a may be disposed to form a first angle θ with the first processing surface 1311a of the first processing part 1311 .

이에 따라, 노치 가공 장치(130)에 의해 가공된 웨이퍼(W)의 노치부(N)에는 상면(Wa)과, 측면(Wb)과, 경사면(Wc)이 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이, 제1 가공부(1311)에 의해 노치부(N)의 상면(Wa)과 측면(Wb)이 가공되고, 제2 가공부(1312)에 의해 노치부(N)의 경사면(Wc)이 가공될 수 있다. Accordingly, an upper surface Wa, a side surface Wb, and an inclined surface Wc may be formed in the notch portion N of the wafer W processed by the notch processing apparatus 130 . More specifically, as shown in Figures 9a and 9b, the upper surface (Wa) and the side surface (Wb) of the notch portion (N) by the first processing portion 1311 is processed, the second processing portion (1312) Thus, the inclined surface Wc of the notch portion N may be processed.

또한, 제1 가공면(1311a)과 테이퍼면(1312a)이 이루는 제1 각도(θ)와 동일하게, 노치부(N)의 상면(Wa)과 경사면(Wc)은 서로 제1 각도(θ)를 이루도록 배치될 수 있다. 따라서 상면(Wa)에 비해 상대적으로 하방으로 경사진 경사면(Wc)에는 음영이 생기고, 상면(Wa)과 경사면(Wc) 사이에는 경계선이 형성될 수 있다. In addition, in the same manner as the first angle θ formed between the first processing surface 1311a and the tapered surface 1312a, the upper surface Wa and the inclined surface Wc of the notch N have a first angle θ with each other. can be arranged to achieve Accordingly, a shadow may be formed on the inclined surface Wc inclined downward relative to the upper surface Wa, and a boundary line may be formed between the upper surface Wa and the inclined surface Wc.

다른 실시예로서, 정렬 장치(120)는 웨이퍼(W)의 소자면을 촬상하고, 이에 기초하여 돌기가 형성된 불량 소자 등을 확인할 수 있다. 이후 웨이퍼 가공 시스템(10)은 노치 가공 장치(130)를 이용하여 웨이퍼(W)의 불량 소자를 제거하는 가공을 수행할 수 있다. As another embodiment, the alignment device 120 may image the device surface of the wafer W, and based on this, a defective device having a protrusion may be identified. Thereafter, the wafer processing system 10 may perform processing to remove defective elements of the wafer W using the notch processing apparatus 130 .

정렬 장치(120)는 노치부(N) 가공 및/또는 에지부(E) 가공이 완료된 후 또는 가공이 실시되기 전에, 웨이퍼(W)의 소자면을 검사한다. 이때, 웨이퍼(W)의 소자면에는 제조 과정에서 이물 등에 의해 돌기가 형성된 상태일 수 있다. 이러한 돌기는 웨이퍼(W)의 품질을 저하시키며 다른 공정에서 장치와 충돌해 손상 등을 야기할 수 있다. The alignment device 120 inspects the element surface of the wafer W after the processing of the notch portion N and/or the processing of the edge portion E is completed or before processing is performed. At this time, the device surface of the wafer W may be in a state in which a protrusion is formed by a foreign material during the manufacturing process. These protrusions deteriorate the quality of the wafer W and may collide with the device in another process to cause damage.

정렬 장치(120)가 웨이퍼(W)가 소자면을 촬상하면, 노치 가공 장치(130)는 웨이퍼(W)의 노치부(N)를 가공하는데 이용될 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼(W)의 불량 소자를 제거하는데도 이용될 수 있다. 예를 들어, 노치 가공 장치(130)는 노치휠(131)을 이용하여 불량 소자를 깎아내, 제거할 수 있다. When the alignment device 120 images the device surface of the wafer W, the notch processing device 130 can be used to process the notch portion N of the wafer W, as well as defects in the wafer W. It can also be used to remove devices. For example, the notch processing apparatus 130 may use the notch wheel 131 to scrape off and remove defective elements.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 에지 가공 장치(140)를 설명하기 위한 도면이다. 10 is a view for explaining the edge processing apparatus 140 according to an embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 에지 가공 장치(140)는 웨이퍼 가공 시스템(10)의 일측에 배치되어, 웨이퍼(W)의 에지 부분을 가공하는 기능을 수행할 수 있다. 에지 가공 장치(140)는 지지 테이블(117)에 웨이퍼(W)가 안착되면, 지지 테이블(117)을 향해 이동하여 웨이퍼(W)의 에지부(E)를 가공할 수 있다. Referring to FIG. 10 , the edge processing apparatus 140 may be disposed on one side of the wafer processing system 10 to perform a function of processing an edge portion of the wafer W. Referring to FIG. When the wafer W is seated on the support table 117 , the edge processing apparatus 140 may move toward the support table 117 to process the edge portion E of the wafer W .

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 시스템(10)은 웨이퍼(W)의 노치부(N)를 가공한 후 바로 백그라인딩 공정을 수행할 수도 있으나, 필요에 따라 에지 가공 장치(140)를 이용하여 웨이퍼(W)의 에지부(E)의 두께를 줄이는 트리밍 공정을 수행할 수 있다. The wafer processing system 10 according to an embodiment of the present invention may perform a backgrinding process immediately after processing the notch portion N of the wafer W, but, if necessary, using the edge processing apparatus 140 Thus, a trimming process for reducing the thickness of the edge portion E of the wafer W may be performed.

도 10에서는 에지 가공 장치(140)가 2개로 구비되는 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 에지 가공 장치(140)는 하나로 구비될 수도 있고, 둘 이상으로 구비될 수도 있다. Although FIG. 10 illustrates a case in which two edge processing devices 140 are provided, the present invention is not limited thereto. The edge processing apparatus 140 may be provided with one, or may be provided with two or more.

만약, 하나의 에지 가공 장치(140)를 구비하는 경우, 에지 가공 장치(140)는 노치부(N)에 대향되는 에지부(E)부터 가공 공정을 시작할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 한 쌍의 에지 가공 장치(140)가 지지 테이블(117)을 사이에 두고 마주보도록 배치되는 경우를 중심으로 설명하기로 한다. If one edge processing apparatus 140 is provided, the edge processing apparatus 140 may start the processing process from the edge portion E opposite to the notch portion N. Hereinafter, for convenience of description, a case in which a pair of edge processing devices 140 are disposed to face each other with the support table 117 interposed therebetween will be mainly described.

일 실시예로서, 에지 가공 장치(140)는 제1 에지휠(141) 및 상기 제1 에지휠(141)과 연결되는 제2-1 스핀들(143)을 포함할 수 있다. 또한, 에지 가공 장치(140)는 도시하지 않았지만 제2-1 스핀들(143)과 연결되는 제2-1 지지 플레이트(미도시)를 포함할 수 있다. As an embodiment, the edge processing apparatus 140 may include a first edge wheel 141 and a 2-1 spindle 143 connected to the first edge wheel 141 . In addition, although not shown, the edge processing apparatus 140 may include a 2-1 support plate (not shown) connected to the 2-1 spindle 143 .

또한, 에지 가공 장치(140)는 지지 테이블(117)을 기준으로 제1 에지휠(141)과 대향되게 배치되는 제2 에지휠(142)과, 제2 에지휠(142)과 연결되는 제2-2 스핀들(144)과, 제2-2 스핀들(144)과 연결되는 제2-2 지지 플레이트(145)를 구비할 수 있다. In addition, the edge processing device 140 includes a second edge wheel 142 disposed to face the first edge wheel 141 based on the support table 117 , and a second edge wheel 142 connected to the second edge wheel 142 . A 2-2 spindle 144 and a 2-2 support plate 145 connected to the 2-2 spindle 144 may be provided.

제1 에지휠(141) 및 제2 에지휠(142)은 각각 제2-1 지지 플레이트(미도시) 및 제2-2 지지 플레이트(145)에 연결된 상태에서, 제2-1 스핀들(143) 및 제2-2 스핀들(144)의 회전에 따라 회전하면서 웨이퍼(W)의 에지부(E)를 가공할 수 있다. The first edge wheel 141 and the second edge wheel 142 are connected to the 2-1 support plate (not shown) and the 2-2 support plate 145, respectively, while the 2-1 spindle 143 is connected thereto. And the edge portion E of the wafer W may be processed while rotating according to the rotation of the 2-2 spindle 144 .

예를 들어, 한 쌍의 에지 가공 장치(140)는 지지 테이블(117)을 중심으로 시계 방향 또는 반 시계 방향으로 회전하면서 웨이퍼(W)의 에지부(E)를 가공할 수 있다. For example, the pair of edge processing apparatuses 140 may process the edge portion E of the wafer W while rotating clockwise or counterclockwise around the support table 117 .

다른 실시예로서, 에지 가공 장치(140)는 위치가 고정된 상태에서 제2-1 스핀들(143) 및 제2-2 스핀들(144)을 중심으로 회전하고, 지지 테이블(117)이 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전하면서 웨이퍼(W)의 에지부(E)를 가공할 수 있다. As another embodiment, the edge processing apparatus 140 rotates around the 2-1 spindle 143 and the 2-2 spindle 144 in a fixed position, and the support table 117 rotates clockwise or The edge portion E of the wafer W may be processed while rotating counterclockwise.

웨이퍼 가공 시스템(10)은 웨이퍼(W)의 에지부(E)의 두께를 노치부(N)의 가공된 두께와 동일하거나 노치부(N)의 가공된 두께보다 얇게 가공할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 가공 시스템(10)은 노치부(N)를 180㎛ 정도 두께를 줄이도록 가공하는 경우, 에지부(E)는 150㎛ 정도의 두께를 줄이도록 가공할 수 있다. 다만, 이는 하나의 실시예에 불과하며, 노치부(N)와 에지부(E) 모두 150㎛의 두께가 줄어들도록 가공할 수 있으며, 이와 다른 가공 두께로 가공할 수 있음은 물론이다. The wafer processing system 10 may process the thickness of the edge portion E of the wafer W to be the same as the processed thickness of the notch portion N or to be thinner than the processed thickness of the notch portion N. For example, when the wafer processing system 10 processes the notch portion N to reduce a thickness of about 180 μm, the edge portion E may be processed to reduce a thickness of about 150 μm. However, this is only one embodiment, and both the notch portion (N) and the edge portion (E) may be processed to reduce a thickness of 150 μm, and may be processed to a different processing thickness.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 자동 툴 교체 장치(160)를 설명하기 위한 도면이다. 11 is a view for explaining an automatic tool changing device 160 according to an embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 자동 툴 교체 장치(160)는 웨이퍼 가공 시스템(10)의 일측에 배치되되, 노치 가공 장치(130)가 가공 공정을 수행하지 않을 때 노치 가공 장치(130)와 인접하게 배치될 수 있다. Referring to FIG. 11 , the automatic tool changing apparatus 160 is disposed on one side of the wafer processing system 10 , and is disposed adjacent to the notch processing apparatus 130 when the notch processing apparatus 130 does not perform a processing process. can be

자동 툴 교체 장치(160)는 노치 가공 장치(130)의 노치휠(131)이 이상이 있거나 노후된 경우 노치휠(131)을 자동으로 교체하는 기능을 수행한다. 일 실시예로서, 자동 툴 교체 장치(160)는 제어부(150)에 의해 제어되며, 노치 가공 장치(130)의 노치휠(131)의 가공 횟수가 사전에 설정된 기준을 초과하는 경우, 노치휠(131)을 교체할 수 있다. The automatic tool replacement device 160 performs a function of automatically replacing the notch wheel 131 when the notch wheel 131 of the notch processing device 130 is abnormal or old. As an embodiment, the automatic tool changing device 160 is controlled by the control unit 150, and when the number of machining of the notch wheel 131 of the notch processing device 130 exceeds a preset criterion, the notch wheel ( 131) can be replaced.

다른 실시예로서, 자동 툴 교체 장치(160)는 노치휠(131)의 상태를 확인하는 검사 장치(170, 도 2 참조)와 연계하여, 가공 전 또는 가공 후 검사 장치(170)가 노치휠(131)의 상태를 확인하고, 노치휠(131)의 상태에 따라 자동으로 노치휠(131)을 교체할 수 있다. As another embodiment, the automatic tool changing device 160 is linked to the inspection device 170 (see FIG. 2 ) for checking the state of the notch wheel 131, and the inspection device 170 before or after machining the notch wheel ( 131 ), and the notch wheel 131 may be automatically replaced according to the state of the notch wheel 131 .

*또는, 자동 툴 교체 장치(160)는 사전에 설정된 가공 횟수를 초과하는 경우 노치휠(131)을 교체하는 것으로 설정하되, 검사 장치(170)를 통해 주기적으로 검사하여 사전에 설정된 가공 횟수 전이라도 문제가 있는 경우 바로 노치휠(131)을 교체할 수도 있다. *Or, the automatic tool replacement device 160 is set to replace the notch wheel 131 when the number of machining exceeds a preset number, but is periodically inspected through the inspection device 170 even before the preset number of machining If there is a problem, the notch wheel 131 may be replaced immediately.

자동 툴 교체 장치(160)를 이용한 자동 툴 교체 방법은 먼저, 노치 가공 장치(130)에 기존 노치휠(131)의 장착여부를 확인하고 장착되어 있는 경우 기존 노치휠(131)을 제거할 수 있다. 이때, 노치 가공 장치(130)는 노치휠 수거함(미도시)으로 이동하여 노치휠 수거함(미도시)으로 노치휠(131)을 버림으로써, 기존 노치휠(131)을 제거할 수 있다. In the automatic tool replacement method using the automatic tool replacement device 160 , first, it is checked whether the existing notch wheel 131 is installed in the notch processing device 130 , and if mounted, the existing notch wheel 131 can be removed. . At this time, the notch processing apparatus 130 moves to the notch wheel collection box (not shown) and discards the notch wheel 131 to the notch wheel collection box (not shown), thereby removing the existing notch wheel 131 .

이때, 노치 가공 장치(130)에는 노치휠(131) 장착 여부를 감지하는 센서(미도시)를 더 포함하여, 기존 노치휠(131)의 제거 여부를 감지할 수 있다. In this case, the notch processing apparatus 130 may further include a sensor (not shown) for detecting whether the notch wheel 131 is mounted, and detect whether the existing notch wheel 131 is removed.

이후, 자동 툴 교체 장치(160)는 신규 노치휠(N131)이 노치 가공 장치(130)의 진입 위치에 대응되도록 카세트를 회전할 수 있다. 다시 말해, 자동 툴 교체 장치(160)는 신규 노치휠(N131)들이 수용된 휠 카세트를 회전시켜, 교체할 노치휠(N131)이 노치 가공 장치(130)의 일방향(x방향)과 동일 선상의 위치시킬 수 있다. Thereafter, the automatic tool changing device 160 may rotate the cassette so that the new notch wheel N131 corresponds to the entry position of the notch processing device 130 . In other words, the automatic tool replacement device 160 rotates the wheel cassette in which the new notch wheels N131 are accommodated, so that the notch wheel N131 to be replaced is positioned on the same line as the one direction (x direction) of the notch processing device 130 . can do it

이후, 노치 가공 장치(130)는 교체할 노치휠(N131)의 상부로 이동하여 신규 노치휠(N131)을 장착할 수 있다. Thereafter, the notch processing apparatus 130 may move to the upper part of the notch wheel N131 to be replaced and mount the new notch wheel N131.

자동 툴 교체 장치(160)는 도시하지 않았지만, 교체된 노치휠(N131)이 제대로 장착되었는지 확인하기 위한 체크 센서를 더 포함할 수 있다. 체크 센서(미도시)는 터치 센서일 수 있으며, 노치 가공 장치(130)가 하방으로 이동하여 노치휠(N131)의 일단이 접촉되면, 이를 감지하여 노치휠(N131)의 장착 높이를 측정할 수 있다. Although not shown, the automatic tool replacement device 160 may further include a check sensor for confirming whether the replaced notch wheel N131 is properly mounted. The check sensor (not shown) may be a touch sensor, and when the notch processing device 130 moves downward and one end of the notch wheel N131 comes into contact, it is sensed to measure the mounting height of the notch wheel N131. have.

제어부(150)는 체크 센서(미도시)로부터 감지된 노치휠(N131)의 장착 높이를 기준으로 기존 노치휠(131)과의 높이 차이를 보상한 후, 노치부(N)를 가공하도록 제어할 수 있다. 이를 통해, 노치 가공 장치(130)는 자동으로 노치휠을 교체한 후 별도의 티칭(teaching)없이 가공을 바로 수행할 수 있어, 공정 효율을 향상시킬 수 있다. After compensating for the height difference with the existing notch wheel 131 based on the mounting height of the notch wheel N131 detected by the check sensor (not shown), the control unit 150 controls to process the notch part N. can Through this, the notch processing apparatus 130 can perform processing immediately without additional teaching after automatically replacing the notch wheel, thereby improving process efficiency.

여기서, 체크 센서(미도시)는 노치휠의 높이를 감지할 수 있는 수단이면 어떤 센서든 적용이 가능하다. 예를 들면, 체크 센서(미도시)는 노치휠을 향해 레이저를 조사하여 높이를 감지하는 레이저 센서일 수도 있고, 영상을 통해 높이를 감지하는 비젼 센서일 수도 있다. Here, as long as the check sensor (not shown) is a means capable of detecting the height of the notch wheel, any sensor may be applied. For example, the check sensor (not shown) may be a laser sensor that detects the height by irradiating a laser toward the notch wheel, or a vision sensor that detects the height through an image.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 검사 장치(170)를 설명하기 위한 도면이다. 12 is a view for explaining the inspection apparatus 170 according to an embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 검사 장치(170)는 노치 가공 장치(130) 또는 에지 가공 장치(140)의 가공 전 또는 후에, 노치휠(131) 또는 에지휠(141)의 상태를 확인하는 기능을 수행한다. 이하에서는 설명의 편의를 위해, 도면에 도시된 바와 같이 검사 장치(170)가 에지 가공 장치(140)의 상태를 확인하는 경우를 중심으로 설명하기로 한다. 12 , the inspection device 170 performs a function of checking the state of the notch wheel 131 or the edge wheel 141 before or after the processing of the notch processing device 130 or the edge processing device 140 . do. Hereinafter, for convenience of description, a case in which the inspection apparatus 170 checks the state of the edge processing apparatus 140 as shown in the drawings will be mainly described.

검사 장치(170)는 에지휠(141)을 향하여 광을 조사하는 광원부(171)와, 상기 광원부(171)에 대향되게 배치되어 에지휠(141)의 상태를 촬영하는 촬상부(173)를 포함할 수 있다. The inspection device 170 includes a light source unit 171 for irradiating light toward the edge wheel 141, and an imaging unit 173 disposed opposite to the light source unit 171 to photograph the state of the edge wheel 141. can do.

광원부(171)는 에지 가공 장치(140)의 에지휠(141)로 광을 방출하고, 촬상부(173)는 에지휠(141)에서 반사된 광을 촬상할 수 있다. 촬상부(173)는 광원부(171)에 대향되게 배치되고, 에지휠(141)에 조사된 광을 촬영하게 되는데, 에지휠(141)에 대응되는 부분은 에지휠(141)에 가려져 어둡게 촬영되고, 나머지 부분은 밝게 촬영될 수 있다. The light source unit 171 may emit light to the edge wheel 141 of the edge processing apparatus 140 , and the imaging unit 173 may image the light reflected from the edge wheel 141 . The imaging unit 173 is disposed opposite to the light source unit 171 , and takes the light irradiated to the edge wheel 141 , and a portion corresponding to the edge wheel 141 is covered by the edge wheel 141 and is photographed darkly. , the rest can be photographed brightly.

이를 통해, 촬상부(173)를 통해 촬영된 영상은 명암에 의해 에지휠(141) 가장자리가 검출되며, 영상을 통해 에지휠(141)의 상태를 확인할 수 있다. 웨이퍼 가공 시스템(10)은 에지휠(141)의 상태에 따라 에지휠(141)의 교체 가부를 결정할 수 있다. 웨이퍼 가공 시스템(10)은 에지휠(141)이 마모되거나 이상이 있는 경우, 에지휠(141)을 자동으로 교체하거나 작업자에게 알림으로 안내할 수 있다. Through this, in the image captured by the imaging unit 173, the edge of the edge wheel 141 is detected by contrast, and the state of the edge wheel 141 can be checked through the image. The wafer processing system 10 may determine whether to replace the edge wheel 141 according to the state of the edge wheel 141 . When the edge wheel 141 is worn or there is an abnormality, the wafer processing system 10 may automatically replace the edge wheel 141 or inform the operator as a notification.

전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 방법은 백그라인딩 공정 전 웨이퍼(W)의 노치부(N)를 가공하여, 백 그라인딩 공정 중 발생하는 웨이퍼(W)의 손상을 방지할 수 있다. As described above, the wafer processing method according to an embodiment of the present invention processes the notch portion N of the wafer W before the back grinding process to prevent damage to the wafer W occurring during the back grinding process. can

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 방법은 노치부 가공 중 노치휠(131)의 중심이 웨이퍼(W)의 외부에 배치되도록 함으로써, 안정적이고 정교한 노치부 가공을 수행할 수 있다. In addition, the wafer processing method according to an embodiment of the present invention allows the center of the notch wheel 131 to be disposed on the outside of the wafer W during notch processing, thereby performing stable and sophisticated notch processing.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 방법은 웨이퍼(W)의 노치부(N)에 경사면을 형성하고, 이를 후 공정에서 얼라인 마크로 활용함으로써 인식 오류를 방지할 수 있다. In addition, in the wafer processing method according to an embodiment of the present invention, a recognition error can be prevented by forming an inclined surface in the notch portion N of the wafer W and using it as an alignment mark in a subsequent process.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As such, the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, but this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and variations of the embodiments are possible therefrom. Accordingly, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10 : 웨이퍼 가공 장치
110 : 이송 장치
120 : 정렬 장치
130 : 노치 가공 장치
140 : 에지 가공 장치
150 : 제어부
160 : 자동 툴 교체 장치
170 : 검사 장치
180 : 세정 장치10: wafer processing device
110: transfer device
120: alignment device
130: notch processing device
140: edge processing device
150: control unit
160: automatic tool changing device
170: inspection device
180: cleaning device

Claims

Preparing a wafer with a notch on one side; and
Using a notch wheel to process the notch portion so that a predetermined region of the notch portion has a first region having a first thickness and a second region having a second thickness different from the first thickness;
The second region is a wafer processing method, wherein the second thickness is constant or at least partially provided with an inclined surface in which the second thickness varies.

a support table for seating a wafer having a notch formed on one side; and
The notch is disposed at one end of the spindle and the spindle rotates about the rotation axis so that a predetermined region of the notch has a first region having a first thickness and a second region having a second thickness different from the first thickness. A notch processing device including a notch wheel to process; includes,
The second region is provided with an inclined surface in which the second thickness is constant or at least a portion of which the second thickness varies.