KR102457575B1 - 무방향성 전자 강판 및 그의 제조 방법 - Google Patents

무방향성 전자 강판 및 그의 제조 방법 Download PDF

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토모유키 오쿠보
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제이에프이 스틸 가부시키가이샤
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Abstract

실질적으로 Al이 무첨가이고, 또한 Si 및 Mn의 첨가량이 많은 철손이 낮은 무방향성 전자 강판을 제공한다. C: 0.0050% 이하, Si: 2.0% 이상 6.0% 이하, Mn: 1.0% 이상 3.0% 이하, P: 0.20% 이하, S: 0.0050% 이하, N: 0.0050% 이하 및 Al: 0.0050% 이하를 함유하고, 추가로, B: 0.0001% 이상 0.0050% 이하, Nb: 0.0001% 이상 0.0050% 및 V: 0.0005% 이상 0.0500% 이하로부터 선택되는 1종 혹은 2종 이상 함유하고, 잔부 Fe 및 불가피적 불순물의 성분 조성과, 평균 직경 50㎚ 이상 500㎚ 이하인 Si-Mn 질화물의 개수 밀도를 1개/㎛3 이하로 한다.

Description

무방향성 전자 강판 및 그의 제조 방법
본 발명은, 무방향성 전자 강판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
무방향성 전자 강판은, 예를 들면 모터 등의 철심 재료(iron core material)로서 널리 사용되고 있는, 연자성 재료(soft magnetic material)의 일종이다. 최근, 전기 기기의 고효율화가, 세계적인 전력 절감 나아가서는 지구 환경 보전의 동향 속에서 강하게 요망되고 있다. 이 때문에, 무방향성 전자 강판은, 회전기 혹은 중소형 변압기 등의 철심 재료로서 널리 사용되고 있는, 무방향성 전자 강판에 있어서도, 자기 특성의 향상에 대한 요청이 더욱 강해지고 있다. 특히, 회전기의 고효율화가 진전하는 전기 자동차용, 혹은 컴프레서용 모터에 있어서는, 그 경향이 현저하다. 상기의 요구에 대응하기 위해, 종래는, Si나 Al 등의 합금 원소의 첨가, 판두께의 저감, 표면 상태의 제어, 석출물의 제어에 의한 입성장성(grain growth) 향상 등에 의해, 저철손화를 도모해 왔다.
예를 들면, 특허문헌 1에는, Si를 1.0% 이상, Al을 0.7% 이상 첨가하고, 냉간 압연 후의 강판 표면의 조도, 마무리 어닐링의 분위기의 수소-수증기의 분압비를 제어함으로써, 강판 표층의 Al 산화물층이 감소하고, 철손(iron loss)이 저감하는 것이 개시되어 있다.
그런데, 최근, 모터의 리사이클을 도모하는 관점에서, 사용이 완료된 모터 코어를 용해하여, 주물로서 모터틀 등으로 재이용하고자 하는 움직임이 있다. 특허문헌 1에 개시된 전자 강판은, Al이 첨가되어 있기 때문에, 이를 재이용하면, 주입(casting) 시의 용강 점도가 증대하고, 수축공(shrinkage cavity)이 생긴다는 문제가 있다. 그 때문에, 모터 코어를 주물선(pig iron for casting)으로서 리사이클하는 경우에는, Al은 실질적으로 무첨가인 것이 바람직하다.
실질적으로 Al이 무첨가인, 철손이 우수한 무방향성 전자 강판의 제작 방법으로서는, 특허문헌 2에 개시된 기술이 있다. 이는, Si: 0.01∼1%, Mn: 1.5% 이하를 첨가하고, 예비 탈산에 있어서의 용존 산소량을 적절히 조정함으로써, SiO2-MnO-Al2O3계 개재물이 비연성화하고, 마무리 어닐링에 있어서의 입성장성이 향상한다는 기술이다. 이 기술에서 적용하고 있는 Si 및 Mn의 첨가량은 비교적 적고, Si 및/또는 Mn의 첨가량 증가에 의한, 더 한층의 철손 저감이 요망되고 있다.
일본특허 제3490048호 공보 일본특허 제4218136호 공보
본 발명은, 상기한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 실질적으로 Al이 무첨가 또한 Si 및 Mn의 첨가량이 많은, 철손이 낮은 무방향성 전자 강판과, 당해 무방향성 전자 강판을 용이하게 제조하는 방법을 제안하는 것을 목적으로 한다.
발명자들은, 상기 과제의 해결을 위해 예의 검토를 거듭했다. 그 결과, Al 무첨가강에 Si 및 Mn을 많이 첨가한 강은, 열간 압연 후의 권취 온도를 저하하여 Si-Mn 질화물의 석출을 억제함으로써, 마무리 어닐링 시의 입성장성이 향상하고, 철손을 저감할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 개발하기에 이르렀다.
우선, 본 발명을 개발하는 계기가 된 실험에 대해서 설명한다.
<실험 1>
발명자들은, 철손이 우수한 무방향성 전자 강판을 개발하기 위해, Mn량 증가에 의한 철손 저감 효과에 다시 주목하여, 철손에 미치는 Mn의 영향을 조사했다. 또한, 이하의 성분 조성에 관한 「%」 표시는 특별히 언급하지 않는 한 「질량%」를 의미한다.
C: 0.002%, Si: 2.0%, P: 0.01%, S: 0.002%, Al: 0.001%, N: 0.0015%, B: 0.0005% 및 V: 0.0010%를 함유하는 강 조성을 베이스로 하고, 이들에 Mn을 0.5∼3.0%의 범위에서 변화시켜 첨가한, 여러 가지의 강괴(steel ingots)를 공시재로 했다. 이들의 공시재를 열간 압연하여 판두께 2.0㎜의 열연판으로 했다. 그때, 열간 압연 후의 냉각은, 800℃∼650℃의 사이의 평균 냉각 속도를 35℃/s로 하여 행했다. 이어서, 650℃의 온도에서 권취 처리를 실시한 후, 1000℃×10s의 열연판 어닐링을 실시했다. 또한, 열연판 어닐링 후의 800∼650℃의 사이의 평균 냉각 속도는 35℃/s로 했다. 그 후, 냉간 압연하여 판두께 0.25㎜의 냉연판으로 하고, 마지막으로, 20vol%H2-80vol%N2 분위기하에서 1000℃×10s의 마무리 어닐링을 실시했다. 이렇게 하여 얻어진 강판의 철손 W15/50을 25㎝ 엡스타인 장치(Epstein device)로 측정했다.
도 1에, 강판 중의 Mn량과 철손 W15/50과의 관계를 나타낸다. 도 1에 나타내는 바와 같이, Mn량이 1.0% 미만에서는 Mn량의 증가에 수반하여 철손이 저하된다는, 종래 인식과 동일한 결과가 얻어졌다. 그러나, Mn량이 1.0% 이상에서는, 동(同) 1.0% 미만에서의 철손의 하강 정도(도면 중의 쇄선)에 따르는 일 없이, Mn량의 증가에 수반하는 철손의 저하는 작아져, 거의 저하하지 않는 것을 새롭게 알 수 있었다. 이 원인을 조사하기 위해, 마무리 어닐링 후의 강판의 단면 마이크로 조직을 광학 현미경으로 관찰한 결과, Mn량이 1.0% 이상인 강판에서는, 결정 입경이 작은 것을 알 수 있었다. 또한, 추출 레플리카법(extraction replica method)을 이용하여 투과형 전자현미경(TEM)으로 강판의 석출물 관찰을 행한 결과, Mn량이 1.0% 이상인 강판에서는, 미세한 Si-Mn 질화물이 다수 확인되었다.
또한, 본 발명에 있어서의 Si-Mn 질화물이란, EDS(에너지 분산형 X선 분석: Energy dispersive X-ray spectrometry)에 의해 얻어지는 원자수비에서, Si 및 Mn의 비율의 합계가 10% 이상 및 N의 비율이 5% 이상이 되는, 석출물로 한다. 여기에서, Mn량이 1.0% 이상인 강판에 있어서, 상기에 따라 특정되는 상기의 미세한 Si-Mn 질화물에 대해서, 자벽 이동(domain wall displacement)에 큰 영향을 미치는, 평균 직경이 50㎚∼500㎚인 개수를 특정했다.
여기에서, 상기 석출물 관찰의 결과에 대해서, 도 2에, Mn량과 평균 직경 50㎚∼500㎚의 Si-Mn 질화물의 개수 밀도와의 관계를 나타낸다. Mn량 1.0% 이상에서는, Si-Mn 질화물의 개수 밀도가 1개/㎛3를 초과하고 있는 것을 알 수 있었다. 이 점에서, 철손이 증가한 이유는, Si-Mn 질화물의 개수 밀도의 증가에 수반하는 입성장성의 저하에 의해, 히스테리시스 손(hysteresis loss)이 증가했기 때문이라고 생각된다.
<실험 2>
Mn량이 1.0% 이상인 고Mn 강에 있어서, 철손에 미치는 열연판의 권취 온도의 영향을 조사했다. 즉, C: 0.002%, Si: 2.0%, Mn: 2.0%, P: 0.02%, S: 0.002%, Al: 0.001%, N: 0.0015% 및 Nb: 0.0005%를 함유하는 강괴를 공시재로 했다. 이 공시재를 열간 압연하여 판두께 2.0㎜의 열연판으로 했다. 그때, 열간 압연 후의 냉각은 800℃∼650℃의 사이의 평균 냉각 속도를 35℃/s로 했다. 이어서, 500∼700℃의 온도에서 권취 처리를 실시한 후, 1000℃×10s의 열연판 어닐링을 실시했다. 또한, 열연판 어닐링 후의 800∼650℃의 사이의 평균 냉각 속도는 35℃/s로 했다. 그 후, 냉간 압연하여 판두께 0.25㎜의 냉연판으로 하고, 마지막으로, 20vol%H2-80vol%N2 분위기하에서 1000℃×10s의 마무리 어닐링을 실시했다. 이렇게 하여 얻어진 강판의 철손 W15/50을 25㎝ 엡스타인 장치로 측정했다.
열연판의 권취 온도와 철손 W15/50과의 관계를 도 3에 나타낸다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 권취 온도를 650℃ 이하로 하면, 철손이 저감하는 것을 알 수 있었다. 이 원인을 조사하기 위해, 마무리 어닐링 후의 강판의 단면 마이크로 조직의 광학 현미경 관찰을 행한 결과, 권취 처리 온도를 650℃ 이하로 하면, 마무리 어닐링 후의 강판의 결정 입경이 커지는 결과, 철손이 저감하는 것을 알 수 있었다.
다음으로, 추출 레플리카법을 이용하여 TEM으로 마무리 어닐링판의 석출물의 관찰을 행했다. 도 4에 열연판의 권취 온도와 평균 직경 50㎚∼500㎚의 Si-Mn 질화물의 개수 밀도와의 관계를 나타낸다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 권취 온도를 650℃ 이하로 하면, Si-Mn 질화물이 1개/㎛3 이하로 감소하는 것을 알 수 있다.
이상과 같이, 권취 온도를 650℃ 이하로 하면, Mn량이 1.0% 이상인 경우에 있어도 권취 처리 중의 Si-Mn 질화물의 석출이 억제되어, 마무리 어닐링에 있어서의 입성장성을 향상할 수 있는 것을 알 수 있었다. 여기에서, 권취 온도를 650℃ 이하로 하면, Si-Mn 질화물의 석출이 억제되는 이유는 분명하지 않지만, 권취 온도를 저하함으로써 Si 및 Mn의 확산이 충분히 일어나지 않고, Si-Mn 질화물의 석출이 억제되었기 때문이라고 생각된다.
이들 결과로부터, 실질적으로 Al 무첨가이고, Si 및 Mn을 많이 첨가한 강은, 열간 압연 후의 권취 온도를 적절한 조건으로 함으로써, Si-Mn 질화물의 석출이 억제되어, 철손이 저감하는 것을 알 수 있었다.
본 발명은, 상기의 신규인 인식에 기초하여 개발한 것이다. 즉, 본 발명의 요지 구성은, 다음과 같다.
1. 질량%로,
C: 0.0050% 이하,
Si: 2.0% 이상 6.0% 이하,
Mn: 1.0% 이상 3.0% 이하,
P: 0.20% 이하,
S: 0.0050% 이하,
N: 0.0050% 이하 및
Al: 0.0050% 이하
를 함유하고, 추가로,
B: 0.0001% 이상 0.0050% 이하,
Nb: 0.0001% 이상 0.0050% 이하 및
V: 0.0005% 이상 0.0500% 이하
로부터 선택되는 1종 이상을 함유하고, 잔부 Fe 및 불가피적 불순물의 성분 조성을 갖고, 평균 직경 50㎚ 이상 500㎚ 이하인 Si-Mn 질화물의 개수 밀도가 1개/㎛3 이하인 무방향성 전자 강판.
2. 상기 성분 조성은, 추가로, 질량%로,
Sn: 0.01% 이상 0.50% 이하 및
Sb: 0.01% 이상 0.50% 이하
로부터 선택되는 1종 또는 2종을 함유하는 상기 1에 기재된 무방향성 전자 강판.
3. 상기 성분 조성은, 추가로, 질량%로,
Ca: 0.0001% 이상 0.0300% 이하,
Mg: 0.0001% 이상 0.0300% 이하 및
REM: 0.0001% 이상 0.0300% 이하
로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 상기 1 또는 2에 기재된 무방향성 전자 강판.
4. 상기 성분 조성은, 추가로, 질량%로,
Ni: 0.01% 이상 5.00% 이하 및
Co: 0.01% 이상 5.00% 이하
로부터 선택되는 1종 또는 2종을 함유하는 상기 1, 2 또는 3에 기재된 무방향성 전자 강판.
5. 상기 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 성분 조성을 갖는 슬래브를 열간 압연하여 열연판으로 하는 열간 압연 공정과, 당해 열연판을 코일로 권취하는 권취 공정과, 1회 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회의 냉간 압연을 행하여 냉연판으로 하는 냉간 압연 공정과, 당해 냉연판에 마무리 어닐링을 행하는 마무리 어닐링 공정을 갖고,
상기 열간 압연 후의 열연판에 800℃ 이하 650℃ 이상의 사이의 평균 냉각 속도가 30℃/s 이상인 냉각을 실시하고 나서, 상기 권취를 650℃ 이하에서 행하는 무방향성 전자 강판의 제조 방법.
6. 상기 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 성분 조성을 갖는 슬래브를 열간 압연하여 열연판으로 하는 열간 압연 공정과, 당해 열연판을 코일로 권취하는 권취 공정과, 열연판 어닐링을 실시한 후, 1회 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회의 냉간 압연을 행하여 냉연판으로 하는 냉간 압연 공정과, 당해 냉연판에 마무리 어닐링을 행하는 마무리 어닐링 공정을 갖고,
상기 열간 압연 후의 열연판에 800℃ 이하 650℃ 이상의 사이의 평균 냉각 속도가 30℃/s 이상인 냉각을 실시하고 나서, 상기 권취를 650℃ 이하에서 행하고,
상기 열연판 어닐링 후에 800℃ 이하 650℃ 이상의 사이의 평균 냉각 속도가 30℃/s 이상인 냉각을 실시하는 무방향성 전자 강판의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 실질적으로 Al이 무첨가이면서, Si 및 Mn의 첨가량을 많게 함으로써 저철손을 실현한 무방향성 전자 강판을 제공할 수 있다.
도 1은 Mn량과 철손 W15/50과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 2는 Mn량과 평균 직경 50㎚ 이상 500㎚ 이하인 Si-Mn 질화물의 개수 밀도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3은 열연판의 권취 온도와 철손 W15/50과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 열연판의 권취 온도와 평균 직경 50㎚ 이상 500㎚ 이하인 Si-Mn 질화물의 개수 밀도와의 관계를 나타내는 그래프이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
다음으로, 본 발명의 무방향성 전자 강판에 있어서의 성분 조성에 대해서 설명한다.
C: 0.0050% 이하
C는, 제품판에 있어서의 자기 시효를 일으키기 때문에 0.0050% 이하로 제한한다. 바람직하게는, 0.0040% 이하이다. 한편, C를 0.0005% 미만으로 억제하려면, 다대한 제조 비용을 필요로 하기 때문에, 비용면에서는 C량을 0.0005% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
Si: 2.0% 이상 6.0% 이하,
Si는, 강의 고유 저항을 높여 철손을 저감하는 데에 유효한 원소이기 때문에, 2.0% 이상으로 적극적으로 첨가한다. 단, 과잉으로 첨가하면 현저하게 취화하여 냉간 압연하는 것이 곤란해지기 때문에, 상한은 6.0%로 한다. 바람직하게는 2.5% 이상 4.0% 이하의 범위이다.
Mn: 1.0% 이상 3.0% 이하
Mn은, 강의 고유 저항을 높여 철손을 저감하는 데에 유효한 원소이기 때문에, 1.0% 이상으로 적극적으로 첨가한다. 그러나, 3.0%를 초과하면 냉간 압연성이 저하하거나, 자속 밀도의 저하를 초래하거나 하기 때문에, 상한은 3.0%로 한다. 바람직하게는 1.0% 이상 2.0% 이하의 범위이다. 보다 바람직하게는, 1.2% 이상, 더욱 바람직하게는 1.4% 이상이다.
P: 0.20% 이하
P는, 고용강화능(能)이 우수하기 때문에, 경도 조정 및 펀칭 가공성의 개선에 유효한 원소이다. P 함유량이 0.20%를 초과하면, 취화가 현저해지기 때문에, 상한은 0.20%로 한다. 바람직하게는 0.050% 이하이다. 한편, P를 0.0005% 미만으로 억제하려면, 다대한 제조 비용을 필요로 하기 때문에, 비용면에서는 P량을 0.0005% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
S: 0.0050% 이하
S는, 황화물을 생성하여 철손을 증가시키는 유해한 원소이기 때문에, 상한을 0.0050%로 한다. 바람직하게는 0.0040% 이하이다. 한편, S를 0.0001% 미만으로 억제하려면, 다대한 제조 비용을 필요로 하기 때문에, 비용면에서는 S량을 0.0001% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
N: 0.0050% 이하
N은, 상기한 바와 같이 Si-Mn 질화물을 생성하고, 철손을 증가시키는 유해한 원소이기 때문에, 상한을 0.0050%로 한다. 바람직하게는 0.0030% 이하, 더욱 바람직하게는 0.0015% 이하이다. 한편, N을 0.0001% 미만으로 억제하려면, 다대한 제조 비용을 필요로 하기 때문에, 비용면에서는 N량을 0.0001% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
Al: 0.0050% 이하
Al은, 리사이클의 관점에서 실질 무첨가인 것이 바람직하고, 또한, 미량으로 존재하면, 미세한 AlN을 형성하여 입성장을 저해하고, 자기 특성을 해치기 때문에, 상한을 0.0050%로 한다. 바람직하게는 0.0030% 이하이다. 또한, 상기의 Al이 실질 무첨가라는 것은, Al량이 제로인 경우를 포함하고, 불가피 혼입분을 허용하는 범위에서 Al이 존재하는 것을 의미한다.
Sn, Sb: 0.01% 이상 0.50% 이하
Sn 및 Sb는, 집합 조직을 개선하기 때문에, 자속 밀도 향상에 유효한 원소이다. 양 원소 모두, 0.01% 이상 첨가하지 않으면 효과가 없지만, 0.50%를 초과하여 첨가해도, 상기 효과가 포화한다. 따라서, Sn 및 Sb는 각각 0.01% 이상 0.50% 이하의 범위로 한다. 바람직하게는, 0.03% 이상 0.50% 이하의 범위이다.
Ca, Mg, REM: 0.0001% 이상 0.0300% 이하
Ca, Mg 및 REM은, 모두 S를 고정하고, 황화물의 미세 석출을 억제하기 때문에, 철손 저감에 유효한 원소이다. 어느 원소도 0.0001% 이상 첨가하지 않으면 효과가 없지만, 0.0300%를 초과하여 첨가해도, 상기 효과는 포화한다. 따라서, Ca, Mg 및 REM은 각각 0.0001% 이상 0.0300% 이하의 범위로 한다. 바람직하게는, 0.0020% 이상 0.0300% 이하의 범위이다.
Ni, Co: 0.01% 이상 5.00% 이하
Ni 및 Co는, 강의 고유 저항을 높여 철손을 저감하는 데에 유효한 원소이다. 양 원소 모두, 0.01% 이상 첨가하지 않으면 효과가 없지만, 5.00% 초과하여 첨가하면, 합금 비용이 상승한다. 따라서, Ni 및 Co는 각각 0.01% 이상 5.00% 이하의 범위로 한다. 바람직하게는, 0.05% 이상 5.00% 이하의 범위이다.
B, Nb: 0.0001% 이상 0.0050% 이하 및 V: 0.0005% 이상 0.0500% 이하로부터 선택되는 1종 이상
B, Nb 및 V는, 모두 N을 고정하여, Si-Mn 질화물의 미세 석출을 억제하기 때문에, 철손 저감에 유효한 원소이다. 그러기 위해서는, B 및 Nb는 각각 적어도 0.0001% 이상, V는 0.0005% 이상으로 첨가한다. 한편, B 및 Nb는 0.0050%를 초과하고, V는 0.0500%를 초과하면, 마무리 어닐링의 가열 시에 고용되지 않아, 입성장을 방해하게 된다. 따라서, B 및 Nb는 각각 0.0001% 이상 0.0050% 이하의 범위로, 그리고 V는 0.0005% 이상 0.0500% 이하의 범위로 한다. 바람직하게는, B 및 Nb가 각각 0.0010% 이상 0.0040% 이하, 그리고 V가 0.0010% 이상 0.0200% 이하의 범위이다.
본 발명의 무방향성 전자 강판은, 상기 성분 이외의 잔부는, Fe 및 불가피적 불순물이다. 단, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내이면, 다른 성분의 함유를 거부하는 것은 아니다.
본 발명에서는, 전술한 바와 같이, 자벽 이동에 큰 영향을 미치는 크기인, 강판 내에 있어서의 평균 직경 50㎚ 이상 500㎚ 이하인 Si-Mn 질화물의 개수 밀도를 1개/㎛3 이하로 억제하는 것이 간요하다. 개수 밀도가 1개/㎛3를 초과하면, 마무리 어닐링판의 철손이 충분히 저감하지 않는다. 바람직하게는, 0.8개/㎛3 이하, 보다 바람직하게는, 0.7개/㎛3 이하이다. 물론, 0개/㎛3라도 좋다.
여기에서, Si-Mn 질화물은, 상기한 바와 같이 추출 레플리카법을 이용하여 TEM으로 관찰한다. 그때, Si-Mn 질화물의 직경 및 수가 치우치지 않는 정도의 시야에서 계측한다. 구체적으로는, 10000배 이상의 시야에서 1000㎛2의 범위의 관찰을 행하는 것이 바람직하다. 이 관찰에 있어서, 자벽 이동에 큰 영향을 미치는 직경 50㎚ 이상 500㎚ 이하인 Si-Mn 질화물을 대상으로 하고, 형상이 등방적이지 않은 것에 대해서는 각각의 질화물의 장경과 단경의 합을 2로 나눈 값을 그 Si-Mn 질화물의 직경으로 한다. Si-Mn 질화물의 개수 밀도는, 레플리카 제작 과정에 있어서의 전해 공정에서 시료 표면을 통전한 전체 전하가, Fe의 2가 이온에 전해되는 데에 소비되어, 전해 시에 잔재로서 남는 석출물이 모두 레플리카 상에 포착되는 것으로 하여 계산한다. 본 발명자들의 통상의 레플리카 제작에 있어서는 시료 표면적에 있어서 3C/㎠의 전기량으로 전해를 행하기 때문에, 시료 표면으로부터 약 1.1㎛의 두께 내에 있는 석출물이 레플리카 상에서 관찰된다.
다음으로, 본 발명의 무방향성 전자 강판의 제조 방법에 대해서 서술한다.
본 발명의 무방향성 전자 강판은, 그 제조에 이용하는 강 소재로서, 상기한 성분 조성을 갖는 것을 이용하고, 또한 열간 압연 후의 냉각 조건 및 권취 온도가 규정의 범위 내이면, 공지의 무방향성 전자 강판의 제조 방법을 이용하여 제조할 수 있다. 예를 들면, 전로(converter) 혹은 전기로(electric heating furnace) 등의 정련 프로세스에서 상기 소정의 성분 조성으로 조정한 강을 용제하고, 탈가스 설비 등으로 2차 정련하고, 연속 주조하여 강 슬래브로 한 후, 열간 압연하고, 필요에 따라서 열연판 어닐링한 후, 산 세정하고, 냉간 압연하여, 마무리 어닐링하고, 추가로 변형 제거 어닐링하는 방법을 채용할 수 있다.
상기 열간 압연을 실시한 열연판의 판두께는, 1.0㎜ 내지 5.0㎜로 하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 열연판의 판두께가 1.0㎜ 미만에서는 열간 압연에서의 압연 트러블이 증가하고, 한편, 5.0㎜ 초과에서는, 다음 공정의 냉연 압하율이 지나치게 높아져, 집합 조직이 열화하기 때문이다.
여기에서, 열간 압연 후의 냉각은 800℃ 이하 650℃ 이상의 사이의 평균 냉각 속도를 30℃/s 이상으로 하는 것이 간요하다. 왜냐하면, 평균 냉각 속도가 30℃/s 미만인 경우, 열간 압연 후의 냉각 중에 Si-Mn 질화물이 많이 석출되어, 철손이 증가하기 때문이다. 한편, 냉각 왜곡에 의한 변형을 억제하는 관점에서는, 800℃ 이하 650℃ 이상의 사이의 평균 냉각 속도를 300℃/s 이하로 하는 것이 바람직하다.
열간 압연 후의 평균 냉각 속도를 높이려면, 예를 들면, 수온을 30℃ 이하로 한 냉각수를 열간 압연 후의 런 아웃 테이블(run out table) 상에서 강판에 분무하는 등의 방법이 있다. 추가로 냉각 속도를 높이기 위해서는, 강판 상에서 수막을 만들지 않도록, 냉각수의 분무 방향이 상이한 노즐을 열연판의 폭 방향으로 번갈아 배치하는 것이 바람직하다.
상기의 냉각을 실시한 열연판은, 코일로 권취하지만, 이 코일로 하는 권취 온도는 650℃ 이하로 할 필요가 있다. 이 권취 온도는, 600℃ 이하로 하면 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 550℃ 이하이다. 왜냐하면, 권취 온도의 저하에 수반하여 Si-Mn 질화물의 석출이 저하하고, 특히 550℃ 이하가 되면 석출이 거의 확인되지 않게 되기 때문이다. 한편, 300℃ 미만에서는 질화물의 석출량은 변하지 않게 되어, 설비 능력이 과잉이 되는 점에서 권취 온도를 300℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 열연판에는, 필요에 따라서 열연판 어닐링을 실시해도 좋다. 단, 열연판 어닐링을 실시하지 않는 쪽이 본 발명의 효과는 현저하게 나타난다. 열연판 어닐링에 의해 Si-Mn 질화물이 열연판 어닐링 후의 냉각 과정에서 석출되기 쉽기 때문이다. 또한, 열연판 어닐링을 실시하는 경우, 균열 온도(soaking temperature)는 900℃ 내지 1200℃의 범위로 하는 것이 바람직하다. 즉, 균열 온도가 900℃ 미만이면, 열연판 어닐링의 효과가 충분히 얻어지지 않기 때문에, 자기 특성이 향상하지 않고, 한편, 1200℃를 초과하면, 비용적으로 불리해지는 것 외에, 스케일(scale) 기인의 표면흠이 발생한다. 열연판 어닐링 후는 Si-Mn 질화물의 석출을 억제하기 위해, 상기한 바와 같이, 800℃ 이하 650℃ 이상의 사이의 냉각 속도를 30℃/s 이상으로 하는 냉각을 실시한다.
다음으로, 열연판 혹은 열연 어닐링판의 냉간 압연은, 1회 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회 이상으로 하는 것이 바람직하다. 특히, 최종의 냉간 압연으로서, 판 온도가 200℃ 정도의 온도에서 압연하는 온간 압연으로 하는 것은, 자속 밀도를 향상하는 효과가 큰 점에서, 설비상이나 생산 제약상, 혹은 비용적으로 문제가 없으면, 온간 압연으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 냉연판의 판두께(최종 판두께)는, 0.1㎜ 내지 0.5㎜의 범위로 하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 0.1㎜ 미만에서는, 생산성이 저하하고, 한편, 0.5㎜ 초과에서는 철손의 저감 효과가 작기 때문이다.
상기 최종 판두께로 한 냉연판에 실시하는 마무리 어닐링은, 연속 어닐링로에서, 700℃ 내지 1200℃의 온도에서, 1초 내지 300초 사이에서 균열하는 것이 바람직하다. 균열 온도가 700℃ 미만에서는, 재결정이 충분히 진행되지 않고 양호한 자기 특성이 얻어지지 않는 것에 더하여, 연속 어닐링에 있어서의 판 형상의 교정 효과가 충분히 얻어지지 않는다. 한편, 1200℃를 초과하면, 결정립이 조대화(coarsen)하고, 인성이 저하하기 때문이다. 또한, 균열 시간이 1초 미만에서는 결정 입경의 제어가 어려워지고, 300초를 초과하면, 생산성이 저하하기 때문이다.
상기 마무리 어닐링 후의 강판은, 그 후, 층간 저항을 높여 철손을 저감하기 위해, 강판 표면에 절연 피막을 피성하는 것이 바람직하다. 특히, 양호한 펀칭성을 확보하고 싶은 경우에는, 수지를 함유하는 반유기의 절연 피막을 적용하는 것이 바람직하다.
절연 피막을 피성한 무방향성 전자 강판은, 유저(user)에 있어서, 추가로 변형 제거 어닐링을 실시하고 나서 사용해도 좋고, 변형 제거 어닐링을 실시하지 않고 그대로 사용해도 좋다. 또한, 유저에 있어서 펀칭 가공을 실시한 후에, 변형 제거 어닐링을 실시해도 좋다. 또한, 상기 변형 제거 어닐링은, 750℃×2시간 정도의 조건에서 행하는 것이 일반적이다.
실시예 1
전로-진공 탈가스 처리의 정련 프로세스에서, 표 1에 나타내는 성분 조성을 갖는 No.1∼57, 59∼73의 강을 용제하고, 연속 주조법으로 슬래브로 한 후, 슬래브를 1140℃에서 1시간 가열하여 판두께 2.0㎜까지 열간 압연을 행하고, 표 2에 나타내는 조건에서 열간 압연 후의 냉각 및 권취 처리를 행했다. 계속해서, 상기 열연판에, 1000℃×30초의 열연판 어닐링을 실시한 후, 당해 강판을 산 세정하고, 판두께 0.25㎜까지 냉간 압연을 행했다. 또한, 열연판 어닐링 후의 800∼650℃의 평균 냉각 속도는 32℃/s로 했다. 그 후, 20vol%H2-80vol%N2 분위기하에서 1000℃×10s의 마무리 어닐링을 실시하고, 강판에 절연 피막을 도포하여 무방향성 전자 강판으로 했다. 마지막으로, 철손 W15/50을 30㎜×280㎜의 엡스타인 시험편을 이용하여 25㎝ 엡스타인 장치로 평가하고, 추가로 마무리 어닐링판의 Si-Mn 질화물의 개수 밀도를, 추출 레플리카법을 이용하여 TEM으로 측정했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, Si-Mn 질화물의 개수 밀도는, 10000배로 1000㎛2의 범위의 시야를 관찰했을 때에 존재하고 있던 Si-Mn 질화물의 개수로부터 산출했다.
표 2로부터, 강 소재의 성분 조성과 권취 처리 조건을 본 발명의 범위로 제어함으로써, 철손이 우수한 무방향성 전자 강판이 용이하게 얻어지는 것을 알 수 있다.
Figure 112022072414691-pct00008
Figure 112022072414691-pct00009
실시예 2
전로-진공 탈가스 처리의 정련 프로세스에서, 표 1에서 제조한 No.1∼57, 59∼73의 슬래브를, 열연판 어닐링을 하지 않고, 그 외에는 실시예 1과 동일한 처리를 실시하여 무방향성 전자 강판으로 했다. 마지막으로, 철손 W15/50을 30㎜×280㎜의 엡스타인 시험편을 이용하여 25㎝ 엡스타인 장치로 평가하고, 추가로 마무리 어닐링판의 Si-Mn 질화물의 개수 밀도를, 실시예 1과 동일한 추출 레플리카법을 이용하여 TEM으로 측정했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
표 3으로부터, 강 소재의 성분 조성과 권취 처리 조건을 본 발명의 범위로 제어함으로써, 철손이 우수한 무방향성 전자 강판이 용이하게 얻어지는 것을 알 수 있다.
Figure 112022072414691-pct00010

Claims (6)

  1. 질량%로,
    C: 0.0050% 이하,
    Si: 2.0% 이상 6.0% 이하,
    Mn: 1.0% 이상 3.0% 이하,
    P: 0.20% 이하,
    S: 0.0050% 이하,
    N: 0.0050% 이하 및
    Al: 0.0050% 이하
    를 함유하고, 추가로,
    B: 0.0001% 이상 0.0050% 이하,
    Nb: 0.0001% 이상 0.0050% 이하 및
    V: 0.0005% 이상 0.0500% 이하
    로부터 선택되는 1종 이상을 함유하고, 잔부 Fe 및 불가피적 불순물의 성분 조성을 갖고, 평균 직경 50㎚ 이상 500㎚ 이하인 Si-Mn 질화물의 개수 밀도가 1개/㎛3 이하인 무방향성 전자 강판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 성분 조성은, 추가로, 질량%로,
    Sn: 0.01% 이상 0.50% 이하 및
    Sb: 0.01% 이상 0.50% 이하
    로부터 선택되는 1종 또는 2종을 함유하는 무방향성 전자 강판.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 성분 조성은, 추가로, 질량%로,
    Ca: 0.0001% 이상 0.0300% 이하,
    Mg: 0.0001% 이상 0.0300% 이하 및
    REM: 0.0001% 이상 0.0300% 이하
    로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 무방향성 전자 강판.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 성분 조성은, 추가로, 질량%로,
    Ni: 0.01% 이상 5.00% 이하 및
    Co: 0.01% 이상 5.00% 이하
    로부터 선택되는 1종 또는 2종을 함유하는 무방향성 전자 강판.
  5. 평균 직경 50㎚ 이상 500㎚ 이하의 Si-Mn 질화물의 개수 밀도가 1개/㎛3이하인 무방향성 전자 강판을 제조하는 방법으로서,
    제1항 또는 제2항에 기재된 성분 조성을 갖는 슬래브를 열간 압연하여 열연판으로 하는 열간 압연 공정과, 당해 열연판을 코일로 권취하는 권취 공정과, 1회 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회의 냉간 압연을 행하여 냉연판으로 하는 냉간 압연 공정과, 당해 냉연판에 마무리 어닐링을 행하는 마무리 어닐링 공정을 갖고,
    상기 열간 압연 후의 열연판에 800℃ 이하 650℃ 이상의 사이의 평균 냉각 속도가 30℃/s 이상인 냉각을 실시하고 나서, 상기 권취를 650℃ 이하에서 행하는 무방향성 전자 강판의 제조 방법.
  6. 평균 직경 50㎚ 이상 500㎚ 이하의 Si-Mn 질화물의 개수 밀도가 1개/㎛3이하인 무방향성 전자 강판을 제조하는 방법으로서,
    제1항 또는 제2항에 기재된 성분 조성을 갖는 슬래브를 열간 압연하여 열연판으로 하는 열간 압연 공정과, 당해 열연판을 코일로 권취하는 권취 공정과, 열연판 어닐링을 실시한 후, 1회 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회의 냉간 압연을 행하여 냉연판으로 하는 냉간 압연 공정과, 당해 냉연판에 마무리 어닐링을 행하는 마무리 어닐링 공정을 갖고,
    상기 열간 압연 후의 열연판에 800℃ 이하 650℃ 이상의 사이의 평균 냉각 속도가 30℃/s 이상인 냉각을 실시하고 나서, 상기 권취를 650℃ 이하에서 행하고,
    상기 열연판 어닐링 후에 800℃ 이하 650℃ 이상의 사이의 평균 냉각 속도가 30℃/s 이상인 냉각을 실시하는 무방향성 전자 강판의 제조 방법.
KR1020207034664A 2018-05-21 2019-05-20 무방향성 전자 강판 및 그의 제조 방법 KR102457575B1 (ko)

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