KR102453043B1 - Organic light emitting display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제2 전극의 저항을 감소시키고, 별도의 마스크 공정을 추가하지 않으면서 패드 전극의 부식 및 금속 전이 현상을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 화소 영역에 구비된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 구비된 유기 발광층, 및 상기 유기 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 제2 전극과 연결되며 상기 제1 전극과 동일한 층에 구비된 보조 전극, 상기 보조 전극과 연결되며 상기 보조 전극 아래에 구비된 보조 배선, 상기 기판의 패드 영역에 구비된 패드, 및 상기 패드와 연결되는 패드 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 패드 전극은 상기 보조 배선과 동일한 재료로 이루어진다. An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display capable of reducing resistance of a second electrode and preventing corrosion and metal transition of a pad electrode without adding a separate mask process.
According to an aspect of the present invention, an organic light emitting display device includes a substrate including a pixel region and a pad region, a thin film transistor provided in the pixel region of the substrate, a first electrode electrically connected to the thin film transistor, and the It comprises an organic light-emitting layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the organic light-emitting layer. In addition, in the organic light emitting display device according to the present invention, an auxiliary electrode connected to the second electrode and provided on the same layer as the first electrode, an auxiliary wire connected to the auxiliary electrode and provided under the auxiliary electrode, and the substrate and a pad provided in the pad region and a pad electrode connected to the pad, wherein the pad electrode is made of the same material as the auxiliary wiring.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME} Organic light emitting display device and manufacturing method thereof

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to a top emission type organic light emitting display device and a method of manufacturing the same.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있어, 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다. An organic light emitting diode display (OLED) is a self-luminous device that has low power consumption, high response speed, high luminous efficiency, high luminance, and a wide viewing angle, and thus is attracting attention as a next-generation flat panel display device.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 유기 발광 소자를 통해 발광된 빛의 투과 방향에 따라 상부 발광 방식(top emission type)과 하부 발광 방식(bottom emission type)으로 나뉜다. 상기 하부 발광 방식은 개구율이 저하되는 문제가 발생되기 때문에, 최근에는 상부 발광 방식이 주로 이용되고 있다. An organic light emitting diode display (OLED) is divided into a top emission type and a bottom emission type according to a transmission direction of light emitted through an organic light emitting device. Since the bottom light emitting method has a problem in that the aperture ratio is lowered, the top light emitting method is mainly used in recent years.

도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional top emission type organic light emitting display device.

종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치는 기판(10), 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(20), 평탄화층(30), 제1 전극(40), 보조 전극(50), 뱅크(60), 유기 발광층(70) 및 제2 전극(80)을 포함하여 이루어진다. A conventional top emission type organic light emitting display device includes a substrate 10 , a thin film transistor T, a passivation layer 20 , a planarization layer 30 , a first electrode 40 , an auxiliary electrode 50 , and a bank 60 . , an organic light emitting layer 70 and a second electrode 80 .

상기 기판(10) 상에는 도면에 도시되지는 않았으나 게이트 라인 및 데이터 라인이 서로 교차하도록 구비되어 화소 영역을 정의하고, 각 화소 영역에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)(T)가 구비되어 있다. Although not shown in the drawing, a gate line and a data line are provided on the substrate 10 to cross each other to define a pixel area, and a thin film transistor T is provided in each pixel area.

상기 패시베이션층(20)은 상기 박막 트랜지스터(T)를 덮으며 상기 기판(10) 전면에 구비되고, 평탄화층(30)은 상기 패시베이션층(20) 전면을 덮는다. The passivation layer 20 covers the thin film transistor T and is provided on the entire surface of the substrate 10 , and the planarization layer 30 covers the entire surface of the passivation layer 20 .

상기 제1 전극(40)은 상기 평탄화층(30) 상에 구비되며, 상기 박막 트랜지스터(T)와 전기적으로 연결되어 있다. 이 경우, 상기 제1 전극(40)은 반사율이 높은 물질 예를 들어, 은합금(Ag alloy)층을 포함할 수 있다.상기 보조 전극(50)은 상기 제1 전극(40)과 동일한 층에 구비된다. 상기 보조 전극(50)은 상기 제2 전극(80)과 연결되어 상기 제2 전극(80)의 저항을 낮춰주는 역할을 한다. The first electrode 40 is provided on the planarization layer 30 and is electrically connected to the thin film transistor T. In this case, the first electrode 40 may include a high reflectance material, for example, an Ag alloy layer. The auxiliary electrode 50 is formed on the same layer as the first electrode 40 . provided The auxiliary electrode 50 is connected to the second electrode 80 and serves to lower the resistance of the second electrode 80 .

상기 뱅크(60)는 각각의 화소 영역의 경계에 구비되어 있다. 상기 뱅크(60)는 상기 제1 전극(40) 및 보조 전극(50) 사이에 구비되어, 상기 제1 전극(40) 및 보조 전극(50)을 절연시킨다. The bank 60 is provided at the boundary of each pixel area. The bank 60 is provided between the first electrode 40 and the auxiliary electrode 50 to insulate the first electrode 40 and the auxiliary electrode 50 .

상기 유기 발광층(70)은 상기 제1 전극(40) 상에 구비된다. The organic emission layer 70 is provided on the first electrode 40 .

상기 제2 전극(80)은 상기 기판(10) 전면에 구비되며, 상기 보조 전극(50)과 연결된다. 상기 제2 전극(80)은 수백 옴스트롱(Å) 이하의 두께로 형성된 금속성 물질로 이루어질 수 있다. The second electrode 80 is provided on the entire surface of the substrate 10 and is connected to the auxiliary electrode 50 . The second electrode 80 may be made of a metallic material formed to a thickness of several hundred angstroms (Å) or less.

이러한 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치에서는 상기 제2 전극(80)의 두께가 얇게 형성되기 때문에 상대적으로 저항이 높아 질 수 있다. 이러한 상기 제2 전극(80)의 저항을 낮춰주기 위해 상술한 바와 같이 상기 제2 전극(80)과 상기 보조 전극(50)을 연결해줄 수 있으나, 상기 제1 전극(40)과 동일한 층에 보조 전극(50)을 구비하여야 하기 때문에 상기 보조 전극(50)의 크기를 증가시키는데 공간적 제약이 따른다. 이에 따라, 상기 제2 전극(80)의 저항을 낮추는 데에 한계가 있다. In the conventional top emission type organic light emitting display device, since the thickness of the second electrode 80 is thin, the resistance may be relatively high. In order to lower the resistance of the second electrode 80 , the second electrode 80 and the auxiliary electrode 50 may be connected as described above, but the auxiliary electrode is in the same layer as the first electrode 40 . Since the electrode 50 must be provided, there is a spatial limitation in increasing the size of the auxiliary electrode 50 . Accordingly, there is a limit in lowering the resistance of the second electrode 80 .

또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 상기 기판(10) 상의 화소 영역에 상기 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(14) 및 드레인 전극(15)이 구비될 때, 상기 기판(10) 상의 패드 영역에는 패드 전극이 구비될 수 있다. 그러나 상기 패드 전극은 부식에 취약하여, 이후 마스크 공정이 진행됨에 따라 상기 패드 영역에 부식 및 금속 전이(Migration) 현상이 발생될 수 있다. 상기 패드 영역의 부식 및 금속 전이 현상을 방지하기 위하여 상기 패드 영역 만을 위한 별도의 공정을 추가 할 수 있으나, 이 경우, 공정 추가에 따른 표시 장치의 생산성이 저하될 수 있다. In addition, although not shown in the drawings, when the source electrode 14 and the drain electrode 15 of the thin film transistor T are provided in the pixel region on the substrate 10 , the pad region on the substrate 10 is provided with a pad. An electrode may be provided. However, since the pad electrode is vulnerable to corrosion, corrosion and metal migration may occur in the pad area as a subsequent mask process proceeds. In order to prevent corrosion and metal transition of the pad area, a separate process for only the pad area may be added, but in this case, productivity of the display device may decrease due to the addition of the process.

본 발명은 제2 전극의 저항을 감소시키고, 별도의 마스크 공정을 추가하지 않으면서 패드 전극의 부식 및 금속 전이 현상을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display capable of reducing resistance of a second electrode and preventing corrosion and metal transition of a pad electrode without adding a separate mask process.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the technical problems of the present invention mentioned above, other features and advantages of the present invention will be described below, or will be clearly understood by those skilled in the art from such description and description.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 화소 영역에 구비된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 구비된 유기 발광층, 및 상기 유기 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 제2 전극과 연결되며 상기 제1 전극과 동일한 층에 구비된 보조 전극, 상기 보조 전극과 연결되며 상기 보조 전극 아래에 구비된 보조 배선, 상기 기판의 패드 영역에 구비된 패드, 및 상기 패드와 연결되는 패드 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 패드 전극은 상기 보조 배선과 동일한 재료로 이루어진다. According to an aspect of the present invention, an organic light emitting display device includes a substrate including a pixel region and a pad region, a thin film transistor provided in the pixel region of the substrate, a first electrode electrically connected to the thin film transistor, and the It comprises an organic light-emitting layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the organic light-emitting layer. In addition, in the organic light emitting display device according to the present invention, an auxiliary electrode connected to the second electrode and provided on the same layer as the first electrode, an auxiliary wire connected to the auxiliary electrode and provided under the auxiliary electrode, and the substrate and a pad provided in the pad region and a pad electrode connected to the pad, wherein the pad electrode is made of the same material as the auxiliary wiring.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법은 기판 상의 화소 영역에 박막 트랜지스터를 형성하고 상기 기판 상의 패드 영역에 패드를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터 상에 제1 평탄화층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 평탄화층 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 연결 배선 및 상기 연결 배선과 이격되는 보조 배선을 형성하고, 상기 패드 영역에 상기 패드와 연결되는 패드 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법은 상기 연결 배선 및 상기 보조 배선 상에 제2 평탄화층을 형성하는 단계, 상기 제2 평탄화층 상에 상기 연결 배선과 연결되는 제1 전극 및 상기 보조 배선과 연결되는 보조 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계, 및 상기 유기 발광층 상에 상기 보조 전극과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 패드 전극은 상기 보조 배선과 동일한 재료로 형성된다. A method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention for achieving the above technical problem includes forming a thin film transistor in a pixel region on a substrate and forming a pad in a pad region on the substrate, and first planarizing the thin film transistor on the thin film transistor forming a layer, and forming a connection line connected to the thin film transistor and an auxiliary line spaced apart from the connection line on the first planarization layer, and forming a pad electrode connected to the pad in the pad area is made including In addition, the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention includes forming a second planarization layer on the connection wiring and the auxiliary wiring, a first electrode connected to the connection wiring on the second planarization layer, and the Forming an auxiliary electrode connected to an auxiliary wiring, forming an organic emission layer on the first electrode, and forming a second electrode connected to the auxiliary electrode on the organic emission layer, The pad electrode is formed of the same material as the auxiliary wiring.

본 발명의 일 실시예에서는 상기 보조 전극 하부에 상기 보조 전극과 연결되는 보조 배선이 구비되고, 상기 보조 배선이 상기 보조 전극을 통해 상기 제2 전극과 연결되기 때문에 상기 제2 전극의 저항을 줄일 수 있다. In an embodiment of the present invention, since an auxiliary line connected to the auxiliary electrode is provided under the auxiliary electrode, and the auxiliary line is connected to the second electrode through the auxiliary electrode, the resistance of the second electrode can be reduced. have.

또한, Ti/Al/Ti 3중 레이어로 패드 전극이 형성되기 때문에, 상기 패드 전극에서의 부식이 발생하지 않을 수 있으며, 이에 따른 금속 전이 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 별도의 마스크 공정을 추가하지 않으면서, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있다. In addition, since the pad electrode is formed of the Ti/Al/Ti triple layer, corrosion may not occur in the pad electrode, and thus, a metal transition phenomenon may be prevented. Accordingly, reliability and productivity of the organic light emitting diode display may be improved without adding a separate mask process.

도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional top emission type organic light emitting display device.
2 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described as 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다. Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예가 상세히 설명된다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.

도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역(AA)과 패드 영역(PA)을 포함하여 이루어진다. As shown in FIG. 2 , the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment includes a pixel area AA and a pad area PA.

상기 기판(100) 상의 화소 영역(AA)에는 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(135), 제1 평탄화층(151), 연결 배선(161), 보조 배선(165), 제2 평탄화층(152), 제1 전극(171), 보조 전극(175), 뱅크(180), 유기 발광층(173), 제2 전극(172)이 구비되어 있다. In the pixel area AA on the substrate 100 , a thin film transistor T, a passivation layer 135 , a first planarization layer 151 , a connection wire 161 , an auxiliary wire 165 , and a second planarization layer 152 . ), a first electrode 171 , an auxiliary electrode 175 , a bank 180 , an organic emission layer 173 , and a second electrode 172 are provided.

상기 박막 트랜지스터(T)는 액티브층(130), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(110), 층간 절연막(125), 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)을 포함하여 이루어진다. The thin film transistor T includes an active layer 130 , a gate insulating layer 120 , a gate electrode 110 , an interlayer insulating layer 125 , a source electrode 141 , and a drain electrode 142 .

상기 액티브층(130)은 상기 게이트 전극(110)과 중첩되도록 상기 기판(100) 상에 구비된다. 상기 액티브층(130)은 상기 소스 전극(141) 측에 위치한 일단 영역(131), 상기 드레인 전극(142) 측에 위치한 타단 영역(132), 및 상기 일단 영역(131) 및 타단 영역(133) 사이에 위치한 중심 영역(133)으로 구성될 수 있다. 상기 중심 영역(133)은 도펀트가 도핑되지 않은 반도체물질로 이루어지고, 상기 일단 영역(131)과 타단 영역(132)은 도펀트가 도핑된 반도체물질로 이루어질 수 있다. The active layer 130 is provided on the substrate 100 to overlap the gate electrode 110 . The active layer 130 has one end region 131 positioned on the source electrode 141 side, the other end region 132 positioned on the drain electrode 142 side, and the one end region 131 and the other end region 133 . It may be composed of a central region 133 located in between. The central region 133 may be made of a semiconductor material undoped with a dopant, and the one end region 131 and the other end region 132 may be made of a semiconductor material doped with a dopant.

상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(130)상에 구비된다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(130)과 게이트 전극(110)을 절연시키는 기능을 수행한다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(130)을 덮으며, 상기 화소 영역(AA) 전면에 형성된다. 상기 게이트 절연막(120)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중층으로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The gate insulating layer 120 is provided on the active layer 130 . The gate insulating layer 120 insulates the active layer 130 from the gate electrode 110 . The gate insulating layer 120 covers the active layer 130 and is formed on the entire surface of the pixel area AA. The gate insulating layer 120 may be formed of an inorganic insulating material, for example, a silicon oxide layer (SiO X ), a silicon nitride layer (SiN X ), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

상기 게이트 전극(110)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 구비된다. 상기 게이트 전극(110)은 상기 게이트 절연막(120)을 사이에 두고, 상기 액티브층(130)의 중심 영역(133)과 중첩되도록 구비된다. The gate electrode 110 is provided on the gate insulating layer 120 . The gate electrode 110 is provided to overlap the central region 133 of the active layer 130 with the gate insulating layer 120 interposed therebetween.

상기 게이트 전극(110)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The gate electrode 110 may include any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu) or It may be a single layer or multiple layers made of an alloy thereof, but is not limited thereto.

상기 층간절연막(125)은 상기 게이트 전극(110) 상에 구비된다. 상기 층간 절연막(125)은 상기 게이트 전극(110)을 포함한 화소 영역(AA) 전면에 구비된다. 상기 층간 절연막(125)은 상기 게이트 절연막(120)과 동일한 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다.The interlayer insulating layer 125 is provided on the gate electrode 110 . The interlayer insulating layer 125 is provided on the entire surface of the pixel area AA including the gate electrode 110 . The interlayer insulating layer 125 may be formed of the same inorganic insulating material as the gate insulating layer 120 , for example, a silicon oxide layer (SiO X ), a silicon nitride layer (SiN X ), or a multilayer thereof. However, the present invention is not limited thereto.

상기 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)은 상기 층간 절연막(125) 상에서 서로 이격되어 구비된다. 전술한 게이트 절연막(120)과 층간 절연막(125)에는 상기 액티브층(130)의 일단 영역(131)의 일부를 노출시키는 제1 콘택홀(CH1)이 구비되며, 상기 액티브층(130)의 타단 영역(132)의 일부를 노출시키는 제2 컨택홀(CH2)이 구비된다. 그에 따라, 상기 소스 전극(141)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 상기 액티브층(130)의 일단 영역(131)과 연결되고, 상기 드레인 전극(142)은 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해서 상기 액티브층(130)의 타단 영역(132)과 연결된다. The source electrode 141 and the drain electrode 142 are provided to be spaced apart from each other on the interlayer insulating layer 125 . A first contact hole CH1 exposing a portion of the region 131 at one end of the active layer 130 is provided in the gate insulating layer 120 and the interlayer insulating layer 125 described above, and the other end of the active layer 130 is provided. A second contact hole CH2 exposing a portion of the region 132 is provided. Accordingly, the source electrode 141 is connected to one end region 131 of the active layer 130 through the first contact hole CH1 , and the drain electrode 142 is connected to the second contact hole CH2 . ) is connected to the other end region 132 of the active layer 130 .

상기 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. The source electrode 141 and the drain electrode 142 may include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper ( It may be a single layer or a multilayer made of any one of Cu) or an alloy thereof, but is not limited thereto.

상기한 바와 같이 구성되는 상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 기판(100) 상에서 각각의 화소 영역 마다 형성될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(T)의 구성은 앞서 설명한 예에 한정되지 않고, 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다. The thin film transistor T configured as described above may be formed for each pixel area on the substrate 100 . The configuration of the thin film transistor T is not limited to the above-described example, and can be variously modified to a known configuration that can be easily implemented by those skilled in the art.

상기 패시베이션층(135)은 상기 박막 트랜지스터(T) 상에 구비된다. 상기 패시베이션층(135)은 상기 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)을 포함한 화소 영역(AA) 전면에 구비되어 있다. 상기 패시베이션층(135)은 상기 박막 트랜지스터(T)를 보호하는 기능을 한다. 상기 패시베이션층(135)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The passivation layer 135 is provided on the thin film transistor T. The passivation layer 135 is provided on the entire surface of the pixel area AA including the source electrode 141 and the drain electrode 142 . The passivation layer 135 serves to protect the thin film transistor T. The passivation layer 135 may be formed of an inorganic insulating material, for example, a silicon oxide layer (SiO X ) or a silicon nitride layer (SiN X ), but is not limited thereto.

상기 제1 평탄화층(151)은 상기 패시베이션층(135) 상에 구비된다. 상기 제1 평탄화층(151)은 상기 박막 트랜지스터(T)가 구비되어 있는 상기 기판(100) 상부를 평탄하게 해주는 기능을 수행한다. 상기 제1 평탄화층(151)은 예를 들어, 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The first planarization layer 151 is provided on the passivation layer 135 . The first planarization layer 151 performs a function of flattening the upper portion of the substrate 100 on which the thin film transistor T is provided. The first planarization layer 151 may be, for example, an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamides resin, or a polyimides resin. ), but is not limited thereto.

전술한 상기 패시베이션층(135)과 제1 평탄화층(151)에는 상기 드레인 전극(142)을 노출시키는 제3 콘택홀(CH3)이 구비된다. 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통하여, 상기 드레인 전극(142)과 상기 연결 배선(161)이 연결된다. A third contact hole CH3 exposing the drain electrode 142 is provided in the passivation layer 135 and the first planarization layer 151 . The drain electrode 142 and the connection line 161 are connected through the third contact hole CH3 .

상기 연결 배선(161)은 상기 제1 평탄화층(151) 상에 구비된다. 상기 연결 배선(161)은 상기 드레인 전극(142)과 상기 제1 전극(171)을 연결시키는 기능을 한다. 상기 연결 배선(161)은 차례로 적층된 하부 연결 배선(161a), 중앙 연결 배선(161b), 및 상부 연결 배선(161c)으로 이루어진다. 여기서, 상기 상부 연결 배선(161c)의 산화도는 중앙 연결 배선(161b)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 상부 연결 배선(161c)을 이루는 물질이 상기 중앙 연결 배선(161b)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. The connection wiring 161 is provided on the first planarization layer 151 . The connection line 161 serves to connect the drain electrode 142 and the first electrode 171 . The connection wiring 161 includes a lower connection wiring 161a, a central connection wiring 161b, and an upper connection wiring 161c that are sequentially stacked. Here, the oxidation degree of the upper connection wiring 161c may be smaller than the oxidation degree of the central connection wiring 161b. That is, the material forming the upper connecting line 161c may be made of a material having stronger corrosion resistance than the material forming the central connecting line 161b.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하부 연결 배선(161a) 및 상부 연결 배선(161c)은 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있다. 또한 상기 하부 연결 배선(161a) 및 상부 연결 배선(161c) 사이에 구비된 중앙 연결 배선(161b)은 알루미늄(Al)로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 연결 배선(161)은 Ti/Al/Ti로 구성된 3중 레이어로 이루어질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 금속 물질 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층으로 이루어질 수 있다. The lower connecting line 161a and the upper connecting line 161c according to an embodiment of the present invention may be made of titanium (Ti). In addition, the central connection wiring 161b provided between the lower connection wiring 161a and the upper connection wiring 161c may be made of aluminum (Al). That is, the connection wiring 161 may be formed of a triple layer composed of Ti/Al/Ti. However, it is not necessarily limited thereto, and metal materials such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd) are used. It may be made of any one selected from the group consisting of or a multi-layer made of an alloy thereof.

상기 보조 배선(165)은 상기 연결 배선(161)과 동일한 층에 구비된다. 상기 보조 배선(165)은 상기 연결 배선(161)과 이격되어 구비된다. 상기 보조 배선(165)은 상기 연결 배선(161)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 보조 배선(165)은 Ti/Al/Ti로 구성된 3중 레이어로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 보조 배선(165)은 상기 보조 전극(175) 아래에 구비되며, 상기 보조 전극(175)과 전기적으로 연결된다. The auxiliary wiring 165 is provided on the same layer as the connection wiring 161 . The auxiliary wiring 165 is provided to be spaced apart from the connection wiring 161 . The auxiliary wiring 165 may be simultaneously formed through the same process as the connection wiring 161 and may be made of the same material. That is, the auxiliary wiring 165 may be formed of a triple layer composed of Ti/Al/Ti. In addition, the auxiliary wiring 165 is provided under the auxiliary electrode 175 and is electrically connected to the auxiliary electrode 175 .

상기 제2 평탄화층(152)은 연결 배선(161) 및 보조 배선(165) 상부를 덮으며 구비된다. 상기 제2 평탄화층(152)에는 상기 연결 배선(161)을 노출시키는 제4 콘택홀(CH4) 및 상기 보조 배선(165)을 노출시키는 제5 콘택홀(CH5)이 구비되어 있다. 상기 제2 평탄화층(152)은 예를 들어, 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The second planarization layer 152 is provided to cover upper portions of the connection wiring 161 and the auxiliary wiring 165 . A fourth contact hole CH4 exposing the connection line 161 and a fifth contact hole CH5 exposing the auxiliary line 165 are provided in the second planarization layer 152 . The second planarization layer 152 may be, for example, an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamides resin, or a polyimides resin. ), but is not limited thereto.

상기 제1 전극(171)은 상기 제2 평탄화층(152) 상에 구비된다. 상기 제1 전극(171)은 상기 기판(100) 상의 화소 영역에 구비되며, 상기 박막 트랜지스터(T)와 전기적으로 연결된다. 상기 제1 전극(171)은 상기 제4 콘택홀(CH4)을 통해서 노출된 연결 배선(161)과 연결된다. 상기 연결 배선(161)이 상기 드레인 전극(142)과 연결되어 있기 때문에, 상기 제1 전극(171)은 상기 연결 배선(161)을 통해 상기 드레인 전극(142)과 연결된다. The first electrode 171 is provided on the second planarization layer 152 . The first electrode 171 is provided in a pixel area on the substrate 100 and is electrically connected to the thin film transistor T. The first electrode 171 is connected to the exposed connection line 161 through the fourth contact hole CH4. Since the connection line 161 is connected to the drain electrode 142 , the first electrode 171 is connected to the drain electrode 142 through the connection line 161 .

상기 제1 전극(171)은 상기 박막 트랜지스터(T)의 타입에 따라 애노드 전극 또는 캐소드 전극의 역할을 한다. 본 발명의 경우, 상기 제1 전극(171)은 유기 발광 소자의 애노드 기능을 수행하는 것으로서, 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진다. 또한, 상기 제1 전극(171)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), APC(Ag;Pb;Cu) 등을 포함하는 적어도 둘 이상의 층으로 구성될 수 있다. The first electrode 171 serves as an anode electrode or a cathode electrode depending on the type of the thin film transistor T. In the present invention, the first electrode 171 performs an anode function of the organic light emitting device, and a transparent conductive material having a relatively large work function value, for example, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc- made of oxide (IZO). In addition, the first electrode 171 may be composed of at least two or more layers including a metal material having excellent reflective efficiency, for example, aluminum (Al), silver (Ag), APC (Ag; Pb; Cu), etc. have.

상기 보조 전극(175)은 상기 제1 전극(171)과 동일한 층에 구비된다. 상기 보조 전극(175)과 상기 제1 전극(171)은 서로 이격되어 구비된다. 상기 보조 전극(175)은 상기 제1 전극(171)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다. The auxiliary electrode 175 is provided on the same layer as the first electrode 171 . The auxiliary electrode 175 and the first electrode 171 are provided to be spaced apart from each other. The auxiliary electrode 175 is simultaneously formed through the same process as the first electrode 171 and may be made of the same material.

상기 보조 전극(175)은 제5 콘택홀(CH5)을 통하여 노출되어 있는 상기 보조 배선(165)과 연결된다. 상기 보조 전극(175)은 후술되는 바와 같이 상기 제2 전극(172)의 저항을 낮춰주기 위하여 상기 제2 전극(172)과 접촉되도록 구비된다. The auxiliary electrode 175 is connected to the auxiliary wiring 165 exposed through the fifth contact hole CH5 . The auxiliary electrode 175 is provided to contact the second electrode 172 in order to lower the resistance of the second electrode 172 as will be described later.

상기 뱅크(180)는 상기 제1 전극(171)과 상기 보조 전극(175) 사이에 배치되며, 상기 제1 전극(171)과 상기 보조 전극(175)을 절연시키는 기능을 수행한다. 상기 뱅크(180)는 예를 들어, 폴리이미드계 수지(polyimides resin), 아크릴계 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기막으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The bank 180 is disposed between the first electrode 171 and the auxiliary electrode 175 , and functions to insulate the first electrode 171 and the auxiliary electrode 175 . The bank 180 may be formed of, for example, an organic layer such as polyimides resin, acryl resin, benzocyclobutene (BCB), and the like, but is not limited thereto.

상기 유기 발광층(173)은 상기 제1 전극(171) 상에 구비된다. 상기 유기 발광층(173)은 정공 수송층/ 발광층/ 전자 수송층의 구조, 또는 정공 주입층/ 정공 수송층/ 발광층/ 전자 수송층/ 전자 주입층의 구조를 가지도록 구비될 수 있다. 나아가, 상기 유기 발광층(173)에는 발광층의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 적어도 하나 이상의 기능층이 더 포함될 수도 있다The organic emission layer 173 is provided on the first electrode 171 . The organic light emitting layer 173 may be provided to have a structure of a hole transport layer/ a light emitting layer/ an electron transport layer, or a structure of a hole injection layer/ a hole transport layer/ a light emitting layer/ an electron transport layer/ an electron injection layer. Furthermore, the organic light emitting layer 173 may further include at least one functional layer for improving the light emitting efficiency and/or lifespan of the light emitting layer.

상기 제2 전극(172)은 상기 기판(100) 전면에 구비된다. 이 경우, 상기 제2 전극(172)은 상기 유기 발광층(173) 및 상기 뱅크(180)의 상부를 덮으며 구비된다. 또한, 상기 제2 전극(172)은 상기 뱅크(180)를 덮도록 연장되어 상기 보조 전극(175)과 연결된다. The second electrode 172 is provided on the entire surface of the substrate 100 . In this case, the second electrode 172 is provided to cover upper portions of the organic light emitting layer 173 and the bank 180 . In addition, the second electrode 172 extends to cover the bank 180 and is connected to the auxiliary electrode 175 .

상기 제1 전극(171)이 애노드 전극의 역할을 하는 경우, 상기 제2 전극(172)은 캐소드 전극의 역할을 한다. 상기 제2 전극(172)으로는 매우 얇은 두께의 일함수가 낮은 금속성 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(172)으로는 은(Ag), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등과 같은 금속성 물질이 사용될 수 있다. 또한, 상기한 바와 같은 금속성 물질들이 수백 옴스트롱(Å) 이하의 두께, 예를 들어, 200Å 이하로 형성되어 상기 제2 전극(172)으로 사용될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 전극(172)은 반투과층이 되어, 실질적으로 투명한 캐소드로 사용될 수 있다. When the first electrode 171 serves as an anode electrode, the second electrode 172 serves as a cathode electrode. As the second electrode 172 , a very thin metallic material having a low work function may be used. For example, the second electrode 172 may be formed of a metallic material such as silver (Ag), titanium (Ti), aluminum (Al), molybdenum (Mo), or an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg). can be used In addition, the above-described metallic materials may be formed to a thickness of several hundred angstroms (Å) or less, for example, 200 Å or less, and used as the second electrode 172 . In this case, the second electrode 172 may become a semi-transmissive layer and may be used as a substantially transparent cathode.

상기 제2 전극(172)이 투명한 캐소드로 사용되는 경우, 두께가 얇아지기 때문에 상대적으로 저항이 높아질 수 있다. 이러한 상기 제2 전극(172)의 저항을 낮춰주기 위해 상기 제2 전극(172)과 보조 전극(175)이 연결된다. 그러나, 상기 보조 전극(175)이 상기 제1 전극(171)과 동일한 층에 구비되기 때문에, 상기 보조 전극(175)을 구비하기 위한 공간에 제약이 있다. 즉, 상기 제2 전극(172)과 접촉하는 상기 보조 전극(175)의 면적이 넓을수록 상기 제2 전극(172)의 저항이 더욱 감소될 수 있다. 그러나, 상기 제1 전극(171)이 구비되어 있지 않은 영역에만 상기 보조 전극(175)을 구비할 수 있기 때문에, 상기 보조 전극(175)의 크기를 증가시키는데 제약이 있으며, 상기 제2 전극(172)의 저항을 낮추는 데에 한계가 있다. When the second electrode 172 is used as a transparent cathode, the resistance may be relatively high because the thickness is reduced. In order to lower the resistance of the second electrode 172 , the second electrode 172 and the auxiliary electrode 175 are connected. However, since the auxiliary electrode 175 is provided on the same layer as the first electrode 171 , there is a limitation in a space for providing the auxiliary electrode 175 . That is, as the area of the auxiliary electrode 175 in contact with the second electrode 172 increases, the resistance of the second electrode 172 may be further reduced. However, since the auxiliary electrode 175 can be provided only in a region where the first electrode 171 is not provided, there is a limitation in increasing the size of the auxiliary electrode 175 , and the second electrode 172 is limited. ), there is a limit to lowering the resistance.

본 발명의 일 실시예에서는 이를 해결하기 위하여, 상기 보조 전극(175) 하부에 상기 보조 전극(175)과 연결되는 보조 배선(165)을 구비한다. 상기 제2 전극(172)이 상기 보조 전극(175) 및 상기 보조 배선(165)과 연결되어 있기 때문에, 상기 제2 전극(172)과 보조 전극(175)이 연결되는 종래와 비교하여 상기 제2 전극(172)의 저항이 더욱 감소할 수 있다. In one embodiment of the present invention, in order to solve this problem, an auxiliary wire 165 connected to the auxiliary electrode 175 is provided under the auxiliary electrode 175 . Since the second electrode 172 is connected to the auxiliary electrode 175 and the auxiliary wire 165 , the second electrode 172 and the auxiliary electrode 175 are connected to each other compared to the related art. The resistance of the electrode 172 may be further reduced.

도면에 도시되지는 않았으나, 상기 제2 전극(172) 상에는 밀봉부가 추가로 구비될 수 있다. 상기 밀봉부는 외부의 충격으로부터 유기 발광 소자 및 상기 구동 트랜지스터(T) 등의 소자들을 보호하고, 수분의 침투를 방지한다. Although not shown in the drawings, a sealing part may be additionally provided on the second electrode 172 . The sealing part protects elements such as the organic light emitting diode and the driving transistor T from external impact, and prevents penetration of moisture.

상기 기판(100) 상의 패드 영역(PA)에는 게이트 절연막(120), 층간 절연막(125), 패드(240), 패시베이션층(135) 및 패드 전극(261)이 구비되어 있다. A gate insulating layer 120 , an interlayer insulating layer 125 , a pad 240 , a passivation layer 135 , and a pad electrode 261 are provided in the pad area PA on the substrate 100 .

상기 게이트 절연막(120)은 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 영역(PA) 전면에 구비된다. The gate insulating layer 120 extends from the pixel area AA and is provided on the entire surface of the pad area PA.

상기 층간 절연막(125)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 배치되며, 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 영역(PA) 전면에 구비된다. The interlayer insulating layer 125 is disposed on the gate insulating layer 120 , extends from the pixel area AA, and is provided on the entire surface of the pad area PA.

상기 패드(240)는 상기 패드 영역(PA)에 위치되며, 상기 층간 절연막(125) 상에 구비된다. 상기 패드(240)는 상기 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다.The pad 240 is positioned in the pad area PA and is provided on the interlayer insulating layer 125 . The pad 240 may be simultaneously formed through the same process as the source electrode 141 and the drain electrode 142 , and may be made of the same material.

상기 패시베이션층(135)은 상기 화소 영역(AA)으로부터 연장되어 상기 패드 영역(PA) 전면을 덮도록 구비된다. 다만, 상기 패시베이션층(135)에는 상기 패드(240)의 일부를 노출시키는 패드 콘택홀(CH6)이 구비되어 있다. 상기 패시베이션층(135)은 상기 패드(240)와 상기 패드 전극(261)을 사이에 구비되어 있다. The passivation layer 135 is provided to extend from the pixel area AA to cover the entire surface of the pad area PA. However, a pad contact hole CH6 exposing a portion of the pad 240 is provided in the passivation layer 135 . The passivation layer 135 is provided between the pad 240 and the pad electrode 261 .

상기 패드 전극(261)은 상기 패드(240)와 중첩되도록 상기 패시베이션층(135) 상에 구비된다. 상기 패드 전극(261)은 상기 패드 콘택홀(CH6)을 통하여 상기 패드(240)와 연결된다. 상기 패드 전극(261)은 상기 연결 배선(161) 및 보조 배선(165)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다. The pad electrode 261 is provided on the passivation layer 135 to overlap the pad 240 . The pad electrode 261 is connected to the pad 240 through the pad contact hole CH6. The pad electrode 261 may be simultaneously formed through the same process as that of the connection wiring 161 and the auxiliary wiring 165 , and may be made of the same material.

이에 따라, 상기 패드 전극(261)은 차례로 적층된 하부 패드 전극(261a), 중앙 패드 전극(261b), 및 상부 패드 전극(261c)으로 이루어지고, 상기 상부 패드 전극(261c)의 산화도는 상기 중앙 패드 전극(261b)의 산화도보다 작을 수 있다. Accordingly, the pad electrode 261 includes a lower pad electrode 261a, a center pad electrode 261b, and an upper pad electrode 261c sequentially stacked, and the oxidation degree of the upper pad electrode 261c is The oxidation degree of the central pad electrode 261b may be smaller than that of the central pad electrode 261b.

이 경우, 상기 하부 패드 전극(261a) 및 상부 패드 전극(261c)은 예를 들어, 티타늄(Ti)으로 이루어질 수 있다. 또한 상기 하부 패드 전극(261a) 및 상부 패드 전극(261c) 사이에 구비된 중앙 패드 전극(261b)은 예를 들어, 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 패드 전극(261)은 Ti/Al/Ti로 구성된 3중 레이어로 이루어질 수 있다. In this case, the lower pad electrode 261a and the upper pad electrode 261c may be made of, for example, titanium (Ti). In addition, the center pad electrode 261b provided between the lower pad electrode 261a and the upper pad electrode 261c may be made of, for example, aluminum (Al). That is, the pad electrode 261 may be formed of a triple layer composed of Ti/Al/Ti.

상기 패드 전극(261)이 Ti/Al/Ti로 구성된 3중 레이어로 이루어지기 때문에, 이후 공정을 진행하더라도 상기 패드 영역(PA)에 상기 패드 전극(261)의 부식 및 금속 전이 현상이 발생되지 않을 수 있다. 이는 후술하는 제조 공정을 참조하면 용이하게 이해할 수 있을 것이다. Since the pad electrode 261 is made of a triple layer composed of Ti/Al/Ti, corrosion and metal transition of the pad electrode 261 will not occur in the pad area PA even if a subsequent process is performed. can This will be easily understood with reference to the manufacturing process to be described later.

또한, 상기한 바와 같이 패드 전극(261)을 구성할 경우, 부식 및 금속전이 현상을 방지하기 위해 별도의 클래드(clad) 등을 구비할 필요가 없기 때문에, 별도의 마스크 공정이 추가되지 않는다. In addition, when the pad electrode 261 is configured as described above, since there is no need to provide a separate clad or the like to prevent corrosion and metal transition, a separate mask process is not added.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이며, 이는 전술한 도 2에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다. 3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment, which relates to the manufacturing method of the organic light emitting display device according to FIG. 2 described above. Accordingly, the same reference numerals are assigned to the same components, and repeated descriptions of parts that are repeated in the materials and structures of each component will be omitted.

우선, 도 3a에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100) 상의 화소 영역(AA)에 박막 트랜지스터(T)를 형성하고, 상기 기판(100) 상의 패드 영역(PA)에 패드(240)를 형성한다. 상기 패드(240)는 상기 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(141) 및 드레인 전극(142)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성된다. First, as shown in FIG. 3A , the thin film transistor T is formed in the pixel area AA on the substrate 100 , and the pad 240 is formed in the pad area PA on the substrate 100 . The pad 240 is simultaneously formed through the same process as the source electrode 141 and the drain electrode 142 of the thin film transistor T.

다음, 도 3b에서 알 수 있듯이, 상기 박막 트랜지스터(T)를 포함한 화소 영역(AA) 및 상기 패드(240)를 포함한 패드 영역(PA) 전면에 패시베이션층(135)을 형성한다. 이 경우, 상기 패시베이션층(135)은 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(142)을 노출시키는 제3 콘택홀(CH3)과 상기 패드(240)를 노출시키는 패드 콘택홀(CH6)을 구비하고 있다. Next, as shown in FIG. 3B , a passivation layer 135 is formed on the entire surface of the pixel area AA including the thin film transistor T and the pad area PA including the pad 240 . In this case, the passivation layer 135 includes a third contact hole CH3 exposing the drain electrode 142 of the thin film transistor T and a pad contact hole CH6 exposing the pad 240 , have.

다음, 상기 화소 영역(PA)에 위치된 패시베이션층(135) 상에 제1 평탄화층(151)을 형성한다. 상기 제1 평탄화층(151)에는 상기 패시베이션층(135)과 마찬가지로 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(142)을 노출시키는 제3 콘택홀(CH3)이 구비되어 있다. 이 경우, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 제1 평탄화층(151)이 형성되지 않는다. Next, a first planarization layer 151 is formed on the passivation layer 135 positioned in the pixel area PA. Like the passivation layer 135 , a third contact hole CH3 exposing the drain electrode 142 of the thin film transistor T is provided in the first planarization layer 151 . In this case, the first planarization layer 151 is not formed in the pad area PA.

다음, 도 3c에서 알 수 있듯이, 상기 제1 평탄화층(151) 상에 상기 박막 트랜지스터(T)와 연결되는 연결 배선(161) 및 상기 연결 배선(161)과 이격되도록 배치되는 보조 배선(165)을 형성한다. 또한, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 연결 배선(161) 및 보조 배선(165)과 동일한 공정을 통하여 상기 패드(240)와 연결되는 패드 전극(261)을 형성한다. 상기 연결배선(161), 보조 배선(165) 및 패드 전극(261)은 동일한 공정을 통하여 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어진다. 즉, 상기 연결 배선(161), 보조 배선(165) 및 패드 전극(261)은 상술한 바와 같이, Ti/Al/Ti로 구성된 3중 레이어로 이루어질 수 있다. Next, as can be seen from FIG. 3C , a connection wiring 161 connected to the thin film transistor T and an auxiliary wiring 165 disposed to be spaced apart from the connection wiring 161 on the first planarization layer 151 . to form In addition, a pad electrode 261 connected to the pad 240 is formed in the pad area PA through the same process as the connection wiring 161 and the auxiliary wiring 165 . The connection wiring 161 , the auxiliary wiring 165 , and the pad electrode 261 are simultaneously formed through the same process and made of the same material. That is, as described above, the connection wiring 161 , the auxiliary wiring 165 , and the pad electrode 261 may be formed of a triple layer composed of Ti/Al/Ti.

다음, 도 3d에서 알 수 있듯이, 상기 화소 영역(AA)에 제2 평탄화층(152)을 형성한다. 이 경우, 상기 패드 영역(PA)에는 상기 제2 평탄화층(152)이 형성되지 않는다. Next, as shown in FIG. 3D , a second planarization layer 152 is formed in the pixel area AA. In this case, the second planarization layer 152 is not formed in the pad area PA.

다음, 상기 제2 평탄화층(152) 상에 상기 연결 배선(161)과 연결되는 제1 전극(171) 및 상기 보조 배선(165)과 연결되는 보조 전극(175)을 형성한다. 상기 제1 전극(171)과 보조 전극(175)은 서로 이격되어 배치된다. Next, a first electrode 171 connected to the connection wire 161 and an auxiliary electrode 175 connected to the auxiliary wire 165 are formed on the second planarization layer 152 . The first electrode 171 and the auxiliary electrode 175 are spaced apart from each other.

종래에 따르면 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)을 형성하는 과정에서 상기 패드 전극(261)에 부식이 발생할 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(171) 및 보조 전극(175)을 형성하기 위해서는 금속 물질 예를 들어, ITO/Ag alloy/ITO를 에칭 용액으로 에칭하는 과정을 거치게 되는데, 이 과정에서 상기 에칭 용액에 의해 상기 패드 전극(261)에 부식이 발생할 수 있다. According to the related art, corrosion may occur in the pad electrode 261 in the process of forming the first electrode 171 and the auxiliary electrode 175 . That is, in order to form the first electrode 171 and the auxiliary electrode 175, a metal material, for example, ITO/Ag alloy/ITO is etched with an etching solution. In this process, the etching solution Corrosion may occur in the pad electrode 261 .

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따라, Ti/Al/Ti로 구성된 3중 레이어로 상기 패드 전극(261)을 형성할 경우, 상기 Ti/Al/Ti가 상기 제1 전극(171)을 형성하기 위해 사용되는 에칭 용액에 내식성을 가지는 물질이기 때문에, 상기 패드 영역(PA)에 부식 및 금속 전이 현상이 발생되지 않는다. 또한, 상기 패드 전극(261)이 상기 연결 배선(161) 및 보조 배선(165)과 동일한 공정을 통해 형성되기 때문에, 별도의 마스크 공정이 추가되지 않는다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있다. However, according to an embodiment of the present invention, when the pad electrode 261 is formed with a triple layer composed of Ti/Al/Ti, the Ti/Al/Ti does not form the first electrode 171 . Since it is a material having corrosion resistance to the etching solution used for this purpose, corrosion and metal transition phenomena do not occur in the pad area PA. In addition, since the pad electrode 261 is formed through the same process as the connection wiring 161 and the auxiliary wiring 165 , a separate mask process is not added. Accordingly, reliability and productivity of the organic light emitting diode display may be improved.

마지막으로, 도 3e에서 알 수 있듯이, 상기 제1 전극(171)과 보조 전극(175)을 구분하기 위한 뱅크(180)를 형성하고, 상기 제1 전극(171) 상에 유기 발광층(173)을 형성하고, 상기 유기 발광층(173) 상에 제2 전극(172)을 형성한다. 이 경우, 상기 제2 전극(172)은 상기 뱅크(180)를 타고 연장되어 상기 보조 전극(175)과 연결된다. Finally, as shown in FIG. 3E , a bank 180 for separating the first electrode 171 and the auxiliary electrode 175 is formed, and an organic light emitting layer 173 is formed on the first electrode 171 . and a second electrode 172 is formed on the organic light emitting layer 173 . In this case, the second electrode 172 extends along the bank 180 and is connected to the auxiliary electrode 175 .

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential characteristics thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.

100 : 기판 135 : 패시베이션층
151 : 제1 평탄화층 152 : 제2 평탄화층
161 : 연결 배선 165 : 보조 배선
240 : 패드 261 : 패드 전극 100: substrate 135: passivation layer
151: first planarization layer 152: second planarization layer
161: connection wiring 165: auxiliary wiring
240: pad 261: pad electrode

Claims (9)

화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 화소 영역에 구비되며, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 구비된 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 구비된 제2 전극;
상기 제2 전극과 연결되며 상기 제1 전극과 동일한 층에 구비된 보조 전극;
상기 보조 전극과 연결되며 상기 보조 전극 아래에 구비된 보조 배선;
상기 기판의 패드 영역에서 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 층에 구비되며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어진 패드; 및
상기 패드와 연결되는 패드 전극을 포함하여 이루어지고,
상기 패드 전극은 상기 보조 배선과 동일한 구조로 이루어지고,
상기 패드 전극은 차례로 적층된 하부 패드 전극, 중앙 패드 전극, 및 상부 패드 전극으로 이루어지고,
상기 상부 패드 전극의 산화도는 상기 중앙 패드 전극의 산화도보다 작고,
상기 하부 패드 전극 및 상부 패드 전극은 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금으로 이루어지고,
상기 중앙 패드 전극은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 유기 발광 표시 장치.a substrate including a pixel region and a pad region;
a thin film transistor provided in the pixel region of the substrate and including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode;
a first electrode electrically connected to the thin film transistor;
an organic light emitting layer provided on the first electrode;
a second electrode provided on the organic light emitting layer;
an auxiliary electrode connected to the second electrode and provided on the same layer as the first electrode;
an auxiliary wire connected to the auxiliary electrode and provided under the auxiliary electrode;
a pad provided on the same layer as the source electrode and the drain electrode in the pad region of the substrate and made of the same material as the source electrode and the drain electrode; and
and a pad electrode connected to the pad;
The pad electrode has the same structure as the auxiliary wiring,
The pad electrode consists of a lower pad electrode, a center pad electrode, and an upper pad electrode stacked in sequence,
The oxidation degree of the upper pad electrode is smaller than the oxidation degree of the central pad electrode,
The lower pad electrode and the upper pad electrode are made of titanium (Ti) or a titanium alloy,
The center pad electrode is made of aluminum (Al) or an aluminum alloy. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터와 상기 제1 전극은 연결 배선에 의해서 연결되어 있고,
상기 연결 배선은 상기 보조 배선과 동일한 층에 구비되어 있는 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The thin film transistor and the first electrode are connected by a connecting wire,
The connection wiring is provided on the same layer as the auxiliary wiring. 제 4 항에 있어서,
상기 연결 배선은 상기 패드 전극과 동일한 재료로 이루어진 유기 발광 표시 장치. 5. The method of claim 4,
The connection wiring is made of the same material as the pad electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 패드와 패드 전극 사이에는 패시베이션층이 구비되어 있으며,
상기 패드와 패드 전극은 상기 패시베이션층에 구비된 패드 콘택홀을 통해 서로 연결되는 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
A passivation layer is provided between the pad and the pad electrode,
The pad and the pad electrode are connected to each other through a pad contact hole provided in the passivation layer. 기판 상의 화소 영역에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하고 상기 기판 상의 패드 영역에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동시에 패드를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 상에 제1 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 제1 평탄화층 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 연결 배선 및 상기 연결 배선과 이격되는 보조 배선을 형성하고, 상기 패드 영역에 상기 패드와 연결되는 패드 전극을 형성하는 단계;
상기 연결 배선 및 상기 보조 배선 상에 제2 평탄화층을 형성하는 단계;
상기 제2 평탄화층 상에 상기 연결 배선과 연결되는 제1 전극 및 상기 보조 배선과 연결되는 보조 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광층 상에 상기 보조 전극과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,
상기 패드 전극은 상기 보조 배선과 동일한 재료로 형성되고,
상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 패드는 동일한 층에 구비되며, 동일한 물질로 이루어지고,
상기 패드 전극은 차례로 적층된 하부 패드 전극, 중앙 패드 전극, 및 상부 패드 전극으로 이루어지고,
상기 상부 패드 전극의 산화도는 상기 중앙 패드 전극의 산화도보다 작고,
상기 하부 패드 전극 및 상부 패드 전극은 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금으로 이루어지고,
상기 중앙 패드 전극은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 유기 발광 표시 장치의 제조방법.forming a thin film transistor including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode in a pixel region on a substrate, and forming a pad in a pad region on the substrate simultaneously with the source electrode and the drain electrode;
forming a first planarization layer on the thin film transistor;
forming a connecting line connected to the thin film transistor and an auxiliary line spaced apart from the connecting line on the first planarization layer, and forming a pad electrode connected to the pad in the pad area;
forming a second planarization layer on the connection line and the auxiliary line;
forming a first electrode connected to the connection line and an auxiliary electrode connected to the auxiliary line on the second planarization layer;
forming an organic light emitting layer on the first electrode; and
and forming a second electrode connected to the auxiliary electrode on the organic light emitting layer,
The pad electrode is formed of the same material as the auxiliary wiring,
The source electrode, the drain electrode, and the pad are provided on the same layer and made of the same material,
The pad electrode consists of a lower pad electrode, a center pad electrode, and an upper pad electrode stacked in sequence,
The oxidation degree of the upper pad electrode is smaller than the oxidation degree of the central pad electrode,
The lower pad electrode and the upper pad electrode are made of titanium (Ti) or a titanium alloy,
The method of manufacturing an organic light emitting display device, wherein the center pad electrode is made of aluminum (Al) or an aluminum alloy. 제 7 항에 있어서,
상기 연결 배선, 상기 보조 배선 및 상기 패드 전극은 동일한 공정을 통해 동시에 형성되는 유기 발광 표시 장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
The method of manufacturing an organic light emitting display device in which the connection wiring, the auxiliary wiring, and the pad electrode are simultaneously formed through the same process. 삭제delete
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