KR102443481B1 - 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법 - Google Patents
폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102443481B1 KR102443481B1 KR1020160031029A KR20160031029A KR102443481B1 KR 102443481 B1 KR102443481 B1 KR 102443481B1 KR 1020160031029 A KR1020160031029 A KR 1020160031029A KR 20160031029 A KR20160031029 A KR 20160031029A KR 102443481 B1 KR102443481 B1 KR 102443481B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polysilazane
- ether
- solvent
- substrate
- present
- Prior art date
Links
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 title claims abstract description 151
- 239000002904 solvent Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 125000006527 (C1-C5) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxybutane Chemical compound CCCCOCC PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JILHZKWLEAKYRC-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2,2-dimethylpropane Chemical compound COCC(C)(C)C JILHZKWLEAKYRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QJMYXHKGEGNLED-UHFFFAOYSA-N 5-(2-hydroxyethylamino)-1h-pyrimidine-2,4-dione Chemical compound OCCNC1=CNC(=O)NC1=O QJMYXHKGEGNLED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NUMQCACRALPSHD-UHFFFAOYSA-N tert-butyl ethyl ether Chemical compound CCOC(C)(C)C NUMQCACRALPSHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 28
- 238000001879 gelation Methods 0.000 abstract description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 29
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 8
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 108010037444 diisopropylglutathione ester Proteins 0.000 description 2
- -1 for example Chemical group 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N [(3S)-3-[8-(1-ethyl-5-methylpyrazol-4-yl)-9-methylpurin-6-yl]oxypyrrolidin-1-yl]-(oxan-4-yl)methanone Chemical compound C(C)N1N=CC(=C1C)C=1N(C2=NC=NC(=C2N=1)O[C@@H]1CN(CC1)C(=O)C1CCOCC1)C FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N 0.000 description 1
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- QQQCWVDPMPFUGF-ZDUSSCGKSA-N alpinetin Chemical compound C1([C@H]2OC=3C=C(O)C=C(C=3C(=O)C2)OC)=CC=CC=C1 QQQCWVDPMPFUGF-ZDUSSCGKSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002468 ceramisation Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- KWHDXJHBFYQOTK-UHFFFAOYSA-N heptane;toluene Chemical compound CCCCCCC.CC1=CC=CC=C1 KWHDXJHBFYQOTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002636 imidazolinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Chemical group 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001712 tetrahydronaphthyl group Chemical group C1(CCCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D9/00—Chemical paint or ink removers
- C09D9/005—Chemical paint or ink removers containing organic solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/20—Diluents or solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
본 발명은 사이클로펜탄 및 에테르를 포함하는 폴리실라잔 처리 용제 및 상기 용제를 이용하여 폴리실라잔의 사용량을 감소시키는 방법과 폴리실라잔을 처리하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 폴리실라잔 처리 용제는 폴리실라잔 도포성을 향상시켜 폴리실라잔 사용량을 현저히 감소시키고 코팅 균일성을 향상시킬 수 있으며, 폐액의 겔화가 발생하지 않아 안정성이 우수하다.
Description
본 발명은 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 우수한 폴리실라잔 도포성과 코팅 균일성을 제공하며 폐액의 겔화를 방지할 수 있는 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법에 관한 것이다.
실리카질의 막은, 반도체 소자의 층간 절연막, 평탄화막, 패시베이션막, 소자간 분리절연체 등으로서 널리 이용되고 있다. 이러한 실리카질의 막을 반도체 소자 등에 형성하는 방법들 중, 폴리실라잔 용액을 도포하고 당해 도막을 실리카질의 막으로 전환하는 방법은, 저온소성에 의해 우수한 특성을 갖는 실리카질 막을 간편하게 형성할 수 있음과 동시에, 형성된 실리카질 피막의 막질도 우수하여 주목을 받고 있다.
폴리실라잔 용액을 이용하여 실리카질의 막을 형성하는 방법은, 반도체, 배선, 전극 등이 형성된, 단차를 가지거나 또는 단차를 갖지 않은 기판 위에 폴리실라잔 용액을 스핀 코팅하고 가열하여 도막으로부터 용제를 제거한 후, 350℃ 이상의 온도에서 소성하여 폴리실라잔을 실리카질의 막으로 전환시킨다.
그러나, 이러한 방법에 있어서는, 폴리실라잔 용액을 기판 위에 스핀 코팅하였을 때에, 기판의 엣지부에 비드가 형성됨과 동시에, 기판 이면에 용액이 번지는 문제점이 있다. 이러한 비드에 의한 기판 엣지부에서의 도막의 막 두께의 불균일화를 막기 위해서, 통상적으로 폴리실라잔 용액을 도포하여 폴리실라잔 막을 형성할 때에 엣지 린스가 실시되며, 또한 기판 이면에 번져가서 부착된 폴리실라잔을 제거하여 이면을 청정하게 하기 위해 백 린스가 실시된다.
종래, 이러한 폴리실라잔을 제거하기 위한 린스액 또는 박리액으로서, 예를 들어, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 등을 사용하는 것이 공지되어 있으며, 대한민국 공개특허 제10-2011-0073176호에서는 톨루엔 및 헵탄으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물과, (C12-C16)이소파라핀 혼합물을 포함하는 폴리실라잔 처리 용제가 엣지 린스와 이면 린스 성능이 우수함을 개시하고 있다.
하지만, 이러한 종래의 폴리실라잔 처리 용제는 폴리실라잔의 린스 또는 박리는 충분히 실시할 수 있지만, 폐액의 겔화 문제를 가지고 있으며, 기판에 도포되는 폴리실라잔의 사용량을 줄이기 위한 RRC(reducing resist coating) 공정에서의 폴리실라잔 사용량 감소 효과는 전혀 제공하지 못하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 한 목적은 폴리실라잔 도포막에 대한 엣지 절단 성능이 우수할 뿐만 아니라, 폴리실라잔의 도포성을 향상시켜 폴리실라잔 사용량을 감소시키고 폴리실라잔의 코팅 균일성을 향상시키며 폐액의 겔화를 방지할 수 있는, 폴리실라잔 처리 용제를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 폴리실라잔 처리 용제를 이용하여 반도체 기판 상에 실리카질의 막을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 폴리실라잔 처리 용제를 이용하여 폴리실라잔을 처리하는 방법을 제공하는 것이다.
한편으로, 본 발명은 사이클로펜탄 및 하기 화학식 I의 에테르를 포함하는 폴리실라잔 처리 용제를 제공한다:
[화학식 I]
상기 식에서, R1은 C1-C5의 알킬기이고, R2는 C1-C5의 알킬기 또는 아릴기이다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 I에서, R1 및 R2는 C1-C5의 알킬기일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 I의 에테르는 디에틸 에테르, 에틸페닐 에테르, 디이소프로필 에테르, 에틸-t-부틸 에테르, 메틸-t-펜틸 에테르, 에틸-n-부틸 에테르, 에틸-n-프로필 에테르, 및 에틸이소프로필 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 I의 에테르는 디에틸 에테르 또는 디이소프로필 에테르를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 폴리실라잔 처리 용제는 사이클로펜탄 60 내지 95중량% 및 상기 화학식 I의 에테르 5 내지 40 중량%를 포함할 수 있다.
다른 한편으로, 본 발명은 반도체 기판 상에 실리카질의 막을 형성하는 방법으로서, 상기한 본 발명의 폴리실라잔 처리 용제를 기판에 도포한 후 폴리실라잔 용액을 도포하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.
다른 한편으로, 본 발명은 폴리실라잔 용액을 기판에 도포한 후, 상기한 본 발명의 폴리실라잔 처리 용제를 기판의 폴리실라잔 도포면의 엣지부 또는 이면에 분사하여 폴리실라잔 처리 용제를 폴리실라잔과 접촉시켜 폴리실라잔을 제거하는 단계를 포함하는, 폴리실라잔을 처리하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 폴리실라잔 처리 용제는 기판의 하부나 기판 주변부의 불필요한 폴리실라잔 도포막을 제거하는 엣지 절단 성능이 우수할 뿐만 아니라, 폴리실라잔 도포성을 향상시켜 폴리실라잔 사용량을 현저히 감소시키고 코팅 균일성을 향상시킬 수 있으며, 폐액의 겔화가 발생하지 않아 안정성이 우수하다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시형태는 사이클로펜탄 및 하기 화학식 I의 에테르를 포함하는 폴리실라잔 처리 용제에 관한 것이다:
[화학식 I]
상기 식에서, R1은 C1-C5의 알킬기이고, R2는 C1-C5의 알킬기 또는 아릴기이다.
특히, R1과 R2는 C1-C5의 알킬기일 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 C1-C5의 알킬기는 탄소수 1 내지 5개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, t-부틸, n-펜틸 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용되는 아릴기는 아로메틱기와 헤테로아로메틱기 및 그들의 부분적으로 환원된 유도체를 모두 포함한다. 상기 아로메틱기는 5원 내지 15원의 단순 또는 융합 고리형이며, 헤테로아로메틱기는 산소, 황 또는 질소를 하나 이상 포함하는 아로메틱기를 의미한다. 대표적인 아릴기의 예로는 페닐, 나프틸, 피리디닐(pyridinyl), 푸라닐(furanyl), 티오페닐(thiophenyl), 인돌릴(indolyl), 퀴놀리닐(quinolinyl), 이미다졸리닐(imidazolinyl), 옥사졸릴(oxazolyl), 티아졸릴(thiazolyl), 테트라히드로나프틸 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 사이클로펜탄은 폴리실라잔 용해성을 높임으로써 우수한 엣지 절단 특성과 우수한 폴리실라잔 도포성과 코팅 균일성을 제공하며, 상기 에테르는 폴리실라잔 용해성을 높이고 폴리실라잔 처리 용제의 안정성을 제공할 수 있다.
본 발명의 폴리실라잔 처리 용제는 사이클로펜탄 60 내지 95중량% 및 상기 화학식 I의 에테르 5 내지 40 중량%를 포함할 수 있다. 사이클로펜탄이 60중량% 미만이고 에테르가 40중량%를 초과하면, 폴리실라잔 도포성과 엣지 절단 특성이 저하될 수 있으며, 에테르가 5 중량% 미만이고 사이클로펜탄이 95중량%를 초과하면, 용제의 안정성이 저하될 수 있다.
본 발명의 폴리실라잔 처리 용제는, 반도체 기판 상에 실리카질의 막을 형성하기 위하여 기판에 폴리실라잔 용액을 도포할 때, 폴리실라잔을 도포하기 전에 기판에 상기 용제를 도포할 경우, 이어서 도포되는 폴리실라잔 용액의 도포성을 향상시켜 폴리실라잔 사용량을 현저히 감소시키고 코팅 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판에 폴리실라잔 용액을 도포한 후, 기판의 엣지부의 엣지비드를 제거하기 위한 폴리실라잔 처리시에도 우수한 엣지 절단 성능을 나타내며, 폴리실라잔 처리 후 폐액의 겔화 방지 성능 또한 우수하다.
본 발명의 일 실시형태에서, 본 발명의 폴리실라잔 처리 용제는 공지된 임의의 유기 또는 무기 폴리실라잔에 적용될 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 폴리실라잔 처리 용제가 적용될 수 있는 폴리실라잔은 하기 화학식 II로 표현되는 반복 단위를 갖는 폴리실라잔을 포함한다.
[화학식 II]
상기 화학식 II에서, R1, R2 및 R3는 모두 수소원자이거나; 각각 독립적으로 수소원자, 알킬, 아미노알킬, 알콕시, 알케닐, 또는 아릴이며, 단, R1, R2 및 R3 중에서 적어도 하나는 수소원자이다.
상기 화학식 II에서, R1, R2 및 R3가 모두 수소원자인 무기 폴리실라잔으로서는, 예를 들면 1,500 ~ 8,000의 중량평균분자량을 갖는 퍼하이드로폴리실라잔을 들 수 있다.
상기 화학식 II에서, R1, R2 및 R3가 각각 독립적으로 수소원자, 알킬, 아미노알킬, 알콕시, 알케닐, 또는, 아릴이며, 단, R1, R2 및 R3 중에서 적어도 하나는 수소원자인 폴리실라잔은 유기 폴리실라잔이다.
또한, 반복 단위가〔(SiH2)n(NH)m〕및〔(SiH2)rO〕(여기서, n, m 및 r은 각각 1, 2 또는 3이다)인 폴리실록사잔, 퍼하이드로폴리실라잔에 메탄올과 같은 알콜 또는 헥사메틸디실라잔을 말단 N 원자에 부가하여 수득한 변성 폴리실라잔, 금속, 예를 들면, 알루미늄을 함유하는 금속 함유 폴리실라잔 등에 적용될 수 있다.
그 외에도, 폴리보로실라잔, 무기 실라잔 공중합체나 개질 폴리실라잔, 공중합 실라잔, 폴리실라잔에 세라믹화를 촉진시키기 위한 촉매적 화합물을 부가 또는 첨가한 저온 세라믹화 폴리실라잔, 규소알콕사이드 부가 폴리실라잔, 글리시돌 부가 폴리실라잔, 아세틸아세토네이트 착체 부가 폴리실라잔, 금속 카복실산염 부가 폴리실라잔과 같은 폴리실라잔 및 상기와 같은 각종 폴리실라잔 또는 변성물에 아민류 및/또는 산류를 첨가하여 이루어진 폴리실라잔 조성물에도 본 발명의 폴리실라잔 처리 용제가 적용될 수 있다.
본 발명의 폴리실라잔 처리 용제가 적용되는 폴리실라잔의 형태는 피막상인 것이 통상적이지만, 피막상인 것으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 폴리실라잔을 기판 위에 피복하는 방법으로서는, 예를 들면, 스핀 도포, 스프레이 도포, 플로우 도포, 롤러 도포, 딥 도포, 천 와이핑법, 스폰지 와이핑법 등 종래 알려진 방법의 어느 방법이라도 사용할 수 있다. 또한, 기판의 형상도 판상, 필름상 등 어느 형상이라도 가능하며, 표면 상태도 평탄하거나, 요철상이거나, 곡면이더라도 가능하다. 기판의 재질도 반도체, 유리, 금속, 금속 산화물, 플라스틱 등 어느 것이라도 가능하다.
본 발명의 일 실시형태는 반도체 기판 상에 실리카질의 막을 형성하는 방법으로서, 상기한 본 발명의 폴리실라잔 처리 용제를 기판 상에 도포한 후 폴리실라잔 용액을 도포하는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다.
상기 방법에 따라 본 발명의 폴리실라잔 처리 용제를 기판 상에 먼저 처리한 후, 폴리실라잔 용액을 도포할 경우, 폴리실라잔 용액의 도포성 향상으로 인하여 폴리실라잔 용액의 사용량이 현저히 감소될 수 있으며 폴리실라잔 코팅의 균일성 또한 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태는 폴리실라잔 용액을 기판에 도포한 후, 상기한 본 발명의 폴리실라잔 처리 용제를 기판의 폴리실라잔 도포면의 엣지부 또는 이면의 폴리실라잔과 접촉시켜 폴리실라잔을 제거하는 단계를 포함하는, 폴리실라잔을 처리하는 방법을 제공한다.
본 발명의 폴리실라잔 처리 용제를 폴리실라잔과 접촉시키는 방법은 제한되지 않으며, 기판 상의 폴리실라잔으로의 노즐로부터의 용제의 분사 또는 분무, 폴리실라잔이 도포된 기판의 용제 중으로의 침지 등 임의의 방법을 이용할 수 있다.
본 발명의 방법은 반도체 기판의 엣지 비드 제거 또는 이면 린스를 위해 효과적으로 이용될 수 있다.
예를 들어, 반도체 기판(실리콘 웨이퍼) 상에 폴리실라잔 용액을 피복하고, 반도체 기판 상에 층간 절연막, 평탄화막, 패시베이션막 또는 소자간 분리막 등을 형성하는 경우를 예로 하여, 본 발명의 용제를 사용하여 엣지 부위의 비드를 제거하는 경우에는, 스핀 도포기에, 필요에 따라 반도체, 배선 등이 형성된 8인치 실리콘 웨이퍼를 장착하고, 예를 들면, 500 내지 4000rpm의 회전 속도로 회전하는 웨이퍼에 폴리실라잔 용액을 스핀 도포법에 의해 도포하고, 이어서 당해 폴리실라잔이 도포된 웨이퍼를 회전시킨 상태에서 도막의 엣지 부위에 노즐로부터 본 발명의 용제를 처리액(린스액)으로서 분사함으로써, 용제와 폴리실라잔의 접촉이 도모되어, 기판 엣지 부위의 비드의 제거가 이루어질 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예, 비교예 및 실험예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.
실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 4: 폴리실라잔 처리 용제의 제조
하기 표 1의 조성으로 실시예 및 비교예의 폴리실라잔 처리 용제를 제조하였다(단위: 중량%).
| 사이클로펜탄 | DEE | DIPE | 톨루엔 | 헵탄 | 이소파라핀 C12-16(70%) | |
| 실시예 1 | 95 | 5 | ||||
| 실시예 2 | 60 | 40 | ||||
| 실시예 3 | 70 | 30 | ||||
| 실시예 4 | 60 | 40 | ||||
| 실시예 5 | 70 | 30 | ||||
| 비교예 1 | 20 | 30 | 50 | |||
| 비교예 2 | 20 | 50 | 30 | |||
| 비교예 3 | 30 | 70 | ||||
| 비교예 4 | 30 | 70 |
DEE : 디에틸 에테르
DIPE : 디이소프로필 에테르
실험예 1: 폴리실라잔 도포성 및 코팅 균일성 평가
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 폴리실라잔 처리 용제의 폴리실라잔에 대한 도포성 및 코팅균일성 향상 효과를 평가하였다.
하기 표 2와 같은 공정 조건에 따라 8인치 산화실리콘 기판 상에 상기 실시예 및 비교예의 처리 용제 각각(0.5cc)을 도포한 후, 처리 용제에 따른 폴리실라잔 용액의 소비량을 측정하는 RRC(Reducing resist coating) 공정을 실시하였으며, 폴리실라잔을 도포한 후 웨이퍼의 중앙과 웨이퍼의 중앙에서 1인치, 2인치 거리의 지점을 +자 모양으로 총 9곳을 측정하여 폴리실라잔이 균일하게 도포되었는지를 확인하였으며, 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
<평가 기준>
◎: 도포 막두께의 표준편차가 1% 이하인 경우
○: 도포 막두께의 표준편차가 2% 이하인 경우
△: 도포 막두께의 표준편차가 3% 이하인 경우
X: 도포 막두께의 표준편차가 3% 초과인 경우
| 스텝 | 시간(초) | RPM | 가속(초) | 분배량(cc) |
| 1 | 3 | 0 | 0 | 0.5(폴리실라잔 처리 용제) |
| 2 | 2 | 900 | 0.5 | 0 |
| 3 | 9 | 1500 | 1 | 0 |
| 4 | 2 | 1500 | 0.5 | 0 |
| 5 | 3 | 0 | 0.5 | 폴리실라잔 도포 |
| 6 | 12 | 1000 | 1 | |
| 7 | 4 | 1200 | 0.5 | |
| 8 | 3 | 500 | 0.5 | |
| 9 | 0 | 0 | 0.5 |
| 폴리실라잔 용매 소비량(RRC) | 폴리실라잔 코팅 균일성 | |
| 실시예 1 | 0.05 cc | ◎ |
| 실시예 2 | 0.03 cc | ◎ |
| 실시예 3 | 0.03 cc | ◎ |
| 실시예 4 | 0.03 cc | ◎ |
| 실시예 5 | 0.03 cc | ◎ |
| 비교예 1 | 0.4 cc | △ |
| 비교예 2 | 0.5 cc | X |
| 비교예 3 | 0.5 cc | △ |
| 비교예 4 | 0.5 cc | △ |
일반적으로 폴리실라잔 처리 용제를 사용하지 않고 8 인치 산화실리콘 막에 폴리실라잔을 도포할 경우 0.5 cc의 폴리실라잔 용액이 필요하지만, 상기 표 3의 결과에서 나타나듯이, 사이클로펜탄과 에테르를 포함한 본 발명 실시예의 폴리실라잔 처리 용제를 기판에 도포한 후 폴리실라잔 용액을 도포할 경우에는 0.03 cc 내지 0.05 cc의 폴리실라잔 용액이 필요하여, 종래의 폴리실라잔 용액 사용량의 약 1/10 이하의 양이 필요하였다. 또한, 본 발명 실시예의 폴리실라잔 처리 용제를 사용한 경우, 폴리실라잔의 코팅 균일성도 우수하였다. 이러한 결과는 본 발명의 용제가 폴리실라잔의 도포성을 현저히 향상시킴을 잘 보여주는 것이다.
반면, 톨루엔과 에테르의 조합, 톨루엔, 헵탄 및 에테르의 조합, 또는 톨루엔 또는 헵탄과 이소파라핀의 조합을 사용한 비교예 1 내지 4의 경우, 0.4 내지 0.5 cc의 폴리실라잔 용액을 필요로 하여 폴리실라잔 도포성 향상 효과가 거의 없었으며, 코팅 균일성 역시 열등하였다.
실험예 2: 엣지 절단(EBR: Edge Bead Removing) 성능 평가
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 폴리실라잔 처리 용제의 엣지 절단 성능을 평가하기 위하여, 6인치 산화실리콘 기판 상에 하기 표 4에 기재되어 있는 조건으로 엣지 부위의 비드를 제거하는 EBR 실험을 진행하였다. 각 실시예 및 비교예의 폴리실라잔 처리 용제를 압력계가 장치된 가압통에서 공급하였으며, 이때의 압력은 1kgf이였고, EBR 노즐에서 나오는 폴리실라잔 처리 용제의 유량은 10 내지 30cc/min으로 하였다. 그리고 광학현미경을 이용하여 비드의 제거성능을 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 5에 나타내었다.
<평가 기준>
◎: EBR 후 EBR 라인 균일성(line uniformity)이 일정한 상태
○: EBR 후 EBR 라인 균일성이 75% 이상으로 양호한 직선 상태
△: EBR 후 엣지 부위의 모양이 처리 용제의 용해작용을 받아서 일그러진 상태
X: EBR 후 엣지 부위의 막에 테일링(tailing) 현상이 발생한 상태
| 구분 | 회전속도(rpm) | 시간(초) |
| 분배 조건 | 300~2000 | 7 |
| 스핀코팅 | 폴리실라잔막 두께에 따라 조절 | 15 |
| EBR 조건 | 2000 | 20 |
| 건조 조건 | 1300 | 6 |
| 엣지 절단 성능(EBR) | |
| 실시예 1 | ◎ |
| 실시예 2 | ◎ |
| 실시예 3 | ◎ |
| 실시예 4 | ◎ |
| 실시예 5 | ◎ |
| 비교예 1 | ○ |
| 비교예 2 | ○ |
| 비교예 3 | ○ |
| 비교예 4 | ○ |
엣지 절단 성능을 평가한 결과, 상기 표 5에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 5의 폴리실라잔 처리 용제를 처리한 경우에는 모두 라인이 일정하고 직선으로 균일하게 형성되었으며, 비교예 1 내지 4의 경우에는 EBR 후 EBR 라인 균일성이 75% 이상으로 양호하였으나 가끔 테일링이 발견되었다.
실험예 3: 겔화 방지 성능 평가
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 폴리실라잔 처리 용제의 겔화 현상을 평가하기 위하여, 30ml의 유리병에 폴리실라잔 용액과 상기 실시예 및 비교예 각각의 용제를 1:1로 혼합하여 상온에 방치하여 겔화하기까지의 일수를 육안으로 관찰하여 그 결과를 하기 표 6에 나타내었다.
| 겔화 일수 | |
| 실시예 1 | >30 |
| 실시예 2 | >30 |
| 실시예 3 | >30 |
| 실시예 4 | >30 |
| 실시예 5 | >30 |
| 비교예 1 | 8 |
| 비교예 2 | 8 |
| 비교예 3 | 9 |
| 비교예 4 | 9 |
상기 표 6에 나타난 바와 같이, 비교예 1 내지 4의 경우에는 8일 내지 9일 경과 후에 겔화 현상이 나타난 반면, 실시예의 용제의 경우에는 모두 30일 이후에도 겔화 현상이 관찰되지 않아 본 발명 용제의 폐액의 겔화 방지 효과가 우수함을 확인할 수 있었다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아님은 명백하다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 특허청구범위와 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (7)
- 사이클로펜탄 및 하기 화학식 I의 에테르를 포함하되, 디이소부틸케톤을 포함하지 않는 폴리실라잔 처리 용제:
[화학식 I]
상기 식에서, R1은 C1-C5의 알킬기이고, R2는 C1-C5의 알킬기 또는 아릴기이다. - 제1항에 있어서, R1과 R2는 각각 독립적으로 C1-C5의 알킬기인 폴리실라잔 처리 용제.
- 제1항에 있어서, 상기 화학식 I의 에테르는 디에틸 에테르, 에틸페닐 에테르, 디이소프로필 에테르, 에틸-t-부틸 에테르, 메틸-t-펜틸 에테르, 에틸-n-부틸 에테르, 에틸-n-프로필 에테르, 및 에틸이소프로필 에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 폴리실라잔 처리 용제.
- 제3항에 있어서, 상기 화학식 I의 에테르는 디에틸 에테르 또는 디이소프로필 에테르를 포함하는 폴리실라잔 처리 용제.
- 제1항에 있어서, 상기 사이클로펜탄 60 내지 95중량% 및 상기 화학식 I의 에테르 5 내지 40 중량%를 포함하는 폴리실라잔 처리 용제.
- 반도체 기판 상에 실리카질의 막을 형성하는 방법으로서, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 폴리실라잔 처리 용제를 기판 상에 도포한 후 폴리실라잔 용액을 도포하는 단계를 포함하는 방법.
- 폴리실라잔 용액을 기판에 도포한 후, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 폴리실라잔 처리 용제를 기판의 폴리실라잔 도포면의 엣지부 또는 이면의 폴리실라잔과 접촉시켜 폴리실라잔을 제거하는 단계를 포함하는, 폴리실라잔을 처리하는 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160031029A KR102443481B1 (ko) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160031029A KR102443481B1 (ko) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170107276A KR20170107276A (ko) | 2017-09-25 |
| KR102443481B1 true KR102443481B1 (ko) | 2022-09-15 |
Family
ID=60035130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160031029A KR102443481B1 (ko) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102443481B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6926059B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2021-08-25 | 信越化学工業株式会社 | 透明塗膜形成用組成物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015115550A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社Adeka | ポリシラザンの処理用溶剤およびこれを用いたポリシラザンの処理方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101178215B1 (ko) * | 2009-07-13 | 2012-08-29 | (주)디엔에프 | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리 방법 |
| KR101178214B1 (ko) | 2009-12-23 | 2012-08-29 | (주)디엔에프 | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리 방법 |
-
2016
- 2016-03-15 KR KR1020160031029A patent/KR102443481B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015115550A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社Adeka | ポリシラザンの処理用溶剤およびこれを用いたポリシラザンの処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170107276A (ko) | 2017-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4578993B2 (ja) | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 | |
| JP3479648B2 (ja) | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 | |
| KR101178214B1 (ko) | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리 방법 | |
| JP2017110193A (ja) | オプトエレクトロニクスデバイス用の組成物、層、及びフィルム、並びにこれらの使用 | |
| EP1852903A2 (en) | Compositions for preparing materials with a low dielectric constant | |
| TWI431040B (zh) | Organic silicon dioxide film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and manufacturing method thereof, and wiring structure | |
| KR101178215B1 (ko) | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리 방법 | |
| JP5535583B2 (ja) | トレンチ・アイソレーション構造の形成方法 | |
| JP2009191273A (ja) | 溶剤を含有する低誘電体材料を調製するための組成物 | |
| JP2003100865A (ja) | 半導体基板の製造方法および半導体基板 | |
| JP3998979B2 (ja) | 低誘電率シリカ系被膜の形成方法および低誘電率被膜付半導体基板 | |
| CN109072006B (zh) | 致密的二氧化硅质膜形成用组合物 | |
| KR102443481B1 (ko) | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법 | |
| EP1583141A2 (en) | Solvents and methods using same for removing silicon-containing residues from a substrate | |
| KR102416225B1 (ko) | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법 | |
| JP6207995B2 (ja) | ポリシラザンの処理用溶剤およびこれを用いたポリシラザンの処理方法 | |
| WO2011078446A1 (en) | Polysilazane treating solvent and method for treating polysilazane using the same | |
| JP2016115916A (ja) | シリカ薄膜形成用リンス液、これを用いたシリカ前駆体薄膜およびシリカ薄膜の製造方法、ならびにこれらを用いて製造されるシリカ薄膜前駆体およびシリカ薄膜 | |
| JP2958466B2 (ja) | シリコン酸化膜の製造方法 | |
| JP2014203858A (ja) | ポリシラザンの処理用溶剤およびこれを用いたポリシラザンの処理方法 | |
| KR20160036328A (ko) | 실리카 박막용 린스액, 및 이를 이용하여 제조된 실리카 박막 | |
| KR20130051759A (ko) | 수소화폴리실록사잔 박막용 린스액 및 이를 이용한 수소화폴리실록사잔 박막의 패턴 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |