KR102443382B1 - Manufacturing method of display module using asymmetric led-chips on transfer catridge, arranged by sound wave energy - Google Patents
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Abstract
본 발명은 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법에 관한 것으로, 상하, 좌우가 구분되도록 비대칭의 형태를 나타내는 LED칩을 준비하는 LED칩준비단계, 스피커를 이용한 파동발생기의 상부면에 상기 LED칩의 전극 반대면의 모양과 동일한 형태로 패터닝된 다수개의 홈이 형성되어 상기 LED 칩이 자가배열되는 이송판을 개재시키는 이송판개재단계, 상기 이송판개재단계를 통해 개재된 이송판에 상기 LED칩을 배치하는 LED칩배치단계, 상기 파동발생기에서 파형과 파형의 변이를 발생시켜, 상기 이송판에 배치된 LED칩을 상기 홈에 안착하는 LED칩안착단계, 상기 LED칩안착단계를 통해 LED칩이 안착된 이송판의 상부면에 이방성 도전필름을 적층하는 도전필름적층단계 및 상기 도전필름적층단계를 통해 이방성 도전필름이 적층된 이송판의 상부면에 전극패턴이 형성된 기판을 적층하고 가압 및 가열하여 LED칩을 기판에 전사하는 전사단계로 이루어진다.
상기의 과정을 통해 이루어지는 디스플레이 모듈의 제조방법은 LED칩을 기판에 빠르게 전사할 뿐만 아니라 높은 전사율을 나타내며, LED칩의 자가배열이 가능한 이송판을 사용하여 디스플레이 모듈의 불량률을 줄이고 제조시간을 단축시킨다.The present invention relates to a method of manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy. A transfer plate intervening step in which a plurality of grooves patterned in the same shape as the shape of the opposite surface of the electrode of the LED chip are formed on the upper surface of the wave generator to interpose a transfer plate in which the LED chips are self-arranged, the transfer plate intervening step An LED chip placing step of arranging the LED chip on a transfer plate interposed through it, an LED chip seating step of generating a waveform and a change in the waveform in the wave generator to seat the LED chip placed on the transfer plate in the groove, the A conductive film lamination step of laminating an anisotropic conductive film on the upper surface of the transfer plate on which the LED chip is seated through the LED chip mounting step, and an electrode pattern on the upper surface of the transfer plate on which the anisotropic conductive film is laminated through the conductive film lamination step. It consists of a transfer step of laminating the formed substrate, pressing and heating to transfer the LED chip to the substrate.
The manufacturing method of the display module made through the above process not only transfers the LED chip to the substrate quickly, but also exhibits a high transfer rate. make it
Description
본 발명은 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 LED칩을 기판에 빠르게 전사할 뿐만 아니라 높은 전사율을 나타내며, LED칩의 자가배열이 가능한 이송판을 사용하여 디스플레이 모듈의 불량률을 줄이고 제조시간을 단축시키는 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy, and more particularly, not only rapidly transfers the LED chip to a substrate, but also exhibits a high transfer rate, It relates to a method of manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy that reduces the defect rate of the display module and shortens the manufacturing time by using an arrayable transfer plate.
최근, 에너지 효율성과 응답 시간이 우수한 마이크로 LED 디스플레이 패널에 관한 개발이 활발히 이루어지고 있는데, 마이크로 LED 디스플레이 패널을 제조하는 방식으로서, 마이크로 LED를 제작하여 패널에 전사하는 방식, 동일 기판 내에 적색 LED, 녹색 LED 및 청색 LED를 제작하는 방식, 및 청색 LED를 기판에 마이크로 크기로 패터닝(patterning)한 후 양자점 잉크인 색치환 재료를 충전시키는 방식 등이 주로 이용되고 있다.Recently, development of a micro LED display panel with excellent energy efficiency and response time has been actively carried out. As a method of manufacturing a micro LED display panel, a method of manufacturing a micro LED and transferring it to a panel, a red LED, a green LED in the same substrate A method of manufacturing an LED and a blue LED, and a method of charging a color replacement material, which is a quantum dot ink, after patterning the blue LED on a substrate in a micro size, etc. are mainly used.
마이크로 LED 디스플레이를 구현하기 위해서는 수십 마이크로미터 크기의 LED 칩을 회로가 구성되어 있는 기판에 전사해야 하는데, 이때, 전사되는 LED 칩은 크기가 매우 작기 때문에 이송판 혹은 기판과의 접촉력에 영향을 받게 되며 정전기로 인해 마이크로 LED 칩이 손상될 수 있어 취급의 주의가 요구된다.In order to implement a micro LED display, an LED chip with a size of several tens of micrometers needs to be transferred to the circuit board. The micro LED chip may be damaged by static electricity, so handling is required.
마이크로 LED 칩의 전사방식으로 가장 보편적으로 사용되는 방식은 픽앤플레이스(Pick-and-place) 방식인데, 이 방식은 칩의 크기가 수십 마이크로미터 이하로 작아지게 되면 제어가 어렵고, 칩을 개별적으로 옮겨야하기 때문에 전사속도가 매우 더디게 진행되어 생산성이 낮은 문제점이 있었다.The most commonly used method for transferring micro LED chips is the Pick-and-Place method. This method is difficult to control when the size of the chip becomes smaller than several tens of micrometers, and the chip must be moved individually. Therefore, there was a problem that the transfer speed was very slow and the productivity was low.
상기의 문제점을 해소하기 위해 유체의 흐름을 이용하여 마이크로 LED 칩을 원하는 위치에 고정하는 유체조립(FA, Fluidic Assembly) 방식이 대두되고 있으나, 유체조립 방식의 경우 기판에 마이크로 LED 칩을 위치시키기 위해 용융납(Molten lead)을 이용하는데 용융납과 마이크로 LED 칩 사이의 접촉은 확률에 의존해야 하기 때문에 결과적으로 칩의 위치를 의도한 바와 같이 자유롭게 조절하지 못하는 문제점이 있었다.In order to solve the above problems, a fluid assembly (FA) method of fixing the micro LED chip to a desired position using the flow of fluid is emerging. In using molten lead, the contact between the molten lead and the micro LED chip has to depend on probability, and consequently, there is a problem that the position of the chip cannot be freely adjusted as intended.
본 발명의 목적은 LED칩을 기판에 빠르게 전사할 뿐만 아니라, 높은 전사율을 나타내는, 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy, which not only transfers the LED chip to a substrate quickly, but also exhibits a high transfer rate.
또한, 본 발명의 다른 목적은 LED칩의 자가배열이 가능하도록 비대칭의 형상을 갖는 LED칩과, 상기 비대칭 LED칩에 대응되는 홈이 형성된 이송판을 사용하여 디스플레이 모듈의 불량률이 줄어들기 때문에, 디스플레이 모듈 제조 후에 발생하는 리워크(rework) 공정을 최소화할 수 있는 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to reduce the defect rate of the display module by using an LED chip having an asymmetric shape to enable self-arrangement of the LED chip, and a transfer plate having a groove corresponding to the asymmetric LED chip. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy that can minimize the rework process occurring after the module is manufactured.
본 발명의 목적은 상하, 좌우가 구분되도록 비대칭의 형태를 나타내는 LED칩을 준비하는 LED칩준비단계, 스피커를 이용한 파동발생기가 구비된 파동 발생 장치의 상부면에 상기 LED칩의 전극 반대면의 모양과 동일한 형태로 패터닝된 다수개의 홈이 형성되어 상기 LED 칩이 자가배열되는 이송판을 개재시키는 이송판개재단계, 상기 이송판개재단계를 통해 개재된 이송판에 상기 LED칩을 배치하는 LED칩배치단계, 상기 파동발생기에서 파형과 파형의 변이를 발생시켜, 상기 이송판에 배치된 LED칩을 상기 홈에 안착하는 LED칩안착단계, 상기 LED칩안착단계를 통해 LED칩이 안착된 이송판의 상부면에 이방성 도전필름을 적층하는 도전필름적층단계 및 상기 도전필름적층단계를 통해 이방성 도전필름이 적층된 이송판의 상부면에 전극패턴이 형성된 기판을 적층하고 가압 및 가열하여 LED칩을 기판에 전사하는 전사단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법을 제공함에 의해 달성된다.An object of the present invention is to prepare an LED chip showing an asymmetric shape so that the top and bottom, left and right are distinguished, the LED chip preparation step, the shape of the opposite surface of the electrode of the LED chip on the upper surface of the wave generator equipped with the wave generator using the speaker A transfer plate intervening step in which a plurality of grooves patterned in the same form as the above are formed to interpose a transfer plate on which the LED chips are self-arranged, and an LED chip arrangement in which the LED chips are placed on the intervening transfer plate through the transfer plate intervening step. Step, an LED chip seating step of generating a waveform and a waveform change in the wave generator to seat the LED chip disposed on the transfer plate in the groove, and the LED chip seating step on the upper part of the transfer plate on which the LED chip is seated A conductive film laminating step of laminating an anisotropic conductive film on the surface and a conductive film laminating step, a substrate having an electrode pattern formed on the upper surface of a transfer plate on which an anisotropic conductive film is laminated is laminated, and the LED chip is transferred to the substrate by pressing and heating It is achieved by providing a method for manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy, characterized in that it comprises a transfer step.
본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 상기 LED칩은 수평단면이나 수직단면이 정사각형이나 직사각형을 제외한 평행사변형의 형태를 나타내는 것으로 한다.According to a preferred feature of the present invention, the LED chip has a horizontal or vertical cross-section in the form of a parallelogram except for a square or a rectangle.
본 발명의 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 LED칩배치단계에서는 LED칩 외에 이미지센서 기능이나 압력센서 기능을 나타내되, 상기 LED칩과는 다른 형태를 갖는 마이크로칩이 함께 배치되는 것으로 한다.According to a more preferred feature of the present invention, in the LED chip arrangement step, an image sensor function or a pressure sensor function is displayed in addition to the LED chip, and a microchip having a shape different from that of the LED chip is arranged together.
상기 LED칩배치단계에서는 LED칩 외에 이미지센서 기능이나 압력센서 기능을 나타내는 마이크로칩이 함께 배치되는 것으로 한다.In the LED chip arrangement step, in addition to the LED chip, a microchip indicating an image sensor function or a pressure sensor function is arranged together.
본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 상기 파동발생기는 피에조 일렉트릭이 구비된 복수개의 스피커로 이루어지며, 10 내지 3000Hz의 파동을 0.1 내지 3.0의 세기로 발생시키는 것으로 한다.According to a more preferred feature of the present invention, the wave generator is composed of a plurality of speakers equipped with piezoelectric electricity, and generates a wave of 10 to 3000 Hz with an intensity of 0.1 to 3.0.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 홈의 깊이는 LED칩의 본딩금속층이 이송판의 표면으로 돌출되어 LED칩의 전사가 용이하게 진행될 수 있도록 LED칩의 두께보다 낮게 형성되는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the depth of the groove is formed to be lower than the thickness of the LED chip so that the bonding metal layer of the LED chip protrudes from the surface of the transfer plate so that the transfer of the LED chip can proceed easily.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 LED칩배치단계는 유체와 혼합된 LED칩을 배치하여 이루어지는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the LED chip arrangement step is made by disposing the LED chip mixed with the fluid.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 유체는 아세톤으로 이루어지는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the fluid is made of acetone.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 LED칩은 크기가 5 내지 300㎛인 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the size of the LED chip is 5 to 300 μm.
본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 이방성도전필름은 입자크기가 2 내지 8㎛인 니켈이 함유되는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the anisotropic conductive film contains nickel having a particle size of 2 to 8 μm.
본 발명에 따른 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법은 LED칩을 기판에 빠르게 전사할 뿐만 아니라, 높은 전사율을 나타내는 탁월한 효과를 나타낸다.The method for manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy according to the present invention exhibits an excellent effect of not only transferring the LED chip to the substrate quickly, but also exhibiting a high transfer rate.
또한, LED칩의 자가배열이 가능하도록 비대칭의 형상을 갖는 LED칩과, 상기 비대칭 LED칩에 대응되는 홈이 형성된 이송판을 사용하여 디스플레이 모듈의 불량률이 줄어들기 때문에, 디스플레이 모듈 제조 후에 발생하는 리워크(rework) 공정을 최소화할 수 있는 탁월한 효과를 나타낸다.In addition, since the defect rate of the display module is reduced by using an LED chip having an asymmetric shape to enable self-arrangement of the LED chip and a transfer plate having a groove corresponding to the asymmetric LED chip, the defect rate generated after the display module is manufactured. It shows an excellent effect of minimizing the rework process.
도 1은 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 일반적인 LED칩의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명에서 사용될 수 있는 비대칭 형태의 LED칩의 모습을 예시적으로 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명에 사용되는 이송판을 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명에서 사용되는 파동 발생 장치 및 LED칩이 배열된 모습을 나타낸 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 파동 발생기 모습을 나타낸 개략 평면도이다.
도 7은 일반적인 스피커를 이용하여 생성된 음향파(acostic wave)를 아크릴 판에 전달함으로써 만들어지는 파형의 모습을 촬영하여 나타낸 사진이다.
도 8은 유체를 채워 놓은 채로 파동을 발생시킬 때, LED칩의 이동과정을 나타낸 개략도이다.
도 9는 LED칩이 이송판에 형성된 홈에 안착된 모습을 나타낸 개략도이다.
도 10 내지 11은 본 발명에서 사용되는 파동 발생 장치에서 발생된 파동으로 LED칩이 배열되는 모습을 촬영하여 나타낸 사진이다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display module using asymmetric LED chips arranged on a transfer plate with sound wave energy.
2 is a cross-sectional view showing the structure of a general LED chip.
3 is a perspective view illustrating an asymmetrical LED chip that can be used in the present invention.
4 is a perspective view showing a transfer plate used in the present invention.
5 is a schematic diagram showing the arrangement of the wave generating device and the LED chip used in the present invention.
6 is a schematic plan view showing the appearance of a wave generator according to an embodiment of the present invention.
7 is a photograph showing the shape of a waveform created by transmitting an acoustic wave generated using a general speaker to an acrylic plate.
8 is a schematic diagram showing the movement process of the LED chip when generating a wave while filling the fluid.
9 is a schematic view showing a state that the LED chip is seated in the groove formed in the transfer plate.
10 to 11 are photographs showing a state in which LED chips are arranged with waves generated by the wave generating device used in the present invention.
이하에는, 본 발명의 바람직한 실시예와 각 성분의 물성을 상세하게 설명하되, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention and the physical properties of each component will be described in detail, which is intended to describe in detail enough that a person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily carry out the invention, This does not mean that the technical spirit and scope of the present invention is limited.
본 발명에 따른 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법은 상하, 좌우가 구분되도록 비대칭의 형태를 나타내는 LED칩을 준비하는 LED칩준비단계(S101), 스피커를 이용한 파동발생기의 상부면에 상기 LED칩의 전극 반대면의 모양과 동일한 형태로 패터닝된 다수개의 홈이 형성되어 상기 LED 칩이 자가배열되는 이송판을 개재시키는 이송판개재단계(S103), 상기 이송판개재단계(S103)를 통해 개재된 이송판에 상기 LED칩을 배치하는 LED칩배치단계(S105), 상기 파동발생기에서 파형과 파형의 변이를 발생시켜, 상기 이송판에 배치된 LED칩을 상기 홈에 안착하는 LED칩안착단계(S107), 상기 LED칩안착단계(S107)를 통해 LED칩이 안착된 이송판의 상부면에 이방성 도전필름을 적층하는 도전필름적층단계(S109) 및 상기 도전필름적층단계(S109)를 통해 이방성 도전필름이 적층된 이송판의 상부면에 전극패턴이 형성된 기판을 적층하고 가압 및 가열하여 LED칩을 기판에 전사하는 전사단계(S111)로 이루어진다.The method of manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy according to the present invention includes an LED chip preparation step (S101) of preparing an LED chip representing an asymmetric shape so that the top and bottom, left and right are distinguished, and a speaker. A plurality of grooves patterned in the same shape as the shape of the opposite surface of the electrode of the LED chip are formed on the upper surface of the wave generator used, and the transfer plate interposing step (S103) of interposing the transfer plate on which the LED chips are self-arranged, the transfer An LED chip arrangement step (S105) of arranging the LED chip on a transfer plate interposed through a plate interposition step (S103), a waveform and a waveform change are generated in the wave generator, and the LED chip disposed on the transfer plate is transferred to the transfer plate. The conductive film stacking step (S109) of laminating an anisotropic conductive film on the upper surface of the transfer plate on which the LED chip is seated through the LED chip seating step (S107) of seating in the groove (S107) and the LED chip seating step (S107) and the conductive film It consists of a transfer step (S111) of laminating the substrate on which the electrode pattern is formed on the upper surface of the transfer plate on which the anisotropic conductive film is laminated through the lamination step (S109), and transferring the LED chip to the substrate by pressing and heating.
상기 LED칩준비단계(S101)는 상하, 좌우가 구분되도록 비대칭의 형태를 나타내는 LED칩을 준비하는 단계로, 비대칭의 형태를 나타내도록 제조되는 것이 바람직하며, 수평단면이나 수직단면이 정사각형이나 직사각형을 제외한 평행사변형의 형태를 나타내는 것이 더욱 바람직하다.The LED chip preparation step (S101) is a step of preparing an LED chip showing an asymmetric shape so that the top and bottom, left and right are distinguished. It is more preferable to represent the shape of a parallelogram except for the parallelogram.
통상적으로 LED칩은 아래 도 2에 나타낸 바와 같이 사파이어, Si, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN, 유리 및 GaAs 등과 같이 성분으로 이루어지는 성장기판(1) 상에 제1반도체층(2) 및 제2 반도체층(4) 및 상기 제1반도체층(2) 및 상기 제2반도체층(4) 사이에 배치되는 활성층(3)과, 상기 제2반도체층(4)의 상부면에 오믹접촉층(5), 절연막(6) 및 본딩금속층(7)이 순차적으로 적층되는 구조로 이루어진다.Typically, the LED chip is a first on a
본 발명에서 사용되는 비대칭 형태의 LED칩은 상기 제1반도체층(2)까지 건식 식각한 후에, 제2반도체층(4)과 오믹접촉층(5)을 금속 또는 투명전도산화물로 형성시키고, 성장기판(1)까지 식각하는 과정을 통해 제조될 수 있는데, 이때, 식각은 LED칩의 수평단면이나 수직단면의 모양이 아래 도 3에 나타낸 바와 같이 비대칭 형태가 되도록 적용되는 것이 바람직하다.The asymmetric LED chip used in the present invention is dry-etched to the
상기의 과정을 통해 비대칭 형태를 갖는 LED칩은 아래 도 4에 나타낸 바와 같이 이송판개재단계(S103)에서 사용되는 이송판(300)에 형성된 홈(310)에 자가배열될 수 있으며, 5 내지 300㎛의 크기로 이루어지는 것이 바람직하다.Through the above process, the LED chip having an asymmetric shape may be self-arranged in the
상기 이송판개재단계(S101)는 스피커와 같은 파동발생기가 구비된 파동 발생 장치의 상부면에 아래 도 4에 나타낸 것처럼, 상기 LED칩의 전극 반대면의 모양과 동일한 형태로 패터닝된 다수개의 홈(310)이 형성되어 상기 LED칩이 자가배열되는 이송판(300)을 개재시키는 단계로, 상기 파동발생기는 피에조 일렉트릭이 구비된 복수개의 스피커로 이루어지며, 10 내지 3000Hz의 파동을 발생시킬 수 있다.In the transfer plate interposition step (S101), a plurality of grooves patterned in the same shape as the shape of the opposite surface of the electrode of the LED chip ( 310) is formed and the
본 발명에서는 LED칩의 움직임을 독립적으로 조정하기 위해 파동 에너지를 이용하는데, 파동에너지는 주파수에 비례하며 LED칩을 움직이는 힘의 원동력이 되며, LED칩의 방향을 잡기 위해서 파동 발생 장치에 구비된 파동발생기에서 만들어진 정상파들의 합성을 통해 원하는 방향으로 LED칩을 이동시킬 수 있다.In the present invention, wave energy is used to independently control the movement of the LED chip, and the wave energy is proportional to the frequency and becomes the driving force of the force that moves the LED chip. It is possible to move the LED chip in the desired direction through the synthesis of the standing waves generated by the generator.
이 경우 주파수와 경계 조건에 따라 파형이 다르게 형성되며, 이송판(300)을 파형이 형성된 지지판(20) 위에 올려 놓고 주파수와 파동 발생 장치에 구비된 파동발생기의 위치를 조절함으로써 LED 칩을 원하는 위치에 옮길 수 있는 수단이 만들어지면 이들을 정확히 콘트롤함으로써 LED칩(400)을 이송판(300)에 배열시킬 수 있게 된다.In this case, the waveform is formed differently depending on the frequency and boundary conditions, and the LED chip is positioned at the desired position by placing the
본 발명에서 사용되는 파동발생기는 10 내지 3000Hz의 파동을 0.1 내지 3.0의 세기(Intensity)로 발생시킬 수 있으며, 본 발명에서 사용되는 5 내지 300㎛ 크기의 LED칩의 크기에 따라 파동의 범위와 세기는 가변적일 수 있는데, 일 예로 LED칩의 크기가 100㎛×80㎛×60㎛를 나타내는 경우에는 100 내지 120Hz의 파동을 2.0의 세기로 적용하는 것이 바람직하다.The wave generator used in the present invention can generate a wave of 10 to 3000 Hz with an intensity of 0.1 to 3.0, and the range and intensity of the wave according to the size of the LED chip having a size of 5 to 300 μm used in the present invention may be variable, for example, when the size of the LED chip represents 100 μm×80 μm×60 μm, it is preferable to apply a wave of 100 to 120 Hz with an intensity of 2.0.
또한, 본 발명에서 사용되는 LED칩의 크기가 100㎛×80㎛×60㎛ 보다 작은 경우에는 파동의 파동의 범위를 10 내지 99Hz, 파동의 세기는 0.1 내지 1.9로 적용할 수 있으며, 본 발명에서 사용되는 LED칩의 크기가 100㎛×80㎛×60㎛ 보다 큰 경우에는 파동의 범위를 121 내지 3000Hz, 파동의 세기는 2.1 내지 3.0으로 적용할 수 있다.In addition, when the size of the LED chip used in the present invention is smaller than 100㎛ × 80㎛ × 60㎛, the range of the wave of 10 to 99Hz, the intensity of the wave can be applied to 0.1 to 1.9, in the present invention When the size of the LED chip used is greater than 100 μm×80 μm×60 μm, the range of the wave may be 121 to 3000 Hz, and the intensity of the wave may be applied to 2.1 to 3.0.
본 발명에서 사용되는 파동 발생 장치에 적용되는 LED칩(400)의 모습을 도시하여 아래 도 5에 나타내었다.The state of the
아래 도 5에 나타낸 것처럼, 본 발명에서 이용되는 파동 발생 장치는 척(chuck) 영역(100) 및 파동 발생 장치 영역(200)으로 구분된다. 척 영역(100)은 척을 조립하게 되는데 척의 조립 과정에서 이송판(300) 및 LED칩(400)을 배치하여 조립한다.As shown in FIG. 5 below, the wave generating device used in the present invention is divided into a
이때, 이송판(300)에 홈(310) 대신 홀을 형성하는 경우에는 LED칩(400)이 이송판(300)에 형성된 홀을 통해 빠져나가는 것을 방지하기 위해 이송판(300)의 하부면에 추가적으로 필름(500)이 배치될 수도 있다. 그러나 이송판(300)에 홀이 형성되더라도 홀의 형태가 LED칩(400)이 빠져나가지 못하도록 형성된 경우, 예를 들어 밑으로 갈수록 홀의 직경이 작아져 LED칩(400)의 크기보다 작은 홀을 형성한 경우에는 상기 필름(500)이 반드시 필요하진 않다.At this time, when a hole is formed in the
상기의 과정을 통해 조립된 척 영역(100)은 파동 발생 장치 영역(200)에 체결된다. 파동 발생 장치 영역(200)에서는 파형이 만들어지는 매질(본 발명의 경우, 기판)의 경계와 주파수의 변화를 통해 적절한 파형을 만들어 낼 수 있으며, 진폭을 조정할 수 있다.The
본 발명에서는 파동발생기로 피에조 일렉트릭이 구비된 복수개의 스피커를 적용하여 독립적으로 작동시킴으로써 합성 파형을 생성할 수 있는데, 일 예로 파동조절부(610, 620, 630, 640)를 4개 설치하여 독립적으로 파동발생기를 작동시킴으로써 합성 파형을 생성할 수 있게 하였다. 이렇게 생성된 각 파형을 합성함으로써 파형을 x-축, y-축으로 이동할 수 있게 하여 궁극적으로 칩을 원하는 방향으로 움직일 수 있다.In the present invention, a synthesized waveform can be generated by applying a plurality of speakers equipped with piezoelectrics as a wave generator and operating them independently. By operating the wave generator, it was possible to generate a composite waveform. By synthesizing each of the generated waveforms, the waveform can be moved in the x-axis and y-axis, which ultimately moves the chip in the desired direction.
이때, 상기 이송판(300)에 형성되는 홈(310)의 깊이는 LED칩(400)의 두께 보다 낮게 형성되어야 하는데, 그 이유는 LED칩(400)의 본딩금속층(7)이 이송판(300)의 표면으로 돌출되어 LED칩(400)의 전사가 용이하게 진행될 수 있도록 하기 위함이다.At this time, the depth of the
상기 LED칩배치단계(S103)는 상기 이송판개재단계(S101)를 통해 개재된 이송판(300)에 LED칩(400)을 배치하는 단계로, 상기 이송판(300)에 배치되는 LED칩(400)이 상기 이송판(300)에 형성된 홈(310)에 안착되는 비율을 향상시키기 위해 LED칩(400)을 유체와 혼합하여 이송판에 개재하는 것이 바람직하다.The LED chip arrangement step (S103) is a step of placing the
이때, 상기 유체는 이송판(300)에 형성된 홈(310)에 LED칩의 안착비율을 고려했을 때, 아세톤을 사용하는 것이 가장 바람직하다.At this time, it is most preferable to use acetone as the fluid in consideration of the seating ratio of the LED chip in the
또한, 상기 LED칩배치단계(S103)에서는 LED칩(400) 외에 이미지센서 기능이나 압력센서 기능을 나타내는 마이크로칩이 함께 배치되어 LED칩(400) 뿐만 아니라, 이미지센서 기능 및 압력센서 기능을 갖는 디스플레이 모듈을 제공할 수도 있다.In addition, in the LED chip arrangement step (S103), in addition to the
이때, 이미지센서 기능이나 압력센서 기능을 갖는 마이크로 칩은 상기 LED칩(400)과는 다른 형태를 갖는 형태로 적용되며, 이와 같이 마이크로 칩이 적용되는 경우에는 상기 이송판(300)에 형성되는 홈(310)은 LED칩(400)에 대응되는 형태와 상기 마이크로 칩에 대응되는 형태가 혼재되어 있는 상태로 제조되어야 한다.At this time, the microchip having an image sensor function or a pressure sensor function is applied in a shape different from that of the
상기 LED칩안착단계(S105)는 상기 파동 발생 장치에 구비된 파동발생기에서 파형과 파형의 변이를 발생시켜, 상기 이송판(300)에 배치된 LED칩을 상기 홈(310)에 안착하는 단계로, 상기 LED칩배치단계(S103)를 통해 이송판(300)의 상부면에 무작위로 퍼져있는 입체적 독립성을 가지는 비대칭 형태의 LED칩(400)에 특정 흐름을 부여하여 특정 위치에 밀집시킴으로서 LED칩(400)이 자가배열 방식에 의해 이송판(300)에 형성된 홈(310)에 접촉하는 빈도수를 증가시킬 수 있다. 또한, 진동수와 진동수를 인가하는 패턴을 조절하여 특정 흐름을 조절함으로서, 다수의 LED칩(400)이 배열되는 위치를 미세하게 조정할 수 있다.The LED chip seating step (S105) is a step of generating a waveform and a change in waveform in the wave generator provided in the wave generating device, and seating the LED chip disposed on the
즉, 상기 LED칩(400)과 유체로 이루어진 혼합물 내에 특정 에너지를 가지는 파동을 인가하면, 유체 내에 발생하는 특정 흐름에 의해 입체적 독립성을 가지는 비대칭 형태의 LED칩(400)이 이송판(300)에 형성된 홈(310)에 안착되는 비율이 향상된다.That is, when a wave having a specific energy is applied to the mixture of the
이때, LED칩안착단계(S105)에서는 파동을 발생시킬 수 있는 복수개의 파동 발생기(20)를 포함하는 파동 발생 장치가 사용되며, 파동발생기(20)는 복수개가 배치된다.At this time, in the LED chip mounting step (S105), a wave generator including a plurality of
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수개의 파동발생기(20)가 적용된 파동 발생 장치의 개략 평면도를 나타낸 것으로, 도 6에 나타낸 바와 같이 일예로 지지판(10)에 4개의 파동발생기(20)가 배치될 수 있으며, 이 경우 두개가 한 쌍을 이루어 제어될 수 있고, 두 쌍의 파동발생기(20)를 제어하여 파동을 중첩시켜 사용할 수 있다.6 is a schematic plan view of a wave generating device to which a plurality of
본 발명에서는 LED칩(400)의 움직임을 독립적으로 조정하기 위해 파동 에너지(wave energy)가 이용되는데, 기본적으로 파동(wave)은 에너지로 E=hν(h=플랑크 상수, ν=c/λ)이며, LED칩(400)을 이동시키는데 활용된다.In the present invention, wave energy is used to independently control the movement of the
상기의 식으로 표현되는 파동에너지는 주파수에 비례하며 LED칩(400)을 움직이는 힘의 원동력이 될 수 있는데, LED칩(400)의 방향을 잡기 위해서 파동발생기(20)에서 만들어진 정상파들의 합성을 통해 원하는 방향으로 LED칩(400)을 이동시킬 수 있다.The wave energy expressed in the above formula is proportional to the frequency and can be the driving force of the force that moves the
이때, 파형은 정상파의 경우 경계조건에 의해 파형이 형성되기 때문에 플레이트(plate)의 크기와 모양(직사각형, 원, 정각형, 등)을 조정함으로써 파의 형상을 조정할 수 있다. At this time, since the waveform is formed by boundary conditions in the case of a standing wave, the shape of the wave can be adjusted by adjusting the size and shape of the plate (rectangle, circle, square, etc.).
아래 도 7에 일반적인 스피커를 이용하여 생성된 음향파(acostic wave)를 아크릴 판에 전달함으로써 만들어지는 파형의 모습을 촬영하여 나타내었다.In FIG. 7 below, the shape of a waveform created by transmitting an acoustic wave generated using a general speaker to an acrylic plate is photographed and shown.
따라서, 파동을 인가하기 전 유체의 움직임은 난류 형태를 나타내지만, 파동의 특성상 동일한 파형으로 중첩되는 부분은 진폭이 증가하고, 반대의 파형으로 중첩되는 부분은 진폭이 0이 되는 원리에 의해 LED칩(400)이 유동성을 가진채로 일정한 특정 흐름을 형성할 수 있다.Therefore, the motion of the fluid before the application of the wave shows a turbulent flow, but due to the nature of the wave, the amplitude of the part overlapping with the same waveform increases, and the amplitude of the part overlapping with the opposite waveform becomes 0 due to the principle of the
또한, 파동발생기(20)의 주파수를 변경시키면서 LED칩(400)이 이송판(300)에 형성된 홈(310)에 안착되도록 유도하게 되는데, 파동발생기(20)의 주파수를 변경시킴으로써 새로운 공명 파동이 다시 형성될 수 있고, 이에 의해 LED칩(400)이 이동하게 되면서 이송판(300)에 형성된 홈에 안착될 확률이 높아지게 된다. 지속적으로 주파수를 변경시키면서 파동의 형성 모습을 변경시킴으로써 LED칩(400)이 모두 홈(310)에 안착되도록 하며, 이는 이용되는 LED칩(400)의 모양과 크기, 홈의 형태 및 칩의 개수에 따라 주파수를 제어하여 수행하게 된다.In addition, while changing the frequency of the
상기의 LED칩안착단계(S105)에서 유체(700)를 채워 놓은 채로 파동을 발생시켜 LED칩(400)을 이동시키는 모습의 개략도를 아래 도 8에 나타내었으며, LED칩(400)이 이송판(300)에 형성된 홈(310)에 안착된 모습의 개략도를 아래 도 9에 나타내었다.A schematic diagram of moving the
또한, 본 발명에서 사용되는 파동 발생 장치에서 발생된 파동으로 LED칩이 배열되는 모습을 촬영하여 아래 도 10 내지 11에 나타내었다. 아래 도 10 내지 11에 나타낸 것처럼, 파동 발생 장치에서 발생된 파동에 의해 LED 칩이 배열되는 것을 알 수 있다.In addition, the state in which the LED chip is arranged with the wave generated by the wave generating device used in the present invention is shown in FIGS. 10 to 11 below. As shown in FIGS. 10 to 11 below, it can be seen that the LED chips are arranged by the waves generated by the wave generating device.
상기 도전필름적층단계(S109)는 상기 LED칩안착단계(S107)를 통해 LED칩(400)이 안착된 이송판(300)의 상부면에 이방성 도전필름을 적층하는 단계로, 상기 LED칩안착단계(S107)를 통해 LED칩(400)이 이송판(300)에 형성된 홈에 안착된 후에 상기 이송판(300)의 상부면에 합성수지 및 도전성 입자로 이루어지며 두께가 10 내지 30㎛인 이방성 도전필름을 적층하는 과정으로 이루어진다.The conductive film laminating step (S109) is a step of laminating an anisotropic conductive film on the upper surface of the
상기 이방성 도전필름은 합성수지 100 중량부에 도전성 입자 1 내지 5 중량부가 혼합되어 이루어지는데, 상기 합성수지 성분은 상기 전사단계(S111)에서 용융되어 상기 이송판(300)의 홈(310)에 위치한 LED칩(400)이 전극패턴이 형성된 기판에 접착될 수 있도록 하는 역할을 하며, 상기 도전성 입자는 상기 LED칩(400)과 상기 전극패턴이 형성된 기판 사이에 전류가 형성될 수 있도록 하는 역할을 한다.The anisotropic conductive film is made by mixing 1 to 5 parts by weight of conductive particles in 100 parts by weight of a synthetic resin. The synthetic resin component is melted in the transfer step (S111) and the LED chip located in the
이때, 상기 합성수지는 에폭시, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌 및 폴리비닐알코올 등이 사용될 수 있으며, 상기 도전성 입자는 입경이 2 내지 8㎛인 니켈을 사용하는 것이 바람직하다.In this case, as the synthetic resin, epoxy, polyethylene, polypropylene, polyester, polystyrene, polyvinyl alcohol, etc. may be used, and it is preferable to use nickel having a particle diameter of 2 to 8 μm for the conductive particles.
상기 전사단계(S111)는 상기 도전필름적층단계(S109)를 통해 이방성 도전필름이 적층된 이송판(300)의 상부면에 전극패턴이 형성된 기판을 적층하고 가압 및 가열하여 LED칩(400)을 기판에 전사하는 단계다.In the transfer step (S111), the electrode pattern is laminated on the upper surface of the
상기의 전사단계(S111)에서 가압조건은 특별히 한정되지 않고, 이송판(300)에 형성된 홈(310)에 안착된 LED칩(400)을 물리적으로 손상시키지 않는 범위 내에서는 자유롭게 적용할 수 있으며, 상기 가열온도는 상기 도전필름적층단계(S109)에서 적층되는 이방성 도전필름을 구성하는 합성수지가 용융될 수 있는 온도를 적용하는 것이 바람직하다.The pressing conditions in the transfer step (S111) are not particularly limited, and can be freely applied within a range that does not physically damage the
이하에서는, 본 발명에 따른 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법을 실시예를 들어 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy according to the present invention will be described with reference to an embodiment.
<실시예 1><Example 1>
4개의 파동발생기(피에조 일렉트릭이 구비된 스피커) 위에 사각형(25cm×25cm)의 플라스틱을 고정하여 4개의 파동발생기를 독립적으로 작동(이렇게 할 경우 원하는 파형을 비교적 용이하게 얻을 수 있어 LED칩이 정확한 위치에 자리잡는 데 유리)할 수 있도록 파동 발생 장치를 구비하였으며, 상하, 좌우가 구분되도록 비대칭 형태를 나타내는 LED칩을 준비한 후에, 상기 파동 발생 장치에 구비된 사각형의 플라스틱의 상부면에 상기 LED 칩의 형태와 대응되는 홈이 형성된 이송판을 위치시키고, LED칩(100㎛×80㎛×60㎛) 0.5g을 유체(아세톤)와 혼합한 후에 상기 이송판의 상부면에 개재하고 100Hz의 파동을 2.0의 세기로 5분 동안 발생시켰다.Four wave generators (speakers equipped with piezoelectrics) are fixed with a square (25cm×25cm) plastic to operate the four wave generators independently (in this case, the desired waveform can be obtained relatively easily, so that the LED chip is positioned accurately A wave generating device was provided so that it could be positioned in the wave generating device, and after preparing an LED chip showing an asymmetric shape so that the top and bottom, left and right were distinguished, the LED chip was placed on the upper surface of the rectangular plastic provided in the wave generating device. A transport plate with grooves corresponding to the shape is placed, 0.5 g of LED chips (100 μm×80 μm×60 μm) are mixed with a fluid (acetone), and then interposed on the upper surface of the transport plate and a wave of 100 Hz is applied to 2.0 was generated for 5 minutes at the intensity of
<실시예 2><Example 2>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 120Hz의 파동을 발생시켰다.It proceeded in the same manner as in Example 1, except that a wave of 120 Hz was generated.
<비교예 1><Comparative Example 1>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 120Hz의 파동과 유체로 메탄올을 사용하였다.Proceeded in the same manner as in Example 1, except that methanol was used as a wave and fluid of 120 Hz.
<비교예 2><Comparative Example 2>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 120Hz의 파동과 유체로 물을 사용하였다.Proceeded in the same manner as in Example 1, except that water was used as a wave and fluid of 120 Hz.
<비교예 3><Comparative Example 3>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 700Hz의 파동을 발생시켰다.It proceeded in the same manner as in Example 1, except that a wave of 700 Hz was generated.
<비교예 4><Comparative Example 4>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 1500Hz의 파동을 발생시켰다.It proceeded in the same manner as in Example 1, except that a wave of 1500 Hz was generated.
<비교예 5><Comparative Example 5>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 120Hz의 파동을 1.0의 세기로 발생시켰다.It proceeded in the same manner as in Example 1, except that a wave of 120 Hz was generated with an intensity of 1.0.
<비교예 6><Comparative Example 6>
상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, 120Hz의 파동을 0.5의 세기로 발생시켰다.It proceeded in the same manner as in Example 1, except that a wave of 120 Hz was generated with an intensity of 0.5.
상기 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 6을 통해 이송판에 형성된 홈에 LED칩의 충전율을 계산하여 아래 표 1에 나타내었다.The filling rates of the LED chips in the grooves formed on the transfer plate in Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 6 were calculated and shown in Table 1 below.
{단, 충전율은 소수점 한자리수에서 반올림하여 표기하였다.}{However, the filling rate is expressed by rounding to one decimal place.}
<표 1><Table 1>
상기 표 1에 나타낸 것처럼, 본 발명의 실시예 1 내지 2는 크기가 100㎛×80㎛×60㎛인 LED칩을 사용하는 경우, 100 내지 120Hz 파동을 2.0의 세기로 적용했을 때, 이송판에 형성된 홈에 LED칩의 충전율이 94% 이상을 나타내는 것을 알 수 있다.As shown in Table 1, in Examples 1 and 2 of the present invention, when an LED chip having a size of 100 μm × 80 μm × 60 μm is used, when a 100 to 120 Hz wave is applied with an intensity of 2.0, the transfer plate It can be seen that the filling rate of the LED chip in the formed groove is 94% or more.
또한, 본 발명의 실시예 1 내지 2와 같이 유체로 아세톤을 사용하는 경우 다른 성분(물 또는 메탄올)을 사용하는 경우보다 우수한 충전율을 나타내는 것을 알 수 있다.In addition, as in Examples 1 and 2 of the present invention, when acetone is used as a fluid, it can be seen that the filling rate is better than when other components (water or methanol) are used.
반면, 비교예 1 내지 6은 40 내지 80%의 충전율을 나타내었는데, 비교예 5 내지 6을 보면, 100㎛×80㎛×60㎛인 LED칩을 사용하고, 100 내지 120Hz 파동 적용하더라도 파동의 세기가 2.0 미만인 경우에는 충전율이 낮아지는 것을 알 수 있다.On the other hand, Comparative Examples 1 to 6 showed a filling rate of 40 to 80%. In Comparative Examples 5 to 6, an LED chip having a size of 100 μm × 80 μm × 60 μm was used, and the intensity of the wave was applied even when a wave of 100 to 120 Hz was applied. When is less than 2.0, it can be seen that the filling rate is lowered.
즉, 파동의 범위와 세기는 LDE칩의 크기게 따라 가변적으로 적용해야하는 것을 알 수 있다.That is, it can be seen that the range and strength of the wave must be variably applied according to the size of the LDE chip.
따라서, 본 발명에 따른 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법은 LED칩을 기판에 빠르게 전사할 뿐만 아니라, 높은 전사율을 나타낸다.Therefore, the method for manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy according to the present invention not only transfers the LED chip to the substrate quickly, but also exhibits a high transfer rate.
또한, LED칩의 자가배열이 가능하도록 비대칭의 형상을 갖는 LED칩과, 상기 비대칭 LED칩에 대응되는 홈이 형성된 이송판을 사용하여 디스플레이 모듈의 불량률이 줄어들기 때문에, 디스플레이 모듈 제조 후에 발생하는 리워크(rework) 공정을 최소화할 수 있다.In addition, since the defect rate of the display module is reduced by using an LED chip having an asymmetric shape to enable self-arrangement of the LED chip and a transfer plate having a groove corresponding to the asymmetric LED chip, the defect rate generated after the display module is manufactured. A rework process can be minimized.
S101 ; LED칩준비단계
S103 ; 이송판개재단계
S105 ; LED칩배치단계
S107 ; LED칩안착단계
S109 ; 도전필름적층단계
S111 ; 전사단계
1 ; 성장기판
2 ; 제1반도체층
3 ; 활성층
4 ; 제2반도체층
5 ; 오믹접촉층
6 ; 절연막
7 ; 본딩금속층
10 ; 지지판, 20 ; 파동 발생기
100 ; 척(chuck) 영역, 200 ; 파동 발생 장치 영역
300 ; 이송판, 310 ; 홈
400 ; LED칩, 500 ; 필름
610,620,630,640 ; 파동조절부
700 ; 유체S101; LED chip preparation stage
S103; Transfer plate intervening step
S105 ; LED chip placement step
S107; LED chip mounting step
S109; Conductive film lamination step
S111 ; Warrior stage
One ; growth board
2 ; first semiconductor layer
3 ; active layer
4 ; 2nd semiconductor layer
5 ; ohmic contact layer
6 ; insulating film
7 ; bonding metal layer
10 ; support plate, 20 ; wave generator
100 ; chuck area, 200 ; wave generator area
300 ; transfer plate, 310 ; home
400 ; LED chip, 500 ; film
610,620,630,640; wave control unit
700 ; fluid
Claims (9)
스피커를 이용한 파동발생기가 구비된 파동 발생 장치의 상부면에 상기 LED칩의 전극 반대면의 모양과 동일한 형태로 패터닝된 다수개의 홈이 형성되어 상기 LED 칩이 자가배열되는 이송판을 개재시키는 이송판개재단계;
상기 이송판개재단계를 통해 개재된 이송판에 상기 LED칩을 배치하는 LED칩배치단계;
상기 파동발생기에서 파형과 파형의 변이를 발생시켜, 상기 이송판에 배치된 LED칩을 상기 홈에 안착하는 LED칩안착단계;
상기 LED칩안착단계를 통해 LED칩이 안착된 이송판의 상부면에 이방성 도전필름을 적층하는 도전필름적층단계; 및
상기 도전필름적층단계를 통해 이방성 도전필름이 적층된 이송판의 상부면에 전극패턴이 형성된 기판을 적층하고 가압 및 가열하여 LED칩을 기판에 전사하는 전사단계;로 이루어지며,
상기 파동발생기는 피에조 일렉트릭이 구비된 복수개의 스피커로 이루어지며, 10 내지 3000Hz의 파동을 0.1 내지 3.0의 세기로 발생시키고,
상기 홈의 깊이는 LED칩의 본딩금속층이 이송판의 표면으로 돌출되어 LED칩의 전사가 용이하게 진행될 수 있도록 LED칩의 두께보다 낮게 형성되는 것을 특징으로 하는 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법.
An LED chip preparation step of preparing an LED chip representing an asymmetric shape so that the top and bottom, left and right are distinguished;
On the upper surface of the wave generator equipped with a wave generator using a speaker, a plurality of grooves patterned in the same shape as the shape of the electrode opposite surface of the LED chip are formed, and a transfer plate on which the LED chips are self-arranged is interposed. intervening step;
LED chip arrangement step of placing the LED chip on the transfer plate interposed through the transfer plate intervening step;
an LED chip seating step of generating a waveform and a change in waveform in the wave generator, and seating the LED chip disposed on the transfer plate in the groove;
a conductive film lamination step of laminating an anisotropic conductive film on the upper surface of the transfer plate on which the LED chip is seated through the LED chip mounting step; and
A transfer step of transferring the LED chip to the substrate by laminating the substrate on which the electrode pattern is formed on the upper surface of the transfer plate on which the anisotropic conductive film is laminated through the conductive film lamination step, pressurizing and heating, and
The wave generator consists of a plurality of speakers equipped with piezoelectric electricity, and generates a wave of 10 to 3000 Hz with an intensity of 0.1 to 3.0,
The depth of the groove is asymmetric arranged on the transfer plate with sound wave energy, characterized in that the bonding metal layer of the LED chip protrudes from the surface of the transfer plate and is formed lower than the thickness of the LED chip so that the transfer of the LED chip can proceed easily. A method of manufacturing a display module using an LED chip.
상기 LED칩은 수평단면이나 수직단면이 정사각형이나 직사각형을 제외한 평행사변형의 형태를 나타내는 것을 특징으로 하는 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법.
The method according to claim 1,
The LED chip is a method of manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy, characterized in that the horizontal or vertical cross-section is in the form of a parallelogram except for a square or a rectangle.
상기 LED칩배치단계에서는 LED칩 외에 이미지센서 기능이나 압력센서 기능을 나타내되, 상기 LED칩과는 다른 형태를 갖는 마이크로칩이 함께 배치되는 것을 특징으로 하는 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법.
The method according to claim 1,
In the LED chip arrangement step, an asymmetric LED arranged on a transfer plate with sound wave energy, characterized in that, in addition to the LED chip, an image sensor function or a pressure sensor function is displayed, and a microchip having a shape different from the LED chip is disposed together. A method of manufacturing a display module using a chip.
상기 LED칩배치단계는 유체와 혼합된 LED칩을 배치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법.
The method according to claim 1,
The LED chip arrangement step is a method of manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy, characterized in that the LED chip mixed with the fluid is arranged.
상기 유체는 아세톤으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법.
7. The method of claim 6,
The method of manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy, characterized in that the fluid is made of acetone.
상기 LED칩은 크기가 5 내지 300㎛인 것을 특징으로 하는 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법.
The method according to claim 1,
The LED chip is a method of manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy, characterized in that the size is 5 to 300㎛.
상기 이방성도전필름은 입자크기가 2 내지 8㎛인 니켈이 함유되는 것을 특징으로 하는 소리 파동에너지로 이송판에 배열된 비대칭 LED칩을 이용한 디스플레이 모듈의 제조방법.The method according to claim 1,
The anisotropic conductive film is a method of manufacturing a display module using an asymmetric LED chip arranged on a transfer plate with sound wave energy, characterized in that it contains nickel having a particle size of 2 to 8 μm.
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