KR102437268B1 - Chemical mechanical polishing system - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학 기계적 연마 시스템에 관한 것으로, 화학 기계적 연마 장치의 부품에 따른 제어 데이터를 저장하는 메모리를; 사용되는 부품 정보로부터 제어 데이터를 상기 메모리로부터 호출하여 제어되는 화학 기계적 연마 장치를; 포함하여 구성되어, 화학 기계적 연마 장치의 부품에 따른 제어 데이터를 메모리에 미리 저장하여 두고, 부품의 상태나 사용 기간에 따라 메모리에 저장되어 있는 제어 데이터를 호출하여 화학 기계적 연마 장치를 제어함으로써, 화학 기계적 연마 장치에 의하여 연마되는 웨이퍼의 품질을 항상 일정하게 유지하여 신뢰성있는 연마 품질을 얻을 수 있는 화학 기계적 연마 시스템을 제공한다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing system, comprising: a memory for storing control data according to parts of the chemical mechanical polishing apparatus; a chemical mechanical polishing apparatus controlled by retrieving control data from the used part information from the memory; By storing the control data according to the parts of the chemical mechanical polishing apparatus in advance in the memory, and controlling the chemical mechanical polishing apparatus by calling the control data stored in the memory according to the state or period of use of the parts, Provided is a chemical mechanical polishing system capable of obtaining reliable polishing quality by always maintaining a constant quality of a wafer polished by a mechanical polishing apparatus.

Description

화학 기계적 연마 시스템 {CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM}Chemical mechanical polishing system {CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM}

본 발명은 화학 기계적 연마시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 다양한 부품의 제조사와, 사양과, 사용 기간 등의 부품 정보를 이용하여, 화학 기계적 연마 공정의 제어를 다르게 함으로써, 화학 기계적 연마 공정의 신뢰성 및 품질을 개선하는 화학 기계적 연마 시스템에 관한 것이다.
The present invention relates to a chemical mechanical polishing system, and more particularly, by using parts information such as manufacturers, specifications, and usage period of various parts used in a chemical mechanical polishing apparatus, control of the chemical mechanical polishing process is different. thereby improving the reliability and quality of the chemical mechanical polishing process.

일반적으로 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정은 연마층이 구비된 반도체 제작을 위한 웨이퍼 등의 웨이퍼과 연마 정반 사이에 상대 회전 시킴으로써 웨이퍼의 표면을 연마하는 표준 공정으로 알려져 있다. In general, a chemical mechanical polishing (CMP) process is known as a standard process for polishing the surface of a wafer by relative rotation between a wafer, such as a wafer for manufacturing a semiconductor having a polishing layer, and a polishing platen.

도1은 종래의 화학 기계적 연마 장치(9)를 개략적으로 도시한 도면이다. 도1에 도시된 바와 같이, 상면에 연마 패드(11)가 부착된 연마 정반(10)과, 연마하고자 하는 웨이퍼(W)를 장착하여 연마 패드(11)의 상면에 접촉하면서 회전하는 연마 헤드(20)와, 연마 패드(11)의 표면을 미리 정해진 가압력으로 가압하여 미세하게 절삭하여 연마 패드(11)의 표면에 형성된 미공이 표면에 나오도록 하는 컨디셔너(30)와, 공급구(42)를 통해 연마 패드(11)의 표면에 슬러리를 공급하여 웨이퍼(W)의 화학적 연마를 유도하는 슬러리 공급부(40)로 구성된다. 1 is a diagram schematically showing a conventional chemical mechanical polishing apparatus 9 . As shown in FIG. 1 , a polishing head ( 10 ) having a polishing pad ( 11 ) attached to its upper surface is mounted, and a polishing head ( 20), a conditioner 30 for finely cutting the surface of the polishing pad 11 by pressing with a predetermined pressing force so that micropores formed on the surface of the polishing pad 11 come out on the surface, and a supply port 42. and a slurry supply unit 40 for inducing chemical polishing of the wafer W by supplying the slurry to the surface of the polishing pad 11 through the polishing pad 11 .

연마 정반(10)은 웨이퍼(W)가 연마되는 폴리텍스 재질의 연마 패드(11)가 부착되고, 회전축(12)이 회전 구동되면서 연마 패드(11)가 화학 기계적 연마 공정 중에 자전한다. To the polishing platen 10, a polishing pad 11 made of a polytex material on which the wafer W is polished is attached, and as the rotation shaft 12 is rotationally driven, the polishing pad 11 rotates during the chemical mechanical polishing process.

연마 헤드(20)는 연마 정반(10)의 연마 패드(11)의 상면에 위치하여 웨이퍼(W)를 파지하는 캐리어 헤드(21)와, 캐리어 헤드(21)를 회전 구동하면서 일정한 진폭만큼 왕복 운동을 행하는 연마 아암(22)으로 구성된다. The polishing head 20 is positioned on the upper surface of the polishing pad 11 of the polishing plate 10 and reciprocates by a constant amplitude while rotating and driving the carrier head 21 holding the wafer W and the carrier head 21 . It consists of a grinding arm 22 which performs.

컨디셔너(30)는 연마 패드(11)의 표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록, 하측에 위치하는 컨디셔닝 디스크(31)를 연마 패드(11)에 대하여 가압하면서 회전시키는 것에 의해, 연마 패드(11)의 표면을 미세하게 절삭하여, 연마 패드(11)의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 캐리어 헤드(21)에 파지된 웨이퍼(W)에 원활하게 공급하도록 한다. The conditioner 30 attaches the conditioning disk 31 located on the lower side to the polishing pad 11 so that the numerous micropores in the foam that serve to contain the slurry in which the abrasive and chemical substances are mixed on the surface of the polishing pad 11 are not blocked. The surface of the polishing pad 11 is finely cut by rotating while being pressed against the polishing pad 11 , and the slurry filled in the foam pores of the polishing pad 11 is smoothly supplied to the wafer W held by the carrier head 21 . let it do

슬러리 공급부(40)는 연마 대상물인 웨이퍼의 연마면의 재질 등을 고려하여 선택된 슬러리가 화학 기계적 연마 공정 중에 연마 패드(11)로 공급되어, 연마 패드(11)에 형성된 미세 홈을 타고 웨이퍼(W)로 전달된다. 이에 따라, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)의 화학적 연마가 진행된다.
The slurry supply unit 40 supplies the slurry selected in consideration of the material of the polishing surface of the wafer, which is a polishing object, to the polishing pad 11 during the chemical mechanical polishing process, and rides the microgrooves formed in the polishing pad 11 to the wafer (W). ) is transferred to Accordingly, chemical polishing of the wafer W is performed during the chemical mechanical polishing process.

상기와 같이 구성된 화학 기계적 연마 장치(9)를 이용하여 행해지는 화학 기계적 연마 공정은, 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 연마 패드(11), 웨이퍼(W)의 연마층의 종류, 슬러리 종류에 관계없이 정해진 공정에 따라 행해진다. 예를 들어, 연마 정반의 회전 속도나 연마 헤드(20)에 의하여 웨이퍼(W)를 가압하는 가압력 및 컨디셔너에 의해 가압하는 가압력 및 스윕 속도 등이 정해진 형태로 행해진다. The chemical mechanical polishing process performed using the chemical mechanical polishing apparatus 9 configured as described above is performed regardless of the polishing pad 11 used in the chemical mechanical polishing process, the polishing layer of the wafer W, and the slurry type. It is carried out according to a prescribed process. For example, the rotation speed of the polishing platen, the pressing force for pressing the wafer W by the polishing head 20, the pressing force for pressing by the conditioner, and the sweep speed are performed in a predetermined manner.

그러나, 화학 기계적 연마 장치(9)의 각 부품은 제조사에 따라 특성이 차이가 있고, 사용 기간에 따라서도 연마율이 달라지기 때문에, 정해진 공정에 따라 화학 기계적 연마 공정을 행할 경우에는 웨이퍼의 연마면 품질과 단위 시간당 연마량의 편차가 발생되는 문제가 있었다.
However, each component of the chemical mechanical polishing apparatus 9 has different characteristics depending on the manufacturer and the polishing rate also varies depending on the period of use. There was a problem in that the quality and the amount of polishing per unit time were varied.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 화학 기계적 연마 장치의 부품 종류, 제조사 등의 사양의 변경에도 불구하고, 웨이퍼의 연마면의 연마 품질을 높은 수준으로 유지하고 웨이퍼의 연마면 두께 조절을 신뢰성있고 정확하게 할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above-described problems, the present invention maintains the polishing quality of the polished surface of the wafer at a high level and controls the thickness of the polished surface of the wafer despite changes in the specifications of the types of chemical mechanical polishing apparatus, manufacturers, etc. The purpose is to make it possible to do it reliably and accurately.

즉, 본 발명은, 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 다양한 부품의 제조사와, 사양과, 사용 기간 등의 부품 정보를 이용하여, 화학 기계적 연마 공정의 제어를 다르게 함으로써, 화학 기계적 연마 공정의 신뢰성 및 품질을 개선하는 것을 목적으로 한다.
That is, according to the present invention, the reliability and quality of the chemical mechanical polishing process by varying the control of the chemical mechanical polishing process using parts information such as manufacturers, specifications, and period of use of various parts used in the chemical mechanical polishing apparatus. aims to improve

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정을 행하는 화학 기계적 연마 시스템으로서, 화학 기계적 연마 장치의 부품에 따른 제어 데이터를 저장하는 메모리를; 사용되는 부품 정보로부터 제어 데이터를 상기 메모리로부터 호출하여 제어되는 화학 기계적 연마 장치를; 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a chemical mechanical polishing system for performing a chemical mechanical polishing process of a wafer, comprising: a memory for storing control data according to parts of the chemical mechanical polishing apparatus; a chemical mechanical polishing apparatus controlled by retrieving control data from the used part information from the memory; It provides a chemical mechanical polishing system, characterized in that it comprises.

이는, 화학 기계적 연마 장치의 부품에 따른 제어 데이터를 메모리에 미리 저장하여 두고, 부품의 상태나 사용 기간에 따라 메모리에 저장되어 있는 제어 데이터를 호출하여 화학 기계적 연마 장치를 제어함으로써, 화학 기계적 연마 장치에 의하여 연마되는 웨이퍼의 품질을 항상 일정하게 유지하여 신뢰성있는 연마 품질을 얻도록 하기 위함이다.
This is a chemical mechanical polishing apparatus by storing control data according to the parts of the chemical mechanical polishing apparatus in advance in the memory, and controlling the chemical mechanical polishing apparatus by calling the control data stored in the memory according to the state or usage period of the parts. This is to obtain reliable polishing quality by always maintaining the quality of the wafer polished by the

여기서, 상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 장치의 상기 웨이퍼의 연마면과 접촉하는 연마 패드의 재질과, 제조사와, 모델명과, 사용 기간 중 어느 하나 이상을 포함한다. 이와 같이, 연마 패드의 종류 및 사양이나 사용 기간(마모량)에 따라 연마 패드의 회전 속도, 연마 패드를 개질하는 컨디셔너의 가압력, 연마 패드를 개질하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도, 웨이퍼의 가압력 등의 화학 기계적 연마 장치의 제어 변수를 메모리로부터 호출하여 부품 상태에 맞게 제어함으로써, 부품의 상태에 따른 화학 기계적 연마의 편차를 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Here, the part information includes at least one of a material of a polishing pad in contact with the polishing surface of the wafer of the chemical mechanical polishing apparatus, a manufacturer, a model name, and a period of use. As described above, depending on the type and specification of the polishing pad or the period of use (amount of wear), the rotation speed of the polishing pad, the pressing force of the conditioner for reforming the polishing pad, the rotation speed of the conditioning disk for modifying the polishing pad, the pressing force of the wafer, etc. By calling the control variable of the polishing apparatus from the memory and controlling it according to the state of the part, it is possible to obtain the effect of preventing the deviation of chemical mechanical polishing according to the state of the part.

또한, 상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 장치의 연마 패드와 접촉하면서 표면을 개질하는 컨디셔닝 디스크의 재질과, 제조사와, 모델명 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이와 같이, 컨디셔닝 디스크의 종류 및 사양이나 사용 기간(마모량)에 따라 연마 패드의 회전 속도, 연마 패드를 개질하는 컨디셔너의 가압력, 연마 패드를 개질하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도, 웨이퍼의 가압력 등의 화학 기계적 연마 장치의 제어 변수를 메모리로부터 호출하여 부품 상태에 맞게 제어함으로써, 부품의 상태에 따른 화학 기계적 연마의 편차를 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the part information may include any one or more of a material, a manufacturer, and a model name of a conditioning disk that is in contact with the polishing pad of the chemical mechanical polishing apparatus and modifies the surface thereof. As described above, depending on the type and specification of the conditioning disk or the period of use (amount of wear), the rotational speed of the polishing pad, the pressing force of the conditioner for modifying the polishing pad, the rotational speed of the conditioning disk for modifying the polishing pad, the pressing force of the wafer, etc. By calling the control variable of the polishing apparatus from the memory and controlling it according to the state of the part, it is possible to obtain the effect of preventing the deviation of chemical mechanical polishing according to the state of the part.

그리고, 상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 공급되는 슬러리의 성분과, 제조사와, 모델명 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이와 같이, 슬러리의 종류 및 성분, 제조사 등에 따라 연마 패드의 회전 속도, 연마 패드를 개질하는 컨디셔너의 가압력, 연마 패드를 개질하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도, 웨이퍼의 가압력 등의 화학 기계적 연마 장치의 제어 변수를 메모리로부터 호출하여 부품 상태에 맞게 제어함으로써, 부품의 상태에 따른 화학 기계적 연마의 편차를 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the part information may include any one or more of a component of the slurry supplied during the chemical mechanical polishing process, a manufacturer, and a model name. As described above, control parameters of the chemical mechanical polishing apparatus such as the rotation speed of the polishing pad, the pressing force of the conditioner for reforming the polishing pad, the rotation speed of the conditioning disk for reforming the polishing pad, the pressing force of the wafer, etc., depending on the type, component, and manufacturer of the slurry By calling from the memory and controlling it according to the state of the part, it is possible to obtain the effect of preventing the deviation of chemical mechanical polishing according to the state of the part.

그리고, 상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 연마되는 상기 웨이퍼의 직경과, 연마층의 종류와, 제조사 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 즉, 웨이퍼도 역시 제조사와 연마층의 종류에 따라 연마 제어 변수가 변경되므로, 웨이퍼의 사양에 따라 화학 기계적 연마 장치의 제어 변수를 메모리로부터 호출하여 웨이퍼 사양에 맞게 제어함으로써, 웨이퍼 사양에 따른 화학 기계적 연마의 편차를 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the part information may include any one or more of a diameter of the wafer polished during the chemical mechanical polishing process, a type of a polishing layer, and a manufacturer. In other words, since the polishing control variable is changed according to the manufacturer and the type of polishing layer for the wafer, the chemical mechanical polishing apparatus according to the wafer specification is called from the memory and controlled according to the wafer specification. The effect of preventing the dispersion|variation in grinding|polishing can be acquired.

또한, 상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 연마되고 있는 상기 웨이퍼의 연마층의 실시간 두께를 포함할 수 있다. 즉, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼 연마층의 두께를 실시간으로 측정하고, 측정된 실시간의 연마층 두께에 따라 화학 기계적 연마 장치를 제어하는 제어 데이터를 변경하도록 메모리에 연마층의 실시간 두께에 따른 제어 데이터가 저장된다.
In addition, the part information may include a real-time thickness of the polishing layer of the wafer being polished during the chemical mechanical polishing process. That is, during the chemical mechanical polishing process, the thickness of the wafer polishing layer is measured in real time, and the control data according to the real-time thickness of the polishing layer is stored in the memory to change the control data for controlling the chemical mechanical polishing apparatus according to the measured real-time thickness of the polishing layer. is saved

즉, 상기 제어 데이터는, 상기 부품 정보의 각각에 따라 상기 웨이퍼의 연마면이 접촉하고 있는 연마 패드의 회전 속도와, 상기 웨이퍼를 가압하는 가압력과, 상기 웨이퍼를 회전시키는 회전 속도와, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 가압력과, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도와, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 공급량과, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 종류 중 어느 하나 이상에 대하여 상기 화학 기계적 연마 장치를 변경 제어한다.That is, the control data includes a rotation speed of a polishing pad with which the polishing surface of the wafer is in contact according to each of the part information, a pressing force for pressing the wafer, a rotation speed for rotating the wafer, and the polishing pad. For any one or more of the pressing force of the conditioning disk for pressing the polishing pad, the rotational speed of the conditioning disk pressing the polishing pad, the amount of slurry supplied to the polishing pad, and the type of slurry supplied to the polishing pad, the chemical Control changing mechanical polishing equipment.

바람직하게는, 상기 제어 데이터는, 상기 부품 정보의 조합에 따라 상기 웨이퍼의 연마면이 접촉하고 있는 연마 패드의 회전 속도와, 상기 웨이퍼를 가압하는 가압력과, 상기 웨이퍼를 회전시키는 회전 속도와, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 가압력과, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도와, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 공급량과, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 종류 중 어느 하나 이상에 대하여 상기 화학 기계적 연마 장치를 변경 제어한다.
Preferably, the control data includes a rotation speed of a polishing pad with which the polishing surface of the wafer is in contact according to a combination of the part information, a pressing force for pressing the wafer, a rotation speed for rotating the wafer; With respect to any one or more of the pressing force of the conditioning disk for pressing the polishing pad, the rotational speed of the conditioning disk pressing the polishing pad, the amount of slurry supplied to the polishing pad, and the type of slurry supplied to the polishing pad The chemical mechanical polishing equipment is changed and controlled.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 부품의 '사양' 및 이와 유사한 용어는 부품의 제조사, 종류, 모델, 사용 기간을 통칭하는 것으로 정의하기로 한다. 그리고, 본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '부품' 및 이와 유사한 용어는 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 소모품과 웨이퍼를 지칭하는 것으로 정의한다. 예를 들어, '부품'에는 슬러리, 연마 패드, 연마 헤드의 멤브레인, 컨디셔너의 컨디셔닝 디스크 등의 소모품과 웨이퍼를 포함한다.
'Specifications' and similar terms of parts described in this specification and claims are defined to collectively refer to the manufacturer, type, model, and period of use of the part. In addition, 'parts' and similar terms described in this specification and claims are defined to refer to consumables and wafers used in a chemical mechanical polishing apparatus. For example, 'parts' include wafers and consumables such as slurries, polishing pads, membranes in polishing heads, conditioning disks in conditioners, and the like.

본 발명에 따르면, 화학 기계적 연마 장치의 부품에 따른 제어 데이터를 메모리에 미리 저장하여 두고, 부품의 상태나 사용 기간에 따라 메모리에 저장되어 있는 제어 데이터를 호출하여 화학 기계적 연마 장치를 제어함으로써, 화학 기계적 연마 장치에 의하여 연마되는 웨이퍼의 품질을 항상 일정하게 유지하여 신뢰성있는 연마 품질을 얻을 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
According to the present invention, control data according to the parts of the chemical mechanical polishing apparatus are stored in memory in advance, and the chemical mechanical polishing apparatus is controlled by calling the control data stored in the memory according to the state or period of use of the parts, thereby controlling the chemical mechanical polishing apparatus. It is possible to obtain the effect of obtaining reliable polishing quality by always maintaining the quality of the wafer polished by the mechanical polishing apparatus.

도1은 일반적인 화학 기계적 연마 장치의 구성을 도시한 평면도,
도2는 도1의 평면도,
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템의 구성을 도시한 평면도,
도4a는 부품 정보에 따른 제어 데이터의 생성 구조를 도시한 메모리의 블록도,
도4b는 부품 정보의 조합에 따른 제어 데이터의 호출 구조를 도시한 메모리의 블록도,
도5는 도3의 화학 기계적 연마 시스템의 작동 원리를 설명하기 위한 순서도이다.1 is a plan view showing the configuration of a general chemical mechanical polishing apparatus;
Figure 2 is a plan view of Figure 1;
3 is a plan view showing the configuration of a chemical mechanical polishing system according to an embodiment of the present invention;
Fig. 4A is a block diagram of a memory showing a generation structure of control data according to part information;
Fig. 4B is a block diagram of a memory showing the structure of calling control data according to a combination of part information;
FIG. 5 is a flowchart for explaining the operating principle of the chemical mechanical polishing system of FIG. 3 .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템(100)을 상술한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해서는 동일 또는 유사한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, a chemical mechanical polishing system 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, in describing the present invention, the same or similar reference numerals are assigned to known functions or configurations, and descriptions thereof will be omitted in order to clarify the gist of the present invention.

도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템의 구성을 도시한 평면도, 도4a는 부품 정보에 따른 제어 데이터의 생성 구조를 도시한 메모리의 블록도, 도4b는 부품 정보의 조합에 따른 제어 데이터의 호출 구조를 도시한 메모리의 블록도, 도5는 도3의 화학 기계적 연마 시스템의 작동 원리를 설명하기 위한 순서도이다.
3 is a plan view showing the configuration of a chemical mechanical polishing system according to an embodiment of the present invention, FIG. 4A is a block diagram of a memory showing a structure of generating control data according to part information, and FIG. 4B is a combination of part information. FIG. 5 is a flowchart illustrating the operation principle of the chemical mechanical polishing system of FIG. 3 . FIG.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템(100)은, 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 장치(101)와, 화학 기계적 연마 장치(101)의 부품에 따른 제어 데이터를 저장하는 메모리(110)를 포함하여 구성된다.As shown in the drawing, a chemical mechanical polishing system 100 according to an embodiment of the present invention includes a chemical mechanical polishing apparatus 101 in which a chemical mechanical polishing process is performed, and a component of the chemical mechanical polishing apparatus 101 . It is configured to include a memory 110 for storing the control data according to the.

상기 화학 기계적 연마 장치(101)는 상면에 연마 패드(111)가 부착되어 자전(11d)하는 연마 정반과, 연마 패드(111)에 웨이퍼(W)의 연마면을 밀착시킨 상태로 가압하면서 회전하는 연마 헤드(120)와, 연마 패드(111)의 표면에 형성된 미세 기공들이 유지되도록 화학 기계적 연마 공정 중에 연마 패드(111)의 표면을 개질하는 컨디셔너(130)와, 연마 패드(111)에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부(140)와, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)의 연마층 두께를 측정하는 연마두께측정부(미도시)로 구성된다.The chemical mechanical polishing apparatus 101 includes a polishing platen having a polishing pad 111 attached to its upper surface and rotating 11d, and a polishing pad 111 that rotates while pressing the polishing surface of the wafer W in close contact with the polishing pad 111 . The polishing head 120, the conditioner 130 for modifying the surface of the polishing pad 111 during the chemical mechanical polishing process so that the micropores formed on the surface of the polishing pad 111 are maintained, and the slurry is applied to the polishing pad 111. It consists of a slurry supply unit 140 for supplying and a polishing thickness measurement unit (not shown) that measures the thickness of the polishing layer of the wafer W during the chemical mechanical polishing process.

여기서, 연마 패드(111)는 연마 대상물인 웨이퍼 연마층의 종류에 따라 변경되지만, 어느 하나의 제조사에서 생산된 제품에 특정되지 않고 호환 가능한 다수의 제품군 중 어느 하나로 선택되어 사용된다. Here, the polishing pad 111 is changed according to the type of the wafer polishing layer, which is a polishing object, but is not specific to a product manufactured by any one manufacturer, and is selected and used from among a plurality of compatible product groups.

연마 패드(111)의 표면에는 다수의 미세 홈이 형성되어, 슬러리 공급부(140)로부터 공급되는 슬러리가 연마 헤드(120)의 하측에 위치하는 웨이퍼(W)로 전달되는 통로가 된다. 따라서, 화학 기계적 연마 공정 중에는, 컨디셔너(130)에 의하여 컨디셔닝 디스크(131)를 회전시키면서 연마 패드(111)를 가압하여, 연마 패드(111)에 형성된 미세 홈이 막히지 않도록 한다.A plurality of microgrooves are formed on the surface of the polishing pad 111 , and serve as a passage through which the slurry supplied from the slurry supply unit 140 is transferred to the wafer W positioned below the polishing head 120 . Accordingly, during the chemical mechanical polishing process, the polishing pad 111 is pressed while the conditioning disk 131 is rotated by the conditioner 130 so that the microgrooves formed in the polishing pad 111 are not blocked.

그러나, 웨이퍼의 연마층 성분이 동일하다고 하더라도, 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 연마 패드(111)의 종류는 여러개 중 하나로 선택된다. 연마 패드(111)의 재질이나 탄성 등의 물성치는 규정 범위 내에서 제조사나 모델별로 편차가 있지만, 이와 같은 편차를 무시한 상태로 균일한 제어 조건으로 웨이퍼의 연마 공정이 행해지면, 웨이퍼(W)로 유입되는 슬러리의 양이 조금씩 달라져 화학적 연마량이 달라질 뿐만 아니라, 연마 패드(111)와 접촉하면서 이루어지는 웨이퍼 연마층의 기계적 연마량도 편차가 발생된다.However, even if the components of the polishing layer of the wafer are the same, the type of the polishing pad 111 used in the chemical mechanical polishing process is selected from among several. Although the physical properties such as material and elasticity of the polishing pad 111 have deviations for each manufacturer or model within the specified range, if the wafer polishing process is performed under uniform control conditions while ignoring such deviations, the wafer W As the amount of the introduced slurry is slightly different, not only the amount of chemical polishing is changed, but also the amount of mechanical polishing of the wafer polishing layer formed while in contact with the polishing pad 111 is also varied.

이 뿐만 아니라, 연마 패드(111)의 사용 기한이 경과하면, 연마 패드(111)의 표면에 형성된 미세 주름의 강성이 달라지므로, 화학적 연마량과 기계적 연마량의 편차를 유발하게 된다.
In addition to this, when the expiration date of the polishing pad 111 elapses, the rigidity of the fine wrinkles formed on the surface of the polishing pad 111 changes, thereby causing a deviation between the amount of chemical polishing and the amount of mechanical polishing.

연마 패드(111) 뿐만 아니라, 화학 기계적 연마 장치(101)의 컨디셔닝 디스크(131)도 제조사와 모델별로 연마 패드(111)와의 접촉 마찰 특성이 차이가 있고, 컨디셔닝 디스크(131)의 사용 기간이 경과함에 따라 연마 패드(111)와의 마찰 특성이 차이가 생긴다. In addition to the polishing pad 111 , the conditioning disk 131 of the chemical mechanical polishing apparatus 101 also has different contact friction characteristics with the polishing pad 111 for each manufacturer and model, and the period of use of the conditioning disk 131 has elapsed. As a result, friction characteristics with the polishing pad 111 are different.

이와 유사하게, 연마 헤드(120)에 장착되는 멤브레인도 제조사와 모델별로 늘어나는 연성과 휨 강성의 편차가 있다. 이에 따라, 연마 헤드(120)의 압력 챔버에 공압을 동일하게 인가하더라도, 멤브레인 바닥판이 하방으로 웨이퍼를 가압하는 힘의 편차가 야기된다. Similarly, the membrane mounted on the polishing head 120 also has variations in ductility and flexural rigidity that increase according to manufacturers and models. Accordingly, even when the same pneumatic pressure is applied to the pressure chamber of the polishing head 120 , a deviation in the force of the membrane bottom plate pressing the wafer downward is caused.

마찬가지로, 소모품인 멤브레인의 사용 기간이 경과하면서, 압력 챔버에 압력이 인가되면 상하 방향으로 반복 이동하는 멤브레인의 소성 변형이 생기면서, 동일한 공압이 압력 챔버에 인가되더라도 멤브레인 바닥판에 의하여 웨이퍼(W)를 하방으로 가압하는 힘은 차이가 생기게 된다. 특히, 최근에는 연마 헤드(120)에 장착되는 멤브레인에 다수의 격벽에 의해 압력 챔버를 분할하여 사용함에 따라, 멤브레인의 격벽의 강성 편차로 인하여 연마 헤드(120)의 압력 챔버에 동일한 공압이 인가되더라도 웨이퍼(W)의 영역별 가압력에 미세한 편차가 야기되는 현상이 있다.Similarly, as the period of use of the membrane, which is a consumable, elapses, when pressure is applied to the pressure chamber, plastic deformation of the membrane repeatedly moving up and down occurs, and even if the same pneumatic pressure is applied to the pressure chamber, the wafer W There is a difference in the force to press downward. In particular, in recent years, as the pressure chamber is divided by a plurality of barrier ribs in a membrane mounted on the polishing head 120 , even when the same pneumatic pressure is applied to the pressure chamber of the polishing head 120 due to a variation in the rigidity of the barrier ribs of the membrane. There is a phenomenon in which a slight deviation is caused in the pressing force for each area of the wafer W.

또한, 슬러리 공급부(140)를 통해 공급하는 슬러리의 종류에 따라 웨이퍼(W)의 화학적 연마량에 편차가 생기게 된다.
In addition, a variation occurs in the amount of chemical polishing of the wafer W according to the type of slurry supplied through the slurry supply unit 140 .

이렇듯, 연마 정반에 입혀지는 연마 패드(111)와, 연마 헤드(120)에 사용되어 웨이퍼를 하방 가압하는 멤브레인과, 연마 패드(111)의 표면 상태를 개질하는 컨디셔닝 디스크(131)와, 슬러리 공급부(140)에 의해 공급되는 슬러리의 제조사 및 종류(모델) 등의 사양 및 사용 기간에 따라 화학 기계적 연마 장치(101)의 제어 방식을 구분하여 제어할 필요가 있다.As such, the polishing pad 111 applied to the polishing platen, the membrane used in the polishing head 120 to press the wafer downward, the conditioning disk 131 for modifying the surface state of the polishing pad 111, and the slurry supply unit It is necessary to classify and control the control method of the chemical mechanical polishing apparatus 101 according to the specifications and use period of the slurry supplied by 140 , such as the manufacturer and the type (model).

이를 위하여, 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 시스템(100)은 화학 기계적 연마 장치(101)의 부품의 사양과 사용 기간에 따른 제어 데이터를 메모리(110)에 미리 저장하여 두고, 부품의 사양이나 사용 기간에 따라 메모리(110)에 저장되어 있는 제어 데이터를 호출하여 화학 기계적 연마 장치(101)를 제어한다. To this end, the chemical mechanical polishing system 100 according to the present invention stores control data according to the specifications and usage period of the components of the chemical mechanical polishing apparatus 101 in advance in the memory 110, and stores the specifications or usage period of the components in advance. According to the control data stored in the memory 110 is called to control the chemical mechanical polishing apparatus 101 .

상기 메모리(110)에는 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 부품(웨이퍼를 포함한다)의 사양 및 사용 기간 등을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터가 저장된다. The memory 110 stores control data according to part information including specifications and usage periods of parts (including wafers) used in the chemical mechanical polishing apparatus.

예를 들어, 화학 기계적 연마 장치(101)의 웨이퍼(W)의 연마면과 접촉하는 연마 패드(111)의 재질 등의 사양 및 사용 기간을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터와, 화학 기계적 연마 장치(101)의 연마 패드(111)와 접촉하면서 표면을 개질하는 컨디셔닝 디스크(131)의 재질 등의 사양 및 사용 기간을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터와, 화학 기계적 연마 공정 중에 공급되는 슬러리의 성분과, 제조사 등의 사양을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터와, 연마 헤드(120)의 멤브레인의 사양 및 사용 기간을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터와, 화학 기계적 연마 공정에 사용하고자 하는 웨이퍼의 재질, 연마층의 소재 및 종류와 두께, 제조사 등의 사양을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터와, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼 연마층의 실시간 두께 변동량 및 잔여 연마층 두께를 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터가 메모리(110)에 저장된다. For example, control data according to component information including specifications such as the material of the polishing pad 111 in contact with the polishing surface of the wafer W of the chemical mechanical polishing apparatus 101 and the use period, and the chemical mechanical polishing apparatus Control data according to part information including specifications such as the material of the conditioning disk 131 that modifies the surface while in contact with the polishing pad 111 of 101 and the composition of the slurry supplied during the chemical mechanical polishing process and control data according to component information including specifications of manufacturers, etc., control data according to component information including specifications and usage period of the membrane of the polishing head 120, and wafer to be used in the chemical mechanical polishing process. Control data according to part information including specifications such as material, type and thickness of the polishing layer, and manufacturer, and part information including real-time thickness variation of the wafer polishing layer during the chemical mechanical polishing process and the remaining abrasive layer thickness Control data is stored in the memory 110 .

여기서, CMP 공정 환경에 따라 부품의 노후화정도는 차이가 있지만, 반복 실험에 의한 평균 조건 하에서의 제어 데이터를 산출하여 메모리(110)에 저장해둠으로써, 노후화 편차에 따른 웨이퍼의 연마 조건의 변수를 최소화할 수 있다.
Here, although there is a difference in the degree of aging of components according to the CMP process environment, by calculating control data under average conditions by repeated experiments and storing them in the memory 110, it is possible to minimize the variables of the polishing conditions of the wafer according to the aging deviation. can

그리고, 도4a에 도시된 바와 같이 각각의 부품에 대한 정보와 제어 데이터가 1:1로 대응하게 저장될 수도 있고, 도4b에 도시된 바와 같이 다양한 부품에 대한 정보의 조합과 제어 데이터가 1:1로 대응하게 저장될 수 있다. 도4a에 도시된 형태로 메모리(110)에 저장된 경우에는, 기준 데이터를 기초로 부품 정보나 환경 정보에 따라 제어 데이터를 변형하여 화학 기계적 연마 장치(101)의 제어에 사용된다. 또한, 도4b에 도시된 형태로 메모리(110)에 저장된 경우에는, 각 부품 정보와 환경 정보의 조합에 따른 제어 데이터가 메모리(110)에 저장되어 있으므로, 해당되는 제어 데이터를 호출하여 화학 기계적 연마 장치(101)를 제어하면 된다. And, as shown in FIG. 4A, information and control data for each part may be stored in a 1:1 correspondence, and as shown in FIG. 4B, a combination of information and control data for various parts is 1: 1 may be stored correspondingly. When stored in the memory 110 in the form shown in FIG. 4A , the control data is transformed according to part information or environment information based on the reference data and used to control the chemical mechanical polishing apparatus 101 . In addition, when stored in the memory 110 in the form shown in FIG. 4B , since control data according to a combination of each part information and environmental information is stored in the memory 110 , the corresponding control data is called and chemical mechanical polishing is performed. All you need to do is control the device 101 .

도4b에 도시된 형태가 화학 기계적 연마 장치를 정확하게 제어할 수 있다는 점에서 바람직하다. 그러나, 도4b에 도시된 형태로 메모리(110)에 제어 데이터를 저장하기 위해서는 저장 데이터가 세분화되어야 하고 저장 공간이 많이 차지하며 호출하는 데 소요되는 시간이 더 소요되므로, 메모리(110)의 용량과 사양을 높이는 것이 좋다. 즉, 도4a에 도시된 형태와 도4b에 도시된 형태는 어느 하나로 선택하여 적용할 수도 있지만, 메모리(110)에 2가지 형태의 데이터 구조를 갖도록 부품 정보/환경 정보 및 제어 데이터를 저장해두고, 필요에 따라 호출하여 화학 기계적 연마 공정을 행하는 것이 보다 정확하고 일관된 연마 공정을 할 수 있도록 한다. The configuration shown in Fig. 4B is preferable in that it can precisely control the chemical mechanical polishing apparatus. However, in order to store the control data in the memory 110 in the form shown in FIG. 4B, the stored data must be subdivided, occupy a large amount of storage space, and take more time to make a call, so the capacity of the memory 110 and the It is better to increase the specification. That is, the form shown in Fig. 4a and the form shown in Fig. 4b can be selected and applied to any one, but parts information/environment information and control data are stored so as to have two types of data structures in the memory 110, Performing a chemical mechanical polishing process by calling on an as-needed basis allows for a more accurate and consistent polishing process.

그리고, 메모리(110)에 저장된 부품 정보/환경 정보에 따른 제어 데이터를 호출하는 데 있어서는, 현장 여건에 따라 특정 부품에 대한 정보에 대하여 가중치를 부여하여 호출한 제어 데이터를 기준으로 화학 기계적 연마 장치를 작동시켜 웨이퍼의 연마 공정을 진행할 수도 있고, 모든 부품에 대한 정보에 따른 제어 데이터를 동일한 비율로 반영한 제어 데이터를 기준으로 화학 기계적 연마 장치를 작동시켜 웨이퍼의 연마 공정을 진행할 수도 있으며, 각각의 부품에 대한 정보의 조합에 따라 별도로 저장된 제어데이터를 기준으로 화학 기계적 연마 장치를 작동시켜 웨이퍼의 연마 공정을 진행할 수도 있다.And, in calling the control data according to the parts information/environmental information stored in the memory 110, the chemical mechanical polishing apparatus based on the called control data by assigning a weight to the information on the specific part according to the site conditions The wafer polishing process can be performed by operating According to the combination of information on the wafer, the wafer polishing process may be performed by operating the chemical mechanical polishing apparatus based on separately stored control data.

이와 같이, 각각의 부품들의 사양의 각각이나 조합에 따른 제어 데이터를 메모리(110)로부터 호출하여 화학 기계적 연마 장치를 제어함으로써, 높은 연마 품질로 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정을 행할 수 있게 된다.
In this way, by controlling the chemical mechanical polishing apparatus by calling control data according to each or combination of specifications of each component from the memory 110, it is possible to perform a chemical mechanical polishing process of the wafer with high polishing quality.

이하, 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 시스템의 작동 원리를 보다 구체적으로 상술한다.
Hereinafter, the operating principle of the chemical mechanical polishing system according to the present invention will be described in more detail.

단계 1: 먼저, 화학 기계적 연마 시스템(100)의 화학 기계적 연마 장치(101)를 이용하여 웨이퍼의 CMP 공정을 시작할 때에, 연마 패드(111)의 사양 및 사용 기간, 연마 헤드(120)의 멤브레인의 사양 및 사용 기간, 컨디셔너(130)의 컨디셔닝 디스크(131)의 사양 및 사용 기간, 슬러리 공급부(140)에서 공급되는 슬러리의 사양, 연마 대상물인 웨이퍼의 제조사 및 연마층 등의 부품 정보와, 화학 기계적 연마 장치의 온도와 습도 등의 환경 정보를 인식하게 한다(S110). Step 1 : First, when the CMP process of the wafer is started using the chemical mechanical polishing apparatus 101 of the chemical mechanical polishing system 100 , the specifications and usage period of the polishing pad 111 , the membrane of the polishing head 120 , Specifications and period of use, specification and period of use of the conditioning disk 131 of the conditioner 130, the specification of the slurry supplied from the slurry supply unit 140, the manufacturer of the wafer to be polished, and parts information such as the polishing layer, chemical mechanical Recognize environmental information such as temperature and humidity of the polishing apparatus (S110).

여기서, 각 부품의 인식 방법은 사용자에 의하여 부품의 교체 시마다 입력하거나 RFID 등에 의해 자동 인식되게 한 후에, CMP 공정 시간을 자동으로 인식하여 사용 기간을 산출하도록 한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 초기 두께는 화학 기계적 연마 공정을 시작하는 단계에서 연마두께 측정부에 의해 행해질 수 있다. Here, in the method of recognizing each part, the user inputs each time a part is replaced or automatically recognizes it by RFID or the like, and then automatically recognizes the CMP process time to calculate the period of use. In addition, the initial thickness of the wafer W may be performed by a polishing thickness measuring unit at the stage of starting the chemical mechanical polishing process.

화학 기계적 연마 장치(101) 주변의 온도나 습도 등의 환경 정보는 별도로 마련된 온도계, 습도계를 이용하여 자동으로 인식할 수 있다.
Environmental information such as temperature or humidity around the chemical mechanical polishing apparatus 101 may be automatically recognized using a separately provided thermometer and hygrometer.

단계 2: 그 다음, 화학 기계적 연마 시스템(100)의 메모리(110)에 저장되어 있는 각 부품의 사양이나 그 조합에 따른 제어 데이터를 호출한다(S120). 경우에 따라서는 메모리(110)에 주변 온도나 습도 등의 환경 정보에 따른 제어 데이터도 포함될 수 있다. Step 2 : Then, the control data according to the specification or combination of each component stored in the memory 110 of the chemical mechanical polishing system 100 is called (S120). In some cases, the memory 110 may also include control data according to environmental information such as ambient temperature or humidity.

상기 메모리(110)에는 화학 기계적 연마 장치(101)의 구성 요소들의 소모품(부품)에 사양 및 사용 기간에 관한 부품 정보와, 부품 정보에 대응하여 반복 실험에 의하여 최적의 제어 데이터가 저장된다. In the memory 110 , parts information related to specifications and usage periods of consumables (parts) of the components of the chemical mechanical polishing apparatus 101 and optimal control data are stored in response to the part information through repeated experiments.

예를 들어, 메모리(110)에 저장된 부품 정보는, 웨이퍼(W)의 연마면과 접촉하는 연마 패드(111)의 재질 등의 사양 및 사용 기간과, 연마 패드(111)와 접촉하면서 표면을 개질하는 컨디셔닝 디스크(131)의 재질 등의 사양 및 사용 기간을 포함한다. For example, the component information stored in the memory 110 includes a specification such as a material of the polishing pad 111 in contact with the polishing surface of the wafer W and a usage period, and the surface is modified while in contact with the polishing pad 111 . It includes specifications such as the material of the conditioning disk 131 and the period of use.

그리고, 부품 정보와 환경 정보에 따른 제어 데이터는, 각각의 정보와 제어 데이터를 1:1로 대응하게 메모리(110)에 저장될 수도 있고, 부품 정보와 환경 정보의 조합(특정 조건)에 따른 제어 데이터로 메모리(110)에 저장될 수도 있다. 그리고, 저장된 제어 데이터를 호출함에 있어서, 다양한 부품 정보와 환경 정보를 동일한 비율로 반영한 데이터를 제어 데이터로 호출할 수도 있고, 특정 부품 정보와 환경 정보에 대하여 가중치를 부여하여 반영된 데이터를 제어 데이터로 호출할 수도 있으며, 각각의 부품 정보와 환경 정보들이 조합된 조건 하에서의 제어 데이터를 호출할 수도 있다.
In addition, the control data according to the parts information and the environmental information may be stored in the memory 110 in a 1:1 correspondence between the respective information and the control data, and the control according to the combination (specific condition) of the parts information and the environmental information. It may be stored in the memory 110 as data. And, in calling the stored control data, data reflecting various parts information and environment information in the same ratio may be called as control data, and the data reflected by assigning weights to specific part information and environmental information is called as control data Also, it is also possible to call control data under a condition in which each part information and environment information are combined.

한편, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)의 연마층 두께는 실시간으로 줄어들게 되므로, 화학 기계적 연마 장치에 광 센서나 와전류 센서 등을 포함하여 마련된 연마두께 측정부에 의하여, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)의 연마층 두께를 실시간으로 측정하고, 측정된 실시간 연마층 두께를 부품 정보로 하여 메모리(110)로부터 해당 제어 데이터를 호출할 수 있다.
On the other hand, since the thickness of the polishing layer of the wafer W is reduced in real time during the chemical mechanical polishing process, the wafer (W) ( W) may measure the thickness of the abrasive layer in real time, and use the measured real-time thickness of the abrasive layer as part information to call the corresponding control data from the memory 110 .

단계 3: 그리고 나서, 메모리(110)로부터 수신된 제어 데이터로 화학 기계적 연마 장치(101)의 각각의 구성 요소들을 제어하면서 화학 기계적 연마 공정을 행한다(S130). Step 3 : Then, a chemical mechanical polishing process is performed while controlling each component of the chemical mechanical polishing apparatus 101 with the control data received from the memory 110 (S130).

즉, 메모리(110)로부터 호출한 제어 데이터에 따라, 각 부품 상태에 맞게 화학 기계적 연마 장치(101)의 각 구성 요소를 제어함으로써, 부품의 상태에 따른 화학 기계적 연마 공정의 편차없이 항상 일관되게 그리고 최적화된 연마 품질로 웨이퍼의 연마면을 연마할 수 있다. That is, by controlling each component of the chemical mechanical polishing apparatus 101 according to the state of each part according to the control data called from the memory 110, always consistently and without deviation of the chemical mechanical polishing process according to the state of the part. The polished surface of the wafer can be polished with an optimized polishing quality.

여기서, 화학 기계적 연마 장치(101)의 각 구성 요소의 변수는, 슬러리의 종류 및 성분, 제조사 등에 따라 연마 패드의 회전 속도, 연마 패드를 개질하는 컨디셔너의 가압력, 연마 패드를 개질하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도, 웨이퍼의 가압력 등이 해당하며, 이 구성 요소의 제어 변수를 메모리(110)로부터 호출한 제어 데이터에 기초하여 부품 상태에 맞게 CMP 공정 제어를 행함으로써, 웨이퍼의 연마 품질을 항상 높게 유지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
Here, the parameters of each component of the chemical mechanical polishing apparatus 101 are the rotational speed of the polishing pad, the pressing force of the conditioner for reforming the polishing pad, and the rotation of the conditioning disk for modifying the polishing pad according to the type and component of the slurry, the manufacturer, and the like. It corresponds to speed and wafer pressing force, and by controlling the CMP process according to the state of the part based on the control data called from the memory 110 for the control variables of these components, the polishing quality of the wafer can be maintained at all times. effect can be obtained.

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.
In the above, the present invention has been exemplarily described through preferred embodiments, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and various forms within the scope of the technical idea presented in the present invention, specifically, the claims. may be modified, changed, or improved.

W: 웨이퍼 100: 화학 기계적 연마 시스템
101: 화학 기계적 연마 장치 110: 메모리
111: 연마 패드 120: 연마 헤드
130: 컨디셔너 131: 컨디셔닝 디스크
140: 슬러리 공급부W: Wafer 100: Chemical mechanical polishing system
101: chemical mechanical polishing apparatus 110: memory
111: polishing pad 120: polishing head
130: conditioner 131: conditioning disk
140: slurry supply unit

Claims (12)

웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정을 행하는 화학 기계적 연마 시스템으로서,
화학 기계적 연마 장치의 연마 패드의 사용 기간에 따른 제어 데이터를 저장하는 메모리와;
상기 연마 패드의 사용 기간에 따른 제어 데이터를 상기 메모리로부터 호출하여 제어되는 화학 기계적 연마 장치를;
포함하고,
상기 제어 데이터는,
상기 웨이퍼의 연마면이 접촉하고 있는 연마 패드의 회전 속도와, 상기 웨이퍼를 가압하는 가압력과, 상기 웨이퍼를 회전시키는 회전 속도와, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 가압력과, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도와, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 공급량과, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 종류 중 어느 하나 이상에 대하여 상기 화학 기계적 연마 장치를 변경 제어하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.



A chemical mechanical polishing system for performing chemical mechanical polishing of wafers, comprising:
a memory for storing control data according to a usage period of the polishing pad of the chemical mechanical polishing apparatus;
a chemical mechanical polishing apparatus controlled by retrieving control data according to a usage period of the polishing pad from the memory;
including,
The control data is
A rotation speed of a polishing pad with which the polishing surface of the wafer is in contact, a pressing force for pressing the wafer, a rotation speed for rotating the wafer, a pressing force of a conditioning disk pressing the polishing pad, and pressing the polishing pad Chemical mechanical polishing characterized in that the chemical mechanical polishing apparatus is changed and controlled with respect to any one or more of the rotation speed of the conditioning disk, the amount of the slurry supplied to the polishing pad, and the type of the slurry supplied to the polishing pad. system.



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