KR20160103791A - Chemical mechanical polishing system - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a chemical mechanical polishing system comprising: a memory for storing control data for the components of a chemical mechanical polishing device; and the chemical mechanical polishing device controlled by calling control data from used component information from the memory. The chemical mechanical polishing system can stably maintain the quality of the wafer polished by the chemical mechanical polishing device all the time to obtain reliable polishing quality, by storing the control data for the components of the chemical mechanical polishing device in the memory in advance, and controlling the chemical mechanical polishing device by calling the control data stored in the memory in accordance with the state of the components or a usage period.

Description

화학 기계적 연마 시스템 {CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM}{CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM}

본 발명은 화학 기계적 연마시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 다양한 부품의 제조사와, 사양과, 사용 기간 등의 부품 정보를 이용하여, 화학 기계적 연마 공정의 제어를 다르게 함으로써, 화학 기계적 연마 공정의 신뢰성 및 품질을 개선하는 화학 기계적 연마 시스템에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical mechanical polishing system, and more particularly, to a chemical mechanical polishing system that uses a manufacturer of various components used in a chemical mechanical polishing apparatus, parts information such as specifications, To a chemical mechanical polishing system that improves the reliability and quality of a chemical mechanical polishing process.

일반적으로 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정은 연마층이 구비된 반도체 제작을 위한 웨이퍼 등의 웨이퍼과 연마 정반 사이에 상대 회전 시킴으로써 웨이퍼의 표면을 연마하는 표준 공정으로 알려져 있다. BACKGROUND ART In general, a chemical mechanical polishing (CMP) process is known as a standard process for polishing a surface of a wafer by relatively rotating between a wafer such as a wafer for manufacturing a semiconductor provided with a polishing layer and a polishing table.

도1은 종래의 화학 기계적 연마 장치(9)를 개략적으로 도시한 도면이다. 도1에 도시된 바와 같이, 상면에 연마 패드(11)가 부착된 연마 정반(10)과, 연마하고자 하는 웨이퍼(W)를 장착하여 연마 패드(11)의 상면에 접촉하면서 회전하는 연마 헤드(20)와, 연마 패드(11)의 표면을 미리 정해진 가압력으로 가압하여 미세하게 절삭하여 연마 패드(11)의 표면에 형성된 미공이 표면에 나오도록 하는 컨디셔너(30)와, 공급구(42)를 통해 연마 패드(11)의 표면에 슬러리를 공급하여 웨이퍼(W)의 화학적 연마를 유도하는 슬러리 공급부(40)로 구성된다. 1 is a view schematically showing a conventional chemical mechanical polishing apparatus 9. Fig. A polishing table 10 having a polishing pad 11 on its upper surface and a polishing head 10 mounted on the polishing head 11 to be polished and contacting the upper surface of the polishing pad 11 A conditioner 30 for finely cutting the surface of the polishing pad 11 by a predetermined pressing force so that the micropores formed on the surface of the polishing pad 11 come out to the surface; And a slurry supply unit 40 for supplying the slurry to the surface of the polishing pad 11 to induce the chemical polishing of the wafer W.

연마 정반(10)은 웨이퍼(W)가 연마되는 폴리텍스 재질의 연마 패드(11)가 부착되고, 회전축(12)이 회전 구동되면서 연마 패드(11)가 화학 기계적 연마 공정 중에 자전한다. The polishing table 10 is equipped with a polishing pad 11 made of a polytecontact material on which the wafer W is polished and the polishing pad 11 is rotated during the chemical mechanical polishing process while the rotating shaft 12 is rotationally driven.

연마 헤드(20)는 연마 정반(10)의 연마 패드(11)의 상면에 위치하여 웨이퍼(W)를 파지하는 캐리어 헤드(21)와, 캐리어 헤드(21)를 회전 구동하면서 일정한 진폭만큼 왕복 운동을 행하는 연마 아암(22)으로 구성된다. The polishing head 20 includes a carrier head 21 which is located on the upper surface of the polishing pad 11 of the polishing platen 10 to grip the wafer W and a carrier head 21 which reciprocates by a constant amplitude And a polishing arm 22 for performing polishing.

컨디셔너(30)는 연마 패드(11)의 표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록, 하측에 위치하는 컨디셔닝 디스크(31)를 연마 패드(11)에 대하여 가압하면서 회전시키는 것에 의해, 연마 패드(11)의 표면을 미세하게 절삭하여, 연마 패드(11)의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 캐리어 헤드(21)에 파지된 웨이퍼(W)에 원활하게 공급하도록 한다. The conditioner 30 is provided on the polishing pad 11 so as to prevent a large number of foamed micropores serving as a slurry in which a slurry containing a mixture of an abrasive and a chemical is deposited on the surface of the polishing pad 11, The surface of the polishing pad 11 is finely cut to smoothly supply the slurry filled in the foam pores of the polishing pad 11 to the wafer W gripped by the carrier head 21 .

슬러리 공급부(40)는 연마 대상물인 웨이퍼의 연마면의 재질 등을 고려하여 선택된 슬러리가 화학 기계적 연마 공정 중에 연마 패드(11)로 공급되어, 연마 패드(11)에 형성된 미세 홈을 타고 웨이퍼(W)로 전달된다. 이에 따라, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)의 화학적 연마가 진행된다.
The slurry supply unit 40 supplies the slurry selected in consideration of the material of the polishing surface of the wafer as the object to be polished to the polishing pad 11 during the chemical mechanical polishing process, ). Thereby, the chemical polishing of the wafer W proceeds during the chemical mechanical polishing process.

상기와 같이 구성된 화학 기계적 연마 장치(9)를 이용하여 행해지는 화학 기계적 연마 공정은, 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 연마 패드(11), 웨이퍼(W)의 연마층의 종류, 슬러리 종류에 관계없이 정해진 공정에 따라 행해진다. 예를 들어, 연마 정반의 회전 속도나 연마 헤드(20)에 의하여 웨이퍼(W)를 가압하는 가압력 및 컨디셔너에 의해 가압하는 가압력 및 스윕 속도 등이 정해진 형태로 행해진다. The chemical mechanical polishing process carried out using the chemical mechanical polishing apparatus 9 configured as described above is carried out by using the polishing pad 11 used in the chemical mechanical polishing process, the kind of the polishing layer of the wafer W, And is performed according to a predetermined process. For example, the rotation speed of the polishing platen, the pressing force for pressing the wafer W by the polishing head 20, the pressing force for pressing by the conditioner, and the sweep speed are performed in a predetermined form.

그러나, 화학 기계적 연마 장치(9)의 각 부품은 제조사에 따라 특성이 차이가 있고, 사용 기간에 따라서도 연마율이 달라지기 때문에, 정해진 공정에 따라 화학 기계적 연마 공정을 행할 경우에는 웨이퍼의 연마면 품질과 단위 시간당 연마량의 편차가 발생되는 문제가 있었다.
However, since the components of the chemical mechanical polishing apparatus 9 have different characteristics depending on the manufacturer and the polishing rate varies depending on the use period, when the chemical mechanical polishing process is performed according to the predetermined process, There is a problem that the quality and the amount of polishing per unit time are varied.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 화학 기계적 연마 장치의 부품 종류, 제조사 등의 사양의 변경에도 불구하고, 웨이퍼의 연마면의 연마 품질을 높은 수준으로 유지하고 웨이퍼의 연마면 두께 조절을 신뢰성있고 정확하게 할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a chemical mechanical polishing apparatus capable of maintaining the polishing quality of the polishing surface of a wafer at a high level and adjusting the polishing surface thickness of the wafer To be reliable and accurate.

즉, 본 발명은, 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 다양한 부품의 제조사와, 사양과, 사용 기간 등의 부품 정보를 이용하여, 화학 기계적 연마 공정의 제어를 다르게 함으로써, 화학 기계적 연마 공정의 신뢰성 및 품질을 개선하는 것을 목적으로 한다.
In other words, the present invention can provide a chemical mechanical polishing apparatus and a chemical mechanical polishing apparatus which can reliably control the chemical mechanical polishing process by using the manufacturer of various parts used in the chemical mechanical polishing apparatus, component information such as specification and use period, In order to solve the problem.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정을 행하는 화학 기계적 연마 시스템으로서, 화학 기계적 연마 장치의 부품에 따른 제어 데이터를 저장하는 메모리를; 사용되는 부품 정보로부터 제어 데이터를 상기 메모리로부터 호출하여 제어되는 화학 기계적 연마 장치를; 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a chemical mechanical polishing system for performing a chemical mechanical polishing process of a wafer, comprising: a memory for storing control data corresponding to parts of a chemical mechanical polishing apparatus; A chemical mechanical polishing apparatus controlled by calling control data from the memory from the used part information; The present invention also provides a chemical mechanical polishing system comprising:

이는, 화학 기계적 연마 장치의 부품에 따른 제어 데이터를 메모리에 미리 저장하여 두고, 부품의 상태나 사용 기간에 따라 메모리에 저장되어 있는 제어 데이터를 호출하여 화학 기계적 연마 장치를 제어함으로써, 화학 기계적 연마 장치에 의하여 연마되는 웨이퍼의 품질을 항상 일정하게 유지하여 신뢰성있는 연마 품질을 얻도록 하기 위함이다.
This is because the control data according to the parts of the chemical mechanical polishing apparatus is stored in advance in the memory and the control data stored in the memory is called according to the state of the component or the use period to control the chemical mechanical polishing apparatus, So that the quality of the wafer to be polished by the polishing pad is always kept constant so as to obtain a reliable polishing quality.

여기서, 상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 장치의 상기 웨이퍼의 연마면과 접촉하는 연마 패드의 재질과, 제조사와, 모델명과, 사용 기간 중 어느 하나 이상을 포함한다. 이와 같이, 연마 패드의 종류 및 사양이나 사용 기간(마모량)에 따라 연마 패드의 회전 속도, 연마 패드를 개질하는 컨디셔너의 가압력, 연마 패드를 개질하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도, 웨이퍼의 가압력 등의 화학 기계적 연마 장치의 제어 변수를 메모리로부터 호출하여 부품 상태에 맞게 제어함으로써, 부품의 상태에 따른 화학 기계적 연마의 편차를 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Here, the part information includes at least one of a material of a polishing pad contacting a polishing surface of the wafer of the chemical mechanical polishing apparatus, a manufacturer, a model name, and a use period. As described above, depending on the type and specification of the polishing pad and the use period (wear amount), the rotational speed of the polishing pad, the pressing force of the conditioner for modifying the polishing pad, the rotational speed of the conditioning disk for modifying the polishing pad, The control variable of the polishing apparatus is called from the memory and controlled in accordance with the state of the component, thereby making it possible to prevent the deviation of the chemical mechanical polishing depending on the state of the component.

또한, 상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 장치의 연마 패드와 접촉하면서 표면을 개질하는 컨디셔닝 디스크의 재질과, 제조사와, 모델명 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이와 같이, 컨디셔닝 디스크의 종류 및 사양이나 사용 기간(마모량)에 따라 연마 패드의 회전 속도, 연마 패드를 개질하는 컨디셔너의 가압력, 연마 패드를 개질하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도, 웨이퍼의 가압력 등의 화학 기계적 연마 장치의 제어 변수를 메모리로부터 호출하여 부품 상태에 맞게 제어함으로써, 부품의 상태에 따른 화학 기계적 연마의 편차를 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The part information may include at least one of a material of a conditioning disk, a maker, and a model name, which modifies a surface of the conditioning disk in contact with the polishing pad of the chemical mechanical polishing apparatus. As described above, depending on the type and the specification of the conditioning disk and the use period (amount of wear), the rotational speed of the polishing pad, the pressing force of the conditioner for reforming the polishing pad, the rotational speed of the conditioning disk for modifying the polishing pad, The control variable of the polishing apparatus is called from the memory and controlled in accordance with the state of the component, thereby making it possible to prevent the deviation of the chemical mechanical polishing depending on the state of the component.

그리고, 상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 공급되는 슬러리의 성분과, 제조사와, 모델명 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이와 같이, 슬러리의 종류 및 성분, 제조사 등에 따라 연마 패드의 회전 속도, 연마 패드를 개질하는 컨디셔너의 가압력, 연마 패드를 개질하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도, 웨이퍼의 가압력 등의 화학 기계적 연마 장치의 제어 변수를 메모리로부터 호출하여 부품 상태에 맞게 제어함으로써, 부품의 상태에 따른 화학 기계적 연마의 편차를 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The part information may include at least one of a component of a slurry supplied during the chemical mechanical polishing process, a maker, and a model name. Thus, the control parameters of the chemical mechanical polishing apparatus such as the rotational speed of the polishing pad, the pressing force of the conditioner for modifying the polishing pad, the rotational speed of the conditioning disk for modifying the polishing pad, the pressing force of the wafer, Is called from the memory and controlled in accordance with the state of the component, it is possible to prevent the deviation of the chemical mechanical polishing depending on the state of the component.

그리고, 상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 연마되는 상기 웨이퍼의 직경과, 연마층의 종류와, 제조사 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 즉, 웨이퍼도 역시 제조사와 연마층의 종류에 따라 연마 제어 변수가 변경되므로, 웨이퍼의 사양에 따라 화학 기계적 연마 장치의 제어 변수를 메모리로부터 호출하여 웨이퍼 사양에 맞게 제어함으로써, 웨이퍼 사양에 따른 화학 기계적 연마의 편차를 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The part information may include at least one of the diameter of the wafer to be polished during the chemical mechanical polishing process, the kind of the polishing layer, and the manufacturer. In other words, since the polishing control variables are also changed depending on the type of the manufacturer and the polishing layer, the control parameters of the chemical mechanical polishing apparatus are called from the memory according to the specification of the wafer and controlled according to the wafer specification, It is possible to obtain an effect of preventing deviation of polishing.

또한, 상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 연마되고 있는 상기 웨이퍼의 연마층의 실시간 두께를 포함할 수 있다. 즉, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼 연마층의 두께를 실시간으로 측정하고, 측정된 실시간의 연마층 두께에 따라 화학 기계적 연마 장치를 제어하는 제어 데이터를 변경하도록 메모리에 연마층의 실시간 두께에 따른 제어 데이터가 저장된다.
The part information may also include a real time thickness of the polishing layer of the wafer being polished during the chemical mechanical polishing process. That is, the thickness of the wafer polishing layer during the chemical mechanical polishing process is measured in real time, and the control data according to the real time thickness of the polishing layer is stored in the memory to change the control data for controlling the chemical mechanical polishing apparatus according to the measured real time polishing layer thickness Is stored.

즉, 상기 제어 데이터는, 상기 부품 정보의 각각에 따라 상기 웨이퍼의 연마면이 접촉하고 있는 연마 패드의 회전 속도와, 상기 웨이퍼를 가압하는 가압력과, 상기 웨이퍼를 회전시키는 회전 속도와, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 가압력과, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도와, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 공급량과, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 종류 중 어느 하나 이상에 대하여 상기 화학 기계적 연마 장치를 변경 제어한다.That is, the control data includes at least one of a rotation speed of a polishing pad, which is in contact with the polishing surface of the wafer, a pressing force to press the wafer, a rotation speed at which the wafer is rotated, Of the polishing pad, a pressing force of a conditioning disk for pressing the polishing pad, a rotation speed of a conditioning disk for pressing the polishing pad, a supply amount of the slurry supplied to the polishing pad, and a kind of slurry supplied to the polishing pad, The mechanical polishing apparatus is changed and controlled.

바람직하게는, 상기 제어 데이터는, 상기 부품 정보의 조합에 따라 상기 웨이퍼의 연마면이 접촉하고 있는 연마 패드의 회전 속도와, 상기 웨이퍼를 가압하는 가압력과, 상기 웨이퍼를 회전시키는 회전 속도와, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 가압력과, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도와, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 공급량과, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 종류 중 어느 하나 이상에 대하여 상기 화학 기계적 연마 장치를 변경 제어한다.
Preferably, the control data includes at least one of a rotation speed of a polishing pad to which the polishing surface of the wafer is in contact, a pressing force to press the wafer, a rotation speed to rotate the wafer, At least one of the pressing force of the conditioning disk for pressing the polishing pad, the rotating speed of the conditioning disk for pressing the polishing pad, the supply amount of the slurry to be supplied to the polishing pad, and the kind of slurry to be supplied to the polishing pad Thereby controlling the chemical mechanical polishing apparatus.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 부품의 '사양' 및 이와 유사한 용어는 부품의 제조사, 종류, 모델, 사용 기간을 통칭하는 것으로 정의하기로 한다. 그리고, 본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '부품' 및 이와 유사한 용어는 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 소모품과 웨이퍼를 지칭하는 것으로 정의한다. 예를 들어, '부품'에는 슬러리, 연마 패드, 연마 헤드의 멤브레인, 컨디셔너의 컨디셔닝 디스크 등의 소모품과 웨이퍼를 포함한다.
The 'specifications' and similar terms used in the present specification and claims are defined as collectively referring to the manufacturer, type, model, and period of use of the component. In addition, the terms "parts" and similar terms used in this specification and claims are defined to refer to consumables and wafers used in a chemical mechanical polishing apparatus. For example, "parts" include consumables such as slurry, polishing pad, membrane of a polishing head, conditioning disk of a conditioner, and wafer.

본 발명에 따르면, 화학 기계적 연마 장치의 부품에 따른 제어 데이터를 메모리에 미리 저장하여 두고, 부품의 상태나 사용 기간에 따라 메모리에 저장되어 있는 제어 데이터를 호출하여 화학 기계적 연마 장치를 제어함으로써, 화학 기계적 연마 장치에 의하여 연마되는 웨이퍼의 품질을 항상 일정하게 유지하여 신뢰성있는 연마 품질을 얻을 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
According to the present invention, the control data according to the parts of the chemical mechanical polishing apparatus is stored in advance in the memory, and the control data stored in the memory is called according to the state of the part or the use period to control the chemical mechanical polishing apparatus, The quality of the wafer to be polished by the mechanical polishing apparatus can be kept constant at all times, and an effect of obtaining a reliable polishing quality can be obtained.

도1은 일반적인 화학 기계적 연마 장치의 구성을 도시한 평면도,
도2는 도1의 평면도,
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템의 구성을 도시한 평면도,
도4a는 부품 정보에 따른 제어 데이터의 생성 구조를 도시한 메모리의 블록도,
도4b는 부품 정보의 조합에 따른 제어 데이터의 호출 구조를 도시한 메모리의 블록도,
도5는 도3의 화학 기계적 연마 시스템의 작동 원리를 설명하기 위한 순서도이다.1 is a plan view showing the construction of a general chemical mechanical polishing apparatus,
Fig. 2 is a plan view of Fig. 1,
3 is a plan view showing a configuration of a chemical mechanical polishing system according to an embodiment of the present invention,
4A is a block diagram of a memory showing a structure for generating control data according to part information;
4B is a block diagram of a memory showing a call structure of control data according to a combination of parts information;
5 is a flow chart for explaining the operation principle of the chemical mechanical polishing system of FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템(100)을 상술한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해서는 동일 또는 유사한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, a chemical mechanical polishing system 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are designated by the same or similar reference numerals and the description thereof will be omitted for the sake of clarity of the present invention.

도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템의 구성을 도시한 평면도, 도4a는 부품 정보에 따른 제어 데이터의 생성 구조를 도시한 메모리의 블록도, 도4b는 부품 정보의 조합에 따른 제어 데이터의 호출 구조를 도시한 메모리의 블록도, 도5는 도3의 화학 기계적 연마 시스템의 작동 원리를 설명하기 위한 순서도이다.
FIG. 3 is a plan view showing a configuration of a chemical mechanical polishing system according to an embodiment of the present invention. FIG. 4A is a block diagram of a memory for generating control data according to part information, FIG. Fig. 5 is a flowchart for explaining the operation principle of the chemical mechanical polishing system of Fig. 3. Fig.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 시스템(100)은, 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 장치(101)와, 화학 기계적 연마 장치(101)의 부품에 따른 제어 데이터를 저장하는 메모리(110)를 포함하여 구성된다.As shown in the drawings, a chemical mechanical polishing system 100 according to an embodiment of the present invention includes a chemical mechanical polishing apparatus 101 in which a chemical mechanical polishing process is performed, And a memory 110 for storing control data corresponding to the control data.

상기 화학 기계적 연마 장치(101)는 상면에 연마 패드(111)가 부착되어 자전(11d)하는 연마 정반과, 연마 패드(111)에 웨이퍼(W)의 연마면을 밀착시킨 상태로 가압하면서 회전하는 연마 헤드(120)와, 연마 패드(111)의 표면에 형성된 미세 기공들이 유지되도록 화학 기계적 연마 공정 중에 연마 패드(111)의 표면을 개질하는 컨디셔너(130)와, 연마 패드(111)에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부(140)와, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)의 연마층 두께를 측정하는 연마두께측정부(미도시)로 구성된다.The chemical mechanical polishing apparatus 101 is provided with a polishing platen 111 having a polishing pad 111 attached thereto and rotating while pressurizing the polishing pad 111 in a state in which the polishing surface of the wafer W is in close contact with the polishing platen 111 A conditioner 130 for modifying the surface of the polishing pad 111 during a chemical mechanical polishing process such that fine pores formed on the surface of the polishing pad 111 are held; And a polishing thickness measuring unit (not shown) for measuring the thickness of the polishing layer of the wafer W during the chemical mechanical polishing process.

여기서, 연마 패드(111)는 연마 대상물인 웨이퍼 연마층의 종류에 따라 변경되지만, 어느 하나의 제조사에서 생산된 제품에 특정되지 않고 호환 가능한 다수의 제품군 중 어느 하나로 선택되어 사용된다. Here, the polishing pad 111 is changed depending on the type of the wafer polishing layer, which is an object to be polished, but is not selected for a product produced by any one manufacturer, and is selected and used in any one of a plurality of compatible product groups.

연마 패드(111)의 표면에는 다수의 미세 홈이 형성되어, 슬러리 공급부(140)로부터 공급되는 슬러리가 연마 헤드(120)의 하측에 위치하는 웨이퍼(W)로 전달되는 통로가 된다. 따라서, 화학 기계적 연마 공정 중에는, 컨디셔너(130)에 의하여 컨디셔닝 디스크(131)를 회전시키면서 연마 패드(111)를 가압하여, 연마 패드(111)에 형성된 미세 홈이 막히지 않도록 한다.A plurality of fine grooves are formed on the surface of the polishing pad 111 so that the slurry supplied from the slurry supplying unit 140 is a path through which the wafer W positioned below the polishing head 120 is transferred. Therefore, during the chemical mechanical polishing process, the conditioning disk 131 is rotated by the conditioner 130 so as to press the polishing pad 111 to prevent the fine grooves formed in the polishing pad 111 from being clogged.

그러나, 웨이퍼의 연마층 성분이 동일하다고 하더라도, 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 연마 패드(111)의 종류는 여러개 중 하나로 선택된다. 연마 패드(111)의 재질이나 탄성 등의 물성치는 규정 범위 내에서 제조사나 모델별로 편차가 있지만, 이와 같은 편차를 무시한 상태로 균일한 제어 조건으로 웨이퍼의 연마 공정이 행해지면, 웨이퍼(W)로 유입되는 슬러리의 양이 조금씩 달라져 화학적 연마량이 달라질 뿐만 아니라, 연마 패드(111)와 접촉하면서 이루어지는 웨이퍼 연마층의 기계적 연마량도 편차가 발생된다.However, even if the abrasive layer component of the wafer is the same, the polishing pad 111 used in the chemical mechanical polishing process is selected from among several kinds. There is a variation in the material properties such as the material and the elasticity of the polishing pad 111 within the specified range according to the manufacturer or the model. However, if the wafer polishing process is performed under the uniform control conditions with such a deviation ignored, The amount of the slurry flowing into the polishing pad is slightly changed to change the amount of chemical polishing, and also the amount of mechanical polishing of the wafer polishing layer, which is made in contact with the polishing pad 111, is also varied.

이 뿐만 아니라, 연마 패드(111)의 사용 기한이 경과하면, 연마 패드(111)의 표면에 형성된 미세 주름의 강성이 달라지므로, 화학적 연마량과 기계적 연마량의 편차를 유발하게 된다.
In addition, when the use period of the polishing pad 111 has elapsed, the stiffness of fine wrinkles formed on the surface of the polishing pad 111 changes, which causes a deviation between the chemical polishing amount and the mechanical polishing amount.

연마 패드(111) 뿐만 아니라, 화학 기계적 연마 장치(101)의 컨디셔닝 디스크(131)도 제조사와 모델별로 연마 패드(111)와의 접촉 마찰 특성이 차이가 있고, 컨디셔닝 디스크(131)의 사용 기간이 경과함에 따라 연마 패드(111)와의 마찰 특성이 차이가 생긴다. Not only the polishing pad 111 but also the conditioning disk 131 of the chemical mechanical polishing apparatus 101 have different contact friction characteristics with respect to the polishing pad 111 by the maker and the model and the use period of the conditioning disk 131 has elapsed The friction characteristics with the polishing pad 111 are different.

이와 유사하게, 연마 헤드(120)에 장착되는 멤브레인도 제조사와 모델별로 늘어나는 연성과 휨 강성의 편차가 있다. 이에 따라, 연마 헤드(120)의 압력 챔버에 공압을 동일하게 인가하더라도, 멤브레인 바닥판이 하방으로 웨이퍼를 가압하는 힘의 편차가 야기된다. Similarly, the membrane mounted on the polishing head 120 has variations in ductility and flexural stiffness, which vary from manufacturer to model. Accordingly, even if air pressure is applied to the pressure chambers of the polishing head 120 equally, a deviation of the force that the membrane bottom plate presses the wafer downward is caused.

마찬가지로, 소모품인 멤브레인의 사용 기간이 경과하면서, 압력 챔버에 압력이 인가되면 상하 방향으로 반복 이동하는 멤브레인의 소성 변형이 생기면서, 동일한 공압이 압력 챔버에 인가되더라도 멤브레인 바닥판에 의하여 웨이퍼(W)를 하방으로 가압하는 힘은 차이가 생기게 된다. 특히, 최근에는 연마 헤드(120)에 장착되는 멤브레인에 다수의 격벽에 의해 압력 챔버를 분할하여 사용함에 따라, 멤브레인의 격벽의 강성 편차로 인하여 연마 헤드(120)의 압력 챔버에 동일한 공압이 인가되더라도 웨이퍼(W)의 영역별 가압력에 미세한 편차가 야기되는 현상이 있다.Similarly, when pressure is applied to the pressure chamber, the plastic deformation of the membrane repeatedly moving in the up-and-down direction occurs while the consumable membrane has been in use for a while, and even if the same pneumatic pressure is applied to the pressure chamber, There is a difference in the force of pushing downward. Particularly, in recent years, since the pressure chamber is divided and used by a plurality of partitions on the membrane mounted on the polishing head 120, even if the same pneumatic pressure is applied to the pressure chamber of the polishing head 120 due to the stiffness deviation of the partition of the membrane There is a phenomenon that a minute deviation occurs in the pressing force of the wafer W in each region.

또한, 슬러리 공급부(140)를 통해 공급하는 슬러리의 종류에 따라 웨이퍼(W)의 화학적 연마량에 편차가 생기게 된다.
Also, the amount of chemical polishing of the wafer W varies depending on the kind of the slurry supplied through the slurry supply unit 140. [

이렇듯, 연마 정반에 입혀지는 연마 패드(111)와, 연마 헤드(120)에 사용되어 웨이퍼를 하방 가압하는 멤브레인과, 연마 패드(111)의 표면 상태를 개질하는 컨디셔닝 디스크(131)와, 슬러리 공급부(140)에 의해 공급되는 슬러리의 제조사 및 종류(모델) 등의 사양 및 사용 기간에 따라 화학 기계적 연마 장치(101)의 제어 방식을 구분하여 제어할 필요가 있다.As described above, the polishing pad 111 to be applied to the polishing pad, the membrane used for the polishing head 120 to press the wafer downward, the conditioning disk 131 to modify the surface state of the polishing pad 111, It is necessary to separately control the control method of the chemical mechanical polishing apparatus 101 according to specifications such as the manufacturer and the type (model) of the slurry supplied by the chemical mechanical polishing apparatus 140 and the period of use.

이를 위하여, 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 시스템(100)은 화학 기계적 연마 장치(101)의 부품의 사양과 사용 기간에 따른 제어 데이터를 메모리(110)에 미리 저장하여 두고, 부품의 사양이나 사용 기간에 따라 메모리(110)에 저장되어 있는 제어 데이터를 호출하여 화학 기계적 연마 장치(101)를 제어한다. To this end, the chemical mechanical polishing system 100 according to the present invention preliminarily stores the control data according to the specifications of the parts and the use period of the chemical mechanical polishing apparatus 101 in the memory 110, And controls the chemical mechanical polishing apparatus 101 by calling the control data stored in the memory 110 according to the control data.

상기 메모리(110)에는 화학 기계적 연마 장치에 사용되는 부품(웨이퍼를 포함한다)의 사양 및 사용 기간 등을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터가 저장된다. The memory 110 stores control data in accordance with parts information including the specifications of the parts (including wafers) used in the chemical mechanical polishing apparatus, the period of use, and the like.

예를 들어, 화학 기계적 연마 장치(101)의 웨이퍼(W)의 연마면과 접촉하는 연마 패드(111)의 재질 등의 사양 및 사용 기간을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터와, 화학 기계적 연마 장치(101)의 연마 패드(111)와 접촉하면서 표면을 개질하는 컨디셔닝 디스크(131)의 재질 등의 사양 및 사용 기간을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터와, 화학 기계적 연마 공정 중에 공급되는 슬러리의 성분과, 제조사 등의 사양을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터와, 연마 헤드(120)의 멤브레인의 사양 및 사용 기간을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터와, 화학 기계적 연마 공정에 사용하고자 하는 웨이퍼의 재질, 연마층의 소재 및 종류와 두께, 제조사 등의 사양을 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터와, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼 연마층의 실시간 두께 변동량 및 잔여 연마층 두께를 포함하는 부품 정보에 따른 제어 데이터가 메모리(110)에 저장된다. For example, the control data according to the part information including the specification such as the material of the polishing pad 111 in contact with the polishing surface of the wafer W of the chemical mechanical polishing apparatus 101 and the use period, Control data in accordance with part information including the specifications of the material and the like of the conditioning disk 131 which is in contact with the polishing pad 111 of the polishing pad 101 and the surface of the conditioning disk 131, Control data in accordance with part information including specifications of a manufacturer and the like, control data in accordance with part information including the specifications of the membrane of the polishing head 120 and the period of use, and the data of the wafer to be used in the chemical mechanical polishing process Control data in accordance with the part information including the material, the material and the type of the polishing layer, the thickness and the specification of the manufacturer, The control data according to the part information including the real time thickness variation and the residual polishing layer thickness is stored in the memory 110. [

여기서, CMP 공정 환경에 따라 부품의 노후화정도는 차이가 있지만, 반복 실험에 의한 평균 조건 하에서의 제어 데이터를 산출하여 메모리(110)에 저장해둠으로써, 노후화 편차에 따른 웨이퍼의 연마 조건의 변수를 최소화할 수 있다.
Here, although the degree of deterioration of parts is different according to the CMP process environment, control data under an average condition by repeated experiment is calculated and stored in the memory 110, thereby minimizing the variable of the polishing condition of the wafer due to the deterioration deviation .

그리고, 도4a에 도시된 바와 같이 각각의 부품에 대한 정보와 제어 데이터가 1:1로 대응하게 저장될 수도 있고, 도4b에 도시된 바와 같이 다양한 부품에 대한 정보의 조합과 제어 데이터가 1:1로 대응하게 저장될 수 있다. 도4a에 도시된 형태로 메모리(110)에 저장된 경우에는, 기준 데이터를 기초로 부품 정보나 환경 정보에 따라 제어 데이터를 변형하여 화학 기계적 연마 장치(101)의 제어에 사용된다. 또한, 도4b에 도시된 형태로 메모리(110)에 저장된 경우에는, 각 부품 정보와 환경 정보의 조합에 따른 제어 데이터가 메모리(110)에 저장되어 있으므로, 해당되는 제어 데이터를 호출하여 화학 기계적 연마 장치(101)를 제어하면 된다. As shown in FIG. 4A, information on each component and control data may be stored correspondingly in a one-to-one correspondence, and combinations of information on various components and control data may be stored in a 1: 1 < / RTI > When stored in the memory 110 in the form shown in FIG. 4A, the control data is modified according to the part information or the environment information based on the reference data, and is used to control the chemical mechanical polishing apparatus 101. FIG. 4B, since the control data according to the combination of the parts information and the environment information is stored in the memory 110, the corresponding control data is called to perform the chemical mechanical polishing The device 101 may be controlled.

도4b에 도시된 형태가 화학 기계적 연마 장치를 정확하게 제어할 수 있다는 점에서 바람직하다. 그러나, 도4b에 도시된 형태로 메모리(110)에 제어 데이터를 저장하기 위해서는 저장 데이터가 세분화되어야 하고 저장 공간이 많이 차지하며 호출하는 데 소요되는 시간이 더 소요되므로, 메모리(110)의 용량과 사양을 높이는 것이 좋다. 즉, 도4a에 도시된 형태와 도4b에 도시된 형태는 어느 하나로 선택하여 적용할 수도 있지만, 메모리(110)에 2가지 형태의 데이터 구조를 갖도록 부품 정보/환경 정보 및 제어 데이터를 저장해두고, 필요에 따라 호출하여 화학 기계적 연마 공정을 행하는 것이 보다 정확하고 일관된 연마 공정을 할 수 있도록 한다. The shape shown in Fig. 4B is preferable in that it can precisely control the chemical mechanical polishing apparatus. However, in order to store the control data in the memory 110 in the form shown in FIG. 4B, the stored data needs to be subdivided, and the storage space takes a lot of time, It is good to increase the specification. 4A and FIG. 4B may be selectively applied. However, the component information / environment information and the control data may be stored in the memory 110 to have two types of data structure, If necessary, performing a chemical mechanical polishing process by calling it makes it possible to perform a more accurate and consistent polishing process.

그리고, 메모리(110)에 저장된 부품 정보/환경 정보에 따른 제어 데이터를 호출하는 데 있어서는, 현장 여건에 따라 특정 부품에 대한 정보에 대하여 가중치를 부여하여 호출한 제어 데이터를 기준으로 화학 기계적 연마 장치를 작동시켜 웨이퍼의 연마 공정을 진행할 수도 있고, 모든 부품에 대한 정보에 따른 제어 데이터를 동일한 비율로 반영한 제어 데이터를 기준으로 화학 기계적 연마 장치를 작동시켜 웨이퍼의 연마 공정을 진행할 수도 있으며, 각각의 부품에 대한 정보의 조합에 따라 별도로 저장된 제어데이터를 기준으로 화학 기계적 연마 장치를 작동시켜 웨이퍼의 연마 공정을 진행할 수도 있다.In order to call the control data according to the part information / environment information stored in the memory 110, a weight is given to the information on the specific part according to the site conditions, and a chemical mechanical polishing apparatus The polishing process of the wafer may be carried out or the polishing process of the wafer may be carried out by operating the chemical mechanical polishing apparatus on the basis of the control data in which the control data corresponding to the information of all the parts are reflected at the same ratio, The polishing process of the wafer may be carried out by operating the chemical mechanical polishing apparatus on the basis of the control data stored separately according to the combination of the information on the wafer.

이와 같이, 각각의 부품들의 사양의 각각이나 조합에 따른 제어 데이터를 메모리(110)로부터 호출하여 화학 기계적 연마 장치를 제어함으로써, 높은 연마 품질로 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정을 행할 수 있게 된다.
Thus, by controlling the chemical mechanical polishing apparatus by calling the control data corresponding to each of the specifications of the respective components from the memory 110, the chemical mechanical polishing process of the wafer can be performed with high polishing quality.

이하, 본 발명에 따른 화학 기계적 연마 시스템의 작동 원리를 보다 구체적으로 상술한다.
Hereinafter, the operation principle of the chemical mechanical polishing system according to the present invention will be described in more detail.

단계 1: 먼저, 화학 기계적 연마 시스템(100)의 화학 기계적 연마 장치(101)를 이용하여 웨이퍼의 CMP 공정을 시작할 때에, 연마 패드(111)의 사양 및 사용 기간, 연마 헤드(120)의 멤브레인의 사양 및 사용 기간, 컨디셔너(130)의 컨디셔닝 디스크(131)의 사양 및 사용 기간, 슬러리 공급부(140)에서 공급되는 슬러리의 사양, 연마 대상물인 웨이퍼의 제조사 및 연마층 등의 부품 정보와, 화학 기계적 연마 장치의 온도와 습도 등의 환경 정보를 인식하게 한다(S110). Step 1 : First, when the CMP process of the wafer is started using the chemical mechanical polishing apparatus 101 of the chemical mechanical polishing system 100, the specification and the period of use of the polishing pad 111, the period of use of the membrane of the polishing head 120 Specification and use period of the conditioning disk 130, specification and use period of the conditioning disk 131 of the conditioner 130, specification of the slurry supplied from the slurry supply unit 140, part information such as the manufacturer and polishing layer of the wafer which is the object to be polished, And environmental information such as the temperature and humidity of the polishing apparatus are recognized (S110).

여기서, 각 부품의 인식 방법은 사용자에 의하여 부품의 교체 시마다 입력하거나 RFID 등에 의해 자동 인식되게 한 후에, CMP 공정 시간을 자동으로 인식하여 사용 기간을 산출하도록 한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 초기 두께는 화학 기계적 연마 공정을 시작하는 단계에서 연마두께 측정부에 의해 행해질 수 있다. Here, the recognition method of each part is automatically input by the user whenever the parts are replaced or automatically recognized by the RFID, etc., and then the CMP process time is automatically recognized to calculate the use period. Then, the initial thickness of the wafer W can be made by the polishing thickness measuring unit at the beginning of the chemical mechanical polishing process.

화학 기계적 연마 장치(101) 주변의 온도나 습도 등의 환경 정보는 별도로 마련된 온도계, 습도계를 이용하여 자동으로 인식할 수 있다.
Environmental information such as temperature and humidity around the chemical mechanical polishing apparatus 101 can be automatically recognized using a thermometer and a hygrometer separately provided.

단계 2: 그 다음, 화학 기계적 연마 시스템(100)의 메모리(110)에 저장되어 있는 각 부품의 사양이나 그 조합에 따른 제어 데이터를 호출한다(S120). 경우에 따라서는 메모리(110)에 주변 온도나 습도 등의 환경 정보에 따른 제어 데이터도 포함될 수 있다. Step 2 : Subsequently, the control data corresponding to the specifications of each part stored in the memory 110 of the chemical mechanical polishing system 100 or the combination thereof is called (S120). In some cases, the memory 110 may include control data according to environmental information such as ambient temperature and humidity.

상기 메모리(110)에는 화학 기계적 연마 장치(101)의 구성 요소들의 소모품(부품)에 사양 및 사용 기간에 관한 부품 정보와, 부품 정보에 대응하여 반복 실험에 의하여 최적의 제어 데이터가 저장된다. The memory 110 stores part information about the specifications and the use period of the components of the chemical mechanical polishing apparatus 101, and optimal control data by repeated experiments corresponding to the parts information.

예를 들어, 메모리(110)에 저장된 부품 정보는, 웨이퍼(W)의 연마면과 접촉하는 연마 패드(111)의 재질 등의 사양 및 사용 기간과, 연마 패드(111)와 접촉하면서 표면을 개질하는 컨디셔닝 디스크(131)의 재질 등의 사양 및 사용 기간과, 연마 헤드(120)의 멤브레인의 사양 및 사용 기간과, 슬러리의 사양과, 웨이퍼(W)의 사양과, 화학 기계적 연마 공정 중에 줄어드는 웨이퍼(W)의 실시간 연마층 두께를 포함한다. For example, the part information stored in the memory 110 may include information such as specifications of the material and the like of the polishing pad 111 in contact with the polishing surface of the wafer W, The specifications and the period of use of the material of the conditioning disk 131 and the like, the specifications and the period of use of the membrane of the polishing head 120, the specifications of the slurry, the specifications of the wafer W, (W) < / RTI >

그리고, 부품 정보와 환경 정보에 따른 제어 데이터는, 각각의 정보와 제어 데이터를 1:1로 대응하게 메모리(110)에 저장될 수도 있고, 부품 정보와 환경 정보의 조합(특정 조건)에 따른 제어 데이터로 메모리(110)에 저장될 수도 있다. 그리고, 저장된 제어 데이터를 호출함에 있어서, 다양한 부품 정보와 환경 정보를 동일한 비율로 반영한 데이터를 제어 데이터로 호출할 수도 있고, 특정 부품 정보와 환경 정보에 대하여 가중치를 부여하여 반영된 데이터를 제어 데이터로 호출할 수도 있으며, 각각의 부품 정보와 환경 정보들이 조합된 조건 하에서의 제어 데이터를 호출할 수도 있다.
The control data according to the parts information and the environment information may be stored in the memory 110 in a one-to-one correspondence with the respective pieces of information and the control data, or may be controlled according to the combination of part information and environment information And may be stored in the memory 110 as data. In calling the stored control data, it is possible to invoke data in which various parts information and environment information are reflected at the same ratio as control data, or to assign weight to specific parts information and environment information, Or may invoke control data under the condition that the respective parts information and environment information are combined.

한편, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)의 연마층 두께는 실시간으로 줄어들게 되므로, 화학 기계적 연마 장치에 광 센서나 와전류 센서 등을 포함하여 마련된 연마두께 측정부에 의하여, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)의 연마층 두께를 실시간으로 측정하고, 측정된 실시간 연마층 두께를 부품 정보로 하여 메모리(110)로부터 해당 제어 데이터를 호출할 수 있다.
On the other hand, since the thickness of the polishing layer of the wafer W during the chemical mechanical polishing process is reduced in real time, the polishing thickness measuring section provided with the optical sensor, the eddy current sensor, and the like in the chemical mechanical polishing apparatus, W in real time and call the corresponding control data from the memory 110 using the measured real time polishing layer thickness as part information.

단계 3: 그리고 나서, 메모리(110)로부터 수신된 제어 데이터로 화학 기계적 연마 장치(101)의 각각의 구성 요소들을 제어하면서 화학 기계적 연마 공정을 행한다(S130). Step 3 : Then, the chemical mechanical polishing process is performed while controlling the respective components of the chemical mechanical polishing apparatus 101 with the control data received from the memory 110 (S130).

즉, 메모리(110)로부터 호출한 제어 데이터에 따라, 각 부품 상태에 맞게 화학 기계적 연마 장치(101)의 각 구성 요소를 제어함으로써, 부품의 상태에 따른 화학 기계적 연마 공정의 편차없이 항상 일관되게 그리고 최적화된 연마 품질로 웨이퍼의 연마면을 연마할 수 있다. That is, by controlling each component of the chemical mechanical polishing apparatus 101 in accordance with the state of each component according to the control data called from the memory 110, it is possible to always consistently and uniformly control the chemical mechanical polishing process, The polished surface of the wafer can be polished with the optimized polishing quality.

여기서, 화학 기계적 연마 장치(101)의 각 구성 요소의 변수는, 슬러리의 종류 및 성분, 제조사 등에 따라 연마 패드의 회전 속도, 연마 패드를 개질하는 컨디셔너의 가압력, 연마 패드를 개질하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도, 웨이퍼의 가압력 등이 해당하며, 이 구성 요소의 제어 변수를 메모리(110)로부터 호출한 제어 데이터에 기초하여 부품 상태에 맞게 CMP 공정 제어를 행함으로써, 웨이퍼의 연마 품질을 항상 높게 유지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
Here, the parameters of the respective components of the chemical mechanical polishing apparatus 101 are determined depending on the kind and composition of the slurry, the manufacturer's rotational speed, the pressing force of the conditioner for modifying the polishing pad, the rotation of the conditioning disk Speed, the pressing force of the wafer, etc., and the CMP process control is performed in accordance with the component state on the basis of the control data called from the memory 110 with the control variables of the component, so that the polishing quality of the wafer can be kept high at all times Effect can be obtained.

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Modified, modified, or improved.

W: 웨이퍼 100: 화학 기계적 연마 시스템
101: 화학 기계적 연마 장치 110: 메모리
111: 연마 패드 120: 연마 헤드
130: 컨디셔너 131: 컨디셔닝 디스크
140: 슬러리 공급부W: wafer 100: chemical mechanical polishing system
101: chemical mechanical polishing apparatus 110: memory
111: polishing pad 120: polishing head
130: Conditioner 131: Conditioning disk
140: Slurry supply part

Claims (12)

웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정을 행하는 화학 기계적 연마 시스템으로서,
화학 기계적 연마 장치의 부품에 따른 제어 데이터를 저장하는 메모리를;
사용되는 부품 정보로부터 제어 데이터를 상기 메모리로부터 호출하여 제어되는 화학 기계적 연마 장치를;
포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
A chemical mechanical polishing system for carrying out a chemical mechanical polishing process of a wafer,
A memory for storing control data corresponding to parts of the chemical mechanical polishing apparatus;
A chemical mechanical polishing apparatus controlled by calling control data from the memory from the used part information;
≪ / RTI >
제 1항에 있어서,
상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 장치의 상기 웨이퍼의 연마면과 접촉하는 연마 패드의 재질과, 제조사와, 모델명과, 사용 기간 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the part information includes at least one of a material of a polishing pad in contact with a polishing surface of the wafer of the chemical mechanical polishing apparatus, a manufacturer, a model name, and a use period.
제 1항에 있어서,
상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 장치의 연마 패드와 접촉하면서 표면을 개질하는 컨디셔닝 디스크의 재질과, 제조사와, 모델명 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the part information includes at least one of a material of a conditioning disk, a maker, and a model name, which modifies a surface of the conditioning disk while contacting the polishing pad of the chemical mechanical polishing apparatus.
제 1항에 있어서,
상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 공급되는 슬러리의 성분과, 제조사와, 모델명 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the part information includes at least one of a component of a slurry to be supplied during the chemical mechanical polishing process, a manufacturer, and a model name.
제 1항에 있어서,
상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 웨이퍼를 하방으로 가압하는 연마 헤드의 멤브레인의 소재, 제조사와, 모델명 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the part information includes at least one of a material, a manufacturer, and a model name of the membrane of the polishing head which presses the wafer downward during the chemical mechanical polishing process.
제 1항에 있어서,
상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 연마되는 상기 웨이퍼의 직경과, 연마층의 종류와, 제조사 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the part information includes at least one of a diameter of the wafer to be polished during the chemical mechanical polishing process, a kind of a polishing layer, and a manufacturer.
제 1항에 있어서,
상기 부품 정보는 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 연마되고 있는 상기 웨이퍼의 실시간 연마층 두께를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the part information comprises a real time polishing layer thickness of the wafer being polished during the chemical mechanical polishing process.
제 1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어 데이터는,
상기 웨이퍼의 연마면이 접촉하고 있는 연마 패드의 회전 속도와, 상기 웨이퍼를 가압하는 가압력과, 상기 웨이퍼를 회전시키는 회전 속도와, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 가압력과, 상기 연마 패드를 가압하는 컨디셔닝 디스크의 회전 속도와, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 공급량과, 상기 연마 패드에 공급되는 슬러리의 종류 중 어느 하나 이상에 대하여 상기 화학 기계적 연마 장치를 변경 제어하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
A pressing force for pressing the wafer, a rotating speed for rotating the wafer, a pressing force of the conditioning disk for pressing the polishing pad, and a pressing force for pressing the polishing pad, Wherein the chemical mechanical polishing apparatus is modified and controlled with respect to at least one of a rotation speed of a conditioning disk to be supplied to the polishing pad, a supply amount of slurry to be supplied to the polishing pad, and a kind of slurry to be supplied to the polishing pad system.
제 1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 데이터는, 상기 부품 정보들 중 일부에 대하여 가중치를 부여한 데이터로 호출되어, 상기 화학 기계적 연마 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the control data is called with weighted data for a portion of the part information to control the chemical mechanical polishing apparatus.
제 1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 데이터는, 상기 부품 정보들에 대하여 동일한 비율만큼 반영한 데이터로 호출되어, 상기 화학 기계적 연마 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the control data is called with data reflected by the same ratio for the part information to control the chemical mechanical polishing apparatus.
제 1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 데이터는, 상기 부품 정보들에 대한 조합에 따라 미리 저장된 데이터로 호출되어, 상기 화학 기계적 연마 장치를 제어하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the control data is called with data stored in advance according to a combination of the part information to control the chemical mechanical polishing apparatus.
제 1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 메모리에 저장되는 제어 데이터는, 상기 화학 기계적 연마 장치의 환경 정보에 대한 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 시스템. 8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the control data stored in the memory includes data on environmental information of the chemical mechanical polishing apparatus.
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