KR102430032B1 - Transparent electrode laminate and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

투명 전극 적층체의 제조 방법에 있어서, 기재층 상에 소정의 두께의 제1 투명 산화물 전극층을 형성한다. 제1 투명 산화물 전극층 상에 제2 투명 산화물 전극층을 형성한다. 제2 투명 산화물 전극층의 두께를 조절하여 적층체 전체의 투과율 및 색도(b*)를 조절한다. 제2 투명 산화물 전극층의 두께를 조절하여 원하는 색 특성, 광학 특성이 가지며 전기적, 기계적 특성이 함께 향상된 투명 전극 적층체 및 터치 센서를 제조할 수 있다.In the manufacturing method of a transparent electrode laminated body, the 1st transparent oxide electrode layer of a predetermined thickness is formed on a base material layer. A second transparent oxide electrode layer is formed on the first transparent oxide electrode layer. By controlling the thickness of the second transparent oxide electrode layer, transmittance and chromaticity (b*) of the entire laminate are controlled. By controlling the thickness of the second transparent oxide electrode layer, it is possible to manufacture a transparent electrode laminate and a touch sensor having desired color properties and optical properties and having improved electrical and mechanical properties.

Description

투명 전극 적층체 및 이의 제조 방법{TRANSPARENT ELECTRODE LAMINATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Transparent electrode laminate and manufacturing method thereof

본 발명은 투명 전극 적층체 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 복수의 투명 도전층을 포함하는 투명 전극 적층체 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent electrode laminate and a method for manufacturing the same. More particularly, it relates to a transparent electrode laminate including a plurality of transparent conductive layers and a method for manufacturing the same.

최근 정보화 기술이 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광표시장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광다이오드표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.With the recent development of information technology, demands for the display field are also presented in various forms. For example, various flat panel display devices with features such as thinness, light weight, and low power consumption, for example, a liquid crystal display device, a plasma display panel device, Electroluminescent display devices, organic light-emitting diode display devices, and the like are being studied.

한편, 상기 표시 장치 상에 부착되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치인 터치 패널 또는 터치 센서가 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다.On the other hand, a touch panel or a touch sensor, which is an input device that is attached to the display device and allows a user to input a command by selecting instructions displayed on the screen with a human hand or an object, is combined with the display device to provide an image display function and Electronic devices in which an information input function is implemented are being developed.

상기 터치 센서의 경우, 사용자의 터치 센싱을 위한 투명 도전성 산화물을 포함하는 센싱 전극들이 기판 상에 배열될 수 있다. 상기 터치 센서가 디스플레이 장치에 삽입되는 경우, 상기 센싱 전극에 의해 디스플레이 장치에 의해 구현되는 이미지의 품질이 저하될 수 있다. 예를 들면, 상기 센싱 전극이 사용자에게 시인되어 상기 이미지를 교란시킬 수 있다. 또한, 상기 센싱 전극에 의해 이미지의 색감이 변화할 수 있다.In the case of the touch sensor, sensing electrodes including a transparent conductive oxide for sensing a user's touch may be arranged on a substrate. When the touch sensor is inserted into the display device, the quality of an image implemented by the display device by the sensing electrode may be deteriorated. For example, the sensing electrode may be recognized by the user to disturb the image. Also, the color of the image may be changed by the sensing electrode.

따라서, 터치 센싱을 위한 소정의 전도성, 감도는 유지하면서, 이미지 품질 향상을 위한 광학적 특성도 함께 고려하여 상기 센싱 전극을 설계할 필요가 있다.Therefore, it is necessary to design the sensing electrode while maintaining predetermined conductivity and sensitivity for touch sensing while also considering optical characteristics for improving image quality.

예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 최근 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있으나, 상술한 바와 같이 광학적 특성이 향상된 터치 센서 또는 터치 패널의 요구가 지속되고 있다.For example, as in Korean Patent Application Laid-Open No. 2014-0092366, a touch screen panel in which a touch sensor is combined with various image display devices has recently been developed, but as described above, the demand for a touch sensor or a touch panel with improved optical properties has been met. It continues.

한국공개특허 제2014-0092366호Korea Patent Publication No. 2014-0092366

본 발명의 일 과제는 향상된 색감 및 광학적 특성을 갖는 투명 전극 적층체를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a transparent electrode laminate having improved color and optical properties.

본 발명의 일 과제는 향상된 색감 및 광학적 특성을 갖는 투명 전극 적층체의 제조 방법을 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a method of manufacturing a transparent electrode laminate having improved color and optical properties.

본 발명의 일 과제는 상기 투명 전극 적층체를 포함하는 터치 센서를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a touch sensor including the transparent electrode laminate.

1. 기재층 상에 소정의 두께의 제1 투명 산화물 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 투명 산화물 전극층 상에 제2 투명 산화물 전극층을 형성하는 단계를 포함하며, 1. Forming a first transparent oxide electrode layer of a predetermined thickness on the base layer; and forming a second transparent oxide electrode layer on the first transparent oxide electrode layer,

상기 제2 투명 산화물 전극층을 형성하는 단계는 상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께를 조절하여 적층체 전체의 투과율 및 색도(b*)를 조절하는 것을 포함하는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.The forming of the second transparent oxide electrode layer comprises controlling the transmittance and chromaticity (b*) of the entire laminate by adjusting the thickness of the second transparent oxide electrode layer.

2. 위 1에 있어서, 상기 제1 투명 산화물 전극층은 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하도록 형성되며, 상기 제2 투명 산화물 전극층은 인듐 주석 산화물(ITO)를 포함하도록 형성되는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.2. The method of 1 above, wherein the first transparent oxide electrode layer is formed to include indium zinc oxide (IZO), and the second transparent oxide electrode layer is formed to include indium tin oxide (ITO). manufacturing method.

3. 위 1에 있어서, 상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께는 120 내지 150nm 범위로 조절되며, 상기 적층체 전체의 색도(b*)는 5 이하로 조절되는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.3. The method of manufacturing a transparent electrode laminate according to the above 1, wherein the thickness of the second transparent oxide electrode layer is adjusted in a range of 120 to 150 nm, and the chromaticity (b*) of the entire laminate is adjusted to 5 or less.

4. 위 1에 있어서, 상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께는 120 내지 140nm 범위로 조절되며, 상기 적층체 전체의 색도(b*)는 0.9 내지 4.7 범위로 조절되는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.4. The method of manufacturing a transparent electrode laminate according to the above 1, wherein the thickness of the second transparent oxide electrode layer is adjusted in a range of 120 to 140 nm, and the chromaticity (b*) of the entire laminate is adjusted in a range of 0.9 to 4.7. .

5. 위 1에 있어서, 상기 제1 투명 산화물 전극층은 10 내지 20nm 범위의 두께로 고정되는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.5. The method of manufacturing a transparent electrode laminate according to the above 1, wherein the first transparent oxide electrode layer is fixed to a thickness in a range of 10 to 20 nm.

6. 위 1에 있어서, 상기 적층체 전체의 투과율은 87% 이상으로 조절되는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.6. The method of manufacturing a transparent electrode laminate according to the above 1, wherein the transmittance of the entire laminate is adjusted to 87% or more.

7. 위 1에 있어서, 상기 제1 투명 산화물 전극층을 형성하기 전에 상기 기재층 상에 굴절률 정합층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.7. The method of 1 above, further comprising forming a refractive index matching layer on the base layer before forming the first transparent oxide electrode layer.

8. 위 7에 있어서, 상기 굴절률 정합층을 형성하는 단계는 서로 굴절률이 상이한 제1 굴절률 정합층 및 제2 굴절률 정합층을 순차적으로 형성하는 것을 포함하는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.8. The method of manufacturing a transparent electrode laminate according to the above 7, wherein the forming of the refractive index matching layer comprises sequentially forming a first refractive index matching layer and a second refractive index matching layer having different refractive indices.

9. 기재층; 상기 기재층 상에 적층된 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하는 제1 투명 산화물 전극층; 및 상기 제1 투명 산화물 전극층 상에 적층된 인듐 주석 산화물(ITO)를 포함하는 제2 투명 산화물 전극층을 포함하며, 9. base layer; a first transparent oxide electrode layer including indium zinc oxide (IZO) laminated on the base layer; and a second transparent oxide electrode layer comprising indium tin oxide (ITO) laminated on the first transparent oxide electrode layer,

상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께는 120 내지 150nm 이며, 적층체 전체의 투과율은 87%이상이며, 색도(b*)는 5 이하인, 투명 전극 적층체.The thickness of the second transparent oxide electrode layer is 120 to 150 nm, the transmittance of the entire laminate is 87% or more, and the chromaticity (b*) is 5 or less, the transparent electrode laminate.

10. 위 9에 있어서, 상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께는 120 내지 140nm 이며 상기 적층체 전체의 색도(b*)는 0.9 내지 4.7인, 투명 전극 적층체.10. The transparent electrode laminate according to 9 above, wherein the thickness of the second transparent oxide electrode layer is 120 to 140 nm and the chromaticity (b*) of the entire laminate is 0.9 to 4.7.

11. 위 9에 있어서, 상기 제1 투명 산화물 전극층의 두께는 10 내지 20nm인, 투명 전극 적층체.11. The transparent electrode laminate according to the above 9, wherein the thickness of the first transparent oxide electrode layer is 10 to 20 nm.

12. 위 1에 있어서, 상기 기재층 및 상기 제1 투명 산화물 전극층 사이에 형성된 굴절률 정합층을 더 포함하는, 투명 전극 적층체.12. The transparent electrode laminate according to 1 above, further comprising a refractive index matching layer formed between the base layer and the first transparent oxide electrode layer.

13. 위 12에 있어서, 상기 굴절률 정합층은 상기 기재층으로부터 순차적으로 적층된 제1 굴절률 정합층 및 제2 굴절률 정합층을 포함하며, 상기 제1 굴절률 정합층은 상기 제2 굴절률 정합층보다 큰 굴절률을 갖는, 투명 전극 적층체.13. The method of 12 above, wherein the refractive index matching layer includes a first refractive index matching layer and a second refractive index matching layer sequentially stacked from the base layer, and the first refractive index matching layer is larger than the second refractive index matching layer. A transparent electrode laminate having a refractive index.

14. 위 9 내지 13 중 어느 한 항의 투명 전극 적층체를 포함하는, 터치 센서.14. A touch sensor comprising the transparent electrode laminate of any one of claims 9 to 13 above.

본 발명의 실시예들에 따른 투명 전극 적층체는 예를 들면 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하는 제1 투명 산화물 전극층 및 인듐 주석 산화물(ITO)를 포함하는 제2 투명 산화물 전극층을 포함할 수 있다. 상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께를 조절하여 상기 투명 전극 적층체의 색도(b*)를 조절할 수 있으며, 이에 따라 화상 표시 장치의 구조에 따라 상기 투명 전극 적층체의 원하는 색도를 용이하게 조절할 수 있다.The transparent electrode stack according to embodiments of the present invention may include, for example, a first transparent oxide electrode layer including indium zinc oxide (IZO) and a second transparent oxide electrode layer including indium tin oxide (ITO). . The chromaticity (b*) of the transparent electrode laminate can be adjusted by adjusting the thickness of the second transparent oxide electrode layer, and thus the desired chromaticity of the transparent electrode laminate can be easily adjusted according to the structure of the image display device. .

또한, 상기 색도의 범위 내에서 소정의 투과율을 갖도록 상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께를 조절하여 색도 및 투과율을 포함하는 광학적 특성을 전체적으로 향상시킬 수 있다.In addition, by adjusting the thickness of the second transparent oxide electrode layer to have a predetermined transmittance within the chromaticity range, optical properties including chromaticity and transmittance may be improved as a whole.

또한, 상기 제1 투명 산화물 전극층의 두께를 소정의 범위 내로 고정 또는 유지하여, 상기 투명 전극 적층체의 기계적 안정성을 향상시킬 수 있다.In addition, by fixing or maintaining the thickness of the first transparent oxide electrode layer within a predetermined range, it is possible to improve the mechanical stability of the transparent electrode laminate.

상기 투명 전극 적층체를 활용하여 광학적 특성 및 기계적 신뢰성이 향상된 터치 센서를 제조할 수 있으며, 화상 표시 장치 내에서 원하는 이미지 또는 색도를 용이하게 고해상도로 구현할 수 있다.A touch sensor with improved optical properties and mechanical reliability may be manufactured by utilizing the transparent electrode laminate, and a desired image or chromaticity may be easily implemented in an image display device with high resolution.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 적층체를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 적층체를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 적층체를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 5는 제2 투명 산화물 전극층의 두께 변화에 따른 b* 값의 변화를 나타내는 그래프이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a transparent electrode laminate according to exemplary embodiments.
2 is a schematic cross-sectional view illustrating a transparent electrode laminate according to example embodiments.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating a transparent electrode laminate according to example embodiments.
4 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch sensor according to example embodiments.
5 is a graph illustrating a change in b* value according to a change in thickness of a second transparent oxide electrode layer.

본 발명의 실시예들은 제1 투명 산화물 전극층 및 제2 투명 산화물 전극층을 포함하며, 상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께 조절을 통해 소정의 색도를 갖는 투명 전극 적층체 및 이의 제조 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a transparent electrode laminate including a first transparent oxide electrode layer and a second transparent oxide electrode layer, and having a predetermined chromaticity by controlling the thickness of the second transparent oxide electrode layer, and a method for manufacturing the same.

이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예들을 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.Hereinafter, with reference to the drawings, embodiments of the present invention will be described in more detail. However, the following drawings attached to the present specification illustrate preferred embodiments of the present invention, and serve to further understand the technical spirit of the present invention together with the above-described content of the present invention, so the present invention is described in such drawings It should not be construed as being limited only to the matters.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 적층체를 나타내는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a transparent electrode laminate according to exemplary embodiments.

도 1을 참조하면, 투명 전극 적층체(100)는 기재층(105) 및 기재층(105) 상에 형성된 제1 투명 산화물 전극층(160) 및 제2 투명 산화물 전극층(170)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the transparent electrode laminate 100 may include a base layer 105 and a first transparent oxide electrode layer 160 and a second transparent oxide electrode layer 170 formed on the base layer 105 . .

기재층(105)은 투명 산화물 전극층(160, 170) 형성을 위해 베이스 층으로 사용되는 필름 타입 기재, 또는 투명 산화물 전극층(160, 170)이 형성되는 대상체를 포괄하는 의미로 사용된다. 일부 실시예들에 있어서, 기재층(105)은 터치 센서가 형성 또는 적층되는 표시 패널을 지칭할 수도 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기재층(105)은 화상 표시 장치의 윈도우 기판을 포함할 수도 있다.The base layer 105 is used to encompass a film-type substrate used as a base layer for forming the transparent oxide electrode layers 160 and 170 , or an object on which the transparent oxide electrode layers 160 and 170 are formed. In some embodiments, the base layer 105 may refer to a display panel on which a touch sensor is formed or stacked. In some embodiments, the base layer 105 may include a window substrate of an image display device.

예를 들면, 기재층(105)은 터치 센서에 통상적으로 사용되는 기판, 또는 필름 소재가 특별한 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면, 유리, 고분자 및/또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 고분자의 예로서, 환형올레핀중합체(COP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP), 폴리에테르술폰(PES), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 폴리카보네이트(PC), 환형올레핀공중합체(COC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 들 수 있다. 상기 무기 절연 물질의 예로서, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 금속 산화물 등을 들 수 있다.For example, the substrate layer 105 may be a substrate or film material commonly used in a touch sensor without any particular limitation, and may include, for example, glass, a polymer, and/or an inorganic insulating material. Examples of the polymer include cyclic olefin polymer (COP), polyethylene terephthalate (PET), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), poly Allylate (polyallylate), polyimide (PI), cellulose acetate propionate (CAP), polyethersulfone (PES), cellulose triacetate (TAC), polycarbonate (PC), cyclic olefin copolymer (COC), poly Methyl methacrylate (PMMA), etc. are mentioned. Examples of the inorganic insulating material include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and metal oxide.

제1 투명 산화물 전극층(160)은 기재층(105) 상에 예를 들면, 스퍼터링(sputtering) 공정과 같은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.The first transparent oxide electrode layer 160 may be formed on the base layer 105 through, for example, a deposition process such as a sputtering process.

예시적인 실시예들에 따르면, 제1 투명 산화물 전극층(160)은 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 산화 인듐(In2O3) 및 산화 아연(ZnO)의 중량비가 조절된 타겟을 사용한 스퍼터링 공정을 통해 제1 투명 산화물 전극층(160)을 형성할 수 있다.In example embodiments, the first transparent oxide electrode layer 160 may include indium zinc oxide (IZO). For example, the first transparent oxide electrode layer 160 may be formed through a sputtering process using a target in which the weight ratio of indium oxide (In 2 O 3 ) and zinc oxide (ZnO) is controlled.

일 실시예에 있어서, 제1 투명 산화물 전극층(160)에 있어서, 산화 아연의 중량비는 약 5 내지 15중량%일 수 있다.In one embodiment, in the first transparent oxide electrode layer 160, the weight ratio of zinc oxide may be about 5 to 15% by weight.

제1 투명 산화물 전극층(160)의 두께는 약 10 내지 20 nm 범위 내에서 조절될 수 있다.The thickness of the first transparent oxide electrode layer 160 may be adjusted within a range of about 10 to 20 nm.

상대적으로 인듐 주석 산화물(ITO)에 비해 기계적 안정성 및 표면 특성이 향상된 IZO를 사용하여 제1 투명 산화물 전극층(160)을 형성하되, 두께를 상기의 범위 내로 조절함으로써, 후술하는 제2 투명 산화물 전극층(170)으로 조절되는 투과도, 색도에 영향을 억제 또는 감소시킬 수 있다.The first transparent oxide electrode layer 160 is formed using IZO, which has relatively improved mechanical stability and surface properties compared to indium tin oxide (ITO), but by adjusting the thickness within the above range, the second transparent oxide electrode layer ( 170), it is possible to suppress or reduce the influence on transmittance and chromaticity.

예시적인 실시예들에 따르면, 제1 투명 산화물 전극층(160)은 상술한 바와 같이 IZO를 사용하여 상대적으로 저온 공정을 통해 형성될 수 있으며, 따라서 기재층(105)의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 산화물 전극층(160)은 약 20 내지 130℃ 범위의 저온 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.According to exemplary embodiments, the first transparent oxide electrode layer 160 may be formed through a relatively low temperature process using IZO as described above, thus preventing damage to the base layer 105 . For example, the first transparent oxide electrode layer 160 may be formed through a low-temperature deposition process in a range of about 20 to 130°C.

제1 투명 산화물 전극층(160) 상에는 제2 투명 산화물 전극층(170)이 형성될 수 있다. 제2 투명 산화물 전극층(170)은 제1 투명 산화물 전극층(160)에서 보다 상대적으로 투과율 및 전도성이 향상된 물질을 포함하도록 형성될 수 있다.A second transparent oxide electrode layer 170 may be formed on the first transparent oxide electrode layer 160 . The second transparent oxide electrode layer 170 may be formed to include a material having relatively improved transmittance and conductivity than the first transparent oxide electrode layer 160 .

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 투명 산화물 전극층(170)은 ITO를 포함하도록 스퍼터링 공정과 같은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다. In example embodiments, the second transparent oxide electrode layer 170 may be formed through a deposition process such as a sputtering process to include ITO.

예를 들면, 산화 인듐(In2O3) 및 산화 주석(SnO2)의 중량비가 조절된 타겟을 사용한 스퍼터링 공정을 통해 제2 투명 산화물 전극층(170)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 투명 산화물 전극층(170)에 있어서, 산화 주석의 중량비는 약 5 내지 15중량%일 수 있다.For example, the second transparent oxide electrode layer 170 may be formed through a sputtering process using a target in which the weight ratio of indium oxide (In 2 O 3 ) and tin oxide (SnO 2 ) is controlled. In one embodiment, in the second transparent oxide electrode layer 170, the weight ratio of tin oxide may be about 5 to 15% by weight.

예시적인 실시예들에 따르면, 제2 투명 산화물 전극층(170)의 두께 조절을 통해 투명 전극 적층체(100)의 색도 및 투과율을 조절할 수 있다.According to exemplary embodiments, the chromaticity and transmittance of the transparent electrode stack 100 may be adjusted by adjusting the thickness of the second transparent oxide electrode layer 170 .

일부 실시예들에 있어서, 제2 투명 산화물 전극층(170)의 두께는 약 120 내지 150 nm 범위에서 조절될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 투명 산화물 전극층(170)의 상기 두께 범위에서 투명 전극 적층체(100)의 색도(L*a*b* 표색계에서 b*)는 약 5 이하로 조절될 수 있다.In some embodiments, the thickness of the second transparent oxide electrode layer 170 may be adjusted in a range of about 120 to 150 nm. In some embodiments, the chromaticity (b* in the L*a*b* color system) of the transparent electrode laminate 100 in the thickness range of the second transparent oxide electrode layer 170 may be adjusted to about 5 or less. .

일 실시예에 있어서, 제2 투명 산화물 전극층(170)의 두께는 약 120 내지 140 nm 범위에서 조절될 수 있으며, 투명 전극 적층체(100)의 색도는 약 0.9 내지 4.7 범위로 조절될 수 있다.In an embodiment, the thickness of the second transparent oxide electrode layer 170 may be adjusted in the range of about 120 to 140 nm, and the chromaticity of the transparent electrode stack 100 may be adjusted in the range of about 0.9 to 4.7.

예를 들면, 투명 전극 적층체(100)가 터치 센서의 센싱 전극으로 사용되는 경우, 상기 터치 센서는 화상 표시 장치의 중간막 구조로 삽입될 수 있다. 상기 화상 표시 장치의 해상도 및 이미지 품질, 상기 터치 센서가 삽입되는 화상 표시 장치 내의 위치 등에 따라 요구되는 상기 터치 센서의 색도가 달라질 수 있다.For example, when the transparent electrode stack 100 is used as a sensing electrode of a touch sensor, the touch sensor may be inserted into an interlayer structure of an image display device. The required chromaticity of the touch sensor may vary depending on the resolution and image quality of the image display device, a position in the image display device where the touch sensor is inserted, and the like.

예시적인 실시예들에 따르면, 투명 전극 적층체(100) 내에서 예를 들면, ITO를 포함하는 제2 투명 산화물 전극층(170)의 두께를 조절함으로써, 투명 전극 적층체(100) 전체의 색도를 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 상기 두께 범위에서 색도를 약 5 이하, 바람직하게는 약 0.9 내지 4.7 범위로 조절함으로써, 색 편차에 따른 화상 표시 장치에서의 이미지 변형 또는 교란을 방지할 수 있다.According to exemplary embodiments, by adjusting the thickness of the second transparent oxide electrode layer 170 including, for example, ITO in the transparent electrode laminate 100 , the chromaticity of the entire transparent electrode laminate 100 is increased. can be easily adjusted. In addition, by adjusting the chromaticity to about 5 or less, preferably from about 0.9 to 4.7 in the thickness range, it is possible to prevent image distortion or disturbance in the image display device due to color deviation.

또한, 제2 투명 산화물 전극층(170)의 두께를 상기 범위로 조절함에 따라, 투명 전극 적층체(100) 전체의 투과율은 약 87% 이상으로 조절될 수 있다. 투명 전극 적층체(100)의 투과율이 약 87% 미만인 경우, 터치 센서의 사용자에게 전극이 시인될 수 있으며, 상기 화상 표시 장치의 이미지 품질이 열화될 수 있다.In addition, as the thickness of the second transparent oxide electrode layer 170 is adjusted within the above range, the transmittance of the entire transparent electrode stack 100 may be adjusted to about 87% or more. When the transmittance of the transparent electrode laminate 100 is less than about 87%, the electrode may be visually recognized by the user of the touch sensor, and image quality of the image display device may deteriorate.

제2 투명 산화물 전극층(170)은 제1 투명 산화물 전극층(160) 대비 전도성 및 투과율이 향상된 물질, 예를 들면 ITO를 포함하도록 형성되며, 또한 제1 투명 산화물 전극층(160) 보다 큰 두께로 형성될 수 있다. The second transparent oxide electrode layer 170 is formed to include a material having improved conductivity and transmittance compared to the first transparent oxide electrode layer 160, for example, ITO, and also to be formed to a greater thickness than the first transparent oxide electrode layer 160. can

이에 따라, 제2 투명 산화물 전극층(170)에 의해 터치 센서의 전도성, 투과율을 확보하면서 색도를 미세 조절할 수 있다. 또한, 제1 투명 산화물 전극층(160)은 예를 들면, 기재층(105) 측으로부터 제2 투명 산화물 전극층(170)으로 침투하는 외부 불순물에 대핸 배리어로 제공될 수 있으며, 터치 센서에 포함되는 센싱 전극의 기계적 안정성을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the chromaticity can be finely adjusted while ensuring the conductivity and transmittance of the touch sensor by the second transparent oxide electrode layer 170 . In addition, the first transparent oxide electrode layer 160 may be provided as a barrier against external impurities penetrating into the second transparent oxide electrode layer 170 from, for example, the base layer 105 side, and sensing included in the touch sensor. It is possible to improve the mechanical stability of the electrode.

제2 투명 산화물 전극층(170)은 제1 투명 산화물 전극층(160) 보다 상대적으로 고온 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 투명 산화물 전극층(170)은 약 30 내지 230℃ 온도의 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.The second transparent oxide electrode layer 170 may be formed through a relatively high temperature process than the first transparent oxide electrode layer 160 . For example, the second transparent oxide electrode layer 170 may be formed through a deposition process at a temperature of about 30 to 230°C.

일부 실시예들에 있어서, 제1 투명 산화물 전극층(160) 및 제2 투명 산화물 전극층(170)은 서로 접촉하며, 이 경우 터치 센서의 센싱 전극은 2층 구조를 가질 수 있다. 상기 센싱 전극에 있어서, 상술한 바와 같이 제1 투명 산화물 전극층(160)이 배리어 전극 또는 지지 전극으로 제공되며, 제2 투명 산화물 전극층(170)이 전도성, 투과율, 색도 조절 전극으로 제공될 수 있다.In some embodiments, the first transparent oxide electrode layer 160 and the second transparent oxide electrode layer 170 contact each other, and in this case, the sensing electrode of the touch sensor may have a two-layer structure. In the sensing electrode, as described above, the first transparent oxide electrode layer 160 may be provided as a barrier electrode or a support electrode, and the second transparent oxide electrode layer 170 may be provided as an electrode for controlling conductivity, transmittance, and chromaticity.

도 2는 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 적층체를 나타내는 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view illustrating a transparent electrode laminate according to example embodiments.

도 2를 참조하면, 제1 투명 산화물 전극층(160) 및 기재층(105) 사이에 굴절률 정합층(140)이 형성될 수 있다. 굴절률 정합층(140)은 예를 들면, 기재층(105)의 굴절률 및 투명 산화물 전극층(160, 170)의 굴절률 사이의 굴절률을 가지며, 제1 투명 산화물 전극층(160) 및 기재층(105) 사이의 굴절률 변화를 완충할 수 있다.Referring to FIG. 2 , a refractive index matching layer 140 may be formed between the first transparent oxide electrode layer 160 and the base layer 105 . The refractive index matching layer 140 has, for example, a refractive index between the refractive index of the base layer 105 and the refractive index of the transparent oxide electrode layers 160 and 170 , and between the first transparent oxide electrode layer 160 and the base layer 105 . change in the refractive index of

일부 실시예들에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 굴절률 정합층(140)은 기재층(105) 상면으로부터 순차적으로 적층되며 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 굴절률 정합층(120) 및 제2 굴절률 정합층(130)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 굴절률 정합층(120)이 제2 굴절률 정합층(130)의 굴절률보다 높을 수 있다.In some embodiments, as shown in FIG. 2 , the refractive index matching layer 140 is sequentially stacked from the upper surface of the base layer 105 and has a first refractive index matching layer 120 and a second refractive index having different refractive indices. A matching layer 130 may be included. In an embodiment, the first refractive index matching layer 120 may be higher than the refractive index of the second refractive index matching layer 130 .

예를 들면, 굴절률 정합층(140)은 아크릴 수지, 실록산 수지등과 같은 유기 절연 물질, 또는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 굴절률 정합층(140)은 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 주석(SnO2), 알루미나(Al2O3), 산화 탄탈륨(Ta2O5) 등과 같은 무기 입자를 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 무기 입자는 제1 굴절률 정합층(120)에 포함되어 상대적으로 굴절률을 증가시킬 수 있다.For example, the refractive index matching layer 140 may include an organic insulating material such as an acrylic resin or a siloxane resin, or an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride. In one embodiment, the refractive index matching layer 140 is titanium oxide (TiO2), zirconium oxide (ZrO 2 ), tin oxide (SnO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), etc. It may further include the same inorganic particles. For example, the inorganic particles may be included in the first refractive index matching layer 120 to relatively increase the refractive index.

굴절률 정합층(140)의 두께는 투명 전극 적층체(100a)에 있어서, 제2 투명 산화물 전극층(170)에 의해 조절된 색도, 투과율에 영향을 주지 않도록 설정될 수 있다. The thickness of the refractive index matching layer 140 may be set so as not to affect the chromaticity and transmittance adjusted by the second transparent oxide electrode layer 170 in the transparent electrode stack 100a.

예를 들면, 제1 굴절률 정합층(120)의 두께는 약 10 내지 80nm일 수 있다. 제2 굴절률 정합층(130)의 두께는 약 100 내지 200nm일 수 있다.For example, the thickness of the first refractive index matching layer 120 may be about 10 to 80 nm. The thickness of the second refractive index matching layer 130 may be about 100 to 200 nm.

도 3은 예시적인 실시예들에 따른 투명 전극 적층체를 나타내는 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view illustrating a transparent electrode laminate according to exemplary embodiments.

도 3을 참조하면, 투명 전극 적층체(100b)는 기재층(105)의 적어도 일면 상에 형성된 하드코팅층을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 하드코팅층은 기재층(105)의 저면 상에 형성된 제1 하드코팅층(110a) 및 기재층(105)의 상면 상에 형성된 제2 하드코팅층(110b)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3 , the transparent electrode laminate 100b may include a hard coating layer formed on at least one surface of the base layer 105 . In some embodiments, the hard coating layer may include a first hard coating layer 110a formed on the lower surface of the base layer 105 and a second hard coating layer 110b formed on the upper surface of the base layer 105 . have.

하드코팅층(110a, 110b)은 예를 들면, 광경화성 화합물, 광개시제 및 용제를 포함하는 하드코팅 조성물을 사용하여 형성되며, 이에 따라 기재층(105)의 유연성, 내마모성, 표면 경도를 추가적으로 향상시킬 수 있다.The hard coating layers 110a and 110b are formed using, for example, a hard coating composition including a photocurable compound, a photoinitiator, and a solvent, and thus the flexibility, abrasion resistance, and surface hardness of the base layer 105 can be further improved. have.

상기 광경화성 화합물은, 예를 들면 실록산 계열 화합물, 아크릴레이트 계열 화합물, (메타)아크릴로일기를 또는 비닐기를 갖는 화합물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.The photocurable compound may include, for example, a siloxane-based compound, an acrylate-based compound, or a compound having a (meth)acryloyl group or a vinyl group. These may be used alone or in combination of two or more.

일부 실시예들에 있어서, 기재층(105)은 화상 표시 장치의 윈도우로 제공될 수 있으며, 기재층(105)의 상기 저면 혹은 제1 하드코팅층(110a)이 사용자의 시인 측으로 배치될 수 있다.In some embodiments, the base layer 105 may be provided as a window of the image display device, and the bottom surface of the base layer 105 or the first hard coating layer 110a may be disposed toward the viewer's side.

도 4는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch sensor according to example embodiments.

도 4를 참조하면, 상기 터치 센서는 기재층(105) 상에 형성된 센싱 전극들(150)을 포함할 수 있다. 센싱 전극(150)은 상술한 바와 같이, 제1 투명 산화물 전극층(160) 및 제2 투명 산화물 전극층(170)의 적층 구조를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the touch sensor may include sensing electrodes 150 formed on the base layer 105 . As described above, the sensing electrode 150 may include a stacked structure of the first transparent oxide electrode layer 160 and the second transparent oxide electrode layer 170 .

일부 실시예들에 있어서, 상기 터치 센서는 상호 정전 용량(Mutual-Capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 이 경우, 센싱 전극들(150)은 사용자의 터치 위치를 센싱하기 위해 서로 다른 방향(예를 들면, X 방향 및 Y 방향)으로 교차하도록 배열되는 제1 센싱 전극들 및 제2 센싱 전극들을 포함할 수 있다.In some embodiments, the touch sensor may be driven in a mutual-capacitance method. In this case, the sensing electrodes 150 may include first sensing electrodes and second sensing electrodes that are arranged to cross each other in different directions (eg, X and Y directions) to sense the user's touch position. can

예를 들면, 제1 센싱 전극들은 단위 패턴들이 이음부에 의해 서로 연결되어 센싱 라인 형태로 연장되며, 복수의 상기 센싱 라인들이 배열될 수 있다. 제2 센싱 전극들은 각각 서로 물리적으로 이격된 단위 패턴들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 센싱 전극을 사이에 두고 서로 이웃하는 제2 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 전극이 더 포함될 수 있다. 이 경우, 절연 패턴이 상기 이음부 및 브릿지 전극의 교차부에 형성되어 상기 제1 및 제2 센싱 전극들을 서로 절연시킬 수 있다.For example, unit patterns of the first sensing electrodes may be connected to each other by a joint to extend in the form of a sensing line, and a plurality of sensing lines may be arranged. Each of the second sensing electrodes may include unit patterns that are physically spaced apart from each other. For example, a bridge electrode for electrically connecting second sensing electrodes adjacent to each other with the first sensing electrode interposed therebetween may be further included. In this case, an insulating pattern may be formed at the intersection of the joint portion and the bridge electrode to insulate the first and second sensing electrodes from each other.

일 실시예에 있어서, 상기 이음부 및 브릿지 전극 역시 상술한 제1 투명 산화물 전극층(160) 및 제2 투명 산화물 전극층(170)의 적층 구조를 포함할 수 있다.In an embodiment, the joint and bridge electrodes may also include the above-described stacked structure of the first transparent oxide electrode layer 160 and the second transparent oxide electrode layer 170 .

일부 실시예들에 있어서, 상기 터치 센서는 자기 정전 용량(Self-Capacitance) 방식으로 구동되는 터치 센서를 포함할 수 있다. 이 경우, 센싱 전극들(150)은 각각 물리적으로 이격된 단위 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 단위 패턴들은 각각 트레이스 또는 배선 라인을 통해 구동 회로와 전기적으로 연결될 수 있다.In some embodiments, the touch sensor may include a touch sensor driven in a self-capacitance method. In this case, the sensing electrodes 150 may include physically spaced unit patterns from each other. Each of the unit patterns may be electrically connected to a driving circuit through a trace or a wiring line.

절연층(180)은 기재층(105) 상에서 센싱 전극들(150)을 덮을 수 있다. 절연층(180)은 예를 들면, 실리콘 산화물과 같은 무기 절연 물질, 또는 아크릴계 수지와 같은 투명 유기 물질로 형성될 수 있다. The insulating layer 180 may cover the sensing electrodes 150 on the base layer 105 . The insulating layer 180 may be formed of, for example, an inorganic insulating material such as silicon oxide, or a transparent organic material such as an acrylic resin.

기재층(105) 상에는, 도 2를 참조로 설명한 바와 같이, 굴절률 정합층(140)이 형성될 수 있다. 이웃하는 센싱 전극들(150) 사이의 영역, 예를 들면 센싱 전극(150)이 형성되지 않은 영역에서는 굴절률 정합층(140)이 노출되어, 전극 영역 및 비전극 영역 사이에서의 굴절률 차이에 의한 전극 시인을 억제 또는 감소할 수 있다.On the base layer 105 , as described with reference to FIG. 2 , a refractive index matching layer 140 may be formed. The refractive index matching layer 140 is exposed in the region between the neighboring sensing electrodes 150 , for example, in the region where the sensing electrode 150 is not formed, so that the electrode by the difference in refractive index between the electrode region and the non-electrode region. It can suppress or reduce the visibility.

본 발명의 실시예들은 상술한 투명 전극 적층체를 포함하는 터치 센서 또는 터치 스크린 패널을 제공한다. 또한, 본 발명의 실시예들은 상기 터치 센서를 포함하는 예를 들면, OLED 장치 또는 LCD 장치와 같은 화상 표시 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a touch sensor or touch screen panel including the above-described transparent electrode laminate. In addition, embodiments of the present invention provide an image display device including, for example, an OLED device or an LCD device including the touch sensor.

상기 화상 표시 장치에 있어서, OLED 패널 또는 LCD 패널과 같은 디스플레이 패널 상에 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같은 터치 센서가 적층될 수 있다. 상기 디스플레이 패널은 디스플레이 기판 상에 배열된 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로 및 상기 화소 회로와 전기적으로 연결되는 화소부 또는 발광부를 포함할 수 있다.In the image display device, for example, a touch sensor as shown in FIG. 4 may be stacked on a display panel such as an OLED panel or an LCD panel. The display panel may include a pixel circuit including a thin film transistor (TFT) arranged on a display substrate, and a pixel unit or a light emitting unit electrically connected to the pixel circuit.

상기 디스플레이 패널 및 상기 터치 센서 사이에, 또는 상기 터치 센서 상에 편광판이 적층될 수도 있다. 상기 터치 센서 상에는 윈도우가 배치되어 보호 부재로서 제공될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 투명 전극 적층체 또는 상기 터치 센서의 기재층(105)이 상기 윈도우로서 제공될 수도 있다.A polarizing plate may be laminated between the display panel and the touch sensor or on the touch sensor. A window may be disposed on the touch sensor to serve as a protection member. In some embodiments, the transparent electrode laminate or the base layer 105 of the touch sensor may be provided as the window.

이하, 구체적인 실험예들을 통해, 본 발명의 광학 적층체의 특성에 대해 보다 상세히 설명한다. 하기의 실험예에 포함된 실시예들은 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며 또한 비교예들이 반드시 본원의 권리 범위를 제한하고자 하는 의도로 포함되지는 않는다. 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Hereinafter, the characteristics of the optical laminate of the present invention will be described in more detail through specific experimental examples. Examples included in the following experimental examples are merely illustrative of the present invention, and do not limit the appended claims, and comparative examples are not necessarily included with the intention of limiting the scope of the present application. It is apparent to those skilled in the art that various changes and modifications to the embodiments are possible within the scope and spirit of the present invention, and it is natural that such variations and modifications fall within the scope of the appended claims.

실험예Experimental example

상면 및 하면에 각각 1.38㎛의 아크릴계 하드코팅층이 형성된 COP 재질의 기재층(Zeon사 제조, 두께 40.5㎛)을 준비하였다. 상기 기재층 상에 순차적으로 제1 굴절률 정합층(두께 50nm) 및 제2 굴절률 정합층(두께 170nm)을 형성하였다. 상기 제1 굴절률 정합층 및 제2 굴절률 정합층은 각각 아크릴계 수지를 포함하며, 상기 제1 굴절률 정합층은 부가적으로 무기 입자가 분산된 수지를 사용하여 형성되었다. A base layer (manufactured by Zeon, 40.5 μm in thickness) made of a COP material in which an acrylic hard coating layer of 1.38 μm was formed on the top and bottom surfaces, respectively, was prepared. A first refractive index matching layer (thickness of 50 nm) and a second refractive index matching layer (thickness of 170 nm) were sequentially formed on the base layer. The first refractive index matching layer and the second refractive index matching layer each include an acrylic resin, and the first refractive index matching layer is additionally formed using a resin in which inorganic particles are dispersed.

상기 제2 굴절률 정합층 상에 IZO를 스퍼터링 공정으로 증착하여 10nm 두께의 제1 투명 산화물 전극층을 형성하였다. 이후, 상기 제1 투명 산화물 전극층 상에 ITO를 스퍼터링 공정으로 증착하여 제2 투명 산화물 전극층을 형성함으로써 투명 전극 적층체를 제조하였다.IZO was deposited on the second refractive index matching layer by a sputtering process to form a first transparent oxide electrode layer having a thickness of 10 nm. Thereafter, a transparent electrode laminate was manufactured by depositing ITO on the first transparent oxide electrode layer by a sputtering process to form a second transparent oxide electrode layer.

상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께를 변경하면서 상기 투명 전극 적층체 전체의 투과율 및 색도(a*, b*)를 측정하였다. 투과율 및 색도는 CM-3600A(Minolta 제조)를 사용하여 측정되었다.Transmittance and chromaticity (a*, b*) of the entire transparent electrode laminate were measured while changing the thickness of the second transparent oxide electrode layer. Transmittance and chromaticity were measured using CM-3600A (manufactured by Minolta).

측정 결과는 하기의 표 1에 나타낸다. 한편, 도 5는 제2 투명 산화물 전극층의 두께 변화에 따른 투과율 및 b* 값의 변화를 나타내는 그래프이다.The measurement results are shown in Table 1 below. Meanwhile, FIG. 5 is a graph showing changes in transmittance and b* values according to changes in the thickness of the second transparent oxide electrode layer.

제2 투명산화물 전극층 두께(nm)Second transparent oxide electrode layer thickness (nm) 투과율transmittance a*a* b*b* 100100 86.786.7 -0.34-0.34 0.70.7 120120 87.287.2 -0.37-0.37 0.90.9 125125 87.787.7 -0.39-0.39 0.90.9 130130 87.887.8 -0.27-0.27 2.22.2 135135 87.587.5 -0.30-0.30 3.63.6 140140 87.387.3 -0.08-0.08 4.74.7 150150 87.187.1 -0.05-0.05 5.05.0 160160 86.986.9 -0.02-0.02 5.25.2

표 1 및 도 5를 참조하면, 제2 투명 산화물 전극층의 두께가 증가할수록 색도(b*) 값이 증가하며, 두께를 약 120 내지 150nm 사이로 조절함에 따라 87% 이상의 투과율이 유지되면서 색도(b*) 값이 5 이하로 조절되었다. 또한, 제2 투명 산화물 전극층의 두께를 약 120 내지 140nm 사이로 조절함에 따라, 색도(b*) 값을 약 0.9 내지 4.7 범위로 유지할 수 있었다.Referring to Table 1 and FIG. 5, as the thickness of the second transparent oxide electrode layer increases, the chromaticity (b*) value increases, and as the thickness is adjusted between about 120 to 150 nm, transmittance of 87% or more is maintained while the chromaticity (b*) ) value was adjusted to 5 or less. In addition, as the thickness of the second transparent oxide electrode layer was adjusted to be between about 120 and 140 nm, the chromaticity (b*) value could be maintained in the range of about 0.9 to 4.7.

100, 100a, 100b: 투명 전극 적층체
105: 기재층
120: 제1 굴절률 정합층
130: 제2 굴절률 정합층
140: 굴절률 정합층
150: 센싱 전극
160: 제1 투명 산화물 전극층
170: 제2 투명 산화물 전극층100, 100a, 100b: transparent electrode laminate
105: base layer
120: first refractive index matching layer
130: second refractive index matching layer
140: refractive index matching layer
150: sensing electrode
160: first transparent oxide electrode layer
170: second transparent oxide electrode layer

Claims (14)

기재층 상에 소정의 두께의 제1 투명 산화물 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 투명 산화물 전극층 상에 제2 투명 산화물 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제2 투명 산화물 전극층을 형성하는 단계는 상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께를 120 내지 150 nm로 조절하여 적층체 전체의 투과율을 87 % 이상으로 조절하고 색도(b*)를 5 이하로 조절하는 것을 포함하며,
상기 제1 투명 산화물 전극층은 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하도록 형성되며, 상기 제2 투명 산화물 전극층은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하도록 형성되는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.
forming a first transparent oxide electrode layer having a predetermined thickness on the base layer; and
forming a second transparent oxide electrode layer on the first transparent oxide electrode layer;
In the forming of the second transparent oxide electrode layer, the thickness of the second transparent oxide electrode layer is adjusted to 120 to 150 nm to adjust the transmittance of the entire laminate to 87% or more, and to adjust the chromaticity (b*) to 5 or less. including that,
The method of claim 1, wherein the first transparent oxide electrode layer is formed to include indium zinc oxide (IZO), and the second transparent oxide electrode layer is formed to include indium tin oxide (ITO).
 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께는 120 내지 140nm 범위로 조절되며, 상기 적층체 전체의 색도(b*)는 0.9 내지 4.7 범위로 조절되는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.
The method according to claim 1, wherein the thickness of the second transparent oxide electrode layer is controlled in a range of 120 to 140 nm, and the chromaticity (b*) of the entire stack is controlled in a range of 0.9 to 4.7.
 청구항 1에 있어서, 상기 제1 투명 산화물 전극층은 10 내지 20nm 범위의 두께로 고정되는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.
The method according to claim 1, wherein the first transparent oxide electrode layer is fixed to a thickness in the range of 10 to 20 nm, the method of manufacturing a transparent electrode laminate.
 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 제1 투명 산화물 전극층을 형성하기 전에 상기 기재층 상에 굴절률 정합층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.
The method of claim 1 , further comprising forming a refractive index matching layer on the base layer before forming the first transparent oxide electrode layer.
 청구항 7에 있어서, 상기 굴절률 정합층을 형성하는 단계는 서로 굴절률이 상이한 제1 굴절률 정합층 및 제2 굴절률 정합층을 순차적으로 형성하는 것을 포함하는, 투명 전극 적층체의 제조 방법.
The method of claim 7 , wherein the forming of the refractive index matching layer comprises sequentially forming a first refractive index matching layer and a second refractive index matching layer having different refractive indices from each other.
 기재층;
상기 기재층 상에 적층된 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하는 제1 투명 산화물 전극층; 및
상기 제1 투명 산화물 전극층 상에 적층된 인듐 주석 산화물(ITO)를 포함하는 제2 투명 산화물 전극층을 포함하며,
상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께는 120 내지 150nm 이며, 적층체 전체의 투과율은 87%이상이며, 색도(b*)는 5 이하인, 투명 전극 적층체.
base layer;
a first transparent oxide electrode layer including indium zinc oxide (IZO) laminated on the base layer; and
a second transparent oxide electrode layer including indium tin oxide (ITO) laminated on the first transparent oxide electrode layer;
The thickness of the second transparent oxide electrode layer is 120 to 150 nm, the transmittance of the entire laminate is 87% or more, and the chromaticity (b*) is 5 or less, the transparent electrode laminate.
 청구항 9에 있어서, 상기 제2 투명 산화물 전극층의 두께는 120 내지 140nm 이며 상기 적층체 전체의 색도(b*)는 0.9 내지 4.7인, 투명 전극 적층체.
The transparent electrode laminate according to claim 9, wherein the thickness of the second transparent oxide electrode layer is 120 to 140 nm and the chromaticity (b*) of the entire laminate is 0.9 to 4.7.
 청구항 9에 있어서, 상기 제1 투명 산화물 전극층의 두께는 10 내지 20nm인, 투명 전극 적층체.
The method according to claim 9, The thickness of the first transparent oxide electrode layer is 10 to 20nm, the transparent electrode laminate.
 청구항 9에 있어서, 상기 기재층 및 상기 제1 투명 산화물 전극층 사이에 형성된 굴절률 정합층을 더 포함하는, 투명 전극 적층체.
The transparent electrode laminate according to claim 9, further comprising a refractive index matching layer formed between the base layer and the first transparent oxide electrode layer.
 청구항 12에 있어서, 상기 굴절률 정합층은 상기 기재층으로부터 순차적으로 적층된 제1 굴절률 정합층 및 제2 굴절률 정합층을 포함하며, 상기 제1 굴절률 정합층은 상기 제2 굴절률 정합층보다 큰 굴절률을 갖는, 투명 전극 적층체.
The method according to claim 12, wherein the refractive index matching layer comprises a first refractive index matching layer and a second refractive index matching layer sequentially stacked from the base layer, the first refractive index matching layer has a refractive index greater than that of the second refractive index matching layer having, a transparent electrode laminate.
 청구항 9 내지 13 중 어느 한 항의 투명 전극 적층체를 포함하는, 터치 센서.A touch sensor comprising the transparent electrode laminate of any one of claims 9 to 13.
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