KR102429979B1 - Substrate processing apparatus capable of controlling process temperature - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시 예에 의한 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 구비되며 외부로부터 반입된 기판 또는 외부로 반출될 기판을 일시적으로 지지하는 기판 지지부; 상기 반응 공간 내의 하부에 구비되며 상부에 배치되는 기판을 가열하는 히터; 상기 히터 하부에 구비되며 모터 구동에 따라 상기 히터를 기판 로딩 위치와 공정 위치로 승강시키기 위한 히터 구동부; 상기 히터의 상면 및 측면 일부를 커버하도록 상기 히터 상에 장착되며 상면에 상기 기판이 안착되는 기판 안착부를 포함하는 서셉터; 상기 히터를 두께 방향으로 관통하여 하단이 돌출되도록 상기 히터 내에 삽입되며 지지부재 플레이트의 승강 구동에 따라 상기 서셉터의 하면을 지지하여 상기 히터로부터 상기 서셉터를 이격시키는 적어도 하나 이상의 지지부재; 상기 히터의 하부에 배치되고 상기 지지부재를 상승 및 하강시키는 승강 장치; 및 상기 히터와 상기 서셉터 간의 간격을 조절하여 상기 기판의 가열 온도가 조절되도록 상기 히터 구동부 또는 상기 승강 장치를 구동시키는 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber having a reaction space; a substrate support unit provided in the process chamber and temporarily supporting a substrate brought in from the outside or a substrate to be taken out; a heater provided at a lower portion in the reaction space and heating a substrate disposed thereon; a heater driving unit provided under the heater and configured to elevate the heater to a substrate loading position and a process position according to driving of a motor; a susceptor mounted on the heater to cover a portion of an upper surface and a side surface of the heater and including a substrate receiving part on which the substrate is seated; at least one support member inserted into the heater so that the lower end protrudes through the heater in the thickness direction, and supports the lower surface of the susceptor according to the lifting and lowering driving of the support member plate to separate the susceptor from the heater; a lifting device disposed under the heater and raising and lowering the support member; and a control unit configured to drive the heater driving unit or the lifting device so that the heating temperature of the substrate is adjusted by adjusting the interval between the heater and the susceptor.

Description

공정 온도 조절이 가능한 기판 처리 장치{Substrate processing apparatus capable of controlling process temperature}Substrate processing apparatus capable of controlling process temperature

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 공정 온도 조절이 가능한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of controlling a process temperature.

반도체 소자를 제조하는 공정은 기판 상에 박막을 형성하는 증착 공정, 박막을 패터닝하기 위한 식각 공정 등을 포함한다. 증착 공정은 크게 물리기상증착(physical vapor deposition, PVD) 공정, 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD) 공정 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 화학기상증착(CVD) 공정은 챔버, 기판을 지지하는 서셉터, 기판을 가열하기 위해 서셉터 내부에 배치된 히터 및 기판 상에 공정 가스를 분사하는 가스 분사기를 포함하는 기판 처리 장치에서 수행된다.A process for manufacturing a semiconductor device includes a deposition process for forming a thin film on a substrate, an etching process for patterning the thin film, and the like. The deposition process may largely include a physical vapor deposition (PVD) process, a chemical vapor deposition (CVD) process, and the like. For example, a chemical vapor deposition (CVD) process is performed in a substrate processing apparatus including a chamber, a susceptor for supporting a substrate, a heater disposed inside the susceptor to heat the substrate, and a gas injector for spraying a process gas onto the substrate. do.

챔버 내에서 공정이 수행되는 동안 히터는 기판을 설정된 온도로 가열한다. 이와 같이 기판을 가열하기 위한 온도를 공정 온도라 하며, 일반적으로 단일 챔버 내에서는 기 설정된 공정 온도를 변경하는 것이 용이하지 않다. 즉, 단일 챔버 내에서 다양한 공정 온도로 공정을 수행하기 위해 공정 온도를 변경할 때마다 원하는 공정 온도에 도달하도록 조절하는데 많은 시간이 소요됨에 따라, 생산성이 감소하는 문제가 있다.During the process in the chamber, the heater heats the substrate to a set temperature. As such, the temperature for heating the substrate is referred to as a process temperature, and in general, it is not easy to change the preset process temperature in a single chamber. That is, since it takes a lot of time to adjust the process temperature to reach a desired process temperature whenever the process temperature is changed to perform a process at various process temperatures in a single chamber, there is a problem in that productivity is reduced.

본 발명의 실시 예는 단일 챔버 내에서 공정 온도 조절이 용이한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.An embodiment of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that facilitates process temperature control in a single chamber.

본 발명의 실시 예에 의한 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 반응 공간을 갖는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 구비되며 외부로부터 반입된 기판 또는 외부로 반출될 기판을 일시적으로 지지하는 기판 지지부; 상기 반응 공간 내의 하부에 구비되며 상부에 배치되는 기판을 가열하는 히터; 상기 히터 하부에 구비되며 모터 구동에 따라 상기 히터를 기판 로딩 위치와 공정 위치로 승강시키기 위한 히터 구동부; 상기 히터의 상면 및 측면 일부를 커버하도록 상기 히터 상에 장착되며 상면에 상기 기판이 안착되는 기판 안착부를 포함하는 서셉터; 상기 히터를 두께 방향으로 관통하여 하단이 돌출되도록 상기 히터 내에 삽입되며 지지부재 플레이트의 승강 구동에 따라 상기 서셉터의 하면을 지지하여 상기 히터로부터 상기 서셉터를 이격시키는 적어도 하나 이상의 지지부재; 상기 히터의 하부에 배치되고 상기 지지부재를 상승 및 하강시키는 승강 장치; 및 상기 히터와 상기 서셉터 간의 간격을 조절하여 상기 기판의 가열 온도가 조절되도록 상기 히터 구동부 또는 상기 승강 장치를 구동시키는 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber having a reaction space having a reaction space; a substrate support unit provided in the process chamber and temporarily supporting a substrate brought in from the outside or a substrate to be taken out; a heater provided at a lower portion in the reaction space and heating a substrate disposed thereon; a heater driving unit provided under the heater and configured to elevate the heater to a substrate loading position and a process position according to driving of a motor; a susceptor mounted on the heater to cover a portion of an upper surface and a side surface of the heater and including a substrate receiving part on which the substrate is seated; at least one support member inserted into the heater so that the lower end protrudes through the heater in the thickness direction, and supports the lower surface of the susceptor according to the lifting and lowering driving of the support member plate to separate the susceptor from the heater; a lifting device disposed under the heater and raising and lowering the support member; and a control unit configured to drive the heater driving unit or the lifting device so that the heating temperature of the substrate is adjusted by adjusting the interval between the heater and the susceptor.

본 실시 예에 따르면, 단일 챔버 내에서 공정 온도 조절이 용이하여 다양한 공정 온도 별 챔버를 개별적으로 구비하지 않아도 되므로, 비용 절감의 효과가 있다.According to this embodiment, since it is easy to control the process temperature in a single chamber, there is no need to separately provide chambers for various process temperatures, thereby reducing costs.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 공정 개시 전 기판을 상승시키기 위해 히터 및 서셉터를 상승시키는 예를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 승강 장치를 상승시키는 예를 도시한 도면이다.
도 4a는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 공정 온도 조절을 위해 히터를 하강시키는 예를 도시한 도면이다.
도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 공정 온도 조절을 위해 승강 장치를 상승시키는 예를 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of raising a heater and a susceptor to raise a substrate before starting a process in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view illustrating an example of raising the lifting device in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
4A is a diagram illustrating an example of lowering a heater for process temperature control in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4B is a diagram illustrating an example of raising the elevating device for process temperature control in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 기술의 실시 예를 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present technology will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment may include a process chamber 100 .

공정 챔버(100)는 소정의 반응 공간을 마련하고, 이를 기밀하게 유지시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 공정 챔버(100)는 평면부, 평면부로부터 상향 연장된 측벽부, 및 측벽부 상에 위치하는 덮개부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 평면부와 덮개부는 원형 또는 원형 이외의 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 공정 챔버(100)는 평면부, 측벽부 및 덮개부에 의해 폐쇄된 반응 공간을 가질 수 있다.The process chamber 100 may be configured to provide a predetermined reaction space and keep it airtight. For example, the process chamber 100 may include a flat portion, a sidewall portion extending upwardly from the flat portion, and a cover portion positioned on the sidewall portion. For example, the flat part and the cover part may be manufactured in a circular shape or in various shapes other than the circular shape. The process chamber 100 may have a reaction space closed by a planar part, a side wall part, and a cover part.

공정 챔버(100)의 측벽부의 내측에는 공정 챔버(100) 내부로 투입되는 기판(S)을 지지하기 위한 기판 지지부(200)가 구비될 수 있다. 기판(S)은 웨이퍼일 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 기판 지지부(220)는 공정 챔버(100)의 측벽부 내측 상에 결합 및 고정된 에지링 지지부(210) 및 에지링 지지부(210) 상에 분리 가능하도록 거치된 에지링(220)을 포함할 수 있다. 도 1에 도시하지는 않았으나, 에지링 지지부(210)와 에지링(220)은 각각 중공부를 갖는 링 형상일 수 있다. 예를 들어, 에지링 지지부(210)의 중공부의 지름은 에지링(220)의 중공부의 지름보다 클 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.A substrate support 200 for supporting the substrate S input into the process chamber 100 may be provided inside the sidewall of the process chamber 100 . The substrate S may be a wafer, but is not particularly limited thereto. The substrate support 220 may include an edge ring support 210 coupled and fixed on the inner side of the sidewall of the process chamber 100 and an edge ring 220 detachably mounted on the edge ring support 210 . have. Although not shown in FIG. 1 , the edge ring support 210 and the edge ring 220 may each have a ring shape having a hollow portion. For example, the diameter of the hollow portion of the edge ring support 210 may be larger than the diameter of the hollow portion of the edge ring 220, but is not particularly limited thereto.

에지링 지지부(210)는 공정 챔버(100)의 측벽부의 내측으로부터 공정 챔버(100)의 중심부를 향하여 연장하는 제1 부분, 제1 부분으로부터 공정 챔버(100)의 평면부를 향하여 연장하는 제2 부분 및 제2 부분으로부터 공정 챔버(100)의 중심부를 향하고 제1 부분에 평행하도록 연장하는 제3 부분을 포함할 수 있다. 에지링(220)은 에지링 지지부(210)의 제3 부분 상에 거치될 수 있다.The edge ring support 210 includes a first portion extending from the inner side of the sidewall of the process chamber 100 toward the center of the process chamber 100 , and a second portion extending from the first portion toward the flat portion of the process chamber 100 . and a third portion extending from the second portion toward the center of the process chamber 100 and parallel to the first portion. The edge ring 220 may be mounted on the third portion of the edge ring support 210 .

에지링(220)은 외부로부터 반입된 기판(S) 또는 외부로 반출된 기판(S)을 일시적으로 지지할 수 있다. 에지링(220)은 서셉터(300)의 가장자리 상에 안착되어 히터(400)의 상승에 따라 에지링 지지부(210)로부터 분리되어 상승하고, 히터(400)의 하강에 따라 하강하여 에지링 지지부(210)의 제3 부분 상에 거치될 수 있다.The edge ring 220 may temporarily support the substrate S brought in from the outside or the substrate S carried out to the outside. The edge ring 220 is seated on the edge of the susceptor 300 and is separated from the edge ring support 210 according to the rise of the heater 400 and rises, and descends according to the descent of the heater 400 to support the edge ring. may be mounted on the third portion of 210 .

에지링(220)은 에지링 지지부(210) 상에 안착되는 거치부 및 상기 거치부로부터 절곡되어 에지링(220)의 중심부 방향으로 연장되어 기판(S)을 지지하는 돌출부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 에지링(220)의 거치부는 링 형상일 수 있고, 돌출부는 거치부의 하부에 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.The edge ring 220 may include a mounting portion seated on the edge ring support portion 210 and a protrusion bent from the mounting portion to extend toward the center of the edge ring 220 to support the substrate S. For example, the mounting portion of the edge ring 220 may have a ring shape, and at least one protrusion may be formed under the mounting portion.

서셉터(300)는 히터(400)의 상면 및 측면 일부를 커버하도록 가장자리가 절곡된 형태를 가질 수 있다. 서셉터(300)의 상면은 기판(S)이 안착되는 기판 안착부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 안착부의 크기는 서셉터(300)의 상면 크기보다 작을 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 서셉터(300)의 상면 가장자리에는 에지링(220)의 돌출부가 삽입되는 삽입 홈(310)이 적어도 하나 이상 형성될 수 있다. 서셉터(300)의 삽입 홈(310)의 깊이는 에지링(220)의 돌출부의 두께보다 클 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. The susceptor 300 may have a shape in which an edge is bent so as to cover a portion of the upper surface and the side surface of the heater 400 . The upper surface of the susceptor 300 may include a substrate seating portion on which the substrate S is mounted. For example, the size of the substrate seating portion may be smaller than the size of the top surface of the susceptor 300 , but is not particularly limited thereto. At least one insertion groove 310 into which the protrusion of the edge ring 220 is inserted may be formed in the upper edge of the susceptor 300 . The depth of the insertion groove 310 of the susceptor 300 may be greater than the thickness of the protrusion of the edge ring 220 , but is not particularly limited thereto.

삽입 홈(310)은 에지링(220)의 돌출부와 대응하는 위치에 대응하는 형상으로 형성될 수 있다. 에지링(220)의 돌출부가 서셉터(300)의 삽입 홈(310)에 삽입됨에 따라, 에지링(220)과 서셉터(300)가 정렬될 수 있고, 또한, 기판(S)이 서셉터(300) 상면의 기판 안착부에 안착될 수 있다.The insertion groove 310 may be formed in a shape corresponding to a position corresponding to the protrusion of the edge ring 220 . As the protrusion of the edge ring 220 is inserted into the insertion groove 310 of the susceptor 300 , the edge ring 220 and the susceptor 300 may be aligned, and also, the substrate S is the susceptor (300) may be seated on the substrate seating portion of the upper surface.

히터(400)는 외부로부터 인가된 전원에 의해 열을 발생시킬 수 있다. 히터(400)가 발생시킨 열에 의해 기판(S)이 가열될 수 있다. 히터(400)는 서셉터(300)가 장착되고 내부에 가열부재(도시하지 않음)가 구비된 히터 몸체부(410), 히터 몸체부(410)를 지지하는 히터 샤프트(420) 및 샤프트(420)에 연결되어 히터(400)를 승강시키도록 구동하는 히터 구동부(430)를 포함할 수 있다.The heater 400 may generate heat by externally applied power. The substrate S may be heated by the heat generated by the heater 400 . The heater 400 includes a heater body 410 having a susceptor 300 mounted therein and a heating member (not shown) provided therein, a heater shaft 420 and a shaft 420 supporting the heater body 410 . ) and may include a heater driving unit 430 for driving the heater 400 up and down.

히터 몸체부(410)의 상면 및 측면 일부는 서셉터(300)에 의해 덮일 수 있다. 히터 샤프트(420)는 히터 몸체부(410)의 중심부에 결합될 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 히터 몸체부(410)와 히터 샤프트(420)는 일체형 또는 결합형일 수 있다. 히터 구동부(430)는 모터를 포함하며, 모터 구동에 따라 히터(400)를 기판 로딩 위치 및 공정 위치로 이동시키기 위해 승강시킬 수 있다.A portion of the upper and side surfaces of the heater body 410 may be covered by the susceptor 300 . The heater shaft 420 may be coupled to the central portion of the heater body 410 , but is not particularly limited thereto. The heater body 410 and the heater shaft 420 may be integral or combined. The heater driving unit 430 includes a motor, and may be moved up and down to move the heater 400 to a substrate loading position and a process position according to the motor driving.

히터 몸체부(410)는 두께 방향으로 관통하도록 형성된 적어도 하나 이상의 삽입 홀(415)을 포함할 수 있다. 삽입 홀(415)은 히터 몸체부(410)의 상면으로부터 하면 방향으로 직경이 감소하는 테이퍼진 형상을 갖는 제1 부분(411) 및 제1 부분(411)의 단부로부터 일정한 직경을 갖고 히터 몸체부(410)의 하면으로 연장하는 제2 부분(413)을 포함할 수 있다.The heater body 410 may include at least one insertion hole 415 formed to penetrate in the thickness direction. The insertion hole 415 is a first portion 411 having a tapered shape in which the diameter decreases from the upper surface to the lower surface of the heater body 410 and has a constant diameter from the end of the first portion 411 and the heater body portion It may include a second portion 413 extending to the lower surface of the 410 .

히터 몸체부(410)의 삽입 홀(415)에는 승강하는 서셉터(300)를 지지하기 위한 지지부재(500)가 삽입될 수 있다. 지지부재(500)는 삽입 홀(415)에 대응하는 형상으로 형성될 수 있으며, 삽입 홀(415)을 따라 상하로 이동 가능하다. 지지부재(500)의 길이는 히터 몸체부(410)의 두께보다 클 수 있다. 이에 따라, 지지부재(500)의 일부는 히터 몸체부(410)의 하면 상으로 돌출될 수 있다.A support member 500 for supporting the elevating susceptor 300 may be inserted into the insertion hole 415 of the heater body 410 . The support member 500 may be formed in a shape corresponding to the insertion hole 415 and is movable up and down along the insertion hole 415 . The length of the support member 500 may be greater than the thickness of the heater body 410 . Accordingly, a portion of the support member 500 may protrude onto the lower surface of the heater body 410 .

히터 몸체부(410)의 내부에는 외부로부터 공급된 가스를 히터 몸체부(410)의 상면과 서셉터(300) 사이로 공급하기 위한 유로(450)이 구비될 수 있다. 여기에서, 가스는 아르곤(Ar) 및 질소(N2) 등을 포함하는 불활성 가스를 포함할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 히터 샤프트(420)에는 유로(450)와 연통하는 가스 공급 라인(460)이 구비될 수 있다. 히터 몸체부(410)의 상면과 서셉터(300) 사이로 가스를 공급함으로써, 증착 공정이 수행되는 동안 히터 몸체부(410)와 서셉터(300) 사이에 반응 부산물 등이 증착되는 것을 방지할 수 있다.A flow path 450 for supplying gas supplied from the outside between the upper surface of the heater body 410 and the susceptor 300 may be provided inside the heater body 410 . Here, the gas may include an inert gas including argon (Ar) and nitrogen (N2), but is not particularly limited thereto. In addition, the heater shaft 420 may be provided with a gas supply line 460 communicating with the flow path 450 . By supplying gas between the upper surface of the heater body 410 and the susceptor 300 , it is possible to prevent deposition of reaction byproducts between the heater body 410 and the susceptor 300 during the deposition process. have.

히터 몸체부(410)의 하부에는 지지부재(500)를 승강시키기 위한 승강 장치(600)가 구비될 수 있다.An elevating device 600 for elevating the support member 500 may be provided at a lower portion of the heater body 410 .

승강 장치(600)는 히터 샤프트(420)가 삽입되는 중공부를 갖는 지지부재 플레이트(610), 지지부재 플레이트(610)에 결합된 승강 샤프트(620) 및 지지부재 플레이트(610)를 승강시키기 위해 승강 샤프트(620)에 결합된 승강 구동부(630)를 포함할 수 있다. The lifting device 600 elevates the support member plate 610 having a hollow portion into which the heater shaft 420 is inserted, the lifting shaft 620 coupled to the support member plate 610, and the support member plate 610 to elevate. It may include a lift driving unit 630 coupled to the shaft 620 .

승강 구동부(630)에 의해 지지부재 플레이트(610)가 상승하면, 지지부재(500)는 히터 몸체부(410)의 삽입 홀(415) 상으로 돌출되고, 히터 몸체부(410)의 삽입 홀(415) 상으로 돌출되는 지지부재(500)가 서셉터(300)를 밀어올림으로써, 서셉터(300)와 히터 몸체부(410)의 상면 간의 거리(또는 간격)가 증가할 수 있다. 반대로, 승강 구동부(630)에 의해 지지부재 플레이트(610)가 하강하면, 지지부재(500)는 히터 몸체부(410)의 삽입 홀(415)을 따라 하강하고, 지지부재(500)에 의해 지지되는 서셉터(300)가 지지부재(500)의 하강에 따라 내려오면서 서셉터(300)와 히터 몸체부(410)의 상면 간의 거리(또는 간격)가 감소할 수 있다.When the support member plate 610 rises by the lifting driving unit 630, the support member 500 protrudes onto the insertion hole 415 of the heater body 410, and the insertion hole of the heater body 410 ( 415 ) As the support member 500 protrudes upward pushes the susceptor 300 , the distance (or spacing) between the susceptor 300 and the upper surface of the heater body 410 may increase. Conversely, when the support member plate 610 is lowered by the elevating driving unit 630 , the support member 500 descends along the insertion hole 415 of the heater body 410 , and is supported by the support member 500 . The distance (or spacing) between the susceptor 300 and the upper surface of the heater body 410 may decrease as the susceptor 300 descends as the support member 500 descends.

또한, 서셉터(300)와 지지부재 플레이트(610)에 의해 지지부재(500)가 고정된 상태에서, 히터 구동부(430)에 의해 히터(400)가 하강하면 지지부재(500)가 히터 몸체부(410)의 삽입 홀(415) 상으로 돌출하면서 서셉터(300)와 히터 몸체부(410)의 상면 간의 거리가 증가하고, 히터(400)가 상승하면 히터 몸체부(410)의 삽입 홀(415) 상으로 돌출된 지지부재(500)가 삽입 홀(415) 내로 삽입되면서 서셉터(300)와 히터 몸체부(410)의 상면 간의 거리가 감소할 수 있다.In addition, in a state in which the support member 500 is fixed by the susceptor 300 and the support member plate 610 , when the heater 400 is lowered by the heater driving unit 430 , the support member 500 is moved to the heater body portion. The distance between the susceptor 300 and the upper surface of the heater body 410 increases while protruding onto the insertion hole 415 of the 410, and when the heater 400 rises, the insertion hole of the heater body 410 ( 415 ) As the support member 500 protruding upward is inserted into the insertion hole 415 , the distance between the susceptor 300 and the upper surface of the heater body 410 may decrease.

이와 같이, 본 실시 예에서는 히터 몸체부(410)에 삽입된 지지부재(500) 및 승강 장치(600)를 이용하여 히터 몸체부(410)의 상면과 서셉터(300) 간의 거리를 증가시키거나 감소시킴으로써, 히터 몸체부(410)로부터 서셉터(300) 상에 안착된 기판(S)으로 전달되는 열을 감소시키거나 증가시킬 수 있다. 일반적으로, 공정이 진행되는 동안 기판(S)을 가열하는 온도를 ‘공정 온도’라 하며, 상술한 바와 같이, 히터(400)와 서셉터(300) 간의 거리를 조절을 통해 히터(400)로부터 서셉터(400) 상의 기판(S)으로 열이 전달되는 정도를 조절함으로써, 기판(S)의 가열 온도 즉, 공정 온도를 용이하게 조절할 수 있다.As such, in this embodiment, the distance between the upper surface of the heater body 410 and the susceptor 300 is increased by using the support member 500 and the lifting device 600 inserted into the heater body 410 or By reducing, it is possible to reduce or increase the heat transferred from the heater body 410 to the substrate S seated on the susceptor 300 . In general, the temperature at which the substrate S is heated during the process is referred to as a 'process temperature', and as described above, the distance between the heater 400 and the susceptor 300 is controlled from the heater 400 . By controlling the degree of heat transfer to the substrate S on the susceptor 400 , the heating temperature of the substrate S, that is, the process temperature can be easily adjusted.

한편, 도 1에 도시하지는 않았으나, 본 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 공정 온도를 조절을 위한 히터(400)와 서셉터(300) 간의 간격 조절 시 히터(400) 또는 승강 장치(600)를 상승 및 하강시키기 위해 히터 구동부(430) 또는 승강 구동부(630)를 구동시키는 제어부(도시하지 않음)를 포함할 수 있다.Meanwhile, although not shown in FIG. 1 , in the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment, the heater 400 or the elevating device 600 when adjusting the interval between the heater 400 and the susceptor 300 for controlling the process temperature ) may include a controller (not shown) for driving the heater driving unit 430 or the elevating driving unit 630 to raise and lower.

제어부는 히터(400)와 히터 몸체부(410) 상에 장착된 서셉터(300)를 동시에 상승시켜 기판 로딩 위치 및 공정 위치로 이동시키기 위해 히터 구동부(430)를 구동시킬 수 있다. 또한, 히터(400) 및 서셉터(300)가 공정 위치에 도달하면, 제어부는 승강 장치(600)의 지지부재 플레이트(610)가 지지부재(500)의 하단에 접하도록 승강 구동부(630)를 구동시킬 수 있다. 또한, 지지부재 플레이트(610)가 지지부재(500)의 하단에 접하면, 제어부는 공정 위치에서 서셉터(300) 상에 안착된 기판(S)의 가열 온도를 조절하기 위해 히터(400)와 서셉터(300) 사이의 거리를 조절하도록 히터 구동부(430)를 구동시키거나 또는 승강 구동부(630)를 구동시킬 수 있다.The controller may drive the heater driver 430 to simultaneously raise the heater 400 and the susceptor 300 mounted on the heater body 410 to move them to a substrate loading position and a process position. In addition, when the heater 400 and the susceptor 300 reach the process position, the control unit moves the elevating driving unit 630 so that the supporting member plate 610 of the elevating device 600 is in contact with the lower end of the supporting member 500 . can be driven In addition, when the support member plate 610 is in contact with the lower end of the support member 500 , the control unit includes the heater 400 and the The heater driving unit 430 may be driven or the lifting driving unit 630 may be driven to adjust the distance between the susceptors 300 .

공정 챔버(100)의 상부에는 기판 지지부(200)와 대향하는 위치에 배치된 가스 분사기(700)가 마련될 수 있다. 가스 분사기(700)는 공정 챔버(100)의 하측으로, 즉, 기판 지지부(210)의 상면을 향하여 공정 가스를 분사하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 가스 분사기(700)는 샤워헤드 형태, 노즐 형태 등과 같이 다양한 형태를 가질 수 있다. 가스 분사기(700)는 기판 지지부(220)와 대응하는 크기 및 대응하는 형상을 가질 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.A gas injector 700 disposed at a position facing the substrate support 200 may be provided at an upper portion of the process chamber 100 . The gas injector 700 may be configured to inject the process gas toward the lower side of the process chamber 100 , that is, toward the upper surface of the substrate support 210 . For example, the gas injector 700 may have various shapes such as a showerhead shape, a nozzle shape, and the like. The gas injector 700 may have a size and a shape corresponding to that of the substrate support unit 220 , but is not particularly limited thereto.

가스 분사기(700)의 상부에는 가스 공급관(800)이 연결될 수 있다. 가스 공급관(800)은 공정 챔버(100)의 덮개부에 형성 또는 결합될 수 있다. 가스 분사기(700)로부터 공급되는 공정 가스(예를 들어, 원료 가스, 퍼지 가스, 및 식각 가스 등) 및 공정 수행에 따른 반응 부산물 등은 공정 챔버(100)에 형성된 배출부(도시하지 않음)을 통해 외부로 배출될 수 있다.A gas supply pipe 800 may be connected to an upper portion of the gas injector 700 . The gas supply pipe 800 may be formed or coupled to the cover part of the process chamber 100 . The process gas (eg, raw material gas, purge gas, and etching gas, etc.) supplied from the gas injector 700 and the reaction by-products according to the process are discharged through a discharge part (not shown) formed in the process chamber 100 . can be discharged to the outside.

공정 챔버(100)의 평면부에는 공정 챔버(100)의 내부를 대기압 상태에서 진공 상태로 또는 진공 상태에서 대기압 상태로 전환하기 위한 진공 펌프(150)에 연결된 배기구(110)가 형성될 수 있다. 배기구(110)는 배기관(120)을 통해 진공 펌프(150)와 연결될 수 있다.An exhaust port 110 connected to the vacuum pump 150 for converting the interior of the process chamber 100 from an atmospheric pressure state to a vacuum state or from a vacuum state to an atmospheric pressure state may be formed in the planar portion of the process chamber 100 . The exhaust port 110 may be connected to the vacuum pump 150 through the exhaust pipe 120 .

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)에서 공정 개시 전 기판을 상승시키기 위해 히터(400) 및 서셉터(300)를 상승시키는 예를 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)에서 승강 장치(600)를 상승시키는 예를 도시한 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating an example of raising the heater 400 and the susceptor 300 to raise the substrate before starting the process in the substrate processing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention, and FIG. 3 is the present invention. It is a diagram illustrating an example of lifting the lifting device 600 in the substrate processing apparatus 10 according to the embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 공정 챔버(100) 내로 반입된 기판(S)이 기판 지지부(200)의 에지링(220)에 안착되면, 제어부(도시하지 않음)는 서셉터(300) 상에 기판(S)을 안착시키기 위해 히터 구동부(430)를 구동시켜 히터(400)와 서셉터(300)를 동시에 상승시킨다. 히터(400)와 서셉터(300)는 기판 로딩 위치 즉, 에지링(220)이 위치하는 높이까지 동시 상승한 후 에지링(220)의 돌출부가 서셉터(300)의 삽입 홈(310)에 삽입됨에 따라 서셉터(300)의 상면에 기판(S)이 안착되면, 공정 위치까지 동시 상승할 수 있다. 이때, 공정 위치는 기 설정된 공정 갭(process gap)에 대응하는 위치일 수 있다.1 and 2 , when the substrate S loaded into the process chamber 100 is seated on the edge ring 220 of the substrate support unit 200 , the controller (not shown) controls the susceptor 300 on the The heater 400 and the susceptor 300 are simultaneously raised by driving the heater driving unit 430 to seat the substrate S on the substrate S. The heater 400 and the susceptor 300 simultaneously rise to the substrate loading position, that is, to the height at which the edge ring 220 is located, and then the protrusion of the edge ring 220 is inserted into the insertion groove 310 of the susceptor 300 . Accordingly, when the substrate S is seated on the upper surface of the susceptor 300, it can simultaneously rise to the process position. In this case, the process location may be a location corresponding to a preset process gap.

히터(400) 및 서셉터(300)가 공정 위치에 도달하면, 공정(예컨대, 증착 공정)이 개시될 수 있다. 공정이 진행되는 동안 히터(400)는 기판(S)을 기 설정된 온도로 가열하기 위한 열을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 히터(400)는 기 설정된 하나의 공정 온도에 해당하는 열을 발생시킬 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 도 2에 도시한 바와 같이, 히터(400)와 서셉터(300)가 근접한 상태에서는 히터(400)에서 발생된 열의 대부분이 서셉터(300) 상의 기판(S)으로 전달됨에 따라, 기판(S)은 고온으로 가열될 수 있다.When the heater 400 and the susceptor 300 reach the process position, a process (eg, a deposition process) may be initiated. During the process, the heater 400 may generate heat for heating the substrate S to a preset temperature. For example, the heater 400 may generate heat corresponding to one preset process temperature, but is not particularly limited thereto. As shown in FIG. 2 , in a state where the heater 400 and the susceptor 300 are in close proximity, most of the heat generated by the heater 400 is transferred to the substrate S on the susceptor 300 , the substrate S ) can be heated to high temperatures.

한편, 도 2에는 도시하지 않았으나, 공정이 진행되는 동안 유로(450)를 통해 히터 몸체부(410)와 서셉터(300) 사이로 가스(즉, 불활성 가스)가 공급될 수 있다.Meanwhile, although not shown in FIG. 2 , a gas (ie, an inert gas) may be supplied between the heater body 410 and the susceptor 300 through the flow path 450 during the process.

이때, 공정 온도 조절이 요구되는 상황(예컨대, 저온 공정이 요구되는 상황)이 발생하면, 도 3에 도시한 바와 같이, 제어부(도시하지 않음)는 우선 승강 구동부(630)를 구동시켜 지지부재 플레이트(610)를 지지부재(500)의 하단에 접할 때까지 상승시킨다. 지지부재 플레이트(610)의 상승이 완료되면, 지지부재(500)의 상단 및 하단은 각각 서셉터(300)의 하면 및 지지부재 플레이트(610)의 상면에 접하여 고정될 수 있다.At this time, when a situation requiring process temperature control (eg, a situation requiring a low temperature process) occurs, as shown in FIG. 3 , the control unit (not shown) first drives the lift driving unit 630 to drive the support member plate. The 610 is raised until it comes into contact with the lower end of the support member 500 . When the lifting of the support member plate 610 is completed, the upper and lower ends of the support member 500 may be fixed in contact with the lower surface of the susceptor 300 and the upper surface of the support member plate 610 , respectively.

본 실시 예에서는 지지부재(500)가 고정된 상태에서 히터(400)를 승강시키거나 또는 지지부재 플레이트(610)을 승강시켜 히터(400)와 서셉터(300) 간의 간격을 조절함으로써 공정 온도를 조절할 수 있다.In this embodiment, the process temperature is adjusted by adjusting the interval between the heater 400 and the susceptor 300 by elevating the heater 400 or elevating the support member plate 610 while the support member 500 is fixed. can be adjusted

도 4a는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)에서 공정 온도 조절을 위해 히터(400)를 하강시키는 예를 도시한 도면이고, 도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)에서 공정 온도 조절을 위해 승강 장치(600)를 상승시키는 예를 도시한 도면이다.4A is a diagram illustrating an example of lowering the heater 400 for process temperature control in the substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a substrate processing apparatus ( 10) is a diagram illustrating an example of raising the elevating device 600 for process temperature control.

도 1 및 도 4a를 참조하면, 지지부재(500)가 서셉터(300)와 지지부재 플레이트(610)에 의해 고정된 상태에서 제어부(도시하지 않음)가 히터 구동부(430)를 구동시켜 히터(400)를 하강시키면, 서셉터(300)는 지지부재(500)로 인해 히터(400)와 함께 하강할 수 없으므로 히터(400)의 상면과 서셉터(300) 간의 거리(또는 간격)가 증가하여 갭(G1)이 형성될 수 있다. 히터(400)의 상면과 서셉터(300) 간의 거리(또는 간격)가 증가하는 것은 곧, 히터(400)와 서셉터(300) 상의 기판(S) 간의 거리(또는 간격)가 증가하는 것이므로 히터(400)로부터 기판(S)으로 전달되는 열은 감소할 것이다. 이에 따라, 공정 온도가 감소할 수 있다.1 and 4A, in a state in which the support member 500 is fixed by the susceptor 300 and the support member plate 610, the controller (not shown) drives the heater driver 430 to drive the heater ( When the 400) is lowered, the susceptor 300 cannot descend together with the heater 400 due to the support member 500, so the distance (or spacing) between the upper surface of the heater 400 and the susceptor 300 increases. A gap G1 may be formed. As the distance (or spacing) between the upper surface of the heater 400 and the susceptor 300 increases, the distance (or spacing) between the heater 400 and the substrate S on the susceptor 300 increases. The heat transferred from 400 to the substrate S will decrease. Accordingly, the process temperature may be reduced.

도 4a에서 갭(G2)는 공정 갭(process gap)으로, 히터(400)와 서셉터(300)를 당초 설정된 공정 갭(G2)에 해당하는 위치까지 상승시킨 후 히터(400)만을 하강시킴에 따라, 공정 갭(G2)은 변하지 않으며 당초 설정된 상태를 유지할 수 있다. 공정 갭은 가스 분사기(700)와 기판(S) 간의 거리를 의미할 수 있다.In FIG. 4a, the gap G2 is a process gap, and after raising the heater 400 and the susceptor 300 to a position corresponding to the initially set process gap G2, only the heater 400 is lowered. Accordingly, the process gap G2 does not change and may maintain an initially set state. The process gap may mean a distance between the gas injector 700 and the substrate S.

도 1 및 도 4b를 참조하면, 지지부재(500)가 서셉터(300)와 지지부재 플레이트(610)에 의해 고정된 상태에서 제어부(도시하지 않음)가 승강 구동부(630)를 구동시켜 지지부재 플레이트(610)를 상승시키면, 히터(400)는 해당 위치(즉, 도 3의 공정 위치)에 고정된 상태에서 삽입 홀(415) 상으로 돌출하는 지지부재(500)에 의해 서셉터(300)가 히터(400)로부터 멀어지는 방향으로 상승하므로 히터(400)의 상면과 서셉터(300) 간의 거리가 증가하여 갭(G1′)이 형성될 수 있다.1 and 4B, in a state in which the support member 500 is fixed by the susceptor 300 and the support member plate 610, the control unit (not shown) drives the lift driving unit 630 to drive the support member When the plate 610 is raised, the heater 400 is fixed to the corresponding position (ie, the process position in FIG. 3 ) and the susceptor 300 by the support member 500 protrudes onto the insertion hole 415 . As the beam rises in a direction away from the heater 400 , the distance between the upper surface of the heater 400 and the susceptor 300 may increase to form a gap G1 ′.

도 4a와는 달리 도 4b에서는 서셉터(300)가 상승함에 따라 서셉터(300) 상의 기판(S)과 가스 분사기(700) 간의 거리가 감소하므로, 공정 갭(G2′)이 변할 수 있다.Unlike FIG. 4A , in FIG. 4B , since the distance between the substrate S on the susceptor 300 and the gas injector 700 decreases as the susceptor 300 rises, the process gap G2 ′ may change.

이와 같이, 본 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 히터 몸체부(410) 상에 분리 가능하도록 장착된 서셉터(300), 히터 몸체부(410)를 관통하며 서셉터(300)를 지지하는 지지부재(500) 및 지지부재(500)를 승강시키는 승강 장치(600)를 구비하고, 지지부재(500)를 서셉터(300)와 승강 장치(600)의 지지부재 플레이트(610)를 이용하여 고정시킨 상태에서 히터(400)를 상승 및 하강시키거나 또는 지지부재 플레이트(610)를 상승 및 하강시켜 서셉터(300)와 히터(400) 상면 사이의 간격을 조절할 수 있다. 이와 같이, 필요에 따라 기판(S)이 안착된 서셉터(300)와 히터(400) 간의 간격을 증가시키거나 감소시켜 기판(S)으로 열이 전달되는 정도를 조절함으로써, 하나의 공정 챔버(100) 내에서의 공정 온도 조절을 용이하게 수행할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment passes through the susceptor 300 detachably mounted on the heater body 410 and the heater body 410 to support the susceptor 300 . and a lifting device 600 for elevating the support member 500 and the support member 500 using the susceptor 300 and the support member plate 610 of the lifting device 600 for the support member 500 . In the fixed state, the distance between the susceptor 300 and the upper surface of the heater 400 may be adjusted by raising and lowering the heater 400 or raising and lowering the support member plate 610 . As such, by adjusting the degree of heat transfer to the substrate S by increasing or decreasing the interval between the susceptor 300 and the heater 400 on which the substrate S is seated as needed, one process chamber ( 100) can be easily performed within the process temperature control.

또한, 공정이 진행되는 동안 히터(400)와 서셉터(300) 사이로 불활성 가스를 공급함에 따라, 히터(400)와 서셉터(300) 사이에 갭이 발생하여도 히터(400)와 서셉터(300) 사이에 반응 부산물 등이 증착되는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 히터(400)와 서셉터(400) 사이로 공급되는 불활성 가스는 히터(400)에서 발생된 열을 서셉터(400) 상에 안착된 기판(S)으로 균일하게 전달하기 위한 열 전달 매개체 역할을 할 수 있다.In addition, as the inert gas is supplied between the heater 400 and the susceptor 300 during the process, even if a gap occurs between the heater 400 and the susceptor 300, the heater 400 and the susceptor ( 300), it is possible to prevent the problem of deposition of reaction by-products and the like. In addition, the inert gas supplied between the heater 400 and the susceptor 400 serves as a heat transfer medium for uniformly transferring the heat generated from the heater 400 to the substrate S seated on the susceptor 400 . can do.

이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As such, those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential characteristics thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.

10: 기판 처리 장치 100: 공정 챔버
200: 기판 지지부 300: 서셉터
400: 히터 500: 지지부재
600: 승강장치 700: 가스 분사기
800: 가스 공급관10: substrate processing apparatus 100: process chamber
200: substrate support 300: susceptor
400: heater 500: support member
600: lifting device 700: gas injector
800: gas supply pipe

Claims (8)

반응 공간을 갖는 공정 챔버;
상기 공정 챔버에 구비되며 외부로부터 반입된 기판 또는 외부로 반출될 기판을 일시적으로 지지하는 기판 지지부;
상기 반응 공간 내의 하부에 구비되며 상부에 배치되는 기판을 가열하는 히터;
상기 히터 하부에 구비되며 모터 구동에 따라 상기 히터를 기판 로딩 위치와 공정 위치로 승강시키기 위한 히터 구동부;
상기 히터의 상면 및 측면 일부를 커버하도록 상기 히터 상에 장착되며 상면에 상기 기판이 안착되는 기판 안착부를 포함하는 서셉터;
상기 히터를 두께 방향으로 관통하여 하단이 돌출되도록 상기 히터 내에 삽입되며 지지부재 플레이트의 승강 구동에 따라 상기 서셉터의 하면을 지지하여 상기 히터로부터 상기 서셉터를 이격시키는 적어도 하나 이상의 지지부재;
상기 히터의 하부에 배치되고 상기 지지부재를 상승 및 하강시키는 승강 장치; 및
상기 히터와 상기 서셉터 간의 간격을 조절하여 상기 기판의 가열 온도가 조절되도록 상기 히터 구동부 또는 상기 승강 장치를 구동시키는 제어부
를 포함하는 기판 처리 장치.a process chamber having a reaction space;
a substrate support unit provided in the process chamber and temporarily supporting a substrate brought in from the outside or a substrate to be taken out;
a heater provided at a lower portion in the reaction space and heating a substrate disposed thereon;
a heater driving unit provided under the heater and configured to elevate the heater to a substrate loading position and a process position according to driving of a motor;
a susceptor mounted on the heater to cover a portion of an upper surface and a side surface of the heater and including a substrate receiving part on which the substrate is seated;
at least one support member inserted into the heater so that the lower end protrudes through the heater in the thickness direction, and supports the lower surface of the susceptor according to the lifting and lowering driving of the support member plate to separate the susceptor from the heater;
a lifting device disposed under the heater and raising and lowering the support member; and
A control unit for driving the heater driving unit or the lifting device so that the heating temperature of the substrate is adjusted by adjusting the interval between the heater and the susceptor
A substrate processing apparatus comprising a. 제1항에 있어서,
상기 기판 지지부는,
상기 공정 챔버의 측벽부의 내측 상에 결합 및 고정된 에지링 지지부; 및
상기 에지링 지지부 상에 분리 가능하도록 거치되고 상기 서셉터의 가장자리 상에 안착되어 상기 히터의 상승에 따라 상기 에지링 지지부로부터 분리되어 상승하고 상기 히터의 하강에 따라 상기 에지링 지지부 상에 거치되는 에지링
을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The substrate support unit,
an edge ring support coupled and fixed on the inner side of the side wall of the process chamber; and
Edge mounted detachably on the edge ring support and seated on the edge of the susceptor, separated from the edge ring support as the heater rises, rises, and is mounted on the edge ring support as the heater descends ring
A substrate processing apparatus comprising a. 제2항에 있어서,
상기 에지링은 내측면으로부터 중심부 방향으로 연장 형성되어 상기 기판의 가장자리를 지지하는 복수의 돌출부를 포함하며,
상기 서셉터는 상기 서셉터의 가장자리에 상기 에지링의 상기 복수의 돌출부에 대응하는 위치에 상기 복수의 돌출부가 삽입되도록 형성된 복수의 삽입 홈을 포함하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The edge ring includes a plurality of protrusions extending from the inner surface toward the center to support the edge of the substrate,
The susceptor includes a plurality of insertion grooves formed at an edge of the susceptor to insert the plurality of protrusions into positions corresponding to the plurality of protrusions of the edge ring. 제1항에 있어서,
상기 히터는,
상기 서셉터가 안착되며 내부에 구비된 가열부재를 통해 상기 기판을 가열하는 히터 몸체부와,
상기 히터 몸체부를 지지하며 상기 히터 구동부의 구동에 따라 상기 히터 몸체부를 승강구동하는 히터 샤프트를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The heater is
a heater body on which the susceptor is seated and heating the substrate through a heating member provided therein;
and a heater shaft supporting the heater body and lifting and lowering the heater body according to the driving of the heater driving unit. 제4항에 있어서,
상기 히터는, 상기 히터 몸체부를 두께 방향으로 관통하도록 형성된 적어도 하나 이상의 삽입 홀을 포함하며,
상기 지지부재는 상기 삽입 홀 내에 삽입되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The heater includes at least one insertion hole formed to penetrate through the heater body in a thickness direction,
The support member is inserted into the insertion hole substrate processing apparatus. 제5항에 있어서,
상기 적어도 하나 이상의 삽입 홀은,
상기 히터 몸체부의 상기 상면으로부터 하면 방향으로 직경이 감소하는 테이퍼진 형상을 갖는 제1 부분; 및
상기 제1 부분의 단부로부터 일정한 직경을 갖고 상기 히터 몸체부의 상기 하면 방향으로 연장하는 제2 부분을 포함하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The at least one or more insertion holes,
a first portion having a tapered shape having a diameter decreasing in a direction from the upper surface to the lower surface of the heater body; and
and a second portion having a constant diameter from an end of the first portion and extending in the direction of the lower surface of the heater body. 제4항에 있어서,
상기 승강 장치는,
상기 히터 샤프트가 삽입되는 중공부를 갖고 상기 히터 하면으로 돌출된 상기 지지부재들의 단부를 지지하는 상기 지지부재 플레이트와,
상기 지지부재 플레이트의 하면에 연결된 승강 샤프트; 및
상기 승강 샤프트에 연결되어 상기 지지부재 플레이트를 승강시키는 승강 구동부
를 포함하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The lifting device is
the support member plate having a hollow portion into which the heater shaft is inserted and supporting ends of the support members protruding from the lower surface of the heater;
a lifting shaft connected to a lower surface of the support member plate; and
Elevating driving unit connected to the elevating shaft to elevate the support member plate
A substrate processing apparatus comprising a. 제4항에 있어서,
상기 히터 몸체부에는 상기 히터 상면과 상기 서셉터 사이의 공간으로 가스를 공급하기 위한 유로가 구비된 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
A substrate processing apparatus provided with a flow path for supplying a gas to a space between an upper surface of the heater and the susceptor in the heater body.
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