KR101139693B1 - Chemical vapor deposition device and method for controlling the temperature of susceptor in the chemical vapor deposition device - Google Patents

Chemical vapor deposition device and method for controlling the temperature of susceptor in the chemical vapor deposition device Download PDF

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Abstract

화학기상증착장치에서 서셉터 표면의 온도를 제어하는 것은 증착되는 박막의 품질과 관련하여 매우 중요하다. 서셉터 표면의 온도를 정확히 제어할 수 있는 화학기상증착장치는 챔버; 상기 챔버 내부에 회전 및 승강 가능하도록 위치하며 상면에 웨이퍼가 적재되는 서셉터; 상기 서셉터 내부에 마련되어 상기 웨이퍼를 가열하는 히터; 및 상기 히터를 상기 서셉터 내부에서 승강시켜 상기 서셉터와 상기 히터 사이의 간격을 조절하는 간격 조절장치를 포함할 수 있다. In chemical vapor deposition, controlling the temperature of the susceptor surface is very important with regard to the quality of the deposited film. Chemical vapor deposition apparatus that can accurately control the temperature of the susceptor surface is chamber; A susceptor positioned to be rotatable and liftable in the chamber, the wafer being loaded on an upper surface thereof; A heater provided inside the susceptor to heat the wafer; And a gap adjusting device for elevating the heater in the susceptor to adjust a gap between the susceptor and the heater.

Description

화학기상증착장치 및 화학기상증착장치에 포함된 서셉터의 온도제어방법{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE TEMPERATURE OF SUSCEPTOR IN THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE}TECHNICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE TEMPERATURE OF SUSCEPTOR IN THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE}

본 발명은 화학기상증착장치 및 화학기상증착장치에 포함된 서셉터의 온도제어방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서셉터 하부에 설치된 히터와 서셉터 하면 간의 간격을 조절할 수 있는 간격 조절장치를 포함하는 화학기상증착장치 및 상기 화학기상증착장치에 포함된 서셉터의 온도제어방법에 대한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus and a temperature control method of the susceptor included in the chemical vapor deposition apparatus, and more particularly includes a gap adjusting device that can adjust the interval between the heater and the lower susceptor is installed in the lower susceptor. It relates to a chemical vapor deposition apparatus and a temperature control method of the susceptor included in the chemical vapor deposition apparatus.

화학기상증착장치(Chemical Vapor Deposition Device, 이하 CVD)는 기판의 표면에 화학 가스를 이용하여 박막(thin film)을 형성하는 장치이다. 예를 들어, CVD는 반도체 웨이퍼의 표면에 박막을 증착하기 위하여 사용된다. CVD는 외부와 밀폐된 챔버(chamber) 내부에 가스공급부를 통하여 공정가스를 공급하여 서셉터(susceptor)에 놓인 반도체 웨이퍼에 원하는 박막을 증착시키게 된다. Chemical Vapor Deposition Device (CVD) is a device for forming a thin film using a chemical gas on the surface of the substrate. For example, CVD is used to deposit thin films on the surface of semiconductor wafers. In the CVD process, a process gas is supplied through a gas supply unit to an outside and a sealed chamber to deposit a desired thin film on a semiconductor wafer placed on a susceptor.

박막의 증착에 있어서, 적절한 챔버 내부온도와 서셉터의 온도는 박막의 품질에 큰 영향을 미치므로 매우 중요하다. 특히 유기금속 화학기상장치(Metal Organic CVD, 이하 MOCVD라 약칭한다)의 경우 온도제어가 효과적으로 이루어져야 고효율의 발광소자를 얻을 수 있다. In the deposition of a thin film, the proper chamber internal temperature and the susceptor temperature are very important because they greatly affect the quality of the thin film. In particular, in the case of an organic metal chemical vapor apparatus (hereinafter referred to as MOCVD), temperature control must be effectively performed to obtain a high efficiency light emitting device.

종래기술에 의하면 서셉터의 온도 제어는 서셉터 하부에 고정된 히터에 공급되는 전류량을 조절함으로써 이루어진다. 이 때, 서셉터 하부의 히터가 고정되어 있기 때문에 서셉터의 온도를 제어하기 위해서는 상기 히터에 공급되는 전류량으로만 조절이 가능하였다. 그런데, 히터에 공급되는 전류량과 히터 발열량의 비선형성, 히터 저항값의 비선형성 등으로 인해 서셉터의 정확한 온도제어가 어려웠다. 보다 고효율 고품질의 박막을 생산하기 위해서는 서셉터의 온도를 보다 정밀히 제어 할 필요가 있다.According to the prior art, temperature control of the susceptor is achieved by adjusting the amount of current supplied to the heater fixed below the susceptor. At this time, since the heater under the susceptor is fixed, only the amount of current supplied to the heater can be adjusted to control the temperature of the susceptor. However, accurate temperature control of the susceptor has been difficult due to the nonlinearity of the amount of current supplied to the heater and the heating value of the heater, and the nonlinearity of the heater resistance value. In order to produce more efficient high quality thin films, the temperature of the susceptor needs to be more precisely controlled.

서셉터의 온도를 정확하게 제어할 수 있는 화학기상증착장치 및 이러한 장치에서 서셉터의 온도를 제어할 수 있는 방법을 제공하고자 한다.A chemical vapor deposition apparatus capable of accurately controlling the temperature of a susceptor and a method of controlling the temperature of the susceptor in such a device are provided.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 화학기상증착장치는 챔버; 상기 챔버 내부에 회전 및 승강 가능하도록 위치하며 상면에 웨이퍼가 적재되는 서셉터; 상기 서셉터 하부에 마련되어 상기 웨이퍼를 가열하는 히터; 및 상기 히터를 상기 서셉터 하부에서 승강시켜 상기 서셉터와 상기 히터 사이의 간격을 조절하는 간격 조절장치를 포함할 수 있다. Chemical vapor deposition apparatus according to an aspect of the present invention for solving the above problems chamber; A susceptor positioned to be rotatable and liftable in the chamber, the wafer being loaded on an upper surface thereof; A heater provided below the susceptor to heat the wafer; And a gap adjusting device for elevating the heater below the susceptor to adjust a gap between the susceptor and the heater.

상기 화학기상증착장치는 상기 서셉터의 상면 온도를 측정하는 서셉터 온도센서를 더 포함할 수 있다. The chemical vapor deposition apparatus may further include a susceptor temperature sensor for measuring the top surface temperature of the susceptor.

상기 간격 조절장치는 상기 히터를 승강시키는 구동부; 및 상기 구동부를 제어하는 메인 제어부를 포함할 수 있으며, 상기 메인 제어부는 상기 서셉터 온도센서와 연결되어 상기 서셉터 온도센서로부터 입력되는 서셉터 상면 온도에 따라 상기 구동부를 승강시킬 수 있다. The gap adjusting device includes a driving unit for elevating the heater; And a main control unit controlling the driving unit, wherein the main control unit is connected to the susceptor temperature sensor to elevate the driving unit according to a susceptor upper surface temperature input from the susceptor temperature sensor.

또한, 상기 챔버 내로 유입되는 공정가스는 Ⅲ족 가스 또는 Ⅴ족 가스일 수 있다.In addition, the process gas introduced into the chamber may be a group III gas or a group V gas.

본 발명의 다른 측면에 따른 화학기상증착장치의 온도제어방법은 서셉터 상면의 온도를 검출하는 단계; 상기 서셉터 상면의 온도를 피드백하는 단계; 상기 피드백된 서셉터 상면의 온도가 목표로 하는 온도와 허용오차 범위 내의 값인지 여부를 판단하는 단계; 및 상기 피드백된 서셉터 상면의 온도가 허용오차 범위를 벗어나는 경우, 상기 서셉터와 상기 히터 간격을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.The temperature control method of the chemical vapor deposition apparatus according to another aspect of the present invention comprises the steps of detecting the temperature of the upper surface of the susceptor; Feeding back a temperature of the upper surface of the susceptor; Determining whether the temperature of the feedback susceptor top surface is within a target temperature and a tolerance range; And adjusting the interval between the susceptor and the heater when the temperature of the feedback upper surface of the susceptor is outside the tolerance range.

화학기상증착장치에 포함된 서셉터의 온도를 히터에 흐르는 전류량 뿐만 아니라 서셉터와 히터 간의 간격을 조절함으로써 제어할 수 있다. 서셉터의 상면 온도를 피드백 받아 서셉터와 히터 간의 간격을 조절할 수 있으므로 공정 중에 발생하는 서셉터 상면 온도의 변화를 실시간으로 반영하여 제어할 수 있다. 그 결과, 화학기상증착장치에 포함된 서셉터의 온도를 정확하게 제어할 수 있으므로 고품질의 박막을 증착할 수 있다. The temperature of the susceptor included in the chemical vapor deposition apparatus can be controlled by adjusting the distance between the susceptor and the heater as well as the amount of current flowing through the heater. Since the distance between the susceptor and the heater can be adjusted by receiving the upper surface temperature of the susceptor, the change in the upper temperature of the susceptor generated during the process can be reflected and controlled in real time. As a result, since the temperature of the susceptor included in the chemical vapor deposition apparatus can be precisely controlled, a high quality thin film can be deposited.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 간격 조절장치를 나타낸 상세도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착장치의 온도제어방법을 나타내는 흐름도이다. 1 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a detailed view showing a spacing device according to an embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a temperature control method of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present embodiment is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various other forms, only this embodiment is to make the disclosure of the present invention complete, the scope of the invention to those skilled in the art It is provided for complete information. Shapes of the elements in the drawings may be exaggerated parts for a more clear description, elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same element.

이하의 실시예들에서 화학기상증착장치는 특별한 언급이 없으면 유기금속 화학기상장치(MOCVD)로 사용되는 경우를 예시한다. 그러나, 이는 제한이 아니며 다른 용도의 화학기상장치에도 사용될 수 있다. In the following embodiments, the chemical vapor deposition apparatus exemplifies a case where the chemical vapor deposition apparatus is used as an organometallic chemical vapor apparatus (MOCVD) unless otherwise specified. However, this is not a limitation and may be used for other chemical vapor apparatus.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착장치의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 화학기상증착장치는 챔버(10), 서셉터(20), 가스공급부(30), 서셉터 온도센서(32), 히터(40), 서셉터 구동부(50), 간격 조절장치(60)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment includes a chamber 10, a susceptor 20, a gas supply unit 30, a susceptor temperature sensor 32, a heater 40, and a susceptor. It may include a driving unit 50, the interval adjusting device (60).

챔버(10)는 원하는 공정 예를 들어, 박막증착 공정이 이루어지는 밀폐된 공간을 제공하는 프레임이다. 챔버 내부에는 서셉터가 구비된다. The chamber 10 is a frame that provides an enclosed space in which a desired process, for example a thin film deposition process, is performed. The susceptor is provided inside the chamber.

서셉터는 웨이퍼를 배치할 수 있는 구조로 구성되며, 서셉터(20)를 회전 및 승강시키도록 서셉터 구동부(50)가 연결된다. 서셉터 구동부(50)의 회전력은 벨트를 통하여 서셉터(20)의 회전축(22)으로 전달된다. 서셉터 구동부(50)에는 회전속도를 측정할 수 있도록 엔코더(미도시)가 마련될 수 있다. 서셉터(20)는 서셉터 구동부(50)에 의해 승강이 가능하므로 서셉터와 가스공급부 간의 간격(A)은 조절 가능하다. The susceptor has a structure in which a wafer can be disposed, and the susceptor driver 50 is connected to rotate and lift the susceptor 20. The rotational force of the susceptor driver 50 is transmitted to the rotation shaft 22 of the susceptor 20 through the belt. The susceptor drive unit 50 may be provided with an encoder (not shown) to measure the rotation speed. Since the susceptor 20 can be lifted and lowered by the susceptor driver 50, the distance A between the susceptor and the gas supply part is adjustable.

서셉터(20) 하부에는 서셉터(20)를 가열하는 히터(40)가 마련된다. 히터(40)는 도넛 모양으로 구성될 수 있으며, 반경을 달리하는 도넛 모양으로 다수개가 마련될 수 있다. A heater 40 for heating the susceptor 20 is provided below the susceptor 20. The heater 40 may be configured in a donut shape, and a plurality of heaters 40 may be provided in a donut shape having a different radius.

본 실시예가 유기금속 화학기상증착장치(Metal Oranic Chemical Vapor Deposition device, MOCVD)로 사용될 경우, 3족가스와 5족가스가 가스공급부(30)의 가스 공급로(31)들로부터 서셉터(20) 상면의 웨이퍼포켓(21-a, 21-b, 21-c, 21-d)에 적재되는 웨이퍼를 향하여 분사될 수 있다. When the present embodiment is used as a Metal Oranic Chemical Vapor Deposition Device (MOCVD), Group 3 and Group 5 gases are supplied from the gas supply passages 31 of the gas supply unit 30 to the susceptor 20. It can be injected toward the wafer to be loaded in the wafer pocket (21-a, 21-b, 21-c, 21-d) of the upper surface.

여기서, 3족 가스는 트리메틸갈륨(Trimethylgallium), 트리메틸인듐(trimethyl-indium), 트리메틸알루미늄(trimethylaluminium) 중에서 적어도 어느 하나 이상일 수 있다. 상기 5족 가스는 암모니아(NH3)일 수 있다. Here, the Group 3 gas may be at least one of trimethylgallium, trimethyl-indium, and trimethylaluminium. The Group 5 gas may be ammonia (NH 3).

서셉터 온도센서(32)는 서셉터(20) 상면의 온도를 감지하도록 챔버(10) 상측에 마련될 수 있다. 또는 서셉터에 적재되는 웨이퍼의 온도를 적절하게 측정할 수 있다면 서셉터의 측면이나 하면에 서셉터 온도센서(32)가 위치하여도 무방하다. 서셉터 온도센서(32)는 물체의 반사광을 이용하여 비접촉식으로 온도를 측정할 수 있는 파이로미터(pyrometer)로 구현될 수 있다. 예를 들어, 서셉터 온도센서(32)는 700㎐의 빈도로 표면온도를 측정하는 파이로미터가 사용될 수 있다. 서셉터 온도센서(32)와 서셉터(20) 사이에 가스공급부(30)가 위치하고 있는 경우, 서셉터(20) 상면의 반사광을 확보할 수 있도록 가스공급부(30) 내측에 관통구(33)가 마련될 수 있다.The susceptor temperature sensor 32 may be provided above the chamber 10 to sense the temperature of the upper surface of the susceptor 20. Alternatively, if the temperature of the wafer loaded on the susceptor can be properly measured, the susceptor temperature sensor 32 may be located on the side or the bottom of the susceptor. The susceptor temperature sensor 32 may be implemented as a pyrometer capable of measuring the temperature in a non-contact manner using the reflected light of the object. For example, the susceptor temperature sensor 32 may be a pyrometer measuring the surface temperature at a frequency of 700 Hz. When the gas supply unit 30 is positioned between the susceptor temperature sensor 32 and the susceptor 20, the through hole 33 is provided inside the gas supply unit 30 so as to secure the reflected light from the upper surface of the susceptor 20. May be provided.

서셉터 온도센서(32)는 도 1에서는 한 개가 도시되었지만, 서셉터(20)의 회전축(22)을 기준으로 반지름방향으로 복수개가 배열될 수 있다. 이에 따라 서셉터(20)의 회전축(22)으로부터의 거리에 따른 서셉터 상면의 온도분포를 파악할 수 있다.Although one susceptor temperature sensor 32 is illustrated in FIG. 1, a plurality of susceptor temperature sensors 32 may be arranged in a radial direction with respect to the rotation shaft 22 of the susceptor 20. Thereby, the temperature distribution of the upper surface of the susceptor according to the distance from the rotation axis 22 of the susceptor 20 can be grasped.

박막이 형성되어야 하는 웨이퍼는 웨이퍼포켓(21)에 적재된다. 웨이퍼포켓(21)은 서셉터(20) 상면에 복수개가 배치될 수 있다. 웨이포 포켓(21)은 서셉터의 회전축(22)을 중심으로 하는 동심원의 원주 상에 배치될 수 있다. The wafer on which the thin film is to be formed is loaded into the wafer pocket 21. A plurality of wafer pockets 21 may be disposed on an upper surface of the susceptor 20. The waypo pocket 21 may be disposed on a circumference of a concentric circle about the rotation axis 22 of the susceptor.

간격 조절장치(60)는 서셉터 하부에 위치한 히터(40)를 승강시키는 기능을 수행한다. 간격 조절장치(60)에 대해서는 좀 더 상세히 후술한다. The interval adjusting device 60 performs a function of elevating the heater 40 located below the susceptor. The gap adjusting device 60 will be described later in more detail.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 간격 조절장치를 나타낸 상세도이다. Figure 2 is a detailed view showing a spacing device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 간격 조절장치(60)는 히터 구동부(62), 메인 제어부를 포함한다. 2, the interval adjusting device 60 includes a heater driver 62 and a main controller.

히터 구동부(62)는 히터(40)와 체결구(41, 42, bar)들을 통해 연결될 수 있다. 히터 구동부(62)는 히터(40)를 승강시켜 히터(40)와 서셉터 하면간의 간격(B)를 조절할 수 있다. 히터 구동부(62)는 리니어 모터로 구현될 수 있다. 종래의 화학기상증착장치에서 서셉터 하부에 장착된 히터(40)는 일정한 위치에 고정되어 있었으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착장치에서는 히터(40)가 서셉터 하부에서 승강이 가능하다는 차이가 있다. 또한, 종래 화학기상증착장치에서는 서셉터와 히터(40)가 간격을 유지하며 같이 승강하는 구조에 그쳤지만, 본 발명에 따르면 서셉터만 승강하거나 히터(40)만 승강할 수 있다. The heater driver 62 may be connected to the heater 40 through fasteners 41, 42, and bars. The heater driver 62 may adjust the distance B between the heater 40 and the lower surface of the susceptor by raising and lowering the heater 40. The heater driver 62 may be implemented as a linear motor. In the conventional chemical vapor deposition apparatus, the heater 40 mounted below the susceptor was fixed at a predetermined position, but in the chemical vapor deposition apparatus according to the embodiment of the present invention, the heater 40 is capable of lifting up and down the susceptor. There is a difference. Further, in the conventional chemical vapor deposition apparatus, the susceptor and the heater 40 are lifted together while maintaining the interval, but according to the present invention, only the susceptor can be lifted or the heater 40 can be lifted.

히터 제어부(70)는 히터(40)에 흐르는 전류량을 조절한다. 히터 제어부(70)는 메인 제어부에서 입력되는 제어신호에 따라 상기 전류량을 조절할 수 있다. The heater controller 70 adjusts the amount of current flowing through the heater 40. The heater controller 70 may adjust the amount of current according to a control signal input from the main controller.

메인 제어부는 히터 구동부(62) 및 히터 제어부(70)를 제어하는 중앙 처리부이다. 또한, 메인 제어부(63)는 서셉터 온도센서(32)와 연결되어 서셉터 상면의 온도를 입력받을 수 있다. 메인 제어부(63)는 서셉터 상면의 온도에 따라 히터(40)를 승강시킬 수 있다. The main control unit is a central processing unit that controls the heater driving unit 62 and the heater control unit 70. In addition, the main controller 63 may be connected to the susceptor temperature sensor 32 to receive the temperature of the upper surface of the susceptor. The main controller 63 may raise and lower the heater 40 according to the temperature of the susceptor upper surface.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착장치의 온도제어방법을 나타내는 흐름도이다. 3 is a flowchart illustrating a temperature control method of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

먼저 서셉터 온도센서(32)의 측정값을 이용하여 서셉터 상면의 온도분포를 검출하는 단계(S300)가 실시될 수 있다. First, a step (S300) of detecting the temperature distribution of the upper surface of the susceptor using the measured value of the susceptor temperature sensor 32 may be performed.

서셉터 상면의 온도가 목표로 하는 목표온도와 다른 경우, 메인 제어부(63)는 히터(40)에 공급되는 전류량을 조절하여 서셉터 상면의 온도를 1차적으로 조절할 수 있다. When the temperature of the upper surface of the susceptor is different from the target temperature, the main controller 63 may adjust the temperature of the upper surface of the susceptor by adjusting the amount of current supplied to the heater 40.

메인 제어부(63)는 서셉터 하부의 히터(40) 위치를 조절한다(S310). The main controller 63 adjusts the position of the heater 40 under the susceptor (S310).

메인 제어부(63)는 서셉터의 온도를 변화시키고자 하나 히터(40)에 흐르는 전류량의 급격한 변화가 바람직하지 않은 경우, 히터 구동부(62)를 통해 히터(40)를 승강시킬 수 있다. 또한 서셉터(20)의 온도를 빠르게 조절하고자 하는 경우 히터 구동부(62)를 통해 히터(40)를 승강시킬 수 있다. 즉, 서셉터(20)와 히터(40)의 간격을 물리적으로 조절함으로써 서셉터(20)의 온도 변화 시간을 줄일 수 있다. 따라서, 공정 시간을 줄일 수 있는 장점이 있다. The main controller 63 may raise and lower the heater 40 through the heater driver 62 when a sudden change in the amount of current flowing through the heater 40 is desired, but the temperature of the susceptor is changed. In addition, when the temperature of the susceptor 20 is to be adjusted quickly, the heater 40 may be elevated by the heater driver 62. That is, the temperature change time of the susceptor 20 can be reduced by physically adjusting the distance between the susceptor 20 and the heater 40. Therefore, there is an advantage that can reduce the process time.

서셉터 온도센서(32)는 조절된 서셉터(20) 상면의 온도를 검출하여 검출한 서셉터(20) 상면의 온도를 메인 제어부(63)로 피드백한다(S320). 서셉터 온도센서(32)는 소정의 시간 간격을 두고 반복적으로 서셉터(20) 상면의 온도를 제공할 수 있다. The susceptor temperature sensor 32 detects the temperature of the adjusted upper surface of the susceptor 20 and feeds back the temperature of the detected upper surface of the susceptor 20 to the main controller 63 (S320). The susceptor temperature sensor 32 may repeatedly provide the temperature of the upper surface of the susceptor 20 at predetermined time intervals.

메인 제어부(63)는 서셉터(20) 상면의 온도가 목표온도와 허용오차 범위 내의 값인지 비교하여(S330), 허용오차 범위를 벗어나는 경우 히터(40)를 승강시킨다. 예를 들어, 목표온도보다 낮으면 서셉터(20) 하부의 히터(40)를 상승시키고, 목표온도보다 높으면 서셉터(20) 하부의 히터(40)를 하강시킬 수 있다. 반면, 피드백된 서셉터(20) 상면의 온도가 목표온도와 허용오차 범위 내의 값이면 온도제어방법은 종료된다. The main controller 63 compares whether the temperature of the upper surface of the susceptor 20 is a target temperature and a value within a tolerance range (S330), and raises and lowers the heater 40 when it is out of the tolerance range. For example, when the temperature is lower than the target temperature, the heater 40 under the susceptor 20 may be raised, and when the temperature is higher than the target temperature, the heater 40 under the susceptor 20 may be lowered. On the other hand, if the temperature of the upper surface of the susceptor 20 fed back is a value within the target temperature and the tolerance range, the temperature control method ends.

서셉터(20) 상면의 목표 온도는 사용되는 웨이퍼와 공정가스의 종류에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 사용되는 웨이퍼가 실리콘 결정으로 구성되고, 공정가스가 III 족 또는 V족 가스인 경우 서셉터(20)의 목표 온도는 1000~1200 사이에서 결정될 수 있다. The target temperature of the upper surface of the susceptor 20 may be determined according to the type of wafer and process gas used. For example, when the wafer used is composed of silicon crystals, and the process gas is a group III or group V gas, the target temperature of the susceptor 20 may be determined between 1000 and 1200.

상기 실시예에서는 히터의 위치를 조절함으로써 히터와 서셉터의 간격을 조절하는 예를 설명하였으나, 이는 제한이 아니다. 즉, 히터는 움직이지 않고 서셉터를 승강시킴으로써 서셉터와 히터의 간격을 조절하는 것도 가능하다.In the above embodiment, an example of adjusting the distance between the heater and the susceptor by adjusting the position of the heater has been described, but this is not a limitation. That is, it is also possible to adjust the distance between the susceptor and the heater by lifting the susceptor without moving the heater.

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.An embodiment of the present invention described above and illustrated in the drawings should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, such improvements and modifications will fall within the scope of the present invention as long as they are obvious to those skilled in the art.

챔버 : 10,
서셉터 : 20,
웨이퍼포켓 : 21
가스공급부 : 30,
서셉터 온도센서 : 32,
히터 : 40,
서셉터 구동부 : 50,
간격 조절장치 : 60
히터 구동부 : 62
메인 제어부 : 63
히터 제어부 : 70Chamber: 10,
Susceptor: 20,
Wafer Pocket: 21
Gas supply part: 30,
Susceptor Temperature Sensor: 32,
Heater: 40,
Susceptor drive: 50,
Spacing device: 60
Heater drive part: 62
Main control unit: 63
Heater Control Unit: 70

Claims (8)

챔버;
상기 챔버 내부에 회전 및 승강 가능하도록 위치하며 상면에 웨이퍼가 적재되는 서셉터;
상기 서셉터 하부에 마련되어 상기 웨이퍼를 가열하는 히터; 및
상기 히터를 상기 서셉터 하부에서 승강시켜 상기 서셉터와 상기 히터 사이의 간격을 조절하는 간격 조절장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.chamber;
A susceptor positioned to be rotatable and liftable in the chamber, the wafer being loaded on an upper surface thereof;
A heater provided below the susceptor to heat the wafer; And
And a spacing controller for elevating the heater below the susceptor to adjust a spacing between the susceptor and the heater. 제 1 항에 있어서, 상기 서셉터의 상면 온도를 측정하는 서셉터 온도센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.According to claim 1, Chemical vapor deposition apparatus further comprises a susceptor temperature sensor for measuring the temperature of the upper surface of the susceptor. 제 2 항에 있어서, 상기 간격 조절장치는
상기 히터를 승강시키는 구동부; 및
상기 구동부를 제어하는 메인 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치. The method of claim 2, wherein the spacing device
A driving unit for elevating the heater; And
Chemical vapor deposition apparatus comprising a main control unit for controlling the drive unit. 제 3 항에 있어서, 상기 메인 제어부는 상기 서셉터 온도센서와 연결되어 상기 서셉터 온도센서로부터 입력되는 서셉터 상면 온도에 따라 상기 구동부를 승강시키는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.4. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 3, wherein the main controller is connected to the susceptor temperature sensor to elevate the driving unit according to the susceptor upper temperature input from the susceptor temperature sensor. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버 내로 유입되는 공정가스는 Ⅲ족 가스 및 Ⅴ족 가스 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The method of claim 1,
Process gas flowing into the chamber is a chemical vapor deposition apparatus comprising at least one of a group III gas and a Group V gas. 화학기상증착장치에 포함된 서셉터의 온도제어방법에 있어서,
서셉터 상면의 온도를 검출하는 단계;
상기 서셉터 상면의 온도를 피드백하는 단계;
상기 피드백된 서셉터 상면의 온도가 목표로 하는 온도와 허용오차 범위 내의 값인지 여부를 판단하는 단계; 및
상기 피드백된 서셉터 상면의 온도가 허용오차 범위를 벗어나는 경우, 상기 서셉터와 히터 간격을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 온도제어방법.In the temperature control method of the susceptor included in the chemical vapor deposition apparatus,
Detecting a temperature of the upper surface of the susceptor;
Feeding back a temperature of the upper surface of the susceptor;
Determining whether the temperature of the feedback susceptor top surface is within a target temperature and a tolerance range; And
And adjusting the gap between the susceptor and the heater when the temperature of the feedback susceptor upper surface is outside the tolerance range. 제 6 항에 있어서, 상기 간격을 조절하는 단계는 상기 히터를 승강시킴으로써 조절하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 온도제어방법.The method of claim 6, wherein the adjusting of the interval is performed by raising and lowering the heater. 제 6 항에 있어서, 상기 간격을 조절하는 단계는 상기 서셉터를 승강시킴으로써 조절하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 온도제어방법.7. The method of claim 6, wherein the adjusting of the gap is performed by lifting the susceptor.
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