KR102426136B1 - Upper electrode processing method for etching having a curved surface and variable thickness using electrode for discharge processing - Google Patents

Upper electrode processing method for etching having a curved surface and variable thickness using electrode for discharge processing Download PDF

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Abstract

The present invention relates to an upper electrode processing method for etching having a curved surface and a variable thickness using an electrical discharge processing electrode, which allows mass production. The upper electrode processing method comprises: an electrical discharge processing electrode processing step (S100); an electrical discharge processing electrode measuring step (S200); an equipment setting step (S300); and an electrical discharge processing step (S400).

Description

방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법{Upper electrode processing method for etching having a curved surface and variable thickness using electrode for discharge processing}TECHNICAL FIELD [0002] Upper electrode processing method for etching having a curved surface and variable thickness using electrode for discharge processing

본 발명은 방전가공용 전극을 이용한 고면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 가공하려는 에칭용 상부전극(캐소드)의 하부 표면의 형상과 대응하는 방전가공용 전극을 별도의 제작하여 상기 에칭용 상부전극(캐소드)을 방전가공하여 가공정밀도 향상과 에칭용 상부전극(캐소드)의 표면조도 및 가공시간을 최소화할 수 있는 기술이다.The present invention relates to a method of processing an upper electrode for etching having a high surface and a variable thickness using an electrode for electric discharge machining, and more particularly, an electric discharge machining electrode corresponding to the shape of the lower surface of the upper electrode (cathode) for etching to be processed. It is a technology capable of improving processing precision and minimizing the surface roughness and processing time of the upper electrode (cathode) for etching by performing electric discharge machining of the upper electrode (cathode) for etching by separately manufacturing.

통상적으로 전극은 캐소드 또는 일렉트로드라고도 불리며, 반도체 식각장치의 챔버에 장착되어 플라즈마 가스를 분사할 때 사용되는 구성품이다.In general, an electrode, also called a cathode or an electrode, is a component used when a plasma gas is sprayed by being mounted in a chamber of a semiconductor etching apparatus.

이러한 전극은 대체적으로 황삭 또는 정삭가공을 방식을 적용하여 제조하기 마련인데, 상기한 종래의 가공방식으로는 가공시간이 많이 소요되는 한편, 가공하는 표면의 상태가 고르지 못하는 등의 문제점으로 인해 최종 완성되는 제품의 불량률이 매우 높은 문제점이 있다.These electrodes are generally manufactured by applying roughing or finishing processing, but the conventional processing method takes a lot of processing time, and on the other hand, the final completion due to problems such as unevenness of the surface to be processed There is a problem that the defective rate of the product is very high.

이에 근래에는, 이러한 종래의 문제점을 보완코자, 전극을 제조하기 위하여, 그 전에 동재질의 방전가공용 전극을 구성한 후, 그 방전가공용 전극을 이용한 전극을 제조하는 방법이 제시되어 있다.In recent years, in order to compensate for these conventional problems, in order to manufacture an electrode, a method of manufacturing an electrode using the electrode for electric discharge machining after constructing an electrode for electric discharge machining of a copper material before that has been proposed.

등록번호 10-1124902호(특) 방전가공을 위해 소요되는 전극을 제조하는 방법으로서, 전기도금조에 도금재료를 넣고 상기 전기도금조 상단에 구멍이 형성된 마스크를 설치하여 상기 마스크 상부에 베이스전극을 위치시켜서 상기 도금재료와 베이스전극을 전기적으로 연결하여 상기 마스크의 구멍을 통해 전해액이 넘쳐흐르도록 함으로써 상기 베이스전극에 마스크의 구멍과 동일한 형상의 전극이 성장되도록 하는 방전가공용 전극의 제조방법이 개시되어 있다.Registration No. 10-1124902 (Special) As a method of manufacturing an electrode required for electric discharge machining, a plating material is put into an electroplating bath, a mask with a hole is installed at the top of the electroplating bath, and a base electrode is placed on the mask Disclosed is a method of manufacturing an electrode for electric discharge machining in which an electrode having the same shape as the hole in the mask is grown on the base electrode by electrically connecting the plating material and the base electrode to overflow the electrolyte through the hole in the mask. .

상기한 종래 기술은 방전가공을 위해 소요되는 전극을 제조하는 방법으로, 방전가공용 전극을 제조하여, 그 전극을 방전가공기에 장착하여서 전극을 제조하는 것을 중심적으로 기재하고 있다.The above-described prior art is a method of manufacturing an electrode required for electric discharge machining, and mainly describes manufacturing an electrode for electric discharge machining, and mounting the electrode on an electric discharge machine to manufacture the electrode.

그러나, 이러한 기술은 방전가공기에 특정된 사안으로, 상기 방전가공 전극을 장착하기 위한 큰 장비가 필요하고, 그 장비 또한 구조가 매우 복잡한 문제점을 갖고 있다.However, this technique is specific to an electric discharge machine, and a large equipment for mounting the electric discharge machining electrode is required, and the equipment also has a very complicated structure.

등록번호 10-0540992호(특) 반도체 집적회로를 제조할 때 웨이퍼를 에칭하기 위해 사용하는 전극을 제조함에 있어서, 저면에 소정의 면적을 갖는 평판형의 전극분사 판이 형성되고, 그 전극분사 판의 가장자리에는 소정 높이의 지지 링이 상기 전극분사 판과 일체가 되게 성형된 전극 성형 몰드에 실리콘카바이드(SiC) 분말을 공급하는 단계; 상기 몰드에 공급된 분말을 프레스기를 이용하여 프레스 하는 단계; 프레스 된 성형 체를 2000∼2500℃ 가열하는 단계; 상기 가열 완료된 성형 체의 저면에 0.5∼1mm인 직경의 가스분사 공을 천공하는 단계를 포함하는 웨이퍼 에칭용 상부전극 제조방법에 관한 기술이다.Registration No. 10-0540992 (Special) In manufacturing an electrode used to etch a wafer when manufacturing a semiconductor integrated circuit, a plate-type electrode injection plate having a predetermined area is formed on the bottom surface of the electrode injection plate supplying a silicon carbide (SiC) powder to an electrode molding mold in which a support ring of a predetermined height is integrally formed with the electrode injection plate at the edge; pressing the powder supplied to the mold using a press machine; heating the pressed molded body to 2000-2500°C; It is a technology related to a method for manufacturing an upper electrode for wafer etching, which includes drilling a gas injection hole having a diameter of 0.5 to 1 mm in the bottom surface of the heated molded body.

상기한 종래 기술은 일반적으로 에칭용 상부전극을 제조하는 방법으로써, 방전가공방식이 아닌, 통상의 전극을 제조하는 방법을 설명하고 있고, 이러한 종래의 방식은 전면의 하부 부분의 표면을 가공함에 있어 동일한 형태의 표면과 균일한 표면조도를 얻기가 매우 어려운 문제점이 있고, 가공시간이 많이 소요될 수밖에 없는 문제점이 있다. The prior art described above is a method of manufacturing an upper electrode for etching in general, and describes a method of manufacturing a conventional electrode, not an electric discharge method, and this conventional method is used in processing the surface of the lower part of the front surface. There is a problem in that it is very difficult to obtain a surface of the same shape and a uniform surface roughness, and there is a problem in that it takes a lot of processing time.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출해낸 것으로, 에칭용 상부전극을 제조할 시, 방전가공용 전극을 별도로 제작한 후, 상기 방전가공용 전극을 이용하여 방전가공을 통해 에칭용 상부전극의 표면조도와 표면의 형태를 동일하게 형성할 수 있어 가공정밀도를 향상시킬 수 있도록 함과 아울러, 가공시간을 단축시킬 수 있도록 하는 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법을 제공함에 주안점을 두고 그 기술적 과제로 완성해낸 것이다.The present invention has been devised to solve the problems of the prior art, and when manufacturing the upper electrode for etching, the electrode for electric discharge machining is separately manufactured, and then the upper electrode for etching is performed through electric discharge using the electrode for electric discharge machining. Processing of the upper electrode for etching with a curved surface and variable thickness using an electrode for electric discharge machining that can form the same surface roughness and shape of the surface to improve processing precision and shorten processing time It was completed as a technical task with an emphasis on providing a method.

이에 본 발명은, MCT 가공장비에 Tool을 장착한 후, 동 소재의 표면에 Ra0.8이하 조도 값이 나오도록 방전가공용 전극(30)을 가공하되, 일측면이 가공하려는 에칭용 상부전극(60)의 하부표면과 동일하게 가공하는 방전가공용 전극 가공단계(S100); 상기 방전가공용 전극(30)을 가공 후, 구비된 3차원 접촉식 측정기와 조도 측정기로 가공된 상기 방전가공용 전극(30)의 치수 및 가공 면에 대한 조도 값을 각각 측정하여 측정값을 확인하는 방전가공용 전극 측정단계(S200); 방전가공기의 축(10)에 구성된 지그(20)와 상기 지그(20)와 마주하게 배치된 턴테이블(50)에 측정된 상기 방전가공용 전극(30)과 가공물(40)을 각각 배치시키고, 방전가공기의 축(10) 일측에 인디게이터를 장착한 후, 가공물(40)과의 밸런스를 잡은 다음 인디게이터를 분리시키며, 볼 측정기를 스핀들에 장착 하여 X, Y좌표를 설정한 후, 상기 지그(20)에 방전가공용 전극(30)을 장착하는 장비 셋팅단계(S300); 상기 방전가공용 전극(30)으로 인가되는 전류의 가공 암페어를 조정 후 가공물(40)을 황삭으로 12시간 가공하고 정삭으로 4시간 가공하여 일측면이 균일한 표면조도값을 갖는 에칭용 상부전극(60)을 가공하는 방전 가공단계(S400);를 포함하여 이루어지는 것을 기술적 특징으로 한다.Therefore, in the present invention, after mounting the tool on the MCT processing equipment, the electrode 30 for electric discharge machining is processed so that the roughness value of Ra0.8 or less appears on the surface of the copper material, but one side of the upper electrode for etching to be processed (60) ) electrode processing step (S100) for processing the same as the lower surface of the electrical discharge machining; After processing the electric discharge machining electrode 30, the three-dimensional contact type measuring instrument and the electric discharge machining electrode 30 processed by the provided electric discharge machining electrode 30 and the roughness value for the processing surface are measured respectively to confirm the measured value Measuring electrode for processing (S200); The electric discharge machining electrode 30 and the workpiece 40 measured on the jig 20 configured on the shaft 10 of the electric discharge machine and the turntable 50 arranged to face the jig 20 are respectively arranged, and the electric discharge machine After mounting an indicator on one side of the axis 10 of Equipment setting step of mounting the electrode 30 for electric discharge machining (S300); After adjusting the processing ampere of the current applied to the electric discharge machining electrode 30, the workpiece 40 is processed for 12 hours by roughing and 4 hours by finishing, so that one side of the upper electrode for etching has a uniform surface roughness value (60) ) electrical discharge machining step (S400) of machining; characterized in that it is made to include.

상기 방전 가공단계(S400)에서, 상기 암페어를 150~170으로 하여 상기 가공물(40)을 12시간 1차황삭가공(S410) 후, 상기 암페어를 80~120으로 하여 황삭가공된 가공물(40)을 4시간 2차정삭가공(S420) 하는 것을 기술적 특징으로 한다.In the electric discharge machining step (S400), after primary roughing (S410) of the workpiece 40 for 12 hours using the ampere of 150 to 170, the workpiece 40 roughing with the ampere of 80 to 120 It is a technical feature to perform secondary finishing processing (S420) for 4 hours.

상기 에칭용 상부전극(60)을 가공하기 전의 가공물(40)은 전류가 흐를 수 있는 소재로 형성되고, 0.1Ω이하의 저항을 가지는 것을 기술적 특징으로 한다.The workpiece 40 before processing the upper electrode 60 for etching is formed of a material through which a current can flow, and has a resistance of 0.1 Ω or less.

상기 방전 가공단계(S400) 후, 가공이 완료된 에칭용 상부전극(60)을 세정과정(S510)과 다음, 건조과정(S520)을 거친 후 가공 치수를 확인하는 가공치수확인단계(S500)를 더 포함하는 것을 기술적 특징으로 한다.After the electric discharge machining step (S400), a machining dimension checking step (S500) of confirming the machining dimensions after the cleaning process (S510) and the drying process (S520) of the etching upper electrode 60 on which the machining is completed is further performed It is a technical feature to include.

상기 세정과정(S510)은, 초음파를 이용하여 에칭용 상부전극(60)의 표면에 이물질이나 먼지, 기름을 제거하되, 온도 40℃이상 유지하여 세정하는 것을 기술적 특징으로 한다.The cleaning process (S510) is characterized in that the cleaning process is performed by removing foreign substances, dust, and oil from the surface of the upper electrode 60 for etching using ultrasonic waves, but maintaining a temperature of 40° C. or higher.

상기 건조과정(S520)은, 에칭용 상부전극을 30℃에서 3시간동안 건조하는 1차건조단계(S521)와, 상기 1차건조된 에칭용 상부전극을 37℃에서 2시간을 열풍 건조한 후, 40℃에서 4시간, 45℃에서 5시간, 55℃에서 5~6시간 순으로 순차적으로 건조하는 2차건조단계(S523)를 포함하는 것을 기술적 특징으로 한다.The drying process (S520) includes a primary drying step (S521) of drying the upper electrode for etching at 30°C for 3 hours, and hot air drying the first-dried upper electrode for etching at 37°C for 2 hours, It is technically characterized to include a secondary drying step (S523) of sequentially drying at 40° C. for 4 hours, at 45° C. for 5 hours, and at 55° C. for 5 to 6 hours.

상기 가공물은, 단결정 잉곳(Ingot)을 절단하여 원형의 판으로 형성하는 제1단계(S41)와, 상기 원형으로 형성된 판의 상, 하부면을 평탄화하는 제2단계(S43)와, 상기 평탄화된 원형의 판에 플라즈마 가스 통과되는 가스 홀을 가공하는 제3단계(S45)와, 가스 홀을 형성한 가공물을 세척하는 제4단계(S47)를 거쳐 제조되는 것을 기술적 특징으로 한다.The workpiece includes a first step (S41) of cutting a single crystal ingot to form a circular plate, a second step (S43) of flattening the upper and lower surfaces of the circular plate, and the planarized A third step (S45) of machining a gas hole through which the plasma gas passes through a circular plate and a fourth step (S47) of cleaning the workpiece having the gas hole are technically characterized in that it is manufactured.

상기 제3단계(S45)는, 방전가공기에 구비된 방전가공을 위한 드릴을 이용하여 상기 드릴에 전원을 인가하여 가스홀을 드릴링하여 방전가공하되, 상기 전원은 1차적으로 드릴링한 후, 2차적으로 가스홀의 내주면에 표면조도를 균일화시키는 것을 기술적 특징으로 한다.In the third step (S45), electric discharge machining is performed by drilling a gas hole by applying power to the drill using a drill for electric discharge machining provided in the electric discharge machine. It has a technical feature to equalize the surface roughness on the inner circumferential surface of the gas hole.

상기 제4단계(S47)는, 유압 또는 공압을 이용하여 미세홀로 투입시켜 1차적으로 세척한 후, 연마재로 알루미나 분말을 함께 투입시킨 다음 유압 또는 공압을 이용하여 미세홀로 투입시켜 2차적으로 세척하며, 2차적으로 세척된 상기 가공물을 구비된 로에 투입시켜 3차적으로 초음파를 가해 세척하는 것을 기술적 특징으로 한다.In the fourth step (S47), it is first washed by putting it into the micro-holes using hydraulic pressure or pneumatic pressure, then alumina powder is put together as an abrasive, and then it is secondarily cleaned by putting it into the micro-holes using hydraulic pressure or pneumatic pressure. , It is a technical feature to put the secondly washed workpiece into a furnace, and thirdly wash by applying ultrasonic waves.

본 발명의 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법에 의하면, 에칭용 상부전극을 제조하는 본연의 목적을 그대로 유지함과 동시에, MCT가공장비에 장착되는 툴을 이용하여 가공하지 않고, 별도의 방전가공용 전극을 구성한 후, 상기 방전가공용 전극을 이용하여 에칭용 상부전극을 황삭, 정삭의 방전가공을 진행하게 되어, 가공시간을 단축시킴으로 대량생산이 가능한 한편, 정밀가공이 통해 최종적으로 완성되는 에칭용 상부전극의 표면조도값이 균일하게 형성할 수 있는 유용한 발명이다.According to the method for processing the upper electrode for etching having a curved surface and a variable thickness using the electrode for electric discharge machining of the present invention, the original purpose of manufacturing the upper electrode for etching is maintained as it is, and at the same time, using a tool mounted on the MCT processing equipment. After constructing a separate electrode for electric discharge machining without machining, electric discharge machining of roughing and finishing of the upper electrode for etching is performed using the electrode for electric discharge machining. This is a useful invention that can uniformly form the surface roughness value of the upper electrode for etching that is finally completed through the process.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 순서도
도 2는 본 발명의 방전가공단계를 나타내는 도면
도 3은 본 발명의 가공치수확인단계를 나타내는 도면
도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 계략도
도 5는 본 발명의 가공물에 대한 바람직한 실시 예를 나타내는 순서도1 is a flowchart showing a preferred embodiment of the present invention;
2 is a view showing the electric discharge machining step of the present invention;
3 is a view showing the machining dimension confirmation step of the present invention
4 is a schematic diagram showing a preferred embodiment of the present invention;
5 is a flowchart showing a preferred embodiment of the workpiece of the present invention;

본 발명은 가공하려는 에칭용 상부전극(캐소드)의 하부 표면의 형상과 대응하는 방전가공용 전극을 별도의 제작하여 상기 에칭용 상부전극(캐소드)을 방전가공하여 가공정밀도 향상과 에칭용 상부전극(캐소드)의 표면조도 및 가공시간을 최소화할 수 있는 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법을 제공한다.The present invention separately manufactures an electric discharge machining electrode corresponding to the shape of the lower surface of the upper electrode (cathode) for etching to be processed, and performs electric discharge machining of the upper electrode (cathode) for etching to improve processing precision and to improve processing precision and upper electrode (cathode) for etching. ) provides a method for processing an upper electrode for etching having a curved surface and a variable thickness using an electrode for electric discharge machining that can minimize the surface roughness and processing time.

이하, 첨부되는 도면과 관련하여 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 구성 및 작용에 대하여 도 1 내지 도 5를 참고로 하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the preferred configuration and operation of the present invention for achieving the above object will be described with reference to FIGS. 1 to 5 with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 도 1에 도시된 바와 같이, 방전가공용 전극 가공단계(S100), 방전가공용 전극 측정단계(S200), 장비셋팅단계(S300), 방전가공단계(S400), 가공치수확인단계(S500)를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 1, the present invention is an electric discharge machining electrode processing step (S100), an electric discharge machining electrode measuring step (S200), equipment setting step (S300), an electric discharge machining step (S400), machining dimension confirmation step (S500) is made including

여기서, 본 발명을 수행하기에 앞서, 구비 또는 사용되는 장비들은 통상적으로 해당분야에서 사용되는 축(10)을 갖는 MCT장비 및 방전가공기, 상기 축(10)에 선택적으로 결합되는 툴, 상기 축에 형상 및 치수 측정을 위해 선택적으로 탈, 부착되는 3차원 접촉식 측정기 및 조도 측정기, 에칭용 상부전극(60)을 가공하기 위한 소재인공물(10)을 고정시켜 회전시키는 턴테이블(50)을 사용하게 된다.Here, prior to carrying out the present invention, the equipment provided or used is typically an MCT equipment and an electric discharge machine having a shaft 10 used in the field, a tool selectively coupled to the shaft 10, and the shaft A three-dimensional contact type measuring instrument and roughness measuring instrument that is selectively removed and attached for shape and dimension measurement, and a turntable 50 for fixing and rotating the material artifact 10 for processing the upper electrode 60 for etching is used. .

한편, 상기 축(10)에 결합되는 지그는 방전가공용 전극(30)의 치수 및 크기에 따라 그 크기 및 치수가 가변될 수가 있다. Meanwhile, the size and dimensions of the jig coupled to the shaft 10 may vary according to the size and size of the electric discharge machining electrode 30 .

먼저, 상기 방전가공용 전극 가공단계(S100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 통상적으로 MCT 가공장비에 Tool을 장착한 후, 동 소재의 표면에 Ra0.8이하 조도 값이 나오도록 방전가공용 전극(30)을 가공하되, 일측면이 가공하려는 에칭용 상부전극(60)의 하부표면과 동일하게 가공하는 단계이다.First, in the electrode processing step (S100) for electric discharge machining, as shown in FIG. 1, after mounting a tool in the MCT machining equipment, the electrode for electric discharge machining is usually performed so that the roughness value of Ra 0.8 or less appears on the surface of the copper material. It is a step of processing (30), but one side is the same as the lower surface of the upper electrode 60 for etching to be processed.

이때, 상기 방전가공용 전극(30)의 가공은 황삭, 정삭 방식을 모두 적용하여 가공할 수가 있다.At this time, the processing of the electrode 30 for electric discharge machining can be processed by applying both roughing and finishing methods.

또한, 상기 방전가공용 전극 가공단계(S100)에서 가공되는 방전가공용 전극(30)의 하부는 최종적으로 가공하려는 에치용 전극(60)의 하부 형상과 동일하게 형성하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the lower portion of the electrode for electric discharge machining (30) processed in the electrode processing step (S100) for electric discharge machining is the same as the lower shape of the electrode for etching (60) to be finally processed.

상기 방전가공용 전극 측정단계(S200)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 방전가공용 전극(30)을 가공 후, 구비된 3차원 접촉식 측정기와 조도 측정기로 가공된 상기 방전가공용 전극(30)의 치수 및 가공 면에 대한 조도 값을 각각 측정하여 측정값을 확인하는 단계이다.In the electric discharge machining electrode measuring step (S200), as shown in FIG. 1, after machining the electric discharge machining electrode 30, the electric discharge machining electrode 30 is machined with a three-dimensional contact type measuring instrument and an illuminance measuring instrument. It is a step to confirm the measured value by measuring the roughness value of the dimension and the processing surface, respectively.

상기 단계의 경우 방전가공용 전극(30)을 이용하여 방전가공으로 에칭용 상부전극(60)을 가공함에 따라, 에칭용 상부전극(60)을 방전가공 시, 가공하려는 정확한 치수 및 표면조도와 같은 가공정밀성을 높일 수 있도록 하기 위한 매우 중요한 단계이다.In the above step, as the upper electrode 60 for etching is processed by electric discharge machining using the electrode 30 for electric discharge machining, when the upper electrode 60 for etching is electric discharge machining, processing such as exact dimensions and surface roughness to be processed This is a very important step in order to increase the precision.

여기서, 사용되는 3차원 접촉식 측정기와 조도 측정기의 경우 통상적으로 해당 분야에서 사용되는 장비들을 사용하여 측정한다.Here, in the case of a three-dimensional contact type measuring instrument and an illuminance measuring instrument used, measurements are usually made using equipment used in the relevant field.

상기 장비셋팅단계(S300)는 도 4에 도시된 바와 같이, 방전가공기의 축(10)에 구성된 지그(20)와 상기 지그(20)와 마주하게 배치된 턴테이블(50)에 측정된 상기 방전가공용 전극(30)과 가공물(40)을 각각 배치시키고, 방전가공기의 축(10) 일측에 인디게이터를 장착한 후, 가공물(40)과의 밸런스를 잡은 다음 인디게이터를 분리시키며, 볼 측정기를 장비축에 장착 하여 X, Y좌표를 설정한 후, 상기 지그(20)에 방전가공용 전극(30)을 장착하는 단계이다.The equipment setting step (S300), as shown in FIG. 4, is for the electric discharge machining measured on the jig 20 configured on the shaft 10 of the electric discharge machine and the turntable 50 arranged to face the jig 20 After disposing the electrode 30 and the workpiece 40, respectively, mounting an indicator on one side of the shaft 10 of the electric discharge machine, balancing it with the workpiece 40, separating the indicator, and placing the ball measuring device on the equipment shaft It is a step of mounting the electrode 30 for electric discharge machining on the jig 20 after setting the X and Y coordinates.

본 발명에서는 상기 인디게이터, 볼 측정기의 경우 통상적으로 해당 분야에서 사용되는 구성으로 별도로 도시하진 않았다.In the present invention, in the case of the indicator and the ball measuring device, it is not separately shown as a configuration typically used in the relevant field.

여기서, 상기 가공물(40)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 단결정 잉곳(Ingot)을 절단하여 원형의 판으로 형성하는 제1단계(S41)와, 상기 원형으로 형성된 판의 상, 하부면을 평탄화하는 제2단계(S43)와, 상기 평탄화된 원형의 판에 플라즈마 가스 통과되는 가스 홀을 가공하는 제3단계(S45)와, 가스 홀을 형성한 가공물을 세척하는 제4단계(S47)를 거쳐 제조된 것으로 사용한다.Here, as shown in FIG. 5 , the workpiece 40 includes a first step (S41) of cutting a single crystal ingot to form a circular plate, and upper and lower surfaces of the circular plate. A second step (S43) of planarization, a third step (S45) of machining a gas hole through which plasma gas passes through the flattened circular plate (S45), and a fourth step (S47) of cleaning the workpiece having the gas hole formed therein It is used after being manufactured.

즉, 상기 가공물(40)을 턴테이블(50)에 고정시켜, 방전가공 단계(S400)를 수행하기 전, 플라즈마 가스가 이동하는 가스 홀을 가공하고, 상기 가스 홀이 가공한 상태에서 방전가공 단계(S400)를 수행하게 된다.That is, by fixing the workpiece 40 to the turntable 50, before performing the electric discharge machining step (S400), the gas hole through which the plasma gas moves is machined, and the electric discharge machining step ( S400) is performed.

한편, 상기 제3단계(S45)는, 방전가공기에 구비된 방전가공을 위한 드릴을 이용하여 상기 드릴에 전원을 인가하여 가스홀을 드릴링하여 방전가공하되, 상기 전원은 1차적으로 드릴링한 후, 2차적으로 가스홀의 내주면에 표면조도를 균일화시키도록 한다.On the other hand, in the third step (S45), electric discharge machining by drilling a gas hole by applying power to the drill using a drill for electric discharge machining provided in the electric discharge machine, but the electric power is primarily drilled, Second, make the surface roughness uniform on the inner circumferential surface of the gas hole.

상기 제4단계(S47)는, 유압 또는 공압을 이용하여 미세홀로 투입시켜 1차적으로 세척한 후, 연마재로 알루미나 분말을 함께 투입시킨 다음 유압 또는 공압을 이용하여 미세홀로 투입시켜 2차적으로 세척하며, 2차적으로 세척된 상기 가공물을 구비된 로에 투입시켜 3차적으로 초음파를 가해 세척하여, 가공품(40)을 최적의 상태로 하여 방전가공 단계(S400)에 사용한다.In the fourth step (S47), it is first washed by putting it into the micro-holes using hydraulic pressure or pneumatic pressure, then alumina powder is put together as an abrasive, and then it is secondarily cleaned by putting it into the micro-holes using hydraulic pressure or pneumatic pressure. , the secondarily washed workpiece is put into the provided furnace and thirdly cleaned by applying ultrasonic waves, the workpiece 40 is brought into an optimal state and used in the electric discharge machining step (S400).

상기 방전가공단계(S400)는 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 방전가공용 전극(30)으로 인가되는 전류의 가공 암페어를 조정 후 가공물(40)을 황삭으로 12시간 가공하고 정삭으로 4시간 가공하여 일측면이 균일한 표면조도값을 갖는 에칭용 상부전극을 가공하는 단계이다.In the electric discharge machining step (S400), as shown in FIG. 1 or FIG. 2, after adjusting the machining ampere of the current applied to the electric discharge machining electrode 30, the work piece 40 is roughed for 12 hours and finished with 4 This is a step of processing the upper electrode for etching with one side having a uniform surface roughness value by time processing.

즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 방전가공단계(S400)의 정삭가공은 방전가공기의 축(10)이 하부로 내려와 가공물(40)의 상부를 압박한 후, 상기 축(10)의 상부로 올라가 원래의 상태로 복원된 후, 턴테이블(50)이 일정부분 회전하고, 재차 상기 축(10)의 내려와 가공물(40)의 상부(챔버에 장착 시 하부에 위치)를 압박하는 작업을 반복적으로 수행하여, 상기 방전가공용 전극(30)과 가공물(40)의 상부가 마찰이 일어나면서 가공물(40)이 방전가공이 이루어지게 된다.That is, as shown in FIG. 4 , in the finishing machining of the electric discharge machining step ( S400 ), the shaft 10 of the electric discharge machine comes down to press the upper part of the workpiece 40 , and then the upper part of the shaft 10 . After returning to the original state, the turntable 50 rotates to a certain extent, and the shaft 10 descends again to press the upper part of the workpiece 40 (located at the lower part when mounted in the chamber) repeatedly. As a result, friction occurs between the electrode 30 for electric discharge machining and the upper portion of the work piece 40, and the work piece 40 is subjected to electric discharge machining.

상기 방전 가공단계(S400)에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 암페어를 150~170으로 하여 상기 가공물(40)을 12시간 1차황삭가공(S410) 후, 상기 암페어를 80~120으로 하여 황삭가공된 가공물(40)을 4시간 2차정삭가공(S420) 한다.In the electric discharge machining step (S400), as shown in FIG. 2, after primary roughing (S410) of the workpiece 40 for 12 hours with the ampere being 150 to 170, the ampere being 80 to 120, The rough-processed workpiece 40 is subjected to secondary finishing (S420) for 4 hours.

[전류에 따른 가공정밀도][Processing precision according to current] 1차 황삭가공1st roughing 2차정삭가공Secondary finishing 가공정밀도Machining precision 전류(단위 :암페어)Current (Unit: Ampere) 전류(단위 :암페어)Current (Unit: Ampere) 실시예 1Example 1 110~140A110~140A 40~70A40~70A 하under 실시예 2Example 2 150~170A150~170A 80~120A80~120A 상award 실시예 3Example 3 180~210A180~210A 130~170A130~170A 중middle

상기 표 1에서 나타내는 바와 같이, 실시예 1에서 1차황삭가공(S410)은 110~140A, 2차정삭가공(S420)은 40~70A로 하여 방전 가공 시 가공정밀도가 하, 실시예 2에서 1차황삭가공(S410)은 150~170A, 2차정삭가공(S420)은 80~120A로 하여 방전 가공 시 가공정밀도가 상, 실시예 3에서 1차황삭가공(S410)은 180~210A, 2차정삭가공(S420)은 130~170A로 하여 방전 가공 시 가공정밀도가 중으로 나타났다.As shown in Table 1, in Example 1, the primary roughing processing (S410) is 110 to 140A, and the secondary finishing processing (S420) is 40 to 70A, so that the machining precision during electric discharge machining is lower, in Example 2, 1 The secondary roughing processing (S410) is 150 to 170A, the secondary finishing processing (S420) is 80 to 120A, so that the machining precision is higher during electric discharge machining. In Example 3, the primary roughing processing (S410) is 180 to 210A, the second The finishing machining (S420) was performed at 130~170A, and machining precision was found to be medium during electric discharge machining.

즉, 상기 1차황삭가공(S410)과 2차정삭가공(S420)은 실시예 2에서와 같이 150~170A, 80~120A로 방전가공을 수행하는 것이 가장 바람직하다.That is, in the first roughing (S410) and the second finishing (S420), it is most preferable to perform electric discharge machining at 150 to 170A and 80 to 120A as in Example 2.

상기 가공치수확인단계(S500)는 도 1 또는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 방전 가공단계(S400) 후, 가공이 완료된 에칭용 상부전극(60)을 세정과정(S510)과 건조과정(S520)을 거친 후 가공 치수를 확인하는 단계이다.As shown in FIG. 1 or FIG. 3, the machining dimension checking step (S500) is a cleaning process (S510) and a drying process (S520) of the etching upper electrode 60 after the electric discharge machining step (S400) is completed. ), and then check the machining dimensions.

상기 에칭용 상부전극(60)을 가공하기 전의 가공물(40)은 전류가 흐를 수 있는 소재로 형성되고, 0.1Ω이하의 저항을 가지도록 구성된다.The workpiece 40 before processing the upper electrode 60 for etching is formed of a material through which current can flow, and is configured to have a resistance of 0.1 Ω or less.

상기 세정과정(S510)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 초음파를 이용하여 에칭용 상부전극(60)의 표면에 이물질이나 먼지, 기름을 제거하되, 온도 40℃이상 유지하여 세정한다.In the cleaning process (S510), as shown in FIG. 3, foreign substances, dust, and oil are removed from the surface of the upper electrode 60 for etching using ultrasonic waves, but the cleaning is performed by maintaining a temperature of 40° C. or higher.

[세정조건에 따른 세정률][Cleaning rate according to cleaning conditions] 세정 조건cleaning conditions 제거율Removal rate 초음파온도ultrasonic temperature 실시예 1Example 1 30℃30℃ 하under 실시예 2Example 2 35℃35℃ 중middle 실시예 3Example 3 40℃ 이상40℃ or higher 상award

상기 표 2에서 나타내는 바와 같이, 실시예 1에서 세정조건으로 초음파 온도 30℃로 세정 시 제거율이 하, 실시예 2에서 세정조건으로 초음파 온도 35℃로 세정 시 제거율이 중, 실시예 3에서 세정조건으로 초음파 온도 40℃ 이상으로 세정 시 이물질이나 먼지, 기름 제거율이 상으로 나타났다.As shown in Table 2 above, the removal rate when cleaning at an ultrasonic temperature of 30°C as the cleaning condition in Example 1 was below, the removal rate when cleaning at an ultrasonic temperature of 35°C as the cleaning condition in Example 2 was medium, and the cleaning condition in Example 3 As a result, the removal rate of foreign substances, dust, and oil was abnormal when cleaning at an ultrasonic temperature of 40℃ or higher.

즉, 상기 세정과정(S510)은 초음파 온도 40℃ 이상으로 하여 세정을 하는 것이 바람직하다.That is, the cleaning process ( S510 ) is preferably performed at an ultrasonic temperature of 40° C. or higher.

상기 건조과정(S520)은, 에칭용 상부전극(60)을 30℃에서 3시간동안 건조하는 1차건조단계(S521)와, 상기 1차건조된 에칭용 상부전극(60)을 37℃에서 2시간을 열풍 건조한 후, 40℃에서 4시간, 45℃에서 5시간, 55℃에서 5~6시간 순으로 순차적으로 건조하는 2차건조단계(S523)를 포함한다.The drying process (S520) includes a primary drying step (S521) of drying the upper electrode for etching 60 at 30° C. for 3 hours, and a second drying step (S521) of the first-dried upper electrode 60 for etching at 37°C. After drying time with hot air, a secondary drying step (S523) of sequentially drying at 40° C. for 4 hours, 45° C. for 5 hours, and at 55° C. for 5-6 hours is included.

[건조 조건에 따른 건조율][Drying rate according to drying conditions] 세정 조건cleaning conditions 제거율Removal rate 1차건조단계1st drying stage 2차건조단계2nd drying step 실시예 1Example 1 30℃, 3시간30℃, 3 hours 37℃ 2시간, 40℃ 4시간, 45℃ 5시간, 55℃ 5~6시간37℃ 2 hours, 40℃ 4 hours, 45℃ 5 hours, 55℃ 5-6 hours 상award 실시예 2Example 2 40℃, 4시간40℃, 4 hours 35℃ 1시간, 45℃ 3시간, 50℃ 4시간, 55℃ 5~6시간35℃ 1 hour, 45℃ 3 hours, 50℃ 4 hours, 55℃ 5-6 hours 중middle 실시예 3Example 3 50℃, 2시간50℃, 2 hours 30℃ 2시간, 55℃ 3시간, 40℃ 4시간, 55℃ 5~6시간30℃ 2 hours, 55℃ 3 hours, 40℃ 4 hours, 55℃ 5-6 hours 하under

상기 표 3에서 나타내는 바와 같이, 실시예 1에서 1차건조단계(S521)로 30℃에서 3시간, 2차건조단계(S523)로 37℃ 2시간, 40℃ 4시간, 45℃ 5시간, 55℃ 5~6시간으로 순차적으로 건조할 시 건조율이 상, 실시예 2에서 1차건조단계(S521)로 40℃, 4시간, 2차건조단계(S523)로 35℃ 1시간, 45℃ 3시간, 50℃ 4시간, 55℃ 5~6시간으로 순차적으로 건조할 시 건조율이 중, 실시예 3에서 1차건조단계(S521)로 50℃, 2시간 2차건조단계(S523)로 37℃ 2시간, 40℃ 4시간, 45℃ 5시간, 55℃ 5~6시간으로 순차적으로 건조할 시 건조율이 하로 나타났다.As shown in Table 3, in Example 1, the primary drying step (S521) at 30°C for 3 hours, the secondary drying step (S523) at 37°C for 2 hours, 40°C for 4 hours, 45°C for 5 hours, 55 When drying at ℃ 5 to 6 hours, the drying rate is abnormal, in Example 2, in Example 2, the primary drying step (S521) is 40°C, 4 hours, and the secondary drying step (S523) is 35°C 1 hour, 45°C 3 Time, 50 ℃ 4 hours, 55 ℃ 5-6 hours when drying sequentially, the drying rate is medium, in Example 3, 50 ℃ as the primary drying step (S521), 2 hours as the secondary drying step (S523) 37 The drying rate was lower when sequentially dried at ℃ 2 hours, 40℃ 4 hours, 45℃ 5 hours, 55℃ 5-6 hours.

즉, 상기 건조과정(S520)에서는 실시 예 1의 조건으로 건조하는 것이 가장바람직하다.That is, in the drying process (S520), it is most preferable to dry under the conditions of Example 1.

본 발명의 방전가공용 전극을 이용한 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법에 의하면, 에칭용 상부전극을 제조하는 본연의 목적을 그대로 유지함과 동시에, MCT가공장비에 장착되는 툴을 이용하여 가공하지 않고, 별도의 방전가공용 전극을 구성한 후, 상기 방전가공용 전극을 이용하여 에칭용 상부전극을 황삭, 정삭의 방전가공을 진행하게 되어, 가공시간을 단축시킴으로 대량생산이 가능한 한편, 정밀가공이 통해 최종적으로 완성되는 에칭용 상부전극의 표면조도값이 균일하게 형성할 수 있는 유용한 발명이다.According to the method of processing the upper electrode for etching having a variable thickness using the electrode for electric discharge machining of the present invention, the original purpose of manufacturing the upper electrode for etching is maintained as it is, and at the same time, it is not processed using a tool mounted on the MCT processing equipment. After constructing a separate electrode for electric discharge machining, electric discharge machining of roughing and finishing of the upper electrode for etching is performed using the electrode for electric discharge machining. It is a useful invention that can uniformly form the surface roughness value of the upper electrode for etching completed with

S100 : 방전가공용 전극 가공단계 S200 : 방전가공용 전극 측정단계
S300 : 장비셋팅 단계 S400 : 방전 가공단계
S410 : 1차황삭가공 S420 : 2차정삭가공
S500 : 가공치수확인단계
S510 : 세정과정 S520 : 건조과정
10 : MCT 장비 축 20 : 지그
30 : 방전가공용 전극 40 : 가공물
S41 : 제1단계 S43 : 제2단계
S45 : 제3단계 S47 : 제4단계
50 : 턴테이블 60 : 에칭용 상부전극S100: electrode processing step for electric discharge machining S200: electrode measurement step for electric discharge machining
S300: Equipment setting step S400: Electric discharge machining step
S410 : 1st roughing S420 : 2nd finishing
S500: Processing dimension confirmation step
S510: cleaning process S520: drying process
10: MCT equipment axis 20: jig
30: electrode for electric discharge machining 40: workpiece
S41: first step S43: second step
S45: 3rd step S47: 4th step
50: turntable 60: upper electrode for etching

Claims (10)

MCT 가공장비에 Tool을 장착한 후, 동 소재의 표면에 Ra0.8이하 조도 값이 나오도록 방전가공용 전극(30)을 가공하되, 일측면이 가공하려는 에칭용 상부전극(60)의 하부표면과 동일하게 가공하는 방전가공용 전극 가공단계(S100);
상기 방전가공용 전극(30)을 가공 후, 구비된 3차원 접촉식 측정기와 조도 측정기로 가공된 상기 방전가공용 전극(30)의 치수 및 가공 면에 대한 조도 값을 각각 측정하여 측정값을 확인하는 방전가공용 전극 측정단계(S200);
방전가공기의 축(10)에 구성된 지그(20)와 상기 지그(20)와 마주하게 배치된 턴테이블(50)에 측정된 상기 방전가공용 전극(30)과 가공물(40)을 각각 배치시키고, 방전가공기의 축(10) 일측에 인디게이터를 장착한 후, 가공물(40)과의 밸런스를 잡은 다음 인디게이터를 분리시키며, 볼 측정기를 축(10)에 장착 하여 X, Y좌표를 설정한 후, 상기 지그(20)에 방전가공용 전극(30)을 장착하는 장비 셋팅단계(S300);
상기 방전가공용 전극(30)으로 인가되는 전류의 가공 암페어를 조정 후 가공물(40)을 황삭으로 12시간 가공하고 정삭으로 4시간 가공하여 일측면이 균일한 표면조도값을 갖는 에칭용 상부전극(60)을 가공하는 방전 가공단계(S400);를 포함하여 이루어지되,
상기 가공물은,
단결정 잉곳(Ingot)을 절단하여 원형의 판으로 형성하는 제1단계(S41)와,
상기 원형으로 형성된 판의 상, 하부면을 평탄화하는 제2단계(S43)와,
상기 평탄화된 원형의 판에 플라즈마 가스 통과되는 가스 홀을 가공하는 제3단계(S45)와,
가스 홀을 형성한 가공물을 세척하는 제4단계(S47)를 거쳐 제조되는 것을 특징으로 하는 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법.
After mounting the tool on the MCT processing equipment, process the electrode 30 for electric discharge machining so that the roughness value of Ra 0.8 or less appears on the surface of the copper material, but one side is the lower surface of the upper electrode 60 for etching to be processed. Electrode processing step (S100) for electrical discharge machining of the same processing;
After processing the electric discharge machining electrode 30, the three-dimensional contact measuring instrument and the provided electric discharge machining electrode 30, each of the dimensions and the roughness value for the processed surface processed with the electric discharge machining electrode 30 is measured to confirm the measured value Measuring electrode for processing (S200);
The electric discharge machining electrode 30 and the workpiece 40 measured on the jig 20 configured on the shaft 10 of the electric discharge machine and the turntable 50 arranged to face the jig 20 are respectively arranged, and the electric discharge machine After mounting the indicator on one side of the axis 10 of the jig ( 20) an equipment setting step of mounting the electrode 30 for electric discharge machining (S300);
After adjusting the processing ampere of the current applied to the electric discharge machining electrode 30, the workpiece 40 is processed for 12 hours by roughing and 4 hours by finishing, so that one side of the upper electrode for etching has a uniform surface roughness value (60) ) an electric discharge machining step of machining (S400);
The workpiece is
A first step (S41) of cutting a single crystal ingot to form a circular plate;
a second step (S43) of flattening the upper and lower surfaces of the circularly formed plate;
A third step (S45) of processing a gas hole through which the plasma gas passes in the flattened circular plate;
A method for processing an upper electrode for etching having a curved surface and a variable thickness using an electrode for electric discharge machining, characterized in that it is manufactured through a fourth step (S47) of washing the workpiece having the gas hole formed therein.
 제 1항에 있어서,
상기 방전 가공단계(S400)에서,
상기 암페어를 150~170으로 하여 상기 가공물(40)을 12시간 1차황삭가공(S410) 후, 상기 암페어를 80~120으로 하여 황삭가공된 가공물(40)을 4시간 2차정삭가공(S420) 하는 것을 특징으로 하는 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법.
The method of claim 1,
In the electric discharge machining step (S400),
After primary roughing (S410) of the workpiece 40 at the ampere of 150 to 170 for 12 hours, the workpiece 40 roughing at the amperage of 80 to 120 is subjected to secondary finishing for 4 hours (S420) A method for processing an upper electrode for etching having a curved surface and a variable thickness using an electrode for electric discharge machining, characterized in that.
 제 1항에 있어서,
상기 에칭용 상부전극(60)을 가공하기 전의 가공물(40)은 전류가 흐를 수 있는 소재로 형성되고, 0.1Ω이하의 저항을 가지는 것을 특징으로 하는 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법.
The method of claim 1,
The workpiece 40 before processing the upper electrode 60 for etching is formed of a material through which a current can flow, and has a curved surface and a variable thickness using an electric discharge machining electrode, characterized in that it has a resistance of 0.1 Ω or less. A method of processing the upper electrode for etching.
 제 1항에 있어서,
상기 방전 가공단계(S400) 후,
가공이 완료된 에칭용 상부전극(60)을 세정과정(S510)과 다음, 건조과정(S520)을 거친 후 가공 치수를 확인하는 가공치수확인단계(S500)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법.
The method of claim 1,
After the electric discharge machining step (S400),
Electrode for electric discharge machining, characterized in that it further comprises a machining dimension checking step (S500) of checking the machining dimensions after the processing is completed and the etching process is completed (S510) and then, after the drying process (S520). A method of processing an upper electrode for etching with a curved surface and a variable thickness using
 제 4항에 있어서,
상기 세정과정(S510)은,
초음파를 이용하여 에칭용 상부전극(60)의 표면에 이물질이나 먼지, 기름을 제거하되, 온도 40℃이상 유지하여 세정하는 것을 특징으로 하는 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법.
5. The method of claim 4,
The cleaning process (S510) is,
The upper electrode for etching with a curved surface and variable thickness using an electric discharge machining electrode, characterized in that the surface of the upper electrode for etching 60 is cleaned by removing foreign substances, dust, and oil using ultrasonic waves, but maintaining a temperature of 40° C. or higher. Electrode processing method.
 제 4항에 있어서,
상기 건조과정(S520)은,
에칭용 상부전극(60)을 30℃에서 3시간동안 건조하는 1차건조단계(S521)와,
상기 1차건조된 에칭용 상부전극을 37℃에서 2시간을 열풍 건조한 후, 40℃에서 4시간, 45℃에서 5시간, 55℃에서 5~6시간 순으로 순차적으로 건조하는 2차건조단계(S523)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법.
5. The method of claim 4,
The drying process (S520) is,
A primary drying step (S521) of drying the upper electrode 60 for etching at 30° C. for 3 hours;
A secondary drying step ( S523), the upper electrode processing method for etching having a curved surface and a variable thickness using an electrode for electric discharge machining, characterized in that it includes.
 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 제3단계(S45)는,
방전가공기에 구비된 방전가공을 위한 드릴을 이용하여 상기 드릴에 전원을 인가하여 가스홀을 드릴링하여 방전가공하되,
상기 전원은 1차적으로 드릴링한 후, 2차적으로 가스홀의 내주면에 표면조도를 균일화시키는 것을 특징으로 하는 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법.
The method of claim 1,
The third step (S45) is,
Electric discharge machining by drilling a gas hole by applying power to the drill using a drill for electric discharge machining provided in the electric discharge machine,
The upper electrode processing method for etching with a curved surface and a variable thickness using the electric discharge machining electrode, characterized in that the power supply is first drilled, and secondarily, the surface roughness is uniformed on the inner circumferential surface of the gas hole.
 제 1항에 있어서,
상기 제4단계(S47)는,
유압 또는 공압을 이용하여 미세홀로 투입시켜 1차적으로 세척한 후,
연마재로 알루미나 분말을 함께 투입시킨 다음 유압 또는 공압을 이용하여 미세홀로 투입시켜 2차적으로 세척하며,
2차적으로 세척된 상기 가공물을 구비된 로에 투입시켜 3차적으로 초음파를 가해 세척하는 것을 특징으로 하는 방전가공용 전극을 이용한 곡면과 가변하는 두께를 갖는 에칭용 상부전극 가공방법.


The method of claim 1,
The fourth step (S47) is,
After first cleaning by putting it into the micro-holes using hydraulic or pneumatic pressure,
After putting alumina powder as an abrasive together, it is secondarily cleaned by putting it into the micro-holes using hydraulic or pneumatic pressure.
A method for processing an upper electrode for etching having a curved surface and a variable thickness using an electrode for electric discharge machining, characterized in that the secondly washed workpiece is put into a furnace and thirdly cleaned by applying ultrasonic waves.


 삭제delete
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