KR102423646B1 - 전기 도금 프로세서에서의 전기화학 도금 후에 증착물들을 감소 또는 제거하는 방법들 - Google Patents

전기 도금 프로세서에서의 전기화학 도금 후에 증착물들을 감소 또는 제거하는 방법들 Download PDF

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트리시아 에이. 영불
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

전기화학 도금 동안 반도체 전기화학 도금 장비 또는 그 반도체 전기화학 도금 장비의 표면에서의 불용성 증착물들의 형성을 감소시키기 위한 방법들 및 장치는, 전기 도금 용액으로부터 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면을 제거하는 단계 ― 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면의 최상부에 잔류 전기 도금 용액이 배치되고, 잔류 전기 도금 용액은 제1 pH를 가짐 ―; 린세이트(rinsate)를 형성하기 위해, 제1 pH와 유사한 제2 pH를 갖는 린스제와 잔류 전기 도금 용액을 접촉시키는 단계; 및 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면으로부터 린세이트를 제거하는 단계를 포함한다.

Description

전기 도금 프로세서에서의 전기화학 도금 후에 증착물들을 감소 또는 제거하는 방법들{METHODS OF REDUCING OR ELIMINATING DEPOSITS AFTER ELECTROCHEMICAL PLATING IN AN ELECTROPLATING PROCESSOR}
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 린세이트(rinsate)에서의 용질 용해도를 유지하는 데 적합한 미리 결정된 pH를 갖는 린스제와, 증착물들을 감소 또는 제거하는 것이 필요한 표면들을 접촉시킴으로써, 전기 도금 프로세서에서의 전기화학 도금 후에 증착물들을 감소 또는 제거하는 방법들에 관한 것이다.
[0002] 마이크로전자 디바이스들은 일반적으로, 반도체 웨이퍼, 또는 다른 타입의 기판 또는 워크피스(workpiece) 상에 형성된다. 전형적인 제조 프로세스에서, 마이크로전자 디바이스들을 생성하고 그리고/또는 디바이스들 사이에 전도성 라인들을 제공하기 위해, 하나 이상의 얇은 금속 층들이 웨이퍼 상에 형성된다.
[0003] 금속 층들은 일반적으로, 전기 도금 프로세서에서 전기화학 도금을 통해 웨이퍼들에 적용(apply)된다. 전형적인 전기 도금 프로세서는, 전해질 또는 전기 도금 용액을 홀딩(hold)하기 위한 용기, 전기 도금 용액과 접촉하는, 용기 내의 하나 이상의 애노드들, 및 웨이퍼와 접촉하는 다수의 전기 접촉 핑거(finger)들을 갖는 접촉 링을 갖는 헤드(head)를 포함한다. 워크피스의 전기 전도성 표면이 액체 전해질의 배스와 같은 전기 도금 용액에 침지되고, 전기 접촉부는 전기 도금 용액 내의 금속 이온들이 웨이퍼 상으로 플레이트 아웃(plate out)되게 하여 금속 층 또는 막이 형성되게 한다. 웨이퍼의 전기 전도성 표면에 대한 전기 연결은 전형적으로는 웨이퍼의 둘레 주위에서 폭이 3 mm 미만인 에지 배제 구역에서 이루어질 수 있다. 일반적으로, 다수의 전기 도금 프로세서들이 다른 타입들의 프로세서들과 함께 인클로저(enclosure) 내에 제공되어 전기 도금 시스템이 형성된다.
[0004] 본 발명자들은, 다수의 전기 도금 용액들 및 린스 케미스트리(chemistry)들, 이를테면 탈이온수를 이용하는 다수의 전기 도금 동작들이 린스 용액 또는 린세이트 내의 오염물들, 이를테면 유기금속들, 금속들 등의 형성을 초래하는 문제가 있고, 그러한 오염물들이 디바이스 구조들 및 표면들 상에, 이를테면 전기 도금 용액을 전기 접촉부들로부터 떨어져 있게 유지하도록 구성된 밀봉부 상에 플레이트-업(plate-up)되거나 또는 스케일(scale)을 형성하는 것을 관찰하였다. 밀봉부 상의 플레이트-업은 밀봉부와 접촉부들 사이에 전도성 경로를 형성하여, 원하는 기판 도금에 우선한 접촉부들의 도금 뿐만 아니라 밀봉부 및 접촉부 고장을 초래하는 문제가 있다.
[0005] 본 발명자들은 접촉 링 상의 전기 접촉부들 및/또는 밀봉부 상의 플레이트-업이 세정 및/또는 디플레이팅(deplating)을 위해 빈번한 유지보수를 요구한다는 것을 추가로 관찰하였다. 접촉부들 및 밀봉부를 유지하기 위한 지속적인 필요성은, 세정 절차들 동안 전기 도금 프로세서가 유휴 상태에 있기 때문에, 전기 도금 프로세서의 사용 효율 또는 처리량을 감소시키는 문제가 있다.
[0006] 따라서, 본 발명자들은 전기 도금 프로세서에서의 전기화학 도금 후에 증착물들을 감소 또는 제거하는 개선된 실시예들을 제공하였다.
[0007] 전기화학 도금 장비에서의 표면들 상의 전도성 증착물들의 형성을 감소 또는 제거하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 전기화학 도금 동안 반도체 전기화학 도금 장비 또는 그 반도체 전기화학 도금 장비의 표면에서의 불용성 증착물들의 형성을 감소시키는 방법은, 전기 도금 용액으로부터 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면을 제거하는 단계 ― 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면의 최상부에 잔류 전기 도금 용액이 배치되고, 잔류 전기 도금 용액은 제1 pH를 가짐 ―; 제1 pH와 유사한 제2 pH를 갖는 린스제와 잔류 전기 도금 용액을 접촉시켜서 린세이트를 형성하는 단계; 및 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면으로부터 린세이트를 제거하는 단계를 포함한다.
[0008] 일부 실시예들에서, 전기화학 도금 장비에서의 표면들 상의 전도성 증착물들의 형성을 감소 또는 제거하는 방법은, 전해질을 포함하는 하나 이상의 표면들과 산성 린스제를 접촉시켜서 산성 린세이트를 형성하는 단계; 및 하나 이상의 표면들로부터 산성 린세이트를 흘려 보내는(flow away) 단계를 포함한다.
[0009] 다른 실시예에서, 명령들이 저장된 비-일시적 컴퓨터 판독가능 매체가 제공되며, 그 명령들은, 실행될 때, 전기화학 도금 장비에서의 표면들 상의 전도성 증착물들의 형성을 감소 또는 제거하기 위한 방법을 발생(cause)시키며, 그 방법은, 전기 도금 용액으로부터 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면을 제거하는 단계 ― 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면의 최상부에 잔류 전기 도금 용액이 배치되고, 잔류 전기 도금 용액은 제1 pH를 가짐 ―; 제1 pH와 유사한 제2 pH를 갖는 린스제와 잔류 전기 도금 용액을 접촉시켜서 린세이트를 형성하는 단계; 및 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면으로부터 린세이트를 제거하는 단계를 포함한다.
[0010] 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 아래에서 설명된다.
[0011] 앞서 간략히 요약되고 아래에서 더 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0012] 도 1은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 전기 도금 프로세서의 단면도를 개략적으로 예시한다.
[0013] 도 2는 도 1에 도시된 접촉 링의 사시도이다.
[0014] 도 3은 도 2의 접촉 링의 일부의 사시도이다.
[0015] 도 4는 웨이퍼를 프로세싱하는 도 1의 프로세서의 단면도를 개략적으로 예시한다.
[0016] 도 5는 본 개시내용에 따른 방법의 프로세스 플로우이다.
[0017] 도 6은 본 개시내용에 따른 방법의 프로세스 플로우이다.
[0018] 도 7은 본원에서 설명되는 피처(feature)들을 형성하기 위한 프로세스들을 수행하기 위한 툴의 개략도이다.
[0019] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것이 아니고, 명확성을 위해 간략화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있다.
[0020] 전기화학 도금 장비에서의 표면들 상의 불용성 전도성 증착물들과 같은 증착물들의 형성을 감소 또는 제거하기 위한 방법들 및 장치가 본원에서 제공된다. 실시예들에서, 본 개시내용은 전기화학 도금 증착에서 사용되는 장비 상의 불용성 재료, 증착물들, 또는 스케일의 형성을 감소시키거나 또는 심지어 방지하기 위한 방법들을 제공한다. 본 개시내용의 방법들에 따르면, 불용성 증착물 또는 스케일로 형성될 수 있는 석출물(precipitate)들의 형성을 방지하는 데 적합한 미리 결정된 pH를 갖는 린스제의 작용에 의해, 증착물을 형성하는 재료가 용액에 유지될 수 있다. 본 개시내용에 따르면, 증착물을 형성하는 재료가 린세이트와 같은 용액에 용질 또는 가용성 재료로 남아 있기 때문에, 표준 방법들 또는 당업자에게 알려져 있는 종래의 수단에 의해, 증착물을 형성하는 재료가 장비 또는 프로세싱 시스템으로부터 쉽게 제거될 수 있다.
[0021] 일부 실시예들에서, 본 개시내용의 방법은 전기화학 도금 동안 불용성 증착물들의 형성을 감소시키는 단계를 포함한다. 전기화학 도금 동안, 도금 용액들은, 유기금속성 석출물들 및 금속성 석출물들을 생성하기 위해, 도금 용액들 내의 가용성 금속들과 상호작용하는 산성 잔류물들을 생성한다. 석출물들은 불용성 고체들 및/또는 전구체들을 포함하며, 그 불용성 고체들 및/또는 전구체들은 프로세싱 장비 상에 스케일로서 증착되고, 그리고 도금 용액을 억제(contain)하도록 구성된 밀봉부들을 통하는 전도성 경로들을 형성하여 생산 중단들을 초래하는 문제가 있다. 양상에서, 고체 증착물은 전기 도금 용액 내의 다양한 금속들 및 유기 전구체들로부터 형성된다. 전기 도금 용액들에 포함될 수 있는 비-제한적인 금속들은, 구리, 주석, 금, 니켈, 은, 팔라듐, 플래티넘 및 로듐, 및 합금들, 이를테면, 노블(noble) 금속 합금들, 주석-구리, 주석-은, 주석-은-구리, 주석-비스무트, 퍼멀로이(permalloy) 및 다른 니켈 합금들, 납-주석 합금들, 및 다른 무연 합금들을 포함한다.
[0022] 일부 실시예들에서, 전기화학 도금 장비에서의 표면들 상의 전도성 증착물들의 형성을 감소 또는 제거하는 방법은, 전해질을 포함하는 하나 이상의 표면들과 산성 린스제를 접촉시켜서 산성 린세이트를 형성하는 단계; 및 하나 이상의 표면들로부터 산성 린세이트를 흘려 보내는 단계를 포함한다. 본 발명자들은, 증착물들 또는 플레이트-업을 방지하는 것이 유리하게, 접촉부들 또는 밀봉부들을 포함하는 도금 장비의 수명을 유지하면서 세정을 위한 스케줄링된 다운-타임을 제거한다는 것을 관찰하였다. 예컨대, 본 발명자들은, 접촉 링 상의 전기 접촉부들 및/또는 밀봉부에 대한 디플레이팅 및/또는 세정을 위한 유지보수는, 전해질 또는 전기 도금 용액의 pH와 동일하거나, 또는 전해질 또는 전기 도금 용액의 pH와 근사한 미리 결정된 pH를 갖는 린스제를 제공함으로써 방지될 수 있다는 것을 관찰하였다. 접촉부들 및 밀봉부를 유지할 필요성을 방지 또는 감소시킴으로써, 전기 도금 프로세서가 세정 절차들 동안 유휴 상태에 있을 필요가 없기 때문에, 전기 도금 프로세서의 처리량 또는 사용 효율이 증가된다. 본 발명자들은, 전기 도금 용액 또는 전해질의 pH와 유사한 pH를 갖는 린스제를 제공함으로써, 전기화학 도금 장비 내의 표면들 상의 플레이트-업을 촉진하는 오염물들 또는 문제가 있는 종의 석출이, 린스 시에 전기화학 도금 장비의 표면들로부터 오염물들 또는 문제가 있는 종이 흘려 보내지기 때문에, 방지 또는 감소된다는 것을 관찰하였다.
[0023] 실시예들에서, 반도체 디바이스에서의 금속 피처들, 이를테면 인터커넥트(interconnect)가 ECD(electrochemical deposition) 시스템에서 형성될 수 있다. ECD 시스템들의 비-제한적인 예들은, 상표들 NOKOTATMECD, RAIDER®ECD 하에서 Applied Materials Inc.로부터 입수가능하거나 또는 MT, Kalispell의 Semitool Inc.에 양도된 Woodruff 등의 미국 특허 번호 제7,198,694호(발명의 명칭은 'Integrated tool with interchangeable Wet Processing Components for Processing Microfeature Workpieces and Automated Calibration Systems'임)에서 설명된 것과 같은, 금속들을 전기화학적으로 증착하도록 설계된 툴들을 포함한다.
[0024] 일부 비-제한적인 예들에서, 금속 증착은, CA, Santa Clara의 Applied Materials, Inc.로부터 입수가능한 것들과 같은 ECD 시스템의 일부일 수 있는, 전기도금 동안 기판을 지지하는 전기 도금 프로세서에서 발생할 수 있거나, 또는 전기 도금 프로세서는, Applied Materials Inc.에 양도된 Wilson의 미국 특허 번호 제10,113,245호(발명의 명칭은 'Electroplating Contact Ring with Radially Offset Contact Fingers'임)에서 설명된 것들과 같은 프로세서일 수 있다. 다른 제조자들로부터 입수가능한 프로세싱 챔버들을 포함하는 다른 프로세싱 챔버들이 또한, 본 개시내용으로부터 이익을 얻도록 적응될 수 있다.
[0025] 이제 도 1을 참조하면, 헤드(22) 및 로터(rotor)(24)를 포함하는 전기 도금 프로세서(20)의 비-제한적인 예가 도시된다. 실시예들에서, 헤드(22) 내의 모터(28)는, 도 1의 화살표(R)에 의해 표시된 바와 같이, 축을 중심으로 미리 결정된 방향으로 로터(24)를 회전시킨다. 실시예들에서, 로터(24) 상에 있거나 또는 로터(24)에 부착가능한 접촉 링(30), 이를테면 환상 접촉 링은 로터(24) 내에 또는 로터(24) 상에 홀딩된 웨이퍼(100)와 전기적으로 접촉한다. 일부 실시예들에서, 로터(24)는, 웨이퍼 로드/언로드 포지션과 프로세싱 포지션 사이에서 수직으로(도 1의 방향(T)으로) 접촉 링(30)을 이동시키기 위한 링 액추에이터들(34), 및 배킹 플레이트(26)를 포함할 수 있다. 실시예들에서, 헤드(22)는, 프로세스 액체들 및 증기들로부터 내부 헤드 컴포넌트들을 밀봉하면서 접촉 링(30)의 수직 또는 축방향 이동을 가능하게 하기 위해, 벨로즈(32)를 포함할 수 있다.
[0026] 일부 실시예들에서, 헤드(22)는 프레임(36) 상에 맞물린다. 프레임(36) 내의 용기 또는 보울(bowl)(38)은 액체 전해질의 배스와 같은 전기 도금 용액을 홀딩한다. 배스 공급부는 워크피스의 표면 상에 증착될 금속 이온(들)의 소스를 포함한다. 본원에서 설명되는 방법들에 따라 워크피스 또는 웨이퍼(100), 이를테면 기판 상에 도금될 금속 또는 금속들은, 워크피스 상에 증착될 금속 이온들의 종으로서, 전기 도금 용액에 존재한다. 실시예들에서, 금속 이온들은, 주변 필드 표면들과 대조적으로, 오목한 피처들 내에 금속 이온들을 우선적으로 증착하는 프로세스 조건들 하에서 증착된다. 일부 실시예들에서, 헤드(22)는 로터(24)에 홀딩된 웨이퍼(100)를 보울(38) 내의 액체 전해질의 배스와 같은 전기 도금 용액과 접촉하도록 포지셔닝하기 위해 이동가능하다.
[0027] 실시예들에서, 하나 이상의 전극들은 보울에 포지셔닝된다. 예컨대, 보울은 중앙 전극(40), 및 중앙 전극(40)을 둘러싸고 중앙 전극(40)과 동심인 단일 외측 전극(42)을 포함할 수 있다. 실시예들에서, 중앙 전극(40) 및 단일 외측 전극(42)은, 전기 도금 프로세서(20) 내에 원하는 전기장 및 전류 흐름 경로들을 설정하기 위해, 유전체 재료 필드 정형 유닛(44)에 제공될 수 있다. 전극들의 다양한 개수들, 타입들, 및 구성들이 사용될 수 있다. 전극은 전기 도금 용액과 전기적으로 접촉한다. 전력 공급부는 전극과 워크피스의 표면 사이에 전기 도금 전력을 공급하여, 표면 상으로의 전기 도금 금속 이온들의 전기 도금을 촉진한다. 제어기는 워크피스 표면 상에 금속 이온들이 증착되도록 전기 도금 전력의 공급을 제어한다.
[0028] 이제 도 2를 참조하면, 로터(24)로부터 분리되어 반전된 접촉 링(30)이 도시된다. 따라서, 도 2에서 접촉 링(30)의 최상부에 또는 최상부 근처에 도시된, 접촉 링(30) 상의 접촉 핑거들(일괄적으로 82로 지칭됨)은, 접촉 링(30)이 로터(24) 내에 설치될 때, 접촉 링(30)의 최하부 단부에 또는 최하부 단부 근처에 있게 된다. 장착 플랜지(64)가 파스너들로 로터(24)에 접촉 링(30)을 부착하기 위해 접촉 링 상에 제공될 수 있다. 실시예들에서, 접촉 핑거들(82)은, 제조의 용이성을 위해, 스탬핑된 금속의 직선 스트립(straight strip)들(68) 상에 제공될 수 있으며, 스트립들(68)은 외측 차폐 링(52) 및/또는 베이스 링(50)(도 3)에 부착된다. 접촉 핑거들(82)은 평탄하고 직사각형일 수 있고, 서로 동일하게 이격될 수 있다. 접촉 링(30)은 300개 내지 1000개의 접촉 핑거들을 가질 수 있으며, 전형적인 설계들은 360개 또는 720개의 접촉 핑거들을 사용한다.
[0029] 이제 도 3을 참조하면, 접촉 링(30)의 단면도가 도시되며, 접촉 링은 도 1에 도시된 업라이트(upright) 배향으로 설치되어 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 접촉 링(30)은 내측 라이너(56)와 외측 차폐 링(52) 사이에 베이스 링(50)을 갖는다. 실시예들에서, 차폐부(54)는, 사용되는 경우, 접촉 핑거들(82)의 일부 또는 접촉 핑거들(82)의 전체 길이를 덮는다. 접촉 핑거들(82)은 전도성 베이스 링과 같은 베이스 링(50) 및/또는 와이어링을 통해, 그리고 헤드 또는 접촉 링(30) 상의 커넥터를 통해, 프로세서 전기 시스템에 전기적으로 연결된다. 실시예들에서, 접촉 핑거들은 직선 스트립들 또는 다른 구성들, 이를테면 위에서 설명된 미국 특허 번호 제10,113,245호에 도시된 구성들 상에 제공될 수 있다.
[0030] 이제 도 4를 참조하면, 유리, 플라스틱, 세라믹, 또는 기판(106), 이를테면 실리콘 기판 상의 몰딩 화합물(molding compound) 또는 에폭시(104)의 층에 매립된 개별 칩들 또는 다이들(102)을 갖는 재구성된 웨이퍼와 같은 웨이퍼(100)의 개략적인 측단면도가 도시된다. 실시예들에서, 포토레지스트 층(108)이, 에지 배제 구역(112)을 제외하고, 금속 시드 층과 같은 시드 층(110)의 최상부에 배치되어 시드 층(110)을 덮는다. 실시예들에서, 시드 층(110)은 몰딩 화합물 또는 에폭시(104)의 에지에서의 측벽 또는 베벨(bevel) 상에 그리고 기판(106)의 에지 상에 적용되어, 일반적으로 114로 도시된 시드 층 스텝(step)을 형성한다.
[0031] 여전히 도 4를 참조하면, 몰딩 화합물 또는 에폭시(104)의 층 위에 그리고 포토레지스트 층(108)의 반경방향 외부에 위치된 에지 배제 구역(112)에서 시드 층(110)과 접촉하는 접촉 핑거(82)가 도시된다. 실시예들에서, 접촉 링(30)은 환상 밀봉부와 같은 밀봉부(46)를 포함하며, 밀봉부(46)는 접촉 핑거들 위에 놓여 있고, 그리고 이를테면 전해질의 배스로부터의 전기 도금 용액이 접촉 핑거들(82)과 접촉하는 것을 방지하도록 구성된다. 밀봉부(46)는 환상 밀봉 표면 또는 에지(48)를 가지며, 환상 밀봉 표면 또는 에지(48)는 웨이퍼(100)에 대해 밀봉하거나 또는 도 4에 도시된 바와 같은 실시예들에서는 웨이퍼(100) 상의 포토레지스트 층(108)에 대해 밀봉하도록 적응되며, 모든 접촉 핑거들은 환상 밀봉 표면의 반경방향 외부에 있다. 실시예들에서, 본 개시내용의 방법들은, 밀봉부(46) 및 그 밀봉부(46)의 표면들, 이를테면 에지(48), 및 본 개시내용에 따른 린스제와 이를테면 전해질의 배스로부터의 전기 도금 용액 둘 모두와 접촉하는 다른 표면들 상에 불용성 증착물들이 형성되는 것을 방지한다. 실시예들에서, 본 개시내용의 방법들은, 밀봉부(46) 및 그 밀봉부(46)의 표면들, 이를테면 에지(48) 상에 불용성 증착물들이 형성되는 것을 방지하고, 밀봉부의 수명을 유지하여, 밀봉부(46)의 수명에 걸쳐, 전해질의 배스로부터의 전기 도금 용액이 핑거들(82)과 접촉하지 않도록 한다.
[0032] 여전히 도 4를 참조하면,(스텝(114)의 최상부 상의) 에지 배제 구역(112)의 폭은 포토레지스트 층(108) 및 몰딩 화합물 또는 에폭시(104)의 포지셔닝 및 동심도에 의해 영향을 받고, 그리고 관련된 웨이퍼(100) 또는 재구성된 웨이퍼의 타입에 의해 변할 수 있다. 일반적으로, 에지 배제 구역은 폭이 최대 3.0 mm이다. 기판(106) 상에서 몰딩 화학물 또는 에폭시(104)의 층의 반경방향 외부에 있는 시드 층 연장부(118)(도 4에 점선들로 도시됨)는 부수적인 랜딩 영역(contingent landing area)인데, 이는 시드 층(110)이 스텝(114)에 걸쳐 연속성을 유지하지 않을 수 있기 때문이다. 전기프로세싱 동안, 전기 전도성 에지 배제 구역을 갖는 웨이퍼는 복수의 접촉 핑거들을 갖는 접촉 링을 갖는 전기프로세서 내에 배치될 수 있다. 웨이퍼의 전방 면은 하나 이상의 접촉 핑거들과 맞물리도록 이동될 수 있고, 접촉 핑거들은 에지 배제 구역에서 웨이퍼의 전방 면과 접촉하고, 웨이퍼의 전방 면은 전기 도금 용액 또는 전해질과 접촉하도록 배치될 수 있다. 전류가 전기 도금 용액, 에지 배제 구역, 및 하나 이상의 접촉 핑거들을 통해 전도될 수 있다. 전해질 내의 금속 이온들이 전도성 에지 배제 구역, 및 그 전도성 에지 배제 구역에 전기적으로 연결된 다른 영역들 상에 증착되어 웨이퍼 상에 금속 층이 형성된다.
[0033] 실시예들에서, 금속이 증착된 후에, 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 하나 이상의 표면들, 이를테면 웨이퍼(100)에 도시된 것들이 전기 도금 용액으로부터 제거되고, 그리고 전기 도금 용액의 pH와 유사한 pH를 갖는 린스제와 접촉함으로써 린스된다. 미리 선택된 pH를 갖는 린스제를 사용함으로써, 본 개시내용의 실시예들은, 전기 화학 도금 장비 또는 그 전기 화학 도금 장비의 표면의 최상부에 배치된 임의의 잔류 전기 도금 용액 및 린스제를 포함하여 형성된 혼합물 또는 린세이트에 용액 내의 오염물들을 유지한다. 일부 실시예들에서, 잔류 전기 도금 용액의 pH가 섭씨 20도 용액에서의 pH 미터의 사용과 같은 알려져 있는 기법들에 따라 측정되어 제1 pH 값이 획득될 수 있고, 그리고 린스제의 pH가 미리 결정되거나 또는 측정되어, 제1 pH 값과 동일하거나 또는 상이할 수 있는 제2 pH 값이 획득될 수 있다. 실시예들에서, pH 미터는 본 기술분야에 알려져 있는 바와 같이 교정된다. 실시예들에서, 잔류 전기 도금 용액의 pH 및 린스제의 pH는 2 내지 4.5의 값일 수 있다. 실시예들에서, 잔류 전기 도금 용액의 pH 및 린스제의 pH는, 이를테면 예컨대, 플러스 또는 마이너스 2, 1, 0.5, 또는 0.2 내지 2.0의 pH 값 내에서 유사할 수 있다. 일부 실시예들에서, 잔류 전기 도금 용액의 pH는 약 3일 수 있고, 린스제의 pH는 약 5일 수 있다. 일부 실시예들에서, 잔류 전기 도금 용액의 pH는 약 3.5일 수 있고, 린스제의 pH는 약 3.5 내지 4.5일 수 있다. 일부 실시예들에서, 잔류 전기 도금 용액의 pH는 약 4일 수 있고, 린스제의 pH는 약 4일 수 있다. 일부 실시예들에서, 전기 도금 용액의 pH는 1 미만일 수 있고, 린스제의 pH는 플레이트-업을 억제하는 목적을 위해 약 2일 수 있다.
[0034] 일부 실시예들에서, 린스제는 미리 선택된 pH를 갖는다. 예컨대, 린스제의 pH는 전기 도금 용액의 pH와 동일하거나 또는 유사할 수 있다. pH를 미리 선택하는 것은 린스제의 타입을 미리 선택하는 것을 포함할 수 있다. 실시예들에서, 린스제는 미네랄산(mineral acid), 이를테면, 무기 화합물로부터 유도된 산이다. 적합한 미네랄산들의 비-제한적인 예들은 브롬화 수소(BrH), 요오드화 수소(HI), 염산(HCl), 질산(HNO3), 아질산(HNO2), 인산(H3PO4), 황산(H2SO4), 붕산(H3BO3), 플루오르화 수소산(HF), 브롬화 수소산(HBr), 과염소산(HClO4), 요오드화 수소산(HI), 및 이들의 조합들을 포함한다. 실시예들에서, 유기산들, 이를테면 알킬설폰산들, 예컨대 MSA(methane sulfonic acid)가 본 개시내용에 따른 적합한 린스제이다. 실시예들에서, 유기산들은 본원에서 설명되는 바와 같은 pH 제어를 제공할 뿐만 아니라, 킬레이팅(chelate)되지 않는 경우 플레이트-업 막들의 형성을 촉진할 수 있는, 용액 내의 종과 결합하기에 충분한 킬레이트제들로서 또한 작용한다. 일부 실시예들에서, MSA는 1M MSA를 포함할 수 있고, 그리고 50:1로 물로 희석될 수 있다. 일부 실시예들에서, 본원에서 사용하기 위한 적합한 메탄 설폰산은 2 내지 4.5의 범위의 pH 및 0.02 M 내지 1M의 범위의 몰 농도를 갖는 메탄 설폰산을 포함한다. 실시예들에서, 예컨대, 전기 도금 용액이 약 3의 pH를 갖는 주석-은 도금 배스를 포함하는 경우, 약 3.5의 pH를 갖는 MSA의 0.04M 용액이, 수천 회의 도금 사이클들, 예컨대 2500회 초과의 도금 사이클들 후에, 플레이트-업을 방지할 정도로 충분하다.
[0035] 실시예들에서, 린스제는 메탄 설폰산을 포함하거나 또는 이로 구성된다. 예컨대, 메탄 설폰산(약 2의 pH 및 물 내의 대략 20 g/L의 농도의 MSA(methane sulfonic acid))이 전구체 층 및/또는 후속 플레이트-업의 형성을 방지하기에 충분한 양으로 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 메탄 설폰산은 본 개시내용에 따라 사용하기 위한 적합한 린스제이며, 여기서, 메탄 설폰산은 적어도 3.6 g/L의 농도를 갖고, 이의 용액은 약 3의 pH를 갖는다. 실시예들에서, 린스제, 이를테면 MSA(methane sulfonic acid)는, 10초 이상, 또는 세정되는 표면으로부터 대부분(bulk)의 도금 케미스트리를 제거하기에 충분한 지속기간 동안, 이를 필요로 하는 표면과 접촉된다.
[0036] 일부 실시예들에서, 린스제는 탄산(H2CO3)을 포함하는 산성 용액이다. 실시예들에서, 탄산이 린스제로서 적용되며, 여기서, 린스제의 pH는 전기 도금 용액 또는 전해질의 pH와 유사하거나 또는 전기 도금 용액 또는 전해질의 pH보다 다소 더 높다. 실시예들에서, 탄산 린스제는 약 3 내지 4의 pH를 달성하기 위한 압력 하에서 그리고 물에 이산화 탄소를 용해시킴으로써 형성된다. 실시예들에서, 또한, 이산화 탄소가 물에 직접 주입되어 탄산이 형성될 수 있거나, 또는 이산화 탄소가 투과성 멤브레인의 하나의 측에 가압될 수 있으며, 그 멤브레인의 다른 측에는 물이 있다. 그러한 시스템들은 상업적으로 입수가능하고, 가스 접촉기들로 흔히 알려져 있다. 가스가 배리어를 통해 확산되어 물에 용해됨으로써 탄산이 형성된다. 실시예들에서, 탄산은 플레이트-업 전구체들 및 후속 플레이트-업의 형성을 방지하기에 충분한 양들로 그리고 이에 적합한 조건들 하에서 제공된다. 실시예들에서, 예컨대, 전기 도금 용액이 약 3의 pH를 갖는 주석-은 도금 배스를 포함하는 경우, 주석-은 도금 배스를 린스하기 위해 사용될 때, 약 3 내지 4의 pH를 발생시키는 탄산의 농도가 플레이트-업을 방지하는 데 적합하다. 실시예들에서, 약 3 내지 4의 pH를 발생시키는 탄산의 농도는, 수천 회의 도금 사이클들, 예컨대 3000회 초과의 도금 사이클들 후에, 주석-은 도금 배스를 린스하기 위해 사용될 때, 플레이트-업을 방지하기에 충분하다.
[0037] 실시예들에서, 린스제는 4.5 내지 2.7의 pH를 갖는 캐소드수(cathode water)와 같은 전해수(electrolyzed water)이다. 전기 도금 용액들 및 케미스트리들에 노출된 표면들을 린스하기 위해, 감소된 pH로 캐소드수를 사용함으로써, 전기 도금 용액 및/또는 도금 배스의 성분들이 용액에 남아 있고, 표면들 상에 증착되지 않아서, 플레이트-업 전구체 막 및 결과적인 플레이트-업을 생성하지 않게 된다. 일부 실시예들에서, 이를테면, 알칼리 전기 도금 용액 또는 배스의 경우, 애노드수(anode water)가 유사한 방식으로 사용될 수 있다. 그러한 실시예들에서, 린스제와 전기 도금 용액은, 예컨대 8 내지 10의 범위 내에서, 실질적으로 유사한 pH를 가질 수 있다.
[0038] 실시예들에서, 린스제의 미리 선택된 pH를 획득하기 위해, pH 조절제가 포함될 수 있다. 예컨대, pH 조절제는 본 개시내용의 린스제에 첨가될 수 있다. 실시예들에서, pH 조절제들은 린스제의 최종 조성에서 원하는 pH 값을 획득하는 데 필요한 임의의 양으로 제공될 수 있다. 산성 pH 조절제들은 아미노산들을 포함하는 유기산들 및 무기 미네랄산들일 수 있다. 산성 pH 조절제들의 비-제한적인 예들은 아세트산, 시트르산, 푸마르산, 글루타민산, 글리콜산, 염산, 락트산, 질산, 인산, 황산수소 나트륨, 황산 등, 및 이들의 조합들을 포함한다. 실시예들에서, 모든 유기산들이 pH 조절제들로서 사용하기 위해 고려된다. 알칼리성 pH 조절제들의 비-제한적인 예들은, 알칼리 금속 수산화물들, 이를테면, 수산화 나트륨, 및 수산화 칼륨; 수산화 암모늄; 유기 염기들; 및 무기산들의 알칼리 금속염들, 이를테면, 붕산 나트륨(borax), 인산 나트륨, 피로인산 나트륨 등, 및 이들의 혼합물들을 포함한다.
[0039] 이제 도 5를 참조하면, 본 개시내용의 방법들은, 전기화학 도금 동안, 반도체 전기화학 도금 장비 또는 그 반도체 전기화학 도금 장비의 표면에서의 불용성 증착물들의 형성을 감소시키는 방법(500)을 포함한다. 실시예들에서, 방법들은, 블록(502)에 도시된 바와 같이, 전기 도금 용액으로부터 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면을 제거하는 단계를 포함하며, 여기서, 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면의 최상부에 잔류 전기 도금 용액이 배치된다. 실시예들에서, 잔류 전기 도금 용액은 제1 pH를 갖는다. 실시예들에서, 반도체 전기화학 도금 장비는, 전기 도금 용액으로부터 제거되는, 웨이퍼(100), 밀봉부(46), 및 에지(48)(도 4에 도시된 바와 같음)를 포함하며, 여기서, 밀봉부(46) 및 에지(48)의 최상부에 잔류 전기 도금 용액이 배치된다. 실시예들에서, 방법들은, 블록(504)에 도시된 바와 같이, 제1 pH와 유사한 제2 pH를 갖는 린스제와 잔류 전기 도금 용액을 접촉시켜서 린세이트를 형성하는 단계를 포함한다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같은 밀봉부(46) 및 에지(48)가, 전기 도금 용액으로부터의 제거 후에, 밀봉부(46) 및 에지(48) 상에 배치된 잔류 전기 도금 용액을 포함하는 경우, 잔류 전기 도금 용액이 제1 pH와 유사한 제2 pH를 갖는 린스제와 접촉되어 린세이트가 형성될 수 있다. 실시예들에서, 방법들은, 블록(506)에 도시된 바와 같이, 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면으로부터 린세이트를 제거하는 단계를 포함한다. 실시예들에서, 제1 pH는 제2 pH와 실질적으로 유사하다. 실시예들에서, 제1 pH는 제2 pH와 동일하다. 실시예들에서, 제1 pH는 2 내지 5이고, 제2 pH는 2 내지 5이다. 실시예들에서, 제1 pH는 3 내지 4.5이고, 제2 pH는 3 내지 4.5이다. 실시예들에서, 제1 pH는 8 내지 10이고, 제2 pH는 8 내지 10이다. 실시예들에서, 린스제는 미네랄산이다. 실시예들에서, 린스제는 탄산이다. 실시예들에서, 린스제는 린세이트로부터의 유기금속성 또는 금속성 전구체들의 석출을 방지하기에 충분한 조건들 하에서 적용된다. 일부 실시예들에서, 린스제는 잔류 전기 도금 용액의 pH를 유지하는 조건들 하에서 적용된다. 일부 실시예들에서, 잔류 전기 도금 용액과 린스제를 접촉시키는 것은 반도체 전기화학 도금 장비 또는 그 반도체 전기화학 도금 장비의 표면에서의 불용성 증착물들의 형성을 감소시킨다. 일부 실시예들에서, 표면은 밀봉부(46)와 같은 밀봉부 상에 배치된다.
[0040] 이제 도 6을 참조하면, 본 개시내용의 방법들은 전기화학 도금 장비에서의 표면들 상의 전도성 증착물들의 형성을 감소 또는 제거하는 방법(600)을 포함하며, 방법(600)은, 602에서의, 전해질을 포함하는 하나 이상의 표면들과 산성 린스제를 접촉시켜서 산성 린세이트를 형성하는 단계, 및 604에서의, 하나 이상의 표면들로부터 산성 린세이트를 흘려 보내는 단계를 포함한다. 실시예들에서, 전해질은 산성 린스제와 실질적으로 유사한 제1 pH를 갖는다. 실시예들에서, 전해질은 산성 린스제와 동일한 제1 pH를 갖는다. 실시예들에서, 전해질은 2 내지 5의 pH를 갖고, 산성 린스제는 2 내지 5의 pH를 갖는다. 실시예들에서, 전해질은 3 내지 4.5의 pH를 갖고, 산성 린스제는 3 내지 4.5의 pH를 갖는다. 일부 실시예들에서, 산성 린스제는 미네랄산이다. 일부 실시예들에서, 산성 린스제는 탄산이다. 일부 실시예들에서, 산성 린스제는 산성 린세이트로부터의 유기금속성 또는 금속성 전구체들의 석출을 방지하기에 충분한 조건들 하에서 적용된다. 일부 실시예들에서, 산성 린스제는 전해질의 pH를 유지하는 조건들 하에서 적용된다. 일부 실시예들에서, 전해질과 산성 린스제를 접촉시키는 것은 반도체 전기화학 도금 장비 또는 그 반도체 전기화학 도금 장비의 표면에서의 불용성 증착물들의 형성을 감소시킨다. 실시예들에서, 표면은 밀봉부 상에 배치된다.
[0041] 이제 도 7을 참조하면, 웨이퍼들 상의 마이크로피처들의 형성에 수반되는 다수의 프로세스 단계들을 수행하기 위해 통합 툴이 제공될 수 있다. CA, Santa Clara의 Applied Materials, Inc.에 의해 상표 RAIDER® 하에서 판매되는 프로세싱 툴 플랫폼에 구현될 수 있는 프로세싱 스테이션들의 하나의 가능한 조합이 아래에서 설명된다. 아래에서 설명되는 금속화 단계들과 같은 금속화 단계들을 수행하기 위해, 다른 프로세싱 툴 플랫폼들이 유사하거나 또는 상이한 방식들로 구성될 수 있다. 도 7을 참조하면, 예시적인 통합 프로세싱 툴, 이를테면 툴(720)은, 사전-습윤화 프로세스(722), 선택적인 금속, 이를테면 구리 증착 프로세스(724), 언더 범프 금속화(under bump metallization) 프로세스(726), 린스 프로세스(728), 합금 증착 프로세스(730), 및 스핀-린스-건조 프로세스(732)를 수행하기 위한 스테이션들을 포함한다. 그러한 프로세스 시퀀스들을 수행하기 위한 챔버들은 다양한 구성들로 배열될 수 있다. 마이크로전자 워크피스들은 로봇(robotics)(미도시)의 사용을 통해 챔버들 사이에서 이송된다. 툴(720)을 위한 로봇은 선형 트랙을 따라 이동하도록 설계된다. 대안적으로, 로봇은 중앙에 장착될 수 있고, 그리고 툴(720)의 입력 섹션(736) 및 출력 섹션(738)에 접근하기 위해 회전하도록 설계될 수 있다. 프로세싱 툴, 이를테면 툴(720)은 사용자 입력 프로세싱 레시피들 및 조건들을 구현하도록 프로그래밍될 수 있다.
[0042] 린스 프로세스(728)를 위한 린스 챔버 또는 스테이션, 및 스핀-린스-건조 프로세스(732)를 위한 스핀-린스-건조 챔버 또는 스테이션은 본원에서 설명되는 바와 같은 린스제를 포함할 수 있고, 그리고 그러한 프로세스 단계들을 수행하기 위해 다수의 제조자들로부터 입수가능한 타입일 수 있다. 그러한 챔버들의 예들은 RAIDER®ECD 시스템과 함께 입수가능한 스프레이 프로세싱 모듈들 및 침지 프로세싱 모듈들을 포함한다. 선택적인 구리 증착 프로세스(724)를 위한 선택적인 금속, 이를테면 구리 증착 챔버, 언더 범프 금속화 프로세스(726)를 위한 언더 범프 금속화 챔버, 및 합금 증착 프로세스(730)를 위한 금속 합금 증착 챔버는, RAIDER®ECD 시스템을 위한 전기 도금 프로세싱 반응기들 및 침지 프로세싱 모듈들로서 입수가능한 것들과 같은 다수의 전기 도금 및 무전해 증착 챔버들에 의해 제공될 수 있다.
[0043] 일부 실시예들에서, 본 개시내용은 명령들이 저장된 비-일시적 컴퓨터 판독가능 매체에 관한 것이고, 그 명령들은, 실행될 때, 전기화학 도금 장비에서의 표면들 상의 전도성 증착물들의 형성을 감소 또는 제거하기 위한 방법을 발생시키며, 그 방법은, 전기 도금 용액으로부터 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면을 제거하는 단계 ― 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면의 최상부에 잔류 전기 도금 용액이 배치되고, 잔류 전기 도금 용액은 제1 pH를 가짐 ―; 제1 pH와 유사한 제2 pH를 갖는 린스제와 잔류 전기 도금 용액을 접촉시켜서 린세이트를 형성하는 단계; 및 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면으로부터 린세이트를 제거하는 단계를 포함한다.
[0044] 일부 실시예들에서, 본 개시내용은 명령들이 저장된 비-일시적 컴퓨터 판독가능 매체에 관한 것이고, 그 명령들은, 실행될 때, 전기화학 도금 장비에서의 표면들 상의 전도성 증착물들의 형성을 감소 또는 제거하는 방법을 발생시키며, 그 방법은, 전해질을 포함하는 하나 이상의 표면들과 산성 린스제를 접촉시켜서 산성 린세이트를 형성하는 단계; 하나 이상의 표면들로부터 산성 린세이트를 흘려 보내는 단계를 포함한다.
[0045] 일부 실시예들에서, 본 개시내용은 반도체 디바이스들의 제조를 위해 사용되는 전기화학 도금 시스템의 밀봉 표면들 상의 금속 플레이트-업을 방지하기 위한 프로세스에 관한 것이며, 그 프로세스는, 전기 도금 배스에 노출된 표면들로부터 대부분의 도금 케미스트리를 제거하기 위해 산성 린스제를 적용하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 린스제는, 황산, 질산 및 염산을 포함하는 미네랄산들 뿐만 아니라 유기산들, 및 탄산들 중 하나 이상이다. 일부 실시예들에서, 본 개시내용은, 예컨대, 물 또는 다른 린스제와의 혼합을 위한 프로세스 스트림(process stream) 내에 이산화 탄소를 주입하거나, 또는 물과 이산화 탄소를 혼합함으로써, 사용 시점 또는 거의 사용 시점에 생성되는 산들과 같은 린스제들의 사용을 포함한다. 실시예들에서, 염화 수소 가스와 같은 가스가 린스제로서 사용될 수 있다. 실시예들에서, 본 개시내용은, 산성 도금 배스로부터의 증착물들을 방지하는 원하는 목적을 달성하기 위해, 감소된 pH를 갖는 전해수(캐소드수)의 사용을 포함한다. 일부 실시예들에서, 상승된 pH를 갖는 애노드수가 알칼리 도금 배스의 경우에 동일한 목적을 위해 사용될 수 있다.
[0046] 일부 실시예들에서, 본 개시내용은, 전기화학 도금 동안, 반도체 전기화학 도금 장비 또는 그 반도체 전기화학 도금 장비의 표면에서의 불용성 증착물들의 형성을 감소시키는 방법에 관한 것이다. 실시예들에서, 방법들은, 전기 도금 용액으로부터 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면을 제거하는 단계 ― 전기화학 도금 장비의 최상부에 잔류 전기 도금 용액이 배치됨 ―; 및 전기화학 도금 장비의 표면들 상의 유기물들, 유기금속성 및 금속성 화합물들의 증착을 방지하도록 선택된 화학 첨가제들의 첨가에 의해 개질된 수성 린스제와 잔류 전기 도금 용액을 접촉시키는 단계를 포함한다. 화학 첨가제들의 비-제한적인 예들은 pH 조절제들, 하나 이상의 유기산들, 하나 이상의 미네랄산들, 및 이들의 조합들을 포함한다.
[0047] 일부 실시예들에서, 본 개시내용은, 제1 pH와 유사한 제2 pH를 갖는 린스제와 잔류 전기 도금 용액을 접촉시켜서 린세이트를 형성하는 단계; 및 전기화학 도금 장비 또는 그 전기화학 도금 장비의 표면으로부터 린세이트를 제거하는 단계에 의해, 전기화학 도금 장비의 최상부에 배치된 잔류 전기 도금 용액을 제거하는 방법에 관한 것이며, 여기서, 잔류 전기 도금 용액은 제1 pH를 갖는다. 일부 실시예들에서, 제1 pH는 제2 pH와 실질적으로 유사하다. 일부 실시예들에서, 제1 pH는 제2 pH와 동일하다. 일부 실시예들에서, 제1 pH는 2 내지 5이고, 제2 pH는 2 내지 5이다. 일부 실시예들에서, 린스제는 미네랄산이다. 실시예들에서, 린스제는 탄산이다. 실시예들에서, 린스제는 린세이트로부터의 유기금속성 또는 금속성 전구체들의 석출을 방지하기에 충분한 조건들 하에서 적용된다. 일부 실시예들에서, 본 개시내용에 따른 린스제의 적용 후에, 부가적인 린스 프로세스에서 DI 물과 같은 물이 공급될 수 있다.
[0048] 일부 실시예들에서, 본 개시내용에 따른 린스제의 사용은 이를 필요로 하는 표면들의 세정을 개선 또는 향상시키기 위해, 음파, 초음파, 또는 기계 에너지를 동반할 수 있다.
[0049] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전기화학 도금 동안 반도체 전기화학 도금 장비 또는 반도체 전기화학 도금 장비의 표면에서의 불용성 증착물들의 형성을 감소시키는 방법으로서,
    전해질의 전기 도금 용액으로부터 전기화학 도금 장비 또는 상기 전기화학 도금 장비의 표면을 제거하는 단계 ― 상기 전기화학 도금 장비 또는 상기 전기화학 도금 장비의 표면의 최상부에 잔류 전기 도금 용액이 배치되고, 상기 잔류 전기 도금 용액은 제1 pH를 가짐 ―;
    상기 제1 pH와 동일한 제2 pH를 갖는 린스제와 상기 잔류 전기 도금 용액을 접촉시켜서 린세이트(rinsate)를 형성하는 단계 ― 상기 린스제는 미네랄산(mineral acid)임 ―; 및
    상기 전기화학 도금 장비 또는 상기 전기화학 도금 장비의 표면으로부터 상기 린세이트를 제거하는 단계를 포함하는,
    방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 pH는 2 내지 5이고, 상기 제2 pH는 2 내지 5인,
    방법.
  5. 삭제
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 pH는 8 내지 10이고, 상기 제2 pH는 8 내지 10인,
    방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 린스제는 상기 린세이트로부터의 유기금속성 또는 금속성 전구체들의 석출(precipitation)을 방지하기 위해 미리 결정된 pH를 가지는,
    방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 린스제는 상기 잔류 전기 도금 용액의 pH를 유지하는 조건들 하에서 적용되는,
    방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 린스제와 상기 잔류 전기 도금 용액을 접촉시키는 것은, 상기 반도체 전기화학 도금 장비 또는 상기 반도체 전기화학 도금 장비의 표면에서의 불용성 증착물들의 형성을 감소시키는,
    방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 표면은 밀봉부 상에 배치되는,
    방법.
  11. 전기화학 도금 장비에서의 표면들 상의 전도성 증착물들의 형성을 감소 또는 제거하는 방법으로서,
    전해질을 포함하는 하나 이상의 표면들과 산성 린스제를 접촉시켜서 산성 린세이트를 형성하는 단계; 및
    상기 하나 이상의 표면들로부터 상기 산성 린세이트를 흘려 보내는(flow away) 단계를 포함하고,
    상기 전해질은 상기 산성 린스제와 동일한 제1 pH를 갖고,
    상기 전해질은 2 내지 5의 pH를 갖고, 상기 산성 린스제는 2 내지 5의 pH를 가지며,
    상기 산성 린스제는 미네랄산인,
    방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제11 항에 있어서,
    상기 산성 린스제는 탄산을 포함하는,
    방법.
  17. 제11 항에 있어서,
    상기 산성 린스제는 상기 산성 린세이트로부터의 유기금속성 또는 금속성 전구체들의 석출을 방지하기 위해 미리 결정된 pH를 가지는,
    방법.
  18. 제11 항에 있어서,
    상기 산성 린스제는 상기 전해질의 pH를 유지하는 조건들 하에서 적용되는,
    방법.
  19. 제11 항에 있어서,
    상기 전해질과 상기 산성 린스제를 접촉시키는 것은, 반도체 전기화학 도금 장비 또는 상기 반도체 전기화학 도금 장비의 표면에서의 불용성 증착물들의 형성을 감소시키는,
    방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 표면은 밀봉부 상에 배치되는,
    방법.
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