KR102423437B1 - Light source module, backlight unit and display device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 광원 모듈은 리드 전극과 몰드 프레임을 삭제한 발광 다이오드칩을 이용하여, 상기 발광 다이오드칩간의 간격을 줄일 수 있어 핫스팟 현상을 방지하고 광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 연성 인쇄회로기판에 상기 발광 다이오드칩을 직접 실장하고 전도성 와이어로 전기적 신호를 전달하며, 발광 다이오드칩의 일측면과 타측면을 감싸는 벤딩 구조를 이룸으로써, 공정단순화 및 공임비 절약의 효과를 이룰 수 있다. The light source module according to the present invention uses a light emitting diode chip in which a lead electrode and a mold frame are removed, and thus the distance between the light emitting diode chips can be reduced, thereby preventing a hot spot phenomenon and improving light efficiency. In addition, by directly mounting the light emitting diode chip on a flexible printed circuit board, transmitting an electrical signal with a conductive wire, and forming a bending structure that wraps one side and the other side of the light emitting diode chip, the effect of process simplification and labor cost savings can be achieved. have.

Description

광원 모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛과 표시장치{LIGHT SOURCE MODULE, BACKLIGHT UNIT AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}Light source module, backlight unit and display device using the same

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 광원 모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛과 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a light source module, a backlight unit using the same, and a display device.

일반적으로, 발광 다이오드(Light Emitting Diode)는 전기 에너지를 광으로 변환하는 반도체 소자로서 기존의 형광등 또는 백열등을 대체하여 전자제품의 표시부, 각종 표시기구, 및 차량의 조명 장치에 널리 사용되고 있다.In general, a light emitting diode (Light Emitting Diode) is a semiconductor device that converts electrical energy into light, and is widely used in display units of electronic products, various display devices, and lighting devices of vehicles by replacing conventional fluorescent or incandescent lamps.

특히, 발광 다이오드는 기존의 형광등에 비해 긴 수명, 빠른 응답특성, 적은 소비전력 및 소형화가 가능하다는 장점으로 인하여 액정 표시 장치의 광원으로 널리 사용되고 있다.In particular, the light emitting diode is widely used as a light source of a liquid crystal display because of its advantages of long lifespan, fast response characteristics, low power consumption, and miniaturization compared to conventional fluorescent lamps.

도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a conventional light emitting diode package.

도 1을 참조하면, 종래의 발광 다이오드 패키지는 일정 간격으로 이격되면서 서로 나란한 제 1 및 제 2 리드 전극(10, 20), 제 1 및 제 2 리드 전극(10, 20)의 가장자리 부분에 마련되어 발광 공간을 정의하는 몰드 프레임(30), 전도성 페이스트(45)에 의해 제 1 리드 전극(10) 및/또는 제 2 리드 전극(20)에 본딩되어 발광 공간에 배치된 발광 다이오드 칩(light emitting diode chip; 40), 발광 다이오드 칩(40)의 상면 일측에 마련된 제 1 단자(42)를 제 1 리드 전극(10)에 연결하는 제 1 와이어(50), 발광 다이오드 칩(40)의 상면 타측에 마련된 제 2 단자(42)를 제 2 리드 전극(20)에 연결하는 제 2 와이어(60), 및 발광 다이오드 칩(40)과 제 1 및 제 2 와이어(50, 60)를 덮도록 발광 공간에 충진된 봉지층(encapsulation layer; 70)으로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 1 , a conventional light emitting diode package is provided at the edge of first and second lead electrodes 10 and 20 and the first and second lead electrodes 10 and 20 that are spaced apart from each other and parallel to each other to emit light. A light emitting diode chip bonded to the first lead electrode 10 and/or the second lead electrode 20 by the mold frame 30 defining the space and the conductive paste 45 and disposed in the light emitting space 40), a first wire 50 connecting the first terminal 42 provided on one side of the upper surface of the light emitting diode chip 40 to the first lead electrode 10, provided on the other side of the upper surface of the light emitting diode chip 40 The second wire 60 connecting the second terminal 42 to the second lead electrode 20 and the light emitting space are filled to cover the light emitting diode chip 40 and the first and second wires 50 and 60 . and an encapsulation layer 70 .

발광 다이오드 칩(40)은 봉지층(70)의 전면(前面)에 마련된 출광면(72)으로 광을 방출하는 에피 칩(Epi Chip)일 수 있으며, 예를 들어, 청색 광을 방출하는 청색 에피 칩일 수 있다. 봉지층(70)은 형광체(Phosphor; 72)를 포함하도록 형성된다.The light emitting diode chip 40 may be an epi chip emitting light to the light exit surface 72 provided on the front surface of the encapsulation layer 70 , for example, a blue epi chip emitting blue light. It may be a chip. The encapsulation layer 70 is formed to include a phosphor 72 .

이러한 종래의 발광 다이오드 패키지는 제 1 및 제 2 리드 전극(10, 20)에 인가되는 구동 전원에 따라 발광 다이오드 칩(40)의 발광에 의해 제 1 컬러 광(CL1) 이 방출되고, 발광 다이오드 칩(40)의 1차 발광에 의해 방출되는 제 1 컬러 광(CL1) 중 일부는 봉지층(70)에 혼합되어 있는 형광체(72)에 의한 광 흡수와 2차 발광에 의해 제 2 컬러 광(미도시)으로 변환되어 봉지층(70)의 출광면(74)으로 방출되고, 제 1 컬러 광(CL1) 중 나머지는 형광체에 의해 산란되어 출광면(74)으로 방출된다. 이에 따라, 종래의 발광 다이오드 패키지는 제 1 컬러 광(CL1)과 제 2 컬러 광의 혼합에 의해 백색 광을 방출하게 된다. 여기서, 제 1 컬러 광(CL1)은 청색 광이 될 수 있으며, 제 2 컬러 광은 황색 광이 될 수 있다.In such a conventional light emitting diode package, the first color light CL1 is emitted by the light emitting diode chip 40 according to the driving power applied to the first and second lead electrodes 10 and 20 , and the light emitting diode chip A part of the first color light CL1 emitted by the primary light emission of 40 is absorbed by the phosphor 72 mixed in the encapsulation layer 70 and the second color light (not shown) due to the secondary emission. time) and emitted to the light exit surface 74 of the encapsulation layer 70 , and the remainder of the first color light CL1 is scattered by the phosphor and emitted to the light exit surface 74 . Accordingly, the conventional light emitting diode package emits white light by mixing the first color light CL1 and the second color light. Here, the first color light CL1 may be blue light, and the second color light may be yellow light.

이와 같은, 종래의 발광 다이오드 패키지는 다음과 같은 문제점이 있다.Such a conventional light emitting diode package has the following problems.

첫째, 발광 다이오드 칩(40)에 의해 발생되는 제 1 컬러 광(CL1)이 제 1 단자(42) 및/또는 제 2 단자(44)와 제 1 및 제 2 와이어(50, 60)에 의해 흡수되어 광 손실이 발생된다.First, the first color light CL1 generated by the light emitting diode chip 40 is absorbed by the first terminal 42 and/or the second terminal 44 and the first and second wires 50 and 60 . resulting in light loss.

둘째, 형광체의 2차 발광에 의해 발생되는 제 2 컬러 광 역시 제 1 단자(42) 및/또는 제 2 단자(44)와 제 1 및 제 2 와이어(50, 60)에 의해 흡수되어 광 손실이 발생된다.Second, the second color light generated by the secondary light emission of the phosphor is also absorbed by the first terminal 42 and/or the second terminal 44 and the first and second wires 50 and 60 to reduce light loss. occurs

셋째, 몰드 프레임의 내측 경사면의 기울기에 따른 광 지향각을 가지기 때문에 넓은 광 지향각을 가지는데 한계가 있다.Third, since it has a light beam angle according to the inclination of the inner inclined surface of the mold frame, there is a limitation in having a wide beam beam angle.

넷째, 각각의 발광 다이오드 패키지의 크기 및 공차 간격 설계로 인해 발광 다이오드칩 간의 간격을 줄이기 위한 제약이 따른다.Fourth, due to the size and tolerance design of each light emitting diode package, there is a constraint to reduce the gap between the light emitting diode chips.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 발광 다이오드칩간의 간격을 최소로 설계하여 핫스팟(hot spot) 현상을 방지하고, 베젤의 크기를 최소화 하여 미감을 증진시킨 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention has been devised to solve the above problems, and it is technically to provide a display device in which the distance between light emitting diode chips is minimized to prevent a hot spot phenomenon, and to improve aesthetics by minimizing the size of the bezel. make it a task

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 광원 모듈은 제 1 영역 및 상기 제 1 영역에서 절곡된 제 2 영역을 구비한 인쇄회로기판, 상기 인쇄회로기판의 제 1 영역 상에 구비된 제 1 연결 배선, 상기 인쇄회로기판의 제 2 영역 상에 구비된 제 2 연결 배선, 상기 인쇄회로기판의 제 2 영역 상에서 상기 제 2 연결 배선과 이격되도록 구비된 패드 및 상기 패드 상에 배치되어 상기 패드와 전기적으로 연결되는 발광 다이오드칩을 포함할 수 있다.A light source module according to the present invention for achieving the above technical problem is a printed circuit board having a first area and a second area bent in the first area, a first provided on the first area of the printed circuit board a connection wire, a second connection wire provided on the second area of the printed circuit board, a pad provided on the second area of the printed circuit board to be spaced apart from the second connection line, and a pad disposed on the pad to form a contact with the pad It may include a light emitting diode chip electrically connected.

상기 과제의 해결 수단에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.According to the means for solving the above problems, the following effects are obtained.

첫째, 발광 다이오드 칩의 제 1 및 제 2 단자와 전도성 와이어의 광 흡수에 의한 광 손실을 방지함으로써 발광 다이오드 패키지의 광 효율을 향상시킬 수 있다.First, the light efficiency of the light emitting diode package may be improved by preventing light loss due to light absorption of the first and second terminals of the light emitting diode chip and the conductive wire.

둘째, 발광 다이오드칩 간의 간격을 최소화 함으로써 도광판의 입광부에서 발생되는 핫스팟 현상을 개선할 수 있다.Second, by minimizing the gap between the light emitting diode chips, it is possible to improve the hot spot phenomenon occurring in the light incident portion of the light guide plate.

셋째, 발광 다이오드칩 간의 간격을 최소화 함으로써 베젤의 크기를 줄여 미감이 증진된 표시 장치를 얻을 수 있다.Third, a display device with improved aesthetics can be obtained by reducing the size of the bezel by minimizing the gap between the light emitting diode chips.

도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드칩을 나타내는 도면이다.
도 4은 도 2에 도시된 선 I-I'의 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 선 II-II'의 단면도이다.
도 6는 본 발명에 따른 광원 모듈의 하면을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 광원 모듈과 도광판의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 예에 따른 광원 모듈의 하면을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 예에 따른 광원 모듈과 도광판의 모습을 나타내는 사시도이다.1 is a view for explaining a conventional light emitting diode package.
2 is a diagram schematically illustrating a display device according to the present invention.
3 is a view showing a light emitting diode chip according to the present invention.
Fig. 4 is a cross-sectional view taken along the line II' shown in Fig. 2;
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line II-II' shown in FIG. 2 .
6 is a view showing the lower surface of the light source module according to the present invention.
7 is a perspective view illustrating a light source module and a light guide plate according to the present invention.
8 is a view showing a lower surface of a light source module according to another example of the present invention.
9 is a perspective view illustrating a light source module and a light guide plate according to another example of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative and the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described as 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 선 I-I'의 단면도를 나타내는 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드칩을 나타내는 사시도 이다. 이하 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 표시 장치를 설명한다.FIG. 2 is a view showing a display device according to the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line I-I' shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a perspective view showing a light emitting diode chip according to the present invention. Hereinafter, a display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4 .

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표시 장치는 표시 영역(A/A)과 비표시 영역(N/A) 및 광원부를 포함한다. As shown in FIG. 2 , the display device according to the present invention includes a display area A/A, a non-display area N/A, and a light source unit.

상기 표시 영역(A/A)은 화상이 구현되는 영역이며, 상기 비표시 영역(N/A)은 화상이 구현되지 않고, 표시 영역(A/A)의 화상을 구현하기 위한 각종 회로부가 포함되는 영역이다. 상기 광원부는 본 발명에 따른 광원 모듈(100)을 포함하며, 표시 영역(A/A)의 화상을 구현하기 위한 광을 전달하는 영역이다.The display area (A/A) is an area in which an image is implemented, and the non-display area (N/A) is an area in which an image is not implemented, and various circuit units for implementing an image in the display area (A/A) are included. is the area The light source unit includes the light source module 100 according to the present invention, and is an area that transmits light for realizing an image of the display area A/A.

도 3에 도시된 단면도를 참조하면, 본 발명에 따른 표시 장치는 광원 모듈(100), 도광판(600), 반사 시트(650), 광학 시트류(700), 표시 패널(800), 가이드 프레임(850) 및 후면 커버(900)를 포함한다.3 , the display device according to the present invention includes a light source module 100 , a light guide plate 600 , a reflective sheet 650 , optical sheets 700 , a display panel 800 , and a guide frame ( 850 ) and a rear cover 900 .

상기 광원 모듈(100)은 발광 다이오드칩(470)과 인쇄회로기판(200)을 포함한다. 일 예에 따른 상기 발광 다이오드칩(470)은 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(471), 버퍼층(472), 제 1 반도체층(473), 활성층(474), 제 2 반도체층(475), 제 1 전극(477), 제 2 전극(476), 및 반사층(478)을 포함한다. 인쇄회로기판(200)은 도 5 및 도 6을 참조하여 후술하기로 한다.The light source module 100 includes a light emitting diode chip 470 and a printed circuit board 200 . As shown in FIG. 4 , the light emitting diode chip 470 according to an example includes a substrate 471 , a buffer layer 472 , a first semiconductor layer 473 , an active layer 474 , and a second semiconductor layer 475 . , a first electrode 477 , a second electrode 476 , and a reflective layer 478 . The printed circuit board 200 will be described later with reference to FIGS. 5 and 6 .

상기 기판(471)은 사파이어(Al2O3), 실리콘카바이트(SiC), 아연산화물(ZnO), 실리콘(Si), 또는 갈륨비소(GaAs) 등과 같은 물질로 이루어질 수 있다. 여기서, 사파이어의 경우, 비교적 GaN계 반도체 물질의 성장이 용이하며 고온에서 안정하기 때문에 청색 또는 녹색 발광소자용 기판으로 주로 사용된다. 이에 따라, 기판(471)은 사파이어 기판일 수 있다. The substrate 471 may be made of a material such as sapphire (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), zinc oxide (ZnO), silicon (Si), or gallium arsenide (GaAs). Here, in the case of sapphire, it is relatively easy to grow a GaN-based semiconductor material and is stable at a high temperature, so it is mainly used as a substrate for a blue or green light emitting device. Accordingly, the substrate 471 may be a sapphire substrate.

상기 버퍼층(472)은 기판(471)과 제 1 반도체층(473) 간의 격자 상수 차이를 줄이기 위해 기판(471)과 제 1 반도체층(473) 사이에 형성되는 것으로서, GaN 또는 AlN의 물질로 이루어질 수 있다.The buffer layer 472 is formed between the substrate 471 and the first semiconductor layer 473 in order to reduce a lattice constant difference between the substrate 471 and the first semiconductor layer 473, and is made of a material of GaN or AlN. can

상기 제 1 반도체층(473)은 버퍼층(472) 상에 형성되어 활성층(474)에 전자를 제공한다. 일 예에 따른 제 1 반도체층(473)은 n-GaN계 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, n-GaN계 반도체 물질로는 GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN 등이 될 수 있다. 여기서, 제 1 반도체층(473)의 도핑에 사용되는 불순물로는 Si, Ge, Se, Te, 또는 C 등이 사용될 수 있다.The first semiconductor layer 473 is formed on the buffer layer 472 to provide electrons to the active layer 474 . The first semiconductor layer 473 according to an example may be made of an n-GaN-based semiconductor material, and the n-GaN-based semiconductor material may be GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, or the like. Here, Si, Ge, Se, Te, or C may be used as an impurity used for doping the first semiconductor layer 473 .

상기 활성층(474)은 제 1 반도체층(473) 상에 형성되어 광을 방출한다. 여기서, 활성층(474)은 제 1 반도체층(473)의 일측 가장자리 부분을 제외한 나머지 부분에 형성된다. 이러한, 활성층(474)은 우물층과 우물층보다 밴드 갭이 높은 장벽층을 갖는 다중 양자 우물(MQW; Multi Quantum Well) 구조를 갖는다. 예를 들어, 발광 다이오드 칩(470)은 InGaN/GaN 등의 다중 양자 우물 구조를 가질 수 있다.The active layer 474 is formed on the first semiconductor layer 473 to emit light. Here, the active layer 474 is formed on the remaining portion except for one edge portion of the first semiconductor layer 473 . The active layer 474 has a multi-quantum well (MQW) structure having a well layer and a barrier layer having a higher band gap than the well layer. For example, the light emitting diode chip 470 may have a multi-quantum well structure such as InGaN/GaN.

상기 제 2 반도체층(475)은 활성층(474) 상에 형성되어 활성층(474)에 정공을 제공한다. 일 예에 따른 제 2 반도체층(475)은 p-GaN계 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, p-GaN 계 반도체 물질로는 GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN 등이 될 수 있다. 여기서, 제 2 반도체층(474)의 도핑에 사용되는 불순물로는 Mg, Zn, 또는 Be 등이 이용될 수 있다.The second semiconductor layer 475 is formed on the active layer 474 to provide holes to the active layer 474 . The second semiconductor layer 475 according to an example may be made of a p-GaN-based semiconductor material, and the p-GaN-based semiconductor material may be GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, or the like. Here, Mg, Zn, Be, or the like may be used as an impurity used for doping the second semiconductor layer 474 .

상기 제 2 반도체층(475) 상에는 투명 전극층(미도시)이 추가로 형성될 수 있다. 상기 투명 전극층은 비교적 높은 에너지 밴드 갭을 갖는 제 2 반도체층(475)과의 접촉저항을 감소시킨다. 이러한 투명 전극층은 활성층(474)에서 생성되는 광이 상부로 방출될 수 있도록 투광성 재질로 이루어질 수 있다.A transparent electrode layer (not shown) may be additionally formed on the second semiconductor layer 475 . The transparent electrode layer reduces contact resistance with the second semiconductor layer 475 having a relatively high energy band gap. The transparent electrode layer may be made of a light-transmitting material so that light generated in the active layer 474 may be emitted upward.

상기 제 2 전극(476)은 제 1 반도체층(473) 상에 형성된다. 이러한 제 2 전극(476)는 Ti, Cr, Al, 및 Au 중에서 선택된 어느 하나 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어진 단층 구조 또는 복층 구조로 형성될 수 있다.The second electrode 476 is formed on the first semiconductor layer 473 . The second electrode 476 may have a single-layer structure or a multi-layer structure made of any one material selected from Ti, Cr, Al, and Au or an alloy material of two or more.

상기 제 1 전극(477)은 활성층(474)상에 형성된다. 상기 제 1 전극(477)은 제 2 전극(476)과 단차지면서 발광 다이오드 칩(470)의 일면과 이격되는 타면에 마련된다. 이러한 제 1 전극(477)은 Ti, Cr, Al, 및 Au 중에서 선택된 어느 하나 물질 또는 2 이상의 합금 물질로 이루어진 단층 구조 또는 복층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 477 is formed on the active layer 474 . The first electrode 477 is provided on the other surface spaced apart from one surface of the light emitting diode chip 470 while stepping from the second electrode 476 . The first electrode 477 may have a single-layer structure or a multi-layer structure made of any one material selected from Ti, Cr, Al, and Au or an alloy material of two or more.

상기 반사층(478)은 활성층(473)과 제 1 전극(477)사이에 개재되어 활성층(473)에서 발생되는 광을 기판(471) 쪽으로 반사시켜 발광 다이오드 칩(470)의 출광 효율을 향상시킨다. 여기서, 반사층(478)은 적어도 하나의 비아 홀(via hole)을 가지며, 제 1 전극(477)은 반사층(478)을 관통하여, 즉, 비아 홀을 통해 활성층(473)에 전기적으로 연결된다. 일 예에 따른 반사층(478)은 반사 효율의 향상을 위해, 분산 브라그 반사체(Distributed Bragg Reflector) 구조를 가질 수 있으며, SiO2 및 TiO2의 적층 구조를 가질 수 있다. 이러한 반사층(478)은 100nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.The reflective layer 478 is interposed between the active layer 473 and the first electrode 477 to reflect the light generated from the active layer 473 toward the substrate 471 to improve the light output efficiency of the light emitting diode chip 470 . Here, the reflective layer 478 has at least one via hole, and the first electrode 477 penetrates the reflective layer 478 , ie, is electrically connected to the active layer 473 through the via hole. In order to improve reflection efficiency, the reflective layer 478 according to an example may have a distributed Bragg reflector structure, and may have a stacked structure of SiO 2 and TiO 2 . The reflective layer 478 may be formed to a thickness of 100 nm or less.

상기 도광판(600)은 적어도 일측면에 마련된 입광부를 포함하도록 사각 플레이트 형태를 갖는다. 이러한 도광판(600)은 입광부로부터 입사되는 광을 상면 방향으로 출사시키기 위한 광학 패턴(미도시)을 포함할 수 있다.The light guide plate 600 has a rectangular plate shape to include a light incident portion provided on at least one side thereof. The light guide plate 600 may include an optical pattern (not shown) for emitting the light incident from the light incident part in the upper surface direction.

상기 반사 시트(700)는 도광판(600)의 하부를 덮도록 배치된다. 이러한 반사 시트(700)는 도광판(600)의 하면을 통과하여 입사되는 광을 도광판(600)의 내부 쪽으로 반사시킴으로써 광의 손실을 최소화한다.The reflective sheet 700 is disposed to cover a lower portion of the light guide plate 600 . The reflective sheet 700 minimizes light loss by reflecting light incident through the lower surface of the light guide plate 600 toward the inside of the light guide plate 600 .

상기 광학 시트류(700)는 도광판(600)의 상에 배치되어 도광판(600)으로부터 출사되는 광의 휘도 특성을 향상시키는 역할을 한다. 예를 들어, 광학 시트류(700)는 하부 확산 시트, 프리즘 시트, 및 상부 확산 시트를 포함하여 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 확산 시트, 프리즘 시트, 이중 휘도 강화 필름(dual brightness enhancement film), 및 렌티귤러 시트 중에서 선택된 2개 이상의 적층 조합으로 이루어질 수 있다.The optical sheets 700 are disposed on the light guide plate 600 to improve luminance characteristics of light emitted from the light guide plate 600 . For example, the optical sheets 700 may include, but are not limited to, a lower diffusion sheet, a prism sheet, and an upper diffusion sheet, and a diffusion sheet, a prism sheet, and a dual brightness enhancement film. , and may be made of a laminated combination of two or more selected from lenticular sheets.

상기 표시 패널(800)은 액정층을 사이에 두고 대향 합착된 하부 기판(801)과 상부 기판(803)으로 구성되며, 광원 모듈(100)로부터 조사되는 광을 이용하여 소정의 영상을 표시한다.The display panel 800 includes a lower substrate 801 and an upper substrate 803 that are bonded to each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and displays a predetermined image using light emitted from the light source module 100 .

상기 하부 기판(801)은 박막 트랜지스터 어레이 기판으로서, 복수의 게이트 라인(미도시)과 복수의 데이터 라인(미도시)에 의해 교차되는 화소 영역마다 형성된 복수의 화소(미도시)를 포함한다. 각 화소는 게이트 라인과 데이터 라인에 접속된 박막 트랜지스터(미도시), 박막 트랜지스터에 접속된 화소 전극, 및 화소 전극에 인접하도록 형성되어 공통 전압이 공급되는 공통 전극을 포함하여 구성될 수 있다.The lower substrate 801 is a thin film transistor array substrate, and includes a plurality of pixels (not shown) formed in each pixel area intersected by a plurality of gate lines (not shown) and a plurality of data lines (not shown). Each pixel may include a thin film transistor (not shown) connected to a gate line and a data line, a pixel electrode connected to the thin film transistor, and a common electrode formed adjacent to the pixel electrode to supply a common voltage.

상기 하부 기판(801)의 하측 가장자리 부분에는 각 신호 라인에 접속되어 있는 패드부(미도시)가 마련되고, 상기 패드부는 패널 구동부(미도시)와 연결된다. 또한, 상기 하부 기판(801)의 좌측 또는/및 우측 가장자리 부분에는 표시 패널(800)의 게이트 라인에 게이트 신호를 공급하기 위한 게이트 구동 회로(미도시)가 형성되어 있다. 게이트 구동 회로는 각 게이트 라인에 접속되도록 각 화소의 박막 트랜지스터 제조 공정과 함께 형성된다.A pad part (not shown) connected to each signal line is provided on a lower edge of the lower substrate 801 , and the pad part is connected to a panel driver (not shown). Also, a gate driving circuit (not shown) for supplying a gate signal to a gate line of the display panel 800 is formed on the left and/or right edge of the lower substrate 801 . A gate driving circuit is formed together with the thin film transistor manufacturing process of each pixel so as to be connected to each gate line.

상기 상부 기판(803)은 하부 기판(801)에 형성된 각 화소 영역에 중첩되는 개구 영역을 정의하는 화소 정의 패턴, 및 개구 영역에 형성된 컬러 필터를 포함한다. 이러한 상부 기판(803)은 실런트(sealant)에 의해 액정층을 사이에 두고 하부 기판(801)과 대향 합착되어 하부 기판(801)의 패드부를 제외한 나머지 하부 기판(803)의 전체를 덮는다.The upper substrate 803 includes a pixel defining pattern defining an opening region overlapping each pixel region formed on the lower substrate 801 , and a color filter formed in the opening region. The upper substrate 803 is oppositely bonded to the lower substrate 801 with a liquid crystal layer interposed therebetween by a sealant to cover the entire lower substrate 803 except for the pad portion of the lower substrate 801 .

상기 하부 기판(801)과 상부 기판(803) 중 적어도 하나는 액정의 프리틸트 각을 설정하기 위한 배향막(미도시)이 형성된다. 상기 액정층은 하부 기판(801) 및 상부 기판(803) 사이에 개재되는 것으로, 각 화소마다 화소 전극에 인가되는 데이터 전압과 공통 전압에 의해 형성되는 횡전계에 따라 액정 분자들이 수평 방향으로 배열되는 액정으로 이루어진다.At least one of the lower substrate 801 and the upper substrate 803 is formed with an alignment layer (not shown) for setting a pretilt angle of the liquid crystal. The liquid crystal layer is interposed between the lower substrate 801 and the upper substrate 803, and liquid crystal molecules are arranged in a horizontal direction according to a transverse electric field formed by a data voltage and a common voltage applied to the pixel electrode for each pixel. made of liquid

상기 하부 기판(801)의 후면에는 제 1 편광축을 갖는 하부 편광 부재(805)가 부착되어 있고, 상기 상부 기판(803)의 전면(前面)에는 제 1 편광축과 교차하는 제 2 편광축을 갖는 상부 편광 부재(807)이 부착되어 있다.A lower polarization member 805 having a first polarization axis is attached to the rear surface of the lower substrate 801 , and upper polarized light having a second polarization axis intersecting the first polarization axis is attached to the front surface of the upper substrate 803 . A member 807 is attached.

이와 같은, 표시 패널(800)은 각 화소별로 인가되는 데이터 전압과 공통 전압에 의해 각 화소마다 형성되는 전계에 따라 액정층을 구동함으로써 액정층의 광 투과율에 따라 소정의 컬러 영상을 표시하게 된다.As described above, the display panel 800 drives the liquid crystal layer according to the electric field formed for each pixel by the data voltage and the common voltage applied to each pixel, thereby displaying a predetermined color image according to the light transmittance of the liquid crystal layer.

상기 가이드 프레임(850) 사각띠 형태로 형성되어 표시 패널(800)의 후면 가장자리 부분을 지지된다. 여기서, 가이드 프레임(850)의 패널 지지부(810)는 양면 테이프, 열 경화성 수지, 또는 광 경화성 수지와 같은 접착 부재를 통해 표시 패널(800)의 후면 가장자리 부분과 물리적으로 결합될 수 있다. 본 발명에 따른 광원 모듈에서 상기 가이드 프레임(850)은 제거되고, 인쇄회로기판(200)이 상기 가이드 프레임(850)의 역할을 대신할 수 있다.The guide frame 850 is formed in a rectangular band shape to support a rear edge portion of the display panel 800 . Here, the panel support 810 of the guide frame 850 may be physically coupled to the rear edge portion of the display panel 800 through an adhesive member such as a double-sided tape, a thermosetting resin, or a photocurable resin. In the light source module according to the present invention, the guide frame 850 may be removed, and the printed circuit board 200 may take the place of the guide frame 850 .

상기 후면 커버(900) 표시 장치의 최외곽 후면과 측면을 구성하는 것으로, 표시 패널(800)의 전면(前面)을 제외한 표시 패널(800)의 각 측면을 둘러쌈으로써 액정 표시 패널(800)의 전면(前面) 전체를 액정 표시 장치의 전방으로 노출시킨다.The rear cover 900 constitutes the outermost rear surface and side surfaces of the display device, and surrounds each side surface of the display panel 800 except for the front surface of the display panel 800 . The entire front surface is exposed in front of the liquid crystal display device.

도 5는 도 2 에 도시된 선 II-II'를 나타내는 단면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 광원 모듈의 하면을 나타내는 도면이다.5 is a cross-sectional view taken along the line II-II' shown in FIG. 2 , and FIG. 6 is a view showing the lower surface of the light source module according to the present invention.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 광원 모듈(100)의 인쇄회로기판(200)은 제 1 영역(300) 및 제 2 영역(400)으로 구분되며, 베이스 필름(201), 패드들(420, 430, 440) 및 커버 필름(203)을 포함하여 이루어질 수 있다. 중복을 피하기 위해 도 2 내지 도 4에서 서술한 부분에 대한 설명은 생략하기로 한다.5 and 6, the printed circuit board 200 of the light source module 100 according to the present invention is divided into a first area 300 and a second area 400, the base film 201, the pad It may include the ones 420 , 430 , 440 and a cover film 203 . In order to avoid duplication, descriptions of the parts described in FIGS. 2 to 4 will be omitted.

상기 인쇄회로기판(200)은 전술한 발광 다이오드칩(470)과 회로 부품이 실장되며, 유연한 재질의 연성 인쇄회로기판(Flexible Printed Circuit Board)일 수 있다. 본 발명에서는 상기 인쇄회로기판(200)의 일 예로서 연성 인쇄회로기판인 것을 기준으로 설명한다.The printed circuit board 200 has the above-described light emitting diode chip 470 and circuit components mounted thereon, and may be a flexible printed circuit board made of a flexible material. In the present invention, as an example of the printed circuit board 200, a flexible printed circuit board will be described.

상기 인쇄회로기판(200)은 베이스 필름(201), 상기 베이스 필름(200) 상면에 배치되는 패드들(420, 430, 440) 및 상기 패드들(420, 430, 440)의 상면 및 상기 베이스 필름(200)의 일면 상에 배치된 커버 필름(203)을 포함하여 이루어질 수 있다The printed circuit board 200 includes a base film 201 , pads 420 , 430 , 440 disposed on an upper surface of the base film 200 , and upper surfaces of the pads 420 , 430 , 440 and the base film. It may include a cover film 203 disposed on one surface of the 200 .

상기 베이스 필름(201)은 본 발명에 따른 인쇄회로기판(200)의 하면에 배치되며, 유연성을 갖는 필름으로 폴리이미드(Polyimid)로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 베이스 필름(201)은 TAC(triacetyl cellulose) 또는 DAC(diacetyl cellulose) 등과 같은 셀룰로오스 수지(Cellulose resin), 노르보르넨 유도체(Norbornene derivatives) 등의 COP(cyclo olefin polymer), COC(cyclo olefin copolymer), PMMA(poly(methylmethacrylate) 등의 아크릴 수지(acrylic resin), PC(polycarbonate), PE(polyethylene) 또는 PP(polypropylene) 등을 포함하는 시트 또는 필름일 수 있다. 상기 베이스 필름(201)은 후술할 전도성 와이어(450)가 제 3 패드(440)가 접촉할 수 있는 접촉홀을 구비할 수 있다.The base film 201 is disposed on the lower surface of the printed circuit board 200 according to the present invention, and is a flexible film and may be made of polyimide, but is not limited thereto. For example, the base film 201 may include a cellulose resin such as triacetyl cellulose (TAC) or diacetyl cellulose (DAC), a cyclo olefin polymer (COP) such as norbornene derivatives, and a COC (COC). It may be a sheet or film including cyclo olefin copolymer), acrylic resin such as poly(methylmethacrylate) (PMMA), PC (polycarbonate), PE (polyethylene) or PP (polypropylene), etc. The base film 201 ) may include a contact hole through which a conductive wire 450 to be described later may contact the third pad 440 .

상기 패드들(420, 430, 440)은 상기 베이스 필름(201) 상에 형성되며, 열전도율이 높은 Al 또는 Ag/Cu로 이루어질 수 있다. 상기 패드들(420, 430, 440)을 통해 상기 인쇄회로기판(200)에 실장되는 발광 다이오드칩(470) 및 회로부품과 전기적으로 연결될 수 있다. The pads 420 , 430 , and 440 are formed on the base film 201 and may be made of Al or Ag/Cu having high thermal conductivity. The pads 420 , 430 , and 440 may be electrically connected to the light emitting diode chip 470 and circuit components mounted on the printed circuit board 200 .

커버 필름(203)은 상기 패드들(420)의 끝단을 감싸고, 상기 베이스 필름(201)의 일면 상에 형성되어 패드들(420, 430, 440) 등의 인쇄회로기판(200) 상에 실장된 부품들을 보호한다. 상기 커버 필름(203)은 PET(polyethyleneterephthalate) 등의 폴리에스테르(polyester), PI(polyimide), PSF(polysulfone), 또는 불소 수지(fluoride resin) 등을 포함하는 시트 또는 필름일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The cover film 203 surrounds the ends of the pads 420 , is formed on one surface of the base film 201 , and is mounted on the printed circuit board 200 such as the pads 420 , 430 , 440 . protect the parts. The cover film 203 may be a sheet or film including polyester such as PET (polyethyleneterephthalate), polyimide (PI), polysulfone (PSF), or fluoride resin, but is not limited thereto. does not

상기 제 1 영역(300)은 상기 발광 다이오드칩(470)의 일측면을 덮도록 절곡되며, 제 1 연결 배선(310) 및 제 1 단자(360)를 포함한다. The first region 300 is bent to cover one side of the light emitting diode chip 470 , and includes a first connection wire 310 and a first terminal 360 .

상기 제 2 영역(400)은 제 2 연결 배선(410), 제 1 패드(420), 제 2 패드(430), 제 3 패드(440), 전도성 와이어(450), 제 2 단자(460), 발광 다이오드칩(470), 봉지층(480) 및 홀패턴(490)을 포함한다. The second region 400 includes a second connection wire 410 , a first pad 420 , a second pad 430 , a third pad 440 , a conductive wire 450 , a second terminal 460 , It includes a light emitting diode chip 470 , an encapsulation layer 480 , and a hole pattern 490 .

상기 제 1 연결 배선(310)은 상기 제 1 영역(300)에서 상기 인쇄회로기판(200)의 하면 일면 상에 마련 되어, 상기 제 1 단자(360) 및 상기 발광 다이오드칩(470)의 제 1 전극(477)과 연결된다. 즉 상기 제 1 연결 배선(310)은 상기 제 1 단자(360)로부터 들어오는 전기적 신호를 상기 제 1 전극(477)을 통해 상기 발광 다이오드칩(470)에 전달하는 역할을 한다. 여기서 제 1 전극(477)의 경우, 상기 패드들(420, 430, 440)과 직접적으로 연결될 수 있다. 예를 들어 전도성 페이스트를 이용한 다이 본딩 공정(die bonding process)에 의해 발광 다이오드 칩(470)의 제 1 전극(477)과 상기 패드들(420, 430, 440)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 제 1 연결 배선(310)은 예를 들면 (+) 배선일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first connection wiring 310 is provided on one surface of the lower surface of the printed circuit board 200 in the first region 300 , and is formed on the first terminal 360 and the first of the light emitting diode chip 470 . It is connected to the electrode 477 . That is, the first connection wire 310 serves to transmit an electrical signal coming from the first terminal 360 to the light emitting diode chip 470 through the first electrode 477 . Here, the first electrode 477 may be directly connected to the pads 420 , 430 , and 440 . For example, the first electrode 477 of the light emitting diode chip 470 and the pads 420 , 430 , and 440 may be electrically connected to each other by a die bonding process using a conductive paste. The first connection wire 310 may be, for example, a (+) wire, but is not limited thereto.

상기 제 1 단자(360)는 상기 제 1 영역(300)에서 상기 인쇄회로기판(200)의 하면 끝단에 형성된다. 이러한 제 1 단자(360)는 외부 전원(미도시)을 전달받아 상기 인쇄회로기판(200)에 전원을 공급한다. 도면에는 상기 제 1 단자(360)가 제 1 영역(300)상에 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 제 2 영역(400)상에 배치될 수도 있다.The first terminal 360 is formed at the lower end of the printed circuit board 200 in the first region 300 . The first terminal 360 receives external power (not shown) to supply power to the printed circuit board 200 . Although the drawing shows that the first terminal 360 is disposed on the first area 300 , the present invention is not limited thereto and may be disposed on the second area 400 .

상기 제 2 연결 배선(410)은 상기 제 2 영역(400)에서 상기 인쇄회로기판(200)의 하면 일면 상에 마련되어, 제 2 단자(460) 및 발광 다이오드칩(470의 제 2 전극(476)과 연결된다. 이러한 제 2 연결 배선(410)은 예를 들면 (-) 배선일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second connection wiring 410 is provided on one surface of the lower surface of the printed circuit board 200 in the second region 400 , and includes a second terminal 460 and a second electrode 476 of the light emitting diode chip 470 . The second connection wire 410 may be, for example, a (-) wire, but is not limited thereto.

상기 제 1 패드(420)는 상기 제 2 영역(400)상에 배치되며, 상기 제 1 연결 배선(310)과 연결되어, 발광 다이오드칩(470)의 제 1 전극(477)에 전기적 신호를 전달한다. 이러한 제 1 패드(420)는 열전도율이 높은 물질, 예를 들면 Al 또는 Ag/Cu로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first pad 420 is disposed on the second region 400 , is connected to the first connection wire 310 , and transmits an electrical signal to the first electrode 477 of the light emitting diode chip 470 . do. The first pad 420 may be made of a material having high thermal conductivity, for example, Al or Ag/Cu, but is not limited thereto.

상기 제 2 패드(430)는 상기 제 2 영역(400)상에 배치되며, 상기 제 2 연결 배선(410)과 연결되어, 제 2 단자(460)에 전기적 신호를 전달한다. 이러한 제 2 패드(430)는 열전도율이 높은 물질, 예를 들면 Al 또는 Ag/Cu로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second pad 430 is disposed on the second region 400 , is connected to the second connection line 410 , and transmits an electrical signal to the second terminal 460 . The second pad 430 may be made of a material having high thermal conductivity, for example, Al or Ag/Cu, but is not limited thereto.

상기 제 3 패드(440)는 상기 제 2 영역(400)상에서 상기 제 1 패드(420)와 상기 제 2 패드(430) 사이에 배치된다. 상기 표시 패널의 종류 및 크기에 제 3 패드(440)는 적어도 하나를 포함하는 복수 개로 구성될 수 있으며, 상기 제 1 패드(420)와 제 2 패드(430)와 동일한 층에 동일한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어 이러한 제 3 패드(440)는 상기 제 2 패드(430)와 동일한 제 2 영역(400)에 배치되며, 열전도율이 높은 물질, 예를 들면 Al 또는 Ag/Cu로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The third pad 440 is disposed between the first pad 420 and the second pad 430 on the second region 400 . A plurality of third pads 440 including at least one may be formed depending on the type and size of the display panel, and may be formed on the same layer as the first pad 420 and the second pad 430 and made of the same material. can For example, the third pad 440 is disposed in the same second region 400 as the second pad 430 and may be made of a material having high thermal conductivity, for example, Al or Ag/Cu, but is not limited thereto. does not

상기 전도성 와이어(450)는 상기 발광 다이오드칩(470)의 제 2 전극(476)과 상기 제 3 패드(440)를 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어 제 3 패드(440)는 전도성 와이어(450)를 이용한 리버스 와이어 본딩 공정(reverse wire bonding process)에 의해 발광 다이오드 칩(470)의 제 2 전극(476)에 전기적으로 연결된다. The conductive wire 450 may electrically connect the second electrode 476 of the light emitting diode chip 470 and the third pad 440 . For example, the third pad 440 is electrically connected to the second electrode 476 of the light emitting diode chip 470 by a reverse wire bonding process using the conductive wire 450 .

상기 제 2 단자(460)는 상기 제 2 영역(400)에서 상기 인쇄회로기판(200)의 끝 단에 형성된다. 이러한 제 2 단자(460)는 상기 발광 다이오드칩(470)의 제 2 전극(476)으로부터 상기 전도성 와이어(450)와 상기 제 2 연결 배선(410)을 통해 전기적 신호를 전달 받는다. 도면에는 상기 제 2 단자(460)가 제 2 영역(400)상에 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 제 1 단자(360)와 동일한 제 1 영역(300) 상에 배치될 수 있다.The second terminal 460 is formed at an end of the printed circuit board 200 in the second region 400 . The second terminal 460 receives an electrical signal from the second electrode 476 of the light emitting diode chip 470 through the conductive wire 450 and the second connection wire 410 . Although the drawing shows that the second terminal 460 is disposed on the second area 400 , the present invention is not limited thereto and may be disposed on the same first area 300 as the first terminal 360 .

상기 홀패턴(490)은 상기 제 2 영역(400)의 제 1 패드(420)와 제 2 패드(440) 사이, 상기 제 2 패드(430)와 제 3 패드(440)와 사이, 상기 복수의 제 3 패드(440)들 사이에서 일정한 간격을 가지도록 배치된다. 이러한 홀패턴(490)을 통해 상기 전도성 와이어(450)가 상기 발광 다이오드칩(470)의 제 2 전극(476)과 제 3 패드(440)를 전기적으로 연결한다. 도면에는 상기 홀패턴(490)이 사각 형태인 것으로 도시하였으나 이에 한정되지 않고, 예를 들어 다각형 또는 제 2 전극(476)과 동일한 형태를 가질 수 있다.The hole pattern 490 is formed between the first pad 420 and the second pad 440 of the second region 400 , between the second pad 430 and the third pad 440 , and the plurality of The third pads 440 are disposed to have a constant distance therebetween. The conductive wire 450 electrically connects the second electrode 476 and the third pad 440 of the light emitting diode chip 470 through the hole pattern 490 . Although the drawing shows that the hole pattern 490 has a rectangular shape, it is not limited thereto, and for example, may have a polygonal shape or the same shape as the second electrode 476 .

상기 홀패턴(490)에는 상기 발광 다이오드칩(470)의 일면과 전도성 와이어(450)를 밀봉할 수 있는 봉지층(480)이 배치된다. 이러한 봉지층(480)은 상기 전도성 와이어(450)를 고정시켜 상기 발광 다이오드칩(470)의 제 2 전극과의 전기적 접촉 불량을 방지할 수 있다. 상기 봉지층(480)은 화이트 실리콘(White Silicone), 화이트 솔더 레지스트(white solder resist), 화이트 에폭시(white epoxy), 폴리프탈아미드(PPA), 액정폴리머(LCP), 신지오택틱폴리스티렌(SPS) 등의 물질로 형성될 수 있다.An encapsulation layer 480 capable of sealing one surface of the light emitting diode chip 470 and the conductive wire 450 is disposed on the hole pattern 490 . The encapsulation layer 480 may fix the conductive wire 450 to prevent electrical contact failure with the second electrode of the light emitting diode chip 470 . The encapsulation layer 480 is made of white silicone, white solder resist, white epoxy, polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP), and syngeotactic polystyrene (SPS). It may be formed of a material such as

또한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 다이오드칩(470)이 인쇄회로기판(200)과 접하는 면을 제외한 발광면 전면에 코팅층(479)이 형성될 수 있다. 이러한 코팅층(479) 필름 형태로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않고, 고분자 분산 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 코팅층(479)에는 형광물질을 포함되어 상기 발광 다이오드칩(470)으로부터 발광되는 광의 파장을 변동시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 다이오드칩(470)이 청색광을 발광하는 청색 발광 다이오드칩(470)일 경우 상기 코팅층(479)에는 황색 계열의 형광물질이 포함되어 도광판으로 발광되는 광을 화이트로 변환할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the coating layer 479 may be formed on the entire surface of the light emitting surface except for the surface of the light emitting diode chip 470 in contact with the printed circuit board 200 . The coating layer 479 may be formed in the form of a film, but is not limited thereto, and may be formed using a polymer dispersion method. The coating layer 479 may include a fluorescent material to change the wavelength of light emitted from the light emitting diode chip 470 . For example, when the light emitting diode chip 470 is a blue light emitting diode chip 470 emitting blue light, the coating layer 479 contains a yellow-based fluorescent material to convert the light emitted from the light guide plate into white. have.

다른 예에 따른 상기 코팅층(479)은 세라믹과 형광 물질의 혼합물을 소결하여 필름 형상으로 제작되어 상기 발광 다이오드칩(470)에 부착되어 상기 발광 다이오드칩(470)으로부터 발광되는 광의 파장을 변동시킬 수 있다The coating layer 479 according to another example is manufactured in a film shape by sintering a mixture of ceramic and fluorescent material, is attached to the light emitting diode chip 470 , and can change the wavelength of light emitted from the light emitting diode chip 470 . have

추가적으로, 상기 코팅층(479)은 한 종류의 형광 물질(142)뿐 아니라, 필요에 따라 공지된 다양한 파장변환용 형광 물질이 추가로 혼합될 수도 있다.Additionally, in the coating layer 479, not only one type of fluorescent material 142, but also various known fluorescent materials for wavelength conversion may be additionally mixed as needed.

도 5 및 도 6의 구성에 대해 정리하면, 제 1 단자(360)를 통해 들어온 전기적 신호는 제 1 배선(310)을 통해 제 1 패드(420)에 전달된다. 상기 제 1 패드(420)는 접하고 있는 발광 다이오드칩(470)의 제 1 전극(477)에 신호를 전달하고, 제 2 전극(476) 및 전도성 와이어(450)를 통해 다시 인접한 제 3 패드(440)로 신호가 전달된다. 복수개의 제 3 패드(440)를 지나서 제 2 패드(430)에 도달한 신호는 제 2 연결 배선(410)을 통해 제 2 단자(460)로 빠져나가게 된다. 5 and 6 , the electrical signal received through the first terminal 360 is transmitted to the first pad 420 through the first wire 310 . The first pad 420 transmits a signal to the first electrode 477 of the light emitting diode chip 470 in contact, and the third pad 440 adjacent to the second electrode 476 and the conductive wire 450 again. ), the signal is transmitted. A signal reaching the second pad 430 after passing through the plurality of third pads 440 exits to the second terminal 460 through the second connection line 410 .

도 7은 이러한 본 발명에 따른 광원 모듈(100)과 도광판(600)의 일부를 개략적으로 나타내는 도면이다. 7 is a diagram schematically showing a part of the light source module 100 and the light guide plate 600 according to the present invention.

도 7을 참조하면, 상기 인쇄회로기판(200)의 제 1 영역(300)은 제 2 영역(400)으로부터 절곡되어, 도광판(600)의 하부에 배치될 수 있다. 도면에는 상기 인쇄회로기판(200)의 제 1 영역(300)이 제 2 영역(400)보다 넓은 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어 상기 제 1 영역(300)과 제 2 영역(400)의 넓이는 동일할 수 있고, 상기 제 1 영역(300)이 2 영역(400)보다 넓은 면적을 가질 수 있다.Referring to FIG. 7 , the first region 300 of the printed circuit board 200 may be bent from the second region 400 to be disposed under the light guide plate 600 . Although the drawing shows that the first area 300 of the printed circuit board 200 is wider than the second area 400 , the present invention is not limited thereto. For example, the first area 300 and the second area 400 may have the same area, and the first area 300 may have a larger area than the second area 400 .

여기서 종래 일반적인 표시 장치의 광원 모듈은 발광 다이오드칩이 실장된 발광 다이오드 패키지가 광원 어레이에 부착되고, 다시 이러한 광원 어레이가 광원 하우징에 부착되어 상기 도광판의 입광부와 마주보는 구조를 갖는다. 이와 달리, 본 발명에 따른 광원 모듈(100)은 발광 다이오드칩(470)이 인쇄회로기판(200)에 직접 실장되어 상기 인쇄회로기판(200)이 종래의 광원 하우징의 역할을 대신할 수 있어서, 종래 일반적인 표시 장치 대비 표시 장치의 두께 및 무게를 절감할 수 있어 미감이 증진되고, 부품 삭제로 인한 공정 단순화 및 공임비 절감의 효과를 얻을 수 있다.Here, a light source module of a conventional display device has a structure in which a light emitting diode package on which a light emitting diode chip is mounted is attached to a light source array, and the light source array is attached to a light source housing to face the light incident part of the light guide plate. In contrast, in the light source module 100 according to the present invention, the light emitting diode chip 470 is directly mounted on the printed circuit board 200 so that the printed circuit board 200 can replace the conventional light source housing, Compared to a conventional display device, the thickness and weight of the display device can be reduced, so that aesthetics is improved, and the effect of simplification of a process and reduction of labor cost can be obtained due to the deletion of parts.

또한 이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원 모듈(100)은 발광 다이오드칩(470)의 리드 전극 및 몰드 프레임을 삭제하고 발광 다이오드칩(470)을 인쇄회로기판(200)에 직접 형성하고, 전도성 와이어(450) 및 전도성 페이스트를 이용하여 패드와 전기적 신호를 전달받는다. 따라서 종래의 일반적인 발광 다이오드 패키지에 비해서 발광 다이오드칩(470) 간의 간격을 줄일 수 있다. 이러한 발광 다이오드칩(470)의 이격 거리 감소로 인해, 핫스팟 현상을 개선할 수 있는 선광원(linear light source)의 구현이 가능하며, 베젤(bezel)의 두께를 줄일 수 있어 미감이 증진된 표시 장치를 얻을 수 있다. 또한 전도성 와이어(450)를 발광면 하부에 배치함으로써 기존의 전도성 와이어(450)가 발광면에 마련되어 광의 효율이 저하되는 문제점을 방지할 수 있어, 광 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, in the light source module 100 according to an embodiment of the present invention, the lead electrode and the mold frame of the light emitting diode chip 470 are deleted and the light emitting diode chip 470 is directly formed on the printed circuit board 200, An electrical signal is transmitted to the pad using the conductive wire 450 and the conductive paste. Accordingly, the distance between the light emitting diode chips 470 can be reduced compared to a conventional general light emitting diode package. Due to the reduction in the separation distance of the light emitting diode chip 470 , a linear light source capable of improving the hot spot phenomenon can be realized, and the bezel thickness can be reduced, thereby enhancing the aesthetics of the display device. can get In addition, by disposing the conductive wire 450 under the light emitting surface, it is possible to prevent the problem that the conventional conductive wire 450 is provided on the light emitting surface to reduce the light efficiency, thereby improving the light efficiency.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광원 모듈의 하면을 나타내는 도면이고, 도 9는 도 8에 도시된 광원 모듈과 도광판의 구조를 나타내는 사시도이다. 본 발명의 다른 실시예는 전술한 실시예에 구성 일부를 추가한 것으로, 중복되는 부분에 대한 설명은 생략하기로 한다.8 is a view showing a lower surface of a light source module according to another embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a perspective view showing the structures of the light source module and the light guide plate shown in FIG. 8 . Another embodiment of the present invention is to add a part of the configuration to the above-described embodiment, the description of overlapping parts will be omitted.

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 광원 모듈(100)의 인쇄회로기판(200)은 추가적으로 제 3 영역(500)을 포함하여 이루어진다. 8 and 9 , the printed circuit board 200 of the light source module 100 according to another embodiment of the present invention additionally includes a third region 500 .

상기 제 3 영역(500)은 상기 제 2 영역(400)으로부터 절곡되어, 제 2 영역(400)과 대향하도록 상기 발광 다이오드칩(470)의 타측면을 덮도록 형성될 수 있다. 이러한 본 발명에 일 실시예에 따른 광원 모듈(100)은 종래 가이드 프레임(850)을 통해 표시 패널(800)과 접하는 구조와 달리, 상기 절곡된 제 3 영역(500)을 통해 표시 패널(800)과 접할 수 있다. 또한 가이드 프레임(850)을 제거하고 후면 커버(900)와 직접적으로 접하는 구조를 이룰 수 있다. 이와 같이, 가이드 프레임과 광원 하우징의 제거로 인해 종래 일반적인 표시 장치 대비 표시 장치의 두께 및 무게를 절감할 수 있어 미감이 증진되고, 공정 단순화 및 공임비 절감의 효과를 얻을 수 있다.The third region 500 may be bent from the second region 400 to cover the other side surface of the light emitting diode chip 470 to face the second region 400 . Unlike the structure in which the light source module 100 according to an embodiment of the present invention is in contact with the display panel 800 through the conventional guide frame 850 , the display panel 800 is formed through the bent third region 500 . can be contacted with In addition, the guide frame 850 may be removed to form a structure in direct contact with the rear cover 900 . As described above, the thickness and weight of the display device can be reduced compared to the conventional display device due to the removal of the guide frame and the light source housing, thereby improving aesthetics, simplifying the process, and reducing labor costs.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which the present invention pertains that various substitutions, modifications, and changes are possible without departing from the technical matters of the present invention. It will be clear to those who have the knowledge of Therefore, the scope of the present invention is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 광원 모듈 200: 인쇄회로기판
201: 베이스 필름 203: 커버 필름
300: 제 1 영역 400: 제 2 영역
310: 제 1 연결배선 360: 제 1 단자
410: 제 2 연결배선 420: 제 1 패드
430: 제 2 패드 440: 제 3 패드
450: 전도성 와이어 460: 제 2 단자
470: 발광 다이오드칩 480: 봉지층
490: 홀패턴 600: 도광판
700: 반사 시트 800: 표시 패널
850: 가이드 프레임 900: 후면 커버100: light source module 200: printed circuit board
201: base film 203: cover film
300: first area 400: second area
310: first connection wire 360: first terminal
410: second connection wiring 420: first pad
430: second pad 440: third pad
450: conductive wire 460: second terminal
470: light emitting diode chip 480: encapsulation layer
490: hole pattern 600: light guide plate
700: reflective sheet 800: display panel
850: guide frame 900: rear cover

Claims (12)

제 1 영역 및 상기 제 1 영역에서 절곡된 제 2 영역을 구비한 인쇄회로기판;
상기 인쇄회로기판의 제 1 영역 상에 구비된 제1 단자 및 상기 제1 단자와 연결되는 제 1 연결 배선;
상기 인쇄회로기판의 제 2 영역 상에 구비된 제2 단자 및 상기 제2 단자와 연결되는 제 2 연결 배선;
상기 인쇄회로기판의 제 2 영역 상에서 상기 제 2 연결 배선과 이격되도록 구비된 복수의 패드; 및
상기 패드 상에 배치되어 상기 패드와 전기적으로 연결되는 발광 다이오드칩을 포함하고,
상기 복수의 패드는 서로 이웃한 두 개의 패드를 포함하며,
상기 발광 다이오드칩은 서로 이웃한 두 개의 패드 중 하나의 패드와 중첩되고, 다른 하나의 패드와는 중첩되지 않고 인접하게 형성되며,
상기 발광 다이오드칩은 상기 중첩되는 패드와 직접 접촉하여 연결되고, 상기 중첩되지 않는 패드와는 전도성 와이어를 통해 연결된, 광원 모듈.
a printed circuit board having a first area and a second area bent in the first area;
a first terminal provided on a first area of the printed circuit board and a first connection wire connected to the first terminal;
a second terminal provided on a second region of the printed circuit board and a second connection wire connected to the second terminal;
a plurality of pads provided on a second area of the printed circuit board to be spaced apart from the second connection line; and
a light emitting diode chip disposed on the pad and electrically connected to the pad;
The plurality of pads includes two adjacent pads,
The light emitting diode chip overlaps one pad of the two adjacent pads, and is formed adjacent to the other pad without overlapping,
The light emitting diode chip is connected in direct contact with the overlapping pad, and is connected to the non-overlapping pad through a conductive wire.
 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 패드는,
상기 제 1 연결 배선과 연결되는 제 1 패드, 상기 제 2 연결 배선과 연결되는 제 2 패드 및 상기 제 1 패드와 상기 제 2 패드 사이에 구비된 적어도 하나의 제 3 패드를 포함하는, 광원 모듈.
The method of claim 1,
The plurality of pads,
A light source module comprising: a first pad connected to the first connection line; a second pad connected to the second connection line; and at least one third pad provided between the first pad and the second pad.
 삭제delete 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 패드와 제 2 패드 사이, 상기 각각의 제 3 패드들 사이 및 상기 제 2 패드와 제 3 패드 사이에는 일정한 간격의 홀패턴이 구비된, 광원 모듈.
3. The method of claim 2,
A light source module provided with hole patterns at regular intervals between the first pad and the second pad, between each of the third pads, and between the second pad and the third pad.
 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 영역과 대향하고, 상기 발광 다이오드칩의 타측면을 덮도록 구부러진 제 3 영역을 더 포함하는, 광원 모듈.
The method of claim 1,
The light source module further comprising a third region facing the first region and curved to cover the other side surface of the light emitting diode chip.
 제2 항에 있어서,
상기 발광 다이오드칩은,
기판 상에 마련된 버퍼층;
상기 버퍼층 상에 마련된 제 1 반도체층;
상기 제 1 반도체층 상에 마련된 활성층;
상기 활성층 상에 마련된 제 2 반도체층;
상기 제 2 반도체층 상에 마련된 반사층;
상기 반사층 상에 마련되고 상기 반사층을 관통하여 상기 제 2 반도체층에 연결된 제 1 전극; 및
상기 제 1 전극과 이격되도록 상기 제 1 반도체층의 상면에 마련되어 상기 제 1 반도체층에 연결된 제 2 전극을 포함하는, 광원 모듈.
3. The method of claim 2,
The light emitting diode chip,
a buffer layer provided on the substrate;
a first semiconductor layer provided on the buffer layer;
an active layer provided on the first semiconductor layer;
a second semiconductor layer provided on the active layer;
a reflective layer provided on the second semiconductor layer;
a first electrode provided on the reflective layer and connected to the second semiconductor layer through the reflective layer; and
and a second electrode provided on an upper surface of the first semiconductor layer to be spaced apart from the first electrode and connected to the first semiconductor layer.
 제 6 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제1 패드와 직접 접촉하여 연결되고, 상기 제 2 전극은 상기 제 3 패드와 상기 전도성 와이어를 통해 연결되는, 광원 모듈.
7. The method of claim 6,
The first electrode is connected in direct contact with the first pad, and the second electrode is connected to the third pad through the conductive wire.
 제 4 항에 있어서,
상기 홀패턴에는,
상기 전도성 와이어를 봉지할 수 있는 봉지층을 더 포함하는, 광원 모듈
5. The method of claim 4,
In the hole pattern,
The light source module further comprising an encapsulation layer capable of encapsulating the conductive wire
 제 1 항에 있어서,
상기 발광 다이오드칩의 상면 및 측면에는,
발광 다이오드칩으로부터 나오는 광의 파장을 변환시키는 코팅층을 더 포함하는, 광원 모듈The method of claim 1,
On the top and side surfaces of the light emitting diode chip,
Light source module, further comprising a coating layer for converting the wavelength of light emitted from the light emitting diode chip 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 3 패드들을 지지하는 베이스 필름을 구비하고,
상기 베이스 필름은 상기 전도성 와이어와 상기 제 3 패드가 접촉할 수 있는 접촉홀을 구비하는, 광원 모듈9. The method of claim 8,
and a base film supporting the first to third pads;
The base film is provided with a contact hole through which the conductive wire and the third pad can contact, the light source module 입광면을 갖는 도광판;
상기 도광판의 입광부에 광을 조사하는 광원 모듈; 및
상기 도광판 상에 배치된 광학 시트류를 구비하고,
상기 광원 모듈은 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 광원 모듈인, 백라이트 유닛.a light guide plate having a light incident surface;
a light source module irradiating light to the light incident part of the light guide plate; and
and optical sheets disposed on the light guide plate;
The light source module is the light source module according to any one of claims 1, 2, and 4 to 10, the backlight unit. 표시 패널;
상기 표시 패널을 지지하는 가이드 프레임;
상기 가이드 프레임을 지지하는 후면 커버; 및
상기 후면 커버에 수납되어 상기 표시 패널에 광을 조사하는 제 11 항에 기재된 백라이트 유닛을 포함하는, 표시 장치 display panel;
a guide frame supporting the display panel;
a rear cover supporting the guide frame; and
The display device comprising the backlight unit of claim 11 accommodated in the rear cover and irradiating light to the display panel;
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