KR102421780B1 - 인조 대리석 - Google Patents
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Abstract
산술평균 거칠기(Ra)가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 인 제1면을 갖는 인조 대리석 기재; 및 상기 제1면의 바로 위에 위치하는 광촉매층을 포함하는 인조 대리석이 제공된다. 본 발명에 따른 인조 대리석은 기존 천연석 대비 가볍고 우수한 열성형성을 나타내는 것은 물론 광촉매를 통한 오염 방지 특성이 우수하므로, 인조 대리석이 요구되는 다양한 분야에 폭넓게 적용될 수 있다.
Description
본 발명은 인조 대리석에 관한 것이다.
최근 대기 오염에 대한 사회적 이슈가 부각됨에 따라 대기 오염을 저감할 수 있는 다양한 방안이 논의 중이다. 그 일환으로, 건축 및/또는 인테리어 내/외장재 등에 대기 오염을 저감시키기 위해 광촉매를 적용하는 방안이 논의되고 있다.
이 중, 건축 및/또는 인테리어 내/외장재로 널리 사용되는 화강암(Granite)이나 대리석(Marble)과 같은 천연석에 광촉매층을 형성하는 방안이 논의된 바 있다. 천연석은 표면 거칠기와 표면 기공률이 비교적 높아 광촉매를 표면에 레이어로 적용하기 용이한 편이며, 표면 무늬가 아름다워 예로부터 건축장식재로 사용되어 온 재료이다.
그러나 천연석은 부위 별로 색상이 상이하므로 전반적인 색상 균일성이 좋지 못하며, 이에 따른 외관의 저하가 발생할 우려가 있다. 또한 천연석은 비교적 고가이고 비중이 비교적 높은 편이어서 취급 시에는 전용 이송 설비를 이용하거나 여러 사람이 함께 운반해야 하며, 열성형과 같은 외형상의 가공이 매우 어렵다. 따라서 천연석의 비중과 난가공성을 고려한 설계를 반영해야 하므로 설치 장소/환경 등에 제약이 따른다.
이에 따라, 기존의 천연석을 대체할 수 있으면서도 대기 오염 저감 등의 친환경적이고 방오성이 우수한 신규한 건축 및/또는 인테리어 내/외장재의 필요성이 대두되고 있다.
일 구현예는 기존 천연석 대비 경량화된 것은 물론, 우수한 열성형성과 방오성을 함께 나타낼 수 있는 인조 대리석을 제공하고자 한다.
일 구현예에 따르면, 산술평균 거칠기(Ra)가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 인 제1면을 갖는 인조 대리석 기재; 및 상기 제1면의 바로 위에 위치하는 광촉매층을 포함하는 인조 대리석이 제공된다.
상기 광촉매층은 상기 제1면의 적어도 일부를 덮고 있을 수 있다.
상기 제1면은 골(valley)과 마루(ridge)를 포함하되, 상기 광촉매층은 상기 골의 적어도 일부를 메우고 있을 수 있다.
상기 골과 상기 마루는 각각 2 이상 형성되어 있고, 상기 광촉매층은 상기 2 이상의 마루 중 적어도 하나를 덮고 있을 수 있다.
상기 광촉매층은 상기 제1면을 전부 덮고 있을 수 있다.
상기 골과 상기 마루는 각각 제1방향을 따라 연장되어 있을 수 있다.
상기 제1방향을 기준으로 측정한 상기 제1면의 산술평균 거칠기의 표준편차는 0.3㎛ 내지 2 ㎛ 일 수 있다.
상기 제1방향을 기준으로 측정한 상기 제1면의 명도차 (△L)는 0.7 내지 3.0 일 수 있다.
상기 제1면의 최대 높이 거칠기(Ry)는 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 이고, 최대 단면 골 높이(Rv)는 1 ㎛ 내지 30 ㎛ 일 수 있다.
상기 제1면의 10점 평균 거칠기(Rz)는 5 ㎛ 내지 40 ㎛ 일 수 있다.
상기 광촉매층은 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 황화카드뮴(CdS), 산화텅스텐(WO3), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 인조 대리석 기재는 아크릴계 수지 시럽의 경화물, 및 충진재를 포함할 수 있다.
상기 아크릴계 수지 시럽은 아크릴계 단량체 및 상기 아크릴계 단량체의 중합체를 포함할 수 있다.
상기 충진재는 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탈크, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 인조 대리석 기재는 개시제, 가교제, 커플링제, 계면활성제, 반응 촉진제, 대전방지제, 항균제, 소포제, 분산제, 분자량 조절제, 자외선 흡수제, 착색제, 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.
상기 인조 대리석은 평판 형상, 또는 곡면 형상을 가질 수 있다.
일 구현예에 따른 인조 대리석은 기존 천연석 대비 가볍고 우수한 열성형성을 나타내는 것은 물론 광촉매를 통한 방오성이 우수하므로, 인조 대리석이 요구되는 다양한 분야에 폭넓게 적용될 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 인조 대리석을 나타낸 사시도이고,
도 2는 도 1의 D1-D1 을 따라 자른 단면을 나타낸 것이고,
도 3과 도 4는 일 구현예에 따른 다양한 두께를 갖는 광촉매층의 예시들을 나타낸 것이고,
도 5는 일 구현예에 따른 제1면 상부에서 바라본 인조 대리석 기재의 평면도로 골(valley) 부분을 강조하여 나타낸 것이고,
도 6은 일 구현예에 따른 인조 대리석의 일 가공예를 나타낸 단면도이고,
도 7은 비교예 1과 실시예 1의 광촉매 활성도 평가 결과를 나타낸 것이고,
도 8은 비교예 2와 실시예 2의 광촉매 활성도 평가 결과를 나타낸 것이고,
도 9는 비교예 3의 광촉매 활성도 평가 결과를 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 D1-D1 을 따라 자른 단면을 나타낸 것이고,
도 3과 도 4는 일 구현예에 따른 다양한 두께를 갖는 광촉매층의 예시들을 나타낸 것이고,
도 5는 일 구현예에 따른 제1면 상부에서 바라본 인조 대리석 기재의 평면도로 골(valley) 부분을 강조하여 나타낸 것이고,
도 6은 일 구현예에 따른 인조 대리석의 일 가공예를 나타낸 단면도이고,
도 7은 비교예 1과 실시예 1의 광촉매 활성도 평가 결과를 나타낸 것이고,
도 8은 비교예 2와 실시예 2의 광촉매 활성도 평가 결과를 나타낸 것이고,
도 9는 비교예 3의 광촉매 활성도 평가 결과를 나타낸 것이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
다른 정의가 없다면 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
본 명세서에서 표면 거칠기란 대상물의 표면에 존재하는 미세한 요철들에 의한 미세 굴곡의 정도를 의미한다. 본 명세서에서는 대상물의 표면 거칠기를 규명하기 위한 요소들로 산술 평균 거칠기(Ra), 최대 높이 거칠기(Ry), 10점 평균 거칠기(Rz), 최대 단면 골 높이(Rv)를 각각 이용한다.
산술 평균 거칠기(Ra)란 중심선 평균값이라고도 불리오며, 대상물 표면의 거칠기 곡선을 그래프로 그린 다음 중심선을 취하고, 중심선으로부터 표면의 단면 곡선까지의 길이의 절대값들의 기준길이 내에서의 평균으로 구한다.
최대 높이 거칠기(Ry)는 최대 거칠기라고도 불리우며, Rmax나 Rt로도 표기될 수 있다. 최대 높이 거칠기(Ry)는 대상물 표면의 거칠기 곡선을 그래프로 그린 다음 기준 길이만큼 채취하여, 단면 곡선의 중심선과 평행하며 제일 높은 산과 제일 깊은 골을 접하는 두 평행선 간 거리를 측정함으로써 구할 수 있다.
10점 평균 거칠기(Rz)는 대상물 표면의 거칠기 곡선을 그래프로 그린 다음 기준길이만큼 채취하여, 단면 곡선의 평균선과 평행한 기준선을 긋고 가장 높은 5개의 마루의 기준선으로부터 거리의 평균값과 가장 낮은 5개의 골의 기준선으로부터의 거리의 평균값과의 차이를 계산함으로써 구할 수 있다.
최대 단면 골 높이(Rv)는 대상물 표면의 거칠기 곡선을 그래프로 그린 다음 중심선을 취하고, 중심선으로부터 가장 높은 단면골의 높이를 측정함으로써 구할 수 있다.
상기 산술 평균 거칠기(Ra), 최대 높이 거칠기(Ry), 10점 평균 거칠기(Rz), 최대 단면 골 높이(Rv)의 더욱 구체적인 정의는 JIS94에 기술되어 있으며, 조도계 (예컨대 Mitutoyo 社의 SJ301)를 이용하여 얻을 수 있다.
천연석은 표면 거칠기와 표면 기공률이 인조 대리석 대비 높은 편이므로 광촉매를 표면에 레이어로 적용하기 비교적 용이한 편이다. 그러나 천연석은 높은 비중과 가공성의 한계로 용도 확장이 제한적이다. 이에 따라, 인조 대리석 기재 표면에 광촉매를 레이어로 적용하는 방안이 제안되었던 바 있으나, 인조 대리석 기재는 표면의 평활성이 천연석에 비하여 매우 높고, 공극이 거의 없는 편이다.
또한, 인조 대리석 기재는 시공 과정에서 수평하게 눕혀지도록 설치되기보다는 수직, 또는 지면을 기준으로 소정의 경사를 갖도록 설치되는 경우가 많다. 따라서 이러한 배치를 갖는 인조 대리석 기재 표면에 마지막 공정으로 광촉매 코팅을 적용할 경우에는 매끄러운 인조 대리석 기재 표면의 특성 상 광촉매 코팅 조성물이 흘러내리는 등 코팅 레이어가 균일하지 못하게 형성될 우려가 있고, 코팅 레이어가 인조 대리석 기재 표면에 확고하게 부착되지 못하고 탈락될 가능성 또한 높다.
한편, 인조 대리석 기재 표면에 프라이머 등의 별개의 접착층을 도포한 후 접착층 위에 광촉매 레이어를 형성하거나, 인조 대리석 기재 위에 광촉매 코팅 레이어 형성용 조성물을 도포 후 열처리를 수행하는 방법이 고안되었던 바도 있다. 그러나, 상기 방법 또한 별도의 레이어(접착층) 형성에 따른 공정 수 증가 우려, 약 200 ℃ 가량의 고온 열처리에 따른 인조 대리석의 손상 가능성 우려로 인해 적용하기 곤란하다.
이에 따라, 광촉매를 레이어로 적용하는 대신 인조 대리석 형성 단계부터 인조 대리석 형성용 조성물에 광촉매를 소정 함량 혼합함으로써 인조 대리석에 광촉매가 분산된 인조 대리석(이하, 광촉매 블렌드형 인조 대리석이라 함) 을 제조하는 방안이 제안되었던 바 있다.
그러나, 광촉매 블렌드형 인조 대리석은 광촉매가 주로 내부에 분산되어 있을 뿐이고, 광촉매가 표면에 노출된 정도는 미미한 편이다. 즉, 광촉매 반응은 광촉매가 외부의 광(예컨대 UV 등)에 노출됨으로써 이루어지지만, 광촉매 블렌드형 인조 대리석은 외부의 광에 노출되는 광촉매의 절대량이 광촉매 코팅 레이어 대비 매우 적은 편이다. 이에 따라 광촉매 블렌드형 인조 대리석은 광촉매에 의한 방오성 기능의 발현이 크게 제한될 우려가 있다. 또한, 광촉매는 유기물을 분해하는 특성이 있으므로, 모재인 인조 대리석 기재를 손상시킬 우려도 있다.
이에, 본 발명자들은 광촉매를 코팅 레이어 형태로 인조 대리석 표면에 견고하게 부착될 수 있는 방안을 연구하였다. 그 결과, 소정의 표면 거칠기를 가지는 인조 대리석 기재 표면 바로 위에 광촉매 코팅 레이어를 형성할 경우, 일반적인 인조 대리석 기재 표면에 (별도의 처리 없이, 또는 선택적으로 접착층을 사용하거나 열처리를 수행함으로써) 광촉매 코팅 레이어를 형성하는 경우, 및 광촉매 블렌드형 인조 대리석을 사용하는 경우와 대비하여 최소한의 공정을 이용하고도 우수한 광촉매 코팅 레이어 형성성, 및 방오성을 갖는 인조 대리석을 제공할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하게 되었다.
도 1은 일 구현예에 따른 인조 대리석을 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 D1-D1 을 따라 자른 단면을 나타낸 것이다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 일 구현예에 따른 인조 대리석(100)은 소정의 표면 거칠기를 가지는 제1면(11)을 갖는 인조 대리석 기재(10)와, 제1면(11)의 바로 위에 위치하는 광촉매층(20)을 포함한다.
한편, 일 구현예에서 인조 대리석 기재(10)는 인조 대리석 기재 형성용 조성물을 경화시킴으로써 얻어질 수 있다. 일 구현예에서, 상기 인조 대리석 기재 형성용 조성물은 아크릴계 인조 대리석 기재 형성용 조성물을 포함할 수 있다. 이에 따라 인조 대리석 기재(10)는 아크릴계 인조 대리석 수지 시럽의 경화물, 충진재, 및 선택적으로 첨가될 수 있는 다양한 첨가제 및 기타 성분들을 포함하고 있을 수 있다.
아크릴계 수지 시럽은 인조 대리석 기재 형성용 조성물의 기초가 되는 성분으로서, 인조 대리석 기재 형성용 조성물에 아크릴계 수지 시럽에 기인한 기본적인 물성을 부여한다.
일 구현예에서, 상기 아크릴계 수지 시럽은 아크릴계 단량체 및 상기 아크릴계 단량체의 중합체를 포함할 수 있다. 즉, 아크릴계 수지 시럽은 아크릴계 단량체와 이들의 중합물인 폴리메틸(메트)아크릴레이트가 용해되어 있는 것일 수 있다.
상기 아크릴계 단량체로는 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, 이소프로필 (메트)아크릴레이트, n-부틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸 헥실 (메트)아크릴레이트 등을 사용할 수 있다.
한편, 아크릴계 수지 시럽 내 아크릴계 단량체 및 아크릴계 단량체의 중합체 각각의 함량은 인조 대리석 기재(10)가 목표로 하는 물성에 따라 다양하게 조절될 수 있다.
일 구현예에서, 아크릴계 인조 대리석 기재 형성용 조성물을 구성하는 충진재는 인조 대리석 기재(10)의 기계적 물성과 아크릴계에 기인한 낮은 난연성을 보강하는 한편, 인조 대리석 기재(10)에 천연석 질감을 부여할 수 있다.
충진재는 전술한 인조 대리석 기재(10)의 기계적 물성 및 난연성 보강 효과를 확보할 수 있도록, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탈크, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 소재들은 적어도 2 g/cm3 를 초과하는 비중, 예를 들어 약 2.1 g/cm3 내지 약 4 g/cm3 가량의 비중을 나타낼 수 있다.
한편, 인조 대리석 기재 형성용 조성물 내 충진재의 함량은 인조 대리석이 목표로 하는 난연성, 성형성, 가공성, 및 천연석 질감에 따라 다양하게 조절될 수 있다.
일 구현예에서, 인조 대리석 기재 형성용 조성물은 인조 대리석 기재(10)의 목표 물성을 만족시킬 수 있도록 다양한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 개시제, 가교제, 커플링제, 계면활성제, 반응 촉진제, 대전방지제, 항균제, 소포제, 분산제, 분자량 조절제, 자외선 흡수제, 착색제, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
인조 대리석 기재 형성용 조성물 내 첨가제의 종류 및/또는 첨가량은 인조 대리석이 목표로 하는 여러 물성들에 따라 다양하게 조절될 수 있다.
일 구현예에서, 인조 대리석 기재(10)는 제1면(11), 및 상기 제1면(11)과 대향하는 제2면(12)을 갖는다. 일 구현예에 따른 인조 대리석(100)은 광촉매층(20)을 레이어 형태로 넓게 도포하더라도 제1면(11)의 표면 거칠기를 소정의 범위 내로 조절함으로써, 별도의 접착층을 사용하지 않고도 광촉매층(20)이 인조 대리석 기재(10)과 물리적으로 견고하게 결합될 수 있다.
상기 제1면(11)의 표면 거칠기는 표면 거칠기를 규명하기 위한 다양한 요소들에 의해 정의되어질 수 있다.
예컨대, 제1면(11)의 표면 거칠기 중 산술평균 거칠기(Ra)는, 예를 들어 적어도 1 ㎛ 이상, 예를 들어 2 ㎛ 이상일 수 있고, 예를 들어 12 ㎛ 이하, 예를 들어 11 ㎛ 이하, 예를 들어 10 ㎛ 이하, 예를 들어 9 ㎛ 이하, 예를 들어 8 ㎛ 이하일 수 있으며, 예를 들어 1 ㎛ 내지 12 ㎛, 예를 들어 1 ㎛ 내지 11 ㎛, 예를 들어 1 ㎛ 내지 10 ㎛, 예를 들어 2 ㎛ 내지 10 ㎛, 예를 들어 2 ㎛ 내지 9 ㎛, 예를 들어 2 ㎛ 내지 8 ㎛일 수 있다.
제1면(11)의 산술평균 거칠기(Ra)가 전술한 범위 내에 속할 경우, 광촉매층(20)의 코팅 형성성 및 인조 대리석 기재(10)와의 물리적 결합이 모두 우수하다. 반면, 산술평균 거칠기(Ra)가 1 ㎛ 미만일 경우, 접촉면의 요철들에 의한 미세 굴곡이 미미하여 비교적 평활한 표면을 나타내므로, 광촉매층(20)의 코팅 형성성과 물리적 결합성이 크게 저하될 우려가 있다. 한편, 산술평균 거칠기(Ra)가 12 ㎛를 초과할 경우, 인조 대리석 기재(10) 표면의 미세 굴곡이 육안으로 뚜렷하게 드러날 수 있어 심미성이 떨어지며, 광촉매층(20) 형성을 위한 광촉매의 사용량이 증가하므로 바람직하지 않다.
한편, 제1면(11)의 표면 거칠기는 전술한 산술평균 거칠기(Ra) 외에도 추가로 다른 표면 거칠기 평가기준에 의해 규명될 수 있다.
일 구현예에서, 제1면(11)의 표면 거칠기 중 최대 높이 거칠기(Ry)는, 제1면(11)이 전술한 산술평균 거칠기(Ra)를 만족하는 전제 하에, 예를 들어 5 ㎛ 이상, 예를 들어 6 ㎛ 이상, 예를 들어 7 ㎛ 이상, 예를 들어 8 ㎛ 이상, 예를 들어 9 ㎛ 이상, 예를 들어 10 ㎛ 이상일 수 있고, 예를 들어 50 ㎛ 이하, 예를 들어 45 ㎛ 이하, 예를 들어 40 ㎛ 이하일 수 있으며, 예를 들어 5 ㎛ 내지 50 ㎛, 예를 들어 6 ㎛ 내지 50 ㎛, 예를 들어 7 ㎛ 내지 50 ㎛, 예를 들어 8 ㎛ 내지 50 ㎛, 예를 들어 9 ㎛ 내지 50 ㎛, 예를 들어 10 ㎛ 내지 50 ㎛, 예를 들어 10 ㎛ 내지 45 ㎛, 예를 들어 10 ㎛ 내지 40 ㎛일 수 있다.
또한, 제1면(11)의 최대 단면골 높이(Rv)는, 제1면(11)이 전술한 산술평균 거칠기(Ra) 및/또는 최대 높이 거칠기(Rv)를 만족하는 전제 하에, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 예를 들어 2 ㎛ 이상, 예를 들어 3 ㎛ 이상, 예를 들어 4 ㎛ 이상, 예를 들어 5 ㎛ 이상일 수 있고, 예를 들어 30 ㎛ 이하, 예를 들어 25 ㎛ 이하, 예를 들어 20 ㎛ 이하일 수 있으며, 예를 들어 1 ㎛ 내지 30 ㎛, 예를 들어 2 ㎛ 내지 30 ㎛, 예를 들어 3 ㎛ 내지 30 ㎛, 예를 들어 4 ㎛ 내지 30 ㎛, 예를 들어 5 ㎛ 내지 30 ㎛, 예를 들어 5 ㎛ 내지 25 ㎛, 예를 들어 5 ㎛ 내지 20 ㎛ 일 수 있다.
한편, 일 구현예에서, 제1면(11)의 표면 거칠기 중 10점 평균 거칠기(Rz)는, 제1면(11)이 전술한 산술평균 거칠기(Ra)를 만족하는 전제 하에, 예를 들어 5 ㎛ 이상, 예를 들어 6 ㎛ 이상, 예를 들어 7 ㎛ 이상, 예를 들어 8 ㎛ 이상, 예를 들어 9 ㎛ 이상, 예를 들어 10 ㎛ 이상일 수 있고, 예를 들어 40 ㎛ 이하, 예를 들어 35 ㎛ 이하, 예를 들어 30 ㎛ 이하일 수 있으며, 예를 들어 5 ㎛ 내지 40 ㎛, 예를 들어 6 ㎛ 내지 40 ㎛, 예를 들어 7 ㎛ 내지 40 ㎛, 예를 들어 8 ㎛ 내지 40 ㎛, 예를 들어 9 ㎛ 내지 40 ㎛, 예를 들어 10 ㎛ 내지 40 ㎛, 예를 들어 10 ㎛ 내지 35 ㎛, 예를 들어 10 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있다.
제1면(11)의 최대 높이 거칠기(Ry), 및/또는 최대 단면골 높이(Rv), 및/또는 10점 평균 거칠기(Rz)가 각각 전술한 범위 내에 속할 경우, 광촉매층(20)의 코팅 형성성 및 인조 대리석 기재(10)와의 물리적 결합이 모두 우수하다.
한편, 인조 대리석 기재(10)의 제1면(11)의 요철들은 마루(ridge, 11a)와 골(valley, 11b)를 포함한다. 상기 마루(11a)와 골(11b)은 각각 2 이상 형성되어 있을 수 있다. 상기 2 이상의 마루(11a)와 골(11b)은 교번적으로 배치되어, 제1면(11)의 미세 굴곡을 형성하고 있다.
일 구현예에서, 상기 마루(11a)의 높이/폭이나 골(11b)의 깊이/폭, 마루(11a) 및/또는 골(11b)의 형상은 다양할 수 있다. 예컨대 제1면(11)의 표면처리를 통해 2 이상의 마루(11a)의 높이가 서로 같거나, 또는 2 이상의 골(11b)의 깊이가 서로 같도록 조절할 수도 있고, 서로 다르게 조절할 수도 있다.
도 3과 도 4는 일 구현예에 따른 다양한 두께를 갖는 광촉매층의 예시들을 나타낸 것이다.
우선 도 3을 참조하면, 광촉매층(20)은 적어도 골(11b)의 적어도 일부를 메우고 있을 수 있다. 즉, 광촉매층(20)은 제1면(11)에 존재하는 골(11b) 마다 위치하되, 골(11b)의 일부를 메우고 있을 수도 있고, 골(11b)을 전부 메우고 있을 수도 있다.
또한, 광촉매층(20)은 2 이상의 마루(11a) 중 적어도 하나를 덮고 있을 수 있다. 즉, 광촉매층(20)은 2 이상의 골(11b) 중 적어도 하나를 전부 메우는 것은 물론, 마루(11a) 중 적어도 하나까지도 덮을 수 있을 정도의 두께를 가지고 있을 수도 있다.
즉, 광촉매층(20)은 도 3에 도시된 바와 같이 골(11b)의 일부 및/또는 전부를 메우고 있을 수 있으며, 2 이상의 마루(11a) 중 적어도 하나를 덮고 있을 수도 있다.
한편, 도 4를 참조하면, 광촉매층(20)은 전술한 도 3 대비 더욱 두껍게 형성되어 마루(11a)와 골(11b)을 전부 덮고 있을 수도 있다. 즉, 광촉매층(20)은 제1면(11)을 전부 덮고 있고 있을 수도 있다.
도 3과 도 4에 도시된 인조 대리석(100)의 경우, 두께를 다양하게 조절함에 따라 나타날 수 있는 광촉매층(20)의 다양한 변형예들이다. 즉, 일 구현예는 광촉매층(20)의 두께를 인조 대리석(100)의 용도, 크기, 광촉매와 인조 대리석 기재를 이루는 소재 등에 따라 다양하게 변형함으로써, 제1면(11)의 미세 굴곡과 다양한 배치를 이루도록 조절할 수 있다. 또한, 광촉매층(20)의 두께를 다양하게 조절하더라도 전술한 제1면(11)의 표면 거칠기에 기인한 인조 대리석 기재(10)와의 우수한 물리적 결합을 나타낼 수 있다.
도 5는 일 구현예에 따른 제1면 상부에서 바라본 인조 대리석 기재의 평면도로 골(valley) 부분을 강조하여 나타낸 것이다. 마루(ridge)는 이웃한 두 골(valley) 사이에 형성되는 것으로, 도 5에서는 별도의 구분이나 표시를 생략하였다.
일 구현예에 따른 인조 대리석(100)은, 인조 대리석 기재(10)의 제1면(11)에 형성된 마루(11a)와 골(11b)이 각각 소정의 축방향을 따라 연장되어 있도록 형성되어진 것일 수 있다. 예컨대 도 5를 참조하면, 제1면(11)에 형성된 마루(11a)와 골(11b)은 각각 D1 축방향을 따라 연장 형성되어 있을 수 있다. 즉, 마루(11a)와 골(11b)에 의해 이루어지는 제1면(11)의 미세 굴곡은 소정의 방향성을 갖도록 가공되어진 것일 수 있다.
제1면(11)의 미세 굴곡이 소정의 방향성을 갖도록 가공하기 위한 방법으로는 예컨대 표면 가공 전의 인조 대리석 기재 표면에 샌딩 페이퍼, 연마기 등의 연마 수단을 접촉한 후 연마 수단 및/또는 인조 대리석 기재를 D1 축방향 전방과 후방으로 왕복이동시키거나, 표면 가공 전의 인조 대리석 기재를 샌딩 드럼(sanding drum) 등의 연마 수단을 향해 D1 축방향 전방 또는 후방으로 이송시키는 방법 등을 들 수 있다. 그러나, 제1면(11)의 미세 굴곡의 표면 가공 방법이 전술한 방법들에 제한되는 것은 아니며, 공지된 다양한 일축 가공 방법을 적용할 수 있다.
일 구현예에서, 제1면(11)의 미세 굴곡은 소정의 방향성을 갖도록 가공되어짐에 따라 해당 방향에 대한 산술평균 거칠기의 편차가 비교적 작게 나타날 수 있다. 예를 들어, 제1방향(예컨대, 도 5의 D1 축방향)을 기준으로 측정한 상기 제1면의 산술평균 거칠기의 표준편차는 0.3 ㎛ 이상, 예를 들어 0.5 ㎛ 이상일 수 있고, 예를 들어 2 ㎛ 이하, 예를 들어 1.7 ㎛ 이하일 수 있으며, 예를 들어 0.3 ㎛ 내지 2 ㎛, 예를 들어 0.5 ㎛ 내지 1.7 ㎛일 수 있다.
인조 대리석 기재의 표면 연마는 일반적으로 그라인더 샌딩 패드 등의 연마 수단을 이용하여 수행되며, 이에 따라 연마된 표면은 일축 방향에 대한 방향성을 갖지 못하고 랜덤한 형태의 미세 굴곡을 나타내게 된다.
이러한 랜덤한 형태의 미세 굴곡을 갖는 인조 대리석 기재 표면은 전술한 일축 방향에 대한 산술평균 거칠기의 표준편차 및/또는 명도차를 만족하지 못할 우려가 있다. 또한 랜덤한 형태의 미세 굴곡은 인조 대리석 기재 표면의 평활성을 향상시키지만, 광촉매층(20)의 코팅 형성성 및 인조 대리석 기재(10)와의 물리적 결합을 저하시키는 원인이 될 우려가 있다.
반면, 일 구현예에 따른 인조 대리석(100)은 제1면(11)이 도 5에 도시된 바와 같이 일축 방향(D1 축방향)으로 방향성을 갖도록 가공되어져 있는 바, 광촉매층(20)의 우수한 코팅 형성성 및 인조 대리석 기재(10)와의 우수한 물리적 결합을 확보할 수 있다.
한편, 제1면(11)의 미세 굴곡은 소정의 방향성을 갖도록 가공되어짐에 따라 해당 방향에 대한 명도차(△L) 또한 비교적 작게 나타날 수 있다. 예를 들어, 제1방향을 기준으로 측정한 상기 제1면의 명도차는 0.7 이상, 예를 들어 1.0 이상일 수 있고, 예를 들어 3.0 이하, 예를 들어 2.7 이하일 수 있으며, 예를 들어 0.7 내지 3.0, 예를 들어 1.0 내지 2.7 일 수 있다.
일반적으로 천연석은 비중이 크고 가공성에 한계가 있어 취급이 용이하지 않고 용도 확장이 제한적일 뿐만 아니라, 부위별 색상 일관성이 비교적 낮은 편이므로 외관이 좋지 않을 우려가 있다.
반면, 일 구현예에 따른 인조 대리석(100)은 천연석 대비 낮은 비중을 가져 취급이 용이한 한편, 제1면(11)의 일축 방향(D1 축방향)을 기준으로 한 명도차 또한 전술한 범위로 상당히 낮은 바, 색상 균일성을 통한 우수한 외관과 심미성을 확보할 수 있다.
일 구현예에서 제2면(12)은 광촉매층(20)이 형성되어 있지 않고 제1면(11) 대비 평활한 미세 굴곡을 가질 수 있다.
그러나, 일 구현예가 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 제2면의 미세 굴곡은 인조 대리석(100)의 용도에 따라 다양하게 조절할 수 있다. 예컨대 제2면 또한 전술한 제1면과 마찬가지로 소정의 표면 거칠기를 갖도록 가공되어 있을 수도 있고, 상기 가공된 제2면 바로 위에 별개의 광촉매층이 더 도포되어 있을 수도 있다.
일 구현예에서, 광촉매층(20)은 광촉매를 포함할 수 있다. 광촉매는 자신이 지니고 있는 띠간격 이상의 에너지(Band Gap Energy)를 갖는 파장의 광(예컨대 UV 등)이 조사되면 활성화되어 음전하의 전자와 표면상에 양전하의 정공을 발생시켜 대기중의 물과 산소로부터 강력한 산화,환원력을 가진 수산기 라디칼과 과산소 이온을 생성하며, 이렇게 생성된 수산기 라디칼과 과산소 이온에 의해 주변의 유독 유기물을 분해하는 성질을 가지고 있다. 이에 따라 상기 광촉매를 포함하는 광촉매층(20) 또한 전술한 광촉매에 기인한 우수한 방오성을 나타낼 수 있다.
광촉매층(20)은 광촉매, 용매, 및 선택적으로 바인더, 기타 첨가제 등을 포함한 광촉매층 형성용 조성물을 제1면(11) 바로 위에 도포 후 경화시킴으로써 제조할 수 있다. 상기 광촉매층 형성용 조성물은 스프레이법, 그라비아법, 침지법 등의 공지된 코팅 방법을 이용하여 도포될 수 있다.
상기 광촉매로는 공지된 다양한 광촉매 물질들을 사용할 수 있으나, 예를 들어 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 황화카드뮴(CdS), 산화텅스텐(WO3), 또는 이들의 조합을 들 수 있다.
일 구현예에서, 상기 광촉매 형성용 조성물에 함유되어 있는 광촉매의 함량은 적어도 1 중량% 이상, 예를 들어 2 중량% 이상일 수 있고, 예를 들어 10 중량% 이하, 예를 들어 9 중량% 이하, 예를 들어 8 중량% 이하, 예를 들어 7 중량% 이하, 예를 들어 6 중량% 이하, 예를 들어 5 중량% 이하일 수 있으며, 예를 들어 1 중량% 내지 10 중량%, , 예를 들어 1 중량% 내지 9 중량%, 예를 들어 1 중량% 내지 8 중량%, 예를 들어 1 중량% 내지 7 중량%, 예를 들어 1 중량% 내지 6 중량%, 예를 들어 1 중량% 내지 5 중량%일 수 있다.
광촉매 형성용 조성물에 함유된 광촉매 함량이 전술한 범위를 만족할 경우 이를 이용하여 형성되는 광촉매층(20)이 우수한 코팅 형성성 및 방오성을 나타낼 수 있다.
전술한 바와 같이, 일 구현예에 따른 인조 대리석(100)은 광촉매층(20)과 직접 접촉하는 인조 대리석 기재(10)의 제1면(11) 표면 거칠기를 조절함으로써 광촉매층(20)의 코팅 형성성 및 인조 대리석 기재(10)와의 물리적 결합이 우수하며, 광촉매층(20)에 기인한 우수한 방오성 또한 확보할 수 있다.
우수한 방오성이 요구되는 분야, 예를 들어 건축물의 내/외벽, 조리대/싱크대의 상판, 또는 거실/로비 등의 바닥재 등 다양한 건축 자재 등에 폭넓게 적용할 수 있다.
한편, 일 구현예에 따른 인조 대리석(100)은 전술한 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이 평판 형상을 가질 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 인조 대리석(100)은 열성형 결과에 따라 다양한 형상을 갖도록 가공되어질 수 있다.
도 6은 일 구현예에 따른 인조 대리석의 일 가공예를 나타낸 단면도이다.
예컨대, 전술한 인조 대리석(100)은 도 6의 인조 대리석(100')처럼 추가 가공 과정을 통해 추가적으로 곡면 형상을 갖도록 가공될 수 있다. 상기 가공은 열성형 공정을 통해 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 열성형 공정으로는 평판 형상의 인조 대리석(100)을 가열한 다음, 가열된 인조 대리석(100)을 곡면 형상을 갖는 몰드에 고정시킨 다음 냉각하는 방법을 이용할 수 있다. 그러나, 구체적인 열성형 공정이 반드시 상기 방법에 한정되는 것은 아니며, 공지된 다양한 열성형 방법을 이용할 수도 있다.
상기 열성형 공정은 인조 대리석(100')를 손상시키지 않는 온도 범위에서 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 열성형 공정 중의 열성형 온도는 100 ℃ 내지 200 ℃, 예를 들어 120 ℃ 내지 180 ℃일 수 있다.
한편, 일 구현예에서, 인조 대리석(100')을 구성하는 인조 대리석 기재(10')는 전술한 열성형이 가능할 수 있도록, 100 ℃ 내지 200 ℃, 예를 들어 120 ℃ 내지 180 ℃의 온도에서 열성형이 이루어질 수 있다.
이에 따라, 곡면 형상을 갖도록 가공된 인조 대리석(100')을 구성하고 있는 인조 대리석 기재(10'), 및 광촉매층(20') 모두 전술한 열성형 과정을 통해 곡면 형상을 갖도록 절곡될 수 있다.
이와 같이 인조 대리석(100')이 열성형을 통해 곡면 형상을 가지더라도, 인조 대리석 기재(10')와 광촉매층(20') 간에는 전술한 제1면(11)의 소정 표면 거칠기에 기인한 물리적 결합이 여전히 공고하게 유지될 수 있다.
따라서, 곡면 형상을 갖는 인조 대리석(100') 또한 전술한 평판 형상을 갖는 인조 대리석(100)과 마찬가지로 우수한 방오성을 갖는 것은 물론, 열성형성이 우수하므로 다양한 형상의 인조 대리석이 요구되는 분야, 예를 들어 건축물의 내/외벽, 조리대/싱크대의 상판, 또는 거실/로비 등의 바닥재 등 다양한 건축 자재 등에 폭넓게 적용할 수 있다.
한편, 일 구현예가 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 열성형 공정과 광촉매층 형성 공정의 선후는 인조 대리석의 목표 형태나 인조 대리석이 적용되는 분야 등에 따라 달리 설정할 수 있다. 예컨대, 다른 일 구현예에서는 광촉매층이 형성되지 않은 인조 대리석 기재를 먼저 전술한 온도 조건 하에서 곡면 형상을 갖도록 열성형하고, 열성형된 인조 대리석 기재 표면에 광촉매층을 형성함으로써 인조 대리석을 얻을 수도 있다.
이하에서 본 발명을 실시예 및 비교예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예 및 비교예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예 1
15 중량%의 폴리메틸메타아크릴레이트 (Arkema 社) 를 85 중량%의 메틸메타아크릴레이트에 용해하여 만든 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 평균 입경이 1 ㎛ 내지 80 ㎛인 수산화 알루미늄 (Chalco 社, H-WF-1) 150 중량부를 투입하고 20 분간 충분히 교반한다.
이후, 완전히 교반된 혼합물을 3 분간 740 mmHg로 진공 및 탈포한 다음 개시제 (동성하이켐 社, Chemex MOM) 1.5 중량부를 넣어 1 분간 교반함으로써 인조 대리석 슬러리를 제조한다.
이후, 제조된 인조 대리석 슬러리를 성형틀에 고르게 부은 다음, 80 ℃의 오븐에서 30 분간 경화함으로써 표면처리되지 않은 인조 대리석 기재를 제조한다.
이후, 제조된 표면처리 되지 않은 인조 대리석 기재를 드럼식 샌딩기 (Timesaver 社, 2300 series wide belt sander)에 넣고 벨트 속도 6m/min, RPM 1800 조건에서 입도 #60의 샌드페이퍼 드럼, 입도 #100의 샌드페이퍼 드럼, 입도 #120의 샌드페이퍼 드럼, 입도 #180의 샌드페이퍼 드럼, 및 입도 #320의 샌드페이퍼 드럼에 순차적으로 통과시킴으로써 표면을 일축 샌딩한다.
일축 샌딩을 통해 가공된 표면의 산술평균 거칠기(Ra)는 7.55 ㎛, 최대 높이 거칠기(Ry)는 37.76 ㎛, 최대 단면골 높이 (Rv)는 21.68 ㎛, 10점 평균 거칠기(Rz)는 24.89 ㎛으로 각각 나타나며, 샌딩된 축방향을 기준으로 한 산술평균 거칠기의 표준편차는 1.0 ㎛, 명도차는 2 로 각각 나타난다.
이후, 인조 대리석 기재의 샌딩처리된 표면 바로 위에 광촉매층 형성용 조성물[자일렌(Xylene) 용매에 이산화티타늄과 이산화규소가 용해되어 있는 조성물]을 스프레이 건을 이용하여 5 중량부 도포한 다음, 25℃ 에서 24 시간 동안 경화함으로써 실시예 1에 따른 인조 대리석을 제조한다. 실시예 1에 따른 인조 대리석은 이산화티타늄 광촉매층이 인조 대리석의 샌딩된 표면을 전부 덮고 있다.
실시예 2
일축 샌딩을 통해 가공된 표면의 산술평균 거칠기(Ra)가 7.02 ㎛, 최대 높이 거칠기(Ry)가 35.33 ㎛, 최대 단면골 높이 (Rv)가 20.30 ㎛, 10점 평균 거칠기(Rz)가 25.12 ㎛으로 각각 나타나며, 가공된 축방향을 기준으로 한 산술평균 거칠기의 표준편차는 1.0 ㎛, 명도차는 2로 각각 나타나도록 표면을 일축 샌딩하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정을 거쳐, 실시예 2에 따른 인조 대리석을 제조한다.
비교예 1
일축 샌딩을 통해 가공된 표면의 산술평균 거칠기(Ra)가 0.2 ㎛, 최대 높이 거칠기(Ry)가 1.61 ㎛, 최대 단면골 높이 (Rv)가 0.63 ㎛, 10점 평균 거칠기(Rz)가 1.02 ㎛으로 각각 나타나며, 가공된 축방향을 기준으로 한 산술평균 거칠기의 표준편차는 0.1 ㎛, 명도차는 1.0으로 각각 나타나도록 표면을 일축 샌딩하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정을 거쳐, 비교예 1에 따른 인조 대리석을 제조한다.
비교예 2
일축 샌딩을 통해 가공된 표면의 산술평균 거칠기(Ra)가 0.24 ㎛, 최대 높이 거칠기(Ry)가 1.63 ㎛, 최대 단면골 높이 (Rv)가 0.60 ㎛, 10점 평균 거칠기(Rz)가 1.09 ㎛으로 각각 나타나며, 가공된 축방향을 기준으로 한 산술평균 거칠기의 표준편차는 1.0 ㎛, 명도차는 2로 각각 나타나도록 표면을 일축 샌딩하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 과정을 거쳐, 비교예 2에 따른 인조 대리석을 제조한다.
비교예 3
15 중량%의 폴리메틸메타아크릴레이트 (Arkema 社) 를 85 중량%의 메틸메타아크릴레이트에 용해하여 만든 아크릴계 수지 시럽 100 중량부에 평균 입경이 1 ㎛ 내지 80 ㎛인 수산화 알루미늄 (Chalco 社, H-WF-1) 150 중량부, 및 실시예 1에서 준비한 광촉매층 형성용 조성물 10 중량부를 투입하고 20 분간 충분히 교반한다.
이후, 완전히 교반된 혼합물을 3 분간 740 mmHg로 진공 및 탈포한 다음 개시제 (동성하이켐 社, Chemex MOM) 1.5 중량부를 넣어 1 분간 교반함으로써 인조 대리석 슬러리를 제조한다.
이후, 제조된 인조 대리석 슬러리를 성형틀에 고르게 부은 다음, 80 ℃의 오븐에서 30 분간 경화함으로써 비교예 3에 따른 인조 대리석을 제조한다.
평가 1: 인조 대리석의 가스 분해능
전술한 실시예 1에서 제조된 인조 대리석을 가로 100 mm X 세로 100 mm X 두께 12 mm의 규격으로 절단한 시편에 대하여 ISO 22197 에 따른 가스 분해능 평가를 수행한다. 광원은 UV-A (조도: 500 μW/cm2)를 사용하고, 분해 대상 가스는 120 ppm 의 아세트 알데하이드를 사용한다.
테스트 백에 전술한 실시예 1에서 제조된 인조 대리석을 전술한 아세트 알데하이드가 충전된 가스백에 투입한 다음, 전술한 광원을 작동하지 않은 조건(암조건) 하에서 2 시간 방치하면서, 검지관을 이용하여 아세트 알데하이드 잔류율을 측정한다.
다음, 전술한 광원을 작동시킨 조건(명조건)으로 16 시간 방치하면서, 검지관을 이용하여 아세트 알데하이드 잔류율을 측정한다.
상기 암조건과 명조건 하에서의 아세트 알데하이드 잔류율 측정 결과는 표 1에 정리하여 나타낸다.
| 측정 시작 | 실험 조건 |
아세트 알데하이드 농도 (ppm) | ||||
| 실시예1 | 실시예2 | 비교예1 | 비교예2 | 비교예3 | ||
| 초기 (0시간) |
암조건 (UV-A X, 초기 ~ 2시간 경과 까지) |
120 | 120 | 120 | 120 | 120 |
| 2시간 경과 | 120 | 120 | 120 | 120 | 120 | |
| 6 시간 경과 | 명조건 (UV-A ○, 2 시간 경과후 ~ 18 시간 경과까지) |
100 | 100 | 100 | 100 | 120 |
| 10 시간 경과 | 60 | - | - | - | - | |
| 14 시간 경과 | 20 | - | - | - | - | |
| 18 시간 경과 | 0 | 0 | 60 | 60 | 100 | |
표 1을 참조하면, 암조건 하에서는 시간이 경과하여도 가스 분해가 일어나지 않았으나, 명조건으로 전환된 이후부터 점차 가스 분해가 일어나, 최종적으로 실험 시작 후 18 시간 경과 (조건 변경 후 16 시간 경과)한 시점에서 모든 아세트 알데하이드가 분해되었음을 확인할 수 있다. 표 1의 결과로부터, 전술한 인조 대리석은 UV를 이용한 우수한 가스 분해능을 나타냄을 확인할 수 있다.
평가 2: 인조 대리석의 광촉매 활성도
전술한 실시예들 및 비교예들에 따른 인조 대리석을 가로 100 mm X 세로 100 mm X 두께 12 mm의 규격으로 절단한 시편에 대하여 JIS94에 따른 광촉매 활성도를 평가한다.
구체적으로, 메틸렌블루 염료를 소정의 함량만큼(실시예 1과 비교예 1은 각각 0.3 g, 실시예 2와 비교예 2 및 비교예 3은 각각 1.0 g) 준비된 시편 표면 위에 떨어트려 바른다.
이후, 메틸렌블루 염료가 발라진 표면이 상부에 드러나도록 시편을 45°의 경사를 갖는 거치대 위에 거치한 다음, 10 일 동안 옥외 폭로 시험을 수행한다. 옥외 폭로 시험 수행 시에는 12 시간 단위로 시편 표면의 메틸렌블루 염료 잔존량을 육안으로 확인한다.
10 일 경과 후, 각 시편에 잔류하는 메틸렌블루 염료의 정도를 초기와 대비함으로써, 광촉매 활성도를 평가한다.
실시예 1과 비교예 1의 광촉매 활성도 평가 결과는 도 7에, 실시예 2와 비교예 2의 광촉매 활성도 평가 결과는 도 8에 각각 대비하여 나타내며, 비교예 3에 따른 광촉매 활성도 평가 결과는 도 9로 분리하여 나타낸다.
도 7과 도 8을 참조하면, 산술평균 거칠기(Ra)가 1 ㎛ 미만인 비교예 1과 비교예 2는 모두 소정의 시간이 경과하더라도 메틸렌블루가 인조 대리석 표면에 잔류하는 양상을 나타내는 반면, 산술평균 거칠기(Ra)가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 에 속하는 실시예들은 모두 소정의 시간이 경과함에 따라 표면의 메틸렌블루가 거의 제거된 것을 확인할 수 있다.
한편, 도 9를 참조하면, 광촉매 블렌드형 인조대리석의 경우(비교예 3)는 모두 소정의 시간이 경과하더라도 메틸렌블루가 인조 대리석 표면에 잔류하는 양상을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
따라서 도 7 내지 도 9의 결과로부터, 소정의 표면 거칠기를 갖는 인조 대리석 기재 바로 위에 광촉매층을 형성할 경우, 코팅 형성성 및 방오성이 모두 우수한 인조 대리석을 구현할 수 있음을 확인할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
10: 아크릴계 인조 대리석 기재 11: 제1면
11a: 마루 11b: 골
12: 제2면 20: 광촉매층
100: 인조 대리석
11a: 마루 11b: 골
12: 제2면 20: 광촉매층
100: 인조 대리석
Claims (15)
- 산술평균 거칠기(Ra)가 1 ㎛ 내지 12 ㎛ 인 제1면을 갖는 인조 대리석 기재; 및
상기 제1면의 바로 위에 위치하는 광촉매층;
을 포함하고,
상기 제1면은 골(valley)과 마루(ridge)를 포함하되,
상기 광촉매층은 상기 골의 적어도 일부를 메우고 있는, 인조 대리석. - 제1항에서,
상기 광촉매층은 상기 제1면의 적어도 일부를 덮고 있는, 인조 대리석. - 삭제
- 제1항에서,
상기 골과 상기 마루는 각각 2 이상 형성되어 있고,
상기 광촉매층은 상기 2 이상의 마루 중 적어도 하나를 덮고 있는, 인조 대리석. - 제1항에서,
상기 광촉매층은 상기 제1면을 전부 덮고 있는, 인조 대리석. - 제1항에서,
상기 골과 상기 마루는 각각 제1방향을 따라 연장되어 있는, 인조 대리석. - 제6항에서,
상기 제1방향을 기준으로 측정한 상기 제1면의 산술평균 거칠기의 표준편차는 0.3 ㎛ 내지 2 ㎛ 인, 인조 대리석. - 제6항에서,
상기 제1방향을 기준으로 측정한 상기 제1면의 명도차 (△L)는 0.7 내지 3 인, 인조 대리석. - 제1항에서,
상기 제1면의 최대 높이 거칠기(Ry)는 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 이고, 최대 단면 골 높이(Rv)는 1 ㎛ 내지 30 ㎛ 인, 인조 대리석. - 제1항에서,
상기 제1면의 10점 평균 거칠기(Rz)는 5 ㎛ 내지 40 ㎛ 인, 인조 대리석. - 제1항에서,
상기 광촉매층은 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 황화카드뮴(CdS), 산화텅스텐(WO3), 또는 이들의 조합을 포함하는, 인조 대리석. - 제1항에서,
상기 인조 대리석 기재는
아크릴계 수지 시럽의 경화물, 및 충진재를 포함하는, 인조 대리석. - 제12항에서,
상기 아크릴계 수지 시럽은 아크릴계 단량체 및 상기 아크릴계 단량체의 중합체를 포함하는, 인조 대리석. - 제12항에서,
상기 충진재는 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탈크, 또는 이들의 조합을 포함하는, 인조 대리석. - 제1항에서,
상기 인조 대리석은 평판 형상, 또는 곡면 형상을 가지는, 인조 대리석.
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