KR102419468B1 - 게터 물질 층을 포함하는 전자파 검출 장치를 만드는 방법 - Google Patents

게터 물질 층을 포함하는 전자파 검출 장치를 만드는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자파 검출 장치를 만드는 방법에 관한 것으로, 상기 전자파 검출 장치(1)는, 밀폐된 공동 안에 위치하도록, 기판(2) 위에 현가된 흡수막(11)을 갖는 적어도 하나의 열 검출기(10)를 포함하고, 상기 방법은:
- 기판(2)상에, 게터링 효과(gettering effect)를 갖는 금속성 물질을 포함하는, 소위 게터링 금속 층(40)을 증착하는 단계;
- 상기 게터링 금속 층(40) 상에, 비정질 탄소의, 소위 탄소질 희생 층(50)을 증착하는 단계;
- 상기 탄소질 희생 층(50) 상에 적어도 하나의 희생 무기질 층(60A, 60B)을 증착하는 단계;
- 상기 희생 무기질 층(60A)의 화학적-기계적 평탄화 단계;
- 상기 희생 무기질 층(60A) 상에 흡수막(11)이 생성되도록 열 검출기(10)를 제조하는 단계;
- 희생 무기질 층(60A, 60B)을 제거하는 단계;
- 탄소질 희생 층(50)을 제거하는 단계;를 포함한다.

Description

게터 물질 층을 포함하는 전자파 검출 장치를 만드는 방법{METHOD FOR MAKING A DEVICE FOR DETECTING ELECTROMAGNETIC RADIATION COMPRISING A LAYER OF GETTER MATERIAL}
본 발명의 기술분야는 전자파, 특히 적외선 또는 테라헤르츠 파를 검출하는 장치에 관한 것으로, 밀폐된 공동 안에 캡슐화된 적어도 하나의 열 검출기, 밀폐된 공동에 위치하는 게터 물질의 박층을 포함한다. 본 발명은 특히 적외선 촬영 및 서모그래피 영역에 적용된다.
전자파, 가령 적외선 또는 테라헤르츠 파를 검출하는 장치는, 소위 기본 열 검출기들(elementary thermal detectors)의 매트릭스를 포함하고, 각 검출기는 검출하고자 하는 전자파를 흡수할 수 있는 흡수성 부분(absorbent portion)을 포함한다.
열 검출기들의 열 고립을 보장하기 위하여, 흡수성 부분들은 일반적으로 정착(anchoring) 기둥들에 의해 기판 위에 현가된(suspended) 막의 형태를 하고 있고, 고정 팔들(holding arms)과 단열에 의해 정착 기둥들로부터 열적 고립된다. 이 정착 기둥들 및 단열 팔들은 또한 현가된 막들을 일반적으로 기판에 배열된 독출 회로(reading circuit)와 전기적으로 연결하는 전기 기능을 갖는다.
독출 회로는 일반적으로 CMOS 회로의 형태이다. 이것은 명령 신호가 열 검출기들로 인가되는 것뿐만 아니라 검출하고자 하는 전자파의 흡수에 대응하여 열 검출기들에 의해 생성된 검출 신호들의 독출을 할 수 있게 해준다. 독출 회로는 소위 금속 간 유전체 층(intermetal dielectric layers)에 의해 서로 떨어진 금속 라인들로 형성된 전기 배선(interconnection)의 다양한 계층들(levels)을 포함한다. 독출 회로의 전기적 연결을 위한 패드는 검출 장치 밖으로부터 접촉될 수 있는 방식으로 기판 위에 배열된다.
그리하여, 문서 EP2743659는 적외선을 검출하는 장치의 두 가지 예를 기술하고, 그의 제조 방법은 독출 회로의 층간 유전체 층들과 동일 또는 유사한 무기질 희생 층들을 사용한다.
도 1a는 복수의 열 검출기(10)를 포함하는 검출 장치(1)의 제1 실시예를 도시하며, 각각의 열 검출기는 기판(2) 위에 현가되어 있고 CMOS 독출 회로(20)의 금속 라인의 부분(21)과 전기적으로 연결된 흡수막(11)을 포함하고, 이 경우에서 금속 라인은 CMOS 회로(20)의 전기적 배선의 끝에서 두 번째 계층(a penultimate level)에 속한다. 열 검출기(10)들은 COMS 회로(20)의 층간 유전체 층(23)의 그것과 동일 또는 유사한 무기질 물질의 희생층을 사용하여 제조된다. 전기 연결 패드(5)는 검출 장치(1) 외부로부터 CMOS 회로(20)를 연결할 수 있게끔 마련된다. 에칭 장벽층(4)은 기판(2)의 표면에 걸쳐 연속적으로 연장되어, 무기질 희생층을 제거하는 단계에서 이용되는 화학 에칭의 진행을 막아서 CMOS 회로(20)를 보호하도록 한다. 열 감출기 또는 검출기들(10)은 실링층(34)으로 덮인 캡슐화 층(31)에 의해 부분적으로 경계 지어진 밀폐된 공동(3) 안에 캡슐화 되고, 실링층은 특히 무기질 희생층들을 제거하는 단계 동안에 에칭물들을 비울 수 있게 하는 적어도 하나의 배출구(release vent, 32)의 실링을 보장한다.
도 1b는 검출 장치(1)의 제2 실시예를 도시하며, 검출 장치의 열 검출기(10)들은 역시 무기질 희생 층들을 이용하여 제조된다. 에칭 장벽층(4)은 역시 무기질 희생층들을 제거하는 단계 동안에 CMOS 회로(20)의 층간 유전체 층(23)들의 보호를 제공한다. 흡수막(11)의 맞은편에 위치하고 에칭 장벽층(4)으로 덮인, 부분(21-1)의 금속 라인과 동일한 금속 라인의 제2 부분(21-2)은 검출하고자 하는 파장의 광 반사의 기능을 제공한다. 열 검출기 또는 검출기들(10)은 이 경우에 있어선 캡슐화 구조물(30)에 의해 형성된 밀폐된 동공(3) 안에 캡슐화되어 있고, 캡슐화 구조물은 용접 밀폐(hermetic seal, 35)에 의해 기판(2) 상에 조립된, 애드-온 덮개(add-on cover)의 형상을 취한다. 밀폐된 동공(3) 내부에 가스 펌핑을 제공하기 위한 게터 물질을 포함하는 층(40)은 애드-온 덮개(30)의 하부 표면에 위치한다.
그러나, 적어도 하나의 무기질 희생층의 사용을 포함하는, 전자파를 검출하는 장치를 만드는 방법에 대한 요구가 있고, 여기에 게터 물질의 층은 밀폐된 공동 내부에, 기판의 표면 위에 증착된다.
또한, 열 검출기 또는 검출기들의 위 및 주변에 연장되는 캡슐화 박층(a thin encapsulating layer)을 형성하는 것을 가능하게 만드는 전자파를 검출하는 장치를 만드는 방법 에 대한 필요가 있다.
또한, 검출의 향상된 감도를 갖는 전자파를 검출하는 장치를 만드는 방법에 대한 요구가 있다.
본 발명의 목적은 종래 기술의 단점들을, 적어도 부분적으로, 극복하는 것이고, 보다 특히, 적어도 하나의 열 검출기를 포함하는 전자파를 검출하는 장치를 만드는 방법을 제안하는 것이며, 후자는 검출하고자 하는 전파를 흡수하기에 적합한, 기판 위에 현가된(suspended), 흡수막을 포함하고, 여기서 열 검출기는 밀폐된 동공 안에 위치되고자 한다. 이 방법은 적어도 다음의 단계들을 포함한다:
- 기판상에, 게터링 효과(gettering effect)를 갖는 금속성 물질을 포함하는 소위 게터링 금속 층을 증착하는 단계;
- 게터링 금속 층을 덮기 위하여, 제2 화학 에칭에 의해 게터링 금속 층에 대하여 선택적으로 식각될 수 있는 비정질 탄소의 탄소성 물질을 포함하는 소위 탄소질 희생 층을 증착하는 단계;
- 탄소질 희생 층 상에, 제1 화학 에칭에 의해 탄소질 희생 층에 대하여 선택적으로 식각될 수 있는 무기 물질을 포함하는 적어도 하나의 희생 무기질 층을 증착하는 단계;
- 희생 무기질 층의 화학적-기계적 평탄화 단계;
- 희생 무기질 층 상에 흡수막이 생성되도록 하는 열 검출기의 제조 단계;
- 상기 제1 화학 에칭에 의한 희생 무기질 층의 제거 단계;
- 상기 제2 화학 에칭에 의한 탄소질 희생 층의 제거 단계.
화학적-기계적 평탄화 또는 연마(CMP)의 단계는, 그 위에 흡수막이 생성되는, 증착된 희생 무기질 층의 실질적으로 평평한 표면을 획득하기 위한 단계이다. 이는 희생 무기질 층의 상부 표면 상에 화학적 작용 및 기계적 작용을 동시에 가하는 것에 관한 문제이다. 기계적 작용은 통상적으로 연마 헤드(polishing head)로 수행되고, 연마 헤드는 무기질 층의 표면에 맞닿아 회전하는 연마재를 적용한다.
몇몇 선호되는, 그러나 비-제한적인 측면에서의 본 검출 장치는 다음과 같다.
게터링 효과를 갖는 금속성 물질은 티타늄, 지르코늄, 바나듐, 크롬, 코발트, 철, 망간, 팔라듐, 바륨, 및/또는 알루미늄에서 선택된 것일 수 있다.
무기 물질은 적어도 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함한 물질일 수 있다.
제1 화학 에칭은, 바람직하게는 증기상(vapour phase)의 불화수소산(hydrofluoric acid)을 이용한, 산성 매질(acid medium)에서의 화학 부식(chemical attack)일 수 있다.
제2 화학 에칭은 산소 플라즈마에 의한 건식 에칭일 수 있다.
게터링 금속 층은 기판의 전기적 절연 층 상에 놓여 있고 이와 접촉하고 있을 수 있거나, 또는 제1 화학 에칭을 막을 수 있고 기판의 상부 면을 덮는 물질로 만들어진 에칭 장벽층(etching barrier layer) 상에 놓여 있고 이와 접촉하고 있을 수 있다.
탄소질 희생 층은 게터링 금속 층을 덮을 수 있다.
게터링 금속 층은 수 개의 구분되는 부분들을 포함할 수 있고, 이 중 적어도 제1 부분은 흡수막 아래에 위치한다.
열 검출기를 제조하는 단계는 상기 열 검출기의 캡슐화 구조물의 형성을 포함하고, 상기 캡슐화 구조물은, 기판과 함께, 상기 열 검출기가 안에 위치하는 밀폐된 동공을 정의하기 위하여, 상기 열 검출기 주변과 위에 연장된 캡슐화 층을 포함하고, 캡슐화 층은, 배출구라 부르는, 적어도 하나의 관통 구멍을 포함한다. 제1 및 제2 화학 에칭 동안에 제거되는 물질들은 상기 배출구를 통해 빠져나갈 수 있다.
캡슐화 층은 실리콘을 포함하는 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
캡슐화 층은, 게터링 금속 층과 접촉하고 상기 열 검출기 주위에 연장된 주변 벽(peripheral wall)을 포함할 수 있다.
열 검출기는 기판 상의 위치에 흡수막을 고정하기 위한 적어도 하나의 고정 기둥을 포함할 수 있고, 고정 기둥은 게터링 금속 층과 접촉한다.
본 발명의 다른 측면, 목적, 이점 및 특징들은, 비-제한적인 예시로서 주어지는 바람직한 본 발명의 실시예에 대한 다음의 상세한 설명을 읽고 첨부한 도면을 참조하여 명확해질 것이다.
이미 기술된 도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 검출 장치들의 상이한 예시들에 관한 도식적인 단면도;
도 2a 내지 도 2h는 제1 실시예에 따른 검출 장치를 만드는 방법의 다른 단계들에 관한 도식적인 단면도;
도 3은 제2 실시예에 따른 검출 장치의 도식적인 단면도;
도 4는 제3 실시예에 따른 검출 장치의 도식적인 단면도이다.
도면들과 나머지 설명에 있어서, 동일한 참조들은 동일하거나 또는 유사한 요소들을 나타낸다. 더욱이, 다양한 요소들은, 더 높은 도면의 명확성을 위해서, 일정한 비율로 도시되지 않았다. 게다가, 다양한 실시예 및 변형들은 서로간에 배타적이지 아니하며 함께 결합될 수 있다. 달리 언급하지 않는 한, “대략”, “약”, “어느 정도”의 용어들은 10% 이내를 의미한다.
본 발명은 적외선 또는 테라헤르츠 파를 검출하기에 적합한 전자파(1)를 검출하는 장치의 제조에 관한 것이다. 이것은 밀폐된 동공(3) 안에 위치되고자 하는 적어도 하나의 열 검출기(10), 및 밀폐된 동공(3) 내에서 기판(2) 상에 나타나는 게터링 효과를 갖는 물질을 포함하는 층(40)을 포함한다. 게터 물질로도 불리는, 게터링 효과를 갖는 이 물질은, 밀폐된 동공(3)의 공기에 노출되고, 흡수에 의한 가스 펌핑 및/또는 흡착을 수행할 수 있다.
이 게터 물질은 티타늄, 지르코늄, 바나듐, 크롬, 코발트, 철, 망간, 팔라듐, 바륨 및/또는 알루미늄, 또는 TiZrV와 같은 이들 금속의 합금에서 선택된 금속성 물질일 수 있다. 이후 언급할 바와 같이, 게터링 금속 층(40)은 또한 검출하고자 하는 파장에서 빛을 반사할 수 있는 것이거나, 검출 장치(1)의 몇몇 소자들의 기판(2)과의 결합을 향상하기 위해 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은, 예를 들어 증기상의 불화수소산이 있는 산성 매질에서의 화학 부식과 같은, 희생 무기질 층(60A, 60B)을 제거하기 위해 차후에 사용되는 화학 에칭 동안에 게터링 금속 층(40)을 보호할 수 있는, 소위 보호용 희생 층(50)의 증착 및 그 다음 에칭에 관한 것이다.
이 보호용 희생 층(50)은 탄소성 물질, 즉, 탄소 원자를 포함하는 화학종(chemical species) 중 적어도 한 종류로 형성된 물질을 포함할 수 있다. 그래서 이것은, 선택적으로 DLC (다이아몬드-유사 탄소) 종류의, 비정질 탄소와 같은 무기 물질, 또는 폴리이미드와 같은 유기 물질일 수 있다. DLC 종류의 탄소는 탄소 sp3 혼성의 높은 준위를 갖는 비정질 탄소이다. 바람직하게는, 탄소성 물질은 이 층(50)을 에칭하는 단계 마지막에 잔여물이 남아있을 가능성을 회피하기 위하여, 실리콘을 포함하지 않는다.
탄소질 희생 층(50)은 차후에 희생 무기질 층(60A, 60B)을 제거하기 위해 수행되는 화학 에칭에 실질적으로 불활성인 그러한 물질을 포함하거나 또는 그러한 물질로 구성된다. “실질적으로 불활성”이라는 것은 탄소성 물질이 이 에칭 단계에 사용되는 산성 매질과 거의 반응하지 않는, 또는 반응이 작아서, 탄소질 희생 층(50)이 이 에칭 단계 끝에는 그 전체 두께를 통과해서 식각되지 않도록 하는 것을 의미하고, 그리하여 게터링 금속 층(40)은 탄소질 희생 층(50)에 의해서 모든 열화에 대해 보호된다.
탄소질 희생 층(50)은 더욱이, 에칭제(etching agent)가 플라즈마에 함유된 산소인, 건식 화학 에칭과 같은 화학 에칭에 의해 제거될 수 있다.
또한, 본 발명은 미네랄, 즉 무기의, 물질을 포함하는 적어도 하나의 희생 층(60A, 60B), 소위 희생 무기질 층의 증착 및 그 후 에칭에 관한 것이다.
이 경우에 무기 물질은 독출 회로(20)의 층간 유전체 층(23)을 생성하기 위한 실리콘 기반의 유전체 물질, 즉, 예를 들면 3.9 이하의 유전 상수, 즉 비유전율을 갖는 절연 물질이고, 이는 배선들 사이의 기생 커패시턴스를 제한하는 것을 가능케 한다. 이것은 탄소사슬을 포함하지 않는, 가령 실리콘 산화물 SiOx이나 실리콘 질화물 SixNy같은, 또는 심지어 유기 실리콘(organosilicon) 물질, 가령 SiOC, SiOCH같은, 또는 플루오르화 유리 종류, 가령 SiOF와 같은 물질이다.
그러한 물질을 포함하는 또는 그러한 물질로 구성된 희생 무기질 층(60A, 60B)은, 예를 들어 증기상인 불화수소산을 이용한, 산성 매질 내 화학 부식과 같은 습식 화학 에칭에 의해 제거될 수 있다. 습식 에칭이란 일반적으로 에칭물이 액체상(liquid phase) 또는 증기상인 것을 의미하고, 본 발명의 맥락에서는 증기상을 의미한다.
도 2a 내지 도 2g는 제1 실시예에 따른 검출 장치(1)를 만드는 상이한 단계들을 도시한다. 게터 물질을 증착하는 단계들을 제외한, 탄소질 희생 층(50)을 증착 및 제거하는 몇몇 단계들은 EP2743659 문헌에 기술된 방법의 그것들과 유사 또는 동일할 수 있다.
여기 및 나머지 설명에서, 3차원 방향 기준(X,Y,Z)이 정의되며, 여기서 평면 (X,Y)은 검출 장치(1)의 기판(2) 평면에 대략 평행하고, Z축은 기판(2)의 평면에 대략 수직한 방향을 지향한다. “수직한” 및 “수직하게” 용어는 Z축에 대략적으로 평행한 지향에 관한 것으로 이해되고, “수평적” 및 “수평으로” 용어는 평면 (X,Y)에 대략적으로 평행한 지향에 관한 것으로 이해된다. 더욱이, “하부” 및 “상부” 용어는 기판(2)으로부터 +Z 방향으로 멀어지는 곳에서의 증가하는 위치 결정에 관한 것으로 이해된다.
도 2a를 참조하면, 기판(2)은 CMOS 회로 종류의 독출 회로(20)를 포함하여 생성된다. CMOS 회로(20)는 열 검출기들(10)에 의해 전달되는 신호를 공급 및 측정할 수 있다. 그리하여 이것은 다이오드, 트랜지스터, 커패시터, 저항 등과 같은, 금속 배선에 의해서 열 검출기들(10), 뿐만 아니라 검출 장치(1)를 외부 전자 장치와 전기적으로 연결하기 위한 연결 패드(미도시)에 전기적으로 연결된 능동 전자 부품들을 포함한다. 이 경우에 독출 회로(20)는, 전도 비아(conducting via, 22)에 의해 하부 계층의 전기 배선의 금속 라인의 부분(24)과 전기적으로 연결된, 금속 라인의 제1 부분(21)을 포함하는 전기 배선의 일 계층을 포함한다. 비아(22)들 및 금속 라인들은 층간 유전체 층(23)들에 의해 서로간에 분리되어 있다. 이 경우에 기판(2)은 금속 라인의 부분(21)과 함께 층간 유전체 층(23)이 드러나는 계층에 있는, 상부 면을 포함한다. 기판(2)을 만드는 이 단계는 EP2743659 문헌에 기술된 그것과 동일 또는 유사할 수 있다. 그리하여, 도시의 목적으로, 층간 유전체 층(23)에 만든 도랑들이 구리로 채워지는, 상감 공법(damascene process)에 의하여 전도 비아(22)들 및 금속 라인들의 부분들(21, 24)은 구리, 알루미늄 또는 텅스텐으로 만들어질 수 있다. 구리 또는 텅스텐은 선택적으로 티타늄 질화물, 탄탈룸 질화물 또는 다른 것의 수직 층들 사이에 가로질러 삽입될 수 있다. 금속 라인의 부분은 화학적-기계적 연마(CMP)의 기술로 층간 유전체 층(23)의 상부 면의 계층과 같은 높이에 만들어질 수 있다.
에칭 장벽 층(4)은 기판(2)의 상부 면의 적어도 일부분 상에 증착된다. 그래서 이 에칭 장벽 층은 함께 기판(2)의 상부 면을 함께 형성하고 있는 층간 유전체 층(23) 및 금속 라인의 부분(21)을 연속적으로 덮는다. 에칭 장벽 층(4)은 탄소질 희생 층(50)을 제거하기 위하여 차후에 이용될 화학 에칭, 보다 정확하게는 산소-플라즈마 건식 화학 에칭에 대해 실질적으로 불활성인 물질을 포함한다. 이 경우에 탄소질 희생 층(50)이 기판(2)의 상부 면을 완전히 덮고 있지 않다면, 이 물질은 더욱이 무기질 희생 층 즉 층(60A, 60B)을 제거하기 위하여 차후에 이용될 화학 에칭, 보다 정확하게는 증기상의 HF에서의 화학 부식에 대해 실질적으로 불활성일 수 있다. 그래서 에칭 장벽 층(4)은 희생 층들을 제거하는 단계들 동안에 식각되는 CMOS 회로(20)의 층간 유전체 층들(23)을 보호한다. 이것은 알루미나 Al2O3, 또는 알루미늄 질화물, 알루미늄 3불화물(trifluoride), 또는 의도적으로 도핑하지 않은 비정질 실리콘으로 형성될 수 있다. 이것은 예를 들어 ALD(원자 층 증착)에 의해 증착될 수 있고, 예를 들어 약 십 나노미터에서 몇백 나노미터까지의 두께, 예를 들어 20 nm와 150 nm 사이의 두께를 가질 수 있다.
도 2b를 참조하면, 그 다음 게터링 금속 층(40)은 에칭 장벽 층(4) 상에 증착된다. 이 층(40)은 게터링 효과를 제공, 즉, 흡수 및/또는 흡착에 의하여, 밀폐된 동공(3) 안에 존재하는 가스 분자들을 펌핑하기에 충분한 금속성 물질을 포함한다. 이 게터링 효과는 밀폐된 동공(3) 내에 진공의 요구 수준을 개선 또는 유지하는 것을 가능하게 해준다. 이 물질은 더욱이 탄소질 희생 층(50)을 제거하기 위하여 추후에 수행될 화학 에칭, 이 경우 보다 정확하게는 산소-플라즈마 건식 화학 에칭에 대해 실질적으로 불활성이다. 금속성 물질은 티타늄, 지르코늄, 바나듐, 크롬, 코발트, 철, 망간, 팔라듐, 및/또는 알루미늄에 기반한다, 즉 이 금속들 중 하나 또는 TiZrV와 같은, 이 금속들의 합금을 포함한다. 이러한 금속들 중에서, 티타늄, 지르코늄, 팔라듐 및 바나듐, 그리고 이들의 합금은 우수한 화학 흡착 성질(게터링 효과)를 갖는다. 금속은 초소형 전자공학의 표준 기술, 예를 들어 음극 스퍼터링에 의해서, 진공 증발 또는 화학 증기 증착에 의해서 증착될 수 있다. 게터링 금속 층(40)은 몇 십 나노미터에서 몇 백 나노미터의 두께, 예를 들어 50 nm와 500 nm 사이, 또는 100 nm와 300 nm 사이의 두께를 가질 수 있다.
게터링 금속 층(40)은 하나의 동일한 물질 또는 위에서 언급한 여러 물질들로 구성될 수 있다. 그래서 이것은 여러 개의 소위 기본 층들의 적층, 예를 들어 티타늄 50 nm인 바닥 층, 알루미늄 100 nm인 중간 층 및 티타늄 200 nm인 맨 위 층으로 형성될 수 있다.
하나 이상의 상기 금속성 물질로 만들어진 게터링 금속 층(40)을 구비함에 있어서, 이것이 흡수막(11) 반대편에 위치하면, 이것은 검출하고자 하는 파장의 광 반사 기능 역시 제공할 수 있고, 그리하여 열 검출기(10)의 감도를 향상할 수 있다.
게터링 금속 층(40)은 더욱이, 기판(2) 상에 검출 장치(1)의 소자들의 접착을 향상하기 위해 추가적인 본딩(bonding) 기능을 제공할 수 있다. 그리고, 위에 언급한 물질 목록 중에서 티타늄 및 크롬은 우수한 접착 성질을 갖는다.
이 경우에서는 불연속적으로 연장된 게터링 금속 층(40)은 포토리소그래피 및 에칭의 통상의 작용들로 획득되는, 서로 분리된 부분들을 포함한다.
그리하여, 제1 부분(41)은, 예를 들어 한 픽셀 정도의, 선택적으론 직사각형 또는 정사각형인, 큰 영역을 가지고, 가스 분자들에 대한 화학적 가두기(chemical trapping)의 게터링 기능을 촉진한다. 제1 부분(41)은 유리하게는 흡수막(11) 아래로 연장되어, 후자와 함께 1/4 파장 간섭 동공을 형성함으로써, 열 검출기(10)의 감도를 개선한다.
제2 부분(42)은 유리하게는 검출 장치(1)의 소자가 만들어질 구역에서 생성될 수 있고, 그리하여 기판(2)에 대한 그 소자의 접착은 게터링 금속 층(40)에 의해 제공되는 우수한 본딩에 의해 보강되게 된다.
제3 부분(미도시)은 유리하게는 금속 라인 부분(21)의 계층에서 그리고 열 검출기(10)의 고정 기둥(12)이 만들어질 구역에서 생성될 수 있다. 그래서 고정 기둥(12)은 게터링 금속 층(40)의 제3 부분과 접촉할 수 있고, 바람직하게는 후자는 직접적으로 금속 라인의 부분(21)과 접촉한다. 이것은 CMOS 독출 회로(20) 및 고정 기둥(12) 사이의 전기적 접촉의 품질만 아니라, 기판 상의 고정 기둥의 결합도 향상시킨다. 이 제3 부분은, 도 3을 참조한 후술과 같이, 에칭 장벽 층(4)이 존재하지 않을 때 특히 유리하다
다음으로, 도 2c를 참조하면, 탄소질 희생 층(50)으로 불리는 보호 희생 층은 게터링 금속 층(40)을 완전히 덮도록 증착된다. 그러면, 후자는 자유 표면, 즉 에칭제가 접근 가능한 표면을 포함하지 않는다.
탄소질 희생 층(50)은 게터링 금속 층(40)에 대하여 선택적으로 식각될 수 있는, 즉 추후 사용되는 화학 에칭, 이 경우에선 보다 정확하게는 산소-플라즈마 건식 에칭 단계 동안에 이와 동일한 화학 에칭에 의해 열화되는 게터링 금속 층(40) 없이 제거될 수 있는, 탄소성 물질을 포함한다. 더욱이 이것은 추후 무기질 희생 층들(60A 및 60B)을 제거하기 위해 수행되는 추가적인 화학 에칭, 예를 들어 증기상의 불화수소산으로, 산성 매질에서의 화학 부식과 같은 화학 에칭에 대하여 실질적으로 불활성이다.
탄소성 물질, 즉 탄소 원자를 포함하는 물질은 바람직하게는 비정질 탄소, 선택적으론 DLC 종류의 비정질 탄소 또는 심지어 폴리이미드로부터 선택된다. DLC 종류의 탄소인 이 경우에 있어서는, 탄소질 희생 층(50)은 대략 106Ω·cm 정도의 전기 저항성을 가질 수 있고, 이 탄소질 희생 층은 동일한 하나의 열 검출기(10)에 대한 두 개의 고정 기둥(12) 사이에 기생 전기 커플링을 회피하는데 유리하다.
탄소성 물질은, 이것이 비정질 탄소일 때, 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD), 또는 예를 들어, 탄소 타겟의 이온 빔 스프레이(IBS)에 의하는, 물리 기상 증착(PVD)과 같은 적절한 증착 기술에 의해서 박층(thin layer)으로 증착될 수 있다. 폴리 이미드일 경우에는, 이것은 스핀 코팅에 의해 증착될 수 있다.
탄소질 희생 층(50)은 게터 물질의 부분들(41, 42)의 측면의 좋은 포갬(overlap)을 얻기 위하여, 몇십 나노미터와 몇백 나노미터 사이, 예를 들어 50 nm와 500 nm 사이, 또는 심지어 100 nm와 300 nm사이의 두께를 가질 수 있다.
그래서 탄소성 물질은 무기질 희생 층들(60A, 60B)을 제거하기 위해 추후 수행되는 화학 에칭 동안 사용되는 에칭제, 특히 증기상의 불화수소산에 대하여 불활성이다. 이것은 특히 이 에칭제와 거의 반응하지 않는, 비정질 탄소를 이용한 경우이다. 이것은 또한 불화수소산과 약간 반응하는 폴리이미드를 이용한 경우, 습식 화학 에칭의 이 단계 마지막에는 이의 전체 두께가 제거되지 않고, 그리하여 게터링 금속 층(40)이 0이 아닌 탄소질 희생 층 두께로 덮여서 온전히 남아있다.
그러나, 탄소성 물질은 이 탄소질 희생 층(50)을 제거하기 위해 추후 수행될 화학 에칭 동안 사용되는 에칭제, 특히 건식 화학 에칭을 위한 플라즈마로 존재하는 산소에 대하여 반응할 수 있다.
다음으로 도 2d를 참조하면, 무기 물질, 예를 들어 PECVD에 의해 증착되는 실리콘 산화물 SiOx을 포함하는 제1 소위 무기질 희생 층이 증착된다. 이 무기 물질은 습식 화학 에칭, 특히 산성 매질에서의 화학 부식에 의해서 제거 가능하고, 에칭제는 바람직하게는 증기상의 불화수소산이다. 이 희생 무기질 층(60A)은 거의 기판(2)의 전체 표면에 걸쳐 연속적으로 연장되고 탄소질 희생 층(50)을 덮는 식으로 증착된다. 이것은 Z축을 따라서, 차후에 흡수막(11)과 기판(2) 사이의 거리를 정의하는 두께를 갖는다. 이 두께는 우리가 얻고자 하는 열 검출기(10)의 흡수 성질의 기능에 따라 조절되고, 그리고 적외선 전파를 검출하기 위하여 1 μm와 5 μm 사이일 수 있고, 예를 들면 두께는 약 2 μm와 같을 수 있다.
다음으로, 열 검출기(10)의 고정 기둥들(12)을 형성하기 위한 수직 구멍들이 만들어진다. 이들은 포토리소그래피 및 에칭에 의해 생성되고, 이들은 제1 희생 무기질 층(60A)과 함께 탄소질 희생 층(50) 및 에칭 장벽 층(4)을 관통해서, 금속 라인의 부분(21)으로 이어진다. 수직 구멍들은 (X,Y) 평면에, 가령 0.25 μm2와 대략 같은 영역을 갖는 정사각, 직사각, 또는 원형의 단면을 가질 수 있다.
다음으로, 고정 기둥들(12)은 수직 구멍들에 만들어진다. 이들은 하나 이상의 전기적 전도성 물질들로 구멍들을 채우는 것에 의해 생성된다. 예를 들어서, 이들은 각각 구멍들의 수직 측면상에 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)에 의해서 증착되는 TiN 층 및 TiN 층에 의해 가로질러 경계가 지어지는 공간을 채우는 구리 또는 텅스텐 코어를 포함할 수 있다. 그리고 나서 CMP, 즉 화학적-기계적 평탄화 단계는 희생 무기질 층(60A) 및 고정 기둥들(12)에 의해 형성된 상부 표면의 평탄화를 제공한다.
본 발명자는 희생 무기질 층이 비정질 탄소의 보호 층(50) 상에 놓이면, 화학적-기계적 평탄화의 단계 동안에 희생 무기질 층(60A)의 기계적 내구도가 향상되는 것을 발견하였다. 실제로, 보호 층(50)은 폴리이미드이고, 화학적-기계적 평탄화 단계는, 특히 층(60A) 위에 연마 헤드의 기계적 동작 때문에, 희생 무기질 층(60A)의 분리를 이끌 수 있다. CMP 단계 동안 발생하는 그러한 분리의 위험은 보호 층(50)이 비정질 탄소일 때, 특히 희생 무기질 층(60A)이 실리콘 산화물 SiOx로 만들어질 때, 감소된다.
다음으로 흡수막(11) 및 단열 고정 팔(13)이 생성된다. 이 단계는 EP2743659 문헌에 기술된 것과 동일 또는 유사하게 수행될 수 있고 상세히 논의되어 있지 않다. 그래서, 흡수막(11)은 관심 있는 전자파를 흡수하는데 적합한 물질(15) 및 서미스터 물질(14)을 포함하고, 서미스터의 전기 전도성은 흡수막(11)의 발열 기능에 따라 변한다. 흡수막(11)을 만들기 위해 선택된 물질들 및 단열 팔(13)은, 그 중에서도 특히 비정질 실리콘, 티타늄 질화물, 알루미늄, 알루미나, 알루미늄 질화물 중에서 선택될 수 있고, 이는 이것들이 무기질 희생 층(60A, 60B)을 제거하기 위해 추후 수행될 습식 화학 에칭에 실질적으로 불활성이기 때문이다. 흡수막(11)은 게터링 금속 층(40)의 제1 반사 부분(41)과 마주하도록 배치된다.
도 2e를 참조하면, 캡슐화 구조물(30)는 EP2743659 문헌에 기술된 것과 동일 또는 유사하게 생성된다. 이 경우 제2 희생 무기질 층(60B)은 흡수막(11)뿐만 아니라 제1 희생 무기질 층(60A), 고정 기둥들(12) 및 단열 팔들(13) 상에 증착된다. 이것은 제1 희생 무기질 층(60A)과 같은 물질로 만들어질 수 있고, 이것은 예를 들어 0.5 μm 와 5 μm 사이의 두께를 가진다.
다음으로 도랑들은 무기질 희생 층들(60A, 60B) 및 탄소질 희생 층(50)의 전체 두께를 통과해서 만들어짐으로써, 이 실시예에서는 이들이 게터링 금속 층(40)의 제2 본딩 부분들(42)로 통하게 한다. 이러한 도랑들은 포토리소그래피 및 에칭, 예를 들어 반응성 이온 에칭(RIE)의 단계들에 의해 생성될 수 있다. 각각이 하나의 열 검출기(10)를 포함하는 하나 이상의 픽셀을 동공(3)이 수용하는지 여부에 따라서, 이들은 (X,Y) 평면에 하나 이상의 열 검출기(10) 주위에 연속적으로 연장되도록 생성될 수 있다. 이들은 캡슐화 구조물(30)의 주변 벽(33)의 차후 생성물을 위해 의도된다. 이 경우에 게터링 금속 층(40)의 본딩 부분들(42)은 이러한 도랑들을 형성하는 동안 식각-중단 부분들을 형성한다.
다음으로, 검출하고자 하는 전파가 투과하는 얇은 캡슐화 층(31)은 도랑들의 수직 측면들에, 거의 일정한 층 두께로, 좋은 덮기를 획득하는데 적합한 호환성 증착 기술(a compatible deposition technique)에 의해 증착된다. 이것은 예를 들어 CVD 또는 iPVD에 의해 생성되는 비정질 실리콘 층일 수 있고, 열 검출기의 검출의 스펙트럼 범위가 LWIR(8 μm 내지 14 μm)이면 10 μm의 기준 파장에 대하여 1/4 파장판을 형성하기 위하여, 이를 평평한 표면 상에서 측정했을 때 통상 약 200 nm와 2000 nm 사이, 바람직하게는 대략 750 nm 정도의 두께를 가지며, 그리하여 이 층(31)을 통해서 입사파의 전송을 향상시킨다. (경계선이 닫힌)적어도 하나의 연속적인 주변 도랑을 포함하는 도랑들에 의해 구축된 표면 상에 캡슐화 층(31)의 증착은, 기판과 함께 하나 이상의 열 검출기(10)가 보관되는 동공(3)을 형성하는, 캡슐화 층(31)의 물질로 만들어진 캡슐의 형성으로 이어진다.
다음으로, 동공(3)으로부터 희생 층들(60A, 60B, 50)이 빠져나갈 수 있게 하기 위한 배출구를 형성하는 관통 구멍들(32)은 캡슐화 층(31)에 포토리소그래피 및 에칭에 의해서 만들어진다. 각 구멍(32)은 정사각, 직사각, 원, 또는 타원의 모양일 수 있다. 예를 들어, 구멍(32)은 타원형일 수 있고, 그 길이가 대략 수 마이크론 정도, 가령 5 μm일 수 있으며, 그 폭이 대략 일백 내지 수백 나노미터, 가령 150 nm와 600 nm 사이일 수 있다.
도 2f를 참조하면, 제1 화학 에칭은, 이 경우에서는 증기상의 불화수소산으로 부식시키는 습식 화학 에칭에 의해서 두 개의 무기질 희생 층(60A, 60B)을 제거하기 위해 수행되고, 그리하여 열 감지기 또는 감지기들(10)을 보관하는 동공(3)을 형성한다. 화학 반응의 생성물들은 배출구(32)를 통해 빠져나간다. 이 습식 화학 에칭은 등방성이므로, 흡수막(11)의 현가를 획득하고, 고정 기둥들(12)과 함께 탄소질 희생 층(50)의 상부 표면이 드러나게 한다. HF 증기 부식에 의한 에칭은 선택적이어서, 탄소질 희생 층(50)은 제거되지 않고, 그리하여 게터링 금속 층(40)은 HF 증기 부식에 대응하여 완전히 보호된다.
도 2g를 참조하면, 제2 화학 에칭은 탄소질 희생 층(50)을 제거하고 게터링 금속 층(40)의 상부 표면을 해방(release)하기 위해 수행된다. 이 경우에 화학 에칭은 건식 화학 에칭이고, 이 에칭제는 플라즈마에 존재하는 산소이다. 이 건식 화학 에칭은 등방성이므로, 배출구(32)를 통해 동공(3)으로 에칭제의 접근을 용이하게 함과 동시에, 해방된 구조물들의 일체성은 보존된다.
그래서 본 발명자들은 배출구들(32)을 통한 반응 생성물들의 방출이, 희생 층(50)이 비정질 탄소 또는 폴리이미드로 형성된 것인지 여부에 따라 에칭과 제거하는 시간 측면에서 산업상 이용 가능성의 요건들로, 가능하며 여전히 호환성이 있다는 것을 실연했다.
다음으로, 게터링 금속 층(40)은 해방된다, 즉 이 표면의 적어도 한 부분은 다른 층으로 덮이지 않고, 그래서 동공(3)의 공기에 노출된다.
도 2h를 참조하면, 실링층(34)은 배출구(32)들의 밀봉, 즉 막혀있는 것을 보장하기에 충분한 두께로 캡슐화 층(31) 상에 증착된다. 실링층(34)은 검출될 전자파가 투과하고 캡슐화 구조물(30)을 통해 전파의 전송을 최적화하기 위한 반사방지 기능을 가질 수 있다. 이러한 이유로, 검출하고자 하는 전파의 파장이 8 μm 에서 12 μm의 범위에 있는 경우에 있어서, 이것은 게르마늄 및 아연 황화물의 하위-층들(sub-layers), 예를 들어 약 1.7 μm의 게르마늄인 제1 하위-층과 약 1.2 μm의 아연 황화물인 제2 하위-층으로 형성될 수 있다. 실링층(34)은 바람직하게는, 전자 빔 물리 기상 증착(EBPVD)와 같은 또는 음극 즉 이온-빔 스퍼터링과 같은 박막 진공 증착의 기술에 의해 증착될 수 있다. 그리하여 우리는, 열 검출기 또는 검출기들(10)이 그 안에 보관된, 진공 또는 감압 하에 있는 밀폐된 동공(3)을 획득한다.
추가적으로, 밀폐된 동공(3)에 있는 잔여 가스 분자들과 게터 물질이 반응해서 안정한 화학 화합물을 형성하도록 하기 위하여, 게터링 금속 층(40)의 화학흡착은 검출 장치(1)가 화로 또는 난로에서 적절한 열 처리를 받게 함으로써 활성화된다. 그래서 진공 정도는 밀폐된 동공(3) 내부에서 유지되거나 감소되고, 따라서 검출 장치(1)의 사용 수명을 향상시킨다.
그리하여, 기판상(2)에 게터링 금속 층(40)을 증착하는 것 및 무기질 희생 층들(60A, 60B)을 제거하는 단계에 쓰이는 화학 에칭에 대하여 탄소질 희생 층(50)으로 이를 보호하는 것에 의해서, 기판(2)상에 위치된 게터링 금속 층(40)을 포함하고 어떠한 열화에 대해서도 보존되는 검출 장치(1)가 획득된다. 그래서, 적어도 하나의 희생 무기질 층(60A, 60B)을 이용하여 만든 검출 장치(1)의 사용 수명은 향상된다.
더욱이, 게터링 금속 층(40)이 흡수막(11) 바로 밑에 위치하는 경우이면, 이 게터링 금속 층(40)이 검출하고자 하는 파장을 반사하는 것이므로, 게터링 금속 층(40)이, 가령 위에 인용한 종래 기술의 예시에서의 에칭 장벽 층(4)과 같은, 다른 층으로 덮여있지 않기 때문에, 열 검출기(10)의 감도는 개선된다.
더욱이, 게터링 금속 층(40)은 또한 기판(2)상의 캡슐화 구조물(30)의 결합 및/또는 독출 회로(20)의 금속 라인 부분(21)과 고정 기둥(12)의 결합 및 전기적 접촉을 향상시킨다.
특정한 실시예들이 이제 기술되었다. 많은 변형 및 수정이 이 기술분야의 기술자에게 자명할 것이다.
한편, 도 3은 검출 장치가 에칭 장벽 층(4)을 포함하지 않는 검출 장치(1) 만드는 방법의 일 변형을 도시한다. 이 경우에 있어서 도 3은 도 2e에 도시된 단계의 변형과 대응한다. 그리하여, 게터링 금속 층(40)은 기판(2)의 상부 표면 상에 곧장 놓이고, 게터링 금속 층(40)만이 아니라 기판(2)의 상부 표면도 덮도록 탄소질 희생 층(50)은 연속적으로 연장된다. 그러므로 이것은 무기질 희생 층들(60A, 60B)을 제거하기 위해 쓰이는 화학 에칭에 대한 에칭 장벽 기능을 제공하고, 이로써 게터링 금속 층(40)과 기판(2)에 존재하는 무기 물질의 층간 유전체 층들(23)도 모두 보호한다.
이 예시에서, 게터링 금속 층(40)은 부가 부분(43)을 포함하고 한편으로는 독출 회로(2)의 금속 라인의 제1 부분(21)과 접촉하도록, 그리고 다른 한편으로는 고정 기둥(12)의 본딩을 제공하도록 배열된다. 그리하여 이것은 독출 회로(21)와 고정 기둥(12) 사이의 전기적 접촉 품질과 함께 기판(2) 상에 고정 기둥(12)의 결합도 향상시킨다.
그리고 나서 상술한 바와 같이 제조 방법은 무기질 희생 층들(60A, 60B)의 습식 화학 에칭(도 2f), 그리고 산소 플라즈마로 탄소질 희생 층의 건식 에칭(도 2g)을 계속하여, 게터링 금속 층(40)의 부분들(41, 42, 43)로 덮이지 않은 기판(2)의 상부 표면의 구역들을 노출시킨다. 마지막으로 실링층(34)은 배출구(32)들을 밀봉하기 위해 캡슐화 층(32) 상에 증착된다(도 2h).
더 나아가, 도 4는 캡슐화 구조물(30)이 박막 증착 기술에 의해 증착되는 캡슐화 층(31)을 포함하지 않고, 다만 애드-온 강체 덮개, 즉 하나 이상의 열 검출기들(10)을 캡슐화하도록 미리 제조되어 기판(2) 상에 조립되는, 덮개를 포함한다는 점에서 도 2 에 도시된 것과 특히 달리하는, 다른 실시예의 검출 장치(1)를 도시한다. 덮개는 실리콘 기판(2)으로 만든 것이고 기판(2)상에 조립하고자 하는 주변 벽(33)을 포함하도록 구축된다. 주변 벽(33)은 용접 밀폐(35)를 통해 기판(2)에 고정되고, 후자는 바람직하게는 게터링 금속 층(40)의 본딩 부분(42)과 접촉한다. 용접 밀폐(35)는 잘 녹는 금속을 녹여서 또는 금속간 합금(intermetallic alloy)을 형성해서 획득될 수 있다.
이 실시예에서 제조 방법은 이 경우에 있어서, 제1 희생 무기질 층(60A)의 증착 그리고 고정 기둥(12), 단열 팔(13), 및 흡수막(11)의 생성 그리고 제2 희생 무기질 층(60B)의 증착 이후에, 용접 밀폐(35)를 형성하기 위한 실링 물질이 무기질 희생 층들(60A, 60B)과 탄소질 희생 층(50)의 국부적인 에칭으로 만든 도랑에 증착되는 점에서 도 2a 내지 도 2h를 참조하여 기술된 것과 달리한다. 그리고 무기질 희생 층들(60A, 60B)과 그 다음 탄소질 희생 층(50)은 에칭에 의해 제거된다. 그리고 덮개는 기판(2) 상에 조립된다.
열 검출기 또는 검출기들(10)과 기판(2)이 함께 보관되는 케이싱(casing) 안에서 검출 장치(1)의 캡슐화와 같은, 다른 변형이 가능하다. 그래서, 가령 금속성 물질 또는 세라믹 물질로 만든 이 케이싱은, 검출하고자 하는 파장이 투과하고 열 검출기 또는 검출기들(10)의 맞은편에 위치하는 창(window)을 포함한다.

Claims (13)

  1. 기판(2) 위에 현가(suspended)되어 검출하고자 하는 전파를 흡수할 수 있는 흡수막(11)을 구비하고, 밀폐된 동공(3) 안에 위치되는 적어도 하나의 열 검출기(10)를 포함하는 전자파 검출 장치(1)를 만드는 방법으로서,
    - 기판(2) 상에, 게터링 효과(gettering effect)를 갖는 금속 물질을 포함하는 게터링 금속 층(40)을 증착하는 단계;
    - 상기 게터링 금속 층(40)을 덮도록, 제2 화학 에칭에 의해 상기 게터링 금속 층(40)에 대하여 선택적으로 식각될 수 있는 비정질 탄소인 탄소성 물질을 포함하는 탄소질 희생 층(50)을 증착하는 단계;
    - 상기 탄소질 희생 층(50) 상에, 제1 화학 에칭에 의해 상기 탄소질 희생 층(50)에 대하여 선택적으로 식각될 수 있는 무기 물질을 포함하는 적어도 하나의 희생 무기질 층(60A, 60B)을 증착하는 단계;
    - 상기 희생 무기질 층(60A)의 화학적-기계적 평탄화 단계;
    - 상기 희생 무기질 층(60A) 상에 상기 흡수막(11)이 생성되도록 상기 열 검출기(10)를 제조하는 단계;
    - 상기 제1 화학 에칭에 의해 상기 희생 무기질 층(60A, 60B)을 제거하는 단계;
    - 상기 제2 화학 에칭에 의해 상기 탄소질 희생 층(50)을 제거하는 단계;를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 게터링 효과를 갖는 금속 물질은, 티타늄, 지르코늄, 바나듐, 크롬, 코발트, 철, 망간, 팔라듐, 바륨, 및 알루미늄에서 하나 이상 선택된 것인, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 무기 물질은 적어도 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하는 물질인, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 화학 에칭은, 산성 매질에서의 화학 부식인, 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 화학 에칭은 산소 플라즈마에 의한 건식 에칭인, 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 게터링 금속 층(40)은 기판(2)의 전기적 절연 층(23)에 접촉하도록 놓이거나, 또는 상기 제1 화학 에칭을 막을 수 있고 기판(2)의 상부 면을 덮는 물질로 만들어진 에칭 장벽 층(4)에 접촉하도록 놓이는, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 탄소질 희생 층(50)은 상기 게터링 금속 층(40)을 덮는, 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 게터링 금속 층(40)은 복수의 분리된 부분들(41, 42)을 포함하고, 상기 부분들 중 적어도 제1 부분(41)은 상기 흡수막(11) 아래에 위치하는, 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 열 검출기를 제조하는 단계는 상기 열 검출기의 캡슐화 구조물(30)의 형성을 포함하고, 상기 캡슐화 구조물(30)은 기판(2)과 함께 상기 열 검출기(10)가 위치하는 상기 밀폐된 동공(3)을 한정하도록 상기 열 검출기(10) 둘레와 위로 연장된 캡슐화 층(31)을 포함하고, 상기 캡슐화 층(31)은 배출구로 불리는 적어도 하나의 관통 구멍(32)을 포함하며;
    상기 제1 및 제2 화학 에칭 동안 제거된 물질들은 상기 배출구(32)를 통해 배출되는, 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 캡슐화 층(31)은 실리콘을 포함하는 적어도 하나의 물질로 형성되는, 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 캡슐화 층(31)은, 상기 열 검출기(10) 둘레에 연장되고 상기 게터링 금속 층(40)과 접촉하는 주변 벽(33)을 포함하는, 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 열 검출기(10)는 상기 기판(2) 상부의 일 위치에 상기 흡수막(11)을 고정하기 위한 적어도 하나의 고정 기둥(12)을 포함하고, 상기 고정 기둥(12)은 상기 게터링 금속 층(40)과 접촉하는, 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 화학 에칭은, 증기상의 불화수소산을 이용한 산성 매질에서의 화학 부식인, 방법.
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