CN103359677B - 一种红外探测器封装结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种红外探测器封装结构及其制作方法，所述方法包括在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极，在所述红外光反射层和底接触电极上形成由探测器第一牺牲层释放后的第一空间层，在所述第一空间层上部分覆盖敏感材料探测层，在所述敏感材料探测层上形成金属电极层，在所述金属电极层的孔洞处设置与底接触电极接触的金属桥柱，在第一空间层、金属电极层和金属桥柱上形成由探测器第二牺牲层释放后的第二空间层，在所述第二空间层四周边缘形成吸气剂层，在吸气剂层和第二空间层上形成第一封装薄膜层，对探测器第一和第二牺牲层释放，在第一封装薄膜层上形成第二封装薄膜层。本发明封装方法能够降低生产成本。

Description

一种红外探测器封装结构及其制作方法

技术领域

本发明属于红外探测技术领域，尤其涉及一种红外探测器封装结构及其制作方法。

背景技术

微机电系统（MicroElectro-MechanicalSystems，MEMS）技术具有体积小、智能化、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点，已开始广泛应用在包括红外探测技术领域的诸多领域。红外探测器是红外探测技术领域中应用非常广泛的一种MEMS产品，它利用敏感材料探测层吸收红外线并将其转化成电信号，据此来实现热成像功能，其可用于入侵探测系统、火警警报以及汽车电子等场所。

前述红外探测器早期的封装技术大多数是借用半导体集成芯片领域中现有的封装工艺，在MEMS产品中，由于各类产品的使用范围和应用环境的差异，其封装也没有一个统一的形式，一般根据具体的使用情况选择适当的封装。同时，在MEMS产品的制造过程中，封装只能单个进行而不能大批量同时生产，因此封装在MEMS产品中的总费用占据70％－80％，因而封装技术已成为MEMS产品生产中的瓶颈。现有技术中的MEMS封装技术大都是由集成电路封装技术发展和演变而来，但是，由于其应用环境的复杂性，因而与集成电路封装技术相比又有很大的特殊性，不能简单将集成电路封装技术直接应用于MEMS器件的封装。

本发明的发明研究发现，如何提供一种红外探测器封装技术，以便能够大批量地与红外探测器单元同时生产，降低成本，并且大幅度提高产品成品率和可靠性，已成为业界亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种红外探测器封装结构及其制作方法，可以在红外探测器生产的同时能够进行大批量象元级封装，能够避免与外界环境污染，降低生产成本，提高产品成品率和可靠性。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种红外探测器封装结构的制作方法，该制作方法包括以下步骤：

S1、在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极；

S2、在所述红外光反射层和底接触电极上沉积探测器第一牺牲层，所述探测器第一牺牲层与衬底接触并全面覆盖红外光反射层，并将底接触电极上对应的部分探测器第一牺牲层形成第一孔洞；

S3、在所述探测器第一牺牲层上部分形成敏感材料探测层，所述敏感材料探测层上设有第一间隙，与探测器第一牺牲层上第一孔洞对应处设有第二孔洞；

S4、在所述敏感材料探测层上形成金属电极层，所述金属电极层上设有与敏感材料探测层上第二孔洞处对应的第三孔洞，与第一间隙对应的第二间隙，以及用于透过红外光让敏感材料探测层吸收的中间间隙；

S5、在所述金属电极层的第三孔洞处形成金属桥柱，所述金属桥柱与底接触电极接触；

S6、在所述探测器第一牺牲层、金属电极层和金属桥柱上形成探测器第二牺牲层，所述探测器第二牺牲层全部覆盖探测器第一牺牲层、金属电极层和金属桥柱；

S7、在所述探测器第二牺牲层的四周边缘形成吸气剂层；

S8、在所述吸气剂层上形成第一封装薄膜层，所述第一封装薄膜层上设有释放孔和缺口，所述第一封装薄膜层覆盖吸气剂层和探测器第二牺牲层后，其释放孔与探测器第二牺牲层覆盖的金属桥柱对应，所述缺口使探测器第二牺牲层四周边缘有部分露出；

S9、通过所述敏感材料探测层上设置的第一间隙、金属电极层上设置的第二间隙以及第一封装薄膜层上设置的释放孔和缺口，使所述探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层分别与氧等离子体反应，实现对探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层的释放，由此形成所述第一空间层和第二空间层；

S10、在所述第一封装薄膜层上形成第二封装薄膜层。

本发明还提供一种红外探测器封装结构，包括衬底，在所述衬底的同一表面上设有红外光反射层和底接触电极；所述红外光反射层和底接触电极上设有第一空间层，所述第一空间层与衬底接触并全面覆盖红外光反射层，在底接触电极上对应的部分第一空间层设有第一孔洞；所述第一空间层上部分设有敏感材料探测层，所述敏感材料探测层上设有第一间隙，以及与第一空间层上第一孔洞对应处设有第二孔洞；所述敏感材料探测层上设有金属电极层，所述金属电极层上设有与敏感材料探测层上第二孔洞处对应的第三孔洞、与第一间隙对应的第二间隙以及用于透过红外光让敏感材料探测层吸收的中间间隙；所述金属电极层的第三孔洞处设有金属桥柱，所述金属桥柱与底接触电极接触；所述第一空间层、金属电极层和金属桥柱上设有第二空间层，所述第二空间层全部覆盖第一空间层、金属电极层和金属桥柱；所述第二空间层的四周边缘设有吸气剂层；所述吸气剂层上设有第一封装薄膜层，所述第一封装薄膜层上设有释放孔和缺口，所述第一封装薄膜层覆盖吸气剂层和第二空间层后，其释放孔与第二空间层覆盖的金属桥柱对应，所述缺口使第二空间层四周边缘有部分露出；所述第一封装薄膜层上设有第二封装薄膜层。

本发明提供的红外探测器封装结构及其制作方法中，在形成红外探测器单元后，先不释放探测器第一牺牲层，而是继续形成探测器第二牺牲层、吸气剂层和第一封装薄膜层，至此再释放探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层，以形成第一空间层和第二空间层，最后再形成第二封装薄膜层以实现象元内部的真空环境。与现有技术中相比，本发明不需要金属或陶瓷管壳，其红外探测器单元制备与封装在生产中同时进行，能够进行大批量象元级封装，同时有助于减少外界环境的污染，提高产品成品率和封装效率，降低生产成本。

附图说明

图1是本发明提供的红外探测器单元的剖视结构示意图。

图2是在图1上形成探测器第二牺牲层后的剖视结构示意图。

图3是在图2上形成吸气剂层后的剖视结构示意图。

图4是在图3上形成第一封装薄膜层后的剖视结构示意图。

图5是为形成图4中第一封装薄膜层时蚀刻用的光刻板单个图形的版图示意图。

图6是在图3上形成第一封装薄膜层后的立体结构示意图。

图7是在图4上释放探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层后的剖视结构示意图。

图8是在图7上形成第二封装薄膜层后的剖视结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种红外探测器封装结构的制作方法，该制作方法包括以下步骤：

S1、在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极；

S2、在所述红外光反射层和底接触电极上沉积探测器第一牺牲层，所述探测器第一牺牲层与衬底接触并全面覆盖红外光反射层，并将底接触电极上对应的部分探测器第一牺牲层形成第一孔洞；

S3、在所述探测器第一牺牲层上部分形成敏感材料探测层，所述敏感材料探测层上设有第一间隙，与探测器第一牺牲层上第一孔洞对应处设有第二孔洞；

S4、在所述敏感材料探测层上形成金属电极层，所述金属电极层上设有与敏感材料探测层上第二孔洞处对应的第三孔洞，与第一间隙对应的第二间隙，以及用于透过红外光让敏感材料探测层吸收的中间间隙；

S5、在所述金属电极层的第三孔洞处形成金属桥柱，所述金属桥柱与底接触电极接触；

S6、在所述探测器第一牺牲层、金属电极层和金属桥柱上形成探测器第二牺牲层，所述探测器第二牺牲层全部覆盖探测器第一牺牲层、金属电极层和金属桥柱；

S7、在所述探测器第二牺牲层的四周边缘形成吸气剂层；

S8、在所述吸气剂层上形成第一封装薄膜层，所述第一封装薄膜层上设有释放孔和缺口，所述第一封装薄膜层覆盖吸气剂层和探测器第二牺牲层后，其释放孔与探测器第二牺牲层覆盖的金属桥柱对应，所述缺口使探测器第二牺牲层四周边缘有部分露出；

S9、通过所述敏感材料探测层上设置的第一间隙、金属电极层上设置的第二间隙以及第一封装薄膜层上设置的释放孔和缺口，使所述探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层分别与氧等离子体反应，实现对探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层的释放，由此形成所述第一空间层和第二空间层；

S10、在所述第一封装薄膜层上形成第二封装薄膜层。

本发明提供的红外探测器封装结构的制作方法中，在形成红外探测器单元后，先不释放探测器第一牺牲层，而是继续形成探测器第二牺牲层、吸气剂层和第一封装薄膜层，至此再释放探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层，以形成第一空间层和第二空间层，最后再形成第二封装薄膜层以实现象元内部的真空环境。与现有技术中相比，本发明不需要金属或陶瓷管壳，其红外探测器单元制备与封装在生产中同时进行，能够进行大批量象元级封装，同时有助于减少外界环境的污染，提高产品成品率和封装效率，降低生产成本。

以下将结合具体的实施例，对本发明提供的红外探测器封装结构的制作方法进行详细说明。

请参考图1所示，所述步骤S1中，所述衬底11的材料为硅或其它材料；作为具体的实施例，所述衬底11为硅衬底，通过溅射的方式在所述硅衬底的同一表面上形成红外光反射层12和底接触电极121，所述红外光反射层12和底接触电极121的材料为铝、铝硅合金或铝硅铜合金等。作为一种具体的实施例，所述红外光反射层12和底接触电极121的材料为铝，当通过溅射的方式在所述硅衬底上形成一层铝后，可在铝层上涂布光刻胶后进行蚀刻处理，以形成预期的红外光反射层和底接触电极图形；从附图1中可以看出，所述红外光反射层12和底接触电极121间隔设置，在所述红外光反射层12的两侧都分别设有底接触电极121。当然，本领域的技术人员还可以采用其它的材料，或者其它的形成方式在衬底上形成红外光反射层12和底接触电极121。

所述步骤S2中，在所述红外光反射层12和底接触电极121上沉积探测器第一牺牲层1，所述探测器第一牺牲层1与衬底11接触并全面覆盖红外光反射层12，并将底接触电极121上对应的部分探测器第一牺牲层1形成第一孔洞101。作为具体的实施例，所述探测器第一牺牲层1的材料为聚酰亚胺，在制作时将整个晶圆片的表面沉积聚酰亚胺，然后在聚酰亚胺上涂布光刻胶后进行蚀刻处理，以形成预期的探测器第一牺牲层图形，最终探测器第一牺牲层1与衬底11接触并全面覆盖红外光反射层12，并将底接触电极121上对应的部分探测器第一牺牲层1形成第一孔洞101。当然，所述探测器第一牺牲层1的材料和形成方式并不限于此，本领域的技术人员还可以采用其它的材料例如耐高温的光刻胶，或者其它的方式形成探测器第一牺牲层1。

所述步骤S3中，在所述探测器第一牺牲层1上部分形成敏感材料探测层13，所述敏感材料探测层13上设有第一间隙132，与探测器第一牺牲层1上第一孔洞101对应处设有第二孔洞131；作为具体的实施例，所述敏感材料探测层13的材料为非晶硅或氧化钒，优选为非晶硅，并通过等离子体增强化学气相沉积法（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD）制成；然后在非晶硅上涂布光刻胶后进行蚀刻处理，以形成预期的敏感材料探测层图形。所述敏感材料探测层图形包括蚀刻后形成的第二孔洞131和第一间隙132，且在探测器第一牺牲层1的四周边缘未完全被敏感材料探测层覆盖，即所述探测器第一牺牲层1上只部分形成敏感材料探测层13。当然，本领域的技术人员还可以采用其它的材料，或者其它的形成方式在所述探测器第一牺牲层1上部分形成敏感材料探测层13。

所述步骤S4中，在所述敏感材料探测层13上形成金属电极层14，所述金属电极层14上设有与敏感材料探测层上第二孔洞131处对应的第三孔洞141，与第一间隙132对应的第二间隙142，以及用于透过红外光让敏感材料探测层13吸收的中间间隙143。作为具体的实施例，所述金属电极层的材料选自镍、镍铬合金、钛、氮化钛、钛钨合金、钽、氮化钽等中的一种或者两种材料形成的复合金属薄膜；优选为氮化钛，并通过反应溅射工艺制成，然后在氮化钛上涂布光刻胶后进行蚀刻处理，以形成预期的金属电极层图形。所述金属电极层图形包括蚀刻后形成的第三孔洞141、第二间隙142和中间间隙143，所述第三孔洞141与所述敏感材料探测层13上的第二孔洞131对应，第二间隙142与所述敏感材料探测层13上的第一间隙132对应，所述中间间隙主要用于透过红外光，让敏感材料探测层13吸收。其中，前述两种材料形成的复合金属薄膜是指镍、镍铬合金、钛、氮化钛、钛钨合金、钽、氮化钽中任意两种材料形成的复合膜；例如，先形成一层镍，再形成一层镍铬合金，把这两层材料作为一个整体当成金属电极层14，或者钛和氮化钛两层形成一个整体。当然，本领域的技术人员还可以采用其它的材料，或者其它的形成方式在所述敏感材料探测层13上形成金属电极层14。

所述步骤S5中，在所述金属电极层14的第三孔洞141处形成金属桥柱15，所述金属桥柱15填充于金属电极层14的第三孔洞141内，与第三孔洞141的内壁接触，且与底接触电极121接触；作为具体的实施例，所述金属桥柱15的材料为铝，并通过溅射工艺制成；然后在铝上涂布光刻胶后进行蚀刻处理，以形成预期的金属桥柱图形。具体地，所述金属桥柱形在所述金属电极层14的第三孔洞141处，即所述金属桥柱15将所述金属电极层14的第三孔洞141填充；所述金属桥柱15的一端与底接触电极121接触，另一端高出敏感材料探测层13和金属电极层14，且与金属电极层14的第三孔洞141内壁接触，由此所述金属桥柱15主要用于红外探测器中起桥面支撑作用。当然，本领域的技术人员还可以采用其它的材料，或者其它的形成方式形成金属桥柱15。

至此，完成了在衬底11上形成所述红外光反射层12、底接触电极121、探测器第一牺牲层1、敏感材料探测层13、金属电极层14和金属桥柱15的制作，所述衬底11、红外光反射层12、底接触电极121、探测器第一牺牲层1、敏感材料探测层13、金属电极层14和金属桥柱15共同构成红外探测器单元。

请参考图2所示，所述步骤S6中，在所述探测器第一牺牲层1、金属电极层14和金属桥柱15上形成探测器第二牺牲层2，所述探测器第二牺牲层2全部覆盖探测器第一牺牲层1、金属电极层14和金属桥柱15。作为具体的实施例，所述探测器第二牺牲层2的材料为聚酰亚胺，制作时在整个红外探测器单元的表面涂覆聚酰亚胺，然后在聚酰亚胺上涂布光刻胶后进行蚀刻处理，以形成预期的探测器第二牺牲层图形，最终所述探测器第二牺牲层2的四周尺寸比红外探测器单元稍宽，形成一个由探测器第二牺牲层2覆盖探测器第一牺牲层1的立方体方块。当然，所述探测器第二牺牲层2的材料和形成方式并不限于此，本领域的技术人员还可以采用其它的材料例如耐高温的光刻胶，或者其它的方式形成探测器第二牺牲层2。

请参考图3所示，所述步骤S7中，在所述探测器第二牺牲层2的四周边缘形成吸气剂层16。作为具体的实施例，制作时在探测器第二牺牲层2上形成吸气剂层，涂布光刻胶后进行蚀刻处理，便形成预期的吸气剂层图形，最终所述吸气剂层16分布在探测器第二牺牲层2的四周边缘，且同时将探测器第一牺牲层1和探测器第二牺牲层2的四周包覆。因此，可以保证红外探测器单元上方的吸气剂层16被完全蚀刻干净，不影响红外光进入探测器单元。

请参考图4和图6所示，所述步骤S8中，在所述吸气剂层16上形成第一封装薄膜层17，所述第一封装薄膜层17上设有释放孔171和缺口172，所述第一封装薄膜层171覆盖吸气剂层16和探测器第二牺牲层2后，其释放孔171与探测器第二牺牲层2覆盖的金属桥柱15对应，所述缺口172使探测器第二牺牲层2四周边缘有部分露出。作为具体的实施例，所述第一封装薄膜层17的材料选自锗、硅、硒化锌、硫化锌中的一种，优选为硅。制作时，在吸气剂层16上蒸镀一层硅，然后在硅上涂布光刻胶后进行蚀刻处理，以形成预期的第一封装薄膜层图形。具体地，请参考图5所示，为本发明实施例提供的蚀刻第一封装薄膜层17用的光刻板单个图形版图示意图，在该光刻板中，设置有两个通孔171ˊ，在光刻板的四周边缘间隔设有多个缺口172ˊ，且所述两个通孔171ˊ的设置位置与红外探测器单元中的金属桥柱15对应，优选位于金属桥柱15的正上方。当采用前述的光刻板对第一封装薄膜层17进行蚀刻后，便会在所述第一封装薄膜层17上对应的形成释放孔171和缺口172，且所述释放孔171与探测器第二牺牲层2覆盖的金属桥柱15对应，所述缺口172使探测器第二牺牲层2四周边缘有部分露出。当然，所述第一封装薄膜层17的材料和形成方式并不限于此，本领域的技术人员还可以采用其它的材料或其它的方式形成第一封装薄膜层。

请参考图7所示，所述步骤S9中，通过所述敏感材料探测层13上设置的第一间隙132、金属电极层14上设置的第二间隙142以及第一封装薄膜层17上设置的释放孔171和缺口172，使所述探测器第一牺牲层1和探测器第二牺牲层2与氧等离子体反应，实现对探测器第一牺牲层1和探测器第二牺牲层2的释放，由此形成第一空间层10和第二空间层20。作为具体的实施例，所述探测器第一牺牲层1和探测器第二牺牲层2为不含硅元素的有机化合物，通过所述第一间隙132、第二间隙142、释放孔171和缺口172，能够分别与氧等离子体完全反应，并生成气体。而氧对其它膜层的影响很小，因而可以通过氧等离子体的各向同性蚀刻（即在各个方向的刻蚀速率基本相同），来释放探测器第一牺牲层1和探测器第二牺牲层2。释放完毕后，所述探测器第一牺牲层1形成对应的第一空间层10，所述探测器第二牺牲层2形成对应的第二空间层20。

请参考图8所示，所述步骤S10中，在所述第一封装薄膜层17上形成第二封装薄膜层18，即再次形成封装薄膜。作为具体的实施例，所述第二封装薄膜层18的材料选自锗、硅、硒化锌、硫化锌中的一种，优选为硅。制作时，在第一封装薄膜层17上高真空蒸镀一层硅，所述真空度优选为高于10^-3Pa并在相应的设备中进行，其高真空蒸镀的具体工艺可以采用本领域常用的蒸镀方法实现。

本发明提供的红外探测器封装结构的制作方法，是在微桥（敏感材料探测层13、金属电极层14和金属桥柱15）制备完成后，没有直接释放探测器第一牺牲层1，而是继续沉积探测器第二牺牲层2、吸气剂层16和第一封装薄膜层17，然后再释放探测器第一牺牲层1和探测器第二牺牲层2，最后再回到高真空设备中沉积封装第二封装薄膜层18，利用真空设备的高真空来实现象元内部的真空环境。本发明提供的制作方法不需要金属或陶瓷管壳（现有技术常用的是直接用管壳盖帽），并且红外探测器与象元级封装生产同时进行，可进行大批量生产，从而可以避免外界环境的污染（现有技术中的芯片制备与封装都是分开的，因此做完的芯片要从工厂超净间拿出来，到另外的地方进行封装，外面环境始终比超净间里面差很多，空气中的灰尘颗粒会导致芯片失效），提高了封装效率，大大降低生产成本。

本发明实施例还提供一种红外探测器封装结构，包括衬底，在所述衬底的同一表面上设有红外光反射层和底接触电极；所述红外光反射层和底接触电极上设有第一空间层，所述第一空间层与衬底接触并全面覆盖红外光反射层，在底接触电极上对应的部分第一空间层设有第一孔洞；所述第一空间层上部分设有敏感材料探测层，所述敏感材料探测层上设有第一间隙，以及与第一空间层上第一孔洞对应处设有第二孔洞；所述敏感材料探测层上设有金属电极层，所述金属电极层上设有与敏感材料探测层上第二孔洞处对应的第三孔洞、与第一间隙对应的第二间隙以及用于透过红外光让敏感材料探测层吸收的中间间隙；所述金属电极层的第三孔洞处设有金属桥柱，所述金属桥柱与底接触电极接触；所述第一空间层、金属电极层和金属桥柱上设有第二空间层，所述第二空间层全部覆盖第一空间层、金属电极层和金属桥柱；所述第二空间层的四周边缘设有吸气剂层；所述吸气剂层上设有第一封装薄膜层，所述第一封装薄膜层上设有释放孔和缺口，所述第一封装薄膜层覆盖吸气剂层和第二空间层后，其释放孔与第二空间层覆盖的金属桥柱对应，所述缺口使第二空间层四周边缘有部分露出；所述第一封装薄膜层上设有第二封装薄膜层。

作为具体的实施方式，所述第一封装薄膜层和第二封装薄膜层的材料选自锗、硅、硒化锌、硫化锌中的一种。

其中，本实施提供的红外探测器封装结构的制作方法与前述方法类似，在此不再赘述。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

S1、在衬底的同一表面上形成红外光反射层和底接触电极；

S2、在所述红外光反射层和底接触电极上沉积探测器第一牺牲层，所述探测器第一牺牲层与衬底接触并全面覆盖红外光反射层，并将底接触电极上对应的部分探测器第一牺牲层形成第一孔洞；

S3、在所述探测器第一牺牲层上部分形成敏感材料探测层，所述敏感材料探测层上设有第一间隙，与探测器第一牺牲层上第一孔洞对应处设有第二孔洞；

S4、在所述敏感材料探测层上形成金属电极层，所述金属电极层上设有与敏感材料探测层上第二孔洞处对应的第三孔洞，与第一间隙对应的第二间隙，以及用于透过红外光让敏感材料探测层吸收的中间间隙；

S5、在所述金属电极层的第三孔洞处形成金属桥柱，所述金属桥柱与底接触电极接触；

S6、在所述探测器第一牺牲层、金属电极层和金属桥柱上形成探测器第二牺牲层，所述探测器第二牺牲层全部覆盖探测器第一牺牲层、金属电极层和金属桥柱；

S7、在所述探测器第二牺牲层的四周边缘形成吸气剂层；

S8、在所述吸气剂层上形成第一封装薄膜层，所述第一封装薄膜层上设有释放孔和缺口，所述第一封装薄膜层覆盖吸气剂层和探测器第二牺牲层后，其释放孔与探测器第二牺牲层覆盖的金属桥柱对应，所述缺口使探测器第二牺牲层四周边缘有部分露出；

S9、通过所述敏感材料探测层上设置的第一间隙、金属电极层上设置的第二间隙以及第一封装薄膜层上设置的释放孔和缺口，使所述探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层分别与氧等离子体反应，实现对探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层的释放，由此形成第一空间层和第二空间层；

S10、在所述第一封装薄膜层上形成第二封装薄膜层。

2.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述红外光反射层和底接触电极的材料为铝、铝硅合金或铝硅铜合金。

3.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述探测器第一牺牲层和探测器第二牺牲层的材料为聚酰亚胺。

4.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述敏感材料探测层的材料为非晶硅或氧化钒。

5.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述金属电极层的材料选自镍、镍铬合金、钛、钛钨合金、钽中的两种材料形成的复合金属薄膜。

6.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述金属桥柱的材料为铝。

7.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一封装薄膜层和第二封装薄膜层的材料选自锗、硅、硒化锌、硫化锌中的一种。

8.根据权利要求1所述的红外探测器封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二封装薄膜层的形成在真空度高于10^-3Pa的设备中进行。

9.一种红外探测器封装结构，其特征在于，包括衬底，在所述衬底的同一表面上设有红外光反射层和底接触电极；所述红外光反射层和底接触电极上设有第一空间层，所述第一空间层与衬底接触并全面覆盖红外光反射层，在底接触电极上对应的部分第一空间层设有第一孔洞；所述第一空间层上部分设有敏感材料探测层，所述敏感材料探测层上设有第一间隙，以及与第一空间层上第一孔洞对应处设有第二孔洞；所述敏感材料探测层上设有金属电极层，所述金属电极层上设有与敏感材料探测层上第二孔洞处对应的第三孔洞、与第一间隙对应的第二间隙以及用于透过红外光让敏感材料探测层吸收的中间间隙；所述金属电极层的第三孔洞处设有金属桥柱，所述金属桥柱与底接触电极接触；所述第一空间层、金属电极层和金属桥柱上设有第二空间层，所述第二空间层全部覆盖第一空间层、金属电极层和金属桥柱；所述第二空间层的四周边缘设有吸气剂层；所述吸气剂层上设有第一封装薄膜层，所述第一封装薄膜层上设有释放孔和缺口，所述第一封装薄膜层覆盖吸气剂层和第二空间层后，其释放孔与第二空间层覆盖的金属桥柱对应，所述缺口使第二空间层四周边缘有部分露出；所述第一封装薄膜层上设有第二封装薄膜层。

10.根据权利要求9所述的红外探测器封装结构，其特征在于，所述第一封装薄膜层和第二封装薄膜层的材料选自锗、硅、硒化锌、硫化锌中的一种。