CN112661106A - 非制冷探测器的晶圆级封装方法、非制冷探测器及其制备方法 - Google Patents
非制冷探测器的晶圆级封装方法、非制冷探测器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112661106A CN112661106A CN202110122265.9A CN202110122265A CN112661106A CN 112661106 A CN112661106 A CN 112661106A CN 202110122265 A CN202110122265 A CN 202110122265A CN 112661106 A CN112661106 A CN 112661106A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- wafer
- detector
- packaging method
- level packaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明提供非制冷探测器的晶圆级封装方法，包括：提供红外探测器晶圆和SOI硅片；在SOI硅片的Si器件层表面形成留有图形化刻蚀窗口的光刻胶层，并刻蚀去除与刻蚀窗口对应的Si器件层，进行腐蚀去除与刻蚀窗口对应的SOI硅片的第一氧化层，形成深腔结构，再去除光刻胶层；在深腔结构的底面上形成第一增透膜层；在SOI硅片上的Si器件层上形成第一键合环；在红外探测器晶圆上形成第二键合环；释放微结构；将盖帽硅片和红外探测器晶圆进行对位键合。还提供非制冷探测器及其制备方法。本发明的封装方法工艺周期短、成本低、封装效果好，得到的非制冷探测器的窗口表面平整、透射率高，探测器产品使用寿命长，小型化满足市场需求。
Description
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种非制冷探测器的晶圆级封装方法、非制冷探测器及其制备方法。
背景技术
红外焦平面探测器可分为制冷型和非制冷型两大类。制冷型红外焦平面探测器的优势在于灵敏度高，能够分辨更细微的温度差别，探测距离远，但是其结构复杂且成本高昂，主要应用于高端军事装备；非制冷红外焦平面探测器无需制冷装置，能够在室温状态下工作，具有启动快、功耗低、体积小、重量轻、寿命长、成本低等诸多优点。其性价比上已经明显优于制冷型探测器，在社会的各个方面开始使用，比如安防、工业、医疗、电力、建筑、汽车等。
探测器芯片需要在高真空的环境下工作，目前主要采用金属或者陶瓷管壳封装，总体的尺寸、重量、功耗还是很高，不能满足市场小型化的应用需求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服以上背景技术中提到的不足和缺陷，提供一种工艺周期短、成本低且封装效果好的非制冷探测器的晶圆级封装方法。
为实现以上目标，本发明采用如下的技术方案：
非制冷探测器的晶圆级封装方法，包括如下步骤：
（1）提供红外探测器晶圆和SOI硅片；
（2）在SOI硅片的Si器件层表面形成留有图形化刻蚀窗口的光刻胶层，并以该光刻胶层为掩模，进行刻蚀去除与所述图形化刻蚀窗口对应的Si器件层，然后进行腐蚀去除与所述图形化刻蚀窗口对应的SOI硅片的第一氧化层，形成深腔结构，再去除光刻胶层；
（3）在所述深腔结构的底面上形成与红外探测器晶圆上的微结构对应的第一增透膜层；
（4）在SOI硅片上深腔结构以外的Si器件层上形成第一键合环，得到盖帽硅片；
（5）在红外探测器晶圆上形成与所述盖帽硅片上的第一键合环对应的第二键合环；
（6）去除微结构的保护膜层，释放微结构；
（7）将盖帽硅片的第一键合环和红外探测器晶圆的第二键合环进行对位键合。
作为优选，在步骤（4）中，在形成第一键合环后，还包括采用硬掩模工艺在深腔结构的底面上形成图形化的第一吸气剂层。
作为优选，在步骤（5）中，在形成第二键合环后，还包括采用硬掩模工艺在红外探测器晶圆上形成与盖帽硅片上的第一吸气剂层对应的第二吸气剂层；
所述硬掩模工艺为通过制作的图形化的掩模板，在沉积吸气剂时利用掩模板将不需要沉积吸气剂的部分遮挡，从而实现在需要吸气剂的部分沉积吸气剂层。
作为优选，在步骤（7）后，还包括在盖帽硅片的硅层上表面形成第二增透膜层。
作为优选，所述第二增透膜层为Ge层；所述第二增透膜层的厚度为 1～3μm。
作为优选，所述第一键合环和第二键合环为Ti膜/Cu膜/Ti膜的层状结构；Ti膜的厚度为50～200nm，Cu膜的厚度为2～4μm。
作为优选，所述第一键合环与第二键合环采用剥离工艺形成。
作为优选，所述第一吸气层与第二吸气层的厚度为1～4μm；
所述第一吸气层与第二吸气层的组成，按质量分数计，包括Zr70～80%、Co20～30%和La1～2%。
作为优选，步骤（2）中，所述刻蚀为干法刻蚀；所述腐蚀为湿法腐蚀。
作为优选，步骤（3）中，所述第一增透膜层采用剥离工艺制备；
所述第一增透膜层为Ge层；所述第一增透膜层的厚度为1～3μm。
作为优选，步骤（7）中，所述键合的温度为200～300℃，键合的时间为10～30min。
作为一个总的发明构思，本发明还提供非制冷探测器的制备方法，对前述的晶圆级封装方法封装得到的封装结构进行划切得到。
作为一个总的发明构思，还提供一种前述非制冷探测器的制备方法制备得到的非制冷探测器。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
（1）本发明使用SOI硅片来制作盖帽，利用自停止工艺，形成的真空腔顶部平整，粗糙度 为1～5nm，是深硅刻蚀100nm的1/100～1/20，红外8～14μm波长透过率能达到90%以上。
（2）键合环焊料采用蒸镀铜工艺，比常用的金锡成本更低，且实现铜铜低温键合，降低键合温度；通过采用上下对称设置双份吸气剂，不仅有效利用了空间，而且能够有效延长探测器的使用寿命；同时通过硬掩模工艺制备图形化的吸气剂层，避免剥离工艺的影响，提高吸气性能，并可在键合的同时实现对吸气剂的激活。
（3）本发明的方法能够缩短封装周期和成本，且制备得到的非制冷探测器的窗口表面平整、透射率高，小型化满足市场需求。
附图说明
图1为盖帽硅片加工流程示意图。
图2为探测器芯片加工流程示意图。
图3为键合加工流程示意图。
图4为封装结构的图例标示。
附图说明：
100、Si支撑层 ；101、Si器件层；102、第一氧化层；103、第一增透膜层；104、第一吸气剂层；105、第一键合环；110、光刻胶层；200、Si片；201、电路连接；202、微结构；203、保护层；204、第二氧化层（SiO2）；205、第二键合环；206、第二吸气剂层；300、第二增透膜层。
具体实施方式
以下结合具体实施例和说明书附图，对本发明做进一步说明，但本发明的实施方式并不限于此。
本实施方式提供一种非制冷探测器的晶圆级封装方法，包括如下步骤：
一、提供红外探测器晶圆和定制的硅片SOI（SOI：Silicon On Insulator）硅片，其中SOI硅片包括Si支撑层100、Si器件层101和第一氧化层102，其设置方式为按Si支撑层600μm/第一氧化层（SiO2）1μm/Si器件层150μm依次设置。
二、盖帽硅片的制作，其加工流程示意图如图1所示，包括：
（1）在SOI硅片上图形化开窗口，即在SOI硅片上的Si器件层101表面涂覆光刻胶，通过光刻显影在所述Si器件层101表面形成留有图形化待刻蚀窗口的光刻胶层110；用深硅刻蚀和自停止技术，刻蚀硅到第一氧化层102（即二氧化硅层）后停止，即以该光刻胶层110为掩模，进行刻蚀去除图形化待刻蚀窗口对应的Si器件层101；然后腐蚀掉第一氧化层102，形成深腔平整的底面，即然后进行腐蚀去除与所述图形化待刻蚀窗口对应的第一氧化层102，形成深腔结构，再去除光刻胶层110；本步骤中，所述刻蚀可以为干法刻蚀；所述腐蚀可以为湿法腐蚀。
（2）在所述深腔结构的底面上形成与红外探测器晶圆上的微结构202对应的第一增透膜层103。
本步骤中，作为优选的方案，所述第一增透膜层103可采用剥离工艺制备；所述第一增透膜层103为Ge层；所述第一增透膜层103的厚度为1～3μm；此处的剥离工艺是指在不需要形成第一增透膜103的其他表面涂敷光刻胶，曝光显影，形成光刻胶层，然后在整个表面上沉积增透膜，再通过剥离液或带胶蒸发等方式去除光刻胶层，则沉积在光刻胶层上的增透膜也被剥离，留下直接沉积在深腔底面上的增透膜即为第一增透膜层103。
（3）在SOI硅片上的深腔结构以外的Si器件层101形成第一键合环105，形成盖帽硅片。
作为优选的方案，在本步骤（3）中，在形成第一键合环105后，还包括采用硬掩模工艺在深腔结构的底面上形成图形化的第一吸气剂层104。所述硬掩模工艺为通过制作的图形化的掩模板，在沉积（本实施例可以采用气相沉积）吸气剂时利用掩模板将不需要沉积吸气剂的部分遮挡，从而实现在需要吸气剂的深腔结构的底面部分沉积第一吸气剂层104，有效避免了采用常规的剥离工艺或其他常规工艺对吸气剂带来不良影响。
使用定制的硅片来制作盖帽，利用自停止工艺，形成的真空腔顶部平整，粗糙度 1～5nm，是深硅刻蚀100nm的1/100～1/20，红外8～14μm波长透过率90%以上。
三、红外探测器的制作，其加工流程示意图如图2所示，包括：
（1）采用金属剥离工艺在红外探测器晶圆上形成与盖帽硅片上的第一键合环105对应的第二键合环205；
（2）去除微结构202的保护层203，释放微结构202；本步骤可以采用干法刻蚀的方法来去除微结构202的保护层203，微结构202的化学组成可以是VOx，保护层203可以为本领域常规的有机保护层。
本步骤中，作为优选的方案，在形成第二键合环205后，还包括采用硬掩模工艺在红外探测器晶圆上形成与盖帽硅片上的第一吸气剂层104对应的第二吸气剂层206。所述硬掩模工艺为通过制作的图形化的掩模板，在沉积吸气剂时利用掩模板将不需要沉积吸气剂的部分遮挡，从而实现在需要吸气剂的部分形成第二吸气剂层206，有效避免了采用常规的剥离工艺或其他常规工艺对吸气剂带来不良影响。
四、将盖帽硅片与红外探测器键合，加工流程示意图如图3所示，包括：
将盖帽硅片的第一键合环105和红外探测器晶圆的第二键合环205进行对位键合。作为优选的方案，所述键合的温度为200～300℃，键合的时间为10～30min。且在键合的同时实现了对第一吸气剂层104和第二吸气剂层206的激活。
作为优选的方案，在对位键合后，还包括在盖帽硅片的Si支撑层100上表面形成第二增透膜层300；所述第二增透膜层300可通过PVD工艺形成；
所述第二增透膜层300为Ge层；所述第二增透膜层300的厚度为 1～3μm。
作为优选的方案，所述第一键合环105和第二键合环205为Ti膜/Cu膜/Ti膜的层状结构，采用该结构的键合环不仅比常用的金锡成本更低，而且由于键合环焊料采用蒸镀铜工艺，还能实现铜铜低温键合，减低键合温度；进一步优选，Ti膜的厚度为50～200nm，Cu膜的厚度为2～4μm。
所述第一键合环105与第二键合环205采用剥离工艺形成。
作为优选的方案，所述第一吸气剂层104与第二吸气剂层206的厚度为1～4μm；
所述第一吸气剂层104与第二吸气剂层206的组成，按质量分数计，包括Zr70～80%、Co20～30%和La1～2%。
本实施例的封装方法得到的封装结构示意图如图4所示。
本实施例还提供一种非制冷探测器的制备方法，通过对前述的晶圆级封装方法封装得到的封装结构进行划切得到。
根据上述说明书的揭示和教导，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。
Claims (13)
1.非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）提供红外探测器晶圆和SOI硅片；
（2）在SOI硅片的Si器件层（101）表面形成留有图形化刻蚀窗口的光刻胶层（110），并以该光刻胶层（110）为掩模，进行刻蚀去除与所述图形化刻蚀窗口对应的Si器件层（101），然后进行腐蚀去除与所述图形化刻蚀窗口对应的SOI硅片的第一氧化层（102），形成深腔结构，再去除光刻胶层（110）；
（3）在所述深腔结构的底面上形成与红外探测器晶圆上的微结构（202）对应的第一增透膜层（103）；
（4）在SOI硅片上深腔结构以外的Si器件层（101）上形成第一键合环（105），得到盖帽硅片；
（5）在红外探测器晶圆上形成与所述盖帽硅片上的第一键合环（105）对应的第二键合环（205）；
（6）去除微结构（202）的保护层（203），释放微结构（202）；
（7）将盖帽硅片的第一键合环（105）和红外探测器晶圆的第二键合环（205）进行对位键合。
2.如权利要求1所述的非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤（4）中，在形成第一键合环（105）后，还包括采用硬掩模工艺在深腔结构的底面上形成图形化的第一吸气剂层（104）。
3.如权利要求2所述的非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤（5）中，在形成第二键合环（205）后，还包括采用硬掩模工艺在红外探测器晶圆上形成与盖帽硅片上的第一吸气剂层（104）对应的第二吸气剂层（206）；
所述硬掩模工艺为通过制作的图形化的掩模板，在沉积吸气剂时利用掩模板将不需要沉积吸气剂的部分遮挡，从而实现在需要吸气剂的部分沉积吸气剂层。
4.如权利要求1所述的非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，在步骤（7）后，还包括在盖帽硅片的Si支撑层（100）上表面形成第二增透膜层（300）。
5.如权利要求4所述所述的非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第二增透膜层（300）为Ge层；所述第二增透膜层（300）的厚度为 1～3μm。
6.如权利要求1～5任意一项所述的非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一键合环（105）和第二键合环（205）为Ti膜/Cu膜/Ti膜的层状结构；所述Ti膜的厚度为50～200nm，Cu膜的厚度为2～4μm。
7.如权利要求6所述的非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一键合环（105）与第二键合环（205）采用剥离工艺形成。
8.如权利要求3所述的非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一吸气层（104）与第二吸气层（206）的厚度为1～4μm；
所述第一吸气层（104）与第二吸气层（206）的组成，按质量分数计，包括Zr70～80%、Co20～30%和La1～2%。
9.如权利要求1～5任意一项所述的非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤（2）中，所述刻蚀为干法刻蚀；所述腐蚀为湿法腐蚀。
10.如权利要求1～5任意一项所述的非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤（3）中，所述第一增透膜层（103）采用剥离工艺制备；
所述第一增透膜层（103）为Ge层；所述第一增透膜层（103）的厚度为1～3μm。
11.如权利要求1～5任意一项所述的非制冷探测器的晶圆级封装方法，其特征在于，步骤（7）中，所述键合的温度为200～300℃，键合的时间为10～30min。
12.非制冷探测器的制备方法，其特征在于，对如权利要求1～11任意一项所述的晶圆级封装方法封装得到的封装结构进行划切得到。
13.如权利要求12所述的非制冷探测器的制备方法制备得到的非制冷探测器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110122265.9A CN112661106A (zh) | 2021-01-29 | 2021-01-29 | 非制冷探测器的晶圆级封装方法、非制冷探测器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110122265.9A CN112661106A (zh) | 2021-01-29 | 2021-01-29 | 非制冷探测器的晶圆级封装方法、非制冷探测器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112661106A true CN112661106A (zh) | 2021-04-16 |
Family
ID=75414909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110122265.9A Pending CN112661106A (zh) | 2021-01-29 | 2021-01-29 | 非制冷探测器的晶圆级封装方法、非制冷探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112661106A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113314441A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-27 | 安徽光智科技有限公司 | 元器件封装设备及其使用方法 |
| CN114899111A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-08-12 | 宜确半导体（苏州）有限公司 | 半导体封装方法及半导体封装结构 |
| WO2023098004A1 (zh) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 三维集成气密性封装互连结构及其制作方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101403118A (zh) * | 2008-11-13 | 2009-04-08 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 硅片腐蚀单面保护夹具 |
| CN102214662A (zh) * | 2011-04-26 | 2011-10-12 | 北京大学 | 非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法 |
| CN102633228A (zh) * | 2012-04-09 | 2012-08-15 | 武汉高德红外股份有限公司 | 新型cmos-mems兼容的非制冷红外传感器晶圆级封装方法 |
| CN104157719A (zh) * | 2014-07-08 | 2014-11-19 | 浙江大立科技股份有限公司 | 晶圆级封装红外探测器及其制备方法 |
| CN110148571A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-08-20 | 上海欧菲尔光电技术有限公司 | 一种八英寸红外探测器封装窗口及其制备方法 |
| CN110429158A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-11-08 | 云南师范大学 | 非制冷红外焦平面探测器光学窗口的湿法腐蚀方法 |
-
2021
- 2021-01-29 CN CN202110122265.9A patent/CN112661106A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101403118A (zh) * | 2008-11-13 | 2009-04-08 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 硅片腐蚀单面保护夹具 |
| CN102214662A (zh) * | 2011-04-26 | 2011-10-12 | 北京大学 | 非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法 |
| CN102633228A (zh) * | 2012-04-09 | 2012-08-15 | 武汉高德红外股份有限公司 | 新型cmos-mems兼容的非制冷红外传感器晶圆级封装方法 |
| CN104157719A (zh) * | 2014-07-08 | 2014-11-19 | 浙江大立科技股份有限公司 | 晶圆级封装红外探测器及其制备方法 |
| CN110148571A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-08-20 | 上海欧菲尔光电技术有限公司 | 一种八英寸红外探测器封装窗口及其制备方法 |
| CN110429158A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-11-08 | 云南师范大学 | 非制冷红外焦平面探测器光学窗口的湿法腐蚀方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 曾广根: "《电子封装材料与技术》", vol. 1, 31 December 2020, 四川大学出版社, pages: 119 - 120 * |
| 石庚辰: "《微机电系统技术基础》", vol. 1, 31 August 2006, 电力出版社, pages: 67 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113314441A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-27 | 安徽光智科技有限公司 | 元器件封装设备及其使用方法 |
| CN113314441B (zh) * | 2021-05-28 | 2024-03-08 | 安徽光智科技有限公司 | 元器件封装设备及其使用方法 |
| WO2023098004A1 (zh) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 三维集成气密性封装互连结构及其制作方法 |
| CN114899111A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-08-12 | 宜确半导体（苏州）有限公司 | 半导体封装方法及半导体封装结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112661106A (zh) | 非制冷探测器的晶圆级封装方法、非制冷探测器及其制备方法 | |
| US8203207B2 (en) | Electronic device packages and methods of formation | |
| US7719099B2 (en) | Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same | |
| US7396741B2 (en) | Method for connecting substrate and composite element | |
| US9873610B2 (en) | Multiple bonding in wafer level packaging | |
| JP2010080967A (ja) | 密封されたチャンバを有するウエハ対を製造する方法 | |
| CN102786026B (zh) | 一种用于mems光学器件的薄膜封帽封装结构及其制造方法 | |
| CN110214369A (zh) | 用于键合芯片的方法和装置 | |
| KR101784655B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 방법 | |
| CN101691200A (zh) | 非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法 | |
| WO2020133732A1 (zh) | 封装方法及封装结构 | |
| CN109411549A (zh) | 光电子芯片封装结构及封装方法 | |
| TWI418002B (zh) | 晶片封裝體及其製造方法 | |
| CN111668125B (zh) | 一种晶圆锡球印刷工艺 | |
| WO2009038686A2 (en) | Hermetic wafer level cavity package | |
| CN113140474A (zh) | 一种晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法 | |
| Ma et al. | Development and Reliability study of 3D WLCSP for automotive CMOS image sensor using TSV technology | |
| US8159575B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus and method for manufacturing the same | |
| CN202785632U (zh) | 一种用于mems光学器件的薄膜封帽封装结构 | |
| CN212934659U (zh) | 集成热电堆红外探测器的封装结构 | |
| CN209087854U (zh) | 光电子芯片封装结构 | |
| US11521846B2 (en) | Methods for patterning a silicon oxide-silicon nitride-silicon oxide stack and structures formed by the same | |
| CN104701251B (zh) | 有源硅基板的制作方法 | |
| JP2005072489A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| CN112374456B (zh) | Mems器件的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |