KR102415380B1 - 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시 장치 및 그 제어 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 패널은, 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들; 전원 공급부로부터 전원이 공급되는 전원 공급선; 상기 복수의 화소들 및 상기 전원 공급선이 위치하는 기판; 및 상기 전원 공급선의 주변 영역에 위치하고, 상기 전원 공급선의 온도를 감지하는 온도 감지부를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 과전류를 감지하고 차단할 수 있는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.

Description

표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치{DISPLAY PANNEL AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
오늘날 널리 이용되는 컴퓨터 모니터, 텔레비전, 휴대폰 등에는 표시 장치가 필요하다. 이때, 디지털 데이터를 이용하여 영상을 표시하는 표시 장치에는 음극선관 표시 장치, 액정 표시 장치(LCD: liquid crystal display), 플라즈마 표시 패널(PDP: plasma display panel), 유기 발광 표시 장치(OLED: organic light emitting display) 등이 있다. 이와 같은 표시 장치는 고해상도 및 대면적화 됨에 따라서 데이터의 전송량이 증가하고, 데이터 전송 속도가 증가하고 있다.
한편, 표시 장치는 일반적으로 다른 전자 장치보다 높은 전류를 사용하므로, 표시 패널의 크랙(crack)이나 또는 비정상적으로 전원선이 단락될 경우에 과전류에 의한 소손 및 화재 발생 가능성이 높다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 표시 패널의 크랙(crack)이나 또는 비정상적으로 전원선이 단락될 경우에 발생할 수 있는 과전류를 감지하고 차단할 수 있는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 표시 패널 안에 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있는 회로를 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)로 구현하여 내장하여 저비용으로 구현할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 전원 공급부의 전원 공급 선의 온도를 감지하여 과전류가 발생하였는지 여부를 판단하여 그에 따라 과전류 발생을 감지하고 차단할 수 있는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 표시 패널의 크기가 증가하여 전원 인입단 개수가 증가하여도 비용 절감이 가능한 과전류 차단 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 패널은, 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들; 전원 공급부로부터 전원이 공급되는 전원 공급선; 상기 복수의 화소들 및 상기 전원 공급선이 위치하는 기판; 및 상기 전원 공급선의 주변 영역에 위치하고, 상기 전원 공급선의 온도를 감지하는 온도 감지부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 온도 감지부는 p-i-m 다이오드 또는 p-i-n 다이오드를 포함할 수 있다.
또한, 상기 온도 감지부는 상기 기판과 상기 전원 공급선 사이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 전원 공급 선은, 상기 전원 공급부로부터 제1 전원을 공급받는 제1 전원 공급 선 및 제2 전원을 공급받는 제2 전원 공급 선을 포함할 수 있다.
또한, 상기 온도 감지부는, 상기 제1 전원 공급선 주변 영역에 위치하여 상기 제1 전원 공급선의 온도를 감지하는 제1 온도 감지부 및 상기 제2 전원 공급선 주변 영역에 위치하여 상기 제2 전원 공급선의 온도를 감지하는 제2 온도 감지부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 온도 감지부는, 상기 전원 공급선의 온도에 따라 누설 전류가 변하는 온도 감지 센서; 상기 온도 감지센서의 누설 전류를 전압으로 변환하는 감지 회로; 및 상기 전압을 미리 설정된 기준 전압과 비교하여 과전류가 발생하였는지 여부를 판단하는 비교기를 포함할 수 있다.
또한, 상기 비교기는, 상기 전압이 상기 기준 전압보다 큰 경우 상기 전원 공급부에게 전류 공급을 차단하도록 하는 신호를 전송할 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치는, 표시 패널; 상기 표시 패널에 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동부; 상기 표시 패널에 주사 신호를 인가하는 주사 구동부; 및 상기 표시 패널에 전원을 공급하는 전원 공급부를 포함하고, 상기 표시 패널은, 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들; 상기 전원 공급부로부터 전원이 공급되는 전원 공급선; 상기 복수의 화소들 및 상기 전원 공급선이 위치하는 기판; 및 상기 전원 공급선의 주변 영역에 위치하고, 상기 전원 공급선의 온도를 감지하는 온도 감지부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 과전류를 감지하고 차단할 수 있는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 표시 패널 안에 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있는 회로를 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)로 구현하여 내장하여 저비용으로 구현할 수 있다.
또한, 전원 공급부의 전원 공급 선의 온도를 감지하여 과전류가 발생하였는지 여부를 판단하여 그에 따라 과전류 발생을 감지하고 차단할 수 있는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 표시 패널의 크기가 증가하여 전원 인입단 개수가 증가하여도 비용 절감이 가능하다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치의 블록도의 일 예를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부가 형성된 표시 패널의 평면도의 일 예를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부가 형성된 표시 패널의 단면도의 일 예를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부가 형성된 표시 패널의 평면도의 다른 일 예를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부가 형성된 표시 패널의 단면도의 다른 일 예를 도시한 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 센서 구현 다이오드의 사시도의 일 예를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부의 일 예를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도에 따른 온도 센서의 누설 전류의 일 예를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 센서의 동작의 다른 일 예를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 표시 장치의 블록도의 일 예를 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기반의 감지 회로의 일 예를 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 감지 회로의 타이밍도를 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 슈미트 트리거를 이용한 비교기의 일 예를 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 비교기의 타이밍도를 도시한 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 비교기를 이용한 아날로그 디지털 컨버터의 일 예를 도시한 도면이다.
이하, 본 명세서의 실시 예의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
실시 예를 설명함에 있어서 본 명세서의 실시 예가 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 명세서의 실시 예와 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 명세서의 실시 예의 요지를 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.
본 명세서에서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있는 것을 의미할 수도 있고, 중간에 다른 구성 요소가 존재하여 전기적으로 연결되어 있는 것을 의미할 수도 있다. 아울러, 본 명세서에서 특정 구성을 "포함" 한다고 기술하는 내용은 해당 구성 이외의 구성을 배제하는 것이 아니며, 추가적인 구성이 본 발명의 실시 또는 본 발명의 기술적 사상의 범위에 포함될 수 있음을 의미한다.
또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성들은 상기 용어에 의해 한정되지 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성을 다른 구성으로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성은 제2 구성으로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성도 제1 구성으로 명명될 수 있다.
그리고, 본 발명의 실시 예에 나타나는 구성부들은 서로 다른 특징적인 기능을 나타내기 위해 독립적으로 도시되는 것으로, 각 구성부들이 분리된 하드웨어나 하나의 소프트웨어 구성 단위로 이루어짐을 의미하지 않는다. 즉, 각 구성부는 설명의 편의상 각각의 구성부로 나열하여 포함한 것으로 각 구성부 중 적어도 두 개의 구성부가 하나의 구성부를 이루거나, 하나의 구성부가 복수 개의 구성부로 나뉘어져 기능을 수행할 수 있다. 각 구성부의 통합된 실시 예 및 분리된 실시 예도 본 발명의 본질에서 벗어나지 않는 한 본 발명의 권리 범위에 포함된다.
또한, 일부의 구성 요소는 본 발명에서 본질적인 기능을 수행하는 필수적인 구성 요소는 아니고 단지 성능을 향상시키기 위한 선택적 구성 요소일 수 있다. 본 발명은 단지 성능 향상을 위해 사용되는 구성 요소를 제외한 본 발명의 본질을 구현하는데 필수적인 구성부만을 포함하여 구현될 수 있고, 단지 성능 향상을 위해 사용되는 선택적 구성 요소를 제외한 필수 구성 요소만을 포함한 구조도 본 발명의 권리범위에 포함된다.
하기에서 본 명세서의 실시 예를 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 실시 예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 이하 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시 예의 실시 예를 설명하기로 한다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치의 블록도의 일 예를 도시한 도면이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치는 타이밍 제어부(110), 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 표시 패널(140), 및 전원 공급부(160)를 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(110)는 외부로부터 공급되는 동기 신호에 응답하여, 주사 구동부(120)와 데이터 구동부(130)의 동작을 제어할 수 있다. 즉, 타이밍 제어부(110)는 주사 구동 제어 신호를 생성하여 주사 구동부(120)에게 공급할 수 있다. 그리고 타이밍 제어부(110)는 구동 제어 신호를 생성하여 데이터 제어부(130)에게 공급할 수 있다. 또한, 타이밍 제어부(110)는 외부로부터 공급되는 데이터를 데이터 구동부(130)에게 출력할 수 있다.
주사 구동부(120)는 타이밍 제어부(110)로부터 출력된 주사 구동 신호에 응답하여 주사선들(S1 내지 Sn)로 주사 신호를 순차적으로 공급할 수 있다.
그리고, 데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(110)로부터 출력된 데이터 구동 제어 신호에 응답하여, 타이밍 제어부(110)로부터 출력된 데이터를 재정렬하여 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급할 수 있다.
표시 패널(140)은 복수의 행들과 복수의 열들의 매트릭스 구조로 배열되는 화소들(150)을 포함할 수 있다. 화소들(150)은 데이터선들(D1 내지 Dm)과 주사선들(S1 내지 Sn)의 교차부들마다 배치될 수 있다. 그리고 상기 화소들(150)은 유기 발광 다이오드(OLED: organic light emitting diodes) 등의 발광 소자를 포함할 수 있다. 그리고, 화소들(150)은 제1 전원 공급선(ELVDD)을 통해 공급되는 제1 전원과 제2 전원 공급선(ELVSS)을 통해 공급되는 제2 전원을 이용하여 발광할 수 있다. 이때, 전원 공급부(160)는 제1 전원 공급선(ELVDD)으로 제1 전원을 공급하고, 제2 전원 공급선(ELVSS)으로 제2 전원을 공급한다.
한편, 표시 장치는 상술한 바와 같이 일반적으로 다른 전자 장치보다 높은 전류를 사용하므로, 표시 패널의 크랙(crack)이나 또는 비정상적으로 전원선이 단락될 경우에 과전류에 의한 소손 및 화재 발생 가능성이 높다. 예를 들면, 표시 패널에 크랙이 발생하는 경우에 크랙이 발생한 부분으로 모든 전류가 흐르게 되어 결과적으로 전원 공급 선으로 과전류가 흐르게 될 수 있다.
이때, 전원 공급부(160)로부터의 전류 경로마다 과전류 감지부를 두어 과전류를 감지하는 방법을 고려할 수 있다. 즉, 전원 공급부(160)와 표시 패널(140) 사이에 별도의 전류 감지부를 두어 전원 공급부(160)로부터의 과전류를 감지할 수 있다. 이때, 과전류 감지부는 전류를 감지하는 저항을 포함하는 과전류 감지 회로, op-amp, 마이크로 프로세서(MCU) 등을 포함할 수 있다. 그리고, 일정 수준 이상의 전류가 일정 시간 이상 감지될 경우에 과전류가 흐르는 것으로 판단하고, 전원 공급부(160)의 전원 공급을 차단할 수 있다. 이때, 디스플레이 표시 패널의 상단과 하단에 전원/구동 집적 회로(IC: integrated circuit) 필름(film)과 본딩(bonding)되는 전원/소스(source) 인쇄회로기판 조립품(PBA: printed board assembly) 상에 회로들이 위치한다. 그리고, 전원 공급부(160)로부터 전원이 인가되는 필름(film) 인입단마다 과전류 감지 회로가 위치할 수 있다. 그리고, 과전류 감지 회로는 전원 공급부로부터의 전류 경로에 저항을 두어 전압을 감지하고, 이를 마이크로 프로세서에 저장하고, 저장된 전압들을 기준으로 과전류가 발생되는지 여부를 판단할 수 있다.
그런데, 전원 공급부의 전원이 PBA에서 표시 패널로 인입되는 모든 전원 경로 상에 과전류 감지 회로가 필요하다. 때문에, 표시 패널 면적이 커질수록 전원 공급부의 전원 인입단 개수가 증가하고, 그에 따라서 과전류 감지 회로의 개수가 증가하여 비용이 증대될 수 있다. 그리고 전류 감지 번트 보호(CSBP: current sensing burnt protection) 관련 재료비가 표시 패널 면적이 커질수록 증가할 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치에서는 과전류가 흐르는지 여부를 판단하기 위한 감지 회로를 표시 패널에 내재화시키는 방법을 고려하도록 한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치에서, 전원 공급부(160)로부터의 전원이, 전원 공급부(160)가 본딩된 필름에서 패널로 인가되면, 상기 패널의 본딩 패드(bonding pad)에서 배선을 통해 표시 패널(140)과 연결될 수 있다. 이때, 전원 공급부(160)로부터의 전원 경로로 과전류가 발생하게 되면, 전원 배선에서 열이 발생하게 된다. 즉, 배선 레이아웃(layout) 시에는 정상 동작 조건에서 열이 발생하지 않을 정도를 고려하므로, 과전류가 발생하게 되면 전원 배선에서 허용치 이상의 열이 발생할 수 있다. 때문에, 상기 전원 배선의 온도를 감지하는 온도 감지부(170)를 상기 표시 패널의 기판 상에 배치하여, 전원 배선의 온도를 감지하여 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있다. 즉, 표시 패널의 전원 배선 주위에 형성된 온도 감지부(170)는 미리 설정된 임계 온도 이상의 열이 전원 배선에서 발생한 경우에, 전원 배선에서 과전류가 발생한 것으로 판단할 수 있다. 이때, 실시 예에 따라서 상기 온도 감지부(170)는 p-i-m(p-type - 진성(intrinsic) - metal) 다이오드(diode) 또는 p-i-n(p-type - intrinsic - n-type) 다이오드로 구현될 수 있다. 또한, 실시 예에 따라서 상기 온도 감지부(170)는 전원 배선의 아래, 즉 표시 패널의 기판과 전원 배선 사이에 배치되어 상기 전원 배선의 온도를 감지할 수도 있다.
좀 더 구체적으로 살펴보면, 표시 패널의 전원 배선 주위에 형성된 온도 감지부(170)는 전원 배선의 온도에 따라서 누설 전류가 변하기 때문에 이를 이용하여 표시 패널 상에서 온도 감지가 가능할 수 있다. 그리고 온도 감지부(170)는 감지된 온도가 미리 설정된 임계 온도보다 큰 경우(또는 크거나 같은 경우)에 과전류가 발생한 것으로 판단할 수 있다. 이때, 실시 예에 따라서 온도 감지부(170)는 누설 전류를 전압으로 변환시키고, 그 변환된 전압을 미리 설정된 임계 전압과 비교하여 상기 변환된 전압이 임계 전압보다 큰 경우(또는 크거나 같은 경우)에 과전류가 흐르는 것으로 판단할 수도 있다. 그리고, 과전류가 발생하였다고 판단된 경우 온도 감지부(170)는 전원 공급부(160)에게 전원 공급을 차단하도록 하는 신호를 전송할 수 있다. 그에 따라 전원 공급부(160)는 과전류가 발생하면, 전원 공급을 차단하도록 하는 정보가 포함된 신호에 따라서 전원 공급을 차단할 수 있다.
이와 같이, 표시 패널 상에 온도 감지부(170)를 형성하여 전원 배선의 온도를 측정하여 과전류가 발생하였는지 여부를 판단하도록 하는 경우, 온도 센서, 과전류가 발생하였는지 여부를 판단하는 회로 등이 모두 박막(thin film) 공정으로 표시 패널 상에 구현되므로, 비용 절감 효과가 크다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부가 형성된 표시 패널의 평면도의 일 예를 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부가 형성된 표시 패널의 단면도의 일 예를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부가 형성된 표시 패널의 평면도의 다른 일 예를 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부가 형성된 표시 패널의 단면도의 다른 일 예를 도시한 도면이고, 도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 센서 구현 다이오드의 사시도의 일 예를 도시한 도면이다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치의 표시 패널은, 기판(210), 전원 공급부로부터의 전원이 표시 패널로 인가되도록 하는 본딩 패드(240) 및 전원 공급부로부터 전원이 인가되는 전원 공급선(230, 235)을 포함할 수 있다. 그리고 상기 전원 공급선(230, 235)의 하부에는 온도 감지부(220, 225)가 형성될 수 있다. 즉 표시 패널의 기판(210)과 전원 공급선(230, 235) 사이에 온도 감지부(220, 225)가 형성될 수 있다. 이때, 실시 예에 따라서 상기 기판(210)은 유리를 포함할 수 있다.
한편, 실시 예에 따라서 전원 공급부로부터 제1 전원 및 제2 전원이 공급되는 경우에는, 상기 표시 패널은 전원 공급부로부터 각각 제1 전원 및 제2 전원이 인가되는 제1 전원 공급선(ELVDD)(230) 및 제2 전원 공급선(ELVSS)(235)을 포함할 수 있다. 그리고, 표시 패널은 제1 전원 공급선(230) 및 제2 전원 공급선(235)의 하부에 각각 형성되는 제1 온도 감지부(220) 및 제2 온도 감지부(225)를 더 포함할 수 있다. 그리고 제1 온도 감지부(220)는 제1 전원 공급선(230)의 온도를 측정하고, 제2 온도 감지부(225)는 제2 전원 공급선(235)의 온도를 각각 측정하여 각각의 전원 배선(230, 235)에서 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있다.
또한, 도 3은 도 2의 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 패널의 A-A'의 단면도를 도시한 도면으로, 도 3을 참고하면, 기판(310) 상에 온도 감지부(320)가 형성되고, 그 위에 전원 배선(330; 331, 333)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 전원 배선은 제1 도전층(331)과 제2 도전층(333)의 두 개의 층이 적층되어 있는 구조일 수 있다. 그리고, 제1 도전층(331)은 소스/드레인(S/D: source/drain) 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 제2 도전층(333)은 게이트(gate) 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
온도 감지부(220, 225)의 동작에 대해서 좀 더 구체적으로 살펴보도록 한다. 전원 경로로 과전류가 발생하면, 전원 배선, 예를 들면 제1 전원 공급선(230) 및/또는 제2 전원 공급선(235)에서 열이 발생할 수 있다. 상술한 바와 같이, 배선 레이아웃 시에는 정상 동작 조건에서 열이 발생하지 않을 정도를 고려하므로, 과전류가 발생하는 경우 전원 배선에서는 미리 설정된 임계치 이상의 열이 발생할 수 있다. 이에, 전원 배선(230, 235)의 아래에 온도 감지부(220, 225)를 위치시킨 경우에는, 온도 감지부(220, 225)는 전원 배선(230, 235)의 온도를 감지할 수 있다. 그리고, 온도 감지부(220, 225)는 전원 배선(230, 235)의 온도가 미리 설정된 임계 온도보다 큰지 여부로 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있다. 또는 실시 예에 따라서, 온도 감지부(220, 225)는 누설 전류를 전압으로 변환시키고, 그 변환된 전압을 미리 설정된 임계 전압과 비교하여 상기 변환된 전압이 임계 전압보다 큰 경우에 과전류가 흐르는 것으로 판단할 수도 있다. 그리고, 과전류가 발생하였다고 판단된 경우 온도 감지부(220, 225)는 전원 공급부에게 전원 공급을 차단하도록 하는 신호를 전송할 수 있다. 그에 따라 전원 공급부는 과전류가 발생하면, 전원 공급을 차단하도록 하는 정보가 포함된 신호에 따라서 전원 공급을 차단할 수 있다. 이때, 전원 공급부로부터의 전원 공급선이 복수 개, 예를 들면 제1 전원 공급선(230) 및 제2 전원 공급선(235) 두 개 존재하는 경우, 상기 제1 온도 감지부(220) 및 제2 온도 감지부(225)가 제1 전원 공급선(230) 및 제2 전원 공급선(235)의 하부에 각각 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 온도 감지부(220) 및 제2 온도 감지부(225)는 제1 전원 공급선(230) 및 제2 전원 공급선(235) 각각의 온도를 감지할 수 있다. 그리고 그에 따라서 제1 전원 공급선(230) 및 제2 전원 공급선(235)에 과전류가 흐르는지 여부를 각각 판단할 수 있다.
다음으로, 도 4를 참고하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치의 표시 패널은 기판(410), 전원 공급부로부터의 전원이 표시 패널로 인가되도록 하는 본딩 패드(440) 및 전원 공급부로부터 전원이 인가되는 전원 공급선(430, 435)을 포함할 수 있다. 그리고 상기 전원 공급선(430, 435)의 주변부에는 온도 감지부(420, 425)가 형성될 수 있다. 즉, 온도 감지부(420, 425)는 도 2에 도시된 실시 예와 달리 전원 공급선(430, 435)과 기판(410)의 사이가 아니라, 전원 공급선(430, 435)의 주변부에 형성될 수 있다. 예를 들면 온도 감지부(420, 425)는 도 4에 예시된 바와 같이, 기판(410) 상에 전원 공급선(430, 435)이 형성되지 않은 영역에 형성될 수 있다. 즉, 온도 감지부(420, 425)는 전원 공급선(430, 435)의 옆으로, 전원 공급선(430, 435)과 나란히 기판(410) 상에 형성될 수 있다. 그리고, 실시 예에 따라서 상기 표시 패널(210)은 유리를 포함할 수 있다.
한편, 실시 예에 따라서 전원 공급부로부터 제1 전원 및 제2 전원이 공급되는 경우에는, 상기 표시 패널은 전원 공급부로부터 각각 제1 전원 및 제2 전원이 인가되는 제1 전원 공급선(ELVDD)(430) 및 제2 전원 공급선(ELVSS)(435)을 포함할 수 있다. 그리고, 표시 패널은 제1 전원 공급선(430) 및 제2 전원 공급선(435)의 주변 영역에 각각 형성되는 제1 온도 센서(420) 및 제2 온도 센서(425)를 포함할 수 있다. 그리고 제1 온도 센서(420)는 제1 전원 공급선(430)의 온도를 측정하고, 제2 온도 센서(425)는 제2 전원 공급선(435)의 온도를 각각 측정하여 각각의 전원 배선(430, 435)에서 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있다.
또한, 도 5는 도 4의 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 패널의 B-B'의 단면도를 도시한 도면으로, 도 5를 참고하면, 기판(510) 상에서 전원 배선(530; 531, 533)이 형성되는 영역을 제외한 영역에, 상기 전원 배선(530)의 옆으로 온도 감지부(520)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 전원 배선은 제1 도전층(531)과 제2 도전층(533)의 두 개의 층이 적층되어 있는 구조일 수 있다. 그리고, 제1 도전층(531)은 소스/드레인(S/D) 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 제2 도전층(533)은, 게이트(gate) 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
온도 감지부(420, 425)의 동작에 대해서 좀 더 구체적으로 살펴보도록 한다. 전원 경로로 과전류가 발생하면, 전원 배선, 예를 들면 제1 전원 공급선(430) 및/또는 제2 전원 공급선(435)에서 열이 발생할 수 있다. 상술한 바와 같이, 배선 레이아웃 시에는 정상 동작 조건에서 열이 발생하지 않을 정도를 고려하므로, 과전류가 발생하는 경우 미리 설정된 임계치 이상의 열이 발생할 수 있다. 이에, 전원 배선(430, 435)의 주변 영역에 온도 감지부(420, 425)를 위치시킨 경우에는, 온도 감지부(420, 425)는 전원 배선(430, 435)의 온도를 감지할 수 있다. 그리고, 온도 감지부(420, 425)는 전원 배선(430, 435)의 온도가 미리 설정된 임계 온도보다 큰지 여부로 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있다. 또는 실시 예에 따라서, 온도 감지부(420, 425)는 누설 전류를 전압으로 변환시키고, 그 변환된 전압을 미리 설정된 임계 전압과 비교하여 상기 변환된 전압이 임계 전압보다 큰 경우에 과전류가 흐르는 것으로 판단할 수도 있다. 그리고, 과전류가 발생하였다고 판단된 경우 온도 감지부(420, 425)는 전원 공급부에게 전원 공급을 차단하도록 하는 신호를 전송할 수 있다. 그에 따라 전원 공급부는 과전류가 발생하면, 전원 공급을 차단하도록 하는 정보가 포함된 신호에 따라서 전원 공급을 차단할 수 있다. 이때, 전원 공급부로부터의 전원 공급 선이 복수 개, 예를 들면 제1 전원 공급선(430) 및 제2 전원 공급선(435) 두 개 존재하는 경우, 상기 제1 온도 감지부(420) 및 제2 온도 감지부(425)가 제1 전원 공급선(430) 및 제2 전원 공급선(435)의 주변 영역에 각각 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 온도 감지부(420) 및 제2 온도 감지부(425)는 제1 전원 공급선(430) 및 제2 전원 공급선(435) 각각의 온도를 감지할 수 있다. 그리고 그에 따라서 제1 전원 공급선(430) 및 제2 전원 공급선(435)에 과전류가 흐르는지 여부를 각각 판단할 수 있다.
한편, 온도 감지부(220, 225, 320, 420, 425, 520)의 온도 센서는 p-i-m(p-type - intrinsic - metal) 다이오드(diode) 또는 p-i-n(p-type - 진성(intrinsic) - n-type) 다이오드로 구현될 수 있다. 도 6a에는 p-i-n 다이오드가 도시되어 있고, 도 6b에는 p-i-m 다이오드가 도시되어 있다.
이때, 도 6a에 도시된 p-i-n 다이오드는 p 타입 도핑된 영역(610), 진성 반도체 영역(620), n 타입 도핑된 영역(630)을 포함하고, 상기 p 타입 도핑된 영역(610)과 n 타입 도핑된 영역(630) 상에 각각 금속 판(640, 650)과 연결되어 있다. 그러나, 도 6b에 도시된 p-i-m 다이오드는 p 타입 도핑된 영역(610), 진성 반도체 영역(620)을 포함하고, 상기 p 타입 도핑된 영역(610)과 진성 반도체 영역(620) 상에 각각 금속 판(640, 650)과 연결되어 있다. 즉, p-i-n 다이오드와 달리, p-i-m 다이오드는 n-타입(type) 도핑된 폴리 실리콘 영역(poly-Si region)이 형성되어 있지 않다. 그러나, p-i-m 다이오드는 p-i-n 다이오드와 거의 동일한 전기적 동작을 할 수 있다. 그리고 p-i-m 다이오드는 p-i-n 다이오드에 비하여 p-타입 도핑만을 하면 되므로 비용도 절약될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부의 일 예를 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도에 따른 온도 센서의 누설 전류의 일 예를 도시한 도면이다.
도 7을 참고하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부(710)는 표시 패널의 기판 상에 형성될 수 있다. 그리고 온도 감지부는 온도 센서(711), 감지 회로(713), 및 비교기(715)를 포함할 수 있다. 이때, 실시 예에 따라서 상기 온도 센서(711)는 박막 다이오드일 수 있다. 상기 박막 다이오드는 상술한 바와 같이 p-i-m 다이오드 또는 p-i-n 다이오드일 수 있다. 설명의 편의를 위해서 p-i-m 다이오드(711)를 예를 들어 설명하면, p-i-m 다이오드(711)는 온도에 따라서 누설 전류가 도 8에 예시된 바와 같이 변할 수 있다. 즉, p-i-m 다이오드(711)는 온도가 상승함에 따라서 누설 전류가 점점 증가한다. 때문에, 이러한 특성을 이용하면 표시 패널 상에서 온도 감지가 가능하다.
즉, 표시 패널 상의 전원 배선은 전원 배선에 흐르는 전류의 크기에 따라서 온도가 달라진다. 즉 전원 배선은 흐르는 전류가 크면 온도가 올라갈 수 있다. 이때, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 온도 센서가 표시 패널에서 전원 배선 주변에 위치하므로, 전원 배선에 흐르는 전류의 크기에 따라서 온도 센서의 박막 다이오드(711)의 누설 전류의 크기도 달라진다. 즉, 전원 배선에 큰 전류가 흐르게 되면 박막 다이오드(711)의 누설 전류의 크기도 증가한다. 이때, 감지 회로(713)는 박막 다이오드(711)의 누설 전류를 감지하여, 이를 전압으로 변환하여 이를 비교기(715)에게 전달할 수 있다.
그리고 비교기(715)는 수신한 변환된 전압을 미리 설정된 기준 전압과 비교하여 전원 경로 상에서 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있다. 이때, 비교기(715)는 상기 수신한 변환된 전압이 미리 설정된 기준 전압보다 큰 경우에는 과전류가 발생한 것으로 판단하고 그에 상응하는 신호를 인에이블(enable) 신호로 전원 공급부(750)에게 전송할 수 있다. 이때, 실시 예에 따라서 상기 비교기(715)가 전원 공급부(750)에게 전송하는 신호는 1 비트(bit) 신호로 과전류가 발생하였는지 여부를 나타내는 신호일 수 있다. 예를 들면, 비교기(715)는 입력된 전압이 미리 설정된 기준 전압보다 큰 경우, 즉 전원 배선의 온도가 미리 설정된 온도보다 높다고 판단된 경우, 비교기(715)는 예를 들면 "1"의 신호를 전원 공급부(750)에게 전송할 수 있다. 또한, 비교기(715)는 입력된 전압이 미리 설정된 기준 전압보다 크지 않은 경우, 즉 전원 배선의 온도가 미리 설정된 온도보다 낮다고 판단된 경우, 비교기(715)는 예를 들면 "0"의 신호를 전원 공급부(750)에게 전송할 수 있다. 한편, 실시 예에 따라서, 비교기(715)는 과전류가 발생한 경우, 즉 전원 배선의 온도가 미리 설정된 온도보다 높은 경우 또는 박막 다이오드(711)의 누설 전류를 변환한 전압이 미리 설정된 기준 전압보다 높은 경우에 한해서, 전원 공급부(750)에게 전원 공급을 중단하라는 정보가 포함된 신호를 전송할 수 있다.
이후, 전원 공급부(750)는 비교기(715)로부터 수신한 신호에 따라서 전원 공급을 차단 또는 지속할 수 있다. 예를 들면, 전원 공급부(750)가 비교기(715)로부터 과전류가 발생하지 않았다는 사실을 지시하는 신호, 예를 들면 "0"의 신호를 수신한 경우, 전원 공급부(750)는 표시 패널로의 전원 공급을 지속할 수 있다. 반면, 전원 공급부(750)가 비교기(715)로부터 과전류가 발생하였다는 사실을 지시하는 신호, 예를 들면 "1"의 신호를 수신한 경우, 전원 공급부(750)는 표시 패널로의 전원 공급을 차단할 수 있다. 한편, 비교기(715)가 과전류가 발생된 경우에만 전원 공급부(750)에게 전원 공급을 중단하라는 신호를 전송하는 경우에는 그 신호를 수신한 전원 공급부(750)는 전원 공급을 차단할 수 있다.
이 경우에는, 온도 센서(711), 감지 회로(713), 및 비교기(715) 등이 모두 박막(thin film) 공정으로 표시 패널 상에 구현되므로, 비용 절감 효과가 클 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 센서의 동작의 다른 일 예를 도시한 도면이다.
도 9를 참고하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부(910)는 표시 패널의 기판 상에 형성될 수 있다. 그리고 온도 감지부는 온도 센서(911), 감지 회로(913), 및 복수의 비교기(915)를 포함할 수 있다. 이때, 실시 예에 따라서 상기 온도 센서(911)는 박막 다이오드일 수 있다. 상기 박막 다이오드는 상술한 바와 같이 p-i-m 다이오드 또는 p-i-n 다이오드일 수 있다. 설명의 편의를 위해서 p-i-m 다이오드(911)를 예를 들어 설명하면, p-i-m 다이오드(911)는 온도에 따라서 누설 전류가 도 8에 예시된 바와 같이 변할 수 있다. 즉, p-i-m 다이오드(911)는 온도가 상승함에 따라서 누설 전류가 점점 증가한다. 때문에, 이러한 특성을 이용하면 표시 패널 상에서 온도 감지가 가능하다.
즉, 표시 패널 상의 전원 배선은 전원 배선에 흐르는 전류의 크기에 따라서 온도가 달라진다. 즉 전원 배선은 흐르는 전류가 크면 온도가 올라갈 수 있다. 이때, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 온도 센서가 표시 패널에서 전원 배선 주변에 위치하므로, 전원 배선에 흐르는 전류의 크기에 따라서 온도 센서의 박막 다이오드(911)의 누설 전류의 크기도 달라진다. 즉, 전원 배선에 큰 전류가 흐르게 되면 박막 다이오드(911)의 누설 전류의 크기도 증가한다. 이때, 감지 회로(913)는 박막 다이오드(911)의 누설 전류를 감지하여, 이를 전압으로 변환하여 이를 비교기(915)에게 전달할 수 있다.
그리고, 비교기(915)는 감지 회로(913)로부터 수신한 전압을 다수의 비교기를 이용하여 n 비트 신호로 변형할 수 있다. 이때, n은 비교기의 개수와 동일할 수 있다. 즉, 도 7에 예시된 실시 예에서는 하나의 비교기가 감지 회로(913)로부터 수신한 전압을 기 저장된 기준 전압과 비교하여 과전류가 발생하였는지 여부를 판단한다. 그러나, 도 9에 예시된 실시 예에서는 복수 개의 비교기(915)를 이용하여 감지 회로(913)로부터 수신한 전압을 n 비트 신호로 변환하여 표시 패널 외부의 마이크로 프로세서(940)에게 전송할 수 있다. 도 9에서는 세 개의 비교기(915)가 포함된 것으로 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로 비교기(915)는 두 개 또는 네 개 이상 존재할 수도 있다. 이때, 복수의 비교기(915)는 각각 미리 설정된 값에 따라서 그 값보다 큰 전압이 형성된 경우에는 "1"의 비트를 형성하고 그렇지 않은 경우에는 "0"의 비트를 형성할 수 있다. 예를 들면, 비교기(915)가 5개 존재하는 경우에, 감지 회로(913)로부터 수신한 전압을 제1 비교기 내지 제5 비교기가 각각에 미리 설정된 전압 값과 비교할 수 있다. 이때, 수신한 전압은 제1 비교 전압 및 제2 비교 전압보다는 작고, 제3 비교 전압 내지 제5 비교 전압보다는 큰 것을 가정하도록 한다. 이 경우, 제1 비교기는 "0", 제2 비교기는 "0", 제3 비교기는 "1", 제4 비교기는 "1", 제5 비교기는 "1"을 출력하여 "00111"과 같은 5 비트 신호를 생성할 수 있다. 이에 따라서 비교기(915)는 좀 더 정확한 전압 값을 마이크로 프로세서(940)에게 전송하여 줄 수 있다. 그리고 비교기(915)의 개수가 많아질수록 더 정확한 전압 값을 마이크로 프로세서(940)에게 전송하여 줄 수 있다.
그리고, 마이크로 프로세서(940)는 수신한 전압 값, 즉 n 비트 신호를 수신하여 이 값을 이용하여 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있다. 즉, 마이크로 프로세서(940)는 정상 상태의 온도를 저장했다가 과전류가 발생한 경우에 전원 공급부(950)에게 전원 공급을 중단하라는 정보가 포함된 신호를 전송할 수 있다.
이후, 전원 공급부(950)는 프로세서(940)로부터 수신한 신호에 따라서 전원 공급을 차단 또는 지속할 수 있다. 예를 들면, 전원 공급부(950)가 프로세서(940)로부터 과전류가 발생하지 않았다는 사실을 지시하는 신호를 수신하거나 또는 아무런 신호도 수신하지 못한 경우, 전원 공급부(950)는 표시 패널로의 전원 공급을 지속할 수 있다. 반면, 전원 공급부(950)가 프로세서(940)로부터 과전류가 발생하였다는 사실을 지시하는 수신한 경우, 전원 공급부(950)는 표시 패널로의 전원 공급을 차단할 수 있다.
이 경우에는 비교기 개수가 늘어나고 인터페이스 신호 개수는 늘어날 수 있으나, 표시 패널 내에 과전류가 발생하였음을 나타내는 기준 전압을 저장하고 있을 필요가 없다.
도 10은 본 발명의 다른 일 실시 예에 따른 표시 장치의 블록도의 일 예를 도시한 도면이다.
도 10을 참고하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치는 타이밍 제어부(1010), 주사 구동부(1020), 데이터 구동부(1030), 표시 패널(1040), 및 전원 공급부(1060)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 표시 장치는 복수의 제1 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi) 및 복수의 제2 전원 공급선들(ELVSS1 내지 ELVSSi)을 포함하는 것을 제외하고는 도 1에 도시된 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 부분에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
복수의 제1 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi) 각각은 표시 패널(1040)의 전체 영역 중에서 대응하는 일부 영역으로 제1 전원을 공급할 수 있다. 그리고 복수의 제2 전원 공급선들(ELVSS1 내지 ELVSSi) 각각은 표시 패널(1040)의 전체 영역 중에서 대응하는 일부 영역을 제2 전원을 공급할 수 있다. 전원 공급부(1060)는 복수의 제1 전원 공급선들(ELVDD1 내지 ELVDDi)로 제1 전원을 공급하고, 복수의 제2 전원 공급선들(ELVSS1 내지 ELVSSi)로 제2 전원을 공급할 수 있다.
그리고, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치에서는 전원 공급부(1060)로부터 복수의 전원 배선들(ELVDD1 내지 ELVDDi, ELVSS1 내지 ELVSSi)의 온도를 감지하는 복수의 온도 감지부 또는 온도 센서(1070, 1073, 1075)를 상기 표시 패널의 기판 상에 배치하여, 전원 배선들의 온도를 감지하여 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있다. 즉, 표시 패널의 전원 배선들 각각의 주위에 형성된 온도 감지부(1070, 1073, 1075)는 미리 설정된 임계 온도 이상의 열이 전원 배선에서 발생한 경우에, 전원 배선에서 과전류가 발생한 것으로 판단할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 기반의 감지 회로의 일 예를 도시한 도면이고, 도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 감지 회로의 타이밍도를 도시한 도면이다.
도 11을 참고하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 온도 감지부의 감지 회로는, 표시 패널 상에 형성된 제1 트랜지스터(T1) 내지 제8 트랜지스터(T8), 제1 커패시터(C1) 내지 제2 커패시터(C2), 및 p-i-m 다이오드를 포함할 수 있다. 이때, 트랜지스터들의 제1 전극은 소스 또는 드레인 전극일 수 있으며, 제2 전극은 드레인 또는 소스 전극일 수 있다.
p-i-m 다이오드는 제2 전원(Vss)과 제8 트랜지스터(T8)의 제1 전극 사이에 연결되고, 제8 트랜지스터(T8)의 제2 전극은 B 노드에 연결될 수 있다. 그리고 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 전극은 TXB 신호 입력 선에 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극은 제2 전원(VSS)과 연결되고, 제5 트랜지스터(T5)의 제1 전극은 제1 트팬지스터(T1)의 제2 전극과 연결되고, 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 CPMPB 신호 입력 선에 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 연결되고, 제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 A 노드에 연결되고, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 리셋 신호 입력 선(RST)에 연결될 수 있다. 제1 커패시터(C1)는 B 노드와 제2 전원(Vss) 사이에 연결되고, 제2 커패시터(C2)는 A노드와 B 노드 사이에 연결될 수 있다. 그리고, 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극 및 제5 트랜지스터(T5)의 제1 전극과 연결되고, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극과 연결되고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 A 노드와 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극은 B 노드와 연결되고, 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 제1 기준 전원(VREF1)과 연결되고, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 리셋 신호 입력 선(RST)에 연결될 수 있다. 그리고, 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극은 제1 트랜지스터의 제1 전극과 연결되고, 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극은 제2 기준 전원(VREF2)에 연결되고, 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 COMP 신호 입력 선에 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극은 제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극과 연결되고, 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 연결되고, 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 전송 신호 입력 선(Tx)에 연결될 수 있다. 그리고, 제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극은 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극과 연결되고, 제7 트랜지스터(T7)의 제2 전극은 제1 전원(VDD)에 연결되고, 게이트 전극은 프리차지 신호 입력 선(PRE)에 연결될 수 있다. 그리고 부하는 제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극과 출력단(output) 사이에 연결될 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 슈미트 트리거를 이용한 비교기의 일 예를 도시한 도면이고, 도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 비교기의 타이밍도를 도시한 도면이고, 도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 비교기를 이용한 아날로그 디지털 컨버터의 일 예를 도시한 도면이다.
도 13을 참고하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 비교기는 인버터와 슈미트 트리거(Schmitt trigger)를 포함할 수 있다. 그리고, 버퍼의 인버터 중 하나는 로우 로직 전압(low Vlogic)의 인버터일 수 있어, 비교기의 출력 전압은 도 14에 도시된 바와 같이 제1 위상 동작 동안에 하이 상태로 될 수 있다. 또한 에지 트리거 스위치(edge trigger switch)를 더 포함하여 출력 전압의 플럭츄에이션(fluctuation)을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 15에서는 다채널 구조의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: analog digital converter)의 일 예가 도시되어 있다. 이때, n 비트 래치(latch) 및 비교기는 각 채널에 위치하고, n 비트 카운터(counter)는 멀티 채널 ADC에서 하나만 존재한다. 병렬 직렬 블록(parallel to serial block)은 n 비트 쉬프트 레지스터(shift resister)로 구성되고, 이는 인터페이스 라인의 최소화를 위한 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치에서는, 전원 공급부로부터 과전류가 공급되었는지 여부를 판단하기 위해서, 온도 감지부가 표시 패널 상에 형성될 수 있다. 즉, 온도 감지부가 전원 공급부로부터의 전원 공급 선의 아래 또는 근처에 위치하여 과전류 발생 시 배선의 온도 상승을 감지할 수 있다. 그리고 배선의 온도가 미리 설정된 임계값 이상인 경우에 과전류가 발생한 것으로 판단할 수 있다. 이때, 온도 센서, 감지 회로 및 비교기 회로 등의 온도 감지부를 TFT로 구성하여 표시 패널 안에 집적함으로써, 과전류가 발생하였는지 여부를 판단할 수 있으며 또한 비용 절감 효과를 얻을 수 있다.
본 명세서와 도면에 개시된 실시 예는 기술 내용을 쉽게 설명하고, 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
한편, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
110: 타이밍 제어부 120: 주사 구동부
130: 데이터 구동부 140: 표시 패널
150: 화소들 160: 전원 공급부
170: 온도 감지부

Claims (14)

  1. 발광 소자를 포함하는 복수의 화소들;
    전원 공급부로부터 전원이 공급되는 전원 공급선;
    상기 복수의 화소들 및 상기 전원 공급선이 위치하는 기판; 및
    상기 전원 공급선의 주변 영역에 위치하고, 상기 전원 공급선의 온도를 감지하는 온도 감지부를 포함하며,
    상기 온도 감지부는 상기 기판과 상기 전원 공급선 사이에 위치하는 표시 패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 온도 감지부는 p-i-m 다이오드 또는 p-i-n 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 전원 공급 선은, 상기 전원 공급부로부터 제1 전원을 공급받는 제1 전원 공급 선 및 제2 전원을 공급받는 제2 전원 공급 선을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 온도 감지부는, 상기 제1 전원 공급선 주변 영역에 위치하여 상기 제1 전원 공급선의 온도를 감지하는 제1 온도 감지부 및 상기 제2 전원 공급선 주변 영역에 위치하여 상기 제2 전원 공급선의 온도를 감지하는 제2 온도 감지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 온도 감지부는,
    상기 전원 공급선의 온도에 따라 누설 전류가 변하는 온도 감지 센서;
    상기 온도 감지센서의 누설 전류를 전압으로 변환하는 감지 회로; 및
    상기 전압을 미리 설정된 기준 전압과 비교하여 과전류가 발생하였는지 여부를 판단하는 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 비교기는, 상기 전압이 상기 기준 전압보다 큰 경우 상기 전원 공급부에게 전원 공급을 차단하도록 하는 신호를 전송하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  8. 표시 패널;
    상기 표시 패널에 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동부;
    상기 표시 패널에 주사 신호를 인가하는 주사 구동부; 및
    상기 표시 패널에 전원을 공급하는 전원 공급부를 포함하고,
    상기 표시 패널은,
    발광 소자를 포함하는 복수의 화소들;
    상기 전원 공급부로부터 전원이 공급되는 전원 공급선;
    상기 복수의 화소들 및 상기 전원 공급선이 위치하는 기판; 및
    상기 전원 공급선의 주변 영역에 위치하고, 상기 전원 공급선의 온도를 감지하는 온도 감지부를 포함하며,
    상기 온도 감지부는 상기 기판과 상기 전원 공급선 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 온도 감지부는 p-i-m 다이오드 또는 p-i-n 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 삭제
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 전원 공급 선은, 상기 전원 공급부로부터 제1 전원을 공급받는 제1 전원 공급 선 및 제2 전원을 공급받는 제2 전원 공급 선을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 온도 감지부는, 상기 제1 전원 공급선 주변 영역에 위치하여 상기 제1 전원 공급선의 온도를 감지하는 제1 온도 감지부 및 상기 제2 전원 공급선 주변 영역에 위치하여 상기 제2 전원 공급선의 온도를 감지하는 제2 온도 감지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제8 항에 있어서, 상기 온도 감지부는,
    상기 전원 공급선의 온도에 따라 누설 전류가 변하는 온도 감지 센서;
    상기 온도 감지센서의 누설 전류를 전압으로 변환하는 감지 회로; 및
    상기 전압을 미리 설정된 기준 전압과 비교하여 과전류가 발생하였는지 여부를 판단하는 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 비교기는, 상기 전압이 상기 기준 전압보다 큰 경우 상기 전원 공급부에게 전류 공급을 차단하도록 하는 신호를 전송하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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