KR102405151B1 - Cleaning method and cleaning device of liquid contact nozzle - Google Patents

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KR102405151B1 KR1020170098503A KR20170098503A KR102405151B1 KR 102405151 B1 KR102405151 B1 KR 102405151B1 KR 1020170098503 A KR1020170098503 A KR 1020170098503A KR 20170098503 A KR20170098503 A KR 20170098503A KR 102405151 B1 KR102405151 B1 KR 102405151B1
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코우이치로 다나카
타케시 시모아오키
유사쿠 하시모토
마사히로 후쿠다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

접액 노즐의 청정도를 감시하여, 정말로 필요한 경우에만 세정액을 이용하여 접액 노즐의 세정을 행하도록 하여 세정액의 소비를 억제한다. 현상 처리 장치 내에 있어서, 현상액 공급 노즐이 대기하는 대기부(160)에는 노즐 배스(170)가 마련되어 있다. 노즐 배스(170)의 상방에는 현상액 공급 노즐의 양측에 위치하도록 발광부(172)와 수광부(173)가 배치되어 있다. 발광부(172)로부터 광이 현상액 공급 노즐을 투과하여 수광부(173)에서 수광했을 때의 투과율에 기초하여, 현상액 공급 노즐의 오염 상태를 계측한다. 계측 결과에 기초하여 필요에 따라, 현상액 공급 노즐을 세정한다.The cleanliness of the wet nozzle is monitored, and the cleaning liquid is used to clean the wet nozzle only when really necessary, thereby suppressing the consumption of the cleaning liquid. In the developing apparatus, a nozzle bath 170 is provided in the standby unit 160 where the developer supply nozzle waits. The light emitting unit 172 and the light receiving unit 173 are disposed above the nozzle bath 170 to be positioned on both sides of the developer supply nozzle. The contamination state of the developer supply nozzle is measured based on the transmittance when light from the light emitting unit 172 passes through the developer supply nozzle and is received by the light receiving unit 173 . Based on the measurement result, the developer supply nozzle is cleaned as necessary.

Description

접액 노즐의 세정 방법 및 세정 장치 {CLEANING METHOD AND CLEANING DEVICE OF LIQUID CONTACT NOZZLE}Cleaning method and cleaning device for wet nozzles

본 발명은 접액 노즐의 세정 방법 및 세정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning method and a cleaning apparatus for a liquid contact nozzle.

예를 들면 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들면 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 당해 레지스트막에 정해진 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광 후에 레지스트막 내의 화학 반응을 촉진시키는 가열 처리(포스트 익스포저 베이킹(post exposure baking)), 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차 행해져, 웨이퍼 상에 정해진 레지스트 패턴이 형성된다.For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, for example, a resist coating process for forming a resist film by coating a resist solution on a semiconductor wafer as a substrate (hereinafter referred to as "wafer"), the resist film Exposure processing for exposing a predetermined pattern to , heat processing for accelerating chemical reaction in the resist film after exposure (post exposure baking), development processing for developing the exposed resist film, etc. are sequentially performed. A pattern is formed.

이들 처리 중 현상 처리의 방식으로서는, 노광 후의 기판을 수평으로 유지하고, 현상액을 토출하여 기판의 표면에 액 고임부를 형성하기 위한 토출구와 기판의 표면보다 작게 형성되어 기판의 표면과 대향하도록 마련된 접촉부를 가지는 현상액 노즐을 이용하여 상기 접촉부가 상기 액 고임부에 접촉한 상태에서 회전하고 있는 기판의 중앙부 및 주연부의 일방측으로부터 타방측으로 현상액의 공급 위치와 함께 이동함으로써 당해 현상액의 액 고임부를 기판에 확장함으로써 기판을 현상 처리하는 것이 제안되고 있다.Among these treatments, as a method of the developing treatment, a discharge port for holding the exposed substrate horizontally and discharging the developer to form a liquid pool on the surface of the substrate, and a contact portion formed smaller than the surface of the substrate to face the surface of the substrate By using a developer nozzle having It has been proposed to develop the substrate by expanding it.

이와 같이 기판 상의 현상액 등의 처리액과 접촉하여 당해 현상액을 기판 표면에 확장하는 노즐은 일반적으로 접액 노즐이라고 불리고 있다. 이러한 접액 타입의 현상 노즐은 현상 처리 중에 발생한 용해물의 부착에 의해 노즐 표면이 오염되는 것이 알려져 있다. 이는, 특히 두께가 두꺼운 레지스트의 현상 처리에 있어서 현저하다. 이 때문에 종래부터 노즐의 청정도를 유지하기 위하여, 대기부라고 불리는 장소에서 현상액을 노즐에 공급하고, 당해 대기 장소에서 노즐을 세정하는 것이 행해지고 있다(특허 문헌 1).As described above, a nozzle that comes into contact with a processing liquid such as a developer on a substrate and expands the developer on the surface of the substrate is generally called a liquid contact nozzle. It is known that in such a liquid-type developing nozzle, the nozzle surface is contaminated by the adhesion of the melt generated during the developing process. This is particularly remarkable in the developing treatment of a thick resist. For this reason, conventionally, in order to maintain the cleanliness of a nozzle, supplying a developing solution to a nozzle in the place called a waiting|standby part, and washing|cleaning of the nozzle in the said waiting place is performed (patent document 1).

일본특허공개공보 2016-029703호Japanese Patent Laid-Open No. 2016-029703

그러나 현상액은 고가이고, 이것을 세정용으로 빈번히 사용하는 것은 비용면에서 문제가 있다. 그렇다고 해서, 단순히 정해진 처리 매수마다 등, 단순하게 정기적으로 세정을 행하는 것으로는 불필요한 경우에도 세정을 행하는 경우도 있을 수 있다. 또한 반대로 필요할 때에 세정을 행하지 않은 케이스도 발생할 우려가 있다.However, the developer is expensive, and frequent use of it for cleaning is problematic in terms of cost. Even so, there may be cases where it is not necessary to simply perform cleaning on a regular basis, such as for every predetermined number of treatments. Conversely, there is a possibility that a case in which washing is not performed when necessary may also occur.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 접액 노즐의 청정도를 감시하여 정말로 필요한 경우에만 현상액 등 세정액을 이용하여 접액 노즐의 세정을 행하도록 하여, 상기 문제의 해결을 도모하는 것을 목적으로 하고 있다.The present invention has been made in view of this point, and aims to solve the above problem by monitoring the cleanliness of the wet nozzle and cleaning the wet nozzle using a cleaning solution such as a developer only when really necessary. .

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기판 상에 처리액을 공급하여 당해기판을 처리하는 액 처리 장치 내에 마련되어 상기 처리 시에 기판 상의 처리액과 접촉하는 접액 노즐을 세정하는 방법으로서, 상기 액 처리 장치 내에서 상기 접액 노즐의 오염 상태를 검사하고, 당해 검사의 결과에 기초하여 상기 접액 노즐을 세정하는 것을 특징으로 하고 있다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of cleaning a liquid nozzle provided in a liquid processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid onto a substrate and in contact with the processing liquid on the substrate during the processing, wherein the liquid The contamination state of the liquid contact nozzle is inspected in the processing apparatus, and the liquid contact nozzle is cleaned based on the result of the inspection.

본 발명에 따르면, 액 처리 장치 내에서 상기 접액 노즐의 오염 상태를 검사하고, 당해 검사의 결과에 기초하여 상기 접액 노즐을 세정하도록 했으므로, 접액 노즐의 청정도를 감시하여 정말로 필요한 경우에만 접액 노즐의 세정을 행할 수 있다.According to the present invention, since the state of contamination of the wet nozzle is inspected in the liquid processing device and the wet nozzle is cleaned based on the result of the inspection, the cleanliness of the wet nozzle is monitored and the wet nozzle is cleaned only when really necessary. can be done

상기 접액 노즐은 광을 투과시키는 재료로 이루어지고, 상기 검사는 접액 노즐에 대하여 광을 조사하여 행하도록 해도 된다.The liquid contact nozzle may be made of a material that transmits light, and the inspection may be performed by irradiating light to the liquid contact nozzle.

상기 검사는 접액 노즐을 촬상하여 행하도록 해도 된다.You may make it perform the said test|inspection by imaging a liquid contact nozzle.

상기 검사의 결과에 기초하여 행하는 세정은 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급함으로써 행하는 것을 제안할 수 있다.It may be suggested that the cleaning performed based on the result of the inspection is performed by supplying the cleaning liquid into the accommodating portion accommodating the liquid-contacting nozzle.

상기 검사의 결과에 기초하여 행하는 세정은, 이미 행한 세정의 횟수에 기초하여, 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급함으로써 행하거나 또는 보다 세정 정도가 높은 세정 방법에 의해 행하도록 해도 된다.The cleaning performed based on the result of the inspection may be performed by supplying the cleaning liquid into the accommodating portion for accommodating the wet nozzle based on the number of times of cleaning already performed, or may be performed by a cleaning method with a higher cleaning degree.

상기한 보다 세정 정도가 높은 세정 방법은 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급하고 또한 당해 수용부에 세정액의 액류를 발생시킴으로써 행하는 것을 제안할 수 있다.It can be proposed that the cleaning method with a higher degree of cleaning described above is performed by supplying a cleaning liquid into a accommodating portion accommodating the wet nozzle and generating a liquid flow of the cleaning liquid in the accommodating portion.

또한, 보다 세정 정도가 높은 세정 방법은 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급하고 또한 당해 수용부 내를 가열함으로써 행하도록 해도 된다.In addition, the cleaning method with a higher degree of cleaning may be performed by supplying a cleaning liquid into the housing portion accommodating the liquid contact nozzle and heating the interior of the housing portion.

또한, 보다 세정 정도가 높은 세정 방법은 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급하고, 당해 수용부 내에서 상기 접액 노즐에 대하여 브러시 부재를 접촉시킴으로써 행하는 것을 제안할 수 있다.In addition, it can be proposed that a cleaning method with a higher degree of cleaning is performed by supplying a cleaning liquid into a accommodating portion accommodating the liquid nozzle and bringing the brush member into contact with the liquid nozzle in the accommodating portion.

다른 관점에 따르면, 본 발명은, 기판 상에 처리액을 공급하여 당해 기판을 처리하는 액 처리 장치 내에 마련되어 상기 처리 시에 기판 상의 처리액과 접촉하는 접액 노즐을 세정하는 장치로서, 상기 액 처리 장치 내에 마련되고, 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부와 상기 접액 노즐의 오염 상태를 검사하는 검사 장치를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.According to another aspect, the present invention provides an apparatus for cleaning a liquid nozzle that is provided in a liquid processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid onto a substrate and is in contact with the processing liquid on the substrate during the processing, the liquid processing apparatus It is provided in the interior, it is characterized in that it has an accommodating part for accommodating the liquid nozzle and an inspection device for inspecting the contamination state of the liquid contact nozzle.

상기 접액 노즐은 광을 투과시키는 재료로 이루어지고, 상기 검사 장치는 상기 접액 노즐에 대하여 광을 조사하는 발광부와 접액 노즐을 투과한 광을 수광하는 수광부를 가지도록 구성해도 된다.The liquid nozzle may be made of a material that transmits light, and the inspection apparatus may be configured to have a light emitting unit that irradiates light to the liquid nozzle and a light receiving unit that receives the light transmitted through the liquid nozzle.

상기 검사 장치는 상기 접액 노즐을 촬상하는 촬상 장치와 당해 촬상 장치로부터의 화상에 기초하여 더러움 상태를 판단하는 판정 장치를 가지는 것이어도 된다.The said inspection apparatus may have an imaging device which images the said liquid contact nozzle, and the determination device which judges a dirt condition based on the image from the said imaging device.

상기 수용부 중 적어도 바닥부는 회전 가능하게 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 수용부의 바닥부에는 요철이 형성되어 있어도 된다.At least the bottom part of the said accommodation part may be comprised so that rotation is possible. In this case, the unevenness|corrugation may be formed in the bottom part of a accommodating part.

상기 수용부 내에는 상기 접액 노즐에 접촉 가능한 브러시 부재가 마련되어 있어도 된다.A brush member capable of contacting the liquid-contacting nozzle may be provided in the accommodating portion.

상기 수용부 내를 가열하는 히터를 가지도록 구성해도 된다.You may comprise so that it may have a heater which heats the inside of the said accommodation part.

본 발명에 따르면, 액 처리 장치 내에서 접액 노즐의 오염 상태를 검사하고 당해 검사의 결과에 기초하여 상기 접액 노즐을 세정하도록 했으므로, 접액 노즐의 청정도를 감시하여 정말로 필요한 경우에만 접액 노즐의 세정을 행할 수 있어, 세정액의 불필요한 소비를 억제할 수 있다.According to the present invention, since the contamination state of the wet nozzle is inspected in the liquid processing device and the wet nozzle is cleaned based on the result of the inspection, the cleanliness of the wet nozzle is monitored and the wet nozzle is cleaned only when really necessary. Therefore, unnecessary consumption of the cleaning liquid can be suppressed.

도 1은 본 실시 형태에 따른 세정 장치를 구비한 현상 처리 장치를 탑재한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 배면도이다.
도 4는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 5는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 6은 현상액 공급 노즐의 사시도이다.
도 7은 대기부의 사시도이다.
도 8은 노즐 배스의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 9는 노즐 배스의 바닥부의 평면도이다.
도 10은 현상 처리의 모습을 나타내는 측면도이다.
도 11은 세정 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 12는 브러시 부재를 가지는 노즐 배스의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 13은 히터를 가지는 노즐 배스의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 14는 현상액 공급 노즐의 상하 방향의 투과율을 계측하는 검사 장치의 구성을 모식적으로 나타낸 측면 설명도이다.1 is a plan view schematically showing the configuration of a substrate processing system in which a developing processing apparatus with a cleaning apparatus according to the present embodiment is mounted.
FIG. 2 is a front view schematically showing the outline of the configuration of the substrate processing system of FIG. 1 .
FIG. 3 is a rear view schematically showing the outline of the configuration of the substrate processing system of FIG. 1 .
4 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of the configuration of the developing apparatus.
5 is a cross-sectional view schematically showing the outline of the configuration of the developing apparatus.
6 is a perspective view of a developer supply nozzle;
7 is a perspective view of a waiting part;
Fig. 8 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of the configuration of the nozzle bath.
9 is a plan view of the bottom of the nozzle bath;
Fig. 10 is a side view showing a state of developing processing;
11 is a flowchart showing an example of a cleaning process.
12 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of the configuration of a nozzle bath having a brush member.
13 is a longitudinal sectional view schematically showing the outline of the configuration of a nozzle bath having a heater.
Fig. 14 is a side explanatory view schematically showing the configuration of an inspection apparatus for measuring the transmittance in the vertical direction of the developer supply nozzle;

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 따른 접액 노즐의 세정 장치를 구비하는 현상 처리 장치를 탑재한 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 모식적으로 나타낸 평면 설명도이다. 도 2 및 도 3은, 각각 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도와 배면도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a substrate processing system 1 in which a developing processing apparatus including a liquid contact nozzle cleaning apparatus according to the present embodiment is mounted. 2 and 3 are a front view and a rear view schematically showing the outline of the internal configuration of the substrate processing system 1, respectively.

기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입반출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 정해진 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.As shown in FIG. 1 , the substrate processing system 1 includes a cassette station 10 in which a cassette C accommodating a plurality of wafers W is carried in and out, and a plurality of wafers W that perform predetermined processing. A configuration in which an interface station 13 for transferring wafers W is integrally connected between a processing station 11 provided with various processing devices of the processing station 11 and an exposure device 12 adjacent to the processing station 11 Have.

카세트 스테이션(10)에는 카세트 배치대(20)가 마련되어 있다. 카세트 배치대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입반출할 때에 카세트(C)를 배치하는 카세트 배치판(21)이 복수 마련되어 있다.The cassette station 10 is provided with a cassette mounting table 20 . The cassette mounting table 20 is provided with a plurality of cassette mounting plates 21 on which the cassettes C are placed when the cassettes C are carried in and out of the substrate processing system 1 .

카세트 스테이션(10)에는 도 1에 나타내는 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는 상하 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 배치판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제 3 블록(G3)의 전달 장치의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1 , the cassette station 10 is provided with a wafer transfer device 23 capable of moving on a transfer path 22 extending in the X direction. The wafer transfer device 23 is also movable in the vertical direction and around the vertical axis (the θ direction), and includes a cassette C on each cassette arrangement plate 21 and a third block G3 of a processing station 11 to be described later. The wafer W can be transported between the transfer devices.

처리 스테이션(11)에는 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들면 4 개의 블록, 즉 제 1 블록(G1) ∼ 제 4 블록(G4)이 마련되어 있다. 예를 들면 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는 제 1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측, 도면의 상측)에는 제 2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는 전술의 제 3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는 제 4 블록(G4)이 마련되어 있다.The processing station 11 is provided with a plurality, for example, four blocks, ie, first blocks G1 to fourth blocks G4 equipped with various devices. For example, the first block G1 is provided on the front side of the processing station 11 (the X-direction negative side in FIG. 1 ), and the rear side of the processing station 11 (the X-direction positive side in FIG. 1 , in the drawing). above), a second block G2 is provided. Further, the above-described third block G3 is provided on the cassette station 10 side of the processing station 11 (the negative direction side in the Y direction in FIG. 1 ), and the interface station 13 side of the processing station 11 ( A fourth block G4 is provided on the Y-direction positive direction side in FIG. 1 .

예를 들면 제 1 블록(G1)에는 도 2에 나타내는 바와 같이 복수의 액 처리 장치, 예를 들면 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 '하부 반사 방지막'이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 '상부 반사 방지막'이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래에서부터 이 순서로 배치되어 있다.For example, in the first block G1, as shown in FIG. 2, a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a developing processing apparatus 30 for developing the wafer W, and reflection on the lower layer of the resist film of the wafer W A lower anti-reflection film forming apparatus 31 for forming an anti-reflection film (hereinafter referred to as a 'lower anti-reflection film'), a resist coating apparatus 32 for forming a resist film by coating a resist solution on the wafer W, and a resist on the wafer W An upper antireflection film forming apparatus 33 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as an "upper antireflection film") on the upper layer of the film is arranged in this order from the bottom.

예를 들면 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 각각 수평 방향으로 3 개 배열하여 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수 및 배치는, 임의로 선택할 수 있다.For example, the developing apparatus 30 , the lower anti-reflection film forming apparatus 31 , the resist coating apparatus 32 , and the upper anti-reflection film forming apparatus 33 are arranged in three horizontal directions, respectively. In addition, the number and arrangement of these developing apparatuses 30 , lower antireflection film forming apparatus 31 , resist coating apparatus 32 , and upper antireflection film forming apparatus 33 can be arbitrarily selected.

이들 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예를 들면 웨이퍼(W) 상에 정해진 도포액을 도포하는 스핀 코팅 처리가 행해진다. 스핀 코팅 처리에 있어서는, 예를 들면 도포 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 도포액을 토출함과 함께, 웨이퍼(W)를 회전시켜 도포액을 웨이퍼(W)의 표면에 확산시키는 것이 행해진다. 또한, 현상 처리 장치(30)의 구성에 대해서는 후술한다.In these lower anti-reflection film forming apparatus 31 , resist coating apparatus 32 , and upper anti-reflection film forming apparatus 33 , for example, a spin coating process of applying a predetermined coating liquid onto the wafer W is performed. In the spin coating process, for example, while discharging the coating liquid onto the wafer W from the application nozzle, rotating the wafer W to diffuse the coating liquid on the surface of the wafer W is performed. In addition, the structure of the developing processing apparatus 30 is mentioned later.

예를 들면 제 2 블록(G2)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열 및 냉각과 같은 열처리를 행하는 복수의 열처리 장치(40 ∼ 43)가 마련되어 있다.For example, in the second block G2 , as shown in FIG. 3 , a plurality of heat treatment apparatuses 40 to 43 for performing heat treatment such as heating and cooling of the wafer W are provided.

예를 들면 제 3 블록(G3)에는, 도 2, 도 3에 나타내는 바와 같이 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래에서부터 순서대로 마련되어 있다. 또한, 제 4 블록(G4)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래에서부터 순서대로 마련되어 있다.For example, in the 3rd block G3, as shown to FIG. 2, FIG. 3, some delivery device 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 is provided in order from the bottom. Moreover, in the 4th block G4, as shown in FIG. 3, the some delivery device 60, 61, 62 is provided in order from the bottom.

도 1에 나타내는 바와 같이 제 1 블록(G1) ∼ 제 4 블록(G4)에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들면 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(70a)을 갖는 웨이퍼 반송 장치(70)가 복수 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하고, 주위에 위치하는 제 1 블록(G1), 제 2 블록(G2), 제 3 블록(G3) 및 제 4 블록(G4) 내의 정해진 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1, the wafer transfer area|region D is formed in the area|region surrounded by the 1st block G1 - the 4th block G4. In the wafer transfer region D, a plurality of wafer transfer apparatuses 70 having transfer arms 70a movable in, for example, the Y-direction, the X-direction, the θ-direction, and the vertical direction are disposed. The wafer transfer apparatus 70 moves in the wafer transfer region D, and is located in the first block G1, the second block G2, the third block G3, and the fourth block G4. The wafer W can be conveyed between a predetermined device and a device.

또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제 3 블록(G3)과 제 4 블록(G4)의 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 마련되어 있다.Further, in the wafer transfer region D, as shown in FIG. 3 , a shuttle transfer device 80 for transferring the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided. have.

셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들면 도 3의 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 Y 방향으로 이동하고, 제 3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The shuttle conveyance apparatus 80 is linearly movable in the Y direction of FIG. 3, for example. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while supporting the wafer W, and is located between the delivery device 52 of the third block G3 and the delivery device 62 of the fourth block G4. The wafer W can be transported.

도 1에 나타내는 바와 같이 제 3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들면 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(100a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는 반송 암(100a)으로 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제 3 블록(G3) 내의 각 전달 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1 , a wafer transfer apparatus 100 is provided on the side of the third block G3 in the positive X direction. The wafer transfer apparatus 100 has, for example, a transfer arm 100a movable in the X direction, the θ direction, and the vertical direction. The wafer transfer apparatus 100 may move up and down while supporting the wafer W by the transfer arm 100a to transfer the wafer W to each transfer apparatus in the third block G3 .

인터페이스 스테이션(13)에는 웨이퍼 반송 장치(110)와 전달 장치(111)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들면 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(110a)을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는 예를 들면 반송 암(110a)에 웨이퍼(W)를 지지하고, 제 4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(111) 및 노광 장치(12)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The interface station 13 is provided with a wafer transfer device 110 and a transfer device 111 . The wafer transfer apparatus 110 includes, for example, a transfer arm 110a movable in the Y direction, the θ direction, and the vertical direction. The wafer transfer apparatus 110 supports, for example, the wafer W on the transfer arm 110a, and is positioned between the transfer apparatuses, the transfer apparatus 111 and the exposure apparatus 12 in the fourth block G4. (W) can be returned.

이어서, 상술한 현상 처리 장치(30)의 구성에 대하여 설명한다. 현상 처리 장치(30)는 도 4에 나타내는 바와 같이 내부를 밀폐할 수 있는 처리 용기(130)를 가지고 있다. 처리 용기(130)의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입반출구(도시하지 않음)가 형성되어 있다.Next, the configuration of the above-described developing processing apparatus 30 will be described. The developing apparatus 30 has the processing container 130 which can seal the inside, as shown in FIG. A carry-in/out port (not shown) for the wafer W is formed on the side surface of the processing container 130 .

처리 용기(130) 내에는 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 기판 유지부로서의 스핀 척(140)이 마련되어 있다. 스핀 척(140)은, 예를 들면 모터 등의 척 구동부(141)에 의해 정해진 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(141)에는, 예를 들면 실린더 등의 승강 구동 기구가 마련되어 있으며, 스핀 척(140)은 승강 가능하게 되어 있다.A spin chuck 140 serving as a substrate holding unit for holding and rotating the wafer W is provided in the processing chamber 130 . The spin chuck 140 may rotate at a speed determined by the chuck driving unit 141 such as a motor. In addition, the chuck driving unit 141 is provided with a lifting and lowering driving mechanism such as a cylinder, and the spin chuck 140 can be raised and lowered.

스핀 척(140)의 주위에는 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하되는 액체를 받아내어 회수하는 컵(142)이 마련되어 있다. 컵(142)의 하면에는 회수한 액체를 배출하는 배출관(143)과, 컵(142) 내의 분위기를 배기하는 배기관(144)이 접속되어 있다.A cup 142 is provided around the spin chuck 140 to receive and recover liquid scattered or falling from the wafer W. An exhaust pipe 143 for discharging the recovered liquid and an exhaust pipe 144 for exhausting the atmosphere in the cup 142 are connected to the lower surface of the cup 142 .

도 5에 나타내는 바와 같이 컵(142)의 X 방향 부방향(도 5의 하방향)측에는 Y 방향(도 5의 좌우 방향)을 따라 연장되는 레일(150)이 형성되어 있다. 레일(150)은, 예를 들면 컵(142)의 Y 방향 부방향(도 5의 좌측 방향)측의 외방으로부터 Y 방향 정방향(도 5의 우측 방향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(150)에는 예를 들면 2 개의 암(151, 152)이 장착되어 있다.As shown in FIG. 5 , a rail 150 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 5 ) is formed on the side of the cup 142 in the negative X direction (lower direction in FIG. 5 ). The rail 150 is formed, for example, from the outside in the Y-direction negative direction (left direction in FIG. 5) side of the cup 142 to the outside in the Y-direction positive direction (right direction in FIG. 5) side. The rail 150 is equipped with, for example, two arms 151 and 152 .

제 1 암(151)에는 순수를 공급하는 순수 공급 노즐(154)이 지지되어 있다. 제 1 암(151)은 도 5에 나타내는 노즐 구동부(155)에 의해 레일(150) 위를 이동 가능하다. 이에 따라, 순수 공급 노즐(154)은 컵(142)의 Y 방향 부방향측의 외방에 마련된 대기부(156)로부터 컵(142) 내의 웨이퍼(W)의 상방의 정해진 위치, 예를 들면 중앙부에까지 이동할 수 있다.A pure water supply nozzle 154 for supplying pure water is supported on the first arm 151 . The 1st arm 151 is movable on the rail 150 by the nozzle drive part 155 shown in FIG. Accordingly, the pure water supply nozzle 154 extends from the waiting portion 156 provided outside the cup 142 on the negative Y-direction side to a predetermined position above the wafer W in the cup 142 , for example, the central portion. can move

제 2 암(152)에는, 후술하는 희석 현상액의 액 고임부 형성 공정에 있어서, 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐(158)이 지지되어 있다. 제 2 암(152)은 도 5에 나타내는 노즐 구동부(159)에 의해 레일(150) 위를 이동 가능하게 되어 있다. 이에 따라, 현상액 공급 노즐(158)은 컵(142)의 Y방향 정방향측의 외측에 마련된 대기부(160)로부터 컵(142) 내의 웨이퍼(W)의 상방의 소정 위치, 예를 들면 중앙부까지 이동할 수 있다. 또한, 노즐 구동부(159)에 의해 제 2 암(152)은 승강 가능하며, 현상액 공급 노즐(158)의 높이를 조절할 수 있다. 대기부(160)는 컵(142)을 사이에 두고 대기부(156)의 Y방향 정방향측에 마련되어 있다.A developer supply nozzle 158 for supplying a developer is supported by the second arm 152 in the step of forming a puddle of a diluted developer, which will be described later. The 2nd arm 152 is movable on the rail 150 by the nozzle drive part 159 shown in FIG. Accordingly, the developer supply nozzle 158 moves from the standby unit 160 provided outside the cup 142 in the positive Y direction to a predetermined position above the wafer W in the cup 142 , for example, the central portion. can In addition, the second arm 152 can be moved up and down by the nozzle driver 159 , and the height of the developer supply nozzle 158 can be adjusted. The standby unit 160 is provided on the positive Y-direction side of the standby unit 156 with the cup 142 interposed therebetween.

현상액 공급 노즐(158)은, 예를 들면 도 6에 나타내는 바와 같이, 전체적으로 원통 형상을 가지고 있으며, 그 하단면(158a)은 웨이퍼(W)와 예를 들면 평행해지는 평탄한 면으로 형성되어 있다. 이 하단면(158a)이 웨이퍼(W) 상의 처리액, 예를 들면 현상액 또는 순수와 접촉하는 접액면으로서 기능한다.The developer supply nozzle 158 has, for example, a cylindrical shape as a whole, as shown in FIG. 6 , and the lower end surface 158a is formed as a flat surface parallel to the wafer W, for example. This lower end surface 158a functions as a liquid contact surface in contact with a processing liquid on the wafer W, for example, a developer or pure water.

그리고 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a)에는 현상액을 공급하는 공급 홀(158b)이 형성되어 있다. 이 공급 홀(158b)의 수는 임의로 선택할 수 있으며, 복수여도 된다. 또한 현상액 공급 노즐(158)은 내약품성을 갖는 재질, 예를 들면 투명한 석영 글라스 등의 재질로 구성되어 있다.A supply hole 158b for supplying the developer is formed in the lower end surface 158a of the developer supply nozzle 158 . The number of the supply holes 158b may be arbitrarily selected, and may be plural. In addition, the developer supply nozzle 158 is made of a material having chemical resistance, for example, a material such as transparent quartz glass.

현상액 공급 노즐(158)은 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하는 처리 시 이외에는 전술한 대기부(160)에서 대기하고 있다. 이 대기부(160)는, 도 7에 그 상세를 나타낸 바와 같이, 예를 들면 하우징(161)과, 하우징(161)의 상면에 마련된 수용부로서의 노즐 배스(bath)(170)를 가지고 있다.The developer supply nozzle 158 is on standby in the above-described standby unit 160 except for the process of supplying the developer onto the wafer W. As the detail is shown in FIG. 7, this waiting|standby part 160 has the nozzle bath 170 as a housing part provided in the upper surface of the housing 161 and the housing 161, for example.

노즐 배스(170)는, 도 8에 그 종단면을 나타낸 바와 같이, 전체적으로 바닥을 가지는 원통 형상을 가지고, 원통형의 측벽(170a)과 원반 형상의 바닥부(170b)를 가지고 있다. 이 노즐 배스(170) 내에 현상액 공급 노즐(158)의 하부를 수용 가능하게 되어 있다. 또한 노즐 배스(170)는 모터 등의 구동 기구(171)에 의해 회전, 정전(正轉), 반전(反轉) 가능하게 구성되어 있다. 또한, 노즐 배스(170)의 바닥부(170b)의 상면에는, 도 9에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 십자 형상으로 배치된 4 개의 돌출부(170c)가 형성되어 있다.The nozzle bath 170 has a cylindrical shape having a bottom as a whole, as shown in the longitudinal section in FIG. 8 , and has a cylindrical side wall 170a and a disk-shaped bottom portion 170b. The lower portion of the developer supply nozzle 158 can be accommodated in the nozzle bath 170 . Moreover, the nozzle bath 170 is comprised so that rotation, static electricity, and inversion are possible by the drive mechanism 171, such as a motor. Moreover, as shown in FIG. 9, on the upper surface of the bottom part 170b of the nozzle bath 170, the four protrusion parts 170c arrange|positioned, for example in a cross shape are formed.

이상의 구성에 의해, 예를 들면 도 8에 나타낸 상태, 즉 노즐 배스(170)가 현상액 공급 노즐(158)의 하부를 수용한 상태에서 공급 홀(158b)로부터 세정액 또는 현상액을 공급함으로써, 현상액 공급 노즐(158)의 하부는 세정된다. 또한 현상액 공급 노즐(158)의 측면, 하단면(158a)과, 노즐 배스(170)의 측벽(170a), 바닥부(170b) 표면과의 사이의 간극은, 예를 들면 0.5 ∼ 2mm 정도가 되도록 각각의 사이즈가 설정되어 있다.With the above configuration, for example, in the state shown in FIG. 8 , that is, in a state in which the nozzle bath 170 accommodates the lower portion of the developer supply nozzle 158 , the cleaning solution or the developer is supplied from the supply hole 158b, so that the developer supply nozzle is The bottom of 158 is cleaned. Further, the gap between the side surface and the lower end surface 158a of the developer supply nozzle 158 and the side wall 170a and the bottom surface 170b of the nozzle bath 170 is, for example, about 0.5 to 2 mm. Each size is set.

또한 이 때 노즐 배스(170)를 더 회전시킴으로써, 노즐 배스(170) 내의 세정액, 현상액에는 액류가 발생한다. 또한 노즐 배스(170) 내의 세정액 등의 배출은 노즐 배스(170)에 마련한 배출로(도시하지 않음)로부터 이루어진다. 또한 노즐 배스(170) 내에 세정액 등의 공급로를 별도 형성해도 되고, 나아가서는 건조용의 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스의 분출구를 더 마련해도 된다.In addition, by further rotating the nozzle bath 170 at this time, a liquid flow is generated in the cleaning solution and the developer in the nozzle bath 170 . In addition, the cleaning liquid or the like in the nozzle bath 170 is discharged from a discharge path (not shown) provided in the nozzle bath 170 . In addition, a supply path for a cleaning liquid or the like may be separately formed in the nozzle bath 170 , and an inert gas for drying, for example, nitrogen gas, may further be provided with an outlet.

그리고 도 7, 도 8에 나타낸 바와 같이, 대기부(160)에 있어서의 노즐 배스(170)의 상방에는 검사 장치를 구성하는 발광부(172)와 수광부(173)가 대향하도록 배치되어 있다. 이에 의해, 발광부(172)로부터 발광된 광, 예를 들면 일반적인 광전 센서가 투광용에 사용하는 가시광(주로 빨강) 또는 적외광이 현상액 공급 노즐(158)을 투과하여 수광부(173)에서 수광되었을 때에, 그 투과율이 검출되도록 되어 있다. 따라서 투과율의 변화에 따라 현상액 공급 노즐(158)의 오염 상태가 계측된다. 이들은, 후술의 제어부(200)에 의해 처리된다.And as shown in FIG. 7, FIG. 8, above the nozzle bath 170 in the waiting|standby part 160, the light emitting part 172 and the light receiving part 173 which comprise an inspection apparatus are arrange|positioned so that they may oppose. Accordingly, the light emitted from the light emitting unit 172, for example, visible light (mainly red) or infrared light used for light projection by a general photoelectric sensor, passes through the developer supply nozzle 158 and is received by the light receiving unit 173 . At this time, the transmittance is detected. Accordingly, the contamination state of the developer supply nozzle 158 is measured according to the change in transmittance. These are processed by the control part 200 mentioned later.

다른 액 처리 장치인 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 구성은 노즐의 형상, 개수 또는 노즐로부터 공급되는 액이 상이한 점 이외는, 상술한 현상 처리 장치(30)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.The configurations of the lower anti-reflection film forming apparatus 31, the resist coating apparatus 32, and the upper anti-reflection film forming apparatus 33, which are other liquid processing apparatuses, are described above, except that the shape and number of nozzles or the liquid supplied from the nozzles are different. Since it is the same as the configuration of one developing processing apparatus 30, a description thereof will be omitted.

이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제어부(200)가 마련되어 있다. 제어부(200)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)을 가지고 있다. 프로그램 저장부에는 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는 상술의 각종 처리 장치 및 반송 장치 등의 구동계의 동작, 나아가서는 상기한 노즐 구동부(155, 159) 등도 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 현상 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있었던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 된다.In the above substrate processing system 1, as shown in FIG. 1, the control part 200 is provided. The control unit 200 is, for example, a computer, and has a program storage unit (not shown). A program for controlling the processing of the wafer W in the substrate processing system 1 is stored in the program storage unit. In addition, the program storage unit controls the operation of the drive systems of the various processing apparatuses and conveying apparatuses described above, and further, the nozzle drive units 155 and 159, etc. described above for realizing the development process in the substrate processing system 1 . The program is saved. In addition, the program is recorded in a computer-readable storage medium such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnet optical disk (MO), memory card, etc. It may have been installed in the control unit 200 from the storage medium.

이어서, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리의 개략에 대하여 설명한다. 먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되고, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차적으로 처리 스테이션(11)의 전달 장치(53)로 반송된다.Next, the outline of the wafer process performed using the substrate processing system 1 comprised as mentioned above is demonstrated. First, a cassette C containing a plurality of wafers W is loaded into the cassette station 10 of the substrate processing system 1 , and each wafer W in the cassette C is carried by the wafer transfer device 23 . are sequentially conveyed to the delivery device 53 of the processing station 11 .

이어서 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어 온도 조절 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 예를 들면 제 1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(41)로 반송되어, 가열 처리가 행해진다.Next, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70 and subjected to temperature control processing. Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to, for example, the lower anti-reflection film forming apparatus 31 of the first block G1, and a lower anti-reflection film is formed on the wafer W. do. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 41 of the second block G2, and heat treatment is performed thereon.

그 후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(42)로 반송되어, 온도 조절 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 레지스트 도포 장치(32)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는 열처리 장치(43)로 반송되어, 프리베이크 처리된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 42 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70 and subjected to temperature control processing. Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating apparatus 32 of the first block G1 by the wafer transfer apparatus 70 , and a resist film is formed on the wafer W . Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 43 and subjected to a prebaking process.

이어서 웨이퍼(W)는 제 1 블록(G1)의 상부 반사 방지막 형성 장치(33)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(43)로 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(56)로 반송된다.Then, the wafer W is transferred to the upper anti-reflection film forming apparatus 33 of the first block G1, and an upper anti-reflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 43 of the second block G2, and heat treatment is performed thereon. Thereafter, the wafer W is transferred to the transfer device 56 of the third block G3 by the wafer transfer device 70 .

이어서 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 전달 장치(52)로 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(13)의 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해 노광 장치(12)로 반송되어, 정해진 패턴으로 노광 처리된다.Subsequently, the wafer W is transferred to the transfer device 52 by the wafer transfer apparatus 100 , and transferred to the transfer apparatus 62 of the fourth block G4 by the shuttle transfer apparatus 80 . Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 12 by the wafer transfer apparatus 110 of the interface station 13 and subjected to exposure processing in a predetermined pattern.

이어서 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 이에 따라, 레지스트막의 노광부에 있어서 발생된 산에 의해 탈보호 반응시킨다. 그 후 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 처리 장치(30)로 반송되어, 현상 처리가 행해진다. 이하, 레지스트막에 대하여 현상하는 경우의 현상 처리의 일례에 대하여 설명한다.Next, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70 , and is baked after exposure. Thereby, the deprotection reaction is carried out by the acid generated in the exposed portion of the resist film. Thereafter, the wafer W is transferred to the developing apparatus 30 by the wafer transfer apparatus 70 , and development is performed thereon. Hereinafter, an example of the developing process in the case of developing with respect to a resist film is demonstrated.

현상 처리에 있어서는, 먼저 순수 공급 노즐(154)이 웨이퍼(W)의 중심 상으로 이동하고, 레지스트막(R)이 형성된 웨이퍼(W)의 중심부에 대하여 순수를 공급하여 웨이퍼(W)의 중앙부에 순수(P)의 액 고임부를 형성한다. 이어서, 도 10에 나타낸 바와 같이, 현상액 공급 노즐(158)을 웨이퍼(W)의 중심으로부터 편심된 위치로 이동시키고, 하단면(158a)을 순수(P)의 액 고임부에 접촉한 상태에서 정해진 양의 현상액을 공급한다. 그 상태에서, 노즐 구동부(159)에 의해 현상액 공급 노즐(158)을 그대로 직경 방향으로 수평 이동시킨다. 이 동안, 스핀 척(140)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 중앙부에는 희석 현상액의 액 고임부가 형성된다.In the developing process, first, the pure water supply nozzle 154 moves over the center of the wafer W, and supplies pure water to the center of the wafer W on which the resist film R is formed, to the center of the wafer W. A liquid pool of pure water (P) is formed. Next, as shown in FIG. 10 , the developer supply nozzle 158 is moved to an eccentric position from the center of the wafer W, and the lower end surface 158a is in contact with the liquid pool of the pure water P. A positive developer solution is supplied. In this state, the developer supply nozzle 158 is horizontally moved in the radial direction as it is by the nozzle driver 159 . During this time, the wafer W is rotated by the spin chuck 140 . As a result, a liquid pool of the diluted developer is formed in the central portion on the wafer W. As shown in FIG.

이어서 일단 현상액 공급 노즐(158)을 퇴피시킨 후 스핀 척(140)을 고속 회전시켜, 웨이퍼(W)에 대하여 희석 현상액의 프리 웨트(Pre Wet) 처리를 행한다. 그 후, 다시 현상액 공급 노즐(158)을 웨이퍼(W)의 주변부로 이동시키고, 스핀 척(140)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서 현상액 공급 노즐(158)로부터 현상액을 웨이퍼(W) 상에 공급하고, 현상액 공급 노즐(158)을 웨이퍼(W)의 중심으로 이동시킴으로써 웨이퍼(W) 전체 면에 현상액의 패들이 형성되고, 그 상태로 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킴으로써 정지 현상 처리가 이루어진다.Next, after the developer supply nozzle 158 is retracted, the spin chuck 140 is rotated at a high speed to pre-wet the wafer W with the diluted developer. Thereafter, the developer supply nozzle 158 is moved to the peripheral portion of the wafer W again, and the developer solution is transferred from the developer supply nozzle 158 onto the wafer W while rotating the wafer W by the spin chuck 140 . A paddle of the developer is formed on the entire surface of the wafer W by moving the developer supply nozzle 158 to the center of the wafer W, and the stop development process is performed by stopping the rotation of the wafer W in that state. .

이상과 같은 현상 처리의 경우, 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a) 및 공급 홀(158b)에는 처리 횟수를 거듭해 나감에 따라 현상액 중의 용해물이 부착되어 오염되어 간다. 따라서 그대로 다른 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 계속하면, 당해 웨이퍼(W)에 결함이 발생할 우려가 있다. 최근에는 결함에 대한 요구가 엄격하므로, 항상 현상액 공급 노즐(158)의 청정도를 어느 정도 유지할 필요가 있다. 그렇다고 해서 매회, 세정액(현상액)을 노즐 배스(170) 내에 공급하여 현상액 공급 노즐(158)을 세정하게 되면 필요가 없을 때에도 세정하는 등 하여, 불필요하게 고가인 세정액(현상액)을 낭비할 가능성이 있다.In the case of the developing treatment as described above, the lysate in the developer adheres to and becomes contaminated on the lower end surface 158a and the supply hole 158b of the developer supply nozzle 158 as the number of treatments is repeated. Therefore, if processing is continued with respect to the other wafer W as it is, there exists a possibility that the said wafer W may generate|occur|produce a defect. Since the demand for defects is strict in recent years, it is always necessary to maintain the cleanliness of the developer supply nozzle 158 to some extent. However, if the cleaning solution (developer) is supplied into the nozzle bath 170 every time to clean the developer supply nozzle 158, there is a possibility that the expensive cleaning solution (developer) is wasted, such as cleaning even when it is not necessary. .

이 점 실시 형태에 있어서는, 현상액 공급 노즐(158)의 오염 상태를 계측하는 검사 장치로서 발광부(172) 및 수광부(173)를 구비하고 있으므로, 세정의 필요성을 세정 전에 알 수 있어 적절하게 세정하는 것이 가능하다. 즉, 현상액에 대해서의 접액에 의한 처리가 끝난 후, 대기부(160)로 이동하여 노즐 배스(170)의 상방에 위치했을 때에, 발광부(172)로부터 광을 현상액 공급 노즐(158)에 조사하고 그 투과광을 수광부(173)에서 수광함으로써, 그 투과율이 검출되도록 되어 있다. 따라서 투과율의 변화에 따라 현상액 공급 노즐(158)의 오염 상태를 계측할 수 있다. 이하, 이러한 오염 상태의 계측과 노즐의 세정에 대한 처리의 일례에 대하여 설명한다.In this embodiment, since the light-emitting unit 172 and the light-receiving unit 173 are provided as inspection devices for measuring the contamination state of the developer supply nozzle 158, the necessity of cleaning can be known before cleaning and cleaning is performed appropriately. it is possible That is, after the treatment with the developer is finished, the light from the light emitting unit 172 is irradiated to the developer supply nozzle 158 when it moves to the standby unit 160 and is located above the nozzle bath 170 . and the transmittance is detected by receiving the transmitted light by the light receiving unit 173 . Accordingly, it is possible to measure the contamination state of the developer supply nozzle 158 according to the change in transmittance. Hereinafter, an example of the process for measuring such a contamination state and washing|cleaning of a nozzle is demonstrated.

즉, 도 11에 나타낸 바와 같이, 먼저 대상이 되는 현상액 공급 노즐(158)이 일정 시간 현상 처리를 하고 있지 않거나 또는 현상 처리한 후의 것인 경우에는, 먼저 노즐 검사가 행해진다(단계(S1)). 그 결과, 오염이 검지되었는지 여부가 판정되고(단계(S2)), 검지되지 않는 경우(혹은 오염이 검지되어도 미리 설정한 허용 범위에 있는 경우)에는 그대로 처리가 종료되어, 당해 현상액 공급 노즐(158)은 세정되지 않는다. 그러나 오염이 검지된 경우에는, 세정 횟수가 판정된다(단계(S3)). 즉, 지금까지 세정한 적이 있는지 여부가 이력 등으로부터 조사되어, 한번도 세정한 적이 없는 경우에는 노즐 세정이 행해진다(단계(S4)). 이 경우의 노즐 세정은, 노즐 배스(170) 내에 현상액 공급 노즐(158)의 하부가 삽입되고 노즐 배스(170) 내에서 세정액 또는 현상액에 침지됨으로써 세정을 행하는 것을 말한다(이하, '약(弱) 세정'이라고 함). 그리고 약 세정이 끝난 후, 다시 노즐의 검사(단계(S1))가 행해진다.That is, as shown in Fig. 11, in the case where the target developer supply nozzle 158 has not been developed for a certain period of time or has been developed, the nozzle inspection is first performed (step S1). . As a result, it is determined whether or not contamination is detected (step S2), and if not detected (or if contamination is detected but is within a preset allowable range), the process ends as it is, and the developer supply nozzle 158 ) is not cleaned. However, when contamination is detected, the number of times of washing is determined (step S3). That is, whether or not it has been washed is checked from the history or the like, and when it has never been cleaned, nozzle cleaning is performed (step S4). In this case, the nozzle cleaning refers to cleaning by inserting the lower portion of the developer supply nozzle 158 into the nozzle bath 170 and immersing it in the cleaning solution or developer in the nozzle bath 170 (hereinafter referred to as “weak”). called 'cleaning'). Then, after the chemical cleaning is finished, the nozzle is inspected again (step S1).

그리고 단계(S3)에 있어서, 과거에 한번이라도 노즐의 세정을 행한 경우에는, 노즐의 강(强) 세정이 행해진다(단계(S5)). 여기서 노즐의 강 세정이란, 본 발명에서 말하는 보다 세정 정도가 높은 세정을 말하고, 본 실시 형태에 입각하여 말하면 노즐 배스(170)의 바닥부(170b)를 회전시켜, 노즐 배스(170) 내에 세정액 등의 액류를 발생시켜 세정하는 것이다.And in step S3, when washing|cleaning of a nozzle has been performed even once in the past, strong washing of a nozzle is performed (step S5). Here, the strong cleaning of the nozzle refers to cleaning with a higher degree of cleaning as used herein, and based on the present embodiment, the bottom portion 170b of the nozzle bath 170 is rotated, and the cleaning liquid or the like is contained in the nozzle bath 170 . It generates a liquid flow and cleans it.

그 후 현상액 공급 노즐(158)의 오염을 검사하고(단계(S6), 단계(S7)), 오염이 검지되지 않는 경우(혹은 오염이 검지되어도 미리 설정한 허용 범위에 있는 경우)에는 그대로 처리가 종료된다.Thereafter, the developer supply nozzle 158 is inspected for contamination (steps S6 and S7). It ends.

단계(S7)에 있어서 오염이 검지된 경우에는, 지금까지의 세정 횟수가 이력 등으로부터 조사되고(단계(S8)), 그 결과, 미리 정해진 세정 횟수에 충족되지 않는 경우에는, 다시 단계(S5)의 노즐의 강 세정이 행해진다. 한편, 미리 정해진 세정 횟수 이상인 경우에는, 더 이상 세정해도 더러움을 해소할 수 없다고 판단되어 적당한 경고가 통지된다.When contamination is detected in step S7, the number of times of cleaning so far is checked from the history or the like (step S8). As a result, if the predetermined number of times of cleaning is not satisfied, step S5 again A strong cleaning of the nozzle is performed. On the other hand, if the number of times of washing or more is equal to or greater than the predetermined number of washing, it is judged that the dirt cannot be removed even if it is washed further, and an appropriate warning is notified.

이러한 처리 플로우를 거쳐 검사 및 세정함으로써, 정말로 필요한 세정을 행할 수 있고, 또한 노즐의 약 세정, 강 세정을 선택함으로써 노즐의 오염 상태에 따른 적절한 세정을 실시할 수 있다. 이에 의해 세정액, 세정용의 현상액의 불필요한 소비가 억제되고, 또한 현상액 공급 노즐(158)의 청정도를 원하는 수준 이상으로 유지할 수 있다. 또한 필요에 따라서, 강 세정 후에 약 세정을 행하도록 해도 된다.By inspecting and cleaning through such a processing flow, really necessary cleaning can be performed, and by selecting weak cleaning or strong cleaning of the nozzle, appropriate cleaning according to the contamination state of the nozzle can be performed. Thereby, unnecessary consumption of the cleaning solution and the developer for cleaning is suppressed, and the cleanliness of the developer supply nozzle 158 can be maintained at a desired level or higher. Moreover, you may make it weak washing|cleaning after strong washing|cleaning as needed.

상기 실시 형태에서는, 강 세정의 예로서 노즐 배스(170)의 바닥부(170b)를 회전시키도록 하고 있었지만, 도 12에 나타낸 바와 같이, 바닥부(170b)의 상면에 브러시 부재(181)를 마련하고, 노즐 배스(170) 내에 세정액 등이 공급된 상태에서 현상액 공급 노즐(158)의 하단면(158a)에 접촉시켜 세정하도록 해도 된다. 이 경우, 상기한 바와 같이 노즐 배스(170)를 회전시키면 세정 정도가 더 향상된다.In the above embodiment, as an example of strong cleaning, the bottom portion 170b of the nozzle bath 170 is rotated, but as shown in Fig. 12 , a brush member 181 is provided on the upper surface of the bottom portion 170b. Then, in a state in which a cleaning solution or the like is supplied into the nozzle bath 170 , the cleaning solution may be cleaned by contacting the lower end surface 158a of the developer supply nozzle 158 . In this case, when the nozzle bath 170 is rotated as described above, the cleaning degree is further improved.

또한, 노즐 배스(170)의 내부에, 예를 들면 도 13에 나타낸 바와 같이, 노즐 배스(170)를 가열하기 위한 히터(182)를 바닥부(170b)의 내부에 마련하고, 노즐 배스(170) 내에 세정액 등이 공급된 상태에서 노즐 배스(170)를 가열하여 세정액 등을 가열하도록 해도 된다. 이에 의해, 세정액 등이 활성화되어 세정 정도가 향상된다. 물론 상기한 노즐 배스(170)의 회전, 브러시 부재(181)에 의한 접촉을 적절히 조합하여 병용해도 된다.Further, in the inside of the nozzle bath 170, for example, as shown in FIG. 13, a heater 182 for heating the nozzle bath 170 is provided inside the bottom portion 170b, and the nozzle bath 170 ) in a state in which the cleaning liquid or the like is supplied, the nozzle bath 170 may be heated to heat the cleaning liquid or the like. Thereby, the cleaning liquid or the like is activated to improve the cleaning degree. Of course, the above-described rotation of the nozzle bath 170 and the contact by the brush member 181 may be appropriately combined and used together.

또한, 노즐 배스(170) 내에 초음파 진동자를 마련하여 노즐 배스(170) 내의 세정액에 진동을 부여하도록 해도 된다. 또한 상기한 예에서는, 노즐 배스(170)측을 회전하도록 했지만, 현상액 공급 노즐(158)측을 회전시켜도 된다. 또한, 노즐 배스(170) 내의 직경을 크게 하여 현상액 공급 노즐(158)과의 사이의 간극을 크게 하고, 세정 시에는 적절히 현상액 공급 노즐(158)을 요동시켜도 된다. 이러한 동작은, 예를 들면 노즐 구동부(159)에 의해 행할 수 있다.In addition, an ultrasonic vibrator may be provided in the nozzle bath 170 to apply vibration to the cleaning liquid in the nozzle bath 170 . In the above example, the nozzle bath 170 side is rotated, but the developer supply nozzle 158 side may be rotated. In addition, the inner diameter of the nozzle bath 170 may be increased to increase the gap between the nozzle bath 170 and the developer supply nozzle 158 , and the developer supply nozzle 158 may be appropriately oscillated during cleaning. Such an operation can be performed, for example, by the nozzle driving unit 159 .

또한 상기한 예에서는, 노즐의 오염 상태를 검사하는 검사 장치로서, 발광부(172)와 수광부(173)를 이용하여, 이들을 현상액 공급 노즐(158)의 측면에서 대향시키도록 하여 배치했지만, 물론 이에 한정되지 않고, 현상액 공급 노즐(158)의 상하면에 각각 배치하여, 투과율의 변화를 감시하도록 해도 된다.In addition, in the above example, the light emitting unit 172 and the light receiving unit 173 were used as an inspection device for inspecting the contamination state of the nozzle, and they were disposed so as to face each other on the side surface of the developer supply nozzle 158 . It is not limited, You may arrange|position respectively on the upper and lower surfaces of the developer supply nozzle 158, and you may make it monitor the change of the transmittance|permeability.

예를 들면 도 14에 나타낸 바와 같이, 측면에 개구부를 가지고 현상액 공급 노즐(158)을 측방으로부터 수용하며, 상하에 현상액 공급 노즐(158)의 상하면을 커버하는 부재(183a, 183b)를 가지는 검사 장치(183)를 이용해도 된다. 그리고, 부재(183a)에는 발광부(172)를 마련하고 부재(183b)에는 수광부(173)를 마련함으로써, 현상액 공급 노즐(158)에 대하여 상하 방향에서의 투과율을 검출하는 것이 가능하다.For example, as shown in FIG. 14 , an inspection apparatus having members 183a and 183b having an opening on the side surface, receiving the developer supply nozzle 158 from the side, and covering the upper and lower surfaces of the developer supply nozzle 158 up and down. (183) may be used. In addition, by providing the light emitting part 172 in the member 183a and the light receiving part 173 in the member 183b , it is possible to detect transmittance in the vertical direction with respect to the developer supply nozzle 158 .

그 외, 이러한 광의 조사에 의한 투과율의 변화에 기초하여 노즐의 오염을 검출하는 방식 대신에, 촬상 장치, 예를 들면 CCD 카메라를 이용하여 현상액 공급 노즐(158)을 촬상하고, 그 촬상 화상과 미리 얻은 청정도가 수준 이상에 있는 상태의 화상을 비교하고, 이에 기초하여 노즐의 오염 상태를 검지하도록 해도 된다. 이러한 경우의 판정은, 예를 들면 전술한 제어부(200)에서 행할 수 있다.In addition, instead of the method of detecting contamination of the nozzle based on the change in transmittance due to light irradiation, the developer supply nozzle 158 is imaged using an imaging device, for example, a CCD camera, and the captured image and the You may make it compare the image of the state in which the obtained cleanliness is more than a level, and you may make it detect the contamination state of a nozzle based on this. Determination in such a case can be performed, for example, by the control unit 200 described above.

이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종의 변경예 또는 수정예에 착상할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 이해된다. 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 다양한 양태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD((플랫 패널 디스플레이(flat-panel display)), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described with reference to an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. It is clear that a person skilled in the art can conceive of various changes or modifications within the scope of the idea described in the claims, and it is understood that they naturally fall within the technical scope of the present invention. The present invention is not limited to this example, and various aspects can be employed. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate other than a wafer, such as an FPD (flat-panel display), a mask reticle for a photomask, or the like.

본 발명은, 기판 상의 레지스트막을 현상 처리할 때에 유용하다INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful when developing a resist film on a substrate.

1 : 기판 처리 시스템
30 : 현상 처리 장치
31 : 하부 반사 방지막 형성 장치
32 : 레지스트 도포 장치
33 : 상부 반사 방지막 형성 장치
40 : 열처리 장치
140 : 스핀 척
154 : 순수 공급 노즐
155, 159 : 노즐 구동부
158 : 현상액 공급 노즐
170 : 노즐 배스
171 : 구동 기구
172 : 발광부
173 : 수광부
200 : 제어부
P : 순수
R : 레지스트막
W : 웨이퍼1: Substrate processing system
30: development processing unit
31: lower anti-reflection film forming device
32: resist coating device
33: upper anti-reflection film forming device
40: heat treatment device
140: spin chuck
154: pure water supply nozzle
155, 159: nozzle driving unit
158: developer supply nozzle
170: nozzle bath
171: drive mechanism
172: light emitting part
173: light receiver
200: control unit
P: pure
R: resist film
W: Wafer

Claims (15)

기판 상에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 액 처리 장치 내에 마련되어 상기 처리 시에 기판 상의 처리액과 접촉하는 접액 노즐을 세정하는 방법으로서,
상기 접액 노즐의 상기 처리액을 공급하는 공급홀 부분이 광을 투과시키는 재료로 이루어지고,
상기 액 처리 장치 내에서 상기 접액 노즐의 상기 공급홀 부분에 대하여 광을 조사하여 상기 접액 노즐의 오염 상태를 검사하고, 상기 검사의 결과에 기초하여 상기 접액 노즐을 세정하고,
상기 검사의 결과에 기초하여 행하는 세정은, 이미 행한 세정의 횟수에 기초하여, 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급함으로써 행하는 세정 방법 또는 보다 세정 정도가 높은 세정 방법 중 어느 하나를 선택하여 행하는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 방법.A method of cleaning a liquid contact nozzle provided in a liquid processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid onto a substrate and in contact with the processing liquid on the substrate during the processing, the method comprising:
A supply hole portion for supplying the treatment liquid of the liquid nozzle is made of a material that transmits light,
In the liquid processing apparatus, light is irradiated to the supply hole portion of the liquid nozzle to inspect the contamination state of the liquid nozzle, and based on the result of the inspection, the liquid nozzle is cleaned;
For the cleaning to be performed based on the results of the inspection, based on the number of times of cleaning already performed, one of a cleaning method performed by supplying a cleaning liquid into the accommodating part housing the liquid nozzle or a cleaning method with a higher cleaning degree is selected. A cleaning method of a liquid-contacting nozzle, characterized in that it is performed. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 검사는 접액 노즐을 촬상하여 행하는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 방법.The method of claim 1,
The cleaning method of the liquid-contact nozzle, characterized in that the inspection is performed by imaging the liquid-contact nozzle. 삭제delete 기판 상에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 액 처리 장치 내에 마련되어 상기 처리 시에 기판 상의 처리액과 접촉하는 접액 노즐을 세정하는 방법으로서,
상기 액 처리 장치 내에서 상기 접액 노즐의 오염 상태를 검사하고, 상기 검사의 결과에 기초하여 상기 접액 노즐을 세정하고,
상기 검사의 결과에 기초하여 행하는 세정은, 이미 행한 세정의 횟수에 기초하여, 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급함으로써 행하는 세정 방법 또는 보다 세정 정도가 높은 세정 방법 중 어느 하나를 선택하여 행하는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 방법.A method of cleaning a liquid contact nozzle provided in a liquid processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid onto a substrate and in contact with the processing liquid on the substrate during the processing, the method comprising:
inspecting the contamination state of the liquid contact nozzle in the liquid processing apparatus, and cleaning the liquid contact nozzle based on a result of the inspection;
For the cleaning to be performed based on the results of the inspection, based on the number of times of cleaning already performed, one of a cleaning method performed by supplying a cleaning liquid into the accommodating part housing the liquid nozzle or a cleaning method with a higher cleaning degree is selected. A cleaning method of a liquid-contacting nozzle, characterized in that it is performed. 제 5 항에 있어서,
상기 보다 세정 정도가 높은 세정 방법은 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급하고 또한 상기 수용부 내에 세정액의 액류를 발생시킴으로써 행하는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 방법.6. The method of claim 5,
The cleaning method with a higher degree of cleaning is performed by supplying a cleaning liquid into an accommodating portion accommodating the wetted nozzle and generating a liquid flow of the cleaning liquid in the accommodating portion. 제 5 항에 있어서,
상기 보다 세정 정도가 높은 세정 방법은 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급하고 또한 상기 수용부 내를 가열함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 방법.6. The method of claim 5,
The cleaning method with a higher degree of cleaning is performed by supplying a cleaning liquid into an accommodating portion accommodating the wetted nozzle and heating the interior of the accommodating portion. 제 5 항에 있어서,
상기 보다 세정 정도가 높은 세정 방법은 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급하고 상기 수용부 내에서 상기 접액 노즐에 대하여 브러시 부재를 접촉시킴으로써 행하는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 방법.6. The method of claim 5,
The cleaning method with a higher degree of cleaning is performed by supplying a cleaning liquid into a accommodating portion accommodating the wetted nozzle and bringing a brush member into contact with the wetted nozzle in the accommodating portion. 기판 상에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 액 처리 장치 내에 마련되어 상기 처리 시에 기판 상의 처리액과 접촉하는 접액 노즐을 세정하는 장치로서,
상기 액 처리 장치 내에 마련되고, 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부와 상기 접액 노즐의 오염 상태를 검사하는 검사 장치를 가지고,
상기 접액 노즐의 상기 처리액을 공급하는 공급홀 부분이 광을 투과시키는 재료로 이루어지고, 상기 검사 장치는 상기 접액 노즐의 상기 공급홀 부분에 대하여 광을 조사하는 발광부와 접액 노즐의 상기 공급홀 부분을 투과한 광을 수광하는 수광부를 가지고,
상기 검사 장치에 의한 검사의 결과에 기초하여 상기 접액 노즐을 세정하고,
상기 검사의 결과에 기초하여 행하는 세정은, 이미 행한 세정의 횟수에 기초하여, 상기 접액 노즐을 수용하는 수용부 내에 세정액을 공급함으로써 행하는 세정 방법 또는 보다 세정 정도가 높은 세정 방법 중 어느 하나를 선택하여 행하는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 장치.An apparatus for cleaning a liquid contact nozzle that is provided in a liquid processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid onto a substrate and in contact with the processing liquid on the substrate during the processing, comprising:
It is provided in the liquid processing device and has a receiving part for accommodating the liquid nozzle and an inspection device for inspecting the contamination state of the liquid nozzle;
A supply hole portion of the liquid nozzle for supplying the treatment liquid is made of a material that transmits light, and the inspection device includes a light emitting unit for irradiating light to the supply hole portion of the liquid nozzle and the supply hole of the liquid nozzle It has a light receiving unit that receives the light transmitted through the portion,
cleaning the liquid contact nozzle based on the result of the inspection by the inspection device;
For the cleaning to be performed based on the results of the inspection, based on the number of times of cleaning already performed, one of a cleaning method performed by supplying a cleaning liquid into the accommodating part housing the liquid nozzle or a cleaning method with a higher cleaning degree is selected. A cleaning device for a wet nozzle, characterized in that it is performed. 삭제delete 제 9 항에 있어서,
상기 검사 장치는 상기 접액 노즐을 촬상하는 촬상 장치와 상기 촬상 장치로부터의 화상에 기초하여 오염 상태를 판단하는 판정 장치를 가지는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 장치.10. The method of claim 9,
The cleaning apparatus for a liquid nozzle according to claim 1, wherein the inspection apparatus has an image pickup device for imaging the liquid nozzle and a determination device for judging a contamination state based on an image from the image pickup device. 제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 수용부 중 적어도 바닥부는 회전 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 장치.12. The method according to claim 9 or 11,
At least the bottom of the accommodating part is configured to be rotatable. 제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 수용부의 바닥부에는 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 장치.12. The method according to claim 9 or 11,
A cleaning device for a liquid contact nozzle, characterized in that an unevenness is formed on the bottom of the accommodating part. 제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 수용부 내에는 상기 접액 노즐에 접촉 가능한 브러시 부재가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 장치.12. The method according to claim 9 or 11,
A cleaning apparatus for a liquid nozzle, wherein a brush member contactable with the liquid nozzle is provided in the accommodating part. 제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 수용부 내를 가열하는 히터를 가지는 것을 특징으로 하는 접액 노즐의 세정 장치.12. The method according to claim 9 or 11,
and a heater for heating the inside of the accommodating part.
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