KR102400894B1 - 기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법에 의하면, 씰링부를 이중으로 구비하여 역할을 분담하도록 함으로써 씰링부재의 수명을 보전하고, 이중으로 구성되는 씰링부가 각각 용도에 맞는 형태와 재질로 이루어지도록 하여 기판 처리 공간의 압력을 효율적으로 유지시키며 기판 처리의 안정성을 높일 수 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명은, 제1하우징과 제2하우징이 결합하여 기판 처리 공간을 형성하고; 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 결합부에 구비되어 상기 기판 처리 공간을 밀폐하는 씰링부를 포함하되; 상기 씰링부는, 상기 기판 처리 공간의 밀폐를 수행하는 제1씰링부와, 상기 기판 처리 공간의 압력이 일정 압력 이상인 경우 상기 기판 처리 공간의 밀폐를 수행하는 제2씰링부의 이중 구조로 이루어진다.

Description

기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING CHAMBER AND THE METHODE FOR TREATING SUBSTRATE USING THE CHAMBER}
본 발명은 기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 처리 공정이 진행되는 챔버 내부의 압력을 유지하기 위한 씰링 부재를 구비하는 기판 처리용 챔버와, 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 기판(예를 들어 실리콘 재질의 웨이퍼)을 제조하기 위해서는, 리소그래피(Lithography), 증착(Deposition) 및 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 세정(Cleaning) 및 건조(Drying)공정 등이 반복적으로 수행된다.
각 공정이 원활히 이루어지기 위해서는 각각의 공정에 적합한 온도와 압력 등의 환경 조성이 요구된다.
또한, 제품의 수율 및 신뢰성에 악역향을 미치는 파티클, 금속 불순물, 유기물 등에 의한 기판의 오염을 방지하기 위해, 밀폐된 공정 챔버 내에서 각 공정의 기판 처리가 진행되는 것이 일반적이다.
이에, 기판 처리용 챔버 내부의 밀폐된 환경 조성을 위한 여러가지 씰링 방법과 이를 이용하는 기판 처리용 챔버가 고안되어 실시되고 있고, 대표적인 씰링부재로는 탄성 복원력이 큰 재질로 이루어지는 오링(O-RING)이 많이 이용되고 있다.
상기한 종래의 기판 처리용 챔버가 나타난 기술로는 대한민국 공개특허 제10-2015-0120035호가 공개되어 있다.
본 발명은 종래 기술의 씰링부재로 구성되는 기판 처리용 챔버를 보완하기 위하여 안출된 것으로, 씰링부재의 수명을 보전하여 교체주기를 늘리고 비용절감 및 편의성을 제공할 수 있는 기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 기판 처리 공간의 압력 유지가 효율적으로 이루어지고 기판 처리 공정의 안정성을 높일 수 있는 기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명은, 제1하우징과 제2하우징이 결합하여 기판 처리 공간을 형성하고; 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 결합부에 구비되어 상기 기판 처리 공간을 밀폐하는 씰링부를 포함하되; 상기 씰링부는, 상기 기판 처리 공간의 밀폐를 수행하는 제1씰링부와, 상기 기판 처리 공간의 압력이 일정 압력 이상인 경우 상기 기판 처리 공간의 밀폐를 수행하는 제2씰링부의 이중 구조로 구성된다.
상기 제1씰링부는 제1씰링그루브와 제1씰링부재로 구성하고, 상기 제1씰링부재는 오링 형태의 탄성 복원력이 좋은 재질로 구비하여, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 결합하면서 상기 제1씰링부재에 인가되는 압력에 의해 상기 기판 처리 공간의 밀폐가 수행되도록 한다.
상기 제2씰링부는 제2씰링그루브와 제2씰링부재로 구성하고, 상기 제2씰링부재는 스프링 에너자이드 씰로 구비하여, 고온으로 형성되는 상기 기판 처리 공간의 압력에 의해 상기 스프링 에너자이드 씰이 상기 기판 처리 공간을 밀폐하도록 한다.
또한, 상기 제1씰링부와 상기 제2씰링부 사이의 연통공간으로부터 벤트라인으로 통하는 미세한 연통홀을 구비하여, 상기 연통공간의 잔류 유체를 상기 연통홀을 통해 배출할 수 있도록 한다.
본 발명에 따른 기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법에 의하면, 씰링부를 이중으로 구비하여 역할을 분담하도록 함으로써 씰링부재의 수명을 보전하여 교체주기를 늘리고 비용을 절감하며 편의성을 높이는 효과가 있다.
또한, 이중으로 구성되는 씰링부가 각각 용도에 맞는 형태와 재질로 이루어지도록 하여 기판 처리용 챔버 내부의 압력을 효율적으로 유지시키고 기판 처리의 안정성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 기판 처리용 챔버의 개략적인 개념도.
도 2는 본 발명에 의한 기판 처리용 챔버에서 제1하우징과 제2하우징이 결합되지 않은 상태의 씰링부의 단면도.
도 3은 본 발명에 의해 제1씰링부에 의한 밀폐 상태를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 제2씰링부재의 예시인 스프링 에너자이드 씰을 나타내는 사시도.
도 5는 본 발명에 의해 제2씰링부에 의한 밀폐 상태를 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명에 의한 제2씰링부재 스토퍼를 보여주는 단면도.
도 7은 본 발명에 적용되는 스프링의 예를 보여주는 개념도.
도 8은 도 7에 예시된 스프링의 변위-하중 표.
도 9는 본 발명에 의해 연통공간의 잔류 유체가 연통홀을 통해 배출되는 모습을 보여주는 단면도.
도 10은 본 발명에 의한 기판 처리 방법을 보여주는 순서도
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1을 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리용 챔버의 구성에 대해 설명한다.
본 발명의 일실시예에 의한 기판 처리용 챔버는, 제1하우징(200)과 제2하우징(300)이 결합하여 이루어지며, 상기 챔버 내부에 상기 제1하우징(200)과 상기 제2하우징(300)으로 둘러싸인 기판 처리 공간(100)이 조성된다.
상기 기판 처리 공간(100)은 기판(W)을 수용하여 상기 기판(W)의 처리 공정이 수행되는 공간이며, 이를 위해 상기 챔버에는 상기 기판(W)의 처리를 위한 유체 공급라인(미도시)과 벤트라인(미도시)이 구비될 수 있다.
상기 제1하우징(200)과 상기 제2하우징(300)의 결합부에는 씰링부가 구비된다. 상기 씰링부는, 기판 처리 공간(100)의 압력 조건에 관계없이 기판 처리 공간(100)의 밀폐를 수행하는 제1씰링부(10)와, 기판 처리 공간(100)의 압력이 일정 압력 이상인 고압 상태일 때에만 상기 기판 처리 공간(100)의 밀폐를 수행하는 제2씰링부(20)의 이중 구조로 이루어진다.
상기 제1씰링부(10)와 상기 제2씰링부(20)는 상기 제1하우징(200)과 상기 제2하우징(300)의 결합부에 구성되며, 상기 제1하우징(200) 또는 상기 제2하우징(300)의 일부일 수 있다.
도 2를 참조하여 상기 제1하우징(200)과 상기 제2하우징(300)이 결합되지 않고 이격된 상태에서의 상기 제1씰링부(10)의 구성에 대해 살펴보겠다.
상기 제1씰링부(10)는 상기 제2하우징(300)의 표면 일부가 함몰되어 형성되는 제1씰링그루브(11)와, 상기 제1씰링그루브(11)에 삽입되는 제1씰링부재(12)로 구성된다.
상기 제1씰링부재(12)는 탄성 복원력이 좋은 재질인 고무 또는 우레탄 등으로 이루어질 수 있다.
상기 제1씰링부재(12)는 씰링 부재의 대표적인 형태인 오링(O-RING)일 수 있으며, 오링은 일반적으로 원형의 정형적인 단면을 가지는 고리 형태의 탄성체이고, 본 발명의 제1씰링부재(12)는 원형의 오링과 그 외 비정형적 단면을 가지는 오링을 포함하여 적용된다.
상기 오링을 수용하는 상기 제1씰링그루브(11)는, 상기 기판 처리 영역의 외곽을 따라 상기 제1하우징(200) 또는 제2하우징(300)의 표면이 고리 형태로 함몰되어 형성된다.
상기 제1씰링그루브(11)의 단면은 상기 오링의 단면에 따라 다양한 형태로 구비될 수 있다.
상기 제1씰링부재(12)를 이용한 상기 기판 처리 공간의 밀폐는 상기 제1씰링부재(12)의 탄성 복원력에 의해 이루어진다.
도 3을 참조하면, 상기 제1씰링부재(12)는 상기 제1하우징(200)과 상기 제2하우징(300)의 결합에 의해 상하로 압력을 받으며 압축된다.
압축되는 상기 제1씰링부재(12)는 상기 제1씰링그루브(12)에 맞추어 형태가 변형되며 탄성 복원력(F1)이 발생한다.
상기 탄성 복원력(F1)은, 압축된 상기 제1씰링부재(12)가 원래 형태로 돌아가고자 팽창하는 힘이고, 이에 의해 상기 제1씰링부재(12)가 상기 제1하우징(200)의 표면 일부와 상기 제1씰링그루브(11)의 내벽에 밀착되어 상기 기판 처리 공간(100)의 밀폐가 이루어진다.
즉, 상기 기판 처리 공간(100)의 밀폐는 상기 제1씰링부재(12)의 변형 정도와 탄성 복원력(F1)에 비례하여 이루어진다.
상기 제2씰링부(20)는, 상기 제1씰링부(10)의 내곽에 구비되며 상기 제1하우징(200)에 접하는 상기 제2하우징(300)의 표면 일부가 함몰되어 형성되는 제2씰링그루브(21)와, 상기 제2씰링그루브(21)에 삽입되는 제2씰링부재(22)로 구성된다.
상기 제2씰링부재(22)는, 도 4에 나타난 바와 같이, 고리 형태의 스프링(22a)과 상기 스프링(22a)을 감싸는 재킷(22b)으로 구성되는 스프링 에너자이드 씰(SES, Spring Energized Seal)일 수 있다.
상기 재킷(22b)은 상기 기판 처리 공간(100)에서 진행되는 기판 처리 공정에 의해 변형이 일어나지 않도록 구성되는 것이 바람직하다.
즉, 상기 재킷(22b)은 고압에서의 변형률이 낮은 수지 재질로 이루어지며, 우수한 내화학, 내열 성질을 가지는 재질로 구성되는 것이 바람직하다.
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이때, 상기 제2씰링부(20)는 상기 제1씰링부(10)의 내곽에 구비되므로, 상기 제2씰링부(20)에 의한 상기 기판 처리 공간(100)의 밀폐가 수행됨으로써 상기 기판 처리 공간(100)의 고압 상태가 상기 제1씰링부(10)에 미치는 영향이 차단되고, 상기 제1씰링부재(12)의 수명을 보전할 수 있다.
또한, 상기 제1씰링부(10)는 상기 제1하우징(200)과 상기 제2하우징(300)의 결합이 해제될 때까지 밀폐력을 유지하므로, 상기 기판 처리 공간(100)은 상기 제1씰링부(10)와 상기 제2씰링부(20)에 의해 이중으로 밀폐되어 보다 안정적인 기판 처리 환경을 조성할 수 있다.
또한, 도 6에 나타난 바와 같이, 상기 재킷(22b)와 밀착되는 상기 제1하우징(200)의 표면과 상기 제2씰링그루브(21)의 내벽에는 스토퍼(23)가 구비될 수 있다.
상기 스토퍼(23)는 상기 스프링(22a)에 의해 형태가 변형되는 상기 재킷(22b)의 위치를 고정하여 상기 기판 처리 공간(100)의 밀폐가 안정적으로 이루어지도록 할 수 있다
상기 스프링(22a)과 상기 재킷(22b)은 ㄷ자, U자, V자, ㄴ자, 역ㄴ자 등 여러가지 형태로 구비될 수 있으며, 상기 재킷(22b)은 상기 스프링(22a)의 형태에 맞추어 구비되는 것이 바람직하다.
도 7을 참조하여 본 발명에 적용 가능한 여러가지 형태의 스프링의 예와 특성에 대해 살펴보겠다.
도 7(a)는 V자형의 캔틸레버 스프링(Cantilever spring)으로, 비교적 작은 하중과 넓은 허용 변위를 가진다. 따라서 큰 그루브 치수 오차, 과도한 수축 및 압축, 고압으로 인한 씰의 리프트-오프(lift-off; 들어올려져 분리되는 현상) 등으로 인한 큰 허용 변위를 요구하는 환경 등에 적합하다.
도 7(b)는 원형의 슬랜트 코일 스프링(slant coil spring)으로, 상당히 넓은 범위의 변위에서 하중 변화가 거의 일정하게 유지되고, 매우 작은 직경으로 제작이 가능하다는 특성이 있다. 따라서 마찰저항에 민감한 환경이나 큰 그루브 치수 오차 등으로 인한 큰 허용 변위를 요구하는 환경, 소직경의 레이디얼 씰을 이용해야 하는 환경 등에 적합하다.
도 7(c)는 원형의 헬리컬 리본 스프링(Helical ribbon spring)으로, 큰 하중과 비교적 좁은 허용 변위를 가지고, 밴드 형태의 판이 미세한 간극을 두고 감긴 형태는 씰 둘레에 걸쳐 고른 하중을 부여한다. 그러나 큰 하중은 높은 마모율을 야기하므로 마모율보다 정밀한 밀폐율이 우선 요구되는 환경에 적합하다.
도 7(d)는 U자형의 헤비 듀티 캔틸레버 스프링(heavy-duty cantilever spring)으로, 가장 강력한 단위 하중과 탄성 복원력을 가진다. 큰 그루브 치수 오차, 급격한 압력 변화 등으로 인한 씰의 리프트-오프 등의 환경에서 밀폐력을 유지하는데 효과적이며, 대직경의 씰이나 극저온 미디어, 초진공 또는 헬륨 가스 밀폐 등 극한 조건의 환경에 적합하다.
도 8은 스프링의 변위(Spring displacement)-하중(Spring load) 특성 표를 나타낸 것으로, 상기 도 7에 대한 서술에서 언급한 네 가지 스프링의 특성을 확인할 수 있다.
또한, 도 9에 나타난 바와 같이, 상기 제1씰링그루브(11)의 내곽벽(11-2)과 상기 제2씰링그루브(21)의 외곽벽(21-1)은 상기 제1씰링그루브(11)의 외곽벽(11-1)에 비해 낮은 높이를 가지도록 구비된다.
즉, 상기 제1씰링그루브(11)의 내곽벽(11-2)과 상기 제2씰링그루브(21)의 외곽벽(21-1)을 잇는 상기 제2하우징(300)의 표면이 상기 제1하우징(200)의 표면과 이격되어 상기 제1씰링부(10)와 상기 제2씰링부(20) 사이에 연통공간(G)이 형성된다.
상기 연통공간(G)은 상기 제2씰링부(20)로 인한 밀폐가 이루어지기 전까지 상기 기판 처리 공간(100)과 연통되므로, 상기 제2씰링부(20)로 인한 밀폐가 이루어지면 상기 연통공간(G)에 기판 처리 공정에 의한 유체가 잔류하게 된다.
상기 잔류 유체에 의한 씰링부의 오염을 막기 위해 상기 연통공간(G)의 일측에 미세한 통로인 연통홀(H)이 더 구비될 수 있다.
상기 연통홀(H)은 상기 기판 처리 공간(100)의 유체를 상기 챔버의 외부로 배출하는 벤트라인(V)과 연통되어, 상기 잔류 유체가 벤츄리효과에 의해 상기 연통홀(H)을 통해 상기 벤트라인(V)으로 유동하여 상기 챔버의 외부로 배출되게 된다.
이때, 상기 연통홀(H)에 체크밸브(31)를 더 구비하여, 상기 유체의 역류를 방지할 수 있다.
또한, 상기 연통홀에 진공발생기(32)를 더 구비하여, 상기 연통공간(G)을 진공상태로 만들 수 있다.
도 10을 참조하여 본 발명의 기판 처리용 챔버에 의한 기판 처리 방법에 대해 서술한다.
단계 S10은, 제1하우징(200)과 제2하우징(300)이 결합하며 제1씰링부(10)에 의해 챔버 내부의 기판 처리 공간(100)이 밀폐되는 단계이다.
상기 제1씰링부(10)는 제1씰링그루브(11)와 제1씰링부재(12)로 이루어지고, 상기 제1씰링부재(12)가 상기 제1하우징(200)과 상기 제2하우징(300)에 의해 상하로 압력을 받아 압축된다.
압축된 상기 제1씰링부재(12)는 탄성 복원력(F1)을 가지므로, 이에 의해 상기 제1씰링부재(12)가 상기 제1하우징(200)의 표면 일부와 상기 제 2하우징(300)의 일부인 상기 제1씰링그루브(11)의 내벽에 밀착되어 상기 기판 처리 공간(100)의 밀폐가 이루어진다.
단계 S20은, 상기 기판 처리 공간(100)에서 기판 처리 공정이 진행되는 단계이다.
기판 처리 공정은 상기 기판 처리 공간(100)에 유체를 유입시켜 기판(W)을 세정, 식각, 건조 등을 수행하는 공정으로, 상기 공정 등이 진행되면 상기 기판 처리 공간(100)의 압력이 높아진다.
상기 기판 처리 공간(100)에 고압의 환경이 조성되는 예로 초임계 건조 공정이 있다.
단계 S30은, 고압 상태의 기판 처리 공간(100)이 제2씰링부(20)에 의해 밀폐되는 단계이다.
상기 제2씰링부(20)는, 고리 형태의 스프링(22a)과 상기 스프링(22a)을 감싸는 재킷(22b)으로 구성되는 스프링 에너자이드 씰일 수 있다.
삭제
상기 재킷(22b) 양측 끝단이 제1하우징(200)과 제2하우징(300)에 밀착되어 상기 기판 처리 공간(100)의 밀폐가 이루어지게 된다.
상기 제2씰링부(20)는 상기 제1씰링부(10)와 더불어 상기 기판 처리 공간(100)을 이중으로 밀폐함으로써 기판 처리 공정의 안정성을 높이게 된다.
단계 S40은, 상기 제1씰링부(10)와 상기 제2씰링부(20) 사이의 연통공간(G)에 잔류하는 유체가 연통홀(H)을 통해 배출되는 단계이다.
상기 연통홀(H)은 상기 연통공간(G)과 상기 챔버의 벤트라인(V)을 연통시키는 미세한 통로이며, 상기 잔류 유체는 벤츄리효과에 의해 상기 연통공간(G)으로부터 상기 연통홀(H)을 통해 상기 벤트라인(V)으로 유동하고, 상기 벤트라인(V)을 따라 상기 챔버의 외부로 배출된다.
이때, 상기 연통홀(H)에는 체크밸브(31)가 더 구비될 수 있고, 상기 체크밸브(31)는 상기 연통홀(H)을 통과하는 상기 잔류 유체의 역류를 방지하는 역할을 한다.
또한, 상기 연통홀(H)에는 진공발생기(32)가 더 구비될 수 있고, 상기 진공발생기(32)를 통해 상기 연통공간(G)을 진공 상태로 만들고 잔류 유체를 제거할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
W: 기판 100: 기판 처리 공간
200: 제1하우징 300: 제2하우징
10: 제1씰링부 11: 제1씰링그루브
12: 제1씰링부재 20: 제2씰링부
21: 제2씰링그루브 22: 제2씰링부재
22a: 스프링 22b: 재킷
23: 스토퍼 P: 고압 상태의 기판 처리 공간의 압력
F1: 탄성 복원력 F2 : 탄성력
G: 연통공간 H: 연통홀
V: 벤트라인 31: 체크밸브
32: 진공발생기

Claims (20)

  1. 제1하우징과 제2하우징이 결합하여 기판 처리 공간을 형성하고;
    상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 결합부에 구비되어 상기 기판 처리 공간을 밀폐하는 씰링부를 포함하되;
    상기 씰링부는, 상기 기판 처리 공간의 밀폐를 수행하는 제1씰링부와, 상기 기판 처리 공간의 압력이 일정 압력 이상인 경우 상기 기판 처리 공간의 밀폐를 수행하는 제2씰링부의 이중 구조로 이루어지고,
    상기 제1씰링부는, 상기 제1하우징에 접하는 상기 제2하우징의 표면 일부가 함몰되어 형성되는 제1씰링그루브 및 상기 제1씰링그루브에 삽입되는 제1씰링부재를 포함하고,
    상기 제2씰링부는, 챔버에서 상기 제1씰링부의 내곽에 위치하며 상기 제1하우징에 접하는 상기 제2하우징의 표면 일부가 함몰되어 형성되는 제2씰링그루브 및 상기 제2씰링그루브에 삽입되는 제2씰링부재를 포함하고,
    상기 챔버에는, 상기 제1씰링부의 제1씰링그루브 내곽벽과 상기 제2씰링부의 제2씰링그루브 외곽벽을 잇는 상기 제2하우징의 표면이 상기 제1하우징의 표면과 이격되어 연통공간이 형성되고,
    상기 제1씰링부 및 제2씰링부에 의해 상기 기판 처리 공간의 밀폐가 이루어지면, 상기 연통공간과 상기 챔버의 벤트라인을 연통시키는 연통홀을 통해 상기 연통공간의 유체가 상기 벤트라인으로 유동하여 상기 챔버의 외부로 배출되는 기판 처리용 챔버.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1씰링부재는 오링(o-ring) 형태인 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1씰링부재는 탄성 복원력을 갖는 재질로 구비되고;
    상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 결합되면 상기 제1씰링부재가 상기 제1씰링그루브 내벽에 밀착되며 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 표면을 미는 방향의 탄성 복원력이 작용하여 상기 기판 처리 공간의 밀폐가 이루어지는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1씰링부재는 고무 재질인 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1씰링부재는 우레탄 재질인 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2씰링부재는 스프링과 상기 스프링을 감싸는 재킷으로 구성되는 스프링 에너자이드씰로 이루어지고;
    상기 기판 처리 공간의 압력이 높아지면 상기 재킷의 양측 끝단이 벌어지며 상기 제1하우징의 표면과 상기 제2씰링그루브의 내벽을 이루는 상기 제2하우징의 표면에 각각 밀착됨으로써 상기 기판 처리 공간의 밀폐가 이루어지는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 재킷은 수지 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 재킷의 양측 끝단에 밀착되는 상기 제1하우징의 표면 또는 상기 제2씰링그루브의 내벽을 이루는 상기 제2하우징의 표면에는 상기 재킷의 위치를 고정하는 스토퍼가 구비되어;
    상기 스프링 에너자이드 씰의 위치 변동 없이 안정적으로 상기 기판 처리 공간의 밀폐가 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1씰링그루브의 내곽벽과 상기 제2씰링그루브의 외곽벽은 상기 제1씰링그루브의 외곽벽에 비해 낮은 높이를 가지도록 구비되고;
    상기 제1씰링그루브의 내곽벽과 상기 제2씰링그루브의 외곽벽을 잇는 상기 제2하우징의 표면이 상기 제1하우징의 표면과 이격되어 연통공간이 형성되는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판 처리 공간의 유체를 상기 챔버의 외부로 배출하는 벤트라인과 상기 연통공간을 연통시키는 연통홀이 더 구비되어,
    상기 연통홀을 통해 상기 연통공간의 상기 유체가 상기 벤트라인으로 유동하여 상기 챔버의 외부로 배출되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 연통홀에는 체크밸브가 더 구비되어, 상기 유체의 역류를 방지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 연통홀에는 진공발생기가 더 구비되어, 상기 연통공간을 진공상태로 만드는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  15. a) 제1하우징과 제2하우징을 결합하여 챔버 내부에 기판 처리 공간이 형성되고 제1씰링부에 의해 상기 기판 처리 공간의 밀폐가 이루어지는 단계;
    b) 상기 기판 처리 공간에서 기판 처리 공정이 진행되며 상기 기판 처리 공간의 압력이 상승하는 단계;
    c) 제2씰링부에 의해 상기 기판 처리 공간의 밀폐가 이루어지는 단계를 포함하고,
    상기 챔버에는, 상기 제1씰링부의 제1씰링그루브 내곽벽과 상기 제2씰링부의 제2씰링그루브 외곽벽을 잇는 상기 제2하우징의 표면이 상기 제1하우징의 표면과 이격되어 연통공간이 형성되고,
    d) 상기 연통공간과 상기 챔버의 벤트라인을 연통시키는 연통홀을 통해 상기 연통공간의 유체가 상기 벤트라인으로 유동하여 상기 챔버의 외부로 배출되는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 단계 a)는, 상기 제1씰링부의 제1씰링부재가 제1씰링그루브 내부에 밀착되며 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 표면에 탄성 복원력이 작용하여 상기 기판 처리 공간의 밀폐가 이루어지는 단계;
    인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제2씰링부의 제2씰링부재는 스프링과 상기 스프링을 감싸는 재킷으로 구성되는 스프링 에너자이드 씰이고,
    상기 단계 c)는, 상기 기판 처리 공간의 압력이 높아져 상기 재킷의 양측 끝단이 벌어지며 상기 제1하우징의 표면과 상기 제2씰링그루브의 내벽을 이루는 상기 제2하우징의 표면에 각각 밀착됨으로써 상기 기판 처리 공간의 밀폐가 이루어지는 단계;
    인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 삭제
  19. 제15항에 있어서,
    상기 연통홀에는 체크밸브가 더 구비되고,
    상기 단계 d)는, 상기 체크밸브에 의해 상기 유체의 역류가 방지되는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 연통홀에는 진공발생기가 더 구비되고,
    상기 단계 d)는, 상기 진공발생기에 의해 상기 연통공간이 진공상태가 되는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102176396B1 (ko) * 2019-05-15 2020-11-09 (주) 예스티 공정 처리용 챔버 장치
US11049740B1 (en) * 2019-12-05 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Reconfigurable mainframe with replaceable interface plate
KR102510922B1 (ko) * 2021-06-24 2023-03-16 주식회사 테스 실링유닛 및 이를 구비한 기판처리장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6666928B2 (en) * 2001-09-13 2003-12-23 Micell Technologies, Inc. Methods and apparatus for holding a substrate in a pressure chamber
US6550484B1 (en) * 2001-12-07 2003-04-22 Novellus Systems, Inc. Apparatus for maintaining wafer back side and edge exclusion during supercritical fluid processing
AU2003248121A1 (en) * 2002-07-25 2004-02-16 Tokyo Electron Limited Substrate processing container
KR20070031610A (ko) * 2005-09-15 2007-03-20 삼성전자주식회사 공정 튜브와 플랜지 사이에 설치되는 진공 실링 시스템

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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