KR102387526B1 - 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법 - Google Patents

기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102387526B1
KR102387526B1 KR1020170083258A KR20170083258A KR102387526B1 KR 102387526 B1 KR102387526 B1 KR 102387526B1 KR 1020170083258 A KR1020170083258 A KR 1020170083258A KR 20170083258 A KR20170083258 A KR 20170083258A KR 102387526 B1 KR102387526 B1 KR 102387526B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
output value
lifting mechanism
driving
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020170083258A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190002935A (ko
Inventor
신인철
정유선
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020170083258A priority Critical patent/KR102387526B1/ko
Publication of KR20190002935A publication Critical patent/KR20190002935A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102387526B1 publication Critical patent/KR102387526B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리용 챔버의 승강위치를 정밀하게 제어함으로써 챔버의 기밀성을 향상시킴과 아울러 챔버의 밀폐시 장치의 파손을 방지할 수 있는 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리용 챔버는, 기판이 안착되며 승강 가능하게 구비되는 제1하우징, 상기 제1하우징과 결합되어 기판처리공간을 형성하는 제2하우징, 상기 제1하우징을 승강시키는 승강기구, 상기 승강기구의 출력값을 검출하는 측정부, 및 상기 측정부에서 검출된 출력값을 기준으로 상기 승강기구의 구동을 제어하는 제어부를 포함하여 구성된다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법은, 제1하우징이 제2하우징과 이격된 위치에서 승강기구의 구동에 의해 상기 제1하우징을 제2하우징을 향하도록 이동시키는 단계, 상기 승강기구의 출력값을 검출하는 단계, 및 상기 승강기구의 출력값이 설정된 범위 이상으로 변동되면, 상기 승강기구의 구동을 정지하는 단계를 포함하여 구성된다.

Description

기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법{Substrate processing chamber and Control method for lift position of the substrate processing chamber}
본 발명은 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 처리용 챔버의 승강위치를 정밀하게 제어함으로써 챔버의 기밀성을 향상시킴과 아울러 챔버의 밀폐시 장치의 파손을 방지할 수 있는 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법에 관한 것이다.
일반적으로 세정은 습식세정과 건식세정으로 분류되며, 그 중에서도 습식세정은 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. 습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로서, 산과 알칼리 용액을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.
그러나, 이러한 습식세정에 이용되는 화학물질은 환경에 악영향을 끼치고 있는 것은 물론이고 공정이 복잡하여 제품의 생산 단가를 크게 상승시키는 요인일 뿐만 아니라 고집적 회로와 같이 정밀한 부분의 세정에 이용되는 경우, 계면장력으로 인해 미세구조의 패턴이 협착되어 무너짐에 따라서 오염물 제거가 효과적으로 이루어지지 못한다는 문제점이 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로, 최근에는 무독성이고, 불연성 물질이며, 값싸고 환경 친화적인 물질인 이산화탄소를 용매로 사용하는 건식 세정 방법이 개발되고 있다. 이산화탄소는 낮은 임계온도와 임계압력을 가지고 있어 초임계 상태에 쉽게 도달할 수 있으며, 계면장력이 제로(0)에 가깝고, 초임계 상태에서 높은 압축성으로 인하여 압력 변화에 따라 밀도 또는 용매세기를 변화시키기 용이하며, 감압에 의하여 기체 상태로 바뀌기 때문에 용질로부터 용매를 간단히 분리할 수 있는 장점이 있다.
종래 초임계유체를 사용한 기판 처리용 챔버는, 기판을 챔버 내부에 투입하거나 챔버로부터 외부로 반출하는 경우에 챔버를 개폐하기 위한 구성으로서, 기판이 안착되는 제1하우징과, 상기 제1하우징의 상부에 결합되어 기판처리공간을 내부에 형성하는 제2하우징, 및 상기 제1하우징을 지지하며 승강되는 승강기구를 포함하여 구성된다. 그리고, 상기 제2하우징의 하면과 제1하우징의 상면 사이에는 챔버 내부의 기밀을 유지하기 위한 실링부재가 구비된다.
상기 초임계유체를 사용하여 기판을 처리하는 경우, 기판 처리 공정이 수행되는 챔버의 내부 공간 또한 초임계 상태인 고압 상태가 되는데, 이러한 고압 상태에서 제2하우징의 하면과 제1하우징의 상면 사이의 틈새를 통하여 챔버 내부의 유체가 외부로 누출되는 것을 방지하기 위해서는, 상기 실링부재의 탄성이나 마모 상태 등을 고려하여 상기 실링부재가 최적의 상태로 압축되도록 제1하우징의 승강위치를 정밀하게 제어하는 것이 필요하다.
그러나, 종래에는 챔버의 결합시 제1하우징을 지지하며 승강되는 승강기구의 승강 이동 거리가 일정한 값으로 고정되어 있어, 실링부재의 상태에 따라서는 제1하우징이 일정한 높이까지 상승되어 제2하우징에 결합되더라도 챔버의 기밀 상태를 유지하지 못하는 경우가 발생할 수 있으며, 제1하우징의 상면과 제2하우징의 하면이 직접 접촉하는 경우에는 메탈 소재로 이루어진 제1하우징과 제2하우징 간의 접촉면에서 크랙 등의 파손이 유발될 수 있는 문제점이 있다.
이러한 초임계유체를 이용한 기판 처리용 챔버의 승강 구조와 관련된 선행기술은 등록특허 제10-1654627호에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판 처리용 챔버의 승강위치를 정밀하게 제어함으로써 챔버의 기밀성을 향상시킴과 아울러 챔버의 밀폐시 장치의 파손을 방지할 수 있는 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리용 챔버는, 기판이 안착되며 승강 가능하게 구비되는 제1하우징, 상기 제1하우징과 결합되어 기판처리공간을 형성하는 제2하우징, 상기 제1하우징을 승강시키는 승강기구, 상기 승강기구의 출력값을 검출하는 측정부, 및 상기 측정부에서 검출된 출력값을 기준으로 상기 승강기구의 구동을 제어하는 제어부를 포함하여 구성된다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법은, 제1하우징이 제2하우징과 이격된 위치에서 승강기구의 구동에 의해 상기 제1하우징을 제2하우징을 향하도록 이동시키는 단계, 상기 승강기구의 출력값을 검출하는 단계, 및 상기 승강기구의 출력값이 설정된 범위 이상으로 변동되면, 상기 승강기구의 구동을 정지하는 단계를 포함하여 구성된다.
다른 실시예로, 상기 승강기구의 출력값에 변동이 발생하면, 상기 출력값에 변동이 발생한 시점을 기준으로 상기 승강기구가 설정된 높이만큼 추가로 이동한 후에 정지되도록 제어할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법에 의하면, 제1하우징의 상승 이동시 승강기구의 출력값을 검출하여, 출력값의 변동 여부에 따라서 승강기구의 구동을 제어함으로써, 승강기구와 제1하우징의 승강위치를 정밀하게 제어할 수 있다.
또한 제1하우징과 제2하우징의 결합부에 실링부재를 구비할 경우, 상기 제1하우징과 제2하우징이 비접촉 상태이면서 실링부재가 기밀유지 성능을 발휘하기 위한 최적의 상태로 압축되어 탄성변형되는 시점에 승강기구의 구동이 정지되도록 제어함으로써, 기판 처리용 챔버의 기밀성을 향상시킴과 동시에 제1하우징과 제2하우징이 직접 맞닿는 경우에 초래될 수 있는 장치의 파손을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리용 챔버의 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법의 순서도,
도 3은 기판이 반입되는 제1위치일 때의 기판 처리용 챔버의 상태도,
도 4는 승강기구의 출력값이 측정되기 시작하는 제2위치일 때의 기판 처리용 챔버의 상태도,
도 5는 승강기구의 구동이 정지되는 제3위치일 때의 기판 처리용 챔버의 상태도.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리용 챔버(100)는, 초임계유체를 사용하여 기판의 세정 또는 건조 등의 처리 공정이 수행되는 장치에 적용될 수 있다. 본 발명에 따른 기판 처리용 챔버(100)는, 피처리대상 기판(W)이 안착되며 승강 가능하게 구비되는 제1하우징(110)과, 상기 제1하우징(110)과 결합되어 기판처리공간(S)을 형성하는 제2하우징(120)과, 상기 제1하우징(110)을 승강 이동시키는 승강기구(130)와, 상기 승강기구(130)의 출력값을 검출하는 측정부(140), 및 상기 측정부(140)에서 검출된 출력값을 기준으로 상기 승강기구(130)의 구동을 제어하는 제어부(150)를 포함하여 구성된다.
상기 제1하우징(110)은 기판 처리용 챔버(100)의 하부를 구성하는 부분으로, 제1하우징(110)의 상면에는 기판(W)을 지지하기 위한 스테이지(111)가 구비된다. 상기 제1하우징(110)의 상부와 일측부에는 초임계유체가 유입되는 제1유입구(101)와 제2유입구(102)가 구비되고, 제1하우징(110)의 타측부에는 공정을 마친 초임계유체와 세정액 등의 혼합유체가 배출되는 배출구(103)가 형성된다.
상기 제1하우징(110)의 상면 가장자리부에는 제2하우징(120)과의 결합시 제1하우징(110)의 상면과 제2하우징(120)의 하면 사이의 틈새를 통하여 챔버(100) 내부의 유체가 외부로 누출되는 것을 방지하여 기판처리공간(S)을 밀폐된 상태로 유지하기 위한 실링부재(112)가 구비된다. 상기 실링부재(112)는 제1하우징(110)과 제2하우징(120)의 결합시 작용하는 압축력에 의해 탄성 변형 가능한 재질로 구성된다. 본 실시예에서, 상기 실링부재(112)는 도 1에 도시된 바와 같이 반경방향으로 이격된 이중 구조로 구비된 경우를 예시하였으나, 그 설치개수는 이에 제한되지 않으며, 단수 또는 3개 이상 복수로 구비될 수도 있다.
상기 제2하우징(120)은, 기판 처리용 챔버(100)의 상부를 구성하는 부분으로, 하부는 개방되고 상부와 측면은 막힌 구조로 이루어지며, 제2하우징(120)은 그 위치가 고정된 상태로 구비될 수 있다.
상기 제1하우징(110)이 상승 이동하여 제2하우징(120)에 결합되면, 제1하우징(110)과 제2하우징(120)으로 둘러싸인 내부에는 기판처리공간(S)이 마련된다.
상기 승강기구(130)는, 제1하우징(110)을 승강시키기 위한 구성으로, 구동부(131)와, 상기 제1하우징(110)을 지지하며 상기 구동부(131)의 구동에 의해 승강되는 지지부(132)로 구성된다.
상기 구동부(131)는, 모터, 실린더 등 다양한 구동원이 사용될 수 있다. 상기 모터의 종류로는 AC 모터, DC 모터, BLDC 모터 등이 사용될 수 있고, 상기 실린더는 유압 실린더, 공압 실린더 등이 사용될 수 있다.
상기 측정부(140)는 승강기구(130)에서 출력되는 출력값을 검출하기 위한 구성으로, 상기 승강기구(130)의 특성에 따른 출력값의 변화를 감지한다. 실시예로, 상기 출력값은 출력 전류값 또는 출력 토크일 수 있다.
상기 제1하우징(110)이 제2하우징(120)과 이격된 위치에서 상기 제2하우징(120)을 향하여 상승 이동하는 경우, 상기 제1하우징(110)의 상면에 구비된 실링부재(112)가 제2하우징(120)의 하면에 접촉하기 전까지는 상기 승강기구(130)의 출력값은 일정한 값을 유지하게 된다.
상기 실링부재(112)가 제2하우징(120)의 하면에 접촉을 시작한 시점부터 제1하우징(110)이 더욱 상승하게 되면, 실링부재(112)가 압축되면서 승강기구(130)에 작용하는 부하가 점차 증가하게 되므로, 승강기구(130)의 출력값은 변동하게 되며, 이 경우 측정부(140)에서 검출된 출력값을 기준으로 제어부(150)는 승강기구(130)의 구동이 정지되는 시점을 판단하여 승강기구(130)의 승강 위치를 제어하게 된다.
일실시예로, 상기 제1하우징(110)의 상승 이동시, 상기 측정부(140)에서 검출되는 승강기구(130)의 출력값이 설정된 범위 이상으로 변동되면, 상기 제어부(150)는 상기 승강기구(130)의 구동이 정지되도록 제어할 수 있다.
다른 실시예로, 상기 제1하우징(110)의 상승 이동시, 상기 측정부(140)에서 검출되는 승강기구(130)의 출력값에 변동이 발생하면, 상기 제어부(150)는 상기 출력값에 변동이 발생한 시점을 기준으로 상기 승강기구(130)가 설정된 높이만큼 추가로 상승 이동한 후에 정지되도록 제어할 수 있다.
상기 실시예들에서, 상기 승강기구(130)의 구동이 정지되면, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1하우징(110)의 상면(110a)과 제2하우징(120)의 하면(120a)은 비접촉 상태이고, 상기 실링부재(112)는 제1하우징(110)과 제2하우징(120) 사이에서 압축되어 탄성변형된 상태가 된다.
상기 제1하우징(110)의 상승 이동시, 측정부(140)에서 검출되는 승강기구(130)의 출력값이 변동되는 시점은, 제1하우징(110)에 구비된 실링부재(112)와 제2하우징(120)의 하면(120a)이 접촉을 시작하는 시점이 되고, 승강기구(130)의 구동 상태가 유지되어 제1하우징(110)이 더욱 상승 이동하게 되면, 실링부재(112)는 제1하우징(110)과 제2하우징(120) 사이에서 압축되어 탄성변형되면서 승강기구(130)에 작용하는 부하가 점차 커지게 되므로, 승강기구(130)의 출력값 또한 이에 비례하여 큰 값으로 변동하게 된다.
이 경우 상기 제어부(150)는, 승강기구(130)의 출력값이 설정된 범위 이상으로 변동되는 경우에 승강기구(130)의 구동이 정지되도록 제어하거나, 승강기구(130)의 출력값에 변동이 발생한 시점을 기준으로 승강기구(130)가 설정된 높이만큼 추가로 상승 이동한 후에 정지되도록 제어함으로써, 실링부재(112)가 챔버(100)의 기밀을 유지하기 위한 최적의 압축 상태가 되는 시점에서 승강기구(130) 및 제1하우징(110)이 정지되도록 정밀하게 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어부(150)는, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(W)이 반입되는 제1위치(H1)에서 도 4에 도시된 바와 같이 승강기구(130)의 출력값을 검출하는 시점인 제2위치(H2)까지는 승강기구(130)가 제1이동속도로 빠르게 이동하도록 제어하고, 상기 제2위치(H2)에서 도 5에 도시된 바와 같이 승강기구(130)의 구동이 정지되는 제3위치(H3)까지는 승강기구(130)가 상기 제1이동속도보다 감속된 제2이동속도로 느리게 이동하도록 제어할 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여, 본 발명에 따른 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법을 설명한다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법은, 먼저 도 3에 도시된 바와 같이 제1하우징(110)이 제2하우징(120)의 하측으로 이격된 제1위치(H1)에서 제1하우징(110)과 제2하우징(120) 사이의 이격된 공간을 통하여 기판(W)이 반입되어 스테이지(111) 상에 안착된다(S1).
기판(W)이 반입된 후에는, 승강기구(130)의 상방향 구동에 의해 제1하우징(110)이 상승 이동하게 된다(S2).
상기 제1하우징(110)이 상승 이동하여 도 4에 도시된 바와 같이 승강기구(130)가 제2위치(H2)에 다다르게 되면(S3), 측정부(140)는 승강기구(130)의 출력값을 측정하게 된다(S4). 즉, 승강기구(130)가 제1위치(H1)에서 제2위치(H2)까지 이동하는 동안에는 승강기구(140)의 출력값에 변동이 발생하지 않으므로 측정부(140)는 승강기구(140)의 출력값에 대한 측정을 수행하지 않더라도 무방하며, 승강기구(130)가 제2위치(H2)에 도달한 시점부터 승강기구(140)의 출력값에 대한 측정을 개시하는 것으로 구성할 수 있다.
여기서, 상기 제2위치(H2)는 실링부재(112)가 제2하우징(120)의 하면(120a)과 접촉을 시작하는 높이에 다다르기 직전 위치의 높이로 설정될 수 있다.
그리고, 상기 승강기구(130)가 제1위치(H1)로부터 제2위치(H2)까지 상승 이동하는 동안에는 제1이동속도로 빠르게 이동하고, 제2위치(H2)로부터 승강기구(130)의 구동이 정지되는 제3위치(H3)까지 상승 이동하는 동안에는 상기 제1이동속도보다 감속된 제2이동속도로 느리게 이동하도록 제어할 수 있다.
다음으로, 상기 측정부(140)에서 검출된 승강기구(130)의 출력값에 변동이 감지되면(S5), 도 5에 도시된 바와 같이 제3위치(H3)에서 승강기구(130)의 구동이 정지되도록 제어한다(S6). 여기서, 상기 제3위치(H3)는 제1하우징(110)의 상면(110a)과 제2하우징(120)의 하면(120a)은 비접촉 상태가 되도록 이격되고, 실링부재(112)는 압축되어 탄성변형된 상태로서 기밀유지 성능을 발휘하기에 최적의 상태에 있을 때의 높이로 설정될 수 있다.
일실시예로, 상기 승강기구(130)의 구동을 정지하는 단계는, 상기 측정부(140)에서 검출되는 승강기구(130)의 출력값이 설정된 범위 이상으로 변동된 시점에서 승강기구(130)의 구동이 정지되도록 제어할 수 있다. 즉, 실링부재(112)가 기밀유지에 적합하도록 충분히 압축된 상태에서 승강기구(130)의 구동이 정지되도록 제어할 수 있다.
다른 실시예로, 상기 승강기구(130)의 구동을 정지하는 단계는, 상기 측정부(140)에서 검출되는 승강기구(130)의 출력값에 변동이 발생한 시점을 기준으로 상기 승강기구(130)가 설정된 높이만큼 추가로 이동한 후에 정지되도록 제어할 수 있다. 즉, 실링부재(112)가 제2하우징(120)의 하면(120a)과 접촉을 시작하면서 승강기구(130)의 출력값에 변동이 발생한 시점을 기준으로, 승강기구(130)가 설정된 높이만큼 추가로 이동하여 실링부재(112)가 기밀유지에 적합하도록 충분히 압축된 상태에서 승강기구(130)의 구동이 정지되도록 제어할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
100 : 기판 처리용 챔버 101 : 제1유입구
102 : 제2유입구 103 : 배출구
110 : 제1하우징 110a : 제1하우징의 상면
111 : 스테이지 112 : 실링부재
120 : 제2하우징 120a : 제2하우징의 하면
130 : 승강기구 131 : 구동부
132 : 지지부 140 : 측정부
150 : 제어부 S : 기판처리공간
W : 기판

Claims (17)

  1. 기판이 안착되며 승강 가능하게 구비되는 제1하우징;
    상기 제1하우징과 결합되어 기판처리공간을 형성하는 제2하우징;
    상기 제1하우징을 승강시키는 승강기구;
    상기 승강기구의 출력값을 검출하는 측정부; 및
    상기 측정부에서 검출된 출력값을 기준으로 상기 승강기구의 구동을 제어하는 제어부;
    를 포함하고
    상기 측정부는 상기 승강기구의 출력 전류값 및 출력 토크값 중 적어도 하나를 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 승강기구는, 구동부와, 상기 제1하우징을 지지하며 상기 구동부의 구동에 의해 승강되는 지지부로 이루어지되,
    상기 구동부는 모터로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 승강기구는, 구동부와, 상기 제1하우징을 지지하며 상기 구동부의 구동에 의해 승강되는 지지부로 이루어지되,
    상기 구동부는 실린더로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1하우징의 상승 이동시, 상기 측정부에서 검출되는 출력값이 설정된 범위 이상으로 변동되면, 상기 제어부는 상기 승강기구의 구동이 정지되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1하우징의 상승 이동시, 상기 측정부에서 검출되는 출력값에 변동이 발생하면, 상기 제어부는 상기 출력값에 변동이 발생한 시점을 기준으로 상기 승강기구가 설정된 높이만큼 추가로 상승 이동한 후에 정지되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1하우징과 제2하우징의 결합부에는 실링부재가 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1하우징의 상승 이동시, 상기 측정부에서 검출되는 출력값이 설정된 범위 이상으로 변동되면, 상기 제어부는 상기 승강기구의 구동이 정지되도록 제어하고,
    상기 승강기구의 구동이 정지되면, 상기 제1하우징과 제2하우징은 비접촉 상태이고, 상기 실링부재는 상기 제1하우징과 제2하우징 사이에서 압축되어 탄성변형되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1하우징의 상승 이동시, 상기 측정부에서 검출되는 출력값에 변동이 발생하면, 상기 제어부는 상기 출력값에 변동이 발생한 시점을 기준으로 상기 승강기구가 설정된 높이만큼 추가로 상승 이동한 후에 정지되도록 제어하고,
    상기 승강기구의 구동이 정지되면, 상기 제1하우징과 제2하우징은 비접촉 상태이고, 상기 실링부재는 상기 제1하우징과 제2하우징 사이에서 압축되어 탄성변형되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    기판이 반입되는 제1위치에서 상기 승강기구의 출력값을 검출하는 시점인 제2위치까지는 상기 승강기구가 제1이동속도로 이동하도록 제어하고,
    상기 제2위치에서 상기 승강기구의 구동이 정지되는 제3위치까지는 상기 승강기구가 상기 제1이동속도보다 감속된 제2이동속도로 이동하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1하우징과 제2하우징의 결합부에는 실링부재가 구비되고,
    상기 제2위치는 실링부재가 상기 제2하우징의 하면과 접촉을 시작하는 높이에 다다르기 직전 위치의 높이로 설정된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1하우징과 제2하우징의 결합부에는 실링부재가 구비되고,
    상기 제3위치는 상기 제1하우징과 상기 제2하우징은 비접촉 상태가 되도록 이격되고, 상기 실링부재는 압축되어 탄성변형된 상태에 있을 때의 높이로 설정된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  14. 제1하우징이 제2하우징과 이격된 위치에서 승강기구의 구동에 의해 상기 제1하우징을 제2하우징을 향하도록 이동시키는 단계;
    상기 승강기구의 출력값을 검출하는 단계; 및
    상기 승강기구의 출력값이 설정된 범위 이상으로 변동되면, 상기 승강기구의 구동을 정지하는 단계; 를 포함하고
    상기 승강기구의 출력값을 검출하는 단계는 상기 승강기구의 출력 전류값 및 출력 토크값 중 적어도 하나를 검출하는 단계를 포함하는, 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법.
  15. 제1하우징이 제2하우징과 이격된 위치에서 승강기구의 구동에 의해 상기 제1하우징을 제2하우징을 향하도록 이동시키는 단계;
    상기 승강기구의 출력값을 검출하는 단계; 및
    상기 승강기구의 출력값에 변동이 발생하면, 상기 출력값에 변동이 발생한 시점을 기준으로 상기 승강기구가 설정된 높이만큼 추가로 이동한 후에 정지되는 단계; 를 포함하는 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 승강기구의 출력값을 검출하는 단계는, 상기 승강기구가 설정된 위치까지 이동한 후에 상기 출력값의 검출을 개시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법.
  17. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 제1하우징을 제2하우징을 향하도록 이동시키는 단계는,
    기판이 반입되는 제1위치에서 상기 승강기구의 출력값을 검출하는 시점인 제2위치까지는 상기 승강기구가 제1이동속도로 이동하고,
    상기 제2위치에서 상기 승강기구의 구동이 정지되는 제3위치까지는 상기 승강기구가 상기 제1이동속도보다 감속된 제2이동속도로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법.
KR1020170083258A 2017-06-30 2017-06-30 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법 KR102387526B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170083258A KR102387526B1 (ko) 2017-06-30 2017-06-30 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170083258A KR102387526B1 (ko) 2017-06-30 2017-06-30 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190002935A KR20190002935A (ko) 2019-01-09
KR102387526B1 true KR102387526B1 (ko) 2022-04-19

Family

ID=65017112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170083258A KR102387526B1 (ko) 2017-06-30 2017-06-30 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102387526B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102119402B1 (ko) * 2019-01-14 2020-06-05 주식회사 테스 기판처리장치
WO2020209536A1 (ko) * 2019-04-09 2020-10-15 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102179716B1 (ko) * 2019-04-24 2020-11-17 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102285672B1 (ko) * 2019-06-04 2021-08-06 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102320033B1 (ko) * 2020-05-27 2021-11-01 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102391208B1 (ko) * 2020-07-15 2022-04-27 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324377A (ja) 2006-06-01 2007-12-13 Apic Yamada Corp 半導体装置用クランプ装置
KR101853377B1 (ko) * 2016-12-30 2018-06-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100850063B1 (ko) * 2006-10-27 2008-08-04 동부일렉트로닉스 주식회사 로드락 챔버의 엘리베이터 승강구동장치
KR100994494B1 (ko) * 2008-06-04 2010-11-15 엘아이지에이디피 주식회사 기판 합착장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324377A (ja) 2006-06-01 2007-12-13 Apic Yamada Corp 半導体装置用クランプ装置
KR101853377B1 (ko) * 2016-12-30 2018-06-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190002935A (ko) 2019-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102387526B1 (ko) 기판 처리용 챔버 및 기판 처리용 챔버의 승강위치 제어 방법
WO2016045072A1 (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor wafer
KR102375985B1 (ko) 기판 처리용 챔버
US7556246B2 (en) Unloading method of object, program storage medium, and mounting mechanism
JP2009054630A (ja) シリンダ停止位置可変機構及びそれを備えた基板処理装置
KR20180125765A (ko) 기판 처리용 챔버
KR101171990B1 (ko) 챔버간 역압 방지수단을 구비한 진공 처리장치.
KR100850063B1 (ko) 로드락 챔버의 엘리베이터 승강구동장치
US20220384233A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101295793B1 (ko) 이소프로필 알코올 용액 공급 장치 및 방법
KR20190070507A (ko) 기판 처리용 챔버
KR102174139B1 (ko) 진자식 게이트 밸브
KR20190003068A (ko) 기판 처리용 챔버
KR20060023021A (ko) 리프팅 장치
JP5042761B2 (ja) 減圧乾燥方法および減圧乾燥装置
US11171030B2 (en) Methods and apparatus for dechucking wafers
JP2009059795A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101045247B1 (ko) 리프트 핀 승강장치
JP4408786B2 (ja) 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法
KR20060037092A (ko) 반도체 소자 제조용 장비
KR20060094235A (ko) 반도체 설비용 챔버의 리크 체크방법
KR100974425B1 (ko) 웨이퍼의 정상적재 여부 감지장치 및 그 방법
KR20190112405A (ko) 정렬부가 포함된 카세트모듈 로드락 장치
KR20040079615A (ko) 웨이퍼 카세트의 위치 제어용 감지기를 구비한 반도체소자 제조용 로드락 챔버
KR20230128108A (ko) 웨이퍼 검출을 위한 방법들 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant