KR102373223B1 - Apparatus for cleaning and examining metal member, and method for cleaning metal member using the same - Google Patents

Apparatus for cleaning and examining metal member, and method for cleaning metal member using the same Download PDF

Info

Publication number
KR102373223B1
KR102373223B1 KR1020190152732A KR20190152732A KR102373223B1 KR 102373223 B1 KR102373223 B1 KR 102373223B1 KR 1020190152732 A KR1020190152732 A KR 1020190152732A KR 20190152732 A KR20190152732 A KR 20190152732A KR 102373223 B1 KR102373223 B1 KR 102373223B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
water
metal member
cleaning
circulation channel
washing tank
Prior art date
Application number
KR1020190152732A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210063973A (en
Inventor
안병렬
이종윤
Original Assignee
주식회사 에이피텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이피텍 filed Critical 주식회사 에이피텍
Priority to KR1020190152732A priority Critical patent/KR102373223B1/en
Publication of KR20210063973A publication Critical patent/KR20210063973A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102373223B1 publication Critical patent/KR102373223B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/02—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Abstract

금속 부재의 표면에 결착된 불순물을 금속 부재의 표면에서 분리 제거함과 동시에 그 결과를 검사하는 금속 부재 세정 및 검사 장치가 개시된다. 개시된 금속 부재 세정 및 검사 장치는, 금속 부재가 침잠되는 액상의 물을 수용하는 세정조, 불순물을 금속 부재의 표면에서 분리하여 미세한 파티클로 형성하는 불순물 분리 수단, 세정조에 수용된 물이 배수되면, 배수된 물을 세정조로 다시 유도하는 순환 수로, 순환 수로 상에 배치된 것으로, 세정조에서 배수된 물에 포함된 파티클을 단위 체적당 파티클 개수의 단위로 계수하는 입자 계수기, 순환 수로 상에 입자 계수기보다 하류에 배치된 것으로, 세정조에서 배수된 물에 포함된 파티클을 여과하는 입자 필터, 및 세정조에 수용된 물이 순환 수로를 통해 계속 순환하도록 물을 펌핑하는 펌프를 구비한다. Disclosed is an apparatus for cleaning and inspecting a metal member that separates and removes impurities bound to the surface of a metal member from the surface of the metal member and simultaneously inspects the result. The disclosed metal member cleaning and inspection apparatus includes a cleaning tank for accommodating liquid water in which the metal member is immersed, an impurity separation means for separating impurities from the surface of the metal member to form fine particles, and drainage when the water contained in the cleaning tank is drained. A circulation water channel that guides the washed water back to the washing tank, disposed on the circulation channel, and counting the particles contained in the water drained from the cleaning tank in units of the number of particles per unit volume, rather than a particle counter on the circulation channel It is disposed downstream and includes a particle filter for filtering particles contained in the water drained from the washing tank, and a pump for pumping water so that the water contained in the washing tank continues to circulate through the circulation channel.

Description

금속 부재 세정 및 검사 장치 및 이를 이용한 금속 부재 세정 방법{Apparatus for cleaning and examining metal member, and method for cleaning metal member using the same}Apparatus for cleaning and examining metal member, and method for cleaning metal member using the same}

본 발명은 금속으로 된 부재의 표면에 생성되거나 결착되는 불순물을 제거함과 동시에 그 결과를 검사하는 금속 부재 세정 및 검사 장치, 및 이를 이용한 금속 부재 세정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a metal member cleaning and inspection apparatus for removing impurities generated or bound to a surface of a metal member and simultaneously inspecting the result, and a metal member cleaning method using the same.

예를 들어, 반도체칩 등을 제조하기 위한 증착 공정에는 증착 챔버(chamber)가 사용되며, 상기 증착 챔버 내에는 예컨대, 샤워헤드(shower head)와 같은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 금속 부재가 구비된다. 상기 알루미늄 재질의 금속 부재는 삼불화질소(NF3)를 사용하여 증착 챔버를 세척하는 과정에서 표면에 불화알루미늄(AlFN) 성분의 불순물이 생성 결착된다. For example, a deposition chamber is used in a deposition process for manufacturing a semiconductor chip, and in the deposition chamber, for example, a metal member made of aluminum (Al) or an aluminum alloy such as a shower head is provided. provided In the process of cleaning the deposition chamber using nitrogen trifluoride (NF 3 ), impurities of the aluminum fluoride (AlF N ) component are generated and bound to the surface of the aluminum metal member.

이처럼 표면에 불화알루미늄 성분의 불순물이 결착된 금속 부재를 구비한 증착 챔버 내에서 증착 작업이 실행되면, 증착 가스(gas)를 피증착물, 즉 기판에 분사할 때 상기 금속 부재 표면의 불순물이 상기 금속 부재에서 떨어져 나가 미세한 파티클(particle)이 되어서 증착 챔버 내부를 오염시킬 뿐 아니라 기판 자체를 오염시킨다. 이로 인해, 증착 작업에 의해 생산되는 반도체칩, 디스플레이 패널과 같은 제품의 불량율이 높아지게 된다. When a deposition operation is performed in a deposition chamber having a metal member having an aluminum fluoride component impurity bound to its surface as described above, when a deposition gas is sprayed onto an object to be deposited, that is, the substrate, the impurities on the surface of the metal member are converted to the metal. It is separated from the member and becomes fine particles, which not only contaminates the inside of the deposition chamber, but also contaminates the substrate itself. Due to this, the defect rate of products such as semiconductor chips and display panels produced by the deposition operation is increased.

종래에는 증착 챔버 내에서 증착 작업을 진행하기에 앞서서 샤워헤드와 같은 금속 부재에 다량의 세정 가스를 일정 시간 동안 흘려 보내서 상기 금속 부재 표면의 불순물을 제거한 후에 증착 가스를 기판에 분사함으로써 증착 챔버 내부의 오염 및 기판의 오염을 억제하는 방법이 사용되었다. Conventionally, before proceeding with the deposition in the deposition chamber, a large amount of cleaning gas is flowed to the metal member such as a showerhead for a predetermined time to remove impurities on the surface of the metal member, and then the deposition gas is sprayed onto the substrate to remove the inside of the deposition chamber. A method of suppressing contamination and contamination of the substrate was used.

그러나, 이와 같은 종래의 세정 방법은 다량의 세정 가스가 사용되고, 사용된 세정 가스를 정화 처리하여야 하며, 증착 작업의 소요 시간이 길어지기 때문에, 생산성이 저하되고, 증착 제품의 생산 원가가 높아지는 문제가 있다. 또한, 상기한 종래의 세정 방법에 불구하고 금속 부재 표면의 불순물이 얼마나 제거되었는지 확인할 수 없어서 증착 제품의 불량이 빈번히 발생하는 문제가 있다. However, in this conventional cleaning method, a large amount of cleaning gas is used, the used cleaning gas needs to be purified, and the required time for the deposition operation is long, so there is a problem that productivity is lowered and the production cost of the deposition product is increased. there is. In addition, in spite of the above-described conventional cleaning method, it is not possible to determine how much impurities are removed from the surface of the metal member, so there is a problem in that the deposition product is frequently defective.

대한민국 공개특허공보 제10-2006-0116482호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2006-0116482

본 발명은, 금속 부재의 표면에 결착된 불순물을 금속 부재에서 분리함과 동시에 그 결과를 자동적으로 검사하여 확인하는 금속 부재 세정 및 검사 장치, 및 이를 이용한 금속 부재 세정 방법을 제공한다. The present invention provides a metal member cleaning and inspection apparatus for separating impurities bound to the surface of a metal member from the metal member and automatically inspecting and confirming the result, and a metal member cleaning method using the same.

본 발명은, 금속 부재의 표면에 결착된 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리 제거함과 동시에 그 결과를 검사하는 장치로서, 상기 금속 부재가 침잠되는 액상(液狀)의 물(water)을 수용하는 세정조, 상기 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리하여 미세한 파티클(particle)로 형성하는 불순물 분리 수단, 상기 세정조에 수용된 물이 배수되면, 상기 배수된 물을 상기 세정조로 다시 유도하는 순환 수로, 상기 순환 수로 상에 배치된 것으로, 상기 세정조에서 배수된 물에 포함된 파티클을 단위 체적당 파티클 개수의 단위로 계수하는 입자 계수기, 상기 순환 수로 상에 상기 입자 계수기보다 하류에 배치된 것으로, 상기 세정조에서 배수된 물에 포함된 파티클을 여과하는 입자 필터, 및, 상기 세정조에 수용된 물이 상기 순환 수로를 통해 계속 순환하도록 상기 물을 펌핑(pumping)하는 펌프(pump)를 구비하는 금속 부재 세정 및 검사 장치를 제공한다. The present invention is an apparatus for separating and removing impurities bound to the surface of a metal member from the surface of the metal member and simultaneously examining the result. a cleaning tank, an impurity separation means for separating the impurities from the surface of the metal member to form fine particles, and when the water contained in the cleaning tank is drained, a circulation water channel for guiding the drained water back to the cleaning tank, the A particle counter disposed on the circulation channel, which counts particles contained in the water drained from the washing tank in units of the number of particles per unit volume, disposed downstream of the particle counter on the circulation channel, the three Metal member cleaning and inspection equipment is provided.

상기 불순물 분리 수단은, 상기 세정조에 수용된 물을 초음파 진동시켜 상기 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리하는 초음파 진동기를 구비할 수 있다. The impurity separation means may include an ultrasonic vibrator for separating the impurities from the surface of the metal member by ultrasonically vibrating the water contained in the cleaning tank.

상기 불순물 분리 수단은, 상기 순환 수로를 통해 상기 세정조로 유입되는 물에 마이크로 버블(micro bubble)을 발생시키는 마이크로 버블 발생기를 구비할 수 있다. The impurity separation means may include a microbubble generator for generating microbubbles in the water flowing into the washing tank through the circulation channel.

상기 순환 수로는, 상기 세정조에서 배수된 물이 상기 마이크로 버블 발생기를 통과하도록 상기 마이크로 버블 발생기에 연결되는 메인 튜브(main tube), 및 상기 세정조에서 배수된 물이 상기 마이크로 버블 발생기를 통과하지 않고 상기 세정조로 다시 유입되도록 상기 메인 튜브에서 분기(分岐)된 서브 튜브(sub tube)를 구비할 수 있다. The circulation channel includes a main tube connected to the microbubble generator so that the water drained from the washing tank passes through the microbubble generator, and the water drained from the washing tank does not pass through the microbubble generator It may be provided with a sub-tube branched from the main tube so as to flow back into the washing tank without it.

본 발명의 금속 부재 세정 및 검사 장치는, 상기 순환 수로 상에 배치된 것으로, 상기 세정조에서 배수된 물의 비저항을 측정하는 비저항 측정기, 및 상기 순환 수로 상에 배치된 것으로, 상기 물에 포함된 이온(ion) 입자를 흡착하여 상기 물을 탈이온화하는 이온 교환기를 더 구비할 수 있다. The metal member cleaning and inspection apparatus of the present invention is disposed on the circulation channel, and includes a resistivity measuring device for measuring the specific resistance of water drained from the washing tank, and ions included in the circulation channel, disposed on the circulation channel (ion) may further include an ion exchanger for deionizing the water by adsorbing the particles.

상기 세정조에 수용된 물은 비저항 1.0 내지 18.0 MΩ 의 탈이온수(deionized water)일 수 있다. The water accommodated in the washing tank may be deionized water having a specific resistance of 1.0 to 18.0 MΩ.

상기 펌프는, 상기 순환 수로 상에 상기 입자 계수기 및 비저항 측정기보다 하류에 배치될 수 있다. The pump may be disposed downstream of the particle counter and the resistivity meter on the circulation channel.

본 발명의 금속 부재 세정 및 검사 장치는, 상기 세정조에 수용된 물을 가열하는 히터(heater)를 더 구비할 수 있다. The metal member cleaning and inspection apparatus of the present invention may further include a heater for heating the water accommodated in the cleaning tank.

상기 세정조에 수용된 물의 온도는 상온(常溫)보다 크거나 같고, 60℃ 보다 작거나 같을 수 있다.The temperature of the water accommodated in the washing tank may be greater than or equal to room temperature, and less than or equal to 60°C.

또한 본 발명은, 상기 금속 부재 세정 및 검사 장치를 이용하여 금속 부재의 표면에 결착된 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리 제거하는 방법으로서, 상기 세정조에 수용된 물에 상기 금속 부재를 침잠시키는 금속 부재 침잠 단계, 상기 불순물 분리 수단으로 상기 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리하여 미세한 파티클로 형성하고, 상기 파티클을 상기 세정조에 수용된 물에 혼합시키는 불순물 분리 단계, 상기 세정조에 수용된 물을 상기 세정조에서 상기 순환 수로로 배수하는 배수 단계, 상기 입자 계수기를 이용하여 상기 순환 수로에 유입된 물에 포함된 파티클을 단위 체적당 파티클 개수의 단위로 계수하는 입자 계수 단계, 상기 입자 필터를 이용하여 상기 순환 수로에 유입된 물에 포함된 파티클을 여과하는 입자 여과 단계, 및 상기 물을 상기 순환 수로에서 상기 세정조로 공급하는 순환 급수 단계를 구비하고, 상기 불순물 분리 단계, 배수 단계, 입자 계수 단계, 입자 여과 단계, 및 순환 급수 단계를 순차적으로 반복 수행하되, 상기 입자 계수 단계에서 계수된 단위 체적당 파티클의 개수가 미리 설정된 파티클 개수 기준값보다 작거나 같아질 때까지 반복하는 금속 부재 세정 방법을 제공한다. The present invention also provides a method for separating and removing impurities bound to the surface of a metal member from the surface of the metal member using the metal member cleaning and inspection device, wherein the metal member is immersed in water contained in the cleaning tank. Impurity separation step of separating the impurities from the surface of the metal member with the impurity separation means to form fine particles, and mixing the particles with water accommodated in the cleaning tank; A draining step of draining the water into the circulation channel, a particle counting step of counting the particles contained in the water introduced into the circulation channel by the unit of the number of particles per unit volume using the particle counter, and the circulation channel using the particle filter A particle filtration step of filtering particles contained in the water introduced into the evaporator, and a circulating water supply step of supplying the water from the circulation channel to the washing tank, the impurity separation step, drainage step, particle counting step, particle filtration step , and circulating water supply steps are sequentially repeated, but repeated until the number of particles per unit volume counted in the particle counting step is less than or equal to a preset particle number reference value.

또한 본 발명은, 상기 금속 부재 세정 및 검사 장치를 이용하여 금속 부재의 표면에 결착된 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리 제거하는 방법으로서, 상기 세정조에 수용된 물에 상기 금속 부재를 침잠시키는 금속 부재 침잠 단계, 상기 불순물 분리 수단으로 상기 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리하여 미세한 파티클로 형성하고, 상기 파티클을 상기 세정조에 수용된 물에 혼합시키는 불순물 분리 단계, 상기 세정조에 수용된 물을 상기 세정조에서 상기 순환 수로로 배수하는 배수 단계, 상기 입자 계수기를 이용하여 상기 순환 수로에 유입된 물에 포함된 파티클을 단위 체적당 파티클 개수의 단위로 계수하는 입자 계수 단계, 상기 비저항 측정기를 이용하여 상기 순환 수로에 유입된 물의 비저항을 측정하는 비저항 측정 단계; 상기 입자 필터를 이용하여 상기 순환 수로에 유입된 물에 포함된 파티클을 여과하는 입자 여과 단계, 상기 이온 교환기를 이용하여 상기 순환 수로에 유입된 물에 포함된 이온(ion)을 흡착하여 상기 물을 탈이온화하는 탈이온화 단계, 및 상기 물을 상기 순환 수로에서 상기 세정조로 공급하는 순환 급수 단계를 구비하고, 상기 불순물 분리 단계, 배수 단계, 입자 계수 단계, 비저항 측정 단계, 입자 여과 단계, 탈이온화 단계, 및 순환 급수 단계를 순차적으로 반복 수행하되, 상기 입자 계수 단계에서 계수된 단위 체적당 파티클의 개수가 미리 설정된 파티클 개수 기준값보다 작거나 같아지고, 상기 비저항 측정 단계에서 상기 물의 비저항이 미리 설정된 비저항 기준값보다 크거나 같아질 때까지 반복하는 금속 부재 세정 방법을 제공한다. The present invention also provides a method for separating and removing impurities bound to the surface of a metal member from the surface of the metal member using the metal member cleaning and inspection device, wherein the metal member is immersed in water contained in the cleaning tank. Impurity separation step of separating the impurities from the surface of the metal member with the impurity separation means to form fine particles, and mixing the particles with water accommodated in the cleaning tank; A draining step of draining the water into the circulation channel, a particle counting step of counting the particles included in the water introduced into the circulation channel by using the particle counter in units of the number of particles per unit volume, and the circulation channel using the specific resistance meter Specific resistance measuring step of measuring the specific resistance of the water introduced into the; A particle filtering step of filtering particles contained in the water introduced into the circulation channel using the particle filter, and the ion exchanger using the ion exchanger to absorb ions contained in the water introduced into the circulation channel to remove the water a deionization step of deionization, and a cycle water supply step of supplying the water from the circulation channel to the washing tank, wherein the impurity separation step, drainage step, particle counting step, specific resistance measurement step, particle filtration step, deionization step , and circulating water supply steps are sequentially repeated, but the number of particles per unit volume counted in the particle counting step is less than or equal to a preset particle number reference value, and the specific resistance of the water in the specific resistance measurement step is a preset specific resistance reference value A method of cleaning a metal member that is repeated until greater than or equal to is provided.

본 발명의 금속 부재 세정 및 검사 장치를 이용하면, 금속 부재의 표면에 결착된 불순물을 분리함과 동시에 상기 불순물 제거의 결과를 실시간으로 검사할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 다량의 세정 가스를 사용하여 금속 부재를 세정한 후에 증착 작업하는 것에 비해 증착 작업의 소요 시간이 절감되어 생산성이 향상되고, 증착 제품의 생산 원가가 절감된다. If the metal member cleaning and inspection apparatus of the present invention is used, impurities bound to the surface of the metal member can be separated and the result of removing the impurities can be inspected in real time. Accordingly, as compared to the conventional deposition operation after cleaning the metal member using a large amount of cleaning gas, the time required for the deposition operation is reduced, thereby improving productivity and reducing the production cost of the deposition product.

또한, 상기 금속 부재 세정 및 검사 장치를 이용한 금속 부재 세정 방법에 의하면, 금속 부재의 세정 결과를 실시간으로 검사하여 검증된 금속 부재만을 증착 챔버에 설치할 수 있으므로 증착 제품의 불량율이 저감되며, 별도의 세정 결과 검사 작업을 수행하지 않아도 되므로 생산성이 향상된다. In addition, according to the metal member cleaning method using the metal member cleaning and inspection apparatus, only metal members that have been verified by inspecting the cleaning results of the metal members in real time can be installed in the deposition chamber, thereby reducing the defect rate of the deposition product and performing separate cleaning Productivity is improved as there is no need to perform the inspection of results.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 금속 부재 세정 및 검사 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1의 II 부분을 확대 도시한 도면으로, 금속 부재가 세정되기 전의 모습을 도시한 도면이다.
도 3은 도 1의 금속 부재 세정 및 검사 장치를 이용한 금속 부재 세정 방법을 나타내는 플로우 차트이다.1 is a configuration diagram of a metal member cleaning and inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. 1 , and is a view showing a state before the metal member is cleaned.
FIG. 3 is a flowchart illustrating a metal member cleaning method using the metal member cleaning and inspection apparatus of FIG. 1 .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른, 금속 부재 세정 및 검사 장치와, 이를 이용한 금속 부재 세정 방법을 상세하게 설명한다. 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자 또는 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.Hereinafter, an apparatus for cleaning and inspecting a metal member and a method for cleaning a metal member using the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Terms used in this specification are terms used to properly express preferred embodiments of the present invention, which may vary depending on the intention of a user or operator or customs in the field to which the present invention belongs. Accordingly, definitions of these terms should be made based on the content throughout this specification.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 금속 부재 세정 및 검사 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1의 II 부분을 확대 도시한 도면으로, 금속 부재가 세정되기 전의 모습을 도시한 도면이다. 도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 금속 부재 세정 및 검사 장치(10)는 금속 부재(1)의 표면에 결착된 불순물(5)을 상기 금속 부재(1)의 표면에서 분리함과 동시에 그 결과를 검사하는 장치이다. 1 is a block diagram of an apparatus for cleaning and inspecting a metal member according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. 1 , showing a state before the metal member is cleaned. 1 and 2 together, the metal member cleaning and inspection apparatus 10 according to an embodiment of the present invention removes impurities 5 bound to the surface of the metal member 1 on the surface of the metal member 1 . It is a device that separates from and inspects the result at the same time.

상기 금속 부재(1)는 예컨대, 반도체 증착 과정의 증착 챔버 내에 구비된, 샤워 헤드(shower head)일 수 있다. 상기 금속 부재는 순도 100%의 알루미늄(Al)이나, 알루미늄 합금(aluminum alloy) 소재로 이루어질 수 있다. 상기 알루미늄 합금은 알루미늄을 주재료로 포함하고, 소량의 다른 물질이 포함된 금속으로서, 상기 소량의 다른 물질은 철(Fe), 구리(Cu), 망간(Mn), 실리콘(Si), 마그네슘(Mg), 아연(Zn) 중에서 적어도 한 종류의 물질일 수 있다. 상기 불순물(5)은 삼불화질소(NF3)를 사용하여 증착 챔버를 세척하는 과정에서 금속 부재(1)의 표면에 생성 결착되는 불화알루미늄(AlFN)일 수 있다. 금속 부재(1)가 샤워 헤드인 경우에, 상기 금속 부재(1)에는 다수의 미세한 홀(hole)(3)이 형성될 수 있다. 상기 홀(3)의 직경은 대략 0.5mm 일 수 있다. The metal member 1 may be, for example, a shower head provided in a deposition chamber of a semiconductor deposition process. The metal member may be made of 100% pure aluminum (Al) or an aluminum alloy material. The aluminum alloy includes aluminum as a main material and a metal containing a small amount of other materials, wherein the small amount of other materials is iron (Fe), copper (Cu), manganese (Mn), silicon (Si), magnesium (Mg). ) and zinc (Zn) may be at least one type of material. The impurity 5 may be aluminum fluoride (AlF N ) that is generated and bound to the surface of the metal member 1 in the process of cleaning the deposition chamber using nitrogen trifluoride (NF 3 ). When the metal member 1 is a shower head, a plurality of fine holes 3 may be formed in the metal member 1 . The diameter of the hole 3 may be about 0.5 mm.

금속 부재 세정 및 검사 장치(10)는 세정조(11), 불순물 분리 수단, 히터(17), 순환 수로(33), 입자 계수기(particle counter)(24), 비저항 측정기(26), 입자 필터(particle filter)(27), 이온 교환기(ion exchanger)(30), 및 마이크로 버블 발생기(32)를 구비한다. 세정조(11)에는 액상(液狀)의 물(water)(20)이 수용되고, 상기 세정조(11)의 물(20)에는 금속 부재(1)가 침잠된다. The metal member cleaning and inspection apparatus 10 includes a cleaning tank 11, an impurity separation means, a heater 17, a circulation channel 33, a particle counter 24, a resistivity meter 26, a particle filter ( particle filter (27), an ion exchanger (30), and a microbubble generator (32). Liquid water 20 is accommodated in the washing tank 11 , and the metal member 1 is immersed in the water 20 of the washing tank 11 .

상기 불순물 분리 수단은, 상기 불순물(5)을 상기 금속 부재(1)의 표면에서 분리하여 미세한 파티클(particle)로 형성한다. 상기 금속 부재(1) 표면에서 분리된 파티클은 세정조(11)에 수용된 물(20)에 혼합된다. 본 발명의 실시예에 따른 금속 부재 세정 및 검사 장치(10)는 상기 불순물 분리 수단으로 초음파 진동기(16)와 마이크로 버블 발생기(32)를 구비한다. The impurity separation means separates the impurity 5 from the surface of the metal member 1 to form fine particles. The particles separated from the surface of the metal member 1 are mixed with the water 20 accommodated in the cleaning tank 11 . The metal member cleaning and inspection apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes an ultrasonic vibrator 16 and a microbubble generator 32 as the impurity separation means.

초음파 진동기(16)는 세정조(11)에 수용된 물(20)을 초음파 진동시켜서 금속 부재(1) 표면에 결착된 불순물(5)을 상기 금속 부재(1)의 표면에서 분리한다. 상기 초음파 진동기(16)는 도 1에 도시된 바와 같이 세정조(11)의 바닥에 고정 부착될 수 있으나, 도시된 부착 위치 및 부착 방식에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 초음파 진동기(16)가 세정조(11)의 측벽에 고정 부착될 수도 있고, 세정조(11)에 수용된 물(20)에 침잠되게 설치될 수도 있다. 초음파 진동기(16)의 진동 에너지는 세정조(11)에 수용된 물(20)을 매개로 금속 부재(1) 표면의 불순물(5)에 전달되고, 그 진동 에너지에 의해 상기 불순물(5)이 금속 부재(1) 표면에서 분리 이탈된다. 금속 부재(1)의 홀(3)의 내경(inner diameter)이 작더라도 물(20)이 홀(3) 내부에 채워질 수 있으므로, 홀(3)의 내주면에 결착된 불순물(5)도 물(20)의 진동 에너지에 의해 상기 홀(3)의 내주면에서 쉽게 분리될 수 있다. The ultrasonic vibrator 16 ultrasonically vibrates the water 20 contained in the cleaning tank 11 to separate the impurities 5 bound to the surface of the metal member 1 from the surface of the metal member 1 . The ultrasonic vibrator 16 may be fixedly attached to the bottom of the cleaning tub 11 as shown in FIG. 1 , but is not limited to the illustrated attachment position and attachment method. For example, the ultrasonic vibrator 16 may be fixedly attached to the side wall of the cleaning tub 11 , or may be installed to be submerged in the water 20 accommodated in the cleaning tub 11 . The vibration energy of the ultrasonic vibrator 16 is transferred to the impurities 5 on the surface of the metal member 1 through the water 20 accommodated in the cleaning tank 11, and the impurities 5 are converted to the metal by the vibration energy. The member 1 is separated from the surface. Even if the inner diameter of the hole 3 of the metal member 1 is small, water 20 can be filled inside the hole 3, so that the impurities 5 bound to the inner circumferential surface of the hole 3 are also water ( 20) can be easily separated from the inner peripheral surface of the hole 3 by the vibration energy.

순환 수로(33)는 세정조(11)에 수용된 물(20)이 배수구(13)를 통해 배수되면, 상기 배수된 물(20)이 소정의 경로를 거쳐 세정조(11)로 다시 유입되도록 상기 배수된 물(20)을 유도한다. 상기 순환 수로(33)는, 일단이 상기 세정조(11)의 배수구(13)에 연결되고, 타단이 상기 세정조(11) 내부로 진입하는 파이프(pipe), 튜브(tube), 또는 호스(hose)일 수 있다. 펌프(22)는 세정조(11)에 수용된 물(20)이 순환 수로(33)를 통해 계속 순환하도록 상기 물(20)을 펌핑(pumping)한다. The circulation channel 33 is configured so that when the water 20 accommodated in the washing tank 11 is drained through the drain 13, the drained water 20 flows back into the washing tank 11 through a predetermined path. Drained water 20 is introduced. The circulation channel 33 has one end connected to the drain port 13 of the washing tub 11 and the other end of a pipe, tube, or hose into which the washing tub 11 enters. hose). The pump 22 pumps the water 20 so that the water 20 accommodated in the washing tank 11 continues to circulate through the circulation channel 33 .

상기 마이크로 버블 발생기(32)는 세정조(11)에서 배수되고 순환 수로(33)를 통과하여 세정조(11)로 다시 유입되는 물(20)에 마이크로 버블(micro bubble)을 발생시킨다. 외부에서 공기(air)가 마이크로 버블 발생기(32)에 유입되어 순환 수로(33)를 따라 이동하는 물(20)과 혼합되면서 마이크로 버블 발생기(32)에서 마이크로 버블이 생성된다. 마이크로 버블 발생기(32)의 마이크로 버블 생성 방식은, 예컨대, 선회 액체류 방식, 스테이트 믹서 방식, 벤튜리 방식, 가압 용해 방식, 초음파 방식, 전기 분해 방식, 미세 기공 필터 방식 등일 수 있다. The microbubble generator 32 generates microbubbles in the water 20 that is drained from the washing tank 11 and flows back into the washing tank 11 through the circulation channel 33 . As air from the outside flows into the microbubble generator 32 and mixes with the water 20 moving along the circulation channel 33 , microbubbles are generated in the microbubble generator 32 . The microbubble generation method of the microbubble generator 32 may be, for example, a swirling liquid flow method, a state mixer method, a venturi method, a pressure dissolution method, an ultrasonic method, an electrolysis method, a micropore filter method, and the like.

도 1에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에서 상기 순환 수로(33)는, 세정조(11)에서 배수된 물(20)이 마이크로 버블 발생기(32)를 통과하도록 상기 마이크로 버블 발생기(32)의 유입구(流入口) 및 유출구(流出口)에 연결되는 메인 튜브(main tube)(34), 및 상기 세정조(11)에서 배수된 물(20)이 상기 마이크로 버블 발생기(32)를 통과하지 않고 상기 세정조(11)로 다시 유입되도록 상기 메인 튜브(34)에서 분기(分岐)된 서브 튜브(sub tube)(35)를 구비한다. In the preferred embodiment of the present invention shown in FIG. 1 , the circulation water passage 33 is the microbubble generator 32 so that the water 20 drained from the washing tank 11 passes through the microbubble generator 32 . The main tube 34 connected to the inlet and the outlet, and the water 20 drained from the washing tank 11 do not pass through the microbubble generator 32 . A sub tube 35 branched from the main tube 34 is provided so as to be introduced back into the washing tank 11 .

메인 튜브(34)에는 마이크로 버블 발생기(32)로 향하는 물을 선택적으로 허용하거나 차단하는 제1 밸브(41)가 설치된다. 서브 튜브(35)에도 상기 서브 튜브(35)를 통해 흐르는 물(20)을 제어하는 제2 밸브(42)가 설치된다. 상기 제1 밸브(41)는 서브 튜브(35)가 분기된 지점과 마이크로 버블 발생기(32) 사이에 배치된다. A first valve 41 is installed in the main tube 34 to selectively allow or block water directed to the microbubble generator 32 . A second valve 42 for controlling the water 20 flowing through the sub-tube 35 is also installed in the sub-tube 35 . The first valve 41 is disposed between the branching point of the sub tube 35 and the microbubble generator 32 .

메인 튜브(34)의 말단은 세정조(11)의 측벽을 관통하여 세정조(11) 내부로 연장된다. 상기 메인 튜브(34)의 말단에는 상기 세정조(11) 내부로 마이크로 버블이 포함된 물(20)을 분출하는 복수의 노즐(nozzle)(37)이 설치된다. 서브 튜브(35)를 통과한 물(20)이 위에서 아래로 낙하하여 상기 세정조(11)에 수용된 물(20)과 합쳐지도록, 상기 서브 튜브(35)의 말단은 세정조(11)에 수용된 물(20)의 수면보다 높게 위치한다. The end of the main tube 34 penetrates the sidewall of the cleaning bath 11 and extends into the cleaning bath 11 . A plurality of nozzles 37 for ejecting water 20 containing microbubbles into the cleaning tank 11 are installed at the distal end of the main tube 34 . The end of the sub-tube 35 is disposed at the end of the sub-tube 35 so that the water 20 that has passed through the sub-tube 35 falls from top to bottom and merges with the water 20 accommodated in the washing tub 11 . It is located higher than the water surface of the water (20).

마이크로 버블은 일반적으로 직경(diameter)이 50㎛ 이하인 기포를 의미한다. 마이크로 버블 중에서도 직경이 300㎚ 내지 3㎛ 인 기포는 마이크로 나노 버블이라고 칭하고, 직경이 100㎚ 이하의 극미소 기포는 나노 버블이라고 칭하기도 한다. 액체 내에 포함된 직경이 수 밀리미터 이상인 큰 버블은 빠르게 위로 상승하여 수면에서 터진다. 이는 상기 큰 버블의 부력이 액체의 저항력보다 더 크기 때문이다. 반면, 마이크로 버블은 대략 0.1cm/sec 의 느린 속도로 액체 내에서 상승하며 액체 내에서 장시간 머무른다. 이는 마이크로 버블의 부력이 매우 작아서 액체의 저항력을 이기지 못하기 때문이다. Microbubbles generally refer to bubbles having a diameter of 50 μm or less. Among microbubbles, bubbles having a diameter of 300 nm to 3 μm are called micro-nano bubbles, and microbubbles having a diameter of 100 nm or less are sometimes called nano bubbles. Large bubbles of several millimeters or more in diameter contained in the liquid rapidly rise upward and burst from the water surface. This is because the buoyancy force of the large bubble is greater than the resistance force of the liquid. On the other hand, microbubbles rise in the liquid at a slow rate of about 0.1 cm/sec and stay in the liquid for a long time. This is because the buoyancy force of microbubbles is very small and cannot overcome the resistance of the liquid.

마이크로 버블이 장시간 동안 액체 내에 머무르면 상기 마이크로 버블 내부에 존재하는 기체가 액체 속으로 서서히 용해되면서 마이크로 버블의 직경이 점진적으로 작아진다. 더욱이 마이크로 버블 내부에 존재하는 기체의 액체에 대한 용해도가 크면 마이크로 버블이 완전히 용해되어 소멸되기도 한다. 마이크로 버블의 크기가 작으면 작을수록 부피에 대한 표면적의 비율이 커지므로 마이크로 버블 내부의 기체가 액체에 용해되는 속도가 더 빨라진다.When the microbubbles stay in the liquid for a long time, the gas present in the microbubbles gradually dissolves into the liquid and the diameter of the microbubbles gradually decreases. Moreover, if the solubility of the gas in the liquid in the microbubble is high, the microbubble is completely dissolved and disappears. The smaller the size of the microbubble is, the larger the ratio of the surface area to the volume is, so the rate at which the gas inside the microbubble is dissolved in the liquid becomes faster.

상기 복수의 노즐(37)에서 마이크로 버블이 포함된 물(20)이 세정조(11) 내부로 분출되면, 다량의 마이크로 버블이 세정조(11)에 수용된 물(20)을 활발하게 교반시키면서 금속 부재(1)의 표면과 홀(3) 내주면에 결착된 불순물(5)을 강하게 자극하여, 상기 불순물(5)이 금속 부재(1)에서 분리 이탈된다. When the water 20 containing microbubbles is ejected from the plurality of nozzles 37 into the cleaning tank 11 , a large amount of microbubbles actively agitate the water 20 contained in the cleaning tank 11 while the metal By strongly stimulating the impurities 5 bound to the surface of the member 1 and the inner peripheral surface of the hole 3 , the impurities 5 are separated from the metal member 1 .

입자 계수기(24)는 순환 수로(33) 상에 배치되는 것으로, 세정조(11)의 배수구(13)를 통해 배수된 물(20)에 포함된 파티클을 계수한다. 입자 계수기(24)는 물(20)에 포함된 파티클의 개수를 단위 체적당 파티클 개수(number)의 단위로 계수한다. 금속 부재(1)에서 분리된 불순물(5)은 미세한 입자, 즉 파티클 형태로 물(20)에 혼합되며, 물(20)과 함께 세정조(11)에서 배수되어 순환 수로(33)를 따라 유동하여 입자 계수기(24)를 통과하면서 숫자로 측정되는 것이다. The particle counter 24 is disposed on the circulation channel 33 , and counts particles included in the water 20 drained through the drain 13 of the washing tank 11 . The particle counter 24 counts the number of particles included in the water 20 in units of the number of particles per unit volume (number). The impurities 5 separated from the metal member 1 are mixed with the water 20 in the form of fine particles, that is, particles, are drained from the washing tank 11 together with the water 20 and flow along the circulation channel 33 . It is measured numerically while passing through the particle counter 24.

입자 계수기(24)는 광 산란 방식, 전기저항 방식, 및 흡광 방식 중 하나 이상의 방식으로 물(20)에 포함된 파티클의 수를 계수할 수 있다. 작업자는 입자 계수기(24)에서 측정된 단위 체적당 파티클 수가 크면 표면에 불순물이 많은 오염된 금속 부재(1)라고 추정할 수 있다. 그리고, 입자 계수기(24)에서 측정된 단위 체적당 파티클 수가 미리 설정한 기준값보다 작거나 같으면 표면에 불순물이 거의 없는 오염되지 않은 금속 부재(1)라고 추정된다. The particle counter 24 may count the number of particles included in the water 20 by at least one of a light scattering method, an electrical resistance method, and an absorption method. If the number of particles per unit volume measured by the particle counter 24 is large, the operator can estimate that the surface is contaminated with the metal member 1 with many impurities. And, if the number of particles per unit volume measured by the particle counter 24 is less than or equal to a preset reference value, it is estimated that the surface is an uncontaminated metal member 1 having almost no impurities.

비저항 측정기(26)는 순환 수로(33) 상에 배치되는 것으로, 세정조(11)에서 배수된 물(20)의 비저항을 측정한다. 측정되는 비저항 값이 클수록 물(20)이 오염되지 않았고, 금속 부재(1)도 오염되지 않은 것으로 추정된다. The resistivity measuring device 26 is disposed on the circulation channel 33 , and measures the resistivity of the water 20 drained from the washing tank 11 . It is estimated that the water 20 is not contaminated and the metal member 1 is not contaminated as the measured specific resistance value is larger.

펌프(22)는 순환 수로(33) 상에서 입자 계수기(24) 및 비저항 측정기(26)보다 하류에 배치된다. 다시 말해서, 상기 입자 계수기(24) 및 비저항 측정기(26)가 펌프(22)보다 상류에 배치된다. 상기 입자 계수기(24)와 비저항 측정기(26)가 펌프(22)보다 하류에 배치되면, 물(20)의 강한 수압과 와류로 인해 입자 계수기(24)의 계수 결과와 비저항 측정기(26)의 측정값의 신뢰성이 저하될 수 있기 때문이다. The pump 22 is disposed downstream of the particle counter 24 and the resistivity meter 26 on the circulation conduit 33 . In other words, the particle counter 24 and resistivity meter 26 are disposed upstream of the pump 22 . When the particle counter 24 and the resistivity meter 26 are disposed downstream of the pump 22, the result of the particle counter 24 and the measurement of the resistivity meter 26 due to the strong water pressure and eddy current of the water 20 This is because the reliability of the value may be deteriorated.

한편, 상기 마이크로 버블을 이용한 금속 부재(1)이 세정 작업은 금속 부재 세정 및 검사 장치(10)의 작동 초기에 약 10분 이내의 시간 동안 수행하는 것이 바람직하다. 초음파 진동과 마이크로 버블이 함께 작동하면 금속 부재(1) 표면의 세정 효과가 향상되어서 세정조(11)에 수용된 물(20)에 파티클이 증가하지만, 노즐(37)에서 물(20)과 함께 분사된 마이크로 버블이 세정조(11) 내에서 상승하면서 상기 파티클이 순환 수로(33)로 물(20)과 함께 배수되는 것을 방해할 수 있다. 이로 인해, 입자 계수기(24)에서 측정된 파티클 개수가 과소 측정될 수 있다. 다시 말해, 금속 부재(1)의 실제 세정 상태는 금속 부재 세정 및 검사 장치(10)를 통한 세정을 좀더 필요로 하는 상태인데, 입자 계수기(24)에서 측정된 파티클 개수에 따르면 깨끗하게 세정된 상태로 보이기 때문에 세정 작업을 종료할 수 있고, 이로 인해 금속 부재(1)가 불완전하게 세정될 수 있다. On the other hand, the cleaning operation of the metal member 1 using the microbubbles is preferably performed for about 10 minutes or less at the beginning of the operation of the metal member cleaning and inspection apparatus 10 . When ultrasonic vibration and microbubbles work together, the cleaning effect of the surface of the metal member 1 is improved, so that the particles are increased in the water 20 accommodated in the cleaning tank 11 , but the nozzle 37 is sprayed with the water 20 As the generated microbubbles rise in the washing tank 11 , it may prevent the particles from being drained together with the water 20 into the circulation channel 33 . Due to this, the number of particles measured by the particle counter 24 may be underestimated. In other words, the actual cleaning state of the metal member 1 is a state that requires more cleaning through the metal member cleaning and inspection device 10 , and according to the number of particles measured by the particle counter 24 , it is in a cleanly cleaned state. Because it is visible, the cleaning operation can be finished, which can cause the metal member 1 to be cleaned incompletely.

상기한 마이크로 버블로 인한 파티클 개수의 과소 평가를 막기 위하여, 구체적으로, 금속 부재(1)를 세정조(11)에 수용된 물(20)에 침잠시키고, 제1 밸브(41)를 열고 제2 밸브(42)를 닫아 물(20)이 마이크로 버블 발생기(32)를 통과하도록 설정한 후에, 초음파 진동기(16), 마이크로 버블 발생기(32), 및 펌프(22)를 작동시켜 금속 부재(1)를 세정하되, 작동 시작 후 수 분 내지 10분 이내에 제1 밸브(41)를 닫고 제2 밸브(42)를 열며 마이크로 버블 발생기(32)의 작동을 정지시켜서 물(20)이 마이크로 버블 발생기(32)를 통과하지 않고 세정조(11)로 유입되게 할 수 있다. In order to prevent underestimation of the number of particles due to the microbubbles, specifically, the metal member 1 is immersed in the water 20 accommodated in the cleaning tank 11 , the first valve 41 is opened, and the second valve After closing 42 to set the water 20 to pass through the microbubble generator 32, the ultrasonic vibrator 16, the microbubble generator 32, and the pump 22 are operated to remove the metal member 1 Washing, but closing the first valve 41 and opening the second valve 42 within a few minutes to 10 minutes after starting the operation to stop the operation of the microbubble generator 32, water 20 to the microbubble generator 32 It can be introduced into the washing tank 11 without passing through.

입자 필터(27)는 상기 순환 수로(33) 상에서 입자 계수기(24)보다 하류에 배치되는 것으로, 세정조(11)에서 배수된 물(20)에 포함된 파티클을 여과한다. 부연하면, 상기 입자 필터(27)를 통해서는 금속 부재(1) 표면에서 분리되었으나, 물(20)에 이온화되지 않은 입자(particle)가 여과된다. 상기 입자 필터(27)는 예컨대, 역삼투 필터일 수 있다. The particle filter 27 is disposed downstream of the particle counter 24 on the circulation channel 33 , and filters particles included in the water 20 drained from the washing tank 11 . In other words, particles separated from the surface of the metal member 1 but not ionized in the water 20 are filtered through the particle filter 27 . The particle filter 27 may be, for example, a reverse osmosis filter.

이온 교환기(30)는 상기 순환 수로(33) 상에서 입자 필터(27)보다 하류에 배치되는 것으로, 세정조(11)에서 배수된 물(20)에 포함된 이온(ion) 입자를 이온 교환 방식으로 흡착하여 상기 물(20)을 탈이온화한다. 상기 이온 교환기(30) 내부에는 이온 교환 수지 또는 이온 교환 막이 구비된다. The ion exchanger 30 is disposed downstream of the particle filter 27 on the circulation channel 33 , and ion exchanges the ion particles contained in the water 20 drained from the washing tank 11 in an ion exchange method. The water 20 is deionized by adsorption. An ion exchange resin or an ion exchange membrane is provided inside the ion exchanger 30 .

부연하면, 순환 수로(33)를 따라 물(20)이 입자 필터(27)를 통과하더라도 이온화되지 않은 입자만 물(20)에서 여과되고 이온(ion)과 같은 작고 전기적 극성을 갖는 입자는 제거되지 않게 된다. 이온 교환기(30)가 없다면, 입자 필터(27)를 통과하고 순환 수로(33)를 따라 세정조(11)에 다시 유입된 물(20)이 배수구(13)를 통해 순환 유로(33)로 다시 유입되어 비저항 측정기(26)를 통과하면서 비저항이 다시 측정될 때, 물(20)의 비저항이 이전에 측정된 비저항 값에 비해 감소되지 않거나 오히려 증가할 수 있다. 왜냐하면, 초음파 진동기(16)에 의해 세정조(11)에 수용된 물(20)이 진동하고, 마이크로 버블이 복수의 노즐(37)에서 분출되면서 물(20)이 금속 부재(1)의 표면 및 공기와 격렬하게 접촉하여 물(20)에 포함되는 이온의 개수가 증가되기 때문이다. In other words, even if the water 20 passes through the particle filter 27 along the circulation channel 33, only non-ionized particles are filtered out of the water 20, and small and electrically polarized particles such as ions are not removed. will not Without the ion exchanger 30 , the water 20 passed through the particle filter 27 and re-introduced into the washing tank 11 along the circulation passage 33 is returned to the circulation passage 33 through the drain hole 13 . When the specific resistance is measured again while flowing in and passing through the resistivity measuring device 26 , the specific resistance of the water 20 may not decrease or may rather increase compared to the previously measured resistivity value. Because the water 20 accommodated in the cleaning tank 11 is vibrated by the ultrasonic vibrator 16 , and microbubbles are ejected from the plurality of nozzles 37 , the water 20 is transferred to the surface of the metal member 1 and the air This is because the number of ions included in the water 20 is increased by intense contact with the water.

결과적으로, 작업자는 상기 측정된 비저항 값에 의해 금속 부재(1) 표면의 불순물(5)이 깨끗하게 제거되지 않은 것으로 간주하고 필요 이상으로 오랜 시간 동안 금속 부재 세정 및 검사 장치(10)를 작동시킬 수 있다. 심한 경우에는 순환 수로(33)를 통해 물(20)을 계속 순환시켜도 금속 부재(1)가 세정되지 않는다고 간주할 수도 있다. As a result, the operator considers that the impurities 5 on the surface of the metal member 1 are not cleanly removed by the measured resistivity value, and can operate the metal member cleaning and inspection device 10 for a longer time than necessary. there is. In severe cases, it may be considered that the metal member 1 is not cleaned even if the water 20 is continuously circulated through the circulation channel 33 .

바람직하게는, 금속 부재(1) 표면에서 불순물(5)이 제거된 효과를 입자 계수기(24) 및 비저항 측정기(26)를 통해 보다 빠르게 확인할 수 있도록, 세정조(11)에 일반적인 음용수나 공업용수 대신에 비저항 값이 1.0 내지 18.0 MΩ 인 탈이온수(deionized water)(20)가 투입될 수 있다. 탈이온수는 비저항이 매우 커서 도전성이 없는 물로서, 자체 불순물이 거의 없어 순수(純水)에 가까운 물이다. 따라서, 세정조(11)에 투입된 탈이온수(20)에 금속 부재(1)가 침잠된 상태에서 금속 부재 세정 및 검사 장치(10)를 작동시키면, 상기 금속 부재(1) 표면의 오염 정도만이 상기 입자 계수기(24) 및 비저항 측정기(26)에서 측정되는 측정값에 영향을 미친다. Preferably, in order to check the effect of removing impurities 5 from the surface of the metal member 1 more quickly through the particle counter 24 and the resistivity meter 26, the cleaning tank 11 is provided with general drinking water or industrial water. Instead, deionized water 20 having a specific resistance value of 1.0 to 18.0 MΩ may be introduced. Deionized water is non-conductive water with a very high specific resistance, and it is close to pure water because it has almost no impurities. Therefore, when the metal member cleaning and inspection apparatus 10 is operated in a state in which the metal member 1 is immersed in the deionized water 20 injected into the cleaning tank 11, only the degree of contamination on the surface of the metal member 1 is It affects the measured values measured by the particle counter 24 and the resistivity meter 26 .

상기 히터(17)는 세정조(11)에 수용된 물(20)을 가열한다. 세정조(11)에 수용된 물(20)의 온도가 높아지면 금속 부재(1) 표면의 불순물(5)에 열 에너지가 가해져서 금속 부재(1) 표면에서 불순물(5)의 분리가 촉진된다. 그러나, 상기 물(20)의 온도가 60℃ 보다 높으면 이온 교환기(30)의 이온 흡착 성능이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 세정조(11)에 수용되고 상기 순환 수로(33)를 통해 유동하는 물(20)의 온도는 히터(17)의 발열 제어를 통해 상온(常溫)보다 크거나 같고, 60℃ 보다 작거나 같게 유지되는 것이 바람직하다. The heater 17 heats the water 20 accommodated in the washing tank 11 . When the temperature of the water 20 accommodated in the cleaning tank 11 increases, thermal energy is applied to the impurities 5 on the surface of the metal member 1 to promote separation of the impurities 5 from the surface of the metal member 1 . However, when the temperature of the water 20 is higher than 60° C., the ion adsorption performance of the ion exchanger 30 may be deteriorated. Therefore, the temperature of the water 20 accommodated in the washing tank 11 and flowing through the circulation channel 33 is greater than or equal to room temperature through heat control of the heater 17, and less than 60° C. It is preferable to keep it the same.

도 3은 도 1의 금속 부재 세정 및 검사 장치를 이용한 금속 부재 세정 방법을 나타내는 플로우 차트이다. 도 1 내지 도 3을 함게 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 금속 부재 세정 방법은, 도 1에 도시된 금속 부재 세정 및 검사 장치(10)를 이용하여 금속 부재(1)의 표면에 결착된 불순물(5)을 상기 금속 부재(1)의 표면에서 분리 제거하는 방법이다. 상기 금속 부재 세정 방법은, 금속 부재 침잠 단계(S10), 불순물 분리 단계(S20), 배수 단계(S30), 입자 계수 단계(S40), 비저항 측정 단계(S50), 입자 여과 단계(S70), 탈이온화 단계(S80), 및 순환 급수 단계(S90)를 구비한다. FIG. 3 is a flowchart illustrating a metal member cleaning method using the metal member cleaning and inspection apparatus of FIG. 1 . 1 to 3 together, in the method for cleaning a metal member according to an embodiment of the present invention, the metal member cleaning and inspection apparatus 10 shown in FIG. 1 is used to bind to the surface of the metal member 1 This is a method of separating and removing impurities (5) from the surface of the metal member (1). The metal member cleaning method includes a metal member immersion step (S10), an impurity separation step (S20), a drainage step (S30), a particle counting step (S40), a specific resistance measurement step (S50), a particle filtering step (S70), a desorption step It includes an ionization step (S80), and a circulating water supply step (S90).

상기 금속 부재 침잠 단계(S10)는, 세정조(11)에 수용된 물(20)에 불순물(5)이 결착된 오염된 금속 부재(1)를 침잠시키는 단계이다. 상기 불순물 분리 단계(S20)는, 상기 불순물 분리 수단(16, 32)으로 상기 불순물(5)을 상기 금속 부재(1)의 표면에서 분리하여 미세한 파티클로 형성하고, 상기 파티클을 상기 세정조(11)에 수용된 물(20)에 혼합시키는 단계이다. 상기 배수 단계(S30)는 세정조(11)에 수용된 물(20)을 상기 세정조(11)에서 상기 순환 수로(33)로 배수하는 단계이다. The submerging of the metal member ( S10 ) is a step of submerging the contaminated metal member ( 1 ) in which the impurities ( 5 ) are bound in the water ( 20 ) accommodated in the cleaning tank ( 11 ). In the impurity separation step (S20), the impurities 5 are separated from the surface of the metal member 1 by the impurity separation means 16 and 32 to form fine particles, and the particles are removed in the cleaning tank 11 ) is a step of mixing with the water 20 accommodated in the. The draining step ( S30 ) is a step of draining the water 20 accommodated in the cleaning tank 11 from the cleaning tank 11 to the circulation channel 33 .

상기 입자(PN) 계수 단계(S40)는, 입자 계수기(24)를 이용하여 순환 수로(33)에 유입된 물(20)에 포함된 파티클을 단위 체적당 파티클 개수(PN)의 단위로 계수하는 단계이다. 상기 비저항(SR) 측정 단계(S50)는, 비저항 측정기(26)를 이용하여 순환 수로(33)에 유입된 물(20)의 비저항(SR)을 측정하는 단계이다. In the particle (PN) counting step (S40), the particles included in the water 20 introduced into the circulation channel 33 using the particle counter 24 are counted in units of the number of particles per unit volume (PN). is a step The specific resistance (SR) measuring step ( S50 ) is a step of measuring the specific resistance (SR) of the water 20 flowing into the circulation channel 33 using the resistivity measuring device 26 .

상기 입자 여과 단계(S70)는, 입자 필터(27)를 이용하여 순환 수로(33)에 유입된 물(20)에 포함된 파티클을 여과하는 단계이다. 탈이온화 단계(S80)는, 이온 교환기(30)를 이용하여 순환 수로(33)에 유입된 물(20)에 포함된 이온(ion)을 흡착하여 상기 물(20)을 탈이온화하는 단계이다. 순환 급수 단계(S90)는, 물(20)을 순환 수로(33)에서 세정조(11)로 다시 공급하는 단계이다. The particle filtering step ( S70 ) is a step of filtering particles included in the water 20 introduced into the circulation channel 33 using the particle filter 27 . The deionization step ( S80 ) is a step of deionizing the water 20 by adsorbing ions contained in the water 20 introduced into the circulation channel 33 using the ion exchanger 30 . The circulating water supply step ( S90 ) is a step of supplying the water 20 back to the washing tank 11 from the circulation water passage 33 .

본 발명의 실시예에 따른 금속 부재 세정 방법은, 상기 비저항 측정 단계(S50)와 입자 여과 단계(S70) 사이에 판별 단계(S60)를 더 구비한다. 상기 판별 단계(S60)는 상기 입자 계수 단계(S40)에서 계수된 단위 체적당 파티클의 개수(PN)가 미리 설정된 파티클 개수의 기준값(CR1)보다 작거나 같고, 상기 비저항 측정 단계(S50)에서 측정된 측정된 물(20)의 비저항(SR)이 미리 설정된 비저항 기준값(CR2)보다 크거나 같은지 판별하는 단계이다. The metal member cleaning method according to an embodiment of the present invention further includes a determining step (S60) between the resistivity measurement step (S50) and the particle filtering step (S70). In the determining step (S60), the number of particles (PN) per unit volume counted in the particle counting step (S40) is less than or equal to the reference value (CR1) of the preset number of particles, and the specific resistance measurement step (S50) is measured It is a step of determining whether the measured specific resistance (SR) of the water 20 is greater than or equal to a preset specific resistance reference value (CR2).

상기 CR1은 예를 들어, 상기 금속 부재 침잠 단계(S10)에 앞서서 상기 세정조(11)의 물(20)에 금속 부재(1)와 동종이며 깨끗하게 세정된 금속 부재를 침잠시키고 펌프(22)와 상기 불순물 분리 수단(16, 32)을 작동한 상태에서 입자 계수기(24) 에서 계수된 값으로 설정될 수 있다. 또한, 상기 CR2는 예를 들어, 상기 금속 부재 침잠 단계(S10)에 앞서서 상기 세정조(11)의 물(20)에 금속 부재(1)와 동종이며 깨끗하게 세정된 금속 부재를 침잠시키고 펌프(22)와 상기 불순물 분리 수단(16, 32)을 작동한 상태에서 비저항 측정기(26) 에서 계수된 값으로 설정될 수 있다.The CR1 is, for example, the same as the metal member 1 and the cleanly cleaned metal member is immersed in the water 20 of the washing tank 11 prior to the metal member submersion step (S10), and the pump 22 and It may be set to the value counted by the particle counter 24 while the impurity separation means 16 and 32 are operated. In addition, the CR2 is the same as the metal member 1 and cleanly immersed in the water 20 of the cleaning tank 11 prior to the immersion step (S10) of the metal member, for example, and a cleanly cleaned metal member is immersed in the pump 22 ) and the impurity separation means 16 and 32 may be set to the value counted by the resistivity meter 26 in the operating state.

상기 판별 단계(S60)에서, 상기 입자 계수기(24)에서 계수된 PN의 값이 상기 CR1보다 작거나 같고, 상기 비저항 측정기(26)에서 측정된 SR의 값이 상기 CR2보다 크거나 같으면, 상기 금속 부재(1)의 표면에서 불순물(5)이 깨끗하게 제거되었다고 간주할 수 있다. 따라서, 작업자는 금속 부재 세정 및 검사 장치(10)의 작동을 정지시켜 세정을 종료하고(S100), 금속 부재(1)를 세정조(11)에서 꺼낼 수 있다. In the determining step (S60), the value of PN counted by the particle counter 24 is less than or equal to CR1, and the value of SR measured by the resistivity measuring device 26 is greater than or equal to CR2, the metal It can be considered that the impurities 5 are cleanly removed from the surface of the member 1 . Accordingly, the operator can stop the operation of the metal member cleaning and inspection apparatus 10 to complete cleaning ( S100 ), and take out the metal member 1 from the cleaning tank 11 .

그러나, 상기 판별 단계(S60)에서 상기 PN이 상기 CR1보다 작거나 같은 제1 조건과, 상기 SR이 상기 CR2보다 크거나 같은 제2 조건 중 적어도 하나의 조건이 만족되지 않으면, 상기 S20, S30, S40, S50, S60, S70, S80, S90 단계는 순차적으로 반복 수행된다. 다시 말해서, 상기 제1 조건과 제2 조건이 모두 만족될 때까지 상기 S20, S30, S40, S50, S60, S70, S80, S90 단계는 순차적으로 반복 수행된다.However, if at least one of a first condition in which the PN is less than or equal to CR1 and a second condition in which the SR is greater than or equal to CR2 are not satisfied in the determining step (S60), the S20, S30, Steps S40, S50, S60, S70, S80, and S90 are sequentially and repeatedly performed. In other words, steps S20, S30, S40, S50, S60, S70, S80, and S90 are sequentially and repeatedly performed until both the first condition and the second condition are satisfied.

한편, 본 발명의 금속 부재 세정 방법은 도 3을 참조하여 이상에서 설명한 금속 부재 세정 방법에 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 금속 부재 세정 및 검사 장치에 비저항 측정기(26)(도 1 참조)와 이온 교환기(30)가 구비되지 않는 경우에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 부재 세정 방법은, 도 3을 참조하여 설명한 금속 부재 세정 방법과 유사하나, 상술한 비저항 측정 단계(S50) 및 탈이온화 단계(S80)를 구비하지 않는다. 이 경우에 상기 판별 단계(S60)에서는 상기 입자 계수 단계(S40)에서 계수된 단위 체적당 파티클의 개수(PN)가 미리 설정된 파티클 개수의 기준값(CR1)보다 작거나 같은지 여부, 즉 제1 조건의 만족 여부만을 판별한다. Meanwhile, the metal member cleaning method of the present invention is not limited to the metal member cleaning method described above with reference to FIG. 3 . Specifically, in the case where the resistivity measuring device 26 (see FIG. 1) and the ion exchanger 30 are not provided in the metal member cleaning and inspection apparatus, the metal member cleaning method according to another embodiment of the present invention is shown in FIG. It is similar to the metal member cleaning method described with reference, but does not include the resistivity measurement step S50 and the deionization step S80 described above. In this case, in the determining step (S60), whether the number of particles (PN) per unit volume counted in the particle counting step (S40) is less than or equal to the reference value (CR1) of the preset number of particles, that is, the first condition Only satisfaction is determined.

그리하여 상기 제1 조건이 만족되면 작업자는 금속 부재 세정 및 검사 장치의 작동을 정지시켜 세정을 종료하고(S100), 금속 부재(1)를 세정조에서 꺼낼 수 있다. 그러나, 상기 제1 조건이 만족되지 않으면, 상기 제1 조건이 만족될 때까지 상기 S20, S30, S40, S60, S70, S90 단계가 순차적으로 반복 수행된다. Thus, when the first condition is satisfied, the operator stops the operation of the metal member cleaning and inspection apparatus to end cleaning ( S100 ), and may take out the metal member 1 from the cleaning tank. However, if the first condition is not satisfied, steps S20, S30, S40, S60, S70, and S90 are sequentially and repeatedly performed until the first condition is satisfied.

이상에서 설명한 금속 부재 세정 및 검사 장치(10)를 이용하면, 금속 부재(1)의 표면에 결착된 불순물(5)을 분리함과 동시에 상기 불순물(5) 제거의 결과를 실시간으로 검사할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 다량의 세정 가스를 사용하여 금속 부재(1)를 세정한 후에 증착 작업하는 것에 비해 증착 작업의 소요 시간이 절감되어 생산성이 향상되고, 증착 제품의 생산 원가가 절감된다. If the metal member cleaning and inspection apparatus 10 described above is used, the impurities 5 bound to the surface of the metal member 1 can be separated and the result of the removal of the impurities 5 can be inspected in real time. . Accordingly, as compared to the conventional deposition operation after cleaning the metal member 1 using a large amount of cleaning gas, the time required for the deposition operation is reduced, thereby improving productivity and reducing the production cost of the deposition product.

또한, 상기 금속 부재 세정 및 검사 장치(10)를 이용한 금속 부재 세정 방법에 의하면, 금속 부재(1)의 세정 결과를 실시간으로 검사하여 검증된 금속 부재(1)만을 증착 챔버에 설치할 수 있으므로 증착 제품의 불량율이 저감되며, 별도의 세정 결과 검사 작업을 수행하지 않아도 되므로 생산성이 향상된다. In addition, according to the metal member cleaning method using the metal member cleaning and inspection apparatus 10, only the metal member 1 verified by inspecting the cleaning result of the metal member 1 in real time can be installed in the deposition chamber, so that the deposition product The defect rate is reduced, and productivity is improved because there is no need to perform a separate cleaning result inspection work.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, which is only exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be defined only by the appended claims.

1: 금속 부재 10: 금속 부재 세정 및 검사 장치
11: 세정조 16: 초음파 진동기
17: 히터 20: 탈이온수
22: 펌프 24: 입자 계수기
27: 입자 필터 30: 이온 교환기 1: metal member 10: metal member cleaning and inspection device
11: cleaning bath 16: ultrasonic vibrator
17: heater 20: deionized water
22: pump 24: particle counter
27: particle filter 30: ion exchanger

Claims (11)

금속 부재의 표면에 결착된 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리 제거함과 동시에 그 결과를 검사하는 장치로서,
상기 금속 부재가 침잠되는 액상(液狀)의 물(water)을 수용하는 세정조; 상기 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리하여 미세한 파티클(particle)로 형성하는 불순물 분리 수단; 상기 세정조에 수용된 물이 배수되면, 상기 배수된 물을 상기 세정조로 다시 유도하는 순환 수로; 상기 순환 수로 상에 배치된 것으로, 상기 세정조에서 배수된 물에 포함된 파티클을 단위 체적당 파티클 개수의 단위로 계수하는 입자 계수기; 상기 순환 수로 상에 상기 입자 계수기보다 하류에 배치된 것으로, 상기 세정조에서 배수된 물에 포함된 파티클을 여과하는 입자 필터; 상기 순환 수로 상에 배치된 것으로, 상기 세정조에서 배수된 물의 비저항을 측정하는 비저항 측정기; 상기 순환 수로 상에 배치된 것으로, 상기 물에 포함된 이온(ion) 입자를 흡착하여 상기 물을 탈이온화하는 이온 교환기; 및, 상기 세정조에 수용된 물이 상기 순환 수로를 통해 계속 순환하도록 상기 물을 펌핑(pumping)하는 것으로, 상기 순환 수로 상에 상기 입자 계수기 및 비저항 측정기보다 하류에 배치된 펌프(pump);를 구비하고,
상기 불순물 분리 수단은, 상기 순환 수로 상에 배치되어 상기 순환 수로를 통해 상기 세정조로 유입되는 물에 마이크로 버블(micro bubble)을 발생시키는 마이크로 버블 발생기를 구비하고,
상기 순환 수로는, 상기 세정조에서 배수된 물이 상기 마이크로 버블 발생기를 통과하도록 상기 마이크로 버블 발생기에 연결되는 메인 튜브(main tube), 및 상기 세정조에서 배수된 물이 상기 마이크로 버블 발생기를 통과하지 않고 상기 세정조로 다시 유입되도록 상기 메인 튜브에서 분기(分岐)된 서브 튜브(sub tube)를 구비하고,
상기 메인 튜브의 말단은 상기 세정조 내부로 연장되고, 상기 메인 튜브의 말단에는 상기 금속 부재의 아래에서 상기 세정조 내부로 마이크로 버블이 포함된 물을 분출하는 복수의 노즐이 설치되고,
상기 서브 튜브의 말단은 상기 세정조에 수용된 물의 수면보다 높게 위치하는 것을 특징으로 하는 금속 부재 세정 및 검사 장치. An apparatus for separating and removing impurities bound to the surface of the metal member from the surface of the metal member and simultaneously examining the result,
a washing tank accommodating liquid water in which the metal member is immersed; impurity separation means for separating the impurities from the surface of the metal member to form fine particles; a circulation channel for guiding the drained water back to the washing tank when the water contained in the washing tank is drained; a particle counter disposed on the circulation channel and counting particles included in the water drained from the washing tank in units of the number of particles per unit volume; a particle filter disposed downstream of the particle counter on the circulation channel and filtering particles included in the water drained from the washing tank; a resistivity measuring device disposed on the circulation channel and measuring the resistivity of water drained from the washing tank; an ion exchanger disposed on the circulation channel to deionize the water by adsorbing ion particles contained in the water; And, for pumping the water so that the water accommodated in the washing tank continues to circulate through the circulation channel, a pump disposed on the circulation channel downstream of the particle counter and the resistivity meter; and ,
The impurity separation means includes a microbubble generator disposed on the circulation channel to generate micro bubbles in the water flowing into the washing tank through the circulation channel,
The circulation channel includes a main tube connected to the microbubble generator so that the water drained from the washing tank passes through the microbubble generator, and the water drained from the washing tank does not pass through the microbubble generator and a sub tube branched from the main tube to flow back into the washing tank without
A distal end of the main tube extends into the washing tub, and a plurality of nozzles for ejecting water containing microbubbles into the washing tub from below the metal member are installed at the distal end of the main tube,
The metal member cleaning and inspection apparatus, characterized in that the end of the sub-tube is located higher than the water level contained in the cleaning tank. 제1 항에 있어서,
상기 불순물 분리 수단은, 상기 세정조에 수용된 물을 초음파 진동시켜 상기 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리하는 초음파 진동기를 구비하는 것을 특징으로 하는 금속 부재 세정 및 검사 장치. According to claim 1,
and the impurity separation means includes an ultrasonic vibrator that ultrasonically vibrates the water contained in the cleaning tank to separate the impurities from the surface of the metal member. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 세정조에 수용된 물은 비저항 1.0 내지 18.0 MΩ 의 탈이온수(deionized water)인 것을 특징으로 하는 금속 부재 세정 및 검사 장치.According to claim 1,
The metal member cleaning and inspection apparatus, characterized in that the water accommodated in the cleaning tank is deionized water having a specific resistance of 1.0 to 18.0 MΩ. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 세정조에 수용된 물을 가열하는 히터(heater);를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 금속 부재 세정 및 검사 장치. According to claim 1,
Metal member cleaning and inspection apparatus further comprising a; heater (heater) for heating the water accommodated in the cleaning tank. 제1 항 또는 제8 항에 있어서,
상기 세정조에 수용된 물의 온도는 상온(常溫)보다 크거나 같고, 60℃ 보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 금속 부재 세정 및 검사 장치. 9. The method of claim 1 or 8,
The temperature of the water accommodated in the cleaning tank is greater than or equal to room temperature, and less than or equal to 60 ° C. Metal member cleaning and inspection apparatus. 삭제delete 제1 항의 금속 부재 세정 및 검사 장치를 이용하여 금속 부재의 표면에 결착된 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리 제거하는 방법으로서,
상기 세정조에 수용된 물에 상기 금속 부재를 침잠시키는 금속 부재 침잠 단계; 상기 불순물 분리 수단으로 상기 불순물을 상기 금속 부재의 표면에서 분리하여 미세한 파티클로 형성하고, 상기 파티클을 상기 세정조에 수용된 물에 혼합시키는 불순물 분리 단계; 상기 세정조에 수용된 물을 상기 세정조에서 상기 순환 수로로 배수하는 배수 단계; 상기 입자 계수기를 이용하여 상기 순환 수로에 유입된 물에 포함된 파티클을 단위 체적당 파티클 개수의 단위로 계수하는 입자 계수 단계; 상기 비저항 측정기를 이용하여 상기 순환 수로에 유입된 물의 비저항을 측정하는 비저항 측정 단계; 상기 입자 필터를 이용하여 상기 순환 수로에 유입된 물에 포함된 파티클을 여과하는 입자 여과 단계; 상기 이온 교환기를 이용하여 상기 순환 수로에 유입된 물에 포함된 이온(ion)을 흡착하여 상기 물을 탈이온화하는 탈이온화 단계; 및, 상기 물을 상기 순환 수로에서 상기 세정조로 공급하는 순환 급수 단계;를 구비하고,
상기 불순물 분리 단계, 배수 단계, 입자 계수 단계, 비저항 측정 단계, 입자 여과 단계, 탈이온화 단계, 및 순환 급수 단계를 순차적으로 반복 수행하되, 상기 입자 계수 단계에서 계수된 단위 체적당 파티클의 개수가 미리 설정된 파티클 개수 기준값보다 작거나 같아지고, 상기 비저항 측정 단계에서 상기 물의 비저항이 미리 설정된 비저항 기준값보다 크거나 같아질 때까지 반복하는 것을 특징으로 하는 금속 부재 세정 방법.A method of separating and removing impurities bound to a surface of a metal member from a surface of the metal member using the metal member cleaning and inspection apparatus of claim 1,
a metal member immersion step of immersing the metal member in the water accommodated in the washing tank; an impurity separation step of separating the impurities from the surface of the metal member using the impurity separation means to form fine particles, and mixing the particles with water accommodated in the cleaning tank; a draining step of draining the water contained in the washing tank from the washing tank to the circulation channel; a particle counting step of counting particles included in the water introduced into the circulation channel in units of the number of particles per unit volume using the particle counter; a resistivity measuring step of measuring the resistivity of water flowing into the circulation channel using the resistivity measuring device; a particle filtering step of filtering particles included in the water introduced into the circulation channel using the particle filter; a deionization step of deionizing the water by adsorbing ions contained in the water introduced into the circulation channel using the ion exchanger; and a circulating water supply step of supplying the water from the circulation channel to the washing tank.
The impurity separation step, drainage step, particle counting step, specific resistance measurement step, particle filtration step, deionization step, and circulating water supply step are sequentially repeated, but the number of particles per unit volume counted in the particle counting step is preset The method for cleaning a metal member, characterized in that it is smaller than or equal to a preset particle count reference value, and repeating until the specific resistance of water in the specific resistance measurement step is greater than or equal to a preset specific resistance reference value.
KR1020190152732A 2019-11-25 2019-11-25 Apparatus for cleaning and examining metal member, and method for cleaning metal member using the same KR102373223B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190152732A KR102373223B1 (en) 2019-11-25 2019-11-25 Apparatus for cleaning and examining metal member, and method for cleaning metal member using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190152732A KR102373223B1 (en) 2019-11-25 2019-11-25 Apparatus for cleaning and examining metal member, and method for cleaning metal member using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210063973A KR20210063973A (en) 2021-06-02
KR102373223B1 true KR102373223B1 (en) 2022-03-11

Family

ID=76372862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190152732A KR102373223B1 (en) 2019-11-25 2019-11-25 Apparatus for cleaning and examining metal member, and method for cleaning metal member using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102373223B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200264743Y1 (en) * 2001-11-08 2002-02-21 동부전자 주식회사 Count type particle deposition apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3036990B2 (en) * 1992-08-28 2000-04-24 広島日本電気株式会社 Semiconductor substrate cleaning equipment
KR20060116482A (en) 2005-05-10 2006-11-15 삼성전자주식회사 Method of cleaning semiconductor manufacturing apparatus
KR20170063149A (en) * 2015-11-30 2017-06-08 재단법인 포항산업과학연구원 Device and method for cleaning surface of material
KR101988116B1 (en) * 2017-07-28 2019-06-11 명지대학교 산학협력단 Cleaning system and method using microbubbles

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200264743Y1 (en) * 2001-11-08 2002-02-21 동부전자 주식회사 Count type particle deposition apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210063973A (en) 2021-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010053300A (en) Method and apparatus for immersion treatment of semiconductor and other devices
TWI559426B (en) Real time liquid particle counter (lpc) end point detection system
JP2003234320A (en) Method, chemical liquid, and device for cleaning substrate, and semiconductor device
JP2010153615A (en) Microbubble generating device and silicon wafer cleaning device
JPH07273077A (en) Method and apparatus for rinsing wafer
US20180358241A1 (en) Substrate treating apparatus and methods
KR100202191B1 (en) Wet processing apparatus of semiconductor wafer
KR102373223B1 (en) Apparatus for cleaning and examining metal member, and method for cleaning metal member using the same
KR101435726B1 (en) Iron power suction device of working fluid for wirecut electric discharge machine
US6273107B1 (en) Positive flow, positive displacement rinse tank
US20140305471A1 (en) Reduced consumptions stand alone rinse tool having self-contained closed-loop fluid circuit, and method of rinsing substrates using the same
JP2014082513A5 (en)
KR20120117992A (en) Methods for analysis of water and substrates rinsed in water
JP2000173962A (en) Equipment and method for cleaning wafer
US6849865B1 (en) Chemical processor
KR100794585B1 (en) Apparatus and method for wet cleaning
JP4565867B2 (en) Ultrasonic cleaning equipment using electrolytic alkaline water
JP2008237605A (en) Bathtub washing apparatus
KR20110082730A (en) Apparatus and method for cleaning wafer
JPH05121392A (en) Treating tank for etching and the like
CN110871185A (en) Chemical agent cleaning method and chemical agent cleaning device
JP2003086561A (en) Substrate treatment apparatus
JP2018022714A (en) Cleaning method of wafer
KR101063039B1 (en) Wafer cleaning method with improved flow method and wafer cleaning tank for same
JP2000093906A (en) Apparatus for producing semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant