KR102370925B1

KR102370925B1 - 센서 회로 및 센서 장치

Info

Publication number: KR102370925B1
Application number: KR1020170111157A
Authority: KR
Inventors: 유야 카와사키
Original assignee: 미쓰미덴기가부시기가이샤
Priority date: 2016-09-29
Filing date: 2017-08-31
Publication date: 2022-03-07
Also published as: TWI736678B; US20180088218A1; CN107884065B; US10302748B2; TW201814724A; JP2018054513A; JP6795758B2; CN107884065A; KR20180035667A

Abstract

(과제)
센서 회로의 칩 면적의 사용 효율의 향상.
(해결 수단)
주위광의 조도를 검출하는 조도 센서와, 발광 소자를 구동하고, 상기 발광 소자로부터 방사되는 광이 물체에서 반사함으로써 도래하는 반사광의 광 강도에 기초하여 상기 물체의 근접을 검출하는 근접 센서를 구비한 센서 회로로서, 상기 발광 소자를 구동하는 신호의 출력에 사용되는 구동 단자와, 상기 조도 센서와 상기 근접 센서의 적어도 일방의 검출 결과의 출력에 사용되는 검출 결과 출력 단자와, 소정의 통신 규격의 데이터의 입출력에 사용되는 데이터 입출력 단자와, 상기 통신 규격의 클록의 입력에 사용되는 클록 단자 중 적어도 하나의 단자를 구비함과 아울러, 상기 센서 회로의 특성의 개체차 불균일을 보정하기 위한 트리밍 데이터를 기입 가능한 불휘발성 메모리를 구비하고, 상기 적어도 하나의 단자로부터 입력되는 상기 트리밍 데이터가 상기 불휘발성 메모리에 기입되는 센서 회로.

Description

센서 회로 및 센서 장치{SENSOR CIRCUIT AND SENSOR DEVICE}

본 발명은 센서 회로 및 센서 장치에 관한 것이다.

종래, 조도 센서로서의 기능과 근접 센서로서의 기능을 가지고, 제조 불균일에 기인하는 조도 측정의 어긋남과 근접 측정의 어긋남의 양쪽을 조정 가능한 센서 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조). 이 센서 장치는 트리밍 신호 입력 단자와, 트리밍 조정 회로를 구비한다. 이 트리밍 조정 회로는 센서 장치 외부로부터 트리밍 신호 입력 단자에 입력되는 트리밍 신호에 기초하여 수광 검출 회로의 수광 감도나 발광 소자 구동 회로의 구동 전류량을 조정한다.

일본 특개 2011-209236호 공보

그러나 종래기술의 트리밍 신호 입력 단자는 트리밍 전용의 단자이며, 트리밍 완료 후에 사용되지 않는 단자이기 때문에, 반도체 집적 회로의 칩 면적이 그다지 효율적으로 사용되고 있지 않다.

그래서 본 개시는 칩 면적의 사용 효율을 향상시킨 센서 회로 및 센서 장치의 제공을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 개시의 하나의 태양에서는,

주위광의 조도를 검출하는 조도 센서와,

발광 소자를 구동하고, 상기 발광 소자로부터 방사되는 광이 물체에서 반사함으로써 도래하는 반사광의 광 강도에 기초하여 상기 물체의 근접을 검출하는 근접 센서를 구비한 센서 회로로서,

상기 발광 소자를 구동하는 신호의 출력에 사용되는 구동 단자와, 상기 조도 센서와 상기 근접 센서의 적어도 일방의 검출 결과의 출력에 사용되는 검출 결과 출력 단자와, 소정의 통신 규격의 데이터의 입출력에 사용되는 데이터 입출력 단자와, 상기 통신 규격의 클록의 입력에 사용되는 클록 단자 중 적어도 하나의 단자를 구비함과 아울러,

상기 센서 회로의 특성의 개체차 불균일을 보정하기 위한 트리밍 데이터를 기입 가능한 불휘발성 메모리를 구비하고,

상기 적어도 하나의 단자로부터 입력되는 상기 트리밍 데이터가 상기 불휘발성 메모리에 기입되는 센서 회로가 제공된다.

본 개시의 하나의 태양에 의하면, 상기 트리밍 데이터를 입력하기 위한 전용의 단자가 불필요하게 되므로, 센서 회로의 칩 면적의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.

도 1은 센서 장치의 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 트리밍 데이터가 기입되는 불휘발성 메모리의 셀 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 센서 회로의 트리밍 모드시의 단자 기능의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는 통상 모드로부터 트리밍 모드로 이행하는 경우의 일례를 나타내는 타이밍차트이다.
도 5는 근접 센서에 의해 검출된 광 강도를 보정하는 광 강도 보정 회로의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 센서 장치가 당해 센서 장치를 사용하는 전자 기기에 탑재된 형태의 일례를 나타내는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 따라 설명한다.

도 1은 센서 장치의 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 센서 장치(200)는 물체의 근접과 주위광의 조도의 양쪽을 센싱 가능한 센서 장치의 일례이다. 센서 장치(200)는 발광 소자(11)와, 센서 회로(100)를 구비한다. 센서 장치(200)는 예를 들면 발광 소자(11)와 센서 회로(100)를 수지 등의 피복부로 패키지한 모듈품이다. 센서 장치(200)는 예를 들면 스마트폰 등의 휴대형 정보 기기에 탑재된다.

센서 회로(100)는 물체의 근접과 주위광의 조도의 양쪽을 센싱 가능한 센서 회로의 일례이다. 센서 회로(100)는 예를 들면 칩 상에 형성된 반도체 집적 회로이다. 센서 회로(100)의 구체예로서 패키지되어 있지 않은 베어 칩을 들 수 있다.

센서 회로(100)는 조도 센서(20), 근접 센서(30), 데이터 레지스터(63), 판정 회로(40)를 구비한다. 또한 이하의 설명에 있어서 조도 센서(Ambient Light Sensor)를 「ALS」, 근접 센서(Proximity Sensor)를 「PS」라고 줄이는 경우가 있다.

조도 센서(20)는 가시광에 감도를 가지는 ALS용 수광 소자를 가지고, 조도 센서(20) 주위로부터 도래하는 주위광을 ALS용 수광 소자로 수광한다. 그리고 조도 센서(20)는 ALS용 수광 소자로 수광한 주위광의 조도를 검출하고, 검출한 조도에 대응하는 아날로그의 조도 검출 데이터를 AD(Analog-to-digital) 변환한다. 그리고 조도 센서(20)는 AD 변환 후의 디지털의 조도 검출 데이터를 출력한다. 디지털의 조도 검출 데이터는 ALS용의 데이터 레지스터(63)에 격납된다.

판정 회로(40)는 예를 들면 ALS용의 데이터 레지스터(63)에 격납된 조도 검출 데이터가 소정의 하이 레벨측 역치보다 큰 것이 검출된 경우, 검출 결과 출력 단자 INT의 레벨을 액티브 레벨(예를 들면, 로우 레벨)로 변경한다. 또는 판정 회로(40)는 예를 들면 ALS용의 데이터 레지스터(63)에 격납된 조도 검출 데이터가 소정의 로우 레벨측 역치보다 작은 것이 검출된 경우, 검출 결과 출력 단자 INT의 레벨을 액티브 레벨(예를 들면, 로우 레벨)로 변경한다. 판정 회로(40)는 검출 결과 출력 단자 INT의 레벨을 액티브 레벨로 변경한 후에 소정의 리셋 조건이 성립한 경우, 검출 결과 출력 단자 INT의 레벨을 비액티브 레벨(예를 들면, 하이 레벨)로 변경한다.

근접 센서(30)는 발광 펄스(12)가 발광 소자(11)로부터 방사되도록 발광 소자(11)를 구동하고, 발광 소자(11)로부터 방사되는 발광 펄스(12)가 물체에서 반사함으로써 도래하는 반사광(13)을 PS용 수광 소자로 수광한다. 그리고 근접 센서(30)는 PS용 수광 소자로 수광한 반사광(13)의 광 강도를 검출하고, 검출한 광 강도에 대응하는 아날로그의 광 강도 검출 데이터를 AD 변환한다. 그리고 근접 센서(30)는 AD 변환 후의 디지털의 광 강도 검출 데이터를 출력한다. 디지털의 광 강도 검출 데이터는 PS용의 데이터 레지스터(63)에 격납된다.

판정 회로(40)는 예를 들면 PS용의 데이터 레지스터(63)에 격납된 광 강도 검출 데이터가 소정의 하이 레벨측 역치보다 큰 것이 검출된 경우, 검출 결과 출력 단자 INT의 레벨을 액티브 레벨(예를 들면, 로우 레벨)로 변경한다. 또는 판정 회로(40)는 예를 들면 PS용의 데이터 레지스터(63)에 격납된 광 강도 검출 데이터가 소정의 로우 레벨측 역치보다 작은 것이 검출된 경우, 검출 결과 출력 단자 INT의 레벨을 액티브 레벨(예를 들면, 로우 레벨)로 변경한다. 판정 회로(40)는 검출 결과 출력 단자 INT의 레벨을 액티브 레벨로 변경한 후에 소정의 리셋 조건이 성립한 경우, 검출 결과 출력 단자 INT의 레벨을 비액티브 레벨(예를 들면, 하이 레벨)로 변경한다.

이와 같이 근접 센서(30)는 PS용 수광 소자로 수광한 반사광(13)의 광 강도에 기초하여 당해 물체의 근접을 검출한다. 근접 센서(30)가 근접을 검출하는 대상물에는 인체의 전부 또는 부분(예를 들면, 손, 손가락, 얼굴 등)이 포함된다.

발광 소자(11)의 구체예로서 발광 다이오드 등을 들 수 있다. 발광 소자(11)는 예를 들면 적외선의 발광 펄스(12)를 출력한다. 도 1은 발광 소자(11)가 센서 장치(200) 내부에서 센서 회로(100)에 외부 부착으로 접속되어 있는 형태를 나타내는데, 발광 소자(11)는 근접 센서(30)에 내장되어도 된다. 또 도 1은 발광 다이오드의 캐소드가 근접 센서(30)에 접속되어, 근접 센서(30)가 발광 다이오드로부터 전류를 빨아들여 구동하는 형태를 나타낸다. 그러나 발광 다이오드의 애노드가 근접 센서(30)에 접속되어, 근접 센서(30)가 발광 다이오드에 전류를 흘려내어 구동하는 형태도 생각된다.

ALS용 수광 소자 또는 PS용 수광 소자의 구체예로서 포토다이오드를 들 수 있다. 수광 소자는 조도 센서(20)와 근접 센서(30)에서 공용되어도 된다.

센서 회로(100)는 센서 회로(100) 또는 센서 장치(200)의 특성의 개체 불균일을 보정하기 위한 트리밍 데이터를 기입 가능한 NVM(Non-Volatile Memory) 블록(70)을 구비한다. NVM 블록(70)은 예를 들면 한번 기입된 데이터를 지울 수 없는 원 타임 프로그래머블한 불휘발성 메모리이다. 센서 회로(100)는 웨이퍼 출하 상태에서 조도 센서(20)의 조도 검출 감도의 조정과 근접 센서(30)의 광 강도 검출 감도의 조정이 가능하다(상세 후술).

NVM 블록(70)으로의 액세스는 포인터 어드레스에서 트리밍 모드 레지스터(61)를 지정함으로써 가능하게 된다. 트리밍 모드 레지스터(61)는 NVM 블록(70)으로의 트리밍 데이터의 기입을 실행하기 위한 트리밍 모드를 지정하는 레지스터이다. 기입 제어 회로(50)는 트리밍 모드 레지스터(61)가 액세스된 시점(포인터 레지스터에 트리밍 모드 레지스터(61)의 어드레스가 기입된 시점)에서 통상 모드로부터 트리밍 모드로 전환한다. 하나 또는 복수의 소정의 단자로부터 트리밍 데이터가 입력되어 트리밍이 실행된다. NVM 블록(70)에 기입된 트리밍 데이터는 센서 회로(100)의 전원 투입시에 독출 논리 회로(60)에 의해 자동적으로 독출되고, 트리밍 레지스터(62)에 격납된다.

도 2는 트리밍 데이터가 기입되는 불휘발성 메모리의 셀 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 도 2는 NVM 블록(70)의 셀 구성의 일례를 나타낸다. NVM 블록(70)은 복수(예를 들면, 9개)의 셀을 가지고, 각 셀에 ALS 감도 조정, PS 감도 조정, 기입 방지 기능이 할당되어 있다. 도 2의 경우, 셀 번호 1~4의 셀에는 조도 센서(20)의 조도 검출 감도의 개체차 불균일을 조정하기 위한 트리밍 데이터가 기입된다. 셀 번호 5~8의 셀에는 근접 센서(30)의 광 강도 검출 감도의 개체차 불균일을 조정하기 위한 트리밍 데이터가 기입된다. 셀 번호 9의 셀에는 제품 출하 후에 있어서 유저에 의한 NVM 블록(70)으로의 오기입을 방지하기 위해서, 트리밍 모드로의 이행을 불가로 하기 위한 기입 금지 비트가 기입된다.

도 3은 센서 회로의 트리밍 모드시의 단자 기능의 일례를 나타내는 도면이다. 센서 회로(100)는 6개의 단자를 구비한다. 전원 단자 VDD는 전원의 정극측이 접속되는 단자이며, 그라운드 단자 GND는 전원의 부극측이 접속되는 단자이다. 구동 단자 IRDR는 통상 동작시 근접 센서(30)가 발광 소자(11)를 구동하는 신호의 출력에 사용된다. 검출 결과 출력 단자 INT는 통상 동작시 조도 센서(20)와 근접 센서(30)의 적어도 일방의 검출 결과의 출력에 사용된다. 입출력 단자 SDA는 통상 동작시 소정의 통신 규격의 데이터의 입출력에 사용된다. 클록 단자 SCL는 통상 동작시 소정의 통신 규격의 클록의 입력에 사용된다. 소정의 통신 규격의 구체예로서 I²C 등을 들 수 있다. 또한 「통상 동작시」는 「통상 모드시」와 동의이다.

기입 제어 회로(50)는 트리밍 모드 레지스터(61)가 액세스된 시점(포인터 레지스터에 트리밍 모드 레지스터(61)의 어드레스가 기입된 시점)에서, 통상 모드로부터 트리밍 모드로 전환한다. 전원 단자 VDD는 트리밍 모드시 프로그래밍용 전원 단자 VDDP로서 사용된다. 클록 단자 SCL는 트리밍 모드시 플로팅 단자가 된다. 구동 단자 IRDR는 트리밍 모드시 프로그래밍용 펄스 인가 단자로서 사용된다. 검출 결과 출력 단자 INT는 프로그래밍용 클록 인가 단자로서 사용된다. 입출력 단자 SDA는 프로그래밍용 리셋 인가 단자로서 사용된다. 또한 「프로그래밍용」은 「기입용」과 동의이다.

도 1에 있어서, 기입 제어 회로(50)는 통상 모드에 있어서 클록 단자 SCL로부터 입력되는 클록과 입출력 단자 SDA로부터 입력되는 소정의 기입 이행 지령 신호에 기초하여 소정의 단자에 NVM 블록(70)을 접속시킨다. 예를 들면 기입 제어 회로(50)는 스위치 회로(80)와 멀티플렉서 회로(85)를 제어함으로써, 4개의 단자 IRDR, INT, SDA, SCL 중 트리밍 데이터의 입력 단자로서 미리 정해진 하나 또는 복수의 단자에 NVM 블록(70)을 접속한다.

스위치 회로(80)는 스위치(81~84)를 포함한다. 스위치(81~84)는 4개의 단자와 NVM 블록(70) 사이의 접속의 온과 오프를 단자마다 전환한다. 멀티플렉서 회로(85)는 4개의 멀티플렉서(MUX)(86~89)를 포함한다. MUX(86~89)는 NVM 블록(70)의 접속처를 독출 논리 회로(60)와 4개의 단자의 어느 일방에 단자마다 전환한다.

도 4는 통상 모드로부터 트리밍 모드로 이행하는 경우의 일례를 나타내는 타이밍차트이다.

기입 제어 회로(50)는 통상 모드에 있어서 클록 단자 SCL로부터 입력되는 클록과 입출력 단자 SDA로부터 입력되는 소정의 기입 이행 지령 신호에 기초하여 스위치(81~83)를 온시키고, 스위치(84)를 오프시키며, MUX(86~88)를 전환한다. 이것에 의해 단자 IRDR, INT, SDA는 NVM 블록(70)에 접속되는데, 트리밍 모드로 사용되지 않는 단자 SCL는 NVM 블록(70)에 접속되는 것을 방지할 수 있다.

기입 제어 회로(50)는 트리밍 모드시 단자 CLOCK(단자 INT)가 로우 레벨의 상태에서 단자 RESET(단자 SDA)가 하이 레벨로부터 로우 레벨에 천이한 경우, NVM 블록(70) 내의 셀 번호 1의 셀을 기입 가능한 셀로서 선택한다. 기입 제어 회로(50)는 단자 RESET가 로우 레벨로부터 하이 레벨로 천이한 후의 상태에 있어서, 단자 CLOCK의 상승 에지일 때마다 NVM 블록(70) 내의 다음의 셀 번호의 셀을 기입 가능한 셀로서 승순으로 선택한다. 기입 제어 회로(50)에 의해 셀이 선택된 상태에서 단자 PULSE(단자 IRDR)가 하이 레벨일 때, 그 선택된 셀에 트리밍 데이터가 기입된다.

도 1에 있어서 독출 논리 회로(60)는 전원 투입시에 NVM 블록(70)에 기입된 트리밍 데이터를 독출할 때, 멀티플렉서 회로(85)의 MUX(86~89)를 제어함으로써, 자신을 NVM 블록(70)과 접속한다. 독출 논리 회로(60)는 NVM 블록(70)과 접속된 상태에서, 트리밍 데이터를 트리밍 레지스터(62)에 격납한다. 조도 센서(20)의 조도 검출 감도와 근접 센서(30)의 광 강도 검출 감도는 트리밍 레지스터(62)에 격납된 트리밍 데이터에 따라 조정된다.

여기서 NVM 블록(70)은 기입시 및 독출시에만 액티브하다. 그래서 기입 제어 회로(50)는 기입 완료 후에 스위치(71)를 오프시킨다. 또는 독출 논리 회로(60)는 독출 완료 후에 스위치(71)를 오프시킨다. 이것에 의해 NVM 블록(70)은 비액티브가 되고, NVM 블록(70)으로의 전원 공급은 차단되므로, 센서 회로(100)의 소비 전력을 저감하는 것이 가능하게 된다.

또 본 실시형태에 의하면 웨이퍼 상태(센서 회로(100)의 상태)에서는 단자 IRDR, INT, SDA, SCL의 어느 하나를 사용하여, NVM 블록(70)의 기입이 가능하게 된다. 또 센서 장치(200)의 외부 단자와 센서 회로(100)의 단자가 접속되어 있는 경우, 조립 후의 모듈 상태(센서 장치(200)의 상태)에서도 NVM 블록(70)의 기입이 각 외부 단자로부터 가능하게 된다. 센서 장치(200)는 외부 단자 IRDR1, IRDR2, INT1, SDA1, SCL1, VDD1, GND1을 구비한다. 센서 장치(200)의 각 외부 단자는 도시와 같이 센서 회로(100)의 각 단자에 접속되어 있다. 센서 장치(200)의 각 외부 단자는 센서 회로(100) 및 발광 소자(11)를 피복하는 피복부(201)(도 6 참조)에 피복되지 않고 노출되어 있다.

또 기입 제어 회로(50)는 기입 금지 비트가 최후의 셀 번호 9(도 2 참조)의 셀에 기입되어 있는 경우, 스위치 회로(80)를 비액티브로 고정함으로써, 단자 IRDR, INT, SDA, SCL를 경유하는 데이터 기입을 금지할 수 있다.

도 5는 근접 센서에 의해 검출된 광 강도를 보정하는 광 강도 보정 회로의 일례를 나타내는 도면이다. 도 6은 센서 장치가 당해 센서 장치를 사용하는 전자 기기에 탑재된 형태의 일례를 나타내는 도면이다.

도 6에 있어서 센서 장치(200)는 전자 기기의 기판(300)에 실장되고, 당해 전자 기기의 커버 유리(301)에 의해 덮인다. 발광 소자(11)로부터 출사된 발광 펄스(12)는 커버 유리(301)를 투과하여, 커버 유리(301)의 외측의 물체(15)에서 반사하고, 반사광으로서 센서 회로(100)의 수광 소자로 수광된다. 이 때, 발광 소자(11)로부터 출사된 발광 펄스(12)가 커버 유리(301)의 내측에서 반사하고, 그 반사광(14)이 수광 소자에 입력되는 현상(광학 크로스 토크)이 발생하는 경우가 있다. 광학 크로스 토크가 발생하면, AD 변환 후의 디지털의 광 강도 검출 데이터에는 정의 오프셋이 부하되기 때문에 근접 정도의 검출 정밀도가 저하한다.

그래서 센서 회로(100)는 AD 변환 후의 디지털의 광 강도 검출 데이터에 부의 오프셋을 부가하는 감산 회로(65)를 구비한다. 감산 회로(65)는 AD 변환 후의 디지털의 광 강도 검출 데이터로부터 오프셋 캔슬 레지스터(64)에 격납된 데이터를 감산한다. 이것에 의해 광학 크로스 토크가 발생해도, 감산 회로(65)는 AD 변환 후의 디지털의 광 강도 검출 데이터에 대하여 부의 오프셋을 부가할 수 있기 때문에, AD 변환 후의 디지털의 광 강도 검출 데이터의 정밀도가 높아진다. 즉 광학 크로스 토크의 영향을 저감할 수 있다.

또한 근접 센서 아날로그부(31)는 예를 들면 수광 소자와, 수광 소자로부터 출력되는 전류를 전압으로 변환하는 전류-전압 변환 회로와, 전류-전압 변환 회로의 출력 전압을 증폭하는 증폭기를 포함한다. AD 컨버터(32)는 당해 증폭기로부터 출력되는 아날로그의 광 검출 데이터를 디지털의 광 검출 데이터로 변환한다.

이상, 센서 회로 및 센서 장치를 실시형태에 의해 설명했는데, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시형태의 일부 또는 전부와의 조합이나 치환 등의 각종 변형 및 개량이 본 발명의 범위 내에서 가능하다.

예를 들면 수광 소자는 포토다이오드 이외의 다른 광전 소자여도 되고, 예를 들면 포토트랜지스터여도 된다.

또 센서 회로 또는 센서 장치가 탑재되는 제품은 휴대형 정보 기기 이외의 다른 제품이어도 되고, 예를 들면 자동차나 가전 기기 등이어도 된다.

또 감지 대상의 물체는 손 또는 손가락 등의 인체의 일부에 한정되지 않고, 조작봉 또는 터치펜 등의 조작 입력 보조구여도 된다.

11…발광 소자
12…발광 펄스
13, 14…반사광
15…물체
20…조도 센서
30…근접 센서
50…기입 제어 회로
65…감산 회로
70…NVM 블록
100…센서 회로
200…센서 장치
201…피복부
301…커버 유리
IRDR…구동 단자
INT…검출 결과 출력 단자
SDA…입출력 단자
SCL…클록 단자

Claims

주위광의 조도를 검출하는 조도 센서와,
발광 소자를 구동하고, 상기 발광 소자로부터 방사되는 광이 물체에서 반사함으로써 도래하는 반사광의 강도에 기초하여 상기 물체의 근접을 검출하는 근접 센서를 구비한 센서 회로로서,
상기 발광 소자를 구동하는 신호의 출력에 사용되는 구동 단자와, 상기 조도 센서와 상기 근접 센서의 적어도 일방의 검출 결과의 출력에 사용되는 검출 결과 출력 단자와, 제1 모드에서 정해진 통신 규격의 데이터의 입출력에 사용되는 입출력 단자와, 상기 통신 규격의 클록의 입력에 사용되는 클록 단자 중 적어도 하나의 단자와,
상기 센서 회로의 특성의 개체차 불균일을 보정하기 위한 트리밍 데이터를 기입 가능한 불휘발성 메모리와,
전원 단자와,
상기 전원 단자와 상기 불휘발성 메모리 사이에 삽입된 스위치와,
상기 제1 모드와는 다른 제2 모드에서 상기 입출력 단자의 상태에 기초하여 상기 트리밍 데이터를 상기 불휘발성 메모리에 기입하는 기입 제어 회로와,
상기 트리밍 데이터를 상기 불휘발성 메모리로부터 독출하는 독출 논리 회로를 구비하고,
상기 기입 제어 회로는 상기 트리밍 데이터를 상기 불휘발성 메모리로 기입할 때에 상기 스위치를 온하고, 상기 트리밍 데이터를 상기 불휘발성 메모리로의 기입이 완료된 후에 스위치를 오프하고,
상기 독출 논리 회로는 상기 트리밍 데이터를 상기 불휘발성 메모리로부터 독출할 때에 상기 스위치를 온하고, 상기 트리밍 데이터를 상기 불휘발성 메모리로부터의 독출이 완료된 후에 상기 스위치를 오프하고,
상기 스위치의 오프에 의해, 상기 불휘발성 메모리로의 전원 공급은 차단되고,
상기 적어도 하나의 단자 중 상기 입출력 단자가 아닌 단자로부터 입력되는 상기 트리밍 데이터가 상기 불휘발성 메모리에 기입되는 것을 특징으로 하는 센서 회로.
제 1 항에 있어서,
상기 구동 단자는 상기 제1 모드에서 상기 발광 소자를 구동하는 신호의 출력에 사용되는 단자이고,
상기 검출 결과 출력 단자는 상기 제1 모드에서 상기 검출 결과의 출력에 사용되는 단자이고,
상기 기입 제어 회로는, 상기 제2 모드에서, 상기 검출 결과 출력 단자가 소정의 상태로 상기 입출력 단자의 레벨이 천이한 경우, 상기 검출 결과 출력 단자와 상기 구동 단자의 상태에 응하여 상기 트리밍 데이터를 상기 불휘발성 메모리에 기입하는 것을 특징으로 하는 센서 회로.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 센서 회로와,
상기 센서 회로를 피복하는 피복부와,
상기 적어도 하나의 단자에 접속되는 하나 또는 복수의 외부 단자를 구비하고, 상기 하나 또는 복수의 외부 단자는 상기 피복부에 의해 피복되지 않고 노출되는 것을 특징으로 하는 센서 장치.