KR102362770B1 - 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102362770B1
KR102362770B1 KR1020150023968A KR20150023968A KR102362770B1 KR 102362770 B1 KR102362770 B1 KR 102362770B1 KR 1020150023968 A KR1020150023968 A KR 1020150023968A KR 20150023968 A KR20150023968 A KR 20150023968A KR 102362770 B1 KR102362770 B1 KR 102362770B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
layer
alignment
display device
Prior art date
Application number
KR1020150023968A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150101930A (ko
Inventor
이형철
김장일
서오성
윤여건
허수정
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to US14/632,395 priority Critical patent/US9720283B2/en
Publication of KR20150101930A publication Critical patent/KR20150101930A/ko
Priority to US15/645,214 priority patent/US11079632B2/en
Priority to US17/375,354 priority patent/US11586074B2/en
Priority to KR1020220016891A priority patent/KR102476395B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102362770B1 publication Critical patent/KR102362770B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/38—Polymers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

곡면형 표시 장치는 제1 기판, 제2 기판, 액정층, 제1 배향막, 제2 배향막을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과 대향한다. 상기 액정층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 형성되고, 액정 분자들을 포함한다. 상기 제1 배향막은 중합된 반응성 메조겐들을 포함하고, 상기 제1 기판 및 상기 액정층 사이에 형성된다. 상기 제2 배향막은 상기 액정층 및 상기 제2 기판 사이에 형성된다. 상기 반응성 메조겐은 전하를 갖는 기능기를 포함한다. 상기 곡면형 표시 장치에 의하면, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

Description

곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법{CURVED DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF CURVED DISPLAY DEVICE}
본 발명은 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로 보다 구체적으로 복수 개의 도메인이 정의된 화소를을 포함하는 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
평판형 표시 장치는 TV, 모니터, 노트북 및 휴대폰 등 다양한 정보 처리 장치들에 영상을 표시하는 용도로 사용되고 있다. 최근에는 휘어진 형상을 갖는 곡면형 표시 장치가 개발되고 있는데, 상기 곡면형 표시 장치는 표시 곡면의 형상을 갖는 표시 영역을 제공하여 사용자에게 입체감, 몰입감 및 임장감이 향상된 영상을 제공할 수 있다.
본 발명의 목적은 표시 품질이 향상된 곡면형 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 표시 품질이 향상된 곡면형 표시 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치는 제1 기판, 제2 기판, 액정층, 제1 배향막, 제2 배향막을 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과 대향한다. 상기 액정층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 형성되고, 액정 분자들을 포함한다. 상기 제1 배향막은 중합된 반응성 메조겐들을 포함하고, 상기 제1 기판 및 상기 액정층 사이에 형성된다. 상기 제2 배향막은 상기 액정층 및 상기 제2 기판 사이에 형성된다. 상기 반응성 메조겐은 전하를 갖는 기능기를 갖는다.
상기 곡면형 표시 장치는 플렉서블한 것일 수 있다.
상기 기능기는 양전하를 갖는 것일 수 있다.
상기 기능기는 알칼리 금속 이온을 포함하는 것일 수 있다.
상기 기능기는 음전하를 갖는 것일 수 있다.
상기 기능기는 할로젠 이온을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판은 제1 베이스 기판; 상기 제1 베이스 기판 상에 형성되는 컬러 필터 및 상기 제1 베이스 기판 상에 형성되는 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조방법은 제1 기판을 제공하는 단계, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판을 제공하는 단계, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에, 액정 분자들 및 전하를 갖는 기능기를 갖는 반응성 메조겐들을 포함하는 액정 조성물을 제공하는 단계 및 상기 액정 조성물에 광과 전계를 제공하여 상기 제1 기판 상에 제1 배향 형성층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조방법은 상기 제1 기판과 연결되는 제1 전극부 및 상기 제2 기판과 연결되는 제2 전극부를 포함하는 전원부를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 기능기는 양전하를 갖는 것일 수 있다.
상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극부에 제1 전압을 인가하고, 상기 제2 전극부에 제1 전압보다 높은 제2 전압을 인가하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극부에 음 전압을 인가하고, 상기 제2 전극부를 접지하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극부를 접지하고, 상기 제2 전극부에 양 전압을 인가하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기능기는 알칼리 금속 이온을 포함할 수 있다.
상기 기능기는 음전하를 갖는 것일 수 있다.
상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극부에 제3 전압을 인가하고, 상기 제2 전극부에 제3 전압보다 낮은 제4 전압을 인가하여 상기 액정층에 전계를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극부에 양 전압을 인가하고, 상기 제2 전극부를 접지하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극부를 접지하고, 상기 제2 전극부에 음 전압을 인가하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기능기는 할로젠 이온을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치는 휘어진 제2 기판, 휘어진 제2 기판, 액정층, 제1 배향막 및 제2 배향막을 포함한다. 제2 기판은 상기 제1 기판과 대향한다. 상기 액정층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 제공되고, 액정 분자들을 포함한다. 상기 제1 배향막은 서로 중합된 반응성 메조겐들을 포함하고, 상기 제1 기판 및 상기 액정층 사이에 제공된다. 상기 제2 배향막은 상기 제2 기판 및 상기 액정층 사이에 제공된다. 상기 액정 분자들 중 상기 제1 배향막과 인접한 제1 액정 분자들은 제1 선경사각을 갖는다. 상기 액정 분자들 중 상기 제2 배향막과 인접한 제2 액정 분자들은 상기 제1 선경사각과 상이한 제2 선경사각을 갖는다.
상기 제1 선경사각은 80° 내지 90°인 것일 수 있다.
상기 제2 선경사각은 88° 내지 90°인 것일 수 있다.
상기 제1 배향막은 제1 베이스층 및 제1 배향 형성층을 포함한다. 상기 제1 베이스층은 상기 제1 기판 상에 제공된다. 상기 제1 배향 형성층은 상기 제1 베이스층에 제공되고, 상기 중합된 반응성 메조겐들을 포함한다.상기 제1 기판은 제1 곡률 반경을 갖고, 상기 제2 기판은 상기 제1 곡률 반경과 상이한 제2 곡률 반경을 갖는 것일 수 있다.
상기 제1 기판은 제1 베이스 기판 및 상기 제1 베이스 기판 상에 제공되는 화소 전극을 포함한다. 상기 제2 기판은 제2 베이스 기판; 및 상기 제2 베이스 기판 상에 제공되고, 상기 화소 전극과 대향하는 공통 전극을 포함한다.
상기 화소 전극은 줄기부 및 상기 줄기부로부터 연장되는 복수의 가지부들을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 다른 곡면형 표시 장치는 복수의 도메인들을 포함하는 화소들을 더 포함한다. 상기 도메인들은 상기 줄기부에 의해 구분되는 것일 수 있다.
상기 가지부들은 상기 도메인들 각각의 내에서 서로 평행하게 연장되고, 상기 도메인들 각각마다 서로 상이한 방향으로 연장되는 것일 수 있다.
상기 도메인들은 제1 도메인, 제2 도메인, 제3 도메인 및 제4 도메인을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치는 제1 편광판 및 제2 편광판을 더 포함한다. 상기 제1 편광판은 상기 제1 기판의 하부에 제공되고, 제1 투과축을 갖는다. 상기 제2 편광판은 상기 제2 기판 상에 제공되고, 제2 투과축을 갖는다. 상기 제1 투과축의 방향 및 상기 제2 투과축의 방향은 서로 직교하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치에 의하면, 화소에 정의된 복수 개의 도메인인을 따라 다양한 방향으로 빛을 제공함으로써 텍스쳐 불량이 감소될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조방법에 의하면, 표시 품질이 향상된 곡면형 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I'선에 대응하는 단면도이다.
도 5a는 제1 액정 분자들의 제1 선경사각을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 5b는 제2 액정 분자들의 제2 선경사각을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소, 화소에 대응하는 제1 배향막 및 제2 배향막을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 6c는 도 6b의 DR5 방향에서 보았을 때, 제1 배향막을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6d는 도 6b의 DR5 방향에서 보았을 때, 제2 배향막을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6e는 도 6b의 DR3 방향에서 보았을 때, 제1 배향막 및 제2 배향막의 중첩 영역, 하부 편광판 및 상부 편광판을 개략적으로 나타낸 평면도다.
도 6f는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치에서 표시되는 영상을 사용자가 인식하는 것을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 7a는 비교예에 따른 곡면형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 7b는 비교예에 따른 곡면형 표시 장치에 포함되는 화소, 화소에 대응하는 제1 배향막 및 제2 배향막을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 7c는 도 7b의 DR5 방향에서 보았을 때, 제1 배향막을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7d는 도 7b의 DR5 방향에서 보았을 때, 제2 배향막을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7e는 도 7b의 DR3 방향에서, 제1 배향막 및 제2 배향막의 중첩 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 9, 도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 11과 대응하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조 방법의 일 단계를 나타낸 단면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1a, 도 1b 및 도 2를 참조하면, 곡면형 표시 장치(10)는 제1 기판(SUB1), 제2 기판(SUB2) 및 액정층(LCL)을 포함한다. 액정층(LCL)은 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2) 사이에 제공된다.
곡면형 표시 장치(10)는 영상을 표시한다. 곡면형 표시 장치(10)는 영상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 영상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함한다.
곡면형 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 표시 영역(DA)은 대략적으로 직사각형 형상을 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 두께 방향(DR3)은 사용자 입장에서 곡면형 표시 장치(10)의 정면 방향일 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소 영역들(PXL)을 포함한다. 화소 영역들(PXL)은 예를 들어, 복수의 게이트 라인들(GL) 및 복수의 데이터 라인들(DL)에 의해 정의될 수 있다. 화소 영역들(PXL)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 화소 영역들(PXL) 각각에는 화소(PX, 도 3 참조)가 배치될 수 있다.
곡면형 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 비표시 영역(NDA)은 예를 들어, 표시 영역(DA)을 둘러쌓을 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 수직하는 제2 방향(DR2)으로 표시 영역(DA)과 인접할 수 있다.
곡면형 표시 장치(10)는 소정의 곡률/곡률반경으로 휘어진 것일 수 있다. 곡면형 표시 장치(10)는 플렉서블한 것일 수고, 리지드한 것일 수도 있다.
곡면형 표시 장치(10)는 사용자가 곡면형 표시 장치(10)를 바라볼 때, 오목하게 휘어진 것일 수 있다. 사용자가 곡면에 표시되는 영상을 시인할 때, 사용자는 향상된 입체감, 몰입감 및 임장감을 느낄 수 있다. 도 1a 및 도 1b에서는 곡면형 표시 장치(10)의 두께 방향(DR3)에서 보았을 때, 곡면형 표시 장치(10)가 오목한 형상을 갖는 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 곡면형 표시 장치(10)의 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)에서 보았을 때, 곡면형 표시 장치(10)는 볼록한 형상을 갖는 것일 수도 있다. 곡면형 표시 장치(10)가 사용자는 곡면에 표시되는 영상을 시인할 수 있다.
제1 기판(SUB1)은 휘어진 것일 수 있다. 제1 기판(SUB1)은 제1 곡률 반경(R1)을 갖는 것일 수 있다. 제2 기판(SUB2) 역시 휘어진 것일 수 있다. 제2 기판(SUB2)은 제2 곡률 반경(R2)을 갖는 것일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치에 포함되는 화소들 중 하나의 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 3에서는 하나의 화소를 도시하였고, 나머지 화소들 각각의 구조는 도 3에 도시된 화소의 구조와 유사할 수 있다. 도 4는 도 3의 I-I'에 대응하는 단면도이다. 도 3 및 도 4는 설명의 편의를 위해 위하여 실제보다 과장되어, 확대하거나 축소되어 도시될 수 있다.
도 1a 및 도 1b, 도 2 내지 도 4를 참조하면, 곡면형 표시 장치(10)는 제1 기판(SUB1), 제1 기판(SUB1) 상에 제공된 제1 배향막(ALN1), 제1 기판(SUB1)에 대향하는 제2 기판(SUB2), 제2 기판(SUB2) 상에 제공된 제2 배향막(ALN2) 및 제1 배향막(ALN1)과 제2 배향막(ALN2) 사이에 제공되는 액정층(LCL)을 포함한다.
제1 기판(SUB1)은 제1 베이스 기판(BS1), 컬러 필터층(CF), 블랙 매트릭스(BM), 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL) 및 복수의 화소들(PX)을 포함할 수 있다.
도 3에서는 설명의 편의를 위하여, 게이트 라인들(GL) 중 하나의 게이트 라인과 데이터 라인들(DL) 중 하나의 데이터 라인과 연결된 하나의 화소를 도시하였다. 다만 이에 한정하는 것은 아니고, 하나의 게이트 라인 및 하나의 데이터 라인과 복수의 화소들이 연결될 수도 있고, 복수의 게이트 라인들 및 복수의 데이터 라인들이 하나의 화소와 연결될 수도 있다. 이하, 하나의 화소(PX)를 중심으로 설명한다.
제1 베이스 기판(BS1)은 폴리머 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 석영 기판 등일 수 있다. 제1 베이스 기판(BS1)은 투명한 절연 기판일 수 있다. 제1 베이스 기판(BS1)은 플렉서블 할 수 있고, 리지드할 수도 있다.
컬러 필터(CF)는 제1 베이스 기판(BS1) 상에 제공되며, 색을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에서는 컬러 필터(CF)가 제1 기판(SUB1)에 포함된 것을 개시하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 컬러 필터(CF)는 제1 기판(SUB1)이 아닌 제2 기판(SUB2)에 포함될 수도 있다.
블랙 매트릭스(BM)는 제1 기판(SUB1)의 차광 영역에 대응하여 형성된다. 차광 영역은 데이터 라인들(DL), 박막 트랜지스터(TFT) 및 게이트 라인들(GL)이 형성된 영역으로 정의될 수 있다. 차광 영역에는 통상적으로 화소 전극(PE)이 형성되지 않으므로, 액정 분자가 배향되지 않아 빛샘이 발생할 수 있다. 따라서, 블랙 매트릭스(BM)는 차광 영역에 형성되어 빛샘을 차단한다. 본 발명의 일 실시예에서는 블랙 매트릭스(BM)가 제1 기판(SUB1)에 포함된 것을 개시하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 블랙 매트릭스(BM)는 제1 기판(SUB1)이 아닌 제2 기판(SUB2)에 포함될 수도 있다.
도시하지는 않았으나, 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM) 상에는 절연층(미도시)이 형성될 수 있다.
게이트 라인(GL)은 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM) 상에 제1 방향(DR1)으로 연장되어 형성된다. 본 발명의 일 실시예에서는 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL) 및 박막 트랜지스터(TFT)가 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM) 상에 형성된 것을 개시하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM)가 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL) 및 박막 트랜지스터(TFT) 상에 제공될 수도 있다.
데이터 라인들(DL)은 게이트 라인(GL)과 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 제1 방향(DR1)에 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장되어 제공된다. 게이트 절연막(GI)은 제1 베이스 기판(BS1)의 전면에 제공되며, 게이트 라인들(GL)을 커버한다.
화소(PX)는 박막 트랜지스터(TFT)와 박막 트랜지스터(TFT)에 연결된 화소 전극(PE) 및 스토리지 전극부를 포함한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(GE), 게이트 절연막(GI), 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 스토리지 전극부는 제1 방향(DR1)으로 연장된 스토리지 라인(SLn)과, 스토리지 라인(SLn)으로부터 분기되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 제1 분기 전극(LSLn) 및 제2 분기 전극(RSLn)을 더 포함한다.
게이트 전극(GE)은 게이트 라인들(GL) 로부터 돌출되거나 게이트 라인들(GL)의 일부 영역 상에 제공된다. 게이트 전극(GE)은 금속으로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(GE)은 니켈, 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 구리, 텅스텐 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(GE)은 금속을 이용한 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)은 몰리브덴, 알루미늄 및 몰리브덴이 순차적으로 적층된 삼중막이거나, 티타늄과 구리가 순차적으로 적층된 이중막일 수 있다. 또는 티타늄과 구리의 합금으로 된 단일막일 수 있다.
반도체 패턴(SM)은 게이트 절연막(GI) 상에 제공된다. 반도체 패턴(SM)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 게이트 전극(GE) 상에 제공된다. 반도체 패턴(SM)은 일부 영역이 게이트 전극(GE)과 중첩된다. 반도체 패턴(SM)은 게이트 절연막(GI) 상에 제공된 액티브 패턴(미도시)과 액티브 패턴 상에 형성된 오믹 콘택층(미도시)을 포함한다. 액티브 패턴은 비정질 실리콘 박막으로 이루어질 수 있으며, 오믹 콘택층은 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어질 수 있다. 오믹 콘택층은 액티브 패턴과 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 사이를 각각 오믹 콘택(ohmic contact)시킨다.
소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)에서 분지되어 제공된다. 소스 전극(SE)은 오믹 콘택층 상에 형성되며 일부 영역이 게이트 전극(GE)과 중첩한다. 드레인 전극(DE)은 반도체 패턴(SM)을 사이에 두고 소스 전극(SE)으로부터 이격되어 제공된다. 드레인 전극(DE)은 오믹 콘택층 상에 형성되며 일부 영역이 게이트 전극(GE)과 중첩하도록 제공된다.
소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 니켈, 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 구리, 텅스텐 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어질 수 있다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 금속을 이용한 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 티타늄과 구리가 순차적으로 적층된 이중막일 수 있다. 또는 티타늄과 구리의 합금으로 이루어진 단일막일 수 있다.
이에 따라 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE) 사이의 액티브 패턴의 상면이 노출되며, 게이트 전극(GE)의 전압 인가 여부에 따라 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE) 사이에서 전도 채널(conductive channel)을 이루는 채널부가 된다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE) 사이의 이격되어 형성된 채널부를 제외한 영역에서 반도체 패턴(SM)의 일부와 중첩한다.
화소 전극(PE)은 보호막(PSV)을 사이에 두고 드레인 전극(DE)에 연결된다. 화소 전극(PE)은 스토리지 라인(SLn), 제1 분기 전극(LSLn) 및 제2 분기 전극(RSLn)과 부분적으로 오버랩되어 스토리지 커패시터를 형성한다.
보호막(PSV)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 채널부 및 게이트 절연막(GI)을 커버하며, 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 콘택홀(CH)을 갖는다. 보호막(PSV)은 예를 들어, 실리콘 질화물이나, 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
화소 전극(PE)은 보호막(PSV)에 형성된 콘택홀(CH)을 통해 드레인 전극(DE)에 연결된다. 화소 전극(PE)은 투명한 도전성 물질로 형성된다. 특히, 화소 전극(PE)은 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide)로 형성된다. 투명 도전성 산화물은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등이 있다.
화소 전극(PE)은 줄기부(PEa)와 줄기부(PEa)로부터 방사형으로 돌출되어 연장된 복수의 가지부들(PEb)을 포함한다. 줄기부(PEa) 또는 가지부들(PEb) 중 일부는 드레인 전극(DE)과 콘택홀(CH)을 통해 연결된다.
줄기부(PEa)는 다양한 형상으로 제공될 수 있으며, 일 예로서 본 발명의 일 실시예와 같이 십자 형상으로 제공될 수 있다. 가지부들(PEb)은 서로 만나지 않도록 이격되어 있으며, 줄기부(PEa)에 의해 구분된 영역 내에서는 서로 평행한 방향으로 연장된다. 서로 인접한 가지부들(PEb) 사이는 마이크로미터 단위의 거리로 이격되어 있으며, 이는 액정층(LCL)의 액정 분자들을 특정 방위각으로 정렬 시키기 위한 수단에 해당된다.
화소(PX)는 줄기부(PEa)에 의해 복수의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)로 구분될 수 있다. 가지부들(PEb)은 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4) 각각에 대응되어, 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4) 각각마다 서로 다른 방향으로 연장될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 화소(PX)는 4개의 도메인들을 포함하는 것을 예를 들어 도시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 화소(PX)는 2개, 6개 8개 등등 다양한 개수의 도메인들을 포함할 수 있다.
제1 배향막(ALN1)은 화소 전극(PE) 상에 제공된다. 제1 배향막(ALN1)은 액정층(LCL)의 액정 분자들(LC)을 프리틸트한다. 제1 배향막(ALN1)에 대해서는 보다 구체적으로 후술하도록 한다.
제2 기판(SUB2)은 제2 베이스 기판(BS2) 및 공통 전극(CE)을 포함한다. 제2 베이스 기판(BS2)은 폴리머 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 석영 기판 등일 수 있다. 제2 베이스 기판(BS2)은 투명한 절연 기판일 수 있다. 제2 베이스 기판(BS2)은 플렉서블 할 수 있고, 리지드할 수도 있다.
공통 전극(CE)은 제2 베이스 기판(BS2) 상에 형성되며, 화소 전극(PE)과 함께 전계를 형성함으로써 액정층(LCL)을 구동한다. 본 발명의 일 실시예에서는 공통 전극(CE)이 제2 기판(SUB2)에 포함된 것을 개시하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 공통 전극(CE)은 제2 기판(SUB2)이 아닌 제1 기판(SUB1)에 포함될 수도 있다. 공통 전극(CE)은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. 공통 전극(CE)은 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등의 도전성 금속 산화물로 형성될 수 있다.제2 베이스 기판(BS2) 상에 공통 전극(CE)을 커버하는 제2 배향막(ANL2)이 배치된다. 제2 배향막(ALN2)에 대해서는 보다 구체적으로 후술하도록 한다.
제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 사이에는 액정 분자들(LC)을 포함하는 액정층(LCL)이 제공된다. 액정 분자들(LC)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어 알케닐계 액정 분자들, 알콕시계 액정 분자들 등을 포함할 수 있다.
도 5a는 제1 액정 분자들의 제1 선경사각을 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 5b는 제2 액정 분자들의 제2 선경사각을 개략적으로 나타낸 사시도이다. 이하, 제1 배향막(ALN1) 및 제2 배향막(ALN2)에 대해 좀더 상세히 설명한다.
제1 배향막(ALN1)은 서로 중합된 반응성 메조겐들(RM)을 포함한다. 이에 따라, 제1 배향막(ALN1)은 액정층(LCL)의 액정 분자들(LC) 중 제1 배향막(ALN1)에 인접한 제1 액정 분자들(LC1)을 프리틸트할 수 있다. 제1 액정 분자들(LC1)은 제1 배향막(ALN1)에 대하여 제1 선경사각(AN1)을 가질 수 있다.
제2 배향막(ALN2)은 공통 전극(CE) 상에 제공된다. 제2 배향막(ALN2)은 서로 중합된 반응성 메조겐들(RM)을 거의 포함하지 않아, 액정층(LCL)의 액정 분자들(LC) 중 제2 배향막(ALN2)에 인접한 제2 액정 분자들(LC2)을 실질적으로 프리틸트하지 않는다.
도 5a를 참조하면, 예를 들어, 제1 배향막(ALN1)의 일면에 포함되는 제1 직선(NL1) 및 제1 액정 분자들(LC1)의 장축(L11)이 형성하는 각도가 제1 선경사각(AN1)으로 정의될 수 있다. 제1 선경사각(AN1)은 예를 들어, 제1 액정 분자들(LC1)의 선경사각들의 평균값, 대표값 등일 수 있다. 제1 선경사각(AN1)은 약 80도 내지 약 90도일 수 있다. 제1 선경사각(AN1)은 약 80도 내지 약 89도일 수 있다. 제1 선경사각(AN1)이 후술하는 제2 선경사각(AN2)과 다르도록 80도보다 크고 내지 88도보다 작을 수 있다.
도 4 및 도 5a를 참조하면, 제1 배향막(ALN1)은 화소 전극(PE) 상에 제공된 제1 베이스층(PAL1) 및 제1 베이스층(PAL1) 상에 제공된 제1 배향 형성층(PTL1)을 포함한다. 제1 베이스층(PAL1)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리아미드, 폴리아믹이미드, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리우레탄, 또는 폴리스티렌과 같은 고분자들, 고분자들의 혼합물, 고분자들의 모노머를 포함할 수 있다.
제1 배향 형성층(PTL1)은 중합된 반응성 메조겐들(RM)을 포함하며, 제1 배향막(ALN1) 중 실질적으로 액정 분자들(LC)을 프리틸트시키는 부분이다. '반응성 메조겐(reactive mesogen)' 이라는 용어는 광경화 입자들, 즉 광가교성 저분자 또는 광가교성 고분자 공중합체를 지칭하며, 특정 파장의 광, 예를 들어 자외선이 인가되면 중합 반응 등의 화학 반응을 일으킨다. 반응성 메조겐들(RM)은 중합되어 일부가 가교되고, 액정 분자들(LC)을 제1 기판(SUB1)의 일면에 대해 소정 경사각을 갖도록 프리틸트한다.
반응성 메조겐들(RM)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나 예를 들어, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 에폭시, 옥세탄, 비닐-에테르 및 스티렌 및 이들의 유도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
반응성 메조겐들(RM)은 극성을 가질 수 있다. 예를 들어, 반응성 메조겐들(RM)은 전하를 갖는 기능기를 포함할 수 있다. 큰 양전하를 갖는 기능기에 의해 반응성 메조겐들(RM)은 전체적으로 양극성을 갖고, 큰 음전하를 갖는 기능기에 의해 반응성 메조겐들(RM)은 전체적으로 음극성을 가질 수 있다. 반응성 메조겐들(RM)이 특정한 극성을 가짐으로써 배향 형성층들(PTL1, PTL2)을 형성하는 과정에서 반응성 메조겐들(RM)의 중합량이 크게 차이나는 제1 배향 형성층(PTL1) 및 제2 배향 형성층(PTL2)을 형성할 수 있다. 제1 배향 형성층(PTL1)은 제2 배향 형성층(PTL2)보다 더 많은 양의 중합된 반응성 메조겐들(RM)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 배향 형성층(PTL1)은 제1 베이스층(PAL1)에 인접한 제1 액정 분자들(LC1)을 제1 기판(SUB1)의 일면에 대해 소정 경사각을 갖도록 프리틸트 시킨다.
양전하를 갖는 기능기는 예를 들어, 수소 이온, 암모늄 이온 등일 수 있다. 또한 양전하를 갖는 기능기는 알칼리 금속 이온을 포함할 수 있고, 예를 들어 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온 등일 수 있다. 음전하를 갖는 기능기는 예를 들어, 카르복실기 등일 수 있다. 또한 음전하를 갖는 기능기는 할로젠 이온을 포함할 수 있고, 예를 들어 플루오르화 이온, 염화 이온, 브롬화 이온, 요오드화 이온 등일 수 있다.
도 4 및 도 5b를 참조하면, 제2 배향막(ALN2)은 공통 전극(CE) 상에 제공된 제2 베이스층(PAL2) 및 제2 베이스층(PAL2) 상에 제공된 제2 배향 형성층(PTL2)을 포함한다. 제2 베이스층(PAL2)은 통상적으로 사용하는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리아미드, 폴리아믹이미드, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리우레탄, 또는 폴리스티렌과 같은 고분자들, 고분자들의 혼합물, 고분자들의 모노머를 포함할 수 있다.
제2 배향 형성층(PTL2)은 제1 배향 형성층(PTL1)에 비해 매우 작은 양의 서로 중합된 반응성 메조겐들(RM)을 포함하고, 절대적인 양으로도 매우 작은 양의 서로 중합된 반응성 메조겐들(RM)을 포함한다. 다시 말해, 실질적으로 제2 배향 형성층(PTL2)은 서로 중합된 반응성 메조겐들(RM)을 포함하지 않는다. 여기서 “제2 배향 형성층(PTL2)이 서로 중합된 반응성 메조겐들을 실질적으로 포함하지 않는다”는 것은 후술하는 제조공정 상에서 공정 상의 오차에 의해 제2 배향 형성층(PTL2)에 서로 중합된 반응성 메조겐들이 일부 결합된 정도를 의미한다.
제2 배향 형성층(PTL2)은 제2 액정 분자들(LC2)을 제2 기판(SUB2)의 일면에 대해 소정 경사각을 갖지 않도록 배향시킨다. 따라서, 제2 베이스층(PAL2)에 인접한 제2 액정 분자들(LC2)은 특정한 방향성을 갖지 않고, 제2 배향막(ALN2) 상에 랜덤하게 배치될 수 있다. 액정층(LCL)에 전계가 인가되지 않은 상태에서 제2 액정 분자들(LC2)은 예를 들어, 제2 배향막(ALN2) 상에 제2 배향막(ALN2)과 수직하도록 배열될 수 있다.
제2 액정 분자들(LC2)은 제2 배향막(ALN2)에 대하여 제2 선경사각(AN2)을 가질 수도 있다. 도 5b를 참조하면, 제2 배향막(ALN2)의 일면에 포함되는 제2 직선(NL2) 및 제2 액정 분자들(LC2)의 장축(L12)이 형성하는 각도가 제2 선경사각(AN2)으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 제2 선경사각(AN2)은 제2 액정 분자들(LC2)의 선경사각들의 평균값, 대표값 등일 수 있다. 제2 선경사각(AN2)은 약 88도 내지 약 90도일 수 있다. 제2 선경사각(AN2)은 약 89도 초과 약 90도 이하일 수 있다. 상기 2 선경사각(AN2)은 약 88도 내지 약 90도 범위에서 상기 1 선경사각(AN1) 보다 크게 설정된다. 본 발명의 일 실시예들에 따라 상기 1 선경사각(AN1)이 80도, 85도, 86도, 89도로 각각 설정될 때, 상기 2 선경사각(AN2)은 상기 1 선경사각(AN1)보다 큰 89.5도 또는 90도로 설정될 수 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소, 화소에 대응하는 제1 배향막 및 제2 배향막을 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 6c는 도 6b의 DR5 방향에서 보았을 때, 제1 배향막을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 6d는 도 6b의 DR5 방향에서 보았을 때, 제2 배향막을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 6e는 도 6b의 DR3 방향에서 보았을 때, 제1 배향막 및 제2 배향막의 중첩 영역, 하부 편광판 및 상부 편광판을 개략적으로 나타낸 평면도다. 도 6f는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치에서 표시되는 영상을 사용자가 인식하는 것을 개략적으로 나타낸 것이다. 도 6e에는 제1 기판(SUB1)의 하부 편광판(POL1) 및 제2 기판(SUB2)의 상부에 제공되는 상부 편광판(POL2)을 더 도시하였다.도 6a 내지 도 6d를 참조하면, 제1 배향막(ALN1)은 하부 배향 영역들(L_AA1, L_AA2, L_AA3, L_AA4)을 포함한다. 하부 배향 영역들(L_AA1, L_AA2, L_AA3, L_AA4)은 제1 하부 배향 영역(L_AA1), 제2 하부 배향 영역(L_AA2), 제3 하부 배향 영역(L_AA3) 및 제4 하부 배향 영역(L_AA4)을 포함한다. 하부 배향 영역들(L_AA1, L_AA2, L_AA3, L_AA4)은 화소(PX)의 법선 방향(DR4)과 반대 방향(DR5)으로 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)과 중첩하여 대응할 수 있다.
제1 도메인(DM1), 제2 도메인(DM2), 제3 도메인(DM3) 및 제4 도메인(DM4)에 대응하는 제1 하부 배향 영역(L_AA1), 제2 하부 배향 영역(L_AA2), 제3 하부 배향 영역(L_AA3) 및 제4 하부 배향 영역(L_AA4) 각각의 상에서 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)은 서로 중합된 반응성 메조겐들(도 4의 RM)에 의해 프리틸트 된다. 액정층(LCL)에 전계가 형성됨에 따라 프리틸트된 액정 분자들은 프리틸트 되지 않은 액정 분자들보다 빠르게 평행 배향된다. 즉, 수직 배향된 상태에서 평행 배향으로 빠르게 재배열된다.
액정층(LCL)에 전계가 가해지면, 프리틸트된 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)은 제1 하부 배향 영역(L_AA1) 상에서 가지부들(도 3의 PEb)의 연장 방향으로 평행 배향된다. 가지부들(PEb, 도 3 참조)의 연장 방향은 제1 서브 방향(D1)과 실질적으로 평행할 수 있다. 제1 서브 방향(D1)은 제1 하부 배향 영역(L_AA1) 상에서 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)이 평행 배향될 때, 평행 배향되는 방향들의 평균 방향을 의미하는 것일 수 있다.
이와 유사하게, 액정층(LCL)에 전계가 가해지면, 프리틸트된 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)은 제2 하부 배향 영역(L_AA2) 상에서 제2 서브 방향(D2)으로 평행 배향되고, 제3 하부 배향 영역(L_AA3) 상에서 제3 서브 방향(D3)으로 평행 배향되고, 제4 하부 배향 영역(L_AA4) 상에서 제4 서브 방향(D4)으로 평행 배향될 수 있다. 제2 서브 방향(D2)은 제2 하부 배향 영역(L_AA2) 상에서 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)이 평행 배향될 때, 평행 배향되는 방향들의 평균 방향을 의미하는 것일 수 있고, 제3 서브 방향(D3)은 제3 하부 배향 영역(L_AA3) 상에서 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)이 평행 배향될 때, 평행 배향되는 방향들의 평균 방향을 의미하는 것일 수 있고, 제4 서브 방향(D4)은 제4 하부 배향 영역(L_AA4) 상에서 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)이 평행 배향될 때, 평행 배향되는 방향들의 평균 방향을 의미하는 것일 수 있다.
제2 배향막(ALN2)은 상부 배향 영역들(U_AA1, U_AA2, U_AA3, U_AA4)을 포함한다. 상부 배향 영역들(U_AA1, U_AA2, U_AA3, U_AA4)은 제1 상부 배향 영역(U_AA1), 제2 상부 배향 영역(U_AA2), 제3 상부 배향 영역(U_AA3) 및 제4 상부 배향 영역(U_AA4)을 포함한다. 상부 배향 영역들(U_AA1, U_AA2, U_AA3, U_AA4)은 화소(PX)의 법선 방향(DR4)과 반대 방향(DR5)으로 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)과 중첩하여 대응할 수 있다.
제2 배향막(ALN2)은 실질적으로 서로 중합된 반응성 메조겐들(도 4의 RM)을 포함하지 않는다. 이에 따라, 제1 상부 배향 영역(U_AA1), 제2 상부 배향 영역(U_AA2), 제3 상부 배향 영역(U_AA3) 및 제4 상부 배향 영역(U_AA4) 각각의 상에서 제2 액정 분자들(도 4의 LC2)은 실질적으로 프리틸트 되어 있지 않고, 특정한 방향성 없이 랜덤하게 제공된다.
액정층(LCL)에 전계가 가해지면, 제2 액정 분자들(도 4의 LC2)은 랜덤하게 평행 배향된다. 다만, 2 액정 분자들(도 4의 LC2)은 프리틸트된 제1 액정 분자들(도 4의 LC1) 및 가지부들(도 3의 PEb) 영향에 의해, 제1 서브 방향(D1)에 평행한 방향성을 가질 수 있다. 제1 하부 배향 영역(L_AA1)의 제1 액정 분자들(LC1)이 제1 서브 방향(D1)으로 배열된 정도를 제1 스칼라 값으로 정의하고, 제1 상부 배향 영역(U_AA1)의 제2 액정 분자들(LC2)이 제1 서브 방향(D1)으로 배열된 정도를 제2 스칼라 값으로 정의할 때, 제2 스칼라 값은 제1 스칼라 값에 비해 매우 작을 수 있다.제2 액정 분자들(도 4의 LC2)은 실질적으로 프리틸트 되어 있지 않아, 제1 상부 배향 영역(U_AA1) 상에서 제2 액정 분자들(도 4의 LC2)이 평행 배향되는 속도는 제1 하부 배향 영역(L_AA1) 상에서 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)이 평행 배향되는 속도보다 현저히 느리다. 또한, 제1 서브 방향(D1)으로 평행 배향되는 제2 액정 분자들(도 4의 LC2)의 수는 제1 서브 방향(D1)으로 평행 배향되는 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)의 수보다 현저히 적다.
이와 유사하게, 액정층(LCL)에 전계가 가해지면 제2 액정 분자들(도 4의 LC2)은 제2 상부 배향 영역(U_AA2) 상에서 제2 서브 방향(D2)으로, 제3 상부 배향 영역(U_AA3) 상에서 제3 서브 방향(D3)으로, 제4 상부 배향 영역(U_AA4) 상에서 제4 서브 방향(D4)으로 약하게 평행 배향된다.
도 6a 내지 도 6e를 참조하면, 제3 방향(DR3)에서 보았을 때, 제1 배향막(ALN1) 및 제2 배향막(ALN2)은 서로 중첩하는 중첩 영역(OVA1, OVA2 OVA3, OVA4, OVA5, OVA6)을 갖는다. 중첩 영역(OVA1, OVA2 OVA3, OVA4, OVA5, OVA6)은 제1 중첩 영역(OVA1), 제2 중첩 영역(OVA2), 제3 중첩 영역(OVA3), 제4 중첩 영역(OVA4), 제5 중첩 영역(OVA5) 및 제6 중첩 영역(OVA6)을 포함할 수 있다.
액정층(LCL)에 전계가 가해지면, 중첩 영역(OVA1, OVA2 OVA3, OVA4, OVA5, OVA6)에서, 액정층(LCL)의 광축의 방향은 하부 배향 영역들(L_AA1, L_AA2, L_AA3, L_AA4) 상에서 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)의 평행 배향 방향 및 상부 배향 영역들(U_AA1, U_AA2, U_AA3, U_AA4) 상에서 제2 액정 분자들(도 4의 LC2)의 평행 배향 방향의 평균값과 같을 수 있다.
제2 중첩 영역(OVA2)은 제2 하부 배향 영역(L_AA2) 및 제1 상부 배향 영역(U_AA1)이 중첩한 영역이다. 제2 액정 분자들(도 4의 LC2)은 실질적으로 프리틸트 되어 있지 않고, 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)은 프리틸트 되어 있어, 제1 중첩 영역(OVA1)에서 제2 액정 분자들(도 4의 LC2)이 평행 배향되는 속도는 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)이 평행 배향되는 속도보다 현저히 느리다. 또한 제2 서브 방향(D2)으로 평행 배향되는 제2 액정 분자들(도 4의 LC2)의 수는 제1 서브 방향(D1)으로 평행 배향되는 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)의 수보다 현저히 적다.
이에 따라, 액정층(LCL)에 전계가 가해졌을 때, 제2 중첩 영역(OVA2)에서 액정층(LCL)의 광축의 방향은 제2 서브 방향(D2)과 실질적으로 평행할 수 있다. 이와 유사하게, 액정층(LCL)에 전계가 가해졌을 때, 제5 중첩 영역(OVA5)에서 액정층(LCL)의 광축의 방향은 실질적으로, 제4 서브 방향(D2)과 평행한다.
제1 중첩 영역(OVA1)에서 제1 액정 분자들(도 4의 LC1)의 평행 배향 방향은, 제2 액정 분자들(도 4의 LC2)의 평행 배향 방향과 실질적으로 동일하다. 이에 따라, 제1 중첩 영역(OVA1)에서 액정층(LCL)의 광축의 방향은 제1 서브 방향(D1)과 실질적으로 평행한다. 이와 유사하게, 제3 중첩 영역(OVA3)에서 액정층(LCL)의 광축의 방향은 제2 서브 방향(D2)과 실질적으로 평행하고, 제4 중첩 영역(OVA4)에서 액정층(LCL)의 광축의 방향은 제3 서브 방향(D3)과 실질적으로 평행하고, 제6 중첩 영역(OVA6)에서 액정층(LCL)의 광축의 방향은 제4 서브 방향(D4)과 실질적으로 평행한다.
하부 편광판(POL1)은 제1 투과축(PA1)을 갖고, 상부 편광판(POL2)은 제2 투과축(PA2)을 갖는다. 제1 투과축(PA1) 및 제2 투과축(PA2)은 서로 직교한다. 예를 들어, 제1 투과축(PA1)이 제2 방향(DR2)과 평행하면, 제2 투과축(PA2)은 제1 방향(DR1)과 평행한다. 도 6e에서는 설명의 편의상, 하부 편광판(POL1) 및 상부 편광판(POL2)을 제1 배향막(ALN1) 및 제2 배향막(ALN2)보다 작게 도시하였다.도 6a 내지 도 6f를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치(10)의 제1 중첩 영역(OVA1), 제2 중첩 영역(OVA2), 제3 중첩 영역(OVA3), 제4 중첩 영역(OVA4), 제5 중첩 영역(OVA5) 및 제6 중첩 영역(OVA6) 각각의 내에서는 액정층(LCL)의 광축의 방향이 하부 편광판(POL1)의 제1 투과축(PA1)의 방향 또는 상부 편광판(POL2)의 제2 투과축(PA2)의 방향과 평행하지 않는다. 이에 따라 사용자(USER)는 제1 중첩 영역(OVA1), 제2 중첩 영역(OVA2), 제3 중첩 영역(OVA3), 제4 중첩 영역(OVA4), 제5 중첩 영역(OVA5) 및 제6 중첩 영역(OVA6)을 투과하는 광을 시인할 수 있다.
도 7a는 비교예에 따른 곡면형 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 7b는 비교예에 따른 곡면형 표시 장치에 포함되는 화소, 화소에 대응하는 제1 배향막 및 제2 배향막을 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 7c는 도 7b의 DR5 방향에서 보았을 때, 제1 배향막을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 7d는 도 7b의 DR5 방향에서 보았을 때, 제2 배향막을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 7e는 도 7b의 DR3 방향에서, 제1 배향막 및 제2 배향막의 중첩 영역을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7a 내지 도 7e를 참조하면, 비교예에 따른 곡면형 표시 장치(1000)는 서로 중합된 반응성 메조겐들을 포함하는 제1 배향막(aln1) 및 서로 중합된 반응성 메조겐들을 포함하는 제2 배향막(aln2)를 포함한다. 제1 배향막(aln1)과 제2 배향막(aln2)는 실질적으로 동일한 서로 중합된 반응성 메조겐들을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 배향막(aln1) 상의 제1 액정 분자들은 프리틸트 되고, 제2 배향막(aln2) 상의 제2 액정 분자들 역시 프리틸트 된다. 제1 액정 분자들의 선경사각과 제2 액정 분자들의 선경사각은 서로 동일할 수 있다.
액정층(lcl)에 전계가 가해지면, 제1 배향막(aln1)에 포함되는 하부 배향 영역들(l_aa1, l_aa2, l_aa3, l_aa4) 상의 제1 액정 분자들과 제2 배향막(aln2)에 포함되는 상부 배향 영역들(u_aa1, u_aa2, u_aa3, u_aa4) 상의 제2 액정 분자들이 서로 동일한 방향으로 평행 배향된다. 제1 액정 분자들 및 제2 액정 분자들 모두 프리틸트 되어 있어, 평행 배향되는 속도는 서로 비슷하다.
보다 구체적으로, 구동 전압이 인가되어 전계가 가해지면, 제1 하부 배향 영역(l_aa1) 상의 제1 액정 분자들과 제1 상부 배향 영역(u_aa1) 상의 제2 액정 분자들은 제1 서브 방향(D1)으로 평행 배향되고, 제2 하부 배향 영역(l_aa2) 상의 제1 액정 분자들과 제2 상부 배향 영역(u_aa2) 상의 제2 액정 분자들은 제2 서브 방향(D2)으로 평행 배향된다. 제3 하부 배향 영역(l_aa3) 상의 제1 액정 분자들과 제3 상부 배향 영역(u_aa3) 상의 제2 액정 분자들은 제3 서브 방향(D3)으로 평행 배향되고, 제4 하부 배향 영역(l_aa4) 상의 제1 액정 분자들과 제4 상부 배향 영역(u_aa4) 상의 제2 액정 분자들은 제4 서브 방향(D4)으로 평행 배향된다.
도 7e를 참조하면, 제3 방향(DR3)에서 보았을 때, 제1 배향막(aln1) 및 제2 배향막(aln2)은 서로 중첩하는 중첩 영역(ova1, ova2, ova3, ova4, ova5, ova6)을 갖는다. 중첩 영역(ova1, ova2, ova3, ova4, ova5, ova6)은 제1 중첩 영역(ova1), 제2 중첩 영역(ova2), 제3 중첩 영역(ova3), 제4 중첩 영역(ova4), 제5 중첩 영역(ova5) 및 제6 중첩 영역(ova6)을 포함할 수 있다.
비교예에 따른 곡면형 표시 장치(1000)의 경우 제2 중첩 영역(ova2)에서 제1 액정 분자들 및 제2 액정 분자들은 모두 프리틸트 되어 있다. 이에 따라, 제2 중첩 영역(ova2)에서 액정층(lcl)의 광축의 방향은 제1 서브 방향(D1) 및 제2 서브 방향(D2)의 합인 제8 서브 방향(D8)과 평행한다. 이와 유사하게, 제5 중첩 영역(ova5)에서 액정층(lcl)의 광축의 방향은 제3 서브 방향(D3) 및 제4 서브 방향(D4)의 합의 방향인 제10 서브 방향(D10)과 평행한다.
비교예에 따른 곡면형 표시 장치(1000) 역시, 하부 편광판(pol1) 및 상부 편광판(pol2)을 포함하고, 하부 편광판(pol1)의 제1 투과축(pa1) 및 상부 편광판(pol2)의 제2 투과축(pa2)은 서로 직교한다. 예를 들어, 하부 편광판(pol1)의 제1 투과축(pa1)이 제2 방향(DR2)과 평행하면, 상부 편광판(pol2)의 제2 투과축(pa2)은 제1 방향(DR1)과 평행한다. 제1 방향(DR1)은 제8 서브 방향(D8) 또는 제10 서브 방향(D10)과 평행할 수 있다.
따라서, 비교예에 따른 곡면형 표시 장치(1000)에서는 구동 전압이 인가되어, 전계가 가해졌을 때, 제2 중첩 영역(ova2) 및 제5 중첩 영역(ova5) 각각 내에서 액정층(lcl)의 광축의 방향이 하부 편광판(pol1)의 제1 투과축(pa1)의 방향 또는 상부 편광판(pol2)의 제2 투과축(pa2)의 방향과 평행한다.
하부 편광판(pol1)의 제1 투과축(pa1)의 방향이 제2 중첩 영역(ova2) 및 제5 중첩 영역(ova5) 각각 내에서의 액정층(lcl)의 광축의 방향과 평행할 때, 하부 편광판(pol1)을 투과한 광은 제2 중첩 영역(ova2) 및 제5 중첩 영역(ova5)을 투과한 후, 상부 편광판(pol2)의 제2 투과축(pa2)에 의해 차단된다.
또한, 상부 편광판(pol2)의 제2 투과축(pa2)의 방향이 제2 중첩 영역(ova2) 및 제5 중첩 영역(ova5) 각각 내에서의 액정층(lcl)의 광축의 방향과 평행할 때, 하부 편광판(pol1)을 투과한 광은 제2 중첩 영역(ova2) 및 제5 중첩 영역(ova5)을 투과하지 못하고 차단된다. 이에 따라 사용자는 제2 중첩 영역(ova2) 및 제5 중첩 영역(ova5)의 광을 시인할 수 없다.
즉, 비교예에 따른 곡면형 표시 장치는 제1 배향막의 하부 배향 영역들 상의 제1 액정 분자들과 하부 배향 영역들과 대응하는 제2 배향막의 상부 배향 영역들 상의 제2 액정 분자들이 서로 동일한 방향으로 배향되어, 제1 기판 및 제2 기판이 휘어진 경우에 사용자가 광을 시인할 수 없어, 화소 내에서 어둡게 시인되는 텍스쳐 불량이 발생한다.
그에 반하여 도 6a 내지 도 6f를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제1 액정 분자들은 제1 선경사각으로 프리틸트되지만, 제2 액정 분자들은 실질적으로 프리틸트되지 않아 제1 선경사각과 상이한 제2 선경사각을 갖는다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치는 휘어진 경우에도 텍스쳐 불량이 발생하지 않는다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치는 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조방법에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치와의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치에 따른다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 1a 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치(10)의 제조방법은 제1 기판(SUB1)을 제공하는 단계(S10), 제1 기판(SUB1)과 대향하는 제2 기판(SUB2)을 제공하는 단계(S20), 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 사이에, 액정 분자들(LC) 및 소정의 극성을 갖는 반응성 메조겐들(RM)을 포함하는 액정 조성물을 제공하는 단계(S30) 및 액정 조성물에 광과 전계를 제공하여 제1 기판(SUB1) 상에 제1 배향 형성층(PTL1)을 형성하는 단계(S40)를 포함한다.
제1 기판을 제공하는 단계(S10)는 화소 및 제1 베이스 층(PAL1)을 구비한 제1 베이스 기판(BS1)을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 기판(SUB1)은 복수 회의 포토리소그래피 공정과 복수 회의 절연층 형성 공정을 통해 형성될 수 있고, 제1 베이스 층(PAL1)은 코팅/증착/프린팅 공정등을 통해 형성될 수 있다.
도 9, 도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도이다. 도 12는 도 11과 대응하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 1a 내지 도 12를 참조하면, 제1 베이스 기판(BS1) 상에는 컬러를 표시하는 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM)가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조 방법에서는 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM)가 제1 베이스 기판(BS1) 상에 제공되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM)는 제2 베이스 기판(BS2) 상에 제공될 수도 있다.
컬러 필터(CF)는 제1 베이스 기판(BS1) 상에 적색, 녹색, 청색, 또는 기타 색을 나타내는 컬러층을 제공하고, 컬러층을 포토리소그래피를 이용하여 패터닝함으로써 형성할 수 있다. 컬러 필터(CF)의 형성 방법은 이에 한정되는 것은 아니며, 잉크젯 방법 등으로 형성할 수 있음은 물론이다.
블랙 매트릭스(BM)는 제1 베이스 기판(BS1) 상에 제공될 수 있고, 컬러 필터(CF)를 제공하기 이전, 이후 또는 동시에 제공될 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 제1 베이스 기판(BS1) 상에 광을 흡수하는 차광층을 형성하고 차광층을 포토리고스래피를 이용하여 패터닝함으로써 제공될 수 있으며, 선택적으로 다른 방법, 예를 들어 잉크젯 방법 등으로도 형성할 수 있다.
컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM) 상에 게이트 패턴이 형성된다. 게이트 패턴은 게이트 라인들(GL)과 스토리지 전극부를 포함한다. 게이트 패턴은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
게이트 패턴 상에는 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 게이트 절연막(GI) 상에는 반도체 패턴(SM)이 형성된다. 반도체 패턴(SM)은 액티브 패턴과 액티브 패턴 상에 형성된 오믹 콘택층을 포함할 수 있다. 반도체 패턴(SM)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
반도체 패턴(SM) 상에 데이터 패턴이 형성된다. 데이터 패턴은 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 데이터 패턴은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 이때, 반도체 패턴(SM)과 데이터 패턴은 한 매의 하프 마스크나 회절 마스크 등을 이용하여 형성될 수 있다.
데이터 패턴 상에는 보호막(PSV)이 형성된다. 보호막(PSV)은 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 콘택홀(CH)을 가지며, 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
보호막(PSV) 상에는 콘택홀(CH)을 통해 드레인 전극(DE)과 연결되는 화소 전극(PE)이 형성된다. 화소 전극(PE)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
제1 베이스층(PAL1)은 화소 전극(PE) 이 형성된 제1 베이스 기판(BS1) 상에 형성된다. 제1 배향액은 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리아미드, 폴리아믹이미드, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리우레탄, 또는 폴리스티렌과 같은 고분자들, 고분자들의 혼합물, 고분자들의 모노머를 포함할 수 있다. 제1 베이스층(PAL1)은 제1 배향액을 제1 베이스 기판(BS1) 상에 도포한 후, 제1 배향액을 가열하거나, 자외선을 인가하여 형성할 수 있다. 제1 배향액은 광개시제를 포함할 수 있다.
제2 기판(SUB2)을 제공하는 단계(S20)는 공통 전극(CE) 및 제2 베이스 층(PAL2)을 구비한 제2 베이스 기판(BS2)을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
제2 베이스 기판(BS2) 상에는 공통 전극(CE)이 제공된다. 공통 전극(CE)은 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
제2 베이스층(PAL2)은 공통 전극(CE) 등이 형성된 제2 베이스 기판(BS2) 상에 형성된다. 제2 베이스층(PAL2)은, 도시하지는 않았지만, 제2 배향액을 제2 기판(SUB2) 상에 도포한 후, 제2 배향액을 가열함으로써 형성된다. 제2 배향액은 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리아미드, 폴리아믹이미드, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리우레탄, 또는 폴리스티렌과 같은 고분자들, 고분자들의 혼합물, 고분자들의 모노머를 포함할 수 있다. 제2 베이스층(PAL2)은 제2 배향액을 제2 베이스 기판(BS2) 상에 도포한 후, 제2 배향액을 가열하거나, 자외선을 인가하여 형성할 수 있다. 제2 배향액은 광개시제를 포함하지 않을 수 있다.
제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 사이에 액정 조성물을 제공한다(S30). 액정 조성물은 액정 분자들(LC) 및 극성을 갖는 반응성 메조겐들(RM)을 포함한다(액정 분자는 종류에 상관없이 도면 상에서 LC로 표시하였다.). 액정 분자들(LC)과 반응성 메조겐들(RM)에 대해서는 앞서 설명한 바 상세한 설명은 생략한다.
액정 조성물에 전계를 인가하고, 액정 조성물의 반응성 메조겐들(RM)을 경화시킴으로써, 제1 배향 형성층(PTL1)을 형성할 수 있다(S40). 제1 기판(SUB1)과 연결되는 제1 전극부(110) 및 제2 기판과 연결되는 제2 전극부(120)를 포함하는 전원부(100)를 이용하여 액정 조성물에 전계를 형성할 수 있다. 제1 기판(SUB1)과 제1 전극부(110)의 연결 위치는 특별히 제한되지 않으며, 제1 기판(SUB1)에 전압을 인가할 수 있는 곳이라면 제1 전극부(110)는 제1 기판(SUB1)의 어느 위치와도 연결될 수 있다. 제2 기판(SUB2)과 제2 전극부(120)의 연결 위치는 특별히 제한되지 않으며, 제2 기판(SUB2)에 전압을 인가할 수 있는 곳이라면 제2 전극부(120) 역시 제2 기판(SUB2)의 어느 위치와도 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극부(110)는 화소 전극(PE)와 연결될 수 있고, 제2 전극부(120)는 공통 전극(CE)과 연결될 수 있다.
액정 조성물에 전계를 인가되면 소정의 극성을 갖는 반응성 메조겐들(RM)은 일정한 방향으로 이동한다. 반응성 메조겐들(RM)이 양극성을 갖는 경우에 대하여 설명한다. 제1 전극부(110)에 제1 전압을 인가하고, 제2 전극부(120)에 제1 전압보다 높은 제2 전압을 인가하면, 양극성의 반응성 메조겐들(RM)은 제1 배향 형성층(PTL1)으로 이동한다. 제1 전극부(110)에 음 전압을 인가하고, 제2 전극부(120)를 접지할 수 있다. 제1 전극부(110)를 접지하고, 제2 전극부(120)에 양 전압을 인가할 수도 있다.
반응성 메조겐들(RM)이 음극성을 갖는 경우에 대하여 설명한다. 제1 전극부(110)에 제1 전압을 인가하고, 제2 전극부(120)에 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가하면, 음극성의 반응성 메조겐들(RM)은 제1 배향 형성층(PTL1)으로 이동한다. 제1 전극부(110)에 양 전압을 인가하고, 제2 전극부(120)를 접지할 수 있다. 제1 전극부(110)를 접지하고, 제2 전극부(120)에 음 전압을 인가할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치(10)의 제조 방법에서는 제1 전극부와 제2 전극부 사이에 전계를 형성하여, 기능기를 갖는 반응성 메조겐들(RM)을 제1 기판(SUB1) 쪽으로 이동시키는 것을 예를 들어 설명하였으나, 제1 베이스층(PTL1)이 광 개시제를 포함하고, 제2 베이스층(PTL2)이 광 개시제를 포함하지 않도록 하여, 반응성 메조겐들(RM)을 제1 기판(SUB1)으로 이동시킬 수도 있다.
액정 조성물에 자외선과 같은 광을 제공하여 액정 조성물에 포함된 반응성 메조겐들(RM)을 경화시킨다. 광을 제공하면, 반응성 메조겐들(RM)은 중합되어 제1 베이스층(PAL1)에 결합된다. 이에 따라 제1 베이스층(PAL1) 상에 제1 배향 형성층(PTL1)이 제공된다. 서로 중합된 반응성 메조겐들(RM)은 섬 형상의 복수 개의 패턴들을 구성할 수 있다. 다시말해 제1 배향 형성층(PTL1)은 중합된 반응성 메조겐들(RM)이 일정 간격으로 또는 랜덤하게 서로 이격되어 구성될 수 있다. 중합된 반응성 메조겐들(RM)은 예를 들어, 측쇄 형태로 제공될 수 있다. 제1 배향 형성층(PTL1)은 제1 액정 분자들(LC1)을 프리틸트시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치(10)의 제조 방법에서는 반응성 메조겐들(RM)이 액정 조성물에 포함되는 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정하는 것은 아니고, 반응성 메조겐들(RM)은 제1 배향액에도 포함될 수 있다.
제1 배향 형성층(PTL1)과 인접한 제1 액정 분자들(LC1)은 제1 선경사각(AN1)을 갖는다. 제1 선경사각(AN1)을 갖도록 프리틸트된 제1 액정 분자들(LC1)은 전압이 더 이상 인가되지 않더라도 제1 선경사각(AN1)을 갖는다. 제1 선경사각(AN1)은 예를 들어, 제1 액정 분자들(LC1)의 선경사각들의 평균값, 대표값 등일 수 있다.
액정 조성물에 전계를 인가할 때, 반응성 메조겐들(RM)은 제2 베이스층(PTL2)쪽으로는 거의 이동하지 않는다. 다만 소량이 이동할 수 있고, 이에 따라 제2 베이스층(PAL2) 상에 제2 배향 형성층(PTL2)가 형성될 수 있다. 제2 배향 형성층(PTL2)은 서로 중합된 반응성 메조겐들(RM)을 포함한다. 중합된 반응성 메조겐들(RM)은 예를 들어, 측쇄 형태 또는 네트워크 형태로 제공될 수 있다. 다만, 제2 배향 형성층(PTL2)은 제1 배향 형성층(PTL1)과 비교할 때, 양이 소량이어서, 제2 액정 분자들(LC2)을 프리틸트 시키기 어렵다. 이에 따라 제2 액정 분자들(LC2)은 제2 선경사각(AN2)을 가질 수 있고, 제2 선경사각(AN2)은 제1 선경사각(AN1)과 상이할 수 있다. 예를 들어, 제2 선경사각(AN2)은 제2 액정 분자들(LC2)의 선경사각들의 평균값, 대표값 등일 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치(10)의 제조 방법은 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)을 휘는 단계를 더 포함할 수 있다. 제1 기판(SUB1)은 제1 곡률 반경(R1)을 갖는 것일 수 있다. 제2 기판(SUB2)은 제2 곡률 반경(R2)을 갖는 것일 수 있다.
도 2 및 도 11을 참조하면, 제1 곡률 반경(R1)은 제2 곡률 반경(R2)보다 클 수 있다. 도 11에서는 제1 기판(SUB1)에서 제2 기판(SUB2) 방향으로 영상이 표시될 수 있다. 도 2 및 도 12를 참조하면, 제1 곡률 반경(R1)은 제2 곡률 반경(R2)보다 작을 수 있다. 도 12는 도 11에 도시된 표시 장치를 반대로 휜 것과 같다. 도 12에서는 제2 기판(SUB2)에서 제1 기판(SUB1) 방향으로 영상이 표시될 수 있다.
비교예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 곡면형 표시 장치는 제1 배향막의 하부 배향 영역들 상의 제1 액정 분자들과 하부 배향 영역들과 대응하는 제2 배향막의 상부 배향 영역들 상의 제2 액정 분자들이 서로 동일한 방향으로 배향된다. 이에 따라 앞서 설명한 바와 같이, 즉, 비교예에 따른 곡면형 표시 장치는 휘어진 경우에 광을 시인할 수 없어, 화소 내에서 어둡게 시인되는 텍스쳐 불량이 발생한다.
다만, 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 곡면형 표시 장치의 제1 액정 분자들은 제1 선경사각으로 프리틸트되지만, 제2 액정 분자들은 실질적으로 프리틸트되지 않아 제1 선경사각과 상이한 제2 선경사각을 갖는다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 곡면형 표시 장치는 휘어진 경우에도 텍스쳐 불량이 발생하지 않는다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면형 표시 장치의 제조 방법에 의해 제조된 곡면형 표시 장치는 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 곡면형 표시 장치 100: 전원부
110: 제1 전극부 120: 제2 전극부
ALN1: 제1 배향막 ALN2: 제2 배향막
BM: 블랙 매트릭스 CE: 공통 전극
CF: 컬러 필터 LCL: 액정층
LC: 액정 분자들 RM: 반응성 메조겐들
PAL1: 제1 베이스층 PTL1: 제1 배향 형성층
PE: 화소 전극

Claims (31)

  1. 제1 곡률 반경을 갖는 제1 기판;
    상기 제1 기판과 대향하고, 상기 제1 곡률 반경보다 작은 제2 곡률 반경을 갖는 제2 기판;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 형성되고, 액정 분자들을 포함하는 액정층;
    상기 제1 기판 및 상기 액정층 사이에 형성되는 제1 배향막; 및
    상기 액정층 및 상기 제2 기판 사이에 형성되는 제2 배향막을 포함하고,
    상기 제1 배향막은 광개시제 포함하는 제1 베이스층, 및 중합된 반응성 메소겐들을 포함하는 제1 배향 형성층을 포함하고,
    상기 제2 배향막은 상기 중합된 반응성 메소겐 및 상기 광개시제를 미포함하며,
    상기 반응성 메소겐은 전하를 갖는 기능기를 가지며,
    상기 액정 분자들 중 상기 제1 배향막과 인접한 제1 액정 분자들은 제1 선경사각(pretilt-angle)을 갖고,
    상기 액정 분자들 중 상기 제2 배향막과 인접한 제2 액정 분자들은 상기 제1 선경사각보다 큰 제2 선경사각을 갖는 곡면형 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 곡면형 표시 장치는 플렉서블한 것인 곡면형 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기능기는 양전하를 갖는 것인 곡면형 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 기능기는 알칼리 금속 이온을 포함하는 것인 곡면형 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기능기는 음전하를 갖는 것인 곡면형 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기능기는 할로젠 이온을 포함하는 것인 곡면형 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판은
    제1 베이스 기판;
    상기 제1 베이스 기판 상에 형성되는 컬러 필터; 및
    상기 제1 베이스 기판 상에 형성되는 블랙 매트릭스를 포함하는 것인 곡면형 표시 장치.
  8. 제1 기판을 제공하는 단계;
    상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판을 제공하는 단계;
    상기 제1 기판 상에 광개시제를 포함하는 제1 배향액을 제공하여 제1 베이스층을 형성하는 단계;
    상기 제2 기판 상에 상기 광개시제를 미포함하는 제2 배향액을 제공하여 제2 베이스층을 형성하는 단계;
    상기 제1 베이스층과 상기 제2 베이스층 사이에, 액정 분자들 및 전하를 갖는 기능기를 갖는 반응성 메조겐들을 포함하는 액정 조성물을 제공하는 단계;
    상기 액정 조성물에 광과 전계를 제공하여 상기 제1 베이스층 상에 제1 배향 형성층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 휘는 단계; 를 포함하고,
    휘어진 상기 제1 기판은 제1 곡률 반경을 가지며, 휘어진 상기 제2 기판은 상기 제1 곡률 반경보다 작은 제2 곡률 반경을 가지고,
    상기 액정 분자들 중 상기 제1 배향 형성층과 인접한 제1 액정 분자들은 제1 선경사각(pretilt-angle)을 갖고,
    상기 액정 분자들 중 상기 제2 베이스층과 인접한 제2 액정 분자들은 상기 제1 선경사각보다 큰 제2 선경사각을 갖는 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 기판과 연결되는 제1 전극부 및 상기 제2 기판과 연결되는 제2 전극부를 포함하는 전원부를 제공하는 단계를 더 포함하는 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기능기는 양전하를 갖는 것인 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는
    상기 제1 전극부에 제1 전압을 인가하고,
    상기 제2 전극부에 제1 전압보다 높은 제2 전압을 인가하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함하는 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는
    상기 제1 전극부에 음 전압을 인가하고,
    상기 제2 전극부를 접지하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함하는 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는
    상기 제1 전극부를 접지하고,
    상기 제2 전극부에 양 전압을 인가하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함하는 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 기능기는 알칼리 금속 이온을 포함하는 것인 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 기능기는 음전하를 갖는 것인 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는
    상기 제1 전극부에 제3 전압을 인가하고,
    상기 제2 전극부에 제3 전압보다 낮은 제4 전압을 인가하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함하는 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는
    상기 제1 전극부에 양 전압을 인가하고,
    상기 제2 전극부를 접지하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함하는 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제1 배향 형성층을 형성하는 단계는
    상기 제1 전극부를 접지하고,
    상기 제2 전극부에 음 전압을 인가하여 상기 액정 조성물에 전계를 인가하는 단계를 포함하는 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 기능기는 할로젠 이온을 포함하는 것인 곡면형 표시 장치의 제조방법.
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 제1항에 있어서,
    상기 제1 선경사각은
    80° 이상 90°미만인 것인 곡면형 표시 장치.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 제2 선경사각은
    88°이상 90°이하인 것인 곡면형 표시 장치.
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판은
    제1 베이스 기판; 및
    상기 제1 베이스 기판 상에 제공되는 화소 전극을 포함하고,
    상기 제2 기판은
    제2 베이스 기판; 및
    상기 제2 베이스 기판 상에 제공되고, 상기 화소 전극과 대향하는 공통 전극을 포함하는 것인 곡면형 표시 장치.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 화소 전극은
    줄기부; 및
    상기 줄기부로부터 연장되는 복수의 가지부들;을 포함하는 것인 곡면형 표시 장치.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 화소 전극은 상기 줄기부를 기준으로 상기 복수의 가지부들의 연장방향이 상이한 복수의 도메인들로 정의되는 곡면형 표시 장치.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 도메인들 각각의 가지부들은 서로 평행하게 연장된 곡면형 표시 장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 도메인들은 제1 도메인, 제2 도메인, 제3 도메인 및 제4 도메인을 포함하는 것인 곡면형 표시 장치.
  31. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판의 하부에 제공되고, 제1 투과축을 갖는 제1 편광판; 및
    상기 제2 기판 상에 제공되고, 제2 투과축을 갖는 제2 편광판;을 더 포함하고,
    상기 제1 투과축의 방향 및 상기 제2 투과축의 방향은 서로 직교하는 것인 곡면형 표시 장치.
KR1020150023968A 2014-02-26 2015-02-17 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법 KR102362770B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/632,395 US9720283B2 (en) 2014-02-26 2015-02-26 Curved display device comprising first and second liquid crystal molecules with respective first and second pretilt-angles and method of manufacturing the same
US15/645,214 US11079632B2 (en) 2014-02-26 2017-07-10 Display device comprising a first alignment layer having reactive mesogens and a photoinitiator and a second alignment layer not having the photoinitiator
US17/375,354 US11586074B2 (en) 2014-02-26 2021-07-14 Curved display device comprising a first alignment layer having a first pretilt-angle and a second alignment layer having a second pretilt-angle and method of manufacturing the same
KR1020220016891A KR102476395B1 (ko) 2014-02-26 2022-02-09 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140022681 2014-02-26
KR1020140022681 2014-02-26

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220016891A Division KR102476395B1 (ko) 2014-02-26 2022-02-09 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150101930A KR20150101930A (ko) 2015-09-04
KR102362770B1 true KR102362770B1 (ko) 2022-02-16

Family

ID=54242928

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150023968A KR102362770B1 (ko) 2014-02-26 2015-02-17 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법
KR1020220169160A KR102652209B1 (ko) 2014-02-26 2022-12-06 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220169160A KR102652209B1 (ko) 2014-02-26 2022-12-06 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR102362770B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018534630A (ja) * 2015-09-23 2018-11-22 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ ポリマー安定化液晶ディスプレイにおいてプレチルト角を制御する方法
KR102525521B1 (ko) * 2016-03-18 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102547372B1 (ko) 2016-05-03 2023-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102537443B1 (ko) * 2018-04-03 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343440A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Fuji Photo Film Co Ltd 電解質組成物、電気化学電池、光電気化学電池、非水二次電池
JP2006514073A (ja) * 2003-01-24 2006-04-27 メルク　パテント　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフトング イオン性メソゲン化合物
JP5095828B2 (ja) * 2008-12-26 2012-12-12 シャープ株式会社 液晶表示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006121220A1 (en) 2005-05-13 2006-11-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US20100209694A1 (en) 2007-09-28 2010-08-19 Toray Industries, Inc. White film, and surface light source using the same
KR101613629B1 (ko) 2009-01-19 2016-04-20 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치와 이의 제조방법 및 이에 포함되는 배향막 조성물
KR101615926B1 (ko) * 2009-07-28 2016-04-28 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR101825215B1 (ko) * 2011-06-07 2018-02-05 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130092816A (ko) * 2012-02-13 2013-08-21 (주)켐넥스 반응성 메소젠 화합물, 이를 포함하는 액정 조성물, 표시 패널의 제조 방법 및 표시 패널
KR101507206B1 (ko) * 2012-02-13 2015-03-30 엘지디스플레이 주식회사 유연한 표시장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343440A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Fuji Photo Film Co Ltd 電解質組成物、電気化学電池、光電気化学電池、非水二次電池
JP2006514073A (ja) * 2003-01-24 2006-04-27 メルク　パテント　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフトング イオン性メソゲン化合物
JP5095828B2 (ja) * 2008-12-26 2012-12-12 シャープ株式会社 液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150101930A (ko) 2015-09-04
KR102652209B1 (ko) 2024-04-01
KR20230005060A (ko) 2023-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102476395B1 (ko) 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법
KR102652209B1 (ko) 곡면형 표시 장치 및 곡면형 표시 장치의 제조 방법
US10539830B2 (en) Curved display device including alignment layer and method of manufacturing the same
US8982305B2 (en) Liquid crystal display panel and display apparatus using the same
US9128334B1 (en) Liquid crystal display panel and display apparatus using the same
US8947623B2 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US9104070B2 (en) Liquid crystal display panel and display apparatus using the same
US20150124202A1 (en) Liquid crystal display panel and display apparatus using the same
CN104520761A (zh) 液晶显示装置
US9013661B2 (en) Liquid crystal display panel and display apparatus using the same
US9507201B2 (en) Liquid crystal display panel and display apparatus using the same
US9110335B2 (en) Liquid crystal display panel and display apparatus using the same
US20010009449A1 (en) Wide viewing angle liquid crystal display
US9239498B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101951304B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US9696596B2 (en) Liquid crystal display panel
US9720276B2 (en) Liquid crystal display panel and display apparatus using the same
US9846333B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal panel
TWI691766B (zh) 顯示裝置的製作方法
KR20150120588A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2015096942A (ja) 表示パネル及び表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant