JP2015096942A - 表示パネル及び表示装置 - Google Patents

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An Chang Wang
安昌 汪
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Abstract

【課題】ＰＳＡ技術を用いた表示パネル及び表示装置を提供する。【解決手段】表示パネルは、第１基板と、第２基板と、液晶層とを含む。第１基板は、第１透明導電層と、第１配向層とを備え、第１透明導電層は、第１表面と、少なくとも１つの第１切欠きとを有し、第１表面は、第２基板に臨む。第１配向層は、第１部分と第２部分とを有し、第１部分は、第１切欠き内に配置され、第２部分は、第１表面上に配置され、かつ、第１配向層の第１部分の表面粗さは、第２部分の表面粗さより大きい。第２基板は、第１基板に対向配置され、液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在する。【選択図】図２Ｃ

Description

本発明は、表示パネル及び表示装置に関し、特に、ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術を用いた表示パネル及び表示装置に関する。
技術の進歩に伴い、フラットパネル表示装置は様々な分野に幅広く使用されるようになっている。特に、軽薄性，低消費電力性，非放射性に優れた液晶表示装置は、従来の陰極線管表示装置の代わりに、例えば、携帯電話、携帯型マルチメディア装置、ノートパソコン、液晶テレビ、及び液晶スクリーンなどの様々な電子製品に使われるようになっている。
現在、薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ ＬＣＤ）の広視野角化技術には，マルチドメイン垂直配向（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ，ＭＶＡ）技術などがある。ＭＶＡ技術において、ポリマー配向支持（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ，ＰＳＡ）技術は、開口率やコントラストなどの光学特性を向上させることができる量産化及び成熟した技術である。ＰＳＡ技術では、液晶層及び／又は配向層中に光反応性モノマー（ｍｏｎｏｍｅｒ）を添加した後、電圧を印加するとともに、紫外線照射によって光反応性モノマーを硬化させて、配向層上に重合した高分子ポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）を形成し、硬化したポリマーを、薄膜トランジスタ基板又はカラーフィルタ基板上のパターン化された透明導電層のパターンに基づいて配列させる。この高分子ポリマーにより、液晶にはマルチドメイン（ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ）配向を得る目的を達成する。
従来のＰＳＡ技術では、薄膜トランジスタ基板又はカラーフィルタ基板上の透明導電層にパターン化された切欠きを形成し、この切欠きにより表示パネルの画素電極が駆動されて電界を形成して、透明導電層上に形成された配向層によって、液晶分子を元のプレチルト（ｐｒｅ−ｔｉｌｔ）方向に沿って配向させる。これにより、液晶の応答速度を向上させるだけでなく、表示パネルにはマルチドメイン配向を得る目的を達成することができる。
しかしながら、表示パネルの画素電極が駆動されて電界を形成する際、透明導電層の切欠き内には透明導電層が存在しないため、その電界が透明電極層の存在する領域の電界より弱い。この現象により、切欠きに対応した液晶分子は周囲の電界の影響を受けて、その配向を効果的に制御することができず、液晶分子の配向の乱れが生じる。その結果、液晶の応答速度（ｒｅｓｐｏｎｓｅ ｔｉｍｅ）に影響を与えるだけでなく、さらに画像残像（ｉｍａｇｅ ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ）が生じるおそれがある。
したがって、切欠きに位置する液晶分子の配向が不安定となる状況を改善でき、さらに、切欠きに位置する液晶の応答速度低下又は画像残像の問題を避ける表示パネル及び表示装置を提供することは、重要な課題の一つである。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、切欠きに位置する液晶分子の配向が不安定となる状況を改善し、さらに、切欠きに位置する液晶の応答速度低下又は画像残像の問題を避ける表示パネル及び表示装置を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するために、本発明の表示パネルは、第１基板と、第２基板と、液晶層とを含む。第１基板は、第１透明導電層と、第１配向層とを備え、第１透明導電層は、第１表面と、少なくとも１つの第１切欠きとを有し、第１配向層は、第１部分と第２部分とを有し、第１部分は、第１切欠き内に配置され、第２部分は、第１表面上に配置され、かつ、第１配向層の第１部分の表面粗さは、第２部分の表面粗さより大きい。第２基板は、第１基板に対向配置され、液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在する。
上述した目的を達成するために、本発明の表示装置は、表示パネルを含み、表示パネルは、第１基板と、第２基板と、液晶層とを含み、第１基板は、第１透明導電層と、第１配向層とを備え、第１透明導電層は、第１表面と、少なくとも１つの第１切欠きとを有し、第１配向層は、第１部分と第２部分とを有し、第１部分は、第１切欠き内に配置され、第２部分は、第１表面上に配置され、かつ、第１配向層の第１部分の表面粗さは、第２部分の表面粗さより大きく、第２基板は、第１基板に対向配置され、液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在する。
一実施形態において、第１部分の最大高さ粗さは、第２部分の最大高さの粗さより大きい。
一実施形態において、第１部分は、複数の第１突起物を有し、第２部分は、複数の第２突起物を有し、複数の第１突起物のうちの最大高さは、複数の第２突起物のうちの最大高さより高い。
一実施形態において、第１切欠きの断面の最大幅が５μｍ以上３０μｍ以下である。
一実施形態において、第２基板は、第２透明導電層を有し、第２透明導電層は、間隔をおいて配置された複数のサブ透明導電部を有し、複数のサブ透明導電部のそれぞれは、複数の第１切欠きの少なくとも１つに対応して配置されている。
一実施形態において、互いに隣接する２つのサブ透明導電部の間に第２切欠きを有し、第２透明導電層は、第１表面に臨む第２表面をさらに有し、第２基板は、第２配向層をさらに有し、第２配向層は、第３部分と第４部分とを有し、第３部分は、第２切欠き内に配置され、第４部分は、第２表面上に配置され、かつ、第２配向層の第３部分の表面粗さは、第４部分の表面粗さより大きい。
上記のように、本発明の表示パネル及び表示装置において、表示パネルには駆動によって電界が形成される際、第１配向層及び第２配向層に重合した高分子ポリマーを用いて、液晶分子を元のプレチルト方向に沿って配向させる。これにより、液晶の応答速度を向上させるだけでなく、表示パネル及び表示装置にはマルチドメイン配向を得る目的を達成することができる。また、第１配向層の第１部分は、第１透明導電層の第１切欠き内に配置され、第２部分は、第１透明導電層の第１表面上に配置され、かつ第１配向層の第１部分の表面粗さが第２部分の表面粗さより大きいため、第１部分における比較的粗い又は顆粒の大きい突起物によって、第１部分に対応した領域内の液晶分子は、切欠き周囲の電界の影響を受けにくく、比較的安定している。これにより、本発明の表示パネル及び表示装置は、切欠きに位置する液晶の応答速度低下又は画像残像の問題を避けることができる。
本発明の好ましい実施形態に係る表示パネルを示す概略平面図である。 図１ＡのＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。 最大高さ粗さを示す概略図である。 第１切欠きのエッジ両側の基準長さを示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る第１配向層の第１部分の一部と第２部分のＳＥＭ画像を示す概略図である。 図１Ｂの表示パネルの一部を示す断面概略図である。 本発明の好ましい実施形態に係る表示装置を示す概略図である。
以下、本発明の好ましい実施形態に係る表示パネル及び表示装置を例示し、添付図面を参照して詳しく説明する。同一要素には同一符号を付する。
本発明の表示パネルは、例えば、ＩＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示パネル、ＦＦＳ（ｆｒｉｎｇｅ ｆｉｅｌｄ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示パネル、ＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示パネル、ＰＡ（ｐｈｏｔｏ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示パネル又は３Ｄ液晶表示パネルであってもよいが、特に限定されない。
図１Ａ及び図１Ｂを参照する。図１Ａは、本発明の好ましい実施形態に係る表示パネル１を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａの表示パネル１において、Ａ−Ａ線に沿った概略断面図である。ここで、表示パネル１の要素の相対的な関係を明らかに示すために、図１Ａにおいて、表示パネル１の第１基板１１の第１透明導電層１１１、第１切欠きＯ１、及び第２基板１２の第２透明導電層１２１における互いに隣接するサブ透明導電部１２１１のみが示され、かつ第１切欠きＯ１が２つ、サブ透明導電部１２１１が２つのみ示されている。
表示パネル１は、第１基板１１、第２基板１２及び液晶層１３を含んでいる。第１基板１１は、第２基板１２に対向配置され、液晶層１３は、第１基板１１と第２基板１２との間に介在している。そのうち、第１基板１１及び第２基板１２は、透光性材料からなり、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板であるが、これらに限定されない。本実施形態において、第１基板１１は、カラーフィルタ基板を例とし、第２基板１２は、薄膜トランジスタ基板を例としたが、他の実施形態において、第１基板１１がＢＯＡ（ＢＭ ｏｎ ａｒｒａｙ）基板となるように、カラーフィルタ基板上のブラックマトリックス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ）層を、薄膜トランジスタ基板上に配置してもよく、或いは、第１基板１１がＣＯＡ（ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ ｏｎ ａｒｒａｙ）基板となるように、フィルタ層を薄膜トランジスタ基板上に配置してもよい。特に限定されない。
第１基板１１は、第１透明導電層１１１及び第１配向層１１２を備え、第１配向層１１２は、第１透明導電層１１１上に配置されている。また、第１基板１１は、フィルタ層１１３及びブラックマトリックス層ＢＭをさらに備えている。フィルタ層１１３、第１透明導電層１１１及び第１配向層１１２は、透光基板１１４上に順に配置され、かつ、ブラックマトリックス層ＢＭも、透光基板１１４上に配置されている。フィルタ層１１３は、複数のフィルタ部を有し、互いに隣接する２つのフィルタ部の間に一部分のブラックマトリックス層ＢＭを有している。なお、ブラックマトリックス層ＢＭは、非透光性材料であり、例えば金属や樹脂である。金属は、クロム、クロミア又はクロム酸窒化化合物が挙げられる。ブラックマトリックス層ＢＭは非透光性材料であるため、第１基板１１上には、非透光領域が形成されることができる。これにより、さらに、透光領域が定義されることができる。光線が第１基板１１の透光領域を通過する際、第１基板１１のこれらフィルタ部により色が表示される。
第１透明導電層１１１は、第１表面Ｓ１及び少なくとも第１切欠きＯ１を有し、第１表面Ｓ１は第２基板１２に臨んでいる。ここで、第１透明導電層１１１は、複数の第１切欠きＯ１を有するものを例とした。第１切欠きＯ１の断面は、最大幅が５μｍ以上３０μｍ以下であり、その形状が、例えば円形、多角形又は不規則形であってもよい。ここで、円形で直径が１５μｍを例とした。第１透明導電層１１１の材料は、例えば、インジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ，ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ−ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ，ＩＺＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ａｌｕｍｉｎｕｍ−ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ，ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、又は酸化亜鉛（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＺｎＯ）であってもよいが、特に限定されない。また、第１配向層１１２は、第１部分Ｐ１及び第２部分を含み、第１部分Ｐ１は、第１切欠きＯ１内に配置され、第２部分Ｐ２は、第１表面Ｓ１上に配置されている。つまり、第１配向層１１２の第２部分Ｐ２は、第１透明導電層１１１が第２基板１２に臨む表面（第１表面Ｓ１）に形成され、第１配向層１１２の第１部分Ｐ１は、これら第１切欠きＯ１内に形成されている。第１配向層１１２の材料は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ＰＩ）であってもよいが、これに限定されない。
第１配向層１１２の第１部分Ｐ１の表面粗さは、第２部分Ｐ２の表面粗さより大きい。一般には、表面粗さを表すには、中心線平均粗さ、最大高さ粗さ及び十点平均粗さなど３つの方法がある。最大高さ粗さについて、図２Ａに示すように、断面曲線Ｃから一定の長さを基準長さＬとして抜き取って、基準長さＬにおいて、断面曲線Ｃの最高点と最低点とによって断面曲線Ｃの平均線Ｌ１に平行な２本の直線Ｌ２及び直線Ｌ３を描いて、この２本の直線Ｌ２と直線Ｌ３との間の垂直距離Ｄは最大高さ粗さである。言い換えれば、基準長さＬにおいて、基準長さＬに沿う方向に、基準長さＬと垂直な方向に断面曲線Ｃの最高点と最低点との間の距離である。図２Ｂに示すように、一実施形態において、第１切欠きＯ１のエッジ両側（即ち、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２）の長さＬ（即ち、基準長さ）の最大高さ粗さを比較する。Ｌの最小値は、例えば１μｍであってもよく、最大値は第１切欠きＯ１の断面幅（例えば１５μｍ）であってもよい。具体的には、本発明の第１配向層１１２の第１部分Ｐ１の最大高さ粗さは、第２部分Ｐ２の最大高さ粗さより大きい。或いは、第１配向層１１２の第１部分Ｐ１の中心線平均粗さは、第２部分Ｐ２の中心線平均粗さより大きい。或いは、第１配向層１１２の第１部分Ｐ１の十点平均粗さは、第２部分Ｐ２の十点平均粗さより大きい。特に限定されない。
また、図２Ｃは、本発明の一実施形態に係る第１配向層１１２の第１部分Ｐ１の一部と第２部分Ｐ２のＳＥＭ画像を示す概略図である。
本実施例において、第１部分Ｐは、複数の第１突起物Ｒ１を有し、第２部分Ｐ２は、複数の第２突起物Ｒ２を有し、第１部分Ｐ１の表面粗さは、第２部分Ｐ２の表面粗さより大きく、かつ、これら第１突起物Ｒ１のうちの最大高さは、これら第２突起物Ｒ２のうちの最大高さよりも高い。具体的には、図２Ｃに示すように、第１部分Ｐ１は第２部分Ｐ２より粗くて大きい（比較的高い）突起物を有するだけでなく、第１部分Ｐ１のこれら第１突起物Ｒ１の平均高さは、第２部分Ｐ２のこれら第２突起物Ｒ２の平均高さよりも高い。本実施形態において、平均高さは、同じ大きさの領域内（例えば、直径の最小値が１μｍ、最大値が第１切欠きＯ１の断面幅である円形領域内）に、突起物の高さが、例えば０．０５μｍより高く、２μｍより低い場合のみ、計算に入れられる。計算に入れたこれら突起物において、第１部分Ｐ１のこれら第１突起物Ｒ１のうちの最大高さは、第２部分Ｐ２のこれら第２突起物Ｒ２のうちの最大高さよりも大きく、かつ、第１部分Ｐ１のこれら第１突起物Ｒ１の平均高さは、第２部分Ｐ２のこれら第２突起物Ｒ２の平均高さよりも大きい。
また、図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、第２基板１２は、第２透明導電層１２１を備え、第２透明導電層１２１は、間隔をおいて配置された複数のサブ透明導電部１２１１を有し、これらサブ透明導電部１２１１は、透光基板１２４の第１基板１１に臨む表面に配置されている。そのうち、これらサブ透明導電部１２１１は、二次元アレイ状に配置され、それぞれ表示パネル１における１つのサブ画素（ｓｕｂ−ｐｉｘｅｌ）の画素電極であり、かつ、各サブ透明導電部１２１１は、第１切欠きＯ１の少なくとも１つに対応して配置されている。本実施例において、各サブ透明導電部１２１１は、１つの第１切欠きＯ１に対応して配置されている。しかし、他の実施形態において、各サブ透明導電部１２１１は、複数の第１切欠きＯ１に対応して配置されてもよい。また、互いに隣接する２つのサブ透明導電部１２１１の間には、第２切欠きＯ２が形成されている。
第２基板１２は、第２透明導電層１２１上に配置された第２配向層１２２をさらに有し、第２透明導電層１２１は、第１表面Ｓ１に臨む第２表面Ｓ２をさらに有する。そのうち、第２配向層１２２は、第３部分Ｐ３及び第４部分Ｐ４を有し、第３部分Ｐ３は、これら第２切欠きＯ２内に配置され、第４部分Ｐ４は、第２表面Ｓ２上に配置されている。また、第２配向層１２２の第３部分Ｐ３の表面粗さは、第４部分Ｐ４の表面粗さより大きい。第３部分Ｐ３は、複数の第３突起物を有し、第４部分Ｐ４は、複数の第４突起物を有し、かつ、これら第３突起物のうちの最大高さは、これら第４突起物のうちの最大高さよりも高い。なお、表面粗さについては、上記説明を参照できるため、省略する。
なお、表示パネル１は、光反応性モノマー（図示せず）をさらに含んでもよい。光反応性モノマーは、液晶層１３内に混合されてもよく、或いは、第１配向層１１２及び第２配向層１２２内に混合されてもよく、或いは、液晶層１３と第１配向層１１２及び第２配向層１２２内に同時に混合されてもよいが、特に限定されない。表示パネル１にＰＳＡ技術を用いる場合、フォトマスクを用いて、電界強度並びに第１部分Ｐ１の領域及び第２部分Ｐ２の領域に照射する紫外線の時間及び強度を制御して、光反応性モノマーを硬化させることによって、第１配向層１１２の第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２に重合した高分子ポリマーは、第１部分Ｐ１の表面粗さが第２部分Ｐ２の表面粗さより大きいように、粗さ及び平均高さの異なる突起物を形成する。
図３は、図１Ｂの表示パネル１の一部を示す断面概略図である。
本実施形態において、表示パネル１には、駆動によって電界が形成される際、第１配向層１１２及び第２配向層１２２に重合した高分子ポリマーを用いて、液晶層１３の液晶分子１３１を元のプレチルト方向に沿って配向させる。これにより、液晶の応答速度を向上させるだけでなく、表示パネル１にはマルチドメイン配向を得る目的を達成することができる。また、第１配向層１１２の第１部分Ｐ１の表面粗さが第２部分Ｐ２の表面粗さより大きいため、第１部分Ｐ１における比較的粗い又は顆粒の大きい突起物（即ち、高分子ポリマー）によって、第１部分Ｐ１に対応した領域内の液晶分子１３１は、第１切欠きＯ１周囲の電界の影響を受けにくく、比較的安定している（比較的粗い又は顆粒の大きい高分子ポリマーは、その領域に対応した液晶分子を効果的に安定させて、液晶分子１３１の配向の乱れが生じ難い）。これにより、表示パネル１は、切欠きに位置する液晶の応答速度低下又は画像残像の問題を避けることができる。
図４は、本発明の好ましい実施形態に係る表示装置２を示す概略図である。
表示装置２は、表示パネル３とバックライトモジュール（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌｅ）４とを含んでおり、表示パネル３は、バックライトモジュール４と対向配置されている。そのうち、表示パネル３は、上記の表示パネル１であってもよく、ここで、説明は省略する。バックライトモジュール４からの光線Ｅが表示パネル３を通過する際、表示パネル３の各画素により色が表示されて画像が形成される。
上述したように、本発明による表示パネル及び表示装置において、表示パネルには駆動によって電界が形成される際、第１配向層及び第２配向層に重合した高分子ポリマーを用いて、液晶分子を元のプレチルト方向に沿って配向させる。これにより、液晶の応答速度を向上させるだけでなく、表示パネル及び表示装置にはマルチドメイン配向を得る目的を達成することができる。また、第１配向層の第１部分は、第１透明導電層の第１切欠き内に配置され、第２部分は、第１透明導電層の第１表面上に配置され、かつ第１配向層の第１部分の表面粗さが第２部分の表面粗さより大きいため、第１部分Ｐ１における比較的粗い又は顆粒の大きい突起物によって、第１部分に対応した領域内の液晶分子は、切欠き周囲の電界の影響を受けにくく、比較的安定している。これにより、本発明の表示パネル及び表示装置は、切欠きに位置する液晶の応答速度低下又は画像残像の問題を避けることができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
１、３ 表示パネル
１１ 第１基板
１１１ 第１透明導電層
１１２ 第１配向層
１１３ フィルタ層
１１４、１２４ 透光基板
１２ 第２基板
１２１ 第２透明導電層
１２１１ サブ透明導電部
１２２ 第２配向層
１３ 液晶層
１３１ 液晶分子
２ 表示装置
４ バックライトモジュール
Ａ−Ａ 直線
ＢＭ ブラックマトリックス層
Ｃ 断面曲線
Ｄ 垂直距離
Ｅ 光線
Ｌ 基準長さ
Ｌ１ 平均線
Ｌ２、Ｌ３ 直線
Ｏ１ 第１切欠き
Ｏ２ 第２切欠き
Ｐ１ 第１部分
Ｐ２ 第２部分
Ｐ３ 第３部分
Ｐ４ 第４部分
Ｒ１ 第１突起物
Ｒ２ 第２突起物
Ｓ１ 第１表面
Ｓ２ 第２表面

Claims (12)

  1. 表示パネルであって、
    第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層とを含み、
    前記第１基板は、第１透明導電層と、第１配向層とを備え、前記第１透明導電層は、第１表面と、少なくとも１つの第１切欠きとを有し、前記第１配向層は、第１部分と第２部分とを有し、前記第１部分は、前記第１切欠き内に配置され、前記第２部分は、前記第１表面上に配置され、かつ、前記第１配向層の前記第１部分の表面粗さは、前記第２部分の表面粗さより大きいことを特徴とする表示パネル。
  2. 前記第１部分の最大高さ粗さは、前記第２部分の最大高さの粗さより大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  3. 前記第１部分は、複数の第１突起物を有し、前記第２部分は、複数の第２突起物を有し、前記複数の第１突起物のうちの最大高さは、前記複数の第２突起物のうちの最大高さよりも高いことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  4. 前記第１切欠きの断面の最大幅が５μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  5. 前記第２基板は、第２透明導電層を有し、前記第２透明導電層は、間隔をおいて配置された複数のサブ透明導電部を有し、前記複数のサブ透明導電部のそれぞれは、複数の前記第１切欠きの少なくとも１つに対応して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
  6. 互いに隣接する２つの前記複数のサブ透明導電部の間に第２切欠きが形成され、前記第２透明導電層は、前記第１表面に臨む第２表面をさらに有し、前記第２基板は、第２配向層をさらに有し、前記第２配向層は、第３部分と第４部分とを有し、前記第３部分は、前記第２切欠き内に配置され、前記第４部分は、前記第２表面上に配置され、かつ、前記第２配向層の前記第３部分の表面粗さは、前記第４部分の表面粗さより大きいことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
  7. 表示パネルを含む表示装置であって、
    前記表示パネルは、第１基板と、第２基板と、液晶層とを含み、
    前記第１基板は、第１透明導電層と、第１配向層とを備え、前記第１透明導電層は、第１表面と、少なくとも１つの第１切欠きとを有し、前記第１配向層は、第１部分と第２部分とを有し、前記第１部分は、前記第１切欠き内に配置され、前記第２部分は、前記第１表面上に配置され、かつ、前記第１配向層の前記第１部分の表面粗さは、前記第２部分の表面粗さより大きく、
    前記第２基板は、前記第１基板に対向配置され、
    前記液晶層は、前記第１基板と前記第２基板との間に介在することを特徴とする表示装置。
  8. 前記第１部分の最大高さ粗さは、前記第２部分の最大高さの粗さより大きいことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  9. 前記第１部分は、複数の第１突起物を有し、前記第２部分は、複数の第２突起物を有し、前記複数の第１突起物のうちの最大高さは、前記複数の第２突起物のうちの最大高さよりも高いことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  10. 前記第１切欠きの断面の最大幅が５μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  11. 前記第２基板は、第２透明導電層を有し、前記第２透明導電層は、間隔をおいて配置された複数のサブ透明導電部を有し、前記複数のサブ透明導電部のそれぞれは、複数の前記第１切欠きの少なくとも１つに対応して配置されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  12. 互いに隣接する２つの前記複数のサブ透明導電部の間に第２切欠きが形成され、前記第２透明導電層は、前記第１表面に臨む第２表面をさらに有し、前記第２基板は、第２配向層をさらに有し、前記第２配向層は、第３部分と第４部分とを有し、前記第３部分は、前記第２切欠き内に配置され、前記第４部分は、前記第２表面上に配置され、かつ、前記第２配向層の前記第３部分の表面粗さは、前記第４部分の表面粗さより大きいことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
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