KR102357931B1

KR102357931B1 - 원형 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치

Info

Publication number: KR102357931B1
Application number: KR1020150015945A
Authority: KR
Inventors: 신혜진; 곽원규; 김광민
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-02-02
Filing date: 2015-02-02
Publication date: 2022-02-04
Also published as: KR20160095241A; US20200184878A1; US10157565B2; US20160225306A1; US11024216B2; US20210287597A1; KR102397646B1; US20230162653A1; US20190088191A1; KR20210152443A; US11862063B2; US11587493B2; US10593254B2

Abstract

원형 표시 기판은 원형의 화소 영역에 배치되는 복수의 화소들, 및 상기 화소 영역에 인접하는 주변 영역에 배치되고, 상기 화소들을 구동하는 구동부를 포함한다. 상기구동부는 상기 표시 영역과 상기 주변 영역의 경계선에 수직한 방향을 따라 연장된 제1 변을 갖는 도전 패턴을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따른 원형 표시 기판은 화소 영역과 주변 영역의 상기 경계선을 따라 배열되는 단위 회로들 각각은 상기 경계선에 수직한 방향으로 연장되므로, 상기 주변 영역의 공간을 효율적으로 사용할 수 있다. 또한, 이에 따라 배선 길이 차에 의한 저항 로드(load) 불균일을 해소할 수 있다.

Description

원형 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치{ANGULAR DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE ANGULAR DISPLAY SUBSTRATE}

본 발명은 원형 표기 기판 및 상기 원형 표기 기판을 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 주변부의 회로의 레이아웃(layout)의 배치를 최적화한 원형 표기 기판 및 상기 원형 표기 기판을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.

최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.

상기 표시 장치는 일반적으로 사각형 형상의 표시 기판을 포함한다. 상기 표시 장치는 화소 영역 및 상기화소 영역에 인접한 주변 영역을 포함한다. 상기 화소 영역에는 영상을 표시하기 위한 복수의 화소들, 상기 화소의 동작을 제어하기 위한 박막트랜지스터 및 상기 화소에 신호를 전달하기 위한 신호선들이 형성된다. 상기 주변 영역에는 주변 박막 트랜지스터를 포함하고 상기 화소들을 구동하기 위한 구동부가 형성된다.

최근 원형 형상을 갖는 표시 기판을 포함하는 원형 표시 장치의 수요가 늘어나고 있다. 상기 원형 표시 장치는 종래의 표시장치와 다른 화소 배열을 가지고 있으므로, 주변영역의 회로의 새로운 레이아웃(layout)이 필요하다. 특히 종래의 구조를 이용한 경우, 상기 구동부의 회로 배치가 효율적이지 못한 문제가 있었다.

이에 본 발명의 일 목적은 주변 영역의 회로를 효율적으로 배치할 수 있는 원형 표시 기판을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 원형 표시 기판을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.

다만, 본 발명의 목적은 상기 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 원형 표시 기판은 원형의 화소 영역에 배치되는 복수의 화소들, 및 상기 화소 영역에 인접하는 주변 영역에 배치되고, 상기 화소들을 구동하는 구동부를 포함한다. 상기 구동부는 상기 화소 영역과 상기 주변 영역의 경계선에 수직한 방향을 따라 연장된 제1 변을갖는 도전 패턴을 포함한다.

일 실시예에 의하면, 상기 구동부는 복수의 스캔회로들을 포함할 수 있다. 상기 스캔 회로는 상기 화소와 전기적으로 연결되고 제1 변 및 제2 변을 포함하는 제1 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 패턴의 상기 제1 변은 상기 경계선에 수직한 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 패턴의 상기 제2 변은 상기 제1 변과 수직한 방향을 따라 연장될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 원형 표시 기판은 상기 화소 영역에 배치되고 상기 화소와 상기 스캔 회로를 전기적으로 연결하는 스캔 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 스캔 라인은 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 제1 패턴의 상기 제1변의 연장 방향과 상기 제1 방향이 이루는 각도는 상기 스캔 회로의 위치에 따라 다를 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 스캔 라인 및 상기 스캔 회로의 상기 제1 패턴은 동일한 도전층으로부터 형성될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 구동부는 복수의 데이터 회로들을 더 포함할 수 있다. 상기 데이터 회로는 상기 화소와 전기적으로 연결되고 제1 변 및 제2 변을 포함하는 제2 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제2 패턴의 상기 제1 변은 상기 경계선에 수직한 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 패턴의 상기 제2 변은 상기 제1 변과 수직한 방향을 따라 연장될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 원형 표시 장치는 상기 화소 영역에 배치되고 상기 화소와 상기 데이터 회로를 전기적으로 연결하는 데이터 라인을 더 포함할 수 있다. 상기 데이터 라인은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직한 제2 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 제2 패턴의 상기 제1 변의 연장 방향과 상기 제2 방향이 이루는 각도는 상기 데이터 회로의 위치에 따라 다를 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 데이터 라인 및 상기 데이터 회로의 상기 제2 패턴은 동일한 도전층으로부터 형성될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 스캔 회로와 상기 스캔 회로에 인접하는 상기 데이터 회로와의 거리는 상기 경계선에 가까울수록 작아질 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 스캔 회로와 상기 경계선 사이의 이격거리는 상기 데이터 회로와 상기 스캔 회로와 이격거리 보다 작고, 상기 스캔 회로들과 상기 데이터 회로 들은 평면에서 볼 때 2열로 배치될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 원형 표시 기판은 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 스캔 회로와 상기 스캔 라인 사이에 배치되어 상기 스캔 라인을 상기 스캔 회로에 전기적으로 연결 시키는 스캔 연결선을 더 포함할 수 있다. 상기 스캔 연결선은 상기 경계선에 대해 수직인 방향으로 연장될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 스캔 연결선의 길이는 상기 스캔 회로의 위치와 관계없이 일정할 수 있다.

일 실시예에 의하면, 이웃하는 두 개의 상기 스캔 회로들은 서로 동일한 거리만큼 이격될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 스캔 회로로부터 상기주변 영역에 인접한 상기 화소 까지는 직선 형성된 도전패턴에 의해 연결될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 주변 영역은 상기 화소 영역을 둘러싸는 고리 형태를 가질 수 있다.

본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 원형 표시 장치는 원형 표시 기판을 포함하는 원형 표시 패널, 및 상기 원형 표시 패널을 수납하는 수납용기를 포함한다. 상기 원형표시 기판은 원형의 화소 영역에 배치되는 복수의 화소들, 및 상기 화소 영역에 인접하는 주변 영역에 배치되고, 상기 화소들을 구동하는 구동부를 포함한다. 상기 구동부는 상기 화소 영역과 상기 주변 영역의 경계선에 수직한 방향을 따라 연장된 제1 변을 갖는 도전 패턴을 포함한다.

일 실시예에 의하면, 상기 원형 표시 기판의 상기 구동부는 복수의 스캔 회로들을 포함할 수 있다. 상기 스캔 회로는 상기 화소와 전기적으로 연결되고 제1 변 및 제2 변을 포함하는 제1 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 패턴의 상기 제1 변은 상기 경계선에 수직한 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 패턴의 상기 제2 변은 상기 제1 변과 수직한 방향을 따라 연장될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 상기 수납용기는 상부 수납용기 및 하부 수납 용기를 포함하고, 상기 상부 수납용기는 상기 원형 표시 기판의 상기 주변 영역과 중첩할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따른 원형 표시 기판은 원형의 화소 영역에 배치되는 복수의 화소들 및 상기 화소 영역에 인접하는 주변 영역에 배치되고, 상기 화소들을 구동하는 구동부를 포함한다. 상기 구동부는 상기 주변 영역을 따라 반복되어 배치되는 복수의 단위 회로를 포함하고, 각각의 상기 단위 회로의 레이 아웃은 상기 원형 표시 기판의 중심 방향을 향해 연장된다.

일 실시예에 의하면, 각각의 상기 단위 회로와 상기 화소 영역의 중심 사이의 거리는 일정할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따른 원형 표시 기판은 화소 영역과 주변 영역의 상기 경계선을 따라 배열되는 단위 회로들 각각은 상기 경계선에 수직한 방향으로 연장되므로, 상기 주변 영역(SA)의 공간을 효율적으로 사용할 수 있다.

또한, 이에 따라 배선 길이 차에 의한 저항 로드(load) 불균일을 해소할 수 있다.

다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 기판을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 영역의 확대도이다.
도 3a는 도 2의 스캔 회로 및 데이터 회로를 상세히 나타낸 부분 확대도이다.
도 3b는 도 3a의 I-I' 선을 절단한 단면도이다.
도 4a는 도 2의 화소(P)를 상세히 나타낸 부분 확대도이다.
도 4b는 도 4a의 II-II' 선을 절단한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 기판의 부분 확대도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 기판의 부분 확대도이다.
도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 기판의 부분 확대도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 기판의 부분 확대도이다.
도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.

첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 기판을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1의 A 영역의 확대도이다.

도 1 및 2를 참조하면, 원형 표시 기판은 화소 영역(PA) 및 주변 영역(SA)을 포함한다.

상기 원형 표시 기판은 상기 화소 영역(PA)에 영상을 표시할 수 있다. 예를 들면, 상기 원형 표시 기판은 액정 표시 기판 또는 유기 발광 표시 기판 등일 수 있다.

상기 화소 영역(PA)은 원형을 갖는다. 상기 화소 영역(PA)은 영상을 표시하기 위한 복수의 화소들(P)을 포함한다. 상기 화소들(P)은 상기 화소 영역(PA) 내에 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 실질적으로 수직한 제2 방향(D2)을 따라 매트릭스(matrix) 형태로 배열될 수 있다. 상기 화소(P)는 상기 제1 방향(D1)을 따라 연장되는 스캔 라인(SL) 및 상기 제2 방향(D2)을 따라 연장되어 상기 스캔 라인(SL)과 교차하는 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결된다.

상기 주변 영역(SA)은 상기 화소 영역(PA)에 인접하여 배치된다. 상기 주변 영역(SA)은 상기 화소 영역(PA)을 둘러 싸며 고리 형태(RING SHAPE)를 형성할 수 있다. 상기 주변 영역(SA)에는 상기 화소들(P)을 구동하기 위한 구동부가 배치된다.

상기 구동부는 스캔 구동부(SDR) 및 데이터 구동부(DDR)를 포함한다. 상기 스캔 구동부(SDR)는 상기 화소들(P)에 스캔 신호들을 순차적으로 제공한다. 상기 데이터 구동부(DDR)는 상기 화소들(P)에 데이터 신호들을 제공한다. 상기 스캔 구동부(SDR)는 복수의 스캔 회로(100)들을 포함한다. 상기 데이터 구동부(DDR)는 복수의 데이터 회로(200)들을포함한다.

상기 스캔 회로(100)는 상기 주변 영역(SA)에 배치된다. 상기 스캔 회로(100)는 상기 주변 영역(SA)에 배치된 스캔 연결선(110)에 의해 상기 화소 영역(PA)의 상기 스캔 라인(SL)과 전기적으로 연결된다.

상기 데이터 회로(200)는 상기 주변 영역(SA)에 배치된다. 데이터 회로(200)는 상기 주변 영역(SA)에 배치된 데이터 연결선(210)에 의해 상기 화소 영역(PA)의 상기 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결된다.

도 2를 다시 참조하면, 상기 화소 영역(PA)과 상기 주변 영역(SA)의 경계선은 원형을 갖는다. 따라서, 상기 경계선의 일부는 원호형상을 갖는다. 상기 경계선은 원호방향(D3)을 따라 형성되고, 상기 복수의 스캔 회로들(100) 및 상기 데이터 회로들(200)은 상기 원호 방향(D3)을 따라 배열된다. 예를 들면 상기 스캔 회로들(100)과 상기 데이터 회로들(200)은 서로 번갈아 가며 상기 원호 방향(D3)을 따라 배열될 수 있다.

상기 스캔 회로(100)는 상기 원호 방향(D3)에 실질적으로 수직한 제4 방향(D4)을 따라 연장된다. 상기 제4 방향(D4)은 상기 원호 방향(D3)에 수직한 방향이므로, 상기 스캔 회로(100)의 위치에 따라 상기 제4 방향(D4)이 서로 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 스캔 회로(100)는 전체적으로 상기 제4 방향(D4)과 실질적으로 수직한 제5 방향(D5)으로 폭을 갖고, 상기 제4 방향(D4)으로 연장되는 직사각형 모양을 가질 수 있다.

상기 스캔 연결선(110)은 상기 주변 영역(SA)에 배치된다. 상기 스캔 연결선(110)은 상기 스캔 회로(100)와 상기 화소 영역(PA)의 상기 스캔 라인(SL)을 전기적으로 연결한다. 상기 스캔 연결선(110)은 상기 제4 방향(D4)으로 연장된다. 따라서, 상기 스캔 연결선(110)은 상기 화소 영역(PA)과 상기 주변 영역(SA)의 상기 경계선에 대해 수직한 방향으로 연장된다.

상기 데이터 회로(200)는 상기 원호 방향(D3)에 실질적으로 수직한 제4 방향(D4)을 따라 연장된다. 상기 제4 방향(D4)은 상기 원호 방향(D3)에 수직한 방향이므로, 상기 데이터 회로(200)의 위치에 따라 상기 제4 방향(D4)이 서로 다를 수 있다. 예를 들면 상기 데이터 회로(200)는 전체적으로 상기 제5 방향(D5)으로 폭을 갖고, 상기 제4 방향(D4)으로 연장되는 직사각형 모양을 가질 수 있다.

상기 데이터 연결선(210)은 상기 주변 영역(SA)에 배치된다. 상기 데이터 연결선(210)은 상기 데이터 회로(200)와 상기 화소 영역(PA)의 상기 데이터 라인(DL)을 전기적으로 연결한다. 상기 데이터 연결선(210)은 상기 제4 방향(D4)으로 연장된다. 따라서, 상기 데이터 연결선(210)은 상기 화소 영역(PA)과 상기 주변 영역(SA)의 상기 경계선에 대해 수직한 방향으로 연장된다.

이에 따라, 상기 스캔 회로들(100) 및 상기 데이터 회로들(200)은 상기 화소 영역(PA)과 상기 주변 영역(SA)의 상기 경계선을 따라 배열되고, 상기 스캔회로들(200) 및 상기 데이터 회로들(200) 각각은 상기 경계선에 수직한 방향으로 연장되므로, 상기 주변 영역(SA)의 공간을 효율적으로 사용할 수 있다.

또한, 상기 스캔 연결선(110)은 상기 경계선에 대해 수직한 방향으로 연장되므로, 상기 화소 영역(PA)의 상기 스캔 라인(SL) 과 상기 스캔 회로들(100)을 균일하게 연결하여, 배선 길이 차에 의한 저항 로드(load) 불균일을 해소할 수 있다.

또한, 상기 데이터 연결선(210)은 상기 경계선에 대해 수직한 방향으로 연장되므로, 상기 화소 영역(PA)의 상기 데이터 라인(DL) 과 상기 데이터 회로들(200)을 균일하게 연결하여, 배선 길이 차에 의한 저항 로드(load) 불균일을 해소할 수 있다.

도 3a는 도 2의 스캔 회로 및 데이터 회로를 상세히 나타낸 부분 확대도이다. 도 3b는 도 3a의 I-I' 선을 절단한 단면도이다.

도 3a 및 3b를 참조하면, 상기 스캔 회로(100)는 스캔 주변 트랜지스터(STR) 및 제1 패턴(112)를 포함한다. 상기 데이터 회로(200)는 데이터 주변 트랜지스터(DTR) 및 제2 패턴(212)을 포함한다.

상기 원형 표시 기판은 베이스 기판(10), 액티브 패턴, 제1 절연층(20), 게이트 금속 패턴, 제2 절연층(30), 데이터 금속 패턴 및 제3 절연층(40)을 포함한다.

상기 베이스 기판(10)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(10)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.

예시하지는 않았지만, 상기 베이스 기판(10) 상에는 적어도 하나의 버퍼층이 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 상기 베이스 기판(10)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 상기 액티브 패턴을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 패턴을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 상기 베이스 기판(10)의 표면이 균일하지 않을 경우, 상기 베이스 기판(10)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수도 있다. 상기 버퍼층은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다

상기 액티브 패턴은 상기 베이스 기판(10)상에 배치된다. 상기 액티브 패턴은 실리콘으로 구성될 수 있다. 다른 실시예에 따라, 상기 액티브 패턴은 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함하는 반도체 산화물로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.

상기 액티브 패턴은 상기 스캔 주변 트랜지스터(STR)의 스캔주변 액티브 영역(SA), 스캔 주변 소스 영역(SS) 및 스캔 주변 드레인 영역(SD)을 포함한다. 또한, 상기 액티브 패턴은 상기 데이터 주변 트랜지스터(DTR)의 데이터 주변 액티브 영역(DA), 데이터 주변 소스 영역(DS) 및 데이터 주변 드레인 영역(DD)을 포함한다.

상기 제1 절연층(20)은 상기 액티브 패턴을 커버하면서 상기 베이스 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(20)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 또한, 상기 제1 절연층(20)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 절연층(20)을 구성하는 금속 산화물은 하프늄 산화물(HfOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층(20)은 상기 액티브 패턴의 프로파일(profile)을 따라 상기 베이스 기판(10) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 절연층(20)은 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있으며, 상기 제1 절연층(20)에는 상기 액티브 패턴에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 절연층(20)은 상기 액티브 패턴을 충분하게 커버하면서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.

상기 게이트 금속 패턴은 상기 화소 영역(도 2의 PA 참조)에 배치되는 스캔 라인(SL) 및 상기 주변 영역(SA)에 배치되는 스캔 연결선(110), 상기 스캔 회로(100)의 제1 패턴(112), 상기 스캔 주변 트랜지스터(STR)의 스캔 주변 게이트 전극(SG) 및 상기 데이터 주변 트랜지스터(DTR)의 데이터 주변 게이트 전극(DG)을 포함한다.

상기 게이트 금속 패턴은 상기 제1 절연층(20)상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 절연층(20)상에 도전막(도시되지 않음)을 형성한 후, 사진식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝함으로써, 상기 게이트 금속 패턴을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 도전막은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 게이트 금속 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 금속 패턴은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 게이트 금속 패턴은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.

상기 스캔 라인(SL)은 상기 화소 영역 내에서 상기 화소들(도 2의 P 참조)과 전기적으로 연결된다.

상기 제1 패턴(112)은 상기 주변 영역 내에 배치되어, 상기 스캔 회로(110)의 일부를 구성한다. 예를 들면, 상기 제1 패턴(112)은 상기 제1 절연층(20)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 스캔 주변 트랜지스터(STR)의 상기 스캔 드레인 전극(SD)에 전기적으로 연결될 수 있다.

상기 제1 패턴(112)은 상기 화소 영역과 상기 주변 영역의 경계선에 수직한 제4 방향(D4)을 따라 연장되는 제1 변(112a) 및 상기 제4 방향(D4)에 실질적으로 수직한 방향인 제5 방향(D5)을 따라 연장되는 제2 변(112b)를 포함한다. 따라서, 상기 스캔 회로(100)는 상기 제4 방향(D4) 및 상기 제5 방향(D5)을 따라 연장되는 변을 갖는 회로 패턴을 포함하며, 이에 따라 상기 스캔 회로(110)는 전체적으로 직사각형 형상을 가질 수 있다.

상기 스캔 연결선(110)은 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 스캔 회로(100)의 상기 제1 패턴(112)과 상기 스캔 라인(SL)을 전기적으로 연결한다. 상기 스캔연결선(110)은 상기 경계선에 수직한 상기 제4 방향(D4)으로 연장된다.

상기 스캔 주변 게이트 전극(SG)은 상기 스캔 주변 액티브 영역(SA)과 중첩한다. 상기 스캔 주변 액티브 영역(SA), 상기 스캔 주변 소스 영역(SS), 상기 스캔 주변 드레인 영역(SD) 및 상기 스캔 주변 게이트 전극(SG)는 상기 스캔 주변 트랜지스터(STR)를 구성한다.

상기 데이터 주변 게이트 전극(DG)은 상기 데이터 주변 액티브 영역(DA)과 중첩한다. 상기 데이터 주변 액티브 영역(DA), 상기 데이터 주변 소스 영역(DS), 상기 데이터 주변 드레인 영역(DD) 및 상기 데이터 주변 게이트 전극(DG)는 상기 데이터 주변 트랜지스터(DTR)를 구성한다.

따라서, 상기 화소 영역의 상기 스캔 라인(SL) 및 상기 주변 영역의 상기 제1 패턴(112), 상기 스캔 주변 트랜지스터(STR)의 상기 스캔 주변 게이트 전극(SG) 및 상기 데이터 주변 트랜지스터(DTR)상기 데이터 주변 게이트 전극(DG)은 동일한 금속층으로부터 패터닝 되어 형성될 수 있다.

상기 제2 절연층(30)은 상기 게이트 패턴이 형성된 상기 제1 절연층(20) 상에 배치된다. 상기 제2 절연층(30)은 상기 제2 절연층(30)은 상기 게이트 패턴의 프로파일을 따라 상기 제1 절연층(20) 상에 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에따라 상기 제2 절연층(30)에는 상기 게이트 패턴에 인접하는 단차부가 생성될 수 있다. 상기 제2 절연층(30)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 절연층(30)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 제2 절연층(30)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 수득될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 절연층(30)은 실리콘 산화물막, 실리콘 질화물막, 실리콘 산질화물막, 실리콘 탄질화물막 및/또는 실리콘 산탄화물막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.

상기 데이터 금속 패턴은 상기제2 절연층(30) 상에 배치된다.

상기 데이터 금속 패턴은 상기 화소 영역에 배치되는 데이터 라인(DL) 및 상기 주변 영역에 배치되는 데이터 연결선(210) 및 상기 데이터 회로(200)의 제2 패턴(212)을 포함한다.

예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제2 절연층(30)상에 도전막(도시되지 않음)을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝함으로써, 상기 데이터 금속 패턴을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 도전막은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 펄스 레이저 증착(PLD) 공정, 진공 증착 공정, 원자층 적층(ALD) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 게이트 금속 패턴은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 데이터 금속 패턴은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrOx), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨 질화물(TaNx), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 스트론튬 루테늄 산화물(SRO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 데이터 금속 패턴은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.

상기 데이터 라인(DL)은 상기 화소 영역 내에서 상기 화소들과 전기적으로 연결된다.

상기 제2 패턴(212)은 상기 주변 영역 내에 배치되어, 상기 데이터 회로(210)의 일부를 구성한다. 예를 들면, 상기 제2 패턴(212)은 상기 제1 절연층(20) 및 제2 절연층(30)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 데이터 주변 트랜지스터(DTR)의 상기 데이터 드레인 전극(DD)에 전기적으로 연결될 수 있다.

상기 제2 패턴(212)은 상기 화소 영역과 상기 주변 영역의 경계선에 수직한 제4 방향(D4)을 따라 연장되는 제1 변(212a) 및 상기 제4 방향(D4)에 실질적으로 수직한 방향인 제5 방향(D5)을 따라 연장되는 제2 변(212b)를 포함한다. 따라서, 상기 데이터 회로(210)는 상기 제4 방향(D4) 및 상기 제5 방향(D5)을 따라 연장되는 변을 갖는 회로 패턴을 포함하며, 이에 따라 상기 데이터 회로(200)는 전체적으로 직사각형 형상을 가질 수 있다.

상기 데이터 연결선(210)은 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 데이터 회로(200)의 상기 제2 패턴(212)과 상기 데이터 라인(DL)을 전기적으로 연결한다. 상기 데이터 연결선(210)은 상기 경계선에 수직한 상기 제4 방향(D4)으로 연장된다. 상기 데이터 연결선(210)은 상기 스캔 연결선(110)과 동일한 길이를 갖고, 따라서 상기 데이터 회로(200)와 상기 스캔 회로(100)는 상기 화소 영역과 상기 주변 영역의 상기 경계선으로부터 동일한 거리에 위치할 수 있다.

상기 데이터 회로(200)와 상기 데이터 회로(200)에 인접하는 상기 스캔 회로(100)사이의 거리는 상기 화소 영역에 가까울수록 작아진다. 즉, 상기 화소 영역에 인접한 부분의 상기 데이터 회로(200)와 상기 스캔 회로(100)사이의 제1 거리(L1)는 상기 화소 영역에서 멀리 떨어진 부분의 상기 데이터 회로(200)와 상기 스캔 회로(100)사이의 제2 거리(L2) 보다 작다.

상기 데이터 라인(DL) 및 상기 제2 패턴(212)은 동일한 금속층으로부터 패터닝 되어 형성될 수 있다.

상기 제3 절연층(40)이 상기 데이터 패턴이 형성된 상기 제2 절연층(30) 상에 배치된다.

상기 제3 절연층(40)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 절연층(40)의 표면 평탄도를 향상시키기 위하여 상기 제3 절연층(40)에 대해 평탄화(planarization) 공정을 수행할 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 절연층(40)에 대해 화학 기계적 연마(CMP) 공정, 에치 백(etch-back) 공정 등을 수행함으로써 상기 제3 절연층(40)이 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 상기 제3 절연층(40)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 절연층(40)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제3 절연층(40)은 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등의 무기 물질을 사용하여 형성될 수도 있다. 예를 들면, 상기 제3 절연층(40)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈륨, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 마그네슘 산화물, 아연 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 제3 절연층(40)의 구성 물질에 따라 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 상기 제3 절연층(40)을 수득할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 원형 표시 기판은 주변 영역에 배치되고 화소 영역과 상기 주변 영역의 경계선을 따라 배치되는 복수의 회로 패턴을 포함한다. 상기 회로 패턴은 상기 경계선에 수직한 제4 방향을 따라 연장되는 제1 변 및 상기 제4 방향에 실질적으로 수직한 방향인 제5 방향을 따라 연장되는 제2 변을 포함하는 회로 패턴을 포함하므로, 상기 회로 패턴들이 상기 주변영역을 따라 효율적으로 배치되어 상기 주변 영역 크기를 줄일 수 있다.

또한, 상기 회로 패턴들은 상기 화소 영역과 상기 주변 영역의 상기 경계선으로부터 동일한 거리에 위치할 수 있으므로, 상기 화소들의 위치 차이에 따른 데이터 라인(DL) 또는 스캔 라인(SL)에 의한 로드(load) 불균일에의한 표시 품질 저하를 줄일 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 원형 표시 기판은 원형의 화소 영역에 배치되는 복수의 화소들, 및 상기 화소 영역에 인접하는 주변 영역에 배치될 수 있다. 상기 화소들을 구동하는 구동부를 포함할 수 있다. 상기 구동부는 상기 주변 영역을 따라 반복되어 배치되는 복수의 단위 회로를 포함할 수 있다. 각각의 상기 단위 회로의 레이 아웃은 상기 원형 표시 기판의 중심 방향을 향해 연장될 수 있다. 각각의 상기 단위 회로와 상기 화소 영역의 중심 사이의 거리는 일정할 수 있다.

도 4a는 도 2의 화소(P)를 상세히 나타낸 부분 확대도이다. 도 4b는 도 4a의 II-II' 선을 절단한 단면도이다.

도 4a 및 4b를 참조하면, 상기 화소(P)는 데이터 라인(DL), 스캔 라인(SL) 및 스위칭 트랜지스터(SWTR)를 포함한다.

베이스 기판(10)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 버퍼층(미도시)이 상기 베이스 기판(10) 상에 더 배치될 수 있다. 상기 스위칭 트랜지스터(SWTR)의 소스 영역(S), 드레인 영역(D) 및 액티브 영역(A)을 포함하는 액티브 패턴이 상기 베이스 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(20)은 상기 액티브 패턴을 커버하면서 상기 베이스 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 상기 스캔 라인(SL) 은 상기 베이스 기판(10)상에 배치되어 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 상기 제2 절연층(30)은 상기 스캔 라인(SL)이 형성된 상기 제1 절연층(20) 상에 배치된다. 상기 데이터 라인(DL)은 상기 제2 절연층(30) 상에 배치된다.

상기 데이터 라인(DL)은 상기 제1 절연층(20) 및 상기 제2 절연층(30)을 통해 형성된 콘택홀을 통해 상기 스위칭 트랜지스터(SWTR)의 상기 소스 영역(S)에 전기적으로 연결될 수 있다.

상기 제3 절연층(40)은 상기 데이터 라인(DL)이 형성된 상기 제2 절연층(30) 상에 배치될 수 있다.

도시하지는 않았으나, 상기 화소(P)는 상기 스위칭 트랜지스터(SWTR)의 상기 드레인 영역(D)에 전기적으로 연결되는 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 배치되는 유기 발광층, 및 상기 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.

한편, 도시하지는 않았으나, 상기 화소는(P) 상기 스위칭 트랜지스터(SWTR)의 상기 드레인 영역(D)에 전기적으로 연결되는 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 배치되는 액정층 및 상기 액정층 상에 배치되는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.

도 3a 및 4b를 다시참조하면, 상기 화소 영역의 상기 스캔 라인(SL)과 상기 스위칭 트랜지스터(SWTR)의 상기 게이트 전극(G), 및 상기 주변 영역의 상기 제1 패턴(112), 상기 스캔 주변 트랜지스터(STR)의 상기 스캔 주변 게이트 전극(SG) 및 상기 데이터 주변 트랜지스터(DTR)상기 데이터 주변 게이트 전극(DG)은 동일한 금속층으로부터 패터닝 되어 형성될 수 있다.

또한, 상기 화소 영역의 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 주변 영역의 상기 제2 패턴(212)은 동일한 금속층으로부터 패터닝 되어 형성될 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 기판의 부분 확대도이다.

도 5를 참조하면, 화소 영역(PA)과 주변 영역(SA)의 경계선은 원형을 갖는다. 따라서, 상기 경계선의 일부는 원호 형상을 갖는다. 상기 경계선은 원호 방향(D3)을 따라 형성되고, 복수의 스캔 회로들(100) 및 데이터 회로들(200)은 상기 원호 방향(D3)을 따라 배열된다. 예를 들면 상기 스캔 회로들(100)과 상기 데이터 회로들(200)은 서로 번갈아 가며 상기 원호 방향(D3)을 따라 배열될 수 있다. 상기 스캔 회로(100) 및 상기 데이터 회로(200)는 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 즉, 상기 스캔 회로(100)는 인접하는 가장 가까운 스캔 회로(100)와의 이격거리가 일정할 수 있다. 또한 상기 데이터 회로(200)는 인접하는 가장 가까운 데이터 회로(200)와의 이격거리가 일정할 수 있다.

상기 데이터 라인(DL) 및 상기 스캔 라인(SL)은 상기 주변 영역(SA)와 인접한 부분에서 구부러져 배치될 수 있다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 기판의 부분 확대도이다.

도 6을 참조하면, 화소 영역(PA)과 주변 영역(SA)의 경계선은 원형을 갖는다. 따라서, 상기 경계선의 일부는 원호 형상을 갖는다. 상기 경계선은 원호 방향(D3)을 따라 형성되고, 복수의 스캔 회로들(100) 및 데이터 회로들(200)은 상기 원호 방향(D3)을 따라 배열된다. 예를 들면 상기 스캔 회로들(100)과 상기 데이터 회로들(200)은 서로 번갈아 가며 상기 원호 방향(D3)을 따라 배열될 수 있다.

또한, 상기 화소 영역(PA)의 스캔 라인(SL)은 상기 스캔 연결선(110)이 연장되는 상기 제4 방향(D4)으로 상기 스캔 연결선(110)으로부터 연장된다. 따라서, 상기 스캔 라인(SL)은 상기 화소(P)에 인접한 부분에서 구부려져 배치될 수 있다.

또한, 상기 화소 영역(PA)의 데이터 라인(DL)은 상기 데이터 연결선(210)이 연장되는 상기 제4 방향(D4)으로 상기 데이터 연결선(210)으로부터 연장된다. 따라서, 상기 데이터 라인(DL)은 상기 화소(P)에 인접한 부분에서 구부려져 배치될 수 있다.

또한, 상기 스캔 연결선(110) 및 상기 데이터 연결선(210)은 상기 화소(P)와 최단 거리로 연결되므로, 배선 길이 차에 의한 저항 로드(load) 불균일을 해소할 수 있다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 기판의 부분 확대도이다.

도 7을 참조하면, 화소 영역(PA)과 주변 영역(SA)의 경계선은 원형을 갖는다. 따라서, 상기 경계선의 일부는 원호 형상을 갖는다. 상기 경계선은 원호 방향(D3)을 따라 형성되고, 복수의 스캔 회로들(100) 및 데이터 회로들(200)은 상기 원호 방향(D3)을 따라 배열된다. 예를 들면 상기 스캔 회로들(100)과 상기 데이터 회로들(200)은 서로 번갈아 가며 상기 원호 방향(D3)을 따라 배열될 수 있다. 상기 스캔 회로(100) 및 상기 데이터 회로(200)는 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 즉, 상기 스캔 회로(100) 또는 상기 데이터 회로(200)는 인접하는 상기 데이터 회로(200) 또는 인접하는 스캔 회로(100)와의 이격거리가 일정할 수 있다. 즉, 인접하는 상기 스캔회로(100) 및 상기 데이터 회로(200) 사이, 인접하는 두 개의 스캔 회로(100) 사이 및 인접하는 두개의 데이터 회로(200) 사이 이격거리가 일정할 수 있다.

상기 스캔 연결선(110)은 상기 주변 영역(SA)에 배치된다. 상기 스캔 연결선(110)은 상기 스캔 회로(100)와 상기 화소 영역(PA)의 상기 스캔 라인(SL)을 전기적으로 연결한다. 상기 스캔 연결선(110) 및 상기 주변 영역(SA)에 인접한 상기 스캔 라인(SL)의 일부는 상기 스캔 회로(100)로부터 상기 화소(P)까지 직선으로 연장된다. 따라서, 상기 스캔 연결선(110) 및 상기 스캔 라인(SL)의 일부는 상기 스캔 회로(100)로부터 상기 주변 영역(SA)에 인접한 상기 화소(P)까지 최단 거리로 연장된다.

상기 데이터 회로(200)는 상기 주변 영역(SA)에 배치된다. 상기 데이터 연결선(210)은 상기 데이터 회로(200)와 상기 화소 영역(PA)의 상기 데이터 라인(DL)을 전기적으로 연결한다. 상기 데이터 연결선(210) 및 상기 주변 영역(SA)에 인접한 상기 데이터 라인(DL)의 일부는 상기 데이터 회로(200)로부터 상기 화소(P)까지 직선으로 연장된다. 따라서, 상기 데이터 연결선(210) 및 상기 데이터 라인(DL)의 일부는 상기 데이터 회로(200)로부터 상기 주변 영역(SA)에 인접한 상기 화소(P)까지 최단 거리로 연장된다.

이에 따라, 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 스캔 라인(SL)은 상기 화소(P)와 인접한 부분에서 구부러져 배치될 수 있다.

또한, 상기 스캔 회로(100) 및 상기 데이터 회로(200)는 상기 화소(P)와 최단 거리로 연결되므로, 배선 길이 차에 의한 저항 로드(load) 불균일을 해소할 수 있다.

도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 기판의 부분 확대도이다.

도 8을 참조하면, 원형 표시 기판은 주변 영역의 스캔 회로 및 데이터 회로가 평면에서 볼 때 2열으로 배치되는 것을 제외하고 도 2, 5 내지 7의 원형 표시 기판과 실질적으로 동일할 수 있다.

스캔 회로(100)는 화소 영역(PA)과 주변 영역(SA)의 경계선으로부터 제3 거리(L3) 만큼 이격되어 배치되고, 데이터 회로(200)는 상기 경계선으로부터 제4 거리(L4) 만큼 이격되어 배치된다. 상기 제3 거리(L3)는 상기 제4 거리(L4) 보다 작을 수 있다.

이에 따라, 상기 주변 영역(SA)의 공간을 효율적으로 활용하여, 상기 주변 영역(SA)의 크기를 줄일 수 있다.

도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.

도 9를 참조하면, 원형 표시 장치는 하부 수납용기(1100), 원형 표시 패널 (1000), 및 상부 수납용기(1200)를 포함한다.

상기 하부 수납용기(1100)는 상기 상부 수납 용기(1200)와 함께 상기 원형 표시 패널(1000)을 수납한다.

상기 원형 표시 패널(1000)은 상기 상부 및 하부 수납용기(1000, 1200) 내에 수납되어 영상을 표시한다. 상기 원형 표시 패널(1000)은 도 1, 5 내지 8의 원형 표시 기판을 포함할 수 있다. 상기 원형 표시 패널(1000)은 상기 영상이 표시 되는 원형의 화소 영역(PA) 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역(SA)을 포함한다. 예를 들면 상기 원형 표시 패널(1000)은 유기 발광 표시 패널일 수 있다.

상기 상부 수납용기(1200)는 상기 하부 수납용기(1100)와 함께상기 원형 표시 패널(1000)을 수납한다. 상기 상부 수납용기(1200)는 상기 원형 표시 패널(1000)의 상기 주변 영역(SA)을 커버하여, 상기 주변 영역(SA)이 외부에서 시인되지 않도록 한다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 표시 장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.

원형 표시 장치는 하부 수납용기(1100), 원형 표시 패널 (1000), 백라이트 어셈블리(1300) 및 상부 수납용기(1200)를 포함한다.

상기 하부 수납용기(1100)는 상기 상부 수납 용기(1200)와 함께 상기 원형 표시 패널(1000) 및 상기 백라이트 어셈블리(1300)를 수납한다.

상기 원형 표시 패널(1000)은 상기 상부 및 하부 수납용기(1000, 1200) 내에 수납되어 영상을 표시한다. 상기 원형 표시 패널(1000)은 도 1, 5 내지 8의 원형 표시 기판을 포함할 수 있다. 상기 원형 표시 패널(1000)은 상기 영상이 표시 되는 원형의 화소 영역(PA) 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역(SA)을 포함한다. 예를 들면 상기 원형 표시 패널(1000)은 액정 표시 패널일 수 있다.

상기 백라이트 어셈블리(1300)는 상기 원형 표시 패널(1000) 하부에 배치되고, 상기 원형 표시 패널(1000)에 광을 공급한다.

상기 상부 수납용기(1200)는 상기 하부 수납용기(1100)와 함께상기 원형 표시 패널(1000) 및 상기 백라이트 어셈블리(1300)를 수납한다. 상기 상부 수납용기(1200)는 상기 원형 표시 패널(1000)의 상기 주변 영역(SA)을 커버하여, 상기 주변 영역(SA)이 외부에서 시인되지 않도록 한다. 즉, 상기 상부 수납용기(1200)는 상기주변 영역(SA)과 중첩한다.

이상, 본 발명의 실시예들에 따른 화소 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치용 기판에 대하여 도면을 참조하여 설명하였지만, 상기 설명은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다. 예를 들어, 상기에서는 PMOS 트랜지스터를 포함하는 화소를 설명하였으나, 화소의 종류는 이에 한정되는 것이 아니다.

본 발명은 표시 장치를 구비한 전자 기기에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 컴퓨터, 노트북, 디지털 카메라, 비디오 캠코더, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 차량용 네비게이션, 비디오폰, 감시 시스템, 추적 시스템, 동작 감지 시스템, 이미지 안정화 시스템 등에 적용될 수 있다.

상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.

1000: 표시 기판 PA: 화소 영역
SA: 주변 영역 P: 화소
DDR: 데이터 구동부 SDR: 스캔 구동부
100: 스캔 회로 110: 스캔 연결선
112: 제1 패턴 200: 데이터 회로
210: 데이터 연결선 212: 제2 패턴
DL: 데이터 라인 SL: 스캔 라인
SWTR: 스위칭 박막 트랜지스터
STR: 스캔 주변 박막 트랜지스터
DTR: 데이터 주변 박막 트랜지스터
1100: 하부 케이스 1200: 상부 케이스
1300: 백라이트 어셈블리

Claims

원형의 화소 영역에 배치되는 복수의 화소들; 및
상기 화소 영역에 인접하는 주변 영역에 배치되고, 상기 화소들을 구동하는 구동부를 포함하고,
상기 구동부는 상기 화소 영역과 상기 주변 영역의 경계선에 수직한 방향을 따라 연장된 제1 변을 갖는 도전 패턴을 포함하며,
상기 구동부는 복수의 스캔 회로들 및 복수의 데이터 회로들을 포함하고,
상기 스캔 회로들의 적어도 일부 및 상기 데이터 회로들의 적어도 일부는 상기 경계선에 나란한 방향으로 서로 번갈아 가며 배열되는 원형 표시 기판.
제 1항에 있어서,
상기 스캔 회로는 상기 화소와 전기적으로 연결되고 제1 변 및 제2 변을 포함하는 제1 패턴을 포함하고,
상기 제1 패턴의 상기 제1 변은 상기 경계선에 수직한 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 패턴의 상기 제2 변은 상기 제1 변과 수직한 방향을 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 2항에 있어서, 상기 화소 영역에 배치되고 상기 화소와 상기 스캔 회로를 전기적으로 연결하는 스캔 라인을 더 포함하고,
상기 스캔 라인은 제1 방향을 따라 연장되고,
상기 제1 패턴의 상기 제1변의 연장 방향과 상기 제1 방향이 이루는 각도는 상기 스캔 회로의 위치에 따라 다른 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 3항에 있어서,
상기 스캔 라인 및 상기 스캔 회로의 상기 제1 패턴은 동일한 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 4항에 있어서,
상기 데이터 회로는 상기 화소와 전기적으로 연결되고 제1 변 및 제2 변을 포함하는 제2 패턴을 포함하고,
상기 제2 패턴의 상기 제1 변은 상기 경계선에 수직한 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 패턴의 상기 제2 변은 상기 제1 변과 수직한 방향을 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 5항에 있어서, 상기 화소 영역에 배치되고 상기 화소와 상기 데이터 회로를 전기적으로 연결하는 데이터 라인을 더 포함하고,
상기 데이터 라인은 상기 제1 방향과 실질적으로 수직한 제2 방향을 따라 연장되고,
상기 제2 패턴의 상기 제1 변의 연장 방향과 상기 제2 방향이 이루는 각도는 상기 데이터 회로의 위치에 따라 다른 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 6항에 있어서,
상기 데이터 라인 및 상기 데이터 회로의 상기 제2 패턴은 동일한 도전층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 5항에 있어서,
상기 스캔 회로와 상기 스캔 회로에 인접하는 상기 데이터 회로와의 거리는 상기 경계선에 가까울수록 작아지는 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 5항에 있어서,
상기 스캔 회로와 상기 경계선 사이의 이격거리는 상기 데이터 회로와 상기 스캔 회로와 이격거리 보다 작고, 상기 스캔 회로들과 상기데이터 회로 들은 평면에서 볼 때 2열로 배치되는 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 3항에 있어서,
상기 주변 영역에 배치되고, 상기 스캔회로와 상기 스캔 라인 사이에 배치되어 상기 스캔 라인을 상기 스캔 회로에 전기적으로 연결 시키는 스캔 연결선을 더 포함하고,
상기 스캔 연결선은 상기 경계선에 대해 수직인 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 10항에 있어서,
상기 스캔 연결선의 길이는 상기 스캔 회로의 위치와 관계없이 일정한 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 2항에 있어서,
이웃하는 두 개의 상기 스캔 회로들은 서로 동일한 거리만큼 이격된 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 12항에 있어서, 상기 스캔 회로로부터 상기 주변 영역에 인접한 상기 화소 까지는 직선 형성된 도전패턴에 의해 연결된 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 1항에 있어서,
상기 주변 영역은 상기 화소 영역을 둘러싸는 고리 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
원형 표시 기판을 포함하는 원형 표시 패널 및 상기 원형 표시 패널을 수납하는 수납용기를 포함하고,
상기 원형 표시 기판은
원형의 화소 영역에 배치되는 복수의 화소들; 및
상기 화소 영역에 인접하는 주변 영역에 배치되고, 상기 화소들을 구동하는 구동부를 포함하고,
상기 구동부는 상기 화소 영역과 상기 주변 영역의 경계선에 수직한 방향을 따라 연장된 제1 변을 갖는 도전 패턴을 포함하며,
상기 구동부는 복수의 스캔 회로들 및 복수의 데이터 회로들을 포함하고,
상기 스캔 회로들의 적어도 일부 및 상기 데이터 회로들의 적어도 일부는 상기 경계선에 나란한 방향으로 서로 번갈아 가며 배열되는 것을 특징으로 하는 원형 표시 장치.
제 15항에 있어서,
상기 스캔 회로는 상기 화소와 전기적으로 연결되고 제1 변 및 제2 변을 포함하는 제1 패턴을 포함하고,
상기 제1 패턴의 상기 제1 변은 상기 경계선에 수직한 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 패턴의 상기 제2 변은 상기 제1 변과 수직한 방향을 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 원형 표시 장치.
제 16항에 있어서, 상기 원형 표시 기판은 상기 화소 영역에 배치되고 상기 화소와 상기 스캔 회로를 전기적으로 연결하는 스캔 라인을 더 포함하고,
상기 스캔 라인은 제1 방향을 따라 연장되고,
상기 제1 패턴의 상기 제1변의 연장 방향과 상기 제1 방향이 이루는 각도는 상기 스캔 회로의 위치에 따라 다른 것을 특징으로 하는 원형표시 장치.
제 15항에 있어서,
상기 수납용기는 상부 수납용기 및 하부 수납 용기를 포함하고, 상기 상부 수납용기는 상기 원형 표시 기판의 상기 주변 영역과 중첩하는 것을 특징으로 하는 원형 표시 장치.
원형의 화소 영역에 배치되는 복수의 화소들; 및
상기 화소 영역에 인접하는 주변 영역에 배치되고, 상기 화소들을 구동하는 구동부를 포함하고,
상기 구동부는 상기 주변 영역을 따라 반복되어 배치되는 복수의 단위 회로를 포함하고, 각각의 상기 단위 회로의 레이 아웃은 상기 화소 영역의 중심 방향을 향해 연장되며,
상기 구동부는 복수의 스캔 회로들 및 복수의 데이터 회로들을 포함하고,
상기 스캔 회로들의 적어도 일부 및 상기 데이터 회로들의 적어도 일부는 상기 화소 영역과 상기 주변 영역의 경계선에 나란한 방향으로 서로 번갈아 가며 배열되는 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.
제 19항에 있어서, 각각의 상기 단위 회로와 상기 화소 영역의 중심 사이의 거리는 일정한 것을 특징으로 하는 원형 표시 기판.