KR102346105B1 - 유기전계 발광소자 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 유기전계 발광소자는 서로 교차되도록 배치된 데이터 라인 및 게이트 라인과, 상기 데이터 라인과 게이트 라인의 교차 영역에 배치된 화소를 포함하는 화소 영역과, 상기 화소 영역의 일측에 배치된 더미 패턴부와, 상기 화소 영역의 일측에 배치되며, 더미 데이터라인, 더미 게이트라인 및 더미 화소를 포함하는 더미 화소영역과, 상기 게이트 라인들 및 더미 게이트 라인들의 일측에 제1 연장라인을 통해 연결된 제1 쇼팅바와, 상기 게이트 라인들 및 더미 게이트 라인들의 타측에 제2 연장라인 및 트랜지스터 통해 연결된 제2 쇼팅바를 포함할 수 있다.
실시예는 화소 영역의 일측 예컨대, 최외곽 게이트 라인에 인접하는 영역에 더미 화소영역을 배치시킴으로써, ESD는 더미 화소영역에만 영항을 미치게 되어 화소 불량을 방지할 수 있게 된다.

Description

유기전계 발광소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}
실시예는 EDS에 의한 불량을 방지하기 위한 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
최근에는 정보 통신 발달과 함께 표시장치가 급격하게 발전해오고 있다. 유기전계 발광소자는 자발광 소자로써, 별도의 백라이트 유닛을 구비하지 않아도 되므로, 다른 표시장치에 비해 얇게 형성하며 낮은 소비전력을 가질 수 있다.
유기전계 발광소자의 OLED 발광셀을 구동하는 방식으로는 단순 매트릭스형(Passive Matrix) 유기전계 발광소자(PMOLED)와 TFT를 이용한 액티브 매트릭스형(Active Matrix) 유기전계 발광소자(AMOLED)로 나눌 수 있다.
단순 매트릭스형 유기전계 발광소자(PMOLED)는 양극과 음극을 직교하도록 형성하고, 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자(AMOLED)는 TFT와 캐패시터를 각 화소전극에 접속하여 캐패시터 용량에 의해 전압을 유지하는 구동방식이다.
유기전계 발광소자는 TFT의 레이어별 검사를 위해 각 라인별로 GO(Gate Open) 검사를 진행하고 있다.
하지만, 패널 외곽에서 정전기가 발생되면, 정전기게 의해 최외곽 게이트 라인 영역에 불량이 발생된다. 특히, 최외곽 게이트 라인에 인접하는 일측에는 더미 패턴 영역이 배치되고 있으며, 더미 패턴 영역과 최외곽 게이트 라인의 면적 차에 의해 최외곽 게이트 라인에서 EDS가 발생하여 소자의 불량을 더 발생시킨다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예는 EDS에 의해 소자의 불량이 발생되는 것을 방지하기 위한 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 서로 교차되도록 배치된 데이터 라인 및 게이트 라인과, 상기 데이터 라인과 게이트 라인의 교차 영역에 배치된 화소를 포함하는 화소 영역과, 상기 화소 영역의 일측에 배치된 더미 패턴부와, 상기 화소 영역의 일측에 배치되며, 더미 데이터라인, 더미 게이트라인 및 더미 화소를 포함하는 더미 화소영역과, 상기 게이트 라인들 및 더미 게이트 라인들의 일측에 제1 연장라인을 통해 연결된 제1 쇼팅바와, 상기 게이트 라인들 및 더미 게이트 라인들의 타측에 제2 연장라인 및 트랜지스터 통해 연결된 제2 쇼팅바를 포함할 수 있다.
또한, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 서로 교차되도록 배치된 데이터 라인 및 게이트 라인을 포함하는 화소 영역과, 상기 화소 영역의 일측에 배치된 더미 패턴부와, 상기 게이트 라인들의 일측에 제1 연장라인을 통해 연결된 제1 쇼팅바와, 상기 게이트 라인들의 타측에 제2 연장라인과 트랜지스터의 조합으로 연결된 제2 쇼팅바를 포함할 수 있다.
또한, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 서로 교차되도록 배치된 데이터 라인 및 게이트 라인을 포함하는 화소 영역과, 상기 화소 영역의 일측에 배치되어 더미 메탈과 더미 패턴을 포함하는 더미 패턴부와, 상기 게이트 라인들의 일측에 제1 연장라인을 통해 연결된 제1 쇼팅바와, 상기 게이트 라인들의 타측에 제2 연장라인과 트랜지스터의 조합으로 연결된 제2 쇼팅바를 포함하고, 상기 더미 패턴은 제2 쇼팅바와 연결될 수 있다.
실시예는 화소 영역의 일측 예컨대, 최외곽 게이트 라인에 인접하는 영역에 더미 화소영역을 배치시킴으로써, ESD는 더미 화소영역에만 영항을 미치게 되어 화소 불량을 방지할 수 있게 된다.
또한, 실시예는 최외곽 게이트 라인에 트랜지스터의 배치를 제거함으로써, 최외곽 게이트 라인에 발생된 ESD가 제2 연결라인을 따라 제2 쇼팅바로 방전되어 최외곽 라인의 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 실시예는 전체 패턴이 등전위 구성이 되도록 더미 패턴을 쇼팅바와 연결시킴으로써, 패턴 면적 차에 의해 ESD가 발생하는 것을 원천적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 개략적으로 나타낸 회로도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 화소를 나타낸 단면도이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 더미 영역의 더미 화소를 나타낸 단면도이다.
도 4는 제2 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 개략적으로 나타낸 회로도이다.
도 5는 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 개략적으로 나타낸 회로도이다.
이하, 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 개략적으로 나타낸 회로도이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 화소를 나타낸 단면도이고, 도 3은 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 더미 영역의 더미 화소를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 서로 교차되도록 배치된 데이터 라인(DL) 및 게이트 라인(GL)과, 상기 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(GL)의 교차 영역에 배치된 화소(P)를 포함하는 화소 영역(100)과, 상기 화소 영역(100)의 일측에 배치된 더미 패턴부(300)와, 상기 화소 영역(100)의 일측에 배치되며, 더미 데이터라인(DDL), 더미 게이트라인(DSL) 및 더미 화소(DP)를 포함하는 더미 화소영역(300)과, 상기 게이트 라인들(SL) 및 더미 게이트 라인들(DSL)의 일측에 제1 연장라인(L1)을 통해 연결된 제1 쇼팅바(400)와, 상기 게이트 라인들(SL) 및 더미 게이트 라인(DSL)들의 타측에 제2 연장라인(L2) 및 트랜지스터(T) 통해 연결된 제2 쇼팅바(500)를 포함할 수 있다.
화소 영역(100)은 서로 교차되는 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(SL)과, 그 교차부마다 형성되어 매트릭스 타입으로 배열된 화소(P), 예컨대, 유기발광소자(110)를 포함할 수 있다. 유기발광소자(110)의 양극은 데이터 라인(DL)에 접속되며, 음극은 게이트 라인(SL)에 각각 접속된다. 유기발광소자(110)는 음극에 접속된 게이트 라인(SL)에 부극성 전압이 인가됨과 동시에 양극에 접속된 데이터 라인(DL)에 정극성 전압이 인가될 때, 순방향 바이어스에 의해 전류가 흐르면서 발광한다.
유기발광소자(110)는 음극에 접속된 게이트 라인에 정극성 전압이 인가되고 양극에 접속된 데이터 라인(DL)에 부극성 전압이 인가되면 즉, 유기발광소자(110)에 역방향 바이어스가 인가되면 유기발광소자(110)에는 전류가 흐르지 않으며 이에 따라, 유기발광소자(110)는 발광하지 않는다.
유기발광소자(110)는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 유기발광층은 제1 전극층(112), 정공 주입층(113) 및 정공 수송층(114), 유기 발광층(115), 전자 수송층(116), 전자 주입층(117) 및 제2 전극층(118)이 순차적으로 형성된 구조로 이루어질 수 있다.
제1 전극층(112)은 기판(111) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극층(112)은 구동 TFT와 접촉될 수 있다. 제1 전극층(112)은 구동 TFT와의 접속 구조에 따라 반사막을 갖는 애노드 전극, 또는 캐소드 전극일 수 있다. 제1 전극층(112)은 ITO, IZO 등의 산화물을 포함하는 투명 도전체로 형성될 수 있으며, 불투명 금속 재질을 가지는 반사막 상에서 화소 단위로 패터닝될 수 있다. 제1 전극층(112)은 구동 TFT를 경유하여 공급되는 정공을 정공 주입층(113) 및 정공 수송층(114)을 경유하여 유기 발광층(115)에 인가한다.
제2 전극층(118)은 제1 전극층(112)이 애노드 전극일 경우, 캐소드 전극일 수 있다. 제2 전극층(118)으로는 금속 재질의 단층 구조로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제2 전극층(118)은 유전층들 사이에 협지된 제1 및 제2 층의 금속층을 가지는 다층 구조로 형성될 수 있다.
도 1로 돌아가서, 화소 영역(100)의 일측에는 더미 패턴부(200)가 배치될 수 있다. 더미 패턴부(200)는 더미 메탈(210)과 더미 패턴(220)을 포함할 수 있다. 더미 메탈(210)은 일정 면적을 가지도록 배치될 수 있다. 더미 메탈(210)은 외관상 비 패드부임에도 패드부로 동일하게 보이도록 할 수 있다. 더미 패턴(220)은 유기전계 발광소자의 구동부가 COG, COF로 본딩시 본딩력 향상을 위해 형성될 수 있다. 더미 패턴(220)은 최외곽 게이트라인의 일측에 배치될 수 있다.
화소 영역(100)과 더미 패턴부(200) 사이에는 더미 화소영역(300)이 배치될 수 있다. 더미 화소영역(300)은 더미 데이터라인(DDL)과 더미 게이트라인(DSL)과 더미 화소(DP)를 포함할 수 있다. 더미 화소영역(300)은 화소 영역의 데이터 라인, 게이트 라인 및 화소와 동일한 배치 구조로 형성될 수 있다. 더미 화소(DP)는 더미 유기발광소자(310)를 포함할 수 있다. 더미 유기발광소자(310)는 점등되지 않도록 구성될 수 있다. 더미 유기발광소자(310)는 더미 유기발광층을 포함할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 더미 유기발광층은 제1 전극층(312), 절연층(319), 정공 주입층(313) 및 정공 수송층(314), 유기 발광층(315), 전자 수송층(316), 전자 주입층(317) 및 제2 전극층(318)이 순차적으로 형성된 구조로 이루어질 수 있다. 절연층(319)을 제외한 구성은 유기발광층의 구조와 동일하다.
제1 전극층(312)은 베이스 기판(311) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극층(312)은 반사막을 갖는 애노드 전극, 또는 캐소드 전극일 수 있다. 제1 전극층(312)은 ITO, IZO 등의 산화물을 포함하는 투명 도전체로 형성될 수 있으며, 불투명 금속 재질을 가지는 반사막 상에서 화소 단위로 패터닝될 수 있다.
제2 전극층(318)은 제1 전극층(312)이 애노드 전극일 경우, 캐소드 전극일 수 있다. 제2 전극층(318)으로는 금속 재질의 단층 구조로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제2 전극층(318)은 유전층들 사이에 협지된 제1 및 제2 층의 금속층을 가지는 다층 구조로 형성될 수 있다.
절연층(319)은 제1 전극층(312)의 상부에 배치될 수 있다. 절연층(319)은 유기막을 포함할 수 있다. 절연층(319)은 폴리이미드(Poly Imide, PI), 폴리아마이드(Poly Amide, PA)를 포함할 수 있다. 절연층(319)은 제1 전극층(312)과 제2 전극층(318) 사이를 절연시켜 더미 유기발광층이 점등되는 것을 방지할 수 있다.
상기에서는 절연층(319)을 제1 전극층(312)의 상부에 배치하였으나, 이에 한정되지 않으며, 제1 전극층(312)과 제2 전극층(318) 사이의 어느 영역에 형성하여도 무방하다.
상기에서는 화소 영역의 일측에 하나의 더미 화소를 배치하였지만, 이에 한정되지 않으며 다수의 더미 화소를 형성할 수도 있다.
제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 더미 화소를 화소 영역의 일측에 배치시킴으로써, 화소 영역의 최외곽 패턴으로 ESD가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이로 인해 유기전계 발광소자의 불량을 방지할 수 있다.
화소 영역(100)의 일측에는 제1 쇼팅바(400)가 연결될 수 있다. 제1 쇼팅바(400)는 제1 연장라인(L1)을 통해 게이트 라인(SL)과 연결될 수 있다. 제1 쇼팅바(400)는 금속 재질로 형성될 수 있다. 하나의 게이트 라인(SL)은 하나의 제1 연장라인(L1)과 연결될 수 있다. 이로부터 제1 연장라인(L1)은 게이트 라인(SL)의 수와 대응될 수 있다. 게이트 라인(SL)들과 연결된 제1 연장라인(L1)들은 제1 쇼팅바(400)와 연결될 수 있다. 제1 쇼팅바(400)에 의해 전하의 이동경로는 다양하게 형성될 수 있다.
제2 쇼팅바(500)는 제2 연장라인(L2)과 트랜지스터(T)를 통해 게이트 라인(SL)과 연결될 수 있다. 제2 쇼팅바(500)는 금속 재질로 형성될 수 있다. 하나의 게이트 라인(SL)에는 하나의 제2 연장라인(L2)과 트랜지스터(T)가 연결될 수 있다. 이로부터 제2 연장라인 및 트랜지스터는 게이트 라인들의 수와 대응될 수 있다.
TFT의 레이어별 공정이 진행되는 동안 트랜지스터(T)의 게이트단은 오픈되어 있으며, 이로 인해 TFT의 좌측에서 전류를 흘려주게 되면 트랜지스터(T)를 통해 전류가 빠져 나오게 된다. 반면, TFT의 레이어별 공정이 진행되는 동안 ESD가 발생되면 최외곽 게이트 라인에는 순간적으로 전하가 집중되면서 트랜지스터는 손상이 발생된다.
제1 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 화소 영역의 일측 예컨대, 최외곽 게이트 라인에 인접하는 영역에 더미 화소영역을 배치시킴으로써, ESD는 더미 화소영역에만 영항을 미치게 되어 화소 불량을 방지할 수 있게 된다.
도 4는 제2 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 개략적으로 나타낸 회로도이다.
도 4를 참조하면, 제2 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 서로 교차되도록 배치된 데이터 라인(DL) 및 게이트 라인(SL)을 포함하는 화소 영역(100)과, 상기 화소 영역(100)의 일측에 배치된 더미 패턴부(200)와, 상기 게이트 라인(SL)들의 일측에 제1 연장라인(L1)을 통해 연결된 제1 쇼팅바(400)와, 상기 게이트 라인(SL)들의 타측에 제2 연장라인(L2)과 트랜지스터(T)의 조합으로 연결된 제2 쇼팅바(500)를 포함할 수 있다.
화소 영역(100)은 서로 교차되는 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(SL)과, 그 교차부마다 형성되어 매트릭스 타입으로 배열된 화소(P), 예컨대, 유기발광소자(110)를 포함할 수 있다. 유기발광소자(110)의 양극은 데이터 라인(DL)에 접속되며, 음극은 게이트 라인(SL)에 각각 접속된다. 유기발광소자(110)는 음극에 접속된 게이트 라인(SL)에 부극성 전압이 인가됨과 동시에 양극에 접속된 데이터 라인(DL)에 정극성 전압이 인가될 때, 순방향 바이어스에 의해 전류가 흐르면서 발광한다.
유기발광소자(110)는 음극에 접속된 게이트 라인(SL)에 정극성 전압이 인가되고 양극에 접속된 데이터 라인(DL)에 부극성 전압이 인가되면 즉, 유기발광소자(110)에 역방향 바이어스가 인가되면 유기발광소자(110)에는 전류가 흐르지 않으며 이에 따라, 유기발광소자(110)는 발광하지 않는다.
화소 영역(100)의 일측에는 더미 패턴부(200)가 배치될 수 있다. 더미 패턴부(200)는 더미 메탈(210)과 더미 패턴(220)을 포함할 수 있다.
화소 영역(100)의 일측에는 제1 쇼팅바(400)가 연결될 수 있다. 제1 쇼팅바(400)는 제1 연장라인(L1)을 통해 게이트 라인(SL)과 연결될 수 있다. 제1 쇼팅바(400)는 금속 재질로 형성될 수 있다. 하나의 게이트 라인(SL)은 하나의 제1 연장라인(L1)과 연결될 수 있다. 이로부터 제1 연장라인(L1)은 게이트 라인(SL)의 수와 대응될 수 있다. 게이트 라인(SL)들과 연결된 제1 연장라인(L1)들은 제1 쇼팅바(400)와 연결될 수 있다. 제1 쇼팅바(400)에 의해 전하의 이동경로는 다양하게 형성될 수 있다.
제2 쇼팅바(500)는 제2 연장라인(L2)과 트랜지스터(T)를 통해 게이트 라인(SL)과 연결될 수 있다. 제2 쇼팅바(500)는 금속 재질로 형성될 수 있다. 하나의 게이트 라인(SL)에는 하나의 제2 연장라인(L2)과 트랜지스터(T)가 연결될 수 있다. 이로부터 제2 연장라인(L2) 및 트랜지스터(T)는 게이트 라인(SL)들의 수와 대응될 수 있다.
최외곽 게이트 라인(SL)에는 트랜지스터(T)가 배치되지 않으며, 나머지 게이트 라인(SL)에는 트랜지스터(T)가 배치될 수 있다. 다시 말해, 최외곽 게이트 라인(SL)의 일측에는 제1 연장라인(L1)에 의해 제1 쇼팅바(400)와 연결되고, 최외곽 게이트 라인(SL)의 타측에는 제2 연장라인(L2)에 의해 제2 쇼팅바(500)와 연결될 수 있다.
예컨대, ESD 발생되면, ESD는 최외곽 게이트 라인(SL)에 발생된 ESD는 제2 연결라인(L2)을 따라 제2 쇼팅바(500)로 방전되어 최외곽 라인의 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 5는 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자를 개략적으로 나타낸 회로도이다.
도 5를 참조하면, 제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 서로 교차되도록 배치된 데이터 라인(DL) 및 게이트 라인(SL)을 포함하는 화소 영역(100)과, 상기 화소 영역(100)의 일측에 배치되어 더미 메탈(210)과 더미 패턴(220)을 포함하는 더미 패턴부(220)와, 상기 게이트 라인(SL)들의 일측에 제1 연장라인(L1)을 통해 연결된 제1 쇼팅바(400)와, 상기 게이트 라인(SL)들의 타측에 제2 연장라인(L2)과 트랜지스터(T)의 조합으로 연결된 제2 쇼팅바(500)를 포함하고, 상기 더미 패턴(220)은 제2 쇼팅바(500)와 연결될 수 있다.
화소 영역(100)은 서로 교차되는 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(SL)과, 그 교차부마다 형성되어 매트릭스 타입으로 배열된 화소(P), 예컨대, 유기발광소자(110)를 포함할 수 있다. 유기발광소자(110)의 양극은 데이터 라인(DL)에 접속되며, 음극은 게이트 라인(SL)에 각각 접속된다. 유기발광소자(110)는 음극에 접속된 게이트 라인(SL)에 부극성 전압이 인가됨과 동시에 양극에 접속된 데이터 라인(DL)에 정극성 전압이 인가될 때, 순방향 바이어스에 의해 전류가 흐르면서 발광한다.
유기발광소자(110)는 음극에 접속된 게이트 라인(SL)에 정극성 전압이 인가되고 양극에 접속된 데이터 라인(DL)에 부극성 전압이 인가되면 즉, 유기발광소자(110)에 역방향 바이어스가 인가되면 유기발광소자(110)에는 전류가 흐르지 않으며 이에 따라, 유기발광소자(110)는 발광하지 않는다.
화소 영역(100)의 일측에는 더미 패턴부(200)가 배치될 수 있다. 더미 패턴부(200)는 더미 메탈(210)과 더미 패턴(220)을 포함할 수 있다.
화소 영역(100)의 일측에는 제1 쇼팅바(400)가 연결될 수 있다. 제1 쇼팅바(400)는 제1 연장라인(L1)을 통해 게이트 라인(SL)과 연결될 수 있다. 제1 쇼팅바(400)는 금속 재질로 형성될 수 있다. 하나의 게이트 라인(SL)은 하나의 제1 연장라인(L1)과 연결될 수 있다. 이로부터 제1 연장라인(L1)은 게이트 라인(SL)의 수와 대응될 수 있다. 게이트 라인(SL)들과 연결된 제1 연장라인(L1)들은 제1 쇼팅바(400)와 연결될 수 있다. 제1 쇼팅바(400)에 의해 전하의 이동경로는 다양하게 형성될 수 있다.
제2 쇼팅바(500)는 제2 연장라인(L2)과 트랜지스터(T)를 통해 게이트 라인(SL)과 연결될 수 있다. 제2 쇼팅바(500)는 금속 재질로 형성될 수 있다. 하나의 게이트 라인(SL)에는 하나의 제2 연장라인(L2)과 트랜지스터(T)가 연결될 수 있다. 이로부터 제2 연장라인(L2) 및 트랜지스터(T)는 게이트 라인(SL)들의 수와 대응될 수 있다.
제2 쇼팅바(500)에는 더미 패턴(220)이 연결될 수 있다. 더미 패턴(220)은 제1 쇼팅바(400)와 연결될 수 있다. 더미 패턴(220)이 제1 쇼팅바(400)와 제2 쇼팅바(500)와 연결됨으로써 전체 패턴이 등전위가 되도록 구성할 수 있다.
제3 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 전체 패턴이 등전위 구성이 되도록 더미 패턴을 쇼팅바와 연결시킴으로써, 패턴 면적 차에 의해 ESD가 발생하는 것을 원천적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 실시예의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 실시예는 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
100: 화소 영역 200: 더미 패턴부
210: 더미 메탈 220: 더미 패턴
300: 더미 화소영역 400: 제1 쇼팅바
500: 제2 쇼팅바 L1: 제1 연장라인

Claims (8)

  1. 서로 교차되도록 배치된 데이터 라인 및 게이트 라인과, 상기 데이터 라인과 게이트 라인의 교차 영역에 배치된 화소를 포함하는 화소 영역;
    상기 화소 영역의 일측에 배치된 더미 패턴부;
    상기 화소 영역의 일측에 배치되며, 더미 데이터라인, 더미 게이트라인 및 더미 화소를 포함하는 더미 화소영역;
    상기 게이트 라인들 및 더미 게이트 라인들의 일측에 제1 연장라인을 통해 연결된 제1 쇼팅바; 및
    상기 게이트 라인들 및 더미 게이트 라인들의 타측에 제2 연장라인 및 트랜지스터 통해 연결된 제2 쇼팅바;를 포함하는 유기전계 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 더미 화소영역은 상기 더미 패턴부와 인접하는 상기 화소영역의 일측에 배치된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 더미 화소는 제1 전극층과, 상기 제1 전극층 상에 배치된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 상에 배치된 제2 전극층과, 상기 제1 전극층과 상기 유기 발광층 사이에 배치된 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 절연층은 폴리이미드, 폴리아마이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  5. 서로 교차되도록 배치된 데이터 라인들 및 게이트 라인들을 포함하는 화소 영역;
    상기 화소 영역의 일측에 배치되며, 상기 게이트 라인들 중 최외곽 게이트 라인에 인접하도록 배치된 더미 패턴부;
    상기 게이트 라인들의 일측에 제1 연장라인을 통해 연결된 제1 쇼팅바; 및
    상기 게이트 라인들 중 상기 최외곽 게이트 라인의 타측에 제2 연장라인만을 통해 연결되고, 나머지 게이트 라인들의 타측에 상기 제2 연장라인과 트랜지스터의 조합으로 연결된 제2 쇼팅바;를 포함하고,
    상기 더미 패턴부와 상기 제1 및 제2 쇼팅바는 각각 오픈된 것인, 유기전계 발광소자.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
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