KR102341853B1 - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102341853B1 KR102341853B1 KR1020150113890A KR20150113890A KR102341853B1 KR 102341853 B1 KR102341853 B1 KR 102341853B1 KR 1020150113890 A KR1020150113890 A KR 1020150113890A KR 20150113890 A KR20150113890 A KR 20150113890A KR 102341853 B1 KR102341853 B1 KR 102341853B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- protrusions
- display panel
- disposed
- layer
- electrode
- Prior art date
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 29
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 21
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 16
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 12
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 12
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 12
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 12
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 9
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 9
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 claims description 9
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 8
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 6
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 claims description 6
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 6
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 4
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 claims description 4
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H01L51/5253—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H01L27/3274—
-
- H01L51/5237—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H01L2227/32—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
표시 장치는 표시 패널, 및 상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치되는 보호 필름을 포함한다. 상기 보호 필름은 베이스 필름, 및 상기 베이스 필름의 일면 상에 배치된 복수의 돌기들을 구비할 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회의 발전에 따라 유기 발광 표시 패널(Organic Light Eemitting Display panel, OLED panel), 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display panel, LCD panel), 전기영동 표시 패널(Electro-Phoretic Display panel, EPD panel), 및 일렉트로웨팅 표시 패널(Electro-Wetting Display panel, EWD panel)과 같이 다양한 표시 패널이 표시 장치에 적용되고 있다.
최근에는 경량화 및 박형화가 가능하고, 휴대성이 높으며, 휘거나 접는 것이 가능한 표시 장치가 개발되고 있다. 상기 표시 장치의 상기 표시 패널은 경성 기판 대신 플라스틱과 같은 가요성 기판을 사용한다.
본 발명의 일 목적은 표시 패널의 찍힘 불량을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 및 상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치되는 보호 필름을 포함한다. 상기 보호 필름은 베이스 필름, 및 상기 베이스 필름의 일면 상에 배치된 복수의 돌기들을 구비할 수 있다.
상기 돌기들은 상기 베이스 필름의 표면 중 상기 표시 패널 반대 방향의 면 상에 배치될 수 있다.
상기 돌기들의 폭은 10㎛ 내지 500㎛일 수 있다.
상기 돌기들의 높이는 상기 돌기들의 폭의 1배 내지 20배일 수 있다. 여기서, 상기 돌기들의 높이는 500㎛ 이하일 수 있다.
서로 인접하는 돌기들 사이의 거리는 상기 돌기들의 폭의 3배 내지 20배일 수 있다. 여기서, 서로 인접하는 돌기들 사이의 거리는 500㎛ 이하일 수 있다.
상기 보호 필름은 상기 표시 패널의 표면 중 광이 출사되는 방향의 반대 방향의 면 상에 배치될 수 있다.
상기 표시 패널은 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되는 표시 소자, 및 상기 표시 소자를 외부 환경과 격리하는 봉지 부재를 포함할 수 있다.
상기 표시 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 유기막, 및 상기 유기막 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 봉지 부재는 상기 제2 전극 상에 배치되는 무기막, 및 상기 무기막 상에 배치되는 유기막을 포함할 수 있다.
상기 봉지 부재는 교번 적층되는 복수의 무기막들 및 복수의 유기막들을 포함하고, 상기 무기막들 중 최하부 무기막은 상기 표시 소자 상에 배치될 수 있다.
상기 돌기들의 상기 베이스 필름의 표면에 평행한 방향의 단면은 다각형, 원형 및 타원형 중 적어도 하나의 형상을 가질 수 있다.
상기 베이스 필름은 탄성을 가지는 재질의 물질을 포함할 수 있다. 상기 베이스 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리카보네이트(PC, Polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리술폰(PSul, polysulfone), 폴리에틸렌(PE, ployethylene), 폴리프탈라미드(PPA, polyphthalamide), 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate) 및 변성 폴리페닐렌 옥사이드(MPPO, modified polyphenylene oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널 및 상기 보호 필름 사이에 배치되는 점착층을 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같은 표시 장치는 보호 필름을 구비하여 표시 패널을 보호할 수 있다. 특히, 상기 보호 필름이 복수의 돌기들을 구비하여, 상기 표시 장치는 파티클에 의한 상기 표시 패널의 찍힘 불량을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 EA 영역의 확대도이다.
도 4 내지 도 7은 도 1 내지 도 3에 도시된 보호 필름을 예시한 평면도들이다.
도 8은 도 4의 I-I' 라인에 따른 단면도이다.
도 9는 보호 필름에 의한 표시 패널 보호를 설명하기 위한 개념도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 EA 영역의 확대도이다.
도 4 내지 도 7은 도 1 내지 도 3에 도시된 보호 필름을 예시한 평면도들이다.
도 8은 도 4의 I-I' 라인에 따른 단면도이다.
도 9는 보호 필름에 의한 표시 패널 보호를 설명하기 위한 개념도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 단면도이며, 도 3은 도 2의 EA 영역의 확대도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 표시 장치는 표시 패널(100), 상기 표시 패널(100)의 일면에 배치된 보호 필름(200), 및 상기 표시 패널(100)과 상기 보호 필름(200)을 접합시키는 점착층(300)을 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(100)은 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 표시 패널(100)로 유기 발광 표시 패널(Organic Light Eemitting Display panel, OLED panel)과 같은 자발광이 가능한 표시 패널을 사용하는 것이 가능하다. 또한, 상기 표시 패널(100)로 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display panel, LCD panel), 전기영동 표시 패널(Electro-Phoretic Display panel, EPD panel), 및 일렉트로웨팅 표시 패널(Electro-Wetting Display panel, EWD panel)과 같은 비발광성 표시 패널을 사용하는 것이 가능하다. 상기 표시 패널(100)로 비발광성 표시 패널을 사용하는 경우, 상기 표시 장치는 상기 표시 패널(100)로 광을 공급하는 백라이트 유닛(Back-light unit)을 구비할 수도 있다. 본 실시예에서는 상기 표시 패널(100)로 상기 유기 발광 표시 패널을 예로서 설명한다.
상기 표시 패널(100)은 박막 트랜지스터 기판(110), 상기 박막 트랜지스터 기판(110) 상에 배치되는 표시 소자(DD), 및 상기 표시 소자(DD)를 외부 환경과 격리시키는 봉지 부재(120)를 구비할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터 기판(110)은 베이스 기판(SUB), 및 상기 베이스 기판(SUB) 상에 배치된 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 구비할 수 있다.
상기 베이스 기판(SUB)은 투명 절연 물질을 포함하여 광의 투과가 가능하다. 상기 베이스 기판(SUB)은 경성(rigid) 기판일 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(SUB)은 유리 베이스 기판, 석영 베이스 기판, 유리 세라믹 베이스 기판 및 결정질 유리 베이스 기판 중 하나일 수 있다.
상기 베이스 기판(SUB)은 가요성을 가지는 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 여기서, 상기 베이스 기판(SUB)은 고분자 유기물을 포함하는 필름 베이스 기판 및 플라스틱 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(SUB)은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, Polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(TAC, Triacetate Cellulose), 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 중 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 베이스 기판(SUB)은 유리 섬유 강화플라스틱(FRP, Fiber glass reinforced plastic)을 포함할 수도 있다.
또한, 상기 베이스 기판(SUB)에 적용되는 물질은 상기 표시 패널(100)의 제조 공정 시, 높은 처리 온도에 대해 저항성(또는 내열성)을 갖는 것이 바람직하다.
상기 베이스 기판(SUB) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT) 사이에는 버퍼층(BUL)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(BUL)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(BUL)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 반도체층(SCL)으로 수분 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 상기 버퍼층(BUL)은 상기 베이스 기판(SUB)에서 상기 반도체층(SCL)으로 불순물이 확산되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(BUL)은 상기 베이스 기판(SUB)의 표면을 평탄화할 수도 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(미도시) 및 데이터 라인(미도시)에 연결될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 반도체층(SCL), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다.
상기 반도체층(SCL)은 상기 버퍼층(BUL) 상에 배치될 수 있다. 상기 반도체층(SCL)은 비정질 실리콘(a-Si), 다결정 실리콘(poly Si), 산화물 반도체 및 유기물 반도체 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 반도체층(SCL)에서, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 영역은 불순물이 도핑 또는 주입된 소스 영역 및 드레인 영역일 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다. 여기서, 상기 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 산화물 반도체는 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.
한편, 도면 상에는 도시하지 않았으나, 상기 반도체층(SCL)이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 상기 반도체층(SCL)의 상부 또는 하부에 상기 반도체층(SCL)으로 유입되는 광을 차단하기 위한 광 차단막이 배치될 수도 있다.
상기 반도체층(SCL) 상에는 게이트 절연막(GI)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연막(GI)은 상기 반도체층(SCL)을 커버하고, 상기 반도체층(SCL) 및 상기 게이트 전극(GE)을 절연시킬 수 있다. 상기 게이트 절연막(GI)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막(GI) 상에는 상기 게이트 전극(GE)이 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인에 접속될 수 있다. 예를 들면, 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인의 일부가 돌출된 형상을 가질 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 반도체층(SCL)과 중첩하여 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 저저항 도전 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE) 상에는 층간 절연막(ILD)이 배치될 수 있다. 상기 층간 절연막(ILD)은 상기 게이트 절연막(GI)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 층간 절연막(ILD)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 층간 절연막(ILD) 상에는 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 저저항 도전 물질을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 층간 절연막(ILD)에 의하여 상기 게이트 전극(GE)과 절연될 수 있다. 또한, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 각각 접속할 수 있다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 라인에 접속될 수 있다. 예를 들면, 상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 라인의 일부가 돌출된 형상을 가질 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 탑 게이트(top gate) 구조의 박막 트랜지스터인 경우를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터일 수도 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치된 상기 베이스 기판(SUB) 상에는 보호막(PSV)이 배치될 수 있다. 즉, 상기 보호막(PSV)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버할 수 있다. 또한, 상기 보호막(PSV)의 일부는 제거되어, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시킬 수 있다.
상기 보호막(PSV)은 적어도 하나의 막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 보호막(PSV)은 무기 보호막 및 상기 무기 보호막 상에 배치된 유기 보호막을 포함할 수 있다. 상기 무기 보호막은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 유기 보호막은 아크릴(Acryl), 폴리이미드(PI, Polyimide), 폴리아미드(PA, Polyamide) 및 벤조시클로부텐(BCB, Benzocyclobutene) 중 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기 보호막은 투명하고, 유동성이 있어 하부 구조의 굴곡을 완화시켜 평탄화시킬 수 있는 평탄화막일 수 있다.
상기 보호막(PSV) 상에는 상기 드레인 전극(DE)과 접속하는 상기 표시 소자(DD)가 배치될 수 있다. 여기서, 상기 표시 소자(DD)는 유기 발광 소자일 수 있다.
상기 표시 소자(DD)는 상기 드레인 전극(DE)에 접속하는 제1 전극(AE), 상기 제1 전극(AE) 상에 배치되는 유기막(OL), 및 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(AE) 및 상기 제2 전극(CE) 중 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(AE)는 애노드 전극일 수 있으며, 상기 제2 전극(CE)는 캐소드 전극일 수 있다.
또한, 상기 제1 전극(AE) 및 상기 제2 전극(CE) 중 적어도 하나는 투과형 전극일 수 있다. 예를 들면, 상기 표시 소자(DD)가 배면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE)이 투과형 전극이며, 상기 제2 전극(CE)이 반사형 전극일 수 있다. 또한, 상기 표시 소자(DD)가 전면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE)이 반사형 전극이며, 상기 제2 전극(CE)이 투과형 전극일 수 있다. 또한, 상기 표시 소자(DD)가 양면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE) 및 상기 제2 전극(CE) 모두 투과형 전극일 수 있다. 본 실시예에서는 상기 제1 전극(AE)가 애노드 전극이며, 상기 표시 소자(DD)가 전면 발광형 유기 발광 소자인 경우를 예로서 설명한다.
상기 제1 전극(AE)은 상기 보호막(PSV) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(AE)은 광을 반사시킬 수 있는 반사막(미도시) 및 상기 반사막의 상부 또는 하부에 배치되는 제1 투명 도전막(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 제1 투명 도전막 및 상기 반사막 중 적어도 하나는 상기 드레인 전극(DE)과 접속할 수 있다.
상기 반사막은 광을 반사시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 반사막은 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 투명 도전막은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 투명 도전막은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), GZO(Gallium doped Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), GTO(Gallium tin oxide) 및 FTO(Fluorine doped Tin Oxide) 중 적어도 하나의 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(AE) 상에는 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(AE)을 노출시킬 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 폴리스티렌(polystylene), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, Polymethylmethacrylate), 폴리아크릴로니트릴(PAN, Polyacrylonitrile), 폴리아미드(PA, Polyamide), 폴리이미드(PI, Polyimide), 폴리아릴에테르(PAE, Polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(Heterocyclic Polymer), 파릴렌(Parylene), 에폭시 수지(Epoxy resin), 벤조시클로부텐(BCB, Benzocyclobutene), 실록산계 수지(Siloxane based resin) 및 실란계 수지(Silane based resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 유기막(OL)은 적어도 발광층(emitting layer, EML)을 포함하는 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 유기막(OL)은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공의 수송성이 우수하고 상기 발광층(EML)에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 광을 발하는 상기 발광층(EML), 상기 발광층(EML)에서 결합하지 못한 정공의 이동을 억제하기 위한 정공 억제층(hole blocking layer, HBL), 전자를 상기 발광층(EML)으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 및 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 구비할 수 있다.
상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(grean), 청색(blue) 및 백색(white) 중 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 유기막(OL)의 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 하나일 수 있다.
상기 제2 전극(CE)은 상기 유기막(OL) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 상기 유기막(OL) 상에 배치되는 반투과 반사막(미도시), 및 상기 반투과 반사막 상에 배치되는 제2 투명 도전막(미도시)을 포함할 수 있다.
상기 반투과 반사막은 광을 투과시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 반투과 반사막은 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께를 가지는 박형 금속층일 수 있다. 또한, 상기 반투과 반사막은 상기 제1 투명 도전막에 비하여 일함수가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 반투과 반사막은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 반투과 반사막은 광을 투과시키기 위한 박막 금속층이므로, 전압 강하 현상이 발생할 수 있다.
상기 제2 투명 도전막은 상기 반투과 반사막의 전압 강하(IR-Drop)를 방지할 수 있으며, 상기 반투과 반사막을 투과한 광을 투과시킬 있다. 여기서, 상기 제2 투명 도전막은 상기 제1 투명 도전막과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 제2 투명 도전막은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), GZO(gallium doped zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), GTO(Gallium tin oxide) 및 FTO(fluorine doped tin oxide) 중 하나의 투명 도전성 산화물을 포함하는 도전막일 수 있다.
한편, 상기 유기막(OL)에서 출사된 광 중 일부는 상기 반투과 반사막을 투과하지 못하고 반사될 수 있다. 상기 반투과 반사막에서 반사된 광은 상기 반사막에서 다시 반사될 수 있다. 즉, 상기 반사막 및 상기 반투과 반사막 사이에서, 상기 유기막(OL)에서 출사된 광은 공진할 수 있다. 상기 광의 공진에 의하여 상기 표시 소자(DD)의 광 추출 효율은 향상될 수 있다.
또한, 상기 반사막 및 상기 반투과 반사막 사이의 거리는 출사되는 광의 색상에 따라 상이할 수 있다. 즉, 상기 유기막(OL)에서 출사되는 광의 색상에 따라, 상기 반사막 및 상기 반투과 반사막 사이의 거리는 공진 조건에 부합되도록 조절될 수 있다.
상기 봉지 부재(120)는 상기 표시 소자(DD)를 외부 환경과 격리시킬 수 있다. 또한, 상기 봉지 부재(120)는 상기 제2 전극(CE) 상에 배치되어, 상기 표시 소자(DD)로 수분 및 산소의 침투를 방지할 수 있다.
상기 봉지 부재(120)는 상기 표시 소자(DD)를 커버하는 복수의 무기막(121)들 및 복수의 유기막(122)들을 포함하는 봉지층일 수 있다. 상기 무기막(121)들 중 최하부 무기막(121)은 상기 표시 소자(DD) 상에 배치될 수 있다. 상기 무기막(121)들 및 상기 유기막(122)들은 서로 교번 적층될 수 있다.
상기 무기막(121)들은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON), 알루미늄 산화물(Al2O3), 티타늄 산화물(TiO2), 지르코늄 산화물(ZrOx) 및 주석 산화물(ZnO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 유기막(122)들은 에폭시(epoxy) 수지, 아크릴레이트(acrylate) 수지, 우레탄 아크릴레이트(urethane acrylate) 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기막(122)들은 상기 표시 소자(DD)에 의한 단차를 제거할 수 있다.
한편, 상기 봉지 부재(120)는 상기 제1 기판(110)에 마주하는 대향 기판일 수도 있다. 여기서, 상기 봉지 부재(120)는 상기 베이스 기판(SUB)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 봉지 부재(120)는 실런트를 통하여 상기 제1 기판(110)과 합착될 수 있다.
또한, 상기 제1 기판(110) 및 상기 봉지 부재(120) 사이의 공간에는 충진재(미도시)가 배치될 수도 있다. 상기 충진재는 외부의 충격으로부터 상기 표시 소자(DD)의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 상기 충진재가 흡습 능력을 가지면, 상기 충진재는 상기 봉지 부재(120)로부터 상기 표시 소자(DD)에 침투하는 수분을 흡수하여 상기 표시 소자(DD)로 수분이 침투하는 것을 방지할 수도 있다.
상기 보호 필름(200)은 상기 표시 패널(100)의 표면 중 적어도 일 표면 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 보호 필름(200)은 상기 표시 패널(100)의 광이 출사되는 방향의 반대 방향의 표면 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 보호 필름(200)은 상기 베이스 기판(SUB)의 외부면 상에 상기 점착층(300)을 통하여 부착될 수 있다. 또한, 상기 보호 필름(200)은 베이스 필름(210) 및 상기 베이스 필름(210)의 일면 상에 배치된 복수의 돌기들(220)을 포함할 수 있다.
상기 점착층(300)은 상기 표시 패널(100) 및 상기 보호 필름(200)을 접합시킬 수 있다. 상기 점착층(300)은 점착성을 가지며, 광, 열 또는 압력으로 경화될 수 있는 투명 고분자 수지를 포함할 수 있다.
도 4 내지 도 7은 도 1 내지 도 3에 도시된 보호 필름을 예시한 평면도들이며, 도 8은 도 4의 I-I' 라인에 따른 단면도이며, 도 9는 보호 필름에 의한 표시 패널 보호를 설명하기 위한 개념도이다.
도 4 내지 도 9를 참조하면, 보호 필름(200)은 표시 패널(100)의 적어도 일면에 배치되어, 상기 표시 패널(100)을 보호할 수 있다. 예를 들면, 상기 보호 필름(200)은 상기 표시 패널(100)에 가해지는 외부 충격을 흡수하여, 상기 표시 패널(100)을 보호할 수 있다. 또한, 상기 보호 필름(200)은 파티클(P)들 의해 상기 표시 패널(100)의 찍힘 불량을 방지할 수 있다. 상기 찍힘 불량은 상기 파티클(P)들이 상기 표시 패널(100)에 국부적으로 압력을 가하여, 상기 표시 패널(100)이 변형되고, 상기 표시 패널(100)의 일부 화소가 불량이 되는 현상이다. 상기 파티클(P)들에 의한 찍힘 불량은 상기 표시 패널(100)의 제조 공정에서 발생할 수 있다. 일반적으로 상기 표시 패널(100)을 제조하는 장비 내부에 존재하는 파티클(P)들의 직경 또는 크기는 수㎛ 내지 수백㎛일 수 있다.
상기 보호 필름(200)은 베이스 필름(210) 및 상기 베이스 필름(210)의 일면 상에 배치된 복수의 돌기들(220)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 필름(210)은 외부 충격을 흡수할 수 있도록 탄성을 가지는 물질을 포함하여, 상기 표시 패널(100)에 가해지는 외부 충격을 흡수할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 필름(210)은 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리카보네이트(PC, Polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리술폰(PSul, polysulfone), 폴리에틸렌(PE, ployethylene), 폴리프탈라미드(PPA, polyphthalamide), 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate) 및 변성 폴리페닐렌 옥사이드(MPPO, modified polyphenylene oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 베이스 필름(210)의 두께는 20㎛ 내지 500㎛일 수 있다. 상기 베이스 필름(210)의 두께가 20㎛ 미만인 경우, 상기 베이스 필름(210)이 외부 충격을 충분히 흡수할 수 없다. 또한, 상기 베이스 필름(210)의 두께가 500㎛ 초과인 경우, 상기 보호 필름(200)이 상기 표시 패널(100)의 벤딩(bending)을 방해할 수 있다.
상기 돌기들(220)은 상기 베이스 필름(210)의 표면 중 상기 표시 패널(100) 반대 방향의 표면 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 돌기들(220)은 상기 베이스 필름(210)의 표면에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있으며, 상기 베이스 필름(210)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 돌기들(220)의 상기 베이스 필름(210)의 표면에 평행한 단면은 다각형, 원형 및 타원형 중 적어도 하나의 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 돌기들(220)의 단면은 사각 형상을 가질 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 돌기들(220)의 단면은 원 형상을 가질 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 돌기들(220)의 단면은 타원 형상을 가질 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 돌기들(220)의 단면은 육각 형상을 가질 수 있다.
상기 돌기들(220)의 폭(W)은 10㎛ 내지 500㎛일 수 있다. 상기 돌기들(220)이 배치된 상기 베이스 필름(210)의 표면 및 상기 돌기(220)의 끝단 사이의 거리, 즉, 상기 돌기들(220)의 높이(H)는 상기 돌기들(220)의 폭(W)의 1 내지 20배일 수 있다. 여기서, 상기 돌기들(220)의 높이(H)는 500㎛ 이하일 수 있다.
서로 인접하는 상기 돌기들(220) 사이의 거리(D)는 상기 돌기들(220)의 폭(W)의 3 내지 20배일 수 있다. 여기서, 서로 인접하는 상기 돌기들(220) 사이의 거리(D)는 500㎛ 이하일 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 파티클(P)들의 직경 또는 크기가 상기 돌기들(220)의 높이(H) 및 서로 인접하는 상기 돌기들(220) 사이의 거리(D)보다 작은 경우, 상기 파티클(P)들은 서로 인접하는 상기 돌기들(220) 사이의 공간에 위치할 수 있다. 따라서, 상기 보호 필름(200)은 상기 파티클(P)들에 의한 상기 표시 패널(100)의 찍힘 불량을 방지할 수 있다.
또한, 상기 파티클(P)들의 직경 또는 크기가 서로 인접하는 돌기들(220) 사이의 거리(D)보다 클 경우, 상기 돌기들(220)이 휘어지면서, 상기 파티클(P)들이 상기 표시 패널(100) 방향으로 압력을 가하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 보호 필름(200)은 상기 파티클(P)들에 의한 상기 표시 패널(100)의 찍힘 불량을 방지할 수 있다.
한편, 상기 돌기들(220)의 폭(W)이 10㎛ 미만이며, 상기 돌기들(220)의 높이(H)가 상기 돌기들(220)의 폭(W)보다 작으며, 서로 인접하는 돌기들(220) 사이의 거리(D)가 상기 돌기들(220)의 폭(W)의 3배 미만인 경우, 직경 또는 크기가 100㎛ 이상인 상기 파티클(P)들에 의한 상기 표시 패널(100)의 찍힘 불량을 방지하기 어려울 수 있다.
상기 돌기들(220)의 폭(W)이 500㎛를 초과하면, 직경 또는 크기가 100㎛ 내지 500㎛의 파티클(P)들이 상기 돌기들(220)의 표면에 부착될 수 있다. 따라서, 상기 돌기들(220)의 상기 표면에 부착된 상기 파티클(P)들은 상기 보호 필름(200)에 직접 압력을 가할 수 있다. 따라서, 상기 표시 패널(100)의 찍힘 불량이 발생할 수 있다.
서로 인접하는 돌기들(220) 사이의 거리(D)가 상기 돌기들(220)의 폭(W)의 20배 이하이고, 상기 돌기들(220)의 높이(H)가 상기 돌기들(220)의 폭(W)의 20배를 초과하면, 서로 인접하는 상기 돌기들(220)이 벤딩에 의하여 맞닿게 될 수 있다. 상기 돌기들(220)이 벤딩에 의해 맞닿게 되면, 서로 인접하는 상기 돌기들(220) 중 하나(이하, "제1 돌기"라 칭함.)는 상기 벤딩에 의한 압력을 다른 하나(이하, "제2 돌기"라 칭함.)에 전달할 수 있다. 그러나, 상기 벤딩에 의한 압력의 반작용에 의하여, 상기 제2 돌기는 상기 제1 돌기에 압력을 전달할 수 있다. 따라서, 상기 보호 필름(200)이 상기 표시 패널(100)의 벤딩을 방해할 수 있다. 또한, 상기 표시 패널(100)의 벤딩시, 상기 제1 돌기 및 상기 제2 돌기의 작용 반작용에 의한 압력에 의해 상기 보호 필름(200)이 변형될 수도 있다.
서로 인접하는 돌기들(220) 사이의 거리(D)가 상기 돌기들(220)의 폭(W)의 20배를 초과하면, 상기 파티클(P)들의 대부분이 서로 인접하는 상기 돌기들(220) 사이의 공간에 위치할 수 있다. 그러나, 외부 압력에 의하여 상기 돌기들(220)이 변형되는 경우, 상기 파티클(P)들 중 상기 돌기들(220)의 높이(H)보다 직경 또는 크기가 큰 파티클(P)이 상기 베이스 필름(210)에 직접적으로 압력을 가하게 될 수 있다. 따라서, 상기 베이스 필름(210)이 상기 파티클(P)에 의해 국부적으로 압력을 받으며, 상기 국부적 압력은 상기 표시 패널(100)의 찍힘 불량을 유발할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 보호 필름(200)은 상기 표시 패널(100)에 가해지는 외부 충격을 흡수하여, 상기 표시 패널(100)을 보호할 수 있다. 또한, 상기 보호 필름(200)은 상기 표시 패널(100)의 제조 장비에 존재하는 파티클(P)들이 상기 표시 패널(100)에 직접 부착되는 것을 방지하며, 상기 파티클(P)에 의한 상기 표시 패널(100)의 찍힘 불량을 방지할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 표시 패널 110: 제1 기판
120: 제2 기판 SUB: 베이스 기판
GI: 게이트 절연막 BUL: 버퍼층
GE: 게이트 전극 SCL: 반도체층
SE: 소스 전극 DE: 드레인 전극
PSV: 보호막 DD: 표시 소자
AE: 제1 전극 OL: 유기막
CE: 제2 전극 200: 보호 필름
210: 베이스 필름 220: 돌기
300: 점착층
120: 제2 기판 SUB: 베이스 기판
GI: 게이트 절연막 BUL: 버퍼층
GE: 게이트 전극 SCL: 반도체층
SE: 소스 전극 DE: 드레인 전극
PSV: 보호막 DD: 표시 소자
AE: 제1 전극 OL: 유기막
CE: 제2 전극 200: 보호 필름
210: 베이스 필름 220: 돌기
300: 점착층
Claims (15)
- 표시 패널; 및
상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치되는 보호 필름을 포함하고,
상기 표시 패널은
제1 기판;
상기 제1 기판 상에 배치되는 표시 소자; 및
상기 표시 소자를 외부 환경과 격리하는 봉지 부재를 포함하고,
상기 보호 필름은
베이스 필름; 및
상기 베이스 필름의 일면 상에 배치된 복수의 돌기들을 구비하고,
상기 표시 소자가 상기 봉지 부재 및 상기 보호 필름 사이에 있도록, 상기 보호 필름은 상기 표시 패널 상에 배치되는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 돌기들은 상기 베이스 필름의 표면 중 상기 표시 패널 반대 방향의 표면 상에 배치되는 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 돌기들의 폭은 10㎛ 내지 500㎛인 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 돌기들의 높이는 상기 돌기들의 폭의 1배 내지 20배인 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 돌기들의 높이는 500㎛ 이하인 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
서로 인접하는 돌기들 사이의 거리는 상기 돌기들의 폭의 3배 내지 20배인 표시 장치. - 제6 항에 있어서,
서로 인접하는 돌기들 사이의 거리는 500㎛ 이하인 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 보호 필름은 상기 표시 패널의 표면 중 광이 출사되는 방향의 반대 방향의 표면 상에 배치되는 표시 장치. - 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 표시 소자는
제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치되는 유기막; 및
상기 유기막 상에 배치되는 제2 전극을 포함하는 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 봉지 부재는 교번 적층되는 복수의 무기막들 및 복수의 유기막들을 포함하고, 상기 무기막들 중 최하부 무기막은 상기 표시 소자 상에 배치되는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 돌기들의 상기 베이스 필름의 표면에 평행한 방향의 단면은 다각형, 원형 및 타원형 중 적어도 하나의 형상을 가지는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 필름은 탄성을 가지는 재질의 물질을 포함하는 표시 장치. - 제13 항에 있어서,
상기 베이스 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리카보네이트(PC, Polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리술폰(PSul, polysulfone), 폴리에틸렌(PE, ployethylene), 폴리프탈라미드(PPA, polyphthalamide), 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate) 및 변성 폴리페닐렌 옥사이드(MPPO, modified polyphenylene oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시 패널 및 상기 보호 필름 사이에 배치되는 점착층을 더 포함하는 표시 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150113890A KR102341853B1 (ko) | 2015-08-12 | 2015-08-12 | 표시 장치 |
| US15/176,043 US9893314B2 (en) | 2015-08-12 | 2016-06-07 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150113890A KR102341853B1 (ko) | 2015-08-12 | 2015-08-12 | 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170020590A KR20170020590A (ko) | 2017-02-23 |
| KR102341853B1 true KR102341853B1 (ko) | 2021-12-23 |
Family
ID=57996129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150113890A KR102341853B1 (ko) | 2015-08-12 | 2015-08-12 | 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9893314B2 (ko) |
| KR (1) | KR102341853B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11329122B2 (en) * | 2017-08-04 | 2022-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, display module, and electronic device having auxiliary wiring connected to common electrode |
| JP2019124761A (ja) * | 2018-01-12 | 2019-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN109065505B (zh) * | 2018-08-10 | 2021-01-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| KR20210080707A (ko) | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 캐리어 필름 |
| KR20220141386A (ko) * | 2021-04-12 | 2022-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI275863B (en) * | 2005-02-22 | 2007-03-11 | Fujitsu Ltd | Flexible substrate being able to prevent plastic deformation and flexible image display |
| KR100709221B1 (ko) * | 2005-08-18 | 2007-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
| CN101479777B (zh) * | 2006-05-31 | 2011-07-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示设备和电子装置 |
| KR101476893B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2014-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 디스플레이용 스크래치 방지 필름 |
| KR102046426B1 (ko) | 2013-07-12 | 2019-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2015
- 2015-08-12 KR KR1020150113890A patent/KR102341853B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-06-07 US US15/176,043 patent/US9893314B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9893314B2 (en) | 2018-02-13 |
| KR20170020590A (ko) | 2017-02-23 |
| US20170047545A1 (en) | 2017-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102417986B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US10649496B2 (en) | Stretchable display device and method of manufacturing stretchable display device | |
| US10374177B2 (en) | Flexible organic light emitting diode display | |
| US10672911B2 (en) | Thin film transistor substrate and display panel having the same | |
| KR102341853B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR102322834B1 (ko) | 터치 센서 및 이를 구비하는 표시 장치 | |
| KR102369858B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR102644827B1 (ko) | 터치 센서 및 이를 구비하는 표시 장치 | |
| CN106057847B (zh) | 显示面板 | |
| KR102581944B1 (ko) | 표시장치 | |
| KR102283006B1 (ko) | 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 | |
| KR20170087556A (ko) | 표시 장치 | |
| US10942590B2 (en) | Touch-sensitive display device and method of fabricating same | |
| US10944070B2 (en) | Display device having curved shape | |
| US9804312B2 (en) | Window for display device and display device including the same | |
| KR102430099B1 (ko) | 전계 발광 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |